專利名稱：：電磁波吸收體的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及電磁波吸收體，特別是GHz帶用電磁波吸收體。技術(shù)背景近年來，電子機器的高速化處理在加速進展，LSI、微處理機等的IC的工作頻率急速上升，容易放射出不必要的噪聲。進而，在通信領(lǐng)域中利用下一代多媒體移動通信(2GHz)、無線LAN(230GHz)、使用光纖的高速通信網(wǎng)絡，在ITS(IntelligentTransportSystem)領(lǐng)域中利用ETS(自動收費系統(tǒng))中的5.8GHz、AHS(AdvancedCruise-AssistHighwaySystems,高級公路輔助導航系統(tǒng))中的76GHz等，可以預想，今后這樣的稱為GHz帶的高頻率的利用范圍將急速擴大。如果電磁波的頻率上升，噪聲容易被放射出來，另一方面，由于最近電子機器的低耗電化所致的噪聲容限降低，隨著電子機器的小型化、高密度化的趨勢所致的機器內(nèi)部的噪聲環(huán)境惡化，因而EMI(Electro-MagneticInterference)所致的誤運行成為問題。因此，為了4吏電子機器內(nèi)部的EMI降低，采取了在電子機器內(nèi)部中配置電磁波吸收體等對策。以往，作為GHz帶用電磁波吸收體，主要使用在橡膠、樹脂等上復合電絕緣性有機物和尖晶石結(jié)晶結(jié)構(gòu)的軟磁性金屬材料以及碳材料等的損耗材料而制成的片狀物。然而，尖晶石結(jié)晶結(jié)構(gòu)的軟磁性金屬氧化物材料的相對磁導率，按照蛇形(只氺一夕)的極限原則，在GHz帶中會急劇減少。因此，作為電磁波吸收體的極限頻率為數(shù)GH。另外，對于軟磁性金屬材料而言，效果和形狀磁各向異性的效果，可以將作為電磁波吸收體的極限^率增加到10GHz左右，但由于這樣做時的材料的重量大，不能制成輕的電磁波吸收體。另一方面，作為對應于毫米波領(lǐng)域的電磁波吸收體，以往以來有將炭黑粒子、碳纖維等的碳系材料分散于橡膠、樹脂等電絕緣性有機物中的電磁波吸收體。但是，作為電磁波吸收性能還不充分，期待開發(fā)出能夠在亳米波領(lǐng)域中使用的電磁波吸收特性優(yōu)異的電磁波吸收體。進而，在專利文獻l中，公開了含有導電性碳納米管粒子的電磁波吸收體，報告稱得到了-13dB(5GHz、厚0.105mm)、-23dB(5GHz、厚0.105mm)的衰減率。在專利文獻2中，公開了擔載有或內(nèi)包有堿、堿土類金屬、稀土類、第Vffl族金屬的碳納米管，報道稱含有20重量份的內(nèi)包有鐵的碳納米管的聚酯等復合體可以得到-28dB(16GHz、厚lmm)、-34dB(lOGHz、厚1.5mm)、-27dB(7GHz、厚2mm)的衰減率。專利文獻3中，公開了含有1~10重量份的直徑l~100nm、長50jLim以下的碳納米管的聚合物復合物，報告稱可以得到-37dB(9.5GHz、厚lmm)、-27dB(2.7GHz、厚0.8mm)、-30dB(2.1GHz、厚0.8mm)的衰減率。在專利文獻4中，報告稱通過纖維狀碳、納米碳層疊結(jié)構(gòu)體可以得到20~29dB的衰減量。另外，在專利文獻5中公開了通過用被覆樹脂的紙夾住含有纖維狀碳、納米碳管的碳材料并進行加熱加壓而制得的電磁波吸收體，報告稱導電層的厚度為9mm時，吸收60GHz的電磁波20~35dB。