專利名稱：電磁波屏蔽濾波器及其制造方法和包括濾波器的pdp設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及電磁波屏蔽濾波器、制造其的方法和包括其的等離子體顯示板(“PDP”)設(shè)備。更具體地，本發(fā)明涉及一種具有低導(dǎo)電性、高可見光透射率和較好耐久性的電磁波屏蔽濾波器、制造其的方法和包括其的PDP設(shè)備。
背景技術(shù)：
由于現(xiàn)代社會變得更加面向信息，光電設(shè)備和器件正在進步且正在變得更加普遍。特別地，圖像顯示設(shè)備正在廣泛地用于各種應(yīng)用，包括TV屏幕、個人計算機的監(jiān)視器等。隨著高性能圖像顯示設(shè)備的進步，寬屏幕和薄型結(jié)構(gòu)已經(jīng)成為主流技術(shù)。
作為新一代顯示設(shè)備，等離子體顯示板(PDP)正在得到普及以替代CRT，因為PDP較薄且容易制造具有多個單元的大屏幕。PDP設(shè)備包括在其上利用氣體放電現(xiàn)象來顯示圖像的等離子體顯示板，并且表現(xiàn)出優(yōu)越的顯示能力，包括高顯示能力、高亮度、高對比度、清楚的潛像、寬視角等。
在PDP設(shè)備中，當(dāng)將直流(DC)或交流(AC)電壓施加到電極上時，產(chǎn)生了氣體等離子體的放電，導(dǎo)致了紫外(UV)光的發(fā)射。UV發(fā)射激發(fā)相鄰的磷光體材料，引起了可見光的電磁發(fā)射。
盡管具有以上優(yōu)點，但是PDP面對著與驅(qū)動特性相關(guān)的多個挑戰(zhàn)，包括電磁波輻射的增加、近紅外發(fā)射和磷光體表面反射、以及由于從用作密封氣體的氦(He)或氙(Xe)發(fā)出的橙光造成的模糊色純度。
在PDP中所產(chǎn)生的電磁波和近紅外射線可能對人體造成不利的影響，并且引起諸如無線電話或遙控器等精密機械的故障。因此，為了利用這樣的PDP，需要將從PDP發(fā)出的電磁波和近紅外射線減小到預(yù)定的水平或更低。在這一點上，已經(jīng)提出了各種PDP濾波器來屏蔽從PDP發(fā)出的電磁波或近紅外射線，減小光反射和/或提高色純度。所提出的PDP濾波器還需要滿足透射率的要求，這是因為濾波器被安裝在每一個PDP的前表面上。
為了將從等離子體顯示板發(fā)出的電磁波和近紅外射線(NIR)減小到預(yù)定的水平或更小，各種PDP濾波器已經(jīng)用于諸如屏蔽從PDP發(fā)出的電磁波或NIR，減小光反射和/或提高色純度。這樣的濾波器需要較高的透射率，這是因為其通常被應(yīng)用到PDP的前表面上。將滿足這樣的要求和特性的典型的電磁波屏蔽濾波器分類為金屬網(wǎng)眼圖案濾波器和透明導(dǎo)電膜濾波器。盡管金屬網(wǎng)眼圖案濾波器表現(xiàn)出較好的電磁波屏蔽效果，但是其具有多個缺點，包括較差的透射率、圖像失真和由于成本較高的網(wǎng)眼而導(dǎo)致的制造成本的增加。
由于這樣的缺點，使用透明導(dǎo)電膜(例如銦錫氧化物(ITO))的電磁波屏蔽濾波器正在取代金屬網(wǎng)眼圖案濾波器得到廣泛地應(yīng)用。該透明導(dǎo)電膜通常由多層薄膜結(jié)構(gòu)形成，其中金屬膜和高折射率透明薄層夾在中間。銀和基于銀的合金可以用作金屬膜。
在傳統(tǒng)電磁波屏蔽濾波器中所使用的多層薄膜結(jié)構(gòu)的一個示例公開于1997年5月27日遞交的韓國專利申請No.1997-20914，標(biāo)題為“Transparent Laminate and Optical Filter for Display UsingSame”。
所公開的技術(shù)具有順序和交替層疊結(jié)構(gòu)，具有由銀或銀合金構(gòu)成的三個薄層、以及三個高折射率透明薄層。這里，高折射率透明薄層由氧化銦構(gòu)成，而金屬薄層由銀或銀合金構(gòu)成。
在使用層疊結(jié)構(gòu)的傳統(tǒng)電磁波屏蔽濾波器中，通過增加層疊結(jié)構(gòu)中的金屬薄層的數(shù)量來實現(xiàn)薄膜電阻的減小。然而，存在以下問題金屬薄層數(shù)量的增加在提高薄膜電阻的同時引起了較低的可見光透射率、制造成本的增加和較低的可制造性。
