專利名稱：用于產(chǎn)生遠(yuǎn)紫外線和軟x射線的裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種如權(quán)利要求1的前序中要求的氣體放電源。優(yōu)選應(yīng)用領(lǐng)域是要求在從大約1nm至20nm的波長(zhǎng)范圍內(nèi)的遠(yuǎn)紫外(EUV)和/或軟X射線的那些領(lǐng)域，譬如具體為半導(dǎo)體光刻。
背景技術(shù)：
同樣類型的裝置被公開于WO99/29145中。從WO99/29145中得到的圖1示出一種電極布置，其中，氣體填充中間電極間隙位于兩個(gè)電極中間。所述兩個(gè)電極各個(gè)具有開口，通過所述開口限定對(duì)稱軸。所述裝置工作在恒定氣體壓力的環(huán)境中。如果對(duì)電極應(yīng)用高壓，則有氣體擊穿，所述擊穿取決于所述壓力和所述電極間隙。氣壓和電極間隙被選擇，以使該系統(tǒng)工作在帕邢曲線的左分支，從而在所述電極之間不發(fā)生電擊穿。因?yàn)樵谶@種情況中電荷載體的平均自由路徑長(zhǎng)度大于電極間隙，所以氣體放電不在電極間傳播。代替之，氣體放電尋找更長(zhǎng)路徑，因?yàn)樽銐虼髷?shù)量的離子碰撞觸發(fā)所述放電僅僅在足夠大放電間隙的情況下是可能的。這個(gè)較長(zhǎng)路徑可使用電極開口來(lái)預(yù)先確定，經(jīng)所述電極開口來(lái)限定對(duì)稱軸。在形狀上成軸對(duì)稱的電流傳送等離子通道在電極開口的線上擴(kuò)展。極高放電電流在電流通路周圍產(chǎn)生磁場(chǎng)。得到的洛侖茲力使等離子體收縮，從而所述等離子被加熱至非常高的溫度，其中等離子發(fā)射非常短的波長(zhǎng)輻射，尤其在EUV和軟X射線波長(zhǎng)范圍內(nèi)。所述射線的輸出耦合發(fā)生在軸方向上，沿對(duì)稱軸，通過所述電極之一的開口。
對(duì)于EUV光刻中的應(yīng)用，等離子應(yīng)當(dāng)展示1至2mm的軸向擴(kuò)散和1至2mm的直徑，并且在45至60度的觀察角處是可以看到的。一般公知的是，對(duì)于這種應(yīng)用，這種等離子優(yōu)先在幾焦耳范圍內(nèi)的脈沖能量、大約100ns的電流脈沖持續(xù)時(shí)間和10至30KA間的電流幅度的放電中產(chǎn)生。最優(yōu)的中性氣體壓力典型地在幾Pa至幾十Pa的范圍內(nèi)。壓縮等離子體的初始半徑在幾個(gè)mm范圍內(nèi)，所述半徑主要由電極系統(tǒng)中的開口確定。電極間間隙在3和10mm之間。
WO01/01736公開了一種同樣類型的裝置，在其中，另外地，在對(duì)稱軸上具有開口的輔助電極位于主電極之間，作為增加轉(zhuǎn)換效率的機(jī)構(gòu)。
DE10134033公開了一種同樣類型的裝置，在其中填充的氣體的氣壓在靠近作為陰極的電極處比離開電極的放電容器的區(qū)域中是更高的。
然而，作為現(xiàn)有技術(shù)部分的說(shuō)明的裝置不能夠供給許多應(yīng)用所需要的高輸出，尤其用于半導(dǎo)體光刻中。因此，需要改進(jìn)，以獲得最高的可能的射線密度。然而，應(yīng)該注意到，對(duì)于必需的高電流幅度和電流密度，經(jīng)陰極的電流傳輸必定與陰極材料的蒸發(fā)有關(guān)。這種電極侵蝕導(dǎo)致陰極的幾何形狀改變，這最終對(duì)等離子體的發(fā)射性能產(chǎn)生負(fù)面影響。這樣，箍縮等離子體被定位于越靠近陰極表面、陰極侵蝕的就越急劇。然而，對(duì)于這種裝置的實(shí)用性，足夠長(zhǎng)的使用壽命是本質(zhì)的。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的目的是提供一種裝置，用于產(chǎn)生發(fā)射射線的等離子，使用所述裝置，可以獲得在λ＝1至20nm之間波長(zhǎng)范圍內(nèi)，即在EUV范圍和軟X射線波長(zhǎng)范圍內(nèi)的高輻射密度，并盡可能有效地輸出，并且該裝置具有盡可能長(zhǎng)的使用壽命。
