專利名稱：有機(jī)電致發(fā)光顯示器及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種有機(jī)電致發(fā)光顯示器及其制造方法；特別地，涉及一種有機(jī)電致發(fā)光顯示器以及能夠簡化制造工藝并通過具有單一絕緣圖案的隔離器件來降低生產(chǎn)成本的制造方法。
背景技術(shù)：
通常，以將有機(jī)電致發(fā)光層插入到透明基底上的陰極層和陽極層之間的方式構(gòu)造作為平板顯示器之一的有機(jī)電致/場致發(fā)光顯示器。有機(jī)電致發(fā)光顯示器具有非常薄的厚度，并且進(jìn)一步可被形成為矩陣型。此外，有機(jī)電致發(fā)光顯示器可由低于15V的低電壓驅(qū)動(dòng)，并與TFT-LCD相比，在亮度、視角、響應(yīng)時(shí)間、功率消耗等方面具有更優(yōu)良的特性。特別地，與其他顯示器相比，有機(jī)電致發(fā)光顯示器具有1μs的快速響應(yīng)時(shí)間，并因此非常適用于對(duì)于移動(dòng)圖片功能非常重要的下一代多媒體顯示器。
但是，由于有機(jī)發(fā)光層和有機(jī)電致發(fā)光顯示器的陰極層易受到氧氣和濕氣的影響，所以在制造過程中應(yīng)避免暴露于外部空氣中，以便確保有機(jī)電致發(fā)光顯示器的可靠性。因此，有機(jī)電致發(fā)光的制造過程通常不能使用適用于像素效應(yīng)的光刻技術(shù)或構(gòu)圖(圖形形成)工藝。
有機(jī)電致發(fā)光顯示器的有機(jī)層和陰極層的像素效應(yīng)運(yùn)用一種使用蔭罩而不使用包含掩蔽工藝和蝕刻工藝的光刻技術(shù)的直接像素效應(yīng)，其中在所述光刻技術(shù)中，有機(jī)層和陰極層暴露于氧氣和濕氣中。但是，如果減小像素之間的間距、即構(gòu)成有機(jī)層和陰極層的線間的間隔以實(shí)現(xiàn)高分辨率，則上述方法不適用。
構(gòu)圖有機(jī)電致發(fā)光顯示器的一種常規(guī)方法以這樣的方式實(shí)施，即在陰極層和基底上形成電絕緣材料的絕緣層和隔離體，進(jìn)而通過使用隔離體構(gòu)圖陰極層。
在此方法中，絕緣層形成在陽極層中除圓點(diǎn)形開口以外的全部區(qū)域上。在此情況下，絕緣層根據(jù)開口限定像素并抑制陰極邊緣的泄漏電流。此外，因?yàn)榀B置的有機(jī)層在隔離體附近變得較薄，且由于隔離體在垂直于通過構(gòu)圖陰極層而形成的陽極層的方向上所引起的陰影效應(yīng)，使得絕緣層阻止了陰極層在邊界處與陽極層的短路。
此外，絕緣層沒有外伸結(jié)構(gòu)，以防止之后形成的陰極層被切除。因此，絕緣層通常由正光致抗蝕材料形成，以便具有正剖面(positiveprofile)。
形成在絕緣層上的隔離體與即將設(shè)置的陽極層相交而使其彼此以預(yù)定的距離分隔，并具有外伸結(jié)構(gòu)，以使陰極層與鄰近元件之間不會(huì)短路。特別地，不同于常規(guī)的構(gòu)圖工藝，在隔離體中經(jīng)常保持負(fù)剖面，以防止鄰近陰極層線之間的短路。如果沒有隔離體，在鄰近像素之間就會(huì)發(fā)生短路。負(fù)光致抗蝕材料用于具有外伸結(jié)構(gòu)的隔離體。
為了穩(wěn)定地制造有機(jī)電致發(fā)光顯示器，絕緣層和隔離體都是必需的。然而，制造絕緣層和隔離體的每個(gè)工序都需要光刻工藝，所以有機(jī)電致發(fā)光顯示器的制造工藝變得復(fù)雜且增加了其生產(chǎn)成本。
以下參照附圖描述第一常規(guī)有機(jī)電致發(fā)光顯示器的制造方法。
圖1是第一常規(guī)有機(jī)電致發(fā)光顯示器的平面圖。
如圖1所示，具有特定寬度并由銦錫氧化物(ITO)等制成的多個(gè)第一電極12呈條形設(shè)置在透明基底11上。格子形的絕緣圖案13疊置在具有第一電極12的透明基底11上的相鄰第一電極12之間的區(qū)域以及與第一電極12相交的區(qū)域中。此外，隔離體14形成在絕緣圖案13與第一電極12相交的區(qū)域中。
此外，有機(jī)發(fā)光層和第二電極(未示出)形成在包含絕緣圖案13和隔離體14的第一電極12上。
以下參照?qǐng)D2A至2C和3A至3C詳細(xì)描述第一常規(guī)有機(jī)電致發(fā)光顯示器的制造方法。
圖2A至2C提供了沿圖1中A-A線截取并示出了第一常規(guī)有機(jī)電致發(fā)光顯示器的制造方法的工序的截面圖。
圖3A至3C描繪了沿圖1中B-B線截取并示出了第一常規(guī)有機(jī)電致發(fā)光顯示器的制造方法的工序的截面圖。
如圖2A和3A所示，通過濺射將由銦錫氧化物(ITO)等制成的陽極(未示出)以預(yù)定的厚度疊置在透明基底11上。在所沉積的整個(gè)陽極層上涂覆光致抗蝕劑(未示出)。光致抗蝕劑通過掩膜被曝光并被顯影，從而形成條形光致抗蝕劑圖案(未示出)。通過將光致抗蝕劑圖案用作掩膜蝕刻陽極層并去除殘留的光致抗蝕劑，從而形成條形第一電極12。
如圖2B和3B所示，在包含第一電極12的透明基底11上疊置電絕緣層(未示出)。絕緣層可由有機(jī)或無機(jī)材料制成。對(duì)于有機(jī)材料，可以使用丙烯酸基、酚醛清漆基、環(huán)氧基和聚酰亞胺基的光致抗蝕劑等。對(duì)于無機(jī)材料，可使用氧化硅薄膜、氮化硅薄膜、氮氧化硅薄膜等。接著，通過構(gòu)圖絕緣層，在第一電極12和透明基底11上除了第一電極12上形成的圓點(diǎn)形開口外的相鄰第一電極12之間的區(qū)域以及以規(guī)則間隔與第一電極12相交的區(qū)域中形成格子形的絕緣圖案13。
如圖2C和3C所示，在絕緣圖案13上疊置用作電絕緣材料的負(fù)型有機(jī)光致抗蝕劑(未示出)，并隨后進(jìn)行構(gòu)圖工藝，從而形成具有負(fù)剖面的隔離體14。在此情況下，隔離體14與第一電極12相交并以規(guī)則間隔設(shè)置在圓點(diǎn)型開口之間的絕緣圖案13上。此外，隔離體14具有外伸機(jī)構(gòu)，以便防止第二電極16與鄰近元件之間的短路。隨后，通過使用蔭罩(未示出)在包含第一電極12的整個(gè)表面上順序疊置有機(jī)發(fā)光層15和第二電極16。在此連接方式中，如果有機(jī)發(fā)光層15疊置在第一電極12上，由于隔離體的陰影效應(yīng)使得有機(jī)發(fā)光層15的厚度在隔離體附近變得更薄，所以疊置在有機(jī)發(fā)光層15上的第二電極16在邊界處與第一電極12發(fā)生短路。絕緣圖案13用于防止這種短路。
接著，由金屬、玻璃等形成的封裝板或由有機(jī)或無機(jī)薄膜形成的鈍化層形成在包含第二電極16的整個(gè)表面上，以便氣密地保護(hù)易受外部濕氣和氧氣影響的有機(jī)發(fā)光層15和第二電極16。
在前述第一常規(guī)電致發(fā)光顯示器及其制造方法中，需要進(jìn)行兩次光刻工藝，以形成絕緣圖案和隔離體，由此導(dǎo)致了復(fù)雜的制造工藝以及材料的高消耗。另外，由于通過各自的構(gòu)圖工藝形成絕緣圖案和隔離體兩個(gè)涂層，故它們之間的粘合性變?nèi)酢?br> 圖4示出了第二常規(guī)有機(jī)電致發(fā)光顯示器的平面圖。圖5A、5B和5C給出了分別沿圖4中A-A′線、B-B′線和C-C′線截取的示出了第二常規(guī)有機(jī)電致發(fā)光顯示器的截面圖。
如圖4和5A至5C所示，具有特定寬度并由銦錫氧化物(ITO)等制成的多個(gè)第一電極42呈條形設(shè)置在透明基底41上。格子形的絕緣圖案43疊置在具有第一電極42的透明基底41上的相鄰第一電極42之間的區(qū)域以及與第一電極42相交的區(qū)域中。此外，在第一電極42上形成用于暴露形成像素的區(qū)域的開口45。因此，暴露形成像素區(qū)域的開口45的絕緣圖案43具有格子形狀。
此外，通過使用具有矩形、狹縫形和人形半色調(diào)圖案的半色調(diào)曝光掩膜形成沿著與多個(gè)第一電極42平行的方向疊置的絕緣圖案43a。沿著與第一電極42相交的方向形成的絕緣圖案43b被形成為正常色調(diào)圖案。此時(shí)，絕緣圖案43a具有比絕緣圖案43b更薄的厚度。上述設(shè)置可用于排除當(dāng)?shù)诙姌O(未示出)沉積在光致抗蝕劑和第一電極42邊緣之間的邊界上時(shí)，由于沿著與第一電極42相交方向所形成的第二電極的厚度變得更薄而發(fā)生的斷路的可能性。
以下參照?qǐng)D6A至6D和7A至7D詳細(xì)描述圖4所示第二常規(guī)有機(jī)電致發(fā)光顯示器的制造方法。
圖6A至6D描繪了沿圖4中A-A′線截取并示出了第二常規(guī)有機(jī)電致發(fā)光顯示器制造方法的工序的截面圖。圖7A至7D提供了沿圖4中B-B′線截取并示出了第二常規(guī)有機(jī)電致發(fā)光顯示器制造方法的工序的截面圖。
如圖6A和7A所示，制備一已經(jīng)被清潔過的透明基底41。在本發(fā)明中，將透明玻璃基底用作透明基底41。由銦錫氧化物(ITO)等組成的陽極(未示出)以均勻的厚度完全沉積在透明基底41上，并在其上涂覆光致抗蝕劑(圖中未示出)。隨后，進(jìn)行曝光和顯影，從而形成光致抗蝕劑圖案。通過將所述光致抗蝕劑圖案用作掩膜蝕刻陽極層并去除光致抗蝕劑層，從而形成條形第一電極42。
如圖6B和7B所示，實(shí)施絕緣層形成工藝，以抑制第一電極42邊緣的泄漏電流，并將用于使第一電極和隨后形成的第二電極48之間絕緣的光致抗蝕劑(未示出)用作器件隔離層。
為此，在透明基底41上涂覆光致抗蝕劑，并使用曝光掩膜(圖中未示出)形成絕緣圖案43。此時(shí)，通過使用具有矩形、狹縫形和人形半色調(diào)圖案的半色調(diào)曝光掩膜形成沿著與第一電極42平行的方向疊置的絕緣圖案43a。此外，按照比沿著與第二電極相交方向疊置的絕緣層43b的厚度更薄的厚度形成半色調(diào)圖案的絕緣圖案43a。通過控制曝光掩膜中所述的半色調(diào)區(qū)域的開口比例，控制形成以半色調(diào)圖案的絕緣圖案43a的厚度。
減少絕緣圖案43a厚度的原因在于排除斷路發(fā)生的可能性，即蒸發(fā)第二電極時(shí)，由于在形成有機(jī)發(fā)光層47的開口45上延伸并與第一電極42相交的多個(gè)第二電極48的薄膜厚度，在絕緣圖案43a和第一電極42之間邊界處變得更薄所引起的可能性。
隨后，如圖6C和7C所示，透明基底41被傳送至真空沉積設(shè)備的內(nèi)部。接著，通過將絕緣圖案43b用作第一蔭罩49的支撐體，經(jīng)由第一蔭罩49的開口在第一電極42上形成有機(jī)發(fā)光層47。如果絕緣圖案42b用作支撐體，則能夠在第一電極42上不引起任何損壞的情況下緊密地粘結(jié)第一蔭罩49，從而能夠防止有機(jī)發(fā)光層47的側(cè)擴(kuò)散。
在此情況下，有機(jī)發(fā)光層47由具有低分子重量的熒光和磷光有機(jī)發(fā)光材料，如Alq3、蒽、Ir(ppy)3等形成。
接著，如圖6D和7D所示，通過將絕緣圖案43b用作具有條形電極圖案的第二蔭罩50的支撐體，在有機(jī)發(fā)光層47上形成第二電極48。如果絕緣圖案43b用作支撐體，則能夠在不對(duì)有機(jī)發(fā)射層47引起任何損壞的情況下緊密地與第二蔭罩50粘結(jié)，從而能夠防止第二電極48的側(cè)擴(kuò)散。
