專利名稱：高密度等離子體反應(yīng)器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及用于提高等離子體源和相關(guān)過程的方法和裝置。
背景技術(shù)：
已知螺旋波放電可以有效地產(chǎn)生高密度等離子體，并且已經(jīng)作為高密度等離子工具使用于半導(dǎo)體處理(刻蝕、沉積、濺射...)[參見Lieberman M.A.和Lichtenberg A.J.編著的《等離子體放電原理和材料處理》，由J.Wiley & Sons出版社于1994年在紐約發(fā)行]、空間發(fā)動機(jī)和基礎(chǔ)等離子試驗(yàn)。等離子體通常產(chǎn)生在位于100～300G或更高的縱向均勻磁場中的圓柱形真空容器中。電磁能被轉(zhuǎn)移到頻率在1～50MHz的等離子體源，通常以13.56MHz用于等離子處理操作。借助于特殊形狀的天線，在等離子柱中產(chǎn)生螺旋波。
用于激發(fā)螺旋波的最普通的天線是Nagoya III型天線[參見Okamura S等發(fā)表在1986年的《核聚變(Nucl.Fusion)》第26期第1491頁的文章]，它的改進(jìn)是Boswell的雙鞍線圈[參見Boswell R.W.發(fā)表在1984年的《等離子體物理控制聚變(Plasma Phys.Control.Fusion)》的第26期第1147頁的文章]。螺旋天線首先由Shoji等使用，并已經(jīng)被改裝為如單環(huán)天線[參見Sakawa Y.和Koshikawa N以及Shoji T發(fā)表在1996年的《應(yīng)用物理快報(Appl.Phys.Lett.)》第69期第1695頁的文章；Carter C.和Khachan J.發(fā)表在1999年的《等離子體源科學(xué)技術(shù)(Plasma Sources Sci.Technol.)》的第8期第432頁的文章]、雙環(huán)天線[參見Tynan G.R.等發(fā)表在1997年的《真空科學(xué)技術(shù)A(J.Vac.Sci.Technol.A)》的第15期第2885頁的文章；Degeling A.W.、Jung C.O.、Boswell R.W.、Ellingboe A.R.發(fā)表在1996年的《物理等離子體(Phys.Plasmas》第3期第2788頁的文章]、螺線管天線[參見Kim J.H.、Yun S.M.和Chang H.Y.發(fā)表在1996年的《物理快報A(Phys.Lett.A)》的第221期第94頁的文章]和雙線旋轉(zhuǎn)場天線[參見Miljak D.G.和Chen F.F.發(fā)表在1998年的《等離子體源科學(xué)技術(shù)(Plasma Source Sci.Technol.》第7期的第61頁的文章]。
該波的衰減可由碰撞理論解釋[參見Chen F.F.、Sudit I.D.和Light M.發(fā)表在1996年的《等離子體源科學(xué)技術(shù)》第5期第173頁的文章]，但是螺旋波的無碰撞(Landau)衰減和稱作Trivelpiece-Gould模式的、通過在室邊界激發(fā)其他波的螺旋波傳遞也已經(jīng)被討論過[參見Chen F.F.編著的《工業(yè)射頻等離子體源的物理機(jī)理(Physicalmechanisms in industrial RF plasma sources)》，由LTP-104出版社于2001年在加州大學(xué)洛杉磯分校(UCLA)發(fā)行]。該放電類型實(shí)現(xiàn)了在0.1帕壓力范圍高達(dá)1012～1013cm-3的電子密度。
