專利名稱：有機電致發(fā)光器件及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種有機電致發(fā)光器件及其制造方法，特別是涉及一種雙板型有機電致發(fā)光器件及其制造方法。
背景技術(shù)：
在平板顯示器件(FPD)領(lǐng)域中，液晶顯示器件(LCD)由于其重量輕和能耗低被廣泛使用。然而，LCD不是發(fā)光顯示器件而是光接收器件并且在亮度、對比度、視角和屏幕尺寸方面具有技術(shù)局限性。因此，能夠克服這些缺點的新型平板顯示器件已經(jīng)被積極開發(fā)。
一種新型平板顯示器件是有機電致發(fā)光器件。因為有機電致發(fā)光器件是自發(fā)光顯示器件，與LCD相比其具有高對比度和寬視角。而且，因為有機電致發(fā)光器件不需要背光組件，所以其重量輕并且外形薄。此外，有機電致發(fā)光器件可以減少能耗。
另外，有機電致發(fā)光器件能夠以低DC電壓驅(qū)動并且響應(yīng)速度快。因為有機電致發(fā)光器件的所有部件由固體材料形成，所以其可耐外部沖擊。其也可以在寬的溫度范圍內(nèi)使用并且能夠以低成本制造。
具體地說，通過沉積工序和封裝工序可以容易地制造有機電致發(fā)光器件。因此，機電致發(fā)光器件的制造方法和制造設(shè)備比LCD或PDP的制造方法和設(shè)備簡單。
如果以有源矩陣型驅(qū)動有機電致發(fā)光器件，即使施加低電流時也可以獲得均勻亮度。因此，有機電致發(fā)光器件具有低能耗、高清晰度和大尺寸屏幕的優(yōu)點。
圖1為現(xiàn)有技術(shù)的底部發(fā)光型有源矩陣有機電致發(fā)光器件(AMOLED)的示意截面圖。
如圖1所示，第一基板10和第二基板30彼此相對設(shè)置。通過密封圖案40封裝第一基板10和第二基板30的邊緣部分。在子像素單元中第一基板10的透明基板1上形成薄膜晶體管T，第一電極12連接到薄膜晶體管T。在薄膜晶體管T和第一電極12上形成有機電致發(fā)光層14并對應(yīng)于第一電極12排列。有機電致發(fā)光層14包括具有紅、綠和藍(lán)色的發(fā)光材料。在有機電致發(fā)光層14上形成第二電極16。
第一電極12和第一電極16用于對有機電致發(fā)光層14施加電場。
由于密封圖案40，第二電極16和第二基板30以預(yù)定距離彼此間隔。在第二基板30的內(nèi)表面進一步設(shè)置吸收劑(未示出)和半透明帶(未示出)。該吸收劑吸收外界引入的濕氣，并且半透明帶將吸收劑粘結(jié)到第二基板30上。
在底部發(fā)光型結(jié)構(gòu)中，當(dāng)?shù)谝浑姌O12和第二電極16分別用作陽極和陰極時，第一電極12由透明導(dǎo)電材料形成而第二電極16由低功數(shù)的金屬形成。在該情況下，有機電致發(fā)光層14包括在與第一電極12接觸的層上順序形成的空穴注入層14a、空穴傳輸層14b、發(fā)光層14c和電子傳輸層14d。
發(fā)光層14c在子像素中具有紅、綠和藍(lán)濾色片。
在現(xiàn)有技術(shù)有機電致發(fā)光器件中，陣列元件和有機電致發(fā)光二極管堆迭于同一基板上。
通過將其上形成有陣列元件和有機電致發(fā)光二極管的基板粘結(jié)到用于封裝的獨立基板上制造底部發(fā)光型有機電致發(fā)光器件。此時，有機電致發(fā)光器件的產(chǎn)率由陣列元件和有機電致發(fā)光二極管的產(chǎn)率的乘積決定。因此，整個工序產(chǎn)率由最后的工序決定，即，形成有機電致發(fā)光二極管的工序。例如，盡管可以形成質(zhì)量很好的陣列基板，但是如果在采用1000埃厚度的薄膜形成有機電致發(fā)光器件過程中由外部顆?；蚱渌蛩禺a(chǎn)生缺陷，那么對應(yīng)的有機電致發(fā)光器件是有缺陷的。
因此，損失了花費在制造無缺陷陣列元件的制造費用和材料成本，從而導(dǎo)致減少產(chǎn)率。
