專利名稱：薄膜基板的制造方法及使用該基板的半導體元件、顯示裝置和電子裝置的制造方法
技術領域：
本發(fā)明涉及用于驅動顯示面板的驅動器、存儲器、控制器等的IC呈倒焊安裝的結構的便攜裝置等的電子裝置。具體地說，涉及用于電子裝置的IC的安裝方法及可安裝IC的薄膜基板的制造方法，以及具有采用這些方法安裝的半導體裝置的電子裝置。
背景技術：
現(xiàn)有技術中，例如當用于驅動顯示裝置的IC進行倒焊安裝時，或是在IC的墊片上形成電鍍凸起及雙頭凸起，再在將聚酰亞胺作為基板的薄膜基板上以各向異性導電膜進行粘接并保持連接；或是將銀膏復制在凸起上再與薄膜基板連接，其間將欠缺進行充填并保持連接。
另外，在采用金屬擴散進行連接時，實行將IC的焊錫凸起與薄膜基板的電極進行連接，再將欠缺進行充填的方法和對薄膜基板側的電極進行Sn電鍍，再在IC的Au凸起之間進行由Au-Sn共晶結合的連接，最后將欠缺進行充填的方法。
近年來驅動顯示面板的IC中使用的是凸起間距45μm、電極數(shù)900的IC。通常，為了安裝45μm間距，常采用Au-Sn共晶連接。為了制作薄膜基板，在形成基材的聚酰亞胺薄膜上將由鎳等組成的籽晶層進行30噴鍍，接著將銅進行2000噴鍍。此處，籽晶層為粘合銅而設。進而，實施電解電鍍，使導體的總厚度呈約8μm。通過光刻法將這樣的導體圖形化后形成電極，再在其上通過無電解鍍錫形成約0.15～0.25μm純錫。進而形成焊料抗蝕層后制成薄膜基板。在這樣制作的薄膜基板上的電極上將IC加熱加壓后就完成了倒焊連接。進而，為了確保連接的可靠性，將欠缺進行注入，使之硬化。有時還接著進行電阻、電容的表面安裝。進而再用各向異性導電膜將此薄膜基板連接在顯示面板上。此時，由于連接聚酰亞胺薄膜時所加的熱而引起延展，因而顯示面板與薄膜基板的連接端子會發(fā)生位移。為防止這種位移，采用了將一并進行的熱壓接進行分解的方法(例如特開平05-249479號公報)、以及預先將薄膜基板的間距進行校正的方法(例如特開2000-312070號公報)。
隨著IC逐年小型化的推進，開始進行40μm間距的IC和薄膜基板安裝的批量生產。由于IC面積縮小、價格降低，推進了更微細間距的研究。另一方面，在形成直凸起時，間隔13μm、凸起寬度15～17μm是能夠穩(wěn)定批量生產的界限。因此，目前可批量生產的IC的底座間距為30μm。但是，如果超過1000個電極數(shù)的IC的話，即使配置30μm間距的凸起仍將產生與薄膜基板的安裝位移。此位移是IC與薄膜基板的累積間距不合的表現(xiàn)，也是將IC與薄膜基板在中心處端子吻合后，端部的端子發(fā)生大的位移的表現(xiàn)。其原因之一認為是由于安裝時的熱引起薄膜基板熱變形所至。尤其當Au-Sn共晶連接時，因為將連接部溫度加熱到350～380℃，即使使用耐熱性高的聚酰亞胺也會產生位移。作為位移的對策，在薄膜基板的總體圖形或只在IC安裝部以一定倍率進行了用于校正伸展量的圖形縮小。進行了校正后的圖形雖減小了位移的程度，但因存在伸展的偏差，此種方法只能治標不能治本。
