專利名稱：垂直布里奇曼生長(zhǎng)爐及爐內(nèi)溫度場(chǎng)優(yōu)化方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種垂直布里奇曼生長(zhǎng)爐，還涉及這種垂直布里奇曼生長(zhǎng)爐爐內(nèi)溫度場(chǎng)優(yōu)化 方法。
背景技術(shù)參照?qǐng)Dl，文獻(xiàn)l "《晶體生長(zhǎng)科學(xué)與技術(shù)》(上冊(cè))，張可從等編寫，1997: 506-520"公 開了一種垂直布里奇曼生長(zhǎng)爐，其主要結(jié)構(gòu)為不銹鋼外殼7中是兩段大小相同的陶瓷襯管5， 陶瓷襯管5外周纏繞有電熱絲4，電熱絲4外接相應(yīng)的溫度控制系統(tǒng)。在陶瓷襯管5與不銹鋼外 殼7中填充有耐火材料，兩段陶瓷襯管5之間用陶瓷散熱片6隔開，形成上爐腔2和下爐腔3，上 爐腔上是爐膛蓋l。晶體生長(zhǎng)過程中上爐腔2為高溫區(qū)，下爐腔3為低溫區(qū)，但隨著對(duì)大體積晶 體的需求，晶錠的尺寸在不斷增大，這就要求生長(zhǎng)爐的爐膛內(nèi)徑不斷增大，爐膛內(nèi)徑的增大 使得軸向的溫度分布趨于平緩，熔點(diǎn)附近的軸向溫度梯度降低，為獲得較大軸向溫度梯度， 往往增大高溫區(qū)與低溫區(qū)間的溫差，生長(zhǎng)速率降低，同時(shí)影響晶體結(jié)晶質(zhì)量。從圖3B曲線可 以看出，高溫區(qū)和低溫區(qū)沒有形成晶體生長(zhǎng)所需的平緩區(qū)域，軸向溫度梯度較小。文獻(xiàn)2"發(fā)光學(xué)報(bào)，2005， Vol.26 (6): 807-812"公開了一種采用傳統(tǒng)垂直布里奇曼生長(zhǎng)爐 生長(zhǎng)Cd^Zn;re晶體的方法時(shí)，該方法在生長(zhǎng)Cd^Zn;Te晶體時(shí)，其固/液界面處溫度梯度為3-10 'C/cm，石英坩堝僅以0.2-lmm/h的速度下降生長(zhǎng)晶體。文獻(xiàn)"正EENuclear Science, 2002, Vol.49(5): 2535-2540"公開了美國II-VI公司引入電動(dòng) 力學(xué)梯度技術(shù)的多區(qū)域加熱垂直布里奇曼生長(zhǎng)爐，晶體生長(zhǎng)時(shí)實(shí)現(xiàn)了較長(zhǎng)的平直高溫區(qū)和低 溫區(qū)，但梯度區(qū)較寬，超過200mm，使得最大梯度區(qū)不在熔點(diǎn)附近，且低溫區(qū)與高溫區(qū)溫度 差超過200'C，生長(zhǎng)中引入了較大的熱應(yīng)力，晶體中容易產(chǎn)生大量的孿晶及層錯(cuò)。 發(fā)明內(nèi)容① 要解決的技術(shù)問題為了克服現(xiàn)有技術(shù)垂直布里奇曼生長(zhǎng)爐在生長(zhǎng)晶體時(shí)，高溫區(qū)和低溫區(qū)難以控制以及軸向溫度梯度小的不足，本發(fā)明提供一種垂直布里奇曼生長(zhǎng)爐，采用五 段式模塊化設(shè)計(jì)，同時(shí)配以高溫合舍襯管、散熱片、陶瓷襯套，可以解決因軸向溫度梯度小 產(chǎn)生的組分過冷現(xiàn)象，以及由于熱應(yīng)力較大產(chǎn)生的缺陷，可以在獲得較大生長(zhǎng)速率的同時(shí)降 低晶體中的熱應(yīng)力，提高晶體的結(jié)晶質(zhì)量。本發(fā)明還提供這種垂直布里奇曼生長(zhǎng)爐爐內(nèi)溫度場(chǎng)優(yōu)化方法。