在專利文獻1中記載的電磁波吸收體是將石墨與樹脂幾乎等量地混合而成，不能維持樹脂的韌性等機械性質(zhì)。另外，將石墨的表面粗糙度制粗，成為表層脫落增加及表面導電性降低的原因。另外，專利文獻2的擔載技術(shù)極為困難，脫離的擔載物質(zhì)和碳納米管分別凝集，電磁波吸收能力降低。特別是由于金屬類是微小的，因而易被氧化，與此相伴，電磁波吸收能力會降低。這些脫離、氧化可以通過將該擔載物質(zhì)內(nèi)包于碳納米管中而得到解決，但其收率極低。接著，在專利文獻3中，電磁波吸收能力是通過含有1~10重量份的較高濃度的碳納米管來實現(xiàn)的，使得基質(zhì)的物性、特別是機械性質(zhì)會發(fā)生變化。另外，由于使用的碳納米管，衰減率會發(fā)生很大變化。在專利文獻4中記載的電磁波吸收體，在二層納米碳含有層之間必須有10nm左右的Ag、Cu、Au、Pt等的金屬薄膜，制造工序變得煩雜，成本變高。進而，對于專利文獻5中記載的物質(zhì)而言，通過將相當量的碳材料厚地成型來實現(xiàn)電磁波吸收能力。因此，電磁波吸收體的賦型性差，用途受到限制。專利文獻1:特開2005-11878號公報專利文獻2:特開2003-124011號7>才艮專利文獻3:特開2003-158395號/>才艮專利文獻4:特開2005-63994號z〉才艮專利文獻5:特開2004-327727號7>才艮
發(fā)明內(nèi)容因此，鑒于上述以往技術(shù)中的問題，本發(fā)明的課題是提供作為GHz帶用的有用的新型電磁波吸收體。另外，本發(fā)明的課^A提供如下的電磁波吸收體使用電磁波吸收量高的損耗材料，通過少量添加它就可以不損害基質(zhì)特性地發(fā)揮出電磁波吸收性，并且，其由賦型性高、制造成本低的復合體構(gòu)成。本發(fā)明人為解決上述課題進行了精心研究，結(jié)果發(fā)現(xiàn)，通過使用將顯示出負的磁阻效果的微細碳纖維較少量地分散配合于基質(zhì)中而成的復合體，可以解決上述課題，從而完成了本發(fā)明。即，解決上述課題的本發(fā)明的電磁波吸收體，其特征在于，在基質(zhì)中以整體的0.01~20質(zhì)量％的比例含有磁阻效果為負的微細碳纖維。在本發(fā)明的電磁波吸收體中，優(yōu)選在直到l特斯拉為止的外部磁場中，上述微細碳纖維的磁阻效果在至少直到298K為止的溫度時為負。本發(fā)明還示出，基質(zhì)含有有機聚合物的上述電磁波吸收體。本發(fā)明還示出，M含有無機材料的上述電磁波吸收體。進而本發(fā)明還示出如下的電磁波吸收體進一步配合有選自金屬微粒子、二氧化硅、碳酸鈣、碳酸鎂、炭黑、碳纖維、玻璃纖維以及它們的2種以上的混合物中的任一種填充材料。本發(fā)明的電磁波吸收體中所配合的微細碳纖維，由于對于GHz帶的電磁波顯示出高的損耗特性，因而含有其的復合體無論基質(zhì)為何物，都可以實現(xiàn)強的電磁波吸收。因此，這種復合體可以優(yōu)選作為計算機、通信機器、電磁波利用機器等的電磁波吸收體而使用。圖1為模式化地顯示強磁性地動作的微細碳纖維的微小區(qū)域中的磁矩狀態(tài)的圖，圖中，(a)為通常狀態(tài)，(b)為在某提高了的頻率的電磁波照射下的狀態(tài)。圖2為模式化地顯示呈金屬性導電性且為抗磁性物質(zhì)的微細碳纖維的微小區(qū)域中的磁矩狀態(tài)的圖，圖中，(a)為通常狀態(tài)，(b)為在某提高了的頻率的電磁波照射下的狀態(tài)。