專利名稱：印刷電路板及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及印刷電路板及其制造方法，尤其涉及具有實現(xiàn)高密度布線化的精細(xì)電路布圖的印刷電路板及其制造方法。
背景技術(shù)：
印刷電路板的電路形成方法分為兩大類在銅箔等金屬箔上形成抗蝕圖，對從該抗蝕圖暴露出的金屬箔進(jìn)行蝕刻處理形成電路布圖的減成法(subtractivemethod)；形成與電路相反布圖的抗鍍膜，讓金屬鍍層在該抗鍍膜開口部析出形成電路布圖的加成法(additive method)。
減成法與加成法相比制造工藝簡單，所以可以非常低價地制造，但是在形成通孔和盲導(dǎo)通孔(blind-via-hole)等時，必需對絕緣基板整體進(jìn)行化學(xué)鍍和電鍍，因此蝕刻的導(dǎo)體厚度(金屬箔+鍍膜)變得非常厚，難以較好地形成電路。該方法尤其不適合布圖寬度/布圖間距＝75μm/75μm以下的精細(xì)電路布圖的形成。
相反，加成法有利于精細(xì)電路布圖的形成，由于在絕緣層上析出金屬鍍層形成電路布圖，與像減成法那樣，加工從開始就將金屬箔層合在絕緣層上的絕緣基板相比，具有電路布圖的粘附性差等問題。
而且，由于在印刷電路板的設(shè)計上，電路布圖在基板面內(nèi)不均一地形成，如果像加成法那樣用選擇電鍍形成電路布圖，則在電路布圖較粗的部分電流過于集中，電路布圖的厚度不均變得嚴(yán)重，結(jié)果產(chǎn)生難以使阻抗匹配等問題。
作為解決這樣的問題的方法，本發(fā)明人發(fā)明了如圖6(該圖6表示了激光加工和曝光步驟中無位置偏差的狀態(tài))所示結(jié)構(gòu)的印刷電路板的制造方法，并且該發(fā)明已經(jīng)被作為專利公開(參見專利文獻(xiàn)1)。
圖6表示了在未圖示的內(nèi)層芯板上形成層合電路層的例子，首先，如圖6(a)所示，在形成于內(nèi)層的下層電路布圖3的形成層上依次層合絕緣層1和銅箔等金屬箔2(例如層合帶樹脂的銅箔)，接著通過激光照射，鉆出至下層電路布圖3的非貫穿孔7(參見圖6(b))。
接著，對該非貫穿孔7進(jìn)行去鉆污(desmear)處理后，如圖6(c)所示，通過置換型化學(xué)鍍處理，在金屬箔2的側(cè)面及表面和從非貫穿孔7暴露出來的下層電路布圖3的表面形成隔離金屬層6(例如Ni-B和Ni-P等)。
接著，在包括非貫穿孔7的外層整個表面形成未圖示的化學(xué)鍍層(例如化學(xué)鍍銅層)后，通過進(jìn)行電鍍(例如使用填孔用的電鍍液的電解鍍銅)處理，在向非貫穿孔7填充電鍍層8的同時也使該電鍍層8在外層析出(參見圖6(d))。
接著，如圖6(e)所示，進(jìn)行盲導(dǎo)通孔10及其圓形盤部分(下稱“電鍍圓8a”)的布圖形成后，如圖6(f)所示，將暴露于外層的隔離金屬層6蝕刻除去，然后，通過在暴露的金屬箔2上進(jìn)行電路形成，得到在外層形成上層電路布圖4的圖6(g)的印刷電路板Pa。
這樣向盲導(dǎo)通孔填充電鍍層時，在外層也析出電鍍層，所以與只在盲導(dǎo)通孔的形成部分析出電鍍層的情況相比，可以穩(wěn)定地向盲導(dǎo)通孔填充電鍍層(可以消除由于析出電鍍層區(qū)域的疏密產(chǎn)生的電鍍層析出量的不均)，同時由于是蝕刻從開始就層合在絕緣層上的金屬箔形成電路布圖，因此該電路布圖對絕緣層的粘附性也能夠得到保證。而且，由于用隔離金屬層保護(hù)金屬箔可以保證一定的厚度，所以能夠容易地形成精細(xì)電路布圖(相當(dāng)于圖中的上層電路布圖4)。
