專利名稱：一種電磁波干擾遮蔽膜于非導(dǎo)電材料上的形成方法及其結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種電磁波干擾遮蔽膜于非導(dǎo)電材料上的形成方法及其結(jié)構(gòu)，特別是涉及一種具有一中介層的電磁波干擾遮蔽膜于非導(dǎo)電材料上的形成方法及其結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
現(xiàn)有習(xí)知的消除電磁波干擾(electromagnetic interference，以下簡稱為EMI)的方法，是在各項(xiàng)電子組件或設(shè)備的塑料外殼(非導(dǎo)電材料)上形成一具有低阻抗的遮蔽層用以將EMI遮蔽，一般是直接在非導(dǎo)電材料上形成一金屬涂層作為電磁波干擾遮蔽膜，而該金屬涂層的形成方法大都是采用噴漆、印刷、化學(xué)金屬化、真空金屬化或直接包覆一金屬箔等方式，惟非導(dǎo)電材料與電磁波干擾遮蔽膜之間因?yàn)椴牧咸匦圆町愃虏⒉蝗菀仔纬删o密的表面附著，然而表面附著力不佳除了會(huì)影響電磁波干擾遮蔽膜的遮蔽力外，更會(huì)降低電子產(chǎn)品的長期可靠性。
由此可見，上述現(xiàn)有的電磁波干擾遮蔽膜于非導(dǎo)電材料上的形成方法及其結(jié)構(gòu)在方法、產(chǎn)品結(jié)構(gòu)及使用上，顯然仍存在有不便與缺陷，而亟待加以進(jìn)一步改進(jìn)。為了解決上述存在的問題，相關(guān)廠商莫不費(fèi)盡心思來謀求解決之道，但長久以來一直未見適用的設(shè)計(jì)被發(fā)展完成，此顯然是相關(guān)業(yè)者急欲解決的問題。因此如何能創(chuàng)設(shè)一種新的電磁波干擾遮蔽膜于非導(dǎo)電材料上的形成方法及其結(jié)構(gòu)，實(shí)屬當(dāng)前重要研發(fā)課題之一，亦成為當(dāng)前業(yè)界極需改進(jìn)的目標(biāo)。
有鑒于上述現(xiàn)有的電磁波干擾遮蔽膜于非導(dǎo)電材料上的形成方法及其結(jié)構(gòu)存在的缺陷，本發(fā)明人基于從事此類產(chǎn)品設(shè)計(jì)制造多年豐富的實(shí)務(wù)經(jīng)驗(yàn)及專業(yè)知識(shí)，并配合學(xué)理的運(yùn)用，積極加以研究創(chuàng)新，以期創(chuàng)設(shè)一種新的電磁波干擾遮蔽膜于非導(dǎo)電材料上的形成方法及其結(jié)構(gòu)，使其更具有實(shí)用性。經(jīng)過不斷的研究、設(shè)計(jì)，并經(jīng)反復(fù)試作及改進(jìn)后，終于創(chuàng)設(shè)出確具實(shí)用價(jià)值的本發(fā)明。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的主要目的在于，克服現(xiàn)有的電磁波干擾遮蔽膜于非導(dǎo)電材料上的形成方法存在的缺陷，而提供一種新的電磁波干擾遮蔽膜于非導(dǎo)電材料上的形成方法，所要解決的技術(shù)問題是使其藉由電磁波干擾遮蔽膜的中介層的形成，而可大幅增加該電磁波干擾遮蔽膜附著于該非導(dǎo)電材料的表面附著力，從而更加適于實(shí)用。
本發(fā)明的次一目的在于，提供一種電磁波干擾遮蔽膜于非導(dǎo)電材料上的形成方法，所要解決的技術(shù)問題是使其中形成該中介層的方法是可選自物理氣相沉積法(PVD)、化學(xué)氣相沉積法(CVD)或化學(xué)涂布法其中一種，目的是使該中介層均勻且致密，而能提供較佳的表面附著強(qiáng)度，非常適于實(shí)用。