圖3為顯示本發(fā)明的電磁波吸收體中所用的微細碳纖維的一例在77K時由外部磁場所致的電阻率變化的圖。具體實施方式以下，基于優(yōu)選的實施方式，詳細說明本發(fā)明。為使本發(fā)明的說明容易理解，以下所示的實施方式示于本說明書中，但并不限定本發(fā)明的范圍。本發(fā)明的電磁波吸收體的特征為，在基質(zhì)中以整體的0.01~20質(zhì)量%的比例含有磁阻效果為負的微細碳纖維。在此，首先說明本發(fā)明的電磁波吸收體的作用。一般，電磁波吸收體大致分為電阻性、介電性、及強磁性物質(zhì)這3種。首先，與本發(fā)明中所用的微細碳纖維不同，呈金屬性導電性且為抗磁性物質(zhì)的微細碳纖維的微小區(qū)域中的磁矩，如圖2(a)模式化所示，采用隨機取向的反平行結(jié)合狀態(tài)。對該微細碳纖維照射將照射電磁波的頻率提高到GHz頻帶的電磁波e時，如圖2(b)所示，由于磁矩不采用反平行結(jié)合狀態(tài)(成為平行結(jié)合狀態(tài))，因此不形成電阻等效體，難以吸收特別是GHz帶的高頻率電磁波。另一方面，強磁性地動作的微細碳纖維的微小區(qū)域中的磁矩，如圖l(a)模式化所示，磁矩釆用平行結(jié)合狀態(tài)。在該狀態(tài)下，對于施加的達到某種程度大小的外部磁場，減少了電阻，因此磁矩不延遲于電磁波照射所致的磁場變動地平行結(jié)合而容易應答。但是，如果將照射電磁波的頻率提高，則變?yōu)檠舆t于磁場變動而進行應答，如圖1(b)所示，平行結(jié)合紊亂，成為隨機取向的反平行結(jié)合狀態(tài)，形成電阻等效體而使電阻值增加。然后隨著電阻值的增加而提高電磁波吸收效果。不過，如果由于照射電磁波的頻率變高，使得電阻值增加到某種程度以上而顯示出絕緣性，則其吸收性會降低。在此，"磁阻效果"(magnetoresistance)是指由于施加外部磁場而電阻率變動(增加)的現(xiàn)象，另外，還依賴于測定時的環(huán)境溫度。接著，強磁性地動作的微細碳纖維，其磁阻效果為負，其中的詳細機理還未闡明，認為是對于更低頻的波長范圍的照射電磁波，磁矩不延遲于電磁波照射所致的磁場變動地平行結(jié)合而應答，但認為至少對于GHz頻帶的照射電磁波而言，平行結(jié)合紊亂，成為隨機取向的反平行結(jié)合狀態(tài)而形成電阻等效體，從而使電阻值增加。即，明確了將上述那樣的磁阻效果為負的微細碳纖維作為損耗材料的復合體在GHz下顯示出強的電磁波吸收。一般而言，將微細碳纖維的外部磁場強度制大及將其溫度制高，則磁阻率增加，磁阻效果有顯示正值的傾向。因此，為了滿足作為電磁波吸收體所期望的性能，較理想的是在直到l特斯拉為止的外部磁場中，在至少直到298K為止的溫度時為負。磁阻效果為負的區(qū)域如果是不足1特斯拉的范圍，雖然不會不能作為電磁波吸收體而發(fā)揮功能，但是GHz頻帶下的吸收變?nèi)?，另外，磁阻效果變負的區(qū)域如果只是不足298K的溫度區(qū)域，則所得電磁波吸收體的常用溫度限定于顯示出負的磁阻效果的上限溫度，實用性降低了。另外，在微細碳纖維中的石墨結(jié)構(gòu)的缺陷是引起帶有自旋的傳導電子的散亂而使上述那樣的系統(tǒng)性的磁阻效果紊亂。將該缺陷的指標設(shè)為例如用拉曼分光分析法測定的1580cm"的峰(G帶)與1360cm"的峰(D帶)的信號強度比WlG時，該信號強度比優(yōu)選為0.2以下，更優(yōu)選0.1以下。