此外，底部發(fā)射型有機電致發(fā)光器件由于其封裝具有高穩(wěn)定性和高自由度，但是具有有限的孔徑比。因此，很難將底部發(fā)射型有機電致發(fā)光器件應(yīng)用在高清晰度的產(chǎn)品中。同時，對于頂部發(fā)光型有機電致發(fā)光器件，TFT的設(shè)計較容易而且孔徑比較高。然而，由于陰極設(shè)置于有機電致發(fā)光層上，因此材料的選擇受到限制。從而，透光率受到限制并且發(fā)光效率降低。

發(fā)明內(nèi)容
僅作為介紹，本發(fā)明提供一種有機電致發(fā)光器件及其制造方法，其中均勻的形成由高分子材料構(gòu)成的有機電致發(fā)光層。在有機電致發(fā)光器件中，在緩沖體形成倒錐形的第一電極分隔體，并且在包括緩沖體的臺階部分的區(qū)域進一步形成圓錐形的第二電極分隔體。
一方面，所提供的有機電致發(fā)光器件包括以預(yù)定距離彼此隔開、設(shè)置的第一基板和第二基板，第一基板和第二基板彼此相對，子像素限定在第一和第二基板中；在第一基板上形成的包括開關(guān)的陣列元件；形成于第二基板內(nèi)表面的第一電極；形成于外部區(qū)域的分割第一電極上的子像素的緩沖體；形成于緩沖體的第一電極分隔體，和形成于包括緩沖體臺階部分區(qū)域的第二電極分隔體；形成在由第二電極分隔體劃分的區(qū)域內(nèi)的有機電致發(fā)光層；以及形成于具有有機電致發(fā)光層形成的第二基板上的第二電極。
本發(fā)明的另一方面，提供了有機電致發(fā)光器件的制造方法，該制造方法包括在各子像素內(nèi)第一基板的內(nèi)表面上形成包括開關(guān)的陣列元件；在透明基板上形成第一電極；在各子像素的外部區(qū)域形成緩沖體以劃分形成于第一基板上的子像素；在緩沖體預(yù)定的部分形成第一電極分隔體，并在包括緩沖體臺階部分的區(qū)域形成第二電極分隔體；在各子像素由第二電極分隔體劃分的區(qū)域內(nèi)形成有機電致發(fā)光層；在形成有有機電致發(fā)光層的第二基板上形成第二電極；粘接第一和第二基板。
本發(fā)明的再一方面，有機電致發(fā)光器件包括基板；形成在基板內(nèi)表面的第一電極；形成在第一電極并限定子像素的緩沖體；形成于緩沖體的第一電極分隔體；形成覆蓋緩沖體每一側(cè)臺階部分的絕緣第二電極分隔體，使得在橫截面圖中相鄰的第二電極分隔體設(shè)置在第一電極分隔體的相對側(cè)；形成于有第二電極分隔體劃分的區(qū)域內(nèi)的有機電致發(fā)光層；以及在有機電致發(fā)光層形成的基板上形成的第二電極。
應(yīng)該理解，上面的概括性描述和下面的詳細(xì)描述都是示意性和解釋性的，意欲對本發(fā)明的權(quán)利要求提供進一步的解釋。


本申請所包括的附圖用于提供對本發(fā)明的進一步理解，并且包括在該申請中并且作為本申請的一部分，示出了本發(fā)明的實施方式并且連同說明書一起用于解釋本發(fā)明的原理。在附圖中圖1示出了現(xiàn)有技術(shù)有機電致發(fā)光器件的截面圖；圖2示出了雙面板型有機電致發(fā)光器件的截面圖；圖3示出了圖2的特定部分A的截面圖；圖4示出了根據(jù)本發(fā)明實施方式的雙面板型有機電致發(fā)光器件的截面圖；圖5示出了圖4的特定部分B的截面圖；圖6A和圖6B示出了圖4所示雙面板型有機電致發(fā)光器件第二基板的平面圖；以及圖7A到圖7F示出了根據(jù)本發(fā)明實施方式的有機電致發(fā)光器件制造方法的截面圖。
具體實施例方式
現(xiàn)在要詳細(xì)說明本發(fā)明的最佳實施方式，所述實施方式的實施例示于附圖中。在可能的情況下，所有附圖都用相同的附圖標(biāo)記表示相同或相似的部件。
圖2示出了雙面板型有機電致發(fā)光器件的截面圖，為了方便說明，僅說明附圖中的一個像素區(qū)。
參照圖2，第一基板110和第二基板130以預(yù)定距離彼此隔開設(shè)置。在第一基板110的透明基板100的內(nèi)表面形成陣列元件120。在第二基板130的透明基板101的內(nèi)表面形成有機電致發(fā)光二極管E。
同時，通過密封圖案140封裝第一基板110和第二基板130邊緣。
有機電致發(fā)光二極管E包括用作公共電極的第一電極132、設(shè)置于第一電極132下方子像素邊界的電極分隔體134、設(shè)置于電極分隔體134之間的有機電致發(fā)光層136、和用于各子像素構(gòu)圖的第二電極138。