另外，因為通常由銀構(gòu)成的金屬薄層易于受到化學(xué)品的損壞且容易腐蝕，傳統(tǒng)的電磁波屏蔽濾波器具有缺陷。已經(jīng)進行了各種嘗試來防止金屬薄膜的腐蝕。然而，由于一些環(huán)境因素，還未提出成功的解決方案。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提出了一種具有低導(dǎo)電性、高可見光透射率射線和極佳耐久性的電磁波屏蔽濾波器。
本發(fā)明還提出了一種制造該電磁波屏蔽濾波器的方法。
本發(fā)明還提出了一種包括該電磁波屏蔽濾波器的PDP設(shè)備。
根據(jù)本發(fā)明的一個方案，提出了一種電磁波屏蔽濾波器，包括層疊結(jié)構(gòu)，包括多重疊層(multiple stacks)，所述多重疊層每一個均由氧化鈮層、以ZnO作為主要成分的第一保護層、以及金屬層順序地依次層疊構(gòu)成，通過將各層重復(fù)層疊至少三次來形成所述多重疊層；以及在層疊結(jié)構(gòu)上形成的氧化鈮層。
根據(jù)本發(fā)明的另一方案，提出了一種電磁波屏蔽濾波器，包括層疊結(jié)構(gòu)，包括多重疊層，所述多重疊層每一個均由順序地依次層疊在襯底上的氧化鈮層、以ZnO作為主要成分的第一保護層、以及第二保護層構(gòu)成，通過將各層重復(fù)層疊至少三次來形成所述多重疊層；以及在層疊結(jié)構(gòu)上形成的氧化鈮層。
根據(jù)本發(fā)明的另一方案，提出了一種制造電磁波屏蔽濾波器的方法，所述方法包括以下步驟準(zhǔn)備層疊結(jié)構(gòu)，所述層疊結(jié)構(gòu)包括多重疊層，所述多重疊層每一個均由順序地依次層疊在襯底上的氧化鈮層、以ZnO作為主要成分的第一保護層、以及金屬層構(gòu)成，通過將各層重復(fù)層疊至少三次來形成所述多重疊層；以及在層疊結(jié)構(gòu)上形成氧化鈮層。
根據(jù)本發(fā)明的另一方案，提出了一種包括該電磁波屏蔽濾波器的PDP設(shè)備。


通過參考附圖更詳細(xì)地描述其典型實施例，本發(fā)明的上述和其他特征和優(yōu)點將變得更加明顯圖1和2是示出了根據(jù)本發(fā)明實施例的電磁波屏蔽濾波器的截面圖；圖3是示出了根據(jù)本發(fā)明實施例的制造電磁波屏蔽濾波器的方法的流程圖；圖4是示出了根據(jù)試驗示例1和2和比較示例的樣本的光譜透射率的曲線圖；圖5是示出了根據(jù)本發(fā)明實施例的PDP設(shè)備的分解透視圖；以及圖6是示出了包括根據(jù)本發(fā)明的電磁波屏蔽濾波器的PDP設(shè)備的透視圖。
具體實施例方式
參考以下對優(yōu)選實施例的詳細(xì)描述和附圖，本發(fā)明的特征和優(yōu)點以及實現(xiàn)其的方法將得到更好地理解。然而，本發(fā)明可以按照許多不同的形式來具體實現(xiàn)，而不應(yīng)理解為局限于這里所闡明的實施例。提出了這些實施例以使其公開將會更為徹底和完整且將本發(fā)明的概念全部傳達給本領(lǐng)域的技術(shù)人員，而且，本發(fā)明將僅由所附權(quán)利要求來限定。在整個說明書中，相同的參考符號表示相同的組件。
下面將參考圖1和圖2來描述根據(jù)本發(fā)明實施例的電磁波屏蔽濾波器。
圖1是示出了根據(jù)本發(fā)明一個實施例的電磁波屏蔽濾波器的截面圖。
參考圖1，根據(jù)本發(fā)明第一實施例的電磁波屏蔽濾波器100包括襯底110、層疊結(jié)構(gòu)120和氧化鈮層130。
襯底110并未局限于此，而可以包括諸如聚乙烯對苯二酸鹽(PET)等塑料膜、諸如丙烯樹脂等塑料片等。該襯底110可以是在顯示器中使用的玻璃襯底、塑料膜、塑料片等。特別地，襯底110可以是透明的。將層疊結(jié)構(gòu)120設(shè)置在襯底110的表面上，并且包括多重疊層，每一個由氧化鈮層121、保護層122和金屬層123順序地依次層疊構(gòu)成，所述多重疊層通過將各個層層疊至少三次形成。
層疊結(jié)構(gòu)120的氧化鈮層121可以僅為氧化鈮(Nb2O5)、或者氧化鈮(Nb2O5)加上微量元素。該微量元素可以是Ti、Cr或Zr。
