專利名稱：有機(jī)電致發(fā)光面板和有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及有機(jī)電致發(fā)光面板和有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置。更詳細(xì) 地講，涉及具有在薄膜晶體管、布線等上隔著絕緣膜配置有機(jī)電致發(fā) 光元件的構(gòu)造的有機(jī)電致發(fā)光面板和使用該面板的有機(jī)電致發(fā)光顯示 裝置。
背景技術(shù)：
有機(jī)電致發(fā)光(以下也稱為"有機(jī)EL")顯示裝置是具備將自發(fā) 光元件的有機(jī)EL元件作為光源排列的有機(jī)EL面板的顯示裝置。該有 機(jī)EL顯示裝置雖然在有機(jī)EL元件的長(zhǎng)壽命化、顯示器尺寸的大型化 等方面還有改善的余地，但在原理上，在薄型化、輕量化、廣視角化、 動(dòng)畫特性的提高、低消耗電力化、部件數(shù)量的減少等方面具有有利的 構(gòu)造。因此，有機(jī)EL顯示裝置極其有望作為下一代的薄形顯示裝置， 面向其真正的實(shí)用化和普及，當(dāng)前正在大力進(jìn)行研究開(kāi)發(fā)。
此外，在電視機(jī)、監(jiān)視器等設(shè)置有大量像素的顯示裝置中，為了 能夠進(jìn)行高精細(xì)的圖像顯示， 一般在像素的驅(qū)動(dòng)控制中使用有源矩陣 方式。有源矩陣方式是在矩陣狀配置的每個(gè)像素上設(shè)置薄膜晶體管(以 下也稱為"TFT")，通過(guò)控制信號(hào)對(duì)該TFT進(jìn)行開(kāi)關(guān)，由此控制施加 到各個(gè)像素上的電壓進(jìn)行圖像顯示的方式。然而，在使用有源矩陣方 式的情況下，由于需要在每個(gè)像素配置TFT和與其連接的布線，因此 導(dǎo)致顯示區(qū)域的面積相對(duì)像素整體的面積的比例，即開(kāi)口率減小。
作為提高開(kāi)口率的方法，在有源矩陣型的有機(jī)EL面板中，以覆蓋 TFT和布線的方式，形成平坦化的層間絕緣膜，在該層間絕緣膜上設(shè) 置有機(jī)EL元件的構(gòu)造是有效的(例如，參照專利文獻(xiàn)1)。在專利文 獻(xiàn)1中，作為層間絕緣膜，記載有聚酰亞胺涂膜、SiOj莫，而通常作 為層間絕緣膜的材料，優(yōu)選使用有機(jī)材料。這是因?yàn)闉榱舜_保層間絕 緣膜的厚度為一定以上，使用有機(jī)材料有利于制造工藝的簡(jiǎn)化、制造成本的降低等。然而，由于有機(jī)材料易于含有水分，因此己知由于有
由有機(jī)材料構(gòu)成的層間絕緣膜的存在，而具有有機(jī)EL元件的發(fā)光亮度 降低等影響。
對(duì)此，公開(kāi)有通過(guò)采取用無(wú)機(jī)絕緣膜覆蓋有機(jī)絕緣模的結(jié)構(gòu)，防 止對(duì)有機(jī)EL元件的影響的方法(例如，參照專利文獻(xiàn)2、 3、 4)。此 外，公開(kāi)有通過(guò)對(duì)基板加熱或者放置在減壓氣氛下進(jìn)行脫水處理，防 止殘留水分對(duì)有機(jī)EL元件的影響的方法(例如，參照專利文獻(xiàn)5)。
然而，即使使用這些方法，也不能完全防止有機(jī)EL面板隨著時(shí)間 的經(jīng)過(guò)，從顯示區(qū)域的周邊部開(kāi)始發(fā)光亮度降低的這種圖像收縮(參 照?qǐng)D4)，還有改善的余地。
專利文獻(xiàn)h日本專利特開(kāi)平10—189252號(hào)公報(bào) 專利文獻(xiàn)2:日本專利特開(kāi)2001 — 356711號(hào)公報(bào) 專利文獻(xiàn)3:日本專利特開(kāi)2005—26103號(hào)公報(bào) 專利文獻(xiàn)4:日本專利特開(kāi)2004 — 241247號(hào)公報(bào) 專利文獻(xiàn)5:日本專利特開(kāi)2001 — 196188號(hào)公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明鑒于上述現(xiàn)狀而完成，目的在于提供發(fā)光亮度的可靠性優(yōu) 異的有機(jī)EL面板和使用該面板的有機(jī)EL顯示裝置。
本發(fā)明的發(fā)明人對(duì)于在表面形成有有機(jī)絕緣模的基板上具備有機(jī) EL元件的有機(jī)EL面板進(jìn)行了各種研究后，著眼于由于有機(jī)絕緣膜由 易吸水的材質(zhì)構(gòu)成，因此殘留在有機(jī)絕緣膜中的水分在有機(jī)EL元件內(nèi) 移動(dòng)，容易對(duì)發(fā)光特性帶來(lái)影響，僅是在有機(jī)絕緣膜上配置無(wú)機(jī)絕緣 膜，或者在有機(jī)EL面板的制造工序中進(jìn)行有機(jī)絕緣膜的脫水的現(xiàn)有的 對(duì)策中，不能充分得到發(fā)光亮度的可靠性。例如，在有源矩陣型有機(jī) EL面板的制造中，即使在(1)以覆蓋TFT和布線的形式形成有機(jī)絕 緣膜，(2)在該有機(jī)絕緣膜上設(shè)置有機(jī)EL元件，(3)為了防止有機(jī) EL元件的第一電極(下部電極)與第二電極(上部電極)的泄漏，使 有機(jī)EL元件的發(fā)光部開(kāi)口 ，且以覆蓋第一電極的邊緣的形狀在層間絕 緣膜上形成無(wú)機(jī)絕緣膜，(4)為了防止有機(jī)絕緣膜的含有水分的影響， 進(jìn)行過(guò)脫水處理的情況下，也產(chǎn)生所制造的有機(jī)EL面板隨著時(shí)間的經(jīng)
5過(guò)，發(fā)光亮度從顯示區(qū)域的周邊部開(kāi)始降低的這種圖像收縮(參照?qǐng)D4) 的問(wèn)題。
因而，本發(fā)明的發(fā)明人進(jìn)一步研究的結(jié)果，發(fā)現(xiàn)在上述(4)的脫 水處理中，雖然能夠從顯示區(qū)域的有機(jī)絕緣膜中充分去除水分，但是 在顯示區(qū)域外的有機(jī)絕緣膜中殘留有能夠?qū)τ袡C(jī)EL元件帶來(lái)影響的 量的水分，并發(fā)現(xiàn)這是成為亮度從顯示區(qū)域周邊部開(kāi)始降低的原因。 而且，發(fā)現(xiàn)顯示區(qū)域與顯示區(qū)域外的差別在于有無(wú)形成于有機(jī)絕緣膜 上的無(wú)機(jī)絕緣膜中的開(kāi)口，在無(wú)機(jī)絕緣膜完全覆蓋有機(jī)絕緣膜的情況 下，不能充分得到脫水的效果，通過(guò)使無(wú)機(jī)絕緣膜開(kāi)口，能夠充分得 到脫水的效果。這樣，本發(fā)明的發(fā)明人發(fā)現(xiàn)通過(guò)在有機(jī)EL面板上設(shè)置 覆蓋有機(jī)絕緣膜和第一電極，并且在顯示區(qū)域內(nèi)的第一電極上以及顯 示區(qū)域外具有開(kāi)口的無(wú)機(jī)絕緣膜，能夠在面板的整個(gè)區(qū)域脫水有機(jī)絕 緣膜含有的水分，能夠防止有機(jī)EL面板的像素收縮，制造具有高可靠 性的有機(jī)EL面板，從而想到能夠完美地解決上述課題，而達(dá)成本發(fā)明。
艮P，本發(fā)明是具有在表面形成有有機(jī)絕緣膜的基板上依次疊層有 第一電極、至少包括發(fā)光層的有機(jī)層、第二電極的構(gòu)造的有機(jī)電致發(fā) 光面板，上述有機(jī)電致發(fā)光面板的特征在于具備無(wú)機(jī)絕緣膜，該無(wú)機(jī) 絕緣膜覆蓋有機(jī)絕緣膜和第一電極，并且在顯示區(qū)域內(nèi)的第一電極上 以及顯示區(qū)域外具有開(kāi)口。
以下詳細(xì)敘述本發(fā)明。
本發(fā)明的有機(jī)EL面板是具有在表面形成有有機(jī)絕緣膜的基板上 依次疊層有第一電極、至少包括發(fā)光層的有機(jī)層、第二電極的構(gòu)造的 面板。換句話講，本發(fā)明的有機(jī)EL面板是在表面形成有有機(jī)絕緣膜的 基板上具有有機(jī)EL元件的面板。有機(jī)EL元件具有在一對(duì)電極之間夾 持有發(fā)光層、空穴(孔)輸送層、空穴(孔)注入層、電子輸送層等 有機(jī)層(有機(jī)EL層)的構(gòu)造，通過(guò)在一對(duì)電極之間施加電壓而發(fā)光。 有機(jī)EL面板為了驅(qū)動(dòng)配置有有機(jī)EL元件的像素，在每個(gè)像素需要開(kāi) 關(guān)用和驅(qū)動(dòng)用的至少2個(gè)TFT，進(jìn)而也存在在顯示區(qū)域外具有布線和 用于控制作為顯示裝置的有機(jī)EL面板的各像素的驅(qū)動(dòng)電路(驅(qū)動(dòng)器)。 從而，在本發(fā)明中，作為在表面形成有上述有機(jī)絕緣膜的基板，優(yōu)選 使用在基板上形成有多個(gè)TFT、信號(hào)線，其上方形成有有機(jī)絕緣膜的有源矩陣基板。