緩沖體133形成于電極分隔體134上以劃分形成于各子像素內(nèi)的有機電致發(fā)光層136并防止第一電極132和第二電極138短路。
電極分隔體134分離各子像素并以倒錐形形成在緩沖體133上。
有機電致發(fā)光層136包括按順序?qū)拥牡谝惠d流子傳輸層136a、發(fā)光層136b，以及第二載流子傳輸層136c。第一載流子傳輸層136a和第二載流子傳輸層136c向發(fā)光層注入電子或空穴，或傳輸它們。
由陽極和陰極的排列確定第一載流子傳輸層136a和第二載流子傳輸層136c。例如，當(dāng)發(fā)光層136b由高分子材料化合物構(gòu)成并且第一電極132和第二電極138分別配置為陽極和陰極，與第一電極132接觸的第一載流子傳輸層136a具有空穴注入層和空穴傳輸層的層迭結(jié)構(gòu)，第二電極138接觸的第二載流子傳輸層136c具有電子注入層和電子傳輸層的層迭結(jié)構(gòu)。
而且，有機電致發(fā)光層136由高分子化合物和低分子化合物構(gòu)成，當(dāng)有機電致發(fā)光層136由低分子化合物構(gòu)成時，其采用汽相沉積工藝形成。當(dāng)有機電致發(fā)光層136由高分子化合物構(gòu)成時，其采用噴墨(inkjet)工藝形成。
陣列元件120包括薄膜晶體管T。為了向有機電致發(fā)光二極管E施加電流，柱狀導(dǎo)電襯墊料114設(shè)置在子像素單元中、第二電極138和薄膜晶體管T連接的位置處。
不同于普通的LCD襯墊料，導(dǎo)電襯墊料114電連接到兩個基板上并保持盒間隙。襯墊料114在兩基板之間具有恒定得高度。
即，導(dǎo)電襯墊料114將設(shè)置在第一基板子像素單元中的薄膜晶體管T的漏極112電連接到設(shè)置在第二基板130上的第二電極138。通過在由有機絕緣層形成的柱狀襯墊料上涂敷金屬形成導(dǎo)電襯墊料114。因為導(dǎo)電襯墊料114，第一基板110和第二基板130的像素1∶1的對應(yīng)粘結(jié)，使得電流可以從其中流過。
現(xiàn)在將詳細(xì)描述在導(dǎo)電襯墊料114和薄膜晶體管T之間的連接部分。該薄膜晶體管T對應(yīng)于連接到有機電致發(fā)光二極管E的驅(qū)動TFT。在覆蓋薄膜晶體管T的區(qū)域形成鈍化層124。該鈍化層124包括暴露部分漏極112的漏接觸孔122。導(dǎo)電襯墊料114形成在鈍化層124上并通過漏接觸孔122連接到漏極112。用于導(dǎo)電襯墊料114的金屬選自導(dǎo)電材料，優(yōu)選的為具有展延性和低電阻率的金屬。
根據(jù)本發(fā)明一個實施方式的有機電致發(fā)光器件為向第二基板130發(fā)射來自有機電致發(fā)光層136的光的頂部發(fā)光型器件。
優(yōu)選的，第一電極132由透明導(dǎo)電材料構(gòu)成，而第二電極138由不透明的金屬構(gòu)成。通過諸如惰性氣體或絕緣液體填充第一基板110和第二基板130之間的分隔后的空間I。
盡管在附圖中未示出，陣列元件120還包括掃描線、與掃描線交叉并彼此之間以預(yù)定距離隔開的信號線和電源線，設(shè)置在掃描線和信號線重疊部分的開關(guān)TFT，以及存儲電容。
在雙面板型有機電致發(fā)光器件中，在不同的基板上構(gòu)造陣列元件和有機電致發(fā)光二極管。因此，不同于陣列元件和有機電致發(fā)光器件形成于同一基板上的情況，有機電致發(fā)光二極管不會受到陣列元件產(chǎn)率的影響。因此，雙面板型有機電致發(fā)光器件在相應(yīng)的元件生產(chǎn)管理方面具有很好的特性。
如果在如上所述的條件下以頂部發(fā)光方式應(yīng)用該屏幕，可以在不考慮孔徑比的情況下設(shè)計TFT，從而增加陣列處理的效率。而且，可以生產(chǎn)出具有高孔徑比和高分辨率的產(chǎn)品。由于雙面板型有機電致發(fā)光二極管的形成，與現(xiàn)有技術(shù)的頂部發(fā)光型器件比較可以更有效的阻擋外界氣體，從而提高產(chǎn)品的穩(wěn)定性。