層疊結(jié)構(gòu)120的氧化鈮層121的成分可以與另一氧化鈮層121的成分相同或不同。
氧化鈮層121具有范圍為15到80nm的厚度。特別地，在與襯底110相鄰地形成的氧化鈮層121的情況下，優(yōu)選地，氧化鈮層121具有范圍為15到40nm的厚度。從增加實現(xiàn)了可見光透射率減小和低反射率的波長范圍的觀點來看，優(yōu)選地，與襯底110相鄰的氧化鈮層121大約為另一氧化鈮層12的厚度的一半。
將包含氧化鋅(ZnO)作為主要成分的保護層122形成在氧化鈮層121上。保護層122用于保護在其上形成的金屬層123，從而提高濾波器的耐久性。此外，保護層122增加了金屬層123的導(dǎo)電性，從而提高了濾波器的電磁波屏蔽效果。保護層122由鋁鋅氧化物(AZO)(包含氧化鋅(ZnO)作為主要成分和Al或Al2O3作為微量元素)構(gòu)成。ZnO∶Al2O3的比率處于大約90∶10到99.9∶0.1的范圍內(nèi)，但是并不局限于此。
層疊結(jié)構(gòu)120的保護層122的成分可以是另一保護層122相同或不同。
此外，保護層122防止了在氧化銦層121和金屬層123之間的分界表面處產(chǎn)生表面等離子體振子(plasmon)，從而減小了由于表面等離子體振子的光吸收而導(dǎo)致了層疊結(jié)構(gòu)120中的可見光損耗。另外，保護層122增加了減小可見光透射率且實現(xiàn)低反射率的波長范圍。在這一點上，優(yōu)選地，保護層122具有范圍為1到10nm的厚度。
金屬層123形成在保護層122上。金屬層123由包含銀或大約90wt％Ag的銀合金構(gòu)成。銀具有較高的柔性和導(dǎo)電性，且在薄膜形成過程期間保持其導(dǎo)電性。銀還具有以下優(yōu)點與其他金屬相比其相對不太昂貴且具有較低的可見光吸收率。因為其較高的可成形性，銀也是有優(yōu)勢的。盡管具有上述優(yōu)點，但是銀在用于電磁波屏蔽濾波器的金屬層中時存在限制，因為其易于受到化學(xué)品的損壞。然而，根據(jù)本發(fā)明的第一實施例，通過在金屬層123的一層上形成保護層122，將銀用作電磁波屏蔽濾波器100的金屬層123，而不會使電磁波屏蔽濾波器的耐久性惡化。
層疊結(jié)構(gòu)120的金屬層123的成分可以與另一金屬層123相同或不同。
可以形成厚度在7到20nm的范圍內(nèi)的金屬層123。從增加實現(xiàn)了可見光透射率減小和較低反射率的波長范圍的觀點來看，可以將最接近襯底110的金屬層123和最遠(yuǎn)離襯底110的金屬層123形成得更薄，大約另一金屬層123的厚度的0.5到1.0倍。
將氧化鈮層130形成在上述層疊結(jié)構(gòu)120上。該氧化鈮層130可以僅由氧化鈮構(gòu)成、或由氧化鈮加上微量元素構(gòu)成。該微量元素可以是Ti、Cr、Zr、Bi、Al或B。
在層疊結(jié)構(gòu)120上形成的氧化鈮層130的適當(dāng)厚度在15到40nm的范圍內(nèi)，以便增加減小可見光透射率且實現(xiàn)低反射率所需的波長范圍。
圖2是根據(jù)本發(fā)明另一實施例的電磁波屏蔽濾波器100’的截面圖。
參考圖2，根據(jù)本發(fā)明第二實施例的電磁波屏蔽濾波器100’包括襯底110、層疊結(jié)構(gòu)120’和氧化鈮層121。
在根據(jù)本發(fā)明第二實施例的電磁波屏蔽濾波器100’中的襯底110和氧化鈮層121與根據(jù)本發(fā)明第一實施例的電磁波屏蔽濾波器100的相應(yīng)組件相同。然而，根據(jù)本發(fā)明第二實施例的電磁波屏蔽濾波器100’與根據(jù)本發(fā)明第一實施例的電磁波屏蔽濾波器100的不同在于層疊結(jié)構(gòu)120’包括多重疊層，每一個由氧化鈮層121、保護層122、金屬層123和附加保護層124順序地依次層疊構(gòu)成，通過將各個層重復(fù)層疊至少三次來形成所述多重疊層。即，還可以將保護層124設(shè)置在金屬層123上。保護層124充當(dāng)阻擋層，用于防止由于在后續(xù)步驟中形成氧化鈮層121期間所創(chuàng)建的氧氣等離子體而造成的金屬層123的導(dǎo)電性的消失。即，氧氣等離子體可能造成對先前所形成的金屬層、為了在形成金屬層123之后利用直流(DC)濺射方法形成氧化鈮層121而采用的氧氣等離子體的損壞。因此，需要由AZO或ITO構(gòu)成的保護層124來防止對先前所形成的金屬層造成的損壞。