形成正確的天線結(jié)構(gòu)以激發(fā)產(chǎn)生等離子體的螺旋波的主要特征是激發(fā)頻率激發(fā)頻率應(yīng)當(dāng)使波滿足ωci＜ω＜ωc(ωci為離子回旋頻率，ωc為電子回旋頻率)。工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)頻率如13.56MHz通常用于半導(dǎo)體制造行業(yè)。
波模電磁場產(chǎn)生的波的模式結(jié)構(gòu)使天線的布置可以最佳地被設(shè)計為有效地使射頻功率與波的激發(fā)耦合。兩個最低的模式是m＝0和m＝1模式。激發(fā)m＝0模式的最佳途徑是分開半個波長距離的兩個環(huán)。對于m＝1模式，當(dāng)波沿主軸傳播時，對于電場矢量和磁場矢量有一自然的螺距。對于本領(lǐng)域的情況，激發(fā)此模式的現(xiàn)有途徑是螺旋形天線。
射頻功率與等離子體耦合的效率等離子體生產(chǎn)的效率取決于射頻能量與等離子體的耦合。射頻能量衰減的重要機(jī)理是Landau衰減。螺旋波的相速率由ω/kz給出，其中kz由頻散關(guān)系給出和它依靠等離子體密度和磁場強(qiáng)度。理想地，波的相速率應(yīng)當(dāng)位于希望電離的氣體的電離電勢的最大值附近。kz值越高，密度越高。但是如果kz過高，那么電子能可能降低到電離電勢之下。因此為了能夠增加密度和控制電子溫度，控制kz非常重要。
已知以包含四對電極(參見專利USN05146137，發(fā)明人為K-HKretschmer等，申請目為1992年9月8日)的裝置產(chǎn)生螺旋波。第一對電極與第一電壓相連。第二對電極與第二電壓相連。第一電壓的相相對于第二電壓相移90°。第一和第二對電極安裝在容器的第一區(qū)。然后將第三對電極和第四對電極安裝在與容器第一區(qū)分開的容器第二區(qū)。容器的第三和第四區(qū)與移相電壓相連，其方式類似于第一和第二對電極。在一替代實(shí)例中，通過電磁能從外部穿過容器壁與等離子體，耦合裝置利用圓偏振波在容器內(nèi)部產(chǎn)生等離子體裝置包括四個線圈。第一線圈與第一電壓相連。第二線圈與第二電壓相連。第一電壓的相相對于第二電壓相移90°。第三和第四線圈與移相電壓相連，其方式類似于第一和第二線圈。在第三形式中，裝置包含四對線圈。第一線圈與第一電壓相連。第二線圈與第二電壓相連。第一電壓的相相對于第二電壓相移90°。第一和第二對線圈安裝在容器的第一區(qū)。然后第三對和第四對線圈安裝在離開容器第一區(qū)的容器第二區(qū)。第三和第四對線圈與移相電壓相連，其方式類似于第一和第二對線圈。
先前的裝置和我們的發(fā)明之間的主要差別是，我們的天線存在包含電容元件的一個線圈(導(dǎo)電環(huán)和軸向段相連)，反之先前的裝置包括未與電容元件相連的四個獨(dú)立的電極或線圈。而且，我們的發(fā)明是諧振天線，其中有作為方位角函數(shù)的正弦曲線電流分布，而先前的裝置不是這樣。
