專利名稱：包括電子簇射空穴注入層的有機(jī)電致發(fā)光裝置及制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及包括電子簇射空穴注入層的有機(jī)電致發(fā)光裝置及其制備方法，尤其涉及通過進(jìn)行電子簇射處理從空穴注入層去除雜質(zhì)而具有改善的性能和使用壽命特性以及提高的空穴注入層表面電阻的有機(jī)電致發(fā)光裝置、及其制備方法。
背景技術(shù)：
有機(jī)電致發(fā)光裝置(EL裝置)是自發(fā)射型顯示裝置，其基于原理當(dāng)電流施加到熒光或磷光有機(jī)層時(shí)，電子和空穴結(jié)合從而發(fā)光。由于諸如薄且重量輕的結(jié)構(gòu)、簡(jiǎn)單的構(gòu)成元件、簡(jiǎn)化的制造工藝、高清晰度和高色純度的實(shí)現(xiàn)、低能耗、以及完全移動(dòng)的圖像(moving picture)和全彩顯示的實(shí)現(xiàn)等許多優(yōu)點(diǎn)，有機(jī)EL裝置已經(jīng)引起很多關(guān)注并得到積極研究。
為了提高發(fā)光效率和降低驅(qū)動(dòng)電壓，有機(jī)EL裝置通常包括多個(gè)有機(jī)層而不是利用單個(gè)發(fā)射層作為有機(jī)層，該多個(gè)有機(jī)層包括空穴注入層、電子傳輸層、空穴傳輸層、發(fā)射層等。多個(gè)有機(jī)層基本分成空穴相關(guān)層、電子相關(guān)層、以及發(fā)射層。圖1為一般有機(jī)EL裝置(例如采用小分子量發(fā)射層的系統(tǒng))的橫截面圖。參照?qǐng)D1，堆疊結(jié)構(gòu)被示出，其中負(fù)電極或陽極12堆疊在基板11上，空穴注入層(HIL)13和空穴傳輸層(HTL)14作為空穴相關(guān)層堆疊于其上，電子發(fā)射層(EML)15堆疊于其上，電子傳輸層(ETL)16和電子注入層(EIL)17作為電子相關(guān)層堆疊于其上，正電極或陰極18最后堆疊于其上。
在具有堆疊結(jié)構(gòu)的有機(jī)EL裝置中，形成空穴注入層13用于降低所施加的電壓、提高發(fā)射效率和增加裝置的使用壽命?？昭ㄗ⑷雽?3由銅酞菁(copper phthalocyanine)、星爆型胺(starbusrt-type amines)諸如TCTA或m-TDATA、或聚(3，4-亞乙基二氧基噻吩)(poly(3，4-ethylenedioxythiophene))(PEDOT)制成。
然而，當(dāng)空穴注入材料沒有單獨(dú)處理而用于空穴注入層時(shí)，由于表面雜質(zhì)，幾個(gè)問題會(huì)不受歡迎地出現(xiàn)，包括性能變差、表面電阻降低等。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種有機(jī)電致發(fā)光裝置及其制備方法，該有機(jī)電致發(fā)光裝置通過進(jìn)行電子簇射處理從空穴注入層去除雜質(zhì)而具有改善的性能和使用壽命特性以及提高的空穴注入層表面電阻。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供一種有機(jī)電致發(fā)光裝置，包括形成在基板上的陽極；形成在該陽極上的空穴注入層，其中該空穴注入層經(jīng)受電子簇射處理；形成在該空穴注入層上的發(fā)射層；以及形成在該發(fā)射層上的陰極。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供一種用于制備有機(jī)電致發(fā)光裝置的方法，包括在基板上形成陽極；在所述陽極上形成空穴注入層；對(duì)所述空穴注入層進(jìn)行電子簇射處理；在所述空穴注入層上形成發(fā)射層；以及在所述發(fā)射層上形成陰極。


通過參照附圖詳細(xì)描述本發(fā)明的示例性實(shí)施例，本發(fā)明的上述和其它特征及優(yōu)點(diǎn)將變得更明顯，附圖中圖1是常規(guī)有機(jī)EL裝置的橫截面圖；圖2是用于比較本發(fā)明中使用的直接電子簇射處理與側(cè)部電子簇射處理的示意圖；圖3是曲線圖，示出常規(guī)有機(jī)EL裝置與根據(jù)本發(fā)明一示例的有機(jī)EL裝置之間壽命對(duì)亮度的關(guān)系。