但是在上述結(jié)構(gòu)中，由于需要鉆非貫穿孔7時的激光加工、電鍍圓8a和金屬箔圓形盤2a(圖6(g)所示進(jìn)行金屬箔2的電路形成所得到的最外面的圓形盤)的形成時的曝光步驟共3次加工，如果考慮所有的校準(zhǔn)精度則圓的直徑(相當(dāng)于上述金屬箔圓形盤2a)則變得相當(dāng)大，成為高密度布線化的阻礙(這在事先在金屬箔上蝕刻加工激光加工用的窗口部分再打非貫穿孔的工藝中也是一樣)。
如果簡單地說，由于從金屬箔2上直接進(jìn)行激光加工，就激光加工機(jī)的加工精度，會發(fā)生從基準(zhǔn)點起半徑20μm(直徑40μm)左右范圍的位置偏差，所以在之后蝕刻電鍍層8形成電鍍圓8a的時候，不得不考慮上述位置偏差量來形成。
即，圖7(a)是圖6(b)的步驟中打好的非貫穿孔7的俯視平面圖，如果將該非貫穿孔7作為基準(zhǔn)位置，位置偏差發(fā)生在用虛線表示的范圍內(nèi)(比非貫穿孔7的直徑L1大40μm的直徑范圍)。
因此，為了按照非貫穿孔7不超出電鍍圓8a的要求形成電鍍圓8a，如果還考慮未圖示的抗蝕圖形成時的曝光精度(例如從基準(zhǔn)點起半徑20μm(直徑40μm)范圍的位置偏差)，如圖7(b)(圖6(e)俯視情況下的平面圖)所示，必須以比非貫穿孔7的直徑大80μm的直徑L2(電鍍圓8a的直徑)(若以半徑計，則大40μm)形成，于是不得不將最外面的金屬箔圓形盤2a的直徑L3設(shè)定得非常大。{圖7(c)(圖6(g)俯視情況下的平面圖)表示了電鍍圓8a不超出金屬箔圓形盤2a形成的情況，因為這種情況下也不得不考慮曝光精度，該金屬箔圓形盤2a的直徑L3成為比非貫穿孔7的直徑大160μm的直徑(若以半徑計，則大80μm)}〔專利文獻(xiàn)1〕日本專利特開2004-319994號公報發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明是為了解決上述的問題而作出的，其課題是提供具有通過消除盲導(dǎo)通孔和圓形盤部分的位置偏差而實現(xiàn)高密度布線化的精細(xì)電路布圖的印刷電路板及其制造方法。
權(quán)利要求1所述的本發(fā)明解決上述課題的印刷電路板，是將電路布圖形成層間用盲導(dǎo)通孔連接的印刷電路板，其特征在于，該盲導(dǎo)通孔與和該盲導(dǎo)通孔連接的上層側(cè)電路布圖無位置偏差地形成。
這樣，通過使盲導(dǎo)通孔和電路布圖(具體指在盲導(dǎo)通孔周圍形成的圓形盤部分)之間沒有位置偏差，可以將圓形盤部分直徑變小，其結(jié)果，可以實現(xiàn)高密度布線化。
權(quán)利要求2所述的本發(fā)明中解決上述課題的是如權(quán)利要求1所述的印刷電路板，其特征在于，形成該盲導(dǎo)通孔的非貫穿孔通過將具有在該上層側(cè)的電路布圖形成時所設(shè)的窗口部的圓形盤部分作為掩模的激光加工形成。
由此，可以形成圓形盤部分和盲導(dǎo)通孔之間無位置偏差的印刷電路板。
權(quán)利要求3所述的本發(fā)明中解決上述課題的是如權(quán)利要求2所述的印刷電路板，其特征在于，形成包括該盲導(dǎo)通孔的其他導(dǎo)通孔時的電鍍層，只在形成該盲導(dǎo)通孔和其他導(dǎo)通孔時所鉆的孔內(nèi)和該孔周緣所設(shè)的圓形盤部分上形成。
由此，可以實現(xiàn)具有精細(xì)電路布圖的印刷電路板的高密度化。
