專利名稱：雙面板型有機(jī)電致發(fā)光裝置及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種電致發(fā)光顯示裝置，尤其涉及一種雙面板型有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置及其制造方法。
背景技術(shù)：
在平板顯示器(FPDs)中，與液晶顯示(LCD)裝置相比較，由于有機(jī)電致發(fā)光(EL)裝置是具有寬視角和高對(duì)比度的發(fā)光型顯示器，所以引發(fā)了人們對(duì)其研究和開發(fā)的特別關(guān)注。由于不需要背光，所以與其他類型的顯示裝置相比，有機(jī)EL裝置重量輕、體積小。有機(jī)EL裝置具有其他理想的特性，例如低功耗、出眾的亮度和快速響應(yīng)時(shí)間。當(dāng)驅(qū)動(dòng)有機(jī)EL裝置時(shí)，只需要低直流(DC)電壓。并且能夠獲得快速響應(yīng)時(shí)間。與LCD裝置不一樣，有機(jī)EL裝置全部以固相排列形成。因此，有機(jī)EL裝置足夠牢固以承受外部撞擊，也具有較大的運(yùn)行溫度范圍。并且，有機(jī)EL裝置是在包括少數(shù)工藝步驟的相對(duì)簡(jiǎn)單工藝中制造。因此，相對(duì)于LCD裝置或等離子體顯示面板(PDP)而言，生產(chǎn)有機(jī)EL裝置是非常廉價(jià)的。特別是，生產(chǎn)有機(jī)EL裝置過程中只有沉積和封裝工藝是必須的。
圖1是根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置的原理電路圖。在圖1中，柵線和數(shù)據(jù)線彼此交叉以限定像素區(qū)域。電源線與數(shù)據(jù)線平行，且與之間隔開。開關(guān)薄膜晶體管(TFT)“TS”作為尋址元件連接到柵線和數(shù)據(jù)線。存儲(chǔ)電容“CST”連接到開關(guān)薄膜晶體管(TFT)“TS”和電源線。此外驅(qū)動(dòng)TFT“TD”作為電流源元件連接到開關(guān)TFT“TS”、存儲(chǔ)電容“CST”和電源線。驅(qū)動(dòng)TFT“TD”也連接到有機(jī)電致發(fā)光(EL)二極管“E”。
開關(guān)TFT“TS”調(diào)整驅(qū)動(dòng)TFT“TD”的柵極電壓，存儲(chǔ)電容“CST”為驅(qū)動(dòng)TFT“TD”的柵極電壓存儲(chǔ)電荷。當(dāng)正電流施加到有機(jī)EL二極管“E”的有機(jī)發(fā)光材料層時(shí)，空穴和電子通過提供空穴的陽(yáng)極層和提供電子的陰極層形成的正—負(fù)(PN)結(jié)相向運(yùn)動(dòng)并復(fù)合。由于復(fù)合的空穴—電子對(duì)比分離的空穴—電子對(duì)具有較低的能量，所以對(duì)應(yīng)于復(fù)合的和分離的空穴—電子對(duì)之間能量差的光從有機(jī)發(fā)光材料層發(fā)射出來。
圖2是根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)圖示有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置的原理組合圖。在圖2中，第一和的二基板11和51彼此面對(duì)和分離。第一電極13形成在第一基板11的內(nèi)表面上。絕緣層17和分隔體20依次形成在相鄰子像素區(qū)域“SP”之間邊界區(qū)域“CA”中的第一電極13上。有機(jī)發(fā)光材料層25和第二電極30依次形成在分隔體20之間的子像素區(qū)域“SP”中。在制造工藝中，有機(jī)發(fā)光材料層25和第二電極30通過沉積工藝各自獨(dú)立地形成在每個(gè)子像素區(qū)域“SP”中，在該沉積工藝中，分隔體20避免了連續(xù)層的沉積。第一電極13、第二電極30和有機(jī)發(fā)光材料層25構(gòu)成了一有機(jī)電致發(fā)光(EL)二極管“E”。盡管在組合圖2中未示出，在平面圖中，分隔體20在每個(gè)子像素區(qū)域“SP”周圍具有格子的形狀。
包括薄膜晶體管(TFTs；未示出)的陣列元件層55形成在第二基板51內(nèi)表面上的每個(gè)子像素區(qū)域“SP”中。連接電極58也形成在第二基板51的內(nèi)表面上，與陣列元件層55相連接。連接圖案70形成在每個(gè)子像素區(qū)域“SP”中并且連接第一基板11的第二電極30和第二基板51的電極58。
