專利名稱：電磁干擾屏蔽裝置及相關(guān)制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及用于使印刷電路板上的部件免受電磁干擾(EMI)謝頻 干擾(RFI)的多片式屏蔽裝置。
背景技術(shù)：
電子設(shè)備可能包括安裝在基板上的易受電磁千擾(EMI)和射頻干 擾(RFI)的電部件和電路。這樣的EMI/RFI干擾可能源自電子設(shè)備內(nèi)的 內(nèi)源或者源自外源。干擾可致使重要信號(hào)衰減或者完全喪失，使得電子 設(shè)備效率低或不能工作。因此，為了正常工作，電路(有時(shí)稱為射頻模 塊或收發(fā)器電路)應(yīng)當(dāng)包含EMI/RFI屏蔽裝置。該屏蔽裝置不僅降低來 自外源的干擾，而且降低來自模塊內(nèi)的各種功能塊的干擾。因此，通常利用被焊接或用其他方式附接到印刷電路板(PCB)上 的屏蔽裝置來屏蔽PCB的電子電路或部件，這增大了 PCB的整體尺寸。 然而，為了維修或更換被覆蓋的部件可能需要去除焊接的屏蔽裝置，這 可能是一項(xiàng)昂貴且費(fèi)時(shí)的工作，甚至有可能損壞PCB。發(fā)明內(nèi)容根據(jù)一個(gè)方面，本發(fā)明提供一種EMI屏蔽裝置。在一個(gè)具體實(shí)施方 式中，所述EMI屏蔽裝置大體上包括框架和罩。所述框架包括周壁，所 述周壁均具有至少一個(gè)形成外側(cè)壁和內(nèi)側(cè)壁的彎折部。所述罩包括蓋部 和從該蓋部向下延伸的多個(gè)邊緣部。該屏蔽裝置包括至少一個(gè)凹坑，所 述凹坑構(gòu)造成以接合方式接收在至少一個(gè)開口內(nèi)，用于將所述罩可釋放 地保持至所述框架。根據(jù)另一方面，本發(fā)明提供一種制造EMI屏蔽裝置的方法。在一個(gè) 示例性實(shí)施方式中，該方法大體上包括在單件材料片中壓印框架和罩的平坦圖案局部輪廓。所述框架的輪廓包括具有至少一個(gè)凹坑或開口。所 述罩的輪廓包括具有至少一個(gè)所述凹坑和所述幵口中的另一種的多個(gè)邊 緣部。所述罩的輪廓布置在大致限定在所述框架的周壁之間的區(qū)域內(nèi)。 該方法還包括在所述框架的至少一個(gè)周壁中形成至少一個(gè)彎折部，從而 為所述至少一個(gè)周壁提供外側(cè)壁和內(nèi)側(cè)壁，使得所述內(nèi)側(cè)壁包括這樣的 所述凹坑和所述開口中的所述至少一種，其彎折在所述罩的所述凹坑和 所述開口中的另一種的所述至少一個(gè)上并與其接合。該方法還包括將所 述框架的周壁和所述罩的邊緣部彎曲成大致垂直于所述罩，并進(jìn)行壓印 以移除使所述框架與所述罩相連的剩余材料，從而形成兩個(gè)可分幵的框 架件和罩件，借此通過所述凹坑與所述開口的接合而使所述罩可釋放地 保持至所述框架。在另一實(shí)施方式中， 一種制造EMI屏蔽裝置的方法大體上包括在單件材料片中壓印框架和罩的平坦圖案局部輪廓。所述框架的輪廓包括其 內(nèi)均具有至少一個(gè)開口的周壁。所述罩的輪廓包括其內(nèi)均形成有至少一 個(gè)凹坑的邊緣部。所述罩的輪廓布置在大致限定在所述框架的周壁內(nèi)的 區(qū)域內(nèi)。該方法還包括在所述框架的周壁中形成彎部，從而形成至少一 個(gè)大致垂直于所述周壁的突起表面，并在所述框架的周壁中形成彎折部， 從而為所述周壁提供外側(cè)壁和內(nèi)側(cè)壁，使得所述內(nèi)側(cè)壁包括彎折在所述 罩的邊緣部的所述凹坑上并與其接合的所述開口。該方法還包括將所述 框架的周壁和所述罩的邊緣部彎曲成大致垂直于所述罩，并進(jìn)行壓印以 移除使所述框架與所述罩相連的剩余材料，從而形成兩個(gè)可分幵的框架 件和罩件，借此通過所述凹坑與所述開口的接合而使所述罩可釋放地保 持至所述框架。在另一實(shí)施方式中， 一種制造EMI屏蔽裝置的方法大體上包括使坯 料的外部大致向內(nèi)成形約180度，從而形成所述框架的外側(cè)壁和內(nèi)側(cè)壁， 并使所述框架的內(nèi)側(cè)壁的上部向外成形約90度，從而形成大致垂直于所 述框架的內(nèi)側(cè)壁的表面。該方法還包括使所述框架的內(nèi)側(cè)壁和外側(cè)壁以 及所述坯料的限定所述罩的邊緣部的部分向內(nèi)成形約90度，并切斷所述 坯料的連接所述框架和所述罩的剩余材料，從而形成兩個(gè)可分開的框架件和罩件。從以下提供的詳細(xì)描述將會(huì)清楚本發(fā)明的其他應(yīng)用范圍和方面。應(yīng) 當(dāng)理解詳細(xì)描述和具體實(shí)施例盡管表示本發(fā)明的示例性實(shí)施方式，但是 其僅旨在進(jìn)行說明而不是要限制本發(fā)明的范圍。


從以下詳細(xì)描述以及附圖將會(huì)更充分地理解本發(fā)明，其中 圖1是根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施方式的包括框架和示出為組裝到框架上 的罩的示例性EMI屏蔽裝置的立體圖；圖2是根據(jù)本發(fā)明另一示例性實(shí)施方式的EMI屏蔽裝置的分解立體圖；圖3是根據(jù)本發(fā)明另一示例性實(shí)施方式的包括框架和示出為組裝到 框架上的罩的EMI屏蔽裝置的立體圖；圖4是包括平坦圖案局部輪廓的坯料的平面圖，其可用于制造在圖 3示出的根據(jù)本發(fā)明一個(gè)示例性實(shí)施方式的EMI屏蔽裝置；圖5是圖3所示的EMI屏蔽裝置的剖視圖；圖6是根據(jù)本發(fā)明另一示例性實(shí)施方式的EMI屏蔽裝置的分解立體圖；圖7是圖7所示的EMI屏蔽裝置的仰視分解立體圖；圖8是圖6所示的EMI屏蔽裝置的立體圖，且罩示出為組裝到框架上；圖9是圖8所示的EMI屏蔽裝置的俯視圖； 圖10是圖8所示的EMI屏蔽裝置的前側(cè)視圖； 圖11是圖8所示的EMI屏蔽裝置的端視圖；圖12是沿圖9中的線12-12剖取的EMI屏蔽裝置的局部剖視圖；以及圖13是包括平坦圖案局部輪廓的坯料的平面圖，其可用于制造在圖 6至圖12示出的根據(jù)本發(fā)明一個(gè)示例性實(shí)施方式的EMI屏蔽裝置。
具體實(shí)施方式
示例性實(shí)施方式的以下描述本質(zhì)上僅僅是示例性的，并且決不旨在 限制本發(fā)明、其用途或者使用。根據(jù)一個(gè)方面，本發(fā)明提供EMI屏蔽裝置。在一個(gè)具體實(shí)施方式
中， 該EMI屏蔽裝置大體上包括框架和罩。所述框架包括周壁，所述周壁均 具有至少一個(gè)形成外側(cè)壁和內(nèi)側(cè)壁的彎折部。所述罩包括蓋部和從該蓋 部向下延伸的多個(gè)邊緣部。該屏蔽裝置包括至少一個(gè)凹坑，該凹坑構(gòu)造 成以接合方式接收在至少一個(gè)開口中，以可釋放地將罩保持到框架上。根據(jù)另一方面，本發(fā)明提供制造EMI屏蔽裝置的方法。在一個(gè)示例 性實(shí)施方式中，該方法大體上包括在單件材料片中壓印所述框架和所述 罩的平坦圖案局部輪廓。所述框架的輪廓包括具有至少一個(gè)凹坑或開口。 所述罩的輪廓包括具有至少一個(gè)所述凹坑和所述開口中的另一種的多個(gè) 邊緣部。所述罩的輪廓布置在大致限定在所述框架的周壁之間的區(qū)域內(nèi)。 該方法還包括在所述框架的至少一個(gè)周壁中形成至少一個(gè)彎折部，從而 為所述至少一個(gè)周壁提供外側(cè)壁和內(nèi)側(cè)壁，使得所述內(nèi)側(cè)壁包括這樣的 所述凹坑和所述開口中的所述至少一種，其彎折在所述罩的所述凹坑和 所述開口中的另一種的所述至少一個(gè)上并與其接合。