權(quán)利要求4所述的本發(fā)明中解決上述課題的是如權(quán)利要求2所述的印刷電路板，其特征在于，形成包括該盲導(dǎo)通孔的其他導(dǎo)通孔時的電鍍層，也在精細(xì)電路布圖之外的電路布圖上形成。
由此，相比只在盲導(dǎo)通孔等的形成部分析出電鍍層的情況，因為穩(wěn)定地在該盲導(dǎo)通孔等的孔的部分析出電鍍層，可以保證該盲導(dǎo)通孔是可靠性高的。
權(quán)利要求5所述的本發(fā)明中解決上述課題的印刷電路板的制造方法，是將電路布圖形成層間用盲導(dǎo)通孔連接的印刷電路板的制造方法，至少包括通過對在絕緣層的表面層合的金屬箔進(jìn)行蝕刻處理，在形成電路布圖的同時形成在盲導(dǎo)通孔預(yù)定形成部位具有窗口部的圓形盤部分的步驟；在該窗口部，通過照射比該窗口部直徑大且比該圓形盤部分直徑小的直徑的激光，打出該盲導(dǎo)通孔形成用的非貫穿孔的步驟；在該非貫穿孔和圓形盤部分上形成電鍍層，形成盲導(dǎo)通孔的步驟。
由此，可以得到具有實現(xiàn)高密度布線化的精細(xì)電路布圖的印刷電路板。
權(quán)利要求6所述的本發(fā)明中解決上述課題的是如權(quán)利要求5所述的印刷電路板的制造方法，其特征在于，在電路布圖形成后，具有至少在該電路布圖的非形成部分析出化學(xué)鍍層的步驟。
由此，在非貫穿孔打孔后進(jìn)行的去鉆污處理中，暴露在表面的絕緣層只有該非貫穿孔部分，所以可以抑制去鉆污處理液的變質(zhì)，可以使其使用期限與正常使用的使用期限相同。此外，該去鉆污處理的時候，位于電路布圖下部的絕緣層不會溶解，所以不會有由于在后續(xù)步驟中進(jìn)行的軟蝕刻(soft etching)處理的液體滲入電路布圖的下面產(chǎn)生的該電路布圖的變細(xì)。
權(quán)利要求7所述的本發(fā)明中解決上述課題的是如權(quán)利要求5或6所述的印刷電路板的制造方法，其特征在于，形成盲導(dǎo)通孔時的電鍍層也在精細(xì)電路布圖之外的電路布圖上析出。
由此，由于電鍍層析出范圍擴(kuò)大，可以容易地在非貫穿孔內(nèi)析出電鍍層。
權(quán)利要求8所述的本發(fā)明中解決上述課題的是如權(quán)利要求5所述的印刷電路板的制造方法，其特征在于，在電路布圖形成后，至少在該電路布圖的正視面(front side surface)，形成與形成該盲導(dǎo)通孔時的電鍍層蝕刻條件不同的隔離金屬層。
由此，可以容易地得到具有實現(xiàn)高密度布線化精細(xì)電路布圖的印刷電路板。
通過具有盲導(dǎo)通孔的印刷電路板采用本發(fā)明的結(jié)構(gòu)，因為盲導(dǎo)通孔和圓形盤部分不產(chǎn)生位置偏差，所以可以縮小圓形盤部分的直徑，從而能夠容易地實現(xiàn)高密度布線化。


〔圖1〕說明本發(fā)明中第一種實施方式的簡略截面步驟說明圖。
〔圖2〕說明在圖1中形成的圓形盤部分直徑的大小的簡略平面說明圖。
〔圖3〕說明本發(fā)明中第二種實施方式的簡略截面步驟說明圖。
〔圖4〕說明本發(fā)明中第三種實施方式的簡略截面步驟說明圖。
〔圖5〕說明本發(fā)明中第四種實施方式的簡略截面步驟說明圖。
〔圖6〕說明以往的印刷電路板制造工藝的簡略截面步驟說明圖。
〔圖7〕說明在圖6中形成的圓形盤部分直徑的大小的簡略平面說明圖。
〔符號的說明〕1絕緣層2金屬箔2a金屬箔圓形盤3下層電路布圖4上層電路布圖5窗口部6隔離金屬層7非貫穿孔8電鍍層8a電鍍圓9抗電鍍膜布圖9a開口部10盲導(dǎo)通孔11抗蝕圖P、Pa印刷電路板L1窗口部和非貫穿孔的直徑L2電鍍圓的直徑L2a抗電鍍膜布圖的開口部的直徑L3金屬箔圓形盤的直徑具體實施方式
