專利名稱：有機(jī)電致發(fā)光器件及其制造方法
相關(guān)申請(qǐng)的交叉參考本發(fā)明要求如下韓國專利申請(qǐng)的優(yōu)先權(quán)在2004年10月21日提交的專利申請(qǐng)2004-84502和2004-84505、在2004年10月25日提交的專利申請(qǐng)2004-85201、在2004年11月19日提交的專利申請(qǐng)2004-94954和2004-94957，這些專利申請(qǐng)以全文引入本文以供參考。
背景技術(shù)：
1.發(fā)明領(lǐng)域本發(fā)明涉及有機(jī)電致發(fā)光器件及其制造方法。更具體地，本發(fā)明涉及能防止氧氣或水滲入的薄有機(jī)電致發(fā)光器件及其制造方法。
2.相關(guān)技術(shù)描述作為自發(fā)光器件的有機(jī)電致發(fā)光器件在被施加一定電壓時(shí)，可發(fā)出具有預(yù)定波長的光。


圖1A為顯示常規(guī)第一有機(jī)電致發(fā)光器件的平面圖。
在圖1A中，有機(jī)電致發(fā)光器件包括多個(gè)像素30、消氣器50和盒蓋(cell cap)70。
每個(gè)像素30包括在襯底10上依次形成的陽極層100、有機(jī)層120和陰極層140。在向陽極層100和陰極層140分別施加正電壓和負(fù)電壓的情況下，從有機(jī)層120中發(fā)出具有一定波長的光。
消氣器50被連接到盒蓋70，用于除去有機(jī)電致發(fā)光器件中的氧氣(O2)或水(H2O)。
盒蓋70覆蓋像素30，以使氧氣(O2)、水(H2O)等不會(huì)滲入盒蓋70內(nèi)部。在這種情況下，消氣器50不應(yīng)與陰極層140接觸。因此，在消氣器50和陰極層140之間需要有間隔，所以增加了第一有機(jī)電致發(fā)光器件的厚度。
近年來，使用有機(jī)電致發(fā)光器件的移動(dòng)電話等趨于小型化。因此，有機(jī)電致發(fā)光器件的厚度也應(yīng)減小。但是，第一有機(jī)電致發(fā)光器件包括連接消氣器50的盒蓋70，所以不能減小使用常規(guī)第一有機(jī)電致發(fā)光器件的移動(dòng)電話的厚度。
因此，開發(fā)了下面的第二有機(jī)電致發(fā)光器件。
圖1B為顯示常規(guī)第二有機(jī)電致發(fā)光器件的平面圖。
在圖1B中，第二有機(jī)電致發(fā)光器件包括像素30、平坦化層200和鈍化層220。
平坦化層200在像素30上形成，從而加強(qiáng)了像素30和鈍化層220之間的粘合力。
在平坦化層200上形成鈍化層220，以防止氧氣(O2)、水(H2O)等滲入鈍化層220內(nèi)部。但是，連接到襯底10的鈍化層220的邊緣部分的厚度很薄，因此氧氣(O2)、水(H2O)等能滲入平坦化層200內(nèi)部。結(jié)果，一部分像素30可能無法發(fā)光。
因此，一直需要能防止氧氣(O2)、水(H2O)等的滲入并且很薄的另一種有機(jī)電致發(fā)光器件。
發(fā)明概述本發(fā)明的一個(gè)特征是提供能防止氧氣(O2)、水(H2O)等滲入的有機(jī)電致發(fā)光器件及其制造方法。
依照本發(fā)明第一實(shí)施方案的有機(jī)電致發(fā)光器件包括襯底、多個(gè)像素和平坦化層。襯底具有在有源區(qū)域周圍形成的凹槽。像素在有源區(qū)域內(nèi)形成。平坦化層覆蓋襯底上的像素。鈍化層覆蓋平坦化層和凹槽。平坦化層為不導(dǎo)電有機(jī)層。平坦化層包含苯并環(huán)丁烯或SiLK。鈍化層為用于防止氧氣和水的無機(jī)層。
依照本發(fā)明第二實(shí)施方案的有機(jī)電致發(fā)光器件包括襯底、平坦化層、防滲透層和鈍化層。襯底具有在有源區(qū)域內(nèi)形成的多個(gè)像素。平坦化層覆蓋像素。防滲透層覆蓋平坦化層。鈍化層在防滲透層上形成。在襯底上有源區(qū)域的周圍形成凹槽，其中防滲透部分覆蓋凹槽。有機(jī)電致發(fā)光器件還包括在有源區(qū)域周圍形成的通道延伸部分，其中防滲透部分覆蓋通道延伸部分。防滲透層包含鋁(Al)、鈦(Ti)、或氮化鈦(TiN)。防滲透層為氧化物層。
