專(zhuān)利名稱(chēng)：像素電路、像素驅(qū)動(dòng)方法以及電子機(jī)器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種形成圖像的電光學(xué)裝置的像素電路、電光學(xué)裝置的像素電路的驅(qū)動(dòng)方法以及采用電光學(xué)裝置的電子機(jī)器。
背景技術(shù)：
作為電光學(xué)裝置，周知有液晶顯示裝置或有機(jī)EL(電致發(fā)光)顯示裝置等。有機(jī)EL顯示裝置，其構(gòu)成像素的電光學(xué)元件由有機(jī)EL材料組成，具有自然光、寬視野角、薄型、高速響應(yīng)、低消費(fèi)電能這樣的優(yōu)點(diǎn)特征，同時(shí)因通過(guò)采用多晶硅TFT(薄膜晶體管)的周邊電路，因而實(shí)現(xiàn)更加小型化、輕巧化而備受注目。
然而，由于這種有機(jī)EL顯示裝置的像素間的亮度存在零散，為對(duì)其抑制，提出了以電流編程方式為首的各種驅(qū)動(dòng)方式(例如專(zhuān)利文獻(xiàn)1)。
電流編程方式具有特征為由于在TFT飽和區(qū)域使TFT工作，因此能夠?qū)FT以及有機(jī)EL發(fā)光元件(以下稱(chēng)作“OLED”)的特性的零散進(jìn)行補(bǔ)償。
但是，以往的電流編程方式中，產(chǎn)生的問(wèn)題在于，因低灰度區(qū)域的寫(xiě)入不足、或驅(qū)動(dòng)晶體管的工作點(diǎn)的變動(dòng)隨著給OLED提供的電流的變化會(huì)產(chǎn)生灰度偏差。
這里，本發(fā)明人提出了一種“電流編程式的時(shí)間灰度方式”(特愿2003-367501號(hào))。
該技術(shù)，是一種對(duì)于具有保持電容器、驅(qū)動(dòng)晶體管、電光學(xué)元件的像素提供數(shù)據(jù)電流，并基于依據(jù)其數(shù)據(jù)電流值由驅(qū)動(dòng)晶體管提供的驅(qū)動(dòng)電流對(duì)電光學(xué)元件進(jìn)行驅(qū)動(dòng)的電光學(xué)元件的驅(qū)動(dòng)方法，該方法包含與輸入的灰度數(shù)據(jù)無(wú)關(guān)，將預(yù)定的一定值的數(shù)據(jù)電流提供給所述像素，并對(duì)所述電光學(xué)元件進(jìn)行驅(qū)動(dòng)的步驟，和基于灰度數(shù)據(jù)設(shè)置所述電光學(xué)元件的驅(qū)動(dòng)時(shí)間。這樣，就可以消除寫(xiě)入不足、工作點(diǎn)的變動(dòng)。
但是，在實(shí)際的OLED顯示屏中使用所述提案的技術(shù)的情況下，對(duì)于構(gòu)成顯示屏的各個(gè)像素，必須對(duì)各像素一個(gè)一個(gè)控制發(fā)光時(shí)間，因此控制工作或電路構(gòu)成變得很復(fù)雜。
專(zhuān)利文獻(xiàn)1美國(guó)專(zhuān)利第6229506B1號(hào)說(shuō)明書(shū)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明其目的在于提供一種更簡(jiǎn)單地構(gòu)成控制工作或電路構(gòu)成的電光學(xué)裝置的驅(qū)動(dòng)電路、驅(qū)動(dòng)方法以及電子機(jī)器。
為實(shí)現(xiàn)所述目的，本發(fā)明的像素電路，在使電光學(xué)元件發(fā)光的像素電路中，包含晶體管，其被插入到所述電光學(xué)元件的驅(qū)動(dòng)電流路徑中；電流值設(shè)定電路，其設(shè)定所述驅(qū)動(dòng)電流路徑的電流值；電平保存機(jī)構(gòu)，其存儲(chǔ)所供給的像素信號(hào)的電平；和比較電路，其將所存儲(chǔ)的像素信號(hào)電平和所供給的傾斜電平信號(hào)進(jìn)行比較，并基于比較結(jié)果對(duì)所述晶體管的工作進(jìn)行控制。
再有，本發(fā)明的像素電路，在使電光學(xué)元件發(fā)光的像素電路中，包含晶體管，其被插入到所述電光學(xué)元件的驅(qū)動(dòng)電流路徑中；電流值設(shè)定電路，其設(shè)定所述驅(qū)動(dòng)電流路徑的電流值；和比較電路，對(duì)于包含在時(shí)間軸上先行的一連串像素信號(hào)所組成的像素列信號(hào)部分和其后續(xù)的傾斜電平信號(hào)部分的復(fù)合信號(hào)，從該復(fù)合信號(hào)中抽出的1個(gè)像素信號(hào)，并將其電平和后續(xù)的傾斜電平信號(hào)進(jìn)行電平比較，基于比較結(jié)果對(duì)所述晶體管的工作時(shí)間進(jìn)行控制。
優(yōu)選，所述電流值設(shè)定電路包含驅(qū)動(dòng)晶體管，其被插入到所述驅(qū)動(dòng)電流路徑中；電流供給源，其向所述驅(qū)動(dòng)晶體管提供給定值的電流；和電容器，其向所述驅(qū)動(dòng)晶體管提供所述給定值的電流時(shí)，保存該驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極電壓。
優(yōu)選，所述電光學(xué)元件是有機(jī)EL發(fā)光元件。
本發(fā)明的電子機(jī)器，在圖像顯示器中含有上述像素電路。
本發(fā)明的像素驅(qū)動(dòng)方法，在使在基板上二維配置的多個(gè)像素發(fā)光的像素驅(qū)動(dòng)方法中，包含預(yù)先設(shè)定向各像素提供的電流強(qiáng)度的步驟；將各像素應(yīng)顯示的像素信號(hào)存儲(chǔ)在各像素的區(qū)域的步驟；和對(duì)所供給的傾斜電平信號(hào)和各像素的像素信號(hào)的電平進(jìn)行比較而根據(jù)所述電流強(qiáng)度對(duì)各像素的發(fā)光時(shí)間進(jìn)行控制的步驟。
