專(zhuān)利名稱(chēng)：通過(guò)利用鏡子形成的靶濺射設(shè)備制造有機(jī)發(fā)光器件的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種通過(guò)利用對(duì)面靶(facing target)濺射設(shè)備制造有機(jī)發(fā)光器件的方法，更特別地，涉及一種通過(guò)利用能在有機(jī)薄膜上形成電極或金屬膜的對(duì)面靶濺射設(shè)備制造有機(jī)發(fā)光(organic light emitting)器件的方法。
背景技術(shù)：
通常，有機(jī)發(fā)光器件具有優(yōu)越的特性，例如自發(fā)射、寬視角，以及高反應(yīng)率(response rate)。諸如有機(jī)發(fā)光二極管的有機(jī)發(fā)光器件包括形成在玻璃基板上的第一電極(陽(yáng)極)和第二電極(陰極)以及空穴傳輸層(HTL)、光發(fā)射層，電子傳輸層(ETL)等。
當(dāng)少量電壓施加到陽(yáng)極和陰極之間時(shí)，分別地從陽(yáng)極和陰極產(chǎn)生空穴和電子。空穴和電子通過(guò)各自的空穴和電子傳輸層傳輸并在光發(fā)射層中結(jié)合。結(jié)果，在光發(fā)射層中產(chǎn)生高能量的激發(fā)子。當(dāng)激發(fā)子從激發(fā)態(tài)躍遷到基態(tài)時(shí)，發(fā)射具有相當(dāng)于激發(fā)態(tài)和基態(tài)之間能量差的能量的光。該光被用來(lái)顯示圖像。
有機(jī)發(fā)光器件分為底部發(fā)射型(bottom emitting type)有機(jī)發(fā)光器件和頂部發(fā)射型(top emitting type)有機(jī)發(fā)光器件。在底部發(fā)射型有機(jī)發(fā)光器件中，光穿過(guò)由透明的材料例如氧化銦錫(ITO)制成的透明陽(yáng)極并從基板射出。陰極由金屬例如鋁制成。另一方面，在頂部發(fā)射型有機(jī)發(fā)光器件中，光穿過(guò)透明或半透明的陰極并從保護(hù)膜射出。
通常，通過(guò)利用DC/RF(直流/射頻)濺射工藝在有機(jī)薄膜上形成電極。
在利用常規(guī)的DC/RF濺射工藝的情況下，高能粒子例如Ar離子與靶碰撞從而形成產(chǎn)生等離子體。高能粒子包括中性的Ar、負(fù)離子、正離子、以及熱電子。當(dāng)高能粒子沉積在有機(jī)薄膜上時(shí)，有機(jī)薄膜的溫度增加，使得有機(jī)薄膜的性質(zhì)可能改變。結(jié)果，流過(guò)兩個(gè)電極之間的有機(jī)薄膜的漏電流增加。此外，在利用常規(guī)的DC/RF濺射工藝的情況下，高能粒子碰撞基板，因而發(fā)生影響有機(jī)發(fā)光器件的特性的現(xiàn)象。該現(xiàn)象包括在基板的表面上的再濺射(re-sputtering)、界面反應(yīng)(interfacial reaction)、二次粒子產(chǎn)生等等。
另一方面，在底部和頂部發(fā)射型任一種中，當(dāng)透明電極的溫度為大約300℃或更高時(shí)，透明電極將晶化。為了維持透明電極的特殊特性，優(yōu)選地透明電極具有非晶特性。然而，在利用常規(guī)的DC/RF濺射工藝的情況下，由于離子粒子具有高能量，薄膜溫度增加超過(guò)300℃。結(jié)果，發(fā)生透明電極的晶化。為了防止透明電極的晶化，需要減小工藝速率或降低離子粒子的能量。然而，在利用常規(guī)的DC/RF濺射工藝的情況下，難于減小工藝速率或降低離子粒子的能量。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種通過(guò)利用能在有機(jī)薄膜上形成電極或金屬膜的對(duì)面靶濺射設(shè)備制造有機(jī)發(fā)光器件的方法。
