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配線襯底的制造方法

文檔序號:8144437閱讀:236來源:國知局
專利名稱:配線襯底的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及配線襯底的制造方法。
背景技術(shù)
公知的是具有在表面形成有鍍敷層的配線的配線襯底(例如,參照特開平5-21536號公報)。公知的是通過電解鍍敷處理來形成鍍敷層,不過在該種情況下,為了高效地進行多個配線的鍍敷處理,有時利用鍍敷導(dǎo)線。但是,若不要用于在基座襯底上形成鍍敷導(dǎo)線的空間,則可以減小基座襯底。另外,為了提高配線的可靠性,優(yōu)選鍍敷層形成為將配線表面的盡可能廣的區(qū)域覆蓋。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種低成本且高效地制造可靠性高的配線襯底的方法。
(1)本發(fā)明的配線襯底的制造方法包括準(zhǔn)備具有基座襯底、形成于所述基座襯底上的導(dǎo)電膜及形成于所述導(dǎo)電膜上的多個導(dǎo)線的襯底的工序;形成將所述導(dǎo)電膜上的相鄰的2個所述導(dǎo)線之間的區(qū)域局部覆蓋的抗蝕劑層,使其與所述2個導(dǎo)線接觸的工序;形成導(dǎo)電圖案的工序,所述導(dǎo)電圖案通過除去所述導(dǎo)電膜的從所述多個導(dǎo)線及所述抗蝕劑層露出的露出部而形成所述導(dǎo)電膜的圖案,且所述導(dǎo)電圖案電連接所述多個導(dǎo)線;經(jīng)由所述導(dǎo)電圖案使電流在所述多個導(dǎo)線中流動,從而對所述多個導(dǎo)線進行鍍敷處理的電解鍍敷處理工序;切斷所述導(dǎo)電圖案,使所述多個導(dǎo)線分別電絕緣的工序。
根據(jù)本發(fā)明,利用導(dǎo)電圖案進行電解鍍敷處理(電鍍處理)。因此,根據(jù)本發(fā)明,不需要在基座襯底上確保用于形成鍍敷導(dǎo)線的區(qū)域,從而能夠利用小型的基座襯底制造配線襯底。由此,容易處理基座襯底,因此能夠高效地制造配線襯底,且能夠抑制基座襯底的成本。另外,根據(jù)本發(fā)明,能夠形成鍍敷層使其覆蓋導(dǎo)線的側(cè)面。因此,根據(jù)本發(fā)明,能夠制造可靠性高的配線襯底。
(2)在該配線襯底的制造方法中,在形成所述導(dǎo)電圖案的工序和所述電解鍍敷處理工序之間還可以包括形成將所述多個導(dǎo)線局部覆蓋的第二抗蝕劑層的工序。
(3)在該配線襯底的制造方法中,可以以所述抗蝕劑層露出的方式形成所述第二抗蝕劑層。
(4)在該配線襯底的制造方法中,可以以覆蓋所述抗蝕劑層的方式形成所述第二抗蝕劑層。
(5)在該配線襯底的制造方法中,可以將所述抗蝕劑層形成為比所述多個導(dǎo)線薄。


圖1是用于說明配線襯底的制造方法的圖;圖2是用于說明配線襯底的制造方法的圖;圖3是用于說明配線襯底的制造方法的圖;圖4是用于說明配線襯底的制造方法的圖;圖5是用于說明配線襯底的制造方法的圖;圖6是用于說明配線襯底的制造方法的圖;圖7是用于說明配線襯底的制造方法的圖;圖8是用于說明配線襯底的制造方法的圖;圖9是用于說明配線襯底的制造方法的變形例的圖;圖10是用于說明配線襯底的制造方法的變形例的圖;圖11是用于說明配線襯底的制造方法的變形例的圖。
圖中1-配線襯底;2-配線襯底;10-基座襯底;20-導(dǎo)電膜;22-抗蝕劑層;24-開口;30-導(dǎo)線;40-抗蝕劑層;42-第二抗蝕劑層;45-抗蝕劑層;50-導(dǎo)電圖案;52-重復(fù)部;54-露出部;60-鍍敷層;100-襯底。
具體實施例方式
以下,參照

適用了本發(fā)明的實施方式。不過,本發(fā)明并不限定于以下的實施方式。另外,本發(fā)明包括自由地組合了以下內(nèi)容而得的實施方式。