本發(fā)明的另一目的在于，提供一種電磁波干擾遮蔽膜于非導(dǎo)電材料上的形成方法，所要解決的技術(shù)問題是使其中該中介層是為一介電質(zhì)(dielectric)，如氧化物或氮化物，較佳地，該中介層是為氧化硅(siliconoxide)或氮化硅(silicon nitride)，且厚度是介于5納米至100微米，目的是使該中介層能以一般半導(dǎo)體制程制作，除了可降低制作成本外，選用氧化物或氮化物更可加強(qiáng)電磁波干擾遮蔽膜與非導(dǎo)電材料之間的表面附著力，從而更加適于實(shí)用，且具有產(chǎn)業(yè)上的利用價(jià)值。
本發(fā)明的又一目的在于，提供一種電磁波干擾遮蔽膜于非導(dǎo)電材料上的形成方法，所要解決的技術(shù)問題是使其在該中介層上濺鍍一層或多層金屬導(dǎo)電膜之后，在該金屬導(dǎo)電膜上形成一層或多層金屬保護(hù)膜，該金屬保護(hù)膜是具有抗氧化及耐磨耗特性，而可用以保護(hù)該金屬導(dǎo)電膜，從而更加適于實(shí)用。
本發(fā)明的再一目的在于，提供一種電磁波干擾遮蔽膜于非導(dǎo)電材料上的形成方法，所要解決的技術(shù)問題是使其在該金屬導(dǎo)電膜上形成一層或多層金屬保護(hù)膜之后，在該金屬保護(hù)膜上形成一防手紋處理層，如清漆或蠟?zāi)ぃ靡苑乐故旨y殘留在該金屬保護(hù)膜的表面。
本發(fā)明的還一目的在于，克服現(xiàn)有的電磁波干擾遮蔽膜于非導(dǎo)電材料上的形成方法及其結(jié)構(gòu)存在的缺陷，而提供一種新的電磁波干擾遮蔽膜結(jié)構(gòu)，所要解決的技術(shù)問題是使其具有一中介層及一金屬導(dǎo)電膜，并藉由該中介層增加該電磁波干擾遮蔽膜附著于該非導(dǎo)電材料的表面附著力，從而更加適于實(shí)用。
本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題是采用以下技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn)的。依據(jù)本發(fā)明提出的一種電磁波干擾遮蔽膜于非導(dǎo)電材料上的形成方法，其包括以下的步驟提供一非導(dǎo)電材料，該非導(dǎo)電材料是具有一上表面及一下表面；在該非導(dǎo)電材料的該上表面形成一中介層；以及在該中介層上濺鍍一層或多層金屬導(dǎo)電膜。
本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還可采用以下技術(shù)措施進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)。
前述的電磁波干擾遮蔽膜于非導(dǎo)電材料上的形成方法，其中所述的非導(dǎo)電材料是為塑料、玻璃或陶瓷。
前述的電磁波干擾遮蔽膜于非導(dǎo)電材料上的形成方法，其中所述的形成該中介層的方法是為物理氣相沉積(PVD)，如濺鍍或蒸鍍。
前述的電磁波干擾遮蔽膜于非導(dǎo)電材料上的形成方法，其中所述的形成該中介層的方法是為化學(xué)氣相沉積(CVD)，如電漿輔助化學(xué)氣相沉積(PECVD)或低壓化學(xué)氣相沉積(LPCVD)。
前述的電磁波干擾遮蔽膜于非導(dǎo)電材料上的形成方法，其中所述的形成該中介層的方法是為化學(xué)涂布，如噴涂、刮版或濕浸。
前述的電磁波干擾遮蔽膜于非導(dǎo)電材料上的形成方法，其中所述的中介層的厚度介于5納米至100微米。
前述的電磁波干擾遮蔽膜于非導(dǎo)電材料上的形成方法，其中所述的中介層的材料是為氮化物。
前述的電磁波干擾遮蔽膜于非導(dǎo)電材料上的形成方法，其中所述的中介層的材料是為氮化硅。
前述的電磁波干擾遮蔽膜于非導(dǎo)電材料上的形成方法，其中所述的中介層的材料是為氧化物。
前述的電磁波干擾遮蔽膜于非導(dǎo)電材料上的形成方法，其中所述的中介層的材料是為氧化硅。