本發(fā)明還提供一種制造有機(jī)發(fā)光器件的方法，其能防止由于等離子體的產(chǎn)生而使有機(jī)薄膜劣化，防止漏電流流過(guò)有機(jī)薄膜，以及防止有機(jī)光發(fā)射層的光發(fā)射效率的劣化。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供一種制造有機(jī)發(fā)光器件的方法，包括步驟在基板上形成第一電極；在第一電極上形成有機(jī)薄膜；以及通過(guò)利用對(duì)面靶濺射設(shè)備在有機(jī)薄膜上形成第二電極。
在本發(fā)明的該方面中，第一電極可以通過(guò)利用對(duì)面靶濺射設(shè)備形成。此外，第一電極可以由非晶材料制成。此外，第一電極可以由從包括Al、Ag、Mg、Ca、Cu、Au、Pt、ITO、IZO、AZO、GZO、GTO和ATO的組中選擇的一種制成。
此外，第二電極可以由非晶材料制成。此外，第二電極可以選自由Al、Ag、Mg、Ca、Cu、Au、Pt、ITO、IZO、AZO、GZO、GTO和ATO組成的組中的一種制成。
此外，面濺射設(shè)備可以包括兩個(gè)彼此面對(duì)設(shè)置的平行靶，其中基板垂直于所述的兩個(gè)靶設(shè)置，其中面濺射設(shè)備執(zhí)行濺射工藝包括步驟施加功率到所述靶上；在所述靶之間形成垂直于所述靶表面的方向的平行磁場(chǎng)；以及通過(guò)將等離子體產(chǎn)生氣體注入到所述靶之間的空間來(lái)產(chǎn)生等離子體。
此外，濺射工藝可以在0.1～50毫托(mTorr)的壓力下執(zhí)行。此外，基板可以保持在20～200℃的溫度。此外，功率可以在50～5kW的范圍。
此外，施加功率的步驟包括步驟施加50～500W的第一功率；以及施加500～5kW的第二功率。此外，施加到靶上的功率密度可以大約為0.001W/cm2。此外，所述兩個(gè)靶可以由不同的材料制成。此外，第一和第二電極的厚度可以是在20～1,000nm的范圍。


通過(guò)參照附圖詳細(xì)描述其示例性實(shí)施例，本發(fā)明上述的和其他的方面和優(yōu)點(diǎn)將變得更明顯，附圖中圖1是根據(jù)本發(fā)明用于制造有機(jī)發(fā)光器件的對(duì)面靶濺射設(shè)備的示意圖；圖2是根據(jù)本發(fā)明制造有機(jī)發(fā)光器件的方法的流程圖；圖3是根據(jù)本發(fā)明在制造有機(jī)發(fā)光器件的方法中的對(duì)面靶濺射工藝的流程圖；圖4是根據(jù)本發(fā)明在制造有機(jī)發(fā)光器件的方法中在基板上形成電極的工藝的流程圖；圖5是曲線圖，示出在通過(guò)利用根據(jù)本發(fā)明的對(duì)面靶濺射工藝和常規(guī)的DC/RF濺射工藝形成的Al電極上執(zhí)行XRD(X射線衍射)的結(jié)果；圖6是曲線圖，示出在通過(guò)利用根據(jù)本發(fā)明的對(duì)面靶濺射工藝和常規(guī)的DC/RF濺射工藝形成的ITO薄膜上執(zhí)行XRD的結(jié)果；圖7A是從通過(guò)利用常規(guī)的DC/RF濺射工藝形成的Al薄膜獲得的掃描電子顯微術(shù)(SEM)圖像；圖7B是從通過(guò)利用根據(jù)本發(fā)明的對(duì)面靶濺射工藝形成的Al薄膜獲得的SEM圖像；圖8A是從通過(guò)利用常規(guī)的DC/RF濺射工藝形成的ITO透明薄膜獲得的原子力顯微術(shù)(AFM)圖像；以及圖8B是根據(jù)本發(fā)明從ITO透明薄膜獲得的AFM圖像。
具體實(shí)施例方式
現(xiàn)在，將參照附圖對(duì)根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例作詳細(xì)的描述。