該方法還包括將所 述框架的周壁和所述罩的邊緣部彎曲成大致垂直于所述罩，并進(jìn)行壓印 以移除使所述框架與所述罩相連的剩余材料，從而形成兩個(gè)可分開的框 架件和罩件，借此通過所述凹坑與所述開口的接合而使所述罩可釋放地 保持至所述框架。在另一實(shí)施方式中， 一種制造EMI屏蔽裝置的方法大體上包括在單 件材料片中壓印框架和罩的平坦圖案局部輪廓。所述框架的輪廓包括其 內(nèi)均具有至少一個(gè)開口的周壁。所述罩的輪廓包括其內(nèi)均形成有至少一 個(gè)凹坑的邊緣部。所述罩的輪廓布置在大致限定在所述框架的周壁內(nèi)的 區(qū)域內(nèi)。該方法還包括在所述框架的周壁中形成彎部，從而形成至少一 個(gè)大致垂直于所述周壁的突起表面，并在所述框架的周壁中形成彎折部， 從而為所述周壁提供外側(cè)壁和內(nèi)側(cè)壁，使得所述內(nèi)側(cè)壁包括彎折在所述 罩的邊緣部的所述凹坑上并與其接合的所述開口。該方法還包括將所述框架的周壁和所述罩的邊緣部彎曲成大致垂直于所述罩，并進(jìn)行壓印以 移除使所述框架與所述罩相連的剩余材料，從而形成兩個(gè)可分開的框架 件和罩件，借此通過所述凹坑與所述開口的接合而使所述罩可釋放地保 持至所述框架。在另一實(shí)施方式中， 一種制造EMI屏蔽裝置的方法大體上包括使所 述坯料的外部大致向內(nèi)成形約180度，從而形成框架的外側(cè)壁和內(nèi)側(cè)壁， 并使所述框架的內(nèi)側(cè)壁的上部向外成形約90度，從而形成大致垂直于所 述框架的內(nèi)側(cè)壁的表面。該方法還包括使所述框架的內(nèi)側(cè)壁和外側(cè)壁以 及所述坯料的限定所述罩的邊緣部的部分向內(nèi)成形約90度，并切斷所述 坯料的連接所述框架和所述罩的剩余材料，從而形成兩個(gè)可分開的框架 件和罩件。其他方面包括這樣的屏蔽裝置的使用方法以及這樣的屏蔽裝置的制 造方法。進(jìn)一步的方面涉及包括框架、罩的這樣的屏蔽裝置的子部件以 及制造這些子部件的方法。本發(fā)明的任一方面都可獨(dú)立使用或者與本發(fā) 明的其他方面中的任一方面或多個(gè)方面組合使用。圖1示出了根據(jù)本發(fā)明原理的EMI屏蔽裝置的示例性實(shí)施方式。如 圖1所示，EMI屏蔽裝置20包括框架22和可移除的罩32。罩32組裝到 框架22上，但可如這里所述容易地移除。框架22包括周壁24。各壁24包括至少一個(gè)彎折部26，彎折部26 為各周壁24提供了外側(cè)壁27和內(nèi)側(cè)壁28。同時(shí)圖1所示的框架22包括 三個(gè)周壁24，從而呈大致三角形結(jié)構(gòu)，其他實(shí)施方式可包括具有多于或 少于三個(gè)的周壁并且/或者呈非三角形結(jié)構(gòu)(例如，矩形、圓形等)周壁 的框架。例如，圖2示出了 EMI屏蔽裝置120，其包括具有布置成大致 矩形結(jié)構(gòu)的四個(gè)周壁124的框架122。繼續(xù)參照?qǐng)D1，框架的各個(gè)內(nèi)側(cè)壁28包括用于接收罩32的對(duì)應(yīng)凹 坑40的開口。在該具體實(shí)施方式
中，框架的各個(gè)內(nèi)側(cè)壁28包括五個(gè)圓 形通孔?？蛇x實(shí)施方式在框架的各個(gè)內(nèi)側(cè)壁中包括多于或少于五個(gè)的開 口 (在某些情況下沒有開口)，以及/或者包括不完全延伸貫通內(nèi)側(cè)壁的開 口。再者，框架的各個(gè)內(nèi)側(cè)壁不需包括與框架的其他內(nèi)側(cè)壁數(shù)量相同的開口。在此外的其他實(shí)施方式中，框架內(nèi)側(cè)壁中的一個(gè)或多個(gè)開口可構(gòu) 造成非圓形形狀，例如相對(duì)長圓的開口、槽、凹口、孑L、凹槽、矩形開 口等。屏蔽裝置20還包括可移除地安裝到框架22上的罩32。罩32包括 蓋部34和從蓋部34向下延伸的邊緣部36。邊緣部36包括構(gòu)造成以接合 方式接收在框架的內(nèi)側(cè)壁28的開口中的凹坑、止動(dòng)件或突起40。在圖1 所示的示例性實(shí)施方式中，罩的各個(gè)邊緣部36包括五個(gè)構(gòu)造成以接合方 式接收在框架的內(nèi)側(cè)壁28的對(duì)應(yīng)開口中的凹坑40?？蛇x的是，其他實(shí)施 方式可包括在罩的各個(gè)邊緣部上具有多于或少于五個(gè)的凹坑(在某些情 況下沒有凹坑)的罩。再者，罩的各個(gè)邊緣部不需包括與罩的其他邊緣 部數(shù)量相同的凹坑。在此外的其他實(shí)施方式中， 一個(gè)或多個(gè)的凹坑可以 以接合方式接收在框架內(nèi)側(cè)壁中的非圓形通孔的開口 (例如，相對(duì)較長 的開口或槽)中。屏蔽裝置20及其凹坑40構(gòu)造成(例如，成形、設(shè)定尺寸并在邊緣 部36上相互間隔開)使得凹坑40可在框架的內(nèi)側(cè)壁28上滑動(dòng)以與框架 的內(nèi)側(cè)壁28的開口接合。在一個(gè)示例性實(shí)施方式中，當(dāng)凹坑40在框架 的內(nèi)側(cè)壁28上滑動(dòng)以與開口接合時(shí)，罩的邊緣部36可向外撓曲并且/或 者框架的周壁24可向內(nèi)撓曲。在該示例性方式中，罩32可因而通過凹 坑40在框架的內(nèi)側(cè)壁28的開口中的接合而可釋放地保持至框架22。這 于是提供了具有這樣的罩32的EMI屏蔽裝置20，該罩32可容易地從框 架22移除以例如允許觸及罩32下方的部件。可隨后將罩32重新安裝至 框架22，或者可將新的罩32組裝到框架22上。因此，本發(fā)明的各種實(shí) 施方式通過提供在需要或期望進(jìn)行維修作業(yè)時(shí)容易打開的屏蔽裝置，從 而可有助于避免與焊接的屏蔽裝置有關(guān)的可及性問題。在各種實(shí)施方式中，罩32和凹坑40可一體地或整體地形成為單體 部件。在一個(gè)示例性實(shí)施中，將凹坑40壓印到罩32中。也可利用除壓 印之外的其他合適的制造過程將罩和凹坑一體地形成為單體部件。盡管凹坑40可與罩32 —體地形成，但是不要求如此。在其他實(shí)施 方式中，凹坑40可包括例如通過其他合適方法之一的焊接單獨(dú)接合至罩32 (或者可視情況接合至框架22)的分體部件。雖然圖1示出了僅包括凹坑的罩32和僅包括開口的框架22，但是 不要求如此。其他實(shí)施方式可包括具有一個(gè)或多個(gè)凹坑的框架以及具有 一個(gè)或多個(gè)開口的罩。在此外的實(shí)施方式中，根據(jù)實(shí)際用途可由框架和 罩之一或者由二者限定凹坑和開口的不同組合。可釆用多種材料用于屏蔽裝置20。在一個(gè)實(shí)施方式中，框架22和 罩32都由冷軋鋼或不銹鋼形成?？蛇x的是，框架22和罩32可由鎳-銀合 金、鍍錫冷軋鋼、碳鋼或適于用作EMI屏蔽裝置的其他合適的導(dǎo)電和/ 或非磁性材料制成。圖2示出了EMI屏蔽裝置120的另一實(shí)施方式。如所示，屏蔽裝置 120包括框架122和可移除地安裝到框架122上的罩132?？蚣?22包括 一個(gè)或多個(gè)周壁124。各壁124均包括彎折部126，彎折部126向內(nèi)彎曲 而形成大致垂直的外側(cè)壁127和內(nèi)側(cè)壁128。外側(cè)壁127和內(nèi)側(cè)壁128大 致彼此平行。外側(cè)壁127、彎折部126和內(nèi)側(cè)壁128共同具有或限定大致 U形輪廓，不過在其他實(shí)施方式中其他結(jié)構(gòu)也是可行的。雖然圖2中所示的框架122包括呈大致矩形結(jié)構(gòu)的四個(gè)周壁124， 但是其他實(shí)施方式可包括具有多于或少于四個(gè)的周壁以及/或者呈非矩形 結(jié)構(gòu)(例如，三角形、六角形、圓形等)的周壁。例如，圖1示出了 EMI 屏蔽裝置20，其包括具有以大致三角形結(jié)構(gòu)布置的三個(gè)周壁24。繼續(xù)參照?qǐng)D2，框架的各個(gè)內(nèi)側(cè)壁128包括用于接收罩132的對(duì)應(yīng) 凹坑、止動(dòng)件或突起140的開口 130。在該具體實(shí)施方式
