專利名稱：配線基板及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及具有形成于絕緣性基板上的導(dǎo)電層的配線基板及其制造方法。
背景技術(shù)：
在用于制造具有細(xì)微導(dǎo)電層的配線基板的現(xiàn)有半加法(セミアデイテイブ法；semiadditive)中，在絕緣性基板上形成薄的第一導(dǎo)電層，在導(dǎo)電層上設(shè)置形成為規(guī)定的圖案的感光性樹脂。在從第一導(dǎo)電層的感光性樹脂露出的部分上形成第二導(dǎo)電層。然后，將去除第一導(dǎo)電層的感光性樹脂而露出的部分蝕刻去除，得到配線基板。
在特開2004-95983號(hào)公報(bào)所公開的方法中，在絕緣性的基板上形成第一金屬膜，利用化學(xué)研磨使該膜變薄，在基板上形成薄的底層。然后，在底層上形成掩模圖案，在從底層的掩模圖案露出的部分上利用電解鍍敷形成第二金屬膜。之后通過鍍敷在第二金屬膜上形成第三金屬膜。然后，剝離掩模圖案，去除底層露出的多余部分，形成由底層、第二金屬膜以及第三金屬膜構(gòu)成的配線圖案。在去除底層多余部分時(shí)由第二金屬膜保護(hù)底層的基板和第二金屬膜之間的部分，能夠防止底層從基板剝落。
由上述方法形成的具有細(xì)微導(dǎo)體圖案的配線基板，具有導(dǎo)體圖案對(duì)高頻信號(hào)的阻抗增大的情況。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的配線基板具有絕緣性基板、絕緣性基板上的第一導(dǎo)電層、第一導(dǎo)電層上的第二導(dǎo)電層、覆蓋第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層的第三導(dǎo)電層。第一導(dǎo)電層具有設(shè)于絕緣性基板表面上的面，和設(shè)于所述面的相反一側(cè)并且寬度小于所述面的面。
該配線基板中，即使在導(dǎo)電層流動(dòng)的信號(hào)頻率增大，阻抗的增加也很小。


圖1是表示本發(fā)明實(shí)施例1的配線基板的制造方法的剖面圖；圖2是表示實(shí)施例1的配線基板的制造方法的剖面圖；圖3是表示實(shí)施例1的配線基板的制造方法的剖面圖；圖4是表示實(shí)施例1的配線基板的制造方法的剖面圖；圖5是表示實(shí)施例1的配線基板的制造方法的剖面圖；圖6是表示實(shí)施例1的配線基板的制造方法的剖面圖；圖7是表示實(shí)施例1的配線基板的制造方法的剖面圖；圖8是表示本發(fā)明實(shí)施例2的配線基板的制造方法的剖面圖；圖9是表示實(shí)施例2的配線基板的制造方法的剖面圖；圖10是表示實(shí)施例2的配線基板的制造方法的剖面圖；圖11是表示實(shí)施例2的配線基板的制造方法的剖面圖；圖12是表示實(shí)施例2的配線基板的制造方法的剖面圖；圖13是表示實(shí)施例2的配線基板的制造方法的剖面圖；圖14是表示實(shí)施例2的配線基板的制造方法的剖面圖；圖15是表示實(shí)施例2的配線基板的制造方法的剖面圖。
具體實(shí)施例方式
(實(shí)施例1)圖1～圖7是表示本發(fā)明實(shí)施例1的配線基板的制造方法的剖面圖。