前述的電磁波干擾遮蔽膜于非導(dǎo)電材料上的形成方法，其中所述的金屬導(dǎo)電膜的膜材是選自銅、銀、金、鋁、鎳、鋅、鈦、鉑及其他們的合金所組成的組群中的一種。
前述的電磁波干擾遮蔽膜于非導(dǎo)電材料上的形成方法，其中所述的金屬導(dǎo)電膜是為銅膜。
前述的電磁波干擾遮蔽膜于非導(dǎo)電材料上的形成方法，其中所述的金屬導(dǎo)電膜的厚度介于0.2微米至10微米。
本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還采用以下的技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn)。依據(jù)本發(fā)明提出的一種電磁波干擾遮蔽膜結(jié)構(gòu)，是設(shè)置于一非導(dǎo)電材料的一表面，其包括一中介層，其是設(shè)置于該非導(dǎo)電材料的該表面，并緊密連接該非導(dǎo)電材料的該表面；以及一金屬導(dǎo)電層，其是設(shè)置于該中介層上，并緊密連接該中介層。
本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還可采用以下技術(shù)措施進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)。
前述的電磁波干擾遮蔽膜結(jié)構(gòu)，其中所述的中介層的厚度介于5納米至100微米。
前述的電磁波干擾遮蔽膜結(jié)構(gòu)，其中所述的中介層的材料是為氮化物。
前述的電磁波干擾遮蔽膜結(jié)構(gòu)，其中所述的中介層的材料是為氮化硅。
前述的電磁波干擾遮蔽膜結(jié)構(gòu)，其中所述的中介層的材料是為氧化物。
前述的電磁波干擾遮蔽膜結(jié)構(gòu)，其中所述的中介層的材料是為氧化硅。
前述的電磁波干擾遮蔽膜結(jié)構(gòu)，其中所述的金屬導(dǎo)電膜的膜材是選自銅、銀、金、鋁、鎳、鋅、鈦、鉑及其他們的合金所組成的組群中的一種。
前述的電磁波干擾遮蔽膜結(jié)構(gòu)，其中所述的金屬導(dǎo)電膜的厚度介于0.2微米至10微米。
前述的電磁波干擾遮蔽膜結(jié)構(gòu)，其中所述金屬導(dǎo)電膜上另設(shè)置有一金屬保護(hù)膜。
前述的電磁波干擾遮蔽膜結(jié)構(gòu)，其中所述金屬保護(hù)膜是選自鎳、鉻、鎳合金、鉻合金及不銹鋼膜所組成的組群中的一種。
前述的電磁波干擾遮蔽膜結(jié)構(gòu)，其中所述的金屬保護(hù)膜的厚度介于0.1微米至10微米。
前述的電磁波干擾遮蔽膜結(jié)構(gòu)，其中所述金屬保護(hù)膜上另設(shè)置有一防手紋處理層。
本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比具有明顯的優(yōu)點(diǎn)和有益效果。由以上技術(shù)方案可知，本發(fā)明的主要技術(shù)內(nèi)容如下為了達(dá)到上述目的，依據(jù)本發(fā)明的一種電磁波干擾遮蔽膜于非導(dǎo)電材料上的形成方法，其包括提供一非導(dǎo)電材料，該非導(dǎo)電材料是具有一上表面以及一下表面；在該非導(dǎo)電材料的該上表面形成一中介層；以及在該中介層上濺鍍一層或多層金屬導(dǎo)電膜。
另外，為達(dá)到上述目的，依據(jù)本發(fā)明的一種電磁波干擾遮蔽膜結(jié)構(gòu)，是設(shè)置于一非導(dǎo)電材料的一表面，其包括一中介層以及一金屬導(dǎo)電層，該中介層是設(shè)置于該非導(dǎo)電材料的該表面，該金屬導(dǎo)電層是設(shè)置于該中介層上。