中，框架的各個(gè) 內(nèi)側(cè)壁128包括五個(gè)圓形通孔130?？蛇x實(shí)施方式在內(nèi)側(cè)壁中包括多于或 少于五個(gè)的開口 (在某些情況下沒有開口)，以及/或者包括不完全延伸貫 通內(nèi)側(cè)壁的開口。再者，框架的各個(gè)內(nèi)側(cè)壁不需包括與框架的其他內(nèi)側(cè) 壁數(shù)量相同的開口。在此外的其他實(shí)施方式中，框架內(nèi)側(cè)壁中的一個(gè)或 多個(gè)開口可構(gòu)造成非圓形形狀，例如相對(duì)長圓的開口、槽、凹口、孑L、 凹槽、矩形開口等。屏蔽裝置120還包括可移除地安裝到框架122上的罩132。罩132 包括蓋部134和從蓋部134向下延伸的邊緣部136。邊緣部136包括構(gòu)造成以接合方式接收在框架的內(nèi)側(cè)壁128的幵口 130中的凹坑140。在圖2 所示的示例性實(shí)施方式中，罩的各個(gè)邊緣部136包括五個(gè)構(gòu)造成以接合 方式接收在框架的內(nèi)側(cè)壁128的對(duì)應(yīng)開口 130中的凹坑140。可選的是， 其他實(shí)施方式可包括在罩的各個(gè)邊緣部上具有多于或少于五個(gè)凹坑(在 某些情況下沒有凹坑)的罩。再者，罩的各個(gè)邊緣部不需包括與罩的其 他邊緣部數(shù)量相同的凹坑。在此外的其他實(shí)施方式中， 一個(gè)或多個(gè)凹坑 可以以接合方式接收在框架內(nèi)側(cè)壁中的非圓形通孔的開口 (例如，相對(duì) 較長的開口或槽)中。屏蔽裝置120及其凹坑140構(gòu)造成(例如，成形、設(shè)定尺寸并在邊 緣部136上相互間隔開)使得凹坑140可在框架的內(nèi)側(cè)壁128上滑動(dòng)以 與框架的內(nèi)側(cè)壁128的開口 130接合。在一個(gè)示例性實(shí)施方式中，當(dāng)凹 坑140在框架的內(nèi)側(cè)壁128上滑動(dòng)以與開口 130接合時(shí)，罩的邊緣部136 可向外撓曲并且/或者框架的周壁124可向內(nèi)撓曲。罩132可因而通過凹 坑140在框架的內(nèi)側(cè)壁128的開口 130中的接合而可釋放地保持至框架 122。這于是提供了具有這樣的罩132的EMI屏蔽裝置120，該罩132可 容易地從框架122移除以例如允許觸及罩132下方的部件。可隨后將罩 132重新安裝至框架122，或者可將新的罩132組裝到框架122上。因此， 本發(fā)明的各種實(shí)施方式通過提供在需要或期望進(jìn)行維修作業(yè)時(shí)容易打開 的屏蔽裝置，可有助于避免與焊接的屏蔽裝置有關(guān)的可及性問題。在各種實(shí)施方式中，罩132和凹坑140可一體地或整體地形成為單 體部件。在一個(gè)示例性實(shí)施中，將凹坑140壓印到罩132中。也可利用 除壓印之外的其他合適的制造過程將罩和凹坑一體地形成為單體部件。盡管凹坑140可與罩132 —體地形成，但是不要求如此。在其他實(shí) 施方式中，凹坑140可包括例如通過其他合適方法之一的焊接單獨(dú)接合 至罩132 (或者可視情況接合至框架122)的分體部件。雖然圖2示出了僅包括凹坑140的罩132和僅包括開口 130的框架 122，但是不要求如此。其他實(shí)施方式可包括具有一個(gè)或多個(gè)凹坑的框架 以及具有一個(gè)或多個(gè)開口的罩。在此外的實(shí)施方式中，根據(jù)實(shí)際用途可 由框架和罩之一或者由二者限定凹坑和開口的不同組合?？舍娪枚喾N材料用于屏蔽裝置120。在一個(gè)實(shí)施方式中，框架122 和罩132都由冷軋鋼或不銹鋼形成?？蛇x的是，框架122和罩132可由 鎳-銀合金、鍍錫冷軋鋼、碳鋼或適于用作EMI屏蔽裝置的其他合適的導(dǎo) 電和/或非磁性材料制成。在各種實(shí)施方式中，罩部132可容易地從框架122移除和重新安裝 到框架122上。在一個(gè)具體實(shí)施方式
中，屏蔽裝置120構(gòu)造成當(dāng)向其罩 132施加在約1磅至約5磅范圍內(nèi)的力時(shí)，罩132可以可釋放地從框架 122移除。這使得不需任何的切斷或破壞罩的分開部分就能容易地將罩 132從框架122移除，以例如允許可能在罩132下方位于印刷電路板上的 電子部件的返修或更換。由于移除罩所需的力較小，從而在某些實(shí)施方 式中還可不使用工具而移除罩。在各種實(shí)施方式中，罩132和框架122之間建立的接觸提供了罩132 和框架122之間的有效導(dǎo)電量，從而將屏蔽裝置吸收的電磁能傳導(dǎo)至印 刷電路板上的接地面(ground plane)。在各種實(shí)施方式中，框架的內(nèi)側(cè)壁128還可構(gòu)造成閉合或密封通常 位于罩的邊緣部136和框架的外側(cè)壁127之間的界面或開口區(qū)域。該特 征可基本上消除(或者至少減小)罩的邊緣部136和框架的外側(cè)壁127 之間的間隙。這于是限制了電磁能從所述間隙或界面穿過或泄漏，從而 提供更好的屏蔽。在各種實(shí)施方式中，罩132在可釋放地保持至框架122時(shí)可提供高 度不超過約4毫米的EMI屏蔽裝置120，同時(shí)提供對(duì)封裝在EMI屏蔽裝 置120的可移除的罩132下方的物體的可及性。在一個(gè)具體實(shí)施方式
中， 提供高度約3毫米的屏蔽裝置。在另一實(shí)施方式中，提供高度約6毫米 的屏蔽裝置。因此，本發(fā)明的各種實(shí)施方式可提供這樣的EMI屏蔽裝置，其具有 可移除的罩，并且框架和罩之間的可供電磁干擾意外逃逸的縫隙或空間 減小。本節(jié)闡述的尺寸(本文的所有尺寸也是如此)僅為例示目的而提 供，而不用于限制。在各種實(shí)施方式中，各個(gè)內(nèi)側(cè)壁128還可包括至少一個(gè)大致垂直于內(nèi)側(cè)壁128的彎折上表面142。該至少一個(gè)上表面142在上方與內(nèi)側(cè)壁 128中的至少一個(gè)開口 130間隔開，使得在各個(gè)凹坑140接收在各個(gè)內(nèi)側(cè) 壁128中的所述至少一個(gè)開口 130內(nèi)時(shí)，罩132的蓋部134與所述至少 一個(gè)上表面142接觸。這反過來又有助于以更可靠的方式將罩132保持 至框架122。在圖2所示的實(shí)施方式中，各個(gè)內(nèi)側(cè)壁128包括五個(gè)大致垂直于內(nèi) 側(cè)壁128的上表面142。可選實(shí)施方式可包括多于或少于五個(gè)的大致垂直 于內(nèi)側(cè)壁128的上表面142 (在某些情況下不具有這樣的上表面)。圖2所示的框架122包括具有安裝腳144的周壁124，安裝腳144 用于與印刷電路板(未示出)的一個(gè)或多個(gè)部件接觸以與該印刷電路板 建立或形成電接觸。凹坑140可有助于建立罩132和框架的內(nèi)側(cè)壁128 之間的導(dǎo)電。