作為其他原因，認為在于薄膜基板是以滾軋方式制作所至。此種場合，使用200～500寬的金屬版進行制造。制品在金屬版上呈0°、90°、180°、270°狀自由配置，并使制品旋轉180度交互配置，制造中以達到處理數(shù)量最多為目的來配置制品。薄膜基板的金屬版因以單軸壓延聚酰亞胺，故流動方向(MDMachine-Direction)與寬度方向(TDTransfer-Direction)的特性不同。盡管薄膜制造廠家公示的物理特性中強度、延伸度、拉伸彈性模量、熱收縮率、熱膨脹系數(shù)、濕度膨脹系數(shù)的特性在MD和TD上為同樣的特性值，但實際上MD和TD的尺寸變化特性不同。另外，由于在金屬版薄膜基板上的制品的配置不同，IC的連接邊或為MD方向或為TD方向。
另外，薄膜基板的初始尺寸偏差也是一大原因之一。通常，使用在聚酰亞胺薄膜上噴鍍金屬薄膜并以電鍍法形成銅的材料的薄膜基板的初始尺寸偏差對應長度方向存在±0.06％的偏差。雖說薄膜基板的圖形掩模是固定條件，理應毫無偏差，但制品的尺寸仍不穩(wěn)定。究其原因，在于由薄膜基板的聚酰亞胺薄膜的特性、溫度引起的尺寸變化和由吸水及干燥后的狀態(tài)引起的尺寸變化。例如東麗杜邦(東レデュポン)股份有限公司的聚酰亞胺薄膜(カプトン)100EN，熱膨脹系數(shù)MD及TD皆為16ppm/℃、濕度膨脹系數(shù)MD及TD皆為15ppm/％RH。這一影響成為薄膜基板的尺寸偏差的原因。
目前的薄膜基板的累積間距尺寸偏差，即使在尺寸精度高的TD方向安裝前也是為±0.06％，金錫共晶連接后產生±0.10％的偏差。若進行30μm間距的安裝，如17mm長尺寸的IC芯片時，安裝后的凸起和薄膜基板的圖形的允許誤差量為±10μm。
然而，由安裝裝置造成的偏差約為±5μm，目前的薄膜基板安裝前的累積間距偏差約為±10μm，安裝后產生±17μm。安裝后的IC和薄膜基板的位移量，由于安裝后的薄膜的尺寸偏差以中心為基準向兩端平分，故偏差為一半即±8.5μm，安裝裝置的合計偏差最大為±13.5μm。因此，17mm長尺寸的IC芯片的30μm間距的安裝，最終成為廢品多的高價產品。
要進行采用了17mm的IC的30μm間距的安裝，薄膜基板所要求的尺寸精度必須在初始時累積間距偏差為±3μm，安裝后的累積間距偏差為±10μm?；宓某叽缇扰c安裝裝置的安裝位置偏差相加，能做到各電極的連接允許值的偏差在±10μm以內。為此，薄膜基板的初始尺寸偏差必須做到為以往偏差的一半以下即約±0.02％，金錫共晶安裝后的精度必須做到約±0.05％。
薄膜基板的尺寸偏差的主要原因在與顯示面板的連接上也是一樣。

發(fā)明內容
本發(fā)明為實現(xiàn)IC與薄膜基板的高密度安裝，通過提高薄膜基板的累積圖形間距精度以及減少由安裝產生的延伸量、提高安裝后的薄膜基板的尺寸精度，提供一種提高安裝合格率、價格便宜的電子裝置及顯示裝置。
為解決上述課題，本發(fā)明的電子裝置的制造方法具有減少薄膜基板中所含水分的工序和在此薄膜基板上安裝IC的工序。也就是說，在將薄膜基板處理成大致無水分的狀態(tài)后，將IC進行倒焊安裝。薄膜基板的吸水是偏差的主要原因，通過去除水分后形成干燥狀態(tài)，能使?jié)穸扰蛎浗跤诹?。因而安裝前的薄膜基板形成非常穩(wěn)定的尺寸。這里所謂干燥狀態(tài)，是指薄膜基板中所含水分的量在0.1Wt％以下的狀態(tài)。
在將IC安裝于薄膜基板上時，因加熱溫度在100℃以上，所以造成薄膜基板溫度的急劇升高。因此薄膜基板中所含的水分在瞬間蒸發(fā)。這是薄膜延伸進一步增加的一大原因，因此通過將薄膜基板在安裝IC前預先進行干燥處理，將薄膜基板中所含的水分減少或完全去除，能夠大大減小IC安裝時薄膜基板的尺寸偏差。