本發(fā)明的像素驅(qū)動(dòng)方法，在使像素發(fā)光的像素驅(qū)動(dòng)方法中，包含預(yù)先設(shè)定向像素提供的電流強(qiáng)度的步驟；存儲(chǔ)所述像素應(yīng)顯示的像素信號(hào)的步驟；和將所供給的傾斜電平信號(hào)和所述像素的像素信號(hào)進(jìn)行比較而根據(jù)所述電流強(qiáng)度對(duì)所述像素的發(fā)光時(shí)間進(jìn)行控制的步驟。
本發(fā)明的像素驅(qū)動(dòng)方法，在使在基板上二維配置的多個(gè)電光學(xué)元件發(fā)光的像素驅(qū)動(dòng)方法中，包含預(yù)先設(shè)定向各電光學(xué)元件提供的電流強(qiáng)度的步驟；從包含在時(shí)間軸上先行的一連串像素信號(hào)組成的像素列信號(hào)部分和其后續(xù)的傾斜電平信號(hào)部分的復(fù)合信號(hào)中，選擇與各電光學(xué)元件的配置區(qū)域?qū)?yīng)的像素信號(hào)并存儲(chǔ)其電平的步驟；和將與各電光學(xué)元件的配置區(qū)域分別對(duì)應(yīng)的各像素信號(hào)的電平和所供給的傾斜電平信號(hào)進(jìn)行比較，并根據(jù)所述電流強(qiáng)度對(duì)各電光學(xué)元件的發(fā)光時(shí)間進(jìn)行控制的步驟。
本發(fā)明的像素驅(qū)動(dòng)方法，在使電光學(xué)元件發(fā)光的像素驅(qū)動(dòng)方法中，包含預(yù)先設(shè)定向所述電光學(xué)元件供給的電流強(qiáng)度的步驟；從包含在時(shí)間軸上先行的一連串像素信號(hào)組成的像素列信號(hào)部分和其后續(xù)的傾斜電平信號(hào)部分的復(fù)合信號(hào)中，抽出1個(gè)像素信號(hào)并存儲(chǔ)其電平的步驟；和對(duì)所存儲(chǔ)的所述像素信號(hào)的電平和所述傾斜電平信號(hào)的電平進(jìn)行比較，根據(jù)所設(shè)定的所述電流強(qiáng)度對(duì)所述電光學(xué)元件的發(fā)光時(shí)間進(jìn)行控制的步驟。
本發(fā)明中，采用電流編程方式的分時(shí)驅(qū)動(dòng)方式，由于其構(gòu)成為使用比較機(jī)構(gòu)(比較電路)作為像素的發(fā)光時(shí)間控制，因此可以避免煩雜的控制工作。
并且，本發(fā)明中，采用電流編程方式的分時(shí)驅(qū)動(dòng)方式，由于其構(gòu)成為，使用單一輸入型的比較機(jī)構(gòu)(比較電路)作為像素的發(fā)光時(shí)間控制，因此可以避免煩雜的控制工作。并且，能夠減少構(gòu)成像素電路的元件數(shù)量以及布線(xiàn)數(shù)量。


圖1表示說(shuō)明有機(jī)EL顯示裝置一例的框圖。
圖2表示說(shuō)明本發(fā)明的像素驅(qū)動(dòng)電路一例的電路圖。
圖3表示說(shuō)明圖2的像素驅(qū)動(dòng)電路中使用的比較電路一例的電路圖。
圖4表示比較電路的工作(SEL1電平H、SEL2電平L)的說(shuō)明圖。
圖5表示比較電路的工作(SEL1電平L、SEL2電平H)的說(shuō)明圖。
圖6表示說(shuō)明配置成矩陣狀的像素驅(qū)動(dòng)電路的工作時(shí)序圖。
圖7表示說(shuō)明其它的比較電路一例的電路圖。
圖8表示VREF的其它信號(hào)波形例的9表示VREF的其它信號(hào)波形例的圖。
圖10為說(shuō)明電光學(xué)裝置(有機(jī)EL顯示裝置)一例的框圖。
圖11表示說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施例1的像素電路一例的電路圖。
圖12表示說(shuō)明給圖11的像素電路提供的信號(hào)的時(shí)序圖。
圖13表示說(shuō)明像素電路的工作的說(shuō)明圖，同圖(a)表示信號(hào)SEL1電平“H”以及信號(hào)SEL2電平“L”的情況；同圖(b)表示信號(hào)SEL1電平“L”、信號(hào)SEL2電平“H”的情況。
圖14表示實(shí)施例2的像素電路的電路圖，圖15表示說(shuō)明給圖14的像素電路提供的信號(hào)時(shí)序圖。
圖16表示可應(yīng)用電光學(xué)裝置的電子機(jī)器一例的示意圖。
圖17為可應(yīng)用電光學(xué)裝置的電子機(jī)器一例的示意圖。
圖中10-有機(jī)EL顯示裝置(電光學(xué)裝置)，11-數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)部，12-掃描驅(qū)動(dòng)部，13-有源矩陣部，14-切換部，20-像素電路，23-比較電路，24-PMOS反相器電路，25-NMOS反相器電路。
具體實(shí)施例方式
本發(fā)明中，在驅(qū)動(dòng)電光學(xué)元件的像素時(shí)，預(yù)先設(shè)定根據(jù)電流編程方式給各像素提供的電流強(qiáng)度，并且，先將各像素應(yīng)顯示的像素信號(hào)存儲(chǔ)在像素的區(qū)域。接著，將傾斜電平信號(hào)提供給所有像素，并與各個(gè)像素的像素信號(hào)的電平進(jìn)行比較。基于其結(jié)果根據(jù)預(yù)先設(shè)定的電流強(qiáng)度對(duì)各像素的發(fā)光時(shí)間進(jìn)行控制。這樣，就能夠根據(jù)比較簡(jiǎn)單的控制順序進(jìn)行操作，實(shí)現(xiàn)多灰度的顯示器。
以下，關(guān)于本發(fā)明的實(shí)施例參照附圖進(jìn)行說(shuō)明。
