專利名稱：發(fā)光元件及其制造方法和具有其的顯示基板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種發(fā)光元件、一種制造所述發(fā)光元件的方法和具有所述發(fā)光元件的顯示基板。更具體而言，本發(fā)明涉及一種能夠改善制造效率和可靠性的發(fā)光元件，所述發(fā)光元件的制造方法和具有所述發(fā)光元件的顯示基板。
背景技術(shù)：
一般而言，電致發(fā)光顯示基板包括排列為像素的多個(gè)電致發(fā)光元件。每個(gè)電致發(fā)光元件包括兩個(gè)電極和設(shè)置在兩個(gè)電極之間的電致發(fā)光層。電致發(fā)光層響應(yīng)兩個(gè)電極之間產(chǎn)生的電場(chǎng)發(fā)光。兩個(gè)電極的至少之一是透明的，允許從電致發(fā)光層發(fā)射的光逃逸所述電致發(fā)光顯示基板，由此顯示圖像。
每個(gè)電致發(fā)光元件包括形成于基底基板上的陽極、形成于發(fā)光區(qū)的陽極上的電致發(fā)光層和形成于電致發(fā)光層上的陰極。條形成于陽極上且界定發(fā)光區(qū)。陽極和陰極分別對(duì)應(yīng)于像素電極和公共電極。
條相對(duì)厚，且陰極相對(duì)薄。結(jié)果，陰極在條的臺(tái)階部分可能是非連續(xù)的。陰極形成的非連續(xù)是電致發(fā)光元件中的缺陷，而且也是構(gòu)建具有缺陷電致發(fā)光元件的電致發(fā)光顯示基板中的缺陷。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明避免了以上的問題且因此本發(fā)明提供了一種能夠改善制造效率和可靠性的發(fā)光元件。本發(fā)明還提供了一種制造上述的發(fā)光元件的方法。本發(fā)明還提供了一種具有上述的發(fā)光元件的顯示基板。
在本發(fā)明的一個(gè)方面，發(fā)光元件包括第一電極、條、發(fā)光層和第二電極。第一電極形成于基底基板上。條形成于第一電極上來界定發(fā)光區(qū)。條具有第一厚度。發(fā)光層形成于發(fā)光區(qū)中的第一電極的部分上。第二電極形成于發(fā)光層上。第二電極具有第二厚度，第二厚度厚于條的第一厚度。
在本發(fā)明的另一方面，發(fā)光元件包括第一電極、條、發(fā)光層和第二電極。第一電極形成于基底基板上。條形成于第一電極上來界定發(fā)光區(qū)。條包括負(fù)型光致抗蝕劑。發(fā)光層形成于發(fā)光區(qū)中的第一電極的部分上。第二電極形成于發(fā)光層上。
在又一方面，本發(fā)明是發(fā)光元件的制造方法。本方法包括在基底基板上形成第一電極；在第一電極上形成具有第一厚度的條來界定發(fā)光區(qū)，且在發(fā)光區(qū)中的第一電極的一部分上形成發(fā)光層。在發(fā)光層上形成具有第二厚度的第二電極，第二厚度厚于第一厚度。
在又一方面中，本發(fā)明是一種顯示基板，所述顯示基板具有由源極線、偏壓線和相鄰的柵極線界定的像素區(qū)。顯示基板包括開關(guān)元件、第一電極、條、發(fā)光層和第二電極。開關(guān)元件電連接到偏壓線。第一電極形成于像素區(qū)中且電連接到開關(guān)元件。條形成于部分的第一電極上來在像素區(qū)中界定發(fā)光區(qū)。條具有第一厚度。發(fā)光層形成于發(fā)光區(qū)中的第一電極上。第二電極形成于發(fā)光層上。第二電極具有第二厚度，第二厚度厚于條的第一厚度。
根據(jù)以上，通過使用金屬納米漿料，第二電極形成以具有厚于條的厚度，從而可以避免第二電極的缺陷。


