專利名稱：用于有機(jī)電子裝置的金屬化合物－金屬多層電極的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及有機(jī)電子裝置。尤其是，本發(fā)明涉及用于有機(jī)電子裝置的金屬化合物-金屬多層電極。
背景技術(shù)：
在其它因素中，有機(jī)電子裝置的有效運(yùn)轉(zhuǎn)依賴于電荷在電極和鄰近介質(zhì)之間的有效傳輸。有機(jī)電子裝置用于幾個(gè)應(yīng)用中，所述應(yīng)用基于將電轉(zhuǎn)化為光和/或?qū)⒐庋b化為電。有機(jī)或無(wú)機(jī)裝置類(lèi)型的示例性電活性裝置在圖形顯示和成像領(lǐng)域是眾所周知的。已經(jīng)生產(chǎn)了各種形狀和大小的電活性裝置用于多種應(yīng)用中。然而，無(wú)機(jī)電活性裝置通常要求高的激勵(lì)電壓并具有低的亮度。另一方面，近年來(lái)發(fā)展的有機(jī)電活性裝置具有較低的激勵(lì)電壓并且亮度較高，同時(shí)制作簡(jiǎn)單，因而可以用于更廣泛的應(yīng)用中。
有機(jī)電子裝置典型性地為在例如玻璃或透明塑料的基片上形成的薄膜結(jié)構(gòu)。電活性層和任選的鄰近有機(jī)半導(dǎo)體層夾在陰極和陽(yáng)極之間。所述有機(jī)半導(dǎo)體層可以為空穴(正電荷)注入或電子(負(fù)電荷)注入層，還包括有機(jī)材料。所述電活性有機(jī)層本身由多個(gè)亞層構(gòu)成，每個(gè)亞層包括不同的電活性有機(jī)材料。
為電荷在電活性有機(jī)層和電極之間移動(dòng)減少或消除障礙非常有利于增強(qiáng)有機(jī)電子裝置的效率。具有低功函的金屬，例如堿金屬和堿土金屬，通常用于陰極材料，以促進(jìn)電子注入。然而，這些金屬在暴露于環(huán)境時(shí)易于退化。因此，采用這些金屬作為陰極材料的裝置要求嚴(yán)格的封裝。此外，這些金屬可以迅速地?cái)U(kuò)散至鄰近的電活性有機(jī)層，導(dǎo)致裝置性能減退。
因此，希望在電活性有機(jī)層和電極之間提供更大的電荷遷移率。電發(fā)光和其它電活性裝置，例如光電池，也可以得益于活性層和鄰近陰極的界面之間更低的電子傳輸屏障。因此，希望提供一種陰極組件和材料，其有效地使電子更加容易地在電極和鄰近層之間移動(dòng)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明通過(guò)提供一種多層陰極從而滿足上述和其它要求，所述陰極包括(i)導(dǎo)電層，所述導(dǎo)電層作為總線而被電連接；(ii)含有堿金屬離子源、堿土金屬離子源或鑭系離子源中的至少一個(gè)的層；和(iii)包括至少一種導(dǎo)電金屬物質(zhì)的導(dǎo)電金屬層。
本發(fā)明的另一實(shí)施方案提供了一種有機(jī)電子裝置，包括(i)多層陰極，該陰極包括(a)導(dǎo)電層，所述導(dǎo)電層作為總線而被電連接，(b)含有堿金屬離子源、堿土金屬離子源或鑭系離子源中的至少一個(gè)的層，和(c)包括至少一種導(dǎo)電金屬物質(zhì)的導(dǎo)電金屬層；(ii)至少一個(gè)電活性有機(jī)層；和(iii)與所述導(dǎo)電金屬層電連接的陽(yáng)極。
通過(guò)以下詳細(xì)描述、附圖和所附的權(quán)利要求，本發(fā)明的這些和其它方面、優(yōu)勢(shì)和顯著特點(diǎn)將會(huì)變得清楚明了。