在內(nèi)側(cè)壁128包括至少一個(gè)垂直于內(nèi)側(cè)壁128的上表面142 的情況下，還可在罩的蓋部134的內(nèi)表面或下側(cè)與框架的內(nèi)側(cè)壁128的 所述至少一個(gè)上表面142之間建立電接觸。現(xiàn)在參照?qǐng)D3至圖5， EMI屏蔽裝置220的各種實(shí)施方式包括框架 222和罩232。如所示，框架222包括呈大致矩形結(jié)構(gòu)的四個(gè)周壁224以 及其內(nèi)具有開口的頂部?？蚣艿闹鼙?24包括安裝腳244。安裝腳244可形成為框架的各個(gè) 壁224的一體部件。安裝腳244可大致呈錐形并提供用于與印刷電路板 上的接地面或走線焊盤(tmcepad)配合的安裝面。屏蔽裝置220的罩232具有大致矩形的平坦頂部234和從其向下延 伸的四個(gè)邊緣部236。罩的邊緣部236包括橫向間隔開的棘爪或凹坑240。如圖5所示，框架的各個(gè)周壁224包括彎折部226，彎折部226向 內(nèi)彎曲而形成大致垂直的外側(cè)壁227和內(nèi)側(cè)壁228。這些側(cè)壁227和228 大致彼此平行。外側(cè)壁127、彎折部126和內(nèi)側(cè)壁128共同具有或限定大 致U形輪廓，不過在其他實(shí)施方式中其他結(jié)構(gòu)也是可行的?？蚣艿膬?nèi)側(cè)壁228中包括橫向間隔開的開口 230。開口 230適當(dāng)?shù)?定位并構(gòu)造成分別接收罩的邊緣部236上的橫向間隔開的凹坑240。罩的 邊緣部236上的凹坑240適于貼在框架222的內(nèi)側(cè)壁228上滑動(dòng)而進(jìn)入框架的內(nèi)側(cè)壁228中的對(duì)應(yīng)開口 230中，從而將罩232可釋放地保持到 框架222上。在一個(gè)示例性實(shí)施方式中，當(dāng)凹坑240在框架的內(nèi)側(cè)壁228 上滑動(dòng)以與開口接合時(shí)，罩的邊緣部236可向外撓曲并且/或者框架的周 壁224可向內(nèi)撓曲。在該示例性方式中，罩232可因而通過凹坑240在 框架的內(nèi)側(cè)壁228的開口中的接合而可釋放地保持至框架222。在該具體實(shí)施方式
中，框架的各個(gè)內(nèi)側(cè)壁228包括五個(gè)圓形通孔。 可選實(shí)施方式在框架的各個(gè)內(nèi)側(cè)壁中包括多于或少于五個(gè)的開口(在某 些情況下沒有開口)，以及/或者包括不完全延伸貫通內(nèi)側(cè)壁的開口。再者， 框架的各個(gè)內(nèi)側(cè)壁不需包括與框架的其他內(nèi)側(cè)壁數(shù)量相同的開口。在此 外的其他實(shí)施方式中，框架內(nèi)側(cè)壁中的一個(gè)或多個(gè)開口可構(gòu)造成非圓形 形狀，例如相對(duì)長圓的開口、槽、凹口、孔、凹槽、矩形開口等。在圖3所示的示例性實(shí)施方式中，罩的各個(gè)邊緣部236包括五個(gè)構(gòu) 造成以接合方式接收在框架的內(nèi)側(cè)壁228的對(duì)應(yīng)開口中的凹坑240?？蛇x 的是，其他實(shí)施方式可包括在罩的各個(gè)邊緣部上具有多于或少于五個(gè)凹 坑(在某些情況下沒有凹坑)的罩。再者，罩的各個(gè)邊緣部不需包括與 罩的其他邊緣部數(shù)量相同的凹坑。在此外的其他實(shí)施方式中， 一個(gè)或多 個(gè)凹坑可以以接合方式接收在框架內(nèi)側(cè)壁中的非圓形通孔的開口 (例如， 相對(duì)較長的開口或槽)中。雖然圖3示出了僅包括凹坑240的罩232和僅包括開口的框架222， 但是不要求如此。其他實(shí)施方式可包括具有一個(gè)或多個(gè)凹坑的框架以及 具有一個(gè)或多個(gè)開口的罩。在此外的實(shí)施方式中，根據(jù)實(shí)際用途可由框 架和罩之一或者由二者限定凹坑和開口的不同組合?？蚣?22的頂面還有助于在罩232保持在框架222上時(shí)通過凹坑240 和開口 230的接合形成與罩的平坦頂部234的下側(cè)的良好電接觸。罩的 平坦頂部234和框架222之間形成的接觸區(qū)域可有助于形成導(dǎo)電路徑， 該導(dǎo)電路徑提供罩232和框架222之間的有效導(dǎo)電量，從而將屏蔽裝置 220吸收的電磁能通過安裝腳244傳導(dǎo)到印刷電路板上的接地面?？蚣?22可由適于將腳244焊接至印刷電路板上的走線的材料制成。 用于框架222的示例性材料包括冷軋鋼或鎳-銀合金。用于框架222的可選材料包括碳鋼、不銹鋼、鍍錫冷軋鋼等。雖然框架222的腳244可焊接至印刷電路板(PCB)，但框架222還 可通過期望的任何合適方式附接至電路板，所述方式例如為粘合劑、機(jī) 械緊固件、夾片等。在一個(gè)實(shí)施方式中，可通過將安裝腳244焊接到位 于PCB基板上并且/或者在產(chǎn)生電磁干擾(或需要屏蔽電磁干擾)的電路 周圍以及易受干擾的電路周圍的接地走線上，從而將框架222安裝至 PCB。在本發(fā)明的另一方面中，屏蔽裝置(例如，屏蔽裝置20、 120、 220、 320等)可由單個(gè)坯料制成，以提供適于可釋放地安裝至框架(例如，框 架22、 122、 222、 322等)的罩(例如，罩32、 132、 232、 332等)。在 圖3至圖5的所示實(shí)施方式中，框架222和罩232的尺寸設(shè)定成使得罩 232可嵌套在框架222內(nèi)的材料區(qū)域中，從而使框架222和罩232能由同 一單件坯料或材料條基本上同時(shí)制成。EMI屏蔽裝置的其他實(shí)施方式可包括多個(gè)承載角部(例如，角部處 的突起等)，以允許通過順序的模壓處理制造屏蔽裝置220。在這樣的實(shí) 施方式中，承載角部可允許在形成罩232的向下延伸的邊緣部236和框 架222的周壁224的同時(shí)，將正在壓印的框架222保持在通過順序模壓 供給的原料條內(nèi)。參照?qǐng)D4，順序沖模通過壓印出連接框架222和罩232的接合部的 材料248而完成框架222和罩232的制造，從而將框架222與罩232分 開，使得框架222和罩232之間寬度最小(或者至少減小)。例如，框架 222和罩232之間的壓印開口的寬度可以是由屏蔽裝置220封裝的電部件 發(fā)出的電磁輻射波長的分?jǐn)?shù)量，并且對(duì)于無線通訊設(shè)備而言，該寬度可 以大約為約1個(gè)至幾個(gè)毫米。在各種實(shí)施方式中，框架的內(nèi)側(cè)壁228還可構(gòu)造成閉合或密封通常 位于罩的邊緣部236和框架的外側(cè)壁227之間的界面或敞開區(qū)域。該特 征可基本上消除(或者至少減小)罩的邊緣部236和框架的外側(cè)壁227 之間的間隙。這反過來又抑制了電磁能從所述間隙或界面穿過或泄漏， 從而提供更好的屏蔽。因此，本發(fā)明的多個(gè)方面提供了組裝有可更換的罩232的EMI屏蔽裝置220，該EMI屏蔽裝置220可制成為在罩的邊緣 部236和框架的外側(cè)壁227之間基本上沒有間隙，從而提供對(duì)封裝部件 的更好的EMI屏蔽，其中這兩個(gè)部件可嵌套成一體以允許以最小(或者 至少是減小的)材料損失從同一單體材料條順序壓印出罩232和框架222 二者。順序式壓印制造出適于可釋放地安裝到框架222上的罩232，使得 罩部232可容易地移除和更換。在另一方面，本發(fā)明提供了生產(chǎn)或制造EMI屏蔽裝置的方法。在一 個(gè)具體實(shí)施方式