還有，本發(fā)明的電子裝置的制造方法是將薄膜基板在一定的溫濕度環(huán)境下至少放置一定時間后再進行IC倒焊安裝，與干燥狀態(tài)相比，雖精度差，但生產性方面無需從干燥狀態(tài)到安裝的時間管理。
另外，根據(jù)本發(fā)明的顯示裝置的制造方法是將薄膜基板形成干燥狀態(tài)后再進行IC倒焊安裝，進而將上述安裝了IC的薄膜基板在干燥狀態(tài)通過各向異性導電膜等與顯示面板進行連接。
另外，根據(jù)本發(fā)明在高分子薄膜上設有金屬布線的薄膜基板的制造方法通過在高分子薄膜上形成金屬后再進入干燥狀態(tài)之后形成蝕刻圖形，提高了薄膜基板的累積圖形精度。
此外，由IC安裝造成的薄膜基板的尺寸偏差，從干燥狀態(tài)如安裝的凈化室的環(huán)境為25℃60％的場合達到干燥后的狀態(tài)為17062.9±6.8μm的基板在上述環(huán)境下放置24小時，變?yōu)?7065.1±3.5μm。長度約延伸2μ，偏差約減少50％。


圖1(a)～圖1(e)為說明液晶顯示裝置的制造方法的模式圖；圖2為模式化表示薄膜基板的圖形配置的上視圖；圖3為模式化表示IC電路面的凸起配置的上視圖。
具體實施例方式
本發(fā)明的電子裝置、半導體元件及顯示裝置的制造方法為了薄膜基板的圖形間距的穩(wěn)定化，通過去除薄膜中吸收的水分、達到干燥狀態(tài)，將累積圖形間距穩(wěn)定化，在該狀態(tài)下進行了安裝作業(yè)。另外，本發(fā)明的薄膜基板的制造方法為了薄膜基板的圖形間距的穩(wěn)定化，在去除薄膜中吸收的水分、干燥狀態(tài)之后進行了圖形形成。
也就是說，本發(fā)明的表面設有可安裝IC的薄膜基板的電子裝置的制造方法具有將薄膜基板中所含水分減少的工序和此后在薄膜基板上安裝IC的工序。這里，在將薄膜基板中所含水分減少的工序中，將薄膜基板中所含水分的量減少到了0.1Wt％以下?；蛘弑景l(fā)明具有將薄膜基板在一定溫濕度環(huán)境下放置一定時間以上的工序；此后在薄膜基板上安裝IC的工序。這里，一定溫濕度的環(huán)境是與其后進行安裝IC的工序的環(huán)境一致的環(huán)境。
另外，根據(jù)本發(fā)明在高分子薄膜上設置金屬布線的薄膜基板的制造方法具有在高分子薄膜上形成金屬薄膜的工序；為將高分子薄膜中所含水分減少、進行干燥處理的工序；在干燥處理后將金屬布線形成圖形的工序?；蛘弑景l(fā)明具有在高分子薄膜上形成金屬薄膜的第一工序；將高分子薄膜在一定溫濕度環(huán)境下放置一定時間以上的第二工序；在第二工序后將金屬布線形成圖形的工序。
薄膜基板貼有工序搬運用的包裝膜時，或即使未貼包裝膜時，因在圖形形成之前形成干燥狀態(tài)，所以不存在因圖形形成產生基材卷曲的影響，能夠提高圖形累積精度。
另外，根據(jù)本發(fā)明在設于薄膜上的布線上安裝IC芯片的半導體元件的制造方法具有在薄膜上形成布線的第一工序；形成布線后的薄膜中所含水分的量在0.1Wt％以下的第二工序；第二工序之后將IC芯片與布線接合的工序?；蛘弑景l(fā)明具有在薄膜上形成布線的第一工序；將形成布線后的薄膜在一定溫濕度環(huán)境下放置一定時間以上的第二工序；第二工序之后將IC芯片與布線接合的工序。
進而，此第一工序包括在薄膜上形成金屬薄膜的工序；將薄膜中所含水分的量達到0.1Wt％以下的干燥處理工序；干燥處理工序后將布線通過圖形化形成的工序?；蛘撸说谝还ば虬ㄔ诒∧ど闲纬山饘俦∧さ墓ば颍粚⒏叻肿颖∧ぴ谝欢ǖ臏貪穸拳h(huán)境下放置一定時間以上的調濕處理工序；調濕處理工序后將布線通過圖形化形成的工序。