圖1為本發(fā)明的多層陰極的一個(gè)實(shí)施方案的示意性代表圖；圖2為本發(fā)明的多層陰極的另一實(shí)施方案的示意性代表圖；圖3為本發(fā)明的多層陰極的第三實(shí)施方案的示意性代表圖；圖4為本發(fā)明的多層陰極的第四實(shí)施方案的示意性代表圖；圖5為本發(fā)明的有機(jī)電子裝置的一個(gè)實(shí)施方案的示意性代表圖；圖6為本發(fā)明的有機(jī)電子裝置的另一實(shí)施方案的示意性代表圖；圖7為本發(fā)明的有機(jī)電子裝置的第三實(shí)施方案的示意性代表圖；圖8為本發(fā)明的有機(jī)電子裝置的第四實(shí)施方案的示意性代表圖。
具體實(shí)施例方式
典型的有機(jī)電子裝置，例如有機(jī)電活性裝置，包括(a)陽(yáng)極，(b)陰極，(c)位于陽(yáng)極和陰極之間的電發(fā)光有機(jī)層，以及(d)位于陰極和電發(fā)光有機(jī)層之間的電子傳輸促進(jìn)層。所述電子傳輸促進(jìn)層可以為電子注入層、空穴阻斷層或兩者組合中的至少一個(gè)。
當(dāng)在陽(yáng)極和陰極之間施加電壓時(shí)，有機(jī)電發(fā)光材料發(fā)出光。電子傳輸促進(jìn)材料可以與有機(jī)電活性材料之間形成明確的界面，或者提供連續(xù)的過(guò)渡區(qū)域，所述區(qū)域的組成從基本純的電子傳輸促進(jìn)材料改變至基本純的有機(jī)電活性材料。電子注入層可以通過(guò)選自旋涂、噴涂、浸漬涂布、輥涂或噴墨打印的方法沉積于下方材料上。
陰極設(shè)計(jì)用于將負(fù)電荷載體(電子)注入電活性材料層中，其由低功函的材料構(gòu)成；例如功函小于大約4eV。適合用作陰極的低功函的材料為K、Li、Na，Mg、Ca、Sr、Ba、Al、Ag、In、Sn、Zn、Zr、Sc、Y、鑭系元素，它們的合金或混合物。適合用于生產(chǎn)陰極層的合金材料為Ag-Mg、Al-Li、In-Mg、以及Al-Ca合金。也可以為層狀的非合金結(jié)構(gòu)，例如被較厚其它金屬層(例如鋁或鈣)覆蓋的薄層金屬，例如Ca(厚度為大約1至大約10nm)，或非金屬，例如LiF。所述陰極可以通過(guò)物理汽相沉積、化學(xué)汽相沉積或噴濺的方法沉積于下方元件上。已經(jīng)研究出了降低陰極功函的供電子新材料，由此減少了對(duì)電子注入和/或傳輸入電發(fā)光有機(jī)層的障礙。本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方案提供了一種包括多個(gè)陰極組分層的多層陰極。在另一實(shí)施方案中，所述陰極為雙層陰極。在第三個(gè)實(shí)施方案中，所述陰極為三層陰極。
參照附圖，尤其是圖1，應(yīng)理解，所述舉例說(shuō)明的目的是對(duì)本發(fā)明的一個(gè)優(yōu)選實(shí)施方案進(jìn)行描述，并不是對(duì)本發(fā)明的限制。
在圖1所示的本發(fā)明的一個(gè)方面中，本發(fā)明提供多層陰極10，其包括(i)作為總線而被電連接的導(dǎo)電層12；(ii)層14，該層包括堿金屬離子源、堿土金屬離子源或鑭系離子源的至少一個(gè)；以及(iii)包括至少一種導(dǎo)電金屬物質(zhì)的導(dǎo)電金屬層16。
