專利名稱：：輻射固化型熱轉(zhuǎn)移元件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及熱轉(zhuǎn)移元件，尤其是可用于激光誘導(dǎo)熱成像(LITI)工藝或其它成像工藝中的輻射固化型熱轉(zhuǎn)移元件。本發(fā)明還涉及制作和使用輻射固化型熱轉(zhuǎn)移元件來制造有機(jī)微電子器件的方法。
背景技術(shù)：
：許多微型電子和光學(xué)器件是由多層不同材料相互疊合而成的。這類器件的實(shí)例包括以圖形化陣列的形式形成每個像素的光學(xué)顯示器、用于電信器件中的光波導(dǎo)結(jié)構(gòu)、以及用于半導(dǎo)體類器件的金屬-絕緣體-金屬層疊件。用于制作這類器件的常規(guī)方法包括，在受體基底上形成一個或多個層，并同時或依次對上述層進(jìn)行圖形化，從而形成該類器件。對上述層進(jìn)行的圖形化往往通過光刻技術(shù)來實(shí)現(xiàn)，該技術(shù)包括，例如，在某一層上覆蓋光敏膠，通過使光敏膠經(jīng)受穿過掩模的輻射而使之圖形化，根據(jù)圖形移除已曝光或未曝光的光敏膠中的一部分以露出下層，然后對曝光層進(jìn)行蝕刻。在許多情況下，需要進(jìn)行多步沉積和圖形化來制備最終的器件結(jié)構(gòu)。例如，制備光學(xué)顯示器可能需要分別形成紅色、綠色和藍(lán)色的像素。盡管這些類型中的各個像素層可以共同沉積，但某些層卻必須單獨(dú)地形成，并且常常需要單獨(dú)地進(jìn)行圖形化。在一些應(yīng)用中，采用常規(guī)光刻圖形化技術(shù)制造所述器件可能是困難的或不實(shí)用的。因此，有必要采用新方法來制作這類器件。至少在某些情況下，這可以允許構(gòu)造出更加可靠和更加復(fù)雜的器件。已經(jīng)開發(fā)出LITI技術(shù)作為使多層微電子和光學(xué)器件圖案化的可選方法。LITI是一種數(shù)字圖形化方法，其涉及到將材料從供體薄片轉(zhuǎn)移到受體表面上。LITI方法通常包括以成圖形的方式印刷用于顯示器應(yīng)用的一個或多個轉(zhuǎn)移層。LITI圖形化方法通常使用這樣的多層熱轉(zhuǎn)移供體薄膜，該薄膜被輻射源(例如，透過掩膜進(jìn)行曝光的紅外線激光器或閃光燈)以成圖形的方式曝光，以便將圖形化的轉(zhuǎn)移層從供體薄膜轉(zhuǎn)移到所期望的基底上。第一實(shí)施例包括輻射固化型熱轉(zhuǎn)移元件，該元件包括基底和覆蓋在該基底上的光熱轉(zhuǎn)換(LTHC)層。該LTHC層得自能夠通過暴露在一個或多個固化波長的輻射下而發(fā)生固化的輻射固化型材料，以及不會使該固化波長下或該固化波長段內(nèi)的輻射吸收度顯著提高的成像輻射吸收材料。第二實(shí)施例包括輻射固化型熱轉(zhuǎn)移元件，該元件包括基底和覆蓋在該基底上的LTHC層。該LTHC層包含能夠通過暴露在一個或多個固化波長的輻射下而發(fā)生固化的輻射固化型材料，以及在輻射固化型材料固化前不會使該固化波長下或該固化波長段內(nèi)的輻射吸收度顯著提高的成像輻射吸收材料。第三實(shí)施例包括通過暴露在一個固化波長或多個固化波長的輻射下而發(fā)生固化的熱轉(zhuǎn)移元件，并且該元件包括基底和覆蓋在該基底上的LTHC層。該LTHC層得自輻射固化型材料和成像輻射吸收材料，該成像輻射吸收材料不會使固化波長下或固化波長段內(nèi)的輻射吸收度顯著提高。該熱轉(zhuǎn)移元件中的固化型材料的殘余量顯著低于成像輻射吸光度和厚度與該熱轉(zhuǎn)移元件相當(dāng)、但其中成像輻射吸收材料被替換為在同樣條件下發(fā)生固化的微粒吸收材料的熱轉(zhuǎn)移元件中所存在的固化型材料的殘余量。第四實(shí)施例包括通過暴露在一個或多個固化波長的輻射下而發(fā)生固化的熱轉(zhuǎn)移元件，并且該元件包括基底和覆蓋在該基底上的LTHC層。該LTHC層得自輻射固化型材料和成像輻射吸收材料，該成像輻射吸收材料不會使固化波長下或固化波長段內(nèi)的輻射吸收度顯著提高。所述固化型材料的殘余量顯著低于包含微粒吸收材料的熱轉(zhuǎn)移元件中所存在的固化型材料的殘余量。第五實(shí)施例包括一種制造熱轉(zhuǎn)移元件的方法，所述熱轉(zhuǎn)移元件包括基底和覆蓋在該基底上的LTHC層，該LTHC層得自輻射固化型材料和不會使一個或多個固化波長下的輻射吸收度顯著提高的成像輻射吸收材料，該
發(fā)明內(nèi)容方法包括以下步驟將所述LTHC層涂敷到基底上，并使輻射固化型材料固化，使得成像輻射吸收材料不會使固化波長下或固化波長段內(nèi)的輻射吸收度顯著提高。第六實(shí)施例包括一種制造有機(jī)微電子器件的方法，其包括以下步驟提供包括基底和覆蓋在該基底上的LTHC層的熱轉(zhuǎn)移元件，該LTHC層得自能夠通過暴露在一個或多個固化波長的輻射下而發(fā)生固化的輻射固化型材料，和不會使該固化波長下或固化波長段內(nèi)的輻射吸收度顯著提高的成像輻射吸收材料；使所述熱轉(zhuǎn)移元件和受體緊密接觸；用近紅外輻射源把所述熱轉(zhuǎn)移元件按成像圖形進(jìn)行曝光；并且把對應(yīng)于所述成像圖形的熱轉(zhuǎn)移元件的至少一部分轉(zhuǎn)移到所述受體上，以形成有機(jī)微電子器件。通過以下結(jié)合附圖對本發(fā)明的各種實(shí)施例進(jìn)行的詳述可以更徹底地理解本發(fā)朋，其中圖1為圖示說明示例性的LITI供體薄膜構(gòu)造的剖面圖；圖2A為圖示說明LTHC層中普魯士藍(lán)(PennColor公司)的光譜的圖形；圖2B為圖示說明LTHC層中Pro-Jet830LDI(Avecia公司)的光譜的圖形；以及圖2C為圖示說明LTHC層中YKR2900(Yamamoto公司)的光譜的圖形。具體實(shí)施方式本說明書涉及對LITI供體薄膜中使用的LITI轉(zhuǎn)移層進(jìn)行圖形化的方法。該LITI供體薄膜可用于形成或部分地形成采用熱轉(zhuǎn)移方式和熱轉(zhuǎn)移元件形成的器件或其它物品，其中所述熱轉(zhuǎn)移元件用于形成所述器件或其它制品。作為具體實(shí)例，可以形成熱轉(zhuǎn)移元件以用于(至少部分地)制造多層器件，如多層有源器件和無源器件，例如多層電子器件和光學(xué)器件。例如，可以通過將多元轉(zhuǎn)移組件從熱轉(zhuǎn)移元件熱轉(zhuǎn)移到最終受體上來實(shí)施該方法。應(yīng)當(dāng)認(rèn)識的是，也可以使用單層和其它多層轉(zhuǎn)移物來形成器件和其它制品。本說明書中的順序(例如，操作步驟的順序或基底上各層的順序)并不意味著要排除介于所列各項(xiàng)之間的中間部分。此外，如本文所用術(shù)語"有源器件"包括具有動態(tài)功能(如放大、振蕩或信號控制)并且需要電源才能工作的電子元件或光學(xué)元件。術(shù)語"固化波長"包括經(jīng)LTHC層吸收后能引發(fā)輻射固化型材料發(fā)生聚合和/或交聯(lián)的波長或波長段。術(shù)語"成像波長"包括由成像源發(fā)射的波長或波長段。術(shù)語"微電子器件"包括可單獨(dú)用于和/或與其它元件一起用于形成更大的系統(tǒng)(如電子電路)的電子元件或光學(xué)元件。術(shù)語"無源器件"包括基本上為靜態(tài)工作(即通常不能放大或振蕩)并且可以不需要電源來進(jìn)行特性工作的電子元件或光學(xué)元件。術(shù)語"微粒吸收材料"包括通過(例如)以下文獻(xiàn)中描述的微粒來提供光吸收和光散射功能的吸收材料，所述文獻(xiàn)為C.F.Bohren和D.R.Huffman,AbsorptionandScatteringofLightbySmallParticles,JohnWiley&Sons,Inc.，LibraryofCongressISBN0-471-29340-7(1983)。熱轉(zhuǎn)移元件本發(fā)明提供包括輻射固化型熱轉(zhuǎn)移元件的LITI供體薄膜以及用于制造輻射固化的熱轉(zhuǎn)移層的方法，該輻射固化的熱轉(zhuǎn)移層可用于制造(例如)微電子器件和光學(xué)器件。如圖1所示，示例性的LITI供體薄膜包括用于機(jī)械支承的供體基底100和覆蓋在基底100上、并且用于將成像能轉(zhuǎn)化為熱的LTHC層102。其它層可以包括(例如)轉(zhuǎn)移層106、覆蓋在所述基底上的可選夾層104、夾在基底100和LTHC層102之間的可選墊層108、以及位于所述轉(zhuǎn)移層之下的可選剝離層110。基底和可選底涂層一般來講，LITI供體熱轉(zhuǎn)移元件包括基底。該供體基底可以是聚合物薄膜。一類合適的聚合物薄膜為聚酯薄膜，例如聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)薄膜，或聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)薄膜。然而，其它薄膜包括在從背對受體的一側(cè)對供體進(jìn)行輻射時具有合適的光學(xué)特性(包括對特定波長的光具有高透過性)、并且針對特定應(yīng)用具有充分的機(jī)械穩(wěn)定性和熱穩(wěn)定性的那些。在某些實(shí)施例中，所述基底本身可能包含成像輻射吸收材料，在這種情況下，該基底的一部分(如頂層)或全部基底(例如，在吸收材料在整個基底中均勻分布的情況下)可以起到LTHC層的作用。在這種情況下，由于LTHC層也可起到基底的作用，因而基底是可選的。至少在某些情況下，供體基底大體上是平坦的，以便可以形成均勻的涂層。供體基底的典型厚度范圍為0.025毫米(mm)到0.15mm，優(yōu)選為0.05mm到0.lmm，但是可以使用更厚或更薄的供體基底。通常，可以選擇用于形成供體基底和任何相鄰層的材料，以增強(qiáng)供體基底和相鄰層之間的粘合力、控制基底和相鄰層之間的溫度傳遞、并控制成像輻射向LTHC層的傳遞。然而，可以使用可選的底涂層來提高將后續(xù)層涂敷到基底上時的均勻性，以及提高供體基底和相鄰層之間的粘合強(qiáng)度。具有底涂層的合適基底的一個實(shí)例是產(chǎn)品No.M7Q(得自DuPontTeijinFilms,Osaka,JaparO。可選墊層可選墊層可以通過涂敷或以其它方式設(shè)置在供體基底和LTHC層之間，以(例如)最大限度地在成像過程中減輕對供體基底的損壞。該墊層還能影響LTHC層對供體基底部件的粘合力。通常，墊層具有高耐熱性(即，比基底低的導(dǎo)熱率)，并作為絕熱體來保護(hù)基底不被LTHC層中產(chǎn)生的熱量所損壞。作為另外一種選擇，可以用導(dǎo)熱率比基底高的墊層來增加從LTHC層到基底的熱傳遞，(例如)以降低由于LTHC層過熱而引起的成像缺陷的發(fā)生率。合適的墊層包括(例如)聚合物薄膜、金屬層(例如，氣相沉積的金屬層)、無機(jī)層(例如，由無機(jī)氧化物(例如二氧化硅、二氧化鈦、氧化鋁和其它金屬氧化物)構(gòu)成的溶膠-凝膠沉積層和氣相沉積層)和有機(jī)/無機(jī)復(fù)合層。適合作為墊層材料的有機(jī)材料既包括熱固性材料，又包括熱塑性材料。合適的熱固性材料包括可通過熱、輻射或化學(xué)處理而交聯(lián)的樹脂，其包括(但不限于)已交聯(lián)或可交聯(lián)的聚丙烯酸酯、聚甲基丙烯酸酯、聚酯、環(huán)氧樹脂和聚氨酯?？梢詫⑸鲜鰺峁绦圆牧弦?例如)熱塑性前體的形式涂敷到供體基底或LTHC層上，并隨后發(fā)生交聯(lián)而形成交聯(lián)的墊層。合適的熱塑性材料包括(例如)聚丙烯酸酯、聚甲基丙烯酸酯、聚苯乙烯、聚氨酯、聚砜、聚酯和聚酰亞胺。這些熱塑性有機(jī)材料可以通過常規(guī)的涂敷技術(shù)(例如溶劑涂敷或噴涂)施加。上述墊層可對一個或多個波長的成像輻射具有透射性、吸收性、反射性或它們的某種組合。適合作為墊層材料的無機(jī)材料包括(例如)金屬、金屬氧化物、金屬硫化物和無機(jī)碳涂層，其包括在成像光波長處具有透射性、吸收性或反射性的那些材料。這些材料可以通過常規(guī)技術(shù)(例如真空濺射、真空蒸發(fā)或等離子射流沉積)進(jìn)行涂敷或以其它方式進(jìn)行施加。墊層可以提供多種有益效果。例如，墊層可用于調(diào)節(jié)或控制LTHC層與供體基底之間的熱傳遞。可以用墊層使基底與LTHC層中產(chǎn)生的熱量隔離，或者吸收從LTHC層向基底傳遞的熱量。