專利名稱：白色電致發(fā)光器件及其制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種白色電致發(fā)光器件及其制備方法。更具體地，本發(fā)明涉及一種白色電致發(fā)光器件及其制備方法，其中所述白色電致發(fā)光器件具有提供改善的色純度和白色發(fā)光效率的新結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
通常，電致發(fā)光(EL)器件為顯示器件，其中可以在發(fā)光層上施加電壓，以使電子和空穴結(jié)合。所述電子和空穴的結(jié)合會(huì)激發(fā)發(fā)光層中的電子，從而引起發(fā)光層發(fā)出可見光形式的光子而形成圖像。EL器件具有比其它顯示器件更好的特征，例如優(yōu)異的可見度、重量輕、厚度減小和功耗較低。這種EL器件可以用于移動(dòng)電話、平板顯示器件、汽車的內(nèi)部照明、辦公室的照明等。
EL器件可以包括基底，及發(fā)光二極管，該發(fā)光二極管具有兩個(gè)電極即陽(yáng)極和陰極以及電極之間的至少一層發(fā)光層。為了顯示白光，白色EL器件可以構(gòu)造成具有特定的發(fā)光層構(gòu)型。具體地，在白色EL器件中，發(fā)光層可以構(gòu)造成具有黃色和藍(lán)色發(fā)光層的多層結(jié)構(gòu)，紅色、綠色和藍(lán)色發(fā)光層的多層結(jié)構(gòu)，或者含有雜質(zhì)或發(fā)光顏料的多層結(jié)構(gòu)。
然而，在白色EL器件中，兩個(gè)電極之間的發(fā)光層的多層結(jié)構(gòu)會(huì)引起諧振效應(yīng)(resonance effect)，該諧振效應(yīng)可以改變所顯示的白光。具體地，所述諧振效應(yīng)可以產(chǎn)生不純的白光，即其色坐標(biāo)偏離純白色色坐標(biāo)的白光。
因此，為了提供產(chǎn)生具有改善的白色色坐標(biāo)和發(fā)光效率的純白光的器件，仍然需要改善白色EL器件的結(jié)構(gòu)。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明涉及一種白色EL器件及其制備方法，該白色EL器件實(shí)質(zhì)上克服了現(xiàn)有技術(shù)中的一個(gè)或多個(gè)缺點(diǎn)。
所以，本發(fā)明實(shí)施方案的特征是提供一種白色EL器件，其提供純白色色坐標(biāo)和改善的白色發(fā)光效率。
本發(fā)明實(shí)施方案的另一個(gè)特征是提供一種白色EL器件的制備方法，該白色EL器件具有提供增強(qiáng)的白色色純度和發(fā)光效率的改善的結(jié)構(gòu)。
本發(fā)明的上述及其它特征和優(yōu)點(diǎn)中的至少一個(gè)可以通過提供白色EL器件來實(shí)現(xiàn)，該白色EL器件包括基底、第一電極、具有預(yù)定遷移單元厚度的空穴遷移單元、具有預(yù)定藍(lán)色層厚度的藍(lán)色發(fā)光層、黃色發(fā)光層和第二電極，使得該白色EL器件顯示色坐標(biāo)為約(0.27，0.27)～(0.39，0.39)的純白光。
所述預(yù)定遷移單元厚度可以為約15～40nm，預(yù)定遷移單元厚度和預(yù)定藍(lán)色層厚度的總和可以為約30～60nm。作為選擇，所述預(yù)定遷移單元厚度可以為約120～160nm，預(yù)定遷移單元厚度和預(yù)定藍(lán)色層厚度的總和可以為約160～220nm。
根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方案的白色EL器件的第一電極可以為陽(yáng)極，第二電極可以為陰極。所述第一電極可以為反射電極。
根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方案的白色EL器件的空穴遷移單元可以包括空穴注入層、空穴遷移層或其組合。
