專利名稱：一種氟硼酸鈣非線性光學(xué)晶體的助熔劑生長方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于一種非線性光學(xué)晶體的助熔劑生長方法，特別涉及一種氟硼酸鈣 非線性光學(xué)晶體的助熔劑生長方法。
背景技術(shù)：
非線性光學(xué)晶體是一類具有倍頻、混頻、光參量振蕩等非線性光學(xué)效應(yīng)的 晶體材料。利用晶體的倍頻效應(yīng)，可以使激光的頻率發(fā)生改變，拓寬了激光光源 的波長范圍，從而獲得新的激光光源，使激光器得到廣泛的應(yīng)用。全固態(tài)藍(lán)綠激 光系統(tǒng)就是利用了非線性光學(xué)晶體制作的，它具有體積小，光源穩(wěn)定，成本低等 優(yōu)點(diǎn)，有著廣闊的應(yīng)用前景。
目前，用于制作藍(lán)綠激光系統(tǒng)的非線性光學(xué)晶體主要為硼酸鹽和磷酸鹽。在 這些材料中的硼氧基團(tuán)和磷氧基團(tuán)對(duì)晶體的非線性光學(xué)性質(zhì)起著重要作用，但是 它們?cè)谌廴跔顟B(tài)時(shí)，會(huì)形成B-0和P-0網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)，所以熔體的粘度大，給晶體的制 備帶來許多困難，目前多采用氟化物來降低熔體粘度。從上述考慮，如果一種化 合物中既含有硼氧基團(tuán)，又含有氟離子，就可能既有優(yōu)良的非線性光學(xué)效應(yīng)，又 容易制備，而且可能具有一些新的性質(zhì)。
氟硼酸鈣(Ca5B309F)化合物是由S. Lei等人在Acta Cryst雜志(C45, 1861， 1989)報(bào)道了Ca5B309F化合物的存在，并用X射線單晶衍射解出了該化合 物的結(jié)構(gòu)。Ca5B309F屬單斜晶系，Cm空間群，晶胞參數(shù)為a=9. 129(3)A, b=16.051(5) A ， c=3.5390(4)A, P= 100.94(6)。 ， V = 453. 4A:'， Z=2。透光波 段為190-3600nm，粉末倍頻效應(yīng)約為2 — 3倍的ADP (NH4H2P04); G. James等人 在Acta Cryst雜志(C47, 12， 1991)報(bào)道了035830^與0&5 3012 結(jié)構(gòu)之間的關(guān) 系，并對(duì)CasB309F結(jié)構(gòu)進(jìn)行了精修。但至今尚未見到有關(guān)Ca5B309F晶體生長和其 他性質(zhì)的報(bào)道。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是為了彌補(bǔ)各類激光器發(fā)射激光波長的空白光譜區(qū)，從而提供 一種氟硼酸鈣非線性光學(xué)晶體的助熔劑生長方法。氟硼酸鈣(Ca5B309F)晶體的 粉末倍頻效應(yīng)約為2倍的KDP (KH2P04);透過波段為190—3000nm，本發(fā)明所提
供的制備Ca5B309F單晶的助熔劑生長方法，操作簡單，生長溫度低，容易長出厘
米級(jí)單晶，成本低，其助熔劑體系粘度比一般的硼酸鹽低，利于質(zhì)量傳輸。所獲 晶體具有透光波段寬，機(jī)械性能好，不易碎裂，不潮解，易于加工和保存等優(yōu)點(diǎn)。 該晶體的用途包括制作倍頻發(fā)生器、上或下頻率轉(zhuǎn)換器，光參量振蕩器。