該供體元件內(nèi)的溫度調(diào)節(jié)和熱傳遞可以通過以下方式實(shí)現(xiàn)增加層和/或控制各層的特性(如導(dǎo)熱率(例如，導(dǎo)熱率的值和方向性中的兩者或之一))、吸收材料的分布和Z或取向、或者各層內(nèi)的層的形態(tài)或顆粒的形態(tài)(例如，金屬薄膜層或顆粒中的晶體生長或晶粒形成的取向)。墊層可以包含添加劑，其包括(例如)光引發(fā)劑、表面活性劑、顏料、增塑劑和涂層助劑。墊層的厚度可能取決于以下因素，(例如)墊層的材料、LTHC層的材料和光學(xué)特性、供體基底的材料、成像輻射的波長、熱轉(zhuǎn)移元件在成像輔射中的曝光持續(xù)時間以及供體元件的總體構(gòu)造。對于聚合物墊層來說，墊層的厚度通常在0.05微米到10微米的范圍內(nèi)，更優(yōu)選地為約0.1微米到4微米，更優(yōu)選地為約0.5微米到3微米，以及更優(yōu)選地為約0.8微米到2微米。對于無機(jī)墊層(例如金屬或金屬化合物墊層)來說，墊層的厚度通常在0.005微米到10微米的范圍內(nèi)，更優(yōu)選地為約0.01微米到4微米，以及更優(yōu)選地為約0.02微米到2微米。在美國專利No.6,284,425中對LITI供體墊層有更加詳細(xì)的描述。光熱轉(zhuǎn)換(LTHC)層對于輻射誘導(dǎo)熱轉(zhuǎn)移而言，LTHC層被并入熱轉(zhuǎn)移供體內(nèi)，以將發(fā)光源輻射出的光能結(jié)合到熱轉(zhuǎn)移供體中。LTHC層通常包括成像輻射吸收材料，其用來吸收入射輻射，并將至少一部分入射輻射轉(zhuǎn)換成熱能，以便使轉(zhuǎn)移層能夠從熱轉(zhuǎn)移供體轉(zhuǎn)移到受體上。在一些實(shí)施例中，熱轉(zhuǎn)移元件包括LTHC層，同時還包括設(shè)置在該熱轉(zhuǎn)移供體的一個或多個其它層(例如供體基底、轉(zhuǎn)移層、可選夾層或可選剝離層)中的附加的成像輻射吸收材料。通常，LTHC層(或其它層)中的成像輻射吸收材料吸收電磁光譜中的紅外光、可見光和/或紫外光區(qū)域的光，或者吸收特定波長范圍內(nèi)的光。成像輻射吸收材料對選定的成像輻射具有吸收性，并且在熱轉(zhuǎn)移元件中的含量足以使其在該成像輻射波長處提供在0.2到3的范圍內(nèi)、并且優(yōu)選地為0.5到2的吸光度。典型的輻射吸收材料可以包括(例如)染料(例如可見光染料、紫外光染料、紅外光染料、熒光染料和輻射偏振染料)、顏料、有機(jī)顏料、無機(jī)顏料、金屬、金屬化合物、金屬薄膜、鐵氰化物顏料、酞菁顏料、酞菁染料、菁顏料、菁染料和其它吸收材料。典型的成像輻射吸收材料的實(shí)例可以包括炭黑、金屬氧化物和金屬硫化物。典型的LTHC層的一個實(shí)例可以包括顏料(如炭黑)和粘合劑(如有機(jī)高分子)。另一種典型的LTHC層可以包括形成為薄膜的金屬或金屬/金屬氧化物，例如黑鋁(即，具有黑色視覺外觀的部分氧化的鋁)。金屬薄膜和金屬化合物薄膜可以通過諸如(例如)濺射和蒸發(fā)沉積等技術(shù)形成。顆粒狀涂層可以使用粘合劑和任何合適的干涂技術(shù)或濕涂技術(shù)形成。用作LTHC層中的成像輻射吸收材料的典型染料可以以顆粒的形式存在，所述顆粒溶解于粘合劑材料中或至少部分地分散在粘合劑材料中。當(dāng)使用分散的顆粒狀成像輻射吸收材料時，其粒度至少在某些情況下可以為約10微米或以下，并且可以為約1微米或以下。典型的染料包括那些吸收光譜中的紅外光的染料。這類染料的實(shí)例在以下文獻(xiàn)中有所描述Matsuoka，M.，"InfraredAbsorbingDyes"，PlenumPress,NewYork,1990;Matsuoka,M.，AbsorptionSpectraofDyesforDiodeLasersBunshinPublishingCo.，Tokyo,1990;美國專利Nos.4,722,583;4，833'124;4,912,083;4,942,141;4，948，776;4，948'778;4，950'639;4，940，640;4'952'552;5，023，229;5'024，990;5，156，938;5,286,604;5,340,699;5，351，617;5，360，694和5，401，607;歐洲專利Nos.321,923和568,993;以及文獻(xiàn)Beilo，K.A.等人，J.Chem.Soc.，Chem.Comm.,1993，452-454(1993)。紅外成像輻射吸收材料包括由GlendaleProtectiveTechnologies公司(Lakeland,Fla.)以商品名CYAS0RBIR-99、IR-126和IR-165出售的材料?？梢愿鶕?jù)以下因素選擇具體的染料，諸如在特定粘合劑和/或涂料溶劑中的溶解度和染料與該粘合劑和/或涂料溶劑的相容性，以及吸收的波長范圍。顏料材料也可以用作LTHC層中的成像輻射吸收材料。典型的顏料實(shí)例包括炭黑和石墨，以及酞菁、鎳連二硫烯和美國專利Nos.5，166,024與5,351,617中所描述的其它顏料。另外，也可以使用基于(例如)吡唑啉酮黃、聯(lián)大茴香胺紅和鎳偶氮黃的銅絡(luò)合物或鉻絡(luò)合物的黑色偶氮顏料。還可以使用無機(jī)顏料，其包括(例如)諸如鑭、鋁、鉍、錫、銦、鋅、鈦、鉻、鉬、鎢、鈷、銥、鎳、鈀、鉑、銅、銀、金、鋯、鐵、鉛和碲等金屬的氧化物和硫化物。也可以使用金屬硼化物、金屬碳化物、金屬氮化物、金屬碳氮化物、青銅納米結(jié)構(gòu)化氧化物和結(jié)構(gòu)上與青銅族相關(guān)的氧化物(例如W02)。金屬類成像輻射吸收材料既可以采用顆粒形式(如美國專利No.4,252,671中所述的那樣)，又可以采用薄膜形式(如美國專利No.5,256,506中所公開的那樣)。典型的金屬包括(例如)鋁、鉍、錫、銦、碲和鋅。顆粒狀成像輻射吸收材料可以分布在粘合劑中。成像輻射吸收材料在涂層中的重量百分比(重量百分比的計(jì)算中不包括溶劑)根據(jù)LTHC中使用的具體的成像輻射吸收材料和粘合劑，通常為1重量％到30重量％，更優(yōu)選地為3重量％到20重量％，并且更優(yōu)選地為5重量％到15重量%。本領(lǐng)域已知的LTHC層通常包含UV固化型樹脂體系和作為微粒吸收材料的炭黑顏料分散體。炭黑價格低廉、穩(wěn)定并且易于處理，并且可以吸收808納米(nm)和1064，的NIR成像激光波長。炭黑的光譜特征通常導(dǎo)致LTHC層難以進(jìn)行UV固化，并且在涂敷過程中難以進(jìn)行光學(xué)檢測。此外，這些涂層在UV固化過程中易發(fā)生熱損壞，這是因?yàn)槠浒l(fā)生了與激光熱印刷過程中相同的光熱轉(zhuǎn)換過程。雖然固化過程通常只受liV敏化，但是UV燈照射包括在整個可見光區(qū)域的能量，而且這種能量被吸收并且被轉(zhuǎn)化為熱。其結(jié)果往往會導(dǎo)致薄膜基底出現(xiàn)熱損壞和發(fā)生變形。符合本發(fā)明的實(shí)施例提供這樣的LTHC層，該層包含成像輻射吸收材料和輻射固化型材料，所述輻射固化型材料可通過暴露在一個或多個固化波長的輻射下而發(fā)生固化。在一些實(shí)施例中，成像輻射吸收材料不會使固化波長下或固化波長段內(nèi)的輻射吸收度顯著提高。例如，在一些實(shí)施例中，成像輻射吸收材料不會使一個或多個固化波長處的輻射吸收度提高超過50%、40%、30%、20%、10%、或5%，其中，輻射吸收度提高得越少越是優(yōu)選的。在其它實(shí)施例中，在輻射固化型材料固化前，成像輻射吸收材料不會使固化波長下或固化波長段內(nèi)的輻射吸收度顯著提高，更優(yōu)選的是，不會使輻射吸收度提高超過10%。在其它符合本發(fā)明的實(shí)施例中，未反應(yīng)的固化型材料的殘余量顯著低于具有與該熱轉(zhuǎn)移元件相當(dāng)?shù)暮穸炔⒃诔上癫ㄩL下具有與該熱轉(zhuǎn)移元件相當(dāng)?shù)墓饷芤欢?、但其中成像輻射吸收材料被替換為在同樣條件下發(fā)生固化的微粒吸收材料的熱轉(zhuǎn)移元件中所存在的未反應(yīng)的固化型材料的殘余量。例如，在一些實(shí)施例中，所存在的未反應(yīng)的固化型材料的量比微粒吸收材料情況下的未反應(yīng)的固化型材料的量少50%、少40%、少30%、少20%、少10%或少5%，其中，所存在的未反應(yīng)的固化型材料的量越少越是優(yōu)選的。在其它符合本發(fā)明的實(shí)施例中，在LTHC層固化之后，未反應(yīng)的固化型材料的殘余量顯著低于包含微粒吸收材料的熱轉(zhuǎn)移元件中所存在的未反應(yīng)的固化型材料的殘余量。例如在一些實(shí)施例中，在LTHC層固化之后所存在的未反應(yīng)的固化型材料的量比微粒吸收材料情況下的未反應(yīng)的固化型材料的量少50%、少40%、少30%、少20%、少10%或少5%，其中，所存在的未反應(yīng)的固化型材料的量越少越是優(yōu)選的。微粒吸收材料的一個實(shí)例是存在于UV糊劑(如得自PermColor公司(Doylestown，PA)的9B981D、9B950D和9B923)中的炭黑。合適的輻射固化型材料包括輻射固化型單體、低聚物、聚合物和共聚物，尤其是丙烯酸酯與(甲基)丙烯酸酯的單體、低聚物、聚合物和共聚物。優(yōu)選的是，用于使輻射固化型材料固化的輻射源發(fā)射處于UV(200rnn-400函)或可見光(400nm-700nm)輻射帶內(nèi)的一個或多個固化波長下的輻射。在一些實(shí)施例中，用于實(shí)現(xiàn)固化的輻射源可以是激光或閃光燈。使用NIR染料或顏料作為LTHC層中的成像輻射吸收材料，可對輻射固化型LTHC的成形提供多種工藝優(yōu)勢和性能優(yōu)勢。首先，這類材料與顯著吸收一個或多個固化波長的輻射的其它成像輻射吸收材料相比，前者中的大多數(shù)在激光波長下是效率更高的成像輻射吸收材料。這樣，對于給定的激光功率來說，就能夠使用較低的成像輻射吸收材料負(fù)載量，從而有可能產(chǎn)生更加平滑的表面。其次，對于某些LTHC來說，在可見光譜中不產(chǎn)生顯著的吸收這一點(diǎn)會在UV照射期間防止發(fā)生不需要的光熱轉(zhuǎn)換，并降低涂敷薄膜受熱變形的可能性。第三，在可見光區(qū)有更加透明的光譜窗會有助于在LTHC和夾層涂敷過程中，以及在加工現(xiàn)場、用戶現(xiàn)場或別處對供體薄膜進(jìn)行最終檢查的過程中改善光學(xué)檢測過程(檢測顆粒和涂層缺陷)。第四，在可見光譜區(qū)域中有較高的透明度使得激光系統(tǒng)可以透過供體薄膜與高分辨率受體基底(例如顯示器底板)對準(zhǔn)。第五，較高的可見光透明度也使得預(yù)圖形化的供體薄膜可以與圖形化的受體基底對準(zhǔn)。最后，在UV區(qū)域的透明光譜窗使得UV固化的效率更高(殘余未反應(yīng)的輻射固化型材料的濃度更低)，固化的時間更短(加工速度更快)，以及UV燈的設(shè)置功率更低(對涂敷薄膜的熱損壞更小)。為了更好地了解本發(fā)明的成像輻射吸收材料在LITI法中的有益效果，要考慮在以下這三個光譜區(qū)的光學(xué)特性近紅外(NIR)、可見光(VIS)、和紫外光(UV)。激光波長通常位于NIR光譜區(qū)域(700nm-llOOnm)內(nèi)。為了針對特定類型的激光成為高效的成像輻射吸收材料，非微粒吸收材料在該激光波長下通常必須具有顯著的吸收帶。優(yōu)選的成像輻射吸收材料在該激光波長下具有有效的消光系數(shù)，其至少為103mL/g-Cm，優(yōu)選為104mL/g-cm，更優(yōu)選為105mL/g-cm。因此，適用于808納米的激光的成像輻射吸收材料的實(shí)例包括普魯士藍(lán)(顏料藍(lán)27)、銅酞菁(顏料藍(lán)15)、及其許多取代衍生物、以及多次甲基染料。合適的近紅外(NIR)成像輻射吸收材料還包括可溶于溶劑的菁染料，如得自FEWChemicals公司(Wolfen，Germany)的S0402、S0337、S0391、S0094、S0325、S0260、S0712、S0726、S0455和S0728,和得自YamamotoChemicals公司(Tokyo,Japan)的YKR-2016、YKR-2100、YKR-2012、YKR-2900、D01-014和D03-002;以及可溶的多次甲基染料，如得自Avecia公司(Blackley，Manchester'UK)白勺Pro—Jet830LDI。