根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方案的白色EL器件可以包括空穴阻擋層、電子注入層、電子遷移層或其組合。
根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方案的白色EL器件的黃色發(fā)光層可以具有約15～40nm的厚度。作為選擇，該黃色發(fā)光層可以具有約20～50nm的厚度。
本發(fā)明的白色EL器件可以為白色有機(jī)發(fā)光顯示器件。
根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)方面，提供一種白色EL器件的制備方法，該方法包括得到基底，在基底上加接第一電極，在第一電極上沉積空穴遷移單元，在空穴遷移單元上沉積藍(lán)色發(fā)光層，在藍(lán)色發(fā)光層上沉積黃色發(fā)光層，及在黃色發(fā)光層上加接第二電極，使得該藍(lán)色發(fā)光層和黃色發(fā)光層分別沉積具有預(yù)定藍(lán)色光程(optical distance)和預(yù)定黃色光程，使得所述白色EL器件顯示色坐標(biāo)為約(0.27，0.27)～(0.39，0.39)的純白光。
所述預(yù)定藍(lán)色光程可以以約15～40nm的厚度形成，預(yù)定黃色光程可以以約30～60nm的厚度形成。作為選擇，預(yù)定藍(lán)色光程可以以約120～160nm的厚度形成，預(yù)定黃色光程可以以約160～220nm的厚度形成。
所述白色EL器件的制備方法還可以包括制備白色有機(jī)發(fā)光器件，在第一電極上沉積反射膜，及在空穴遷移單元中包括空穴遷移層和/或空穴注入層。


通過參照附圖詳述其示例性實(shí)施方案，本發(fā)明的上述及其它特征和優(yōu)點(diǎn)對(duì)本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說將變得更加顯而易見，附圖中圖1圖示了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方案的白色EL器件的示意圖；圖2圖示了根據(jù)本發(fā)明第二個(gè)實(shí)施方案的白色EL器件的示意圖；圖3圖示了根據(jù)本發(fā)明第三個(gè)實(shí)施方案的白色EL器件的示意圖；及圖4圖示了根據(jù)本發(fā)明第四個(gè)實(shí)施方案的白色EL器件的示意圖。
具體實(shí)施例方式
于2005年8月12日在韓國(guó)知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的、名稱為“白色有機(jī)發(fā)光器件及其制備方法”的韓國(guó)專利申請(qǐng)10-2005-0074524，全文引入本文中作為參考。
在下文中，現(xiàn)在將參照附圖進(jìn)行更充分地描述本發(fā)明，附圖中圖示了本發(fā)明示例性實(shí)施方案。然而，本發(fā)明可以以不同的形式實(shí)施并不應(yīng)該限于本文中所列出的實(shí)施方案。相反，提供這些實(shí)施方案，使得本公開將會(huì)徹底且完整，并將向本領(lǐng)域的技術(shù)人員充分傳達(dá)本發(fā)明的范圍。
在附圖中，為了清楚的說明，各層和區(qū)域的尺寸可以放大。也應(yīng)當(dāng)理解當(dāng)某一層或元件稱為“在另一層或基底上”時(shí)，它可以直接在其它層或基底上，或者也可以存在插入層。而且，應(yīng)當(dāng)理解當(dāng)某一層稱為“在另一層下”時(shí)，它可以直接在該層下，或者也可以存在一層或多層插入層。另外，還應(yīng)當(dāng)理解當(dāng)某一層稱為“在兩層之間”時(shí)，它可以為兩層之間的唯一層，或者也可以存在一層或多層插入層。全文中相同的附圖標(biāo)記指的是相同的部件。