依照本發(fā)明第三實(shí)施方案，具有在襯底上形成的多個(gè)像素的有機(jī)電致發(fā)光器件包括平坦化層、多個(gè)通道延伸部分和鈍化層。平坦化層覆蓋像素。通道延伸部分在平坦化層周圍的襯底上形成。鈍化層覆蓋平坦化層和通道延伸部分。每個(gè)通道延伸部分為梯形形狀。每個(gè)通道延伸部分為矩形形狀。有機(jī)電致發(fā)光器件還包括在平坦化層、通道延伸部分和鈍化層之間形成的防滲透層。防滲透層包括鋁(Al)、鈦(Ti)、或氮化鈦(TiN)。防滲透層為氧化物層。
依照本發(fā)明第一實(shí)施方案，一種制造有機(jī)電致發(fā)光器件的方法包括通過對(duì)襯底進(jìn)行圖案化處理而產(chǎn)生在有源區(qū)域周圍具有多個(gè)凹槽的襯底；在有源區(qū)域內(nèi)形成多個(gè)像素；在像素上形成平坦化層，以使像素被平坦化層覆蓋；和在平坦化層和凹槽上形成鈍化層，以使平坦化層和凹槽被鈍化層覆蓋。形成平坦化層的步驟包括在像素上沉積平坦化材料，以使像素被平坦化材料覆蓋；和將沉積平坦化材料的上側(cè)拋光。通過對(duì)在其上形成平坦化層的襯底進(jìn)行圖案化處理而形成凹槽。凹槽在真空氣氛中形成。該制造有機(jī)電致發(fā)光器件的方法還包括在平坦化層和凹槽上形成防滲透層，使防滲透層位于平坦化層、凹槽和鈍化層之間。形成防滲透層的步驟包括在平坦化層和凹槽上形成金屬層；和在氧氣氣氛中氧化金屬層以形成氧化物層。
依照本發(fā)明第二實(shí)施方案，一種制造具有在襯底上形成的多個(gè)像素的有機(jī)電致發(fā)光器件的方法包括在像素上形成平坦化層，以使像素被平坦化層覆蓋；在其中形成平坦化層的區(qū)域周圍的襯底上形成多個(gè)通道延伸部分；和在平坦化層和通道延伸部分上形成鈍化層。像素通過下列步驟形成在襯底上依次形成氧化銦錫膜、絕緣層、阻擋部分(dam)；在陽極層上依次形成有機(jī)層和陰極層，其中通道延伸部分在阻擋部分形成時(shí)形成。通道延伸部分包括與阻擋部分相同的材料。該制造有機(jī)電致發(fā)光器件的方法還包括在平坦化層和通道延伸部分上形成防滲透層，其中防滲透層位于平坦化層、通道延伸部分和鈍化層之間。形成防滲透層的步驟包括在平坦化層和通道延伸部分上形成金屬層；和在氧氣氣氛中氧化金屬層以形成氧化物層。
依照本發(fā)明第三實(shí)施方案，一種制造具有多個(gè)像素的有機(jī)電致發(fā)光器件的方法包括在像素上形成平坦化層，以使像素被平坦化層覆蓋；在平坦化層上形成防滲透層，以使平坦化層被防滲透層覆蓋；和在防滲透層上形成鈍化層。形成防滲透層的步驟包括在平坦化層上形成金屬層；和在氧氣氣氛中氧化金屬層以形成氧化物層。形成防滲透層的步驟包括在平坦化層上沉積氧化物層。
如上所述，本有機(jī)電致發(fā)光器件及其制造方法包括凹槽或通道延伸部分，因此氧氣(O2)、水(H2O)等不會(huì)滲入鈍化層內(nèi)部。
另外，本有機(jī)電致發(fā)光器件及其制造方法包括防滲透層，因此氧氣(O2)、水(H2O)等不會(huì)滲入防滲透層內(nèi)部。
附圖簡述通過參考下面的詳細(xì)描述并結(jié)合附圖，本發(fā)明的上述和其他特征及優(yōu)點(diǎn)將變得顯而易見，其中圖1A為顯示常規(guī)第一有機(jī)電致發(fā)光器件的平面圖；圖1B為顯示常規(guī)第二有機(jī)電致發(fā)光器件的平面圖；圖2A為顯示本發(fā)明第一實(shí)施方案的有機(jī)電致發(fā)光器件的平面圖；圖2B為顯示本發(fā)明一個(gè)實(shí)施方案的圖2A中A部分的放大圖；圖2C為顯示本發(fā)明另一個(gè)實(shí)施方案的圖2A中A部分的放大圖；圖3A至圖3D為顯示本發(fā)明其他實(shí)施方案的有機(jī)電致發(fā)光器件的平面圖；圖4A為顯示本發(fā)明第二實(shí)施方案的有機(jī)電致發(fā)光器件的平面圖；圖4B為顯示本發(fā)明一個(gè)實(shí)施方案的圖4A中B部分的放大圖；圖4C為顯示本發(fā)明另一個(gè)實(shí)施方案的圖4A中B部分的放大圖；圖5為顯示本發(fā)明第三實(shí)施方案的有機(jī)電致發(fā)光器件的平面圖；圖6A為顯示本發(fā)明第四實(shí)施方案的有機(jī)電致發(fā)光器件的平面圖；圖6B為顯示本發(fā)明第五實(shí)施方案的有機(jī)電致發(fā)光器件的平面圖；圖7A為顯示本發(fā)明第六實(shí)施方案的有機(jī)電致發(fā)光器件的平面圖；圖7B為顯示本發(fā)明第七實(shí)施方案的有機(jī)電致發(fā)光器件的平面圖；圖8A為顯示本發(fā)明第八實(shí)施方案的有機(jī)電致發(fā)光器件的平面圖；和圖8B為顯示本發(fā)明第九實(shí)施方案的有機(jī)電致發(fā)光器件的平面圖。