實(shí)施例1圖1為本發(fā)明的電光學(xué)裝置的一例的有機(jī)EL顯示裝置的電連接的電路框圖。同圖中，有機(jī)EL顯示裝置10具有數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)部11、掃描驅(qū)動(dòng)部12以及有源矩陣部13。有源矩陣部13其構(gòu)成為使后述的多個(gè)像素電路20配列成矩陣狀。數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)部11其給各像素電路20提供相當(dāng)于圖像的各個(gè)像素亮度的模擬數(shù)據(jù)信號(hào)VDAT。掃描驅(qū)動(dòng)部12給各行的各像素電路20提供寫(xiě)入時(shí)選擇信號(hào)SEL1以及發(fā)光時(shí)選擇信號(hào)SEL2。并且，各像素電路20從未圖示的信號(hào)源接受所提供的一定的編程電流IPRG以及參照電位VREF，并從電源接受所提供的OLED的電源電壓VOEL。
如后述，通過(guò)掃描驅(qū)動(dòng)部12依次選擇有源矩陣部13的各行的像素電路組，并通過(guò)數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)部向各行的像素電路組寫(xiě)入相當(dāng)于發(fā)光時(shí)間的信號(hào)電平VDAT。通過(guò)對(duì)各像素電路中保存的信號(hào)電平VDAT和給各像素電路提供的傾斜電壓電平VREF進(jìn)行比較，決定作為像素的OLED的發(fā)光時(shí)間。
圖2表示所述的像素電路20的構(gòu)成例。像素電路20，由用于實(shí)現(xiàn)電流編程的電流編程電路21、對(duì)OLED進(jìn)行驅(qū)動(dòng)的驅(qū)動(dòng)電路22、比較電路23構(gòu)成，各電路中所示的晶體管，為薄膜晶體管(TFT)。
電流編程電路21，由在有機(jī)EL電源電壓VOEL和編程電流源IPRG之間串聯(lián)連接的保持電容器CS、NMOS晶體管T21以及T22構(gòu)成。保持電容器CS的兩端連接在后述的驅(qū)動(dòng)電路22的驅(qū)動(dòng)晶體管TDRV的柵極-源極之間。晶體管T21以及T22的公共連接部與PMOS的驅(qū)動(dòng)晶體管TDRV的漏極連接，并給兩個(gè)晶體管的柵極提供寫(xiě)入時(shí)選擇信號(hào)SEL1。
驅(qū)動(dòng)電路22，由在有機(jī)EL的電源電壓源VOEL和陰極電壓源VCAT之間串聯(lián)連接的、PMOS晶體管TDRV、給柵極提供發(fā)光時(shí)選擇信號(hào)SEL2的NMOS晶體管T23、給柵極由比較電路23提供的NMOS發(fā)光時(shí)間控制晶體管TETC、和OLED構(gòu)成。
電流編程電路21中，若寫(xiě)入時(shí)選擇信號(hào)SEL1為導(dǎo)通(電平H)、發(fā)光時(shí)選擇信號(hào)SEL2為截止(電平L)，則使晶體管T21以及T22導(dǎo)通，并使驅(qū)動(dòng)晶體管TDRV成二極管連接。若有編程電流IPR從編程電流源IPRG向驅(qū)動(dòng)晶體管TDRV流動(dòng)，則將電流IPR流動(dòng)的晶體管TDRV的柵極電壓存儲(chǔ)在保持電容器CS中。這樣，就可設(shè)定OLED的發(fā)光時(shí)間。
向比較電路23，輸入與發(fā)光時(shí)間對(duì)應(yīng)的該像素的模擬數(shù)據(jù)信號(hào)VDAT以及參照電位VREF。其輸出端與發(fā)光時(shí)間控制晶體管TETC的柵極端子連接。比較電路23，在數(shù)據(jù)信號(hào)VDAT超過(guò)傾斜電壓的參照電位VREF的期間內(nèi)，輸出為電平H。另外，當(dāng)晶體管TETC由PMOS晶體管構(gòu)成的情況下，數(shù)據(jù)信號(hào)VDAT超過(guò)傾斜電壓的參照電位VREF的期間內(nèi)，輸出為電平L。
圖3表示比較電路23的構(gòu)成例。如圖所示的有機(jī)EL電源VOEL以及電源VSS(0V)之間PMOS晶體管T231以及NMOS晶體管T232通過(guò)輸出端子OUT串聯(lián)連接。輸入端子VDAT和電源VSS之間串聯(lián)連接有NMOS晶體管T234以及T235。晶體管T234以及T235的連接點(diǎn)和晶體管T23 1的柵極之間連接有數(shù)據(jù)信號(hào)保持電容器CSD。輸入端子VREF和電源VSS之間串聯(lián)連接有NMOS晶體管T237以及T236。晶體管T237以及T236的連接點(diǎn)和晶體管T232的柵極之間連接有參照電位保持電容器CSR。晶體管T231以及晶體管T232的兩個(gè)柵極相互連接，并通過(guò)NMOS晶體管T233與輸出端子OUT連接。
給晶體管T233、T235、T236的各柵極提供寫(xiě)入時(shí)選擇信號(hào)SEL1、給晶體管T234以及T237的柵極提供發(fā)光時(shí)選擇信號(hào)SEL1。
在給比較電路23提供的寫(xiě)入時(shí)選擇信號(hào)SEL1成為電平“H”、發(fā)光時(shí)選擇信號(hào)SEL2成為電平“L”的情況下，比較電路23，使晶體管T233、T235以及T236導(dǎo)通、使T234以及T237成非導(dǎo)通狀態(tài)，其如圖4所示。根據(jù)給VDAT端子提供的模擬數(shù)據(jù)信號(hào)VDAT對(duì)數(shù)據(jù)保持電容器CSD充電，并保存該數(shù)據(jù)信號(hào)的電平。另一方面，使參照電位保持電容器CSR的一端與電源VSS連接。比較電路23的輸出成為由CMOS反相器的特性決定的反相器中心VN。
并且，在寫(xiě)入時(shí)選擇信號(hào)SEL1成為電平“L”，發(fā)光時(shí)選擇信號(hào)SEL2成為電平“H”的情況下，比較電路23，使晶體管T233、T235以及T236成非導(dǎo)通狀態(tài)，T234以及T237成導(dǎo)通狀態(tài)，其如圖5所示。輸入端子VREF以及電源VSS之間串聯(lián)連接有參照電位保持電容器CSR以及數(shù)據(jù)保持電容器CSD。數(shù)據(jù)保持電容器CSD的電荷極性翻轉(zhuǎn)后連接，參照電位保持電容器CSR以及數(shù)據(jù)保持電容器CSD的連接點(diǎn)為由PMOS晶體管T231以及NMOS晶體管T232組成的CMOS反相器的輸入端。
