專利名稱：有機(jī)電致發(fā)光設(shè)備及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及有機(jī)電致發(fā)光設(shè)備及其制造方法。更為具體的說，本發(fā)明涉及一種有機(jī)電致發(fā)光設(shè)備及其制造方法，該有機(jī)電致發(fā)光設(shè)備包括的掃描線在氧化錫銦膜(以下稱之為“ITO膜”)之間平行于ITO膜形成。
背景技術(shù)：
有機(jī)電致發(fā)光設(shè)備在其上施加預(yù)定電壓的時候會發(fā)出具有預(yù)定波長的光。
圖1是顯示現(xiàn)有有機(jī)電致發(fā)光設(shè)備的平面圖。
圖1中的現(xiàn)有有機(jī)電致發(fā)光設(shè)備包括多個ITO膜100，多個金屬線層102，多個數(shù)據(jù)線106，多個第一掃描線108，和多個第二掃描線110。
發(fā)光區(qū)104是ITO膜100和金屬線層102的交叉區(qū)域，在發(fā)光區(qū)104中形成多個子像素。
每個數(shù)據(jù)線106與ITO膜100相連，接收從集成電路芯片(未示出)傳送的數(shù)據(jù)信號，并且將所接收的數(shù)據(jù)信號提供給ITO膜100。
每個第一掃描線108與金屬線層102的一部分相連，并且將集成電路芯片傳輸過來的第一掃描信號提供給上面的部分金屬線層。
每個與第二掃描線110其他金屬線層相連，并且將集成電路芯片傳輸過來的第二掃描信號提供給該其他金屬線層。
例如，每個第一掃描線108與金屬線層102中的奇數(shù)金屬線層相連，而每個第二掃描線110與金屬線層102的偶數(shù)金屬線層相連。
如上所述，在現(xiàn)有有機(jī)電致發(fā)光設(shè)備中，掃描線108和110是形成在金屬線層102的外部的，如圖1所示。
通常，在基板上形成多個有機(jī)電致發(fā)光設(shè)備。對于這種情況，如果如現(xiàn)有有機(jī)電致發(fā)光設(shè)備一樣，在金屬線層102的外部形成掃描線108和110，那么基板的空間可能會減少和掃描線108和110所占用的部分一樣多的空間。結(jié)果，在現(xiàn)有有機(jī)電致發(fā)光設(shè)備中，其基板上所形成的有機(jī)電致發(fā)光設(shè)備的數(shù)目可能會比在掃描線108和110不占用金屬線層102的外部空間時基板上所形成的有機(jī)電致發(fā)光設(shè)備的數(shù)目要少。
因此，需要研究一種能夠減少掃描線所占用的空間的有機(jī)電致發(fā)光設(shè)備。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明特征是提供一種具有形成于ITO膜之間的掃描線的有機(jī)電致發(fā)光設(shè)備及其制造方法。
本發(fā)明的另一特征是提供一種具有用來連接掃描線的掃描線連接段的有機(jī)電致發(fā)光設(shè)備及其制造方法。
本發(fā)明的又一個特征是提供有機(jī)電致發(fā)光設(shè)備基板，其中第一有機(jī)電致發(fā)光設(shè)備的數(shù)據(jù)線連接段和第二有機(jī)電致發(fā)光設(shè)備的掃描線連接段位于同一平面內(nèi)。
根據(jù)本發(fā)明的第一實施例所述的有機(jī)電致發(fā)光設(shè)備包括ITO膜，掃描線，絕緣層，有機(jī)層和金屬層。ITO膜形成于基板上。掃描線形成于基板上的ITO膜之間。絕緣層形成于ITO膜的發(fā)光區(qū)以及掃描線的連接區(qū)之外的其他區(qū)域上。有機(jī)層形成于發(fā)光區(qū)上。金屬線層形成于有機(jī)層和連接區(qū)上，其中金屬線層與第一ITO膜交叉。
根據(jù)本發(fā)明第二實施例所述的有機(jī)電致發(fā)光設(shè)備包括ITO膜，掃描線，絕緣層，有機(jī)層，金屬線層和掃描線連接段。ITO膜形成于基板上。掃描線形成于基板上ITO膜之間。絕緣層形成于ITO膜的發(fā)光區(qū)以及掃描線的連接區(qū)之外的其他區(qū)域上。有機(jī)層形成于發(fā)光區(qū)上。金屬線層形成于有機(jī)層和連接區(qū)上，其中金屬線層與第一ITO膜交叉。掃描線連接段連接掃描線。