使用獨(dú)立權(quán)利要求1中要求的特征實(shí)現(xiàn)這個(gè)目的。有益的實(shí)施例和另外的實(shí)施例被列舉在從屬權(quán)利要求中。
本發(fā)明認(rèn)識(shí)到，使用尤其用于產(chǎn)生遠(yuǎn)紫外和/或軟X射線的氣體放電源解決了上述技術(shù)問題，在所述氣體放電源中氣體填充中間電極間隙(3)位于兩個(gè)電極(1、2)之間，其中具有用于氣體進(jìn)入和排空的裝置，其中一個(gè)電極(1)具有限定對(duì)稱軸線(4)且被用于射線釋放的開口(5)，以及在對(duì)稱軸線(4)上具有至少一個(gè)開口(7)且作為差動(dòng)泵級(jí)工作的隔膜(6)位于兩個(gè)電極(1、2)之間。
本發(fā)明基于這樣的認(rèn)識(shí)因?yàn)橐朐趯?duì)稱軸線(4)上具有開口(7)的隔膜(6)和作為差動(dòng)泵級(jí)使用的這個(gè)隔膜，以一種簡(jiǎn)單的方式，可在中間電極間隙(3)中設(shè)定某一理想的壓力狀況。除了得到的有益效果之外，由于結(jié)合這種隔膜，其上耗散熱量的較大表面位于中間電極間隙(3)中。以這種方式，電極(1、2)上的熱載荷可被減少，它們的使用壽命和可被注入所述系統(tǒng)的平均輸出或脈沖能量可與可獲得的射線功率一起增加。
中間電極間隙(3)被用于設(shè)計(jì)在兩個(gè)電極(1、2)之間的整個(gè)間隙。它被隔膜(6)分割為兩部分，每一部分由電極(包括其開口)之一和隔膜(包括其開口)限定。
這具體在于在由隔膜(6)和背離射線釋放側(cè)的電極(2)限定的氣體填充中間電極間隙(3)的部分區(qū)域中提供的氣體壓力大于在由隔膜(6)和面向射線釋放側(cè)的電極(1)限定的氣體填充中間電極間隙(3)的部分區(qū)域中提供的氣體壓力。這種措施確保壓縮或向等離子體輸入能量以及與之相關(guān)的高阻抗區(qū)域的位置，出現(xiàn)在靠近電極(1)的理想點(diǎn)上，所述電極(1)面向射線的放電側(cè)。這具有的優(yōu)點(diǎn)在于，在大觀察角處從可得到的觀點(diǎn)來(lái)看，有最優(yōu)的射線利用率。因此，從陰極向這點(diǎn)的電流傳遞以彌散、低阻抗等離子體出現(xiàn)。當(dāng)與出現(xiàn)較短的等離子體通道的現(xiàn)有技術(shù)相比較時(shí)，這導(dǎo)致實(shí)質(zhì)上沒有損耗。同樣因這種理由，可獲得射線功率的增加。
中間電極間隙(3)中的氣體壓力和兩個(gè)電極之間的間隙選擇成使等離子體的點(diǎn)火發(fā)生在帕邢曲線的左分支，即離子化過程沿長(zhǎng)電場(chǎng)線開始，這優(yōu)先發(fā)生在陽(yáng)極和陰極的開口區(qū)域。因此，點(diǎn)火發(fā)生在氣體體積內(nèi)，進(jìn)而因此引起特別低的磨損率。此外，在帕邢曲線的左分支上操作的情況下，射線發(fā)生器和電源之間開關(guān)部件不是必需的，使得低感應(yīng)成為可能，進(jìn)而因此能實(shí)現(xiàn)特別有效率的能量輸入。