在初始狀態(tài)，CMOS反相器的輸入成為反相器中心VN，并維持中間的狀態(tài)。其結(jié)果，形成OELD的負(fù)載電流電路并使顯示元件發(fā)光。
接著，若給輸入端子提供參照電位信號(hào)VREF，則對(duì)參照電位保持電容器CSR充電，使數(shù)據(jù)保持電容器CSD的負(fù)電荷被抵消，且CMOS反相器的輸入向正方向變化。當(dāng)數(shù)據(jù)保持電容器CSD和參照電位保持電容器CSR相等時(shí)，CMOS反相器的輸入VN’，成為VN’＝VN+0.5(VREF-VDAT)。若參照電位信號(hào)VREF的電平超過(guò)數(shù)據(jù)保持電容器CSD中保存的電平，則CMOS反相器的輸入成為正電壓電平，晶體管T231成非導(dǎo)通狀態(tài)，晶體管T232成導(dǎo)通狀態(tài)，輸出端子OUT將電源VSS(電平L)向輸出端子OUT輸出。若向輸出端子OUT輸出電平L，則晶體管TETC成非導(dǎo)通狀態(tài)，OLED的負(fù)載電流電路被截?cái)喽癸@示元件熄燈。
這樣，比較電路23，將模擬數(shù)據(jù)信號(hào)VDAT蓄積在保持電容器CSD，并將參照電位VREF保存在保持電容器CSR。然后，當(dāng)數(shù)據(jù)信號(hào)VDAT比參照電位VREF大時(shí)，輸出OUT成為電平H。相反，當(dāng)數(shù)據(jù)信號(hào)VDAT比參照電位VREF還小時(shí)，則輸出OUT成為電平L。如上所述，比較電路23的輸出OUT成為晶體管TETC的柵極輸入。因此，就能夠依據(jù)給該像素提供的模擬數(shù)據(jù)信號(hào)VDAT的電平相應(yīng)地對(duì)OLED的發(fā)光時(shí)間進(jìn)行控制。
圖6為說(shuō)明從數(shù)據(jù)信號(hào)的寫(xiě)入到發(fā)光為止一連串的工作的時(shí)序圖。另外，寫(xiě)入時(shí)選擇信號(hào)SEL1與有源矩陣部13對(duì)應(yīng)設(shè)置為n行。發(fā)光時(shí)選擇信號(hào)SEL2也設(shè)置成n行，但僅顯示1行的SEL2(*)。從數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)部11輸出的模擬數(shù)據(jù)信號(hào)VDAT僅表示有源矩陣部13的1列的信號(hào)。由于參照電位VREF為由各像素公共的波形，因此僅表示一個(gè)信號(hào)。
如圖所示，相當(dāng)于像素的1個(gè)畫(huà)面的顯示處理期間的1幀期間分為寫(xiě)入期間和發(fā)光期間。在前半部分的寫(xiě)入期間，將掃描驅(qū)動(dòng)部12、各行的寫(xiě)入時(shí)選擇信號(hào)SEL1(1)～SEL1(n)依次設(shè)定為電平H。數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)部11與寫(xiě)入時(shí)選擇信號(hào)SEL1(1)～SEL1(n)同步，給各行的像素提供模擬數(shù)據(jù)信號(hào)VDAT，并將模擬數(shù)據(jù)信號(hào)VDAT的信號(hào)電平存儲(chǔ)在各像素的保持電容器CSD。在寫(xiě)入期間內(nèi)，還給各像素提供編程電流IPRG，如上所述，通過(guò)與所提供的寫(xiě)入選擇信號(hào)SEL1以及發(fā)光時(shí)選擇信號(hào)SEL2對(duì)應(yīng)的驅(qū)動(dòng)電路的工作，由于驅(qū)動(dòng)晶體管TDRV使該編程電流IPRG流動(dòng)，因此將必要的柵極電壓蓄積在保持電容器CS上。
在后半部分的發(fā)光期間，各行的發(fā)光時(shí)選擇信號(hào)SEL2(1)～SEL2(n) (圖中作為SEL2(*)表示)全部為電平H，所有像素的發(fā)光時(shí)選擇信號(hào)全部為電平H，并將參照電位VREF提供給保持電容器CSR(參照?qǐng)D5)。本實(shí)施例中，參照電位VREF是隨著時(shí)間經(jīng)過(guò)而電平上升的掃描信號(hào)。比較電路23，對(duì)在先前的寫(xiě)入期間存儲(chǔ)的模擬數(shù)據(jù)信號(hào)VDAT和參照電位VREF進(jìn)行比較。
在數(shù)據(jù)信號(hào)VDAT比參照電位VREF大的情況下，比較電路的輸出OUT成為電平H，發(fā)光時(shí)間控制晶體管TETC成導(dǎo)通狀態(tài)。其結(jié)果，進(jìn)入向OLED提供在寫(xiě)入期間存儲(chǔ)的編程電流IPRG后，該OLED成為發(fā)光狀態(tài)。另一方面，當(dāng)數(shù)據(jù)信號(hào)VDAT比參照電位VREF小的情況下，比較電路的輸出OUT為截止?fàn)顟B(tài)。其結(jié)果，進(jìn)入沒(méi)有給OLED提供編程電流IPRG，OLED為非發(fā)光狀態(tài)。由于將參照電位VREF作為掃描信號(hào)，因此能夠根據(jù)在寫(xiě)入期間存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)信號(hào)VDAT的大小對(duì)OLED的發(fā)光時(shí)間進(jìn)行控制。
實(shí)施例2比較電路的構(gòu)成并不限定于圖2所述。例如，如圖7所示，可以使一部分的晶體管T236以及T237由多個(gè)像素公用(共用)。同圖中，與圖3對(duì)應(yīng)的部分附加同一符號(hào)。工作由于與圖3的比較電路相同，省略對(duì)其說(shuō)明。比較電路只要工作相同，即使構(gòu)成不同也可。