根據(jù)本發(fā)明的白色EL器件的實(shí)施方案，可以包括基底，兩個(gè)電極，及其間的多層結(jié)構(gòu)。具體地，該多層結(jié)構(gòu)可以包括空穴遷移單元和至少一層發(fā)光層，且所述發(fā)光層可以包括藍(lán)色發(fā)光層和黃色發(fā)光層。已經(jīng)發(fā)現(xiàn)在本發(fā)明中，調(diào)整空穴遷移單元和藍(lán)色與黃色發(fā)光層的具體厚度，可以提供具有諧振結(jié)構(gòu)的多層構(gòu)型，使得藍(lán)色光和黃色光的同時(shí)發(fā)光可以產(chǎn)生具有純白色色坐標(biāo)的白光。
在本發(fā)明中，“純白色色坐標(biāo)”、“純白色光”、“純白光”或類似術(shù)語(yǔ)可以認(rèn)為是指在Commission Internationale de l’Eclairage(CIE)的比色刻度尺上，X坐標(biāo)值為約0.27～0.39、Y坐標(biāo)值為約0.27～0.39的色坐標(biāo)。因此，下文中任何坐標(biāo)不在純白色色坐標(biāo)范圍內(nèi)的色彩可以認(rèn)為是非白色或者不是純白色的白色。
在本發(fā)明中，“光程”或類似術(shù)語(yǔ)是指以納米(nm)測(cè)量的、從白色EL器件的第一電極的上表面至特定發(fā)光層的下表面之間的距離。具體地，“藍(lán)色光程”是指第一電極的上表面與藍(lán)色發(fā)光層的下表面之間的距離。類似地，“黃色光程”是指第一電極的上表面與黃色發(fā)光層的下表面之間的距離。
現(xiàn)在將參照?qǐng)D1至圖4更詳細(xì)地描述根據(jù)本發(fā)明的白色EL器件的實(shí)施方案。因此，白色EL器件可以包括基底10、第一電極20、空穴遷移單元30、發(fā)光層40和第二電極70。
空穴遷移單元30可以包括空穴注入層30a和/或空穴遷移層30b?？昭ㄗ⑷雽?0a和空穴遷移層30b可以獨(dú)立地構(gòu)造，即它們中僅一個(gè)存在于空穴遷移單元30中，或者空穴注入層30a和空穴遷移層30b可以一起層疊在一個(gè)空穴遷移單元30中?？昭ㄟw移單元30還可以包括中間層(未示出)來改善層間的粘結(jié)性和相容性。
發(fā)光層40可以包括藍(lán)色發(fā)光層40a和黃色發(fā)光層40b，藍(lán)色發(fā)光層40a和黃色發(fā)光層40b可以為有機(jī)或無機(jī)發(fā)光層。根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方案，藍(lán)色發(fā)光層40a和黃色發(fā)光層40b可以優(yōu)選為有機(jī)發(fā)光層。
不限于理論，相信調(diào)整空穴遷移單元30、藍(lán)色發(fā)光層40a和黃色發(fā)光層40b使其各自具有特定厚度值，可以影響本發(fā)明的白色EL器件的兩個(gè)電極之間的諧振，從而控制所得到的光的色坐標(biāo)。換句話說，這種厚度調(diào)整可以產(chǎn)生具有特定純白色色坐標(biāo)的白光，其在CIE刻度尺上的坐標(biāo)為約(0.27，0.27)～(0.39，0.39)。因此，空穴遷移單元30可以具有約15～40nm的預(yù)定遷移單元厚度，或者作為選擇具有約120～160nm的預(yù)定遷移單元厚度。空穴遷移單元30的厚度可以認(rèn)為是預(yù)定遷移單元厚度或藍(lán)色光程d1，即第一電極的上表面與藍(lán)色發(fā)光層的下表面之間的距離。
藍(lán)色發(fā)光層40a和黃色發(fā)光層40b的厚度可以分別取決于藍(lán)色光程d1和黃色光程d2。具體地，藍(lán)色光程d1，即第一電極20的上表面與藍(lán)色發(fā)光層40a的下表面之間的距離可以為約15～40nm，或者作為選擇為約120～160nm，并且獨(dú)立地，黃色光程d2，即第一電極20的上表面與黃色發(fā)光層40b的下表面之間的距離可以為約30～60nm，或者作為選擇為約160～220nm。