在本發(fā)明的實(shí)施例中，對(duì)面靶濺射設(shè)備用于在有機(jī)薄膜上形成電極薄膜。在對(duì)面靶濺射設(shè)備中，彼此面對(duì)設(shè)置兩個(gè)靶200和210。磁場(chǎng)B在靶200和210之間的空間產(chǎn)生，方向垂直于靶200和210的表面。將等離子體產(chǎn)生氣體(在下文中，稱(chēng)為工藝氣體)注入磁場(chǎng)B中以產(chǎn)生高密度等離子體。
參照?qǐng)D1，對(duì)面靶濺射設(shè)備包括室100；用于將工藝氣體(例如氬和氧的混合氣體)供給到室100中的工藝氣體供給裝置130；以及用于產(chǎn)生室100的低壓真空狀態(tài)的泵120。兩個(gè)靶200和210彼此面對(duì)設(shè)置在室100內(nèi)。負(fù)電壓源單獨(dú)地連接到靶200和210。可替換地，單個(gè)負(fù)電壓源可以并聯(lián)連接到靶200和210。
磁場(chǎng)B均勻地形成在靶200和210之間，方向?yàn)閺陌?10到靶200。此外，在靶200和210之間的電壓分布如下。一致的低的正電壓產(chǎn)生在靶200和210之間的局部中心區(qū)域。電壓從中心區(qū)域的正電壓到靶200和210的負(fù)電壓以預(yù)定的斜率減少。
平板磁體(flat magnet)220和230設(shè)置在靶200和210的后面以產(chǎn)生均勻的磁場(chǎng)。更特別地，平板磁體220和230相反的磁極彼此面對(duì)設(shè)置。這里，排列多個(gè)片狀磁體(pellet magnets)以組成磁體220和230?？商鎿Q地，可以排列多個(gè)磁棒以組成磁體220和230。另外，為了控制磁場(chǎng)強(qiáng)度，電磁體可以用作磁體220和230。
在提供包括靶200和210的掃描濺射源情況下，濺射源掃描大尺寸基板110(其中形成有包括光發(fā)射層的有機(jī)薄膜)從而在基板110的表面上形成電極膜。為了防止靶200和210的靶材料偏離基板110，設(shè)置兩個(gè)遮護(hù)罩(shield)240以環(huán)繞濺射源的相應(yīng)靶200和210，使得可以將靶材料僅向基板110引導(dǎo)。因此，濺射源用作濺射槍?zhuān)糜谕ㄟ^(guò)縫隙，即兩個(gè)遮護(hù)罩240之間的開(kāi)口，發(fā)射靶材料。縫隙的大小可以在預(yù)定的范圍內(nèi)調(diào)整。
現(xiàn)在，將參照?qǐng)D3描述對(duì)面靶濺射設(shè)備的操作。首先，通過(guò)利用泵120將室100的內(nèi)部壓強(qiáng)維持在大約10-15托或更低(即基準(zhǔn)壓強(qiáng)(base pressure))。接著，通過(guò)利用上述的電源(S200)將功率供給到靶200和210。這里，供給的功率優(yōu)選在50～5kW的范圍。因此，在靶200和210之間產(chǎn)生均勻的磁場(chǎng)B(S210)。
接著，將工藝氣體，即氬和氧的混合氣體注入到室100內(nèi)。由于工藝氣體的注入，室100的內(nèi)部壓力增加。為了執(zhí)行適當(dāng)?shù)墓に嚕ㄟ^(guò)利用泵優(yōu)選地將室100的內(nèi)部壓力維持在0.1～50毫托(mTorr)的范圍。此外，在室100內(nèi)的功率密度優(yōu)選地維持在0.001W/cm2或更高。
結(jié)果，產(chǎn)生等離子體(S230)。為了增加等離子體的產(chǎn)生效率，從濺射源(即，濺射槍)的后側(cè)注入工藝氣體以流向?yàn)R射源的縫隙(即，發(fā)射靶200和210的靶材料的出口)。
