專利名稱：柔性電致發(fā)光裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種柔性EL(電致發(fā)光)裝置，更具體地涉及采用柔性基層的柔性EL裝置。
背景技術(shù)：
常規(guī)的EL裝置用一種涂覆有氧化銦錫(ITO)的PET膜作為基層。但是，PET的柔韌性差，這使得具有PET基層的EL裝置的柔韌性非常低。因此，在彎曲或者折疊這種EL裝置時，ITO被損害，從而損壞了發(fā)光圖案。在最壞情況下，會形成斑點。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明是考慮了上述問題后作出的，而且本發(fā)明的目的之一是提供一種柔韌性得到改進的柔性EL裝置。
按照本發(fā)明的一個方面，可通過提供一種柔性EL裝置實現(xiàn)以上和其它的目的，這種柔性EL裝置包括由高度聚合的合成橡膠、聚氨酯或硅橡膠制造的基層，在該基層上形成的導電層，在該導電層上形成的介電層，在該介電層上形成的熒光層(phosphor layer)，在該熒光層上形成的透明導電層，和在該透明導電層上形成的聚合物保護層。
這種柔性EL裝置優(yōu)選進一步包括設置在基層和導電層之間的聚合物層。
這種柔性EL裝置優(yōu)選進一步包括設置在導電層和介電層之間的聚合物絕緣層和第二導電層，該第二導電層形成于聚合物絕緣層上。
按照本發(fā)明的另一個方面，提供一種柔性EL裝置，該裝置包括由高度聚合的合成橡膠、聚氨酯或硅橡膠制造的透明或半透明的基層，在此基層上形成的透明導電層，在此透明導電層上形成的熒光層，在熒光層上形成的介電層，在此介電層上形成的導電層；和在此導電層上形成的聚合物保護層。
這種柔性EL裝置優(yōu)選進一步包括設置在基層和透明導電層之間的聚合物層。
這種柔性EL裝置優(yōu)選進一步包括設置在介電層和導電層之間的第二導電層和聚合物絕緣層，所述聚合物絕緣層形成于該第二導電層上。
按照本發(fā)明采用上述構(gòu)造，柔性EL裝置的基層是由高度聚合的合成橡膠、聚氨酯或者硅橡膠制造的，從而基層會非常柔韌。因此，按照本發(fā)明的柔性EL裝置比采用PET的常規(guī)EL裝置柔韌性更高，從而按照本發(fā)明的柔性EL裝置的耐用性獲得提高。結(jié)果，這種柔性EL裝置甚至在受到幾十萬次物理沖擊后，裝置也不損壞。
另外，通過簡單改變這種柔性EL裝置的結(jié)構(gòu)并增加材料層，可有效防止噪聲，從而提高了這種柔性EL裝置的電性能和物理性能。
而且，本發(fā)明的柔性EL裝置可應用于EL薄膜按鍵(dome sheets)或EL小鍵盤(keypads)。
以下結(jié)合附圖的詳細描述可使人們更明確地理解本發(fā)明以上的和其它的目標、特征及其它益處，這些附圖中

圖1至圖3是按照本發(fā)明優(yōu)選實施方案的柔性EL裝置的示意圖。
具體實施例方式
以下參考這些附圖詳細描述本發(fā)明的各優(yōu)選實施方案。
圖1至圖3是根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實施方案的柔性EL裝置的示意圖。
實施方案1參考圖1，根據(jù)本發(fā)明第一優(yōu)選實施方案的柔性EL裝置包括厚度為0.05至2.00毫米的基層110；在基層110上形成的聚合物層120，聚合物層的厚度為5至50微米；在聚合物層120上形成的導電層130，此導電層的厚度為5至20微米；在導電層130上形成的介電層140，此介電層的厚度為3至25微米；在介電層140上形成的熒光層150，此熒光層的厚度為30至50微米；在熒光層150上形成的透明導電層160，此透明導電層的厚度為1至10微米；和在透明導電層160上形成的聚合物保護膜層170，此聚合物保護膜層的厚度為5至50微米。提供聚合物層120是為了防止水分透過，因此，聚合物層120不是本發(fā)明的必要組分?？梢罁?jù)基層110的特性，選擇性地使用或不使用聚合物層120。