借由上述技術(shù)方案，本發(fā)明一種電磁波干擾遮蔽膜于非導(dǎo)電材料上的形成方法及其結(jié)構(gòu)至少具有下列優(yōu)點(diǎn)1、本發(fā)明的電磁波干擾遮蔽膜于非導(dǎo)電材料上的形成方法，其包括步驟(a)提供一非導(dǎo)電材料，該非導(dǎo)電材料是具有一上表面及一下表面；步驟(b)在該非導(dǎo)電材料的該上表面形成一中介層；以及步驟(c)在該中介層上濺鍍一層或多層金屬導(dǎo)電膜。本發(fā)明步驟(b)的該中介層是緊密連接該非導(dǎo)電材料，而步驟(c)的該金屬導(dǎo)電膜是緊密連接該中介層，藉由該電磁波干擾遮蔽膜的該中介層的形成，可以大幅增加該電磁波干擾遮蔽膜附著于該非導(dǎo)電材料的表面附著力，從而更加適于實(shí)用。
2、本發(fā)明的電磁波干擾遮蔽膜于非導(dǎo)電材料上的形成方法，其中形成該中介層的方法是可選自物理氣相沉積法(PVD)、化學(xué)氣相沉積法(CVD)或化學(xué)涂布法的其中一種，目的是使該中介層均勻且致密，而能提供較佳的表面附著強(qiáng)度，非常適于實(shí)用。
3、本發(fā)明的電磁波干擾遮蔽膜于非導(dǎo)電材料上的形成方法，其中該中介層是為一介電質(zhì)(dielectric)，如氧化物或氮化物，較佳地，該中介層是為氧化硅(silicon oxide)或氮化硅(silicon nitride)，且厚度是介于5納米至100微米，目的是使該中介層能以一般半導(dǎo)體制程制作，除了可降低制作成本外，選用氧化物或氮化物更可加強(qiáng)電磁波干擾遮蔽膜與非導(dǎo)電材料之間的表面附著力，從而更加適于實(shí)用，且具有產(chǎn)業(yè)上的利用價(jià)值。
4、本發(fā)明的電磁波干擾遮蔽膜于非導(dǎo)電材料上的形成方法，是在該中介層上濺鍍一層或多層金屬導(dǎo)電膜之后，在該金屬導(dǎo)電膜上形成一層或多層金屬保護(hù)膜，該金屬保護(hù)膜是具有抗氧化及耐磨耗特性，而可用以保護(hù)該金屬導(dǎo)電膜，從而更加適于實(shí)用，且具有產(chǎn)業(yè)上的利用價(jià)值。
5、本發(fā)明的電磁波干擾遮蔽膜于非導(dǎo)電材料上的形成方法，是在該金屬導(dǎo)電膜上形成一層或多層金屬保護(hù)膜之后，在該金屬保護(hù)膜上形成一防手紋處理層，如清漆或蠟?zāi)?，而可用以防止手紋殘留在該金屬保護(hù)膜的表面，更加適于實(shí)用。
6、本發(fā)明的電磁波干擾遮蔽膜結(jié)構(gòu)，是具有一中介層以及一金屬導(dǎo)電膜，該中介層是設(shè)置于一非導(dǎo)電材料的一表面，并緊密連接該非導(dǎo)電材料的該表面，該金屬導(dǎo)電層是設(shè)置于該中介層上，并緊密連接該中介層，其中藉由該中介層可用以增加該電磁波干擾遮蔽膜附著于該非導(dǎo)電材料的表面附著力，從而更加適于實(shí)用。
綜上所述，本發(fā)明是有關(guān)于一種電磁波干擾遮蔽膜于非導(dǎo)電材料上的形成方法及其結(jié)構(gòu)。該電磁波干擾遮蔽膜于非導(dǎo)電材料上的形成方法，包括提供一非導(dǎo)電材料，接著在該非導(dǎo)電材料的一上表面形成一中介層，之后在該中介層上濺鍍一層或多層金屬導(dǎo)電膜，其中該中介層是緊密連接該非導(dǎo)電材料，而該金屬導(dǎo)電膜是緊密連接該中介層，本發(fā)明藉由該電磁波干擾遮蔽膜的該中介層可以增加該非導(dǎo)電材料與該電磁波干擾遮蔽膜的表面附著力。本發(fā)明具有上述諸多優(yōu)點(diǎn)及實(shí)用價(jià)值，其不論在方法、產(chǎn)品結(jié)構(gòu)或功能上皆有較大的改進(jìn)，在技術(shù)上有顯著的進(jìn)步，并產(chǎn)生了好用及實(shí)用的效果，且較現(xiàn)有的電磁波干擾遮蔽膜于非導(dǎo)電材料上的形成方法及其結(jié)構(gòu)具有增進(jìn)的突出功效，從而更加適于實(shí)用，并具有產(chǎn)業(yè)的廣泛利用價(jià)值，誠為一新穎、進(jìn)步、實(shí)用的新設(shè)計(jì)。