由于室100中的電場(chǎng)和磁場(chǎng)，洛倫茲力將施加在等離子體中的電子上，所以電子在靶200和210之間往返運(yùn)動(dòng)的同時(shí)，在垂直于磁體220和230之間產(chǎn)生的磁場(chǎng)的平面上旋轉(zhuǎn)。因此，電子具有螺旋形軌跡。
相似地，其他的帶電粒子包括離子在垂直于磁場(chǎng)的平面上旋轉(zhuǎn)并在靶200和210之間往返運(yùn)動(dòng)。因此，高能帶電粒子可以被限制在等離子體內(nèi)。
通過(guò)在靶200上濺射正離子產(chǎn)生的帶電粒子向?qū)γ姘?10以高能加速。由于帶電粒子在垂直于基板110的方向運(yùn)動(dòng)，所以帶電粒子并不影響形成有有機(jī)薄膜的基板110。只有從靶200和210的靶材料產(chǎn)生的具有相對(duì)低能量的中性粒子擴(kuò)散地射向基板110或基板110上的有機(jī)薄膜，從而在其上形成電極薄膜。
與常規(guī)的利用高能粒子的DC/RF濺射工藝不同，根據(jù)本發(fā)明，可以防止有機(jī)發(fā)光器件由于高能粒子的碰撞而變壞。此外，由于沒(méi)有高能粒子的碰撞，因此不需要單獨(dú)的基板冷卻系統(tǒng)將基板110維持在室溫。結(jié)果，可以最小化基板110的熱劣化(thermal deterioration)，特別是基板110上的有機(jī)薄膜的熱劣化。
參照?qǐng)D2，通過(guò)利用對(duì)面靶濺射設(shè)備制造有機(jī)發(fā)光器件的方法如下。在基板110上形成第一電極(S100)。接著，在第一電極上形成有機(jī)薄膜(S110)。接著，在有機(jī)薄膜上形成第二電極(S210)。
在步驟S210中，上述的對(duì)面靶濺射設(shè)備用來(lái)在有機(jī)薄膜上形成第二電極。此外，對(duì)面靶濺射設(shè)備可以用來(lái)形成第一電極。
為了減少在形成第二電極的步驟210期間對(duì)有機(jī)薄膜的損傷，可以調(diào)整工藝條件。參照?qǐng)D4，取決于形成在有機(jī)薄膜上的電極的存在或不存在而執(zhí)行單個(gè)工序或兩個(gè)工序。
更特別地，確定是否將在有機(jī)薄膜上形成電極(S300)。在電極將形成在有機(jī)薄膜上的情況下(S310)，執(zhí)行第一功率施加步驟S311來(lái)為初始工藝提供第一功率。接著，執(zhí)行濺射步驟S312來(lái)形成具有預(yù)定厚度的電極薄膜。接著，執(zhí)行第二功率施加步驟S313來(lái)提供比第一功率高的第二功率。接著，執(zhí)行另一個(gè)濺射步驟314。
根據(jù)本發(fā)明的方法，執(zhí)行第一濺射工藝來(lái)形成電極薄膜同時(shí)有機(jī)薄膜被保護(hù)。在形成的電極薄膜具有預(yù)定厚度之后，執(zhí)行第二濺射工藝來(lái)形成具有必要的厚度的電極。從而，可以提高工藝效率。
在第一功率施加步驟S311施加的第一功率優(yōu)選在50～500W的范圍內(nèi)。在第二功率施加步驟S313施加的第二功率優(yōu)選在500～5kW的范圍內(nèi)。雖然基板單獨(dú)冷卻系統(tǒng)并不是必要的組成部分，但是，基板的溫度在形成期間優(yōu)選地維持在20～200℃范圍內(nèi)。
根據(jù)通過(guò)該方法形成的電極是透明電極還是金屬薄膜，利用相同或不同的靶材料。因此，可以形成各種類(lèi)型的透明電極和金屬薄膜。根據(jù)本發(fā)明，用于形成電極或薄膜的靶材料包括Al、Ag、Mg、Ca、Cu、Au、Pt、ITO(氧化銦錫)、IZO(氧化銦鋅)、AZO(鋁攙雜氧化鋅)、GZO(氧化鎵鋅)、GTO(氧化鎵錫)和ATO(氧化銻錫)。電極或薄膜的厚度在20～100nm的范圍內(nèi)。