柔性EL裝置的總厚度優(yōu)選設置在0.08至1.2毫米范圍，以便柔性EL裝置保持其柔韌性。
根據(jù)本發(fā)明第一優(yōu)選實施方案的柔性EL裝置，其中通過一次或多次絲網(wǎng)印刷，在該基層上形成所使用的各材料層?；鶎铀玫牟牧弦约案鞑牧蠈尤缦伦鳛榛鶎?10的材料，可使用高度聚合的合成橡膠、聚氨酯或者硅橡膠。優(yōu)選用比聚氨酯或硅橡膠更柔韌的高度聚合的合成橡膠作為基層的材料。
需要聚合物層120在聚合物層干燥后可有效地阻止水分滲透，而且這一聚合物層被牢固地附著在用高度聚合的合成橡膠制造的基層上。因此，可用氟彈性聚合物樹脂或者聚氨酯制造的粘合劑，或者用紅外線(IR)或紫外線(UV)照射硬化的聚合物作為這種聚合物層的材料。
導電層130是用分散于粘合劑中的導電粉末的混合物、導電有機聚合物、或者導電粉末與導電有機聚合物的混合物組成的。作為導電粉末，可使用，例如碳粉、銀粉、銅粉或者用銀涂覆的銅粉。作為導電有機聚合物，可使用，例如3，4-乙撐二氧噻吩(PEDOT:PSS)或者聚乙撐二氧噻吩(PEDOT:PSS)。
介電層140是用介電粉末和粘合劑組成的。作為介電粉末，可使用具有高介電常數(shù)的介電粉末，例如BaTiO3。介電粉末的大小為0.1至10微米。作為介電層的粘合劑，可使用具有高介電常數(shù)的聚合物，例如氰乙基支鏈淀粉(cyanoethyl pullulan)或氟樹脂。
熒光層150由熒光粉(phosphor powder)和粘合劑組成。作為熒光粉，可使用II族至IV族的化合物，例如ZnS。優(yōu)選用于熒光層的粘合劑的介電常數(shù)高于熒光粉的介電常數(shù)。作為具有高介電參數(shù)的粘合劑，可使用氰乙基支鏈淀粉或者氟樹脂。為了改變裝置的發(fā)光色彩，可將熒光涂料或熒光染料，例如若丹明(rhodamine)與熒光層的粘合劑混合。
透明導電層160可用ITO粉末和粘合劑的復合物、濺射法形成ITO層、導電有機聚合物、或者導電有機聚合物與ITO的復合物構(gòu)成。作為導電有機聚合物，可使用，例如3，4-乙撐二氧噻吩(PEDOT:PSS)或者聚乙撐二氧噻吩(PEDOT:PSS)。
根據(jù)本發(fā)明的第一個優(yōu)選實施方案，用具有優(yōu)異柔韌性的高度聚合的合成橡膠、聚氨酯或者硅橡膠作為基層的材料。從而，根據(jù)本發(fā)明的柔性EL裝置的柔韌性高于采用PET的常規(guī)EL裝置的柔韌性，因此，本發(fā)明的柔性EL裝置具有優(yōu)異的抗物理沖擊性能。
實施方案2根據(jù)本發(fā)明第二優(yōu)選實施方案的柔性EL裝置與根據(jù)本發(fā)明第一優(yōu)選實施方案的柔性EL裝置類似，不同的是，根據(jù)本發(fā)明第二優(yōu)選實施方案的柔性EL裝置進一步包括用于減少柔性EL裝置噪聲的三層結(jié)構(gòu)。因此，不再給出與根據(jù)本發(fā)明第一優(yōu)選實施方案的柔性EL裝置的組件描述相對應的那些根據(jù)本發(fā)明第二優(yōu)選實施方案的柔性EL裝置的組件的描述。
