專利名稱：自發(fā)光顯示器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及平板型的顯示裝置，特別是涉及提高電流供給線和像素的對位精度，并且抑制由該電流供給線的布線距離的增大引起的信號電壓的下降，而獲得高質(zhì)量顯示的顯示裝置，適于自發(fā)光顯示裝置。
背景技術(shù)：
作為平板型的自發(fā)光顯示裝置，等離子顯示裝置(PDP)、場致發(fā)射型顯示裝置(FED)、有機電致發(fā)光顯示裝置(也稱為有機EL顯示裝置、OLED)等尚處于實用化或?qū)嵱没芯侩A段。在這些顯示裝置中，有機EL顯示裝置是輕薄的自發(fā)光型顯示裝置的典型代表，作為今后的顯示裝置是很有前途的。在有機EL顯示裝置中，有所謂的底部發(fā)光型和頂部發(fā)光型。
底部發(fā)光型的有機EL顯示裝置是由以下的發(fā)光機構(gòu)來構(gòu)成有機EL元件的，即在優(yōu)選玻璃基板的絕緣基板上，依次層疊了作為沿第1方向延伸的第1電極(一個電極)的透明電極(ITO等)、施加電場時發(fā)光的有機多層膜(也稱為有機發(fā)光層)、以及作為沿第2方向延伸的第2電極(另一個電極)的反射性的金屬電極的發(fā)光機構(gòu)。上述底部發(fā)光型的有機EL顯示裝置，設(shè)有將多個該有機EL元件以矩陣狀排列、并將它們的層疊結(jié)構(gòu)覆蓋、稱為封裝盒的其他基板，將上述發(fā)光結(jié)構(gòu)與外部氣氛隔斷。然后，例如將透明電極作為陽極，將金屬電極作為陰極，并將電場施加在兩者之間，從而載流子(電子和空穴)被注入到有機多層膜中，該有機多層膜就進行發(fā)光。將上述有機多層膜的發(fā)光從玻璃基板發(fā)射到外部。
另一方面，頂部發(fā)光型的有機EL顯示裝置，其特征在于將上述的一個電極做成具有反射性的金屬電極，將另一個電極做成ITO等透明電極，將電場加在兩者之間，從而使有機多層膜發(fā)光，從上述另一個電極將上述有機多層膜的發(fā)光射出。在頂部發(fā)光型中，作為底部發(fā)光型中的封裝盒，使用優(yōu)選玻璃板的透明板。
另外，PDP或FED是這樣的顯示裝置，即在第1玻璃基板上形成的沿第1方向延伸的第1電極上備有放電元件或電子源，將多個由設(shè)置在第2玻璃基板上的熒光體層所構(gòu)成的發(fā)光機構(gòu)以矩陣狀排列。
另外，作為公開了相關(guān)的現(xiàn)有技術(shù)的文件，能舉出專利文獻1、專利文獻2。在專利文獻1中，記載了在金屬板上有多個孔的彩色顯像管用蔭罩。另外，在專利文獻2中，記載了使掃描電極的寬度在面板中央部和周邊部不同的PDP。
日本特開2001-160362號公報[專利文獻2]日本特開平7-288087號公報發(fā)明內(nèi)容上述的自發(fā)光顯示裝置雖然在該第1電極上形成有機發(fā)光層、或者是放電元件、電子源等發(fā)光機構(gòu)，但有必要將該發(fā)光機構(gòu)以優(yōu)良的精度進行對位來設(shè)置在第1電極上。對此，以下將有機EL顯示裝置作為例子來進行說明。
形成有機EL顯示裝置的發(fā)光層，能采用各種方法，有一種方法，使用具有與像素對應(yīng)的多個開口的薄板狀的蒸鍍掩模，在基板(一般為玻璃基板)上形成。在以蒸鍍來形成發(fā)光層的情況下，為了用該蒸鍍掩模來形成發(fā)光層，存在基于以下列舉的情況而需要解決的課題。