密封圖案80第一和第二基板11和51的邊界區(qū)域。相應(yīng)的，在第一和第二基板11和51之間的內(nèi)部空隙由密封圖案80所密封。此外，第一和第二基板11和51在惰性氣體或真空環(huán)境下粘接和密封，這樣，其內(nèi)部空隙就不會(huì)暴露于濕氣或空氣當(dāng)中。
有機(jī)電致發(fā)光顯示(OELD)裝置的分隔體20成倒錐形以方便每個(gè)子像素區(qū)域“SP”中的有機(jī)發(fā)光材料層25和第二基板30獨(dú)立地形成。因此，分隔體20上離第一基板11近的第一部分的寬度要比分隔體20上離第一基板11遠(yuǎn)的第二部分的寬度小，并且分隔體20的寬度隨著與第一基板11距離的增加而增加。在制造工藝中，分隔體20形成之后，有機(jī)發(fā)光材料層25通過蒸發(fā)有機(jī)發(fā)光材料而形成。第二電極30通過沉積金屬材料而形成。通過蒸發(fā)方法形成的有機(jī)發(fā)光材料層25的階梯覆蓋比通過沉積方法形成的第二電極30的階梯覆蓋好。因此，有機(jī)發(fā)光材料比金屬材料擴(kuò)散的好。在每個(gè)子像素區(qū)域“SP”中，有機(jī)發(fā)光材料層25的面積比第二電極30的面積大。結(jié)果，有機(jī)發(fā)光材料層25的邊緣區(qū)域暴露于第二電極30。當(dāng)有機(jī)發(fā)光材料層25暴露時(shí)，有機(jī)發(fā)光材料層25的退化加速了。因此，即使在第一和第二基板11和51之間的內(nèi)部空隙維持真空狀態(tài)或惰性氣體狀態(tài)的情況下，OELD裝置1的生命期也將會(huì)縮短。
并且，分隔體20包括有機(jī)絕緣材料。受熱時(shí)，有機(jī)絕緣材料放氣，而這種放氣會(huì)使有機(jī)發(fā)光材料退化。由于有機(jī)發(fā)光材料層25沒有完全覆蓋分隔體20的側(cè)墻，所以有機(jī)絕緣材料的一部分暴露出來。結(jié)果，受熱時(shí)，分隔體20的暴露部分發(fā)生放氣，并且使有機(jī)發(fā)光材料層25退化。相應(yīng)地，裝置1的OELD生命期由于放氣而進(jìn)一步地縮短了。
發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明涉及一種有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置，和其中充分消除由于現(xiàn)有技術(shù)限制和缺陷導(dǎo)致一個(gè)或多個(gè)問題的制造方法。
為了按照本發(fā)明的目的，達(dá)到本發(fā)明的這些和其他優(yōu)點(diǎn)，如具體和廣義描述的那樣，有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置包括彼此面對(duì)和分離的第一和第二基板。第一電極置于第一基板上，而包括第一和第二部分的分隔體置于第一電極上。每一個(gè)第一和第二部分都具有彼此以相對(duì)的方向凸出的部分和被凸出部分部分地包裹的區(qū)域。有機(jī)發(fā)光層置于子像素區(qū)域中的第一電極上，并具有第一厚度。第二電極置于有機(jī)發(fā)光層上。陣列元件層置于第二基板上，其包括薄膜晶體管。連接圖案電連接第二電極和薄膜晶體管。
另一方面，制造有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置的方法包括在具有子像素區(qū)域的第一基板上形成第一電極和在子像素區(qū)域周圍形成邊界區(qū)域。絕緣圖案形成于邊界區(qū)域中的第一電極上，絕緣圖案具有第一厚度。絕緣層形成于絕緣圖案上，絕緣層具有第二厚度。絕緣層被蝕刻以形成彼此間隔開的第一和第二凸出部分，并且通過該彼此間隔開的第一和第二凸出部分使絕緣圖案得以暴露。對(duì)應(yīng)于第一和第二凸出部分，在第一和第二區(qū)域底切的地方，第一和第二區(qū)域絕緣圖案被蝕刻以形成彼此間隔開的第一和第二區(qū)域。有機(jī)發(fā)光層形成于子像素區(qū)域中的第一電極上，而第二電極形成于有機(jī)發(fā)光層上。陣列元件層形成于第二基板上。連接圖案形成于第二電極、陣列元件層其中之一上，并將第一和第二基板粘接，如此，將連接圖案電連接到第二電極和薄膜晶體管上。