根據(jù)本發(fā)明第三實施例所述的有機(jī)電致發(fā)光設(shè)備包括ITO膜，掃描線，絕緣層，有機(jī)層，金屬線層和掃描線連接段。ITO膜形成于基板上。掃描線形成于基板上ITO膜之間。絕緣層形成于ITO膜的發(fā)光區(qū)以及掃描線的連接區(qū)之外的其他區(qū)域上。有機(jī)層形成于發(fā)光區(qū)上。金屬線層形成于有機(jī)層和連接區(qū)上，其中金屬線層與第一ITO膜交叉。掃描線連接段將K(K是大于2的整數(shù))個單元中的掃描線連接起來。
根據(jù)本發(fā)明第四實施例所述的有機(jī)電致發(fā)光設(shè)備，其具有ITO膜和與ITO膜交叉的金屬線層，其還包括數(shù)據(jù)線，數(shù)據(jù)線連接段，掃描線和掃描線連接段。數(shù)據(jù)線與ITO膜相連。數(shù)據(jù)線連接段將L(L是大于2的整數(shù))個單元中的數(shù)據(jù)線連接起來。掃描線形成于ITO膜之間。掃描線連接段連接掃描線。
根據(jù)本發(fā)明一個實施例所述的有機(jī)電致發(fā)光設(shè)備包括第一有機(jī)電致發(fā)光設(shè)備和第二有機(jī)電致發(fā)光設(shè)備。第一有機(jī)電致發(fā)光設(shè)備包括至少一個數(shù)據(jù)線連接段，其用來將N(大于2的整數(shù))個單元中的多個數(shù)據(jù)線連接到第一ITO膜。第二有機(jī)電致發(fā)光設(shè)備包括至少一個掃描線連接段，用來將平行于第二ITO膜且在第二ITO膜之間所形成的P(大于2的整數(shù))個單元中的多個掃描線連接起來。這里，數(shù)據(jù)線連接段和該描線連接段位于同一平面內(nèi)。
根據(jù)本發(fā)明的實施例所述的有機(jī)電致發(fā)光設(shè)備的制造方法包括步驟在基板上形成多個第一ITO膜，在第一ITO膜之間平行于第一ITO膜形成多個掃描線；在其上形成有第一ITO膜和掃描線的基板的整個區(qū)域除發(fā)光區(qū)和連接區(qū)之外的其他區(qū)域上沉積絕緣材料；在發(fā)光區(qū)上沉積有機(jī)層；和在發(fā)光區(qū)和連接區(qū)上形成與第一ITO膜交叉的多個金屬線層。
根據(jù)本發(fā)明的另一實施例所述的有機(jī)電致發(fā)光設(shè)備的制造方法包括步驟在基板上形成多個ITO膜；在ITO膜之間平行于ITO膜形成多個掃描線；形成用來連接掃描線的掃描線連接段；在其上形成ITO膜和掃描線的基板的整個區(qū)域除發(fā)光區(qū)和連接區(qū)之外的其他區(qū)域上沉積絕緣材料；在發(fā)光區(qū)上沉積有機(jī)層；以及在發(fā)光區(qū)和連接區(qū)上形成與ITO膜交叉的多個金屬線層。
如上所述，在本發(fā)明中的有機(jī)電致發(fā)光設(shè)備中，掃描線形成于ITO膜之間。因而，在相同大小的基板上，該有機(jī)電致發(fā)光設(shè)備的亮度得以增強(qiáng)，并且有機(jī)電致發(fā)光設(shè)備的尺寸得以減小。
此外，本發(fā)明中的有機(jī)電致發(fā)光設(shè)備在質(zhì)量測試的時候通過利用線連接段和線端口段將預(yù)定電壓提供給ITO膜和金屬線層。因此，有機(jī)電致發(fā)光設(shè)備的線不會被測試裝置的管腳損壞。
此外，在本發(fā)明中的有機(jī)電致發(fā)光設(shè)備中，將第二有機(jī)電致發(fā)光設(shè)備的掃描線連接段設(shè)置在第一有機(jī)電致發(fā)光設(shè)備的數(shù)據(jù)線連接段之間。因而，在基板上的有機(jī)電致發(fā)光設(shè)備的數(shù)目在水平方向上得以增加，并且有機(jī)電致發(fā)光設(shè)備的基板能夠充分地利用縱向的空間。