本發(fā)明的技術(shù)方案如下
本發(fā)明提供的Ca5B309F非線性光學(xué)晶體的助熔劑生長方法，其步驟如下
(1) 將CasB309F化合物與助熔劑按比例混勻，以20-10(TC/小時(shí)的升溫速 率將其加熱至90(TC-1170°C，恒溫5-50小時(shí)，再冷卻至飽和溫度之上2-l(TC，得 到含氟硼酸鈣與助熔劑的混合熔體；
所述助熔劑為LiF — CaO — 8203體系助熔劑；所述Ca5B309F化合物與LiF — Ca0—B203體系助熔劑混配的質(zhì)量份配比為l: 0.1-1;其中LiF — CaO—8203體系 助熔劑中三種物質(zhì)的摩爾比為LiF: CaO: B203 = 1—0.5: 0 — 0.37: 0—0.2;
(2) 把裝在籽晶桿上的籽晶放入上述歩驟(1)制備的混合熔體中，降溫到 飽和溫度，同時(shí)以5-50轉(zhuǎn)/分的旋轉(zhuǎn)速率旋轉(zhuǎn)籽晶桿，然后以0.2-3'C/天的速率 緩慢降溫，得到所需晶體，將晶體提離液面，以5-10(TC/小時(shí)的速率降至室溫， 得到CasB309F非線性光學(xué)晶體。
所述的Ca5B309F化合物由下列方法之一制得
(1) 9CaO+3B203+CaF2— 2Ca5B309F
(2) 9CaC03+6H3B03+ CaF2 — 2Ca5B309F +9(302個(gè)+恥0個(gè)
(3) 9Ca(N03)2+6H3B03+ CaF2~> 2Ca5B309F +18>102亇+91120個(gè)
(4) 9CaC204+6H3B03+ CaF2 ~ 2Ca5B309F +18C02T+9H20^
(5) 9Ca(OH)2+3B203+ CaF2 — 2Ca5B309F +地0個(gè)。
所述LiF—CaO—8203體系助熔劑中，所述氧化鈣由碳酸鈣、硝酸鈣、草酸鈣
或氫氧化鈣經(jīng)高溫?zé)Y(jié)分解而制備；所述B2Cb由H3BCb經(jīng)高溫?zé)Y(jié)分解而制備。
所述步驟(1)中的Ca5B309F化合物與助熔劑混配所得到的熔體，也可按上述 反應(yīng)方程式比例稱取一定量的合成氟硼酸鈣的原料CaCCb、 H3BO^nCaF2，不經(jīng)過 預(yù)反應(yīng)，直接和合適比例的助熔劑混配，將所有原料一起進(jìn)行燒結(jié)，并加熱到合適 的溫度使其熔化成為熔體。
本發(fā)明的氟硼酸鈣(Ca5B309F)單晶的助熔劑生長方法具有如下效果 本發(fā)明的采用助熔劑法生長非線性光學(xué)晶體CasB309F單晶的方法，由于所使 用的助熔劑體系，降低了生長溫度，降低了熔體粘度，生長速度較快，容易獲得 較大尺寸晶體。所獲晶體具有透光波段寬，機(jī)械性能好，不易碎裂，不潮解，易
于加工和保存、成本低等優(yōu)點(diǎn)。該晶體的用途包括制作倍頻發(fā)生器、上或下頻率 轉(zhuǎn)換器，光參量振蕩器。
具體實(shí)施方式
實(shí)施例l
CasB309F化合物的合成
1)采用固態(tài)合成方法在高溫100(TC下進(jìn)行燒結(jié)，其化學(xué)方程式是 9CaC03+6H3B03+CaF2 ~ 2Ca5B309F+9(:02個(gè)+別20個(gè)[第(2)反應(yīng)式]