再另一方面，有機(jī)電致發(fā)光顯示器包括彼此間隔開的第一和第二基板，第一基板上具有電極。分隔體覆蓋電極并在第一和第二基板上限定像素區(qū)域。分隔體包括限定電極邊界區(qū)域的相應(yīng)的第一和第二部分，每個(gè)部分包括覆蓋電極的區(qū)域和覆蓋第一圖案頂面和延伸至區(qū)域邊界外的凸出部分。有機(jī)發(fā)光層覆蓋在電極和每一部分的凸出部分上。
在另一方面中，制造有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置中分隔體的方法包括在基板上形成具有第一厚度的絕緣圖案。具有第二厚度的絕緣層形成于絕緣圖案上。絕緣層被蝕刻以形成彼此間隔開和暴露一部分絕緣層的第一和第二凸出部分。絕緣圖案被蝕刻以形成彼此間隔開并底切凸出部分的第一和第二區(qū)域，如此，將第一和第二部分隱藏在各自的第一和第二凸出部分的下方。
應(yīng)當(dāng)理解，前述的一般描述和以下的詳細(xì)描述都是示列性和說明性的，僅是為了對(duì)本發(fā)明的權(quán)利要求書所要保護(hù)的發(fā)明作進(jìn)一步的解釋。
圖1是根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置的電路示意圖；圖2所示的是根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置的平面示意圖；圖3所示的是根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施方式的雙面板型有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置的示意性截面圖；和圖4A到4H所示的是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的用于有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置的電致發(fā)光基板制造工藝的示意性截面圖。
具體實(shí)施例方式
現(xiàn)在對(duì)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式做詳細(xì)說明，在附圖中說明了這些優(yōu)選實(shí)施方式的實(shí)施例。
圖3是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的雙面板型有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置的示意性截面圖。
在圖3中，雙面板型有機(jī)電致發(fā)光顯示(OELD)裝置101包括彼此面對(duì)和分離的第一和第二基板111和151。有機(jī)電致發(fā)光(EL)二極管“E”形成于第一基板111的內(nèi)表面上，包括驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管“TD”的陣列元件層形成于第二基板151的內(nèi)表面。連接圖案180形成在第一和第二基板111和151之間的子像素區(qū)域“SP”中。連接圖案180電連接第一基板111上的陣列元件和第二基板151上的有機(jī)電致發(fā)光二極管“E”。
盡管在圖3中未所示，密封圖案形成于第一和第二基板111和151的邊界區(qū)域，以密封第一和第二基板111和151之間的內(nèi)部空隙隔絕外部空氣，并將第一和第二基板111和151粘接。被密封圖案隔絕的空隙中形成真空。密封圖案也可以雙密封圖案的形式，在這種形式中，通過圖案之間的小空隙隔離而形成兩個(gè)分離的圖案。
特別的，第一電極113形成在第一基板111的內(nèi)表面，而分隔體130形成在第一電極113的邊界區(qū)域“CA”中。第一電極113包括透明導(dǎo)電材料如銦錫氧化物(ITO)和銦鋅氧化物(IZO)。分隔體130具有通過無(wú)機(jī)絕緣材料的雙層結(jié)構(gòu)構(gòu)成的兩個(gè)部分。分隔體130包括兩個(gè)相似部分，其中每個(gè)部分包括第一區(qū)域120a、第二區(qū)域120b、第一凸出部分125和第二凸出部分126。第一和第二區(qū)域120a和120b包括無(wú)機(jī)絕緣材料，例如硅氮化物(SiNx)，并且彼此間隔開。每個(gè)形成于第一電極113上的第一和第二區(qū)域120a和120b具有內(nèi)表面、外表面、接觸第一電極113的底面和與底面相對(duì)的頂面。第一和第二凸出部分125和126包括無(wú)機(jī)絕緣材料，例如氧化硅(SiO2)，并分別置于第一和第二區(qū)域120a和120b的周圍。因此，第一凸出部分125覆蓋第一區(qū)域120a的頂面和外表面，第二凸出部分126覆蓋第二區(qū)域120b的頂面和外表面。