層疊結(jié)構(gòu)120’的保護層124的成分可以與另一保護層124相同或不同。
此外，保護層124防止了在金屬層123和氧化鈮層121之間的分界表面處產(chǎn)生表面等離子體振子，從而減小了由于表面等離子體振子的光吸收而造成的層疊結(jié)構(gòu)120’的可見光損耗。另外，保護層124增加了其中減小可見光透射率和實現(xiàn)低反射率的波長范圍。在這一點上，優(yōu)選地，保護層124具有范圍為1到10nm的厚度。
將參考附圖3來描述根據(jù)本發(fā)明第一和第二實施例的制造電磁波屏蔽濾波器100和100’的方法。
圖3是示出了根據(jù)本發(fā)明的制造電磁波屏蔽濾波器100的方法的流程圖。
參考圖1和3，在步驟S1，在襯底110上形成層疊結(jié)構(gòu)100。這里，層疊結(jié)構(gòu)100包括多重疊層，每一個由氧化鈮層121、保護層122和金屬層123順序地依次層疊構(gòu)成，通過將各層重復(fù)層疊至少三次來形成多重疊層。
首先參考圖1，為了形成層疊結(jié)構(gòu)100，首先將氧化鈮層121形成在襯底110上。氧化鈮層121可以由以下方法形成利用具有極佳導(dǎo)電性的氧化鈮靶的DC濺射方法、反應(yīng)濺射方法、離子電鍍方法、物理蒸氣沉積方法或化學(xué)蒸氣沉積方法。特別地，由于可以在實現(xiàn)大面積上的厚度均勻的同時快速沉積氧化鈮層121，最好使用DC濺射方法。
氧化鈮靶是通過相對于氧化鈮的化學(xué)計量成分使氧氣不足或通過將其他材料添加到靶上而準(zhǔn)備的靶，從而該靶具有高到足以使用DC濺射方法的導(dǎo)電性。在前一情況下，優(yōu)選地，將包含0.1到10vol％的氧化氣體的惰性氣體用作濺射氣體。當(dāng)將包含具有上述范圍內(nèi)的濃度的氧化氣體的惰性氣體用作濺射氣體時，可以有效地防止由于在形成氧化鈮層121期間所產(chǎn)生的氧化等離子體造成的金屬層123的氧化。另外，可以有效地準(zhǔn)備具有低發(fā)射率和高導(dǎo)電性的層疊結(jié)構(gòu)120。特別地，最好將包含0.1到5vol％的氧化氣體的惰性氣體用作濺射氣體。
氧氣通?？梢杂米髟撗趸瘹怏w?？捎玫难趸瘹怏w的示例包括一氧化二氮、二氧化氮、一氧化碳、二氧化碳、臭氧等。在這種情況下，可以形成厚度為15到40nm的氧化鈮層121。
接下來，將由包含ZnO作為主要成分的AZO構(gòu)成的保護層122形成在氧化鈮層121上。通過根據(jù)要形成的可能層的化學(xué)計量成分而適當(dāng)選擇的方法來形成該保護層122。例如，該方法包括濺射方法、CVD方法和蒸氣沉積方法。
在通過利用包含ZnO作為主要成分和Al2O3作為微量元素的靶來濺射而形成由AZO構(gòu)成的保護層122的情況下，不需要另外的氧化氣體供應(yīng)。即，僅利用該靶來形成保護層122。即使沒有另外的氧化氣體，AZO也不會減小保護層122的透射率。即，可以形成保護層122，而不使用諸如氧氣(O2)等氧化氣體。因此，不會出現(xiàn)在形成金屬層123期間由于氧化氣體而引起的金屬層123的氧化。
這里，保護層122的厚度可以在1到10nm的范圍內(nèi)。
接下來，將金屬層123形成在保護層122上。金屬層123可以由銀或銀合金構(gòu)成，通過濺射方法、CVD方法或蒸氣沉積方法。特別地，金屬層123最好由DC濺射方法形成以便確保較高的沉積率和實現(xiàn)在大面積上的厚度的均勻性。
在這種情況下，優(yōu)選地，金屬層123的厚度處于7到20nm的范圍內(nèi)。
通過相同的方法按照如上所述的次序?qū)⒀趸墝?21、保護層122和金屬層123至少重復(fù)層疊三次，從而形成層疊結(jié)構(gòu)120。這里，除了與層疊結(jié)構(gòu)120中的襯底110相鄰的氧化鈮層121之外的其他層的厚度可以處于30到80nm的范圍內(nèi)。