第二電極48主要使用具有良好電導(dǎo)性的金屬如Al、Li/Al、MgAg、Ca等，并通過濺射、e光束沉積、熱蒸發(fā)等予以疊置。并且，由金屬、玻璃等制成的封裝板或由有機(jī)或無機(jī)材料形成的鈍化層形成在包含第二電極48的整個(gè)表面上，以便氣密地保護(hù)易受外部濕氣和氧氣影響的有機(jī)發(fā)光層47。
在前述第二常規(guī)有機(jī)電致發(fā)光顯示器及其制造方法中，因?yàn)檫M(jìn)行單一的光刻工藝來形成絕緣層并通過使用半色調(diào)掩膜形成隔離體，使得制造工藝變得簡單。由于絕緣層和隔離體被形成為單層，所以不存在之間粘結(jié)強(qiáng)度的問題。此外，由于不需要形成兩個(gè)單獨(dú)絕緣圖案層所需的對(duì)準(zhǔn)邊緣，能夠增加有機(jī)電致發(fā)光顯示器的開口比例及其產(chǎn)量。
但是，也存在一些缺陷，即很難設(shè)計(jì)半色調(diào)掩膜，并且與常規(guī)掩膜相比，其生產(chǎn)成本增加1.5倍或更多。此外，由于沒有外伸結(jié)構(gòu)的隔離體，第二電極的構(gòu)圖需要蔭罩。但是，已經(jīng)提出，沒有適合于有機(jī)電致發(fā)光顯示器批量生產(chǎn)的蔭罩。
圖8為第三常規(guī)有機(jī)電致發(fā)光顯示器的平面圖。
采用形成具有電絕緣特性的器件隔離層的方法形成第三常規(guī)有機(jī)電致發(fā)光顯示器，所述隔離層由具有薄的厚度和正剖面的區(qū)域以及具有負(fù)剖面的區(qū)域構(gòu)成，并通過使用利用半色調(diào)掩膜和圖像逆轉(zhuǎn)光致抗蝕劑的圖像逆轉(zhuǎn)工藝用作隔離體。
通常，在正型光致抗蝕劑的情況下，通過顯影劑去除曝光區(qū)域，并且掩膜圖案遮蔽的區(qū)域形成為一圖案，其中所述圖案具有正剖面特性。同時(shí)，在負(fù)型光致抗蝕劑的情況下，曝光區(qū)域被形成為由于交聯(lián)作用而不能溶于顯影劑的圖案，其中所述圖案具有負(fù)剖面特性。
但是，為了使絕緣圖案單層用作通常的絕緣層以及隔離體，應(yīng)將該單層形成為在用作絕緣層的區(qū)域中具有正剖面而在用作隔離體的區(qū)域中具有負(fù)剖面。為此，需要在絕緣圖案單層內(nèi)預(yù)先形成具有正剖面的圖案。隨后，通過進(jìn)行圖像逆轉(zhuǎn)、泛光曝光和顯影，將絕緣圖案層構(gòu)圖，以形成負(fù)剖面。在此，通過使用圖像逆轉(zhuǎn)光致抗蝕劑或通常的正型光致抗蝕劑材料的圖像逆轉(zhuǎn)工藝進(jìn)行圖像逆轉(zhuǎn)。接著，圖像逆轉(zhuǎn)的絕緣圖案經(jīng)受泛光曝光和顯影，以使其被構(gòu)圖而形成負(fù)剖面。
在使用圖像逆轉(zhuǎn)光致抗蝕劑的典型圖像逆轉(zhuǎn)的情況下，與使用常規(guī)的正型光敏材料的情況相比，初始形成的光致抗蝕劑具有未曝光部分不會(huì)被溶解而曝光的部分被顯影的特征。但是，一旦以高于115℃的溫度加熱光致抗蝕劑的曝光部分，則曝光部分變得不可溶解，因此曝光部分不能被顯影劑顯影。在此，由于加熱而引起的曝光光致抗蝕劑的特征改變(即從可溶變至不可溶)被稱作圖像逆轉(zhuǎn)(image reversal)，此外，用于圖像逆轉(zhuǎn)的加熱工藝稱作圖像逆轉(zhuǎn)烘干。同時(shí)，由于遮蔽區(qū)域仍具有正型光敏材料的特性，所以其不能溶解在顯影劑中。如果在光致抗蝕劑上進(jìn)行泛光曝光，則由于曝光之后的圖像逆轉(zhuǎn)烘干而產(chǎn)生的具有不可溶于顯影劑的改變后特性的部分，即使是在泛光曝光之后仍具有相同的特性。另一方面，在曝光過程中所遮蔽的部分具有型正光敏材料的特征，并在泛光曝光之后被顯影。因此，如果使用圖像逆轉(zhuǎn)光致抗蝕劑，從一開始就保持了正型光敏材料的特性。但是，在執(zhí)行曝光圖像、逆轉(zhuǎn)烘干和泛光曝光之后，與負(fù)型光敏材料一樣，曝光部分保留下來并可獲得負(fù)剖面。
不同于使用圖像逆轉(zhuǎn)光致抗蝕劑的圖像逆轉(zhuǎn)方法包括使用有機(jī)溶劑而不是水顯影劑的方法并且該方法包括涂覆并曝光常規(guī)的正型光致抗蝕劑；將圖像逆轉(zhuǎn)基催化劑擴(kuò)散到光致抗蝕劑中；通過圖像逆轉(zhuǎn)烘干在光致抗蝕劑上進(jìn)行圖像逆轉(zhuǎn)；以及通過泛光曝光顯影未曝光的區(qū)域。
下面參照?qǐng)D9A至9C描述運(yùn)用利用圖像逆轉(zhuǎn)光致抗蝕劑的圖像逆轉(zhuǎn)工藝的第三常規(guī)有機(jī)電致發(fā)光顯示器。
圖9A、9B和9C分別提供沿圖8中A-A′線、B-B′線和C-C′線截取的第三常規(guī)有機(jī)電致發(fā)光顯示器的截面圖。
具有特定寬度并由銦錫氧化物(ITO)等形成的多個(gè)第一電極62呈條形設(shè)置在透明基底61上。格子形的絕緣圖案63疊置在包括第一電極62的透明基底上相鄰第一電極62之間的區(qū)域以及與第一電極62相交的區(qū)域中。此外，在第一電極62上形成用于暴露形成有像素的區(qū)域的開口65。因此，其中暴露形成有像素區(qū)域的開口45的絕緣圖案63具有格子形狀。
通過使用具有矩形、狹縫形或人形半色調(diào)圖案的半色調(diào)曝光掩膜形成與第一電極62平行疊置的絕緣圖案63a。此外，沿著與第一電極62相交的方向疊置的絕緣圖案63b被形成為正常色調(diào)圖案。形成為半色調(diào)圖案的絕緣圖案63a被形成得具有比與第一電極相交方向上疊置的絕緣圖案63b更薄的厚度。通過控制曝光掩膜中所述的半色調(diào)區(qū)域的開口比例確定絕緣圖案的厚度。
在與第一電極62相交的方向上疊置的絕緣圖案63b的中心部分處形成溝槽66。在此，以這樣的方式形成其上具有溝槽的區(qū)域，以使絕緣圖案63b經(jīng)歷使用條形掩膜的曝光、通過加熱進(jìn)行的圖像逆轉(zhuǎn)以及泛光曝光和顯影。光致抗蝕劑的特定部分保留在由此形成的上述區(qū)域的內(nèi)部，從而形成具有外伸結(jié)構(gòu)的負(fù)剖面的溝槽66。
溝槽66具有防止彼此鄰近的第二電極之間短路的功能。在此，有機(jī)發(fā)光層和第二電極(陰極層)(未示出)形成在包含開口65的透明基底61上。
下面參照?qǐng)D10A至10C以及11A至11C詳細(xì)描述圖8中所示的第三常規(guī)有機(jī)電致發(fā)光顯示器。
圖10A至10C提供沿圖8中A-A′線截取并示出第三常規(guī)有機(jī)電致發(fā)光顯示器的制造方法的工序的截面圖。
圖11A至11C描繪了沿圖8中B-B′線截取并示出了第三常規(guī)有機(jī)電致發(fā)光顯示器的制造方法的工序的截面圖。
從圖10A和11A中可以看出，由銦錫氧化物(ITO)等形成的陽極疊置在透明基底61上，并在其上涂覆光致抗蝕劑(未示出)。隨后，對(duì)光致抗蝕劑進(jìn)行曝光和顯影，從而形成條形的光致抗蝕劑圖案。之后，通過將上述光致抗蝕劑圖案用作掩膜蝕刻陽極層并去除光致抗蝕劑圖案，從而形成條形的第一電極62。
從圖10B和11B中可以看出，實(shí)施絕緣層形成工序，以便抑制第一電極62邊緣的泄漏電流，并將之后形成的具有防止第一電極62和第二電極68之間電連接的電絕緣特性的光致抗蝕劑(未示出)用作器件隔離結(jié)構(gòu)層。
在包含其上形成有第一電極62的透明基底61上涂覆圖像逆轉(zhuǎn)光致抗蝕劑。在涂覆光致抗蝕劑之后，以100℃進(jìn)行大約60秒的預(yù)烘干，以干燥光致抗蝕劑。并通過使用第一曝光掩膜形成絕緣圖案63。通過使用具有矩形、狹縫形或人形半色調(diào)圖案的曝光掩膜將與第一電極62平行疊置的絕緣圖案63a形成為半色調(diào)圖案。將絕緣圖案63a形成得具有比與第一電極62相交的絕緣圖案63b更薄的厚度。通過控制曝光掩膜中描述的半色調(diào)區(qū)域的開口比例確定半色調(diào)絕緣圖案63a的厚度。
使平行于第一電極61方向上的絕緣圖案63a比與第一電極62相交方向上的絕緣圖案63b更低的原因在于，為當(dāng)?shù)诙姌O68沉積在絕緣圖案63a和第一電極62邊緣之間邊界處時(shí)抑制由于第二電極68的厚度變得更薄所引起的發(fā)生斷路的可能性。
如圖10C和11C所示，在顯影完成之后，在透明基底61上以低于100℃的溫度實(shí)施干燥工序，如氣刀或旋轉(zhuǎn)干燥。并且通過使用器件隔離層中使用的第二曝光掩膜實(shí)施第二曝光工序。在第二曝光工序完成之后，進(jìn)行120℃的逆轉(zhuǎn)烘干大約120秒。隨后進(jìn)行泛光曝光，以便改變光致抗蝕劑的特性。由于進(jìn)行圖像逆轉(zhuǎn)的逆轉(zhuǎn)烘干及隨后的泛光曝光，故以曝光部分保留而未曝光部分被顯影的方式改變光致抗蝕劑的特性。在第二曝光工序中，通過實(shí)施曝光，在沿著垂直于第一電極62的方向疊置的正常色調(diào)絕緣圖案63b的中心部分處形成寬度比絕緣圖案63b窄的溝槽。
借助顯影工序在沿著垂直于第一電極62的方向疊置的正常色調(diào)絕緣圖案63b的中心部分處形成用于隔離相鄰像素的溝槽66，其中所述溝槽具有負(fù)剖面的外伸結(jié)構(gòu)。當(dāng)形成用于隔離相鄰像素的溝槽66時(shí)，溝槽66的深度優(yōu)選大于有機(jī)發(fā)光層67和隨后沉積的第二電極68的沉積厚度之和，以便排除相鄰像素之間發(fā)生短路的可能性。特別地，溝槽66的深度比有機(jī)發(fā)光層67和第二電極68的厚度之和大，并優(yōu)選為該厚度之和的1.5至5倍。
隨后，透明基底61經(jīng)過后烘干工序并被傳送至真空沉積設(shè)備中。有機(jī)發(fā)光層67形成在透明基底61上。
接著，第二電極68形成在包含有機(jī)發(fā)光層67的透明基底61上。第二電極68主要使用具有良好電導(dǎo)性的金屬如Al、Li/Al、MgAg、Ca等，并通過濺射、e光束沉積、熱蒸發(fā)等予以疊置。此外，由金屬、玻璃等制成的封裝板或由有機(jī)或無機(jī)材料形成的鈍化層形成在包含第二電極68的整個(gè)表面上，以便氣密地保護(hù)易受外部濕氣和氧氣影響的有機(jī)發(fā)光層67。
此外，在溝槽66的底部應(yīng)保留一定量的光致抗蝕劑，以防止第一電極62和設(shè)置在溝槽66內(nèi)部的第二電極金屬之間發(fā)生短路。因此，通過控制泛光曝光量或顯影時(shí)間來控制殘留在溝槽66內(nèi)部的光致抗蝕劑的厚度。在此情況下，光致抗蝕劑殘留的厚度優(yōu)選為1μm。
在上述第三常規(guī)有機(jī)電致發(fā)光顯示器及其制造方法中，通過使用半色調(diào)掩膜和圖像逆轉(zhuǎn)光致抗蝕劑實(shí)施單一工藝形成絕緣層和隔離體，并且在隔離體的中間部分處形成溝槽，從而簡化了制造工藝。此外，由于沒有出現(xiàn)絕緣圖案和隔離體之間的粘結(jié)強(qiáng)度的問題以及對(duì)準(zhǔn)邊緣的問題，所以增加了有機(jī)電致發(fā)光顯示器的開口比例。但是，很難設(shè)計(jì)半色調(diào)掩膜，并且與常規(guī)掩膜相比，其生產(chǎn)成本還增加了大約1.5倍或更多。
上述常規(guī)有機(jī)電致發(fā)光顯示器的制造方法具有以下缺陷。