上述有機(jī)絕緣膜只要是由有機(jī)材料構(gòu)成的絕緣膜則沒(méi)有特別限
定，具有使有機(jī)EL元件與配置在基板上的TFT和布線等分離的作為 層間絕緣膜的作用。有機(jī)絕緣膜為了將上述的TFT、布線和驅(qū)動(dòng)電路 等與在有機(jī)EL元件中使用的電極分離而在具有有機(jī)EL元件的第一電 極、有機(jī)層和第二電極的顯示區(qū)域和具有驅(qū)動(dòng)器的顯示區(qū)域外的兩者 中需要。此外，通過(guò)設(shè)置有機(jī)絕緣膜，能夠?qū)τ捎谂渲糜蠺FT、布線 等產(chǎn)生的基板面的凹凸進(jìn)行平坦化，容易形成有機(jī)EL元件。而且，通 過(guò)設(shè)置有機(jī)絕緣膜，由于能夠使形成于基板上的TFT、布線等與有機(jī) EL元件在平面看時(shí)接近或者重疊，因此能夠提高開(kāi)口率。
本發(fā)明的有機(jī)EL面板具備覆蓋有機(jī)絕緣膜和第一電極，并且在顯 示區(qū)域內(nèi)的第一電極上以及顯示區(qū)域外具有開(kāi)口的無(wú)機(jī)絕緣膜。在現(xiàn) 有技術(shù)中，通過(guò)設(shè)置無(wú)機(jī)絕緣膜，以阻斷有機(jī)絕緣膜中的殘留水分對(duì) 有機(jī)EL元件的影響為目的而使用。與此相對(duì)，本發(fā)明的無(wú)機(jī)絕緣膜不 是以阻斷位于有機(jī)EL元件的第一電極下方的有機(jī)絕緣膜所含有的水 分為目的。本發(fā)明中的無(wú)機(jī)絕緣膜的作用在于第一，覆蓋第一電極， 并且通過(guò)在第一電極上具有開(kāi)口，防止由第一電極邊緣部的有機(jī)EL元 件的第一電極與第二電極之間的泄漏引起的缺陷。第二，本發(fā)明中的 無(wú)機(jī)絕緣膜能夠抑制雜質(zhì)從位于有機(jī)EL元件的下方的有機(jī)絕緣膜向 有機(jī)EL元件的擴(kuò)散。第三，本發(fā)明中的無(wú)機(jī)絕緣膜能夠防止UV清洗 等的有機(jī)絕緣物的分解消失和由再次附著引起的基板的污染。第四， 本發(fā)明中的無(wú)機(jī)絕緣膜也能夠在后面詳細(xì)敘述的粘接密封部件的密封 部下的布線之間的短路抑制方面加以利用。第五，本發(fā)明中的無(wú)機(jī)絕 緣膜還能活用作為在噴墨法等的利用液態(tài)材料的涂敷法中形成有機(jī)層 時(shí)的液體滯留用的岸堤。
有機(jī)絕緣膜即使用第一電極或無(wú)機(jī)絕緣膜覆蓋，也有可能通過(guò)膜 間的界面、膜的端面、氣泡(pinhole)等吸濕。例如，在電極圖形化 工序中的光致抗蝕劑的剝離清洗處理時(shí)存在有機(jī)絕緣膜吸濕的情況。 與此相對(duì)，本發(fā)明中的無(wú)機(jī)絕緣膜由于除顯示區(qū)域內(nèi)的第一電極上的 開(kāi)口 (以下，也稱為第一開(kāi)口部)以外，在顯示區(qū)域外具備開(kāi)口 (以 下，也稱為第二開(kāi)口部)，因此也能夠通過(guò)第二開(kāi)口部對(duì)顯示區(qū)域外的有機(jī)絕緣膜通過(guò)脫水處理充分降低殘留水分。其結(jié)果，能夠防止從顯
示區(qū)域周邊部開(kāi)始的亮度降低，提高有機(jī)EL面板中的發(fā)光亮度的可靠 性。
此外，在本發(fā)明中，作為顯示區(qū)域是指配置有多個(gè)包括有機(jī)EL元 件的像素，在有機(jī)EL顯示裝置中作為顯示畫面加以利用的區(qū)域。在顯 示區(qū)域外，也存在具有布線和用于控制作為顯示裝置的有機(jī)EL面板的 各像素的驅(qū)動(dòng)電路(驅(qū)動(dòng)器)的情況。
在本發(fā)明中，無(wú)機(jī)絕緣膜的第一和第二開(kāi)口部是未形成有無(wú)機(jī)絕 緣膜的區(qū)域，關(guān)于形狀、大小、數(shù)量、配置間隔等沒(méi)有特別限定，第 一開(kāi)口部和第二開(kāi)口部也可以是相同的方式。此外，第二開(kāi)口部可以 是例如設(shè)置在無(wú)機(jī)絕緣膜的周緣部分的切口部(凹部)，也可以是顯示 區(qū)域外的有機(jī)絕緣膜上的整個(gè)區(qū)域。
上述無(wú)機(jī)絕緣膜只要是由無(wú)機(jī)材料構(gòu)成的絕緣膜則沒(méi)有特別限 定，優(yōu)選具有對(duì)電極膜的圖形化的選擇性的材料。即，在無(wú)機(jī)絕緣膜 的圖形化時(shí)，優(yōu)選通過(guò)適當(dāng)選擇蝕刻劑，能夠使無(wú)機(jī)絕緣膜的蝕刻速 度大于電極膜的蝕刻速度。作為這樣的無(wú)機(jī)絕緣膜，例如可以舉出氧 化硅膜、氮化硅膜、氧化鋁膜、氮化鋁膜、五氧化鉭膜等。此外，上 述有機(jī)絕緣膜從能夠使材料和設(shè)備共用化的觀點(diǎn)出發(fā)，優(yōu)選由構(gòu)成有 機(jī)EL面板的其它部分的材料構(gòu)成的膜，例如可以舉出氧化硅、氮化硅等。
作為本發(fā)明的有機(jī)EL面板的結(jié)構(gòu)，只要是以這樣的結(jié)構(gòu)要素為必 須而形成的結(jié)構(gòu)，則就沒(méi)有特別限定，也可以包括其它構(gòu)成要素。
以下詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明的有機(jī)EL面板的優(yōu)選方式。
上述無(wú)機(jī)絕緣膜的顯示區(qū)域外的開(kāi)口優(yōu)選相對(duì)顯示區(qū)域外的有機(jī) 絕緣膜形成區(qū)域的面積具有10%以上的面積。通過(guò)采用這樣的結(jié)構(gòu)， 能夠通過(guò)脫水處理，進(jìn)一步充分降低顯示區(qū)域外的有機(jī)絕緣膜中的殘 留水分，因此能夠更有效地防止從顯示區(qū)域周邊部的亮度降低，能夠 進(jìn)一步提高有機(jī)EL面板的發(fā)光亮度的可靠性。另外第二開(kāi)口部相對(duì)顯 示區(qū)域外的有機(jī)絕緣膜形成區(qū)域的面積比例的更理想的下限是20% ， 理想的上限是80%。
上述有機(jī)EL面板優(yōu)選在無(wú)機(jī)絕緣膜的顯示區(qū)域外的開(kāi)口下具有保護(hù)膜。通過(guò)采用這樣的結(jié)構(gòu)，能夠在通過(guò)蝕刻等對(duì)無(wú)機(jī)絕緣膜進(jìn)行
開(kāi)口時(shí)保護(hù)有機(jī)絕緣膜，能夠謀求有機(jī)EL面板的制造成品率的提高。 此外，在顯示區(qū)域外的保護(hù)膜配置于位于有機(jī)絕緣膜下方的驅(qū)動(dòng)器、 布線與位于有機(jī)絕緣膜上方的第二電極之間的情況下，通過(guò)適當(dāng)選擇 保護(hù)膜的材質(zhì)、膜厚、形狀、圖形等，能夠調(diào)整第二電極與驅(qū)動(dòng)器、 布線之間的電容。
此外，在顯示區(qū)域外的無(wú)機(jī)絕緣膜的開(kāi)口下形成有保護(hù)膜的方式 中，在保護(hù)膜的透水性小的情況下，有機(jī)絕緣膜含有的水分被保護(hù)膜 阻礙而難以從有機(jī)絕緣膜經(jīng)過(guò)保護(hù)膜從無(wú)機(jī)絕緣膜的開(kāi)口放出。從而 優(yōu)選為(A)上述有機(jī)EL面板在無(wú)機(jī)絕緣膜的顯示區(qū)域外的各個(gè)開(kāi) 口下分別設(shè)置有一個(gè)覆蓋該開(kāi)口下的有機(jī)絕緣膜的保護(hù)膜的方式，(B) 上述保護(hù)膜具有開(kāi)口 (包括設(shè)置在外周的切口部)的方式。依據(jù)上述 方式(A)或者(B)能夠從未形成保護(hù)膜的部分經(jīng)過(guò)保護(hù)膜與無(wú)機(jī)絕 緣膜的界面從無(wú)機(jī)絕緣膜的開(kāi)口更有效地脫水有機(jī)絕緣膜含有的水 分。
在上述方式(B)中，作為設(shè)置在保護(hù)膜上的開(kāi)口，既可以設(shè)置在 無(wú)機(jī)絕緣膜的開(kāi)口之下，也可以設(shè)置在無(wú)機(jī)絕緣膜的開(kāi)口的下面以外。 在通過(guò)在無(wú)機(jī)絕緣膜的開(kāi)口下的整個(gè)面上設(shè)置保護(hù)膜，不能充分進(jìn)行 有機(jī)絕緣膜的脫水的情況下，上述保護(hù)膜優(yōu)選在顯示區(qū)域外的無(wú)機(jī)絕 緣膜的開(kāi)口下具有開(kāi)口。上述保護(hù)膜的開(kāi)口優(yōu)選相對(duì)顯示區(qū)域外的有 機(jī)絕緣膜形成區(qū)域的面積具有10%以上的面積。保護(hù)膜的開(kāi)口相對(duì)顯 示區(qū)域外的有機(jī)絕緣膜形成區(qū)域的面積比例更理想的下限是20%，理 想的上限是80%。