圖1是具有填充有導(dǎo)電性材料5的貫通孔4的絕緣性基板1的剖面圖。在將芳香族聚酰胺樹脂和玻璃等絕緣性纖維織成布狀的玻璃纖維織物(玻璃織物)的纖維片2上含浸環(huán)氧樹脂，在纖維片2的兩面上形成由含浸的環(huán)氧樹脂構(gòu)成的例如厚度5～20μm的樹脂層3，形成作為玻璃環(huán)氧基板的絕緣性基板1。在絕緣性基板1上通過二氧化碳?xì)怏w激光等的光學(xué)方法和鉆孔等的機(jī)械方法形成貫通孔4。在貫通孔4上通過印刷或來自噴嘴的噴射等而填充有相對(duì)樹脂混入30～80％體積的1～50μm的銅粒子的糊狀的導(dǎo)電性材料5。
纖維片2(玻璃纖維)的縱向和橫向的溫度等環(huán)境影響的尺寸變化由玻璃纖維的熱膨脹系數(shù)等物理參數(shù)決定。在由物理參數(shù)已知的玻璃纖維構(gòu)成的纖維片2中，容易根據(jù)尺寸變化設(shè)定導(dǎo)體圖案的位置和與其他導(dǎo)體圖案的位置。絕緣性基板1最好由陶瓷膜和樹脂膜構(gòu)成。
通過在樹脂層3中混入30～90％容量的粒子直徑1～100μm的玻璃和氧化鋁等絕緣性粒子，能夠防止在貫通孔4中填充的導(dǎo)電性材料5的銅粒子由于后工序中的沖壓的壓力而向樹脂層3流出的情況。
接下來，如圖2所示，例如通過真空熱壓將由銅等金屬構(gòu)成的導(dǎo)電層7粘接在基板1的表面1A即樹脂層3和導(dǎo)電性材料5上。導(dǎo)電層7由細(xì)密的固體層7A和在固體層7形成的比固體層7A粗糙的粗糙化層6構(gòu)成。即，導(dǎo)電層7具有細(xì)密的上面7B(固體層7A的上面7B)和比上面7B糙面化的下面7F(粗糙化層6)。圖2中，粗糙化層6被埋入絕緣性基板1的表面1A即樹脂層3和導(dǎo)電性材料5各表面3A、5A中。在將導(dǎo)電性材料5填充到貫通孔4中的絕緣性基板1的兩面形成導(dǎo)體圖案而形成兩面配線基板時(shí)，在絕緣性基板1的兩面配置具有粗糙化層6的導(dǎo)電層7并進(jìn)行真空熱壓。
利用該真空熱壓，能夠防止在粗糙化層6與導(dǎo)電性材料5、樹脂層3的粘接界面殘留空氣和氣體等。該真空熱壓的溫度是100～260℃。然后再次真空熱壓時(shí)，第一次的真空熱壓在低于環(huán)氧樹脂的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度的120℃左右進(jìn)行，為了使環(huán)氧樹脂完全固化而在高于玻璃化轉(zhuǎn)變溫度的240℃左右進(jìn)行真空熱壓。
因?yàn)槔谜婵諢釅簩?duì)填充到貫通孔4中的導(dǎo)電性材料5進(jìn)行壓縮，故牢固地粘合導(dǎo)電層7的粗糙化層6和導(dǎo)電性材料5，利用粗糙化層6的凹凸來增大與導(dǎo)電性材料5的接觸面積。由此，能夠減小導(dǎo)電性材料5與導(dǎo)電層7的電連接電阻。另外，粗糙化層6咬入樹脂層3而使得導(dǎo)電層7難以從樹脂層3剝落。
粗糙化層6的凹凸越大上述效果越顯著，在1～10μm的情況下特別有效。粗糙化層6的凹凸超過10μm，則在后面的蝕刻工序中對(duì)粗糙化層6的側(cè)面進(jìn)行大的側(cè)蝕刻，使得導(dǎo)體圖案變窄而形狀發(fā)生很大變化，不能得到細(xì)微的圖案。
導(dǎo)電層7的厚度最好為0.5μm～5μm。由此，在對(duì)利用鍍敷在其上形成有金屬層的導(dǎo)電層7進(jìn)行蝕刻時(shí)，在絕緣性基板1和粗糙化層6的界面，導(dǎo)電層7(粗糙化層6)與其他部分相比不會(huì)被過度地蝕刻，能夠得到良好形狀的導(dǎo)電層7。