具體實(shí)施例方式
現(xiàn)在將更詳細(xì)地描述本發(fā)明。
本發(fā)明涉及有機(jī)EL裝置及其制備方法。具體地，本發(fā)明涉及通過在制造有機(jī)EL裝置的過程中對(duì)作用來促進(jìn)空穴注入到發(fā)射層中的空穴注入層進(jìn)行電子簇射處理從空穴注入層去除雜質(zhì)而具有改善的性能和使用壽命的有機(jī)EL裝置。本發(fā)明還涉及制備有機(jī)EL裝置的方法。
在本發(fā)明的一個(gè)方面中，提供一種有機(jī)電致發(fā)光裝置，其包括形成在基板上的陽極；形成在陽極上的空穴注入層，其中空穴注入層經(jīng)受電子簇射處理(electron shower treatment)；形成在空穴注入層上的發(fā)射層；以及形成在發(fā)射層上的陰極。
在本發(fā)明中，通過對(duì)空穴注入層實(shí)施電子簇射處理形成修改的空穴注入層，從而促進(jìn)空穴注入層表面中的預(yù)退化(pre-degradation)的去除或不穩(wěn)定雜質(zhì)的去除，且最小化由于不穩(wěn)定離子諸如硫離子和鹵素雜質(zhì)導(dǎo)致的性能變差。
為了獲得低電流密度，電子簇射處理優(yōu)選通過側(cè)部電子簇射方法而不是直接電子簇射方法實(shí)施。
圖2是用于比較本發(fā)明中使用的直接電子簇射處理與側(cè)部電子簇射處理的示意圖。如圖2所示，根據(jù)本發(fā)明中使用的側(cè)部電子簇射處理，將被處理的空穴注入層不位于來自電子發(fā)射源21的電子發(fā)射路徑22上。相反，將被處理的對(duì)象即其中空穴注入層25堆疊在基板24上的堆疊結(jié)構(gòu)位于偏離電子發(fā)射路徑22的位置23。結(jié)果，空穴注入層25被轉(zhuǎn)換成修改的空穴注入層。這樣的側(cè)部簇射處理的使用能夠達(dá)到界面處理效果。
更具體地，根據(jù)本發(fā)明中使用的側(cè)部電子簇射處理，將被處理的對(duì)象應(yīng)以一定限制條件位于偏離基于直接簇射方法的輻射區(qū)域(irradiation area)的位置處，該限制條件即該位置落在電子槍制造商建議的直徑范圍內(nèi)且距離電子槍的距離合適地在100mm至200mm的范圍。將被處理的對(duì)象的位置可根據(jù)表面處理和處理時(shí)間導(dǎo)致的特性改變被經(jīng)驗(yàn)地優(yōu)化。例如，電子槍與該對(duì)象之間的距離越長(zhǎng)，處理時(shí)間就越長(zhǎng)。然而，電子槍與該對(duì)象之間的較短距離使得難以優(yōu)化地調(diào)整表面處理效果。這里，所期望的界面處理效果包括通過穩(wěn)定導(dǎo)電聚合物表面的電不穩(wěn)定部分以及增加界面電阻抑制裝置被電驅(qū)動(dòng)時(shí)產(chǎn)生的雜質(zhì)遷移。
電子簇射處理優(yōu)選以10eV至100eV的電子能量進(jìn)行。如果電子能量小于10eV，基于側(cè)部簇射處理的能量不足以進(jìn)行表面處理，這是不期望的。如果電子能量大于100eV，導(dǎo)電聚合物表面被處理過度。
另外，優(yōu)選調(diào)節(jié)電子簇射處理的處理時(shí)間使得空穴注入層的表面電阻增加不大于10％初始表面電阻。如果電子簇射處理的處理時(shí)間太短，界面處理沒有充分進(jìn)行。如果電子簇射處理的處理時(shí)間太長(zhǎng)，空穴注入層的界面電阻增加使得空穴注入層不能適當(dāng)?shù)仄鸬綄?dǎo)電聚合物作用。
另外，為了去除從空穴注入層的表面出來的殘留材料，電子簇射處理可以包括在氮?dú)夥罩羞M(jìn)行的吹氣處理(blowing treatment)。如果從空穴注入層的表面出來的材料保留在空穴注入層表面上，會(huì)出現(xiàn)數(shù)個(gè)問題諸如泄漏電流或裝置不穩(wěn)定。