在第一常規(guī)有機(jī)電致發(fā)光顯示器及其制造方法中，進(jìn)行兩次光刻工序來形成絕緣層和隔離體。因此，需要保證對(duì)準(zhǔn)邊緣，而這使得開口比例下降。此外，絕緣層和隔離體之間的粘結(jié)強(qiáng)度變?nèi)酰⑶抑圃旃に囎兊脧?fù)雜，從而增加了生產(chǎn)成本。
在第二和第三常規(guī)有機(jī)電致發(fā)光顯示器及其制造方法中，通過使用半色調(diào)掩膜能夠利用單一工藝形成絕緣圖案和隔離體。但是，在此情況下，很難設(shè)計(jì)半色調(diào)掩膜，并且與常規(guī)掩膜相比，其生產(chǎn)成本增加了大約1.5倍或更多。此外，在第二常規(guī)有機(jī)電致發(fā)光顯示器的情況下，由于不存在外伸結(jié)構(gòu)的隔離體，使得第二電極的構(gòu)圖需要具有條形圖案的蔭罩。但是，上述蔭罩不適于當(dāng)前批量生產(chǎn)的有機(jī)電致發(fā)光顯示器。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的一個(gè)目的是提供一種有機(jī)電致發(fā)光顯示器及其制造方法，其能夠在不需要特殊掩膜設(shè)計(jì)技術(shù)的情況下使用常規(guī)掩膜獲得容易的制造工藝；以及通過具有單一絕緣圖案的隔離器件獲得簡單的制造工藝和降低的生產(chǎn)成本。
上述目的通過以下方式實(shí)現(xiàn)。
(1)一種制造有機(jī)電致發(fā)光顯示器的方法，包括以下步驟(a)在一基底上形成多個(gè)條形第一電極；(b)在包含所述第一電極的基底上形成一絕緣層；(c)構(gòu)圖所述絕緣層，以在與所述第一電極相交的第一區(qū)域和第一電極之間的第二區(qū)域中形成格子形第一絕緣圖案；(d)對(duì)所述第一區(qū)域上的第一絕緣圖案實(shí)施圖像逆轉(zhuǎn)；(e)蝕刻第二區(qū)域上的第一絕緣圖案的上部，以形成第二絕緣圖案；(f)在所述第一電極上形成多個(gè)有機(jī)發(fā)光層；以及(g)在所述有機(jī)發(fā)光層上形成多個(gè)第二電極。
(2)在(1)的制造有機(jī)電致發(fā)光顯示器的方法中，步驟(d)包括以下步驟使用曝光掩膜曝光所述第一絕緣圖案，所述曝光掩膜具有寬度窄于第一區(qū)域上的所述第一絕緣圖案的寬度的透光區(qū)域；以及通過進(jìn)行熱處理在曝光的第一絕緣圖案上實(shí)施圖像逆轉(zhuǎn)。
(3)在(2)的制造有機(jī)電致發(fā)光顯示器的方法中，曝光掩膜的透光區(qū)域的中心與第一絕緣圖案的中心對(duì)準(zhǔn)。
(4)在(1)的制造有機(jī)電致發(fā)光顯示器的方法中，步驟(e)包括以下步驟通過進(jìn)行泛光曝光使第二區(qū)域上的第一絕緣圖案的上部曝光；以及顯影第二區(qū)域上的第一絕緣圖案的上部，以形成第二絕緣圖案。
(5)在(4)的制造有機(jī)電致發(fā)光顯示器的方法中，通過進(jìn)行泛光曝光在第一區(qū)域上的第一絕緣圖案兩側(cè)的上部和下部分別形成曝光和未曝光的絕緣層，以及通過顯影工序去除曝光的絕緣層。
(6)在(5)的制造有機(jī)電致發(fā)光顯示器的方法中，從第一區(qū)域上的第二絕緣圖案的兩側(cè)去除曝光的絕緣層，從而形成負(fù)剖面。
(7)在(1)的制造有機(jī)電致發(fā)光顯示器的方法中，步驟(e)包括以下步驟使用具有對(duì)應(yīng)于第一區(qū)域上的第一絕緣圖案的透光區(qū)域的曝光掩膜曝光第一區(qū)域上的第一絕緣圖案的上中間部分；通過對(duì)第一區(qū)域上的第一絕緣圖案的曝光的上中間部分進(jìn)行熱處理來實(shí)施圖像逆轉(zhuǎn)；通過進(jìn)行泛光曝光使得第一區(qū)域上的第一絕緣圖案的上外周部分和第二區(qū)域上的第一絕緣圖案的上部曝光；以及蝕刻第一區(qū)域上的第一絕緣圖案的上外周部分和第二區(qū)域上的第一絕緣圖案的上部，以形成第二絕緣圖案。
(8)在(1)的制造有機(jī)電致發(fā)光顯示器的方法中，步驟(d)包括以下步驟曝光第一絕緣圖案，同時(shí)將一曝光掩膜的透光區(qū)域的一側(cè)與第一區(qū)域上的第一絕緣圖案的內(nèi)部對(duì)準(zhǔn)，并使所述透光區(qū)域的另一側(cè)與第一區(qū)域上的第一絕緣圖案的外部對(duì)準(zhǔn)；以及通過對(duì)第一區(qū)域上的曝光的第一絕緣圖案進(jìn)行熱處理來實(shí)施圖像逆轉(zhuǎn)。
(9)在(8)的制造有機(jī)電致發(fā)光顯示器的方法中，步驟(e)包括以下步驟通過進(jìn)行泛光曝光使得第一區(qū)域上的第一絕緣圖案的一側(cè)的上部和第二區(qū)域上的第一絕緣圖案的上部曝光；以及蝕刻第一區(qū)域上的第一絕緣圖案的所述一側(cè)的上部和第二區(qū)域上的第一絕緣圖案的上部，以形成第二絕緣圖案。
(10)在(9)的制造有機(jī)電致發(fā)光顯示器的方法中，第一區(qū)域上的第一絕緣圖案的一側(cè)具有負(fù)剖面，而其另一側(cè)具有正剖面。
(11)在(1)的制造有機(jī)電致發(fā)光顯示器的方法中，步驟(d)包括以下步驟通過使用曝光掩膜使得第一區(qū)域上的第一絕緣圖案曝光，所述曝光掩膜具有用于遮蔽對(duì)應(yīng)于第一區(qū)域上的第一絕緣圖案的中心部分的一部分的遮蔽區(qū)域以及位于對(duì)應(yīng)于其外周部分的一部分處的透光區(qū)域；以及通過對(duì)第一區(qū)域上的曝光的第一絕緣圖案的外周部分進(jìn)行熱處理來實(shí)施圖像逆轉(zhuǎn)。
(12)在(11)的制造有機(jī)電致發(fā)光顯示器的方法中，步驟(e)包括以下步驟通過進(jìn)行泛光曝光使得第一區(qū)域上的第一絕緣圖案的兩側(cè)的上中心部分和上部以及第二區(qū)域上的第一絕緣圖案的上部曝光；以及蝕刻第一區(qū)域上的第一絕緣圖案的兩側(cè)的上中心部分和上部以及第二區(qū)域上的第一絕緣圖案的上部，以形成第二絕緣圖案。
(13)在(12)的制造有機(jī)電致發(fā)光顯示器的方法中，通過蝕刻曝光的絕緣層，在第一區(qū)域上的第一絕緣圖案的中心部分和兩側(cè)形成負(fù)剖面。
(14)在(11)至(13)中任一項(xiàng)的制造有機(jī)電致發(fā)光顯示器的方法中，在第一區(qū)域上的第一絕緣圖案中心部分處形成與第一電極相交的溝槽。
(15)在(11)至(13)中任一項(xiàng)的制造有機(jī)電致發(fā)光顯示器的方法中，溝槽的深度比有機(jī)發(fā)光層和第二電極層的厚度之和大，并為該度之和的1.5至5倍。
(16)在(2)至(13)中任一項(xiàng)的制造有機(jī)電致發(fā)光顯示器的方法中，通過以115℃到125℃的溫度進(jìn)行熱處理90秒到120秒，對(duì)曝光的第一絕緣圖案實(shí)施圖像逆轉(zhuǎn)。
(17)在(1)的制造有機(jī)電致發(fā)光顯示器的方法中，步驟(d)包括以下步驟使第一區(qū)域上的第一絕緣圖案曝光；將包含胺基的圖像逆轉(zhuǎn)基催化劑擴(kuò)散到第一絕緣圖案中；以及通過進(jìn)行烘干工序?qū)Φ谝粎^(qū)域上的曝光的第一絕緣圖案實(shí)施圖像逆轉(zhuǎn)。
(18)在(17)的制造有機(jī)電致發(fā)光顯示器的方法中，所述胺基選自咪唑、monazoline、三乙醇胺和氨中的至少一個(gè)。
(19)在(17)或(18)的制造有機(jī)電致發(fā)光顯示器的方法中，以高于85℃的溫度實(shí)施烘干工序45分鐘或更長。
(20)在(2)至(13)、(17)和(18)中任一項(xiàng)的制造有機(jī)電致發(fā)光顯示器的方法中，以第二區(qū)域的厚度薄于第一區(qū)域的厚度的方式形成第二絕緣圖案的厚度。
(21)在(2)至(13)、(17)和(18)中任一項(xiàng)的制造有機(jī)電致發(fā)光顯示器的方法中，絕緣層具有圖像逆轉(zhuǎn)的特性，并且絕緣層的厚度大約為1至5μm，優(yōu)選為3至5μm。
(22)在(2)至(13)中任一項(xiàng)的制造有機(jī)電致發(fā)光顯示器的方法中，絕緣層具有正光敏材料的特性，并且如果在曝光絕緣層并以大約115℃的溫度實(shí)施熱處理之后進(jìn)行泛光曝光，則絕緣層的特性轉(zhuǎn)變成負(fù)光敏材料的特性。
(23)在(2)至(13)中任一項(xiàng)的制造有機(jī)電致發(fā)光顯示器的方法中，通過使用掩膜在330mJ/cm2以上曝光和顯影光致抗蝕劑來形成第一絕緣圖案，所述掩膜具有位于對(duì)應(yīng)垂直于第一電極的第一區(qū)域的部分處的遮蔽區(qū)域以及第一電極之間的第二區(qū)域。
(24)在(2)至(13)中任一項(xiàng)的制造有機(jī)電致發(fā)光顯示器的方法中，通過在實(shí)施圖像逆轉(zhuǎn)之后以140-230mJ/cm2曝光和顯影第一絕緣圖案來形成第二絕緣圖案。
(25)一種制造有機(jī)電致發(fā)光顯示器的方法，包括以下步驟(a)在一基底上形成多個(gè)條形第一電極；(b)在包含所述第一電極的基底上形成一絕緣層；(c)通過構(gòu)圖所述絕緣層在與所述第一電極相交的第一區(qū)域和第一電極之間的第二區(qū)域中形成格子形第一絕緣圖案；(d)使用曝光掩膜對(duì)第一區(qū)域上的第一絕緣圖案曝光，所述掩膜具有寬度窄于第一區(qū)域上的第一絕緣圖案的寬度的透光區(qū)域；(e)通過對(duì)所述第一區(qū)域上的曝光的第一絕緣圖案進(jìn)行熱處理實(shí)施圖像逆轉(zhuǎn)；(f)通過進(jìn)行泛光曝光在第二區(qū)域上的第一絕緣圖案的上部以及第一區(qū)域上的第一絕緣圖案的一側(cè)的上部中形成曝光的光致抗蝕劑；(g)以通過顯影工序去除所述曝光的絕緣層的方式形成具有負(fù)剖面的第二絕緣圖案；(h)在所述第一電極上形成多個(gè)有機(jī)發(fā)光層；以及(i)在所述有機(jī)發(fā)光層上形成多個(gè)第二電極。
(26)一種制造有機(jī)電致發(fā)光顯示器的方法，包括以下步驟(a)在一基底上形成多個(gè)條形第一電極；(b)在包含所述第一電極的基底上形成一絕緣層；(c)通過構(gòu)圖所述絕緣層在與所述第一電極相交的第一區(qū)域和第一電極之間的第二區(qū)域中形成格子形第一絕緣圖案；(d)曝光第一絕緣圖案，同時(shí)將曝光掩膜的透光區(qū)域的一側(cè)與第一區(qū)域上的第一絕緣圖案的內(nèi)部對(duì)準(zhǔn)以及將透光區(qū)域的另一側(cè)與第一區(qū)域上的第一絕緣圖案的外部對(duì)準(zhǔn)；(e)通過對(duì)所述第一區(qū)域上的曝光的第一絕緣圖案進(jìn)行熱處理來實(shí)施圖像逆轉(zhuǎn)；(f)通過進(jìn)行泛光曝光在第二區(qū)域上的第一絕緣圖案的上部以及第一區(qū)域上的第一絕緣圖案的兩側(cè)的上部形成曝光的光致抗蝕劑；(g)以通過顯影工序去除曝光的絕緣層的方式形成第二絕緣圖案；(h)在所述第一電極上形成多個(gè)有機(jī)發(fā)光層；以及(i)在所述有機(jī)發(fā)光層上形成多個(gè)第二電極。