圖5示出在通過(guò)利用根據(jù)本發(fā)明的對(duì)面靶濺射工藝和常規(guī)的DC/RF濺射工藝形成的Al電極上執(zhí)行XRD(X射線衍射)的結(jié)果。圖6示出在通過(guò)利用根據(jù)本發(fā)明的對(duì)面靶濺射工藝和常規(guī)的DC/RF濺射工藝形成的ITO薄膜上執(zhí)行XRD的結(jié)果。
在利用常規(guī)的DC/RF濺射工藝的情況下，室的內(nèi)部壓強(qiáng)為5毫托；功率是DC 200W；靶的距離是10cm；工藝氣體是Ar；并且在玻璃基板上形成的薄膜的厚度為1,000nm。另一方面，在利用根據(jù)本發(fā)明的對(duì)面靶濺射工藝的情況下，室的內(nèi)部壓強(qiáng)為5毫托；功率是DC 1kW；靶的距離是20cm；工藝氣體是Ar；并且在玻璃基板上形成的薄膜的厚度為1,000nm。
在利用常規(guī)的DC/RF濺射工藝的情況下，Al和透明電極薄膜具有多晶結(jié)構(gòu)，其中具有峰值。另一方面，在利用根據(jù)本發(fā)明的對(duì)面靶濺射工藝的情況下，Al和透明電極薄膜具有非晶結(jié)構(gòu)，其中沒(méi)有結(jié)晶峰(crystalline peak)。
利用兩種工藝形成的薄膜結(jié)構(gòu)之間的區(qū)別是由基板的局部溫差引起的。在利用常規(guī)的DC/RF濺射工藝的情況下，由于具有高能量的粒子的碰撞導(dǎo)致基板的溫度增加，所以比較大尺寸的顆粒構(gòu)成多晶結(jié)構(gòu)。
然而，在利用根據(jù)本發(fā)明的對(duì)面靶濺射工藝的情況下，可以防止具有高能量的粒子形成碰撞，所以基板的溫度可以維持在室溫。結(jié)果，可以獲得具有非晶結(jié)構(gòu)的薄膜。換句話說(shuō)，在利用對(duì)面靶濺射工藝的情況下，具有高能量的粒子不能影響薄膜的形成。
圖7A是從通過(guò)利用常規(guī)的DC/RF濺射工藝形成的Al薄膜獲得的SEM(掃描電子顯微術(shù))圖像。圖7B是從通過(guò)利用根據(jù)本發(fā)明的對(duì)面靶濺射工藝形成的Al薄膜獲得的SEM圖像。
參照?qǐng)D7A和7B的SEM圖像，可以直觀地檢驗(yàn)圖5和6的XRD的結(jié)果。這里，電極薄膜形成在前部發(fā)射型有機(jī)發(fā)光器件的有機(jī)薄膜上。有機(jī)發(fā)光器件包括電子注入層(EIL)、電子傳輸層(ETL)、空穴阻擋層(HBL)、空穴傳輸層(HTL)、空穴注入層(HIL)、ITO層和玻璃基板。
如圖5和6的XRD的結(jié)果中看到的，與通過(guò)利用常規(guī)的DC/RF濺射工藝形成的Al薄膜相比，根據(jù)本發(fā)明的對(duì)面靶濺射工藝的Al薄膜由微細(xì)粒子構(gòu)造。在本發(fā)明中，由于基板的溫度低，溫度和能量不足以生長(zhǎng)Al顆粒。
通過(guò)利用對(duì)面靶濺射工藝生長(zhǎng)的Al粒子的大小比通過(guò)利用常規(guī)的DC/RF濺射工藝生長(zhǎng)的Al顆粒的大小小十倍。因此，可以理解的是，由于可以防止高能粒子的碰撞，所以在利用對(duì)面靶濺射工藝形成Al薄膜的情況下，電極薄膜被形成而并沒(méi)有由于等離子體而導(dǎo)致的劣化。
通常，在DC/RF濺射工藝期間難于沒(méi)有由于等離子體導(dǎo)致的劣化而形成非晶薄膜。然而，在利用根據(jù)本發(fā)明的對(duì)面靶濺射工藝的情況下，可以看到基板總是維持在60℃或更低的溫度，其可以用溫度帶(temperature tape)檢測(cè)。結(jié)果，根據(jù)本發(fā)明的對(duì)面靶濺射工藝，可以在有機(jī)薄膜不受影響的溫度下，在有機(jī)發(fā)光器件的有機(jī)薄膜上形成非晶金屬薄膜。