用圖1(e)對本發(fā)明的第一種實施方式進(jìn)行說明。
圖1(e)是在未圖示的內(nèi)層芯板上層合層合電路層的印刷電路板P的主要部位放大截面圖，該印刷電路板由在內(nèi)層芯板上形成的下層電路布圖3、在該下層電路布圖3的形成層上層合的絕緣層1、在該絕緣層1的表面形成的上層電路布圖4、之后的電鍍圓8a的電路形成時以該電鍍圓8a不會超出的直徑形成的金屬箔圓形盤2a、將該金屬箔圓形盤2a的窗口部5作為掩模打孔的非貫穿孔7、在該非貫穿孔7填充電鍍層8的盲導(dǎo)通孔10、由與該金屬箔圓形盤2a的一部分重疊形成的電鍍層8構(gòu)成的電鍍圓8a構(gòu)成，通過消除該金屬箔圓形盤2a和盲導(dǎo)通孔10之間發(fā)生的位置偏差，縮小電鍍圓8a和金屬箔圓形盤2a的直徑，實現(xiàn)高密度布線化。
接著，就圖1(e)的印刷電路板P的制造方法進(jìn)行說明。
首先，如圖1(a)所示，在內(nèi)層形成的下層電路布圖3的形成層上依次層合絕緣層1和銅箔等金屬箔2(例如層合帶樹脂的銅箔)，接著，如圖1(b)所示，通過蝕刻處理，在形成上層電路布圖4的同時形成具有窗口部5的金屬箔圓形盤2a。
在這里，窗口部5和金屬箔圓形盤2a通過同一曝光步驟形成，兩者之間不發(fā)生位置偏差。因此，金屬箔圓形盤2a的直徑L3，只要考慮之后形成的電鍍圓8a形成時的曝光精度設(shè)定即可(參見圖2(a)的平面圖)。例如，如果假設(shè)發(fā)生從基準(zhǔn)點起半徑20μm(直徑40μm)范圍的位置偏差，則可以以相對窗口部5的外徑L1增加80μm的直徑形成(若以半徑計，則大40μm)。
接著，在外層整面上析出化學(xué)鍍層(例如化學(xué)鍍銅層)后，將金屬箔圓形盤2a作為激光加工用的掩模，通過用比窗口部5的直徑大，比金屬箔圓形盤2a的直徑小的直徑的激光照射，鉆出達(dá)到下層電路布圖3的非貫穿孔7(參見圖1(c))。
在這里，如上所述，窗口部5和金屬箔圓形盤2a通過同一曝光步驟形成，所以兩者之間不發(fā)生位置偏差。通過比該窗口部5的直徑大，比金屬箔圓形盤2a的直徑小的直徑的激光照射形成的非貫穿孔7也一定無位置偏差地被鉆出。
此外，在本實施方式中，使用在激光加工前在外層整面上析出化學(xué)鍍層的例子進(jìn)行說明，但該化學(xué)鍍層不是必須要形成的。但是，從抑制之后進(jìn)行的去鉆污處理的溶液變質(zhì)，該及防止因該去鉆污處理產(chǎn)生的電路布圖變細(xì)方面來看，最好是形成該化學(xué)鍍層，減少暴露于表面的絕緣層的面積。還有，該化學(xué)鍍層，不一定要在外層整面形成，至少在電路布圖非形成部分(從電路布圖暴露出的絕緣層上)形成即可。
接著，進(jìn)行去鉆污處理后，在圖1(c)的狀態(tài)的基板表面上析出未圖示的化學(xué)鍍層(例如化學(xué)鍍銅層)，再在層合抗電鍍膜后，通過進(jìn)行曝光、顯影，形成具有暴露出非貫穿孔7和金屬箔圓形盤2a的一部分的開口部9a的抗電鍍膜布圖9(抗電鍍膜布圖9的開口部9a的直徑L2a是考慮上述曝光精度的直徑，例如就上述的例子而言，可以設(shè)定為相對窗口部5的直徑L1增加40μm直徑的直徑(參見圖2(b)的平面圖))。