實(shí)施方案描述在下文中，將參考附圖更詳細(xì)地解釋本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方案。
圖2A為顯示本發(fā)明第一實(shí)施方案的有機(jī)電致發(fā)光器件的平面圖，圖2B為顯示本發(fā)明一個(gè)實(shí)施方案的圖2A中A部分的放大圖。另外，圖2C為顯示本發(fā)明另一個(gè)實(shí)施方案的圖2A中A部分的放大圖。
在圖2A至圖2C中，本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光器件包括襯底300、像素30、平坦化層320和鈍化層340。
襯底300具有在有源區(qū)域周圍形成的凹槽310，在所述有源區(qū)域內(nèi)形成像素30。
像素30在襯底300上的有源區(qū)域內(nèi)形成，如圖2A中所示。另外，像素30通過在襯底300上依次沉積陽極層100、有機(jī)層120和陰極層140而形成。
如果向陽極層100如氧化銦錫膜(ITO膜)施加一定的正電壓，那么陽極層100就會(huì)給有機(jī)層120提供空穴。
如果向陰極層140施加一定的負(fù)電壓，那么陰極層140就會(huì)給有機(jī)層120提供電子。
有機(jī)層120包括在陽極層100上依次形成的空穴傳輸層(HTL)、發(fā)光層(EML)和電子傳輸層(ETL)。如果向陽極層100和陰極層140分別施加正電壓和負(fù)電壓，HTL就會(huì)將陽極層100提供的空穴傳輸?shù)紼ML中，而ETL就會(huì)將陰極層140提供的電子傳輸?shù)紼ML中。被傳輸?shù)目昭ê碗娮釉贓ML中重新結(jié)合，因而從EML中發(fā)出具有預(yù)定波長的光。
平坦化層320覆蓋像素30，前者為不導(dǎo)電有機(jī)層。例如，由苯并環(huán)丁烯(BCB)或SiLK(Dow Chemical Company的商標(biāo))組成的平坦化層320加強(qiáng)了像素30和鈍化層340之間的粘合力。
作為無機(jī)層的鈍化層340在平坦化層320和凹槽310上形成，防止氧氣(O2)或水(H2O)的滲入。
在圖2B中，依照本發(fā)明一個(gè)實(shí)施方案的鈍化層340包括在平坦化層320和凹槽310上依次形成的第一氧化硅層340A、氮化硅層340B和第二氧化硅層340C，因而可防止氧氣(O2)或水(H2O)滲入鈍化層340內(nèi)部。這里，氮化硅層340B能極好地防止氧氣(O2)或水(H2O)的滲入，但是如果氮化硅層340B形成得很厚，它可能使襯底300彎曲。因此，氮化硅層340B應(yīng)該形成得很薄，以防止氧氣(O2)或水(H2O)的滲入。
在圖2C中，依照本發(fā)明另一個(gè)實(shí)施方案的鈍化層340包括在平坦化層320和凹槽310上依次形成的第一氧化硅層340A、第一氮化硅層340B、第二氧化硅層340C、第二氮化硅層340D和第三氧化硅層340E。
簡言之，鈍化層340可包括至少一個(gè)氮化硅層。但是，希望鈍化層340包括多個(gè)薄的氮化硅層，如圖2C中所示。
在本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光器件中，在其上形成凹槽310的襯底300上形成鈍化層340，因此氧氣(O2)、水(H2O)等可滲通的滲透路徑的長度增大。結(jié)果，氧氣(O2)、水(H2O)等不會(huì)滲入鈍化層340內(nèi)部。
另外，與常規(guī)有機(jī)電致發(fā)光器件不同，這種有機(jī)電致發(fā)光器件不包括盒蓋。因此，本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光器件比常規(guī)有機(jī)電致發(fā)光器件薄。相應(yīng)地，應(yīng)用本發(fā)明有機(jī)電致發(fā)光器件的移動(dòng)電話等可以比應(yīng)用常規(guī)有機(jī)電致發(fā)光器件的移動(dòng)電話等薄。