具有顯示出比此高的值的缺陷的微細碳纖維，有分別使電磁波吸收效果和吸收頻率頻帶降低的可能。根據(jù)拉曼分光分析，在大的單晶石墨中只出現(xiàn)1580cm-1的剩G帶)。由于結(jié)晶是有限的微小尺寸和晶格缺陷，會出現(xiàn)1360cn^的峰(D帶)。因此，D帶和G帶的強度比(R=I136。/I158。=ID/IG)為上述那樣的規(guī)定值以下時，石墨烯片中的缺陷量可以說是少的。以負的磁阻效果形成的電阻性等效體，通過在廣泛區(qū)域中形成導電通路來增加電磁波吸收能力。為了使微細碳纖維在更低的濃度下形成導電通路，微細碳纖維的直徑與長徑比(長/直徑)分別優(yōu)選15100nm，50以上。這是由于微細碳纖維的直徑與長徑比超過了該范圍時，為了形成導電通路，必須要更多的微細碳纖維，有可能損害基質(zhì)本來的性質(zhì)的緣故。具有這樣的特性的微細碳纖維，例如可以按以下方式調(diào)制。基本而言，以下的方法是制造優(yōu)選的微細碳纖維的優(yōu)選方法將過渡金屬超微粒子作為催化劑，用CVD法將烴等有機化合物化學熱分解，將作為生成爐內(nèi)的微細碳纖維核、中間生成物及生成物的纖維的滯留時間制短，得到纖維(以下，稱為中間體或第1中間體)，將其進一步高溫熱處理。(1)合成方法可以使用通常進行的烴等的CVD法進行合成，此時A)將由物質(zhì)收支而計算的碳的爐內(nèi)滯留時間設(shè)為IO秒以下。B)為了使反應速度大，將生成爐內(nèi)的溫度設(shè)為800~1300"C。C)將催化劑和原料碳化合物預熱到300X:以上，以氣體狀投入到生成爐內(nèi)。D)將生成爐內(nèi)的氣體中的碳濃度控制在某一定值(20容量％)以下。(2)高溫熱處理工序為了高效率地制造本發(fā)明中使用的微細碳纖維，用適當?shù)姆椒▽⑼ㄟ^上述方法得到的中間體(第1中間體)進行2400~3000"C的高溫熱處理。這是因為，中間體(第1中間體)的纖維由于其獨特工序吸附了大量的爛，為了工業(yè)上利用，必須要分離該烴。因此，在第l加熱爐內(nèi)以800~1200匸的溫度進行熱處理來分離不需要的烴。進而，由于僅憑烴分離工序不能充分修復石墨烯片的缺陷，因而在第2加熱爐內(nèi)用比合成溫度高的處理溫度不通過壓縮成形而直接進行粉體的熱處理。在24003000X:的高溫熱處理中，可以適用以往所進行的工序。作為其條件A)在8001200t!的溫度下將烴與上述CVD法得到的纖維分離B)作為下一個階段，在2400~3000"C的溫度下進行高溫熱處理。此時，為了保護物質(zhì)的結(jié)構(gòu)，可以在惰性氣體環(huán)境中添加還原氣體及微量的一氧化碳氣體。作為原料有機化合物，可以使用苯、甲苯、二曱苯等烴、一氧化碳(CO)、乙醇等醇類等。對于環(huán)境氣體，可以使用氬、氦、氪等惰性氣體、氫。另外，作為催化劑，使用鐵、鈷、鉬等過渡金屬或二茂鐵、乙酸金屬鹽等的過渡金屬化合物與疏或噻吩、硫化鐵等硫化合物的混合物。具體而言，將過渡金屬或過渡金屬化合物作為催化劑，在使原料供給和排出進行循環(huán)的系統(tǒng)中，將原料烴與環(huán)境氣體一起加熱到30or:以上進行氣化后投入生成爐中，在8ooi3oor;,優(yōu)選ioooi3oox:范圍的一定溫度下進行加熱，通過熱分解原料烴而得到。