此外，作為具有上述開(kāi)口的保護(hù)膜的其它優(yōu)選方式，可以舉出在 設(shè)置在表面形成有上述有機(jī)絕緣膜的基板上的布線等導(dǎo)電部件之上配 置的方式。即，優(yōu)選在導(dǎo)電部件上方以外設(shè)置保護(hù)膜的開(kāi)口，使得能 夠充分保護(hù)配置在有機(jī)絕緣膜下的布線等導(dǎo)電部件。
作為上述保護(hù)膜的材質(zhì)，只要是在無(wú)機(jī)絕緣膜的開(kāi)口時(shí)能夠保護(hù) 有機(jī)絕緣膜的材料，則沒(méi)有特別限定。即，具有對(duì)無(wú)機(jī)絕緣膜的圖形 化的選擇性的材料(在無(wú)機(jī)絕緣膜的圖形化時(shí)，通過(guò)適當(dāng)選擇蝕刻劑， 能夠使無(wú)機(jī)絕緣膜的蝕刻速度大于保護(hù)膜的蝕刻速度的材料)。與優(yōu)選使用具有對(duì)電極膜的圖形化的選擇性的無(wú)機(jī)絕緣膜相對(duì)應(yīng)，優(yōu)選使用 電極膜作為這種保護(hù)膜。從而，上述保護(hù)膜優(yōu)選通過(guò)與第一電極相同
的材料形成。在這種情況下，在通過(guò)蝕刻等對(duì)有機(jī)EL元件的第一電極 進(jìn)行圖形化形成時(shí)，只要變更圖形就能與第一電極同時(shí)形成保護(hù)膜及 其開(kāi)口，所以不需要追加的工序而能容易形成。此外，如果使用與第 一電極相同的材料，則由于能夠用導(dǎo)電性材料形成保護(hù)膜，因此如后 述那樣，能夠是將保護(hù)膜保持有一定的電位的方式。此外，在使保護(hù) 膜的材質(zhì)與第一電極的材質(zhì)相同的情況下，從簡(jiǎn)化制造工藝的觀點(diǎn)出 發(fā)，優(yōu)選通過(guò)與顯示區(qū)域內(nèi)的第一電極相同的圖形形成保護(hù)膜。
在將有機(jī)EL元件的發(fā)光取出到與基板相反一側(cè)的方式(頂部發(fā)射 方式)的情況下，第一電極由具有光反射性的導(dǎo)電性物質(zhì)構(gòu)成。頂部 發(fā)射方式時(shí)，作為保護(hù)膜，也可以同樣使用與第一電極相同的材質(zhì)。 這種情況下，由于能夠?qū)⒈Ｗo(hù)膜與第一電極同時(shí)形成，因此不需要追 加的工序就能形成保護(hù)膜。此外，在頂部發(fā)射方式的情況下，也可以 由具有光反射性的導(dǎo)電性物質(zhì)形成第一電極，使用沒(méi)有光反射性的材 質(zhì)，例如，ITO、 IZO等形成保護(hù)膜。在這種情況下，由于保護(hù)膜不具 有光反射性，因此具有保護(hù)膜不會(huì)由于外光而醒目這樣的優(yōu)點(diǎn)。
此外，上述保護(hù)膜優(yōu)選通過(guò)電連接的多個(gè)導(dǎo)電部構(gòu)成。S卩，上述 保護(hù)膜優(yōu)選通過(guò)多個(gè)導(dǎo)電部構(gòu)成，并且該導(dǎo)電部分別電連接。由此， 在保護(hù)膜通過(guò)多個(gè)導(dǎo)電部構(gòu)成的情況下，能夠防止在每個(gè)導(dǎo)電部電位 不同的狀態(tài)。其結(jié)果，能夠防止設(shè)置在顯示區(qū)域外的驅(qū)動(dòng)器、布線受 到導(dǎo)電部的電位偏差的影響而降低有機(jī)EL面板的控制的穩(wěn)定性。
再者，上述保護(hù)膜優(yōu)選保持有一定的電位。在保護(hù)膜通過(guò)由與第 一電極相同材料形成的這種導(dǎo)電性材料形成的情況下，保護(hù)膜的電狀 態(tài)可以得到與其它導(dǎo)電部件絕緣的浮游電位狀態(tài)或與其它導(dǎo)電部件連 接成為等電位的狀態(tài)。在保護(hù)膜為浮游電位狀態(tài)的情況下，設(shè)置在顯 示區(qū)域外的驅(qū)動(dòng)器和布線受到保護(hù)膜的有無(wú)或者由位置引起的偏差的 影響，有可能降低有機(jī)EL面板的控制的穩(wěn)定性。另一方面，通過(guò)將保 護(hù)膜連接到保持一定電位的導(dǎo)電部件，對(duì)于設(shè)置在顯示區(qū)域外的驅(qū)動(dòng) 器和布線，保護(hù)膜能夠穩(wěn)定地維持一定的電位，能夠避免在保護(hù)膜為 浮游電位狀態(tài)時(shí)所能看到的這種起因于保護(hù)膜的配置狀態(tài)的不穩(wěn)定性，由此能夠進(jìn)行穩(wěn)定的有機(jī)EL面板的顯示。
作為上述一定的電位(DC電位)的值，沒(méi)有特別限定，從能夠采 用來(lái)自一般的電源IC的電位供給的觀點(diǎn)出發(fā)，優(yōu)選一20V +20V的 范圍內(nèi)，更優(yōu)選一10V + 10V的范圍內(nèi)。由于作為電源電位，OV最 穩(wěn)定，因此進(jìn)一步優(yōu)選OV (接地電位)。此外，從減少在顯示器組件 中使用的電源數(shù)量的觀點(diǎn)出發(fā)，優(yōu)選上述一定的電位與在其它用途中 使用的電源電位的任一個(gè)相同。
作為將上述保護(hù)膜保持一定的電位的方法，沒(méi)有特別限定，優(yōu)選 與第二電極電連接的方法。即，上述保護(hù)膜優(yōu)選與第二電極電連接。 為了將保護(hù)膜保持一定的電位，在將保護(hù)膜與有機(jī)EL元件的第二電極 電連接的情況下，不需要形成復(fù)雜的圖形以及增加電源的數(shù)量，而且， 能夠容易地配置從顯示區(qū)域內(nèi)延伸到顯示區(qū)域外的第二電極取出部形 成的第二電極。作為第二電極和與其電連接的保護(hù)膜的電位(DC電 位)，優(yōu)選一20V +20V的范圍內(nèi)，更優(yōu)選一10V "hlOV的范圍內(nèi)。 從穩(wěn)定地控制流入有來(lái)自各像素的有機(jī)EL元件的電流的第二電極的 觀點(diǎn)出發(fā)，進(jìn)一步優(yōu)選OV (接地電位)。
本發(fā)明的有機(jī)EL面板是通過(guò)環(huán)狀地配置在其外周的密封材料，將 形成有有機(jī)EL元件的基板與密度部件粘接而成的面板，優(yōu)選在密封材 料下沒(méi)有設(shè)置有機(jī)絕緣膜。上述密封部件只要是具有通過(guò)粘接到形成 有有機(jī)EL元件的基板上而能夠形成內(nèi)包有機(jī)EL元件的密封空間的構(gòu) 造的部件，則沒(méi)有特別限定，可以舉出掘入玻璃基板的外緣以外而形 成的密封基板、金屬制的密封罐等。此外，密封部件可以通過(guò)密封材 料與形成有有機(jī)EL元件的基板構(gòu)成為一體，也可以是在形成有有機(jī) EL元件的基板與密封部件的粘接部中，除密封材料以外，還介入有無(wú) 機(jī)絕緣膜等。另一方面，優(yōu)選有機(jī)絕緣膜不設(shè)置在密封材料與基板之 間，而是配置在由密封材料包圍的區(qū)域內(nèi)。這是因?yàn)橛袡C(jī)絕緣膜的透 水性高，因此在有機(jī)絕緣膜設(shè)置到密封區(qū)域的外側(cè)的情況下，水分從 外部透過(guò)有機(jī)絕緣膜浸入到密封空間內(nèi)，導(dǎo)致密封效果降低。
本發(fā)明的有機(jī)EL面板優(yōu)選在密封材料下設(shè)置有無(wú)機(jī)絕緣膜，更優(yōu) 選在密封材料與布線引出部之間設(shè)置有無(wú)機(jī)絕緣膜。由此，有效地防 止水分浸入到密封空間內(nèi)，并且在密封材料下沒(méi)有有機(jī)絕緣膜的情況下，也能夠保護(hù)從密封空間延伸到粘接部外的布線。即，通過(guò)無(wú)機(jī)絕 緣膜能夠抑制由在基板粘接時(shí)可混入的異物等引起的布線之間的短路 或由傷痕等引起的斷線。
通過(guò)上述這種密封構(gòu)造將有機(jī)EL元件與水、氧等氣氛的影響隔 離，并且由于通過(guò)形成在無(wú)機(jī)絕緣膜上的開(kāi)口能夠?qū)⒂袡C(jī)絕緣膜含有 的殘留水分放出到密封空間，因此能夠得到具有對(duì)有機(jī)EL元件的水分 的影響少的高可靠性的有機(jī)EL面板。
此外，上述有機(jī)EL面板優(yōu)選面對(duì)由形成有有機(jī)EL元件的基板與 密封部件形成的氣密空間，設(shè)置有干燥劑。通過(guò)采用這樣的結(jié)構(gòu)，能 夠使氣密空間內(nèi)的水分濃度成為低濃度，通過(guò)吸收有機(jī)絕緣膜含有的 殘留水分，能夠更有效地防止由水分引起的有機(jī)EL元件的經(jīng)時(shí)劣化。
本發(fā)明還是具有上述有機(jī)電致發(fā)光面板的有機(jī)電致發(fā)光顯示裝 置。依據(jù)本發(fā)明，不會(huì)損害通常的有機(jī)EL顯示裝置所具有的特性面的 優(yōu)點(diǎn)，能夠提供在發(fā)光亮度的可靠性方面也優(yōu)異的有機(jī)EL顯示裝置。