中，該方法通常包括在一片材料中壓印出框架222和罩 232的局部輪廓的平坦圖案?？蚣?22的局部輪廓包括其中均具有至少一 個(gè)開口 230的周壁224。罩部232的局部輪廓具有多個(gè)邊緣部236，每個(gè) 邊緣部236中均形成有至少一個(gè)凹坑240。罩232的局部輪廓布置在由框 架的周壁224限定的區(qū)域內(nèi)，使得可在基本上被框架的周壁224包圍并 限定在這些周壁224之間的材料區(qū)域內(nèi)壓印罩232。在材料片中壓印出框架222和罩232的局部平坦圖案輪廓之后，在 框架的各個(gè)周壁224中形成彎折部226。該操作為各個(gè)壁224提供外側(cè)壁 227和內(nèi)側(cè)壁228，且內(nèi)側(cè)壁228包括至少一個(gè)開口 230。各個(gè)內(nèi)側(cè)壁228 通常平行于對(duì)應(yīng)的外側(cè)壁227，并與罩232的對(duì)應(yīng)邊緣部236的至少一部 分重疊。彎折部226的形成還將開口 230定位在內(nèi)側(cè)壁228中，使得開 口 230布置在罩的邊緣部236中的對(duì)應(yīng)凹坑240周圍。該方法還可包括使框架的各壁224及罩的各個(gè)邊緣部236彎曲成大 致垂直于罩232。該彎曲操作可執(zhí)行成使得框架的內(nèi)側(cè)壁228中的開口 230保持與罩232的各個(gè)邊緣部236中的凹坑240相鄰并大致布置在凹坑 240周圍。該方法還可包括壓印框架222和罩232的其余輪廓以形成兩個(gè)可分 離的框架件和罩件。該壓印去除連接框架222和罩232并布置在其間的 材料248。該壓印操作可執(zhí)行成使得各個(gè)凹坑240被保持在對(duì)應(yīng)的開口 230內(nèi)。所述壓印還可去除可能用于支撐框架222的任何承載角部。參照?qǐng)D5，罩232的剖視圖示出了罩232的包括至少一個(gè)凹坑240 的向下延伸的邊緣部236的大致彎曲截面圖。凹坑240的截面還示出為布置在框架222的內(nèi)側(cè)壁228中的至少一個(gè)開口 230內(nèi)。在該具體實(shí)施方式
中，位于對(duì)置邊緣部236上的凹坑240之間的間 距使得形成與框架的內(nèi)側(cè)壁228的輕微干涉配合。對(duì)置凹坑240之間的 距離可以是適于以較小或相對(duì)較低的向下的力裝配在框架的周壁224上 的預(yù)定距離。在一個(gè)實(shí)施方式中，凹坑240、開口 230以及凹坑240之間 的預(yù)定距離構(gòu)造成當(dāng)罩232滑動(dòng)到框架222上時(shí)，形成與框架的壁224 的輕微干涉。在各種實(shí)施方式中，可能需要約1磅至約5磅范圍內(nèi)的力 使罩232滑動(dòng)到框架222上或滑離框架222。所形成的罩邊緣部236的大致彎曲形狀還可允許罩邊緣部236在罩 232正在框架222上滑動(dòng)和滑離框架222時(shí)逐漸撓曲并展開。圖6至圖12示出了體現(xiàn)本發(fā)明一個(gè)或更多方面的EMI屏蔽裝置320 的另一示例性實(shí)施方式。如所示，EMI屏蔽裝置320包括框架322和可 移除地安裝到框架322上的罩332?？蚣?22包括一個(gè)或多個(gè)周壁324。 各個(gè)壁324包括彎折部326，彎折部326彎曲而形成大致垂直的外側(cè)壁 327和內(nèi)側(cè)壁328。外側(cè)壁327和內(nèi)側(cè)壁128大致彼此平行。雖然所示的框架322具有呈大致矩形結(jié)構(gòu)的四個(gè)周壁324，但是其 他實(shí)施方式可包括具有多于或少于四個(gè)的周壁以及/或者呈非矩形結(jié)構(gòu) (例如，三角形、六角形、圓形等)的周壁的框架。例如，圖1示出了 EMI屏蔽裝置20，其包括具有以大致三角形結(jié)構(gòu)布置的三個(gè)周壁24。繼續(xù)參照?qǐng)D6至圖12，框架的各個(gè)內(nèi)側(cè)壁328包括用于接收罩332 的對(duì)應(yīng)凹坑、止動(dòng)件或突起340的開口 330。在該具體實(shí)施方式
中，框架 的各個(gè)內(nèi)側(cè)壁328包括三個(gè)圓形通孔330?？蛇x實(shí)施方式在內(nèi)側(cè)壁中包括 多于或少于三個(gè)的開口 (在某些情況下沒有開口)，以及/或者包括不完全 延伸貫通內(nèi)側(cè)壁的開口。再者，框架的各個(gè)內(nèi)側(cè)壁不需包括與框架的其 他內(nèi)側(cè)壁數(shù)量相同的開口。在此外的其他實(shí)施方式中，框架內(nèi)側(cè)壁中的 一個(gè)或多個(gè)開口可構(gòu)造成非圓形形狀，例如相對(duì)長圓的開口、槽、凹口、 孑L、凹槽、矩形開口等。屏蔽裝置320還包括可移除地安裝到框架322上的罩332。罩332 包括蓋部334和從蓋部334向下延伸的邊緣部336。在該具體實(shí)施方式
中，罩332包括孔337。這些孔337可允許氣流 流通以幫助冷卻被屏蔽裝置320覆蓋的電路元件或設(shè)備?？?37還可允 許在不必移除罩332的情況下對(duì)屏蔽裝置320下面的部分設(shè)備(例如， 收發(fā)器電路)進(jìn)行視覺檢查。在各種實(shí)施方式中，孔337通常足夠小以 防止進(jìn)行干擾的電磁干擾通過。孔337的具體數(shù)量、尺寸、布置和形狀 可變化并可根據(jù)具體應(yīng)用而定制，例如根據(jù)屏蔽裝置320之下的部分收 發(fā)器電路的靈敏度而定制?？?37的直徑可制成為較小以使電路更靈敏， 這僅作為實(shí)施例。罩的邊緣部336包括構(gòu)造成以接合方式接收在框架的內(nèi)側(cè)壁328的 開口 330中的凹坑340。在所示實(shí)施方式中，罩的各個(gè)邊緣部336包括三 個(gè)構(gòu)造成以接合方式接收在框架的內(nèi)側(cè)壁328的對(duì)應(yīng)開口 330中的凹坑 340?？蛇x的是，其他實(shí)施方式可包括在罩的各個(gè)邊緣部上具有多于或少 于三個(gè)凹坑(在某些情況下沒有凹坑)的罩。再者，罩的各個(gè)邊緣部不 需包括與罩的其他邊緣部數(shù)量相同的凹坑。在此外的其他實(shí)施方式中， 一個(gè)或多個(gè)凹坑可以以接合方式接收在框架內(nèi)側(cè)壁中的非圓形通孔的開 口 (例如，相對(duì)較長的開口或槽)中。屏蔽裝置320及其凹坑340構(gòu)造成(例如，成形、設(shè)定尺寸并在邊 緣部336上相互間隔)使得凹坑340可在框架的內(nèi)側(cè)壁328上滑動(dòng)以與 框架的內(nèi)側(cè)壁328的開口 330接合。在一個(gè)示例性實(shí)施方式中，當(dāng)凹坑 340在框架的內(nèi)側(cè)壁328上滑動(dòng)以與開口 330接合時(shí)，罩的邊緣部336可 向外撓曲并且域者框架的周壁324可向內(nèi)撓曲。罩332可因而通過凹坑 340在框架的內(nèi)側(cè)壁328的開口 330中的接合而可釋放地保持至框架322。 這于是提供了具有這樣的罩332的EMI屏蔽裝置320，該罩332可容易 地從框架322移除以例如允許觸及罩332下方的部件。可隨后將罩332 重新安裝至框架322，或者可將新的罩332組裝到框架322上。因此，本 發(fā)明的各種實(shí)施方式通過提供在需要或期望進(jìn)行維修作業(yè)時(shí)容易打開的 屏蔽裝置，從而可有助于避免與焊接的屏蔽裝置有關(guān)的可及性問題。