專利名稱：球柵陣列封裝體及其承載器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種集成電路的封裝結(jié)構(gòu)，特別是涉及一種球柵陣列封裝體及其承載器。
背景技術(shù)：
請參閱圖1所示，公知的球柵陣列封裝體1包含一承載器11、一晶片12以及一封裝層14。圖中所示的承載器11為一線路基板，具有一主體111與多個接合墊112，主體111具有一第一表面111a與一第二表面111b，多個接合墊112呈陣列設(shè)置于主體111的第二表面111b上。晶片12被設(shè)置于主體111的第一表面111a，且晶片12通過多個導(dǎo)線13與承載器11電連接。封裝層14包覆及保護晶片12與導(dǎo)線13，并且避免導(dǎo)線13間產(chǎn)生短路的情況。另外，各接合墊112分別與一焊球113連接，使得晶片12經(jīng)由承載器11的內(nèi)部線路與外部電路作電連接。
請參閱圖2所示，主體111的長寬尺寸約為37.5mm×37.5mm，而各接合墊112的間距約為1.00mm，由此推知，接合墊112總數(shù)約為1296個。
然而，隨著科技的進步，電子產(chǎn)品有著趨向速度快、功能多以及輕薄短小的需求，因此，電子產(chǎn)品的元件密度不斷地增加，相對地接合墊112數(shù)量便有不敷使用的疑慮。
目前解決接合墊112數(shù)量不足的方法之一，是增加主體111的長寬尺寸，使得其可容納的接合墊112數(shù)量增加，但是主體111的長寬尺寸加大，制造成本也相對提高，且違背電子產(chǎn)品朝向微小化的設(shè)計。
再者，若將部分原本用以接地(ground)或電源(power)的接點轉(zhuǎn)為信號接點，則必須重新配置晶片12、承載器11以及接合墊112間的導(dǎo)線13電連接結(jié)構(gòu)，而且重行布線通常會伴隨產(chǎn)生線路長度(circuitlength)的增加或是寄生電感較高等問題，更增添制作與可靠度的問題。
由此可見，若能在不改變現(xiàn)有工藝的方式，找出一種可增加接合墊數(shù)量的球柵陣列封裝體及其承載器，以符合現(xiàn)今電子產(chǎn)品的需要，實乃當(dāng)務(wù)之急。

發(fā)明內(nèi)容
鑒于上述課題，本發(fā)明的目的是提供一種球柵陣列封裝體及其承載器，在現(xiàn)有工藝涵蓋范圍，使其具有較多接合墊數(shù)量。
因此，為達上述目的，依據(jù)本發(fā)明的一種球柵陣列承載器，包含一主體與多個接合墊；主體具有一表面；接合墊被設(shè)置于主體的表面，且接合墊的間距介于0.90mm至0.95mm之間。較佳間距約為0.92mm。
主體具有一核心區(qū)與一外環(huán)區(qū)，核心區(qū)位于主體的中央，外環(huán)區(qū)鄰接并環(huán)設(shè)于核心區(qū)的外圍；接合墊具有多個核心接合墊與多個外環(huán)接合墊，核心接合墊設(shè)置于核心區(qū)，外環(huán)接合墊設(shè)置于外環(huán)區(qū)，外環(huán)接合墊的間距介于0.90mm至0.95mm之間。
為達上述目的，依據(jù)本發(fā)明的一種球柵陣列封裝體，包含一承載器與一晶片；承載器包含一主體與多個接合墊，主體具有一第一表面與一相對于第一表面的第二表面，接合墊被設(shè)置于主體的第二表面，且接合墊的間距介于0.90mm至0.95mm之間；晶片被設(shè)置于主體的第一表面。
承上所述，依據(jù)本發(fā)明的球柵陣列封裝體及其承載器，由于接合墊的間距縮小，在不增加長寬尺寸的前提下，便能具有更多數(shù)量的接合墊，以符合電子產(chǎn)品的要求。與現(xiàn)有結(jié)構(gòu)相比較而言，本發(fā)明的球柵陣列封裝體及其承載器，由于接合墊數(shù)量增加，便不需要犧牲用以接地或是電源的接合墊，確實省去重新配置的麻煩，此外，本發(fā)明雖然改變接合墊的間距，但是依然沿用現(xiàn)有封裝工藝，適合于產(chǎn)業(yè)上的利用。


圖1顯示一公知球柵陣列封裝體的側(cè)視圖；圖2顯示一公知球柵陣列封裝體的底視圖；圖3顯示一依據(jù)本發(fā)明球柵陣列封裝體的側(cè)視圖；
圖4顯示一依據(jù)本發(fā)明球柵陣列封裝體的底視圖；以及圖5顯示另一依據(jù)本發(fā)明球柵陣列封裝體的底視圖。