此外，由于TFT和有機電致發(fā)光二極管形成在不同的基板上，可以獲得關(guān)于TFT排列的充分自由度。由于有機電致發(fā)光二極管的第一電極形成在透明基板上，與現(xiàn)有技術(shù)的第一電極形成于陣列元件上的結(jié)構(gòu)比較可以提高第一電極的自由度。
在雙面板型有機電致發(fā)光器件中，噴墨工藝用于形成由高分子材料構(gòu)成的有機電致發(fā)光層136。當(dāng)有機電致發(fā)光層136由噴墨高分子材料構(gòu)成時，通過將高分子材料限定在緩沖體的發(fā)光區(qū)內(nèi)來防止墨水溢出緩沖體，并調(diào)整薄膜的外形和厚度。
然而，在如圖2所示的雙面板型有機電致發(fā)光器件中，由于形成在緩沖體133上的電極分隔體134以倒錐形形成，其側(cè)面不是疏水的。即，用于有機電致發(fā)光層136的墨水被吸向電極分隔體的側(cè)而因此其流入電極分隔體。從而，由于在子像素之間溢出導(dǎo)致發(fā)光不均勻，通過連接第二電極導(dǎo)致變黑，并且很難調(diào)整有機電致發(fā)光層的厚度。這些導(dǎo)致有機電致發(fā)光器件的圖像質(zhì)量降低。
圖3示出了圖2的特定部分A的截面圖。
參照圖3，在雙面板型有機電致發(fā)光器件中，形成于第二基板130的第一電極132上的緩沖體133用來劃分各子像素的發(fā)光區(qū)并且在緩沖體133之間形成有機電致發(fā)光層136。
在緩沖體133上形成倒錐形電極分隔體134。該電極分隔體134用來分隔鄰近的子像素。由于形成于有機電致發(fā)光層136的第二電極138沒有與各子像素連接，因此通過導(dǎo)電襯墊料(未示出)向該第二電極138單獨施加來自對應(yīng)于各子像素的第一基板110的TFT的像素電壓。
圖4示出了根據(jù)本發(fā)明實施方式的雙面板型有機電致發(fā)光器件的截面圖，并且圖5示出了圖4的特定部分B的截面圖。
在圖4和圖5中，與圖2同樣的附圖標(biāo)記用來指出同樣的元件。這里省略那些元件的詳細(xì)描述。
在該實施方式中，通過在包括緩沖體臺階部分以及第二基板緩沖體上的倒錐形第一分隔體的區(qū)域提供圓錐形第二電極來均勻地形成高分子材料的有機電致發(fā)光層。即，形成井形的第二電極分隔體，其中有機電致發(fā)光層形成的區(qū)域為由第二電極分隔體圍繞的區(qū)域。
參照圖4和圖5，在第二基板530的透明基板101上整體地形成有機電致發(fā)光二極管的第一電極132，在第一電極132預(yù)定的部分形成緩沖體533，即，在子像素外側(cè)劃分各子像素。在緩沖體533預(yù)定的部分上形成第一電極分隔體534，并且在包括緩沖體533臺階部分的區(qū)域上形成第二電極分隔體535。如圖所示，通過第二電極分隔體535而不是通過緩沖體533來劃分有機電致發(fā)光層的區(qū)域。
而且，第一電極分隔體534和第二電極分隔體535將第二電極138分為用于各子像素的多個電極。這里，以倒錐形形成第一電極分隔體534，而以圓錐形形成第二電極分隔體535。
如上所述，在雙面板型有機電致發(fā)光器件中，噴墨工序用于形成高分子材料的有機電致發(fā)光層136。當(dāng)有機電致發(fā)光層136由噴墨高分子材料構(gòu)成時，通過將高分子材料限定在緩沖體的發(fā)光區(qū)內(nèi)防止墨水溢出緩沖體，并調(diào)整薄膜的外形和厚度。因此，提供疏水處理來容納特定區(qū)域的墨水。
然而，第一電極分隔體134側(cè)面的倒錐形不抑制墨水的運動。實際上，墨水被吸向電極分隔體的側(cè)面，從而流入電極分隔體。為了防止這種情況，在包括緩沖體533的臺階部分的區(qū)域形成圓錐形的第二電極分隔體535，從而提供疏水側(cè)面。因此，防止墨水流入第一電極分隔體534的側(cè)面或緩沖體533的臺階部分。即，第二電極分隔體535屏蔽了由倒錐形第一電極分隔體534和緩沖體533的臺階部分導(dǎo)致的墨水吸力的影響。
從而，通過在包括緩沖體臺階部分的區(qū)域形成第二電極分隔體535，在像素之間墨水的溢流，由與第二電極連接導(dǎo)致的黑化，和難于調(diào)節(jié)有機電致發(fā)光層厚度得到避免。因此，可以提高有機電致發(fā)光器件的圖像質(zhì)量。