圖8A是從通過(guò)利用常規(guī)的DC/RF濺射工藝形成的ITO透明膜獲得的AFM(原子力顯微術(shù))圖像；以及圖8B是根據(jù)本發(fā)明從ITO透明膜獲得的AFM圖像。在利用常規(guī)的DC/RF濺射工藝的情況下，室的內(nèi)部壓強(qiáng)為5毫托；功率是DC 300W；靶的距離為10cm；工藝氣體為氬和氧的混合氣體；并且在玻璃基板上形成的薄膜的厚度是1,000nm。另一方面，在利用根據(jù)本發(fā)明的對(duì)面靶濺射工藝的情況下，室的內(nèi)部壓強(qiáng)為5毫托；功率是DC 1kW；靶的距離為20cm；工藝氣體為氬和氧的混合氣體；并且在玻璃基板上形成的薄膜的厚度是1,000nm。
與圖7A和7B的XRD的結(jié)果相似，可以從圖8A和8B的AFM圖像看出通過(guò)利用對(duì)面靶濺射工藝生長(zhǎng)的ITO薄膜的表面沒(méi)有通過(guò)利用常規(guī)的DC/RF濺射工藝生長(zhǎng)的ITO薄膜的表面粗糙。更特別地，通過(guò)利用對(duì)面靶濺射工藝生長(zhǎng)的ITO薄膜的RMS(均方根)表面粗糙度是2.3nm，而通過(guò)利用DC/RF濺射工藝生長(zhǎng)的ITO薄膜的RMS表面粗糙度是7.8nm。
根據(jù)本發(fā)明的對(duì)面靶濺射設(shè)備，由于可以在有機(jī)發(fā)光器件的有機(jī)薄膜上形成電極薄膜而沒(méi)有由于等離子體導(dǎo)致的劣化，所以可以提高光發(fā)射效率和有機(jī)發(fā)光器件的電光特性。此外，由于可以在多個(gè)用于形成電極薄膜的工藝中調(diào)整工藝條件，所以可以提高有機(jī)發(fā)光器件的電光特性和壽命。
此外，由于可以在有機(jī)薄膜上形成高質(zhì)量的透明電極，所以可以制造具有優(yōu)越性質(zhì)的前部發(fā)射型有機(jī)發(fā)光器件。
在根據(jù)本發(fā)明的制造有機(jī)發(fā)光器件的方法中，由于在兩個(gè)靶之間產(chǎn)生高密度等離子體來(lái)減少用于電極薄膜的沉積時(shí)間，所以可以提高工藝效率。此外，與常規(guī)的方法相比，可以減少生產(chǎn)成本。
此外，根據(jù)本發(fā)明，由于薄膜可以在低溫下形成，所以可以容易地利用常規(guī)的熱敏感基板(heat-vulnerable substrate)制造可彎曲的有機(jī)發(fā)光器件。
雖然本發(fā)明已經(jīng)參照其示例性實(shí)施例作了特別地展示和描述，但是本領(lǐng)域技術(shù)人員理解，可以在不脫離附加權(quán)利要求所限定的本發(fā)明的精神和范圍情況下，在形式上和細(xì)節(jié)上作出不同的改變。
本申請(qǐng)要求于2004年12月8日在韓國(guó)知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的韓國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)No.2004-103224的利益，其全部公開(kāi)在這里作為參考引入。
權(quán)利要求
1.一種制造有機(jī)發(fā)光器件的方法，包括步驟在基板上形成第一電極；在第一電極上形成有機(jī)薄膜；以及在所述基板的溫度維持在20-200℃時(shí)，通過(guò)利用濺射工藝在所述有機(jī)薄膜上形成第二電極。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中在所述基板的溫度維持在20-200℃時(shí)，通過(guò)利用濺射工藝形成所述第一電極。
3.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中所述第一和第二電極由非晶材料制成。
4.根據(jù)權(quán)利要求3的方法，其中所述第一和第二電極由從包括Al、Ag、Mg、Ca、Cu、Au、Pt、ITO、IZO、AZO、GZO、GTO和ATO的組中選擇的一種制成。