(1)施加張力，固定在框架上使用。
(2)在發(fā)光層的蒸鍍工藝中，總是用蒸鍍源加熱。
(3)另外，對于用蒸鍍源進行加熱，每次更換蒸鍍的基板時，都被低溫的基板冷卻(接觸驟冷)。
(4)利用校準(zhǔn)機構(gòu)對蒸鍍掩模和基板進行對位。
其結(jié)果，所形成的發(fā)光層的位置偏移，將呈現(xiàn)X(面內(nèi)的一個方向)、Y(與面內(nèi)的X方向正交的另一個方向)、θ(面內(nèi)旋轉(zhuǎn)方向)這三個方位。在蒸鍍掩模的設(shè)計上，對于X、Y方向的蒸鍍位置的偏移，可以進行校正設(shè)計或余量設(shè)計，但θ方向的余量設(shè)計與X、Y方向的校正相比，技術(shù)難度是較大的。
本發(fā)明的目的在于解決上述課題，對基板上的各像素蒸鍍正確的發(fā)光層，獲得高質(zhì)量的有機EL顯示裝置等自發(fā)光顯示裝置。
為了達到上述目的，本發(fā)明的自發(fā)光顯示裝置如下述那樣構(gòu)成。以作為自發(fā)光顯示裝置之一的有機EL顯示裝置為例，其特征在于(1)從畫面的中央部到外周部使該發(fā)光部的開口孔徑(開口的大小)變化。
(2)上述的發(fā)光部的開口孔徑最好是在畫面的中央部(離開畫面周邊部的區(qū)域)大，而在畫面的周邊部小。
但是，向上述畫面的中央部及周邊部上所形成的各個開口(發(fā)光部)蒸鍍的材料(在有機EL顯示裝置的情況下為有機材料)的膜的面積，不需要與對應(yīng)于各個膜的開口的面積(大小)成比例，也可以在整個畫面中是相同的。換句話說，對于在各個開口上形成(蒸發(fā))的材料膜從上述開口的邊緣(輪廓)超出的面積，與設(shè)在畫面周邊部上的開口相比，設(shè)置在離開該周邊部并比其遠的區(qū)域的開口將變小。在有機EL顯示裝置中，從利用該材料膜對將在開口上形成的材料膜(包括成為發(fā)光部的有機材料膜)夾在中間的一對電極進行電分離的觀點來看，最好使該材料膜的面積比形成它的開口的面積大。在場致發(fā)射型顯示裝置的制造工序中，在基底材料的開口上蒸鍍場致發(fā)射材料的情況下，也可以使該材料膜的面積比開口小。本發(fā)明的典型的結(jié)構(gòu)如以下所述。
(a)包括顯示畫面，該顯示畫面具有沿第1方向及與第1方向相交的第2方向呈二維配置的多個像素，對于沿上述第1方向排列(N為3以上的整數(shù))上述多個像素中的N個而形成的像素列，分別設(shè)置在該像素列的第1及第N個像素上的發(fā)光區(qū)域的、沿上述第1方向的寬度，比設(shè)置在第M(M為整數(shù)，滿足1＜M＜N)個像素上的發(fā)光區(qū)域的、沿上述第1方向的寬度窄。
(b)上述整數(shù)M為上述整數(shù)N的1/2或把其進一位的值。
(c)包括沿上述第2方向排列上述多個像素中的n個而形成的像素行，該像素行的第1及第n個像素的發(fā)光區(qū)域的、沿上述第2方向的寬度比第m(m為整數(shù)，滿足1＜m＜n)個像素的寬度窄。
這時的發(fā)光部開口孔徑的設(shè)計指標(biāo)為假設(shè)最大的發(fā)光部開口孔徑為100％時，使最小的發(fā)光部開口孔徑不小于50％，來確保顯示亮度的均勻性。在此情況下，通過在有機EL顯示裝置的信號線寬度上設(shè)光柵(設(shè)計畫面周邊部的信號線寬度比畫面中央部的信號線寬度寬)，能改善工作特性和顯示質(zhì)量。