依據(jù)本發(fā)明的有機(jī)EL面板，由于具有上述的結(jié)構(gòu)，因此對(duì)于顯示 區(qū)域外的有機(jī)絕緣膜，也能夠通過(guò)脫水處理降低殘留水分而防止從顯 示區(qū)域周邊部開(kāi)始的亮度降低，能夠提高有機(jī)EL面板的發(fā)光亮度的可 靠性。


圖1是表示實(shí)施方式1的有源矩陣型有機(jī)EL面板的外觀的平面概 略圖。
圖2是實(shí)施方式1的有源矩陣型有機(jī)EL面板的剖面概略圖。
圖3是表示實(shí)施方式1的有源矩陣型有機(jī)EL面板的顯示區(qū)域和顯 示外區(qū)域的結(jié)構(gòu)的平面概略圖。
圖4是表示對(duì)于在0 100%的范圍內(nèi)變更第二開(kāi)口部的開(kāi)口率而 制造的有機(jī)EL面板，進(jìn)行85t:、 300小時(shí)的高溫保管試驗(yàn)后的消光像 素列的數(shù)量的曲線圖。
圖5是表示像素收縮的狀況的說(shuō)明圖。
圖6是實(shí)施方式2的有源矩陣型有機(jī)EL面板的剖面概略圖。
圖7是表示實(shí)施方式3的有源矩陣型有機(jī)EL面板的顯示區(qū)域和顯示外區(qū)域的結(jié)構(gòu)的平面概略圖。
圖8是實(shí)施方式3的有源矩陣型有機(jī)EL面板的剖面概略圖。
圖9是表示實(shí)施方式4的有源矩陣型有機(jī)EL面板的顯示區(qū)域和顯
示外區(qū)域的結(jié)構(gòu)的平面概略圖。
圖10是表示實(shí)施方式5的有源矩陣型有機(jī)EL面板的顯示區(qū)域和
顯示外區(qū)域的結(jié)構(gòu)的平面概略圖。
符號(hào)說(shuō)明
11:顯示區(qū)域(虛線內(nèi))
12:顯示外區(qū)域
13:周邊區(qū)域
14:密封區(qū)域
21:絕緣基板
22:驅(qū)動(dòng)用TFT
23:驅(qū)動(dòng)器
24:層間絕緣膜(有機(jī)絕緣膜)
24a:層間絕緣膜形成區(qū)域
25:接觸孔
26:第一電極
26a:保護(hù)膜
26b:連接部
27:無(wú)機(jī)絕緣膜
27a:無(wú)機(jī)絕緣膜的第二開(kāi)口部
27b:無(wú)機(jī)絕緣膜形成區(qū)域
28:有機(jī)EL層
28a:空穴(孔)輸送層
28b:發(fā)光層
29:第二電極
31:密封材料
32:密封基板
33:干燥劑
41:發(fā)光像素部
1342:消光像素部(收縮部)
具體實(shí)施例方式
以下，揭示本發(fā)明的實(shí)施方式，參照附圖更詳細(xì)地說(shuō)明本發(fā)明， 然而本發(fā)明并不是僅限于這些實(shí)施方式。 (實(shí)施方式l)
圖1是表示實(shí)施方式1的有源矩陣型有機(jī)EL面板的外觀的平面概 略圖。
如圖1所示，在本實(shí)施方式的有機(jī)EL面板中存在實(shí)際顯示圖像的 顯示區(qū)域ll、其周邊區(qū)域13、密封區(qū)域(密封區(qū)域)14。顯示區(qū)域ll 由多個(gè)像素構(gòu)成，各像素包括有機(jī)EL元件和控制該有機(jī)EL元件的驅(qū) 動(dòng)的開(kāi)關(guān)用TFT和驅(qū)動(dòng)用TFT，驅(qū)動(dòng)用TFT的漏極電極和有機(jī)EL元 件的第一電極經(jīng)穿過(guò)有機(jī)絕緣膜的接觸孔連接。周邊區(qū)域13為了控制 設(shè)置在顯示區(qū)域11內(nèi)的多個(gè)像素的驅(qū)動(dòng)，設(shè)置有使用TFT構(gòu)成的驅(qū)動(dòng) 器和各種布線。密封區(qū)域14位于周邊區(qū)域13的外周。在密封區(qū)域14 中，通過(guò)由樹(shù)脂構(gòu)成的密封材料進(jìn)行絕緣基板21與密封基板的粘接， 將顯示區(qū)域11和周邊區(qū)域13內(nèi)包在由此形成的密封空間(氣密空間) 內(nèi)。
圖2是實(shí)施方式1的有源矩陣型有機(jī)EL面板的剖面概略圖。
以下，關(guān)于本實(shí)施方式的有源矩陣型有機(jī)EL面板，在示出制造方 法的一個(gè)例子的同時(shí)說(shuō)明其結(jié)構(gòu)。
在本實(shí)施方式的有源矩陣型有機(jī)EL面板的制造工序中，首先，在 玻璃基板等絕緣基板上，形成開(kāi)關(guān)用TFT (未圖示)、驅(qū)動(dòng)用TFT22、 驅(qū)動(dòng)器23和各種布線(未圖示)，進(jìn)而在其上形成由有機(jī)材料構(gòu)成的 層間絕緣膜(有機(jī)絕緣膜)24。層間絕緣膜24使用丙烯類樹(shù)脂(有機(jī) 材料)涂敷形成，利用旋涂機(jī)形成2pm左右的膜厚。作為構(gòu)成層間絕 緣膜24的有機(jī)絕緣膜，也可以使用聚酰亞胺類樹(shù)脂、干膜抗蝕劑等。
在顯示區(qū)域11中，通過(guò)設(shè)置層間絕緣膜24，能夠?qū)τ砷_(kāi)關(guān)用TFT、 驅(qū)動(dòng)用TFT22、布線等產(chǎn)生的凹凸進(jìn)行平坦化，防止該凹凸對(duì)有機(jī)EL 元件產(chǎn)生影響。此外，在顯示區(qū)域11中，在像素的驅(qū)動(dòng)用TFT22的漏 極電極與作為有機(jī)EL元件的第一電極的透明電極26的連接中使用的接觸孔25以貫通層間絕緣膜24的方式設(shè)置。
另一方面，在周邊區(qū)域13中，通過(guò)設(shè)置層間絕緣膜24能夠保護(hù) 在后面工序中的損害，即保護(hù)驅(qū)動(dòng)器23或者各種布線不受到后述的在 透明電極圖形化時(shí)的蝕刻液等的蝕刻，能夠進(jìn)一步降低電磁屏蔽構(gòu)造 形成時(shí)的寄生電容。此外，所謂電磁屏蔽構(gòu)造是通過(guò)用導(dǎo)電體覆蓋驅(qū) 動(dòng)器23的上方，由此防止由外部的各種電磁波或者靜電的影響引起的 驅(qū)動(dòng)器23的誤動(dòng)作的構(gòu)造。電磁屏蔽構(gòu)造通過(guò)采取用有機(jī)EL元件的 第二電極(陰極)29覆蓋驅(qū)動(dòng)器23部分的構(gòu)造，能夠容易制造，但是 在這種情況下，必須將陰極29與驅(qū)動(dòng)器23絕緣，進(jìn)而為了抑制在陰 極29與驅(qū)動(dòng)器23或者各種布線之間發(fā)生的寄生電容引起的負(fù)載增大， 因此優(yōu)選減小該寄生電容。關(guān)于寄生電容的降低，可以用介電常數(shù)低， 膜厚2^im左右厚度的層間絕緣膜進(jìn)行絕緣。
此外，由有機(jī)材料構(gòu)成的層間絕緣膜24由于透水性高，因此在將 層間絕緣膜24設(shè)置到密封區(qū)域14的外側(cè)的情況下，水分從外部透過(guò) 層間絕緣膜24，浸入到密封空間內(nèi)，導(dǎo)致使密封效果降低。因此，在 該密封區(qū)域14中需要去除層間絕緣膜24。從而，通過(guò)涂覆形成而在絕 緣基板21上的整個(gè)面上成膜的層間絕緣膜24保留必要的部分而通過(guò) 正片顯影去除。作為層間絕緣膜24的去除部分是在上述的密封區(qū)域14 和接觸孔25形成區(qū)域以外，連接陰極29與形成在絕緣基板21上的陰 極取出布線(未圖示)的部分和對(duì)外部電路的電連接區(qū)域。
接著，在層間絕緣膜24上作為有機(jī)EL元件的陽(yáng)極形成第一電極 26。從基板一側(cè)取出有機(jī)EL元件的發(fā)光的底部發(fā)射構(gòu)造中的第一電極 需要透光性，使用氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鋅鋁(AZO)、 氧化鋅鎵(GZO)等透明導(dǎo)電膜。從與基板相反的一側(cè)取出有機(jī)EL元 件的發(fā)光的頂部發(fā)射構(gòu)造中的第一電極需要反射性，使用鋁、銀、鎳 等具有反射性的金屬的單層或者具有上述反射性的金屬與透明導(dǎo)電膜 的疊層構(gòu)造。在本實(shí)施方式中，采用底部發(fā)射構(gòu)造，通過(guò)濺射法以 150nm左右膜厚在層間絕緣膜24上形成氧化銦錫(ITO)的透明導(dǎo)電 膜，進(jìn)而，使用光刻法，通過(guò)用氫溴酸進(jìn)行蝕刻，形成規(guī)定圖形的第 一電極26。此外，在使用光刻法的第一電極26的圖形化時(shí)，在光致抗 蝕劑的去除清洗時(shí)由于使用水，因此構(gòu)成層間絕緣膜24的有機(jī)絕緣膜有可能吸濕。作為清洗方法，例如可以舉出浸漬到剝離液以后，在純 水中進(jìn)行超聲波清洗的方法等。