參考圖2，根據(jù)本發(fā)明第二優(yōu)選實施方案的柔性EL裝置包括用高度聚合的合成橡膠、聚氨酯或者硅橡膠制造的基層110，該基層的厚度為0.05至2.00毫米；在基層110上形成的聚合物層120，聚合物層的厚度為5至50微米；在聚合物層120上形成的導電層130，此導電層的厚度為5至20微米(該層與本發(fā)明第一優(yōu)選實施方案的導電層相同，以下將稱作“第一導電層”)；在第一導電層130上形成的聚合物絕緣層180，此聚合物絕緣層的厚度為5至50微米；在該聚合物絕緣層180上形成的另一個導電層190，該導電層的厚度為5至20微米(該層以下將稱作“第二導電層”)；在第二導電層190形成的介電層140，此介電層的厚度為3至25微米；在介電層140上形成的熒光層150，此熒光層的厚度為30至50微米；在熒光層150上形成的透明導電層160，此透明導電層的厚度為1至10微米；和在透明導電層160上形成的聚合物保護層170，此聚合物保護層的厚度為5至50微米。如上述，本發(fā)明的第二優(yōu)選實施方案特征在于，在本發(fā)明第一優(yōu)選實施方案的柔性EL裝置的導電層130和介電層140之間設置了聚合物絕緣層180和第二導電層190，且在聚合物絕緣層180上設置了第二導電層190。
可用硬化之后不與各種溶劑反應的聚合物制造聚合物絕緣層180，并通過紅外線(IR)或者紫外線(UV)照射進行硬化?？商鎿Q地，聚合物絕緣層可用包括氟化合物基高度聚合材料或聚氨酯的粘合劑制得。用于第二導電層190的材料與用于本發(fā)明第一優(yōu)選實施方案的導電層130的材料相同。
從而，通過簡單改變這種柔性EL裝置的結(jié)構(gòu)和添加材料層，可以防止噪聲，因此，提高了柔性EL裝置的電性能和物理性能。
實施方案3根據(jù)本發(fā)明第三優(yōu)選實施方案的柔性EL裝置類似于用根據(jù)本發(fā)明第二優(yōu)選實施方案的高度聚合的合成橡膠、聚氨酯或者硅橡膠所制透明或半透明基層實現(xiàn)的柔性EL裝置，不同的是，根據(jù)本發(fā)明第三優(yōu)選實施方案的柔性EL裝置按照與第二優(yōu)選實施方案的柔性EL裝置相反的次序制造。從而，不再給出與根據(jù)本發(fā)明第二優(yōu)選實施方案的柔性EL裝置的組件描述相對應的那些根據(jù)本發(fā)明第三優(yōu)選實施方案的柔性EL裝置的組件的描述。
參考圖3，根據(jù)本發(fā)明第三優(yōu)選實施方案的反序結(jié)構(gòu)的柔性EL裝置包括用高度聚合的合成橡膠、聚氨酯或者硅橡膠制造的基層110，該基層的厚度為0.05至2.00毫米；在基層110上形成的聚合物層120，聚合物層的厚度為5至50微米；在聚合物層120上形成的透明導電層160，該透明導電層的厚度為1至10微米；在透明導電層160上形成的熒光層150，該熒光層的厚度為30至50微米；在熒光層150上形成的介電層140，該介電層的厚度為3至25微米；在介電層140上形成的第二導電層190，該導電層的厚度為5至20微米；在第二導電層190上形成的聚合物絕緣層180，該聚合物絕緣層的厚度為5至50微米；在聚合物絕緣層180上形成第一導電層130，該第一導電層的厚度為5至20微米；和在第一導電層130上形成的聚合物保護層170，該聚合物保護層的厚度為5至50微米。
按照具有上述結(jié)構(gòu)的本發(fā)明第三優(yōu)選實施方案，透過基層發(fā)光。
盡管可如同本發(fā)明第一優(yōu)選實施方案中那樣省去聚合物層、聚合物絕緣層和第二導電層，但是本發(fā)明第三優(yōu)選實施方案的反序結(jié)構(gòu)的柔性EL裝置的特征在于聚合物層、聚合物絕緣層和兩個導電層。如上述，提供聚合物層是為了防止水分透過，而提供聚合物絕緣層和第二導電層是為了防止和降低噪聲。因此，根據(jù)本發(fā)明第三優(yōu)選實施方案的反序結(jié)構(gòu)的柔性EL裝置無需這種聚合物層、聚合物絕緣層和第二導電層也可實施。