(27)一種制造有機(jī)電致發(fā)光顯示器的方法，包括以下步驟(a)在一基底上形成多個(gè)條形第一電極；(b)在包含所述第一電極的基底上形成一絕緣層；(c)通過構(gòu)圖所述絕緣層在與所述第一電極相交的第一區(qū)域和第一電極之間的第二區(qū)域中形成格子形第一絕緣圖案；(d)曝光第一區(qū)域上的第一絕緣圖案；(e)將包含胺基的圖像逆轉(zhuǎn)基催化劑擴(kuò)散到第一絕緣圖案中；(f)通過進(jìn)行烘干工序?qū)λ龅谝粎^(qū)域上的曝光的第一絕緣圖案熱處理，以實(shí)施圖像逆轉(zhuǎn)；(g)通過進(jìn)行泛光曝光在第二區(qū)域上的第一絕緣圖案的上部以及第一區(qū)域上的第一絕緣圖案的兩側(cè)的上部形成曝光的光致抗蝕劑；(h)以通過顯影工序去除曝光的絕緣層的方式形成第二絕緣圖案；(i)在所述第一電極上形成多個(gè)有機(jī)發(fā)光層；以及(j)在所述有機(jī)發(fā)光層上形成多個(gè)第二電極。
(28)一種制造有機(jī)電致發(fā)光顯示器的方法，包括以下步驟(a)在一基底上形成多個(gè)條形第一電極；(b)在包含所述第一電極的基底上形成一絕緣層；(c)通過構(gòu)圖所述絕緣層在與所述第一電極相交的第一區(qū)域和第一電極之間的第二區(qū)域中形成格子形第一絕緣圖案；(d)通過使用掩膜對(duì)第一區(qū)域上的第一絕緣圖案曝光，所述掩膜具有用于遮蔽對(duì)應(yīng)于第一區(qū)域上的第一絕緣圖案的中心部分的一部分的遮蔽區(qū)域以及位于對(duì)應(yīng)于其外周部分的一部分處的透光區(qū)域；(e)通過對(duì)所述第一區(qū)域上的曝光的第一絕緣圖案的外周部分進(jìn)行熱處理實(shí)施圖像逆轉(zhuǎn)；(f)通過進(jìn)行泛光曝光在第二區(qū)域上的第一絕緣圖案的上部以及第一區(qū)域上的第一絕緣圖案的兩側(cè)的上中心部分和上部形成曝光的光致抗蝕劑；(g)以通過顯影工序去除曝光的絕緣層的方式形成第二絕緣圖案；(h)在所述第一電極上形成多個(gè)有機(jī)發(fā)光層；以及(i)在所述有機(jī)發(fā)光層上形成多個(gè)第二電極。


根據(jù)以下結(jié)合附圖給出的優(yōu)選實(shí)施例的描述，本發(fā)明的上述和其他目的以及特征將變得更加明顯，其中圖1為常規(guī)有機(jī)電致發(fā)光顯示器的平面圖；圖2A至2C示出了沿圖1中A-A′線截取的示出了第一常規(guī)有機(jī)電致發(fā)光顯示器的制造方法的工序的截面圖；圖3A至3C描繪了沿圖1中B-B′線截取的示出了第一常規(guī)有機(jī)電致發(fā)光顯示器的制造方法的工序的截面圖；圖4描述了第二常規(guī)有機(jī)電致發(fā)光顯示器的平面圖；圖5A、5B和5C給出了分別沿圖4中A-A′線、B-B′線和C-C′線截取的示出了第二常規(guī)有機(jī)電致發(fā)光顯示器的截面圖；圖6A至6D描繪了沿圖4中A-A′線截取的示出了第二常規(guī)有機(jī)電致發(fā)光顯示器制造方法的工序的截面圖；圖7A至7D提供了沿圖4中B-B′線截取的示出了第二常規(guī)有機(jī)電致發(fā)光顯示器制造方法的工序的截面圖；圖8給出了第三常規(guī)有機(jī)電致發(fā)光顯示器的平面圖；圖9A、9B和9C分別提供沿圖8中A-A′線、B-B′線和C-C′線截取的第三常規(guī)有機(jī)電致發(fā)光顯示器的截面圖；圖10A至10C提供沿圖8中A-A′線截取的示出了第三常規(guī)有機(jī)電致發(fā)光顯示器的制造方法的工序的截面圖；圖11A至11C給出了沿圖8中B-B′線截取的示出了第三常規(guī)有機(jī)電致發(fā)光顯示器的制造方法的工序的截面圖；圖12示出了根據(jù)本發(fā)明第一、第二和第三優(yōu)選實(shí)施例的有機(jī)電致發(fā)光顯示器的平面圖；圖13A和13B示出了根據(jù)本發(fā)明第一、第二和第三優(yōu)選實(shí)施例的有機(jī)電致發(fā)光顯示器制造方法中所使用的曝光掩膜的平面圖；圖14A至14G提供了沿圖12中A-A′線截取的示出了根據(jù)本發(fā)明第一優(yōu)選實(shí)施例的有機(jī)電致發(fā)光顯示器的制造方法的工序的截面圖；圖15A至15G給出了沿圖12中B-B′線截取的示出了根據(jù)本發(fā)明第一優(yōu)選實(shí)施例的有機(jī)電致發(fā)光顯示器的制造方法的工序的截面圖；圖16A至16G給出了沿圖12中C-C′線截取的示出了根據(jù)本發(fā)明第一優(yōu)選實(shí)施例的有機(jī)電致發(fā)光顯示器的制造方法的工序的截面圖；圖17示出了在本發(fā)明第一優(yōu)選實(shí)施例的第二曝光工序中控制曝光量的過程的截面圖；圖18A至18G示出了沿圖12中A-A′線截取的示出了根據(jù)本發(fā)明第二優(yōu)選實(shí)施例的有機(jī)電致發(fā)光顯示器的制造方法的工序的截面圖；圖19A至19G給出了沿圖12中B-B′線截取的示出了根據(jù)本發(fā)明第二優(yōu)選實(shí)施例的有機(jī)電致發(fā)光顯示器的制造方法的工序的截面圖；圖20A至20G提供了沿圖12中C-C′線截取的示出了根據(jù)本發(fā)明第二優(yōu)選實(shí)施例的有機(jī)電致發(fā)光顯示器的制造方法的工序的截面圖；圖21A至21H提供了沿圖12中A-A′線截取的示出了根據(jù)本發(fā)明第三優(yōu)選實(shí)施例的有機(jī)電致發(fā)光顯示器的制造方法的工序的截面圖；圖22A至22H給出了沿圖12中B-B′線截取的示出了根據(jù)本發(fā)明第三優(yōu)選實(shí)施例的有機(jī)電致發(fā)光顯示器的制造方法的工序的截面圖；圖23A至23H提供了沿圖12中C-C′線截取的示出了根據(jù)本發(fā)明第三優(yōu)選實(shí)施例的有機(jī)電致發(fā)光顯示器的制造方法的工序的截面圖；
圖24示出了根據(jù)本發(fā)明第四優(yōu)選實(shí)施例的有機(jī)電致發(fā)光顯示器的平面圖；圖25A和25B示出了根據(jù)本發(fā)明第四優(yōu)選實(shí)施例的有機(jī)電致發(fā)光顯示器的制造方法中所使用的曝光掩膜的平面圖；圖26A至26G提供了沿圖24中A-A′線截取的示出了根據(jù)本發(fā)明第四優(yōu)選實(shí)施例的有機(jī)電致發(fā)光顯示器的制造方法的工序的截面圖；圖27A至27G給出了沿圖24中B-B′線截取的示出了根據(jù)本發(fā)明第四優(yōu)選實(shí)施例的有機(jī)電致發(fā)光顯示器的制造方法的工序的截面圖；圖28A至28G提供了沿圖24中C-C′線截取的示出了根據(jù)本發(fā)明第四優(yōu)選實(shí)施例的有機(jī)電致發(fā)光顯示器的制造方法的工序的截面圖。
具體實(shí)施例方式
以下參照附圖詳細(xì)描述根據(jù)本發(fā)明第一、第二和第三優(yōu)選實(shí)施例的有機(jī)電致發(fā)光顯示器及其制造方法。
圖12示出了根據(jù)本發(fā)明第一、第二和第三優(yōu)選實(shí)施例的有機(jī)電致發(fā)光顯示器的平面圖。
具有特定寬度并由銦錫氧化物(ITO)、銦鋅氧化物(IZO或IXO)等制成的多個(gè)第一電極62呈條形設(shè)置在透明基底210上。在第一電極220和透明基底210上的相鄰第一電極220之間的區(qū)域以及與第一電極220相交的區(qū)域中疊置格子形絕緣圖案231。此外，在第一電極220上形成用于曝光形成有像素的區(qū)域的開口250。
此外，沿著平行于第一電極220的方向疊置的絕緣圖案231被形成為具有比沿垂直于第一電極220的方向的絕緣圖案231的厚度更薄的厚度。這是為了排除在第二電極沉積在絕緣圖案231和第一電極220邊緣之間的邊界處時(shí)由于沿著垂直于第一電極220方向所形成的第二電極(未示出)的薄膜厚度所引起的發(fā)生斷路的可能性。
圖13A和13B示出了根據(jù)本發(fā)明第一、第二和第三優(yōu)選實(shí)施例的有機(jī)電致發(fā)光顯示器的制造方法中所使用的曝光掩膜的平面圖。
圖13A為第一曝光掩膜140的平面圖。在第一曝光掩膜140中，遮蔽區(qū)域141對(duì)應(yīng)圖12中第一電極210之間的絕緣圖案231以及與第一電極210垂直的方向上的絕緣圖案231，并且透光區(qū)域142對(duì)應(yīng)圖12中的開口250。
圖13B示出了第二曝光掩膜240的平面圖。在第二曝光掩膜240中，遮蔽區(qū)域241對(duì)應(yīng)圖12中垂直于第一電極210的方向上的絕緣圖案231，并且透光區(qū)域242對(duì)應(yīng)圖12中第一電極210之間的絕緣圖案231以及垂直于第一電極210的方向上的絕緣圖案231。
下面參照?qǐng)D14A至14G、15A至15G和16A至16G詳細(xì)描述根據(jù)本發(fā)明第一優(yōu)選實(shí)施例的有機(jī)電致發(fā)光顯示器的制造方法。
圖14A至14G提供了沿圖12中A-A′線截取的示出了根據(jù)本發(fā)明第一優(yōu)選實(shí)施例的有機(jī)電致發(fā)光顯示器的制造方法的工序的截面圖。
圖15A至15G給出了沿圖12中B-B′線截取的示出了根據(jù)本發(fā)明第一優(yōu)選實(shí)施例的有機(jī)電致發(fā)光顯示器的制造方法的工序的截面圖。
圖16A至16G示出了沿圖12中C-C′線截取的示出了根據(jù)本發(fā)明第一優(yōu)選實(shí)施例的有機(jī)電致發(fā)光顯示器的制造方法的工序的截面圖。
如圖14A、15A和16A所示，制備一個(gè)已被清潔過的透明基底210。通常，透明基底210由透明玻璃、塑料基底等形成。通過沉積銦錫氧化物(ITO)等在透明基底210上疊置1000至3000厚的陽極層。將陽極層的薄膜電阻形成為等于或低于10Ω/cm2。通過濺射等將陽極層疊置在清潔的透明基底210上。接著，在陽極層上涂覆光致抗蝕劑(未示出)，并進(jìn)行曝光和顯影，以形成條形光致抗蝕劑圖案(圖中未示出)。通過將光致抗蝕劑圖案用作掩膜蝕刻陽極層并去除光致抗蝕劑圖案，從而形成水平條形圖案的第一電極220。
隨后，如下所述，進(jìn)行形成絕緣層的工序，以抑制第一電極220邊緣的泄漏電流。此外，具有電絕緣特性的絕緣圖案用于防止第一電極220與之后形成的第二電極280的電連接。
在其上形成有第一電極220的透明基底210上涂覆具有圖像逆轉(zhuǎn)特性的光致抗蝕劑231。AZ 5214E(Clariant)用作光致抗蝕劑231。將光致抗蝕劑231形成為1μm至5μm的厚度，優(yōu)選為3μm至5μm的厚度。上述光致抗蝕劑231基本具有正光敏材料的特性。然而，一旦在曝光之后施加一定溫度，即通常施加從115℃到125℃的熱量90至120秒，曝光部分便被圖像逆轉(zhuǎn)并隨后變得不能溶于顯影劑。
從圖14B、15B和16B可以看出，在涂覆大約4μm厚的光致抗蝕劑231后，進(jìn)行100℃的預(yù)烘干大約60秒，以使光致抗蝕劑231干燥。隨后，通過使用圖13A中的第一曝光掩膜140遮蔽第一電極220之間的區(qū)域以及與第一電極220相交的區(qū)域，之后在330mJ/cm2以上曝光光致抗蝕劑231，從而完成第一曝光工序。