此外，分隔體130具有底切形狀，第一和第二凸出部分125和126分別延伸超出第一和第二區(qū)域120a和120b的頂面。因此，第一凸出部分125包括與第一區(qū)域120a外表面接觸的第一部分125a和延伸自第一部分125a的第二部分125b。第二部分125b覆蓋并延伸超出第一區(qū)域120a的頂面。相似的，第二凸出部分126包括與第二區(qū)域120b外表面接觸的第三部分126a和延伸自第三部分126a的第四部分126b。第四部分126b覆蓋并延伸超出第二區(qū)域120b的頂面。結(jié)果，分隔體130具有內(nèi)部空洞和頂面開口的橫向形狀。第一和第二區(qū)域120a和120b內(nèi)表面暴露出來。進(jìn)一步，第一和第二區(qū)域120a和120b之間的第一距離“d1”大于第二部分125b和第四部分126b之間的第二距離“d2”。第一和第二區(qū)域120a和120b的第一厚度“t1”等于或大于第一和第二凸出部分125和126的第二厚度“t2”。例如，第一和第二厚度“t1”和“t2”在大約2000到大約8000的范圍內(nèi)。
有機(jī)發(fā)光材料層135形成于分隔體130周圍子像素區(qū)域“SP”中的第一電極113上，而第二電極140形成于有機(jī)發(fā)光材料層135上。由于第二電極140完全覆蓋有機(jī)材料層135，所以有機(jī)發(fā)光材料層135沒有暴露，避免了有機(jī)發(fā)光材料層135的退化。此外，由于無(wú)機(jī)材料即使在受熱時(shí)也不放氣，所以無(wú)機(jī)材料的分隔體130不放氣，避免了有機(jī)發(fā)光材料層135由于放氣而引起的退化。第一電極113、有機(jī)發(fā)光材料層135和第二電極140構(gòu)成有機(jī)EL二極管“E”。第一電極113具有高于第二電極140的功函數(shù)。而且，有機(jī)發(fā)光材料層135和第二電極140通過分隔體130獨(dú)立形成于每個(gè)子像素區(qū)域“SP”中。
盡管在圖3中未示出，第二基板151上每個(gè)子像素區(qū)域“SP”中的陣列元件層包括多個(gè)TFT。連接電極175連接到陣列元件層的驅(qū)動(dòng)TFT“TD”，而連接圖案180形成于連接電極175上。驅(qū)動(dòng)TFT包括被具有兩個(gè)子層160a和160b的柵絕緣層160覆蓋的柵極155。源和漏區(qū)域165和167覆蓋柵絕緣層160的子層160b。在子像素區(qū)域和驅(qū)動(dòng)TFT中的TFT中，導(dǎo)電層可以用多晶硅、非晶硅和有機(jī)半導(dǎo)體材料制造。
在制造第一和第二基板111和151其中之一的工藝過程中，連接圖案180形成于第一和第二基板111和151其中之一上。雖然如圖3中所示，將連接圖案180設(shè)置成與分隔體130重疊，在本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例中，將連接圖案180設(shè)置在子像素區(qū)域“SP”中而沒有與分隔體130。由于圖3中的有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置101是上發(fā)射型，所以即使連接圖案180設(shè)置在子像素區(qū)域“SP”中而沒有與分隔體130重疊時(shí)，也可避免顯示質(zhì)量的退化。
圖4A到4H是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的用于有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置的電致發(fā)光基板制造工藝的示意性截面圖。圖4A到4H顯示了單個(gè)子像素區(qū)域。