接著，在形成有第一電極26的基板上，作為無(wú)機(jī)絕緣膜27，通過(guò) 濺射法以150nm左右的膜厚形成氧化硅(Si02)膜。無(wú)機(jī)絕緣膜27為 了防止有機(jī)EL元件的第一電極26的周圍(邊緣)的電流泄漏，覆蓋 第一電極26的邊緣部。如后所述，在本實(shí)施方式中，在有機(jī)EL元件 的未被無(wú)機(jī)絕緣膜27覆蓋的區(qū)域形成有有機(jī)EL層28，成為發(fā)光部。 此外，在本實(shí)施方式中，在密封區(qū)域14中為了強(qiáng)化密封效果而去除層 間絕緣膜24，因此在密封區(qū)域14的絕緣基板21上形成有導(dǎo)電圖形電 路(電路、布線)的情況下，為了防止在密封時(shí)由導(dǎo)電性異物等在導(dǎo) 電圖形之間發(fā)生短路(short),優(yōu)選在密封區(qū)域14中也設(shè)置無(wú)機(jī)絕緣 膜27。
在絕緣基板21上的整個(gè)面上成膜的無(wú)機(jī)絕緣膜27上，通過(guò)由使 用光刻法的(CF4+02)氣體的干蝕刻在規(guī)定的位置形成有開(kāi)口。作為 無(wú)機(jī)絕緣膜27的開(kāi)口 ，在去除有機(jī)EL元件的第一電極26上的邊緣部 的部分(第一開(kāi)口部)、連接陰極29與陰極取出布線的部分和對(duì)外部 電路的電連接部分以外，在本發(fā)明中，還在形成有周邊區(qū)域13的層間 絕緣膜24的區(qū)域(顯示外區(qū)域)12中形成。由于設(shè)置在該顯示外區(qū)域 12的無(wú)機(jī)絕緣膜27的開(kāi)口 (第二開(kāi)口部)27a的存在，能夠使殘留在 顯示外區(qū)域12的層間絕緣膜24中的水分充分脫水。此外，在使用光 刻法的無(wú)機(jī)絕緣膜27的圖形化時(shí)，由于光致抗蝕劑的去除清洗時(shí)也使 用水，因此構(gòu)成層間絕緣膜24的有機(jī)絕緣膜有可能吸濕。
作為設(shè)置在顯示外區(qū)域12中的第二開(kāi)口部27a的圖形沒(méi)有特別限 定，如圖3中表示的一個(gè)例子，優(yōu)選與顯示區(qū)域ll的第一開(kāi)口部的圖 形相同的圖形。通過(guò)在顯示區(qū)域11的第一開(kāi)口部與顯示外區(qū)域12的 第二開(kāi)口部27a中使開(kāi)口圖形為相同則容易進(jìn)行圖形形成。此外，顯 示外區(qū)域12的第二開(kāi)口部27a越大，越能夠得到更大的脫水效果。
接著，進(jìn)行用于去除層間絕緣膜24中的殘留水分的脫水處理。在 脫水處理中，將形成無(wú)機(jī)絕緣膜27后的基板在170°C、 13.3Pa(0.1Toir) 的真空爐中保持48小時(shí)。作為脫水條件，并不限于上述的條件，用加 熱干燥等也能得到本發(fā)明的作用效果。接著，作為有機(jī)EL層28的形成的前處理，清洗由ITO構(gòu)成的第 一電極26的表面。作為清洗方法沒(méi)有特別限定，但是優(yōu)選例如UV臭 氧處理。UV清洗方法是在空氣中向基板照射紫外線，由產(chǎn)生的臭氧清 洗第一電極26的表面的方法。
接著，在設(shè)置于顯示區(qū)域ll的第一電極26上的無(wú)機(jī)絕緣膜27的 開(kāi)口 (第一開(kāi)口部)中形成有機(jī)EL層28。作為有機(jī)EL層28，分別 通過(guò)真空蒸鍍法依次疊層有二胺衍生物(TPD)作為空穴輸送層、三 (8-羥基喹啉)鋁(Tris-(8-quinolinato)aluminum) (Alq3)膜作為發(fā)光 層。
接著，形成第二電極29作為有機(jī)EL元件的陰極。從基板一側(cè)取 出有機(jī)EL元件的發(fā)光的底部發(fā)射構(gòu)造中的第二電極使用具有電子注 入性的材料與具有反射性的低電阻材料的合金或者疊層膜等。在從與 基板相反一側(cè)取出有機(jī)EL元件的發(fā)光的頂部發(fā)射構(gòu)造中的第二電極 使用具有電子注入性的材料與具有透光性的低電阻材料的合金或者疊 層膜等。在本實(shí)施方式中，由于采用底部發(fā)射構(gòu)造，因此作為第二電 極29，使用真空蒸鍍法，通過(guò)掩模蒸鍍，以200nm左右膜厚形成MgAg 膜。由于第二電極29成為所有像素的共用陰極，因此為了形成顯示區(qū) 域11的整體，進(jìn)而電磁屏蔽構(gòu)造，形成在顯示外區(qū)域12的驅(qū)動(dòng)器23 上。此外，陰極29通過(guò)將層間絕緣膜24和無(wú)機(jī)絕緣膜27開(kāi)口的接觸 部與陰極取出布線(未圖示)連接，通過(guò)該布線連接到外部電路。
最后，通過(guò)由環(huán)氧類紫外線固化樹(shù)脂構(gòu)成的密封材料31，在密封 區(qū)域14上粘接密封基板32，通過(guò)形成內(nèi)包顯示區(qū)域11和周邊區(qū)域13 的氣密空間，進(jìn)行形成在顯示區(qū)域11中的有機(jī)EL元件的密封。作為 密封材料31，不限于上述的環(huán)氧類紫外線固化樹(shù)脂，但是優(yōu)選透水性 低的材料。作為密封方法沒(méi)有特別限定，在本實(shí)施方式中，在由噴砂 掘入玻璃基板的密封基板32的掘入部中設(shè)置干燥劑33，在水分濃度、 氧濃度保持為lppm以下的填充不活潑氣體的手套箱中，以干燥劑33 與有機(jī)EL元件相對(duì)的方式，將形成有有機(jī)EL元件的基板與密封基板 32粘合。這樣制造的密封空間填充有保持為低水分濃度的N2等不活潑 氣體，通過(guò)無(wú)機(jī)絕緣膜27的第二開(kāi)口部27a與密封空間相接，促進(jìn)層 間絕緣膜24的脫水效果。根據(jù)以上，制作出圖1 3所示的有機(jī)EL面板。
對(duì)于本實(shí)施方式的有機(jī)EL面板，對(duì)在0 100%的范圍內(nèi)變更第 二開(kāi)口部27a的開(kāi)口率時(shí)的發(fā)光亮度的可靠性進(jìn)行評(píng)價(jià)。其中，第二 開(kāi)口部27a的開(kāi)口率為0%的情況不包含在本發(fā)明內(nèi)。圖4表示評(píng)價(jià)的 結(jié)果。
圖4表示對(duì)于在0 100%的范圍內(nèi)變更第二開(kāi)口部27a的開(kāi)口率 而制造的有機(jī)EL面板，進(jìn)行了 85°C、 300小時(shí)的高溫保管試驗(yàn)后的情 況的消光圖像列的數(shù)量。圖5中表示像素收縮的狀況。如圖4所示， 在顯示外區(qū)域面積的10%以上開(kāi)口的情況下，改善到不能觀測(cè)出從顯 示區(qū)域周邊部開(kāi)始的亮度降低的程度。
在本實(shí)施方式中，表示了第一電極使用ITO透明導(dǎo)電膜，第二電 極使用MgAg膜的底部發(fā)射構(gòu)造，但是本發(fā)明并不特別限定于這樣的 方式，也可以使用上述以外的材料。另外，本發(fā)明也能夠適用于頂部 發(fā)射構(gòu)造。
(實(shí)施方式2)
在實(shí)施方式1中，表示了由真空蒸鍍法形成由低分子有機(jī)EL材料 構(gòu)成的發(fā)光層的情況，但是在本實(shí)施方式中，表示由噴墨法形成由高 分子有機(jī)EL材料構(gòu)成的發(fā)光層的情況。
圖6是實(shí)施方式2的有源矩陣型有機(jī)EL面板的剖面概略圖。如圖 6所示，在本實(shí)施方式中，在發(fā)光層28b的周圍配置有堤壩(以下，也 稱為岸堤(bank)) 30，從噴墨裝置向岸堤30內(nèi)噴射發(fā)光層28b的液 態(tài)材料，能夠按照所希望的圖形配置發(fā)光層28b。
以下，對(duì)于本實(shí)施方式的有源矩陣型有機(jī)EL面板，在表示制造方 法的一個(gè)例子的同時(shí)說(shuō)明其結(jié)構(gòu)。
作為本實(shí)施方式的有源矩陣型有機(jī)EL面板的制造工序，直至進(jìn)行 無(wú)機(jī)絕緣膜27的開(kāi)口圖形化，進(jìn)行層間絕緣膜24的脫水處理為止， 均與制造實(shí)施方式1的有源矩陣型有機(jī)EL面板的情況相同進(jìn)行。接著， 在完成無(wú)機(jī)絕緣膜27的開(kāi)口圖形化的基板上，通過(guò)旋涂法等，以2pm 左右的膜厚涂覆形成例如由聚酰亞胺構(gòu)成的感光性有機(jī)膜，進(jìn)而使用 光顯影方法，通過(guò)將感光性有機(jī)膜圖形化為包圍由ITO構(gòu)成的第一電 極26的圖形，形成岸堤30。其中，在使用光顯影方法的岸堤30的圖形化時(shí)，由于在顯影后的清洗時(shí)也使用水，因此構(gòu)成層間絕緣膜24的 有機(jī)絕緣膜有可能吸濕。
此外，在使用聚酰亞胺等作為岸堤用感光性有機(jī)絕緣膜的情況下， 由于感光性有機(jī)膜與層間絕緣膜24的密合性差，因此有可能在工序中 發(fā)生膜剝離等，成為異物發(fā)生的原因。因此，為了使密合性良好，優(yōu) 選在能夠充分進(jìn)行層間絕緣膜24的脫水的范圍內(nèi)，在層間絕緣膜24 上設(shè)置無(wú)機(jī)絕緣膜27。為此，在顯示外區(qū)域12中，也優(yōu)選不是將層間 絕緣膜24上的無(wú)機(jī)絕緣膜27全部去除而是保留一部分。