電子簇射處理還可包括真空下或氮?dú)夥罩械募訜帷＜訜崽幚硖峁┍砻娣€(wěn)定效果。這里，加熱處理在這樣的條件下進(jìn)行，即加熱溫度不高于作為空穴注入層的導(dǎo)電聚合物的Tg，且功率(power)(溫度×?xí)r間)在聚合物不被熱損壞的范圍內(nèi)。
將在將更詳細(xì)地描述根據(jù)本發(fā)明的有機(jī)EL裝置中堆疊的各層。
根據(jù)本發(fā)明的有機(jī)EL裝置可分成兩種類型采用高分子量發(fā)射層的系統(tǒng)；和采用小分子量發(fā)射層的系統(tǒng)。
在系統(tǒng)采用高分子量發(fā)射層的情況中，根據(jù)本發(fā)明的有機(jī)EL裝置包括形成在基板上的陽極、形成在陽極上的電子簇射的空穴注入層、形成在空穴注入層上的發(fā)射層、以及形成在電子傳輸層上的陰極。
在根據(jù)本發(fā)明的有機(jī)EL裝置中，基板是通常用于有機(jī)EL裝置的基板，并優(yōu)選是具有優(yōu)異的透明度、表面平滑度、可操作性和防水性的有機(jī)基板或透明塑料基板。
在根據(jù)本發(fā)明的有機(jī)EL裝置是前發(fā)射型的情況中，形成在基板上的陽極采用金屬層作為發(fā)射層。在根據(jù)本發(fā)明的有機(jī)EL裝置是背發(fā)射型的情況中，陽極優(yōu)選由透明、高導(dǎo)電材料制成，例如銦錫氧化物(ITO)、銦鋅氧化物(IZO)、氧化錫(SnO2)、氧化鋅(ZnO)、或其混合物。
空穴注入層可由空穴注入層的制造中通常使用的材料形成?？昭ㄗ⑷雽拥目捎玫氖纠ǖ幌抻阢~酞菁(copper phthalocyanine)、星爆型胺(starbusrt-type amines)諸如TCTA或m-TDATA、聚(3，4-亞乙基二氧基噻吩)(poly(3，4-ethylenedioxythiophene))(PEDOT)、及其混合物。
空穴注入層優(yōu)選具有300至1000范圍內(nèi)的厚度。如果空穴注入層的厚度小于300，則空穴注入能力不期望地退化。如果空穴注入層的厚度大于1000，則驅(qū)動(dòng)電壓不期望地上升。
可選地，空穴傳輸層(HTL)可堆疊在空穴注入層上?？昭▊鬏攲拥目捎玫氖纠ǖ幌抻赥FB、PFB、BFE、及其混合物。
空穴傳輸層優(yōu)選具有100至300范圍內(nèi)的厚度。如果空穴傳輸層的厚度小于100，則空穴傳輸能力不期望地退化。如果空穴傳輸層的厚度大于300，則驅(qū)動(dòng)電壓不期望地上升。
在系統(tǒng)采用高分子量發(fā)射層的情況中，根據(jù)本發(fā)明的有機(jī)EL裝置可采用熒光或磷光材料作為發(fā)射層。
另外，電子注入層(EIL)可以可選地堆疊在發(fā)射層上。電子注入層的可用的示例包括但不限于LiF、Li、Ba、BaF2/Ca等。
最后，用于作為第二電極的陰極的金屬堆疊在發(fā)射層(沒有電子注入層)或電子注入層上。陰極由金屬諸如鋰(Li)、鎂(Mg)、鋁(Al)、鋁-鋰(Al-Li)、鈣(Ca)、鎂-銦(Mg-In)、鎂-銀(Mg-Ag)等制成。
在系統(tǒng)采用小分子量發(fā)射層的情況中，根據(jù)本發(fā)明的有機(jī)EL裝置包括形成在基板上的陽極、形成在陽極上的電子簇射的空穴注入層、形成在空穴注入層上的空穴傳輸層、形成在空穴傳輸層上的發(fā)射層、形成在發(fā)射層上的電子注入層、形成在電子注入層上的電子傳輸層、以及形成在電子傳輸層上的陰極。
可以使用與采用高分子量發(fā)射層的系統(tǒng)的基板、陽極和空穴注入層相同的基板、陽極和空穴注入層。
在采用小分子量發(fā)射層的系統(tǒng)中，空穴注入層優(yōu)選具有50至1500范圍內(nèi)的厚度。如果空穴注入層的厚度小于50，則空穴注入能力退化。如果空穴注入層的厚度大于1500，則驅(qū)動(dòng)電壓不期望地提高。