在這方面，應(yīng)該注意的是空穴遷移層30和藍(lán)色發(fā)光層40a的總厚度可以認(rèn)為是黃色光程d2。因此，藍(lán)色發(fā)光層40a的厚度可以計(jì)算為藍(lán)色光程的d1與黃色光程d2之差。如果藍(lán)色光程d1的厚度為約15～40nm，則黃色光程d2可以為約30～60nm。作為選擇，如果藍(lán)色光程d1的厚度為約120～160nm，則黃色光程d2可以為約160～220nm。
黃色發(fā)光層40b的厚度可以根據(jù)空穴遷移單元30和藍(lán)色發(fā)光層40a的厚度而變化。優(yōu)選地，如果空穴遷移單元30和藍(lán)色發(fā)光層40a的總厚度即黃色光程d2為約30～60nm，則黃色發(fā)光層40b的厚度可以為約15～40nm。如果空穴遷移單元30和藍(lán)色發(fā)光層40a的總厚度即黃色光程d2為約160～220nm，則黃色發(fā)光層40b的厚度可以為約20～50nm。不限于理論，相信如果黃色發(fā)光層40b的厚度不在本文中特定的范圍內(nèi)，則藍(lán)色和黃色光程d1和d2可能不足以形成有利的諧振效應(yīng)來形成純白光。于是，純白光的形成需要調(diào)整藍(lán)色光程d1、黃色光程d2和黃色發(fā)光層40b的厚度。
根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方案的白色EL器件還可以包括空穴阻擋層80，電子遷移層50，電子注入層60，或者其組合。如果在本發(fā)明實(shí)施方案中采用空穴阻擋層80、電子遷移層50或電子注入層60，則其可以設(shè)置在發(fā)光層40和第二電極70之間。如果采用超過一層，則各層可以順序地設(shè)置并層疊在發(fā)光層40和第二電極70之間。另外，為了改善層間粘合性和相容性，還可以插入至少一層中間層(未示出)。
在根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方案的白色EL器件中，第一電極20可以為陽(yáng)極，第二電極70可以為陰極。第一電極20可以為反射電極。
如圖1所示，根據(jù)本發(fā)明的白色EL器件的實(shí)施方案可以包括，層疊在基底10的上表面的第一電極20，及順序地層疊在第一電極20的上表面的空穴注入層30a、藍(lán)色發(fā)光層40a和黃色發(fā)光層40b。該白色EL器件可以包括加接在黃色發(fā)光層40b的上表面的第二電極70。
如圖2所示，根據(jù)本發(fā)明的白色EL器件的另一個(gè)實(shí)施方案可以包括，層疊在基底10的上表面的第一電極20，順序地層疊在第一電極20的上表面的空穴遷移層30b、藍(lán)色發(fā)光層40a和黃色發(fā)光層40b。該白色EL器件可以包括加接在黃色發(fā)光層40b的上表面的第二電極70。
如圖3所示，在根據(jù)本發(fā)明的白色EL器件的又一個(gè)實(shí)施方案中，第一電極20可以層疊在基底10的上表面，而空穴注入層30a、空穴遷移層30b、藍(lán)色發(fā)光層40a和黃色發(fā)光層40b可以順序地層疊在第一電極20的上表面。本實(shí)施方案中的白色EL器件可以包括加接在黃色發(fā)光層40b的上表面的第二電極70。
如圖4所示，根據(jù)本發(fā)明的白色EL器件的另一個(gè)實(shí)施方案可以包括，層疊在基底10的上表面的第一電極20，及順序地層疊在第一電極20的上表面的空穴注入層30a、空穴遷移層30b、藍(lán)色發(fā)光層40a、黃色發(fā)光層40b、電子遷移層50和電子注入層60。該白色EL器件可以包括加接在電子注入層60的上表面的第二電極70。
根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)方面，下面參照?qǐng)D4描述制備白色EL器件的示例性方法。然而，應(yīng)當(dāng)注意的是參照?qǐng)D4是僅僅是為了方便和示范，其它可能的方法和/或?qū)嵤┓桨覆慌懦诒景l(fā)明的范圍之外?？梢蕴峁┗?0，即任何常用于EL器件的基底。基底10優(yōu)選可以具有約0.3～1.1mm的厚度，并且其可以由玻璃或透明塑料制成，使得其可以具有需要的性能如透明性、表面光滑性、易于處理性和耐水性。基底10可以清洗并用紫外線(UV)輻射或臭氧處理。清洗用的材料可以包括有機(jī)溶劑如異丙醇(IPA)、丙酮等。