圖1(A)~圖8是用于說明適用了本發(fā)明的實施方式的配線襯底的制造方法的圖。
本實施方式的配線襯底的制造方法包括準(zhǔn)備如圖1(A)及圖1(B)所示的襯底100。還有,圖1(A)是襯底100的仰視圖。另外,圖1(B)是圖1(A)的IB-IB線剖面的局部放大圖。以下,說明襯底100的結(jié)構(gòu)。
如圖1(A)及圖1(B)所示,襯底100具有基座襯底10。基座襯底10的材料或結(jié)構(gòu)并不特別地限定,可以利用已公知的任一的襯底?;r底10的材料可以是有機系或無機系中的任一種,也可以是由它們的復(fù)合結(jié)構(gòu)構(gòu)成的材料。作為基座襯底10,例如可以使用由聚對苯二甲酸乙二酯(PET)構(gòu)成的襯底或薄膜。或者,作為基座襯底10也可以使用由聚酰亞胺樹脂構(gòu)成的撓性襯底。另外,作為由無機系的材料形成的基座襯底10,例如可以列舉陶瓷襯底或玻璃襯底。
如圖1(A)及圖(B)所示,襯底100具有在基座襯底10的表面上形成的導(dǎo)電膜20。導(dǎo)電膜20可以是單層的金屬層,也可以是多層的金屬層。導(dǎo)電膜20的材料并不特別地限定,例如可以利用Ti或Ti-W。
如圖1(A)及圖1(B)所示,襯底100具有在導(dǎo)電膜20上形成的多個導(dǎo)線30。導(dǎo)線30形成于導(dǎo)電膜20的表面。導(dǎo)線30的形成區(qū)域并不特別地限定,不過導(dǎo)線30可以形成為到達導(dǎo)電膜20的端部。導(dǎo)線30的結(jié)構(gòu)并不特別地限定。導(dǎo)線30可以由單層的金屬層形成,也可以由多層的金屬層形成。導(dǎo)線30的材料也并不特別地限定。導(dǎo)線30可以由銅(Cu)、鉻(Cr)、鎳(Ni)等金屬形成。
還有,襯底100還可以包括在基座襯底10的內(nèi)部形成的其他配線(未圖示)。
形成襯底100的方法并不特別地限定,不過以下參照圖2(A)~圖2(C)說明形成襯底100的方法的一例。
首先,如圖2(A)所示,在基座襯底10上形成導(dǎo)電膜20。導(dǎo)電膜20可以由單層形成,也可以由多層形成。導(dǎo)電膜20可以通過濺射形成。導(dǎo)電膜20可以由Ti或Ti-W形成?;蛘撸瑢?dǎo)電膜20可以通過在基座襯底10上貼附導(dǎo)電箔而形成。此時,導(dǎo)電箔可以直接貼附于基座襯底10上,也可以利用未圖示的膠粘劑而貼附于基座襯底10上。
然后,如圖2(B)所示,在導(dǎo)電膜20上形成抗蝕劑層22??刮g劑層22形成為局部覆蓋導(dǎo)電膜20。抗蝕劑層22可以具有使用于形成導(dǎo)線30的區(qū)域露出的開口24。即,抗蝕劑層22形成為(只)使用于形成導(dǎo)線30的區(qū)域露出。
然后,如圖2(C)所示,在導(dǎo)電膜20的從抗蝕劑層22露出的露出部(與開口24重疊的區(qū)域)形成導(dǎo)線30。導(dǎo)線30例如可以通過在開口24內(nèi)設(shè)置導(dǎo)電材料而形成。導(dǎo)線30例如也可以通過鍍敷處理(包括電解鍍敷及非電解鍍敷)而形成。導(dǎo)線30例如可以由Cu形成。還有,導(dǎo)線30可以只由單一的導(dǎo)電材料形成,也可以疊層多種導(dǎo)電材料而形成。
然后,可以通過除去抗蝕劑層22,形成如圖1(A)及圖1(B)所示的襯底100(導(dǎo)線30)。根據(jù)本方法,導(dǎo)線30的形狀由抗蝕劑層22的開口24的形狀限制。因此,根據(jù)本方法,能夠按設(shè)計的形狀形成導(dǎo)線30。
如圖3(A)及圖3(B)所示,本實施方式的配線襯底的制造方法包括形成抗蝕劑層40。抗蝕劑層40形成為將導(dǎo)電膜20上的相鄰的2個導(dǎo)線30之間的區(qū)域局部地覆蓋。另外,抗蝕劑層40形成為與相鄰的2個導(dǎo)線30接觸。換言之,在本工序中,可以說將局部地覆蓋導(dǎo)電膜20上的多個導(dǎo)線30之間的區(qū)域的抗蝕劑層40形成為與相鄰的2個導(dǎo)線30接觸。