圖3A至圖3D為顯示本發(fā)明其他實(shí)施方案的有機(jī)電致發(fā)光器件的平面圖。
在圖3A中，通過使用某一掩模400蝕刻襯底300，從而在襯底300上形成凹槽310。
隨后，在襯底300上形成像素30，如圖3B中所示。
然后，平坦化層320在襯底300上形成，以覆蓋像素30，如圖3C中所示。具體地，當(dāng)不導(dǎo)電有機(jī)材料的平坦化材料沉積在像素上時(shí)，形成平坦化層320。在另一個(gè)實(shí)施方案中，當(dāng)平坦化材料沉積在像素30上時(shí)，通過拋光平坦化材料的上側(cè)形成平坦化層320。
隨后，鈍化層340在平坦化層320和凹槽310上形成，如圖3D中所示。
在依照本發(fā)明另一個(gè)實(shí)施方案制造有機(jī)電致發(fā)光器件的方法中，在沉積平坦化層320以覆蓋像素30之后，形成凹槽310。在這種情況下，凹槽310應(yīng)該在真空氣氛中形成，以防止氧氣(O2)、水(H2O)等的滲入。
圖4A為顯示本發(fā)明第二實(shí)施方案的有機(jī)電致發(fā)光器件的平面圖，圖4B為顯示本發(fā)明一個(gè)實(shí)施方案的圖4A中B部分的放大圖。此外，圖4C為顯示本發(fā)明另一個(gè)實(shí)施方案的圖4A中B部分的放大圖。
在圖4A至圖4C中，本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光器件包括通道延伸部分400、像素30、平坦化層420和鈍化層440。
通道延伸部分400在平坦化層420周圍的襯底10上形成，如圖4A中所示。這里，通道延伸部分400具有正方形或矩形形狀。
作為不導(dǎo)電有機(jī)層的平坦化層420覆蓋了像素30。例如，由BCB或SiLK組成的平坦化層420加強(qiáng)了像素30和鈍化層440之間的粘合力。
在其上形成平坦化層420和通道延伸部分400的襯底10上形成鈍化層440。另外，作為無機(jī)層的鈍化層440防止了氧氣(O2)或水(H2O)的滲入。
在圖4B中，依照本發(fā)明一個(gè)實(shí)施方案的鈍化層440包括在襯底10上依次形成的第一氧化硅層440A、氮化硅層440B和第二氧化硅層440C，在所述襯底10上已形成平坦化層420和通道延伸部分400。
在圖4C中，依照本發(fā)明另一個(gè)實(shí)施方案的鈍化層440包括在襯底10上依次形成的第一氧化硅層440A、第一氮化硅層440B、第二氧化硅層440C、第二氮化硅層440D和第三氧化硅層440E，在所述襯底10上已形成平坦化層420和通道延伸部分400。
在本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光器件中，在其上形成通道延伸部分400的襯底10上形成鈍化層440，因此氧氣(O2)、水(H2O)等滲透的滲透路徑的長度增加。結(jié)果，氧氣(O2)、水(H2O)等不會(huì)滲入鈍化層440內(nèi)部。
在下文中，將詳細(xì)描述一種制造有機(jī)電致發(fā)光器件的方法。
在襯底10上形成像素30。
隨后，沉積平坦化層420以覆蓋像素30。
然后，在平坦化層420周圍的襯底10上沉積通道延伸部分400。在另一個(gè)實(shí)施方案中，在襯底10上形成像素30之前，在襯底10上形成通道延伸部分400。
隨后，在其上沉積平坦化層420和通道延伸部分400的襯底10上形成鈍化層440。
圖5C為顯示本發(fā)明第三實(shí)施方案的有機(jī)電致發(fā)光器件的平面圖。
在圖5中，本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光器件包括像素30、通道延伸部分500、平坦化層520和鈍化層540。
平坦化層520和鈍化層540與第二實(shí)施方案中的平坦化層和鈍化層相同，所以將省略關(guān)于相同元件的任意其他詳細(xì)描述。
如圖5中所示，通道延伸部分500具有懸垂(overhang)形狀，即通道延伸部分500的上底比其下底長，這延長了氧氣(O2)或水(H2O)滲透的滲透路徑。結(jié)果，氧氣(O2)或水(H2O)不會(huì)滲入鈍化層540內(nèi)部。在另一個(gè)實(shí)施方案中，通道延伸部分500的下底可比其上底長。