上述說明僅是本發(fā)明技術(shù)方案的概述，為了能夠更清楚了解本發(fā)明的技術(shù)手段，而可依照說明書的內(nèi)容予以實(shí)施，并且為了讓本發(fā)明的上述和其他目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更明顯易懂，以下特舉較佳實(shí)施例，并配合附圖，詳細(xì)說明如下。


圖1是依據(jù)本發(fā)明一較佳實(shí)施例的一種電磁波干擾遮蔽膜于非導(dǎo)電材料上的形成方法的流程圖。
圖2是依據(jù)本發(fā)明一較佳實(shí)施例的一種電磁波干擾遮蔽膜于非導(dǎo)電材料上的形成方法及其結(jié)構(gòu)的制程及結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。
圖3是依據(jù)本發(fā)明一較佳實(shí)施例，另形成一金屬保護(hù)膜的制程及結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。
圖4是依據(jù)本發(fā)明一較佳實(shí)施例，另形成一防手紋處里層的制程及結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。
10非導(dǎo)電材料11上表面12下表面20中介層30金屬導(dǎo)電膜40金屬保護(hù)膜50防手紋處理層具體實(shí)施方式
為更進(jìn)一步闡述本發(fā)明為達(dá)成預(yù)定發(fā)明目的所采取的技術(shù)手段及功效，以下結(jié)合附圖及較佳實(shí)施例，對(duì)依據(jù)本發(fā)明提出的一種電磁波干擾遮蔽膜于非導(dǎo)電材料上的形成方法及其結(jié)構(gòu)其具體實(shí)施方式
、方法、步驟、結(jié)構(gòu)、特征及其功效，詳細(xì)說明如后。
請(qǐng)參閱圖1、圖2所示，是本發(fā)明的一較佳實(shí)施例，圖1是依據(jù)本發(fā)明一較佳實(shí)施例的一種電磁波干擾遮蔽膜于非導(dǎo)電材料上的形成方法的流程圖，圖2是依據(jù)本發(fā)明一較佳實(shí)施例的一種電磁波干擾遮蔽膜于非導(dǎo)電材料上的形成方法及其結(jié)構(gòu)的制程及結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。本發(fā)明較佳實(shí)施例的一種電磁波干擾遮蔽膜于非導(dǎo)電材料上的形成方法，包括下列步驟(a)、提供一非導(dǎo)電材料10，該非導(dǎo)電材料10是具有一上表面11及一下表面12；(b)、在該非導(dǎo)電材料10的該上表面11形成一中介層20；以及(c)、在該中介層20上濺鍍一層或多層金屬導(dǎo)電膜30。
首先，在本實(shí)施例的步驟(a)中，所提供的該非導(dǎo)電材料10并無特別限制，一般是指電子設(shè)備的外殼，例如ABS、PC、PP、PC等塑料，玻璃或陶瓷，也可以是可撓性印刷電路板的外絕緣膜，例如聚酰亞胺(polyimide)及環(huán)氧樹脂(epoxy resin)。此外，該非導(dǎo)電材料10的該上表面11上不需形成電磁波干擾遮蔽膜的部分，例如插座、連接端口或連接孔等，是預(yù)先貼附一耐高溫遮蔽物而予以遮蓋。