通過第一曝光工序?qū)⒐庵驴刮g劑231分成未曝光光致抗蝕劑231a和第一曝光光致抗蝕劑231b。未曝光光致抗蝕劑231a具有不溶于堿性顯影劑(base developer)的特性，而第一曝光光致抗蝕劑231b具有可被堿性顯影劑去除的特性。
如圖14C、15C和16C所示，如果第一曝光光致抗蝕劑231被堿性顯影劑去除，則未曝光的光致抗蝕劑231a保留在第一電極220之間的區(qū)域以及與第一電極相交的區(qū)域中，從而在第一電極220上形成格子形絕緣圖案，所述絕緣圖案具有用于曝光形成有像素區(qū)域的開口250。在此情況下，光致抗蝕劑圖案具有正剖面。
如圖14D、15D和16D所示，執(zhí)行第二曝光工序，以通過使用圖13B中的第二曝光掩膜以大約13至35mJ/cm2曝光與第一電極220相交的未曝光層231a。在此情況下，第二曝光掩膜240中透光區(qū)域的寬度被設(shè)計(jì)成比與第一電極220相交的區(qū)域中的未曝光光致抗蝕劑231a的厚度窄。
在執(zhí)行第二曝光工序后，以120℃加熱曝光部分大約120秒，從而形成第二曝光光致抗蝕劑231c。在第二曝光光致抗蝕劑231a中，在垂直于第一電極220的未曝光光致抗蝕劑231a的一側(cè)產(chǎn)生未曝光部分。圖像逆轉(zhuǎn)的第二曝光光致抗蝕劑231c具有能夠溶于顯影劑的特性。此外，由于僅曝光與第一電極220相交的區(qū)域中的未曝光光致抗蝕劑231a，使得曝光部分在沿著圖12中C-C′線截取的圖16D中沒有示出。
如圖14E、15E和16E所示，執(zhí)行第三曝光工序，其中在不使用掩膜的情況下以大約140至230mJ/cm2進(jìn)行泛光曝光。如果進(jìn)行第三曝光工序，則保持了垂直于第一電極220區(qū)域中的第二圖像逆轉(zhuǎn)曝光的光致抗蝕劑231c能夠不溶于顯影劑的特性。但是，使形成在第二曝光光致抗蝕劑231c側(cè)邊上的未曝光光致抗蝕劑231a等被曝光，從而形成第三曝光光致抗蝕劑231d。由于在第三曝光工序中需要保持與第一電極220平行的絕緣層的均勻厚度，則通過控制曝光量保持與第一電極220平行的絕緣層的均勻厚度。因此，垂直于第一電極220的絕緣層的下邊部分在顯影之后與未曝光的光致抗蝕劑231a一起保留下來。
如圖14F、15F和16F所示，如果實(shí)施顯影工序，則第二曝光光致抗蝕劑231c和未曝光的光致抗蝕劑231a不溶于顯影劑，因此僅去除第三曝光光致抗蝕劑231d。因此，如圖14F所示，在顯影第三曝光光致抗蝕劑231b之后，與第一電極相交的區(qū)域中的光致抗蝕劑圖案具有負(fù)剖面，并在其下方保留未曝光的光致抗蝕劑。
圖17給出了在本發(fā)明第一優(yōu)選實(shí)施例的第二曝光工序中控制曝光量的過程的截面圖。
如圖17所示，根據(jù)第二曝光工序中使用的曝光量，與第一電極220相交的區(qū)域中的絕緣圖案具有T形結(jié)構(gòu)。
如圖14G、15G和16G所示，在已經(jīng)完成顯影工序后，以低于100℃的溫度在透明基底210上進(jìn)行干燥工序，如利用氣刀或旋轉(zhuǎn)干燥。接著，透明基底210經(jīng)受后烘干工序，并進(jìn)而被傳送至真空沉積設(shè)備中。在真空沉積設(shè)備中，有機(jī)發(fā)光層270疊置在真空沉積設(shè)備中包含光致抗蝕劑圖案231的透明基底210上。在此情況下，有機(jī)發(fā)光層270由低分子熒光和磷光有機(jī)發(fā)光材料如Alq3、蒽、Ir(ppy)3等以及聚合發(fā)光材料如PPV(聚對(duì)位苯基乙烯)，PT(聚噻吩)等及其衍生物形成。通過運(yùn)用熱蒸發(fā)構(gòu)圖低分子基有機(jī)材料，其中一蔭罩安裝在腔室的內(nèi)部。并且，通過旋轉(zhuǎn)涂覆、轉(zhuǎn)錄、噴墨打印等構(gòu)圖聚合體基有機(jī)材料。
在低分子材料的情況下，可以在有機(jī)發(fā)光層270形成之前形成空穴注入層及其上面的空穴轉(zhuǎn)移層。此外，可在有機(jī)發(fā)光層上形成電子轉(zhuǎn)移層和電子注入層。當(dāng)使用具有高功函的空穴注入電極時(shí)，空穴注入層為具有能夠注入大量空穴并使注入的空穴在其中移動(dòng)的特性的有機(jī)薄膜層。即使不能注入電子，或者如果可以注入，空穴注入層為具有能夠使電子在其中移動(dòng)的特性的有機(jī)薄膜層。此外，在使用具有低功函的電子注入電極時(shí)，電子轉(zhuǎn)移層為具有能夠注入大量電子并使注入電子移動(dòng)的特性的有機(jī)薄膜層。即使不能注入空穴，電子轉(zhuǎn)移層也是具有能夠使空穴移動(dòng)的特性的有機(jī)薄膜層。在聚合體基材料的情況下，在有機(jī)發(fā)光層270形成之前形成空穴轉(zhuǎn)移層。
接著，在包含有機(jī)發(fā)光層270的透明基底210上形成第二電極280。第二電極280主要使用具有良好電導(dǎo)性的金屬如Al、Li/Al、MgAg、Ca等，并通過濺射、e光束沉積、熱蒸發(fā)等予以疊置。并且，由金屬、玻璃等制成的封裝板或由有機(jī)或無機(jī)材料形成的鈍化層形成在包含第二電極280的透明基底210上，以便氣密地保護(hù)易受外部濕氣和氧氣影響的有機(jī)發(fā)光層270。
以下參照?qǐng)D18A至18G、圖19A至19G和圖20A至20G詳細(xì)描述根據(jù)本發(fā)明第二優(yōu)選實(shí)施例的有機(jī)電致發(fā)光顯示器的制造方法。
圖18A至18G示出了沿圖12中A-A′線截取的示出了根據(jù)本發(fā)明第二優(yōu)選實(shí)施例的有機(jī)電致發(fā)光顯示器的制造方法的工序的截面圖。
圖19A至19G給出了沿圖12中B-B′線截取的示出了根據(jù)本發(fā)明第二優(yōu)選實(shí)施例的有機(jī)電致發(fā)光顯示器的制造方法的工序的截面圖。
圖20A至20G提供了沿圖12中C-C′線截取的示出了根據(jù)本發(fā)明第二優(yōu)選實(shí)施例的有機(jī)電致發(fā)光顯示器的制造方法的工序的截面圖。
如圖18A、19A和20A所示，制備一個(gè)已被清潔過的透明基底410。透明基底410通常包括玻璃基底。通過濺射在透明基底410上疊置陽極層。隨后，對(duì)光致抗蝕劑進(jìn)行曝光和顯影，從而形成條形光致抗蝕劑圖案(未示出)。通過將光致抗蝕劑圖案用作掩膜蝕刻陽極層，從而形成水平條形圖案的第一電極420。
進(jìn)行用于形成絕緣層的工序，以抑制第一電極420邊緣的泄漏電流。此外，具有電絕緣特性的絕緣圖案用于防止第一電極420與之后形成的第二電極480之間的電連接。在其上形成有第一電極420的透明基底410上涂覆具有圖像逆轉(zhuǎn)特性的光致抗蝕劑431。AZ 5214E(Clariant)用作光致抗蝕劑431。將光致抗蝕劑431形成為1μm至5μm的厚度，優(yōu)選為3μm至5μm的厚度。上述光致抗蝕劑431基本具有正型光敏材料的特性。然而，一旦對(duì)光致抗蝕劑施加一定溫度，即通常從115℃到125℃的熱量以90至120秒，曝光部分便被圖像逆轉(zhuǎn)并隨后變得不能溶于顯影劑。
從圖18B、19B和20B中可以看出，在施加大約3至5μm厚的光致抗蝕劑431后，進(jìn)行100℃的預(yù)烘干大約60秒，以使光致抗蝕劑431干燥。隨后，通過使用圖13A中的第一曝光掩膜140遮蔽第一電極420之間的區(qū)域以及與第一電極420相交的區(qū)域，之后在330mJ/cm2以上曝光光致抗蝕劑431，從而完成第一曝光工序。
通過第一曝光工序?qū)⒐庵驴刮g劑431分成未曝光光致抗蝕劑431a和第一曝光光致抗蝕劑431b。未曝光光致抗蝕劑431a具有不溶于堿性顯影劑的特性，而第一曝光光致抗蝕劑431b具有變得可被堿性顯影劑去除的特性。
如圖18C、19C和20C所示，如果第一曝光光致抗蝕劑431b被堿性顯影劑去除，則未曝光的光致抗蝕劑431a保留在第一電極420之間的區(qū)域以及與第一電極420相交的區(qū)域中，從而在第一電極420上形成格子形絕緣圖案，所述絕緣圖案具有用于曝光形成有像素區(qū)域的開口450。在此情況下，光致抗蝕劑圖案具有正剖面。
如圖18D、19D和20D所示，執(zhí)行第二曝光工序，以通過使用圖13B中示出的第二曝光掩膜240以大約13至35mJ/cm2使與第一電極420相交的未曝光層431a曝光。在從圖19D可以看出，第二曝光掩膜240的遮蔽圖案的一側(cè)與未曝光光致抗蝕劑431a的內(nèi)部對(duì)準(zhǔn)，而遮蔽圖案的另一側(cè)與未曝光光致抗蝕劑421a的外部對(duì)準(zhǔn)。
在執(zhí)行第二曝光工序后，以120℃加熱曝光部分大約120秒，從而形成第二曝光光致抗蝕劑431a。如圖19D所示，垂直于第一電極420的第二曝光光致抗蝕劑431a包括形成在未曝光光致抗蝕劑431a的一側(cè)上的未曝光部分，所述未曝光光致抗蝕劑的一側(cè)與第二曝光掩膜240中遮蔽圖案的內(nèi)部對(duì)準(zhǔn)。被圖像逆轉(zhuǎn)的第二曝光光致抗蝕劑431c具有不溶于顯影劑的特性。此外，由于僅曝光與第一電極420相交的區(qū)域中的未曝光光致抗蝕劑431a，故在沿著圖12中C-C′線截取的圖16D中沒有示出曝光部分。
如圖18E、19E和20E所示，執(zhí)行第三曝光工序，其中在不使用掩膜的情況下以大約140至230mJ/cm2進(jìn)行泛光曝光。如果進(jìn)行第三曝光工序，則保持了垂直于第一電極420區(qū)域中的第二圖像逆轉(zhuǎn)曝光的光致抗蝕劑431c不溶于顯影劑的特性。但是，使形成在第二曝光光致抗蝕劑431c一側(cè)上的未曝光光致抗蝕劑431a曝光，從而形成第三曝光光致抗蝕劑431d。并且未曝光光致抗蝕劑431a保留在曝光光致抗蝕劑431d的下方。未曝光光致抗蝕劑431a的另一側(cè)被完全曝光并在第二曝光工序中被圖像逆轉(zhuǎn)，所以沒有形成第三曝光光致抗蝕劑431d。
由于在第三曝光工序中需要保持與第一電極420平行的絕緣層的均勻厚度，則控制曝光量以獲得與第一電極420平行的絕緣層的預(yù)定厚度。因此，垂直于第一電極420的絕緣層的下邊部分在顯影之后與未曝光的光致抗蝕劑431a一起保留下來。
如圖18F、19F和20F所示，如果進(jìn)行顯影工序，則第二曝光光致抗蝕劑431c和未曝光的光致抗蝕劑431a不溶于堿性顯影劑，因此僅去除第三曝光光致抗蝕劑431d。結(jié)果是，如圖18F所示，由于蝕刻第三曝光光致抗蝕劑431b，與第一電極420相交的區(qū)域中的光致抗蝕劑圖案的一側(cè)形成負(fù)剖面，并在其下方保留未曝光的光致抗蝕劑431a。
其上延伸有第二電極480并與第一電極420平行的光致抗蝕劑圖案在第二曝光工序中被第二曝光掩膜240所遮蔽，并因此如圖21F所示，沒有形成第二曝光光致抗蝕劑掩膜431c。在第三曝光工序中，通過控制曝光量形成并顯影第三曝光光致抗蝕劑431d，從而與第一電極420相交的光致抗蝕劑圖案的厚度相比，相對(duì)降低了與第一電極420平行的光致抗蝕劑的厚度。