總線，有時(shí)也稱為接口總線，是改善兩個(gè)接口連接電子元件之間導(dǎo)電性(或電子傳輸帶寬)的電子裝置。接口總線可以改善沿著線性或平面方向的導(dǎo)電性。由于多層陰極包括薄的金屬和金屬化合物層，因此總線的存在增強(qiáng)了所述多層陰極的平面內(nèi)導(dǎo)電性。
所述堿金屬離子源、堿土金屬離子源或鑭系離子源具有下式MnXm其中M各自獨(dú)立地為堿金屬離子、堿土金屬離子或鑭系金屬離子，X各自獨(dú)立地為選自以下的陰離子氫氧化物、氧化物、硫化物、硒化物、碲化物、亞硫酸鹽、亞硫酸氫鹽、硫酸鹽、硫酸氫鹽、亞磷酸鹽、亞磷酸氫鹽、磷酸鹽、磷酸氫鹽、硝酸鹽、亞硝酸鹽、高氯酸鹽、次氯酸鹽(perchlorite)、BF4-、PF6-、膦酸鹽、磺酸鹽、硼酸鹽、碳酸鹽、碳酸氫鹽以及有機(jī)羧酸鹽，n和m獨(dú)立地為1至大約20的整數(shù)。
在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方案中，導(dǎo)電層12包括銦錫氧化物、金、銀、鋁、鉑、鉻、鈀或其組合中的至少一個(gè)。在另一實(shí)施方案中，導(dǎo)電金屬層16包括鋁、鈣、鎂、鈀、鉑、銀、金、汞、鈷、銅、鎳、鎵、碳或其組合中的至少一個(gè)。
在圖2所示的本發(fā)明的第二方面，層14進(jìn)一步包括至少一種導(dǎo)電金屬15，其與層16的導(dǎo)電金屬物質(zhì)相同或不同。
在圖3所示的本發(fā)明的第三方面，多層陰極10進(jìn)一步包括層15，該層包括堿金屬離子源、堿土金屬離子源或鑭系離子源中的至少一個(gè)以及至少一種導(dǎo)電金屬，所述導(dǎo)電金屬與層16的導(dǎo)電金屬物質(zhì)相同或不同。
在圖4所示的本發(fā)明的第四方面，多層陰極10包括層14，該層14包括堿金屬離子源、堿土金屬離子源或鑭系離子源中的至少一個(gè)；包括至少一種導(dǎo)電金屬物質(zhì)的導(dǎo)電金屬層16；和層15，該層含有堿金屬離子源、堿土金屬離子源或鑭系離子源中的至少一個(gè)以及至少一種導(dǎo)電金屬，所述導(dǎo)電金屬與層16的導(dǎo)電金屬物質(zhì)相同或不同。
在圖5所示的本發(fā)明的第五方面，本發(fā)明提供了一有機(jī)電子裝置20，例如有機(jī)晶體管(FET)或傳感器。所述有機(jī)電子裝置20包括(i)多層陰極10，包括(a)作為總線而被電連接的導(dǎo)電層12，(b)層14，該層包括堿金屬離子源、堿土金屬離子源或鑭系離子源中的至少一個(gè)，(c)包括至少一種導(dǎo)電金屬物質(zhì)的導(dǎo)電金屬層16；(ii)至少一個(gè)電活性有機(jī)層22，以及(iii)與導(dǎo)電金屬層電連接的陽(yáng)極24。
在一個(gè)實(shí)施方案中，所述電活性有機(jī)層22吸收光。在另一實(shí)施方案中，所述電活性有機(jī)層22發(fā)出光。在第三個(gè)實(shí)施方案中，所述有機(jī)電子裝置20包括基片26。在一個(gè)實(shí)施方案中，基片26位于裝置的一端。在另一實(shí)施方案中，基片26位于所述裝置的兩端。在一個(gè)實(shí)施方案中，基片26包括陶瓷、玻璃、復(fù)合材料、塑料及其組合中的至少一個(gè)。在一個(gè)實(shí)施方案中，基片26包括聚碳酸酯、聚酯或其組合。