接著，進(jìn)行步驟(b)，其是在該非導(dǎo)電材料10的該上表面11形成該中介層20，該中介層20是為一介電質(zhì)(dielectric)，如氧化物或氮化物，較佳地，該中介層20是為氧化硅(silicon oxide)或氮化硅(siliconnitride)，且厚度是介于5納米至100微米。在本實(shí)施例中，形成該中介層20的方法是可選自物理氣相沉積法(PVD)、化學(xué)氣相沉積法(CVD)或化學(xué)涂布法的其中一種；較佳地，物理氣相沉積法(PVD)是為濺鍍(sputtering)或蒸鍍(evaporation)，化學(xué)氣相沉積法(CVD)是為電漿輔助化學(xué)氣相沉積(PE(CVD)或低壓化學(xué)氣相沉積(LPCVD)，而化學(xué)涂布法是為噴涂、刮版或濕浸。
之后，進(jìn)行步驟(c)，其是在該中介層20上濺鍍一層或多層金屬導(dǎo)電膜30，該金屬導(dǎo)電膜30的膜材是為可選自銅、銀、金、鋁、鎳、鋅、鈦、鉑及其他們的合金所組成的組群中的一種；較佳地，該金屬導(dǎo)電膜30是為銅膜，且厚度是介于0.2微米至10微米。
請(qǐng)參閱圖3所示，是依據(jù)本發(fā)明一較佳實(shí)施例，另形成一金屬保護(hù)膜的制程及結(jié)構(gòu)的剖面示意圖，在本實(shí)施例中，另包括一形成一層或多層金屬保護(hù)膜40的步驟，其是在該金屬導(dǎo)電膜30上形成該金屬保護(hù)膜40，該金屬保護(hù)膜40是具有抗氧化及耐磨耗特性，用以保護(hù)該金屬導(dǎo)電膜30。該金屬保護(hù)膜40是為可選自鎳、鉻、鎳合金、鉻合金及不銹鋼膜所組成的組群中的一種；較佳地，該金屬保護(hù)膜40是為不銹鋼膜，且厚度是介于0.1微米至10微米。此外，形成該金屬保護(hù)膜40的方法是可選自物理氣相沉積法(PVD)或化學(xué)氣相沉積法(CVD)的其中一種；較佳地，物理氣相沉積法(PVD)是為濺鍍(sputtering)或蒸鍍(evaporation)，而化學(xué)氣相沉積法(CVD)是為電漿輔助化學(xué)氣相沉積(PECVD)。
請(qǐng)參閱圖4所示，是依據(jù)本發(fā)明一較佳實(shí)施例，另形成一防手紋處里層的制程及結(jié)構(gòu)的剖面示意圖，為了防止該金屬保護(hù)膜40的表面因人為觸摸而留有手紋，在本實(shí)施例中，可以另包括一形成一防手紋處理層50的步驟，其是在該金屬保護(hù)膜40上形成該防手紋處理層50，如清漆或蠟?zāi)?，用以防止手紋殘留在該金屬保護(hù)膜40的表面。
請(qǐng)?jiān)賲㈤唸D4所示，是依據(jù)本發(fā)明的方法所得的電磁波干擾遮蔽膜結(jié)構(gòu)，是設(shè)置于一非導(dǎo)電材料10的一上表面11，其包括有一中介層20以及一金屬導(dǎo)電膜30，該中介層20是設(shè)置于該非導(dǎo)電材料10的該上表面11，并緊密連接于該非導(dǎo)電材料10的該上表面11，該金屬導(dǎo)電層30是設(shè)置于該中介層20上，并緊密連接于該中介層20上。在本實(shí)施例中，該金屬導(dǎo)電層30上另設(shè)置有一金屬保護(hù)膜40，用以保護(hù)該金屬導(dǎo)電層30，防止該金屬導(dǎo)電層30氧化或磨耗。此外，在該金屬保護(hù)膜40上可設(shè)置一防手紋處理層50，用以防止手紋殘留在該金屬保護(hù)膜40的表面。
以上所述，僅是本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并非對(duì)本發(fā)明作任何形式上的限制，雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例揭露如上，然而并非用以限定本發(fā)明，任何熟悉本專業(yè)的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍內(nèi)，當(dāng)可利用上述揭示的技術(shù)內(nèi)容作出些許更動(dòng)或修飾為等同變化的等效實(shí)施例，但凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明技術(shù)實(shí)質(zhì)對(duì)以上實(shí)施例所作的任何簡單修改、等同變化與修飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種電磁波干擾遮蔽膜于非導(dǎo)電材料上的形成方法，其特征在于其包括以下步驟提供一非導(dǎo)電材料，該非導(dǎo)電材料是具有一上表面及一下表面；在該非導(dǎo)電材料的該上表面形成一中介層；以及在該中介層上濺鍍一層或多層金屬導(dǎo)電膜。