通過添加規(guī)定量的硫或疏化合物，可以控制熱分解時的催化活性，而得到石墨烯結(jié)構(gòu)中缺陷少的微細碳纖維。進而，對得到的微細碳纖維(中間體或第i中間體)不進行壓縮成形而直接以粉體在1段或2段下進行高溫熱處理。以i段進行時，將中間體與環(huán)境氣體一起送入熱處理爐，首先加熱到800~1200r范圍的溫度(優(yōu)選一定溫度)將未反應原料及焦油成分等揮發(fā)成分氣化除去，其后在2400~30001C范圍的溫度(優(yōu)選一定的溫度)使纖維的缺陷減少，得到顯示出負的磁阻效果、作為電磁波吸收用途而優(yōu)選的成為損耗材料的微細碳纖維。用2段進行高溫熱處理時，將第1中間體與環(huán)境氣體一起送入到加熱保持在800~1200n范圍溫度(優(yōu)選一定溫度)的第1熱處理爐中，得到將未反應原料、焦油成分等揮發(fā)成分氣化除去的微細碳纖維(以下，稱為第2中間體)。接著，將第2中間體與環(huán)境氣體一起送入到第2的加熱保持在2400~3000"C范圍的溫度(優(yōu)選一定的溫度)的第2熱處理爐中，使纖維的缺陷減少，得到顯示出負的磁阻效果、作為電磁波吸收用途而優(yōu)選的成為損耗材料的微細碳纖維。通過使上述微細碳纖維復合于有機聚合物、無機材料等中而在這些基質(zhì)中形成網(wǎng)絡，提供本發(fā)明所述的電磁波吸收體。無論使用任何的基質(zhì)，從介電率低的材料到金屬，通過使用上述那樣的微細碳纖維，賦予了良好的電磁波吸收性，特別是對GHz頻帶電磁波的良好的電磁波吸收特性。在調(diào)制本發(fā)明的電磁波吸收體時，混合于基質(zhì)中的微細碳纖維的比例受所使用的基質(zhì)的種類、電磁波吸收體的適用用途等影響，為電磁波吸收體整體的約0.01質(zhì)量％~20質(zhì)量％,更優(yōu)選5質(zhì)量％以下。從不損害基質(zhì)特性而使之復合的觀點考慮，進一步優(yōu)選1質(zhì)量％以下。本發(fā)明的電磁波吸收體的作為損耗材料的微細碳纖維的含量即使為這樣的極低，由于在基質(zhì)內(nèi)容易形成網(wǎng)絡、有良好的分散性，因而可以充分發(fā)揮電磁波吸收性能。作為基質(zhì)所使用的有機聚合物，沒有特別的限制，可以例舉出聚丙烯、聚乙烯、聚苯乙烯、聚氯乙烯、聚縮醛、聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚醋酸乙烯酯、聚酰胺、聚酰胺酰亞胺、聚醚酰亞胺、聚醚醚酮、聚乙烯醇、聚苯醚、聚(甲基)丙烯酸酯及液晶聚合物等各種熱塑性樹脂；環(huán)氧樹脂、乙烯酯樹脂、酴醛樹脂、不飽和聚酯樹脂、呋喃樹脂、酰亞胺樹脂、聚氨酯樹脂、三聚氰胺樹脂、硅酮樹脂及脲醛樹脂等各種熱固性樹脂；天然橡膠、苯乙烯丁二烯橡膠(SBR)、丁二烯橡膠(BR)、異戊烯橡膠(IR)、乙烯丙烯橡膠(EPDM)、丁腈橡膠(NBR)、氯丁二烯橡膠(CR)、丁基橡膠(IIR)、聚氨酯橡膠、硅酮橡膠、氟橡膠、丙烯酸橡膠(ACM)、表氯醇橡膠、乙烯丙烯酸橡膠、降冰片烯橡膠及熱塑性彈性體等各種彈性體。另外，有機聚合物也可以是粘合劑、纖維、涂料、油墨等各種組合物的形態(tài)。