采用背離射線釋放側(cè)的電極(2)或面向射線釋放側(cè)的電極(1)用作陰極是可行的。第一可選擇的方案具有的優(yōu)點(diǎn)在于，壓縮的等離子體，在這種情況下因依據(jù)本發(fā)明的裝置可靠近陽(yáng)極(1)出現(xiàn)，離陰極(2)較遠(yuǎn)。因此，對(duì)陰極有較少的侵蝕。然而，首要的，箍縮等離子體的發(fā)生還幾乎不依賴于陰極幾何形狀的改變。因此，較高的侵蝕可被允許。一般地，這導(dǎo)致電極系統(tǒng)的相當(dāng)長(zhǎng)的使用壽命，且提供引入較高電功率的機(jī)會(huì)，從而獲得更大射線功率。
沒有太多的熱載荷在面向射線釋放側(cè)的電極(1)上，譬如陽(yáng)極上，因?yàn)楦裟?6)能夠耗散相當(dāng)多的能量。因此，由于所述隔膜(6)的存在，只有被注入箍縮等離子體區(qū)域的部分能量需要考慮，其會(huì)發(fā)射短波射線。由于這部分僅僅等于總能量的五分之一到四分之一，所以可引入的功率還有脈沖能量可因此增加4至5倍。
將背離射線釋放側(cè)的電極(2)設(shè)計(jì)為具有空腔(8)的中空電極，尤其為中空陰極特別有益處。在其中，在放電的第一相中，氣體的預(yù)先離子化發(fā)生，之后形成在密集的中空陰極等離子體。這種等離子體尤其適用于供給所需的電荷載體(電子)，以在中間電極間隙(3)中產(chǎn)生低阻抗通道。所述中空電極(2)具有通向中間電極間隙(3)的一個(gè)或多個(gè)開口(9)。因?yàn)樽鳛楹笳叩倪x擇方案，全部電流在多個(gè)電極開口(9)上分布，電極(2)上的局部載荷可以這種方式被減少，進(jìn)而電極系統(tǒng)的使用壽命和可引入的電極功率可因此被增加。在設(shè)計(jì)為中空陰極的電極(2)的空腔(8)中，可存在額外的觸發(fā)設(shè)備。以這種方式，放電的啟動(dòng)可如要求的被精確觸發(fā)。這尤其在具有多個(gè)開口的中空陰極的情況下有益處。觸發(fā)裝置可被設(shè)計(jì)為，例如在中空陰極中的輔助電極，使用所述輔助電極，可在從相對(duì)陰極為正的電位向較低電位譬如陰極電位切換輔助電極時(shí)觸發(fā)放電。另一個(gè)觸發(fā)選擇在于在中空陰極中電荷載體的噴射或產(chǎn)生，這通過輝光放電觸發(fā)、高介電觸發(fā)或通過光脈沖或激光脈沖的光電子或金屬蒸氣的觸發(fā)來(lái)進(jìn)行。
如果隔膜(6)被設(shè)計(jì)成有助于電流傳遞至最多僅僅一小范圍的方式是有利的。從而，從陰極至陽(yáng)極的整個(gè)或至少主要部分的電流傳遞大部分僅僅經(jīng)等離子通道發(fā)生。以這種方式，電流可被盡可能完整地和有效地用于箍縮等離子體的產(chǎn)生。此外，在隔膜上陰極點(diǎn)的產(chǎn)生和因此在那里出現(xiàn)的侵蝕可被很大程度地避免。
對(duì)于隔膜(6)的制造，有益之處在于，如果隔膜(6)或至少部分隔膜(6)包括好加工的材料。同樣有益之處在于，至少部分隔膜(6)的材料具有高度的導(dǎo)熱性。這能夠?qū)崿F(xiàn)有效的冷卻或熱耗散。
可被用于至少部分隔膜(6)的材料的例子是陶瓷，特別是氧化鋁或六硼化鑭(lanthanum hexaboride)。
對(duì)于靠近開口(7)的隔膜(6)的部分，對(duì)于這個(gè)部分，由于其臨近等離子通道，所以對(duì)隔膜(6)的侵蝕風(fēng)險(xiǎn)是最大的，由特殊的抗放電材料制造這個(gè)部分是有好處的，所述材料譬如具體地是鉬、鎢、氮化鈦或六硼化鑭。結(jié)果是，在隔膜(6)上出現(xiàn)侵蝕的機(jī)會(huì)極大地減少，因此，增加了所述裝置的使用壽命。
將多隔膜引入中間電極間隙(3)還是可行的，各個(gè)隔膜在對(duì)稱軸線(4)上具有開口(7)。在具體有益實(shí)施例中，它們采用金屬隔膜(6、6′、6″)的形式，其互相由絕緣體(11)隔開。以這種方式，有效地抑制了陰極熱點(diǎn)的多級(jí)點(diǎn)火進(jìn)而抑制電流傳輸。這具有與使用單一絕緣體相同的優(yōu)點(diǎn)。此外，與純陶瓷體相比較，因結(jié)合金屬，可實(shí)現(xiàn)電極系統(tǒng)的理想的低感應(yīng)結(jié)構(gòu)。再者，可能導(dǎo)致一個(gè)陶瓷隔膜上金屬蒸氣沉積的問題在本隔膜實(shí)質(zhì)上沒有作用。