接著，通過進(jìn)行將所述化學(xué)鍍層作為供電層的電鍍處理(例如使用填孔用的電鍍液的電鍍銅)，在向從抗電鍍膜布圖9的開口部9a暴露出來的非貫穿孔7填充電鍍層8的同時也在金屬箔圓形盤2a的一部分重疊地析出電鍍層8，再將該抗電鍍膜布圖9剝離后，通過將暴露于表面的未圖示的化學(xué)鍍層蝕刻除去，得到下層電路布圖3和上層電路布圖4之間由盲導(dǎo)通孔10連接的圖1(e)的印刷電路板P(電鍍圓8a的直徑L2可以以相對窗口部5的直徑L1增加40μm的直徑形成(參見圖2(c)))。
像這樣在金屬箔上預(yù)先進(jìn)行電路形成，只在盲導(dǎo)通孔形成部分(有透孔的情況下也包括透孔)形成盲導(dǎo)通孔形成時的電鍍層，因此可以容易地形成精細(xì)電路布圖。而且，將盲導(dǎo)通孔形成時的非貫穿孔的穿孔通過把上述電路形成時形成的金屬箔圓形盤作為掩模的激光加工形成，因此盲導(dǎo)通孔和金屬箔圓形盤可以無位置偏差地形成，其結(jié)果，在盲導(dǎo)通孔周圍形成的圓形盤部分(具體地指金屬箔圓形盤)的直徑與以往相比可以更小，因而能夠?qū)崿F(xiàn)高密度布線化。
此外，在本實施方式中，用只在盲導(dǎo)通孔形成部分(有透孔的情況下也包括透孔形成部)形成盲導(dǎo)通孔形成時的電鍍層的例子進(jìn)行說明，但是也在精細(xì)電路布圖以外的電路布圖上形成該電鍍層，在將電鍍層在盲導(dǎo)通孔形成部分(有透孔的情況下也包括透孔形成部)穩(wěn)定地析出方面是理想的。
接著，用圖3對本發(fā)明的第二種實施方式進(jìn)行說明。由于最終得到的印刷電路板P(參見圖3(h))的結(jié)構(gòu)中，除了在電鍍圓8a和金屬箔圓形盤2a重疊的部分殘存有隔離金屬層之外，與圖1(e)中得到的印刷電路板P結(jié)構(gòu)相同，所以略去相關(guān)說明，只對制造工藝進(jìn)行說明。此外，因為圖3的制造工藝與上述圖1所示的例子一樣，表示了在未圖示的內(nèi)層芯板上形成層合電路層的例子，圖3(a)及圖3(b)與圖1(a)及圖1(b)是同樣的工藝，所以略去相關(guān)說明，只就圖3(c)以后的工藝進(jìn)行說明。
圖3(b)的上層電路布圖4(包括金屬箔圓形盤2a)形成后，在包括該上層電路布圖4(包括金屬箔圓形盤2a)的外層整面上，形成與之后的盲導(dǎo)通孔形成時的電鍍層蝕刻條件不同的金屬薄膜構(gòu)成的隔離金屬層6(參見圖3(c))。
該隔離金屬層6，只要在之后的盲導(dǎo)通孔部分的電路形成時，上層電路布圖4不被蝕刻，任何金屬都可以，可例舉例如經(jīng)化學(xué)鍍處理的Ni、Sn、Ag等。
此外，該隔離金屬層6，按照剝離性進(jìn)行選擇在制造工藝上是優(yōu)選的。例如，以Ni為例，Ni和Ni-B鍍層容易剝離，而Ni-P鍍層如果磷濃度高則變得難以剝離，3％以下的低磷的鍍層為佳。
接著，如圖3(d)所示，將金屬箔圓形盤2a作為激光加工用的掩模，通過用比窗口部5的直徑大，比金屬箔圓形盤2a的直徑小的直徑的激光照射，鉆出達(dá)到下層電路布圖3的非貫穿孔7。
接著，進(jìn)行該非貫穿孔7的去鉆污處理后，在包括該非貫穿孔7的外層整面上形成未圖示的化學(xué)鍍層(例如化學(xué)鍍銅層)，再通過進(jìn)行將該化學(xué)鍍層作為供電層的電鍍處理(例如使用填孔用的電鍍液的電鍍銅)，在向非貫穿孔7填充電鍍層8的同時也在外層析出電鍍層8(參見圖3(e))。
接著，如圖3(f)所示，在盲導(dǎo)通孔10及其圓形盤部分(之后的電鍍圓8a)的預(yù)定形成部位形成抗蝕圖11后，通過進(jìn)行蝕刻處理，除去從該抗蝕圖11暴露出來的電鍍層8(包括未圖示的化學(xué)鍍層)(參見圖3(g))。