參照下面與附圖結(jié)合的具體說明，本發(fā)明上述和其他特征和優(yōu)點(diǎn)將變得顯而易見，其中圖1是顯示現(xiàn)有有機(jī)電致發(fā)光設(shè)備的平面圖；圖2是顯示根據(jù)本發(fā)明第一實施例所述的有機(jī)電致發(fā)光設(shè)備的平面圖；圖3是顯示沿圖2中的I-I’線截取的有機(jī)電致發(fā)光設(shè)備的截面圖；圖4是顯示沿圖2中的I-I’線截取的有機(jī)電致發(fā)光設(shè)備的截面圖；圖5是顯示根據(jù)本發(fā)明第三實施例所述的有機(jī)電致發(fā)光設(shè)備的平面圖；圖6是顯示根據(jù)本發(fā)明第四實施例所述的有機(jī)電致發(fā)光設(shè)備的平面圖；圖7是顯示根據(jù)本發(fā)明第五實施例所述的有機(jī)電致發(fā)光設(shè)備的平面圖；圖8是顯示根據(jù)本發(fā)明第六實施例所述的有機(jī)電致發(fā)光設(shè)備的平面圖；圖9是顯示根據(jù)本發(fā)明一個實施例所述的有機(jī)電致發(fā)光設(shè)備基板的平面圖；圖10是圖9中部分B放大的平面圖。
具體實施例方式
以下，參照附圖具體解釋本發(fā)明的優(yōu)選實施例。
圖2是顯示根據(jù)本發(fā)明第一實施例所述的有機(jī)電致發(fā)光設(shè)備的平面圖。這里，為了方便描述，圖2示出具有尺寸為3(水平方向)×4(垂直方向)的有機(jī)電致發(fā)光設(shè)備。
在圖2中，本發(fā)明中的有機(jī)電致發(fā)光設(shè)備包括ITO膜200，金屬線層202，數(shù)據(jù)線206，和掃描線208。
發(fā)光區(qū)204是ITO膜200和金屬線層202的交叉區(qū)域，其中形成多個子像素。具體地說，在發(fā)光區(qū)204的第一發(fā)光區(qū)內(nèi)形成紅子像素，在第二發(fā)光區(qū)內(nèi)形成綠子像素，在第三發(fā)光區(qū)內(nèi)形成藍(lán)子像素。這里，像素由紅子像素，綠子像素和藍(lán)子像素組成。
如圖2所示，每個數(shù)據(jù)線206與ITO膜200相連，并且將從集成電路芯片(未示出)提供的多個數(shù)據(jù)信號傳輸給ITO膜200。
如圖2所示，在ITO膜200之間形成掃描線208，并且掃描線與金屬線層202交叉。換句話說，掃描線208在ITO膜200之間平行地形成。
在掃描線208整個區(qū)域的一部分區(qū)域(以下，稱之為“連接區(qū)”)210之外的其他區(qū)域上沉積絕緣材料。換句話說，僅在連接區(qū)210上形成掃描線208，而在除連接區(qū)210之外的其它區(qū)域上沉積掃描線208和掃描線208的絕緣材料。
因而，對于從集成電路芯片將掃描信號發(fā)送到掃描線208的情況來說，掃描線208是通過連接區(qū)210將所發(fā)送的掃描信號傳輸?shù)浇饘倬€層202的。
簡言之，與現(xiàn)有有機(jī)電致發(fā)光設(shè)備的掃描線不同，本發(fā)明中的有機(jī)電致發(fā)光設(shè)備的掃描線是形成在ITO膜200之間的。結(jié)果，本發(fā)明中的有機(jī)電致發(fā)光設(shè)備獲得了和現(xiàn)有有機(jī)電致發(fā)光設(shè)備中掃描線所占用空間一樣多的額外空間。
因此，本發(fā)明中的有機(jī)電致發(fā)光設(shè)備可以具有對應(yīng)于上述額外空間的更多的像素。作為選擇地，有機(jī)電致發(fā)光設(shè)備可以將ITO膜200的寬度，也即發(fā)光區(qū)204的大小擴(kuò)大上面的額外空間那么多。結(jié)果，與現(xiàn)有有機(jī)電致發(fā)光設(shè)備相比，本發(fā)明中的有機(jī)電致發(fā)光設(shè)備的亮度得以增強(qiáng)。
另外，有機(jī)電致發(fā)光設(shè)備可以減小如上面額外空間那么多的尺寸，因而能夠被小型化。
以下，具體地描述本發(fā)明中的有機(jī)電致發(fā)光設(shè)備的制造方法。
在基板上沉積ITO膜材料。
如圖2所示，將基板制圖，這樣在基板上形成ITO膜200。
將數(shù)據(jù)線206與ITO膜200相連，然后在ITO膜200之間形成與金屬線層202交叉的掃描線208。