利用這樣的結(jié)構(gòu)，在多個(gè)絕緣層具有內(nèi)部通孔(IVH)的多層基板上，無論其他層的貫通孔的位置如何，能夠在任意的位置實(shí)施層間導(dǎo)通，特別是能夠在最外層上的任意位置安裝部件。
然后，如圖3所示，在導(dǎo)電層7的固體層7A的上面7B的不形成導(dǎo)體圖案的區(qū)域7D上形成由感光性樹脂構(gòu)成的掩模8。將感光性樹脂的干膜抗蝕劑加熱壓接在導(dǎo)電層7的上面7B上，或者利用旋轉(zhuǎn)涂敷和滾動(dòng)涂敷在導(dǎo)電層7的上面7B上涂附液態(tài)抗蝕劑，使用光致掩模將感光性樹脂曝光，可通過其后的顯影容易地形成掩模8。
掩模8能夠在小于或等于1μm的誤差范圍內(nèi)形成與光致掩模幾乎相同的尺寸，特別是液態(tài)抗蝕劑與干膜抗蝕劑相比能夠?qū)⒀谀?形成得更薄，可得到1～10μm的分辨率。掩模8比在接下來的工序中由鍍敷形成的層還要薄，在鍍敷工序之后，能夠更加容易地去除掩模8。
然后，如圖4所示，在導(dǎo)電層7的上面7B未被掩模8掩蓋的區(qū)域7E上利用電鍍形成導(dǎo)電層9。導(dǎo)電層9由與導(dǎo)電層7相同的金屬材料的銅形成。通過利用以添加了光澤劑的硫酸銅水溶液為主要成份的電解液進(jìn)行電鍍，導(dǎo)電層9可與其寬度W9無關(guān)地均勻形成厚度T9并且平坦。在電鍍中通過將電流密度設(shè)定在小于或等于10A/dm2，理想的是1～6A/dm2，能夠均勻且致密地形成導(dǎo)電層9的厚度T9。一般，利用電流密度改變導(dǎo)電層9的結(jié)晶粒的大小和密度，電流密度越小越能夠得到高密度的結(jié)晶粒，能夠致密地形成導(dǎo)電層9。由于結(jié)晶粒越致密，蝕刻速度越慢，故結(jié)晶粒小為好。
然后，如圖5所示，通過去除掩模8露出導(dǎo)電層7的上面7B的區(qū)域7D。
然后，如圖6所示，利用蝕刻去除導(dǎo)電層7的固體層7A和粗糙化層6的區(qū)域7D的部分，在剩下的固體層107A和粗糙化層106以及導(dǎo)電層9形成由導(dǎo)電層107、9構(gòu)成的所希望的導(dǎo)體圖案20。也可以在該蝕刻之前覆蓋導(dǎo)電層9形成對(duì)蝕刻液具有抵抗性的掩模層。該掩模層可利用焊錫形成，也可以通過連續(xù)電鍍錫、鎳、鋁等或者通過蒸鍍和濺射而形成小于或等于1μm的厚度。因?yàn)樵撗谀痈采w導(dǎo)電層9的表面和角部，故能夠防止導(dǎo)電層9的形狀變化。
導(dǎo)電層107從其表面開始被蝕刻，具有含有粗糙化層6且與導(dǎo)體層9鄰接的上面107B具有寬度比下面107F(粗糙化層106)窄的大致梯形的剖面。梯形的側(cè)壁圓弧狀地凹陷。
由于電鍍工序之前的自然氧化膜和極微小的污染等的介在層和金屬結(jié)晶的不連續(xù)性，在導(dǎo)電層7和導(dǎo)電層9的界面上生成邊界。在蝕刻中沿導(dǎo)電層7和導(dǎo)電層9的界面也對(duì)導(dǎo)電層9進(jìn)行蝕刻。由此，如圖6所示，在導(dǎo)電層7和導(dǎo)電層9的界面形成蜂腰狀部10。蜂腰狀部10能夠增大導(dǎo)體層107、9構(gòu)成的導(dǎo)體圖案的表面積，并且能夠降低集膚效應(yīng)所顯現(xiàn)的大于或等于100MHz的高頻區(qū)域下的導(dǎo)體圖案的阻抗。由此，能夠防止信號(hào)傳播的延遲。蜂腰狀部10的形狀根據(jù)導(dǎo)體層7、9各自的結(jié)晶粒的大小及密度而變化?？衫脤?dǎo)體層7、9的形成條件來控制結(jié)晶粒的大小及密度，由此能夠控制蜂腰狀部10的形狀。