最后，將抗蝕圖11剝離后，通過蝕刻除去暴露于表面的隔離金屬層6得到圖3(h)的印刷電路板P。
在本實施方式中，得到與上述第一種實施方式同樣的效果，但因為利用隔離金屬層形成盲導(dǎo)通孔(在包括非貫穿孔的外層整面析出電鍍層)，與像上述第一種實施方式那樣只在盲導(dǎo)通孔形成部分(有透孔的情況下也包括透孔形成部)析出電鍍層的情況相比，可以更容易地在非貫穿孔內(nèi)析出電鍍層。
接著，用圖4對本發(fā)明的第三種實施方式進(jìn)行說明。本實施方式中到(a)、(b)為止的工藝與第一種、第二種的實施方式相同，所以略去說明。
圖4(b)的上層電路布圖4(包括金屬箔圓形盤2a)形成后，在包括該上層電路布圖4(包括金屬箔圓形盤2a)的正視面上，形成與之后的盲導(dǎo)通孔形成時的電鍍層蝕刻條件不同的金屬薄膜構(gòu)成的隔離金屬層6(參見圖4(c))。
接著，如圖4(d)所示，將金屬箔圓形盤2a作為激光加工用的掩模，通過用比窗口部5的直徑大，比金屬箔圓形盤2a的直徑小的直徑的激光照射，鉆出達(dá)到下層電路布圖3的非貫穿孔7。
接著，進(jìn)行該非貫穿孔7的去鉆污處理后，在包括該非貫穿孔7的外層整面上形成未圖示的化學(xué)鍍層(例如化學(xué)鍍銅層)，再通過進(jìn)行將該化學(xué)鍍層作為供電層的電鍍處理(例如使用填孔用的電鍍液的電鍍銅)，在向非貫穿孔7填充電鍍層8的同時也在外層析出電鍍層8(參見圖4(e))。
接著，如圖4(f)所示，在盲導(dǎo)通孔10及其圓形盤部分(之后的電鍍圓8a)的預(yù)定形成部位形成抗蝕圖11后，通過進(jìn)行蝕刻處理，除去從該抗蝕圖11暴露出來的電鍍層8(包括未圖示的化學(xué)鍍層)(參見圖4(g))。
最后，將抗蝕圖11剝離后，通過蝕刻除去暴露于表面的隔離金屬層6得到圖4(h)的印刷電路板P。
本實施方式將上述第二種實施方式中設(shè)在外層整面的隔離金屬層只設(shè)在了電路布圖的正視面，除此之外與第二種實施方式相同。但是，在本結(jié)構(gòu)中，在絕緣層暴露于上層電路布圖的非形成部分的狀態(tài)下進(jìn)行非貫穿孔的去鉆污處理，所以絕緣層必須選用在去鉆污處理時難溶的材料。
接著，用圖5對本發(fā)明的第四種實施方式進(jìn)行說明。本實施方式中到(a)、(b)為止的工藝與上述的實施方式相同，所以略去說明。
圖5(b)的上層電路布圖4(包括金屬箔圓形盤2a)形成后，在包括該上層電路布圖4(包括金屬箔圓形盤2a)的外層整面上析出化學(xué)鍍層(例如化學(xué)鍍銅層)，接著，將金屬箔圓形盤2a作為激光加工用的掩模，通過用比窗口部5的直徑大，比金屬箔圓形盤2a的直徑小的直徑的激光照射，鉆出達(dá)到下層電路布圖3的非貫穿孔7(參見圖5(c))。
接著，進(jìn)行非貫穿孔7的去鉆污處理后，在包括該非貫穿孔7的外層整面上析出未圖示的化學(xué)鍍層(例如化學(xué)鍍銅層)，再通過進(jìn)行將該化學(xué)鍍層作為供電層的電鍍處理，在包括非貫穿孔7的外層整面上析出隔離金屬層6(例如電鍍鎳)(參見圖5(d))。
接著，通過進(jìn)行將該隔離金屬層6作為供電層的電鍍處理(例如使用填充通路用的電鍍液的電解鍍銅)，在向非貫穿孔7填充電鍍層8的同時也在外層析出電鍍層8(參見圖5(e))。
接著，如圖5(f)所示，在盲導(dǎo)通孔10及其圓形盤部分(之后的電鍍圓8a)的預(yù)定形成部位形成抗蝕圖11后，通過進(jìn)行蝕刻處理，除去從該抗蝕圖11暴露出來的電鍍層8(參見圖5(g))。