在其上形成了ITO膜200、數(shù)據(jù)線206和掃描線208的基板上沉積絕緣材料。但是，在發(fā)光區(qū)204和連接區(qū)210上不沉積絕緣材料。
將其上沉積了絕緣材料的基板制圖，這樣從基板上除去所沉積的絕緣材料。
在發(fā)光區(qū)204上沉積每個發(fā)光層。
在具有發(fā)光層的基板上形成金屬線層202。
圖3是顯示沿圖2中的I-I’線截取的根據(jù)本發(fā)明第一實施例所述的有機(jī)電致發(fā)光設(shè)備的截面圖。
如圖3所示，掃描線208形成于基板ITO膜200之間。根據(jù)本發(fā)明第一實施例所述的每個掃描線208是金屬層，例如由鉬(Mo)組成。
如圖3所示，絕緣層203形成于ITO膜200之間。但是，在掃描線208的第一掃描線上不形成絕緣層302，其只在掃描線208的其他掃描線上形成。
因而，僅第一掃描線連接到與這些金屬線層202的第一掃描線相對應(yīng)的第一金屬線層，并且因此集成電路芯片所提供的掃描信號就通過第一掃描線傳輸?shù)降谝唤饘倬€層。
有機(jī)層304形成于ITO膜200的發(fā)光區(qū)204上。這里，每個有機(jī)層304包括依次在ITO膜200上形成的空穴運(yùn)輸層(HTL)、發(fā)光層(EML)和電子運(yùn)輸層(ETL)。作為選擇的，每個有機(jī)層304包括在ITO膜200上依次形成的空穴注入層(HIL)、HTL、EML、ETL和電子注入層(EIL)。
金屬線層202形成于有機(jī)層304和絕緣層302上。
圖4是顯示沿圖2中I-I’線截取的根據(jù)本發(fā)明第二實施例所述的有機(jī)電致發(fā)光設(shè)備的截面圖。
如圖4所示，每個掃描線208包括ITO膜208A和金屬層208B，它們依次沉積在基板400上。
金屬線層208B與基板400的粘結(jié)很弱。因而，在本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光設(shè)備中，在基板400上形成與基板400之間具有強(qiáng)的粘結(jié)性的ITO208A，然后在ITO膜208A上形成金屬層208B。
根據(jù)本發(fā)明一個實施例所述，金屬層208B包括鉬(Mo)圖5是顯示根據(jù)本發(fā)明第三實施例所述的有機(jī)電致發(fā)光設(shè)備的平面圖。
在圖5中，一個金屬線層與兩條掃描線在兩個連接區(qū)510處相連。
因此，集成電路芯片可以通過與兩個連接區(qū)510的第一連接區(qū)相對應(yīng)的掃描線將掃描信號提供到與第一連接區(qū)相對應(yīng)的金屬線層。
現(xiàn)在參照圖3和圖5，本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光設(shè)備可以在尺寸允許的范圍內(nèi)將金屬線層連接到多個掃描線。
圖6是顯示根據(jù)本發(fā)明第四實施例所述的有機(jī)電致發(fā)光設(shè)備的平面圖。
在圖6中，有機(jī)電致發(fā)光設(shè)備包括ITO膜600，金屬線層602，數(shù)據(jù)線606，掃描線608，數(shù)據(jù)線連接段612和掃描線連接段614。
除了線連接段612和614之外，本實施例中的元件與第一實施例中的相同，因此省去有關(guān)相同元件的更具體的描述。
數(shù)據(jù)線連接段612作為電導(dǎo)體連接數(shù)據(jù)線606，掃描線連接段614作為電導(dǎo)體連掃描線608。
下面，通過有機(jī)電致發(fā)光設(shè)備的亮度測試來詳細(xì)地描述線連接段612和614的功能。
在有機(jī)電致發(fā)光設(shè)備的亮度測試中，測試裝置的第一管腳與數(shù)據(jù)線606之一相接觸，然后通過第一管腳將預(yù)定正電壓施加到所接觸的數(shù)據(jù)線上。這里，數(shù)據(jù)線606通過數(shù)據(jù)線連接段612互相連接，因此所施加的正電壓就被通過所接觸的數(shù)據(jù)線和數(shù)據(jù)線連接段612提供到其他數(shù)據(jù)線上。隨后，正電壓被通過數(shù)據(jù)線606提供到ITO膜600上。