此外，根據(jù)本發(fā)明的顯示裝置的制造方法具有形成設有布線的薄膜基板的工序；在布線上接合IC后形成半導體元件的工序；通過將薄膜基板中所含水分的量達到0.1Wt％以下的工序再將薄膜基板與顯示元件連接的工序。或者本發(fā)明具有形成設有布線的薄膜基板的工序；在布線上接合IC后形成半導體元件的工序；通過將薄膜在一定的溫濕度環(huán)境下放置一定時間以上的工序后將薄膜基板與顯示面板連接的工序。進一步，使在此使用的半導體元件為前述的各半導體元件的制造方法生產的半導體元件。或者，使在此使用的薄膜基板為前述各薄膜基板的制造方法生產的薄膜基板。
上述各方法中，以干燥狀態(tài)在25℃60％的環(huán)境中放置后，聚酰亞胺薄膜(カプトン)EN的濕度而引起尺寸變化引起的延伸率為30分鐘0.025％；1小時0.04％；100小時0.05％以下大致穩(wěn)定。因此，從干燥狀態(tài)到加工處理的時間越短越好。
另外，在去除薄膜中吸收的水分、形成大致干燥狀態(tài)后，也可將薄膜在一定的溫濕度環(huán)境下進行保管，之后，再移至下一處理工序。通過將薄膜在一定的溫濕度環(huán)境下進行保管，使薄膜中的水分的吸收狀態(tài)穩(wěn)定化。由此，在該環(huán)境中的累積圖形間距保持穩(wěn)定化，以此狀態(tài)移至下一處理工序。此時的一定的溫濕度條件最好與下一處理工序的處理環(huán)境相同。
下面根據(jù)附圖就本發(fā)明的實施例進行說明。
實施例1圖1(a)～1(e)為說明根據(jù)本實施例的顯示裝置的制造方法的模式圖。圖1(a)為薄膜基板的初始狀態(tài)。是在厚度25μm的聚酰亞胺薄膜1上形成圖形2后的薄膜基板。本實施例中，在薄膜上形成圖形前，先進行去除薄膜中吸收的水分、形成大致干燥狀態(tài)的處理。
為達到大致干燥狀態(tài)，將薄膜基板和硅膠放入密封袋或保管庫等中，保持24小時或原樣將薄膜基板和硅膠共同放入冰柜中保持24小時。放入冰柜中時，要十分注意開封后可能結露。另外，在為去除薄膜中吸收的水分而進行加溫處理時，以80℃·30分鐘～100℃·15分鐘的敞開方式進行加溫處理。
這里，圖形由設于聚酰亞胺薄膜上的30的Ni合金、設于此Ni合金層上的由噴鍍和電解電鍍形成的4～8μm厚的Cu、和表面的0.15～0.25μm厚的無電解鍍錫形成。圖形形成方法有減色法；半添加法；添加法等。也可根據(jù)需要形成焊錫抗蝕層。此時，通常在形成抗蝕層后進行鍍錫，也可在抗蝕層形成前預先將薄膜進行鍍錫，在抗蝕層形成后形成0.15～0.25μm的純錫層。
圖2為簡略化表示用于安裝在薄膜基板上形成的IC的圖形的上視圖，IC的長邊方向為薄膜的TD方向，短邊方向為MD方向。也可在圖形中與IC連接的內側設置矩形等圖形。在長邊方向可以30μm間距形成572個電極，在短邊方向可以30μm間距形成140個電極，4個邊一共形成1424個電極。電極的寬度為10±2μm。
本實施例中，在薄膜上形成圖像后，進行去除薄膜中吸收的水分、以此形成大致干燥狀態(tài)的處理。為達到大致干燥狀態(tài)，將薄膜基板和硅膠放入密封袋或保管庫等中，保持24小時或原樣將薄膜基板和硅膠共同放入冰柜中保持24小時。放入冰柜中后，要十分注意開封后可能結露。另外，在為去除薄膜中吸收的水分而進行加溫處理時，以80℃·30分鐘～100℃·15分鐘的敞開方式進行加溫處理。