接著，作為通過(guò)噴墨法在岸堤30內(nèi)滴下有機(jī)EL用高分子墨水的 前處理，對(duì)形成有岸堤30的基板，依次實(shí)施UV臭氧處理的親水性處 理和CF4等離子體處理的撥水處理。通過(guò)這些處理，增加無(wú)機(jī)絕緣膜 27和由ITO構(gòu)成的第一電極26的親水性的同時(shí)，增加岸堤30的撥水 性，使得墨水高效地滯留在岸堤內(nèi)。接著，通過(guò)在岸堤30內(nèi)用噴墨法 滴下有機(jī)EL用高分子墨水并進(jìn)行干燥燒制，在第一電極26上形成有 機(jī)EL層28。作為有機(jī)EL層28，依次形成空穴(孔)輸送層28a和 發(fā)光層28b。
接著，作為成為陰極的第二電極29，通過(guò)真空蒸鍍法依次疊層形 成Ba膜和Al膜。最后，通過(guò)由環(huán)氧類紫外線固化樹(shù)脂構(gòu)成的密封材 料31，在密封區(qū)域14上粘接密封基板32，通過(guò)形成內(nèi)包顯示區(qū)域11 和周邊區(qū)域13的氣密空間，進(jìn)行形成在顯示區(qū)域11中的有機(jī)EL元件 的密封。作為密封方法沒(méi)有特別限定，在本實(shí)施方式中，在通過(guò)噴砂 掘入玻璃基板的密封基板32的掘入部中設(shè)置干燥劑33，在水分濃度、 氧濃度保持為lppm以下的填充不活潑氣體的手套箱中，以干燥劑33 與有機(jī)EL元件相對(duì)的方式，將形成有有機(jī)EL元件的基板與密封基板 32粘合。這樣制造的密封空間填充有保持為低水分濃度N2等不活潑氣 體，通過(guò)無(wú)機(jī)絕緣膜27的第二開(kāi)口部27a與密封空間相接，促進(jìn)層間 絕緣膜24的脫水效果。根據(jù)以上，制作出圖6所示的有機(jī)EL面板。 (實(shí)施方式3)
以下敘述在無(wú)機(jī)絕緣膜的第二開(kāi)口部之下具有保護(hù)膜的實(shí)施方 式。通過(guò)采用在無(wú)機(jī)絕緣膜的第二開(kāi)口部下具有保護(hù)膜的構(gòu)造，在通 過(guò)蝕刻等對(duì)無(wú)機(jī)絕緣膜進(jìn)行開(kāi)口時(shí)能夠保護(hù)有機(jī)絕緣膜。在沒(méi)有保護(hù)膜的情況下，在對(duì)無(wú)機(jī)絕緣膜進(jìn)行開(kāi)口時(shí)，存在有機(jī)絕緣膜受到損傷， 其一部分變?yōu)榛覊m，成為成品率降低的原因的情況。此外，在沒(méi)有絕 緣膜的情況下，在對(duì)無(wú)機(jī)絕緣膜進(jìn)行開(kāi)口時(shí)，還存在有機(jī)絕緣膜受到
損傷，進(jìn)而在其后的工藝中，損傷波及到有機(jī)絕緣膜下的布線或TFT。 由此，在本發(fā)明中，優(yōu)選在無(wú)機(jī)絕緣膜的第二開(kāi)口部下具有保護(hù)膜的 構(gòu)造。
在本實(shí)施方式中，作為保護(hù)膜，表示的是使用構(gòu)成第一電極的ITO 透明導(dǎo)電膜的例子。圖7是表示本實(shí)施方式的有源矩陣型有機(jī)EL面板 的顯示區(qū)域和顯示區(qū)域外區(qū)域的結(jié)構(gòu)的平面概略圖。圖8是本實(shí)施方 式的有源矩陣型有機(jī)EL面板的剖面概略圖。其中，對(duì)于在本實(shí)施方式 和實(shí)施方式1中發(fā)揮同樣功能的結(jié)構(gòu)部件標(biāo)注相同的符號(hào)。
在本實(shí)施方式中，除第一電極的形成工序以外，與實(shí)施方式1相 同，制作出有機(jī)EL面板。即，在本實(shí)施方式中，第一電極的形成工序 兼為保護(hù)膜的形成工序，在顯示區(qū)域11中對(duì)ITO透明導(dǎo)電膜進(jìn)行圖形 化而形成第一電極26時(shí)，在顯示外區(qū)域12中也通過(guò)進(jìn)行ITO透明導(dǎo) 電膜的圖形化，在無(wú)機(jī)絕緣膜27的第二開(kāi)口部27a之下配置ITO透明 導(dǎo)電膜作為層間絕緣膜24的保護(hù)膜26a。如圖7所示，在無(wú)機(jī)絕緣膜 27的每4個(gè)第二開(kāi)口部27a上設(shè)置共同的保護(hù)膜26a。當(dāng)然本發(fā)明并 不限于這種情況，既可以在每一個(gè)第二開(kāi)口部27a上設(shè)置保護(hù)膜26a， 也可以例如在每3個(gè)或每9個(gè)等，在每個(gè)任意多個(gè)數(shù)量的第二開(kāi)口部 27a上設(shè)置共同的保護(hù)膜26a。通過(guò)設(shè)置保護(hù)膜26a，能夠降低在對(duì)無(wú) 機(jī)絕緣膜27進(jìn)行干蝕刻時(shí)受到的層間絕緣膜24的損傷(damage),能 夠提高有機(jī)EL面板的制造成品率。
此外，在使用UV臭氧處理作為有機(jī)EL層28形成前的第一電極 26的清洗的情況下，通過(guò)在第二開(kāi)口部27a下配置保護(hù)膜26a，能夠 防止由作為顯示外區(qū)域12中的有機(jī)物的層間絕緣膜24的UV臭氧清 洗所引起的膜減少。進(jìn)而，由此由于層間絕緣膜24的膜厚不會(huì)在不經(jīng) 意中變薄，因此能夠抑制由寄生電容的增大引起的對(duì)電路等的負(fù)載增 大。此外，關(guān)于無(wú)機(jī)絕緣膜27的開(kāi)口，如果在下面設(shè)置ITO透明導(dǎo)電 膜，則能充分防止該層間絕緣膜24的蝕刻。
此外，在本實(shí)施方式中，在每組多個(gè)第二開(kāi)口部27a上設(shè)置有由透明電極構(gòu)成的保護(hù)膜26a，各個(gè)保護(hù)膜26a的尺寸增大。因此，作為 配置在顯示區(qū)域11的周邊部的由TFT構(gòu)成的驅(qū)動(dòng)器23、對(duì)于布線的 電磁屏蔽構(gòu)造，能夠使用由透明電極構(gòu)成的保護(hù)膜26a。在這種情況下， 各個(gè)保護(hù)膜26a相較于電漂移(浮游)，更優(yōu)選保持有一定的電位。如 果各個(gè)保護(hù)膜26a電漂移，則導(dǎo)致與其下的驅(qū)動(dòng)器或者布線的電關(guān)系 不穩(wěn)定，變得動(dòng)作不穩(wěn)定。為了將保護(hù)膜26a保持有一定的電位，優(yōu) 選將各個(gè)保護(hù)膜26a與有機(jī)EL元件的第二電極29電連接。不需要用 于將保護(hù)膜26a保持有一定的電位的復(fù)雜圖形的形成、電源電壓數(shù)的 增加，而且，能夠容易地配置從顯示區(qū)域11內(nèi)延伸到顯示外區(qū)域12 的第二電極取出部形成的第二電極29，也能夠容易地構(gòu)成更完全的電 磁屏蔽構(gòu)造。
此外，在本實(shí)施方式中，顯示區(qū)域ll內(nèi)的第一電極26與保護(hù)膜 26a的尺寸為不同的結(jié)構(gòu)。由此，在第一電極26的圖形化工藝以后， 能夠容易地目測(cè)觀察顯示區(qū)域11與周邊區(qū)域13的邊界部。因此，在 其后的有機(jī)EL元件和第二電極形成工序中，容易目測(cè)確認(rèn)是否在顯示 區(qū)域11中可靠地形成了有機(jī)EL元件和第二電極29。
如本實(shí)施方式這樣，在通過(guò)干蝕刻對(duì)無(wú)機(jī)絕緣膜27進(jìn)行圖形化的 情況下，從有機(jī)絕緣膜的保護(hù)效果的觀點(diǎn)出發(fā)，作為保護(hù)膜優(yōu)選無(wú)機(jī) 物。此外，在本發(fā)明中，從制造工藝簡(jiǎn)化的觀點(diǎn)出發(fā)，優(yōu)選由與第一 電極相同的材料構(gòu)成的保護(hù)膜，在底部發(fā)射構(gòu)造的本實(shí)施方式中，使 用的是作為透明導(dǎo)電膜的ITO膜。在頂部發(fā)射構(gòu)造的情況下，第一電 極26為具有反射性的電極，第二電極為具有透光性的電極。在用具有 反射性的金屬膜和透明導(dǎo)電膜的疊層構(gòu)造形成頂部發(fā)射構(gòu)造的第一電 極26的情況下，作為保護(hù)膜26a，也能夠僅形成由與第一電極26的透 明導(dǎo)電膜相同材料構(gòu)成的膜。在這種情況下，能夠抑制由具有反射性 的金屬的外光反射而使顯示外區(qū)域12的保護(hù)膜26a醒目的情況。 (實(shí)施方式4)
以下敘述在無(wú)機(jī)絕緣膜的第二開(kāi)口部之下具有保護(hù)膜的其它實(shí)施 方式。通過(guò)采用在無(wú)機(jī)絕緣膜的第二開(kāi)口部下具有保護(hù)膜的構(gòu)造，能 夠在通過(guò)蝕刻等對(duì)無(wú)機(jī)絕緣膜進(jìn)行開(kāi)口時(shí)保護(hù)有機(jī)絕緣膜。在本實(shí)施 方式中，除顯示外區(qū)域的保護(hù)膜26a的形狀不同以外，與實(shí)施方式3