本發(fā)明的陽(yáng)極24包括具有高功函的材料；例如功函大于大約4.4eV，例如大約5eV至大約7eV。銦錫氧化物(ITO)通常用于該目的。ITO對(duì)光是基本透明的，允許電活性有機(jī)層22發(fā)出的光傳播通過(guò)ITO陽(yáng)極層，而不發(fā)生嚴(yán)重衰減。術(shù)語(yǔ)“基本透明”是指小于或等于10°的入射角下，允許至少50％、優(yōu)選至少80％、更優(yōu)選至少90％的位于可見(jiàn)波長(zhǎng)范圍內(nèi)的光透射通過(guò)厚度大約為0.5微米的膜。其它適合用作陽(yáng)極層的材料為錫氧化物、銦氧化物、鋅氧化物、銦鋅氧化物、鋅銦錫氧化物、銻氧化物及其混合物。陽(yáng)極層可以通過(guò)物理汽相沉積、化學(xué)汽相沉積或噴濺沉積至下方元件上。包括上述導(dǎo)電氧化物的陽(yáng)極的厚度可以為大約10nm至大約500nm，優(yōu)選大約10nm至大約200nm，較優(yōu)選大約50nm至大約200nm。薄的基本透明的金屬層也適用；例如，厚度小于大約50nm的層，優(yōu)選小于大約20nm。用作陽(yáng)極24的適用金屬為具有高功函的金屬，例如功函大于大約4.4eV，例如，銀、銅、鎢、鎳、鈷、鐵、硒、鍺、金、鉑、鋁、鉻、鈀或其混合物或其合金。在一個(gè)實(shí)施方案中，較為理想地是將陽(yáng)極沉積于基本透明的基片上，例如包括玻璃或聚合物材料的基片。
在一個(gè)實(shí)施方案中，有機(jī)電子裝置20進(jìn)一步包括位于陽(yáng)極24和電活性有機(jī)層22之間的空穴注入層28。在本發(fā)明的另一實(shí)施方案中，所述有機(jī)電子裝置20進(jìn)一步包括位于電活性有機(jī)層22和導(dǎo)電金屬層16之間的電子注入層30。
所述空穴注入層28具有傳輸空穴并且阻斷電子傳輸?shù)墓δ?，從而空穴和電子在所述電活性有機(jī)層22中最佳地結(jié)合。適用于空穴注入層的材料為三芳基二胺、四苯基二胺、芳香叔胺、腙衍生物、咔唑衍生物、三唑衍生物、咪唑衍生物、具有氨基的噁二唑衍生物、以及如美國(guó)專利6023371中所公開(kāi)的聚噻吩。在優(yōu)選實(shí)施方案中，空穴注入層28包括聚(3，4-亞乙二氧基噻吩)或PEDOT、聚(3，4-亞丙二氧基噻吩)或PProDOT及其組合中的至少一個(gè)。
電子注入層30具有增強(qiáng)電子向電活性有機(jī)層22傳輸?shù)墓δ?。適用于電子注入層的材料為金屬有機(jī)絡(luò)合物，例如三(8-羥基喹啉合)鋁、噁二唑衍生物、苝衍生物、吡啶衍生物、嘧啶衍生物、喹啉衍生物、喹喔啉衍生物、二苯醌衍生物、硝基取代的芴衍生物，如美國(guó)專利6023371中所公開(kāi)的。
本發(fā)明的電活性有機(jī)層22選自聚(n-乙烯基咔唑)(PVK)、聚芴、聚(烷基芴)、聚(對(duì)亞苯基)、聚(對(duì)亞苯基亞乙烯基)、聚硅烷、聚噻吩、聚(2，5-亞噻吩基亞乙烯基)、聚(吡啶亞乙烯基)、聚喹喔啉、聚喹啉、1，3，5-三{n-(4-二苯基氨基苯基)苯氨基}苯，苯蒽、四芳基乙烯、香豆素、紅熒烯、四苯基丁二烯、蒽、苝、暈苯及其衍生物、乙酰丙酮合鋁、乙酰丙酮合鎵、乙酰丙酮合銦、鋁-皮考基甲基酮-二{2，6-雙叔丁基苯酚鹽}、鈧-(4-甲氧基-皮考基甲基酮)-雙乙酰丙酮化物、8-羥基喹啉的有機(jī)金屬絡(luò)合物、8-羥基喹啉的有機(jī)金屬絡(luò)合物的衍生物、及其組合。