元件符號說明1球柵陣列封裝體11承載器111主體111a 第一表面111b 第二表面112接合墊113焊球12晶片13導(dǎo)線14封裝層2球柵陣列封裝體21承載器211主體211a 第一表面211b 第二表面212接合墊22晶片23導(dǎo)線24焊球25封裝層3球柵陣列封裝體30承載器31主體311表面312核心區(qū)313外環(huán)區(qū)32接合墊
32a 核心接合墊32b 外環(huán)接合墊具體實施方式
以下將參照相關(guān)附圖，說明依本發(fā)明較佳實施例的球柵陣列封裝體及其承載器，其中相同的元件將以相同的參照符號加以說明。
請參閱圖3及圖4所示，本發(fā)明的一種球柵陣列封裝體2包含一承載器21與一晶片22。
本實施例中，承載器21可以是增層結(jié)構(gòu)(Build-up Structure)基板、壓合結(jié)構(gòu)(Laminated Structure)基板或是其他具有內(nèi)部線路的基板，承載器21具有一主體211與多個接合墊212。主體211具有一第一表面211a與一相對于第一表面211a的第二表面211b，且主體211的長寬尺寸為37.5mm×37.5mm。
多個接合墊212設(shè)置于主體211的第二表面211b，各接合墊212的間距介于0.90mm至0.95mm，而最佳距離例如約為0.92mm。
晶片22被設(shè)于主體211的第一表面211a，例如晶片22可粘設(shè)或覆晶接合于主體21的第一表面211a，晶片22與主體211之間設(shè)有多個導(dǎo)線23，各導(dǎo)線23使晶片22與主體211電連接，另外，各接合墊212分別設(shè)有一焊球24，藉此，晶片22可與外部電路電連接。
本發(fā)明球柵陣列封裝體2更包含有一封裝層25，其包覆與保護晶片22與導(dǎo)線23而設(shè)置于主體211的第一表面211a，避免導(dǎo)線23間產(chǎn)生短路或電磁干擾的功效。
當(dāng)然，承載器21與晶片22尚有許多不同結(jié)構(gòu)與連接關(guān)系的設(shè)計變化，而且，封裝層25封裝晶片的結(jié)構(gòu)技術(shù)尚有許多不同態(tài)樣的變化，此并非本發(fā)明的技術(shù)重點，在此不加以贅述。
經(jīng)由上述結(jié)構(gòu)，本發(fā)明將現(xiàn)有結(jié)構(gòu)中的接合墊212間距約為0.92mm，使得承載器21具有大約1521個接合墊212，與現(xiàn)有結(jié)構(gòu)相比較而言，在相同尺寸限制的主體211下，確實增加了接合墊212的數(shù)量，足以因應(yīng)電子產(chǎn)品的需求，本發(fā)明將接合墊212間距由原先1.0mm微調(diào)為0.92mm左右，依然可沿用現(xiàn)有的封裝工藝，而無需重新配置承載器21與晶片22間的電連接結(jié)構(gòu)，確實可節(jié)省重新配置的成本。
除了上述結(jié)構(gòu)之外，接合墊也可采取其他排列方式設(shè)置。
請參閱圖5所示，本發(fā)明的另一種球柵陣列封裝體3，具有一承載器30與一晶片(圖中未顯示)，其結(jié)構(gòu)與前述實施例大致相同，主要不同之處在于承載器30的一主體31具有一表面311，而表面311可分為一核心區(qū)312與一外環(huán)區(qū)313，核心區(qū)312位于主體31中央，而外環(huán)區(qū)313鄰接且環(huán)設(shè)核心區(qū)312外圍。
多個接合墊32可分為核心接合墊32a與外環(huán)接合墊32b，核心接合墊32a以陣列設(shè)置于主體31的核心區(qū)312，而外環(huán)接合墊32b以陣列設(shè)置于主體31的外環(huán)區(qū)313，且各核心接合墊32a的間距為1.00mm，各外環(huán)接合墊32b的間距介于0.90mm至0.95mm之間，而各外環(huán)接合墊32b的最佳距離約為0.92mm。
若主體31長寬尺寸為37.5mm×37.5mm，而其外環(huán)區(qū)313設(shè)計為可設(shè)置8排至10排的外環(huán)接合墊32b，如此一來，主體31可容納的接合墊32數(shù)介于1296個至1521個之間，由此可見，與現(xiàn)有結(jié)構(gòu)僅能容納1296個接合墊相比較而言，本發(fā)明的結(jié)構(gòu)設(shè)計，確實能相同長寬尺寸的主體31下，容納更多數(shù)量的接合墊32。