通過采用該設(shè)計方法，(1)可以達到使用了低分子的有機EL發(fā)光材料的顯示裝置的大畫面化(例如，公稱不小于17英寸的大尺寸化)。(2)由于可以對在發(fā)光層的蒸鍍中的沿θ方向的位置偏移采取對策，所以能提高有機EL顯示裝置的發(fā)光層的蒸鍍工序中的制造余量，提高成品率。(3)有機EL顯示裝置的大型化變得容易。(4)能抑制由信號線寬度的分段(grading)引起的信號電壓下降，提高有機EL顯示裝置的工作特性/顯示質(zhì)量。(5)另外，通過提高發(fā)光層的蒸鍍精度，能達到顯示亮度的面內(nèi)均勻化。
另外，不限于上述的使用低分子的發(fā)光材料的有機EL顯示裝置，使用高分子的發(fā)光材料的有機EL顯示裝置、以及其他自發(fā)光顯示裝置、例如在設(shè)置PDP或FED的電子源的電極和熒光體的形成中也同樣能適用。在自發(fā)光顯示裝置的情況下，伴隨大型畫面尺寸的制造余量，發(fā)光部的開孔設(shè)計成為決定性的要素。本發(fā)明的開口孔徑的設(shè)計方法是用于擴大制造余量的方法，可以擴大全部平板型顯示裝置的制造余量。
另外，由于平板型的顯示裝置本身是與大氣隔絕的密閉結(jié)構(gòu)，所以用于驅(qū)動該顯示裝置的信號線從畫面的周邊部(平板型顯示裝置的外形輪廓部)輸入。因此，伴隨平板型顯示裝置的大型化，不得不出現(xiàn)這樣的情況，即信號線增長，信號電壓下降。另一方面，根據(jù)本發(fā)明，可以抑制由信號線寬度的分段引起的信號電壓下降。


圖1是說明在有機EL的玻璃基板上具有的發(fā)光部(像素)的開口和有機EL的發(fā)光材料的蒸鍍區(qū)域之間的位置關(guān)系的圖。
圖2是表示玻璃基板和蒸鍍掩模以正確的位置進行安裝后的狀態(tài)的平面圖。
圖3是表示玻璃基板和蒸鍍掩模的位置沿X方向偏移后的狀態(tài)的平面圖。
圖4是表示玻璃基板和蒸鍍掩模的位置沿Y方向偏移后的狀態(tài)的平面圖。
圖5是表示玻璃基板和蒸鍍掩模的位置沿X方向和Y方向偏移后的狀態(tài)的平面圖。
圖6是表示玻璃基板和蒸鍍掩模的位置沿θ方向偏移后的狀態(tài)的平面圖。
圖7是用于更詳細地說明玻璃基板和蒸鍍掩模的實際位置偏移的平面圖。
圖8是說明有機EL顯示裝置的發(fā)光部(像素)和驅(qū)動用電源線的設(shè)計例的示意平面圖。
圖9是說明本發(fā)明的實施方式1的發(fā)光部開口的示意平面圖。
圖10是說明本發(fā)明的實施方式1的信號線的示意平面圖。
圖11是說明應(yīng)用了本發(fā)明的底部發(fā)光型有機EL顯示裝置的一個有機EL元件，即一個像素附近的結(jié)構(gòu)例的剖面圖。
圖12是說明本發(fā)明的有源矩陣型的有機EL顯示裝置的整體結(jié)構(gòu)例的等效電路圖。
具體實施例方式
以下，參照附圖詳細說明本發(fā)明的實施方式。以下，說明使用低分子的發(fā)光材料的有機EL顯示裝置。
發(fā)光層的蒸鍍位置偏移，基本上是由玻璃基板和蒸鍍用掩模的位置因玻璃基板、蒸鍍用掩模的熱膨脹、或玻璃基板相對于蒸鍍用掩模的校準(zhǔn)誤差而產(chǎn)生的。