本發(fā)明的實(shí)施例中使用的其它成像輻射吸收材料包括水溶性菁染料，如得自FEWChemicals公司的S0121、S0270禾QS0378;以及可溶和不可溶的酞菁類成像輻射吸收材料，如得自Yamamoto公司的YKR-1020、YKR-220、YKR-1030、YKR-3020、YKR-3071、YKR-4010、YKR-3030、YKR-3070、YKR-369、D05-003和YKR-5010,以及得自Avecia公司的Pro-Jet800NP和Pro-Jet830NP。圖2A-2C為圖示說明LTHC層中使用的示例性材料的光譜圖。圖2A為圖示說明LTHC層中的普魯士藍(lán)(PennColor公司)的光譜圖。圖2B為圖示說明LTHC層中的Pro-Jet830LDI(Avecia公司)的光譜圖。圖2C為圖示說明LTHC層中的YKR2900(Yamamoto公司)的光譜圖。可見光譜區(qū)(400nm-700nm)透明度的提高對于目視檢查和/或光學(xué)檢查與對準(zhǔn)來說都是重要的。此外，在UV固化工藝中，這種透明度的提高可以降低LTHC層和基底上的熱負(fù)荷，從而降低因熱效應(yīng)導(dǎo)致的基底變形和可能的劣化。在LTHC層中含有優(yōu)選的NIR成像輻射吸收材料的LTHC層在以下的LTHC吸收度條件下透過至少20%或更多的來自理想光源的可見光區(qū)域內(nèi)的入射能，其中所述的理想光源在該相同的波長范圍內(nèi)具有均勻的光譜能量分布，所述的LTHC吸收度在成像波長處優(yōu)選為0.40或以上，更優(yōu)選為0.7或以上，并且最優(yōu)選為1.0或以上。含有更優(yōu)選的NIR成像輻射吸收材料的LTHC層在以下的LTHC吸收度條件下透過至少30%或更多的來自理想光源的可見光區(qū)域內(nèi)的入射能，其中所述理想光源在該相同的范圍內(nèi)具有均勻的光譜能量分布，所述的LTHC吸收度在成像波長處優(yōu)選為0.40或以上，更優(yōu)選為0.7或以上，并且最優(yōu)選為1.0或以上。含有更優(yōu)選的NIR成像輻射吸收材料的LTHC層在以下的LTHC吸收度條件下透過至少40%或更多的來自理想光源的可見光區(qū)域內(nèi)的入射能，其中所述理想光源在該相同的范圍內(nèi)具有均勻的光譜能量分布，所述的LTHC吸收度在成像波長處優(yōu)選為0.40或以上，更優(yōu)選為0.7或以上，并且最優(yōu)選為1.0或以上。含有更優(yōu)選的NIR成像輻射吸收材料的LTHC層在以下的LTHC吸收度條件下透過至少50%或更多的來自理想光源的可見光區(qū)域內(nèi)的入射能，其中所述理想光源在該相同的范圍內(nèi)具有均勻的光譜能量分布，所述的LTHC吸收度在成像波長處優(yōu)選為0.40或以上，更優(yōu)選為0.7或以上，并且最優(yōu)選為1.0或以上。按照類似的方式，經(jīng)透射穿過LTHC涂層的UV能量(來自大約200皿-400nm波長的光)的多少關(guān)系到LTHC層可被UV固化的容易程度，并最終影響到殘余物的含量、固化速度和LTHC層發(fā)生熱變形的可能性。在某些實(shí)施例中，采用NIR成像輻射吸收材料(其含量足以在成像波長處獲得0.2到3.0的吸收度)制備的LTHC涂層在整個可進(jìn)入其內(nèi)的紫外光區(qū)域(聚酯基底有效地阻斷了所有小于300納米的UV波長)內(nèi)沒有表現(xiàn)出強(qiáng)吸收，并且透過至少15%(更優(yōu)選20%，更優(yōu)選25%或以上)的來自理想輻射源的紫外區(qū)域內(nèi)的入射能，其中，所述輻射源在該相同的范圍內(nèi)具有均勻的光譜能量分布。因此，涂層可以在更低的總UV能量、更快的線速度、禾n/或更低的UV燈設(shè)置功率的條件下固化，從而形成殘余物更少、熱變形程度更低的固化LTHC層。如所指出的那樣，顆粒狀成像輻射吸收材料可以設(shè)置在粘合劑中。成像輻射吸收材料在涂層中的重量百分比(重量百分比的計(jì)算中不包括溶劑)根據(jù)LTHC中使用的具體成像輻射吸收材料和粘合劑，通常為1重量%到30重量％，更優(yōu)選地為3重量％到20重量％，并且更優(yōu)選地為5重量％到15重量％。LTHC層中可以包括可選的聚合物粘合劑。LTHC層中使用的合適的聚合物粘合劑包括成膜性聚合物，例如酚醛樹脂(如酚醛清漆樹脂、甲酚樹脂和可熔可溶酚醛樹脂)、聚乙烯醇縮丁醛樹脂、聚醋酸乙烯酯、聚乙烯醇縮醛、聚偏二氯乙烯、聚丙烯酸酯、纖維素醚和纖維素酯、硝化纖維、聚碳酸酯、聚酯、聚氨酯和聚氨酯丙烯酸酯。其它合適的粘合劑可以包括已經(jīng)或能夠被聚合或交聯(lián)的單體、低聚物或聚合物。在一些實(shí)施例中，粘合劑主要由可聚合或可交聯(lián)的單體和/或低聚物與可選的聚合物構(gòu)成的涂料形成。當(dāng)在粘合劑中使用聚合物時，該粘合劑包含1到50重量％，優(yōu)選為10到45重量％的聚合物(計(jì)算重量％時不包括溶劑)。在單體、低聚物和聚合物被涂敷到供體基底上后，將其聚合和/或交聯(lián)而形成LTHC層。在某些情況下，如果LTHC層的交聯(lián)度過低，則該LTHC層可能受熱損壞和/或使得LTHC層的一部分隨轉(zhuǎn)移層轉(zhuǎn)移到受體上。至少在某些情況中，添加熱塑性樹脂(例如聚合物)可改善LTHC層的性能，如轉(zhuǎn)移特性和/或可涂敷性。熱塑性樹脂可增強(qiáng)LTHC層對供體基底的附著力。在一個實(shí)施例中，粘合劑包含25到50重量％(計(jì)算重量百分比時不包括溶劑)的熱塑性樹脂，并且優(yōu)選為30到45重量％的熱塑性樹脂，但是可以使用更低含量的熱塑性樹脂(例如1到15重量％)。熱塑性樹脂通常被選擇為與粘合劑中的其它材料相容(即，形成單相混合物)?？梢允褂萌芙舛葏?shù)來表示相容性，如PolymerHandbook,J.Brandrup，ed.，pp.VII519-557(1989)中所述的那樣。在至少一些實(shí)施例中，為粘合劑選用溶解度參數(shù)在9到13(cal/cm3)1/2的范圍內(nèi)，優(yōu)選為9.5到12(cal/cm3)1/2的熱塑性樹脂。合適的熱塑性樹脂的實(shí)例包括聚丙烯酸類、苯乙烯-丙烯酸類聚合物和樹脂，以及聚乙烯醇縮丁醛?？梢蕴砑映Ｒ?guī)的涂敷助劑(如表面活性劑和分散劑)，以有利于涂敷過程。可以采用多種涂敷方法將LTHC層涂敷到供體基底上。在至少某些情況下，聚合物L(fēng)THC層或有機(jī)LTHC層的涂敷厚度為約0.05微米到約20微米，更優(yōu)選地為約0.5微米到約10微米，并且更優(yōu)選地為約1微米到約7微米。在至少某些例子中，無機(jī)LTHC層的涂敷厚度在0.001微米到10微米的范圍內(nèi)，并且優(yōu)選地為0.002微米到1微米。輻射吸收材料既可以均勻地分布在整個LTHC層中，又可以不均勻地分布其中。例如，如美國專利No.6,468,715所述，可以用不均勻的LTHC層來控制供體元件中的溫度分布。這可以產(chǎn)生轉(zhuǎn)移特性得以改善(例如，預(yù)期轉(zhuǎn)移圖形和實(shí)際轉(zhuǎn)移圖形之間具有更好的保真性)的熱轉(zhuǎn)移元件。LTHC層可以含有分布不均勻的吸收材料，(例如)以控制供體元件中所能達(dá)到的最高溫度和/或控制轉(zhuǎn)移層界面所能達(dá)到的溫度。例如，LTHC層中的吸收材料可以在靠近供體基底處分布較稀疏，在靠近轉(zhuǎn)移層處分布較密集。在許多情況下，與具有相同厚度和光密度的均勻LTHC層相比，這樣的設(shè)計(jì)可使得越深入到LTHC層內(nèi)部，被吸收并轉(zhuǎn)化成熱的輻射就越多。為明確起見，術(shù)語"深度"在用于描述LTHC層中的位置時是指從熱質(zhì)轉(zhuǎn)移元件的供體基底側(cè)開始測量，沿厚度方向進(jìn)入LTHC層的距離。在其它情況下，可能有利的是，LTHC層中的吸收材料越靠近供體基底，其分布越密集，并且越靠近轉(zhuǎn)移層，其分布越稀疏。所述LTHC層也可以通過將包含類似材料或相異材料的兩個或更多個LTHC層組合在一起而形成。在這種情況下，當(dāng)使用多于兩個的LTHC層時，只需其中一層包含不會使固化波長處的輻射吸收度顯著提高的成像輻射吸收材料。下面將更加詳細(xì)地討論LTHC構(gòu)造的其它實(shí)例。熱質(zhì)轉(zhuǎn)移供體元件可以包括不均勻的LTHC層。例如，該LTHC層中的吸收材料分布可以隨厚度而發(fā)生變化。具體地講，LTHC層的吸收材料的密度可以隨深度的增加而增大。更一般地講，可以通過改變同種吸收材料在整個LTHC層內(nèi)的分布或密度，或通過在LTHC層中不同位置處包括不同的吸收材料或?qū)?，或同時采用這兩種方式，將LTHC層設(shè)計(jì)成具有變化的吸收系數(shù)。就本發(fā)明的目的而言，術(shù)語"不均勻"包括材料在LTHC層中至少一個方向上具有各向異性的熱特性或材料分布。—一般來講，吸收系數(shù)與LTHC層的成像輻射吸收率成正比。對于均勻的LTHC層而言，吸收系數(shù)在整個厚度上為常量，并且LTHC層的光密度與LTHC層的總厚度和吸收系數(shù)的乘積大致成正比。對于不均勻LTHC層而言，吸收系數(shù)可以改變。示例性的不均勻LTHC層具有這樣的吸收系數(shù)，該系數(shù)隨所述LTHC層厚度的變化而變化，而光密度則取決于吸收系數(shù)在整個LTHC層厚度范圍內(nèi)的積分。不均勻的LTHC層還可以具有在該層平面內(nèi)變化的吸收系數(shù)。另外，吸收材料可以被取向或者被不均勻地分散在LTHC層平面內(nèi)，以獲得各向異性的導(dǎo)熱率(例如，針狀磁性顆?？捎米魑疹w粒并可在磁場存在時被取向)。這樣，可以制得這樣的LTHC層，該LTHC層沿著層厚有效地傳導(dǎo)熱能，以將熱能傳遞到轉(zhuǎn)移層，同時該LTHC層平面具有低的導(dǎo)熱率，從而使較少的熱量散失到鄰近的較冷區(qū)域，例如那些還未暴露于成像輻射下的區(qū)域。可以利用這種各向異性的導(dǎo)熱率來提高使用本發(fā)明的供體元件進(jìn)行熱圖形化的分辨率。同樣，可以使得熱質(zhì)轉(zhuǎn)移供體元件中的任何其它層(例如基底、墊層、夾層和/或熱轉(zhuǎn)移層)具有各向異性的導(dǎo)熱率，以控制熱量傳遞到其它層或離開其它層。一種制造具有各向異性的導(dǎo)熱率的層的方法是使該層中導(dǎo)熱率不同的材料具有各向異性的取向或各向異性的分布。另一種方法是，向一個或多個層的表面賦予物理結(jié)構(gòu)(例如，使層在某些部位較薄，而在其它部位較厚)。通過將LTHC層設(shè)計(jì)為其吸收系數(shù)隨層厚而變化，可以增強(qiáng)供體元件的成像性能。例如，與具有相同厚度和光密度的均勻LTHC層相比，可以通過對LTHC層進(jìn)行設(shè)計(jì)，來降低供體元件所能達(dá)到的最高溫度，和/或升高轉(zhuǎn)移溫度(即，轉(zhuǎn)移層/LTHC界面或轉(zhuǎn)移層/夾層界面所達(dá)到的溫度)。其優(yōu)點(diǎn)可包括能夠使用促使轉(zhuǎn)移特性(如轉(zhuǎn)移靈敏度)得到改善的成像條件，而不會因供體過熱以致于損壞供體元件或破壞被轉(zhuǎn)移的圖形。在示例性的實(shí)施例中，熱質(zhì)轉(zhuǎn)移供體元件包括吸收系數(shù)隨厚度變化的LTHC層。該LTHC層可以用任何合適的技術(shù)制得。例如，可以依次地涂敷、層壓或以其它方式形成兩個或更多個層，其中每一層都有不同的吸收系數(shù)，從而形成總體不均勻的LTHC層。各層之間的邊界可以是漸變的(例如，因兩層間的擴(kuò)散而致)或突變的。也可以通過使材料擴(kuò)散到預(yù)先形成的層中來形成隨厚度變化的吸收系數(shù)，從而制成不均勻的LTHC層。其實(shí)例包括使吸收材料擴(kuò)散到粘合劑中，使氧氣擴(kuò)散到鋁材薄層中等。制作不均勻LTHC層的合適方法包括(但不限于)依次涂敷含有分散在可交聯(lián)粘合劑中的吸收材料的兩個或更多個層(每層具有不同的吸收系數(shù))，然后或者在每個涂敷步驟后進(jìn)行交聯(lián)，或者在涂敷完所有相關(guān)層后再把多個層一起交聯(lián)；依次氣相沉積兩個或多個具有不同吸收系數(shù)的層；和依次形成具有不同吸收系數(shù)的兩個或多個層，其中至少一層包括設(shè)置在可交聯(lián)粘合劑中的吸收材料，并且至少一層經(jīng)氣相沉積而成，其中可交聯(lián)粘合劑可以在涂敷完特定的層后立即進(jìn)行交聯(lián)，也可以在進(jìn)行其它涂敷步驟后立即進(jìn)行交聯(lián)?？