將150克(1.5mol) CaC03、 61.8克(lmol) H3B03、 13.26克(O.Hmol) CaF2 放入研缽中，混合并仔細(xì)研磨，然后裝入0)60mmX60mm的開口鉑坩堝中，將其 壓緊，放入馬福爐中，緩慢升至50(TC,其升溫速率為5(TC/小時(shí)，恒溫24小時(shí)，待 冷卻后取出坩堝，此時(shí)樣品較疏松，接著取出樣品重新研磨均勻，再置于坩堝中， 在馬福爐內(nèi)于100(TC又恒溫24-72小時(shí)，這時(shí)樣品收縮。此時(shí)，將其取出，放入研 缽中搗碎研磨即得Ca5B309F化合物。對(duì)該產(chǎn)物進(jìn)行X射線分析，證實(shí)確為 CasB309F化合物。
同理，CasB309F化合物也可采用下述反應(yīng)式進(jìn)行燒結(jié)
9CaO+3B203+CaF2— 2Ca5B309F
9Ca(N03)2+6H3B03+ CaF2— 2Ca5B309F +18N02T+9H2OT 9CaC204+6H3B03+ CaF2 — 2Ca5B309F +18C02T+9H20t 9Ca(OH)2+3B203+ CaF2 ~> 2Ca5B309F +9&0個(gè)。
實(shí)施例2
將實(shí)施例l[第(2)反應(yīng)式]合成的CasB309F化合物與助熔劑進(jìn)行混配，其 混配質(zhì)量比為Ca5B309F:助熔劑(LiF —CaO_B203)體系助熔劑-1: 0.1，其 中助熔劑體系中三種物質(zhì)的摩爾比為LiF : CaO : B203 = 1:0:0,即 Ca5B3O9F:LiF=l:0. 1;將配好的原料放入O40mmX40mm開口鉑金坩堝中，把 坩堝放入單晶生長爐中，用保溫材料把位于爐頂部的開口封上，在爐頂部與坩堝 中心位置對(duì)應(yīng)處留一可供籽晶桿出入的小孔，以10(TC/小時(shí)的升溫速率升溫至 117(TC，恒溫24小時(shí)后快速降溫至1135'C (飽和溫度之上1(TC )，得含氟硼酸鈣 與助熔劑的混合熔體；
將Ca5B309F籽晶用鉑絲固定在籽晶桿下端，從爐頂部小孔將籽晶導(dǎo)入坩堝, 使之與混合熔體的液面接觸，籽晶以15轉(zhuǎn)/分的速率旋轉(zhuǎn)，恒溫10分鐘，快速降溫 至1125'C (飽和溫度)，然后以0.2'C/天的速率降溫；待晶體生長結(jié)束后，使晶體 脫離液面，以4(TC/小時(shí)速率降至室溫，如此獲得厘米級(jí)的CasB309F晶體。
實(shí)施例3
將實(shí)施例l[第(2)反應(yīng)式]合成的CasB309F化合物與助熔劑進(jìn)行混配，其 混配質(zhì)量比為Ca5B309F:助熔劑體系(LiF—CaO—B203) =1: 0.1，其中助熔 劑體系中三種物質(zhì)的摩爾比為LiF: CaO: B2O產(chǎn)0.7:0.2:0.1,將配好的原料放入① 40mmX40mrn開口鉑金坩堝中，把坩堝放入單晶生長爐中，用保溫材料把位于爐 頂部的開口封上，在爐頂部與坩堝中心位置對(duì)應(yīng)處留一可供籽晶桿出入的小孔，
以7(TC/小時(shí)的升溫速率升溫至120(TC，恒溫10小時(shí)后快速降溫至115(rC (飽和溫
度之上5。C)，得含氟硼酸鈣與助熔劑的混合熔體；