圖1(b)為在干燥狀態(tài)后的薄膜基板上將IC3進行倒焊安裝的側面圖。IC3上形成硅0.5mm、Au凸起高度17μm。凸起通過光刻膠將形成的區(qū)域進行開口后以電解電鍍形成。形成之后除去光刻膠。圖3為從上面看的IC3的電路面的圖。IC3為長片形狀，外形尺寸為17.48×4.5mm。凸起在長邊方向與薄膜基板相同，為572個，短邊方向為140個，合計形成1424個凸起。凸起的寬度以17μm的凸起間的間距形成為13μm。將此凸起通過金—錫共晶結合與薄膜基板的電極進行連接。此時的連接條件為，以440℃的工具從IC3側施加13kg的負荷并保持2秒鐘。
從干燥的環(huán)境中取出的薄膜基板必須迅速用于安裝工序。用時間計算，必須在大致60分鐘以內進行安裝。在進行加熱處理并安裝時，由于金—錫共晶連接，薄膜基板的鍍錫會因熱處理條件產生擴散，所以要預先附以厚于通常的鍍錫。
干燥處理后的薄膜基板的尺寸精度，在銅厚8μm時，薄膜基板的17.130mm的長邊方向(TD)的安裝前偏差為±0.04％，安裝后的尺寸偏差為±0.046％；薄膜基板的4.17mm的短邊方向(MD)的安裝前偏差為±0.086％，安裝后的尺寸偏差為±0.0771％，同以往薄膜基板相比有所改善。另外，在銅厚4μm時，薄膜基板的長邊方向(TD)的安裝前偏差為±0.036％，安裝后為±0.0145％；短邊方向(MD)的安裝前偏差為±0.1176％，安裝后為±0.0802％，銅薄時更為穩(wěn)定。
本實施例中，因為在干燥處理后在23℃55％的環(huán)境中取出并進行IC倒焊安裝，加重了薄膜基板的吸水。為了盡量減少薄膜基板的吸水，不僅是從取出到安裝的時間，盡量減小安裝環(huán)境的濕度也很重要。另外，作為即使在IC安裝中也不使薄膜吸水的安裝方法，即在薄膜基板干燥處理后以真空狀態(tài)安裝IC的方法，最理想的是在薄膜基板干燥處理后接著在氮氣凈化的環(huán)境中進行IC安裝的方法。
IC的安裝方法不僅有金-錫共晶連接，還有金-金熱壓接、超聲波連接及各向異性導電膜、NCP等，但無論采用哪種方法連接，都同樣能縮小偏差。
圖1(c)所示為注入填充劑并硬化后的狀態(tài)的側面圖。填充劑從IC3的側面進行點狀或線狀涂布填充，之后通過加熱進行硬化。圖1(d)為焊錫安裝后的側面圖，芯片電阻5靠焊錫連接。安裝部件中除芯片電阻外，還有電容器、封裝IC、線圈、連接器等。
圖1(e)為將圖1(d)所示的撓性基板安裝在顯示面板7上后的側面圖。在顯示面板7的端子部粘貼各向異性導電膜8，并進行薄膜基板對位。在對位后進行保持的狀態(tài)下，以常溫或不使各向異性導電膜8硬化的溫度進行點固。之后，施加打破各向異性導電膜樹脂的硬化溫度條件和各向異性導電膜的連接微粒使之接觸的負荷條件，將顯示面板與薄膜基板進行連接。根據(jù)不同情況，也可省略點固工序。
另外，在顯示面板上連接薄膜基板時也一樣，通過將薄膜基板形成大致干燥狀態(tài)后進行對位連接，能獲得穩(wěn)定的尺寸精度。
本實施例中，在薄膜基板上形成圖形之前和在薄膜基板的圖形上安裝IC之前，進行用于將薄膜基板形成大致干燥狀態(tài)的處理，也可在兩者中任意一個時間進行處理，能獲得某種程度的效果。
實施例2下面將本發(fā)明的實施例進行說明。本實施例將薄膜中所含水分的量進行調節(jié)的方法不同于實施例1，而其余的制造方法基本上與實施例1相同，因此加以適當省略后進行說明。