本發(fā)明還提供一種球柵陣列封裝承載器21，其包含一主體211與多個接合墊212，由于其結(jié)構(gòu)與前述實施例相同，在此給予相同標(biāo)號，且容不贅述。
綜上所述，因依據(jù)本發(fā)明的球柵陣列封裝體及其承載器，由于各接合墊的間距縮小，在不增加長寬尺寸的前提下，便能具有更多數(shù)量的接合墊，以符合電子產(chǎn)品的要求。與現(xiàn)有結(jié)構(gòu)相比較而言，本發(fā)明的球柵陣列封裝體及其承載器，由于接合墊數(shù)量增加，便不需要犧牲用以接地或是電源的接合墊，確實省去重新配置的麻煩，此外，本發(fā)明雖然改變接合墊的間距，但是依然沿用現(xiàn)有封裝工藝，適合于產(chǎn)業(yè)上的利用。
以上所述僅為舉例性的，而非限制性的。任何未脫離本發(fā)明的精神與范疇，而對其進行的等效修改或變更，均應(yīng)包含于所附的權(quán)利要求中。
權(quán)利要求
1.一種球柵陣列封裝承載器，包含一主體，其具有一表面；以及多個接合墊，其被設(shè)置于該基板的該表面，且該接合墊的間距介于0.90mm至0.95mm之間。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的球柵陣列封裝承載器，其中該接合墊的間距約為0.92mm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的球柵陣列封裝承載器，其為一增層結(jié)構(gòu)基板或壓合結(jié)構(gòu)基板。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的球柵陣列封裝承載器，其中該接合墊具有多個核心接合墊與多個外環(huán)接合墊，該外環(huán)接合墊設(shè)置于該核心接合墊的外環(huán)。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的球柵陣列封裝承載器，其中該外環(huán)接合墊的間距介于0.90mm至0.95mm之間。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的球柵陣列封裝承載器，其中該主體具有一核心區(qū)與一外環(huán)區(qū)，該核心區(qū)位于該主體的中央，該外環(huán)區(qū)鄰接并環(huán)設(shè)于該核心區(qū)的外圍。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的球柵陣列封裝承載器，其中該核心接合墊設(shè)置于該核心區(qū)，該外環(huán)接合墊設(shè)置于該外環(huán)區(qū)。
8.一種球柵陣列封裝體，包含一承載器具有一主體與多個接合墊；該主體具有一第一表面與一相對于該第一表面的第二表面；該接合墊被設(shè)置于該主體的該第二表面，且該接合墊的間距介于0.90mm至0.95mm之間；以及至少一晶片，其被設(shè)置于該主體的該第一表面。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的球柵陣列封裝體，其中該接合墊的間距約為0.92mm。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的球柵陣列封裝體，更包含一封裝層，其封裝該晶片與該基板的該第一表面。
11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的球柵陣列封裝體，其中該承載器為一增層結(jié)構(gòu)基板或壓合結(jié)構(gòu)基板。
全文摘要
一種球柵陣列封裝承載器，包含一主體與多個接合墊；主體具有一表面；接合墊被設(shè)置于主體的表面，且接合墊的間距介于0.90mm至0.95mm之間。本發(fā)明還公開一種球柵陣列封裝體。
文檔編號H05K1/11GK1711009SQ20051008718
公開日2005年12月21日 申請日期2005年7月27日 優(yōu)先權(quán)日2005年7月27日
發(fā)明者陳詠涵, 張乃舜 申請人:威盛電子股份有限公司