實(shí)施例3給比較電路提供的參照電位，可以采用各種方式。圖8所示的例中，作為參照電位VREF，可使用在1幀周期的中央部位，信號(hào)電平為最小值的M狀的信號(hào)波形。盡管是這樣的掃描信號(hào)，也能夠依據(jù)在數(shù)據(jù)保持電容器CSD中保存的模擬數(shù)據(jù)信號(hào)VDAT的信號(hào)電平相應(yīng)地對(duì)OLED的發(fā)光電流IOLED的供給時(shí)間(發(fā)光時(shí)間)進(jìn)行控制。
并且，在給如圖9所示的比較電路提供的參照電位的例中，作為參照電位VREF，可使用在1幀周期中信號(hào)電平為最小值的2個(gè)地方的W狀的信號(hào)波形。通過(guò)采用這樣的掃描信號(hào)，就能夠控制使OLED的發(fā)光電流IOLED的供給時(shí)間(發(fā)光時(shí)間)進(jìn)一步變少。即，能夠使OLED發(fā)光時(shí)和非發(fā)光時(shí)的間隔變短。這樣，在圖像再生時(shí)，能夠得到視覺(jué)上更加流暢的顯示圖像。
還有，雖然未圖示，也可以采用作為參照電位VREF的鋸齒狀的信號(hào)波形。
根據(jù)所述的實(shí)施例，在根據(jù)采用電流編程的分時(shí)灰度方式對(duì)OLED進(jìn)行驅(qū)動(dòng)時(shí)，通過(guò)使用作為時(shí)間控制機(jī)構(gòu)的比較電路就能夠同時(shí)對(duì)構(gòu)成有源矩陣的各像素的灰度進(jìn)行控制。還可以避免各個(gè)像素的煩雜的控制工作，同時(shí)可抑制根據(jù)以往的電流編程方式產(chǎn)生的灰度偏差。
并且，通過(guò)采用所述實(shí)施例的像素的驅(qū)動(dòng)電路，預(yù)先設(shè)定給像素提供的電流強(qiáng)度，將各像素應(yīng)顯示的像素信號(hào)存儲(chǔ)在各像素的區(qū)域，并對(duì)所供給的傾斜電平信號(hào)和各像素的像素信號(hào)的電平進(jìn)行比較，根據(jù)電流強(qiáng)度對(duì)各像素的發(fā)光時(shí)間進(jìn)行控制，成為可執(zhí)行使在基板上二維配置的多個(gè)像素發(fā)光的像素驅(qū)動(dòng)方法。
實(shí)施例4關(guān)于本發(fā)明的實(shí)施例4參照?qǐng)D10乃至圖13進(jìn)行說(shuō)明。
本實(shí)施例中，在像素電路的電光學(xué)元件的電流路徑中設(shè)置發(fā)光時(shí)間控制晶體管(TFT)。使發(fā)光時(shí)間控制晶體管的柵極-漏極之間短路，存儲(chǔ)閾值的同時(shí)將相當(dāng)于發(fā)光時(shí)間的模擬信號(hào)存儲(chǔ)在各像素電路中。并將參照電位(掃描信號(hào))同時(shí)提供給所有像素電路，根據(jù)模擬信號(hào)和參照電位的大小關(guān)系，對(duì)發(fā)光時(shí)間控制晶體管的導(dǎo)通/截止工作進(jìn)行控制，由此對(duì)各像素電路的電光學(xué)元件的發(fā)光時(shí)間進(jìn)行控制。
圖10表示作本發(fā)明的電光學(xué)裝置的一例的有機(jī)EL顯示裝置10的電連接的電路框圖。同圖中，有機(jī)EL顯示裝置10具有數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)部11、掃描驅(qū)動(dòng)部12、有源矩陣部13以及切換部14。有源矩陣部13由后述的多個(gè)像素電路20配置成矩陣狀而構(gòu)成。數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)部11輸出相當(dāng)于圖像的各像素的亮度的模擬數(shù)據(jù)信號(hào)VDAT。切換部14，選擇性地切換模擬數(shù)據(jù)信號(hào)VDAT以及從未圖示的信號(hào)源輸出的參照電位VREF并提供給各像素電路20。掃描驅(qū)動(dòng)部12，向各行的各像素電路20提供寫(xiě)入時(shí)選擇信號(hào)SEL1以及發(fā)光時(shí)選擇信號(hào)SEL2。并且，各像素電路20從后述的電流源接受所提供的一定的編程電流IPRG，并從電源接受所提供的OLED的電源電壓VOEL。
掃描驅(qū)動(dòng)部12依次對(duì)有源矩陣部13的各行像素電路組進(jìn)行選擇。其中，切換部14，選擇數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)部11的輸出，并向各行的像素電路組寫(xiě)入相當(dāng)于各像素的發(fā)光時(shí)間的信號(hào)電平VDAT。若向所有像素電路20寫(xiě)入像素?cái)?shù)據(jù)(模擬數(shù)據(jù)信號(hào))結(jié)束，則切換部14選擇參照電位VREF并提供給所有像素電路20。通過(guò)對(duì)所有像素電路20中保存的信號(hào)電平VDAT和給所有像素電路20中提供的傾斜電壓電平VREF進(jìn)行比較，決定作為像素的OLED的發(fā)光時(shí)間。
圖11表示所述像素電路20的構(gòu)成例。像素電路20，由用于實(shí)現(xiàn)電流編程的電流編程電路21、對(duì)OLED進(jìn)行驅(qū)動(dòng)的驅(qū)動(dòng)電路22、PMOS反相器電路24構(gòu)成。各電路中所示的晶體管為薄膜晶體管(TFT)。
電流編程電路21，由在有機(jī)EL電源電壓VOEL和編程電流源IPRG之間串聯(lián)連接的、保持電容器CS、NMOS晶體管T21以及T22構(gòu)成。保持電容器CS的兩端均連接在后述的驅(qū)動(dòng)電路22的驅(qū)動(dòng)晶體管TDRV的柵極-源極之間。晶體管T21以及T22的公共連接部與PMOS的驅(qū)動(dòng)晶體管TDRV的漏極連接，并給兩個(gè)晶體管的柵極提供寫(xiě)入時(shí)選擇信號(hào)SEL1。