梢灾频玫牟痪鶆騆THC層的實(shí)例包括在較深的區(qū)域具有較大吸收系數(shù)的雙層結(jié)構(gòu)；在較深的區(qū)域具有較小吸收系數(shù)的雙層結(jié)構(gòu)；吸收系數(shù)隨深度依次增大的三層結(jié)構(gòu)；吸收系數(shù)隨深度依次減小的三層結(jié)構(gòu)；吸收系數(shù)隨深度的增加而增大，然后又減小的三層結(jié)構(gòu)；吸收系數(shù)隨深度的增加而減小，然后又增大的三層結(jié)構(gòu)，以及視所需層數(shù)而定的其它結(jié)構(gòu)。隨著具有不同吸收系數(shù)的區(qū)域的數(shù)目增加，禾口/或隨著區(qū)域變薄，禾口/或隨著區(qū)域之間的擴(kuò)散增加，可以形成具有近似連續(xù)變化的吸收系數(shù)的不均勻LTHC層。在一個實(shí)施例中，可以利用吸收系數(shù)隨深度而增大的不均勻LTHC層，從而當(dāng)從LTHC層的較淺一側(cè)照射供體元件時，降低LTHC層中所能達(dá)到的最高溫度，并且升高供體元件的轉(zhuǎn)移溫度。降低供體元件最高溫度的優(yōu)點(diǎn)可能在于，減少因LTHC層或其它層的熱分解或過熱而導(dǎo)致的缺陷。這些缺陷可能包括被轉(zhuǎn)移圖像的失真，部分LTHC層向受體的非預(yù)期轉(zhuǎn)移，被轉(zhuǎn)移圖像的意外分裂，以及被轉(zhuǎn)移圖像的表面粗糙度增大或其它物理或化學(xué)方面的劣化(例如，因成像過程中供體元件過熱而使一個或多個層發(fā)生機(jī)械變形而致的劣化)。這些缺陷統(tǒng)稱為成像缺陷。根據(jù)符合本發(fā)明的實(shí)施例，設(shè)計(jì)LTHC層的另一個優(yōu)點(diǎn)在于，可以使用功率較高的輻射源和/或較長的持續(xù)時間(例如更高的激光劑量)來升高轉(zhuǎn)移溫度，從而提高轉(zhuǎn)移的保真性，同時又不會超過在該LTHC層中可能導(dǎo)致成像缺陷的溫度。與包含顯著地吸收一個或多個固化波長輻射的微粒吸收材料或其它成像輻射吸收材料的相應(yīng)LTHC層相比，符合本發(fā)明的實(shí)施例的LTHC層可表現(xiàn)出更高的可見光透射特性。一些實(shí)施例包括這樣的LITI供體薄膜，該供體薄膜包含可使可見光至少部分地透過的LTHC層。這使得(例如)在制造過程中，對LITI供體薄膜的缺陷進(jìn)行目視檢查或其它在線檢查變得更加容易。在一些實(shí)施例中，提供可使可見光至少部分地透過的LITI供體薄膜，這樣可以將預(yù)圖形化的供體薄膜與圖形化的受體基底精密對準(zhǔn)，并且有利于制造要求將圖形化層精確定位的復(fù)雜多層電子器件。LTHC層可以用于多種熱轉(zhuǎn)移元件，其包括具有多元轉(zhuǎn)移組件的熱轉(zhuǎn)移元件，和用于轉(zhuǎn)移器件中的單一一層或其它物品的熱轉(zhuǎn)移元件。LTHC層既可以與形成多層器件所用的熱轉(zhuǎn)移元件一起使用(如上所述)，又可以與形成其它物品所用的熱轉(zhuǎn)移元件一起使用。這類物品的實(shí)例包括濾色鏡、隔層、黑色基質(zhì)層、印刷電路板、顯示器(例如液晶顯示器和發(fā)射顯示器)、偏振片、Z軸導(dǎo)體、以及可以通過熱轉(zhuǎn)移形成的其它物品，它們包括(例如)在美國專利No.5,156，938、5,171,650、5,244,770、5,256,506、5,387,496、5,501,938、5,521,035、5,593,808、5,605,780、5，612，165、5,622,795、5,685,939、5,691,114、5，693，446和5，710，097以及PCT專利申i青No.98/03346和97/15173中所描述的那些。可選的夾層熱轉(zhuǎn)移元件中可以包括作為可選部分的夾層。該可選的夾層可用于最大程度地減小對轉(zhuǎn)移層中被轉(zhuǎn)移部分的損壞和污染，并且還可用于降低轉(zhuǎn)移層中被轉(zhuǎn)移部分的失真。該夾層還能影響轉(zhuǎn)移層對熱轉(zhuǎn)移元件的粘合力，或另外控制轉(zhuǎn)移層在成像區(qū)域和非成像區(qū)域的脫離。通常，該夾層具有高耐熱性，并且不會在成像條件下發(fā)生變形或化學(xué)分解，尤其不會達(dá)到致使被轉(zhuǎn)移圖象無效的程度。該夾層在轉(zhuǎn)移過程中通常與LTHC層保持接觸，并且基本不會與轉(zhuǎn)移層一起轉(zhuǎn)移。合適的夾層包括(例如)聚合物薄膜、金屬層(例如氣相沉積的金屬層)、無機(jī)層(例如無機(jī)氧化物(例如二氧化硅、二氧化鈦和其它金屬氧化物)的溶膠-凝膠沉積層和氣相沉積層)和有機(jī)/無機(jī)復(fù)合材料層。適合作為夾層材料的有機(jī)材料包括熱固性材料和熱塑性材料。合適的熱固性材料包括可以通過加熱、輻射或化學(xué)處理而交聯(lián)的樹脂，這些樹脂包括(但不限于)交聯(lián)或可交聯(lián)的聚丙烯酸酯、聚甲基丙烯酸酯、聚酯、環(huán)氧樹脂和聚氨酯?？梢詫峁绦圆牧弦?例如)'熱塑性前體的形式涂敷到LTHC層上，隨后進(jìn)行交聯(lián)而形成交聯(lián)的夾層。合適的熱塑性材料包括(例如)聚丙烯酸酯、聚甲基丙烯酸酯、聚苯乙烯、聚氨酯、聚砜、聚酯和聚酰亞胺。這些熱塑性有機(jī)材料可以通過常規(guī)的涂敷技術(shù)(例如溶劑涂敷或噴涂)予以施加。通常，適用于夾層的熱塑性材料的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度(Tg)為25°C或更高，更優(yōu)選地為50°C或更高，更優(yōu)選地為IO(TC或更高，并且更優(yōu)選地為150°C或更高。該夾層可以在成像輻射波長下具有光透射性、光吸收性、光反射性或它們的某種組合。適合作為夾層材料的無機(jī)材料包括(例如)金屬、金屬氧化物、金屬硫化物和無機(jī)碳涂層，其包括在成像光波長下具有高透射性或高反射性的那些材料?？梢酝ㄟ^常規(guī)技術(shù)(例如真空濺射、真空蒸發(fā)或等離子射流沉積)將這些材料施加到光熱轉(zhuǎn)換層上。夾層可以提供多種有益效果。夾層可以作為防止材料從LTHC層轉(zhuǎn)移出來的屏障。它還可以用來調(diào)節(jié)轉(zhuǎn)移層中所能達(dá)到的溫度，以便轉(zhuǎn)移熱不穩(wěn)定的材料和/或溫敏材料。例如，相對于LTHC層所能達(dá)到的溫度而言，夾層可作為熱擴(kuò)散體來控制夾層和轉(zhuǎn)移層之間的界面處的溫度。這可改善被轉(zhuǎn)移層的質(zhì)量(即，表面粗糙度、邊緣粗糙度等)。夾層的存在還能使被轉(zhuǎn)移材料的塑性記憶得到改善或降低其失真度。夾層可以包含添加劑，其包括(例如)光引發(fā)劑、表面活性劑、顏料、增塑劑和涂敷助劑。夾層厚度可取決于諸如(例如)夾層的材料、LTHC層的材料、轉(zhuǎn)移層的材料、成像輻射的波長和熱轉(zhuǎn)移元件在成像輻射中的曝光持續(xù)時間等因素。對于聚合物夾層而言，夾層的厚度通常在約0.05微米到約10微米的范圍內(nèi)，更優(yōu)選地從約0.1微米到約4微米，更優(yōu)選地從約0.5微米到約3微米，并且更優(yōu)選地從約0.8微米到約2微米。對于無機(jī)夾層(例如金屬或金屬化合物夾層)而言，夾層的厚度通常在約0.005微米到約10微米范圍內(nèi)，更優(yōu)選地為約0.01微米到約3微米，并且更優(yōu)選地為約0.02微米到約1微米。轉(zhuǎn)移層熱轉(zhuǎn)移元件中可以包含轉(zhuǎn)移層。通常通過以下方法在LTHC層上形成轉(zhuǎn)移層，所述的方法包括(例如)蒸發(fā)或?yàn)R射，涂敷成均勻?qū)?，或采用?shù)字印刷技術(shù)(如數(shù)字式噴墨或數(shù)字式電子照相印刷技術(shù))、平版印刷技術(shù)、透過掩模進(jìn)行的蒸發(fā)或?yàn)R射技術(shù)印刷成圖形。如前所述，可以在LTHC層和轉(zhuǎn)移層之間插入其它可選層，例如可選的夾層。轉(zhuǎn)移層通常包括用于轉(zhuǎn)移到受體上的一層或多層。這些層可以由有機(jī)材料、無機(jī)材料、有機(jī)金屬材料和其它材料構(gòu)成，所述材料包括(例如)電致發(fā)光材料或電活性材料。盡管轉(zhuǎn)移層被描述和圖示為具有非連續(xù)的層，但是應(yīng)當(dāng)理解，至少在某些情況下，可以存在包括各層至少一部分的界面區(qū)域。例如，在轉(zhuǎn)移層被轉(zhuǎn)移之前、被轉(zhuǎn)移過程中或被轉(zhuǎn)移之后，如果在層與層之間存在混合或材料擴(kuò)散，則會出現(xiàn)上述情況。在其它情況下，在轉(zhuǎn)移層被轉(zhuǎn)移之前、被轉(zhuǎn)移過程中或被轉(zhuǎn)移之后，兩層可以完全或部分地混合。轉(zhuǎn)移層的一個實(shí)例中包括多元轉(zhuǎn)移組件，其用于在受體上形成多層器件，如有源器件或無源器件。在一些情況下，轉(zhuǎn)移層可包括形成有源器件或無源器件所需的所有層。在其它情況下，可以在受體上設(shè)置該有源器件或無源器件中的一層或多層，其它層則包含在轉(zhuǎn)移層內(nèi)。作為另外一種選擇，可以在沉積轉(zhuǎn)移層后，將該有源器件或無源器件的一層或多層轉(zhuǎn)移到受體上。在某些情況下，轉(zhuǎn)移層用于僅形成有源器件或無源器件中的單一一層，或形成不同于器件的其它物品中的單一一層或多層。使用多元轉(zhuǎn)移組件的一個優(yōu)點(diǎn)(尤其是當(dāng)各層不混合時)在于，當(dāng)制成熱轉(zhuǎn)移組件并且在轉(zhuǎn)移過程中優(yōu)選地保持該熱轉(zhuǎn)移組件時，可以得到多元轉(zhuǎn)移組件中各層之間的重要的界面特性。單獨(dú)轉(zhuǎn)移各層可能會導(dǎo)致層與層之間的界面不夠理想。熱轉(zhuǎn)移元件可以具有這樣的轉(zhuǎn)移層，該轉(zhuǎn)移層可用于形成(例如)電子電路、電阻器、電容器、二極管、整流器、電致發(fā)光燈、存儲元件、場效應(yīng)晶體管、雙極晶體管、單結(jié)晶體管、金屬氧化物半導(dǎo)體(M0S)晶體管、金屬-絕緣體-半導(dǎo)體晶體管、電荷耦合器件、絕緣體-金屬-絕緣體層疊件、有機(jī)導(dǎo)體-金屬-有機(jī)導(dǎo)體層疊件、集成電路、光電探測器、激光器、透鏡、波導(dǎo)管、光柵、全息元件、濾波器(例如分插濾波器、增益平坦濾波器和截止濾波器等)、反射鏡、分光器、耦合器、組合器、調(diào)制器、傳感器(例如迅衰傳感器、相位調(diào)制傳感器和干涉型傳感器等)、光學(xué)諧振腔、壓電器件、鐵電器件、薄膜電池或它們的組合(例如場效應(yīng)晶體管和有機(jī)電致發(fā)光燈的組合，用作光學(xué)顯示器的有源矩陣陣列)?？梢酝ㄟ^轉(zhuǎn)移多元轉(zhuǎn)移組件和/或單層來形成其它物品。可以從熱質(zhì)轉(zhuǎn)移供體元件選擇性地進(jìn)行圖形化的轉(zhuǎn)移層的實(shí)例包括這樣的轉(zhuǎn)移層，該轉(zhuǎn)移層包含著色劑(例如分散或溶解在粘合劑中的顏料和/或染料)、偏振片、液晶材料、顆粒(例如用于液晶顯示器的隔離物、磁性粒子、絕緣粒子、導(dǎo)電粒子)、發(fā)射性材料(例如熒光材料和/或有機(jī)電致發(fā)光材料)、疏水材料(例如噴墨受體的隔離物)、親水材料、多層層疊件(例如多層器件結(jié)構(gòu)，如有機(jī)電致發(fā)光器件)、微結(jié)構(gòu)化或納米結(jié)構(gòu)化的層、光刻膠、金屬、含聚合物的層、粘合劑、粘結(jié)劑、酶、或其它生物材料，或其它合適的材料或其組合。轉(zhuǎn)移層的實(shí)例在以下文獻(xiàn)中公開美國專禾i」No.5，725，989、5,710,097、5,693,446、5，691，098、5,685,939、5,521,035、6，221，543、6，461，775和6，228，543;國際專利公開No.TO97/15173、TO98/03346和WO99/46961;以及共同轉(zhuǎn)讓的美國專利申請No.09/231,724。