即，基質(zhì)也可以是例如環(huán)氧類粘合劑、丙烯酸類粘合劑、聚氨酯類粘合劑、酚醛類粘合劑、聚酯類粘合劑、氯乙烯類粘合劑、脲醛類粘合劑、三聚氰胺類粘合劑、烯烴類粘合劑、乙酸乙烯酯類粘合劑、熱熔類粘合劑、氰基丙烯酸酯類粘合劑、橡膠類粘合劑及纖維素類粘合劑等粘合劑；丙烯酸類纖維、乙酸纖維、芳族聚酰胺纖維、尼龍纖維、諾沃洛伊德(Novoloid)纖維、纖維素纖維、粘膠纖維、聚偏氯乙烯纖維、維尼綸纖維、氟纖維、聚縮醛纖維、聚氨酯纖維、聚酯纖維、聚乙烯纖維、聚氯乙烯纖維及聚丙烯纖維等纖維；進而可以是酚醛樹脂類涂料、醇酸樹脂類涂料、環(huán)氧樹脂類涂料、丙烯酸樹脂類涂料、不飽和聚酯類涂料、聚氨酯類涂料、硅酮類涂料、氟樹脂類涂料、合成樹脂乳膠類涂料等涂料。作為無機材料，可以例舉出各種金屬、陶瓷或無機氧化物等。作為優(yōu)選的具體例，可以列舉出鋁、鎂、鉛、銅、鎢、鈦、鈮、鉿、鋇以及它們的合金及混合物等金屬、碳碳復合物等碳材料、玻璃、玻璃纖維、玻璃板及其他的成形玻璃、硅酸鹽陶瓷以及其他的耐火性陶瓷，例如氧化鋁、碳化硅、氧化鎂、氮化硅及氮化硼。進而，在本發(fā)明的電磁波吸收體中，為了適當改質(zhì)電磁波吸收材料，在含有上述微細碳纖維的基礎(chǔ)上還可以含有其他的充填劑，作為這樣的充填劑，可以例舉出金屬微粒子、二氧化硅、碳酸鈣、碳酸鎂、炭黑等微粒子、玻璃纖維、碳纖維等，可以使用它們中的一種或二種以上組合使用。有無這些填充劑，可以改變機械特性、熱特性等，對電磁波吸收特性幾乎沒有影響。復合化可以根據(jù)使用的基質(zhì)而使用最適當?shù)姆椒?，例如，有機聚合物時可以使用熔融混煉、向熱固性樹脂組合物中的分散，向底漆(lacquer)的分散等，在為無機材料時可以使用粉體煅燒、溶膠凝膠法、向熔融金屬的分散等公知的方法來進行。無論是何種情況，通過微細碳纖維在基質(zhì)中良好地分散，形成網(wǎng)絡，可以顯示出高的電磁波吸收性能。如此得到的本發(fā)明的電磁波吸收材料，加工成膜、片及各種機器的機體成型品等，通過在適當?shù)胤绞褂每梢燥@著減輕電磁波所致的影響。實施例以下，根據(jù)實施例更具體地說明本發(fā)明，但以下的實施例是為了容易地理解本發(fā)明而例示的，本發(fā)明并不受這些實施例的任何限定。以下的實施例和比較例中記載的特性的測定方法是用如下方法測定的。<拉曼分光分析>使用HORIBAJOBINYVON制LabRam800，用氬激光器的514nm的波長進行測定。<磁阻>在樹脂片上以厚度、寬度均為約lmm、長約50mm的直線狀的方式涂布碳納米管(2%,或5%)與粘合劑的混合物。將該樣品放入磁場測定裝置中，從各種方向施加磁通量，測定77K和298K時樣品的電阻。<電磁波吸收特性>使用具有R/SSMR20型信號發(fā)生器、AdvantestTR-17302型Chamber,HP8449B型前置放大器(preamplifier)、及AgilentE7405型光鐠分析器的裝置構(gòu)成，用Advantest法進行測定。參考例1微細碳纖維的合成用CVD法，將甲苯作為原料合成微細碳纖維。使用二茂鐵及噻吩的混合物作為催化劑，在氫氣的還原環(huán)境下進行。將甲苯、催化劑與氫氣一起加熱到375X:，供給到生成爐，在1200X:下滯留8秒鐘使其反應。用分離器(separater)分離環(huán)境氣體，進行循環(huán)使用。供給氣體中的碳氫濃度為9容量％。得到的微細碳纖維升溫至1200E并保持30分鐘，由此進行烴分離處理，進而在2500匸下進行高溫熱處理。得到的微細碳纖維的直徑為10~60nm、長徑比250~2000、用拉曼分光分析求出的ID/Ic比值為0.05。該微細碳纖維的磁阻，如表1和圖3所示，隨著磁通量密度上升，磁阻顯示為負值，77K與298K的電阻率比為正。