此外，測試裝置的第二管腳與掃描線608之一相接觸，然后通過第二管腳將預(yù)定負(fù)電壓施加到所接觸的掃描線上。結(jié)果，所施加的負(fù)電壓就被通過掃描線608提供到金屬線層602上。
換句話說，測試裝置將正電壓和負(fù)電壓分別施加到ITO膜600和金屬線層602上，這樣像素發(fā)光。
測試裝置通過發(fā)射的光檢測有機(jī)電致發(fā)光設(shè)備的亮度缺陷。
在完成了有機(jī)電致發(fā)光設(shè)備的亮度測試之后，由切割刀將線連接段612和614切除。
如上所述，在本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光設(shè)備中，測試裝置與線606和608接觸的管腳的數(shù)目是2。也即，與在現(xiàn)有有機(jī)電致發(fā)光設(shè)備中必須與所有線接觸的管腳的數(shù)目相比，本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光設(shè)備的測試中所需的管腳數(shù)目要少的多。因而，對于本發(fā)明中的有機(jī)電致發(fā)光設(shè)備的這些線606和608來說，其被管腳損壞的可能性要比現(xiàn)有有機(jī)電致發(fā)光設(shè)備中小的多。
以下，具體描述根據(jù)本發(fā)明所述的有機(jī)電致發(fā)光設(shè)備的制造方法。
在基板上沉積ITO膜材料。
將其上沉積了ITO膜材料的基板制圖，這樣在基板上形成了ITO膜600，如圖6所示。
將數(shù)據(jù)線606與ITO膜600相連，然后在ITO膜600之間形成與金屬線層602交叉的掃描線608。
將數(shù)據(jù)線連接段612和掃描線連接段614分別與數(shù)據(jù)線606和掃描線608相連。這里，可以在其上沉積了ITO膜材料的基板的制圖過程期間形成數(shù)據(jù)線連接段612和掃描線連接段614。
在其上形成了線606和608的基板上沉積絕緣材料，但是在發(fā)光區(qū)604和連接區(qū)610上不形成絕緣材料。
在發(fā)光區(qū)604上沉積有機(jī)層。
在具有沉積的有機(jī)層的基板上形成金屬線層602。
圖7是顯示根據(jù)本發(fā)明第五實施例所述的有機(jī)電致發(fā)光設(shè)備的平面圖。
在圖7中，一個金屬線層與兩條掃描線在兩個連接區(qū)710處相連。
因此，集成電路芯片可以通過與兩個連接區(qū)710的第一連接區(qū)相對應(yīng)的掃描線將掃描信號提供到與第一連接區(qū)相對應(yīng)的金屬線層。
數(shù)據(jù)線連接段712連接數(shù)據(jù)線706，掃描線連接段714連接掃描線708。
圖8是顯示根據(jù)本發(fā)明第六實施例所述的有機(jī)電致發(fā)光設(shè)備的平面圖。
在圖8中，本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光設(shè)備包括ITO膜800，金屬線層802，數(shù)據(jù)線806，掃描線808，數(shù)據(jù)線連接段812，掃描線連接段814，數(shù)據(jù)線端口段816和掃描線端口段818。
由于除線端口段816和818外的本實施例中的元件都與第四實施例的相同，因此省去有關(guān)相同元件的更具體的描述。
當(dāng)測試裝置測試有機(jī)電致發(fā)光設(shè)備的亮度的時候，測試裝置的第一管腳與數(shù)據(jù)線端口段816接觸，并且之后將預(yù)定的正電壓通過第一管腳施加到接觸的數(shù)據(jù)線端口段816。
數(shù)據(jù)線端口段816通過數(shù)據(jù)線連接段812和數(shù)據(jù)線806將所施加的正電壓提供給ITO膜800。
另外，測試裝置的第二管腳與掃描線端口段818接觸，并且之后將預(yù)定的負(fù)電壓通過第二管腳施加到掃描線端口段818。