在圖4A中，第一基板111具有子像素區(qū)域“SP”和子像素區(qū)域“SP”周圍的邊界區(qū)域“CA”。通過沉積透明導(dǎo)電材料例如銦錫氧化物(ITO)和銦鋅氧化物(IZO)，第一電極113形成在第一基板111上。
在圖4B中，第一無(wú)機(jī)絕緣材料層(未示出)形成在第一基板111上，而第一光刻膠層(PR)(未示出)形成在第一無(wú)機(jī)絕緣材料層上。第一絕緣材料層具有大約2000到大約8000的范圍內(nèi)的第一厚度“t1”，并且可能包括硅氮化物(SiNx)。其次，將具有透光區(qū)域和擋光區(qū)域的第一掩模(未示出)置于第一PR層上，光通過第一掩模照射到第一PR層上。在通過顯影第一PR層來形成第一PR圖案(未示出)之后，利用第一PR圖案作為蝕刻掩模蝕刻第一無(wú)機(jī)絕緣材料層，以在邊緣區(qū)域“CA”形成第一無(wú)機(jī)絕緣材料圖案118。因此，第一無(wú)機(jī)絕緣材料圖案118具有大約2000到大約8000的范圍內(nèi)的第一厚度“t1”。由于第一無(wú)機(jī)絕緣材料圖案118和覆蓋在第一無(wú)機(jī)絕緣材料圖案118上的彎曲圖案(圖3中的125、126)的原因，用作為有機(jī)發(fā)光材料層的分隔體的功能，因此，形成的第一無(wú)機(jī)絕緣材料圖案118具有第一厚度“t1”，其大于有機(jī)發(fā)光材料層的厚度。此外，當(dāng)附加層例如電子發(fā)射層、電子傳輸層、空穴傳輸層和空穴發(fā)射層進(jìn)一步形成在有機(jī)發(fā)光材料層上以改進(jìn)發(fā)光效率時(shí)，第一無(wú)機(jī)絕緣材料圖案118形成具有大于所有層厚的厚度。有機(jī)發(fā)光材料層具有大約1500的厚度。
在圖4C中，第二無(wú)機(jī)絕緣材料層122形成在第一無(wú)機(jī)絕緣材料圖案118上。第二無(wú)機(jī)絕緣材料層122具有大約2000到大約8000的范圍內(nèi)的第二厚度“t2”，并且可包括硅氧化物(SiO2)。為了完全覆蓋第一無(wú)機(jī)絕緣材料圖案118，第二無(wú)機(jī)絕緣材料層122的第二厚度“t2”等于或大于第一無(wú)極絕緣材料圖案118的第一厚度“t1”。其次，第二PR層191形成在第二無(wú)機(jī)絕緣材料層122上。例如，第二PR層可以在暴露部分移除處呈負(fù)型。其次，具有透光區(qū)域“T”和擋光區(qū)域“B”的第二掩模195置于第二PR層191上，光通過第二掩模195照射到第二PR層191上。
在圖4D中，通過顯影第二PR層191(圖4C)將第二PR圖案192形成在第二無(wú)機(jī)絕緣材料層122上。
在圖4E中，通過利用第二PR圖案192作為蝕刻掩模來蝕刻第二無(wú)機(jī)絕緣材料層122(圖4D)，以形成包括第一和第二凸出部分125和126的第二無(wú)機(jī)絕緣圖案。彼此間隔開的第一和第二凸出部分125和126置于邊界區(qū)域“CA”中。因此，通過第一和第二凸出部分125和126，第一電極113置于子像素區(qū)域“SP”中，并且第一無(wú)機(jī)絕緣材料層118置于邊界區(qū)域“CA”中。
在圖4F中，將通過第一和第二凸出部分125和126暴露的第一有機(jī)絕緣材料圖案118(圖4E)進(jìn)行蝕刻，以形成第一和第二區(qū)域120a和120b。由于第一有機(jī)絕緣材料圖案118(圖4E)和第一和第二凸出部分125和126包括不同材料，第一有機(jī)絕緣材料圖案118(圖4E)的蝕刻速率不同于第一和第二凸出部分125和126的蝕刻速率。例如，即使硅氮化物(SiNx)的第一有機(jī)絕緣材料圖案118(圖4E)和二氧化硅(SiO2)的第一和第二凸出部分125和126能夠通過利用CF4(四氟代甲烷)氣體的干蝕刻方法進(jìn)行蝕刻，則利用CF4氣體的硅氮化物(SiNx)的蝕刻速率也要高于利用CF4氣體的二氧化硅(SiO2)的蝕刻速率。因此，第一有機(jī)絕緣材料圖案118(圖4E)的蝕刻量大于第一和第二凸出部分125和126的蝕刻量，并且蝕刻第一有機(jī)絕緣材料圖案118(圖4E)以通過第一和第二區(qū)域120a和120b暴露第一電極113。此外，由于第一和第二區(qū)域120a和120b是被過度蝕刻的，第一凸出部分125的第二部分125b覆蓋并延伸超出第一區(qū)域120a的頂面，并且第二凸出部分126的第四部分126b覆蓋并延伸超出第二區(qū)域120b的頂面。結(jié)果，第一和第二區(qū)域120a和120b相對(duì)于第一和第二凸出部分125和126分別具有底切形狀。凸出部分125包裹第一區(qū)域120a的頂面和側(cè)面，凸出部分126包裹第二區(qū)域120b的頂面和側(cè)面。