已知等離子體源與處理室連接，在處理室中定位工件以向工件沉積或刻蝕膜或?yàn)R射沉積膜。特別地，為用作現(xiàn)場核磁共振，此處理系統(tǒng)包括外部磁場組件和射頻線圈。使用核磁共振(NMR)進(jìn)行物理、化學(xué)和生物學(xué)的研究進(jìn)展地深入且非常成功[參見P.J.Hore編著的《核磁共振》，由牛津大學(xué)出版社于1995年在英國牛津發(fā)行]。最近對于Tokamak試驗(yàn)已經(jīng)開始將NMR用于等離子體診斷技術(shù)[參見ZwebenS.J.等發(fā)表在2003年的《科學(xué)工業(yè)評述(Rev.Sci.Inst.》的第74期第1460頁的文章]。為減少設(shè)備的故障檢修時間和提高所制造器件的質(zhì)量，在低壓和/或低溫等離子體處理中使用NMR，尤其對于濕度監(jiān)控、污染監(jiān)控、處理室的表征，仍然是非常新穎的。

發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)本發(fā)明，提供一種如權(quán)利要求1所述的等離子體源裝置。
本發(fā)明使用一個或多個等離子體源連同一個或多個處理室以在處理室內(nèi)部的大面積上提供較高和均勻的密度。
在又一個實(shí)施例中，調(diào)節(jié)天線的電容元件和/或可移動軸向?qū)щ娫蕴岣呱漕l能和等離子體之間的耦合，形成有源天線。
在又一個實(shí)施例中，等離子體源或處理室中的主要組件可以用作在處理室內(nèi)部(基于NMR原理)現(xiàn)場監(jiān)控環(huán)境或現(xiàn)場監(jiān)控工件(如作為半導(dǎo)體加工部件的晶片)。


圖1是根據(jù)本發(fā)明的天線設(shè)置的示意2是又一個實(shí)施例的天線設(shè)置的示意3是等離子體源的基礎(chǔ)配置的示意4是天線配制的示意圖，其中軸向?qū)щ娫で鷪D5是包括位于反應(yīng)器內(nèi)部和外部的天線的等離子體反應(yīng)器的配置和單元磁體的排列的示意6是根據(jù)本發(fā)明、具有開放的導(dǎo)電環(huán)的天線排列的示意7是在又一實(shí)施例中的天線設(shè)置的示意8是根據(jù)本發(fā)明的天線網(wǎng)絡(luò)的示意圖定義流體此術(shù)語包括氣體、雙相液體或超臨界氣體導(dǎo)電環(huán)一種導(dǎo)電元件，可以閉合或開放，其形狀可以為環(huán)形、橢圓形或具有直角。
射頻發(fā)生器以一種或多種頻率提供連續(xù)或脈沖射頻功率的器件。
處理室在其中發(fā)生等離子體處理如刻蝕、沉積、濺射、離子產(chǎn)生、殺菌的室；或其中放置一個或幾個工件(晶片)用于傳遞、調(diào)節(jié)、儲存操作的室。
具體實(shí)施例方式
從圖1，2，4，6和7可以看到，本發(fā)明的第一主要結(jié)構(gòu)是天線設(shè)置射頻電流流過至少一對導(dǎo)電環(huán)(具有任何布局)2和軸向?qū)щ娫?。以此種方式電流流過根據(jù)5的圖2的設(shè)置。從射頻電源4提供射頻電壓。
線圈的一個特征與激發(fā)有關(guān)。射頻線圈的單激發(fā)點(diǎn)激發(fā)導(dǎo)致線性極化磁場B。使用一個可能的設(shè)置(參見圖1)中所描述的線圈以直接方式實(shí)現(xiàn)90度相移激發(fā)。通過在兩個輸入電容器3激發(fā)線圈可以完成90度相移激發(fā)，兩個輸入電容器3沿一個導(dǎo)電環(huán)元件2的圓周彼此成直角放置。另外，為了實(shí)現(xiàn)希望的圓偏振，用于在兩點(diǎn)激發(fā)線圈的射頻源必須在電路上彼此有90度相位差。這樣，如上所示的具有大致均勻橫向場的兩種模式被激發(fā)。