在本實施方式中,如圖3(B)所示,抗蝕劑層40形成為使導(dǎo)線30的上面露出。另外,在本實施方式中,抗蝕劑層40形成為比導(dǎo)線30薄。即,在本實施方式中,抗蝕劑層40形成為使導(dǎo)線30的上面露出,且使導(dǎo)線30的側(cè)面局部地露出??刮g劑層40可以形成為導(dǎo)線30的一半以下的厚度?;蛘撸刮g劑層40可以形成為與導(dǎo)電膜20相同的厚度。
形成抗蝕劑層40的方法并不特別地限定。抗蝕劑層40例如可以通過涂敷樹脂材料并使其固化而形成。此時,抗蝕劑層40的厚度可以通過調(diào)整樹脂材料的量或粘度來控制。還有,設(shè)置樹脂材料的方法并不特別地限定,樹脂材料例如可以利用噴墨法設(shè)置。
抗蝕劑層40的形成區(qū)域并不特別地限定,如圖3(A)所示,抗蝕劑層40可以形成于導(dǎo)電膜20的端部。另外,抗蝕劑層40的大小也并不特別地限定,例如,抗蝕劑層40的寬度(沿導(dǎo)線30的方向的長度)可以形成為與導(dǎo)線30的寬度(大致)相同?;蛘?,抗蝕劑層40可以在相鄰的2個導(dǎo)線30之間形成為(大致)正方形。還有,抗蝕劑層40可以只形成于相鄰的導(dǎo)線30之間,不過也可以如圖3(A)所示形成在導(dǎo)線30的外側(cè)的區(qū)域。該情況下,可以說在各自的導(dǎo)線30的兩側(cè)形成抗蝕劑層40。
如圖4(A)~圖4(C)所示,本實施方式的配線襯底的制造方法包括形成導(dǎo)電圖案50,所述導(dǎo)電圖案50形成導(dǎo)電膜20的圖案且電連接多個導(dǎo)線30。在本工序中,通過除去導(dǎo)電膜20的從多個導(dǎo)線30及抗蝕劑層40露出的露出部,形成導(dǎo)電膜20的圖案(形成導(dǎo)電圖案50)。由此,如圖4(B)及4(C)所示,導(dǎo)電圖案50具有與導(dǎo)線30重疊的重復(fù)部52、和從導(dǎo)線30露出的露出部54。根據(jù)導(dǎo)電圖案50,如圖4(B)所示,露出部54通過與相鄰的2個重復(fù)部52接觸,使相鄰的2個導(dǎo)線30電連接。即,導(dǎo)電圖案50形成為電連接多個導(dǎo)線30。還有,露出部54可被稱為與抗蝕劑層40重疊的區(qū)域。
本實施方式的配線襯底的制造方法包括形成局部覆蓋多個導(dǎo)線30的第二抗蝕劑層42(參照圖5(A))。第二抗蝕劑層42形成為使導(dǎo)線30中用于與其他電子部件電連接的部分露出。導(dǎo)線30中從第二抗蝕劑層42露出的露出部也被稱為電連接部。還有,本工序在形成導(dǎo)電圖案50的工序之后進行。
在本實施方式的配線襯底的制造方法中,第二抗蝕劑層42避開抗蝕劑層40(使抗蝕劑層40露出)而形成(參照圖5(A))。此時,如圖5(A)所示,第二抗蝕劑層42可以與抗蝕劑層40留有間隔而形成,也可以與抗蝕劑層40鄰接而形成(未圖示)。其中,作為變形例,也可以將第二抗蝕劑層42形成為(完全)覆蓋抗蝕劑層40。該情況下,可以利用導(dǎo)線30的從第二抗蝕劑層42露出的露出部(電連接部),對導(dǎo)線30及導(dǎo)電圖案50實施電解鍍敷用的供電?;蛘?,作為其他變形例,也可以在不利用第二抗蝕劑層42的情況下進行后述的電解鍍敷處理工序。
本實施方式的配線襯底的制造方法包括經(jīng)由導(dǎo)電圖案50使電流在多個導(dǎo)線30中流動,從而對多個導(dǎo)線30進行鍍敷處理的電解鍍敷工序。根據(jù)本工序,如圖5(A)~圖5(C)所示,形成鍍敷層60。如圖5(B)~圖5(C)所示,鍍敷層60形成為將導(dǎo)線30的上面及側(cè)面的從抗蝕劑層40及第二抗蝕劑層42露出的露出部覆蓋。在本工序中,如圖5(C)所示,形成鍍敷層60,使其將導(dǎo)電圖案50(重復(fù)部52)的側(cè)面的從抗蝕劑層40及第二抗蝕劑層42露出的露出部覆蓋。鍍敷層60例如由Au形成。