而且，有機電致發(fā)光層136形成在各子像素中由第二電極分隔體535劃分的區(qū)域，并且在包括有機電致發(fā)光層136的第二基板上形成第二電極138。
這里，有機電致發(fā)光層136由高分子材料構(gòu)成，并且通過第一電極分隔體534和第二電極分隔體535在各子像素中劃分第二電極。因此，第二電極分隔體535用作像素電極。
而且，由于導(dǎo)電襯墊料114由金屬材料構(gòu)成，其電連接到第二電極138。
此外，形成于第一基板110上的陣列元件120包括驅(qū)動薄膜晶體管T。為了向形成在第二基板530上的有機電致發(fā)光二極管E施加電流，陣列元件120通過導(dǎo)電襯墊料114連接到設(shè)置在各子像素的驅(qū)動薄膜晶體管的漏極112。
圖6A和圖6B示出了圖4所示雙面板型有機電致發(fā)光器件第二基板的平面圖。在圖6A和圖6B中，為了簡明僅說明了一個像素區(qū)域(即，三個子像素)。
圖6A和圖6B中的說明僅是本發(fā)明的示例性實施方式并且對本發(fā)明可以實施多種類型的結(jié)構(gòu)。
參照圖6A，通過緩沖體533和第一電極分隔體534和第二電極分隔體535劃分各子像素區(qū)并使其彼此分離。具體地，在包括緩沖體533臺階部分的區(qū)域形成第二電極分隔體535。即，形成井形的第二電極分隔體535，其中由第二電極分隔體圍繞形成有機電致發(fā)光層的區(qū)域。
因此，如圖6A所示，通過第二電極分隔體535限定各子像素的發(fā)光區(qū)800并且有機電致發(fā)光層136形成在發(fā)光區(qū)內(nèi)。
這里，當(dāng)有機電致發(fā)光層136由高分子材料構(gòu)成時，與設(shè)置在第一基板的各子像素內(nèi)的導(dǎo)電襯墊料接觸的區(qū)域810形成在第二基板的發(fā)光區(qū)外使得不用通過阻止高分子墨水的流動來獲得均勻膜。
參照圖6B，各子像素包括與各子像素對應(yīng)形成的多邊形緩沖體533；形成在緩沖體的外部區(qū)域以劃分子像素的第一電極分隔體534；形成在包括緩沖體533臺階部分區(qū)域的第二電極分隔體535；緩沖體內(nèi)側(cè)(即，設(shè)置于由第二電極分隔體535劃分區(qū)域的拐角)為圓形的發(fā)光區(qū)800；導(dǎo)電襯墊料的接觸部分810，設(shè)置在多邊形緩沖體域一側(cè)凸出的區(qū)域。
各子像素外觀以多邊形結(jié)構(gòu)形成，在子像素中發(fā)光區(qū)800的拐角為圓形。在子像素拐角的一側(cè)形成連接到第一基板陣列元件的導(dǎo)電襯墊料的接觸部分。
在圖6A和6B的實施方式中，為了不將接觸部分810定位于發(fā)光區(qū)800內(nèi)，第一和第二基板粘結(jié)使得他們以預(yù)定的距離不對準(zhǔn)。
圖7A到圖7F示出了根據(jù)本發(fā)明實施方式的有機電致發(fā)光器件制造方法的截面圖，其與圖4的截面圖相關(guān)聯(lián)。
參照圖7A，在第一基板上形成陣列元件。
例如，當(dāng)用于陣列元件120的TFT為多晶硅TFT時，形成陣列元件120的方法包括在透明基板100上形成半導(dǎo)體層和電容電極；在半導(dǎo)體層上形成柵極、源極和漏極；在電容電極上形成電源電極，該電源電極連接到源極。
而且，在覆蓋薄膜晶體管T的區(qū)域上形成鈍化層124。該鈍化層124具有暴露部分漏極112的漏接觸孔122。漏極112通過漏接觸孔122暴露。
漏極與形成在第二基板上的導(dǎo)電襯墊料接觸。從而，其電連接第一基板和第二基板。連接到漏極112的電連接圖案可以形成為與導(dǎo)電襯墊料114的接觸。優(yōu)選的，在陣列元件形成于第一基板以后，在第一基板上形成導(dǎo)電襯墊料114。
參照圖7B，在第二基板的透明基板101上形成有機電致發(fā)光二極管的第一電極132。優(yōu)選的，第一電極132由諸如氧化銦錫(ITO)的透明導(dǎo)電材料形成。