接著，第一電極20可以形成在基底10的上表面上。用于形成第一電極20的材料可以包括促進(jìn)空穴注入的導(dǎo)電金屬或它們的氧化物。具體地，用于形成第一電極20的材料可以包括氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、鎳(Ni)、鉑(Pt)、金(Au)、銥(Ir)、它們的混合物或類似材料中的任何一種。第一電極20可以為陽(yáng)極，且可以構(gòu)圖。如果ITO用于形成第一電極20，則第一電極20和基底10可以在真空下用等離子體處理。
反射膜(未示出)可以形成在第一電極20的上表面以增強(qiáng)發(fā)光。如果采用反射膜，則第一電極20可以如反射電極一樣工作。該反射膜可以構(gòu)圖，且它可以由銀(Ag)或鋁(Al)形成。
空穴遷移單元30可以通過真空沉積或旋涂形成于第一電極20的上表面?？昭ㄟw移單元30可以包括空穴注入層30a和/或空穴遷移層30b。不論其是否包括空穴注入層30a、空穴遷移層30b或兩者，空穴遷移單元30的厚度都可以表示藍(lán)色光程d1，即第一電極20的上表面與藍(lán)色發(fā)光層40a的下表面之間的距離。具體地，不管其可能包括多少層，空穴遷移單元30都可以具有約15～40nm的厚度，或者作為選擇具有約120～160nm的厚度。
不限于理論，相信在第一電極20和發(fā)光層40之間真空沉積或旋涂空穴注入層30a，因降低了第一電極20與發(fā)光層40之間的接觸電阻，所以會(huì)改善白色EL器件的驅(qū)動(dòng)電壓和發(fā)光效率，同時(shí)第一電極20相對(duì)于發(fā)光層40的空穴遷移能力也可以得到提高。
空穴注入層30a可以由任何現(xiàn)有技術(shù)中已知的適宜材料形成。具體地，可以優(yōu)選銅酞菁(CuPc)或星爆型(starburst-type)胺，如TCTA(下面式1所示)、m-MTDATA(下面式2所示)、IDE406(出光株式會(huì)社)等。
[式2] 空穴遷移層30b可以通過真空沉積或旋涂形成于第一電極20的上表面，或者形成于空穴注入層30a的上表面。空穴遷移層30b可以由任何現(xiàn)有技術(shù)中已知的適宜材料形成。具體地，可以優(yōu)選N，N′-雙(3-甲基苯基)-N，N′-二苯基-[1，1-二苯基]-4，4′-二胺(TPD；下面式3所示)；N，N′-二(萘-1-基)-N，N′-二苯基聯(lián)苯胺(α-NPD；下面式4所示)；IDE320(出光株式會(huì)社)等。
[式4] 本發(fā)明的白色EL器件的制備方法還可以包括，通過任何現(xiàn)有技術(shù)中已知的方法如真空沉積或旋涂，在空穴遷移單元30的頂部形成發(fā)光層40。具體地，藍(lán)色發(fā)光層40a和黃色發(fā)光層40b可以順序地施加在空穴遷移單元30上。
可以采用任何現(xiàn)有技術(shù)中已知的材料形成藍(lán)色發(fā)光層40a?？梢詢?yōu)選采用任何有機(jī)藍(lán)色發(fā)光材料。具體地，優(yōu)選采用諸如4，4-雙(2，2-二苯基乙烯基)聯(lián)苯(DPVBi)、2，2′，7，7′-四(2，2-二苯基乙烯基)螺-9，9′-二芴(螺-DPVBi)、螺-6P、二苯乙烯基苯(DSB)、二苯乙烯基亞芳基(DSA)等低分子量材料；PFO-基高分子；PPV-基高分子；及類似材料中的任何一種。類似地，可以采用任何現(xiàn)有技術(shù)中已知的材料形成黃色發(fā)光層40b?？梢詢?yōu)選采用任何有機(jī)黃色發(fā)光材料。具體地，優(yōu)選采用紅熒烯或紅熒烯衍生物、雙-(2-苯基喹啉)乙酰丙酮銥、PFO-基高分子、PPV-基高分子等中的任何一種。