在本實施方式的配線襯底的制造方法中,鍍敷層60通過電解鍍敷處理(電鍍處理)形成。在本工序中,經(jīng)由導(dǎo)電圖案50使電流在多個導(dǎo)線30中流動。如之前說明所述,導(dǎo)電圖案50與多個導(dǎo)線30電連接。因此,通過利用導(dǎo)電圖案50,能夠使電流一并在多個導(dǎo)線30中流動,從而能夠高效地制造配線襯底。在本工序中,可以使導(dǎo)電圖案50的一部分從抗蝕劑層40露出,利用該露出區(qū)域,對導(dǎo)電圖案50供電。
本實施方式的配線襯底的制造方法包括切斷導(dǎo)電圖案50,使多個導(dǎo)線30分別電絕緣(獨立)。例如,在本工序中,如圖6(A)及6(B)所示,可以完全除去導(dǎo)電圖案50中從導(dǎo)線30露出的露出部54。
本工序可以包括除去抗蝕劑層40的工序。例如,可以進行除去抗蝕劑層40使露出部54露出,然后切斷(除去)露出部54的工序。
本實施方式的配線襯底的制造方法還可以包括切斷基座襯底10的工序。即,可以通過沿如圖7(A)所示的虛線200切斷基座襯底10,制造如圖7(B)所示的配線襯底1。
如之前說明所述,根據(jù)本發(fā)明,利用導(dǎo)電圖案50,對多個導(dǎo)線30進行電解鍍敷處理。即,根據(jù)本發(fā)明,不需要用于使電流在多個導(dǎo)線30中流動的鍍敷導(dǎo)線。因此,根據(jù)本發(fā)明,可以利用小型的基座襯底制造配線襯底,能夠高效地制造配線襯底,并且能夠消除基座襯底的浪費,因此能夠降低配線襯底的制造成本。另外,根據(jù)本發(fā)明,能夠高效地制造將導(dǎo)線30的側(cè)面覆蓋的鍍敷層。因此,根據(jù)本發(fā)明,可以高效地制造可靠性高的配線襯底。
圖8表示作為具有以適用了本發(fā)明的實施方式的方法制造的配線襯底的電子設(shè)備的一例的顯示設(shè)備1000。顯示設(shè)備1000例如可以是液晶顯示設(shè)備或EL(Electrical Luminescence)顯示設(shè)備。
圖9是用于說明本實施方式的變形例的圖。
在本實施方式中,如圖9所示,以抗蝕劑層40及露出部54的一部分殘存的方式進行使多個導(dǎo)線30電絕緣的工序。例如,在本實施方式中,如圖9所示,可以只除去抗蝕劑層40及露出部54(導(dǎo)電圖案50)中從鍍敷層60露出的區(qū)域。由此,能夠制造導(dǎo)線30不露出、可靠性高的配線襯底。
圖10(A)~圖11(B)是用于說明本實施方式的其他變形例的圖。
本實施方式的配線襯底的制造方法包括在襯底100上形成抗蝕劑層45。如圖10(A)及圖10(B)所示,抗蝕劑層45形成為覆蓋導(dǎo)線30??刮g劑層45也可以形成為覆蓋導(dǎo)線30的端部。
本實施方式的配線襯底的制造方法包括在襯底100上形成第二抗蝕劑層42。第二抗蝕劑層42可以形成為使抗蝕劑層45露出,也可以形成為覆蓋抗蝕劑層45(未圖示)。
而且,如圖11(A)及圖11(B)所示,本實施方式的配線襯底的制造方法包括切斷基座襯底10。即,通過沿如圖11(A)所示的虛線300切斷基座襯底10,制造如圖11(B)所示的配線襯底2。
在本實施方式中,在切斷基座襯底10的工序中切斷導(dǎo)電圖案50,使多個導(dǎo)線30電絕緣(獨立)。詳細地說,在本實施方式的配線襯底的制造方法中,沿如圖11(A)所示的虛線300切斷基座襯底10。如圖11(A)所示,由虛線30圍住的區(qū)域是不包括抗蝕劑層45的區(qū)域。因此,通過沿虛線300切斷基座襯底10,能夠使多個導(dǎo)線30電絕緣。即,根據(jù)本實施方式,不需要用于使多個導(dǎo)線30電絕緣的工序,因此能夠進一步高效地制造配線襯底。還有,本工序可以說是完全除去導(dǎo)電圖案50的從導(dǎo)線30露出的露出部54的工序。