接下來，在步驟S2中，在層疊結(jié)構(gòu)120上形成氧化鈮層130。氧化鈮層130可以由以下方法形成利用還原性氧化鈮靶的DC濺射方法、反應(yīng)濺射方法、離子電鍍方法、蒸氣沉積方法或CVD方法。具體地，因為在大面積上實現(xiàn)較好的厚度均勻性的同時能夠以較高的沉積率來形成氧化鈮層130，因此最好使用利用還原性氧化鈮靶的DC濺射方法。由于防止了金屬層123的氧化，可以提高電磁波屏蔽濾波器100的可見光透射率并能夠減小其反射率。在這種情況下，可以形成厚度為15到40nm的氧化鈮層130。
下面將參考圖2和3來描述根據(jù)本發(fā)明第二實施例的制造電磁波屏蔽濾波器100’的方法。
在步驟S1，在襯底110上形成層疊結(jié)構(gòu)120’。這里，層疊結(jié)構(gòu)120’包括多重疊層，每一個由氧化鈮層121、保護層122、金屬層123和保護層124順序地依次層疊構(gòu)成，通過將各層重復(fù)層疊至少三次來形成多重疊層。
再次參考圖2，為了形成層疊結(jié)構(gòu)120’，首先將氧化鈮層121形成在襯底110上。氧化鈮層121可以由DC濺射方法形成。特別地，最好使用DC濺射方法。
這里，可以形成厚度為15到40nm的氧化鈮層121。
接下來，將保護層122形成在氧化鈮層121上。該保護層122可以由包含氧化鋅(ZnO)作為主要成分的鋁鋅氧化物(AZO)構(gòu)成。通過根據(jù)要形成的可能層的化學(xué)計量成分而適當(dāng)選擇的方法來形成該保護層122。例如，該方法包括濺射方法、CVD方法和PVD方法等。
在通過利用包含ZnO作為主要成分和Al2O3作為微量元素的靶來濺射而形成由AZO構(gòu)成的保護層122的情況下，不需要另外的氧化氣體供應(yīng)。即，僅利用該靶來形成保護層122。即使沒有另外的氧化氣體，AZO也不會減小保護層122的透射率。即，可以形成保護層122，而不使用諸如氧氣(O2)等氧化氣體。因此，不會出現(xiàn)由于在形成金屬層123期間氧化氣體的存在而引起的金屬層123的氧化。
這里，保護層122的厚度可以處于1到10nm的范圍內(nèi)。
接下來，將金屬層123形成在保護層122上。金屬層123可以由銀或銀合金構(gòu)成?？梢酝ㄟ^濺射方法、CVD方法或PVD方法來形成金屬層123。特別地，金屬層123最好由DC濺射方法形成以便確保較高的沉積率和實現(xiàn)在大面積上的厚度的均勻性。
在這種情況下，優(yōu)選地，金屬層123的厚度處于7到20nm的范圍內(nèi)。
接下來，還在金屬層123上形成保護層124。保護層124由根據(jù)要形成的可能層的化學(xué)計量成分而適當(dāng)選擇的AZO或ITO構(gòu)成。例如，該方法包括濺射方法、CVD方法和PVD方法等。
在這種情況下，可以形成厚度范圍為10到20nm的保護層124。
通過相同的方法按照如上所述的次序?qū)⒀趸墝?21、保護層122、金屬層123和保護層124至少重復(fù)層疊三次，從而形成層疊結(jié)構(gòu)120’。這里，除了與層疊結(jié)構(gòu)120’中的襯底110相鄰的氧化鈮層121之外的其他層的厚度可以處于30到80nm的范圍內(nèi)。
接下來，在步驟S2中，在層疊結(jié)構(gòu)120’上形成氧化鈮層130。優(yōu)選地，氧化鈮層130由以下方法形成利用還原性氧化鈮靶的DC濺射方法、反應(yīng)濺射方法、離子電鍍方法、PVD方法或CVD方法。這里，優(yōu)選地，可以形成厚度范圍為15到40nm的氧化鈮層130。
下面將通過具體的試驗示例來詳細(xì)描述本發(fā)明。然而，這些試驗示例僅是說明性的而并非對本發(fā)明范圍的限定。
試驗示例1首先，將Ar(200sccm)和O2(80sccm)用作濺射氣體并將25kW的DC功率施加到其上，在襯底上形成5nm厚的Nb2O5層，例如，透明玻璃襯底。
接下來，在將1kW的DC功率施加到靶上的同時，利用鋁鋅氧化物(AZO)靶，在Nb2O5層上形成AZO層，厚度約為5nm，鋁鋅氧化物包含氧化鋅(ZnO)作為主要成分且包含大約1％的Al2O3和Ar(200sccm)作為濺射氣體。
然后，將Ar(150sccm)用作濺射氣體并將1.6kW的DC功率施加到其上，在AZO層上形成約12nm厚的Ag層。