將Ca5B309F籽晶用鉑絲固定在籽晶桿下端，從爐頂部小孔將籽晶導(dǎo)入坩堝, 使之與混合熔體液面接觸，籽晶以5轉(zhuǎn)/分的速率旋轉(zhuǎn)，恒溫15分鐘，快速降溫至 1145°C (飽和溫度)，然后以0.3。C/天的速率降溫。待晶體生長結(jié)束后，使晶體脫 離液面，以3(TC/小時(shí)速率降至室溫，如此獲得厘米級(jí)的Ca5B309F晶體。
實(shí)施例4
將實(shí)施例l[第(2)反應(yīng)式]合成的CasB309F化合物與助熔劑進(jìn)行混配，其 混配質(zhì)量比為Ca5B309F:助熔劑體系(LiF—CaO—B203) -1:0.2，其中助熔劑 體系中三種物質(zhì)的摩爾比為LiF: CaO: 8203 = 0.9:0.2:0.1,將配好的原料放入0 40mmX40mm開口鉑金坩堝中，把坩堝放入單晶生長爐中，用保溫材料把位于爐 頂部的開口封上，在爐頂部與坩堝中心位置對(duì)應(yīng)處留一可供籽晶桿出入的小孔, 以7(TC/小時(shí)的升溫速率升溫至113(TC，恒溫20小時(shí)后快速降溫至108(rC (飽和溫 度之上5'C),得含氟硼酸鈣與助熔劑的混合熔體；
將Ca5B309F籽晶用鉑絲固定在籽晶桿下端，從爐頂部小孔將籽晶導(dǎo)入坩堝， 使之與混合熔體液面接觸，秄晶以15轉(zhuǎn)/分的速率旋轉(zhuǎn)，恒溫15分鐘，快速降溫至 1075"(飽和溫度)，然后以0.5'C/天的速率降溫。待晶體生長結(jié)束后，使晶體脫 離液面，以8(TC/小時(shí)速率降至室溫，如此獲得厘米級(jí)的Ca5B309F晶體。
實(shí)施例5
將實(shí)施例l[第(2)反應(yīng)式]合成的CasB309F化合物與助熔劑進(jìn)行混配，其 混配質(zhì)量比為Ca5B309F:助熔劑體系(LiF—CaO—B203) =1: 0.4，其中助熔 劑體系中三種物質(zhì)的摩爾比為LiF: CaO: B2O3=l:0:0^Ca5B3O9F:LiF=l:0.4。 將配好的原料放入①40mmX 40mm開口鈾金柑堝中，把柑堝放入單晶生長爐中， 用保溫材料把位于爐頂部的開口封上，在爐頂部與坩堝中心位置對(duì)應(yīng)處留一可 供籽晶桿出入的小孔，以20'C/小時(shí)的升溫速率升溫至95(TC，恒溫50小時(shí)后快速 降溫至890'C (飽和溫度之上7r),得含氟硼酸鈣與助熔劑的混合熔體；
將Ca5B309F籽晶用鉑絲固定在籽晶桿下端，從爐頂部小孔將籽晶導(dǎo)入坩堝， 使之與混合熔體液面接觸，籽晶以12轉(zhuǎn)/分的速率旋轉(zhuǎn),恒溫10分鐘，快速降溫至
863°c (飽和溫度)，然后以0.3'c/天的速率降溫。待晶體生長結(jié)束后，使晶體脫 離液面，以4(TC/小時(shí)速率降至窒溫，如此獲得厘米級(jí)的CasB309F晶體。
實(shí)施例6
將實(shí)施例l[第(2)反應(yīng)式]合成的Ca5B3CMF化合物與助熔劑進(jìn)行混配，其 混配質(zhì)量比為Ca5B309F:助熔劑體系(LiF—CaO—B203) =1: 0.5，其中助熔 劑體系中三種物質(zhì)的摩爾比為LiF: CaO: 8203=0.8:0.2:0.1,將配好的原料放入0 50mmX40mm開口鉑金坩堝中，把坩堝放入單晶生長爐中，用保溫材料把位于爐 頂部的開口封上，在爐頂部與坩堝中心位置對(duì)應(yīng)處留一可供籽晶桿出入的小孔， 以10(TC/小時(shí)的升溫速率升溫至960'C，恒溫5小時(shí)后快速降溫至88(TC (飽和溫度 之上1(TC),得含氟硼酸鈣與助熔劑的混合熔體；