在各種實(shí)施方式中，罩332和凹坑340可一體地或整體地形成為單 體部件。在一個(gè)示例性實(shí)施中，將凹坑340壓印到罩332中。也可利用除壓印之外的其他合適的制造過程將罩和凹坑一體地形成為單體部件。盡管凹坑340可與罩332 —體地形成，但是不要求如此。在其他實(shí) 施方式中，凹坑340可包括例如通過其他合適方法之一的焊接單獨(dú)接合 至罩332 (或者可視情況接合至框架322)的分體部件。在圖6至圖12所示出的實(shí)施方式中，罩332包括凹坑340而框架 322包括開口 330。其他實(shí)施方式可包括具有一個(gè)或多個(gè)凹坑的框架和具 有具有一個(gè)或多個(gè)開口的罩。在此外的實(shí)施方式中，根據(jù)實(shí)際用途可由 框架和罩之一或者由二者限定凹坑和開口的不同組合。可采用多種材料用于屏蔽裝置320。在一個(gè)實(shí)施方式中，框架322 和罩332都由鍍錫冷軋鋼形成?？蛇x的是，框架322和罩332可由鎳-銀 合金、碳鋼或適于用作EMI屏蔽裝置的其他合適的導(dǎo)電和/或非磁性材料 制成。在各種實(shí)施方式中，罩部332可相對(duì)容易地從框架322移除和重新 安裝到框架322上。在一個(gè)具體實(shí)施方式
中，屏蔽裝置320構(gòu)造成當(dāng)向 其罩332施加在約1磅至約5磅范圍內(nèi)的力時(shí)，罩332可以可釋放地從 框架322移除。這使得不需任何的切斷或破壞罩的分開部分就能相對(duì)容 易地將罩332從框架322移除，以例如允許可能在罩332下方位于印刷 電路板上的電子部件的返修或更換。由于在這樣的示例性實(shí)施方式中移 除罩所需的力較小，從而還可不使用工具而移除罩。在各種實(shí)施方式中，罩332和框架322之間建立的接觸提供了罩332 和框架322之間的有效導(dǎo)電量，從而將屏蔽裝置吸收的電磁能傳導(dǎo)至印 刷電路板上的接地面。在各種實(shí)施方式中，罩332在可釋放地保持至框架322時(shí)可提供高 度不超過約4毫米的EMI屏蔽裝置320，同時(shí)提供對(duì)封裝在EMI屏蔽裝 置320的可移除的罩332下方的物體的可及性。在一個(gè)具體實(shí)施方式
中， 提供高度約3毫米的屏蔽裝置。在另一實(shí)施方式中，提供高度約6毫米 的屏蔽裝置。因此，本發(fā)明的各種實(shí)施方式可提供這樣的EMI屏蔽裝置， 其具有可移除的罩，并且框架和罩之間的可供電磁干擾意外逃逸的縫隙 或空間減小。本節(jié)闡述的尺寸(本文的所有尺寸也是如此)僅為例示目的而提供，而不用于限制。在各種實(shí)施方式中，各個(gè)內(nèi)側(cè)壁328還可包括至少一個(gè)大致垂直于 內(nèi)側(cè)壁328的彎折的上表面342 (圖12)。該上表面342在上方與內(nèi)側(cè)壁 328中的至少一個(gè)開口330間隔開，使得在各個(gè)凹坑340接收在對(duì)應(yīng)的開 口 330內(nèi)時(shí)，罩332的蓋部334與上表面342接觸。這于是有助于以更 可靠的方式將罩332保持至框架322。繼續(xù)參照?qǐng)D6至圖12，框架322包括具有安裝腳344的周壁324， 安裝腳344用于與印刷電路板(未示出)的一個(gè)或多個(gè)部件接觸以與該 印刷電路板建立或形成電接觸。凹坑340可有助于建立罩332和框架的 內(nèi)側(cè)壁328之間的導(dǎo)電。在內(nèi)側(cè)壁328包括至少一個(gè)垂直于內(nèi)側(cè)壁328 的上表面342的情況下，還可在罩的蓋部334的內(nèi)表面或下方與框架的 內(nèi)側(cè)壁328的所述至少一個(gè)上表面342之間建立電接觸?？蚣?22的頂面還有助于在罩332保持在框架322上時(shí)通過凹坑340 和開口 330的接合而與罩的平坦頂部334的下側(cè)形成良好的電接觸。罩 的平坦頂部334和框架322之間形成的接觸區(qū)域可有助于形成導(dǎo)電路徑， 該導(dǎo)電路徑提供罩332和框架322之間的有效導(dǎo)電量，從而將屏蔽裝置 320吸收的電磁能通過安裝腳344傳導(dǎo)到印刷電路板上的接地面?？蚣?22可由適于將腳344焊接至印刷電路板上的走線的材料制成。 用于框架322的示例性材料包括冷軋鋼、鎳-銀合金等。用于框架322的 可選材料包括碳鋼、不銹鋼、鍍錫冷軋鋼等。雖然框架322的腳344可焊接至印刷電路板(PCB)，但框架322還 可通過期望的任何合適方式附接至電路板，所述方式例如為粘合劑、機(jī) 械緊固件、夾片等。在一個(gè)實(shí)施方式中，可通過將安裝腳344焊接到位 于PCB基板上并且/或者在產(chǎn)生電磁干擾(或需要屏蔽電磁干擾)的電路 周圍以及易受干擾的電路周圍的接地走線上，從而將框架222安裝至 PCB。在各種實(shí)施方式中，屏蔽裝置320可由單個(gè)坯料制成。如圖13所示， 框架322和罩332的尺寸可設(shè)定成使得罩332可布置在框架322內(nèi)的材 料區(qū)域內(nèi)或者嵌套在該材料區(qū)域中，從而使框架322和罩332能由同一單件坯料或材料條制成。EMI屏蔽裝置的其他實(shí)施方式可包括多個(gè)承載角部，以允許通過順 序模壓處理制造屏蔽裝置320。在這樣的實(shí)施方式中，承載角部可允許在 形成罩332的向下延伸的邊緣部336和框架322的周壁324的同時(shí)，將 正被壓印的框架322保持在通過順序模壓供給的原料條內(nèi)。某些實(shí)施方 式可允許利用順序沖模以最小(或者至少是減少的)倒角半徑制造罩的 邊緣部，從而例如能夠使罩的設(shè)計(jì)成本經(jīng)濟(jì)，該設(shè)計(jì)會(huì)提供高度不超過 約6毫米，倒角半徑為0，25毫米的屏蔽裝置。在另一實(shí)施方式中，提供 高度約3毫米的屏蔽裝置。本段闡述的尺寸(本文的所有尺寸也是如此) 僅為例示目的而提供，而不用于限制。繼續(xù)參照?qǐng)D13，順序模通過壓印出連接框架322和罩332的接合部 的材料348而完成框架322和罩332的制造，從而使框架322與罩332 分開，而框架322和罩332之間的寬度最小(或者至少減小了)。例如， 框架322和罩332之間的壓印開口的寬度可以是由屏蔽裝置320封裝的 電部件發(fā)出的電磁輻射波長的分?jǐn)?shù)量，并且對(duì)于無線通訊設(shè)備而言，該 寬度可以大約為約1個(gè)至幾個(gè)毫米。在各種實(shí)施方式中，框架的內(nèi)側(cè)壁328可構(gòu)造成閉合或密封通常位 于罩的邊緣部336和框架的外側(cè)壁327之間的界面或開口區(qū)域。在這樣 的實(shí)施方式中，框架內(nèi)側(cè)壁328的一些部分可位于罩的邊緣部336和框 架的外側(cè)壁327之間的縫隙或界面的緊后方。該特征可基本上消除(或 者至少減小)罩的邊緣部336和框架的外側(cè)壁327之間的間隙。這反過 來又抑制了電磁能從所述間隙或界面穿過或泄漏，從而提供更好的屏蔽。 因此，本發(fā)明的多個(gè)方面提供了組裝有可更換的罩332的EMI屏蔽裝置 320，該EMI屏蔽裝置320可制成為在罩的邊緣部336和框架的外側(cè)壁 327之間基本上沒有間隙，從而提供對(duì)封裝部件的更好的EMI屏蔽，其 中這兩個(gè)部件可嵌套成一件從而允許以最小(或者至少是減小的)材料 損失從同一單件材料條順序壓印出罩332和框架322 二者。順序式壓印 制造出適于可釋放地安裝到框架322上的罩332，使得罩部332可容易地 移除和更換。在另一方面，本發(fā)明提供了一種生產(chǎn)或制造EMI屏蔽裝置(例如屏 蔽裝置320)的方法。在一個(gè)具體實(shí)施方式