當(dāng)結(jié)合附圖考慮時(shí)參考以下的詳細(xì)描述，本發(fā)明的以上和其它優(yōu)點(diǎn)將變得明顯，其中圖1是根據(jù)本發(fā)明的示范性實(shí)施例的電致發(fā)光顯示基板的部分的平面圖；圖2是沿圖1的線I-I’所取的剖面圖；圖3到8是示出圖2所示的電致發(fā)光顯示基板的制造方法的剖面圖；和圖9是示出根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例的電致發(fā)光顯示基板的剖面圖。
具體實(shí)施例方式
現(xiàn)將參考顯示本發(fā)明的實(shí)施例的附圖在其后更加全面地描述本發(fā)明。然而，本發(fā)明可以以許多不同的顯示實(shí)現(xiàn)，且不應(yīng)解釋為限于這里所闡述的實(shí)施例，而是提供這些實(shí)施例從而本公開將充分和完全，且將全面地向本領(lǐng)域的技術(shù)人員傳達(dá)本發(fā)明的范圍。在附圖中，為了清晰夸大了層和區(qū)域的厚度。通篇相似的參考標(biāo)記參考相似或相同的元件?？梢岳斫猱?dāng)比如層、區(qū)域或基板的元件被稱為在另一元件“上”時(shí)，其可以直接在另一元件上或還可以存在中間的元件。相反，當(dāng)元件被稱為“直接”在另一元件“上”時(shí)，則不存在中間的元件。
圖1是根據(jù)本發(fā)明的示范性實(shí)施例的電致發(fā)光顯示基板的部分的平面圖。
參考圖1，電致發(fā)光顯示基板包括由多條源極線DL、多條柵極線GL和多條偏壓線VL界定的多個(gè)像素區(qū)“P”。
源極線DL和偏壓線VL在第一方向延伸，且柵極線GL在與第一方向交叉的第二方向延伸。
第一開關(guān)元件TFT1、第二開關(guān)元件TFT2、存儲(chǔ)電容器CST和電致發(fā)光元件EL形成于每個(gè)像素區(qū)“P”中。
第一開關(guān)元件TFT1包括電連接到柵極線GL之一的第一柵電極111、電連接到源極線DL之一的第一源電極131、和電連接到存儲(chǔ)電容器CST和第二開關(guān)元件TFT2的第一漏電極132。第一開關(guān)元件TFT1包括形成于第一柵電極111與第一源電極131和第一漏電極132之一之間的第一溝道121。
第二開關(guān)元件TFT2包括電連接到第一漏電極132的第二柵電極112、電連接到偏壓線VL之一的第二源電極133、和電連接到電致發(fā)光元件EL的第二漏電極134。第二開關(guān)元件TFT2包括形成于第二柵電極112與第二源電極133和第二漏電極134之一之間的第二溝道122。
存儲(chǔ)電容器CST包括電連接到第二開關(guān)元件TFT2的第二柵電極112的第一電極113和電連接到偏壓線VL之一的第二電極135。
電致發(fā)光元件EL包括電連接到第二開關(guān)元件TFT2的第二漏電極134的像素電極150、設(shè)置于像素電極150和公共電極之間的公共電極(未顯示)和電致發(fā)光層170。
每個(gè)像素如下工作。將柵極信號(hào)經(jīng)由柵線GL之一施加到第一開關(guān)元件TFT1來開啟第一開關(guān)元件TFT1。在第一開關(guān)元件TFT1開啟的情形，將經(jīng)由源極線DL的源極信號(hào)施加到第二開關(guān)元件TFT2來開啟第二開關(guān)元件TFT2。因?yàn)榇鎯?chǔ)電容器CST的第一電極113電連接到第二開關(guān)元件TFT2的第二柵電極112，所以被打開的第二開關(guān)元件TFT2充電存儲(chǔ)電容器CST。
當(dāng)開啟第二開關(guān)元件TFT2時(shí)，將偏壓線VL之一的偏壓通過第二開關(guān)元件TFT2施加到電致發(fā)光元件EL。由此，電致發(fā)光元件EL發(fā)射預(yù)定亮度水平的光。
圖2是沿圖1的線I-I’所取的剖面圖。
參考圖1和2，電致發(fā)光顯示基板包括基底基板101。源極線DL、柵極線GL、偏壓線VL、第一開關(guān)元件TFT1、第二開關(guān)元件TFT2、存儲(chǔ)電容器CST和電致發(fā)光元件EL形成于基底基板101上。第一和第二開關(guān)基板TFT1和TFT2是非晶硅薄膜晶體管。