利用多射頻放大器來激發(fā)天線可以實(shí)現(xiàn)天線的進(jìn)一步特點(diǎn)。各放大器與不同的輸入電容器連接，通過各放大器的信號被正確地定相以產(chǎn)生所希望的射頻激發(fā)。這樣，與驅(qū)動具有一個或兩個放大器的天線的功率需求相比，來自各放大器的功率需求降低了。
天線可以用實(shí)心圓線如銅線制造或以包括扭絞或編結(jié)在一起的多股分開的絕緣束的導(dǎo)體制造。由于各股導(dǎo)線傾向于占據(jù)整個導(dǎo)體的橫截面的所有可能位置，這種設(shè)計使得電流在整個導(dǎo)體均勻擴(kuò)展的單股導(dǎo)線的磁鏈和電抗相等。主要的好處是減小AC損失。已知的此種構(gòu)造的例子為絞合線(Litz)導(dǎo)線。
應(yīng)當(dāng)認(rèn)識到，上面描述的多個放大器設(shè)置僅是示例性的，和利用四個或多個放大器的許多其它組合也是可能的。
圖3示出了等離子體源的基礎(chǔ)配置。具有Pyrex等離子體發(fā)生室6被放在通常為PVC管上的磁場發(fā)生器8環(huán)繞。射頻功率10通過匹配網(wǎng)絡(luò)9向天線提供能量。
此天線的主要優(yōu)點(diǎn)是，對于m≠±1的各模式，電流分布顯然等于零。在這兩種模式中所有的天線功率將被集中。從試驗(yàn)上看，對于以螺旋波等離子體加熱，m＝1的模式顯然是最有效的。另一個優(yōu)點(diǎn)是，處理室內(nèi)高度均勻的等離子體可以極大地減少對集成電路的損害，提高制造產(chǎn)率。
尤其在處理等離子體時，由于不僅與工件作用而且還與整個處理室作用，主要特征(密度、電子溫度、離子溫度、分壓種類...)依賴于處理時間。這就是調(diào)整射頻能和激發(fā)的等離子體之間耦合的可能性允許提高設(shè)備的處理效果和正常運(yùn)行時間的原因。根據(jù)本發(fā)明形成有源天線的另一個實(shí)施例中，我們提出其中至少一個電容器是可調(diào)的和/或至少一個導(dǎo)電環(huán)的位置可移動，和/或至少一個旋轉(zhuǎn)的導(dǎo)電環(huán)(扭轉(zhuǎn)天線)是可移動的，該旋轉(zhuǎn)的導(dǎo)電環(huán)使位于第一上環(huán)上的軸向?qū)щ娫B接和位于第一下環(huán)上的軸向?qū)щ娫B接之間形成非零角。另一個配制包括根據(jù)用作診斷技術(shù)(磁探針、光探針、Langmuir探針、Hall探針...)的傳感器反饋控制有源天線。
在根據(jù)本發(fā)明的又一個實(shí)施例中，磁體能傳遞作為時間和/或空間函數(shù)的磁化幅值以使蠕變磁體作用于形成在等離子體產(chǎn)生器的高密度與低密度的連續(xù)區(qū)中的等離子體。這種模式可以產(chǎn)生多個雙層，它們是由具有相反信號的兩個相鄰電荷外層構(gòu)成的結(jié)構(gòu)，這兩個外層通過單一空間電勢分布連接不同的等離子體電勢值。
在根據(jù)本發(fā)明的又一個實(shí)施例中，為了提高等離子體源的性能，能夠鄰近它增加互補(bǔ)的源作為電子回旋諧振源、離子回旋諧振源或電子Bernstein波。
在根據(jù)本發(fā)明的又一個實(shí)施例中，其中通過在射頻線圈的縱向軸線周圍機(jī)械移動同中心的射頻屏蔽，實(shí)現(xiàn)頻率調(diào)諧。在射頻線圈周圍移動屏蔽有效地改變系統(tǒng)的互感，提供調(diào)節(jié)諧振頻率的機(jī)理。