圖1是說明有機EL玻璃基板上具有的發(fā)光部(像素)的開口和有機EL的發(fā)光材料的蒸鍍區(qū)域之間的位置關(guān)系的圖。在圖1中，LAR是發(fā)光部開口，VAR是蒸鍍區(qū)域，X-X’表示玻璃基板面內(nèi)的第1方向，Y-Y’表示玻璃基板面內(nèi)的第2方向。而且，用Er-X表示X方向的位置偏移，用Er-Y表示Y方向的位置偏移。在考慮了有機EL發(fā)光材料的蒸鍍工藝的情況下，蒸鍍位置偏移能分成以下說明的四種情況。
圖2是表示玻璃基板和蒸鍍掩模以正確的位置進行安裝后的狀態(tài)的平面圖。玻璃SUB相對于蒸鍍掩模MSK按照預(yù)定的位置關(guān)系固定，在該狀態(tài)下實施有機EL的發(fā)光材料的蒸鍍處理。從圖中未示出的蒸鍍源蒸發(fā)的有機EL發(fā)光材料，通過蒸鍍掩模上具有的開口，被蒸鍍在相對于玻璃基板SUB上所形成的發(fā)光部開口LAR所規(guī)定的蒸鍍區(qū)域VAR上。
圖3是表示玻璃基板和蒸鍍掩模的位置沿X方向偏移后的狀態(tài)的平面圖，圖4是表示玻璃基板和蒸鍍掩模的位置沿Y方向偏移后的狀態(tài)的平面圖，圖5是表示玻璃基板和蒸鍍掩模的位置沿X方向和Y方向偏移后的狀態(tài)的平面圖，圖6是表示玻璃基板和蒸鍍掩模的位置沿θ方向偏移后的狀態(tài)的平面圖。實際上觀測到的位置偏移，主要是將圖5和圖6合成后的偏移。
圖7是用于更詳細地說明玻璃基板和蒸鍍掩模的實際位置偏移的平面圖。上述的圖3至圖5所示的位置偏移，在玻璃基板的任意點上是基本相等的。可是，圖6所示的θ方向的偏移變得距離玻璃基板中心越遠，蒸鍍偏移量就越大。在圖7中，A點表示玻璃基板中心，B點表示Y軸端部，C點表示X軸端部，D點表示對角軸端部。
在圖7中，(1) 離開玻璃基板中央的距離的關(guān)系A(chǔ)≤B≤C≤D......(式1)
(2)蒸鍍偏移量的關(guān)系A(chǔ)≤B≤C≤D......(式2)上面的(式1)和(式2)的關(guān)系是相等的。
因此，如(式2)所示的關(guān)系，必須確保蒸鍍余量。因此，在本發(fā)明中，第1個特征在于使蒸鍍掩模的開口孔徑在畫面的中央部為最大，距離畫面中央越遠，面積就越縮小，由此，第2個特征在于在開口間隔增大的畫面周邊部，使有機EL的像素驅(qū)動用的電源線的粗度變粗。
圖8是說明有機EL顯示裝置的發(fā)光部(像素)和驅(qū)動用電源線的設(shè)計例的示意平面圖。在圖8中，沿X方向在發(fā)光部開口LAR相互之間，形成各兩條沿Y方向延伸的驅(qū)動用電源線CL。發(fā)光部開口LAR的尺寸，在X方向為aX，在Y方向為aY。另外，假設(shè)沿X方向相鄰的發(fā)光部開口LAR的中心沿Y方向的中心線y1-y1’、y2-y2’之間的距離為pX，各驅(qū)動用電源線CL的寬度為wX時，關(guān)于圖7所示的各點A、B、C、D，在表1中示出了尺寸為公稱21英寸的有機EL顯示裝置的設(shè)計例。
表1 21英寸OLED顯示器的設(shè)計例

單位μm[實施方式1]圖9是說明本發(fā)明的實施方式1的發(fā)光部開口的示意平面圖。這里，只表示三列畫面中央部的Y-Y’方向的發(fā)光部開口。具有這樣的分段，即發(fā)光部開口LAR在畫面的中央部有最大面積，隨著沿Y-Y’方向遠離中央部，X方向的寬度逐漸變窄。另外，圖10是說明本發(fā)明的實施方式1的信號線的示意平面圖。這里，只表示畫面中央部的Y-Y’方向的一條信號線(驅(qū)動用電源線)CL。