將Ca5B309F籽晶用鉑絲固定在籽晶桿下端，從爐頂部小孔將秄晶導(dǎo)入坩堝, 使之與混合熔體液面接觸，籽晶以10轉(zhuǎn)/分的速率旋轉(zhuǎn),恒溫10分鐘，快速降溫至
87(tc (飽和溫度)，然后以rc/天的速率降溫。待晶體生長結(jié)束后，使晶體脫離
液面，以25。C/小時(shí)速率降至室溫，如此獲得尺寸為10mmX6mmX 1.5mm的 CasB309F晶體。
實(shí)施例7
將實(shí)施例l[第(2)反應(yīng)式]合成的CasB309F化合物與助熔劑進(jìn)行混配，其 混配質(zhì)量比為Ca5B309F:助熔劑體系(LiF—CaO—B203) =1: 0.5，其中助熔 劑體系中三種物質(zhì)的摩爾比為LiF: CaO: 8203 = 0.5:0.37:0.2，將配好的原料放入 040mmX40mm開口鉑金坩堝中，把坩堝放入單晶生長爐中，用保溫材料把位于 爐頂部的開口封上，在爐頂部與坩堝中心位置對(duì)應(yīng)處留一可供籽晶桿出入的小 孔，以5(TC/小時(shí)的升溫速率升溫至103(TC，恒溫20小時(shí)后快速降溫至972'C (飽 和溫度之上2'C)，得含氟硼酸鈣與助熔劑的混合熔體；
將Ca5B309F籽晶用鉑絲固定在籽晶桿下端，從爐頂部小孔將籽晶導(dǎo)入坩堝， 使之與混合熔體液面接觸，籽晶以20轉(zhuǎn)/分的速率旋轉(zhuǎn)，恒溫20分鐘，快速降溫至 970°C (飽和溫度)，然后以J.5'C/天的速率降溫。待晶體生長結(jié)束后，使晶體脫 離液面，以40'C/小時(shí)速率'降至室溫，如此獲得尺寸為20mmX8mmX2mm的 Ca5B309F晶體。
實(shí)施例8
將實(shí)施例l[第(2)反應(yīng)式]合成的CasB309F化合物與助熔劑體系進(jìn)行混配， 其混配質(zhì)量比為Ca5B309F:助熔劑體系(LiF—CaO_B203) =1:0.7，其中助熔 劑體系中三種物質(zhì)的摩爾比為LiF: CaO: 8203=0.9:0.25:0.1，將配好的原料放入 040mmX40mm開口鉬金坩堝中，把坩堝放入單晶生長爐中，用保溫材料把位于 爐頂部的開口封上，在爐頂部與坩堝中心位置對(duì)應(yīng)處留一可供籽晶桿出入的小 孔，以80'C/小時(shí)的升溫速率升溫至93(TC,恒溫30小時(shí)后快速降溫至77(TC (飽和 溫度之上1(TC),將Ca5B309F籽晶用鉑絲固定在籽晶桿下端，從爐頂部小孔將籽 晶導(dǎo)入坩堝，使之與液面接觸，籽晶以30轉(zhuǎn)/分的速率旋轉(zhuǎn)，恒溫30分鐘，快速降溫 至76(TC (飽和溫度)，然后以0.5t:/天的速率降溫。待晶體生長結(jié)束后，使晶體 脫離液面，以3(TC/小時(shí)速率降至室溫，如此獲得厘米級(jí)CasB309F晶體。
實(shí)施例9