具體而言，第二開關(guān)元件TFT2包括形成于基底基板101上的第二柵電極112、形成于第二柵電極112上的第二溝道122、和形成于第二溝道122上的第二源電極133和漏電極134。
柵極絕緣層102形成于第二柵電極112和第二溝道122之間。鈍化層103形成于第二源電極133和漏電極134上。
形成于基底基板101上的第一電極113、形成于第一電極113上的柵極絕緣層102的一部分、和形成于柵極絕緣層102上的第二電極135界定存儲(chǔ)電容器CST。鈍化層103形成于第二電極135上。
電致發(fā)光元件EL包括形成于基底基板101上的像素電極150。柵極絕緣層102和鈍化層103連續(xù)地形成于基底基板101上，像素電極150形成于鈍化層103上，電致發(fā)光層170形成于像素電極150上，且公共電極180形成于電致發(fā)光層170上。像素電極150和公共電極180分別對(duì)應(yīng)于電致發(fā)光元件EL的陽極和陰極。
電致發(fā)光層170包括空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子注入層和電子傳輸層的至少之一。電致發(fā)光層170形成于由條160界定的發(fā)光區(qū)中的像素電極150上。條160例如通過使用負(fù)型光致抗蝕劑來形成，且條160的側(cè)表面被傾斜以相對(duì)于條160的上表面形成角度θ，如圖2所示。
使用納米漿料通過噴墨打印方法形成了公共電極180。公共電極180具有第二厚度T2，第二厚度T2大于條160的第一厚度T1。公共電極180的第二厚度T2的范圍從約0.3μm到約10μm。
圖3到8是示出圖2所示的電致發(fā)光顯示基板的制造方法的剖面圖。
參考圖1和3，電致發(fā)光顯示基板包括基底基板101。基底基板101例如包括玻璃、藍(lán)寶石或比如聚酯、聚丙烯酸酯、聚碳酸酯、聚醚酮等的透明合成樹脂。
將柵極金屬層沉積在基底基板101上且將其構(gòu)圖來形成柵極金屬圖案。柵極金屬層是導(dǎo)電層，例如包括鉻(Cr)、鋁(Al)、鉭(Ta)、鉬(Mo)、鈦(Ti)、鎢(W)、銅(Cu)、銀(Ag)的至少一種。通過濺射工藝來沉積導(dǎo)電層且構(gòu)圖導(dǎo)電層來形成柵極金屬圖案。
柵極金屬圖案包括柵極線GL、第一開關(guān)元件TFT1的第一柵電極111、第二開關(guān)元件TFT2的第二柵電極112、和存儲(chǔ)電容器CST的第一電極113。
在具有柵極金屬圖案的基底基板101上形成柵極絕緣層102。柵極絕緣層102例如包括氧化硅或氮化硅。
參考圖1和4，在具有柵極絕緣層102的基底基板101上形成第一和第二溝道121和122。順序沉積和構(gòu)圖有源層122a和歐姆接觸層122b來形成第二溝道122。
具體而言，通過化學(xué)氣相沉積(CVD)工藝在柵極絕緣層102上順序沉積非晶硅層和原位摻雜的n+非晶硅層。構(gòu)圖沉積的非晶硅層和n+非晶硅層來分別在第二柵電極112上方形成有源層122a和歐姆接觸層122b。
在具有第一和第二溝道121和122的基底基板101上沉積并構(gòu)圖源極金屬層來形成源極金屬圖案。通過濺射工藝沉積源極金屬層并將其構(gòu)圖來形成源極金屬圖案，源極金屬層是導(dǎo)電層，例如包括鉻(Cr)、鋁(Al)、鉭(Ta)、鉬(Mo)、鈦(Ti)、鎢(W)、銅(Cu)、銀(Ag)的至少一種。
源極金屬圖案包括源極線DL、第一和第二源電極131和133、第一和第二漏電極132和134、和存儲(chǔ)電容器CST的第二電極135。
在具有源極金屬圖案的基底基板101上形成鈍化層103。去除鈍化層103的一部分來形成暴露第二漏電極134的一部分的第二接觸孔142。
沉積并構(gòu)圖比如氧化銦錫(ITO)或氧化銦鋅(IZO)的透明導(dǎo)電材料來形成像素電極150。在由源極線DL之一、偏壓線VL之一和相鄰柵極線GL界定的像素區(qū)“P”的每個(gè)中形成了像素電極150。