如圖10所示，在玻璃基板SUB上形成的驅(qū)動用電源線CL的寬度是這樣形成的，即其中央部是窄的，隨著沿Y-Y’方向遠離中央部，X方向的寬度逐漸變寬。
開口孔徑?jīng)]有分段的現(xiàn)有的有機EL顯示裝置的成品率不大于60％，但是，如果采用本實施方式所示的對開口孔徑實施了分段的裝置，則能實現(xiàn)接近100％的成品率。另外，在現(xiàn)有的布線寬度為均勻的7μm時，電壓降為不小于8V，所以驅(qū)動困難，在這樣的有機EL顯示裝置中，通過驅(qū)動用電源線的變寬設(shè)計，就能將電壓降抑制為小于1.5V。
這樣一來，公稱21英寸的有機EL顯示裝置即使采用現(xiàn)有的驅(qū)動電路設(shè)計，也可以毫無問題地進行驅(qū)動。另外，作為本發(fā)明的另一實施方式，其構(gòu)成為作為使發(fā)光部開口LAR的間距(像素間距)從畫面的中央部向周邊部逐漸變化的“可變間距”，使得開口孔徑固定或變化，利用這樣的結(jié)構(gòu)，也是能獲得同樣的效果的。
圖11是說明應(yīng)用了本發(fā)明的底部發(fā)光型有機EL顯示裝置的一個有機EL元件，即一個像素附近的結(jié)構(gòu)例的剖面圖。圖11所示的有機EL顯示裝置是底部發(fā)光的有源矩陣型顯示裝置。在玻璃基板SUB1的主面上有薄膜晶體管TFT。將發(fā)光層OLE夾在作為用該薄膜晶體管TFT驅(qū)動的一個電極的陽極AD、和作為另一個電極的陰極CD之間來構(gòu)成發(fā)光部。另外，薄膜晶體管TFT由多晶硅半導(dǎo)體層PSI、柵極絕緣層ISI、柵極線(柵極電極)GL、源漏電極SD、層間絕緣層IS2、IS3構(gòu)成。
作為像素電極的陽極AD，由在鈍化層PSV的上層形成的透明導(dǎo)電層(ITO等)構(gòu)成，利用在鈍化層PSV和層間絕緣層IS3上開通的接觸孔，在薄膜晶體管TFT的源漏電極SD上進行電連接。在鈍化層PSV上形成絕緣膜BNK，也覆蓋陽極AD的上面端部。將絕緣膜BNK的原料涂敷或蒸鍍在鈍化層PSV上，形成絕緣膜BNK，并設(shè)有使陽極AD的上表面(最好是除去其周圍的區(qū)域)露出的開口。在該開口上蒸鍍了有機材料，在陽極AD的上表面形成了發(fā)光層OLE。發(fā)光層OLE還從陽極AD的上表面延伸到沿著絕緣膜BNK的上表面向上的絕緣膜BNK的開口的斜面上。與配置在畫面內(nèi)的多個像素的每一個對應(yīng)，在如上所述的絕緣膜BNK上形成開口，并在各個開口上形成了發(fā)光層OLE后，用陰極CD覆蓋該絕緣膜BNK及在各個開口(對應(yīng)于像素的多個開口)上形成的發(fā)光層(多個發(fā)光層)OLE。陰極CD可以說成為在多個像素上形成的發(fā)光層OLE的公用電極。通過以上的工序，在配置在畫面上的多個像素中的各個上形成有機EL元件。
上述的絕緣膜BNK利用在它上面形成的多個開口，將配置在畫面內(nèi)的多個有機EL元件的發(fā)光層OLE分離。絕緣膜BNK能看成將相鄰的發(fā)光層OLE隔離的“堤”，所以被稱為堤岸。另外，在貫通絕緣膜(堤岸)BNK到達陽極AD的上表面的上述開口的內(nèi)部，蒸鍍有機材料形成發(fā)光層OLE。因此，該絕緣膜BNK上的開口是圖1、圖8、以及圖9所示的發(fā)光部開口LAR。