掃描線端口段818通過掃描線連接段814和掃描線802將所施加的負(fù)電壓提供給金屬線層802。
簡言之，在該有機(jī)電致發(fā)光設(shè)備中，管腳與線端口段816和818接觸，但是不與線806和808接觸。因此，線806和808不會受到管腳的損壞。
圖9是顯示根據(jù)本發(fā)明一個實施例所述的有機(jī)電致發(fā)光設(shè)備基板的平面圖。此外，圖10是圖9中部分B放大的平面圖。
在圖9中，基板900包括多個有機(jī)電致發(fā)光設(shè)備。
在圖10中，該基板包括第一有機(jī)電致發(fā)光設(shè)備1000和第二有機(jī)電致發(fā)光設(shè)備1002。
以下通過第一有機(jī)電致發(fā)光設(shè)備1000來具體描述有機(jī)電致發(fā)光設(shè)備的功能，并且然后描述在上面這些有機(jī)電致發(fā)光設(shè)備之間的位置關(guān)系。
第一有機(jī)電致發(fā)光設(shè)備1000包括第一ITO膜1004，第一金屬線層1006，第一數(shù)據(jù)線1010，第一掃描線1012，第一數(shù)據(jù)線連接段1016和第一掃描線連接段1018。
由于除線連接段1016和1018外的當(dāng)前實施例中的元件與第一實施例的相同，因此省去有關(guān)相同元件的更具體的描述。
第一數(shù)據(jù)線連接段1016作為電導(dǎo)體連接K(K是大于2的整數(shù))個單元中的第一數(shù)據(jù)線1010。例如如圖10所示，第一數(shù)據(jù)線連接段1016連接3個單元中的第一數(shù)據(jù)線1010。
另外，第一數(shù)據(jù)線連接段1016將從測試裝置施加的預(yù)定的第一電壓經(jīng)由第一數(shù)據(jù)線1010提供給第一ITO膜1004。
第一掃描線連接段1018作為電導(dǎo)體連接第一掃描線1012。
可以通過多個掃描線連接段將在M(M是大于2的整數(shù))個單元中的根據(jù)本發(fā)明的一個實施例所述的第一掃描線1010連接起來。
此外，第一掃描線連接段1018將從測試裝置施加的預(yù)定的第二電壓經(jīng)由第一掃描線1012提供給金屬線層1006。
以下具體描述第一有機(jī)電致發(fā)光設(shè)備1000和第二有機(jī)電致發(fā)光設(shè)備1002之間的位置關(guān)系。
這里，在圖10中，第一數(shù)據(jù)線1010是以三個為單位連接到第一數(shù)據(jù)線連接段1016的。
多個第二掃描線1024與第二掃描線連接段1026相連。
將第二有機(jī)電致發(fā)光設(shè)備1002的第二掃描線連接段1026設(shè)置在第一數(shù)據(jù)線連接段1016之間。
根據(jù)本發(fā)明另一個實施例，可以將第二掃描線連接段1026設(shè)置在數(shù)據(jù)線連接的最外面，而不設(shè)置在第一數(shù)據(jù)線連接段1016之間。
換句話說，第二掃描線連接段1026和第一數(shù)據(jù)線連接段1016位于同一平面內(nèi)。此外，在基板900上平行于第一金屬線層1006形成第二掃描線連接段1026。結(jié)果，基板900的空間能夠被充分地利用。
根據(jù)本發(fā)明的另一實施例，可以由第二掃描線連接段將第二掃描線1024以L(L是大于2的整數(shù))為單位連接起來。這時候，第二掃描線連接段和第一數(shù)據(jù)線連接段1016位于同一平面內(nèi)。另外，第二掃描線連接段在基板900上平行于第一金屬線層1006形成。
簡言之，在基板900中，第二有機(jī)電致發(fā)光設(shè)備1002的第二掃描線連接段1026位于第一有機(jī)電致發(fā)光設(shè)備1000的第一數(shù)據(jù)線連接段1016之間。因此，基板900能夠在水平方向上節(jié)省對應(yīng)于現(xiàn)有有機(jī)電致發(fā)光設(shè)備的掃描線區(qū)域的空間，并且能夠在縱向上充分地利用基板的空間。