驅(qū)動(dòng)電路22，由在有機(jī)EL的電源電壓源VOEL和陰極電壓源VCAT之間串聯(lián)連接的、PMOS晶體管TDRV、給柵極提供發(fā)光時(shí)選擇信號(hào)SEL2的NMOS晶體管T23、和OLED構(gòu)成。
PMOS反相器電路24，由在OLED電流路徑中設(shè)置的發(fā)光時(shí)間控制晶體管TETC、在發(fā)光時(shí)間控制晶體管TETC的柵極-漏極之間連接的閾值初始化晶體管TINI以及與發(fā)光時(shí)間控制晶體管TETC的柵極連接的數(shù)據(jù)信號(hào)保持電容器CD構(gòu)成。通過(guò)數(shù)據(jù)信號(hào)保持電容器CD向發(fā)光時(shí)間控制晶體管TETC提供復(fù)合信號(hào)VDAT/VREF。給閾值初始化晶體管TINI的柵極提供寫(xiě)入選擇信號(hào)SEL1。
如后述，PMOS反相器電路24作為對(duì)模擬數(shù)據(jù)信號(hào)VDAT的電平和參照電位VREF的電平進(jìn)行比較的比較器發(fā)揮功能。
復(fù)合信號(hào)VDAT/VREF，根據(jù)切換電路14的工作，由在1幀周期的前半部分承載像素列數(shù)據(jù)的模擬數(shù)據(jù)信號(hào)(VDAT)部分；和作為在1幀周期的后半部分的傾斜電平信號(hào)(掃描信號(hào))的參照電位VREF部分構(gòu)成(參照后述的圖12)。
PMOS反相器電路24，在模擬信號(hào)VDAT比參照電位VREF小的情況下，發(fā)光時(shí)間控制晶體管TETC成導(dǎo)通狀態(tài)。模擬信號(hào)VDAT比參照電位VREF小的情況下，發(fā)光時(shí)間控制晶體管TETC成非導(dǎo)通狀態(tài)。
在電流編程電路21中，若寫(xiě)入時(shí)選擇信號(hào)SEL1成導(dǎo)通狀態(tài)(電平H)，發(fā)光選擇信號(hào)SEL2成截止?fàn)顟B(tài)(電平L)，則晶體管T21以及T22成導(dǎo)通狀態(tài)，驅(qū)動(dòng)晶體管TDRV成二極管連接。若有編程電流IPR從編程電流源IPRG向驅(qū)動(dòng)晶體管TDRV流動(dòng)，則將電流IPR流動(dòng)的晶體管TDRV的柵極電壓(閾值電壓)存儲(chǔ)在保持電容器CS中。這樣，就可設(shè)定有機(jī)EL顯示元件的發(fā)光電流。
圖12為對(duì)從數(shù)據(jù)信號(hào)的寫(xiě)入到發(fā)光為止的一連串工作進(jìn)行說(shuō)明的時(shí)序圖。作為掃描驅(qū)動(dòng)部12的輸出的寫(xiě)入時(shí)選擇信號(hào)SEL1與有源矩陣13對(duì)應(yīng)設(shè)置成n行。發(fā)光時(shí)選擇信號(hào)SEL2也設(shè)置成n行，但圖中只表示作為1行的SEL2(*)。從切換部14輸出的復(fù)合信號(hào)VDAT/VREF僅表示有源矩陣部13的1列的信號(hào)。
如圖所示，將相當(dāng)于像素的1個(gè)畫(huà)面的顯示處理期間的1幀期間分成前半部分的寫(xiě)入期間和后半部分的發(fā)光期間。在寫(xiě)入期間，掃描驅(qū)動(dòng)部12，將各行的寫(xiě)入時(shí)選擇信號(hào)SEL1(1)～SEL1(n)依次設(shè)定為電平H。
如圖13(a)所示，閾值初始化晶體管TINI成導(dǎo)通狀態(tài)，發(fā)光時(shí)間控制晶體管TETC的柵極-漏極之間短路，成二極管連接的發(fā)光時(shí)間控制晶體管TETC的柵極電壓VG中出現(xiàn)閾值電壓。
并且，切換部14與寫(xiě)入時(shí)選擇信號(hào)SEL1(1)～SEL1(n)同步向各行的像素提供復(fù)合信號(hào)的模擬數(shù)據(jù)信號(hào)VDAT，并將模擬數(shù)據(jù)信號(hào)VDAT的信號(hào)電平存儲(chǔ)在各像素的保持電容器CD。在寫(xiě)入期間內(nèi)，還向各像素提供編程電流IPRG。如上所述，與寫(xiě)入時(shí)選擇信號(hào)SEL1電平H以及發(fā)光時(shí)選擇信號(hào)SEL2電平L對(duì)應(yīng)通過(guò)使晶體管T21以及T22成導(dǎo)通狀態(tài)，晶體管T23成非導(dǎo)通狀態(tài)，由于驅(qū)動(dòng)晶體管TDRV流動(dòng)該編程電流IPRG，因此將必要的柵極電壓蓄積在保持電容器CS。
如圖12所示，在后半部分的發(fā)光期間，各行的發(fā)光時(shí)選擇信號(hào)SEL2(1)～SEL(n)(圖中作為SEL2(*)表示)同時(shí)為電平H，所有像素的發(fā)光時(shí)選擇信號(hào)SEL2同時(shí)為電平H，通過(guò)切換部14的切換工作，將復(fù)合信號(hào)VDAT/VREF的參照電位VREF提供給保持電容器CD。本實(shí)施例中，參照電位VREF為隨著時(shí)間經(jīng)過(guò)而電平下降的掃描信號(hào)。
PMOS反相器電路24，根據(jù)在之前的寫(xiě)入期間在數(shù)據(jù)信號(hào)保持電容器CD中保存的模擬數(shù)據(jù)信號(hào)VDAT和參照電位VREF的大小關(guān)系，決定發(fā)光時(shí)間控制晶體管TETC的工作。
在數(shù)據(jù)信號(hào)VDAT比參照電位VREF小的情況下，如圖13(b)所示，發(fā)光時(shí)間控制晶體管TETC成導(dǎo)通狀態(tài)，其結(jié)果，給OLED提供在寫(xiě)入期間存儲(chǔ)的編程電流IPRG后，該OLED成為發(fā)光狀態(tài)。
另一方面，在數(shù)據(jù)信號(hào)VDAT比參照電位VREF大的情況下，發(fā)光時(shí)間控制晶體管TETC成非導(dǎo)通狀態(tài)。其結(jié)果，不給OLED提供編程電流IPRG，該OLED成非發(fā)光狀態(tài)。