另一方面，在絕緣膜BNK的開口上蒸鍍的有機材料，對應(yīng)于圖1所示的蒸鍍區(qū)VAR，在絕緣膜BNK的開口及其周圍形成發(fā)光層OLE。有機材料膜只要不延伸到與被它蒸鍍的絕緣膜BNK的開口相鄰的另一開口內(nèi)，也可以延伸到該開口的外側(cè)(絕緣膜BNK的上表面)。
在該發(fā)光層OLE中，不只是引起發(fā)光現(xiàn)象的層，也可以包含層疊在該層上的其他材料層(有機材料層)。作為發(fā)光層OLE中包含的引起發(fā)光現(xiàn)象的層之外的層、層疊在該層上的其他材料層，具有被夾在陽極AD和引起發(fā)光現(xiàn)象的層之間的空穴輸送層及空穴注入層、以及被夾在陰極CD和引起發(fā)光現(xiàn)象的層之間的電子輸送層及電子注入層。發(fā)光層OLE可以包含這四層中的至少一層，也可以從陽極AD開始，依次層疊空穴輸送層、空穴注入層(引起發(fā)光現(xiàn)象的層)、電子注入層、電子輸送層而包含全部這四層，也可以不包含這四層中的任意一層(該選擇取決于顯示裝置的用途、有機材料的種類)。
稱為底部發(fā)光型的該有機EL顯示裝置，從發(fā)光層發(fā)出的光L如箭頭所示，從玻璃基板SUB1的表面出射到外部。因此，陰極CD具有光反射功能。封裝盒SUB2(封裝玻璃基板)被粘貼在玻璃基板SUB1的主面?zhèn)龋瑢D中未示出的圍繞周邊部的密封內(nèi)部封裝成真空狀態(tài)。
圖12是說明有機EL顯示裝置的整體結(jié)構(gòu)例的等效電路圖。在顯示區(qū)域AR中呈矩陣狀配置由具有用圖11說明的結(jié)構(gòu)的有機EL像素電路構(gòu)成的像素PX，構(gòu)成二維顯示裝置。各像素PX由第1薄膜晶體管TFT1、第2薄膜晶體管TFT2、電容器Cs及有機EL元件OLED構(gòu)成。有機EL元件OLED由圖11所示的陽極AD、有機發(fā)光層OLE及陰極CD構(gòu)成。在顯示區(qū)AR內(nèi)，交叉配置漏極線DL和柵極線GL。玻璃基板USB1的一部分的尺寸比構(gòu)成封裝盒SUB2的玻璃基板大，從封裝盒SUB2伸出。漏極驅(qū)動器DDR安裝在該伸出的部分上，將顯示信號供給到漏極線DL。
另一方面，柵極驅(qū)動器GDR，以所謂玻璃上系統(tǒng)(System on Glass)的形態(tài)直接形成在由封裝盒SUB2覆蓋的玻璃基板USB1上。柵極線GL連接在該柵極驅(qū)動器GDR上。另外，電源線CL配置在顯示區(qū)域AR中。該電源線CL通過電源線總線CB用圖中未示出的端子連接在外部電源上。另外，并不限于玻璃上系統(tǒng)，也能夠裝載半導(dǎo)體芯片。
柵極線GL連接在構(gòu)成像素PX的第1薄膜晶體管TFT1的源漏電極兩者中的一者上(這里，連接在漏電極上)，漏極線DL連接在源漏電極兩者中的一者上(這里，連接在源電極上)。該第1薄膜晶體管TFT1是將顯示信號取入像素PX中用的開關(guān)，用柵極線GL選擇而導(dǎo)通時，將從漏極線DL供給的與顯示信號對應(yīng)的電荷蓄積在電容器Cs中。第2薄膜晶體管TFT2在第1薄膜晶體管TFT1截止的時刻導(dǎo)通，與蓄積在電容器Cs中的顯示信號的大小(電壓)對應(yīng)的電流從電源線CL供給到有機EL元件OLED。有機EL元件OLED根據(jù)所供給的電流量而發(fā)光。
本發(fā)明能適用于全部有機EL顯示裝置，特別適用于電視顯像用等大畫面的有機EL顯示裝置，能抑制蒸鍍其發(fā)光層的開口和蒸鍍區(qū)的位置偏移，能達到較高的產(chǎn)品成品率。