接下來，將包含大約10％的SnO2的InO3的ITO靶用作靶，并且將Ar(200sccm)和O2(80sccm)用作濺射氣體，在Ag層形成厚度約為5nm的ITO層。
隨后，順序地形成56nm厚的Nb2O5層、5nm厚的AZO層、14nm厚的Ag層和5nm厚的ITO層。然后，準(zhǔn)備了由56nm厚的Nb2O5層、5nm厚的AZO層、12nm厚的Ag層和5nm厚的ITO層構(gòu)成的層疊結(jié)構(gòu)。最后，在層疊結(jié)構(gòu)上形成了具有28nm厚的Nb2O5層，從而完成了電磁波屏蔽濾波器。
試驗示例2除了在Ag層形成的保護層由AZO構(gòu)成之外，按照與試驗示例1相同的方式來制造電磁波屏蔽濾波器。即，在該示例中所準(zhǔn)備的電磁波屏蔽濾波器的結(jié)構(gòu)如下襯底/Nb2O5層/AZO層/Ag層/AZO層/Nb2O5層/AZO層/Ag層/AZO層/Nb2O5層/AZO層/Ag層/AZO層/Nb2O5層/。
比較示例除了在Ag層形成的保護層由ITO構(gòu)成之外，按照與試驗示例1相同的方式來制造電磁波屏蔽濾波器。即，在該示例中所準(zhǔn)備的電磁波屏蔽濾波器的結(jié)構(gòu)如下襯底/Nb2O5層/ITO層/Ag層/ITO層/Nb2O5層/ITO層/Ag層/ITO層/Nb2O5層/ITO層/Ag層/ITO層/Nb2O5層/。
光譜透射率的測量根據(jù)日本工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)(JIS)R3106(參見圖4)，在380到930的波長區(qū)域內(nèi)測量根據(jù)試驗示例1和2和比較示例制造的電磁波屏蔽濾波器的光譜透射率。通過JIS Z8720中所指定的CIE標(biāo)準(zhǔn)光源D65的CIE色度適配的相對輻射效率來獲得可見光透射率(380到780nm)。
薄膜電阻的測量利用4點證明方法來測量該薄膜電阻。結(jié)果如表1所示。
濕度電阻的測量在試驗示例1和2和比較示例中準(zhǔn)備的具有600×1000(mm)尺寸的每兩個樣本放置在60℃的溫度下、95％的相對濕度下預(yù)定的時間，然后可視地觀察對這些樣本件所引起的點缺陷的數(shù)量。結(jié)果如表1所示。
表1

如表1所示，與比較示例相比，在試驗示例1和2中所準(zhǔn)備的樣本具有更好的可見光透射率、薄膜電阻和濕度電阻。
參考圖4，與比較示例中所準(zhǔn)備的樣本相比，在試驗示例1和2中所準(zhǔn)備的樣本在藍(lán)色區(qū)域中(圖4的區(qū)域A)具有更高的可見光透射率，這是因為樣本的光吸收在藍(lán)色區(qū)域中較低。從測量結(jié)果中，可以看到，根據(jù)本發(fā)明的電磁波屏蔽濾波器在較寬的波長范圍上具有較高的可見光透射率，從而增加了開發(fā)色彩控制膜的自由度。
下面將描述根據(jù)本發(fā)明實施例的電磁波屏蔽濾波器的PDP。
圖5是根據(jù)本發(fā)明一個實施例的PDP設(shè)備的分解透視圖。參考圖5，PDP設(shè)備500包括殼體510、覆蓋殼體510的上表面的蓋540、在殼體510中所容納的驅(qū)動電路板520、包括其中出現(xiàn)氣體放電的放電單元的板組件530、以及根據(jù)本發(fā)明實施例的電磁波屏蔽濾波器100或100’。
電磁波屏蔽濾波器100或100’包括由襯底上的高導(dǎo)電性材料構(gòu)成的導(dǎo)電層。該導(dǎo)電層通過蓋150接地到殼體110上。即，在其到達觀眾之前，從板組件530中產(chǎn)生的電磁波通過電磁波屏蔽濾波器100或100’的導(dǎo)電層接地到蓋540和殼體510。
圖6是示出了根據(jù)本發(fā)明實施例的PDP設(shè)備500的透視圖。
參考圖6，該PDP設(shè)備500包括電磁波屏蔽濾波器100或100’和板組件530。該電磁波屏蔽濾波器100或100’包括層疊結(jié)構(gòu)和在層疊結(jié)構(gòu)上形成的氧化鈮層。該層疊結(jié)構(gòu)具有多重疊層，每一個由氧化鈮層、保護層和金屬層或氧化鈮層、保護層、金屬層和保護層順序地依次層疊構(gòu)成，通過將各層重復(fù)地層疊至少三次來形成所述多重疊層，并且該多重疊層具有三個或更多個多層疊層的順序?qū)盈B結(jié)構(gòu)，其中多層的每一個疊層可以包括氧化鈮層、保護和金屬層，或者包括氧化鈮層、保護層、金屬層和保護層。盡管未示出，電磁波屏蔽濾波器100或100’還可以包括氖光屏蔽層、NIR屏蔽層和抗反射層、以及具有氖光屏蔽功能、NIR屏蔽功能和/或抗反射功能的組合層。