由于將實(shí)施例中的參照電位VREF作為掃描信號(hào)，因此可根據(jù)在寫(xiě)入期間存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)信號(hào)VDAT的大小對(duì)OLED的發(fā)光時(shí)間進(jìn)行控制。
這樣，實(shí)施例的像素驅(qū)動(dòng)方法，預(yù)先設(shè)定給各電光學(xué)元件提供的電流強(qiáng)度(編程電流方式)、從含有在時(shí)間軸上先行的一連串的像素信號(hào)組成的像素列信號(hào)部分和此后續(xù)的傾斜電平信號(hào)部分的復(fù)合信號(hào)中選擇與各電光學(xué)元件的配置區(qū)域?qū)?yīng)的像素信號(hào)并存儲(chǔ)其電平，并對(duì)在各電光學(xué)元件的配置區(qū)域分別對(duì)應(yīng)的各像素信號(hào)的電平和所提供的傾斜電平信號(hào)的電平進(jìn)行比較，并根據(jù)電流強(qiáng)度對(duì)各電光學(xué)元件的發(fā)光時(shí)間進(jìn)行控制。
實(shí)施例5圖14以及圖15表示本發(fā)明的第5實(shí)施例。圖14中，對(duì)于與圖11所示的像素電路20對(duì)應(yīng)的部分附加同一符號(hào)，并省略該部分說(shuō)明。
本實(shí)施例中，第4實(shí)施例的PMOS反相器電路24由NMOS反相器電路25構(gòu)成。NMOS反相器電路25由NMOS發(fā)光時(shí)間控制晶體管TETC、在發(fā)光時(shí)間控制晶體管TETC的柵極-漏極之間連接的閾值初始化晶體管TINI以及數(shù)據(jù)信號(hào)保持電容器CD構(gòu)成。其它電路構(gòu)成與圖11所示的構(gòu)成相同。
該NMOS反相器電路25中，當(dāng)模擬信號(hào)VDAT比參照電位VREF大的情況下，使發(fā)光時(shí)間控制晶體管TETC成導(dǎo)通狀態(tài)。相反，在模擬信號(hào)VDAT比參照電位為VREF小的情況下，發(fā)光時(shí)間控制晶體管TETC成非導(dǎo)通狀態(tài)。
這里，如圖15的時(shí)序圖所示，通過(guò)使參照電位VREF的掃描變化方向與第4實(shí)施例的情況相反(增加方向)，即使在采用NMOS反相器電路25的情況下，也能夠得到與第4實(shí)施例的像素電路20相同的作用。
根據(jù)所述實(shí)施例，根據(jù)采用電流編程的分時(shí)灰度方式對(duì)OLED進(jìn)行驅(qū)動(dòng)時(shí)，通過(guò)應(yīng)用作為時(shí)間控制機(jī)構(gòu)的單通道反相器，就能夠同時(shí)對(duì)構(gòu)成有源矩陣的各像素的灰度進(jìn)行控制。還可以避免各像素的煩雜的控制工作，同時(shí)抑制在以往的電流編程方式中出現(xiàn)的灰度偏差。并且，與采用雙輸入的比較電路作為發(fā)光時(shí)間的控制機(jī)構(gòu)的情況相比，能夠大幅度減少元件數(shù)量以及布線(xiàn)數(shù)量。容易確保作為顯示裝置的重要的開(kāi)口率。根據(jù)元件數(shù)量的減少而可靠性提高的觀(guān)點(diǎn)，成為優(yōu)選。
并且，通過(guò)使用所述實(shí)施例的像素驅(qū)動(dòng)電路，預(yù)先設(shè)定給各電光學(xué)元件提供的電流強(qiáng)度，并從含有在時(shí)間軸上先行的一連串的像素信號(hào)組成的像素列信號(hào)部分和其后續(xù)的傾斜電平信號(hào)部分的復(fù)合信號(hào)中選擇與各電光學(xué)元件的配置區(qū)域?qū)?yīng)的像素信號(hào)并存儲(chǔ)其電平，并對(duì)在各電光學(xué)元件的配置區(qū)域分別對(duì)應(yīng)的各像素信號(hào)的電平和所提供的傾斜電平信號(hào)進(jìn)行比較，根據(jù)電流強(qiáng)度對(duì)各電光學(xué)元件的發(fā)光時(shí)間進(jìn)行控制，就能夠?qū)崿F(xiàn)使在基板上二維配置的多個(gè)電光學(xué)元件發(fā)光的像素驅(qū)動(dòng)方法。
實(shí)施例6圖16以及圖17表示應(yīng)用所述的電光學(xué)裝置(圖像顯示器)的電子機(jī)器一例的示意圖。
圖16(A)為應(yīng)用于移動(dòng)電話(huà)機(jī)的一例，該移動(dòng)電話(huà)機(jī)230含有天線(xiàn)部231、聲音輸出部232、聲音輸入部233、操作部234、以及本發(fā)明的電光學(xué)裝置200。這樣本發(fā)明的電光學(xué)裝置就可以作為顯示部利用。
圖16(B)為應(yīng)用于攝像機(jī)的一例，該攝像機(jī)240含有受像部241、操作部242、聲音輸入部243、以及本發(fā)明的電光學(xué)裝置200。
圖16(C)為應(yīng)用于移動(dòng)型個(gè)人計(jì)算機(jī)(所謂PDA)的一例，該計(jì)算機(jī)250含有相機(jī)部251、操作部252、以及本發(fā)明的電光學(xué)裝置200。
圖16(D)為應(yīng)用于頭置顯示器的一例，該頭置顯示器260含有頭戴帶261、光學(xué)容納部262以及本發(fā)明的電光學(xué)裝置200。
圖16(E)為應(yīng)用于背投型投影儀的一例，該投影儀270，在筐體271中包含光源272、合成光學(xué)系統(tǒng)273、反射鏡274、275、屏幕276、以及本發(fā)明的電光學(xué)裝置200。
圖16(F)為應(yīng)用于前投型投影儀的一例，該投影儀280，在筐體282中含有光學(xué)系統(tǒng)281以及本發(fā)明的電光學(xué)裝置200，且可在屏幕283上顯示圖像。
圖17(A)為應(yīng)用于電視機(jī)的一例，該電視機(jī)300，具有本發(fā)明的電光學(xué)裝置200。另，對(duì)于個(gè)人計(jì)算機(jī)等中采用的監(jiān)視裝置也同樣適用本發(fā)明的電光學(xué)裝置。圖17(B)為應(yīng)用于滾動(dòng)式電視機(jī)的一例，該滾動(dòng)式電視機(jī)310具有本發(fā)明的電光學(xué)裝置200。