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電磁波干擾遮蔽膜于非導(dǎo)電材料上的形成方法，其特征在于其中所述的非導(dǎo)電材料是為塑料、玻璃或陶瓷。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電磁波干擾遮蔽膜于非導(dǎo)電材料上的形成方法，其特征在于其中所述的形成該中介層的方法其是為物理氣相沉積(PVD)，如濺鍍或蒸鍍。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電磁波干擾遮蔽膜于非導(dǎo)電材料上的形成方法，其特征在于其中所述形成該中介層的方法是為化學(xué)氣相沉積(CVD)，如電漿輔助化學(xué)氣相沉積(PECVD)或低壓化學(xué)氣相沉積(LPCVD)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電磁波干擾遮蔽膜于非導(dǎo)電材料上的形成方法，其特征在于其中所述的形成該中介層的方法是為化學(xué)涂布，如噴涂、刮版或濕浸。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電磁波干擾遮蔽膜于非導(dǎo)電材料上的形成方法，其特征在于其中所述的中介層的厚度介于5納米至100微米。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電磁波干擾遮蔽膜于非導(dǎo)電材料上的形成方法，其特征在于其中所述的中介層的材料是為氮化物。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的電磁波干擾遮蔽膜于非導(dǎo)電材料上的形成方法，其特征在于其中所述的中介層的材料是為氮化硅。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電磁波干擾遮蔽膜于非導(dǎo)電材料上的形成方法，其特征在于其中所述的中介層的材料是為氧化物。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的電磁波干擾遮蔽膜于非導(dǎo)電材料上的形成方法，其特征在于其中所述的中介層的材料是為氧化硅。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電磁波干擾遮蔽膜于非導(dǎo)電材料上的形成方法，其特征在于其中所述的金屬導(dǎo)電膜的膜材是選自銅、銀、金、鋁、鎳、鋅、鈦、鉑及其他們的合金所組成的組群中的一種。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的電磁波干擾遮蔽膜于非導(dǎo)電材料上的形成方法，其特征在于其中所述的金屬導(dǎo)電膜是為銅膜。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電磁波干擾遮蔽膜于非導(dǎo)電材料上的形成方法，其特征在于其中所述的金屬導(dǎo)電膜的厚度介于0.2微米至10微米。