所述電活性有機(jī)層22作為空穴和電子的傳輸介質(zhì)。在該層中，被激發(fā)的物質(zhì)組合在一起，并降至較低能級(jí)，同時(shí)發(fā)出位于可見(jiàn)范圍內(nèi)的電磁輻射。選擇有機(jī)電活性材料從而在所需的波長(zhǎng)范圍內(nèi)激活。所述電活性有機(jī)層22的厚度優(yōu)選為大約100至大約300nm。所述電活性有機(jī)層22可以為聚合物、共聚物、聚合物的混合物或具有不飽和鍵的低分子量有機(jī)分子。所述材料具有離域π-電子系統(tǒng)，其使聚合物鏈或有機(jī)分子具有支承具有高遷移率的正電荷和負(fù)電荷載體的能力。適當(dāng)?shù)碾娀钚跃酆衔镉芯?n-乙烯基咔唑)(PVK，發(fā)出波長(zhǎng)大約380-500nm的紫至藍(lán)色光)及其衍生物；聚芴及其衍生物，例如聚(烷基芴)，例如聚(9，9-二己基芴)(410-550nm)，聚(二辛基芴)(EL發(fā)射峰位于波長(zhǎng)436nm處)或聚{9，9-雙(3，6-二氧庚基)-芴-2，7-二基}(400-550nm)；聚(對(duì)亞苯基)(PPP)及其衍生物，例如聚(2-癸氧基-1，4-亞苯基)(400-550)nm或聚(2，5-二庚基-1，4-亞苯基)；聚(對(duì)亞苯基亞乙烯基)(PPV)及其衍生物，例如二烷氧基取代的PPV和氰基取代的PPV；聚噻吩及其衍生物，例如聚(3-烷基噻吩)、聚(4，4’-二烷基-2，2’-雙噻吩)，聚(2，5-亞噻吩基亞乙烯基)；聚(吡啶亞乙烯基)及其衍生物；聚喹喔啉及其衍生物；聚喹啉及其衍生物?；谝环N或多種所述聚合物和其它的聚合物或共聚物的混合物可以用于調(diào)整所發(fā)出的光的顏色。
還可以形成一層以上的電活性有機(jī)層，各層之間相互疊加，每層中含有不同的電活性有機(jī)材料，其發(fā)出位于不同波長(zhǎng)范圍的光。所述組件有利于對(duì)整個(gè)電活性裝置發(fā)出的光的顏色進(jìn)行調(diào)整。
在圖6所示的有機(jī)電子裝置20的第六個(gè)方面，層14進(jìn)一步包括至少一種導(dǎo)電金屬15，其與層16中的導(dǎo)電金屬物質(zhì)相同或不同。
在圖7所示的有機(jī)電子裝置20的第七個(gè)方面，多層陰極10進(jìn)一步包括層15，層15包括堿金屬離子源、堿土金屬離子源或鑭系離子源中的至少一個(gè)以及至少一種導(dǎo)電金屬，所述導(dǎo)電金屬與層16中的導(dǎo)電金屬物質(zhì)相同或不同。
在圖8所示的本發(fā)明的第八個(gè)方面，所述有機(jī)電子裝置20包括(i)多層陰極10，包括(a)層14，該層包括堿金屬離子源、堿土金屬離子源或鑭系離子源中的至少一個(gè)，(b)包括至少一種導(dǎo)電金屬物質(zhì)的導(dǎo)電金屬層16，(c)層15，該層包括堿金屬離子源、堿土金屬離子源或鑭系離子源中的至少一個(gè)以及至少一種導(dǎo)電金屬，所述導(dǎo)電金屬與層16中的導(dǎo)電金屬物質(zhì)相同或不同；(ii)至少一個(gè)電活性有機(jī)層22；以及與導(dǎo)電金屬層16電連接的陽(yáng)極24。
以下實(shí)施例用于描述本發(fā)明的不同特征和優(yōu)勢(shì)，其并不對(duì)本發(fā)明構(gòu)成限制。