另外，通道延伸部分500由與壁180相同的材料組成。
在下文中，將詳細(xì)描述一種制造有機(jī)電致發(fā)光器件的方法。
依次在襯底10上沉積陽極層100和絕緣層160。
隨后，當(dāng)壁180在絕緣層160上形成時(shí)，在襯底10上形成通道延伸部分500。在另一個(gè)實(shí)施方案中，可以在像素30形成之前，或在平坦化層520形成之后，形成通道延伸部分500。
然后，在陽極層100上依次形成有機(jī)層120和陰極層140，即在襯底10上形成像素30。
隨后，在像素30上形成平坦化層520以覆蓋像素30。
然后，在其上形成平坦化層520和通道延伸部分500的襯底10上形成鈍化層540。
圖6A為顯示本發(fā)明第四實(shí)施方案的有機(jī)電致發(fā)光器件的平面圖。
在圖6A中，本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光器件包括像素30、平坦化層600、防滲透層620、和鈍化層640。
平坦化層600覆蓋了像素30。
在平坦化層600上形成防滲透層620以覆蓋平坦化層600，該防滲透層620由金屬如鋁(Al)、鈦(Ti)、或氮化鈦(TiN)組成。這里，金屬具有與氧氣(O2)或水(H2O)的反應(yīng)性。因此，如果氧氣(O2)或水(H2O)滲入，金屬就被氧化，從而防滲透層620被轉(zhuǎn)化為氧化物層。轉(zhuǎn)化的氧化物層的密度高于金屬的密度，因此氧氣(O2)或水(H2O)不會(huì)沿著轉(zhuǎn)化的氧化物層擴(kuò)散。結(jié)果，在氧化物層形成之后，氧氣(O2)或水(H2O)不會(huì)滲入防滲透層620內(nèi)部。
鈍化層640在防滲透層620上形成。
依照本發(fā)明一個(gè)實(shí)施方案的鈍化層640通過在防滲透層620上依次沉積第一氧化硅層、氮化硅層和第二氧化硅層而形成。
依照本發(fā)明另一個(gè)實(shí)施方案的鈍化層640通過在防滲透層620上依次沉積第一氧化硅層、第一氮化硅層、第二氧化硅層、第二氮化硅層和第三氧化硅層而形成。
在下文中，將詳細(xì)描述一種制造有機(jī)電致發(fā)光器件的方法。
在襯底10上形成像素30，然后在像素30上形成平坦化層600以覆蓋像素30。
隨后，在平坦化層600上形成防滲透層620以覆蓋平坦化層600，然后在防滲透層620上形成鈍化層640。
與常規(guī)有機(jī)電致發(fā)光器件不同，本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光器件包括防滲透層620，如果氧氣(O2)或水(H2O)滲入，所述防滲透層620就轉(zhuǎn)化為氧化物層。因此，在防滲透層620轉(zhuǎn)化為氧化物層之后，滲透的氧氣(O2)或水(H2O)不會(huì)滲入防滲透層620內(nèi)部。
圖6B為顯示本發(fā)明第五實(shí)施方案的有機(jī)電致發(fā)光器件的平面圖。
在圖6B中，本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光器件包括像素30、平坦化層600、防滲透層660和鈍化層640。
因?yàn)槌罎B透層660外，本實(shí)施方案的元件和第一實(shí)施方案中的元件相同，所以將省略關(guān)于相同元件的任何其他詳細(xì)說明。
作為氧化物層的防滲透層660通過下列步驟形成在平坦化層600上形成金屬層如Al、Ti或TiN，然后在氧氣氣氛中氧化金屬層。換言之，與第四實(shí)施方案中的防滲透層320不同，防滲透層660在氧氣(O2)或水(H2O)滲入之前形成。
圖7A為顯示本發(fā)明第六實(shí)施方案的有機(jī)電致發(fā)光器件的平面圖。
在圖7A中，本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光器件包括襯底700、像素30、平坦化層740、防滲透層760和鈍化層780。
襯底700在有源區(qū)域的周圍具有凹槽720，如圖7A中所示。
平坦化層740在像素30上形成以覆蓋像素30，該平坦化層740由不導(dǎo)電層如BCB或SiLK組成。