最后，將抗蝕圖11剝離后，通過蝕刻除去暴露于表面的隔離金屬層6和在其下形成的化學(xué)鍍層(例如化學(xué)鍍銅層)得到圖5(h)的印刷電路板P(在隔離金屬層6下形成的化學(xué)鍍層，可以通過使用隔離金屬層6的剝離液(例如鎳剝離液等)同時除去)。
本發(fā)明的說明中，使用在芯板上形成層合層的例子進(jìn)行說明，但本發(fā)明的結(jié)構(gòu)并不局限于此，也可以在雙面電路板上使用本發(fā)明。
此外，形成的盲導(dǎo)通孔使用在非貫穿孔內(nèi)填充電鍍層的填充孔進(jìn)行說明，當(dāng)然在非貫穿孔內(nèi)壁析出電鍍層的通常的盲導(dǎo)通孔也能獲得同樣的效果。
仿照圖5對本發(fā)明的一個實施例進(jìn)行說明。用導(dǎo)線寬度/導(dǎo)線間距＝30μm/30μm的設(shè)計規(guī)格制作印刷電路板。
在形成下層電路布圖的芯板上，層合厚60μm的絕緣層和12μm的銅箔構(gòu)成的帶樹脂的銅箔(相當(dāng)于圖5(a))，層壓抗蝕刻用的干膜(旭化成公司制SPG102)。
接著，通過進(jìn)行一般的曝光、顯影(1％的碳酸鈉溶液)和蝕刻(蝕刻劑使用氯化鐵)處理，分別形成上層電路布圖(導(dǎo)線寬度30μm/導(dǎo)線間距30μm)、金屬箔(銅箔)圓形盤(φ150μm)、窗口部(φ70μm)(相當(dāng)于圖5(b))。
接著，為了抑制之后的去鉆污處理時該去鉆污處理液的變質(zhì)，在外層整面析出化學(xué)鍍層(0.5μm)，將金屬箔圓形盤作為激光加工用的掩模，通過用比窗口部的直徑(φ70μm)大，比金屬箔(銅箔)圓的直徑(φ150μm)小的直徑(φ110μm→即使發(fā)生作為激光加工位置精度的從基準(zhǔn)點起直徑40μm范圍內(nèi)的偏差，也不超出金屬箔圓形盤的大小)的碳酸氣激光照射，鉆出達(dá)到下層電路布圖的非貫穿孔(相當(dāng)于圖5(c))。
接著，用高錳酸類的去鉆污處理液進(jìn)行非貫穿孔的去鉆污處理，進(jìn)行作為無電解鍍銅的預(yù)處理的軟蝕刻處理(通過該處理除去在上層電路布圖形成后析出的化學(xué)鍍銅層)后，在包括該非貫穿孔的外層整面上析出未圖示的化學(xué)鍍銅層(0.5μm)，再通過進(jìn)行將該化學(xué)鍍層作為供電層的電鍍處理，在包括非貫穿孔的外層整面上析出隔離金屬層(1.5μm)(相當(dāng)于圖5(d))。
接著，通過進(jìn)行將該隔離金屬層作為供電層的電鍍銅處理(使用填孔用的電鍍液)，在向該非貫穿孔填充銅鍍層的同時也在外層析出銅鍍層(20μm)(相當(dāng)于圖5(e))。
接著，如圖5(f)所示，通過一般的曝光、顯影工藝在盲導(dǎo)通孔及電鍍圓的預(yù)定形成部位形成φ110μm的抗蝕圖，再通過進(jìn)行使用以銅銨絡(luò)離子為主要成分的堿蝕刻液的蝕刻處理，除去從該抗蝕圖暴露出來的電鍍層(相當(dāng)于圖5(g))。
最后，用氫氧化鈉溶液(3％)將抗蝕圖剝離后，通過進(jìn)行使用隔離金屬層(鎳)的剝離液(硝酸類鎳剝離液)的蝕刻處理，將暴露于表面的隔離金屬層和在其下形成的化學(xué)鍍銅層除去，得到印刷電路板(相當(dāng)于圖5(h))。
對本實施例所得的印刷電路板進(jìn)行確認(rèn)的結(jié)果，沒有發(fā)現(xiàn)電鍍圓超出金屬箔圓形盤，或者將非貫穿孔暴露出來的位置偏差。