像素電極150通過第二接觸孔142電連接到第二漏電極134。像素電極150對(duì)應(yīng)于電致發(fā)光元件EL的陽極。
參考圖1和5，在具有第一和第二開關(guān)元件TFT1和TFT2和像素電極150的基底基板101上形成條160。條160例如包括負(fù)型光致抗蝕劑且具有第一厚度T1。第一厚度T1在300nm到5000nm的范圍內(nèi)。
通過使用包括開口部分310和光阻擋部分320的掩模300來構(gòu)圖條160。開口部分310和光阻擋部分320分別界定了非發(fā)光區(qū)和發(fā)光區(qū)。
由開口部分310界定的條160的部分通過曝光工藝來固化。相反，由光阻擋部分320界定的條160的部分通過曝光工藝沒有被固化。由光阻擋部分320界定的條160的部分被蝕刻來在每個(gè)像素區(qū)“P”中界定發(fā)光區(qū)LA。
參考圖1和6，蝕刻條160的部分來形成發(fā)光區(qū)LA。因?yàn)闂l160包括負(fù)型光致抗蝕劑，所以去除了對(duì)應(yīng)于掩模300的光阻擋部分320的條160的部分，從而條160的側(cè)表面形成相對(duì)于條160的上表面的角度θ。角度θ的范圍例如是約九十度到約一百七十度。
然后，通過等離子體處理工藝在條160的表面上形成親液區(qū)和疏液區(qū)。親液區(qū)具有相對(duì)大的表面能，且疏液區(qū)具有相對(duì)小的表面能。
具體地，等離子體處理工藝包括親液處理和疏液處理。通過親液處理將條160的側(cè)表面和像素電極150的上表面親液化。通過疏液處理將條160的上表面疏液化。為了進(jìn)行親液處理，具有條160的基底基板101被加熱到預(yù)定的溫度。接下來，通過使用氧氣(O2)作為反應(yīng)氣體在大氣環(huán)境中進(jìn)行比如親液處理的等離子體處理。
然后，通過使用四氟化碳(CF4)作為反應(yīng)氣體在大氣環(huán)境中進(jìn)行比如疏液處理的等離子體處理。其后，將先前為了等離子體處理加熱的基底基板101冷卻。如此，在具有條160的基底基板101上形成親液區(qū)和疏液區(qū)。
通過溶液處理在由條160界定的發(fā)光區(qū)LA中形成電致發(fā)光層170。溶液處理的示例可以包括旋涂、浸涂和噴墨打印方法。
電致發(fā)光層170包括空穴傳輸層(HTL)和發(fā)光層(EML)。電致發(fā)光層170可選地包括電子傳輸層(ETL)、電子注入層(EIL)、空穴注入層(HIL)和空穴阻擋層(HBL)的至少一種來改善電致發(fā)光元件EL的特性。
具體地，通過噴墨打印方法在發(fā)光區(qū)LA內(nèi)的像素電極上順序形成空穴注入/傳輸層(HIL/HTL)171、發(fā)光層(EML)172和電子注入/傳輸層(ElL/ETL)173。
例如使用聚乙烯二氧噻吩(polyethylene dioxythiophene)、三苯芳基衍生物(triphenyl anyl derivative)、吡唑啉衍生物(pyrazoline derivative)、芳基胺衍生物(aryl amine derivative)、芪衍生物(stilbene derivative)、三苯雙胺衍生物(triphenyl diamine derivative)等來形成空穴傳輸層。
根據(jù)本實(shí)施例，可以形成空穴注入層來取代空穴傳輸層，或可以形成空穴注入層和空穴傳輸層兩者。另外，用于改善電致發(fā)光元件EL的一層或多層可以與空穴注入層和/或空穴傳輸層分別或同時(shí)形成。
發(fā)光層可以包括低分子量有機(jī)發(fā)光材料或高分子量有機(jī)發(fā)光材料，比如包含熒光物質(zhì)或磷光物質(zhì)的發(fā)光材料。高分子量熒光物質(zhì)的示例包括聚芴和聚1，2亞乙烯基亞苯(polyphenylenevinylene)。低分子量熒光物質(zhì)的示例包括萘衍生物、蒽衍生物、二萘嵌苯衍生物和聚次甲基族(polymethine group)。