根據(jù)本發(fā)明的又一個實(shí)施例中，等離子體源與處理室(參見圖5)連接，處理室5包括一排磁體14、一排位于室壁外面的射頻線圈15和一排位于室內(nèi)的射頻線圈16。射頻線圈可以設(shè)計為一個等離子體源，也就是說帶有多個電容器。線圈的一部分用作反饋線圈和其它部分用作傳感器線圈。通過獲得線圈傳感器信號和處理后施加方便的電流來提高等離子體的行為可以控制等離子體穩(wěn)定性。此傳感器線圈可以被其它類型的傳感器(光探針、Hall探針...)代替。
根據(jù)本發(fā)明的又一個實(shí)施例中，在處理室內(nèi)增加其上通常為振蕩電壓的電極系列。此作用允許限制等離子體和/或顆粒。此陷阱中的四極電場向帶電粒子施加徑向力，它類似于周期性聚焦的四級磁場向帶電粒子所施加的徑向力。
根據(jù)本發(fā)明的又一個實(shí)施例中，我們使用處理室的組件(磁體陣列和射頻線圈陣列)以通過核磁共振進(jìn)行現(xiàn)場監(jiān)控。實(shí)際上，我們可以通過一個或多個線圈施加射頻場的一個瞬時脈沖。在關(guān)閉脈沖后，檢查發(fā)射能量作為在同一線圈中感應(yīng)的交變電壓。NMR信號的幅值與觀測物(室壁，工件...)中諧振自旋的數(shù)量成正比。但是由于自旋和它們的原子和分子環(huán)境之間的相互作用以及由于自旋-自旋之間的相互作用，吸收的多余能量也發(fā)生耗散。通過引發(fā)兩個馳豫過程的分子運(yùn)動及時調(diào)節(jié)這些相互作用。它導(dǎo)致了，如化學(xué)結(jié)合水可以從物理結(jié)合在固體表面的水和呈散裝液態(tài)的水中分離。能夠提高對磁場強(qiáng)度的監(jiān)控，磁場強(qiáng)度沿特定方向形成了梯度。
這些NMR監(jiān)控允許顯著地提高處理過程(等離子體處理前或后，或定期維護(hù)后，可以控制氣氛的質(zhì)量，尤其是耗水率)，使設(shè)備的正常運(yùn)行時間和由此帶來的所制造器件的產(chǎn)率最佳化。
根據(jù)本發(fā)明的又一個實(shí)施例中，等離子體源與光諧振器連接以通過射頻等離子體實(shí)現(xiàn)氣體激光器系統(tǒng)。此器件包括由石英制造以形成光諧振器的兩個平坦的半透明鏡子密封的氣體放電管、用于激發(fā)射頻放電的磁體中的本發(fā)明的天線。一個鏡子可以安裝在壓電式換能器上。排列這些鏡子以提供光波的多重反射。
根據(jù)本發(fā)明的又一個實(shí)施例中，等離子體源與產(chǎn)生聲空化氣泡的裝置連接，此氣泡作為點(diǎn)燃和保持等離子體的核心。因?yàn)榈入x子體形成在液態(tài)環(huán)境中，有可能在較以前更低的等離子化溫度獲得更高的膜沉積速率或刻蝕速率(它取決于所涉及的化學(xué)物類)。此外，可以在正常的溫度和壓力下進(jìn)行此過程。先前的超聲波和微波輻射的組合參見S.Nomura和H.Toyota發(fā)表在2003年的《應(yīng)用物理快報》笫83期第4503頁的文章，另一方面，輝光放電由Dow Corning等離子體產(chǎn)生。這里我們提出將超聲波與射頻等離子體類型結(jié)合。
本發(fā)明相關(guān)的主要應(yīng)用有等離子體處理(半導(dǎo)體制造、微米技術(shù)、納米技術(shù))、等離子體焊接、等離子體基消毒、等離子體切割、空間發(fā)動機(jī)、等離子體消除系統(tǒng)、學(xué)術(shù)研究...