藍(lán)色發(fā)光層40a和黃色發(fā)光層40b可以形成為具有與藍(lán)色光程d1和黃色光程d2相關(guān)的預(yù)定厚度值。具體地，藍(lán)色發(fā)光層40a的厚度可以等于從黃色光程d2中減去藍(lán)色光程d1得到的值，所述藍(lán)色光程d1即為第一電極20的上表面與藍(lán)色發(fā)光層40a的下表面之間的距離，或者電子遷移單元30的厚度，所述黃色光程d2即為第一電極20的上表面與黃色發(fā)光層40b的下表面之間的距離。當(dāng)黃色光程d2為約30～60nm時(shí)，黃色發(fā)光層40b的厚度可以為約15～40nm。作為選擇，當(dāng)黃色光程d2為約160～220nm時(shí)，黃色發(fā)光層40b的厚度可以為約20～50nm。
本發(fā)明的白色EL器件的制備方法還可以包括，通過真空沉積或旋涂，在發(fā)光層40的上表面形成空穴阻擋層80?？梢圆捎萌魏维F(xiàn)有技術(shù)中已知的材料形成空穴阻擋層80。具體地，可以采用任何具有電子遷移能力和比發(fā)光化合物更高的電離電位的材料。例如，可以采用Balq(下面式5所示)、BCP(下面式6所示)、TPBI(下面式7所示)等中的任何一種?？昭ㄗ钃鯇?0的厚度可以為約30～70埃。厚度低于約30埃的空穴阻擋層80則不會(huì)具有足夠的阻擋能力，而厚度高于70埃的空穴阻擋層會(huì)不合需要地增加驅(qū)動(dòng)電壓。
[式6] [式7]
本發(fā)明的白色EL器件的制備方法還可以包括，通過真空沉積或旋涂電子遷移材料，在發(fā)光層40或空穴阻擋層80上形成電子遷移層50。可以采用任何現(xiàn)有技術(shù)中已知的材料形成電子遷移層。具體地，可以優(yōu)選三(8-羥基喹啉)鋁(Alq3)。電子遷移層50的厚度可以為約150～600埃。電子遷移層50的低于約150埃的厚度會(huì)降低電子遷移能力，電子遷移層50的高于約600埃的厚度會(huì)不合需要地增加驅(qū)動(dòng)電壓。
本發(fā)明的白色EL器件的制備方法還可以包括，在電子遷移層50的頂部層疊電子注入層60?？梢圆捎萌魏维F(xiàn)有技術(shù)中已知的材料形成電子注入層60。具體地，可以采用LiF、NaCl、CsF、Li2O、BaO、Liq(下面式8所示)和類似材料中的任何一種。電子注入層60的厚度可以為約5～50埃。電子注入層60的低于約5埃的厚度不會(huì)提供足夠的電子注入功能，而電子注入層60的高于約50埃的厚度會(huì)不合需要地增加驅(qū)動(dòng)電壓。
本發(fā)明的白色EL器件的制備方法還可以包括，通過真空沉積，在電子注入層60的上表面頂部沉積第二電極70。第二電極70可以為陰極，且其可以由任何現(xiàn)有技術(shù)中已知的適宜材料如鋰(Li)、鎂(Mg)、鋁(Al)、鋁-鋰(Al-Li)、鈣(Ca)、鎂-銦(Mg-In)、鎂-銀(Mg-Ag)或任何其它類似金屬形成。
實(shí)施例實(shí)施例1根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方案的白色EL器件制備如下。得到玻璃基底，并在其上電沉積厚度為10nm的ITO層，形成第一電極，即陽(yáng)極。在第一電極的頂部沉積厚度為100nm的Ag層，形成反射膜，從而形成反射電極。接著，在10-6托的真空壓力下，在第一電極的上表面沉積厚度為15nm的NPD層，形成空穴遷移層。
在空穴遷移層的上表面沉積DPV BI層，形成厚度為15nm的藍(lán)色發(fā)光層。接著，在藍(lán)色發(fā)光層的頂部沉積紅熒烯，形成厚度為30nm的黃色發(fā)光層。隨后，在10-6托的真空壓力下，在黃色發(fā)光層的上部沉積電子遷移材料Alq3，形成厚度為30nm的電子遷移層。在電子遷移層的上表面真空沉積0.5nm的LiF層和厚度為20nm的Mg:Ag層，形成LiF/Mg:Ag陰極，即第二電極，從而完成了白色EL器件。
實(shí)施例2制備實(shí)施例1的白色EL器件，所不同的是，形成厚度為20nm的空穴遷移層，并分別形成厚度值為20nm和30nm的藍(lán)色和黃色發(fā)光層。