另外，在采用小分子量發(fā)射層的系統(tǒng)中，空穴傳輸層的可用的示例包括但不限于N，N′-雙(3-甲苯基)-N，N′-聯(lián)苯-[1，1-聯(lián)苯]-4，4′-聯(lián)胺(N，N′-bis(3-methylphenyl)-N，N′-diphenyl-[1，1-biphenyl]-4，4′-diamine)(TPD)、N，N′-雙(萘-1-基)-N，N′-二苯基聯(lián)苯胺(N，N′-di(naphthalene-1-yl)-N，N′-diphenylbenzidine)、IDE 320(來自Idemitz，Inc)、及其混合物。
空穴傳輸層還優(yōu)選具有50至1500范圍內(nèi)的厚度。如果空穴傳輸層的厚度小于50，則空穴傳輸能力退化。如果空穴傳輸層的厚度大于1500，則驅(qū)動(dòng)電壓不期望地上升。在采用小分子量發(fā)射層的系統(tǒng)中，紅、綠、藍(lán)發(fā)射材料構(gòu)圖在空穴注入層和空穴傳輸層上像素區(qū)域的R、G、B區(qū)域上，由此形成發(fā)射層(EML)。至少兩種混合物宿主材料(host material)可用作發(fā)射材料。
發(fā)射層優(yōu)選具有100至800范圍內(nèi)的厚度，更優(yōu)選地對(duì)于小分子在300至500、對(duì)于聚合物在700至800的范圍內(nèi)。如果發(fā)射層的厚度小于100，則效率和壽命特性退化。如果發(fā)射層的厚度大于800，則驅(qū)動(dòng)電壓不期望地上升。
接著，在采用小分子量發(fā)射層的系統(tǒng)中，電子傳輸層(ETL)形成在發(fā)射層上。通常用于電子傳輸層的制造的材料可以用作電子傳輸層材料，例如Alq3。同時(shí)，電子傳輸層優(yōu)選具有50至600范圍內(nèi)的厚度。如果電子傳輸層小于50，則壽命特性不期望地退化。如果電子傳輸層的厚度大于600，則驅(qū)動(dòng)電壓不期望地上升。
電子注入層(EIL)可以選擇性堆疊在電子傳輸層上。電子注入層材料的可用的示例包括但不限于LiF、NaCl、CsF、Li2O、BaO、Liq等。電子注入層優(yōu)選具有1至100范圍內(nèi)的厚度。如果電子注入層的厚度小于1，則電子注入層不能適當(dāng)?shù)仄鸬诫娮幼⑷雽拥淖饔茫黾域?qū)動(dòng)電壓。如果電子注入層的厚度大于100，則電子注入層用作絕緣層，不期望地增加驅(qū)動(dòng)電壓。
最后，用于作為第二電極的陰極的金屬堆疊在電子傳輸層上。陰極由金屬諸如鋰(Li)、鎂(Mg)、鋁(Al)、鋁-鋰(Al-Li)、鈣(Ca)、鎂-銦(Mg-In)、鎂-銀(Mg-Ag)等制成。
在本發(fā)明的另一方面中，提供一種用于制備有機(jī)電致發(fā)光裝置的方法，包括在基板上形成陽極；在陽極上形成空穴注入層；對(duì)空穴注入層進(jìn)行電子簇射處理；在空穴注入層上形成發(fā)射層；以及在發(fā)射層上形成陰極。
在用于制備有機(jī)EL裝置的方法中，用于作為第一電極的陽極的材料首先沉積在基板上。作為像素定義層的絕緣層可形成在陽極上。
然后，作為空穴注入層的有機(jī)層堆疊在基板的整個(gè)表面之上?？昭ㄗ⑷雽永帽绢I(lǐng)域中通常使用的沉積方法例如真空熱蒸鍍或旋涂堆疊在基板之上。
用于制備有機(jī)EL裝置的方法包括對(duì)空穴注入層進(jìn)行電子簇射處理。
如上所述，電子簇射處理優(yōu)選通過側(cè)部電子簇射方法而不是直接電子簇射方法進(jìn)行。另外，電子簇射處理優(yōu)選以10eV至100eV的電子能量進(jìn)行。此外，優(yōu)選調(diào)節(jié)電子簇射處理的處理時(shí)間使得空穴注入層的表面電阻增加不大于10％初始表面電阻。
如上所述，電子簇射處理優(yōu)選包括在氮?dú)夥罩羞M(jìn)行的吹氣處理、以及在真空下或在氮?dú)夥罩械募訜帷?br> 隨后，空穴傳輸層可通過真空熱蒸鍍或旋涂而選擇性堆疊在空穴注入層上。發(fā)射層堆疊在空穴注入層(沒有空穴傳輸層)上或在空穴傳輸層(有空穴傳輸層)上。形成發(fā)射層的方法不特別限制，而是各種技術(shù)包括真空沉積、噴射印刷、激光升華(laser sublimation)、光刻等。
接著，電子傳輸層(ETL)(不適于采用高分子量發(fā)射層的系統(tǒng))和電子注入層(EIL)通過真空沉積或旋涂選擇性形成在發(fā)射層上，用于作為第二電極的陰極的金屬通過真空熱蒸鍍沉積在基板的整個(gè)表面之上，然后密封，由此完成根據(jù)本發(fā)明的有機(jī)EL裝置。