因此，第一區(qū)域120a、第二區(qū)域120b、第一凸出部分125和第二凸出部分126構(gòu)成具有兩折雙層結(jié)構(gòu)的分隔體130。另外，第一和第二區(qū)域120a和120b之間的第一距離“d1”大于第二部分125b和第四部分126b之間的第二距離“d2”。并且，由于第一和第二凸出部分125和126的外側(cè)表面基本上垂直于第一電極113，而不是倒錐形結(jié)構(gòu)，所以有機(jī)發(fā)光材料層和第二電極完全接觸到分隔體130的外表面，沒有于第一和第二凸出部分125和126的外表面隔離。
在圖4G中，在通過灰化法或脫模法將第二PR圖案192(圖4F)移除后，有機(jī)發(fā)光材料層135形成于每個(gè)子像素區(qū)域“SP”中第一電極113上。有機(jī)發(fā)光材料層135通過蒸發(fā)有機(jī)發(fā)光材料來形成。，由于第一和第二區(qū)域120a和120b相對(duì)于第一和第二凸出部分125和126的底切形狀，有機(jī)發(fā)光材料層135在第一和第二凸出部分125和126之間被切割。并且虛擬有機(jī)發(fā)光材料圖案形成在第一和第二區(qū)域120a和120b之間的第一電極113上。因此，有機(jī)發(fā)光材料層135被分隔體130分隔并且獨(dú)立形成在每個(gè)子像素區(qū)域“SP”中。
在圖4H中，第二電極140形成在每個(gè)子像素區(qū)域“SP”中的有機(jī)發(fā)光材料層135上。第二電極140可通過沉積鋁(Al)和鋁(Al)合金如鋁釹(AlNd)其中之一來形成。例如，第一電極113具有高于第二電極140的功函數(shù)。相似于有機(jī)發(fā)光材料層135，第二電極140被分隔體130分隔開并且獨(dú)立地形成在每個(gè)子像素區(qū)域“SP”中。此外，由于第一和第二凸出部分125和126的外表面垂直于第一電極113而不同于倒錐形結(jié)構(gòu)，第二電極140完全覆蓋在每個(gè)子像素區(qū)域“SP”中的有機(jī)材料層135，并且在邊界區(qū)域“CA”分隔體130之上。結(jié)果，有機(jī)發(fā)光材料層135沒有暴露并且避免了有機(jī)發(fā)光材料層135的退化。第一電極113、有機(jī)發(fā)光材料層135和第二電極140構(gòu)成有機(jī)電致發(fā)光二極管“E”。
根據(jù)本發(fā)明的進(jìn)一步方面，吸氣劑材料或吸收層(未示出)可以形成在第二電極140上。吸氣劑材料優(yōu)選金屬或近金屬材料例如鈣或另一個(gè)來自元素周期表第IIA組的元素。吸氣劑材料吸收水蒸氣和其他氣體，例如在顯示器氣體區(qū)域中產(chǎn)生的氧氣。
盡管在圖4A到圖4H中未示出，導(dǎo)電材料的連接圖案180(圖3)形成在第二電極140上。在另一個(gè)實(shí)施例中，連接圖案180(圖3)形成在相對(duì)的那塊基板上。其次，具有有機(jī)電致發(fā)光二極管“E”的第一基板111和具有陣列元件層的第二基板151在真空條件和惰性氣體條件之一下利用密封圖案粘接在一起，這樣，連接圖案180接觸到第一基板111的第二電極140和第二基板151的驅(qū)動(dòng)TFT“TD”。
因此，在根據(jù)本發(fā)明的雙面板型OELD裝置中，由于分隔體具有兩折雙層，所以有機(jī)發(fā)光材料層沒有通過第二電極而暴露。因此，避免了有機(jī)發(fā)光材料層的退化。此外，由于分隔體包括無(wú)機(jī)絕緣材料，所以受熱時(shí)分隔體不會(huì)噴出氣體。因此，避免了由于噴出的氣體引起的有機(jī)發(fā)光材料層的退化。而且，由于有機(jī)EL二極管和包括TFT的陣列元件層各自形成在第一和第二基板上，所以提高了產(chǎn)量，減小了制造成本。
顯然在不脫離本發(fā)明的精神和范圍的情況下，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員可以在本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置及其制造方法方面做出各種改進(jìn)和變型。因此，本發(fā)明覆蓋所有落入所附權(quán)利要求及其等效物所包含的范圍之內(nèi)的改進(jìn)和變型。