實施例1中進行了將薄膜中吸收的水分去除并形成大致干燥狀態(tài)的處理，本實施例中則采用如下的方法。也就是說，進行了將薄膜基板在與進行安裝的環(huán)境下相同的環(huán)境下放置24小時的處理。例如本實施例的環(huán)境為22℃60％。進行了此處理時，就無需進行薄膜基板的加工時間前的時間管理。根據(jù)本實施例中采用的聚酰亞胺薄膜(カプトン)EN的濕度的25℃中的尺寸變化率，30分鐘為0.025％；1小時為0.04％；100小時為0.05％以下大致穩(wěn)定化。由上述處理條件將薄膜基板進行調濕處理后的薄膜基板的尺寸精度在銅箔8μm厚時，薄膜基板的長邊方向(TD)上安裝前為±0.02％，安裝后為±0.053％；薄膜基板的短邊方向(MD)上安裝前為±0.0713％，安裝后為±0.0998％，比以往的薄膜基板有所改善。另外，在使用4μm厚銅箔時，長邊方向(TD)上安裝前為±0.031％，安裝后為±0.024％；短邊方向(MD)上安裝前為±0.1056％，安裝后為±0.1023％，銅箔薄的一方更為穩(wěn)定。
根據(jù)本實施例的調濕處理與實施例1的干燥處理相比，薄膜基板的尺寸穩(wěn)定，但安裝后的尺寸精度以干燥處理一方為好，原因認為是由于實裝時的熱影響和薄膜內的水分的影響。另外，銅箔薄的一方尺寸穩(wěn)定性高，在此兩處理法的傾向一致。
另外，在顯示面板上連接薄膜基板時也一樣，通過進行將薄膜基板與進行安裝的環(huán)境相同的環(huán)境下放置的調濕處理后進行對位連接，能獲得穩(wěn)定的尺寸精度。
實施例3下面就可倒焊安裝IC的薄膜基板的制造方法進行說明。本實施例中，對應在聚酰亞胺薄膜上設置金屬薄膜的金屬版厚度，使用貼有搬運用包裝膜的結構的薄膜基板。在此薄膜基板上進行圖形抗蝕層形成，然后曝光、顯像之后，用刻蝕液形成圖形，最后去除圖形抗蝕層。這樣就能完成薄膜基板的圖形形成。本發(fā)明中，在此曝光之前，進行薄膜干燥處理或調濕處理。本實施例中，將150℃30分的加溫處理作為干燥處理的條件，將23℃55％在一定環(huán)境下放置24小時作為調濕處理的條件。
下面，將貼有搬運用內襯包裝膜的薄膜基板和沒貼搬運用內襯包裝膜的薄膜基板在曝光工序前進行了放置在一定環(huán)境下的調濕處理或干燥處理時、將薄膜基板的TD方向的尺寸變化率進行了測定。其結果如表1所示。這里用的薄膜基板的金屬版采用以低CTE、厚度25μm的東麗杜邦(東レデュポン)股份有限公司制的聚酰亞胺薄膜(カプトン)EN作為聚酰亞胺薄膜使用，將在鎳特殊合金蒸鍍了數(shù)10后接著噴鍍銅，最終由電解電鍍形成8μm厚的銅作為金屬薄膜使用。
(表1)

由表1的測定結果可知，尺寸變化率不受有無搬運用包裝膜的影響。另外，以往的薄膜基板的累積間距尺寸的偏差即使在尺寸精度好的TD方向也有±0.06％，本實施例的任意一種處理都能減少尺寸變化。此外，曝光前進行干燥處理的一方與23℃55％·24小時放置的一方相比，尺寸變化能減少約50％，效果更顯著。
實施例4下面將本發(fā)明的顯示裝置的制造方法進行詳細說明。本實施例以將前述各實施例加以適當組合后實現(xiàn)的顯示裝置的制造方法為例進行說明。
首先，通過用薄膜基板的金屬版在聚酰亞胺薄膜上形成金屬薄膜構成的圖形之前，進行薄膜基板的干燥處理。由此提高圖形形成的尺寸精度。曝光前進行干燥處理是有效的。作為干燥處理的條件，例如，可進行150℃30分鐘的加溫處理。