對于本發(fā)明的這些優(yōu)選實施例，應(yīng)該指出的是，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以根據(jù)上面的教導(dǎo)做出修改和變化。因此，應(yīng)該理解，在本發(fā)明所附權(quán)利要求概括的精神和內(nèi)涵的范圍內(nèi)，可以對本發(fā)明的具體實施例作出改變。
權(quán)利要求
1.一種有機(jī)電致發(fā)光設(shè)備，其包括多個第一氧化錫銦ITO膜，其形成于基板上；多個掃描線，每個都形成于基板上的第一ITO膜之間；絕緣層，其形成于第一ITO膜的發(fā)光區(qū)以及掃描線的連接區(qū)之外的其他區(qū)域上；多個有機(jī)層，其形成于發(fā)光區(qū)上；和多個金屬線層，其形成于有機(jī)層和連接區(qū)上，其中該金屬線層與第一ITO膜交叉。
2.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光設(shè)備，其中，該掃描線包括金屬。
3.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光設(shè)備，其中，每個掃描線包括第二ITO膜和形成于第一ITO膜上的金屬層。
4.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光設(shè)備，其中，該連接區(qū)分別對應(yīng)于掃描線，并且每個連接區(qū)與金屬線層之一相連接。
5.一種有機(jī)電致發(fā)光設(shè)備，其包括多個ITO膜，其形成于基板上；多個掃描線，其每個形成于基板上的ITO膜之間；絕緣層，其形成于ITO膜的發(fā)光區(qū)以及掃描線的連接區(qū)之外的其他區(qū)域上；多個有機(jī)層，其形成于發(fā)光區(qū)上；和多個金屬線層，其形成于有機(jī)層和連接區(qū)上，其中該金屬線層與ITO膜交叉；和掃描線連接段，其用于連接掃描線。
6.如權(quán)利要求5所述的有機(jī)電致發(fā)光設(shè)備，其中，該掃描線連接段是電導(dǎo)體。
7.如權(quán)利要求5所述的有機(jī)電致發(fā)光設(shè)備，進(jìn)一步包括與該掃描線連接段相連的掃描線端口段，其用于在測試該有機(jī)電致發(fā)光設(shè)備的時候，將從測試裝置施加的預(yù)定的第一電壓通過該掃描線連接段提供給掃描線。
8.如權(quán)利要求5所述的有機(jī)電致發(fā)光設(shè)備，進(jìn)一步包括用于連接數(shù)據(jù)線的數(shù)據(jù)線連接段。
9.如權(quán)利要求8所述的有機(jī)電致發(fā)光設(shè)備，進(jìn)一步包括與該數(shù)據(jù)線連接段相連的數(shù)據(jù)線端口段，其用于在測試該有機(jī)電致發(fā)光設(shè)備的時候，將從測試裝置施加的預(yù)定的第二電壓通過該數(shù)據(jù)線連接段提供給數(shù)據(jù)線。
10.一種有機(jī)電致發(fā)光設(shè)備，包括多個ITO膜，其形成于基板上；多個掃描線，每個都形成于基板上的ITO膜之間；絕緣層，其形成于ITO膜的發(fā)光區(qū)以及掃描線的連接區(qū)之外的其他區(qū)域上；多個有機(jī)層，其形成于發(fā)光區(qū)上；和多個金屬線層，其形成于有機(jī)層和連接區(qū)上，其中該金屬線層與ITO膜交叉；和多個掃描線連接段，其用于將K個單元中的掃描線連接起來，其中K是大于2的整數(shù)。
11.如權(quán)利要求10所述的有機(jī)電致發(fā)光設(shè)備，進(jìn)一步包括多個數(shù)據(jù)線，每個數(shù)據(jù)線都連接到ITO膜；和多個數(shù)據(jù)線連接段，其用于將M個單元中的數(shù)據(jù)線連接起來，其中M是大于2的整數(shù)。
12.如權(quán)利要求11所述的有機(jī)電致發(fā)光設(shè)備，其中，該數(shù)據(jù)線連接段和掃描線連接段中的每一個包括金屬。