中，該方法通常包括在一片禾才 料中壓印出框架322和罩332的局部輪廓平坦圖案。如圖13所示，框架 322的局部輪廓包括其中均具有至少一個(gè)開口 330的周壁324。罩部332 的局部輪廓具有多個(gè)邊緣部336。在罩部332中還可形成凹坑340和通風(fēng) 孔337。罩332的局部輪廓布置在由框架的周壁324限定的區(qū)域內(nèi)，使得 可在基本上被框架的周壁324包圍并限定在這些周壁324之間的材料區(qū) 域內(nèi)壓印罩332。在材料片中壓印出框架322和罩332的局部輪廓平坦圖案之后，在 框架的各個(gè)周壁324中形成彎折部326。該操作為各個(gè)壁324提供外側(cè)壁 327和內(nèi)側(cè)壁328，且內(nèi)側(cè)壁328包括至少一個(gè)開口 330。各個(gè)內(nèi)側(cè)壁328 通常平行于對(duì)應(yīng)的外側(cè)壁327,并與罩332的對(duì)應(yīng)邊緣部336的至少一部 分重疊。彎折部336的形成也將開口 330定位在側(cè)壁328中，使得開口 330布置在罩的邊緣部336中的對(duì)應(yīng)凹坑340周圍。該方法還可包括將各框架壁324和各罩邊緣部分336彎曲成大致垂 直于罩332。該彎曲操作可執(zhí)行成使得框架的內(nèi)側(cè)壁328中的開口 330保 持與罩332的各個(gè)邊緣部336中的凹坑340相鄰并大致布置在凹坑340 周圍。該方法還可包括壓印框架322和罩332的其余輪廓以形成兩個(gè)可分 離的框架件和罩件。該壓印去除連接框架322和罩332并布置在其間的 材料348。該壓印操作可執(zhí)行成使得各個(gè)凹坑340被保持在對(duì)應(yīng)的開口 330內(nèi)。所述壓印還可去除可能已用于支撐框架322的任何承載角部。因此，各種實(shí)施方式可提供具有罩的EMI屏蔽裝置，該罩可組裝到 框架上，并且不需要工具將罩撬離框架就可將罩從框架移除。在這樣的 實(shí)施方式中，所述凹坑可允許用手而不用任何工具使罩容易地滑離框架。 通過該獨(dú)特的特征，本發(fā)明的各種實(shí)施方式包括具有可移除的罩的EMI 屏蔽裝置，所述罩可釋放地保持從而可更簡(jiǎn)單地實(shí)現(xiàn)框架內(nèi)的電部件的 移除和返修。還可在不使罩損壞或產(chǎn)生變形的情況下實(shí)現(xiàn)罩的移除。現(xiàn) 有設(shè)計(jì)會(huì)出現(xiàn)這樣的變形，這是因?yàn)樵谝瞥陂g罩的側(cè)面過度變形，并且/或者是因?yàn)榱魉€工人為了節(jié)省時(shí)間而利用不適當(dāng)?shù)纳w移除技術(shù)(例 如，工人利用拇指撬開蓋)。因此，本發(fā)明的各種實(shí)施方式允許從框架移 除同一罩然后將其重新安裝到該框架上，而不需要更換罩或更換整個(gè)屏 蔽裝置。這里公開的具體制造方法和幾何結(jié)構(gòu)本質(zhì)上是示例性的而不應(yīng)視為 限制。除非特別標(biāo)明執(zhí)行順序，否則這里所述的步驟、處理和操作不應(yīng) 解釋為必需要求其按照所述或所示的具體順序執(zhí)行。還應(yīng)理解可采用附 加或另選步驟。此外，本發(fā)明的任何一個(gè)或多個(gè)方面可單獨(dú)實(shí)施或者可 與本發(fā)明的其他方面中的任何一個(gè)或多個(gè)以任何組合實(shí)施。這里所用的特定術(shù)語僅作參考，因而不意味著進(jìn)行限制。例如，諸 如"上"、"下"、"上方"及"下方"之類的術(shù)語是指所參照的圖中的方 向。諸如"前"、"后"、"后部"、"底部"和"側(cè)"之類的術(shù)語在一致但 任意的參照系內(nèi)描述部分部件的取向，參照描述所討論部件的文字及附 圖可清楚所述參照系。這樣的術(shù)語可包括以上特別提到的詞匯、其派生 以及具有相似含義的詞匯。類似的，除非上下文中清楚指出，否則術(shù)語 "第一"、"第二"和其他此類涉及結(jié)構(gòu)的數(shù)詞不暗含順序或次序。在介紹本發(fā)明及示例性實(shí)施方式的元件或特征時(shí)，冠詞"一 (a)"、 "一個(gè)(an)"、"該(the)"和"所述(said)"旨在表示存在一個(gè)或多個(gè)這樣的元件或特征。術(shù)語"包含"、"包括"和"具有"是指包含并且意 味著可以具有除所具體指出的以外的其他元件或特征。還應(yīng)理解除非特別標(biāo)明執(zhí)行順序，否則這里所述的方法的步驟、處 理和操作不應(yīng)解釋為必需要求其按照所述或所示的具體順序執(zhí)行。還應(yīng) 理解可采用附加或另選的步驟。本發(fā)明的描述本質(zhì)上僅為示例性的，因而不背離本發(fā)明要旨的改型 理應(yīng)在本發(fā)明范圍內(nèi)。這樣的改型不應(yīng)視為背離本發(fā)明的精神和范圍。
權(quán)利要求
1、一種電磁干擾(EMI)屏蔽裝置，該屏蔽裝置包括框架，該框架具有多個(gè)周壁，各所述周壁包括至少一個(gè)形成外側(cè)壁和內(nèi)側(cè)壁的彎折部；罩，該罩包括蓋部和從該蓋部向下延伸的多個(gè)邊緣部；所述框架的內(nèi)側(cè)壁中的至少一個(gè)包括開口和凹坑中的至少一種；所述罩的邊緣部中的至少一個(gè)包括至少一個(gè)所述凹坑和所述開口中的另一種；所述凹坑構(gòu)造成以接合方式接收在所述開口中，以將所述罩可釋放地保持至所述框架。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的屏蔽裝置，其中，所述框架的內(nèi)側(cè)壁包括 多個(gè)開口，并且其中所述罩的邊緣部包括多個(gè)凹坑，所述凹坑構(gòu)造成在 所述框架的內(nèi)側(cè)壁上滑動(dòng)并與所述框架的內(nèi)側(cè)壁中的所述開口接合。
3、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的屏蔽裝置，其中，所述框架的各所述內(nèi)側(cè) 壁包括至少一個(gè)彎折的上表面，所述上表面大致垂直于所述內(nèi)側(cè)壁和所 述外側(cè)壁，以在所述罩可釋放地保持至所述框架時(shí)與所述罩的蓋部的下 側(cè)接觸。
4、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的屏蔽裝置，其中，所述框架和所述罩由單 件坯料基本上同時(shí)形成。
5、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的屏蔽裝置，其中，所述框架的外側(cè)壁、彎 折部和內(nèi)側(cè)壁共同具有大致U形輪廓。
6、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的屏蔽裝置，其中，所述框架的內(nèi)側(cè)壁基本 上密封所述罩的邊緣部與所述框架的外側(cè)壁之間的界面，以抑制電磁能 從所述界面通過。
7、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的屏蔽裝置，其中，所述框架的周壁包括安 裝腳，所述安裝腳用于與印刷電路板的一個(gè)或多個(gè)走線電接觸。