參照圖7C，用于劃分子像素的緩沖體533形成在第一電極預(yù)定的區(qū)域，即，子像素的外部區(qū)域。第一電極分隔體534形成在具有緩沖體533形成的預(yù)定區(qū)域，并且第二電極分隔體535形成在包括緩沖體的臺階部分的區(qū)域。即，形成井形的第二電極分隔體535，有機電致發(fā)光層形成的區(qū)域被環(huán)繞。因此，各子像素的發(fā)光區(qū)同第二電極分隔體535限定。
而且，第一電極分隔體534和第二電極分隔體535根據(jù)各子像素分離第二電極。這里，第一電極分隔體534以倒錐形形狀形成而第二電極分隔體535以圓錐形形狀形成。
通過在包括緩沖體533的臺階部分的區(qū)域形成圓錐形的第二電極分隔體535，可以形成疏水的第二電極分隔體535。因此，可以解決墨水流入第一電極分隔體534側(cè)面或緩沖體535的臺階部分的問題。即，第二電極分隔體535屏蔽了由倒錐形第一電極分隔體534和緩沖體533的臺階部分導(dǎo)致的墨水吸力的影響。
參照圖7D，在由第二電極分隔體535限定的區(qū)域內(nèi)形成有機電致發(fā)光層136。
有機電致發(fā)光層136由高分子材料構(gòu)成。當(dāng)?shù)谝浑姌O和第二電極分別為陽極和陰極，有機電致發(fā)光層136包括按順序?qū)拥目昭▊鬏攲?36a、發(fā)光層136b，以及電子傳輸層136c?？昭▊鬏攲?36a和電子傳輸層136c向發(fā)光層136b注入電子和空穴，并傳輸電子或空穴。有機電致發(fā)光層136也可以由低分子材料構(gòu)成。
與第一電極接觸的空穴傳輸層136a具有空穴注入層和空穴傳輸層的層迭結(jié)構(gòu)，與第二電極接觸的電子傳輸層136c具有電子注入層和電子傳輸層的層迭結(jié)構(gòu)。
參照圖7E，在有機電致發(fā)光層136形成在由第二電極分隔體535限定的發(fā)光區(qū)內(nèi)以后，有機電致發(fā)光二極管的第二電極138形成在有機電致發(fā)光層136上。
由于通過在各子像素中通過第一電極分隔體534和第二電極分隔體535劃分第二電極138，其用作像素電極。由于導(dǎo)電襯墊料114由金屬材料構(gòu)成，其電連接到第二電極138。優(yōu)選的，第二電極138由具有低功函數(shù)的金屬構(gòu)成(例如，鋁)。
參照7F，如果第一基板110和第二基板530彼此粘結(jié)并封裝，第一基板110和第二基板530彼此電連接。從而，形成在第二基板530上的有機電致發(fā)光二極管的第二電極138電連接到形成在第一基板110上的驅(qū)動TFT的漏極112。
根據(jù)本發(fā)明，可以提高生產(chǎn)率和生產(chǎn)管理效率。由于形成頂部發(fā)光型有機電致發(fā)光器件，TFT的設(shè)計變得容易并且可以提供高孔徑比和高分辨率。而且，由于用于有機電致發(fā)光二極管的電極形成在基板上，可以應(yīng)用各種材料。此外，由于頂部發(fā)光型有機電致發(fā)光器件形成為具有封裝結(jié)構(gòu)，因此可以提供可靠的產(chǎn)品。
而且，可以通過在包括緩沖體的臺階部分的區(qū)域進一步形成圓錐形的電極分隔體均勻的形成包括高分子材料的有機電致發(fā)光層。通過在噴墨工序中消除緩沖體的臺階部分來降低高分子墨水的吸力影響，從而擴展了噴射方向容限。
可以清楚地理解，對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，本發(fā)明具有各種變型和改進。因而，本發(fā)明意欲覆蓋所有落入所附權(quán)利要求以及等效物所限定的范圍內(nèi)的變型和改進。
權(quán)利要求
1.一種有機電致發(fā)光器件，包括彼此相對的第一基板和第二基板，其中子像素限定在第一和第二基板中；在第一基板上形成的包括開關(guān)的陣列元件；形成于第二基板內(nèi)表面的第一電極；形成于第一電極上并且位于外部區(qū)域的分割子像素的緩沖體；形成于緩沖體的第一電極分隔體，和形成于包括緩沖體臺階部分區(qū)域的第二電極分隔體；形成在由第二電極分隔體劃分的區(qū)域內(nèi)的有機電致發(fā)光層；以及形成于具有有機電致發(fā)光層形成的第二基板上的第二電極。