5.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中兩個(gè)平行靶彼此面對(duì)設(shè)置，其中所述基板設(shè)置成垂直于所述兩個(gè)靶；以及其中進(jìn)行所述濺射工藝通過(guò)如下步驟施加功率到所述靶；在所述靶之間形成垂直于所述靶表面的方向的平行磁場(chǎng)；以及通過(guò)將等離子體產(chǎn)生氣體注入到所述靶之間的空間來(lái)產(chǎn)生等離子體。
6.根據(jù)權(quán)利要求5的方法，其中在0.1～50毫托的壓強(qiáng)下執(zhí)行所述濺射工藝。
7.根據(jù)權(quán)利要求5的方法，其中所述功率在50～5kW的范圍。
8.根據(jù)權(quán)利要求7的方法，其中施加功率的步驟包括步驟施加50～500W的第一功率；以及施加500～5kW的第二功率。
9.根據(jù)權(quán)利要求5的方法，其中施加到所述靶的功率密度是大約0.001W/cm2。
10.根據(jù)權(quán)利要求5的方法，其中所述兩個(gè)靶由不同的材料制成。
11.根據(jù)權(quán)利要求5的方法，其中所述第一和第二電極的厚度在20～1000nm的范圍內(nèi)。
12.一種制造有機(jī)發(fā)光器件的方法，包括步驟在基板上形成第一電極；在所述第一電極上形成有機(jī)薄膜；施加功率到兩個(gè)靶上，其中所述兩個(gè)平行靶在有機(jī)薄膜上彼此面對(duì)設(shè)置；在所述靶之間形成垂直于所述靶表面的方向的平行磁場(chǎng)；通過(guò)將等離子體產(chǎn)生氣體注入到所述靶之間的空間來(lái)產(chǎn)生等離子體；在所述基板的溫度維持在20-200℃時(shí)，通過(guò)利用濺射工藝形成第二電極，其中所述基板設(shè)置成垂直于所述兩個(gè)靶。
13.根據(jù)權(quán)利要求12的方法，其中所述第二電極由非晶材料制成。
14.根據(jù)權(quán)利要求12的方法，其中所述第二電極由從包括Al、Ag、Mg、Ca、Cu、Au、Pt、ITO、IZO、AZO、GZO、GTO和ATO的組中選擇的一種制成。
15.根據(jù)權(quán)利要求12的方法，其中在0.1～50毫托的壓強(qiáng)下執(zhí)行所述濺射工藝。
16.根據(jù)權(quán)利要求12的方法，其中所述功率在50～5kW的范圍。
17.根據(jù)權(quán)利要求16的方法，其中施加功率的步驟包括步驟施加50～500W的第一功率；以及施加500～5kW的第二功率。
18.根據(jù)權(quán)利要求12的方法，其中施加到所述靶的功率密度是大約0.001W/cm2。
19.根據(jù)權(quán)利要求12的方法，其中所述兩個(gè)靶由不同的材料制成。
20.根據(jù)權(quán)利要求12的方法，其中所述第一和第二電極的厚度在20～1000nm的范圍內(nèi)。
全文摘要
本發(fā)明提供一種通過(guò)利用對(duì)面靶濺射設(shè)備制造有機(jī)發(fā)光器件的方法。該方法包括在基板上形成第一電極；在第一電極上形成有機(jī)薄膜；以及通過(guò)對(duì)面靶濺射設(shè)備在有機(jī)薄膜上形成第二電極。因此，以低的溫度在有機(jī)發(fā)光器件上形成電極薄膜而沒(méi)有由于等離子體導(dǎo)致的劣化，可以提高光發(fā)射效率和有機(jī)發(fā)光器件的電光特性。
文檔編號(hào)H05B33/26GK1787704SQ20051009221
公開(kāi)日2006年6月14日 申請(qǐng)日期2005年7月1日 優(yōu)先權(quán)日2004年12月8日
發(fā)明者李奎成, 金漢基, 金度根, 許明洙, 鄭錫憲 申請(qǐng)人:三星Sdi株式會(huì)社