② 技術(shù)方案 一種垂直布里奇曼生長(zhǎng)爐，包括爐膛蓋、電熱絲、襯管、散熱片、外殼， 其特點(diǎn)是還包括I型加熱模塊、II型加熱模塊、隔熱板、襯套和耐火陶瓷棉，外殼中從下到上依次是隔熱板、兩組i型加熱模塊、散熱片、 一組n型加熱模塊、兩組i型加熱模塊和 爐膛蓋，隔熱板中心孔是耐火陶瓷棉，五段加熱模塊中心位置是兩段襯管，下段襯管的卞端 與隔熱板平齊，上段襯管的上端與平齊，兩段襯管用散熱片隔開，襯管對(duì)接處外有襯套，散 熱片的中心孔與襯管內(nèi)徑等大，每組加熱模塊的中心孔周圍分布有各自獨(dú)立溫度控制系統(tǒng)的電熱絲，在垂直于每組模塊的外壁中部徑向放置一根的Pt/PtRhlO熱電偶，熱電偶的測(cè)溫觸點(diǎn) 靠近襯管5的外壁，形成爐膛梯度溫控區(qū)I、 II 、 III、 IV、 V。一種上述垂直布里奇曼生長(zhǎng)爐爐內(nèi)溫度場(chǎng)優(yōu)化方法，其特點(diǎn)是包括以下步驟在晶體生長(zhǎng)時(shí)下，爐內(nèi)溫度如下設(shè)置，爐膛溫控區(qū)II溫度設(shè)置為高溫區(qū)溫度790 115(TC，爐膛溫控區(qū)i溫度較爐膛溫控區(qū)n高出5~io°c，爐膛溫控區(qū)in溫度較爐膛溫控區(qū)n高出o~5°c，爐膛溫控區(qū)V溫度設(shè)置為低溫區(qū)溫度650~1030°C，爐膛溫控區(qū)IV溫度較爐膛溫控區(qū)V低20~30°C， 從而在爐膛溫控區(qū)I與爐膛溫控區(qū)m間產(chǎn)生180~200mm的高溫均勻區(qū)，爐膛溫控區(qū)III與爐膛 溫控區(qū)IV間產(chǎn)生150~170mm的溫度梯度區(qū)，爐膛溫控區(qū)IV與爐膛溫控區(qū)V間產(chǎn)生180~200mm 的低溫均勻區(qū)。③有益效果由于本發(fā)明垂直布里奇曼生長(zhǎng)爐采用五段式模塊化設(shè)計(jì)，同時(shí)配以高溫合 金襯管、散熱片、陶瓷襯套，有效地解決了因軸向溫度梯度小產(chǎn)生的組分過冷現(xiàn)象。其五段 式模塊之間相互獨(dú)立，互不干擾，溫度控制精確，波動(dòng)較小?？梢酝ㄟ^更換不同模塊獲得生 長(zhǎng)不同晶體的合適溫度場(chǎng)。采用高溫合金管作爐膛襯管，用以傳導(dǎo)熱量增大爐膛內(nèi)的熱交換 均熱溫度場(chǎng)，并在梯度區(qū)放置氧化鋁陶瓷襯套以及高溫合金散熱片，增大了爐膛內(nèi)的軸向溫 度梯度，通過調(diào)整五段加熱模塊的溫度設(shè)置，獲得了長(zhǎng)約180 200mm高溫均勻區(qū)和低溫均勻 區(qū)，以及長(zhǎng)約150 170mm的溫度梯度區(qū)，溫度梯度在8~15°C/cm范圍內(nèi)自由可調(diào)。相應(yīng)的晶 體生長(zhǎng)速率達(dá)0.8-1.5mm/h，生長(zhǎng)中引入的熱應(yīng)力較小，僅在生長(zhǎng)的晶錠邊沿觀察到少量的孿 晶，晶體中的缺陷密度較低，晶片的位錯(cuò)腐蝕坑密虔EPD小于lxl0Vcm， X射線雙晶搖擺曲 線半峰寬FWHM小于50"，結(jié)晶質(zhì)量較高。下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作詳細(xì)說明。