現(xiàn)在，將參照示例進(jìn)一步詳細(xì)地描述本發(fā)明。然而，應(yīng)當(dāng)理解，提供下面的示例是為了更好地理解本發(fā)明，而本發(fā)明不限于這些特定示例。
示例1為了用作基板和第一電極，涂覆有ITO(可從Samsung Corning Co.，Ltd.獲得；薄膜電阻15Ω/cm2；涂覆厚度1600)的玻璃基板被切成50mm×50mm×0.7mm的尺寸，通過超聲波在異丙醇中清洗5分鐘且在純水中清洗5分鐘，并用UV/臭氧清洗30分鐘。聚(3，4-亞乙基二氧基噻吩)(PEDOT)(從Bayer以商品名A14083商業(yè)購買)旋涂在基板上從而形成50nm厚空穴注入層。形成空穴注入層之后，利用電子簇射處理設(shè)備(Korea Vacuum Co.，Ltd.制造)基于側(cè)部簇射方法以100eV的能量、10μA進(jìn)行約10分鐘電子簇射處理，接著進(jìn)行在氮?dú)夥罩袛?shù)秒的吹氣處理以及在氮?dú)夥罩性诩s200℃的溫度的加熱處理。
接著，PFB旋涂在空穴注入層上從而形成20nm厚的空穴傳輸層。然后，聚芴基(polyfluorene-based)發(fā)射材料TS-9旋涂在空穴傳輸層上至70到80nm的厚度從而形成發(fā)射層。
隨后，BaF2/Ca順序真空沉積在發(fā)射層上分別至5nm和3.1nm的厚度，從而形成陰極，由此完成根據(jù)本發(fā)明的有機(jī)EL裝置。
對(duì)比示例1常規(guī)有機(jī)EL裝置以與示例1中相同的方式制備，除了空穴注入層不經(jīng)歷電子簇射處理、吹氣處理、以及加熱處理。
性能測(cè)試如圖3所示，觀察到初始階段亮度迅速下降的部分后接著是亮度緩慢下降的部分。壽命曲線的初始階段亮度迅速下降的部分中，采用電子簇射處理的裝置與沒有采用電子簇射處理的裝置之間亮度上存在明顯不同。另一方面，在亮度緩慢下降的部分中觀察到平穩(wěn)段，這大概歸因于留在作為空穴注入層的PEDOT表面上的電不穩(wěn)定雜質(zhì)的初始去除。
根據(jù)本發(fā)明，空穴注入層經(jīng)受電子簇射處理從而從空穴注入層去除雜質(zhì)且增加表面電阻，由此提供具有改善的性能和使用壽命的有機(jī)EL裝置以及制備該有機(jī)EL裝置的方法。
盡管已經(jīng)參照其示例性實(shí)施例特別示出并描述了本發(fā)明，但本領(lǐng)域技術(shù)人員將理解，在不偏離權(quán)利要求所定義的本發(fā)明的精神和范圍的情況下，可對(duì)其做出各種形式和細(xì)節(jié)上的改變。
權(quán)利要求
1.一種有機(jī)電致發(fā)光裝置，包括陽極，其形成在基板上；空穴注入層，其形成在所述陽極上，其中所述空穴注入層經(jīng)歷電子簇射處理；發(fā)射層，其形成在所述空穴注入層上；以及陰極，其形成在所述發(fā)射層上。
2.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光裝置，其中所述電子簇射處理通過側(cè)部電子簇射方法進(jìn)行。
3.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光裝置，其中所述電子簇射處理以10eV至100eV的電子能量進(jìn)行。
4.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光裝置，其中調(diào)節(jié)所述電子簇射處理的處理時(shí)間使得所述空穴注入層的表面電阻增加不大于10％初始表面電阻。
5.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光裝置，其中所述電子簇射處理包括在氮?dú)夥罩羞M(jìn)行的吹氣處理。