實(shí)施例1具有雙層和三層陰極的有機(jī)電子裝置的制作根據(jù)以下工序制作兩個(gè)有機(jī)發(fā)光裝置。所述裝置位于玻璃基片上，所述基片預(yù)先用銦錫氧化物(或ITO)(Applied Films)涂覆。在經(jīng)紫外線-臭氧處理過(guò)的ITO基片上通過(guò)旋涂的方法沉積大約65nm厚的聚(3，4-乙烯基二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸鹽)(PEDOT)(Bayer公司)層。所述層在空氣中在180℃下焙燒30分鐘。將涂覆有PEDOT的ITO基片轉(zhuǎn)移至氣氛受控制的手套箱內(nèi)，其中水分和氧氣的含量低于1ppm。在PEDOT層上旋涂厚度大約為70nm的發(fā)藍(lán)光的聚合物(來(lái)自加拿大魁北克American Dye Source公司的ADS329BE)層。在2 ×10-6torr的真空下熱蒸發(fā)陰極材料。在一種情況下，所述陰極組成為4nm NaF，之后為100nm Al，從而得到雙層陰極；在另一種情況下，所述陰極組成為4nm NaF，之后是比例為1∶2、厚度大約30nm的NaF和Al的混合物，然后再用100nm厚的Al層覆蓋，從而得到三層陰極。采用用環(huán)氧樹(shù)脂密封的玻璃片封裝所述裝置。用編程的Keithley 236源測(cè)量單元測(cè)量所述有機(jī)發(fā)光裝置的電流-電壓特性。用Minolta亮度測(cè)量?jī)x(LS-110型號(hào))測(cè)量亮度。與具有雙層陰極的裝置相比，具有三層陰極的裝置顯示類(lèi)似的電流-電壓特性以及效率。因此推斷出，雙層陰極所必需的嚴(yán)格厚度控制對(duì)于三層電極來(lái)說(shuō)并不是必需的。還可以推斷，對(duì)于形成雙層和三層陰極的化合物和金屬來(lái)說(shuō)，其工作機(jī)制有可能證明了，(i)金屬使化合物(位于第一層和/或混合物中)被化學(xué)還原，釋放不帶電的Na，其對(duì)有機(jī)材料進(jìn)行摻雜，以及(ii)第一化合物層還對(duì)位于下方的有機(jī)材料提供保護(hù)，減少了活性金屬例如鋁所導(dǎo)致的任何損害的可能性。
盡管本文僅僅對(duì)本發(fā)明的特定特征進(jìn)行了舉例說(shuō)明和描述，但是本領(lǐng)域技術(shù)人員可以作出多種改進(jìn)和變化。因此，應(yīng)這樣理解，所附的權(quán)利要求將覆蓋位于本發(fā)明真正精神范圍內(nèi)的所有上述改進(jìn)和變化。
權(quán)利要求
1.一種多層陰極，包括(a)導(dǎo)電層，所述導(dǎo)電層作為總線而被電連接；(b)含有堿金屬離子源、堿土金屬離子源或鑭系離子源中的至少一個(gè)的層；以及(c)含有至少一種導(dǎo)電金屬物質(zhì)的導(dǎo)電金屬層。
2.如權(quán)利要求1所述的多層陰極，其中所述堿金屬離子源、堿土金屬離子源或鑭系離子源具有下式MnXm其中M各自獨(dú)立地為堿金屬離子、堿土金屬離子或鑭系金屬離子，X各自獨(dú)立地為選自以下的陰離子氫氧化物、氧化物、硫化物、硒化物、碲化物、亞硫酸鹽、亞硫酸氫鹽、硫酸鹽、硫酸氫鹽、亞磷酸鹽、亞磷酸氫鹽、磷酸鹽、磷酸氫鹽、硝酸鹽、亞硝酸鹽、高氯酸鹽、次氯酸鹽、BF4-、PF6-、膦酸鹽、磺酸鹽、硼酸鹽、碳酸鹽、碳酸氫鹽以及有機(jī)羧酸鹽，n和m分別為1至大約20的整數(shù)。
3.如權(quán)利要求1所述的多層電極，其中所述導(dǎo)電層(a)包括銦錫氧化物、金、銀、鋁、鉑、鉻、鈀或其組合中的至少一個(gè)。
4.如權(quán)利要求1所述的多層電極，其中所述導(dǎo)電金屬層(c)包括鋁、鈣、鎂、鈀、鉑、銀、金、汞、鈷、銅、鎳、鎵、碳或其組合中的至少一個(gè)。