21相同，制作出有機(jī)EL面板。SP，在顯示區(qū)域11中對(duì)ITO透明導(dǎo)電膜 進(jìn)行圖形化形成第一電極26時(shí)，通過(guò)在顯示外區(qū)域12中也進(jìn)行ITO 透明導(dǎo)電膜的圖形化，在無(wú)機(jī)絕緣膜27的第二開(kāi)口部27a下，配置比 第二開(kāi)口部27a大一圈的透明電極作為層間絕緣膜24的保護(hù)膜26a。
圖9是表示本實(shí)施方式有源矩陣型有機(jī)EL面板的顯示區(qū)域和顯示 外區(qū)域的結(jié)構(gòu)的平面概略圖。此外，本實(shí)施方式的有源矩陣型有機(jī)EL 面板的剖面結(jié)構(gòu)與圖8所示的實(shí)施方式3的型有機(jī)EL面板的剖面結(jié)構(gòu) 相同。
在本實(shí)施方式中，第一電極的形成工序兼為保護(hù)膜的形成工序， 在顯示區(qū)域11中對(duì)ITO透明導(dǎo)電膜進(jìn)行圖形化形成第一電極26時(shí)， 在顯示外區(qū)域12中也通過(guò)形成與顯示區(qū)域11相同的ITO透明導(dǎo)電膜 圖形，在無(wú)機(jī)絕緣膜27的第二開(kāi)口部27a之下配置透明導(dǎo)電膜作為層 間絕緣膜24的保護(hù)膜26a。由此，能夠降低在對(duì)無(wú)機(jī)絕緣膜27進(jìn)行干 蝕刻時(shí)受到的層間絕緣膜24的損傷(damage),能夠提高有機(jī)EL面板 的制造成品率。此外，在使用UV臭氧處理作為有機(jī)EL層28形成前 的第一電極26的清洗的情況下，通過(guò)在顯示外區(qū)域12的無(wú)機(jī)絕緣膜 27的第二開(kāi)口部27a下配置保護(hù)膜26a，能夠防止由作為顯示外區(qū)域 12中的有機(jī)物的層間絕緣膜24的UV臭氧清洗所引起的膜減少。此外， 由此由于層間絕緣膜24的膜厚不會(huì)在不經(jīng)意中變薄，因此能夠抑制由 寄生電容的增大引起的對(duì)電路等的負(fù)載增大。
此外，在本發(fā)明中，從制造工藝的簡(jiǎn)化的觀點(diǎn)出發(fā)，優(yōu)選由與第 一電極相同的材料構(gòu)成的保護(hù)膜，在底部發(fā)射構(gòu)造的本實(shí)施方式中使 用作為透明導(dǎo)電膜的ITO膜。在這種情況下，ITO膜的透水性小，層 間絕緣膜24含有的水分從層間絕緣膜24經(jīng)過(guò)作為層間絕緣膜24上的 保護(hù)膜26a的ITO膜，從無(wú)機(jī)絕緣膜27的開(kāi)口放出。在本實(shí)施方式中， 通過(guò)按照與第一電極26相同的圖形形成保護(hù)膜26a，保護(hù)膜26a的大 小為比無(wú)機(jī)絕緣膜27的開(kāi)口的大小還大一圈的程度。由此，能夠進(jìn)行 從層間絕緣膜24上的未形成保護(hù)膜26a的部分的有效的脫水。此外， 由于保護(hù)膜26a網(wǎng)格狀地配置在基板面上，因此能夠容易地將層間絕 緣膜24下的布線和層間絕緣膜24上的保護(hù)膜26a配置在從基板面法 線方向看重疊的位置，能夠有效地防止布線的損傷。此外，在本實(shí)施方式中，無(wú)機(jī)絕緣膜的第二開(kāi)口部27a和保護(hù)膜 26a的尺寸分別與顯示區(qū)域11的像素部的無(wú)機(jī)絕緣膜27的第一開(kāi)口部 和第一電極26的尺寸相同。因此，能夠無(wú)面內(nèi)不均地使得從顯示區(qū)域 11和顯示外區(qū)域12的脫水大致均勻。
在本實(shí)施方式中，在第一電極26的圖形化時(shí)，同時(shí)進(jìn)行保護(hù)膜26a 的圖形化。如上所述，由于使第一電極26和和保護(hù)膜26a為相同尺寸， 所以在顯示區(qū)域11和顯示外區(qū)域12的邊界部，也排列相同尺寸的ITO 膜圖形。BP，在顯示區(qū)域ll的中心附近和周邊部，ITO膜的圖形密度 相等，能夠更均勻地進(jìn)行ITO膜的圖形化。
各個(gè)保護(hù)膜26a相較于電漂移(浮游)，更優(yōu)選保持有一定的電位。 為了將保護(hù)膜26a保持有一定的電位，優(yōu)選將各個(gè)保護(hù)膜26a與有機(jī) EL元件的第二電極29電連接。
在頂部發(fā)射構(gòu)造的情況下，第一電極26為具有反射性的電極，第 二電極為具有透光性的電極。在這種情況下也同樣能夠?qū)⒂膳c第一電 極26相同的材料構(gòu)成的膜形成在顯示外區(qū)域12上，作為保護(hù)膜26a。 在頂部發(fā)射構(gòu)造的第一電極26通過(guò)具有反射性的金屬膜和透明導(dǎo)電膜 的疊層構(gòu)造形成的情況下，作為保護(hù)膜26a,也能夠僅形成由與第一電 極26的透明導(dǎo)電膜相同的材料構(gòu)成的膜。 (實(shí)施方式5)
以下敘述在無(wú)機(jī)絕緣膜的第二開(kāi)口部之下具有保護(hù)膜的其它實(shí)施 方式。通過(guò)采用在無(wú)機(jī)絕緣膜的第二開(kāi)口部下具有保護(hù)膜的構(gòu)造，在 通過(guò)蝕刻等對(duì)無(wú)機(jī)絕緣膜進(jìn)行開(kāi)口時(shí)能夠保護(hù)有機(jī)絕緣膜。在本實(shí)施 方式中，除顯示外區(qū)域12的保護(hù)膜26a的形狀不同以外，與實(shí)施方式 4相同，制作出有機(jī)EL面板。
圖10是表示本實(shí)施方式的有源矩陣型有機(jī)EL面板的顯示區(qū)域和 顯示外區(qū)域的結(jié)構(gòu)的平面概略圖。其中，本實(shí)施方式的有源矩陣型有 機(jī)EL面板的剖面結(jié)構(gòu)與圖8所示的實(shí)施方式3的型有機(jī)EL面板的剖 面結(jié)構(gòu)相同。
在本實(shí)施方式中，在顯示區(qū)域ll中對(duì)ITO透明導(dǎo)電膜進(jìn)行圖形化 形成第一電極26時(shí)，在顯示外區(qū)域12中也通過(guò)形成與顯示區(qū)域11同 樣的ITO透明導(dǎo)電膜圖形，在無(wú)機(jī)絕緣膜27的第二開(kāi)口部27a下配置
23透明導(dǎo)電膜作為層間絕緣膜24的保護(hù)膜26a。此外，在本實(shí)施方式中， 如圖10所示，在顯示外區(qū)域12的保護(hù)膜26a分別通過(guò)導(dǎo)電性的連接 部26b相互電連接。由此，保護(hù)膜26a全部保持有一定的電位。連接 部26b也可以用與第一電極26和保護(hù)膜26a不同的材料形成，而本實(shí) 施方式中的連接部26b用與第一電極26和保護(hù)膜26a相同的材料同時(shí) 形成。由此，不會(huì)導(dǎo)致工序的增加而能夠容易地進(jìn)行圖形形成。
保護(hù)膜26a相較于電漂移(浮游)，更優(yōu)選保持有一定的電位。為 了將保護(hù)膜26a保持有一定的電位，優(yōu)選將保護(hù)膜26a與有機(jī)EL元件 的第二電極電連接。由此，不需要復(fù)雜圖形的形成或者電源電壓數(shù)的 增加，而且能夠容易地配置從顯示區(qū)域11內(nèi)延伸到顯示外區(qū)域12的 第二電極取出部形成的第二電極29，還能夠容易地構(gòu)成電磁屏蔽構(gòu)造。 在本實(shí)施方式中，由于保護(hù)膜26a分別通過(guò)連接部26b連接，因此能 夠更可靠地將全部的保護(hù)膜26a與第二電極29電連接。在沒(méi)有設(shè)置連 接部26b的情況下，為了使全部的保護(hù)膜26a與第二電極29電連接， 全部的保護(hù)膜26a需要由第二電極29覆蓋。如果使第二電極29的外 周部的尺寸相比顯示外區(qū)域12充分大，則能夠使全部的保護(hù)膜26a可 靠地與第二電極29連接，但是從面板的窄邊緣化的需求或者如果密封 區(qū)域14與第二電極29重疊則第二電極29易于惡化等理由出發(fā)，現(xiàn)實(shí) 的做法是使第二電極29的外周部的尺寸與顯示外區(qū)域12的外周部的 尺寸大致相等。為此，在沒(méi)有設(shè)置連接部26b的情況下，為了用第二 電極29覆蓋全部的保護(hù)膜26a，對(duì)于第二電極29需要更高的形成精度。 然而，如本實(shí)施方式這樣，在保護(hù)膜26a通過(guò)連接部26b相互連接的 情況下，全部的保護(hù)膜26a不需要被第二電極29覆蓋。由于各個(gè)保護(hù) 膜26a通過(guò)連接部26b電連接，因此只要一部分的保護(hù)膜26a被第二 電極29覆蓋，則全部的保護(hù)膜26a與第二電極29電連接。由此，如 果使用本實(shí)施方式，在第二電極29的形成時(shí)，不需要那樣高的形成位 置精度，可以得到第二電極29的形狀的設(shè)計(jì)自由度拓寬等優(yōu)點(diǎn)。