下面將詳細(xì)描述板組件530。
參考圖6，多個保持電極612以帶狀圖案設(shè)置在前襯底611的表面上。多個保持電極612的每一個包括總線電極613，用于減小信號延遲。介電層614覆蓋了多個保持電極612的整個表面。將節(jié)點保護層615形成在介電層614上。即，通過濺射等而使用由MgO構(gòu)成的薄膜來覆蓋介電層614的表面，形成了介電保護層615。
同時，將多個尋址電極622以帶狀圖案排列在與前襯底611相反和相對的后電極621的襯底上。當(dāng)前襯底611和后襯底612彼此面對時，形成的尋址電極622與保持電極對612彼此相交。尋址電極622完全覆蓋有介電層623。將多個隔板肋624形成在介電層623上以便與尋址電極622平行，并向前襯底611凸起。將隔板肋624設(shè)置在各個相鄰尋址電極622的每一個之間。
將磷光體層625形成在由隔板肋624和介電層623限定的溝槽的側(cè)表面上。磷光體625包括紅色磷光體層625R、綠色磷光體層625G和藍(lán)色磷光體層625B，由隔板肋624分隔。通過厚膜形成方法(例如，絲網(wǎng)印刷方法、噴墨方法或光刻膠膜方法)，利用紅色、綠色和藍(lán)色磷光體顆粒分別形成紅色磷光體層625R、綠色磷光體層625G和藍(lán)色磷光體層625B。紅色磷光體層625R、綠色磷光體層625G和藍(lán)色磷光體層625B可以由(Y，Gd)BO3:Eu、Zn2SiO4:Mn和BaMgAl10O17分別構(gòu)成。
當(dāng)前襯底611和后襯底612彼此耦合且面對時，在設(shè)置在前襯底611和后襯底612之間的尋址電極622和掃描電極612的交點處產(chǎn)生放電單元626。然后，將放電氣體注入到由溝槽和介電保護層615限定的放電單元626中。可以將He-Xe氣或He-Xe氣用作放電氣體。
板組件530按照與熒光燈相同的原理發(fā)光。通過放電單元626的放電從放電氣體中發(fā)出的UV光激發(fā)磷光體層725，從而發(fā)出可見光。
磷光體層625R、625G和625B由對可見光的不同轉(zhuǎn)換系數(shù)的磷光體材料構(gòu)成。因此，通常通過調(diào)節(jié)紅色磷光體層625R、綠色磷光體層625G和藍(lán)色磷光體層625B的亮度來執(zhí)行對板組件130中的圖像顯示的色彩平衡調(diào)節(jié)。詳細(xì)地，根據(jù)具有最低亮度的磷光體層，按照預(yù)定的比值來降低其他磷光體層的亮度。
板組件530的驅(qū)動主要由尋址放電和保持放電來執(zhí)行。尋址放電出現(xiàn)在尋址電極622和保持電極對612之一之間，其中產(chǎn)生了圍壁電荷(wall charge)。在該保持放電期間，由從放電氣體發(fā)出的UV光來激發(fā)其中產(chǎn)生了圍壁電荷的放電單元626的磷光體層625，從而發(fā)出可見光。通過前襯底611來發(fā)出可見光，從而形成視覺可識別圖像。
根據(jù)本發(fā)明的電磁波屏蔽濾波器、制造電磁波屏蔽濾波器的方法和包括該電磁波屏蔽濾波器的PDP設(shè)備至少提供了以下優(yōu)點。
首先，電磁波屏蔽濾波器具有由AZO構(gòu)成的保護層，從而通過使金屬層不受化學(xué)品和潮濕的損壞，提高了耐久性。
其次，與傳統(tǒng)的ITO保護層相比，AZO保護層具有較高的可見光透射率。
第三，電磁波屏蔽濾波器具有較低的薄膜電阻，提高了電磁波屏蔽或干擾效率。
第四，該電磁波屏蔽濾波器對可見光的藍(lán)色區(qū)域具有較高的透射率，從而增加了開發(fā)色彩調(diào)節(jié)膜的自由度。
作為該詳細(xì)描述的結(jié)論，本領(lǐng)域的技術(shù)人員將會意識到，在并未實質(zhì)上脫離本發(fā)明的原理的情況下，可以對這些優(yōu)選實施例進行許多變化和修改。因此，所公開的本發(fā)明的優(yōu)選實施例僅用于一般性和描述的目的，而并非限定性的。