6.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光裝置，其中所述電子簇射處理包括在真空下或在氮?dú)夥罩械募訜帷?br> 7.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光裝置，其中所述基板是有機(jī)基板或透明塑料基板。
8.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光裝置，其中所述陽極由銦錫氧化物(ITO)、銦鋅氧化物(IZO)、錫氧化物(SnO2)、鋅氧化物(ZnO)、或其混合物制成。
9.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光裝置，其中所述空穴注入層由銅酞菁、星爆型胺、聚(3，4-亞乙基二氧基噻吩)(PEDOT)、或其混合物制成。
10.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光裝置，還包括堆疊在所述空穴注入層上的空穴傳輸層(HTL)，所述空穴傳輸層(HTL)是選自包括TFB、PFB、BFE、其混合物、N，N′-雙(3-甲苯基)-N，N′-聯(lián)苯-[1，1-聯(lián)苯]-4，4′-聯(lián)胺(TPD)、N，N′-雙(萘-1-基)-N，N′-二苯基聯(lián)苯胺、IDE 320、以及其混合物的組中的一種。
11.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光裝置，還包括堆疊在所述發(fā)射層上的電子傳輸層(ETL)。
12.如權(quán)利要求11所述的有機(jī)電致發(fā)光裝置，還包括堆疊在所述電子傳輸層(ETL)上的電子注入層(EIL)。
13.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光裝置，還包括堆疊在所述發(fā)射層上的電子注入層(EIL)，所述電子注入層(EIL)是選自包括LiF、NaCl、CsF、Li2O、BaO、Liq、以及其混合物的組中的一種。
14.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光裝置，其中所述陰極由選自包括鋰(Li)、鎂(Mg)、鋁(Al)、鋁-鋰(Al-Li)、鈣(Ca)、鎂-銦(Mg-In)、鎂-銀(Mg-Ag)、及其合金的組中的材料制成。
15.一種用于制備有機(jī)電致發(fā)光裝置的方法，包括在基板上形成陽極；在所述陽極上形成空穴注入層；對(duì)所述空穴注入層進(jìn)行電子簇射處理；在所述空穴注入層上形成發(fā)射層；以及在所述發(fā)射層上形成陰極。
16.如權(quán)利要求15所述的方法，其中所述電子簇射處理通過側(cè)部電子簇射方法進(jìn)行。
17.如權(quán)利要求15所述的方法，其中所述電子簇射處理以10eV至100eV的電子能量進(jìn)行。
18.如權(quán)利要求15所述的方法，其中調(diào)節(jié)所述電子簇射處理的處理時(shí)間使得所述空穴注入層的表面電阻增加不大于10％初始表面電阻。
19.如權(quán)利要求15所述的方法，其中所述電子簇射處理包括在氮?dú)夥罩羞M(jìn)行的吹氣處理。
20.如權(quán)利要求15所述的方法，其中所述電子簇射處理包括在真空下或在氮?dú)夥罩械募訜帷?br> 全文摘要
本發(fā)明提供包括電子簇射處理過的空穴注入層的有機(jī)電致發(fā)光裝置及其制備方法。該有機(jī)電致發(fā)光裝置包括形成在基板上的陽極；形成在所述陽極上的空穴注入層，其中所述空穴注入層經(jīng)歷電子簇射處理；形成在所述空穴注入層上的發(fā)射層；以及形成在所述發(fā)射層上的陰極。該空穴注入層經(jīng)歷電子簇射處理從而從空穴注入層去除雜質(zhì)且增加空穴注入層的表面電阻，由此改善有機(jī)電致發(fā)光裝置的性能和壽命特性。
文檔編號(hào)H05B33/12GK1825657SQ20051012948
公開日2006年8月30日 申請(qǐng)日期2005年12月9日 優(yōu)先權(quán)日2005年1月4日
發(fā)明者金武謙, 樸鐘辰, 金相烈, 李泰雨 申請(qǐng)人:三星Sdi株式會(huì)社