將實(shí)施例l[第(2)反應(yīng)式]合成的Ca5B309F化合物與助熔劑體系進(jìn)行混配， 其混配質(zhì)量比為Ca5B309F:助熔劑體系(LiF—CaO—B203) =1: 1，其中助熔 劑體系中三種物質(zhì)的摩爾比為LiF: CaO: B203=1: 0: 0，即〔&58，LiF=l: 1 。 將配好的原料放入①40mmX40mm開口鉑金坩堝中，把坩堝放入單晶生長爐中， 用保溫材料把位于爐頂部的開口封上，在爐頂部與坩堝中心位置對(duì)應(yīng)處留一可 供籽晶桿出入的小孔，以80'C/小時(shí)的升溫速率升溫至90(TC，恒溫40小時(shí)后快速 降溫至745'C(飽和溫度之上5'C)，將Ca5B309F籽晶用鉑絲固定在籽晶桿下端，從 爐頂部小孔將籽晶導(dǎo)入坩堝，使之與液面接觸，籽晶以30轉(zhuǎn)/分的速率旋轉(zhuǎn),恒溫 30分鐘，快速降溫至74(TC (飽和溫度)，然后以rC/天的速率降溫。待晶體生長 結(jié)束后，使晶體脫離液面，以5r/小時(shí)速率降至室溫，如此獲得厘米級(jí)Ca5B309F 晶體。
實(shí)施例IO
將實(shí)施例l[第(2)反應(yīng)式]合成的CasB309F化合物與助熔劑進(jìn)行混配，其 混配質(zhì)量比為Ca5B309F:助熔劑體系(LiF_CaO_B203) =1: 1，其中助熔劑 體系中三種物質(zhì)的摩爾比為LiF: CaO: 8203 = 0.6:0.2:0.1，將配好的原料放入0 40mmX40mm開口鉑金坩堝中，把坩堝放入單晶生長爐中，用保溫材料把位于爐 頂部的開口封上，在爐頂部與坩堝中心位置對(duì)應(yīng)處留一可供籽晶桿出入的小孔， 以70'C/小時(shí)的升溫速率升溫至900'C,恒溫24小時(shí)后快速降溫至840。C (飽和溫度 之上7'C)，將Ca5B309F籽晶用鉑絲固定在籽晶桿下端，從爐頂部小孔將籽晶導(dǎo)入 坩堝，使之與液面接觸，籽晶以50轉(zhuǎn)/分的速率旋轉(zhuǎn)，恒溫10分鐘，快速降溫至833 °C (飽和溫度)，然后以3"C/天的速率降溫。待晶體生長結(jié)束后，使晶體脫離液 面，以10(TC/小時(shí)速率降至室溫，如此獲得厘米級(jí)的CasB309F晶體。
實(shí)施例ll
所用的CasB309F化合物，按第(2)反應(yīng)式的比例稱取一定量的原料CaC03、 H3B03、 CaF2,不預(yù)先合成，將原料與助熔劑直接進(jìn)行混配，其混配質(zhì)量比為 Ca5B309F:助熔劑體系(LiF —CaO —B203) =1: 0.5，其中助熔劑體系中三種物 質(zhì)的摩爾比為LiF: CaO: B2O產(chǎn)0.8:0.2:0.1，將配好的原料放入①50mmX40mm開 口鉑金坩堝中，把坩堝放入單晶生長爐中，用保溫材料把位于爐頂部的開口封上, 在爐頂部與坩堝中心位置對(duì)應(yīng)處留一可供籽晶桿出入的小孔，以2(TC/小時(shí)的升 溫速率升溫至96(TC，恒溫24小時(shí)后快速降溫至88(TC (飽和溫度之上10。C),將 Ca5B309F籽晶用鉑絲固定在籽晶桿下端，從爐頂部小孔將籽晶導(dǎo)入坩堝，使之與 液面接觸，籽晶以10轉(zhuǎn)/分的速率旋轉(zhuǎn),恒溫10分鐘，快速降溫至87(TC (飽和溫 度)，然后以rC/天的速率降溫。待晶體生長結(jié)束后，使晶體脫離液面，以25"/ 小時(shí)速率降至室溫，如此獲得尺寸為10mmX6mmX 1.5mm的Ca5B309F晶體。