然后，如圖7所示，利用無電解鍍敷形成導(dǎo)電層11，以覆蓋導(dǎo)電層107和導(dǎo)電層9的表面。導(dǎo)電層11由鎳形成1～10μm的厚度，理想的是2～7μm。導(dǎo)電層11覆蓋形成于導(dǎo)電層107和導(dǎo)電層9界面的蜂腰狀部10。導(dǎo)電層11在導(dǎo)電層107、9二者的表面牢固粘接，故能夠防止導(dǎo)電層107和導(dǎo)電層9在界面剝離。為了提高零件和半導(dǎo)體安裝的可靠性，也可以在導(dǎo)電層11的表面將由金構(gòu)成的導(dǎo)電層12與由鎳構(gòu)成的導(dǎo)電層11連續(xù)并且利用無電解鍍敷而形成。
另外，絕緣性基板1的纖維片2可以是將芳香族聚酰胺樹脂等樹脂纖維形成為紙狀的無紡織物。因?yàn)楹协h(huán)氧樹脂的無紡織物在沖壓的壓力下收縮，故導(dǎo)電層材料5被更強(qiáng)地壓縮，強(qiáng)力接觸導(dǎo)電性材料5中的銅粒子而得到低電阻的導(dǎo)電性材料5。另外，因?yàn)樨炌?的周邊被密集的纖維所覆蓋，故防止填充到貫通孔4中的導(dǎo)電性材料5的銅粒子流出，能夠?qū)崿F(xiàn)貫通孔4的導(dǎo)電層7與導(dǎo)電性材料5的可靠性高的良好的電連接。
另外，絕緣性基板1也可以是聚酰亞胺和液晶聚合物等的薄膜，由此，基板1的厚度能夠薄地形成小于或等于70μm，通過YAG激光器能夠容易地形成貫通孔4。
導(dǎo)電層7的粗糙化層6利用蒸鍍或鍍敷在樹脂或金屬等剛體的形成板上形成均勻的金屬膜，之后通過大電流的電鍍產(chǎn)生的異常鍍敷顯影形成粒子能夠附在金屬膜上而形成凹凸。另外，粗糙化層6也可以向所述金屬膜吹附融化的金屬，而附上凹凸。也可以在利用真空熱壓在基板1上壓接附在形成板上保持不變而形成有粗糙化層6的導(dǎo)電層7之后，機(jī)械地剝離形成板，或者由蝕刻去除，轉(zhuǎn)印導(dǎo)電層7。
也可以利用真空熱壓將單面上附有粗糙化層6的厚度12～18μm厚的銅箔壓接在基板1上之后，通過硫酸與雙氧水的混合液為主要成分的蝕刻液等對(duì)銅箔進(jìn)行蝕刻，將銅箔減薄至所希望的厚度，在基板1上形成導(dǎo)電層7。另外，也可以在其他的金屬例如鋁箔上形成厚度2μm左右的銅箔，利用鍍敷在其表面上形成粗糙化層6而形成導(dǎo)體層7。另外，還可以將具有粗糙化層6的厚度3～5μm的銅箔與其他的銅箔(載體)粘接來提高強(qiáng)度而形成導(dǎo)電層7。
在利用現(xiàn)有的半加法而得到的現(xiàn)有的配線基板中，薄的第一導(dǎo)電層通過無電解鍍敷極薄地形成為0.5μm左右。對(duì)第一導(dǎo)電層進(jìn)行蝕刻時(shí)通過其側(cè)面被蝕刻的側(cè)蝕刻，對(duì)第一導(dǎo)電層的與絕緣性基板接觸的部分進(jìn)行大范圍蝕刻，具有第一導(dǎo)電層會(huì)從絕緣性基板上翹起剝離的情況。