形成防滲透層760以覆蓋平坦化層740和凹槽720，該防滲透層760由金屬如Al、Ti或TiN組成。這里，金屬具有與氧氣(O2)或水(H2O)的反應(yīng)性。因此，如果氧氣(O2)或水(H2O)滲入，金屬就被氧化，因而防滲透層760轉(zhuǎn)化為氧化物層。轉(zhuǎn)化的氧化物層的密度比金屬的密度高，這樣氧氣(O2)或水(H2O)不會(huì)沿著轉(zhuǎn)化的氧化物層擴(kuò)散。結(jié)果，在氧化物層形成之后，氧氣(O2)或水(H2O)不會(huì)滲入防滲透層760內(nèi)部。
鈍化層780在防滲透層760上形成。
依照本發(fā)明另一實(shí)施方案的鈍化層780通過在防滲透層760上依次沉積第一氧化硅層、氮化硅層和第二氧化硅層而形成。
依照本發(fā)明另一實(shí)施方案的鈍化層780通過在防滲透層760上依次沉積第一氧化硅層、第一氮化硅層、第二氧化硅層、第二氮化硅層和第三氧化硅層而形成。
在下文中，將詳細(xì)描述制造有機(jī)電致發(fā)光器件的方法。
凹槽720通過使用某一掩模蝕刻襯底700而在襯底上700上形成。
隨后，在襯底700上形成像素30。
然后，在像素30上沉積平坦化層740以覆蓋像素30。
隨后，在其上形成平坦化層740和凹槽720的襯底700上形成防滲透層760。
然后，在防滲透層760上形成鈍化層780。
在依照本發(fā)明另一實(shí)施方案的一種制造有機(jī)電致發(fā)光器件的方法中，在像素30上沉積平面化層740之后形成凹槽720。在這種情況下，凹槽720應(yīng)在真空氣氛中形成，以防止氧氣(O2)、水(H2O)等的滲入。
圖7B為顯示本發(fā)明的第七實(shí)施方案的有機(jī)電致發(fā)光器件的平面圖。
在圖7B中，本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光器件包括襯底700、像素30、平坦化層740、防滲透層790和鈍化層780。
因?yàn)槌罎B透層790外，本實(shí)施方案的元件和第六實(shí)施方案的元件相同，所以將省略關(guān)于相同元件的任何其他詳細(xì)說明。
作為氧化物層的防滲透層790通過下列步驟形成形成金屬層如Al、Ti或TiN以覆蓋其上形成平坦化層740和凹槽720的襯底700，然后在氧氣氣氛中氧化金屬層。換言之，與第六實(shí)施方案中的防滲透層760不同，防滲透層790在氧氣(O2)或水(H2O)滲入之前形成。
圖8A為顯示本發(fā)明第八實(shí)施方案的有機(jī)電致發(fā)光器件的平面圖。
在圖8A中，本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光器件包括通道延伸部分820、像素30、平坦化層840、防滲透層860和鈍化層880。
通道延伸部分820在有源區(qū)域周圍的襯底800上形成，在所述有源區(qū)域內(nèi)形成像素30。這里，通道延伸部分820具有正方形形狀、矩形形狀或懸垂形狀。
平坦化層840覆蓋像素30，該平坦化層840由不導(dǎo)電有機(jī)膜如BCB或SiLK組成。
形成防滲透層860以覆蓋平坦化層840和通道延伸部分820，防滲透層860由金屬如Al、Ti或TiN組成。這里，金屬具有與氧氣(O2)或水(H2O)的反應(yīng)性。因此，如果氧氣(O2)或水(H2O)滲入，金屬就被氧化，因而防滲透層860轉(zhuǎn)化為氧化物層。轉(zhuǎn)化的氧化物層的密度比金屬的密度高，這樣氧氣(O2)或水(H2O)不會(huì)沿著轉(zhuǎn)化的氧化物層擴(kuò)散。結(jié)果，氧化物層形成之后，氧氣(O2)或水(H2O)不會(huì)滲入防滲透層860內(nèi)部。
在防滲透層860上形成作為無機(jī)層的鈍化層880。
在下文中，將詳細(xì)描述本發(fā)明的一種制造有機(jī)電致發(fā)光器件的方法。
在襯底800上形成像素30。
隨后，沉積平坦化層840以覆蓋像素30。
然后，在襯底800上平坦化層840的周圍形成通道延伸部分820。在另一實(shí)施方案中，可在襯底800上形成像素30之前形成通道延伸部分820。當(dāng)壁180形成時(shí)，可在襯底800上形成通道延伸部分820。