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，進一步包括用于電連接到形成于第一基板上的開關(guān)和形成于第二基板上的第二電極的導(dǎo)電襯墊料，在各子像素中開關(guān)和第二電極彼此對應(yīng)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述第一電極分隔體以倒錐形形成。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述第二電極分隔體以圓錐形形成。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述第二電極分隔體以井形形成，其中形成的區(qū)域由第二電極分隔體圍繞。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述有機電致發(fā)光層由低分子材料或高分子材料形成。
7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，由第二電極分隔體限定各子像素的發(fā)光層并且所述導(dǎo)電襯墊料在發(fā)光層外部區(qū)域與第二電極接觸。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述緩沖體具有多邊形。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述發(fā)光層為卵形。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述導(dǎo)電襯墊料在多邊形的拐角處與第二電極接觸。
11.據(jù)權(quán)利要求7所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述緩沖體具有矩形形狀。
12.據(jù)權(quán)利要求11所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述發(fā)光區(qū)基本上為矩形形狀。
13.一種有機電致發(fā)光器件的制造方法，該制造方法包括在第一基板的內(nèi)表面上形成包括開關(guān)的陣列元件；在透明基板上形成第一電極；在各子像素的外部區(qū)域形成緩沖體以劃分子像素，所述緩沖體形成于第一電極上；在緩沖體預(yù)定的部分形成第一電極分隔體，并在包括緩沖體臺階部分的區(qū)域形成第二電極分隔體；在由第二電極分隔體劃分的區(qū)域內(nèi)形成有機電致發(fā)光層；在形成有有機電致發(fā)光層的第二基板上形成第二電極；以及粘結(jié)第一基板和第二基板。
14.據(jù)權(quán)利要求13所述的制造方法，其特征在于，進一步包括形成用于電連接到形成于第一基板上的開關(guān)和形成于第二基板上的第二電極的導(dǎo)電襯墊料，在各子像素中開關(guān)和第二電極彼此對應(yīng)。
15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的制造方法，其特征在于，所述第一電極分隔體以倒錐形形成。
16.根據(jù)權(quán)利要求13所述的制造方法，其特征在于，所述第二電極分隔體以圓錐形形成。
17.根據(jù)權(quán)利要求13所述的制造方法，其特征在于，所述第二電極分隔體以井型形成，其中形成的區(qū)域由第二電極分隔體圍繞。
18.根據(jù)權(quán)利要求13所述的制造方法，其特征在于，所述有機電致發(fā)光層由高分子材料形成。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的制造方法，其特征在于，采用噴墨方法形成所述的高分子材料。
20.一種有機電致發(fā)光器件，包括基板；形成在基板內(nèi)表面的第一電極；形成在第一電極上并限定子像素的緩沖體；形成于緩沖體上的第一電極分隔體；形成覆蓋緩沖體每一側(cè)臺階部分的絕緣的第二電極分隔體，使得在橫截面圖中相鄰的第二電極分隔體設(shè)置在第一電極分隔體的相對側(cè)；形成于由第二電極分隔體劃分的區(qū)域內(nèi)的有機電致發(fā)光層；以及在有機電致發(fā)光層形成的基板上形成的第二電極。