另外,根據(jù)本方法,能夠形成鍍敷層使其覆蓋導(dǎo)線30的上面及側(cè)面、及導(dǎo)電圖案50(重復(fù)部52)的側(cè)面。因此,根據(jù)本發(fā)明,能夠高效地制造可靠性高的配線襯底。
還有,本發(fā)明并不限定于所述實施方式,可以進行各種變形。例如,本發(fā)明包括與實施方式所說明的結(jié)構(gòu)實質(zhì)上相同的結(jié)構(gòu)(例如,功能、方法及結(jié)果相同的結(jié)構(gòu),或目的及效果相同的結(jié)構(gòu))。另外,本發(fā)明包括將不是實施方式所說明的結(jié)構(gòu)的本質(zhì)的部分進行置換而得到的結(jié)構(gòu)。另外,本發(fā)明包括可以起到與實施方式所說明的結(jié)構(gòu)相同的作用效果的結(jié)構(gòu)或可以實現(xiàn)相同的目的的結(jié)構(gòu)。另外,本發(fā)明包括在實施方式所說明的結(jié)構(gòu)上附加了公知技術(shù)而得到的結(jié)構(gòu)。
權(quán)利要求
1.一種配線襯底的制造方法,其包括準(zhǔn)備具有基座襯底、形成于所述基座襯底的表面上的導(dǎo)電膜及形成于所述導(dǎo)電膜上的多個導(dǎo)線的襯底的工序;形成將所述導(dǎo)電膜上的相鄰的2個所述導(dǎo)線之間的區(qū)域局部覆蓋的抗蝕劑層,使其與所述2個導(dǎo)線接觸的工序;形成導(dǎo)電圖案的工序,所述導(dǎo)電圖案通過除去所述導(dǎo)電膜的從所述多個導(dǎo)線及所述抗蝕劑層露出的露出部而形成所述導(dǎo)電膜的圖案,且所述導(dǎo)電圖案電連接所述多個導(dǎo)線;經(jīng)由所述導(dǎo)電圖案使電流在所述多個導(dǎo)線中流動,從而對所述多個導(dǎo)線進行鍍敷處理的電解鍍敷處理工序;切斷所述導(dǎo)電圖案,使所述多個導(dǎo)線分別電絕緣的工序。
2.如權(quán)利要求1所述的配線襯底的制造方法,其中,在形成所述導(dǎo)電圖案的工序和所述電解鍍敷處理工序之間還包括形成將所述多個導(dǎo)線局部覆蓋的第二抗蝕劑層的工序。
3.如權(quán)利要求2所述的配線襯底的制造方法,其中,以所述抗蝕劑層露出的方式形成所述第二抗蝕劑層。
4.如權(quán)利要求2所述的配線襯底的制造方法,其中,以覆蓋所述抗蝕劑層的方式形成所述第二抗蝕劑層。
5.如權(quán)利要求1至4中的任一項所述的配線襯底的制造方法,其中,將所述抗蝕劑層形成為比所述多個導(dǎo)線薄。
全文摘要
本發(fā)明提供一種低成本且高效地制造可靠性高的配線襯底的方法。配線襯底的制造方法包括準(zhǔn)備具有基座襯底(10)、形成于基座襯底(10)的表面上的導(dǎo)電膜(20)及形成于導(dǎo)電膜(20)上的多個導(dǎo)線(30)的襯底的工序;形成將導(dǎo)電膜(20)上的相鄰的2個導(dǎo)線(30)之間的區(qū)域局部覆蓋的抗蝕劑層(40),使其與2個導(dǎo)線(30)接觸的工序;形成導(dǎo)電圖案(50)的工序,該導(dǎo)電圖案(50)形成導(dǎo)電膜(20)的圖案且電連接多個導(dǎo)線(30);經(jīng)由導(dǎo)電圖案(50)使電流在多個導(dǎo)線(30)中流動,從而對導(dǎo)線(30)進行鍍敷處理的電解鍍敷處理工序;切斷導(dǎo)電圖案(50),使多個導(dǎo)線(30)分別電絕緣的工序。
文檔編號H05K3/02GK1983534SQ20061016373
公開日2007年6月20日 申請日期2006年12月4日 優(yōu)先權(quán)日2005年12月12日
發(fā)明者今井隆浩 申請人:精工愛普生株式會社
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