隨后，防滲透層860在襯底800上形成，在所述襯底800上已形成平坦化層840和通道延伸部分。
然后，在防滲透層860上形成鈍化層880。
圖8B為顯示本發(fā)明第九實(shí)施方案的有機(jī)電致發(fā)光器件的平面圖。
在圖8B中，本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光器件包括像素30、平坦化層840、防滲透層890和鈍化層880。
因?yàn)槌罎B透層890外，本實(shí)施方案的元件和第六實(shí)施方案的元件相同，所以將省略關(guān)于相同元件的任何其他詳細(xì)說明。
作為氧化物層的防滲透層890通過下列步驟形成形成金屬層如Al、Ti或TiN以覆蓋其上形成平坦化層840和通道延伸部分820的襯底800，然后在氧氣氣氛中氧化金屬層。換言之，與第八實(shí)施方案中的防滲透層860不同，防滲透層890在氧氣(O2)或水(H2O)滲入之前形成。
通過本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方案，應(yīng)該注意，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以根據(jù)上述教導(dǎo)可進(jìn)行修改和變化。因此，應(yīng)該理解在附加權(quán)利要求書概括的本發(fā)明范圍和精神內(nèi)，可以改變本發(fā)明的具體實(shí)施方案。
權(quán)利要求
1.一種有機(jī)電致發(fā)光器件，所述器件包括具有在有源區(qū)域周圍形成的凹槽的襯底；在有源區(qū)域內(nèi)形成的多個(gè)像素；覆蓋襯底上的像素的平坦化層；和覆蓋平坦化層和凹槽的鈍化層。
2.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其中平坦化層為不導(dǎo)電有機(jī)層。
3.如權(quán)利要求2所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其中平坦化層包含苯并環(huán)丁烯或SiLK。
4.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其中鈍化層為用于防止氧氣和水的無機(jī)層。
5.一種有機(jī)電致發(fā)光器件，所述器件包括包括在有源區(qū)域內(nèi)形成的多個(gè)像素的襯底；覆蓋像素的平坦化層；覆蓋平坦化層的防滲透層；和在防滲透層上形成的鈍化層。
6.如權(quán)利要求5所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其中凹槽在襯底上有源區(qū)域的周圍形成，且其中防滲透部分覆蓋凹槽。
7.如權(quán)利要求5所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，還包括在有源區(qū)域周圍形成的通道延伸部分，其中防滲透部分覆蓋通道延伸部分。
8.如權(quán)利要求5所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其中防滲透層包含鋁(Al)、鈦(Ti)、或氮化鈦(TiN)。
9.如權(quán)利要求5所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其中防滲透層為氧化物層。
10.一種具有在襯底上形成的多個(gè)像素的有機(jī)電致發(fā)光器件，所述器件包括覆蓋像素的平坦化層；在平坦化層周圍的襯底上形成的多個(gè)通道延伸部分；和覆蓋平坦化層和通道延伸部分的鈍化層。
11.如權(quán)利要求10所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其中每個(gè)通道延伸部分具有梯形形狀。
12.如權(quán)利要求10所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其中每個(gè)通道延伸部分具有矩形形狀。
13.如權(quán)利要求10所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，還包括在平坦化層、通道延伸部分和鈍化層之間形成的防滲透層。