隔膜(6)的厚度可在大約1和20mm之間的范圍內(nèi)。根據(jù)冷卻的觀點(diǎn)來(lái)看，應(yīng)該提供盡可能厚的隔膜。隔膜(6)的直徑應(yīng)當(dāng)大概在4和20mm之間。
還可這樣布置氣體入口(12)，以使它們的開口面向氣體填充中間電極間隙(3)的部分區(qū)域，所述氣體填充中間電極間隙(3)由隔膜(6)和背離射線釋放側(cè)的電極(2)限定。在這個(gè)部分區(qū)域中的氣體壓力可因此具體設(shè)定。在與隔膜(6)相互作用中，尤其比中間電極間隙(3)的部分區(qū)域中的氣壓高的氣壓可因此被提供在那里，所述中間電極間隙(3)由隔膜(6)和面向射線釋放側(cè)的電極(1)限定，或者可設(shè)定具體想要的壓力差異。
此外，可具有氣體入口(12′)，所述氣體入口(12′)配置有朝向氣體填充中間電極間隙(3)的開口，所述氣體填充中間電極間隙(3)由隔膜(6)和面向射線釋放側(cè)的電極(1)限定。
在氣體入口(12、12′)結(jié)合進(jìn)中間電極間隙(3)的兩個(gè)部分區(qū)域中的情況下，獲得尤其大的用于調(diào)整在中間電極間隙(3)中的氣體壓力分布的容限。此外，由于隔膜(6)的存在，因而提供了在中間電極間隙(3)中產(chǎn)生氣體混合物的不均勻分布的機(jī)會(huì)。尤其是，在本發(fā)明的具體有益實(shí)施例中，經(jīng)那里存在的氣體入口(12)，額外被引入由隔膜(6)和背離射線釋放側(cè)的電極(2)限定的中間電極間隙(3)的部分區(qū)域中的為一種填充氣體，譬如氦或氫，所述填充氣體與工作氣體相比較具有在使用脈沖電流的情況下非常低的射線損耗。以這種方式，與EUV發(fā)射區(qū)相比較，等離子體的阻抗被保持在低值上，從而能量輸入更有效。經(jīng)那里所設(shè)的氣體入口(12′)，在由隔膜(6)和面向射線釋放側(cè)的電極(1)限定的中間電極間隙(3)部分區(qū)域中引入工作氣體，譬如氙或氖，所述工作氣體用于產(chǎn)生箍縮等離子體和得到的EUV射線的發(fā)射。
通過面向射線釋放側(cè)的電極(1)的開口，使用位于中間電極間隙外面的排放裝置尤其容易實(shí)現(xiàn)氣體的排空。然而，還可能直接在中間電極間隙(3)中提供排空裝置，具體在由隔膜(6)和面向射線釋放側(cè)的電極(1)限定的中間電極間隙(3)部分區(qū)域中。其特別益處在于，如上所述，如果不同氣體成分存在于中間電極間隙(3)的兩個(gè)部分區(qū)域中，在排空期間，可獲得所述兩種氣體混合物的相對(duì)低的混合。


參考附圖中示出的實(shí)施例的例子，將進(jìn)一步說(shuō)明本發(fā)明，但是本發(fā)明不限于此。
圖1示出從WO99/29145中抽取的圖，說(shuō)明現(xiàn)有技術(shù)。
圖2示出依據(jù)本發(fā)明的裝置的示意圖示。
圖3示出一個(gè)實(shí)施例的示意圖示，其中膜片的一部分包括抗放電材料。
圖4示出一個(gè)實(shí)施例的示意圖示，其中具有多金屬膜片。
圖5示出一個(gè)實(shí)施例的示意圖示，其中中空電極具有多個(gè)開口。
具體實(shí)施例方式