此外，通過(guò)形成保護(hù)膜26a，能夠降低在對(duì)無(wú)機(jī)絕緣膜27進(jìn)行干 蝕刻時(shí)受到的層間絕緣膜24的損傷(damage),能提高有機(jī)EL面板的 制造成品率。進(jìn)而，在使用UV臭氧處理作為有機(jī)EL層28形成前的 第一電極26的清洗的情況下，通過(guò)在顯示外區(qū)域12的無(wú)機(jī)絕緣膜27的第二開(kāi)口部27a下配置保護(hù)膜26a，能夠防止由作為顯示外區(qū)域12 中的有機(jī)物的層間絕緣膜24的UV臭氧清洗所引起的膜減少。
此外，在本發(fā)明中，從制作工藝的簡(jiǎn)化的觀點(diǎn)出發(fā)，優(yōu)選由與第 一電極相同的材料構(gòu)成的保護(hù)膜，在底部發(fā)射構(gòu)造的本實(shí)施方式中使 用作為透明導(dǎo)電膜的ITO模。在這種情況下，層間絕緣膜24含有的水 分從層間絕緣膜24經(jīng)過(guò)作為層間絕緣膜上的保護(hù)膜26a的ITO膜，從 無(wú)機(jī)絕緣膜27的開(kāi)口放出。在本實(shí)施方式中，通過(guò)按照與第一電極26 相同的圖形形成保護(hù)膜26a，保護(hù)膜26a的大小為比無(wú)機(jī)絕緣膜27的 第二開(kāi)口部27a的大小還大一圈的程度。由此，能夠進(jìn)行從層間絕緣 膜24上的未設(shè)置保護(hù)膜26a的部分的有效的脫水。
在本實(shí)施方式中，由于無(wú)機(jī)絕緣膜的第二開(kāi)口部27a和保護(hù)膜26a 的尺寸分別與顯示區(qū)域11的像素部的無(wú)機(jī)絕緣膜27的開(kāi)口部和第一 電極26的尺寸大致相等，因此能夠大致均勻地進(jìn)行從顯示區(qū)域11和 顯示外區(qū)域12的脫水。
此外，在本實(shí)施方式中，在第一電極26的圖形化時(shí)，同時(shí)進(jìn)行保 護(hù)膜26a的圖形化。如上所述，由于使第一電極26與保護(hù)膜26a為大 致相同的尺寸，因此在顯示區(qū)域ll的中心附近和周邊部，ITO膜的圖 形密度大致相等，能夠均勻地進(jìn)行ITO膜的圖形化。
再者，在本實(shí)施方式中，在顯示區(qū)域ll內(nèi)的第一電極26上沒(méi)有 形成連接部26b，另一方面，在顯示外區(qū)域12內(nèi)的保護(hù)膜26a上形成 有連接部26b。由此，在第一電極26的圖形化工藝以后，能夠用目測(cè) 容易地觀察顯示區(qū)域11與顯示外區(qū)域12的邊界部。因此，在其后的 有機(jī)EL元件和第二電極形成工藝中，很容易用目測(cè)確認(rèn)在顯示區(qū)域 11上是否可靠地形成有有機(jī)EL元件和第二電極29。
在本實(shí)施方式中使用的是底部發(fā)射構(gòu)造，但本發(fā)明并不限于該構(gòu) 造，也可以使用頂部發(fā)射構(gòu)造。在頂部發(fā)射構(gòu)造的情況下，第一電極 26為具有反射性的電極，第二電極為具有透光性的電極。在這種情況 下也同樣能夠在顯示外區(qū)域12形成由與第一電極26相同的材料構(gòu)成 的膜作為保護(hù)膜26a。在頂部發(fā)射構(gòu)造的第一電極26通過(guò)具有反射性 的金屬膜和透明導(dǎo)電膜的疊層構(gòu)造形成的情況下，作為保護(hù)膜26a，也 能夠僅形成由與第一電極26的透明導(dǎo)電膜相同的材料構(gòu)成的膜作為保護(hù)膜26a。
此外，本申請(qǐng)以2005年12月5日申請(qǐng)的日本國(guó)專利申請(qǐng)2005 —
350640號(hào)和2006年11月20日申請(qǐng)的日本國(guó)專利申請(qǐng)2006—313161
號(hào)為基礎(chǔ)，主張基于巴黎公約或者移行國(guó)的法規(guī)的優(yōu)先權(quán)。該申請(qǐng)的 內(nèi)容其整體作為參照引入到本申請(qǐng)中。
此外，本申請(qǐng)說(shuō)明書中的"以上"和"以下"包括該數(shù)值。
權(quán)利要求
1.一種有機(jī)電致發(fā)光面板，其具有在表面形成有有機(jī)絕緣膜的基板上依次疊層有第一電極、至少包括發(fā)光層的有機(jī)層、第二電極的構(gòu)造，其特征在于該有機(jī)電致發(fā)光面板具備覆蓋有機(jī)絕緣膜和第一電極，并且在顯示區(qū)域內(nèi)的第一電極上以及顯示區(qū)域外具有開(kāi)口的無(wú)機(jī)絕緣膜。
2. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的有機(jī)電致發(fā)光面板，其特征在于 所述無(wú)機(jī)絕緣膜的顯示區(qū)域外的開(kāi)口具有相對(duì)顯示區(qū)域外的有機(jī)絕緣膜形成區(qū)域的面積的10%以上的面積。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的有機(jī)電致發(fā)光面板，其特征在于 所述有機(jī)電致發(fā)光面板在無(wú)機(jī)絕緣膜的顯示區(qū)域外的開(kāi)口下具有保護(hù)膜。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的有機(jī)電致發(fā)光面板，其特征在于 所述有機(jī)電致發(fā)光面板在無(wú)機(jī)絕緣膜的顯示區(qū)域外的各個(gè)開(kāi)口之下各設(shè)置有一個(gè)覆蓋該開(kāi)口下的有機(jī)絕緣膜的保護(hù)膜。
5. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的有機(jī)電致發(fā)光面板，其特征在于-所述保護(hù)膜具有開(kāi)口。
6. 根據(jù)權(quán)利要求3 5中任一項(xiàng)所述的有機(jī)電致發(fā)光面板，其特 征在于-所述保護(hù)膜通過(guò)與第一 電極相同的材料形成。
7. 根據(jù)權(quán)利要求3、 5、 6或7所述的有機(jī)電致發(fā)光面板，其特征 在于所述保護(hù)膜通過(guò)電連接的多個(gè)導(dǎo)電部構(gòu)成。
8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的有機(jī)電致發(fā)光面板，其特征在于所述保護(hù)膜保持有一定的電位。
9. 根據(jù)權(quán)利要求3 8中任一項(xiàng)所述的有機(jī)電致發(fā)光面板，其特 征在于-所述保護(hù)膜與第二電極電連接。
10. 根據(jù)權(quán)利要求1 9中任一項(xiàng)所述的有機(jī)電致發(fā)光面板，其特 征在于所述有機(jī)電致發(fā)光面板是通過(guò)環(huán)狀地配置在其外周的密封材料， 將形成有有機(jī)電致發(fā)光元件的基板與密封部件粘接而成的面板，其中， 在密封材料下沒(méi)有設(shè)置有機(jī)絕緣膜。
11. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的有機(jī)電致發(fā)光面板，其特征在于所述有機(jī)電致發(fā)光面板，面對(duì)由形成有有機(jī)電致發(fā)光元件的基板 和密封部件形成的氣密空間，設(shè)置有干燥劑。
12. —種有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置，其特征在于，包括-權(quán)利要求1 11中任一項(xiàng)所述的有機(jī)電致發(fā)光面板。
全文摘要
本發(fā)明的目的在于提供發(fā)光亮度的可靠性優(yōu)異的有機(jī)電致發(fā)光面板和使用該面板的有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置。本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光面板是具有在表面形成有有機(jī)絕緣膜的基板上依次疊層有第一電極、至少包括發(fā)光層的有機(jī)層、第二電極的構(gòu)造的有機(jī)電致發(fā)光面板，所述有機(jī)電致發(fā)光面板具備覆蓋有機(jī)絕緣膜和第一電極，并且在顯示區(qū)域內(nèi)的第一電極上以及顯示區(qū)域外具有開(kāi)口的無(wú)機(jī)絕緣膜。
文檔編號(hào)H05B33/22GK101322440SQ20068004578
公開(kāi)日2008年12月10日 申請(qǐng)日期2006年11月30日 優(yōu)先權(quán)日2005年12月5日
發(fā)明者寺田幸祐, 森田春雪, 田川晶 申請(qǐng)人:夏普株式會(huì)社