13.一種具有ITO膜和與ITO膜交叉的金屬線層的有機(jī)電致發(fā)光設(shè)備，其包括多個數(shù)據(jù)線，每個連接到ITO膜；多個數(shù)據(jù)線連接段，其用于將L個單元中的數(shù)據(jù)線連接起來，其中L是大于2的整數(shù)；多個掃描線，每個形成于ITO膜之間；和掃描線連接段，其用于連接掃描線。
14.如權(quán)利要求13所述的有機(jī)電致發(fā)光設(shè)備，進(jìn)一步包括，絕緣層，其形成于ITO膜的發(fā)光區(qū)以及掃描線的連接區(qū)之外的其他區(qū)域上；和有機(jī)層，其形成于發(fā)光區(qū)上，其中該金屬線層交叉地形成于有機(jī)層和連接區(qū)上。
15.如權(quán)利要求13所述的有機(jī)電致發(fā)光設(shè)備，其中，該數(shù)據(jù)線連接段和掃描線連接段中的每一個都包括金屬。
16.一種有機(jī)電致發(fā)光設(shè)備基板，其包括第一有機(jī)電致發(fā)光設(shè)備，其包括至少一個數(shù)據(jù)線連接段，用于將N個單元中的多個數(shù)據(jù)線連接到第一ITO膜，其中N是大于2的整數(shù)；和第二有機(jī)電致發(fā)光設(shè)備，其包括至少一個掃描線連接段，用于將平行于第二ITO膜且位于第二ITO膜之間形成的P個單元中的多個掃描線連接起來，其中P是大于2的整數(shù)，其中該數(shù)據(jù)線連接段和掃描線連接段位于同一平面內(nèi)。
17.如權(quán)利要求16所述的有機(jī)電致發(fā)光設(shè)備，其中，該數(shù)據(jù)線連接段和掃描線連接段的每一個都是電導(dǎo)體。
18.一種制造有機(jī)電致發(fā)光設(shè)備的方法，包括在基板上形成多個第一ITO膜；在第一ITO膜之間平行于第一ITO膜形成多個掃描線；在其上形成有第一ITO膜和掃描線的基板的整個區(qū)域上，除發(fā)光區(qū)和連接區(qū)之外的其他區(qū)域上沉積絕緣材料；分別在發(fā)光區(qū)上沉積有機(jī)層；和在發(fā)光區(qū)和連接區(qū)上形成與第一ITO膜交叉的多個金屬線層。
19.如權(quán)利要求18所述的方法，其中，該掃描線是通過在第一ITO膜之間平行于第一ITO膜形成多個金屬線層而形成的。
20.如權(quán)利要求18所述的方法，其中，該掃描線的形成步驟如下在第一ITO膜之間平行于第一ITO膜形成第二ITO膜；并且在第二ITO膜上分別形成金屬層。
21.如權(quán)利要求18所述的方法，其中，該連接區(qū)對應(yīng)于掃描線，并且分別與每一個金屬線層相連。
22.一種制造有機(jī)電致發(fā)光設(shè)備的方法，其包括在基板上形成多個ITO膜；在ITO膜之間平行于ITO膜形成多個掃描線；形成用于連接掃描線的掃描線連接段；在其上形成ITO膜和掃描線的基板的整個區(qū)域上，除發(fā)光區(qū)和連接區(qū)之外的其他區(qū)域上沉積絕緣材料；在發(fā)光區(qū)上沉積每個有機(jī)層；以及在發(fā)光區(qū)和連接區(qū)上形成與ITO膜交叉的多個金屬線層。
23.如權(quán)利要求22所述的方法，進(jìn)一步包括在掃描線連接段的末端形成掃描線端口段。
全文摘要
本發(fā)明涉及有機(jī)電致發(fā)光設(shè)備，其包括在ITO膜之間平行于ITO膜形成的掃描線。該有機(jī)電致發(fā)光設(shè)備包括ITO膜，掃描線，絕緣層，有機(jī)層和金屬層。ITO膜形成于基板上。每個掃描線形成于基板上ITO膜之間。絕緣層形成于ITO膜的發(fā)光區(qū)以及掃描線的連接區(qū)之外的其他區(qū)域。有機(jī)層形成于發(fā)光區(qū)上。金屬線層形成于有機(jī)層和連接區(qū)上，其中金屬線層與ITO膜交叉。因此，有機(jī)電致發(fā)光設(shè)備的亮度得以增強(qiáng)，或者有機(jī)電致發(fā)光設(shè)備的尺寸得以減小。
文檔編號H05B33/08GK1798460SQ20051006269
公開日2006年7月5日 申請日期2005年4月5日 優(yōu)先權(quán)日2004年12月28日
發(fā)明者金學(xué)洙 申請人:Lg電子株式會社