接著，或接著在此薄膜基板上或在進行調濕處理后，將IC連接(安裝)、密封在此薄膜基板上，形成半導體元件。接著，對此半導體元件做進一步調濕處理，將半導體元件與顯示元件的圖形(端子)進行對位并連接。調濕處理環(huán)境最好與進行下一工序的環(huán)境相近，例如可以溫度23℃、濕度55％放置24小時作為具體條件。通過這樣的作法，能提高圖形精度，減小偏差及位移量，并能穩(wěn)定地實現(xiàn)微細連接。
根據(jù)本發(fā)明，對應IC芯片的高密度化，通過穩(wěn)定的成品率和降低小型化的IC的成本，能夠提供一種價格便宜的電子裝置及顯示裝置。并能提供一種尺寸偏差小的薄膜基板。
權利要求
1.一種電子裝置的制造方法，該方法是具有表面上安裝了IC的薄膜基板的電子裝置的制造方法，其特征在于具有使薄膜基板中所含水分減少的工序；在所述薄膜基板上安裝IC的工序。
2.根據(jù)權利要求1所述的電子裝置的制造方法，其特征在于，在使薄膜基板中所含水分減少的工序中使薄膜中所含水分的量在0.1Wt％以下。
3.一種電子裝置的制造方法，該方法是具有表面上安裝了IC的薄膜基板的電子裝置的制造方法，其特征在于具有將薄膜基板在一定的溫濕度環(huán)境下放置一定時間以上的工序；在所述薄膜基板上安裝IC的工序。
4.根據(jù)權利要求3所述的電子裝置的制造方法，其特征在于，所述一定的溫濕度環(huán)境是與進行所述安裝IC的工序環(huán)境相同的環(huán)境。
5.一種薄膜基板的制造方法，該方法是一種在高分子薄膜上設有金屬布線的薄膜基板的制造方法，其特征在于具有在高分子薄膜上形成金屬薄膜的工序；為使所述高分子薄膜中所含水分減少而進行干燥處理的工序；在進行干燥處理之后制作所述金屬布線的工序。
6.一種薄膜基板的制造方法，該方法是一種在高分子薄膜上設有金屬布線的薄膜基板的制造方法，其特征在于具有在高分子薄膜上形成金屬薄膜的第一工序；將所述高分子薄膜在一定溫濕度環(huán)境下放置一定時間以上的第二工序；在所述第二工序后將金屬布線形成圖形的工序。
7.一種半導體元件的制造方法，該方法是一種在設于薄膜上的布線上安裝IC芯片的半導體元件的制造方法，其特征在于具有在薄膜上形成布線的第一工序；使形成布線后的薄膜中所含水分的量在0.1Wt％以下的第二工序；在所述第二工序之后將IC芯片與所述布線接合的工序。
8.一種半導體元件的制造方法，該方法是一種在設于薄膜上的布線上安裝IC芯片的半導體元件的制造方法，其特征在于具有在薄膜上形成布線的第一工序；將形成布線后的薄膜在一定溫濕度環(huán)境下放置一定時間以上的第二工序；在所述第二工序之后將IC芯片與所述布線接合的工序。
9.根據(jù)權利要求7所述的半導體元件的制造方法，其特征在于，所述第一工序包括在薄膜上形成金屬薄膜的工序；使所述薄膜中所含水分的量達到0.1Wt％以下的干燥處理工序；在所述干燥處理工序后將所述布線通過圖形化形成的工序。
10.根據(jù)權利要求8所述的半導體元件的制造方法，其特征在于，所述第一工序包括在薄膜上形成金屬薄膜的工序；使所述薄膜中所含水分的量達到0.1Wt％以下的干燥處理工序；在所述干燥處理工序后將所述布線通過圖形化形成的工序。