由特開2004-95983號(hào)公報(bào)所公開的方法得到的現(xiàn)有的配線基板中需要用于形成第二金屬膜的鍍敷工序，存在用于形成底層的第一金屬膜的金屬和第二金屬膜的金屬通過它們的組合而由于金屬的電位差促進(jìn)側(cè)蝕刻，或在第二金屬膜上瞬時(shí)形成氧化層而難以形成第三金屬膜的情況。
在實(shí)施例1的配線基板中，因?yàn)榻^緣性基板1在與導(dǎo)電層7之間不產(chǎn)生間隙地粘接，故導(dǎo)電圖案牢固地粘合在基板1上，不產(chǎn)生上述現(xiàn)有方法的問題。另外，填充在貫通孔4中的導(dǎo)電性材料5的表面5A表面被導(dǎo)電圖案覆蓋，故能夠在貫通孔4的上方搭載零件，能夠有效地利用基板1的面積。
(實(shí)施例2)圖8～圖15是表示本發(fā)明實(shí)施例2的配線基板的制造方法的剖面圖。另外，與實(shí)施例1相同的部分賦予同一符號(hào)并省略說明。
首先，如圖8所示，在與實(shí)施例1同樣形成的絕緣性基板1上通過二氧化碳?xì)怏w激光等的光學(xué)方法和鉆孔等的機(jī)械方法形成貫通孔4。在貫通孔4上通過印刷或來自噴嘴的噴射等而填充有相對(duì)樹脂混入30～80％容量的1～50μm的銅粒子的糊狀的導(dǎo)電性材料5。
然后，如圖9所示，對(duì)絕緣性基板1的表面501A即導(dǎo)體性材料5的表面505A與樹脂層3的表面503A實(shí)施粗糙化處理，形成粗糙化層506。粗糙化層506能夠利用堿性溶液的侵蝕、具有凹凸的其他復(fù)制(レプリカ)的轉(zhuǎn)印而形成。在粗糙化層506中露出有填充在貫通孔4中的導(dǎo)電性材料5的導(dǎo)電性粒子。
然后，如圖10所示，在絕緣性基板上1的表面501A的粗糙化層506上通過無電解鍍敷形成由銅等金屬構(gòu)成的導(dǎo)電層507。導(dǎo)電層507比粗糙化層506的凹凸厚，而且在不擴(kuò)大之后的蝕刻工序中的側(cè)蝕刻的程度下形成。具體的是0.5～3μm為好。因?yàn)榭赏ㄟ^無電解鍍敷在基板1上均勻地形成導(dǎo)電層507，故其后能夠穩(wěn)定地進(jìn)行蝕刻。將導(dǎo)電層507的上面507A糙面化。
然后，如圖11所示，在導(dǎo)電層507的上面507A上的不形成導(dǎo)體圖案的區(qū)域形成由感光性樹脂構(gòu)成的掩模8。
然后，如圖12所示，在導(dǎo)電層507上的從掩模8露出的區(qū)域507B上使用與導(dǎo)電層507相同的金屬材料的銅利用電鍍形成導(dǎo)電層509。通過在該電鍍中調(diào)整電流密度等的形成條件，從而能夠改變銅的結(jié)晶粒大小等的影響蝕刻速度的因素。因?yàn)閷?dǎo)電層507的上面507A被糙面化，故導(dǎo)電層509牢固地結(jié)合在導(dǎo)電層507上。
然后，如圖13所示，去除掩模8露出導(dǎo)電層507的上面507A的區(qū)域507C。然后，如圖14所示，去除露出的導(dǎo)電層507的區(qū)域507C，其中，去除的部分包括進(jìn)入到粗糙化層506的部分507D，形成導(dǎo)電層507、509構(gòu)成的所希望的導(dǎo)體圖案1520(圖14)。在導(dǎo)電層507薄的情況下，存在導(dǎo)電層507和絕緣性基板1的界面的導(dǎo)電層507的蝕刻即側(cè)蝕刻被促進(jìn)的情況。但是，由無電解鍍敷形成的導(dǎo)電層507因?yàn)榫哂胁划a(chǎn)生側(cè)蝕刻那樣的厚度，故在絕緣性基板一的上面501A和導(dǎo)電層507的界面不形成間隙。