權(quán)利要求
1.一種電磁波屏蔽濾波器，包括層疊結(jié)構(gòu)，包括多重疊層，所述多重疊層每一個均由氧化鈮層、以ZnO作為主要成分的第一保護層、以及金屬層順序地依次層疊構(gòu)成，通過將各層重復(fù)層疊至少三次來形成所述多重疊層；以及在層疊結(jié)構(gòu)上形成的氧化鈮層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電磁波屏蔽濾波器，其特征在于第一保護層由鋁鋅氧化物(AZO)構(gòu)成。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電磁波屏蔽濾波器，其特征在于所述金屬層由銀或銀合金構(gòu)成。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電磁波屏蔽濾波器，其特征在于所述氧化鈮層具有范圍為15到80nm的厚度，第一保護層具有范圍為1到10nm的厚度，而金屬層具有范圍為7到20nm的厚度。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電磁波屏蔽濾波器，其特征在于襯底上的氧化鈮層和層疊結(jié)構(gòu)的氧化鈮層均具有范圍為15到40nm的厚度。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電磁波屏蔽濾波器，還包括金屬層之上的第二保護層。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的電磁波屏蔽濾波器，其特征在于所述第二保護層由銦錫氧化物(ITO)或鋁鋅氧化物(AZO)構(gòu)成。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的電磁波屏蔽濾波器，其特征在于所述第二保護層具有范圍為1到10nm的厚度。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電磁波屏蔽濾波器，其特征在于具有1.4或更小的薄膜電阻。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電磁波屏蔽濾波器，其特征在于具有65％或更大的可見光透射率。
11.一種電磁波屏蔽濾波器，包括層疊結(jié)構(gòu)，包括多重疊層，所述多重疊層每一個均由順序地依次層疊在襯底上的氧化鈮層、以ZnO作為主要成分的第一保護層、以及第二保護層構(gòu)成，通過將各層重復(fù)層疊至少三次來形成所述多重疊層；以及在層疊結(jié)構(gòu)上形成的氧化鈮層。
12.一種制造電磁波屏蔽濾波器的方法，包括以下步驟準(zhǔn)備層疊結(jié)構(gòu)，所述層疊結(jié)構(gòu)包括多重疊層，所述多重疊層每一個均由順序地依次層疊在襯底上的氧化鈮層、以ZnO作為主要成分的第一保護層、以及金屬層構(gòu)成，通過將各層重復(fù)層疊至少三次來形成所述多重疊層；以及在層疊結(jié)構(gòu)上形成氧化鈮層。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，還包括在金屬層上形成第二保護層。
14.一種包括根據(jù)權(quán)利要求1所述的電磁波屏蔽濾波器的等離子體顯示板(PDP)設(shè)備。
全文摘要
提出了一種具有低導(dǎo)電性、高可見光透射率和較好耐久性的電磁波屏蔽濾波器、制造該電磁波屏蔽濾波器的方法、以及包括該電磁波屏蔽濾波器的PDP設(shè)備。該電磁波屏蔽濾波器包括層疊結(jié)構(gòu)，包括多重疊層，所述多重疊層每一個均由氧化鈮層、以ZnO作為主要成分的第一保護層、以及金屬層順序地依次層疊構(gòu)成，通過將各層重復(fù)層疊至少三次來形成所述多重疊層；以及在層疊結(jié)構(gòu)上形成的氧化鈮層。
文檔編號G12B17/02GK1770972SQ20051011408
公開日2006年5月10日 申請日期2005年10月18日 優(yōu)先權(quán)日2004年10月18日
發(fā)明者金義洙, 禹慶槿, 吳定烘, 樸臺淳 申請人:三星康寧株式會社