權(quán)利要求
1.一種有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置，包括彼此面對(duì)和分離的第一和第二基板；第一基板上的第一電極；包括第一電極上的第一和第二部分的分隔體，每個(gè)第一和第二部分都具有彼此以相對(duì)方向凸出的部分和被凸出部分部分地包裹的區(qū)域；置于子像素區(qū)域中的第一電極上的有機(jī)發(fā)光層，其具有第一厚度；有機(jī)發(fā)光層上的第二電極；第二基板上的陣列元件層，包括薄膜晶體管；和電連接至第二電極和薄膜晶體管的連接圖案。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述第二電極完全覆蓋有機(jī)發(fā)光層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述第一和第二部分的區(qū)域具有第二厚度，并且被間隔開一第一距離。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的裝置，其特征在于，所述每個(gè)區(qū)域具有內(nèi)側(cè)表面、與內(nèi)側(cè)表面相對(duì)的外側(cè)表面、與第一電極接觸的底面和與底面相對(duì)的頂面，其中的每個(gè)凸出部分包括與區(qū)域外側(cè)表面接觸的第一部分；和從第一部分延伸并與區(qū)域頂面接觸的第二部分。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的裝置，其特征在于，所述每一凸出部分的第二部分之間都間隔開一個(gè)小于第一距離的第二距離。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的裝置，其特征在于，所述凸出部分和區(qū)域均包括無(wú)機(jī)絕緣材料。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的裝置，其特征在于，所述區(qū)域包括硅氮化物，凸出部分包括硅氧化物。
8.根據(jù)權(quán)利要求3所述的裝置，其特征在于，所述第二厚度大于第一厚度。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述凸出部分包括經(jīng)受第一蝕刻速率影響的材料，區(qū)域包括經(jīng)受第二蝕刻速率影響的材料，其中第二蝕刻速率高于第一蝕刻速率。
10.根據(jù)權(quán)利要求3所述的裝置，其特征在于，所述凸出部分具有第三厚度，其中第二和第三厚度在大約2000到大約8000的范圍內(nèi)。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述薄膜晶體管包括多晶硅器件、非晶硅器件或有機(jī)半導(dǎo)體器件中的一種。
12.一種制造有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置的方法，包括在具有子像素區(qū)域和子像素區(qū)域周圍的邊界區(qū)域的第一基板上形成第一電極；在邊界區(qū)域中的第一電極上形成絕緣圖案，絕緣圖案具有第一厚度；在絕緣圖案上形成絕緣層，絕緣層具有第二厚度；蝕刻絕緣層以形成彼此間隔開的第一和第二凸出部分，絕緣圖案暴露在第一和第二凸出部分；蝕刻絕緣圖案以形成相互間隔開的第一和第二區(qū)域，其中第一和第二區(qū)域相對(duì)于第一和第二凸出部分呈底切形狀；在子像素區(qū)域中的第一電極上形成有機(jī)發(fā)光層；在有機(jī)發(fā)光層上形成第二電極；在第二基板上形成包括薄膜晶體管的陣列元件層；在第二電極和陣列元件層其中之一上形成連接圖案；和粘接第一和第二基板，如此，連接圖案電連接第二電極和薄膜晶體管。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其特征在于，所述第一和第二區(qū)域包括硅氮化物，并且第一和第二凸出部分包括硅氧化物。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其特征在于，所述第一和第二凸出部分以第一蝕刻速率進(jìn)行蝕刻，而絕緣圖案以第二蝕刻速率進(jìn)行蝕刻。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其特征在于，所述第二蝕刻速率高于第一蝕刻速率。