特別適合的轉(zhuǎn)移層包括可在適合顯示器應(yīng)用的光學(xué)器件中使用的材料?？梢赃M(jìn)行熱質(zhì)轉(zhuǎn)移來使一種或多種材料在受體上以高精度的方式圖形化，并且與基于光刻法的圖形化技術(shù)相比，其加工步驟更少，因而特別可用在諸如顯示器制造等應(yīng)用中。例如，可以制造這樣的轉(zhuǎn)移層，使得該轉(zhuǎn)移層將被轉(zhuǎn)移材料熱轉(zhuǎn)移到受體上后，所述被轉(zhuǎn)移材料形成濾色片、黑色基質(zhì)、墊片、屏蔽片、隔片、偏振片、延遲層、波片、有機(jī)導(dǎo)體或半導(dǎo)體、無機(jī)導(dǎo)體或半導(dǎo)體、有機(jī)電致發(fā)光層(熒光和/或磷光)、磷光體層、有機(jī)電致發(fā)光器件、有機(jī)晶體管、以及其它這類元件、器件或其一部分，它們可以單獨(dú)用于顯示器中或與可以或不可以用類似方式圖形化的其它元件進(jìn)行組合的方式用于顯示器中。在一些實(shí)施例中，將轉(zhuǎn)移層在供體元件上進(jìn)行預(yù)圖形化，并且利用輻射誘導(dǎo)成像法將預(yù)圖形化的轉(zhuǎn)移層全部或部分轉(zhuǎn)移到受體上?？梢栽谵D(zhuǎn)移層上涂敷不同的層(例如附著層)，以利于將轉(zhuǎn)移層轉(zhuǎn)移到基底上。LIT工圖形化對于采用輻射(例如光)進(jìn)行的熱轉(zhuǎn)移來說，可以使用多種輻射發(fā)射源。對于模擬技術(shù)(例如透過掩模進(jìn)行照射)而言，可使用高功率的光源(例如氙閃光燈和激光器)。對于數(shù)字成像技術(shù)而言，紅外光激光器、可見光激光器和紫外光激光器是尤其有用的。合適的激光器包括(例如)高功率(例如》100mW)單模激光二極管、光纖耦合激光二極管和二極管泵浦固體激光器(例如Nd:YAG和Nd:YLF)。激光照射持續(xù)時間可以在(例如)從約0.1微秒到100微秒的范圍內(nèi)，而且激光能量密度可以為(例如)約0.01J/cn^到約1J/cm2。當(dāng)大型基底區(qū)域上需要高精度的點(diǎn)布置時(例如，針對高信息量全色顯示器應(yīng)用而言)，激光器尤其適合作為輻射源。激光源既適應(yīng)于大型剛性基底(如1米(m)XlmXl.lmm的玻璃)，又適應(yīng)于連續(xù)或片狀的薄膜基底(如100微米厚的聚酰亞胺片)。向受體的熱轉(zhuǎn)移在成像期間，通常使熱轉(zhuǎn)移元件與受體緊密接觸，以進(jìn)行成像并使轉(zhuǎn)移層的一部分轉(zhuǎn)移到受體上。至少在某些情況下，可以用壓力或真空使熱轉(zhuǎn)移元件與受體保持緊密接觸。然后，再利用輻射源按成像方式(例如，數(shù)字成像方式或透過掩模進(jìn)行的模擬曝光方式)加熱LTHC層(和/或含有成像輻射吸收材料的其它層)，以便根據(jù)圖形將轉(zhuǎn)移層以成像方式從熱轉(zhuǎn)移元件轉(zhuǎn)移到受體上，從而形成(例如)有機(jī)微電子器件。通常，向受體轉(zhuǎn)移所述轉(zhuǎn)移層，而不轉(zhuǎn)移熱轉(zhuǎn)移元件的任何其它層(如可選夾層和LTHC層)。優(yōu)選的是，將供體和受體涂層內(nèi)的粘合力和內(nèi)聚力構(gòu)造為使得暴露于輻射下的區(qū)域的轉(zhuǎn)移層被轉(zhuǎn)移，而未暴露區(qū)域的轉(zhuǎn)移層不被轉(zhuǎn)移。在某些情況下，可使用反射夾層來削減經(jīng)透射穿過夾層的成像輻射的程度，并減少對轉(zhuǎn)移層中被轉(zhuǎn)移部分所造成的任何損壞，這種損壞可能是由透過的輻射與轉(zhuǎn)移層和/或受體相互作用而造成的。當(dāng)受體對成像輻射具有強(qiáng)吸收性時，上述這種效果對于降低可能發(fā)生的熱損壞尤其有益。在激光照射期間，希望最大程度地減少因成像材料的多重反射而形成的干涉圖形，這可以通過多種方法實(shí)現(xiàn)。最常用的方法是根據(jù)入射輻射的規(guī)模有效地使熱轉(zhuǎn)移元件的表面粗糙化，如美國專利No.5，089，372中所述的那樣。這種粗糙化具有擾亂入射輻射的空間相干性的效果，因而可以最大限度地減少自干涉。另一種可供選用的方法是，在熱轉(zhuǎn)移元件的基底的任意一側(cè)或兩側(cè)上使用抗反射涂層?？狗瓷渫繉拥挠猛緸橐阎模⑶铱梢杂煤穸葹樗姆种徊ㄩL的涂層(如氟化鎂涂層)來實(shí)現(xiàn)，如美國專利No.5，171，650中所述的那樣?？梢允褂么笮蜔徂D(zhuǎn)移元件，其包括長度和寬度尺寸為一米或更大的熱轉(zhuǎn)移元件。在操作過程中，激光器可以以光柵或其它方式沿該大型熱轉(zhuǎn)移元件移動，同時有選擇地操作激光器，以根據(jù)所需的圖形來照射熱轉(zhuǎn)移元件的一部分。作為另外一種選擇，可以讓激光器靜止不動，而在激光器下移動熱轉(zhuǎn)移元件。在某些情況下，依次使用兩個或更多個不同的熱轉(zhuǎn)移元件來形成器件可能是必要的、有利的和/或方便的。例如，可使用一個熱轉(zhuǎn)移元件形成場效應(yīng)晶體管的柵電極，用另一個熱轉(zhuǎn)移元件形成柵絕緣層和半導(dǎo)電層，并且可以再用一個熱轉(zhuǎn)移元件形成源極觸點(diǎn)和漏極觸點(diǎn)?？墒褂脙蓚€或更多個熱轉(zhuǎn)移元件的多種其它組合來形成器件，其中每個熱轉(zhuǎn)移元件形成該器件的一個或多個層。這些熱轉(zhuǎn)移元件中的每一個都可包括多元轉(zhuǎn)移組件，或可只包括用于轉(zhuǎn)移到受體上的單個層。然后，依次使用兩個或更多個熱轉(zhuǎn)移組件沉積成該器件的一個或多個層。在某些情況下，兩個或更多個熱轉(zhuǎn)移元件中的至少一個包括多元轉(zhuǎn)移組件。受體受體基底可以是適合特定應(yīng)用的任何物品，.其包括(但不限于)玻璃、透明薄膜、反射膜、金屬、半導(dǎo)體、各種紙張及塑料。例如，受體基底可以是任何類型的基底或任何類型的適用于顯示器應(yīng)用的顯示元件。適用于顯示器(如液晶顯示器或發(fā)射顯示器)的受體基底包括實(shí)質(zhì)性地透射可見光的剛性或柔性基底。剛性受體基底的實(shí)例包括玻璃、氧化錫銦涂敷玻璃、低溫多晶硅(LTPS)和剛性塑料。合適的柔性基底包括實(shí)質(zhì)性透明和透射的聚合物薄膜、反射膜、非雙折射膜、半透反射膜、偏振膜、多層光學(xué)薄膜等。合適的聚合物基底包括聚酯類(例如聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯)基底、聚碳酸酯樹脂、聚烯烴樹脂、聚乙烯基樹脂(例如聚氯乙烯、聚偏二氯乙烯、聚乙烯醇縮醛等)、纖維素酯類(例如三乙酸纖維素、乙酸纖維素)基底、以及在各種成像領(lǐng)域中用作支撐物的其它常規(guī)聚合物薄膜。優(yōu)選使用2密耳到100密耳(即0.05mm到2.54mm)的透明聚合物薄膜基底。對于玻璃受體基底而言，其典型厚度為0.2mm到2.0mm。使用厚度為l.Omra或以下，或者甚至0.7mm或以下的玻璃基底往往是可取的。較薄的基底產(chǎn)生較薄、較輕重量的顯示器。然而，某些加工、處理和組裝條件可能需要較厚的基底。例如，某些組裝條件可能需要壓縮顯示器組件，以固定設(shè)置在基底之間的隔片的位置。較薄的基底讓顯示器更輕，而較厚的基底使處理和加工更加可靠，可以平衡這些競爭性的關(guān)系，從而針對具體的顯示器尺寸而獲得優(yōu)選的構(gòu)造。如果受體基底是聚合物薄膜，則該薄膜優(yōu)選為非雙折射薄膜，以實(shí)質(zhì)性地防止該薄膜對與其集成為一體的顯示器的工作產(chǎn)生干涉作用，或者該薄膜優(yōu)選為雙折射薄膜，以達(dá)到所需的光學(xué)效果。示例性的非雙折射受體基底是通過溶劑澆鑄的聚酯。這類聚酯的典型實(shí)例是衍生自以下聚合物的那些，所述聚合物由或基本上由衍生自9，9_雙-(4-羥苯基)-芴和間苯二甲酸、對苯二甲酸或它們的混合物的重復(fù)的共聚單元構(gòu)成，并且該聚合物的低聚物(即，分子量為約8000或更低的化學(xué)物質(zhì))含量足夠低，以允許形成均勻的薄膜。該聚合物已作為美國專利No.5，318，938中的熱轉(zhuǎn)移接收元件的一種組分而被公開。另一類非雙折射基底是無定形的聚烯烴(例如，由NipponZeon公司以商品名Zeonex.TM.出售的那些聚烯烴)。示例性的雙折射聚合物受體包括多層偏振片或反射鏡，如美國專利No.5,882,774和5，828，488，以及國際專利公開No,WO95/17303中所公開的那些?？梢栽谧罱K受體基底上涂敷不同的層(例如粘合劑層)，以利于將轉(zhuǎn)移層轉(zhuǎn)移到受體基底上。也可以在最終受體基底上涂敷其它層，以形成多層器件的一部分。例如，有機(jī)發(fā)光二極管(0LED)或其它電子器件可以使用這樣的受體基底形成該受體基底在轉(zhuǎn)移層從熱轉(zhuǎn)移元件轉(zhuǎn)移之前具有在該受體基底上形成的金屬陽極或陰極。例如，可以通過在受體基底上沉積導(dǎo)電層、并使用(例如)光刻技術(shù)將導(dǎo)電層圖形化為一個或多個陽極或陰極的方法，來形成這樣的金屬陽極或陰極。用LITI供體制造微電子器件使用輻射固化型LITI供體薄膜可以制造多種電子和光學(xué)器件。在某些情況下，可以使用復(fù)合型熱轉(zhuǎn)移元件形成器件或其它產(chǎn)品。復(fù)合型熱轉(zhuǎn)移元件可以包括具有多元轉(zhuǎn)移組件的熱轉(zhuǎn)移元件和轉(zhuǎn)移單個層的熱轉(zhuǎn)移元件。例如，可以用一個或多個具有多元轉(zhuǎn)移組件的熱轉(zhuǎn)移元件和一個或多個轉(zhuǎn)移單個層的熱轉(zhuǎn)移元件來形成器件或其它產(chǎn)品。例如，使用轉(zhuǎn)移層的多元轉(zhuǎn)移組件形成的多層器件可以是電子器件或光學(xué)器件。這類器件的實(shí)例包括電子電路、電阻器、電容器、二極管、整流器、電致發(fā)光燈、電致發(fā)光器件、存儲元件、場效應(yīng)晶體管、雙極晶體管、單結(jié)晶體管、M0S晶體管、金屬-絕緣體-半導(dǎo)體晶體管、電荷耦合器件、絕緣體-金屬-絕緣體層疊件、有機(jī)導(dǎo)體-金屬-有機(jī)導(dǎo)體層疊件、集成電路、光電探測器、激光器、透鏡、波導(dǎo)管、光柵、全息元件、濾波器(例如分插濾波器、增益平坦濾波器和截止濾波器等)、反射鏡、分光器、耦合器、組合器、調(diào)制器、傳感器(例如迅衰傳感器、相位調(diào)制傳感器和干涉型傳感器等)、光學(xué)諧振腔、壓電器件、鐵電器件、薄膜電池或它們的組合?？梢孕纬傻钠渌鼘?dǎo)電器件包括(例如)電極和導(dǎo)電元件。符合本發(fā)明的一些實(shí)施例提供包括以下的多元轉(zhuǎn)移組件的轉(zhuǎn)移層，該多元轉(zhuǎn)移組件用于形成無源器件或有源器件的至少一部分。例如，在一個實(shí)施例中，轉(zhuǎn)移層包括能夠形成多層器件中的至少兩層的多元轉(zhuǎn)移組件。多層器件的這兩層常常與轉(zhuǎn)移層中的兩層相對應(yīng)。在該實(shí)施例中，通過轉(zhuǎn)移多元轉(zhuǎn)移組件而形成的其中一層為有源層(即，在器件中起到導(dǎo)電、半導(dǎo)電、超導(dǎo)、波導(dǎo)、倍頻、產(chǎn)生光(如發(fā)冷光、發(fā)光、.發(fā)熒光或發(fā)磷光)、產(chǎn)生電子或產(chǎn)生空穴的作用的一層、禾n/或在器件中產(chǎn)生光學(xué)增益或電子增益的一層)。通過轉(zhuǎn)移多元轉(zhuǎn)移組件而形成的第二層是另一有源層或操作層(即，在器件中起到絕緣、導(dǎo)電、半導(dǎo)電、超導(dǎo)、波導(dǎo)、倍頻、產(chǎn)生光(如發(fā)熒光或磷光)、產(chǎn)生電子、產(chǎn)生空穴、吸收光、反射、衍射、相位延遲、散射、分散或擴(kuò)散的作用的一層、和/或在器件中產(chǎn)生光學(xué)增益或電子增益的一層)。該多元轉(zhuǎn)移組件也可用于形成附加的有源層和/或操作層，以及非操作層(即，在器件工作過程中不起作用，但被提供以用于(例如)幫助將轉(zhuǎn)移組件轉(zhuǎn)移到受體基底上和/或?qū)⑥D(zhuǎn)移組件粘附到受體基底上這樣的層)。