在上述蝕刻中，導(dǎo)電層507從上面507A開始被蝕刻。如圖14所示，通過該蝕刻而得到具有進(jìn)入粗糙化層506的部分507D和梯形剖面的導(dǎo)電層1507。導(dǎo)電層1507的與基板1接觸的下面1507E比上面1507A大，側(cè)壁凹陷成圓弧狀。沿導(dǎo)電層1507和導(dǎo)電層509的界面對(duì)導(dǎo)電層1507、509進(jìn)行蝕刻而形成蜂腰狀部510。蜂腰狀部510增大導(dǎo)電層1507、509的導(dǎo)體圖案的表面積，與實(shí)施例1的蜂腰狀部10同樣地，在高頻下降低導(dǎo)體圖案的阻抗。
然后，如圖15所示，利用鎳等的無電解鍍敷以1～10μm、理想的是2～7μm的厚度形成覆蓋導(dǎo)電層1507及導(dǎo)電層509的表面的導(dǎo)電層11。導(dǎo)電層11覆蓋導(dǎo)電層1507和導(dǎo)電層509的界面的蜂腰狀部510。導(dǎo)電層11因?yàn)槔喂痰卣辰釉趯?dǎo)電層1507、509二者的表面，故防止導(dǎo)電層1507和導(dǎo)電層509在界面相互剝離?？梢栽趯?dǎo)電層11的表面上將由金構(gòu)成的導(dǎo)電層12與鎳構(gòu)成的導(dǎo)電層11連續(xù)并通過無電解鍍敷形成。
根據(jù)實(shí)施例2，將絕緣性基板1的表面粗糙化處理，控制粗糙化層506的粗糙化狀態(tài)，由此能夠控制導(dǎo)電層507和基板1的緊密粘合強(qiáng)度。另外，通過改變導(dǎo)電層1507、509的蝕刻速度，從而能夠控制形成于導(dǎo)電層1507和導(dǎo)電層509的界面的蜂腰狀部510的形狀，能夠得到具有細(xì)微導(dǎo)體圖案1520的高頻特性的優(yōu)良的配線基板。在基板1的表面的粗糙化層506上通過利用無電解鍍敷覆蓋形成導(dǎo)電層507，由此形成均勻的導(dǎo)電層507，因此，能夠穩(wěn)定地蝕刻導(dǎo)電層507。
權(quán)利要求
1.一種配線基板，其包括具有表面的絕緣性基板；第一導(dǎo)電層，其具有設(shè)于所述絕緣性基板的表面上的第一面和設(shè)于所述第一面的相反一側(cè)并且其寬度小于所述第一面的寬度的第二面；設(shè)于所述第一導(dǎo)電層的所述第二面上的第二導(dǎo)電層；覆蓋所述第一導(dǎo)電層和所述第二導(dǎo)電層的第三導(dǎo)電層。
2.如權(quán)利要求1所述的配線基板，其中，所述第二導(dǎo)電層的寬度比所述第一導(dǎo)電層的所述第二面的所述寬度大，在所述第一導(dǎo)電層和所述第二導(dǎo)電層的界面形成蜂腰狀部。
3.如權(quán)利要求1所述的配線基板，其中，所述絕緣性基板在與所述表面的所述第一導(dǎo)電層接觸的部分形成孔，并且還具有填充于所述絕緣性基板的所述孔中并且與所述第一導(dǎo)電層連接的導(dǎo)電性材料。
4.如權(quán)利要求1所述的配線基板，其中，所述第一導(dǎo)電層的所述第一面被糙面化。
5.如權(quán)利要求1所述的配線基板，其中，所述第一導(dǎo)電層的所述第二面被糙面化。