16.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其特征在于，所述第二厚度等于或大于第一厚度。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其特征在于，所述第一厚度和第二厚度在大約2000到大約8000的范圍內(nèi)。
18.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其特征在于，所述形成陣列元件層包括形成薄膜晶體管，薄膜晶體管包括多晶硅器件、非晶硅器件或有機(jī)半導(dǎo)體器件中的一種。
19.一種有機(jī)電致發(fā)光顯示器，包括彼此分離的第一和第二基板，第一基板上具有電極；設(shè)置在電極上，并用于在第一和第二基板上限定像素區(qū)域的分隔體，分隔體包括限定電極邊界區(qū)域的相應(yīng)的第一和第二部分，每一部分包括覆蓋電極的區(qū)域和覆蓋區(qū)域上表面并延伸到超出區(qū)域邊界的凸出部分；和覆蓋電極和每一部分的凸出部分上的有機(jī)發(fā)光層。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的顯示器，其特征在于，所述每一部分的區(qū)域和凸出部分包括不同的無(wú)機(jī)材料。
21.根據(jù)權(quán)利要求19所述的顯示器，其特征在于，所述區(qū)域包括硅氮化物而凸出部分包括硅氧化物。
22.根據(jù)權(quán)利要求19所述的顯示器，進(jìn)一步包括在有機(jī)發(fā)光材料層上的第二電極；在第二基板上的陣列元件層，陣列元件層包括薄膜晶體管；和電連接第二電極和薄膜晶體管的連接圖案。
23.根據(jù)權(quán)利要求19所述的顯示器，其特征在于，所述第一和第二部分的區(qū)域之間間隔一第一距離，其中第一和第二部分的凸出部分之間間隔一小于第一距離的第二距離。
24.根據(jù)權(quán)利要求19所述的顯示器，其特征在于，所述第一和第二部分的區(qū)域具有第一厚度，而有機(jī)發(fā)光層具有小于第一厚度的第二厚度。
25.根據(jù)權(quán)利要求19所述的顯示器，其特征在于，進(jìn)一步包括在第二基板上的薄膜晶體管，其中薄膜晶體管包括多晶硅器件、非晶硅器件或有機(jī)半導(dǎo)體器件中的一種。
26.一種制造有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置的分隔體的方法，包括在第一基板上形成絕緣圖案，絕緣圖案具有第一厚度；在絕緣圖案上形成絕緣層，絕緣層具有第二厚度；蝕刻絕緣層以形成彼此間隔開并暴露部分絕緣層的第一和第二凸出部分；和蝕刻絕緣圖案以形成彼此間隔并底切凸出部分的第一和第二區(qū)域，從而使得第一和第二區(qū)域隱藏在相應(yīng)的第一和第二凸出部分下方。
27.根據(jù)權(quán)利要求26所述的方法，其特征在于，進(jìn)一步包括形成包括在第二基板上的薄膜晶體管的有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置，其中薄膜晶體管包括多晶硅器件、非晶硅器件或有機(jī)半導(dǎo)體器件中的一種。
全文摘要
一種有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置，包括彼此面對(duì)和分離的第一和第二基板。第一電極置于第一基板上，并且具有雙層、相反L形圖案的分隔體置于第一電極上。具有第一厚度的有機(jī)發(fā)光層置于子像素區(qū)域的第一電極上。第二電極置于有機(jī)發(fā)光層上。陣列元件層置于第二基板上，陣列元件層包括薄膜晶體管。連接圖案電連接第二電極和薄膜晶體管。
文檔編號(hào)H05B33/10GK1893746SQ200610087048
公開日2007年1月10日 申請(qǐng)日期2006年6月12日 優(yōu)先權(quán)日2005年6月30日
發(fā)明者俞忠根, 安泰濬, 樸鐘賢 申請(qǐng)人:Lg.菲利浦Lcd株式會(huì)社