比較例仿照作為已有技術(shù)的圖6的制造工藝制作印刷電路板。以激光加工和曝光條件，以及形成圓形盤部分的直徑等同樣的條件制造印刷電路板。
其結(jié)果，發(fā)現(xiàn)了電鍍圓超出金屬箔圓形盤的外徑20μm左右，與相鄰的電路布圖的間隙在10μm左右，非常接近而變得絕緣不佳的地方(由于以導(dǎo)線寬度/導(dǎo)線間距＝30μm/30μm的設(shè)計規(guī)格制作，與通過同樣的蝕刻加工形成的金屬箔圓形盤鄰接的電路布圖的間距為30μm，所以超出該金屬箔圓形盤20μm左右的電鍍圓和電路布圖的間隙為約10μm)，和非貫穿孔暴露(由于抗蝕圖的位置偏差)而盲導(dǎo)通孔內(nèi)的電鍍層部分缺失的地方。
權(quán)利要求
1.一種印刷電路板，它是將電路布圖形成層間用盲導(dǎo)通孔連接的印刷電路板，所述盲導(dǎo)通孔和與所述盲導(dǎo)通孔連接的上層側(cè)電路布圖無位置偏差地形成。
2.如權(quán)利要求1所述的印刷電路板，其特征還在于，形成所述盲導(dǎo)通孔的非貫穿孔通過將具有在該上層側(cè)的電路布圖形成時所設(shè)的窗口部的圓形盤部分作為掩模的激光加工形成。
3.如權(quán)利要求2所述的印刷電路板，其特征還在于，形成包括該盲導(dǎo)通孔的其他導(dǎo)通孔時的電鍍層，只在形成該盲導(dǎo)通孔和其他導(dǎo)通孔時所鉆的孔內(nèi)和該孔周緣所設(shè)的圓形盤部分上形成。
4.如權(quán)利要求2所述的印刷電路板，其特征還在于，形成包括該盲導(dǎo)通孔的其他導(dǎo)通孔時的電鍍層，也在精細(xì)電路布圖之外的電路布圖上形成。
5.一種印刷電路板的制造方法，它是將電路布圖形成層間用盲導(dǎo)通孔連接的印刷電路板的制造方法，所述方法包括通過至少蝕刻層合在絕緣層的表面上的金屬箔，并在形成盲導(dǎo)通孔的部分形成具有窗口部的圓形盤部分的步驟；向該窗口部照射比該窗口部直徑大且比該圓形盤部分直徑小的直徑的激光，鉆出該盲導(dǎo)通孔形成用的非貫穿孔的步驟；在該非貫穿孔和圓形盤部分上形成電鍍層，形成盲導(dǎo)通孔的步驟。
6.如權(quán)利要求5所述的印刷電路板的制造方法，其特征還在于，在電路布圖形成后，具有至少在該電路布圖的非形成部分析出化學(xué)鍍層的步驟。
7.如權(quán)利要求5或6所述的印刷電路板的制造方法，其特征還在于，形成盲導(dǎo)通孔時的電鍍層也在精細(xì)電路布圖之外的電路布圖上析出。
8.如權(quán)利要求5所述的印刷電路板的制造方法，其特征還在于，在電路布圖形成后，至少在該電路布圖的正視面，形成與形成該盲導(dǎo)通孔時的電鍍層蝕刻條件不同的隔離金屬層。
全文摘要
提供無盲導(dǎo)通孔和圓形盤部分的位置偏差，易于實現(xiàn)高密度布線化的印刷電路板。將電路布圖形成層間用盲導(dǎo)通孔連接的印刷電路板的制造方法，至少包括通過對在絕緣層的表面層合的金屬箔進(jìn)行蝕刻處理，在形成電路布圖的同時形成在盲導(dǎo)通孔預(yù)定形成部位具有窗口部的圓形盤部分的步驟；在該窗口部，通過照射比該窗口部直徑大且比該圓形盤部分直徑小的直徑的激光，鉆出該盲導(dǎo)通孔形成用的非貫穿孔的步驟；在該非貫穿孔和圓形盤部分上形成電鍍層形成盲導(dǎo)通孔的步驟。
文檔編號H05K3/42GK1794900SQ20051010896
公開日2006年6月28日 申請日期2005年9月23日 優(yōu)先權(quán)日2004年12月24日
發(fā)明者平田英二 申請人:日本Cmk株式會社