使用例如重氮基衍生物、苯醌及衍生物、萘醌及衍生物等來形成例如電子傳輸層。
或者，電致發(fā)光層170不限于以上的材料，而是可以包括各種材料。
參考圖1、7和8，在具有電致發(fā)光層170的基底基板101上形成具有第二厚度T2的公共電極180。第二厚度T2厚于條160的第一厚度T1。
具體地，公共電極180包括具有金屬納米顆粒的導(dǎo)電納米漿料。金屬納米顆粒可以包括銀(Ag)、金(Au)、鎳(Ni)、銦(In)、錫(Sn)、鋅(Zn)、鉛(Pb)、鈦(Ti)、銅(Cu)、鉻(Cr)、鉭(Ta)、鎢(W)、鈀(Pd)、鉑(Pt)、鐵(Fe)、鈷(Co)、硼(B)、硅(Si)、鋁(Al)、鎂(Mg)、銣(Rb)、銥(Ir)、釩(V)、釕(Ru)、鋨(Os)、鈮(Nb)、鉍(Bi)、鋇(Ba)等的至少一種。在一些實(shí)施例中，金屬納米顆粒可以包括以上金屬的合金。或者，金屬納米顆?？梢园ㄑ趸y、氧化銅等。
將金屬納米顆粒制成漿料的溶劑的示例可以包括去離子水、比如乙醇、丁醇、乙二醇、萜品醇、香草醇(citronelol)、香葉醇、苯乙醇(penethyl alcohol)等的醇、比如醋酸乙酯、油酸甲酯、醋酸丁酯、甘油酯的酯等和其混合物。
通過溶液處理使用金屬納米漿料在具有電致發(fā)光層170的基底基板101上形成具有預(yù)定的厚度T2’的初步公共電極181，厚度T2’厚于條160的第一厚度T1。
可以通過噴墨打印方法來形成具有預(yù)定厚度T2’的初步公共電極181。因此，初步公共電極181厚于通過濺射工藝形成的公共電極。因?yàn)槌醪焦搽姌O181不具有上述結(jié)構(gòu)的溢出問題，所以初步公共電極181借助噴墨打印方法形成。
如上所述，采用噴墨打印方法可以容易地由金屬納米漿料形成厚的初步公共電極181。因?yàn)槌醪焦搽姌O181可以被制備得足夠厚來補(bǔ)償條160和EL層170之間的高度差，所以初步公共電極181即使在條160的臺(tái)階部分也可以連續(xù)地形成。
用金屬納米漿料制成的初步公共電極181被固化來形成公共電極180。具體地，使用紅外光或熱風(fēng)將其上噴射了金屬納米漿料的基底基板101干燥并固化來形成公共電極180。干燥和固化工藝可以在相對(duì)低的溫度下進(jìn)行來防止對(duì)于形成于基底基板101上的其它元件的任何損傷。
通過上述的干燥和固化工藝在基底基板101上形成具有第二厚度T2的公共電極180，第二厚度T2大于條160的第一厚度。第二厚度T2的范圍在約300nm到約10000nm。在具有公共電極180的基底基板101上涂布包括光聚合物的粘結(jié)劑材料(未顯示)。涂布的粘結(jié)劑材料不處于固化的狀態(tài)。
然后，在公共電極180上沉積氧化硅來形成無機(jī)保護(hù)層，且在無機(jī)保護(hù)層上涂布環(huán)氧樹脂以形成有機(jī)保護(hù)層。由此，在公共電極180上形成包括無機(jī)保護(hù)層和有機(jī)保護(hù)層的保護(hù)層190。
圖9是示出根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例的電致發(fā)光顯示基板的剖面圖。
參考圖9，緩沖絕緣層202形成于基底基板201上。緩沖絕緣層202可以包含氮化硅、氧化硅等的一種或更多。第一開關(guān)元件(未顯示)和第二開關(guān)元件TFT2形成于緩沖絕緣層202上。
具體地，第二開關(guān)元件TFT2如下形成于基底基板202上。在緩沖絕緣層202上形成非晶硅層。通過退火工藝將該非晶硅層結(jié)晶來形成多晶硅層210。結(jié)晶的多晶硅層210被構(gòu)圖，且柵極絕緣層203形成于構(gòu)圖的多晶硅層210上。
將柵極金屬層在柵極絕緣層203上沉積并構(gòu)圖以形成柵極金屬圖案。