21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述有機電致發(fā)光層僅形成在通過第二電極分隔體劃分的區(qū)域內(nèi)。
22.根據(jù)權(quán)利要求20所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述第二電極分隔體僅形成在有機電致發(fā)光層形成的區(qū)域。
23.根據(jù)權(quán)利要求20所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述第一電極分隔體以倒錐形形成。
24.根據(jù)權(quán)利要求20所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述第二電極分隔體以圓錐形形成。
25.根據(jù)權(quán)利要求20所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述第二電極分隔體具有特定的形狀并完全從基板延伸出來使得形成有機電致發(fā)光層的高分子材料不會溢出到第二電極分隔體側(cè)面之間的區(qū)域。
26.根據(jù)權(quán)利要求20所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述第二電極分隔體從基板至少延伸到第一電極分隔體。
27.根據(jù)權(quán)利要求20所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述第一電極分隔體和第二電極分隔體具有不同的形狀。
28.根據(jù)權(quán)利要求20所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述緩沖體具有其上設(shè)置有第一電極分隔體的平面區(qū)域，并且第二電極分隔體覆蓋緩沖體平面區(qū)域的末端部分。
29.根據(jù)權(quán)利要求20所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述緩沖體具有多邊形。
30.根據(jù)權(quán)利要求29所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述由第二基板限定的子像素的發(fā)光區(qū)基本上為卵形。
31.根據(jù)權(quán)利要求20所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述緩沖體具有矩形形狀。
32.根據(jù)權(quán)利要求31所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述由第二基板限定的子像素的發(fā)光區(qū)主要具有矩形形狀。
33.根據(jù)權(quán)利要求20所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述由第二基板限定的子像素的發(fā)光區(qū)和緩沖體具有同樣的形狀。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種有機電致發(fā)光器件，其中防止用于形成有機電致發(fā)光層的墨水溢出像素區(qū)邊緣。該有機電致發(fā)光器件包括第一基板和第二基板，以及位于第一和第二基板中的子像素。陣列元件包括在各子像素中形成于第一基板上的薄膜晶體管。第一電極形成在第二基板的內(nèi)表面。緩沖體形成在外部區(qū)域以劃分形成于第一電極的子像素。第一電極分隔體形成于緩沖體而第二電極分隔體形成于包括緩沖體的臺階部分的區(qū)域。有機電致發(fā)光層形成于由第二電極分隔體劃分的區(qū)域內(nèi)。第二電極形成于具有有機電致發(fā)光層形成的第二基板上。
文檔編號H05B33/26GK1805635SQ20051008018
公開日2006年7月19日 申請日期2005年6月30日 優(yōu)先權(quán)日2004年8月26日
發(fā)明者裵晟埈, 李在允, 金京滿, 李晙碩 申請人:Lg.菲利浦Lcd株式會社