8、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的屏蔽裝置，其中，所述凹坑在所述開口內(nèi) 的接合電連接所述罩和所述框架。
9、 一種電磁干擾(EMI)屏蔽裝置，該屏蔽裝置包括框架，該框架包括多個(gè)周壁，各所述周壁包括至少一個(gè)彎折部，所 述彎折部向內(nèi)彎曲而形成大致垂直的內(nèi)側(cè)壁和外側(cè)壁，使得所述外側(cè)壁、彎折部和內(nèi)側(cè)壁共同具有大致u形輪廓，各所述內(nèi)側(cè)壁中具有至少一個(gè) 開口；可移除的罩，該罩包括蓋部和從該蓋部向下延伸的多個(gè)邊緣部，各 所述邊緣部包括至少一個(gè)凹坑，該至少一個(gè)凹坑構(gòu)造成以接合方式接收 在所述框架的內(nèi)側(cè)壁中的對(duì)應(yīng)一個(gè)開口內(nèi)，所述凹坑構(gòu)造成在所述框架 的內(nèi)側(cè)壁上滑動(dòng)并與所述開口接合，從而所述罩能從所述框架移除并能 重新放置到所述框架上。
10、 根據(jù)權(quán)利要求9所述的屏蔽裝置，其中，所述框架的內(nèi)側(cè)壁基 本上密封所述罩的邊緣部與所述框架的外側(cè)壁之間的界面，以抑制電磁 能從所述罩的邊緣部與所述框架的周壁之間的界面穿過。
11、 根據(jù)權(quán)利要求9所述的屏蔽裝置，其中，所述框架的各所述內(nèi) 側(cè)壁包括至少一個(gè)彎折的上表面，所述上表面大致垂直于所述內(nèi)側(cè)壁和 所述外側(cè)壁，以在所述罩可釋放地保持至所述框架時(shí)與所述罩的蓋部的 下側(cè)接觸，從而該接觸提供所述罩和所述框架之間的有效導(dǎo)電量，從而 將該屏蔽裝置吸收的電磁能傳導(dǎo)至印刷電路板上的接地面。
12、 根據(jù)權(quán)利要求9所述的屏蔽裝置，其中，所述凹坑在所述開口內(nèi)的接合有助于建立所述罩和所述框架之間的導(dǎo)電。
13、 根據(jù)權(quán)利要求9所述的屏蔽裝置，其中，所述框架和所述罩由單件坯料基本上同時(shí)形成。
14、 根據(jù)權(quán)利要求9所述的屏蔽裝置，其中，所述框架的周壁包括安裝腳，所述安裝腳用于與印刷電路板的一個(gè)或多個(gè)走線電接觸。
15、 根據(jù)權(quán)利要求9所述的屏蔽裝置，其中，通過向所述罩施加在 約1磅至約5磅范圍內(nèi)的力可將所述罩從所述框架移除而無需使用工具。
16、 一種制造包括框架和罩的電磁干擾屏蔽裝置的方法，該方法包括在單件材料片中壓印所述框架和所述罩的平坦圖案局部輪廓，所述框架的輪廓包括具有凹坑和開口中的至少一種的多個(gè)周壁，而所述罩的 輪廓包括具有至少一個(gè)所述凹坑和所述開口中的另一種的多個(gè)邊緣部，所述罩的輪廓布置在大致限定在所述框架的周壁之間的區(qū)域內(nèi)；在所述框架的至少一個(gè)周壁中形成至少一個(gè)彎折部，從而為所述至少一個(gè)周壁提供外側(cè)壁和內(nèi)側(cè)壁，使得所述內(nèi)側(cè)壁包括這樣的所述凹坑和所述開口中的所述至少一種，其彎折在所述罩的所述凹坑和所述開口中的另一種的所述至少一個(gè)上并與其接合；將所述框架的周壁和所述罩的邊緣部彎曲成大致垂直于所述罩；以及進(jìn)行壓印以移除使所述框架與所述罩相連的剩余材料，從而形成兩 個(gè)可分開的框架件和罩件，借此通過所述凹坑與所述開口的接合而使所 述罩可釋放地保持至所述框架。
17、 根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中，在所述框架的至少一個(gè)周 壁中形成至少一個(gè)彎折部還包括在所述至少一個(gè)周壁中形成至少一個(gè)另 一彎折部，從而為所述至少一個(gè)周壁提供大致垂直于所述內(nèi)側(cè)壁和所述 外側(cè)壁的上表面，以在所述罩可釋放地保持至所述框架時(shí)與該罩的蓋部 的下側(cè)接觸。
18、 根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其中，在所述框架的所述至少一 個(gè)周壁中形成至少一個(gè)彎折部包括使所述至少一個(gè)周壁彎曲約180度， 從而為所述至少一個(gè)周壁提供內(nèi)側(cè)壁和外側(cè)壁，并使所述內(nèi)側(cè)壁的上部 彎曲約90度從而為所述至少一個(gè)周壁提供大致垂直的上表面。
19、 一種制造包括框架和罩的電磁干擾屏蔽裝置的方法，該方法包括在單件材料片中壓印所述框架和所述罩的平坦圖案局部輪廓，所述 框架的輪廓包括多個(gè)其內(nèi)具有至少一個(gè)開口的周壁，所述罩的輪廓具有 多個(gè)其內(nèi)形成有至少一個(gè)凹坑的邊緣部，所述罩的輪廓布置在大致限定 在所述框架的周壁內(nèi)的區(qū)域內(nèi)；在所述框架的周壁中形成彎部，從而形成至少一個(gè)大致垂直于所述 周壁的突起表面；在所述框架的周壁中形成彎折部，從而為所述周壁提供外側(cè)壁和內(nèi) 側(cè)壁，使得所述內(nèi)側(cè)壁包括彎折在所述罩的邊緣部的所述凹坑上并與其接合的所述開口；將所述框架的周壁和所述罩的邊緣部彎曲成大致垂直于所述罩；以及進(jìn)行壓印以移除使所述框架與所述罩相連的剩余材料，從而形成兩 個(gè)可分開的框架件和罩件，借此通過所述凹坑與所述開口的接合而使所 述罩可釋放地保持至所述框架。
20、 根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，其中，形成彎折部包括使所述周 壁彎曲約180度，從而為各所述周壁提供內(nèi)側(cè)壁和外側(cè)壁。
21、 根據(jù)權(quán)利要求20所述的方法，其中，形成彎折部發(fā)生在形成彎 部之前。
22、 一種由包括框架和罩的平坦圖案局部輪廓的大致平坦的坯料制 造具有所述框架和所述罩的電磁干擾屏蔽裝置的方法，該方法包括使所述坯料的外部大致向內(nèi)成形約180度，從而形成所述框架的外 側(cè)壁和內(nèi)側(cè)壁；使所述框架的內(nèi)側(cè)壁的上部向外成形約90度，從而形成大致垂直于 所述框架的內(nèi)側(cè)壁的表面；使所述框架的內(nèi)側(cè)壁和外側(cè)壁以及所述坯料的限定所述罩的邊緣部 的部分向內(nèi)成形約90度；以及切斷所述坯料的連接所述框架和所述罩的剩余材料，從而形成兩個(gè) 可分開的框架件和罩件。
23、 根據(jù)權(quán)利要求22所述的方法，該方法還包括在所述坯料中形成 至少一個(gè)開口和至少一個(gè)凹坑，使得在所述坯料的外部向內(nèi)成形約180 度時(shí)所述凹坑和所述開口中的至少一種彎折在所述凹坑和所述開口中的 另一種上并與其接合。
全文摘要
根據(jù)一個(gè)實(shí)施方式的電磁干擾(EMI)屏蔽裝置，其大體上包括框架和罩。所述框架包括周壁，所述周壁均具有至少一個(gè)形成外側(cè)壁和內(nèi)側(cè)壁的彎折部。所述罩包括蓋部和從該蓋部向下延伸的多個(gè)邊緣部。該屏蔽裝置包括至少一個(gè)凹坑，所述凹坑構(gòu)造成以接合方式接收在至少一個(gè)開口內(nèi)，用于將所述罩可釋放地保持至所述框架。
文檔編號(hào)H05K9/00GK101278608SQ200680036931
公開日2008年10月1日 申請(qǐng)日期2006年8月31日 優(yōu)先權(quán)日2005年10月6日
發(fā)明者伊戈?duì)枴ぞS諾庫爾, 艾倫·齊爾斯多夫 申請(qǐng)人:萊爾德技術(shù)股份有限公司