[表1<table>tableseeoriginaldocumentpage13</column></row><table>參考例2將反應時的滯留時間設(shè)為12秒，與參考例1同樣地合成碳納米管。熱處理后的碳納米管的直徑為40卯nm、長徑比為50~300、拉曼分光分析求出的WlG比值為0.16。微細碳纖維的磁阻隨著磁通量密度的上升，磁阻顯示為負值，77K與298K的電阻率比為正。實施例1在環(huán)氧樹脂(ADEKARESIN、旭電化工業(yè)(林)制)、固化劑(ADEKAHARDENER、旭電化工業(yè)(林)制)中混合0.2質(zhì)量％的參考例1中得到的微細碳纖維，將得到的均勻組合物在加壓條件下，從室溫到120"C用4小時使其固化，得到厚度為2mm的板狀復合體。如表2顯示的電磁波衰減可知，該復合體可以優(yōu)選作為電磁波吸收材料而使用。實施例2在具有雙軸螺桿的混煉機內(nèi)向在260X:溶解的聚碳酸酯中均勻混合20質(zhì)量％的參考例2所得的微細碳纖維。通過注射成型在260"C將得到的復合體成型為厚2mm的板。如表2所示的電磁波衰減可知，該成型體可以優(yōu)選作為電磁波吸收材料使用。實施例3將四乙氧基硅烷100g、乙醇50ml、水50ml、參考例l得到的微細碳纖維0.58g及0.05N鹽酸lml的混合物在40C攪拌12小時。將得到的粘稠液體流延于玻璃模具中并在6ox:使其干燥,將得到的固體成分在Ar氣氛下一邊加壓一邊在550t:加熱12小時，得到玻璃板狀平板。如表2所示的電磁波衰減可知，該玻璃狀平板可以優(yōu)選作為電磁波吸收材料使用。實施例4在環(huán)氧樹脂(ADEKARESIN、旭電化工業(yè)(株)制)、固化劑(ADEKAHARDENER、旭電化工業(yè)(林)制)中混合1質(zhì)量％的參考例1中得到的微細碳纖維以及5質(zhì)量％的平均粒徑為1.5jum的鎳粒子，將得到的均勻組合物在加壓條件下，從室溫到120X:用4小時使其固化，得到厚度為2mm的板狀復合體。如表2顯示的電磁波衰減可知，該復合體可以優(yōu)選作為電磁波吸收材料而使用。實施例5~6使用參考例2得到的微細碳纖維，以表2所示的組成分別通過熔融、或煅燒來調(diào)制復合體。如表2顯示的電磁波衰減可知，這些復合體可以優(yōu)選作為電磁波吸收材料而使用。[表2]<table>tableseeoriginaldocumentpage14</column></row><table>權(quán)利要求1.電磁波吸收體，其特征在于，在基質(zhì)中以整體的0.01～20質(zhì)量％的比例含有磁阻效果為負的微細碳纖維。全文摘要電磁波吸收體，其特征在于，在基質(zhì)中以整體的0.01～20質(zhì)量％的比例含有磁阻效果為負的微細碳纖維。本發(fā)明提供作為GHz帶用的有用的電磁波吸收體使用電磁波吸收量高的損耗材料，通過少量添加它就可以不損害基質(zhì)特性地發(fā)揮出電磁波吸收性，并且，其由賦型性高、制造成本低的復合體構(gòu)成。文檔編號H05K9/00GK101228814SQ20068002724公開日2008年7月23日申請日期2006年2月28日優(yōu)先權(quán)日2005年7月29日發(fā)明者大久保毅,海下一德,遠藤守信申請人:株式會社物產(chǎn)納米技術(shù)研究所;三井物產(chǎn)株式會社