權(quán)利要求
1.一種像素電路，其使電光學(xué)元件發(fā)光，包含晶體管，其被插入到所述電光學(xué)元件的驅(qū)動(dòng)電流路徑中；電流值設(shè)定電路，其設(shè)定所述驅(qū)動(dòng)電流路徑的電流值；電平保存機(jī)構(gòu)，其存儲(chǔ)所供給的像素信號(hào)的電平；和比較電路，其將所存儲(chǔ)的像素信號(hào)電平和所供給的傾斜電平信號(hào)進(jìn)行比較，并基于比較結(jié)果對(duì)所述晶體管的工作進(jìn)行控制。
2.一種像素電路，其使電光學(xué)元件發(fā)光，包含晶體管，其被插入到所述電光學(xué)元件的驅(qū)動(dòng)電流路徑中；電流值設(shè)定電路，其設(shè)定所述驅(qū)動(dòng)電流路徑的電流值；和比較電路，對(duì)于包含在時(shí)間軸上先行的一連串像素信號(hào)所組成的像素列信號(hào)部分和其后續(xù)的傾斜電平信號(hào)部分的復(fù)合信號(hào)，從該復(fù)合信號(hào)中抽出的1個(gè)像素信號(hào)，并將其電平和后續(xù)的傾斜電平信號(hào)進(jìn)行電平比較，基于比較結(jié)果對(duì)所述晶體管的工作時(shí)間進(jìn)行控制。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的像素電路，其特征在于，所述電流值設(shè)定電路包含驅(qū)動(dòng)晶體管，其被插入到所述驅(qū)動(dòng)電流路徑中；電流供給源，其向所述驅(qū)動(dòng)晶體管提供給定值的電流；和電容器，其向所述驅(qū)動(dòng)晶體管提供所述給定值的電流時(shí)，保存該驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極電壓。
4.根據(jù)權(quán)利要求1～3中任一項(xiàng)所述的像素電路，其特征在于，所述電光學(xué)元件是有機(jī)EL發(fā)光元件。
5.一種電子機(jī)器，其特征在于，圖像顯示器中含有權(quán)利要求1～4中任一項(xiàng)所述的像素電路。
6.一種像素驅(qū)動(dòng)方法，使在基板上二維配置的多個(gè)像素發(fā)光，包含預(yù)先設(shè)定向各像素提供的電流強(qiáng)度的步驟；將各像素應(yīng)顯示的像素信號(hào)存儲(chǔ)在各像素的區(qū)域的步驟；和對(duì)所供給的傾斜電平信號(hào)和各像素的像素信號(hào)的電平進(jìn)行比較而根據(jù)所述電流強(qiáng)度對(duì)各像素的發(fā)光時(shí)間進(jìn)行控制的步驟。
7.一種像素驅(qū)動(dòng)方法，使像素發(fā)光，包含預(yù)先設(shè)定向像素提供的電流強(qiáng)度的步驟；存儲(chǔ)所述像素應(yīng)顯示的像素信號(hào)的步驟；和將所供給的傾斜電平信號(hào)和所述像素的像素信號(hào)進(jìn)行比較而根據(jù)所述電流強(qiáng)度對(duì)所述像素的發(fā)光時(shí)間進(jìn)行控制的步驟。
8.一像種素驅(qū)動(dòng)方法，使在基板上二維配置的多個(gè)電光學(xué)元件發(fā)光，包含預(yù)先設(shè)定向各電光學(xué)元件提供的電流強(qiáng)度的步驟；從包含在時(shí)間軸上先行的一連串像素信號(hào)組成的像素列信號(hào)部分和其后續(xù)的傾斜電平信號(hào)部分的復(fù)合信號(hào)中，選擇與各電光學(xué)元件的配置區(qū)域?qū)?yīng)的像素信號(hào)并存儲(chǔ)其電平的步驟；和將與各電光學(xué)元件的配置區(qū)域分別對(duì)應(yīng)的各像素信號(hào)的電平和所供給的傾斜電平信號(hào)進(jìn)行比較，并根據(jù)所述電流強(qiáng)度對(duì)各電光學(xué)元件的發(fā)光時(shí)間進(jìn)行控制的步驟。
9.一種像素驅(qū)動(dòng)方法，使電光學(xué)元件發(fā)光，包含預(yù)先設(shè)定向所述電光學(xué)元件供給的電流強(qiáng)度的步驟；從包含在時(shí)間軸上先行的一連串像素信號(hào)組成的像素列信號(hào)部分和其后續(xù)的傾斜電平信號(hào)部分的復(fù)合信號(hào)中，抽出1個(gè)像素信號(hào)并存儲(chǔ)其電平的步驟；和對(duì)所存儲(chǔ)的所述像素信號(hào)的電平和所述傾斜電平信號(hào)的電平進(jìn)行電平比較，根據(jù)所設(shè)定的所述電流強(qiáng)度對(duì)所述電光學(xué)元件的發(fā)光時(shí)間進(jìn)行控制的步驟。
全文摘要
提供一種使電光學(xué)元件(OLED)發(fā)光的像素電路(20)，包含晶體管(TETC)，被插入到所述電光學(xué)元件的驅(qū)動(dòng)電流路徑中；電流值設(shè)定電路(21)，其設(shè)定所述驅(qū)動(dòng)電流路徑的電流值；電平保存機(jī)構(gòu)(CSD)，其對(duì)所供給的像素信號(hào)的電平進(jìn)行存儲(chǔ)；和比較電路(23)，其將所存儲(chǔ)的像素信號(hào)電平和所供給的傾斜電平信號(hào)(VREF)進(jìn)行比較，基于比較結(jié)果對(duì)晶體管(TETC)的工作進(jìn)行控制。這樣，可以更簡(jiǎn)單地構(gòu)成控制工作和電路構(gòu)成。
文檔編號(hào)H05B33/02GK1755778SQ200510106999
公開(kāi)日2006年4月5日 申請(qǐng)日期2005年9月29日 優(yōu)先權(quán)日2004年9月30日
發(fā)明者原弘幸 申請(qǐng)人:精工愛(ài)普生株式會(huì)社