圖2示出依據(jù)本發(fā)明的所述裝置的電極系統(tǒng)的一個(gè)實(shí)施例。在此，一個(gè)電極(2)采用具有空腔(8)的中空電極的形式，并且被用作陰極。另一個(gè)電極(1)作為陽(yáng)極。通過在陽(yáng)極(1)的開口(5)實(shí)現(xiàn)射線的輸出耦合，所述射線從在氣體填充中間電極間隙(3)內(nèi)產(chǎn)生的箍縮等離子體(13)釋放。為了使發(fā)射的射線可利用的可能比例最高，陽(yáng)極開口(5)在輸出方向上加寬。在電極(1、2)之間設(shè)置隔膜(6)，所述隔膜在由陽(yáng)極開口(5)限定的對(duì)稱軸線(4)上具有貫通孔(7)。在這個(gè)實(shí)施例中，中空陰極具有通向中間電極間隙(3)的開口(9)，所述開口(9)也位于對(duì)稱軸線(4)上。設(shè)置氣體入口(12)，它具有通向氣體填充中間電極間隙(3)部分區(qū)域的開口，所述氣體填充中間電極間隙(3)由隔膜(6)和陰極(2)限定。在這個(gè)實(shí)施例中，用于這些氣體的供給線通過中空陰極的主體。設(shè)置另一氣體入口(12′)，它具有通向氣體填充中間電極間隙(3)部分區(qū)域的開口，所述氣體填充中間電極間隙(3)由隔膜(6)和陽(yáng)極(1)限定。
圖3示出依據(jù)本發(fā)明的裝置的實(shí)施例，其中在靠近開口(7)的區(qū)域(10)中，隔膜(6)包括抗放電材料，譬如鉬、鎢、氮化鈦或六硼化鑭。隔膜(6)的其余部分包括可加工的材料和/或具有高導(dǎo)熱性的材料。
圖4示出依據(jù)本發(fā)明的裝置的實(shí)施例，其中多個(gè)金屬隔膜(6、6′、6″)被設(shè)置在電極(1、2)之間，各個(gè)隔膜由絕緣體(11)分離。
圖5示出另一實(shí)施例，其中陰極(2)具有三個(gè)開口(9、9′、9″)。因此，居中地位于對(duì)稱軸線上的所述開口(9)采用盲孔的形式。其余兩個(gè)開口(9′、9″)是貫通孔，處在陰極(2)的空腔(8)和中間電極間隙(3)之間。
參考標(biāo)記列表1.面向射線的放電側(cè)的電極2.背離射線的放電側(cè)的電極3.(氣體填充的)中間電極間隙4.對(duì)稱軸5.面向射線的放電側(cè)的電極(1)中的開口6.隔膜7.隔膜中的開口8.中空電極(2)中的空腔9、9′、9″.背離射線的放電側(cè)的電極中的開口
10.包括抗放電材料的隔膜部分區(qū)域11.絕緣體12、12′.氣體入口13.箍縮等離子體
權(quán)利要求
1.一種氣體放電源，具體用于產(chǎn)生遠(yuǎn)紫外線和/或軟X射線，其中氣體填充中間電極間隙(3)位于兩個(gè)電極(1、2)之間，其中具有用于氣體進(jìn)入和排空的裝置，以及其中一個(gè)電極(1)具有限定對(duì)稱軸線(4)且被用于射線釋放的開口(5)，其特征在于，設(shè)一隔膜(6)于所述兩個(gè)電極(1、2)之間，所述隔膜(6)在對(duì)稱軸線(4)上具有至少一個(gè)開口(7)且作為差動(dòng)泵級(jí)工作。
2.如權(quán)利要求1所述的氣體放電源，特征在于，在由所述隔膜(6)和背離射線釋放側(cè)的電極(2)所限定的所述氣體填充中間電極間隙(3)的部分區(qū)域中的氣體壓力大于由所述隔膜(6)和面向射線釋放側(cè)的電極(1)所限定的所述氣體填充中間電極間隙(3)的部分區(qū)域中的氣體壓力。
3.如前面權(quán)利要求之一所述的氣體放電源，其特征在于，所述隔膜(6)被設(shè)計(jì)成使它至多僅在小范圍內(nèi)對(duì)電流傳輸有作用。
4.如前面權(quán)利要求之一所述的氣體放電源，其特征在于，所述隔膜(6)的至少部分包括可加工的材料和/或具有高導(dǎo)熱性的材料。
5.如前面權(quán)利要求之一所述的氣體放電源，其特征在于，所述隔膜(6)的至少部分包括陶瓷。
6.如前面權(quán)利要求之一要求的氣體放電源，其特征在于，所述隔膜(6)至少在靠近其開口(7)的區(qū)域(10)包括抗放電材料。