所述轉(zhuǎn)移層可包括設(shè)置在轉(zhuǎn)移層外表面上的粘結(jié)劑層，以利于將轉(zhuǎn)移層粘附到受體上。該粘結(jié)劑層可以是操作層(例如，如果該粘結(jié)劑層在受體和轉(zhuǎn)移層的其它層之間導(dǎo)電)或非操作層(例如，如果該粘結(jié)劑層只是將轉(zhuǎn)移層粘附到受體上)。例如，該粘結(jié)劑層可用(例如)熱塑性聚合物形成，所述熱塑性聚合物包括導(dǎo)電和不導(dǎo)電的聚合物、導(dǎo)電和不導(dǎo)電的填充聚合物和/或?qū)щ姾筒粚?dǎo)電的分散體。合適的聚合物的實(shí)例包括丙烯酸類聚合物、聚苯胺、聚噻吩、聚對亞苯基亞乙烯基、聚乙炔和其它導(dǎo)電性有機(jī)材料，如HandbookofConductiveMoleculesandPolymers,Vols.1-4，H.S.Nalwa，ed.，JohnWileyandSons,Chichester(1997)中所列出的材料。合適的導(dǎo)電性分散體的實(shí)例包括包含下列物質(zhì)的墨，所述物質(zhì)為炭黑、石墨、超細(xì)顆粒狀氧化錫銦、超細(xì)氧化錫銻和可從諸如NanophaseTechnologies公司(BurrRidge，IL)禾口Metech公司(Elverson，PA)等公司商購獲得的材料。所述轉(zhuǎn)移層還可以包括可選的剝離層，該可選的剝離層設(shè)置在轉(zhuǎn)移層與熱轉(zhuǎn)移元件的其余部分接觸的表面上，該剝離層可部分地或完全地與轉(zhuǎn)移層的剩余部分一起轉(zhuǎn)移，或者剝離層可以在轉(zhuǎn)移層轉(zhuǎn)移后基本完全保留在熱轉(zhuǎn)移元件上。盡管所述轉(zhuǎn)移層可以由非連續(xù)的層形成，但是應(yīng)當(dāng)理解，至少在某些情況下，該轉(zhuǎn)移層可以包括具有多個部分和/或在器件中具有多種用途的多個層。還應(yīng)當(dāng)理解，至少在一些實(shí)施例中，兩個或更多個獨(dú)立的層可以在轉(zhuǎn)移期間熔合在7"起，或以其它方式混合或組合在一起。OLED的制造轉(zhuǎn)移多元轉(zhuǎn)移組件而形成OLED的至少一部分提供了使用熱轉(zhuǎn)移元件形成有源器件的示例性而非限制性的實(shí)例。多元轉(zhuǎn)移單元的實(shí)例在美國專利No.6,410,201中有所描述。至少在某些情況下，OLED器件包括夾在陰極和陽極之間的由合適的有機(jī)材料構(gòu)成的一個薄層或多個層。電子從陰極被注入到有機(jī)層中，并且空穴從陽極被注入到有機(jī)層中。當(dāng)注入的電荷向帶有相反電荷的電極遷移時，它們可能會重新結(jié)合，從而形成通常被稱為激子的電子-空穴對。這些激子或激發(fā)態(tài)物質(zhì)在衰減為基態(tài)時可以以光的形式釋放能量(例如參見，T.Tsutsui，MRSBulletin,22，39-45(1997))。示例性的OLED構(gòu)造是本領(lǐng)域的技術(shù)人員已知的(例如參見，OrgamcElectroluminescence,ZakyaKafafi(ed.),CRCPress,NY，2005)。OLED構(gòu)造的示例性實(shí)例包括分子級分散的聚合物器件，其中攜帶電荷和/或發(fā)射電荷的物質(zhì)被分散在聚合物基質(zhì)中(參見J.Kido"OrganicElectroluminescentdevicesBasedonPolymericMaterials"，TrendsinPolymerScience,2，350-355(1994));共軛聚合物器件，其中各層聚合物(如聚對亞苯基亞乙烯基)充當(dāng)攜帶和發(fā)射電荷的物質(zhì)的作用(參見J.J.M.Halls等人，ThinSolidFilms,276，13-20(1996));氣相沉積的小分子異質(zhì)結(jié)構(gòu)器件(參見美國專利No.5，061，569和C.H.Chen等人，"RecentDevelcDpmentsinMolecularOrganicElectroluminescentMaterials"，MacromolecularSy即osia，125,1-48(1997));發(fā)光電化學(xué)電池(參見Q.Pei等人，J.Amer.Chem.Soc.，118，3922-3929(1996));以及能夠發(fā)射多個波長的光的垂直層疊的有機(jī)發(fā)光二極管(參見美國專利No.5，707，745和Z.Shen等人，Science,276，2009-2011(1997))。通過在電子輸運(yùn)層/發(fā)射體層206中使用不同的發(fā)射體和摻雜物，可以實(shí)現(xiàn)發(fā)射不同顏色的光(參見C.H.Chen等人，"RecentDevelopmentsinMolecularOrganicElectroluminescentMaterials"，MacromolecularSymposia,125，1-48(1997))。其它的0LED多層器件構(gòu)造可以使用不同的轉(zhuǎn)移層進(jìn)行轉(zhuǎn)移。此外，可以在層與層之間插入獨(dú)立的發(fā)射體層?？梢詫⒍鄬咏M件轉(zhuǎn)移到受體上以形成0LED。例如，可以將綠色0LED轉(zhuǎn)移到受體基底上。隨后可以轉(zhuǎn)移藍(lán)色0LED，然后轉(zhuǎn)移紅色0LED。分別使用綠色、藍(lán)色和紅色的熱轉(zhuǎn)移元件單獨(dú)地轉(zhuǎn)移綠色、藍(lán)色和紅色的0LED，以形成顯示器亞像素。作為另外一種選擇，可以將紅色、綠色和藍(lán)色的熱轉(zhuǎn)移元件以疊置的方式轉(zhuǎn)移，以制造如美國專利No.5,707,745中所述類型的多色層疊0LED器件。形成全色器件的另一種方法包括沉積多列空穴輸運(yùn)層材料，然后依次沉積與空穴輸運(yùn)材料平行或垂直的紅色、綠色和藍(lán)色的電子輸運(yùn)層/發(fā)射體多元轉(zhuǎn)移組件。形成全色器件的又一種方法包括沉積紅色、綠色和藍(lán)色的濾光器(常規(guī)的透射濾光器、熒光濾光器、或磷光體)，然后依次沉積對應(yīng)于白光發(fā)射體或藍(lán)光發(fā)射體的多元轉(zhuǎn)移組件。在0LED形成之后，通常將其與驅(qū)動器相連接，并進(jìn)行密封以防受損。熱轉(zhuǎn)移元件可以是涂有適當(dāng)?shù)霓D(zhuǎn)移層的小薄片或相對較大的薄片。使用激光或用于轉(zhuǎn)移這些器件的其它類似的發(fā)光源可以由熱轉(zhuǎn)移元件形成窄線和其它形狀?？梢允褂眉す饣蚱渌庠丛谑荏w(包括長度和寬度達(dá)數(shù)米的受體)上形成轉(zhuǎn)移層的圖形。以下實(shí)例示出根據(jù)符合本發(fā)明的一些實(shí)施例的輻射固化型LITI供體薄膜和輻射固化型熱轉(zhuǎn)移元件的用途。本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以理解使用根據(jù)這些實(shí)施例的輻射固化型熱轉(zhuǎn)移元件的一些優(yōu)點(diǎn)。例如，和傳統(tǒng)的光刻法相比，加工步驟數(shù)可減少，這是因?yàn)槊總€0LED的多個層同時被轉(zhuǎn)移，而不是使用多個蝕刻和掩模步驟來實(shí)現(xiàn)。此外，制造圖形化LITI轉(zhuǎn)移元件所需要的時間可縮短。而且，可以使用相同的成像硬件與不同的熱元件來產(chǎn)生復(fù)合型器件和圖形。<table>tableseeoriginaldocumentpage34</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage35</column></row><table>實(shí)例1制備在808納米下具有類似吸收的、包含炭黑和普魯士藍(lán)(也稱為鐵藍(lán)和顏料藍(lán)27)的LTHC層。以下列方式制備試樣1。在涂敷LTHC溶液前，使用氮?dú)?、在功率?00瓦和線速度為50英尺/分鐘的條件下對2.88密耳厚的聚對苯二甲酸乙二醇酯(DuPontTeijinFilms公司，HopewellVA)M7Q底膜基底的內(nèi)部進(jìn)行電暈處理。然后采用反轉(zhuǎn)微凹印涂敷法(YasuiSeiki實(shí)驗(yàn)室涂布機(jī)，型號CAG-150)將含有表I所示組分的基于普魯士藍(lán)的LTHC溶液(非微粒吸收材料)施加到經(jīng)過電暈處理的M7Q薄膜上。為達(dá)到大約2.8微米的干態(tài)厚度，采用20英尺/分鐘的線速度和設(shè)定為9.0英尺/分鐘的180R微凹印方式。涂層依次進(jìn)入三個烘箱(75/75/80°C)進(jìn)行在線干燥，然后在由FusionUVSystems公司(Gaithersburg，MD)的600W/英寸的燈(其具有功率設(shè)定為70%的D燈泡)產(chǎn)生的紫外線(UV)輻射下將其進(jìn)行光固化。固化的涂層在670nm處的光密度為大約2.7。以下列方式制備試樣2。采用反轉(zhuǎn)微凹印涂敷法(YasuiSeiki實(shí)驗(yàn)室涂布機(jī)，型號CAG-150)將夾層溶液I施加到已固化的LTHC層(試樣1)上。為達(dá)到大約2.6微米的干態(tài)厚度，采用20英尺/分鐘的線速度和設(shè)定為8.0英尺/分鐘的180R微凹印方式。涂層依次進(jìn)入三個烘箱(40/50/50。C)進(jìn)行在線干燥，然后在由FusionUVSystems公司的600W/英寸的燈(其具有功率設(shè)定為70%的H+燈泡)產(chǎn)生的紫外線(UV)輻射下對其進(jìn)行光固化。以下列方式制備試樣3。在涂敷LTHC溶液前，使用氮?dú)?、在功率?00瓦和線速度為50英尺/分鐘的條件下對2.88密耳厚的聚對苯二甲酸乙二醇酯(DuPontTeijinFilms,HopewellVA)M7Q底膜基底的內(nèi)部進(jìn)行電暈處理。然后將含有表I所示組分的、用9B950D(微粒吸收材料)制備的基于炭黑的LTHC溶液施加到經(jīng)過電暈處理的M7Q薄膜上。采用反轉(zhuǎn)微凹印涂敷法(YasuiSeiki實(shí)驗(yàn)室涂布機(jī)，型號CAG-150)施加LTHC溶液。為達(dá)到大約2.8微米的干態(tài)厚度，采用20英尺/分鐘的線速度和設(shè)定為32.1英尺/分鐘的180R微凹印方式。涂層依次進(jìn)入三個烘箱(75/75/8CTC)進(jìn)行在線干燥，然后在由FusionUVSystems公司的600W/英寸的燈(其具有功率設(shè)定為70%的D燈泡)產(chǎn)生的紫外線(UV)輻射下對其進(jìn)行光固化。固化的涂層在670nm處的光密度為大約2.6。以下列方式制備試樣4。采用反轉(zhuǎn)微凹印涂敷法(YasuiSeiki實(shí)驗(yàn)室涂布機(jī)，型號CAG-150)將夾層溶液I施加到己固化的LTHC層(試樣3)上。為達(dá)到大約1.4微米的干態(tài)厚度，采用20英尺/分鐘的線速度和設(shè)定為6.5英尺/分鐘的200R微凹印方式。涂層依次進(jìn)入三個烘箱(40/50/5CTC)進(jìn)行在線干燥，然后在由FusionUVSystems公司的600W/英寸的燈(其具有功率設(shè)定為70%的H+燈泡)產(chǎn)生的紫外線輻射下對其進(jìn)行光固化。將兩種LTHC層配制物的組分列于表I中，并且將干態(tài)膜的組分列于表II中。LTHC層涂層的對比特性數(shù)據(jù)列于表III中。使用HPLC測定可提取的未反應(yīng)的TMPTA。用測得的TMPTA除以Sartomer公司所報(bào)告的TMPTA在TMPTA單體中的估算百分比，來算出提取的未反應(yīng)的丙烯酸酯的總量?？商崛∥锏臄?shù)據(jù)顯示，與炭黑LTHC層(試樣3)和帶夾層的炭黑LTHC層(試樣4)相比，普魯士藍(lán)LTHC層(試樣1)和具有夾層的普魯士藍(lán)LTHC層(試樣2)的UV透射率的提高使涂層化學(xué)品更好地固化，從而顯著降低了可提取的TMPTA單體的量。