盡管本發(fā)明已經(jīng)被特定地描述和圖解，但本發(fā)明意欲解釋優(yōu)選的實(shí)施例?？梢岳斫猓瑑H通過實(shí)例進(jìn)行了公開。本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在部件、步驟和特征的組合和排列方面進(jìn)行多種改變而沒有脫離本發(fā)明的精神和附帶的權(quán)利要求書的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1.一種等離子體源裝置，包括a.天線，b.在所述天線附近的等離子體發(fā)生室，c.用于將至少一種流體引入等離子體發(fā)生室的流體注射器，d.具有連續(xù)的或脈沖射頻電源的射頻發(fā)生器，其特征在于，所述天線包括沿一共同的縱軸隔開的兩個導(dǎo)電環(huán)元件和使所述導(dǎo)電環(huán)元件彼此連接的至少一個軸向?qū)щ姸危總€所述導(dǎo)電環(huán)元件和/或所述軸向?qū)щ姸伟ㄖ辽僖粋€電容元件。
2.如權(quán)利要求1的等離子體源裝置，其特征在于只有所述導(dǎo)電環(huán)元件包括至少一個電容元件。
3.如權(quán)利要求1的等離子體源裝置，其特征在于只有所述軸向?qū)щ娫ㄖ辽僖粋€電容元件。
4.如權(quán)利要求1的等離子體源裝置，其特征在于所述導(dǎo)電環(huán)元件和所述軸向?qū)щ姸伟ㄖ辽僖粋€電容元件。
5.如任一個前述的權(quán)利要求的等離子體源裝置，它包括幾個軸向?qū)щ姸?，各軸向?qū)щ姸问顾鰧?dǎo)電環(huán)元件相互連接。
6.如任一個前述的權(quán)利要求的等離子體源裝置，它包括天線冷卻裝置，如冷卻器、熱管、低溫冷卻器或珀爾貼器件。
7.如任一個前述的權(quán)利要求的等離子體源裝置，它包括等離子體發(fā)生室的熱控制裝置以避免尤其在等離子體點(diǎn)燃過程中等離子體發(fā)生室的內(nèi)部和外部之間的熱沖擊。
8.如任一個前述的權(quán)利要求的等離子體源裝置，它包括將射頻發(fā)射器和天線互連的匹配網(wǎng)絡(luò)，該互連方式有助于射頻能量從射頻發(fā)生器到天線的最佳傳遞。
9.如任一個前述的權(quán)利要求的等離子體源裝置，它包括一個固定的或可移動的屏蔽，該屏蔽包圍天線但不與天線連接，并適于實(shí)時調(diào)整或形成天線和等離子體之間的最佳電磁耦合。
10.如任一個前述的權(quán)利要求的等離子體源裝置，其特征在于軸向?qū)щ娫ㄟ^電容元件與屏蔽直接相連。
11.如任一個前述的權(quán)利要求的等離子體源裝置，它包括布置在天線周圍的磁場發(fā)生器。
12.如任一個前述的權(quán)利要求的等離子體源裝置，其特征在于至少一個所述電容元件是可調(diào)節(jié)的。
13.如任一個前述的權(quán)利要求的等離子體源裝置，其特征在于所述軸向?qū)щ娫蛑辽僖粋€所述軸向?qū)щ姸问桥そg的。
14.如任一個前述的權(quán)利要求的等離子體源裝置，其特征在于至少一個所述導(dǎo)電環(huán)元件是可移動的。
15.如任一個前述的權(quán)利要求的等離子體源裝置，它與一光諧振器連接，所述光諧振器包括放在等離子體發(fā)生室范圍內(nèi)的至少兩個鏡子(其中一個是部分反射)，這些鏡子排列成用以提供光波的多重反射。
16.如任一個前述的權(quán)利要求的等離子體源裝置，它與通過超聲波產(chǎn)生空化氣泡的裝置連接；然后射頻被引入聲空化氣泡內(nèi)部，所述氣泡作為等離子體點(diǎn)燃和保持的核心。等離子體發(fā)生室可以包含從中產(chǎn)生氣泡的液體。
17.如任一個前述的權(quán)利要求的等離子體源裝置，它與一互補(bǔ)的等離子體源連接，所述互補(bǔ)等離子體源作為電子回旋諧振源或離子回旋諧振源。