14.一種電磁波干擾遮蔽膜結(jié)構(gòu)，是設(shè)置于一非導(dǎo)電材料的一表面，其特征在于其包括一中介層，其是設(shè)置于該非導(dǎo)電材料的該表面，并緊密連接該非導(dǎo)電材料的該表面；以及一金屬導(dǎo)電層，其是設(shè)置于該中介層上，并緊密連接該中介層。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的電磁波干擾遮蔽膜結(jié)構(gòu)，其特征在于其中所述的中介層的厚度介于5納米至100微米。
16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的電磁波干擾遮蔽膜結(jié)構(gòu)，其特征在于其中所述的中介層的材料是為氮化物。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的電磁波干擾遮蔽膜結(jié)構(gòu)，其特征在于其中所述的中介層的材料是為氮化硅。
18.根據(jù)權(quán)利要求14所述的電磁波干擾遮蔽膜結(jié)構(gòu)，其特征在于其中所述的中介層的材料是為氧化物。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的電磁波干擾遮蔽膜結(jié)構(gòu)，其特征在于其中所述的中介層的材料是為氧化硅。
20.根據(jù)權(quán)利要求14所述的電磁波干擾遮蔽膜結(jié)構(gòu)，其特征在于其中所述的金屬導(dǎo)電膜的膜材是選自銅、銀、金、鋁、鎳、鋅、鈦、鉑及其他們的合金所組成的組群中的一種。
21.根據(jù)權(quán)利要求14所述的電磁波干擾遮蔽膜結(jié)構(gòu)，其特征在于其中所述的金屬導(dǎo)電膜的厚度介于0.2微米至10微米。
22.根據(jù)權(quán)利要求14所述的電磁波干擾遮蔽膜結(jié)構(gòu)，其特征在于其中所述的金屬導(dǎo)電膜上另設(shè)置有一金屬保護(hù)膜。
23.根據(jù)權(quán)利要求22所述的電磁波干擾遮蔽膜結(jié)構(gòu)，其特征在于其中所述的金屬保護(hù)膜是選自鎳、鉻、鎳合金、鉻合金及不銹鋼膜所組成的組群中的一種。
24.根據(jù)權(quán)利要求22所述的電磁波干擾遮蔽膜結(jié)構(gòu)，其特征在于其中所述的金屬保護(hù)膜的厚度介于0.1微米至10微米。
25.根據(jù)權(quán)利要求22所述的電磁波干擾遮蔽膜結(jié)構(gòu)，其特征在于其中所述的金屬保護(hù)膜上另設(shè)置有一防手紋處理層。
全文摘要
本發(fā)明是有關(guān)于一種電磁波干擾遮蔽膜于非導(dǎo)電材料上的形成方法及其結(jié)構(gòu)。該電磁波干擾遮蔽膜于非導(dǎo)電材料上的形成方法，包括提供一非導(dǎo)電材料，接著在該非導(dǎo)電材料的一上表面形成一中介層，之后在該中介層上濺鍍一層或多層金屬導(dǎo)電膜，其中該中介層緊密連接該非導(dǎo)電材料，而金屬導(dǎo)電膜緊密連接該中介層，藉由該電磁波干擾遮蔽膜的中介層可增加非導(dǎo)電材料與電磁波干擾遮蔽膜的表面附著力。該電磁波干擾遮蔽膜結(jié)構(gòu)，設(shè)于一非導(dǎo)電材料的一表面，其包括一中介層，設(shè)于非導(dǎo)電材料的該表面，并緊密連接非導(dǎo)電材料的該表面；以及一金屬導(dǎo)電層，設(shè)于該中介層上，并緊密連接該中介層，藉由該中介層可增加該電磁波干擾遮蔽膜附著于非導(dǎo)電材料的表面附著力，非常適于實(shí)用。
文檔編號(hào)G12B17/00GK101083896SQ200610083278
公開日2007年12月5日 申請(qǐng)日期2006年5月31日 優(yōu)先權(quán)日2006年5月31日
發(fā)明者黃光昭, 陳在樸, 劉啟志, 楊維鈞, 呂仲麟, 陳博裕, 聶亨蕓, 楊正旭, 黃信行 申請(qǐng)人:柏騰科技股份有限公司