5.如權(quán)利要求1所述的多層電極，其中所述層(b)包括堿金屬離子源、堿土金屬離子源或鑭系離子源中的至少一個(gè)，并進(jìn)一步含有至少一種導(dǎo)電金屬，所述導(dǎo)電金屬與層(c)中的導(dǎo)電金屬物質(zhì)相同或不同。
6.一種多層陰極，包括層(b)，含有堿金屬離子源、堿土金屬離子源或鑭系離子源中的至少一個(gè)；導(dǎo)電金屬層(c)，包括至少一種導(dǎo)電金屬物質(zhì)；以及層(b’)，包括堿金屬離子源、堿土金屬離子源或鑭系離子源中的至少一個(gè)以及至少一種導(dǎo)電金屬，所述導(dǎo)電金屬與層(c)中的導(dǎo)電金屬物質(zhì)相同或不同。
7.如權(quán)利要求6所述的多層陰極，其中所述層(b)和(b’)中的堿金屬離子源、堿土金屬離子源或鑭系離子源相同或不同，并具有下式MnXm其中M各自獨(dú)立為堿金屬離子、堿土金屬離子或鑭系金屬離子，X各自獨(dú)立地為選自以下的陰離子氫氧化物、氧化物、硫化物、硒化物、碲化物、亞硫酸鹽、亞硫酸氫鹽、硫酸鹽、硫酸氫鹽、亞磷酸鹽、亞磷酸氫鹽、磷酸鹽、磷酸氫鹽、硝酸鹽、亞硝酸鹽、高氯酸鹽、次氯酸鹽、BF4-、PF6-、膦酸鹽、磺酸鹽、硼酸鹽、碳酸鹽、碳酸氫鹽以及有機(jī)羧酸鹽，n和m分別為1至大約20的整數(shù)。
8.如權(quán)利要求6所述的多層電極，其中所述導(dǎo)電金屬層(c)包括鋁、鈣、鎂、鈀、鉑、銀、金、汞、鈷、銅、鎳、鎵、碳或其組合中的至少一個(gè)。
9.一種有機(jī)電子裝置，包括(i)多層陰極；所述陰極包括(a)導(dǎo)電層，所述導(dǎo)電層作為總線而被電連接；(b)含有堿金屬離子源、堿土金屬離子源或鑭系離子源的至少一個(gè)的層；以及(c)含有至少一種導(dǎo)電金屬物質(zhì)的導(dǎo)電金屬層；(ii)至少一個(gè)電活性有機(jī)層；以及(iii)陽(yáng)極，所述陽(yáng)極與所述導(dǎo)電金屬層電連接。
10.有機(jī)電子裝置，包括(i)多層陰極；所述陰極包括(a)含有堿金屬離子源、堿土金屬離子源或鑭系離子源中的至少一個(gè)的層；(b)含有至少一種導(dǎo)電金屬物質(zhì)的導(dǎo)電金屬層；以及(c)包括堿金屬離子源、堿土金屬離子源或鑭系離子源中的至少一個(gè)以及至少一種導(dǎo)電金屬的層，所述導(dǎo)電金屬與層(c)中的導(dǎo)電金屬物質(zhì)相同或不同；(ii)至少一個(gè)電活性有機(jī)層；以及(iii)陽(yáng)極，所述陽(yáng)極與所述導(dǎo)電金屬層電連接。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種有機(jī)電子裝置，包括(i)多層陰極；所述陰極包括(a)導(dǎo)電層，所述導(dǎo)電層作為總線而被電連接；(b)含有堿金屬離子源、堿土金屬離子源或鑭系離子源中的至少一個(gè)的層；以及(c)含有至少一種導(dǎo)電金屬物質(zhì)的導(dǎo)電金屬層；(ii)至少一個(gè)電活性有機(jī)層；以及(iii)陽(yáng)極，所述陽(yáng)極與所述導(dǎo)電金屬層電連接。
文檔編號(hào)H05B33/26GK1722339SQ20051007907
公開(kāi)日2006年1月18日 申請(qǐng)日期2005年6月22日 優(yōu)先權(quán)日2004年6月22日
發(fā)明者劉杰, A·R·杜加爾, C·M·A·赫勒, L·N·路易斯 申請(qǐng)人:通用電氣公司