柵極金屬圖案包括第一開關(guān)元件的第一柵電極(未顯示)、第二開關(guān)元件TFT2的第二柵電極222、存儲(chǔ)電容器CST的第一電極223和柵極線(未顯示)。柵極金屬圖案形成為單層金屬層，如圖9所示。然而，在其它實(shí)施例中，柵極金屬圖案可以形成為雙層或三層金屬層的多層金屬層。
于是，第二柵電極222形成于柵極絕緣層203上。
通過使用第二柵電極222作為掩模將摻雜劑注入多晶硅層210中。于是，多晶硅層210形成為溝道層212和摻雜層211和213。摻雜層211和213中的摻雜的離子通過退火工藝來被激活。
在具有柵極金屬圖案的基底基板201上沉積比如氧化硅、氮化硅等的絕緣材料以形成第一絕緣層204。部分地去除柵極絕緣層203和第一絕緣層204，從而部分地暴露摻雜層211和213，由此形成接觸孔。
然后，在具有接觸孔的第一絕緣層204上沉積并構(gòu)圖源極金屬層來形成源極金屬圖案。源極金屬圖案包括第一開關(guān)元件的第一源電極(未顯示)和第一漏電極(未顯示)、第二開關(guān)元件TFT2的第二源電極233和第二漏電極234、存儲(chǔ)電容器CST的第二電極235以及源極線DL。
于是，摻雜層211和213分別電連接到第二源電極233和第二漏電極234。
第二絕緣層205形成于具有源極金屬圖案的基底基板201上。平面化層可以形成于第二絕緣層205上。
部分地去除第二絕緣層205來形成暴露第二漏電極234的第二接觸孔242。將比如氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)等的透明導(dǎo)電材料在具有第二接觸孔242的基底基板201上沉積并構(gòu)圖以形成像素電極250。
像素電極250通過第二接觸孔242電連接到第二漏電極234。像素電極250對(duì)應(yīng)于電致發(fā)光元件EL的陽極。
通過使用負(fù)型光致抗蝕劑在具有第一開關(guān)元件、第二開關(guān)元件TFT2和像素電極250的基底基板201上形成條260。條260具有范圍在約300nm到約5000nn的第一厚度。
條260在形成有像素電極250的區(qū)域中界定了發(fā)光區(qū)LA。因?yàn)闂l260包括負(fù)型光致抗蝕劑，所以去除了對(duì)應(yīng)于掩模的光阻擋部分的條260的部分，從而條260的側(cè)表面形成相對(duì)于條260的上表面的角度θ。角度θ的范圍例如是約九十度到約一百七十度。
通過等離子體處理工藝在條260的表面上形成親液區(qū)和疏液區(qū)。
通過溶液處理在由條260界定的發(fā)光區(qū)LA中形成電致發(fā)光層270。溶液處理的示例可以包括旋涂、浸涂和噴墨打印。電致發(fā)光層270包括空穴注入層(HIL)、空穴傳輸層(HTL)、發(fā)光層(EML)、電子注入層(EIL)以及電子傳輸層(ETL)。
在具有電致發(fā)光層270的基底基板201上形成具有第二厚度T2的陰極280。第二厚度T2厚于條260的第一厚度T1。第二厚度T2的范圍在約300nm到約10000nm。
具體地，陰極280包括具有金屬納米顆粒的導(dǎo)電納米漿料。金屬納米顆?？梢园ㄣy(Ag)、金(Au)、鎳(Ni)、銦(In)、錫(Sn)、鋅(Zn)、鉛(Pb)、鈦(Ti)、銅(Cu)、鉻(Cr)、鉭(Ta)、鎢(W)、鈀(Pd)、鉑(Pt)、鐵(Fe)、鈷(Co)、硼(B)、硅(Si)、鋁(Al)、鎂(Mg)、銣(Rb)、銥(Ir)、釩(V)、釕(Ru)、鋨(Os)、鈮(Nb)、鉍(Bi)、鋇(Ba)等的至少一種。在一些實(shí)施例中，金屬納米顆?？梢园ㄒ陨辖饘俚暮辖??；蛘?，金屬納米顆粒可以包括氧化銀、氧化銅等。
將金屬納米顆粒制成漿料的有機(jī)溶劑的示例可以包括去離子水、比如乙醇、丁醇、乙二醇、萜品醇、香草醇(citronelol)、香葉醇、苯乙醇(penethylalcohol)等的醇、比如醋酸乙酯、油酸甲酯、醋酸丁酯、甘油酯的酯等和其混合物。