實(shí)施例3根據(jù)本發(fā)明另一個(gè)實(shí)施方案的白色EL器件制備如下。得到玻璃基底，并在其上電沉積厚度為10nm的ITO層，形成第一電極，即陽(yáng)極。在第一電極的頂部沉積厚度為100nm的Ag層，形成反射膜，從而形成反射電極。接著，在第一電極的頂部沉積IDE406(出光株式會(huì)社)層，形成厚度為100nm的空穴注入層，并在其上沉積NPD層，形成厚度為20nm的空穴遷移層。兩次沉積均在10-6托的真空壓力條件下進(jìn)行。
在空穴遷移層的頂部使用DPVBI層，形成厚度為40nm的藍(lán)色發(fā)光層，并在藍(lán)色發(fā)光層的頂部沉積紅熒烯，形成厚度也為40nm的黃色發(fā)光層。隨后，在10-6托的真空下，在黃色發(fā)光層的上部沉積厚度為30nm的電子遷移材料Alq3，形成電子遷移層，并在電子遷移層的上部順序地真空沉積0.5nm的LiF層(電子注入層)和20nm的Mg:Ag層(陰極)，形成LiF/Mg:Ag電極。
實(shí)施例4制備實(shí)施例3的白色EL器件，所不同的是，分別形成厚度值為140nm和20nm的空穴注入層和空穴遷移層，并形成厚度均為40nm的藍(lán)色發(fā)光層和黃色發(fā)光層。
對(duì)比例1制備實(shí)施例1的白色EL器件，所不同的是，形成厚度減小為10nm的空穴遷移層，即藍(lán)色光程，并分別形成厚度為15nm和30nm的藍(lán)色發(fā)光層和黃色發(fā)光層。
對(duì)比例2制備實(shí)施例1的白色EL器件，所不同的是，形成厚度增加為50nm的空穴遷移層，即藍(lán)色光程，并分別形成厚度值為20nm和40nm的藍(lán)色發(fā)光層和黃色發(fā)光層。
對(duì)比例3制備實(shí)施例3的白色EL器件，所不同的是，形成厚度分別為80nm和20nm的空穴注入層和空穴遷移層，即藍(lán)色光程，并分別形成厚度值為20nm和40nm的藍(lán)色發(fā)光層和黃色發(fā)光層。
對(duì)比例4制備實(shí)施例3的白色EL器件，所不同的是，形成厚度分別為180nm和20nm的空穴注入層和空穴遷移層，即藍(lán)色光程，并形成厚度值分別為30nm和40nm的藍(lán)色發(fā)光層和黃色發(fā)光層。
獨(dú)立地評(píng)價(jià)按照實(shí)施例1～4以及對(duì)比例1～4制得的白色EL器件的驅(qū)動(dòng)電壓、效率和色坐標(biāo)。
效率根據(jù)作為電壓函數(shù)的電流密度來評(píng)價(jià)。實(shí)施例1～4以及對(duì)比例1～4中每一個(gè)的驅(qū)動(dòng)電壓由238高電流源測(cè)量單元(吉時(shí)利(Keithley)公司)測(cè)量，并通過將每個(gè)白色EL器件中的DC電流以10mA的增量從10mA增加至100mA，及取9個(gè)測(cè)量的數(shù)據(jù)點(diǎn)的平均值，來評(píng)價(jià)電流密度。
由PR650型分光光譜測(cè)色儀(Spectra Scan Calorimeter)測(cè)量實(shí)施例1～4以及對(duì)比例1～4中每一個(gè)的色坐標(biāo)的色度值，同時(shí)由BM-5A(拓普康(Topcon))測(cè)量色彩的亮度。將實(shí)施例1～4和對(duì)比例1～4中每一個(gè)的色度值和亮度與如上定義的為約(0.27，0.27)～(0.39，0.39)的純白色色坐標(biāo)進(jìn)行比較。
結(jié)果列于下表1中。
表1

如表1所示，實(shí)施例1～4的白色EL器件的色坐標(biāo)具有純白色色坐標(biāo)，而對(duì)比例1～4的白色EL器件的色坐標(biāo)具有不同于純白色色坐標(biāo)的色坐標(biāo)，即它們的顏色不是純白色。
在本文中已經(jīng)公開了本發(fā)明的示例性實(shí)施方案，盡管使用了特定術(shù)語(yǔ)，但是使用它們并對(duì)其做出一般性的描述而不是為了進(jìn)行限制。因此，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，可以對(duì)本發(fā)明做出各種形式和細(xì)節(jié)上的變化，而不脫離權(quán)利要求書所定義的本發(fā)明的構(gòu)思和范圍。