降低與第一電極420平行且其上延伸有第二電極480的光致抗蝕劑圖案厚度的原因在于，為排除當(dāng)?shù)诙姌O480沉積在光致抗蝕劑圖案和第一電極420邊緣之間的邊界處時(shí)由于沿垂直于第一電極420方向所形成的第二電極480的薄膜厚度變得更薄所引起的斷路發(fā)生可能性。在此情況下，未曝光的光致抗蝕劑431a的殘留厚度大約為0.5至2μm。
如圖18G、19G和20G所示，在已經(jīng)完成顯影工序后，以低于100℃的溫度在透明基底410上進(jìn)行干燥工序，如采用氣刀或旋轉(zhuǎn)干燥。接著，透明基底410經(jīng)受后烘干工序，并進(jìn)而被傳送至真空沉積設(shè)備中，并且有機(jī)發(fā)光層470疊置在真空沉積設(shè)備中包含光致抗蝕劑圖案431的透明基底410上。
隨后，在包含有機(jī)發(fā)光層470的透明基底410上形成第二電極480。第二電極480主要使用具有良好電導(dǎo)性的金屬如Al等，并通過真空沉積將其疊置。并且，由金屬、玻璃等形成的封裝層(未示出)形成在包含在第二電極480的整個(gè)表面上，以使易受濕氣和氧氣影響的有機(jī)發(fā)光層470與外部氣封。
以下參照?qǐng)D21A至21H、圖22A至22H和圖23A至23H詳細(xì)描述根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例的有機(jī)電致發(fā)光顯示器的制造方法。
圖21A至21H提供了沿圖12中A-A′線截取的示出了根據(jù)本發(fā)明第三優(yōu)選實(shí)施例的有機(jī)電致發(fā)光顯示器的制造方法的工序的截面圖。
圖22A至22H給出了沿圖12中B-B′線截取的示出了根據(jù)本發(fā)明第三優(yōu)選實(shí)施例的有機(jī)電致發(fā)光顯示器的制造方法的工序的截面圖。
圖23A至23H提供了沿圖12中C-C′線截取的示出了根據(jù)本發(fā)明第三優(yōu)選實(shí)施例的有機(jī)電致發(fā)光顯示器的制造方法的工序的截面圖。
如圖21A、22A和23A所示，制備一個(gè)已被清潔過的透明基底510。通常使用玻璃基底作為透明基底510。通過濺射在透明基底510上疊置陽極層，并在其上涂覆光致抗蝕劑(未示出)。隨后，對(duì)光致抗蝕劑進(jìn)行曝光和顯影，從而形成條形光致抗蝕劑圖案(未示出)。通過將光致抗蝕劑圖案用作掩膜蝕刻陽極層，從而形成水平條形圖案的第一電極520。
隨后，進(jìn)行用于形成絕緣層的工序，以便抑制第一電極520邊緣的泄漏電流。此外，將具有電絕緣特性的絕緣圖案531在其上形成有第一電極520的透明基底510上涂覆大約4μm的厚度。光致抗蝕劑531由正光敏材料形成，并且其厚度為1μm至5μm，優(yōu)選為3μm至5μm。
從圖21B、22B和23B中可以看出，在施加光致抗蝕劑531后，進(jìn)行100℃的預(yù)烘干大約60秒，以使光致抗蝕劑531干燥。隨后，通過使用圖13A中的第一曝光掩膜140遮蔽第一電極520之間的區(qū)域以及與第一電極520相交的區(qū)域，之后在330mJ/cm2以上曝光光致抗蝕劑531，從而完成第一曝光工序。
根據(jù)第一曝光工序?qū)⒐庵驴刮g劑531分成未曝光光致抗蝕劑531a和第一曝光光致抗蝕劑531b。未曝光光致抗蝕劑531a以及光致抗蝕劑531變得不溶于堿性顯影劑，而第一曝光光致抗蝕劑531b變成可被堿性顯影劑去除。
如圖21C、22C和23C所示，如果第一曝光光致抗蝕劑531b被堿性顯影劑所去除，則未曝光的光致抗蝕劑531a保留在第一電極520之間的區(qū)域以及與第一電極520相交的區(qū)域中，從而在第一電極520上形成格子形絕緣圖案，所述絕緣圖案具有用于暴露形成有像素區(qū)域的開口550。在此情況下，光致抗蝕劑圖案具有正剖面。
如圖21D、22D和23D所示，執(zhí)行第二曝光工序，以通過使用圖13B中示出的第二曝光掩膜240使與第一電極520相交的未曝光層531a曝光。在此情況下，第二曝光掩膜240的透光區(qū)域的寬度被設(shè)計(jì)成比與第一電極520相交的區(qū)域中的未曝光光致抗蝕劑531a的寬度窄。
如圖21E、22E和23E所示，在執(zhí)行第二曝光工序后，將包含胺例如咪唑、monazoline、三乙醇胺和氨的圖像逆轉(zhuǎn)基催化劑擴(kuò)散到光致抗蝕劑圖案531中。
在將圖像逆轉(zhuǎn)基催化劑擴(kuò)散到光致抗蝕劑531中后，以所述基存在的狀態(tài)按照高于85℃的溫度進(jìn)行超過45分鐘的烘干工序，從而形成第二曝光光致抗蝕劑531c。在第二曝光工序中，如圖21D所示，在垂直于第一電極520的未曝光光致抗蝕劑531a的一側(cè)上形成未曝光的部分。
第二曝光光致抗蝕劑531c具有不能溶于堿性顯影劑的負(fù)特性。此外，由于僅曝光與第一電極520相交的區(qū)域中的未曝光光致抗蝕劑531a，故在沿著圖12中的C-C′線截取的圖16D中沒有示出曝光部分。
接著，如圖21F、22F和23F所示，執(zhí)行第三曝光工序，其中在不使用掩膜的情況下以大約140至230mJ/cm2進(jìn)行泛光曝光。如果進(jìn)行第三曝光工序，則保持了垂直于第一電極520區(qū)域中的第二曝光光致抗蝕劑531c被圖像逆轉(zhuǎn)以具有不溶于顯影劑的特性。但是，曝光形成在第二曝光光致抗蝕劑531c一側(cè)上的未曝光光致抗蝕劑531a等，從而可形成第三曝光光致抗蝕劑531d。由于在第三曝光工序中需要保持與第一電極520平行的絕緣層的均勻厚度，則控制曝光量以獲得與第一電極520平行的絕緣層的均勻厚度。因此，垂直于第一電極520的絕緣層的下邊部分在顯影之后與未曝光的光致抗蝕劑531a一起保留下來。
如圖21G、22G和23G所示，如果進(jìn)行顯影工序，則第二曝光光致抗蝕劑531c和未曝光的光致抗蝕劑531a不能溶于堿性顯影劑，因此僅去除第三曝光光致抗蝕劑531d。結(jié)果是，如圖21G所示，由于蝕刻第三曝光光致抗蝕劑531b，與第一電極520相交的區(qū)域中的光致抗蝕劑圖案形成負(fù)剖面，并在其下方保留未曝光的光致抗蝕劑531a。
其上延伸有第二電極580且與第一電極520平行的光致抗蝕劑圖案在第二曝光工序中被第二曝光掩膜圖案所遮蔽，并因此如圖23G所示，沒有形成第二曝光光致抗蝕劑掩膜531c。在第三曝光工序中，通過控制曝光量形成并顯影第三曝光光致抗蝕劑531d，從而和與第一電極520相交的光致抗蝕劑圖案的厚度相比，相對(duì)降低了與第一電極520平行的光致抗蝕劑的厚度。
降低與第一電極520平行且其上延伸有第二電極580的光致抗蝕劑圖案厚度的原因在于，為了排除當(dāng)?shù)诙姌O580沉積在光致抗蝕劑圖案和第一電極520邊緣之間的邊界處時(shí)由于沿垂直于第一電極520方向所形成的第二電極580的薄膜厚度變得更薄所引起的發(fā)生短路的可能性。在此情況下，未曝光的光致抗蝕劑531a的殘留厚度大約為0.5至2μm。
如圖21H、22H和23H所示，在已經(jīng)完成顯影工序后，以低于100℃的溫度在透明基底520上進(jìn)行干燥工序，如采用氣刀或旋轉(zhuǎn)干燥。接著，透明基底520經(jīng)受后烘干工序，并隨后被傳送至真空沉積設(shè)備中，并且有機(jī)發(fā)光層570疊置在真空沉積設(shè)備中包含光致抗蝕劑圖案的透明基底510上。
隨后，在包含有機(jī)發(fā)光層570的透明基底510上形成第二電極580。第二電極580主要使用具有良好電導(dǎo)性的金屬如Al等，并通過真空沉積將其疊置。并且，由金屬、玻璃等形成的封裝板(未示出)形成在包含在第二電極580的整個(gè)表面上，以使易受濕氣和氧氣影響的有機(jī)發(fā)光層570與外部氣封。
以下參照附圖詳細(xì)描述根據(jù)本發(fā)明第四實(shí)施例的有機(jī)電致發(fā)光顯示器的制造方法。
圖24為根據(jù)本發(fā)明第四優(yōu)選實(shí)施例的有機(jī)電致發(fā)光顯示器的平面圖。
具有特定寬度并由銦錫氧化物(ITO)等制成的多個(gè)第一電極620呈條形設(shè)置在透明基底610上。在相鄰第一電極620之間的區(qū)域上以及與第一電極620相交的區(qū)域上疊置由光致抗蝕劑圖案構(gòu)成的格子形絕緣圖案631。此外，在第一電極620上形成用于曝光形成有像素的區(qū)域的開口650。因此，其中曝光形成由像素的開口650的絕緣圖案631具有格子形狀。
此外，沿著平行于第一電極620的方向所疊置的絕緣圖案631被形成為具有比垂直于第一電極620方向上的絕緣圖案631的厚度更薄的厚度。這是為了排除在第二電極沉積在絕緣圖案631和第一電極620邊緣之間的邊界時(shí)由于沿著垂直于第一電極620方向所形成的第二電極(未示出)的薄膜厚度所引起的發(fā)生斷路的可能性。
在與第一電極620垂直的方向上疊置的絕緣圖案631的中心部分上形成溝槽660。所述溝槽660具有防止彼此鄰近的第二電極之間短路的功能。在此，有機(jī)發(fā)光層和第二電極(陰極層)(未示出)形成在包含開口650的透明基底610上。
圖25A和25B示出了根據(jù)本發(fā)明第四優(yōu)選實(shí)施例的有機(jī)電致發(fā)光顯示器的制造方法中所使用的曝光掩膜的平面圖。
圖25A示出了第一曝光掩膜640的平面圖。在第一曝光掩膜640中，遮蔽區(qū)域641對(duì)應(yīng)圖24中第一電極610之間的絕緣圖案631以及與第一電極610垂直的方向上的絕緣圖案630b，并且透光區(qū)域642對(duì)應(yīng)圖24中的開口651。
圖25B示出了第二曝光掩膜740的平面圖。在第二曝光掩膜740中，遮蔽區(qū)域741對(duì)應(yīng)圖24中垂直于第一電極620的方向上的絕緣圖案631之間的區(qū)域，并且透光區(qū)域742對(duì)應(yīng)圖24中垂直于第一電極610的方向上的絕緣圖案631。此外，具有遮蔽功能的裂縫743設(shè)置在透光區(qū)域742的中心部分上。
以下參照?qǐng)D26A至26G、圖27A至27G和圖28A至28G詳細(xì)描述根據(jù)本發(fā)明第四優(yōu)選實(shí)施例的有機(jī)電致發(fā)光顯示器的制造方法。
圖26A至26G提供了沿圖24中A-A′線截取的示出了根據(jù)本發(fā)明第四優(yōu)選實(shí)施例的有機(jī)電致發(fā)光顯示器的制造方法的工序的截面圖。
圖27A至27G給出了沿圖24中B-B′線截取的示出了根據(jù)本發(fā)明第四優(yōu)選實(shí)施例的有機(jī)電致發(fā)光顯示器的制造方法的工序的截面圖。
圖28A至28G提供了沿圖24中C-C′線截取的示出了根據(jù)本發(fā)明第四優(yōu)選實(shí)施例的有機(jī)電致發(fā)光顯示器的制造方法的工序的截面圖。
如圖26A、27A和28A所示，制備一個(gè)已被清潔過的透明基底610。對(duì)于透明基底610，通常使用玻璃基底。通過濺射在透明基底610上疊置陽極層，并在其上涂覆光致抗蝕劑(未示出)。隨后，對(duì)光致抗蝕劑進(jìn)行曝光和顯影，從而形成條形光致抗蝕劑圖案(未示出)。通過將光致抗蝕劑圖案用作掩膜蝕刻陽極層，從而形成水平條形圖案的第一電極620。