可以通過噴墨打印方法來在基底基板201上沉積以上的金屬納米漿料。通過使用噴墨打印方法，可以將金屬納米漿料沉積得比條260更厚，由此形成陰極280。通過使用金屬納米漿料，陰極280可以被制備得足夠厚來補(bǔ)償條260和EL層270之間的高度差，允許陰極280即使在條260產(chǎn)生的臺(tái)階部分也可以連續(xù)地形成。
將金屬納米漿料噴射在基底基板201上，然后使用紅外光或熱風(fēng)將其干燥并固化。如此，形成了具有第二厚度T2的陰極，第二厚度大于條260的第一厚度T1。
如上所述，采用噴墨打印方法可以容易地由技術(shù)納米漿料形成足夠厚的陰極280。如此，由EL層270和條260之間的高度差形成的有臺(tái)階的部分在形成厚陰極181時(shí)不引起不連續(xù)。
根據(jù)本發(fā)明，電致發(fā)光元件的陰極(或公共電極)形成得比界定電致發(fā)光顯示基板的發(fā)光區(qū)的條更厚。
另外，使用金屬納米漿料來形成陰極以實(shí)現(xiàn)期望的厚度。
于是，本發(fā)明改善了電致發(fā)光顯示基板的制造效率和可靠性。
雖然已經(jīng)描述了本發(fā)明的示范性實(shí)施例，但是可以理解本發(fā)明不應(yīng)限于這些實(shí)施例，而是本領(lǐng)域的一般技術(shù)人員可以在由權(quán)利要求所界定的本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)進(jìn)行各種變化和改進(jìn)。
權(quán)利要求
1.一種發(fā)光元件，包括第一電極，形成于基底基板上；條，形成于所述第一電極上來界定發(fā)光區(qū)，所述條具有第一厚度；發(fā)光層，形成于所述發(fā)光區(qū)中的第一電極的部分上；和第二電極，形成于所述發(fā)光層上，所述第二電極具有第二厚度，所述第二厚度大于所述條的第一厚度。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件，其中所述第二電極包括導(dǎo)電納米漿料，所述導(dǎo)電納米漿料包含金屬納米顆粒。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件，其中所述條包括負(fù)型光致抗蝕劑。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件，其中所述條具有側(cè)壁，所述側(cè)壁相對(duì)于所述條的外表面形成約90度到約170度的角度。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件，其中所述條的第一厚度的范圍是約300nm到約5000nm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件，其中所述第二電極的第二厚度的范圍是約300nm到約10000nm。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件，其中所述第一電極對(duì)應(yīng)于陽極，且所述第二電極對(duì)應(yīng)于陰極。
8.一種發(fā)光元件的制造方法，包括在基底基板上形成第一電極；在所述第一電極上形成具有第一厚度的條來界定發(fā)光區(qū)；在所述發(fā)光區(qū)中的第一電極的部分上形成發(fā)光層；以及在所述發(fā)光層上形成具有第二厚度的第二電極，所述第二厚度大于所述條的第一厚度。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中所述第二電極通過使用包含金屬納米顆粒的納米漿料形成。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中所述第二電極通過以下步驟形成噴射所述納米漿料；和固化所述噴射的納米漿料。