7.如前面權(quán)利要求1-4任一項(xiàng)所述的氣體放電源，其特征在于，具有多個(gè)互相由絕緣體(11)隔離的金屬隔膜(6、6′、6″)。
8.如前面權(quán)利要求之一所述的氣體放電源，其特征在于，在對(duì)稱軸線(4)的方向，所述隔膜(6)在1mm至20mm的范圍內(nèi)延伸。
9.如前面權(quán)利要求之一所述的氣體放電源，其特征在于，所述隔膜(6)的所述開口(7)具有在4mm和20mm之間的直徑。
10.如前面權(quán)利要求之一要求的氣體放電源，其特征在于，設(shè)置氣體入口，這些入口具有面向所述氣體填充中間電極間隙(3)的部分區(qū)域的開口，所述氣體填充中間電極間隙(3)的部分區(qū)域由所述隔膜(6)和背離射線釋放側(cè)的電極(2)限定。
11.如前面權(quán)利要求之一所述的氣體放電源，其特征在于，設(shè)置氣體入口，這些入口具有面向所述氣體填充中間電極間隙(3)的部分區(qū)域的開口，所述氣體填充中間電極間隙(3)的部分區(qū)域由所述隔膜(6)和面向射線釋放側(cè)的電極(1)限定。
12.如前面權(quán)利要求之一要求的氣體放電源，其特征在于，所述背離射線釋放側(cè)的電極(2)具有空腔(8)，所述空腔(8)具有通向所述氣體填充中間電極間隙(3)的至少一個(gè)開口(9)。
13.如前面權(quán)利要求之一所述的氣體放電源，其特征在于，設(shè)置氣體入口，所述入口具有通向電極(2)中的空腔(8)的開口，所述電極(2)背離射線釋放側(cè)。
14.如權(quán)利要求12或13所述的氣體放電源，其特征在于，設(shè)置觸發(fā)裝置，該裝置可位于電極(2)的空腔(8)中，所述電極(2)背離射線釋放側(cè)。
15.如前面權(quán)利要求之一所述的氣體放電源，其特征在于，中間電極間隙(3)中的氣體混合物包括用于氣體放電的工作氣體，以及除此之外，還包括至少一種與工作氣體相比較具有較低射線損耗的填充氣體。
16.如前面權(quán)利要求之一所述的氣體放電源，其特征在于，所述工作氣體主要被包含在由所述隔膜(6)和面向射線釋放側(cè)的電極(1)限定的氣體填充中間電極間隙(3)的部分區(qū)域中的氣體混合物中，以及所述工作氣體主要被包含在由所述隔膜(6)和背離射線釋放側(cè)的電極(2)限定的氣體填充中間電極間隙(3)的部分區(qū)域中的氣體混合物中。
17.如前面權(quán)利要求之一所述的氣體放電源，其特征在于，通過面向射線釋放側(cè)的電極(1)的開口(5)發(fā)生中間電極間隙(3)的排空。
18.如前面權(quán)利要求之一要求的氣體放電源，其特征在于，背離射線釋放側(cè)的電極(2)被用作陰極。
19.如前面權(quán)利要求之一所述的氣體放電源，其特征在于，電極之間的電極間隙和氣體壓力被選擇成使在帕邢曲線的左分支發(fā)生氣體放電。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種氣體放電源，尤其是用于產(chǎn)生遠(yuǎn)紫外線和/或軟X射線，其中氣體填充中間電極間隙(3)位于兩個(gè)電極(1、2)之間，其中具有用于氣體進(jìn)入和排空的裝置，以及其中一個(gè)電極(1)具有限定對(duì)稱軸線(4)且被用于射線釋放的開口(5)。提出的改進(jìn)在于隔膜(6)，該隔膜(6)在對(duì)稱軸(4)上具有至少一個(gè)開口(7)且在兩個(gè)電極(1、2)之間作為差動(dòng)泵級(jí)工作。
文檔編號(hào)H05G2/00GK1833472SQ200480022673
公開日2006年9月13日 申請(qǐng)日期2004年7月29日 優(yōu)先權(quán)日2003年8月7日
發(fā)明者K·貝爾格曼, W·內(nèi)夫 申請(qǐng)人:皇家飛利浦電子股份有限公司