采用輕敲模式原子力顯微鏡法(AFM)和表面干涉測量法測定負(fù)載有普魯士藍(lán)和炭黑的LTHC層與供體薄膜的表面粗糙度數(shù)據(jù)。采用DigitalInstrumentsDimension5000SPM儀器在5微米X5微米的區(qū)域上進(jìn)行輕敲模式AFM區(qū)域輪廓測量。在分辨率為512X512像素的區(qū)域上測定表面粗糙度的均方根(Rq)。采用在VSI模式下工作的WykoNT3300光學(xué)輪廓測量儀進(jìn)行表面干涉測量。在603微米X459微米的尺度上測定表面粗糙度的均方根(Rq)。將試樣l、試樣2、試樣3和試樣4的均方根值記錄在表III中。相對于包含普魯士藍(lán)作為成像輻射吸收材料的LTHC層，負(fù)載有炭黑的LTHC層的表面粗糙度的增大是顯而易見的。而且，與載有炭黑的LTHC層的性能(其在涂敷夾層之前表現(xiàn)出高的表面粗糙度)相比，普魯士藍(lán)LTHC層的表面粗糙度幾乎與夾層涂層相同，就像沒有夾層涂層時一樣。較少的可提取物和較低的表面粗糙度對改善熱轉(zhuǎn)移效率和被轉(zhuǎn)移圖像的質(zhì)量都是有利的。實(shí)例2按照表IV所示組分制備一系列具有不同顏料負(fù)載量的LTHC層涂層。用下列方式制備試樣5。在涂敷LTHC溶液前，使用氮?dú)狻⒃诠β蕿?00瓦和線速度為50英尺/分鐘的條件下對2.88密耳厚的聚對苯二甲酸乙二醇酯(DuPontTeijinFilms公司，HopewellVA)M7Q底膜基底的內(nèi)部進(jìn)行電暈處理。然后將含有表所示組分的、用9S928D(非微粒吸收材料)制備的基于普魯士藍(lán)的LTHC溶液施加到經(jīng)過電暈處理的M7Q薄膜上。采用反轉(zhuǎn)微凹印涂敷法(YasuiSeiki實(shí)驗(yàn)室涂布機(jī)，型號CAG-150)施加LTHC溶液。為達(dá)到大約1.25微米的干態(tài)厚度，采用20英尺/分鐘的線速度和設(shè)定為6.2英尺/分鐘的200R微凹印方式。涂層依次進(jìn)入三個烘箱(75/75/80°C)進(jìn)行在線干燥，然后在由FusionUVSystems公司的600W/英寸的燈(其具有功率設(shè)定為70°/。的D燈泡)產(chǎn)生的紫外線(UV)輻射下對其迸行光固化。固化的涂層在670nm處的光密度為大約0.682。然后采用反轉(zhuǎn)微凹印涂敷法(YasuiSeiki實(shí)驗(yàn)室涂布機(jī)，型號CAG-150)將夾層溶液II施加到已固化的LTHC層上。為達(dá)到大約1.16微米的干態(tài)厚度，采用20英尺/分鐘的線速度和設(shè)定為10.2英尺/分鐘的200R微凹印方式。涂層依次進(jìn)入三個烘箱(40/50/5CTC)進(jìn)行在線干燥，然后在由FusionUVSystems公司的600W/英寸的燈(其具有功率設(shè)定為70。/。的H+燈泡)產(chǎn)生的紫外線(UV)輻射下對其進(jìn)行光固化。用下列方式制備試樣6。在涂敷LTHC溶液前，使用氮?dú)?、在功率?00瓦和線速度為50英尺/分鐘的條件下對2.88密耳厚的聚對苯二甲酸乙二醇酯(DuPontTeijinFilms公司，HopewellVA)M7Q底膜基底的內(nèi)部進(jìn)行電暈處理。然后將含有表IV所示組分的、用9S928D(非微粒吸收材料)制備的基于普魯士藍(lán)的LTHC溶液施加到經(jīng)過電暈處理的M7Q薄膜上。采用反轉(zhuǎn)微凹印涂敷法(YasuiSeiki實(shí)驗(yàn)室涂布機(jī)，型號CAG-150)施加LTHC溶液。為達(dá)到大約2.75微米的干態(tài)厚度，采用20英尺/分鐘的線速度和設(shè)定為8.6英尺/分鐘的180R微凹印方式。涂層依次進(jìn)入三個烘箱(75/75/8CTC)進(jìn)行在線干燥，然后在由FusionUVSystems公司的600W/英寸的燈(其具有功率設(shè)定為70%的D燈泡)產(chǎn)生的紫外線(UV)輻射下對其進(jìn)行光固化。固化的涂層在670nm處的光密度為大約1.43。然后采用反轉(zhuǎn)微凹印涂敷法(YasuiSeiki實(shí)驗(yàn)室涂布機(jī)，型號CAG-150)將夾層溶液II施加到已固化的LTHC層上。為達(dá)到大約1.18微米的干態(tài)厚度，采用20英尺/分鐘的線速度和設(shè)定為10.2英尺/分鐘的200R微凹印方式。涂層依次進(jìn)入三個烘箱(40/50/5CTC)進(jìn)行在線干燥，然后在由FusionUVSystems公司的600W/英寸的燈(其具有功率設(shè)定為70。/。的H+燈泡)產(chǎn)生的紫外線(UV)輻射下對其進(jìn)行光固化。用下列方式制備試樣7。在涂敷LTHC溶液前，使用氮?dú)?、在功率?00瓦和線速度為50英尺/分鐘的條件下對2.88密耳厚的聚對苯二甲酸乙二醇酯(DuPontTeijinFilms公司，HopewellVA)M7Q底膜基底的內(nèi)部進(jìn)行電暈處理。然后將含有表IV所示組分的、用9S928D(非微粒吸收材料)制備的基于普魯士藍(lán)的LTHC溶液施加到經(jīng)過電暈處理的M7Q薄膜上。采用反轉(zhuǎn)微凹印涂敷法(YasuiSeiki實(shí)驗(yàn)室涂布機(jī)，型號CAG-150)施加LTHC溶液。為達(dá)到大約2.75微米的干態(tài)厚度，采用20英尺/分鐘的線速度和設(shè)定為7.9英尺/分鐘的180R微凹印方式。涂層依次進(jìn)入三個烘箱(75/75/8CTC)進(jìn)行在線干燥，然后在由FusionUVSystems公司的600W/英寸的燈(其具有功率設(shè)定為70%的D燈泡)產(chǎn)生的紫外線(UV)輻射下對其進(jìn)行光固化。固化涂層在670nm處的光密度為大約3.127。然后采用反轉(zhuǎn)微凹印涂敷法(YasuiSeiki實(shí)驗(yàn)室涂布機(jī)，型號CAG-150)將夾層溶液II施加到已固化的LTHC層上。為達(dá)到大約1.16微米的干態(tài)厚度，采用20英尺/分鐘的線速度和設(shè)定為10.2英尺/分鐘的200R微凹印方式。涂層依次進(jìn)入三個烘箱(4(V50/50°C)進(jìn)行在線干燥，然后在由FusionUVSystems公司的600W/英寸的燈(其具有功率設(shè)定為70呢的H+燈泡)產(chǎn)生的紫外線(UV)輻射下對其進(jìn)行光固化。.以下列方式制備試樣8(對比物)。在涂敷LTHC溶液前，使用氮?dú)?、在功率?00瓦和線速度為50英尺/分鐘的條件下對2:88密耳厚的聚對苯二甲酸乙二醇酯(DuPontTeijinFilms公司，H叩ewellVA)M7Q底膜基底的內(nèi)部進(jìn)行電暈處理。然后將含有表IV所示組分的、用9B950D(微粒吸收材料)制備的基于炭黑的LTHC溶液施加到經(jīng)過電暈處理的M7Q薄膜上。采用反轉(zhuǎn)微凹印涂敷法(YasuiSeiki實(shí)驗(yàn)室涂布機(jī)，型號CAG-150)施加LTHC溶液。為達(dá)到大約1.25微米的干態(tài)厚度，采用20英尺/分鐘的線速度和設(shè)定為5.0英尺/分鐘的180R微凹印方式。涂層依次進(jìn)入三個烘箱(75/75/8(TC)進(jìn)行在線千燥，然后在由FusionUVSystems公司的600W/英寸的燈(其具有功率設(shè)定為70%的D燈泡)產(chǎn)生的紫外線(UV)輻射下對其進(jìn)行光固化。固化的涂層在670nm下的光密度為大約0.46。以下列方式制備試樣9(對比物)。在涂敷LTHC溶液前，使用氮?dú)?、在功率?00瓦和線速度為50英尺/分鐘的條件下對2.88密耳厚的聚對苯二甲酸乙二醇酯(DuPontTeijinFilms公司，HopewellM)M7Q底膜基底的內(nèi)部進(jìn)行電暈處理。然后將含有表IV所示組分的、用9B950D(微粒吸收材料)制備的基于炭黑的LTHC溶液施加到經(jīng)過電暈處理的M7Q薄膜上。采用反轉(zhuǎn)微凹印涂敷法(YasuiSeiki實(shí)驗(yàn)室涂布機(jī)，型號CAG-150)施加LTHC溶液。為達(dá)到大約1.25微米的干態(tài)厚度，采用20英尺/分鐘的線速度和設(shè)定為5.4英尺/分鐘的200R微凹印方式。涂層依次進(jìn)入三個烘箱(75/75/8CTC)進(jìn)行在線干燥，然后在由FusionUVSystems公司的600W/英寸的燈(其具有功率設(shè)定為70%的D燈泡)產(chǎn)生的紫外線(UV)輻射下對其進(jìn)行光固化。固化涂層在670nm處的光密度為大約0.95。將固化薄膜的相應(yīng)重量百分比列于表V中。表VI從可見光和紫外光積分透射特性方面，對表V所示的分別含有不同負(fù)載量的代表性NIR成像輻射吸收材料的涂層、以及兩種分別具有高負(fù)載重量和低負(fù)載重量的炭黑對比物進(jìn)行了比較。即使在成像激光波長下的光密度高達(dá)1.49時(此時有97%的入射輻射被吸收)，含非微粒吸收材料的LTHC層在可見光區(qū)和UV區(qū)的透射率也遠(yuǎn)遠(yuǎn)優(yōu)于負(fù)載有炭黑的LTHC層(其在成像激光波長下的吸光率明顯較低)的透射率。實(shí)例3采用如前面實(shí)例2試樣7所述的普魯士藍(lán)L工TI供體薄膜對OLED器件的發(fā)射層進(jìn)行圖形化，所述LITI供體薄膜包含經(jīng)輻射固化的熱轉(zhuǎn)移元件，該熱轉(zhuǎn)移元件包含以21.6%的顏料負(fù)載量分散在2.75微米厚的LTHC中的普魯士藍(lán)顏料作為成像輻射吸收材料。在涂敷有工TO的玻璃(0.7mm厚)上制備受體基底，ITO可以以商品名S-ITO(150NM)《導(dǎo)自ULVACTechnologies公司(Methuen，MA)。用BaytronPVPCH8000(H.C.Starck公司，Newton，MA)對該基底進(jìn)行旋轉(zhuǎn)涂敷，以達(dá)到大約60函的干態(tài)厚度，然后在氮?dú)獯祾叩暮嫦鋬?nèi)加熱到20(TC達(dá)5分鐘。然后在將其置于氬氣吹掃的手套箱中的條件下，用HTM-001(得自CovionOrganicSemiconductorsGmbH(Frankfurt,Germany)的空穴輸運(yùn)聚合物)和甲苯溶液對經(jīng)涂敷的基底進(jìn)行旋轉(zhuǎn)涂敷，以達(dá)到大約lOOnm的干態(tài)厚度。最后，使用標(biāo)準(zhǔn)熱蒸發(fā)程序在Balzers真空室(頂部背景壓力為10—托)內(nèi)真空涂敷大約20nm厚的spiro-TAD(CovionOrganicSemiconductorsGmbH,Frankfurt,Germany)層，從而完成受體結(jié)構(gòu)。在背景壓力為10—7托的Balzers真空室內(nèi)，使用標(biāo)準(zhǔn)熱蒸發(fā)程序以主體材料和染料受控共蒸發(fā)的方式真空涂敷LITI供體薄膜(實(shí)施例2中的試樣7)，以形成所需厚度為30nm的TMM004層，T應(yīng)004是Covion公司專有的OLED主體材料，其摻雜有9重量％的Irppy(三苯基吡啶銥(Irppy)，綠色磷光染料)。隨后采用激光誘導(dǎo)熱成像(LITI)將主體材料/染料體系從供體薄片轉(zhuǎn)移到受體表面上。該供體使用在成像平面上功率為1瓦特的單模Nd:YAG激光從基底背面進(jìn)行成像。使用線性檢流計(jì)系統(tǒng)進(jìn)行掃描，并用f-e掃描透鏡作為近焦闌構(gòu)造的一部分使激光束聚焦在圖像平面上。在1/e2強(qiáng)度下測得的激光點(diǎn)大小為18X250微米。用三角高頻振動圖形和400KHz的頻率進(jìn)行單向掃描。所需線寬為110微米，節(jié)距為165微米。被轉(zhuǎn)移層具有良好的邊緣粗糙度，并且沒有任何目視可見的熱損壞或中心線缺陷的痕跡。在背景壓力為lO—7托的Balzers真空室內(nèi)，通過標(biāo)準(zhǔn)熱蒸發(fā)程序在經(jīng)過L工TI成像的受體上連續(xù)地真空涂敷以下的疊層來完成器件制造，所述疊層為Balq(100A)/Alq(200A)/LiF(7A)/Al(40A)/Ag(4000A)。然后將該器件封裝，并對所產(chǎn)生的光特性、電流特性和電壓特性進(jìn)行測試。