11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中所述條通過使用負(fù)型光致抗蝕劑形成。
12.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中所述條具有側(cè)壁，所述側(cè)壁相對(duì)于所述條的外表面形成約90度到約170度的角度。
13.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中所述條的第一厚度的范圍是約300nm到約5000nm。
14.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中所述第二電極的第二厚度的范圍是約300nm到約10000nm。
15.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中所述發(fā)光層通過溶液處理來形成。
16.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中所述第一電極對(duì)應(yīng)于陽極，且所述第二電極對(duì)應(yīng)于陰極。
17.一種顯示基板，所述顯示基板具有由源極線、偏壓線和相鄰的柵極線界定的像素區(qū)，所述顯示基板包括第一開關(guān)元件，電連接到所述偏壓線；第一電極，形成于所述像素區(qū)中且電連接到所述第一開關(guān)元件；條，形成于部分的第一電極上來在所述像素區(qū)中界定發(fā)光區(qū)，所述條具有第一厚度；發(fā)光層，形成于所述發(fā)光區(qū)的第一電極上；以及第二電極，形成于所述發(fā)光層上，所述第二電極具有第二厚度，所述第二厚度大于所述條的第一厚度。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的顯示基板，還包括第二開關(guān)元件，電連接到所述源極線和一條所述柵線，其中所述第一開關(guān)元件由所述第二開關(guān)元件控制。
19.根據(jù)權(quán)利要求17所述的顯示基板，其中所述第二電極包括包含金屬納米顆粒的導(dǎo)電納米漿料。
20.根據(jù)權(quán)利要求17所述的顯示基板，其中所述第二電極的第二厚度的范圍在約300nm到約10000nm。
21.根據(jù)權(quán)利要求17所述的顯示基板，其中所述條具有側(cè)壁，所述側(cè)壁相對(duì)于所述條的外表面形成大于90°的角度。
22.根據(jù)權(quán)利要求17所述的顯示基板，其中所述第一和第二開關(guān)元件包括非晶硅薄膜晶體管。
23.根據(jù)權(quán)利要求17所述的顯示基板，其中所述第一開關(guān)元件包括多晶硅薄膜晶體管。
24.一種發(fā)光元件，包括第一電極，形成于基底基板上；條，形成于所述第一電極上來界定發(fā)光區(qū)，所述條包括負(fù)型光致抗蝕劑；發(fā)光層，形成于所述發(fā)光區(qū)的第一電極上；以及第二電極，形成于所述發(fā)光層上，所述第二電極包括包含金屬納米顆粒的導(dǎo)電納米漿料。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種改善可靠性和制造效率的發(fā)光元件。發(fā)光元件包括第一電極、條、發(fā)光層和第二電極。第一電極形成于基底基板上。條形成于第一電極上來界定發(fā)光區(qū)。條具有第一厚度。發(fā)光層形成于發(fā)光區(qū)的第一電極的部分上。第二電極形成于發(fā)光層上。第二電極具有第二厚度，第二厚度厚于條的第一厚度。于是，第二電極厚于條。
文檔編號(hào)H05B33/10GK1886013SQ20061009459
公開日2006年12月27日 申請(qǐng)日期2006年6月21日 優(yōu)先權(quán)日2005年6月21日
發(fā)明者李東遠(yuǎn) 申請(qǐng)人:三星電子株式會(huì)社