隨后，進(jìn)行用于形成絕緣層的工序，以便抑制第一電極620邊緣的泄漏電流。進(jìn)一步，在其上形成有第一電極620的透明基底610上涂覆具有圖像逆轉(zhuǎn)特性的光致抗蝕劑631。AZ 5214E(Clariant)用作光致抗蝕劑231。將光致抗蝕劑631的厚度形成為1μm至5μm，優(yōu)選為3μm至5μm。上述光致抗蝕劑631基本具有正型光敏材料的特性。然而，一旦在曝光之后施加一定溫度，即通常從115℃到125℃的熱量以90至120秒，曝光部分便被圖像逆轉(zhuǎn)并隨后變得不能溶于顯影劑。
從圖26B、27B和28B中可以看出，在其上形成有第一電極620的透明基底610上涂覆具有大約4μm厚的光致抗蝕劑631后，進(jìn)行100℃的預(yù)烘干大約60秒，以使光致抗蝕劑631干燥。隨后，進(jìn)行第一曝光工序，以遮蔽第一電極620之間的區(qū)域以及與第一電極620相交的區(qū)域，并進(jìn)而通過使用圖25A中的第一曝光掩膜640在330mJ/cm2以上曝光光致抗蝕劑631。
通過第一曝光工序?qū)⒐庵驴刮g劑631分成未曝光光致抗蝕劑631a和第一曝光光致抗蝕劑631b。未曝光光致抗蝕劑631a變得不能溶于堿性顯影劑，而第一曝光光致抗蝕劑531b變得可被堿性顯影劑去除。
隨后，如圖26C、27C和28C所示，如果第一曝光光致抗蝕劑631b被堿性顯影劑所去除，則未曝光的光致抗蝕劑631a保留在第一電極620之間的區(qū)域以及與第一電極620相交的區(qū)域中，進(jìn)而在第一電極620上形成格子形絕緣圖案，所述絕緣圖案具有用于曝光形成有像素區(qū)域的開口650。在此情況下，光致抗蝕劑圖案具有正剖面。
如圖26D、27D和28D所示，執(zhí)行第二曝光工序，以通過使用圖25B中示出的第二曝光掩膜740以大約13至35mJ/cm2曝光與第一電極620相交的未曝光層631a。
這樣，在第二曝光掩膜740中，包含具有遮蔽功能的裂縫743的透光區(qū)域?qū)挾缺辉O(shè)計(jì)成比與第一電極620相交的區(qū)域中的未曝光光致抗蝕劑631a的寬度窄。
在第二曝光掩膜740中，遮蔽區(qū)域?qū)?yīng)未曝光光致抗蝕劑61a的中心部分以及通過顯影得到的被去除第一曝光光致抗蝕劑631b，并且垂直于第一電極620方向上的未曝光光致抗蝕劑631a的外周部分形成透光區(qū)域。如果執(zhí)行第二曝光工序，則垂直于第一電極620的未曝光光致抗蝕劑631a的外周部分被曝光，但沒有曝光其中心部分。
在進(jìn)行第二曝光工序之后，如果通過進(jìn)行120℃的熱處理大約120秒而使得曝光部分圖像逆轉(zhuǎn)，則未曝光光致抗蝕劑631a的外周部分被形成為第二曝光光致抗蝕劑631c，并且其中心部分和兩邊與未曝光光致抗蝕劑631a一起保留下來。
第二曝光光致抗蝕劑631c具有負(fù)特性以及不能溶于堿性顯影劑的特性。此外，由于僅曝光與第一電極620相交的區(qū)域中的未曝光光致抗蝕劑631a，故在沿著圖24中C-C′線截取的圖28D中沒有示出曝光部分。
如圖26E、27E和28E所示，執(zhí)行第三曝光工序，其中在不使用掩膜的情況下以大約140至230mJ/cm2進(jìn)行泛光曝光。如果進(jìn)行第三曝光工序，則保持了垂直于第一電極520區(qū)域中的第二曝光光致抗蝕劑631c被圖像逆轉(zhuǎn)而具有不溶于顯影劑的特性。但是，曝光形成在第二曝光光致抗蝕劑631c一側(cè)上的未曝光光致抗蝕劑631a，進(jìn)而可形成第三曝光光致抗蝕劑631d。由于在第三曝光工序中需要保持與第一電極620平行的絕緣層的預(yù)定厚度，則控制曝光量以獲得與第一電極620平行的絕緣層的預(yù)定厚度。因此，垂直于第一電極620的絕緣層的下邊部分在顯影之后與未曝光的光致抗蝕劑631a一起保留下來。
如圖26F、27F和28F所示，如果進(jìn)行顯影工序，則第二曝光光致抗蝕劑631c和未曝光的光致抗蝕劑631a不會(huì)溶于堿性顯影劑，因此僅去除第三曝光光致抗蝕劑631d。相應(yīng)地如圖27F所示，在與第一電極620相交的區(qū)域中的光致抗蝕劑圖案中，由于蝕刻第三曝光光致抗蝕劑631b而在光致抗蝕劑圖案中心部分處形成溝槽660；借助第三曝光光致抗蝕劑631d的顯影，在其中心部分和一側(cè)部分上形成負(fù)剖面；以及在其下方保留未曝光的光致抗蝕劑631a。
其上延伸有第二電極680并與第一電極620平行的光致抗蝕劑圖案在第二曝光工序中被第二曝光掩膜圖案740所遮蔽，并因此如圖29F所示，沒有形成第二曝光光致抗蝕劑掩膜631c。在第三曝光工序中，通過控制曝光量形成并顯影第三曝光光致抗蝕劑631d，進(jìn)而相比于與第一電極620相交的光致抗蝕劑圖案的厚度，相對(duì)降低了與第一電極620平行的光致抗蝕劑的厚度。
降低與第一電極620平行且其上延伸有第二電極680的光致抗蝕劑圖案厚度的原因在于，為了排除當(dāng)?shù)诙姌O680沉積在光致抗蝕劑圖案和第一電極620邊緣之間的邊界處時(shí)由于沿垂直于第一電極620方向所形成的第二電極680的薄膜厚度變得更薄所引起的發(fā)生斷路的可能性。在此情況下，未曝光的光致抗蝕劑631a的殘留厚度大約為0.5至2μm。
如圖26G、27G和28G所示，在已經(jīng)完成顯影工序后，以低于100℃的溫度在透明基底620上進(jìn)行干燥工序，如采用氣刀或旋轉(zhuǎn)干燥。進(jìn)而，透明基底620經(jīng)受后烘干工序，并隨后將其傳送至真空沉積設(shè)備中，且有機(jī)發(fā)光層670疊置在真空沉積設(shè)備中包含光致抗蝕劑圖案的透明基底510上。隨后，在包含有機(jī)發(fā)光層670的透明基底610上形成第二電極680。
形成在垂直于第一電極620的光致抗蝕劑圖案中心部分上的溝槽660具有在有機(jī)發(fā)光層670和第二電極680疊置時(shí)防止相鄰像素發(fā)生短路的可能性的功能。溝槽660的深度優(yōu)選大于有機(jī)發(fā)光層670和之后沉積的第二電極680的沉積厚度之和。特別地，溝槽660的深度為有機(jī)發(fā)光層670和第二電極680的厚度之和的1.5至5倍。
第二電極580主要使用具有良好電導(dǎo)性的金屬如Al等，并通過真空沉積將其疊置。并且，由金屬、玻璃等形成的封裝板(未示出)形成在包含在第二電極680的整個(gè)表面上，以使易受濕氣和氧氣影響的有機(jī)發(fā)光層570與外部氣封。
以下為根據(jù)本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光顯示器及其制造方法的效果。
首先，在現(xiàn)有技術(shù)中，很難設(shè)計(jì)制造用作絕緣層以及隔離體的絕緣薄膜所必需的半色調(diào)掩膜，并且進(jìn)一步，由于與常規(guī)掩膜相比，半色調(diào)掩膜的成本很高，大約是常規(guī)掩膜的1.5倍或更多，從而增加了生產(chǎn)成本。但是，在本發(fā)明中，可以通過在不需要額外參數(shù)處理的情況下使用常規(guī)掩膜簡單地制造用作絕緣圖案以及隔離體的單一絕緣薄膜層。因此，制造工藝變得簡單，并降低了成本。
其次，由于將絕緣圖案和隔離體形成為單一光致抗蝕劑，故不存在粘結(jié)問題。此外步，消除了形成兩層絕緣圖案和隔離體所需的對(duì)準(zhǔn)邊緣，進(jìn)而增加了開口比例和產(chǎn)量，并減少了生產(chǎn)成本。
雖然已經(jīng)通過優(yōu)選實(shí)施例示出和描述了本發(fā)明，但本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，在不脫離以下權(quán)利要求所限定的本發(fā)明的精神和范圍的情況下，可進(jìn)行各種改變和修改。
權(quán)利要求
1.一種制造有機(jī)電致發(fā)光顯示器的方法，包括以下步驟(a)在一基底上形成多個(gè)條形第一電極；(b)在包含所述第一電極的基底上形成一絕緣層；(c)構(gòu)圖所述絕緣層，以在與所述第一電極相交的第一區(qū)域和第一電極之間的第二區(qū)域中形成格子形第一絕緣圖案；(d)對(duì)所述第一區(qū)域上的第一絕緣圖案實(shí)施圖像逆轉(zhuǎn)；(e)蝕刻第二區(qū)域上的第一絕緣圖案的上部，以形成第二絕緣圖案；(f)在所述第一電極上形成多個(gè)有機(jī)發(fā)光層；以及(g)在所述有機(jī)發(fā)光層上形成多個(gè)第二電極。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造有機(jī)電致發(fā)光顯示器的方法，其特征在于，步驟(d)包括以下步驟使用曝光掩膜曝光所述第一絕緣圖案，所述曝光掩膜具有寬度窄于第一區(qū)域上的所述第一絕緣圖案的寬度的透光區(qū)域；以及通過進(jìn)行熱處理在曝光的第一絕緣圖案上實(shí)施圖像逆轉(zhuǎn)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制造有機(jī)電致發(fā)光顯示器的方法，其特征在于，所述曝光掩膜的透光區(qū)域的中心與第一區(qū)域上的第一絕緣圖案的中心對(duì)準(zhǔn)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造有機(jī)電致發(fā)光顯示器的方法，其特征在于，步驟(e)包括以下步驟通過進(jìn)行泛光曝光使第二區(qū)域上的第一絕緣圖案的上部曝光；以及顯影第二區(qū)域上的第一絕緣圖案的上部，以形成第二絕緣圖案。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的制造有機(jī)電致發(fā)光顯示器的方法，其特征在于，通過進(jìn)行泛光曝光在第一區(qū)域上的第一絕緣圖案兩側(cè)的上部和下部分別形成曝光和未曝光的絕緣層，以及通過顯影工序去除曝光的絕緣層。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制造有機(jī)電致發(fā)光顯示器的方法，其特征在于，從第一區(qū)域上的第二絕緣圖案兩側(cè)去除曝光的絕緣層，從而形成負(fù)剖面。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造有機(jī)電致發(fā)光顯示器的方法，其特征在于，步驟(e)包括以下步驟使用具有對(duì)應(yīng)于第一區(qū)域上的第一絕緣圖案的透光區(qū)域的曝光掩膜曝光第一區(qū)域上的第一絕緣圖案的上中間部分；通過對(duì)第一區(qū)域上的第一絕緣圖案的曝光的上中間部分進(jìn)行熱處理實(shí)施圖像逆轉(zhuǎn)；通過進(jìn)行泛光曝光使得第一區(qū)域上的第一絕緣圖案的上外周部分和第二區(qū)域上的第一絕緣圖案的上部曝光；以及蝕刻第一區(qū)域上的第一絕緣圖案的上外周部分和第二區(qū)域上的第一絕緣圖案的上部，以形成第二絕緣圖案。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造有機(jī)電致發(fā)光顯示器的方法，其特征在于，步驟(d)包括以下步驟曝光第一絕緣圖案，同時(shí)將一曝光掩膜的透光區(qū)域的一側(cè)與第一區(qū)域上的第一絕緣圖案的內(nèi)部對(duì)準(zhǔn)，并使所述透光區(qū)域的另一側(cè)與第一區(qū)域上的第一絕緣圖案的外部對(duì)準(zhǔn)；以及通過對(duì)第一區(qū)域上的曝光的第一絕緣圖案進(jìn)行熱處理來實(shí)施圖像逆轉(zhuǎn)。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的制造有機(jī)電致發(fā)光顯示器的方法，其特征在于，步驟(e)包括以下步驟通過進(jìn)行泛光曝光使得第一區(qū)域上的第一絕緣圖案的一側(cè)的上部和第二區(qū)域上的第一絕緣圖案的上部曝光；以及蝕刻第一區(qū)域上的第一絕緣圖案的所述一側(cè)的上部和第二區(qū)域上的第一絕緣圖案的上部，以形成第二絕緣圖案。