14.如權(quán)利要求13所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其中防滲透層包括鋁(Al)、鈦(Ti)或氮化鈦(TiN)。
15.如權(quán)利要求13所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其中防滲透層為氧化物層。
16.一種制造有機(jī)電致發(fā)光器件的方法，所述方法包括通過對(duì)襯底進(jìn)行圖案化處理而產(chǎn)生在有源區(qū)域周圍具有多個(gè)凹槽的襯底；在有源區(qū)域內(nèi)形成多個(gè)像素；在像素上形成平坦化層，以使像素被平坦化層覆蓋；和在平坦化層和凹槽上形成鈍化層，以使平坦化層和凹槽被鈍化層覆蓋。
17.如權(quán)利要求16所述的制造有機(jī)電致發(fā)光器件的方法，其中平坦化層的形成包括在像素上沉積平坦化材料，以使像素被平坦化材料覆蓋；和拋光沉積平坦化材料的上側(cè)。
18.如權(quán)利要求17所述的制造有機(jī)電致發(fā)光器件的方法，其中通過對(duì)其上形成平坦化層的襯底進(jìn)行圖案化處理而形成凹槽。
19.如權(quán)利要求18所述的制造有機(jī)電致發(fā)光器件的方法，其中凹槽在真空氣氛中形成。
20.如權(quán)利要求16所述的制造有機(jī)電致發(fā)光器件的方法，所述方法還包括在平坦化層和凹槽上形成防滲透層，以使防滲透層位于平坦化層、凹槽和鈍化層之間。
21.如權(quán)利要求20所述的制造有機(jī)電致發(fā)光器件的方法，其中防滲透層的形成包括在平坦化層和凹槽上形成金屬層；和在氧氣氣氛中氧化金屬層，以形成氧化物層。
22.一種制造具有在襯底上形成的多個(gè)像素的有機(jī)電致發(fā)光器件的方法，所述方法包括在像素上形成平坦化層，以使像素被平坦化層覆蓋；在其中有平坦化層形成的區(qū)域周圍的襯底上形成多個(gè)通道延伸部分；和在平坦化層和通道延伸部分上形成鈍化層。
23.如權(quán)利要求22所述的制造有機(jī)電致發(fā)光器件的方法，其中像素通過下列步驟形成在襯底上依次形成氧化銦錫膜、絕緣層、和阻擋部分；和在陽極層上依次形成有機(jī)層和陰極層，其中，當(dāng)形成阻擋部分時(shí)形成通道延伸部分。
24.如權(quán)利要求23所述的制造有機(jī)電致發(fā)光器件的方法，其中通道延伸部分包括與阻擋部分相同的材料。
25.如權(quán)利要求22所述的制造有機(jī)電致發(fā)光器件的方法，所述方法還包括在平坦化層和通道延伸部分上形成防滲透層，其中，防滲透層位于平坦化層、通道延伸部分和鈍化層之間。
26.如權(quán)利要求25所述的制造有機(jī)電致發(fā)光器件的方法，其中防滲透層的形成包括在平坦化層和通道延伸層上形成金屬層；和在氧氣氣氛中氧化金屬層，以形成氧化物層。
27.一種制造具有多個(gè)像素的有機(jī)電致發(fā)光器件的方法，所述方法包括在像素上形成平坦化層，以使像素被平坦化層覆蓋；在平坦化層上形成防滲透層，以使平坦化層被防滲透層覆蓋；和在防滲透層上形成鈍化層。
28.如權(quán)利要求27所述的制造有機(jī)電致發(fā)光器件的方法，其中防滲透層的形成包括在平坦化層上形成金屬層；和在氧氣氣氛中氧化金屬層，以形成氧化物層。
29.如權(quán)利要求27所述的制造有機(jī)電致發(fā)光器件的方法，其中防滲透層的形成包括在平坦化層上沉積氧化物層。
全文摘要
本發(fā)明涉及能防止氧氣或水分滲入的薄有機(jī)電致發(fā)光器件。依照本發(fā)明一個(gè)實(shí)施方案的有機(jī)電致發(fā)光器件包括襯底、多個(gè)像素和平坦化層。襯底具有在有源區(qū)域周圍形成的凹槽。像素在有源區(qū)域內(nèi)形成。平坦化層覆蓋襯底上的像素。鈍化層覆蓋平坦化層和凹槽。由于有機(jī)電致發(fā)光器件包括凹槽或通道延伸部分，所以氧氣(O
文檔編號(hào)H05B33/10GK1784091SQ20051011616
公開日2006年6月7日 申請(qǐng)日期2005年10月21日 優(yōu)先權(quán)日2004年10月21日
發(fā)明者金祐贊 申請(qǐng)人:Lg電子株式會(huì)社