6.一種配線基板的制造方法，其包括形成具有與所述絕緣性基板的表面接觸的第一面和所述第一面相反一側(cè)的第二面的第一導(dǎo)電層的步驟；在所述第一導(dǎo)電層的所述第二面上設(shè)置掩模，形成從所述第一導(dǎo)電層的所述第二面的所述掩模露出的部分的步驟；在所述第一導(dǎo)電層的所述第二面的從所述掩模露出的所述部分上形成第二導(dǎo)電層的步驟；在形成所述第二導(dǎo)電層的步驟之后去除所述掩模，形成所述第一導(dǎo)電層的從所述第二導(dǎo)電層露出的部分的步驟；蝕刻所述第一導(dǎo)電層的從所述第二導(dǎo)電層露出的所述部分，以使所述第一導(dǎo)電層的與所述第二導(dǎo)電層相接的面的寬度小于所述第一導(dǎo)電層的與所述絕緣性基板相接的面的寬度的步驟；形成覆蓋所述第一導(dǎo)電層和所述第二導(dǎo)電層的第三導(dǎo)電層的步驟。
7.如權(quán)利要求6所述的配線基板的制造方法，其中，形成所述第二導(dǎo)電層的步驟包括在所述第一導(dǎo)電層的所述第二面的從所述掩模露出的所述部分上通過鍍敷形成第二導(dǎo)電層的步驟。
8.如權(quán)利要求6所述的配線基板的制造方法，其中，形成所述第一導(dǎo)電層的步驟包括在所述絕緣性基板上沖壓具有粗糙化層的金屬箔的所述粗糙化層的步驟。
9.如權(quán)利要求6所述的配線基板的制造方法，其中，所述絕緣性基板的所述表面被糙面化，形成所述第一導(dǎo)電層的步驟包括通過鍍敷在所述絕緣性基板的所述表面上形成所述第一導(dǎo)電層的步驟。
10.如權(quán)利要求9所述的配線基板的制造方法，其中，形成所述第一導(dǎo)電層的步驟包括在所述絕緣性基板的所述表面上通過無電解鍍敷形成所述第一導(dǎo)電層的步驟。
11.如權(quán)利要求6所述的配線基板的制造方法，其中，蝕刻所述第一導(dǎo)電層的從所述第二導(dǎo)電層露出的所述部分的步驟包括沿所述第一導(dǎo)電層和所述第二導(dǎo)電層的界面在所述第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層上形成蜂腰狀部的步驟。
12.如權(quán)利要求6所述的配線基板的制造方法，其中，還包括在所述絕緣性基板的所述表面上形成孔的步驟和在所述孔中填充導(dǎo)電性材料的步驟，形成所述第一導(dǎo)電層的步驟包括形成第一導(dǎo)電層的步驟，以使所述第一導(dǎo)電層的所述第一面與所述導(dǎo)電層材料和所述絕緣性基板的所述表面相接。
全文摘要
一種配線基板，其包括絕緣性基板、絕緣性基板上的第一導(dǎo)電層、第一導(dǎo)電層上的第二導(dǎo)電層、覆蓋第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層的第三導(dǎo)電層。第一導(dǎo)電層具有設(shè)在絕緣性基板的表面上的面，和設(shè)于該面的相反一側(cè)并且寬度小于該面的面。在該配線基板中，即使在導(dǎo)電層中流動(dòng)的信號(hào)的頻率高，阻抗的增加也很少。
文檔編號(hào)H05K3/18GK1750734SQ20051009954
公開日2006年3月22日 申請(qǐng)日期2005年9月13日 優(yōu)先權(quán)日2004年9月13日
發(fā)明者須川俊夫, 東谷秀樹, 御崎拓己 申請(qǐng)人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會(huì)社