18.如任一個前述的權(quán)利要求的等離子體源裝置，它與等離子體發(fā)生室內(nèi)部或外部的互補(bǔ)天線連接。
19.如任一個前述的權(quán)利要求的等離子體源裝置，其特征在于所述天線也適于用作接收系統(tǒng)以對放在等離子體發(fā)生室內(nèi)的流體或工件進(jìn)行核磁共振(NMR)監(jiān)控或分析。
20.如任一個前述的權(quán)利要求的等離子體源裝置，其特征在于所述軸向?qū)щ姸魏?或所述導(dǎo)電環(huán)元件的每一個由體導(dǎo)線、通常是絞合線導(dǎo)線的編結(jié)導(dǎo)線或管狀線制造。
21.如任一個前述的權(quán)利要求的等離子體源裝置，它包括先前的權(quán)利要求中限定的天線網(wǎng)絡(luò)，其中相鄰的導(dǎo)電環(huán)元件對具有至少一個共同的軸向?qū)щ姸巍?br> 22.如任一個前述的權(quán)利要求的等離子體源裝置，它與一個或多個處理室連接。
23.根據(jù)任一個前述的權(quán)利要求的多個等離子體源裝置，各等離子體源協(xié)同連接到至少一個處理室。
24.根據(jù)任一個前述的權(quán)利要求的一個或多個等離子體源裝置，它包括多個射頻線圈，所述射頻線圈靠近所述處理室環(huán)形布置。
25.根據(jù)任一個前述的權(quán)利要求的一個或多個等離子體源裝置，其特征在于至少一個射頻線圈包括電容元件。
26.根據(jù)權(quán)利要求22、23、24或25的一個或多個等離子體源裝置，它包括多個磁體，該磁體設(shè)置成靠近所述處理室環(huán)形布置，以對例如所述處理室和/或其中的工件進(jìn)行NMR監(jiān)控。
27.根據(jù)權(quán)利要求22、23、24、25或26的一個或多個等離子體源裝置，它包括多個電極，這些電極形成被施加振蕩電壓的鮑爾(Paul)陷阱型或配寧(Penning)陷阱型。
28.根據(jù)任一個前述的權(quán)利要求的等離子體源裝置，它用于如現(xiàn)場對濕度進(jìn)行NMR監(jiān)控或?qū)μ幚硎疫M(jìn)行現(xiàn)場NMR監(jiān)控，或?qū)μ幚硎覂?nèi)的工件(如晶片)進(jìn)行現(xiàn)場NMR分析。
29.根據(jù)任一個前述的權(quán)利要求的等離子體源裝置的用途，其特征在于射頻激發(fā)被同時施加到所述天線的一個或多個端口上，優(yōu)選地施加在兩個天線端口上，其中兩個端口之間的差別是輸入激發(fā)上的90度相移。
全文摘要
本發(fā)明的高密度射頻等離子體源使用特殊的天線設(shè)置以產(chǎn)生一定頻率如13.56MHz的波。此天線的可調(diào)節(jié)性允許使射頻能量與促發(fā)的等離子體有效地耦合，此促發(fā)的等離子體存在于半導(dǎo)體制造中的等離子處理過程中。等離子體源可以被用于下面的用途等離子刻蝕、沉積、濺射系統(tǒng)、空間發(fā)動機(jī)、等離子體基消毒、等離子體消除系統(tǒng)。在又一個實(shí)施例中，等離子體源與也包括一排磁體和射頻線圈的一個或多個處理室連接。一方面，由于反饋控制方法，這些元件可以用于等離子體密封或活化等離子體控制(等離子體自旋)，另一方面，可用于現(xiàn)場NMR監(jiān)控或分析如等離子處理前或后的處理室內(nèi)的濕度監(jiān)控、或現(xiàn)場NMR監(jiān)控晶片或其它工件。
文檔編號H05H1/46GK1809911SQ200480017637
公開日2006年7月26日 申請日期2004年5月18日 優(yōu)先權(quán)日2003年5月22日
發(fā)明者埃瑞克·舍瓦勒, 菲利普·吉杰恩 申請人:赫利森有限責(zé)任公司