10.根據(jù)權(quán)利要求11所述的制造有機(jī)電致發(fā)光顯示器的方法，其特征在于，第一區(qū)域上的第一絕緣圖案的所述一側(cè)具有負(fù)剖面，而其另一側(cè)具有正剖面。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造有機(jī)電致發(fā)光顯示器的方法，其特征在于，步驟(d)包括以下步驟通過使用曝光掩膜使得第一區(qū)域上的第一絕緣圖案曝光，所述曝光掩膜具有用于遮蔽對(duì)應(yīng)于第一區(qū)域上的第一絕緣圖案的中心部分的一部分的遮蔽區(qū)域以及位于對(duì)應(yīng)于其外周部分的一部分處的透光區(qū)域；以及通過對(duì)第一區(qū)域上的曝光的第一絕緣圖案的外周部分進(jìn)行熱處理來實(shí)施圖像逆轉(zhuǎn)。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的制造有機(jī)電致發(fā)光顯示器的方法，其特征在于，步驟(e)包括以下步驟通過進(jìn)行泛光曝光使得第一區(qū)域上的第一絕緣圖案的兩側(cè)的上中心部分和上部以及第二區(qū)域上的第一絕緣圖案的上部曝光；以及蝕刻第一區(qū)域上的第一絕緣圖案的兩側(cè)的上中心部分和上部以及第二區(qū)域上的第一絕緣圖案的上部，以形成第二絕緣圖案。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的制造有機(jī)電致發(fā)光顯示器的方法，其特征在于，通過蝕刻曝光的絕緣層，在第一區(qū)域上的第一絕緣圖案中心部分和兩側(cè)形成負(fù)剖面。
14.根據(jù)權(quán)利要求11至13中任一項(xiàng)所述的制造有機(jī)電致發(fā)光顯示器的方法，其特征在于，在第一區(qū)域上的第一絕緣圖案的中心部分處形成與第一電極相交的溝槽。
15.根據(jù)權(quán)利要求11至13中任一項(xiàng)所述的制造有機(jī)電致發(fā)光顯示器的方法，其特征在于，所述溝槽的深度比所述有機(jī)發(fā)光層和所述第二電極層的厚度之和大，并為該厚度之和的1.5至5倍。
16.根據(jù)權(quán)利要求2至13中任一項(xiàng)所述的制造有機(jī)電致發(fā)光顯示器的方法，其特征在于，通過以115℃至125℃的溫度進(jìn)行熱處理90至120秒，對(duì)曝光的第一絕緣圖案實(shí)施圖像逆轉(zhuǎn)。
17.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造有機(jī)電致發(fā)光顯示器的方法，其特征在于，步驟(d)包括以下步驟使第一區(qū)域上的第一絕緣圖案曝光；將包含胺基的圖像逆轉(zhuǎn)基催化劑擴(kuò)散到第一絕緣圖案中；以及通過進(jìn)行烘干工序?qū)Φ谝粎^(qū)域上的曝光的第一絕緣圖案實(shí)施圖像逆轉(zhuǎn)。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的制造有機(jī)電致發(fā)光顯示器的方法，其特征在于，該胺基選自于咪唑、monazoline、三乙醇胺和氨中的至少一個(gè)。
19.根據(jù)權(quán)利要求17或18所述的制造有機(jī)電致發(fā)光顯示器的方法，其特征在于，以高于85℃的溫度實(shí)施烘干工序45分鐘或更長。
20.根據(jù)權(quán)利要求2至13、17和18中任一項(xiàng)所述的制造有機(jī)電致發(fā)光顯示器的方法，其特征在于，以使第二區(qū)域的厚度薄于第一區(qū)域的厚度的方式形成第二絕緣圖案的厚度。
21.根據(jù)權(quán)利要求2至13、17和18中任一項(xiàng)所述的制造有機(jī)電致發(fā)光顯示器的方法，其特征在于，所述絕緣層具有圖像逆轉(zhuǎn)的特性，并且所述絕緣層的厚度大約為1至5μm，優(yōu)選為3至5μm。
22.根據(jù)權(quán)利要求2至13中任一項(xiàng)所述的制造有機(jī)電致發(fā)光顯示器的方法，其特征在于，所述絕緣層具有正光敏材料的特性，并且如果在曝光絕緣層并以大約115℃的溫度實(shí)施熱處理之后進(jìn)行泛光曝光，則絕緣層的特性轉(zhuǎn)變成負(fù)光敏材料的特性。
23.根據(jù)權(quán)利要求2至13中任一項(xiàng)所述的制造有機(jī)電致發(fā)光顯示器的方法，其特征在于，通過使用掩膜在330mJ/cm2以上曝光和顯影光致抗蝕劑來形成第一絕緣圖案，所述掩膜具有位于對(duì)應(yīng)垂直于第一電極的第一區(qū)域的一部分處的遮蔽區(qū)域以及第一電極之間的第二區(qū)域。
24.根據(jù)權(quán)利要求2至13中任一項(xiàng)所述的制造有機(jī)電致發(fā)光顯示器的方法，其特征在于，通過在實(shí)施圖像逆轉(zhuǎn)之后以140-230mJ/cm2曝光和顯影第一絕緣圖案來形成第二絕緣圖案。
25.一種制造有機(jī)電致發(fā)光顯示器的方法，包括以下步驟(a)在一基底上形成多個(gè)條形第一電極；(b)在包含所述第一電極的基底上形成一絕緣層；(c)通過構(gòu)圖所述絕緣層在與所述第一電極相交的第一區(qū)域和第一電極之間的第二區(qū)域中形成格子形第一絕緣圖案；(d)使用曝光掩膜對(duì)第一區(qū)域上的第一絕緣圖案曝光，所述掩膜具有寬度窄于第一區(qū)域上的第一絕緣圖案的寬度的透光區(qū)域；(e)通過對(duì)所述第一區(qū)域上的曝光的第一絕緣圖案進(jìn)行熱處理實(shí)施圖像逆轉(zhuǎn)；(f)通過進(jìn)行泛光曝光在第二區(qū)域上的第一絕緣圖案的上部以及第一區(qū)域上的第一絕緣圖案的一側(cè)的上部中形成曝光的光致抗蝕劑；(g)以通過顯影工序去除所述曝光的絕緣層的方式形成具有負(fù)剖面的第二絕緣圖案；(h)在所述第一電極上形成多個(gè)有機(jī)發(fā)光層；以及(i)在所述有機(jī)發(fā)光層上形成多個(gè)第二電極。
26.一種制造有機(jī)電致發(fā)光顯示器的方法，包括以下步驟(a)在一基底上形成多個(gè)條形第一電極；(b)在包含所述第一電極的基底上形成一絕緣層；(c)通過構(gòu)圖所述絕緣層在與所述第一電極相交的第一區(qū)域和第一電極之間的第二區(qū)域中形成格子形第一絕緣圖案；(d)曝光第一絕緣圖案，同時(shí)將曝光掩膜的透光區(qū)域的一側(cè)與第一區(qū)域上的第一絕緣圖案的內(nèi)部對(duì)準(zhǔn)以及將透光區(qū)域的另一側(cè)與第一區(qū)域上的第一絕緣圖案的外部對(duì)準(zhǔn)；(e)通過對(duì)所述第一區(qū)域上的曝光的第一絕緣圖案進(jìn)行熱處理來實(shí)施圖像逆轉(zhuǎn)；(f)通過進(jìn)行泛光曝光在第二區(qū)域上的第一絕緣圖案的上部以及第一區(qū)域上的第一絕緣圖案的兩側(cè)的上部形成曝光的光致抗蝕劑；(g)以通過顯影工序去除曝光的絕緣層的方式形成第二絕緣圖案；(h)在所述第一電極上形成多個(gè)有機(jī)發(fā)光層；以及(i)在所述有機(jī)發(fā)光層上形成多個(gè)第二電極。
27.一種制造有機(jī)電致發(fā)光顯示器的方法，包括以下步驟(a)在一基底上形成多個(gè)條形第一電極；(b)在包含所述第一電極的基底上形成一絕緣層；(c)通過構(gòu)圖所述絕緣層在與所述第一電極相交的第一區(qū)域和第一電極之間的第二區(qū)域中形成格子形第一絕緣圖案；(d)曝光第一區(qū)域上的第一絕緣圖案；(e)將包含胺基的圖像逆轉(zhuǎn)基催化劑擴(kuò)散到第一絕緣圖案中；(f)通過進(jìn)行烘干工序?qū)λ龅谝粎^(qū)域上的曝光的第一絕緣圖案熱處理，以實(shí)施圖像逆轉(zhuǎn)；(g)通過進(jìn)行泛光曝光在第二區(qū)域上的第一絕緣圖案的上部以及第一區(qū)域上的第一絕緣圖案的兩側(cè)的上部形成曝光的光致抗蝕劑；(h)以通過顯影工序去除曝光的絕緣層的方式形成第二絕緣圖案；(i)在所述第一電極上形成多個(gè)有機(jī)發(fā)光層；以及(j)在所述有機(jī)發(fā)光層上形成多個(gè)第二電極。
28.一種制造有機(jī)電致發(fā)光顯示器的方法，包括以下步驟(a)在一基底上形成多個(gè)條形第一電極；(b)在包含所述第一電極的基底上形成一絕緣層；(c)通過構(gòu)圖所述絕緣層在與所述第一電極相交的第一區(qū)域和第一電極之間的第二區(qū)域中形成格子形第一絕緣圖案；(d)通過使用掩膜對(duì)第一區(qū)域上的第一絕緣圖案曝光，所述掩膜具有用于遮蔽對(duì)應(yīng)于第一區(qū)域上的第一絕緣圖案的中心部分的一部分的遮蔽區(qū)域以及位于對(duì)應(yīng)于其外周部分的一部分處的透光區(qū)域；(e)通過對(duì)所述第一區(qū)域上的曝光的第一絕緣圖案的外周部分進(jìn)行熱處理實(shí)施圖像逆轉(zhuǎn)；(f)通過進(jìn)行泛光曝光在第二區(qū)域上的第一絕緣圖案的上部以及第一區(qū)域上的第一絕緣圖案的兩側(cè)的上中心部分和上部形成曝光的光致抗蝕劑；(g)以通過顯影工序去除曝光的絕緣層的方式形成第二絕緣圖案；(h)在所述第一電極上形成多個(gè)有機(jī)發(fā)光層；以及(i)在所述有機(jī)發(fā)光層上形成多個(gè)第二電極。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種有機(jī)電致發(fā)光顯示器及其制造方法，其能夠簡化制造工序并通過具有單一絕緣圖案的隔離器件降低生產(chǎn)成本。本發(fā)明包括以下步驟在一基底上形成多個(gè)條形第一電極；在包含第一電極的基底上形成一絕緣層；通過對(duì)絕緣層構(gòu)圖在與第一電極相交的第一區(qū)域上以及第一電極之間的第二區(qū)域上形成格子形第一絕緣圖案；通過至少去除部分第一區(qū)域上的第一絕緣圖案的上部以及第二區(qū)域上的第一絕緣圖案的上部形成第二絕緣圖案；在第一電極上形成有機(jī)發(fā)光層；以及在有機(jī)發(fā)光層上形成多個(gè)第二電極。
文檔編號(hào)H05B33/10GK1742517SQ200480002530
公開日2006年3月1日 申請(qǐng)日期2004年9月16日 優(yōu)先權(quán)日2003年9月16日
發(fā)明者李承駿, 崔京姬, 崔道鉉 申請(qǐng)人:大宇電子Service株式會(huì)社