對應(yīng)的OLED器件顯示，在200尼特的條件下，其最大亮度效率為5.5Cd/A，并且電壓為6.5V。表I:涂層配制物(實(shí)例1)<table>tableseeoriginaldocumentpage41</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage42</column></row><table>表II:干態(tài)薄膜中的顏料負(fù)載量(實(shí)例1)<table>tableseeoriginaldocumentpage42</column></row><table>表in:炭黑供體薄膜和普魯士藍(lán)供體薄膜分析一覽表(實(shí)例1)<table>tableseeoriginaldocumentpage42</column></row><table>*根據(jù)原材料中TMPTA的含量為60重量％進(jìn)行估算表IV:涂層組合物(實(shí)例2)<table>tableseeoriginaldocumentpage43</column></row><table>表VI:LTHC層的可見光積分透射率及UV積分透射率1(實(shí)例2)<table>tableseeoriginaldocumentpage43</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage44</column></row><table>權(quán)利要求1.一種熱轉(zhuǎn)移元件，其包括基底；和覆蓋在所述基底上的光熱轉(zhuǎn)換層，其中所述光熱轉(zhuǎn)換層包含成像輻射吸收材料和可通過暴露在固化波長的輻射下而發(fā)生固化的輻射固化型材料，并且其中所述成像輻射吸收材料不會使所述固化波長處的輻射吸收度顯著提高。9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的熱轉(zhuǎn)移元件，其中所述成像輻射吸收材料不會使所述固化波長處的輻射吸收度提高超過40%。10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的熱轉(zhuǎn)移元件，其中所述成像輻射吸收材料不會使所述固化波長處的輻射吸收度提高超過30%。11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的熱轉(zhuǎn)移元件，其中所述成像輻射吸收材料不會使所述固化波長處的輻射吸收度提高超過20%。12.根據(jù)權(quán)利要求8所述的熱轉(zhuǎn)移元件，其中所述成像輻射吸收材料不會使所述固化波長處的輻射吸收度提高超過10%。13.根據(jù)權(quán)利要求8所述的熱轉(zhuǎn)移元件，其中所述成像輻射吸收材料不會使所述固化波長處的輻射吸收度提高超過5%。14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的熱轉(zhuǎn)移元件，其中在使所述輻射固化型材料固化前，所述成像輻射吸收材料不會使所述固化波長處的輻射吸收度提高超過10%。15.—種熱轉(zhuǎn)移元件，其包括基底；和覆蓋在所述基底上的光熱轉(zhuǎn)換層，其中所述光熱轉(zhuǎn)換層得自成像輻射吸收材料和可通過暴露在固化波長的輻射下而固化的輻射固化型材料，其中所述成像輻射吸收材料不會使所述固化波長處的輻射吸收度顯著提高，并且其中未反應(yīng)的固化型材料的殘余量顯著低于具有與該熱轉(zhuǎn)移元件相當(dāng)?shù)墓鈱W(xué)參數(shù)和物理參數(shù)、但是其中所述成像輻射吸收材料被替換為在同樣條件下發(fā)生固化的微粒吸收材料的熱轉(zhuǎn)移元件中所存在的未反應(yīng)的固化型材料的殘余量。16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的熱轉(zhuǎn)移元件，其還包括覆蓋在所述基底上17.根據(jù)^利要求15所述的熱轉(zhuǎn)移元件，其還包括覆蓋在所述光熱轉(zhuǎn)換層上的轉(zhuǎn)移層。18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的熱轉(zhuǎn)移元件，其中所述轉(zhuǎn)移層包含電致發(fā)光材料或電活性材料。19.根據(jù)權(quán)利要求15所述的熱轉(zhuǎn)移元件，其中所述成像輻射吸收材料是近紅外成像輻射吸收材料。20.根據(jù)權(quán)利要求15所述的熱轉(zhuǎn)移元件，其中所述成像輻射吸收材料選自顏料、染料、鐵氰化物顏料、酞菁顏料、酞菁染料、菁顏料和菁染料中的一種或多種。21.根據(jù)權(quán)利要求15所述的熱轉(zhuǎn)移元件，其中所述微粒吸收材料包括炭黑。22.根據(jù)權(quán)利要求15所述的熱轉(zhuǎn)移元件，其中所述未反應(yīng)的固化型材料的殘余量比具有與該熱轉(zhuǎn)移元件相當(dāng)?shù)墓鈱W(xué)參數(shù)和物理參數(shù)、但是其中所述成像輻射吸收材料被替換為在同樣條件下發(fā)生固化的所述微粒吸收材料的熱轉(zhuǎn)移元件中所存在的固化型材料的殘余量少50%。23.根據(jù)權(quán)利要求15所述的熱轉(zhuǎn)移元件，其中所述未反應(yīng)的固化型材.料的殘余量比具有與該熱轉(zhuǎn)移元件相當(dāng)?shù)墓鈱W(xué)參數(shù)和物理參數(shù)、但是其中所述成像輻射吸收材料被替換為在同樣條件下發(fā)生固化的所—述微粒吸收材料的熱轉(zhuǎn)移元件中所存在的固化型材料的殘余量少40%。24.根據(jù)權(quán)利要求15所述的熱轉(zhuǎn)移元件，其中所述未反應(yīng)的固化型材料的殘余量比具有與該熱轉(zhuǎn)移元件相當(dāng)?shù)墓鈱W(xué)參數(shù)和物理參數(shù)、但是其中所述成像輻射吸收材料被替換為在同樣條件下發(fā)生固化的所述微粒吸收材料的熱轉(zhuǎn)移元件中所存在的固化型材料的殘余量少30%。25.根據(jù)權(quán)利要求15所述的熱轉(zhuǎn)移元件，其中所述未反應(yīng)的固化型材料的殘余量比具有與該熱轉(zhuǎn)移元件相當(dāng)?shù)墓鈱W(xué)參數(shù)和物理參數(shù)、但是其中所述成像輻射吸收材料被替換為在同樣條件下發(fā)生固化的所述微粒吸收材料的熱轉(zhuǎn)移元件中所存在的固化型材料的殘余量少20%。26.根據(jù)權(quán)利要求15所述的熱轉(zhuǎn)移元件，其中所述未反應(yīng)的固化型材料的殘余量比具有與該熱轉(zhuǎn)移元件相當(dāng)?shù)墓鈱W(xué)參數(shù)和物理參數(shù)、但是其中所述成像輻射吸收材料被替換為在同樣條件下發(fā)生固化的所述微粒吸收材料的熱轉(zhuǎn)移元件中所存在的固化型材料的殘余量少亂27.根據(jù)權(quán)利要求15所述的熱轉(zhuǎn)移元件，其中所述未反應(yīng)的固化型材料的殘余量比具有與該熱轉(zhuǎn)移元件相當(dāng)?shù)墓鈱W(xué)參數(shù)和物理參數(shù)、但是其中所述成像輻射吸收材料被替換為在同樣條件下發(fā)生固化的所述微粒吸收材料的熱轉(zhuǎn)移元件中所存在的固化型材料的殘余量少5%。28.—種熱轉(zhuǎn)移元件，其包括基底；和覆蓋在所述基底上的光熱轉(zhuǎn)換層，其中所述光熱轉(zhuǎn)換層得自成像輻射吸收材料和通過暴露在固化波長的輻射下而固化的輻射固化型材料，其中所述成像輻射吸收材料不會使所述固化波長處的輻射吸收度顯著提高，并且其中在所述光熱轉(zhuǎn)換層固化之后，未反應(yīng)的固化型材料的殘余量顯著低于包含微粒吸收材料的熱轉(zhuǎn)移元件中所存在的未反應(yīng)的固化型材料的殘余量。29.根據(jù)權(quán)利要求28所述的熱轉(zhuǎn)移元件，其還包括覆蓋在所述基底上的夾層。30.根據(jù)權(quán)利要求28所述的熱轉(zhuǎn)移元件，其還包括覆蓋在所述光熱轉(zhuǎn)換層上的轉(zhuǎn)移層。31.根據(jù)權(quán)利要求30所述的熱轉(zhuǎn)移元件，其中所述轉(zhuǎn)移層含有電致發(fā)光材料或電活性材料。32.根據(jù)權(quán)利要求28所述的熱轉(zhuǎn)移元件，其中所述成像輻射吸收材料為近紅外成像輻射吸收材料。33.根據(jù)權(quán)利要求28所述的熱轉(zhuǎn)移元件，其中所述成像輻射吸收材料選自顏料、染料、鐵氰化物顏料、酞菁顏料、酞菁染料、菁顏料和菁染料中的一種或多種。34.根據(jù)權(quán)利要求28所述的熱轉(zhuǎn)移元件，其中所述微粒吸收材料包括炭黑。35.根據(jù)權(quán)利要求28所述的熱轉(zhuǎn)移元件，其中所述未反應(yīng)的固化型材料的殘余量比包含所述微粒吸收材料的熱轉(zhuǎn)移元件中所存在的未反應(yīng)的固化型材料的殘余量少50%。36.根據(jù)權(quán)利要求28所述的熱轉(zhuǎn)移元件，其中所述未反應(yīng)的固化型材料的殘余量比包含所述微粒吸收材料的熱轉(zhuǎn)移元件中所存在的未反應(yīng)的固化型材料的殘余量少40%。37.根據(jù)權(quán)利要求28所述的熱轉(zhuǎn)移元件，其中所述未反應(yīng)的固化型材料的殘余量比包含所述微粒吸收材料的熱轉(zhuǎn)移元件中所存在的未反應(yīng)的固化型材料的殘余量少30%。38.根據(jù)權(quán)利要求28所述的熱轉(zhuǎn)移元件，其中所述未反應(yīng)的固化型材料的殘余量比包含所述微粒吸收材料的熱轉(zhuǎn)移元件中所存在的未反應(yīng)的固化型材料的殘余量少20%。39.根據(jù)權(quán)利要求28所述的熱轉(zhuǎn)移元件，其中所述未反應(yīng)的固化型材.料的殘余量比包含所述微粒吸收材料的熱轉(zhuǎn)移元件中所存在的未反應(yīng)的固化型材料的殘余量少10%。40.—根據(jù)權(quán)利要求28所述的熱轉(zhuǎn)移元件，其中所述未反應(yīng)的固化型材料的殘余量比包含所述微粒吸收材料的熱轉(zhuǎn)移元件中所存在的未反應(yīng)的固化型材料的殘余量少5%。41.一種制造熱轉(zhuǎn)移元件的方法，所述熱轉(zhuǎn)移元件包括基底和覆蓋在所述基底上的光熱轉(zhuǎn)換層，并且所述熱轉(zhuǎn)移元件得自成像感光材料和輻射固化型材料，所述方法包括以下步驟將所述光熱轉(zhuǎn)換層涂敷到所述基底上；并且對所述輻射固化型材料進(jìn)行輻射固化，使得所述成像輻射吸收材料不會使固化波長處的輻射吸收度顯著提高。42.—種制造有機(jī)微電子器件的方法，所述方法包括以下步驟提供熱轉(zhuǎn)移元件，該元件包括基底、覆蓋在所述基底上的輻射固化的光熱轉(zhuǎn)換層和覆蓋在所述光熱轉(zhuǎn)換層上的轉(zhuǎn)移層，其中所述光熱轉(zhuǎn)換層得自成像輻射吸收材料和可通過暴露在固化波長的輻射下而發(fā)生固化的輻射固化型材料，并且其中所述成像輻射吸收材料不會使固化波長處的輻射吸收度顯著提高；使所述熱轉(zhuǎn)移元件和受體緊密接觸；用成像輻射源發(fā)出的成像輻射將所述熱轉(zhuǎn)移元件按成像圖形進(jìn)行曝光；并且，將對應(yīng)于所述成像圖形的所述熱轉(zhuǎn)移元件的至少一部分轉(zhuǎn)移到受體上，以形成有機(jī)微電子器件。全文摘要本發(fā)明涉及一種輻射固化型熱轉(zhuǎn)移元件，其包括基底和覆蓋在所述基底上的光熱轉(zhuǎn)換層，本發(fā)明還涉及一種制造所述熱轉(zhuǎn)移元件的方法。所述光熱轉(zhuǎn)換層得自可通過暴露在固化波長的輻射下而發(fā)生固化的輻射固化型材料，和不會使所述固化波長處的輻射吸收度顯著提高的成像輻射吸收材料。所述輻射固化型轉(zhuǎn)移元件可用于制造有機(jī)微電子器件的工藝中。文檔編號H05B33/10GK101283627SQ200680036983公開日2008年10月8日申請日期2006年10月5日優(yōu)先權(quán)日2005年10月7日發(fā)明者劉蘭虹,卡恩·T·許恩,斯蒂芬·A·約翰遜,理查德·L·瓦爾特,羅賓·E·賴特,萊斯莉·A·克萊利奇,雷切爾·K·斯萬森,馬丁·B·沃克申請人:3M創(chuàng)新有限公司