盡管已經(jīng)為了舉例說明而公開了本發(fā)明的優(yōu)選實施方案，但是，本領(lǐng)域技術(shù)人員會意識到，在不背離所附權(quán)利要求書揭示的本發(fā)明精神和范圍的情況下，本發(fā)明仍可能有各種改變、增加和替換。
權(quán)利要求
1.一種柔性電致發(fā)光裝置，該裝置包括用高度聚合的合成橡膠、聚氨酯或硅橡膠制造的基層；在該基層上形成的導電層；在該導電層上形成的介電層；在該介電層上形成的熒光層；在該熒光層上形成的透明導電層；和在該透明導電層上形成的聚合物保護層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，該裝置進一步包括設置在所述基層和所述導電層之間的聚合物層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的裝置，該裝置進一步包括設置在所述導電層和介電層之間的聚合物絕緣層和第二導電層，所述第二導電層形成于所述聚合物絕緣層上。
4.一種柔性電致發(fā)光裝置，該裝置包括用高度聚合的合成橡膠、聚氨酯或硅橡膠制造的透明或半透明的基層；在該基層上形成的透明導電層；在該透明導電層上形成的熒光層；在該熒光層上形成的介電層；在該介電層上形成的導電層；和在該導電層上形成的聚合物保護層。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的裝置，該裝置進一步包括設置在所述基層和所述透明導電層之間的聚合物層。
6.根據(jù)權(quán)利要求4或5所述的裝置，該裝置進一步包括設置在介電層和導電層之間的第二導電層和聚合物絕緣層，所述聚合物絕緣層形成于所述第二導電層上。
7.根據(jù)權(quán)利要求1或4所述的裝置，其中，所述基層的厚度為0.05至2.00毫米，所述導電層的厚度為5至20微米，所述介電層的厚度為3至25微米，所述熒光層的厚度為30至50微米，所述透明導電層的厚度為1至10微米，以及所述聚合物保護層的厚度為5至50微米。
8.根據(jù)權(quán)利要求2或5所述的裝置，其中，所述聚合物層的厚度為5至50微米。
9.根據(jù)權(quán)利要求3所述的裝置，其中，所述聚合物絕緣層的厚度為5至50微米，所述第二導電層的厚度為5至20微米。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的裝置，其中，所述第二導電層的厚度為5至20微米，所述聚合物絕緣層的厚度為5至50微米。
全文摘要
一種柔性電致發(fā)光裝置，該裝置包括由高度聚合的合成橡膠、聚氨酯或硅橡膠形成的基層、導電層、介電層、熒光層、透明導電層和聚合物保護膜層。由于基層的高度柔韌性，本發(fā)明的柔性電致發(fā)光裝置的柔韌性比采用PET的常規(guī)電致發(fā)光裝置的高，從而，提高了機械沖擊條件下柔性電致發(fā)光裝置的耐用性。結(jié)果，當向這種柔性電致發(fā)光裝置施加物理沖擊時，不會損害此柔性電致發(fā)光裝置。而且，通過簡單地改變?nèi)嵝噪娭掳l(fā)光裝置的結(jié)構(gòu)并增加材料層，可防止或減少噪聲，從而提高了柔性電致發(fā)光裝置的電性能和物理性能。這種柔性電致發(fā)光裝置可應用于電致發(fā)光薄膜按鍵或電致發(fā)光小鍵盤。
文檔編號H05B33/10GK1969594SQ200580019373
公開日2007年5月23日 申請日期2005年3月14日 優(yōu)先權(quán)日2004年6月14日
發(fā)明者申東赫, 裵光赫 申請人:韓國電界發(fā)光素子株式會社