權(quán)利要求
1.一種Ca5B3O9F非線性光學(xué)晶體的助熔劑生長方法，其步驟如下(1)將Ca5B3O9F化合物與助熔劑按比例混勻，以20-100℃/小時(shí)的升溫速率將其加熱至900℃-1170℃，恒溫5-50小時(shí)，再冷卻至飽和溫度之上2-10℃，得到含氟硼酸鈣與助熔劑的混合熔體；所述助熔劑為LiF-CaO-B2O3體系助熔劑；所述Ca5B3O9F化合物與LiF-CaO-B2O3體系助熔劑混配的質(zhì)量份配比為1∶0.1-1；其中LiF-CaO-B2O3體系助熔劑中三種物質(zhì)的摩爾比為LiFCaO∶B2O3＝1-0.5∶0-0.37∶0-0.2；(2)把裝在籽晶桿上的籽晶放入上述步驟(1)制備的混合熔體中，降溫到飽和溫度，同時(shí)以5-50轉(zhuǎn)/分的旋轉(zhuǎn)速率旋轉(zhuǎn)籽晶桿，然后以0.2-3℃/天的速率緩慢降溫，得到所需晶體，將晶體提離液面，以5-100℃/小時(shí)的速率降至室溫，得到Ca5B3O9F非線性光學(xué)晶體。
2. 按權(quán)利要求l所述的Ca5B309F非線性光學(xué)晶體的助熔劑生長方法，其特征在于，所述的Ca5B309F化合物由下列方法之一制得(1) 9CaO+3B203+CaF2"> 2Ca5B309F(2) 9CaC03+6H3B03+ CaF2 — 2Ca5B309F +9C02T+9H2C^(3) 9Ca(N03)2+6H3B03+ CaF2— 2Ca5B309F +脂02個(gè)+叫0個(gè)(4) 9CaC204+6H3B03+ CaF2 — 2Ca5B309F +18C02T+9H2C^(5) 9Ca(OH)2+3B203+ CaF2 — 2Ca5B309F +州20個(gè)。
3. 按權(quán)利要求l所述的Ca5B309F非線性光學(xué)晶體的助熔劑生長方法，其特征在 于，所述LiF—CaO—B203體系助熔劑中，所述氧化鈣由碳酸鈣、硝酸鈣、草酸鈣 或氫氧化鈣經(jīng)高溫?zé)Y(jié)分解而制備；所述B203由H3B03經(jīng)高溫?zé)Y(jié)分解而制備。
全文摘要
一種氟硼酸鈣非線性光學(xué)晶體的制法將氟硼酸鈣與助熔劑混合，以20-100℃/小時(shí)速率加熱至900-1170℃，恒溫5-50小時(shí)，再冷卻至飽和溫度之上2-10℃，得到含氟硼酸鈣與助熔劑的混合熔體；所述氟硼酸鈣與助熔劑的質(zhì)量份配比＝1∶0.1-1，助熔劑為LiF-CaO-B₂O₃體系，其中LiF∶CaO∶B₂O₃的摩爾比為1-0.5∶0-0.37∶0-0.2；把裝在籽晶桿上的籽晶放入上述步驟制備的混合熔體中，降溫到飽和溫度，同時(shí)以5-50轉(zhuǎn)/分的旋轉(zhuǎn)速率旋轉(zhuǎn)籽晶桿，然后以0.2-3℃/天的速率緩慢降溫，將得到的晶體提離液面，以5-100℃/小時(shí)的速率降至室溫，得到氟硼酸鈣非線性光學(xué)晶體。該方法操作簡單，生長速度快，晶體易長大，成本低。
文檔編號(hào)C30B29/10GK101113531SQ20061008901
公開日2008年1月30日 申請(qǐng)日期2006年7月28日 優(yōu)先權(quán)日2006年7月28日
發(fā)明者傅佩珍, 吳以成, 陳國軍 申請(qǐng)人:中國科學(xué)院理化技術(shù)研究所