11.根據(jù)權利要求7所述的半導體元件的制造方法，其特征在于，所述第一工序包括在薄膜上形成金屬薄膜的工序；將所述高分子薄膜在一定的溫濕度環(huán)境下放置一定時間以上的調濕處理工序；在所述調濕處理工序后將所述布線通過圖形化形成的工序。
12.根據(jù)權利要求8所述的半導體元件的制造方法，其特征在于，所述第一工序包括在薄膜上形成金屬薄膜的工序；將所述高分子薄膜在一定的溫濕度環(huán)境下放置一定時間以上的調濕處理工序；在所述調濕處理工序后將所述布線通過圖形化形成的工序。
13.一種顯示裝置的制造方法，其特征在于具有形成設有布線的薄膜基板的工序；通過在所述布線上接合IC形成半導體元件的工序；通過使所述薄膜中所含水分的量達到0.1Wt％以下的工序將所述薄膜基板與顯示元件連接的工序。
14.一種顯示裝置的制造方法，其特征在于，具有形成設有布線的薄膜基板的工序；通過在所述布線上接合IC形成半導體元件的工序；通過將所述薄膜基板在一定的溫濕度環(huán)境下放置一定時間以上的工序，將所述薄膜基板與顯示面板連接的工序。
15.根據(jù)權利要求13所述的顯示裝置的制造方法，其特征在于，所述半導體元件采用下列工序形成，即在薄膜上形成布線的第一工序；使形成布線后的薄膜中所含水分的量達到0.1Wt％以下的第二工序；在所述第二工序后將IC芯片與所述布線接合的工序。
16.根據(jù)權利要求14所述的顯示裝置的制造方法，其特征在于，所述半導體元件采用下列工序形成，即在薄膜上形成布線的第一工序；使形成布線后的薄膜中所含水分的量達到0.1Wt％以下的第二工序；在所述第二工序后將IC芯片與所述布線接合的工序。
17.根據(jù)權利要求13所述的顯示裝置的制造方法，其特征在于，所述薄膜基板采用下列工序制造，即在高分子薄膜上形成金屬薄膜的工序；為使所述高分子薄膜中所含水分減少而進行干燥處理的工序；在進行干燥處理之后制作所述金屬布線的工序。
18.根據(jù)權利要求14所述的顯示裝置的制造方法，其特征在于，所述薄膜基板采用下列工序制造，即在高分子薄膜上形成金屬薄膜的工序；為使所述高分子薄膜中所含水分減少而進行干燥處理的工序；在進行干燥處理之后制作所述金屬布線的工序。
19.根據(jù)權利要求13所述的顯示裝置的制造方法，其特征在于，所述薄膜基板采用下列工序制造，即在高分子薄膜上形成金屬薄膜的第一工序；將所述高分子薄膜在一定溫濕度環(huán)境下放置一定時間以上的第二工序；在所述第二工序后將金屬布線形成圖形的工序。
20.根據(jù)權利要求14所述的顯示裝置的制造方法，其特征在于，所述薄膜基板采用下列工序制造，即在高分子薄膜上形成金屬薄膜的第一工序；將所述高分子薄膜在一定溫濕度環(huán)境下放置一定時間以上的第二工序；在所述第二工序后將金屬布線形成圖形的工序。
全文摘要
本發(fā)明提供一種無安裝時的位移、并能穩(wěn)定進行30μm間距程度的微細連接的制造方法。由此，通過伴隨IC小型化的成本下降獲得價格便宜的裝置。在此，或是將薄膜基板的聚酰亞胺薄膜的水分以大致干燥后的狀態(tài)進行安裝，或是在一定環(huán)境下調濕后進行安裝。另外，或是將薄膜基板同樣進行干燥處理，或是調濕后形成圖形。
文檔編號H05K3/32GK1758423SQ20041010057
公開日2006年4月12日 申請日期2004年10月8日 優(yōu)先權日2004年10月8日
發(fā)明者松平努, 足立英明, 林惠一郎, 西川忠寬, 小泉信和 申請人:精工電子有限公司, 東麗薄膜加工有限公司, 丸和制作所有限公司