權(quán)利要求
1.一種白色電致發(fā)光(EL)器件，包括基底；第一電極；具有預(yù)定遷移單元厚度的空穴遷移單元；具有預(yù)定藍(lán)色層厚度的藍(lán)色發(fā)光層；黃色發(fā)光層；及第二電極，其中該白色EL器件顯示色坐標(biāo)為約(0.27，0.27)～(0.39，0.39)的純白光。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的白色EL器件，其中所述預(yù)定遷移單元厚度為約15～40nm，及預(yù)定遷移單元厚度和藍(lán)色層厚度的總和為約30～60nm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1的白色EL器件，其中所述預(yù)定遷移單元厚度為約120～160nm，及預(yù)定遷移單元厚度和藍(lán)色層厚度的總和為約160～220nm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1的白色EL器件，其中所述第一電極為陽(yáng)極，及所述第二電極為陰極。
5.根據(jù)權(quán)利要求1的白色EL器件，其中所述第一電極為反射電極。
6.根據(jù)權(quán)利要求1的白色EL器件，其中所述空穴遷移單元包括空穴注入層、空穴遷移層或其組合。
7.根據(jù)權(quán)利要求1的白色EL器件，還包括空穴阻擋層、電子注入層、電子遷移層或其組合。
8.根據(jù)權(quán)利要求2的白色EL器件，其中所述黃色發(fā)光層具有約15～40nm的厚度。
9.根據(jù)權(quán)利要求3的白色EL器件，其中所述黃色發(fā)光層具有約20～50nm的厚度。
10.根據(jù)權(quán)利要求1的白色EL器件，其中該EL器件為白色有機(jī)發(fā)光器件。
11.一種白色電致發(fā)光(EL)器件的制備方法，包括得到基底；在基底上加接第一電極；在第一電極上沉積空穴遷移單元；在空穴遷移單元上沉積藍(lán)色發(fā)光層；在藍(lán)色發(fā)光層上沉積黃色發(fā)光層；及在黃色發(fā)光層上加接第二電極，其中所述藍(lán)色發(fā)光層和黃色發(fā)光層分別沉積為具有預(yù)定藍(lán)色光程和預(yù)定黃色光程，使得所述白色EL器件顯示色坐標(biāo)為約(0.27，0.27)～(0.39，0.39)的純白光。
12.根據(jù)權(quán)利要求11的白色EL器件的制備方法，其中所述預(yù)定藍(lán)色光程以約15～40nm的厚度形成，及所述預(yù)定黃色光程以約30～60nm的厚度形成。
13.根據(jù)權(quán)利要求11的白色EL器件的制備方法，其中所述預(yù)定藍(lán)色光程以約120～160nm的厚度形成，及所述預(yù)定黃色光程以約160～220nm的厚度形成。
14.根據(jù)權(quán)利要求11的白色EL器件的制備方法，還包括在第一電極上沉積反射膜。
15.根據(jù)權(quán)利要求11的白色EL器件的制備方法，其中所述空穴遷移單元包括空穴注入層、空穴遷移層或其組合。
16.根據(jù)權(quán)利要求11的白色EL器件的制備方法，其中該白色EL器件為白色有機(jī)發(fā)光器件。
全文摘要
本發(fā)明公開一種白色電致發(fā)光(EL)器件及其制備方法，該白色EL器件包括基底、第一電極、具有預(yù)定遷移單元厚度的空穴遷移單元、具有預(yù)定藍(lán)色層厚度的藍(lán)色發(fā)光層、黃色發(fā)光層和第二電極，使得所述白色EL器件能夠顯示色坐標(biāo)為約(0.27，0.27)～(0.39，0.39)的純白光。
文檔編號(hào)H05B33/10GK1913730SQ20061013886
公開日2007年2月14日 申請(qǐng)日期2006年8月14日 優(yōu)先權(quán)日2005年8月12日
發(fā)明者李俊燁 申請(qǐng)人:三星Sdi株式會(huì)社