權(quán)利要求
1.一種顯示區(qū)域呈矩陣狀配置的自發(fā)光顯示裝置，其特征在于畫面周邊的非顯示區(qū)域的寬度比畫面中央的非顯示區(qū)域的寬度寬，或者畫面周邊的非顯示區(qū)域的寬度比畫面中央的非顯示區(qū)域的寬度窄。
2.一種自發(fā)光裝置，其特征在于包括開口部呈矩陣狀配置的絕緣膜、和配置在該開口內(nèi)的發(fā)光材料，畫面周邊的非顯示區(qū)域的寬度比畫面中央的開口部的寬度寬，或者，畫面周邊的非顯示區(qū)域的寬度比畫面中央的開口部的寬度窄。
3.一種顯示區(qū)域呈矩陣狀配置的自發(fā)光顯示裝置，其特征在于從畫面中央至畫面周邊非顯示區(qū)域的寬度變大，或者，從畫面中央至畫面周邊顯示區(qū)域的寬度變窄。
4.一種自發(fā)光裝置，其特征在于包括開口部呈矩陣狀配置的絕緣膜、和配置在該開口內(nèi)的發(fā)光材料，從畫面中央至畫面周邊被開口部所夾持的非顯示區(qū)域的寬度變大，或者，從畫面中央至畫面周邊畫面中央的顯示區(qū)域的寬度變窄。
5.一種自發(fā)光顯示裝置，其特征在于包括顯示畫面，所述顯示畫面具有沿第1方向及與該第1方向相交的第2方向呈二維配置的多個像素，對于沿上述第1方向排列上述多個像素中的N個而形成的像素列，分別設(shè)置在該像素列的第1及第N個像素上的發(fā)光區(qū)域的、沿上述第1方向的寬度，比設(shè)置在第M個像素上的發(fā)光區(qū)域的、沿上述第1方向的寬度窄，其中，N為大于或等于3的整數(shù)，M為整數(shù)，滿足1＜M＜N。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的自發(fā)光顯示裝置，其特征在于上述整數(shù)M為上述整數(shù)N的1/2或把其進一位的值。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的自發(fā)光顯示裝置，其特征在于包括沿上述第2方向排列上述多個像素中的n個而形成的像素行，該像素行的第1及第n個像素的發(fā)光區(qū)域的、沿上述第2方向的寬度比第m個像素的寬度窄，其中，m為整數(shù)，滿足1＜m＜n。
8.一種自發(fā)光顯示裝置，具有一對電極和被夾入到該一對電極中的發(fā)光層的有機EL元件呈矩陣狀配置，電流供給線通過TFT連接在上述電極中的一者上，該自發(fā)光顯示裝置的特征在于該電流供給線是沿上述矩陣的一個方向延伸的布線，其寬度越接近畫面中央就越窄。
全文摘要
本發(fā)明提供一種自發(fā)光顯示裝置。對基板上的每個像素蒸鍍正確的發(fā)光層，而獲得高質(zhì)量的有機EL顯示裝置等自發(fā)光顯示裝置。從畫面的中央部至外周部使發(fā)光部開孔(LAR)的孔徑(開口的大小)變化，抑制在發(fā)光部開孔(LAR)上蒸鍍的有機EL材料與蒸鍍區(qū)(VAR)的位置偏移。發(fā)光部開孔(LAR)的孔徑最好是畫面中央部大、畫面周邊部小。
文檔編號H05B33/02GK1681363SQ200510063238
公開日2005年10月12日 申請日期2005年4月7日 優(yōu)先權(quán)日2004年4月7日
發(fā)明者松館法治, 坂元博次 申請人:株式會社日立顯示器