圖1是文獻(xiàn)1中現(xiàn)有技術(shù)垂直布里奇曼生長(zhǎng)爐結(jié)構(gòu)示意圖。 圖2是本發(fā)明垂直布里奇曼生長(zhǎng)爐結(jié)構(gòu)示意圖。 圖3是圖2中A-A剖視圖。圖4是現(xiàn)有技術(shù)垂直布里奇曼生長(zhǎng)爐與本發(fā)明垂直布里奇曼生長(zhǎng)爐溫度場(chǎng)曲線比較圖， 其中，A是本發(fā)明垂直布里奇曼生長(zhǎng)爐溫度場(chǎng)曲線，B是現(xiàn)有技術(shù)垂直布里奇曼生長(zhǎng)爐溫度 場(chǎng)曲線。圖中，l-爐膛蓋，2-上爐腔，3-下爐腔，4-電熱絲，5-襯管，6-散熱片，7-外殼，8-I型 加熱模塊，8'-n型加熱模塊，9-隔熱板，10-襯套，11-耐火陶瓷棉。
具體實(shí)施方式
實(shí)施例1:參照?qǐng)D2，本發(fā)明垂直布里奇曼生長(zhǎng)爐，包括爐膛蓋1、電熱絲4、襯管5、 散熱片6、外殼7，還包括I型加熱模塊8、 n型加熱模塊8'、隔熱板9、襯套10和耐火陶瓷 棉ll。外殼7中從下到上依次是隔熱板9、兩組I型加熱模塊8、散熱片6、 一組II型加熱模 塊8'、兩組I型加熱模塊8和爐膛蓋1，隔熱板9中心孔是耐火陶瓷棉11，五段加熱模塊中 心位置是兩段襯管5，下段襯管5的下端與隔熱板9平齊，上段襯管5的上端與爐膛蓋1平 齊，兩段襯管5用散熱片6隔開，襯管5對(duì)接處外有襯套10，散熱片6的中心孔與襯管5內(nèi) 徑等大，每組加熱模塊的中心孔周圍分布有各自獨(dú)立溫度控制系統(tǒng)的電熱絲4，形成爐膛梯度溫控區(qū)i、 n、 m、 iv、 v。實(shí)施例2:設(shè)計(jì)合適的五段式模塊化管式電阻爐生長(zhǎng)Cda9Znai Te晶錠。首先在外殼1的最下端放置外徑450mm中心孔徑120mm高度150mm的隔熱板9，晶體 生長(zhǎng)時(shí)使用耐火陶瓷棉11將其中心孔封閉，防止氣氛流動(dòng)影響溫度場(chǎng)。在其上放置兩塊外徑 450mm中心孔徑120mm高度220mm的I型加熱模塊8，然后對(duì)稱放置3塊厚度3mm扇形 高溫合金散熱片，將一根內(nèi)徑90mm，壁厚3mm,長(zhǎng)450mm的高溫合金管襯管5放置于模 塊中心孔處，其上放置內(nèi)徑90mm，壁厚5mm，高60mm的氧化鋁陶瓷襯套11以作為絕熱區(qū)， 然后放置外徑450mm中心孔徑120mm高度80mm的II型加熱模塊8'，以及兩塊外徑450mm 中心孔徑120mm高度220mm的I型加熱模塊8，并在其中放入另一根內(nèi)徑90mm，壁厚3mm， 長(zhǎng)450mm的高溫合金管襯管5，最后放上爐膛蓋1。各加熱模塊8均由耐火材料燒結(jié)成，每 組加熱模塊的中心孔周圍分布有各自獨(dú)立溫度控制系統(tǒng)的電熱絲4，其最高使用溫度為 120(TC。在垂直于每組模塊的外壁中部徑向放置一根的Pt/PtRhlO熱電偶，熱電偶的測(cè)溫觸點(diǎn) 靠近襯管5的外壁，并配有各自獨(dú)立的溫度控制系統(tǒng)，包括英國EUROTHERM公司的3504 程序控制器、710A功率調(diào)節(jié)器及相應(yīng)低壓電器，使得溫度波動(dòng)不大于i0.5'C，從而形成爐膛 梯度溫控區(qū)I 、 II、 IIL IV、 V。根據(jù)Cd^Znoj Te晶體的物性參數(shù)，由生長(zhǎng)時(shí)高溫均勻區(qū)溫度1145°C，低溫均勻區(qū)溫度 1030°C，五段爐膛溫度設(shè)置如下，爐膛I 1155°C，爐膛II U45。C，爐膛nill5(TC，爐膛ivioi(rc， 爐膛V1030'C。參見圖3曲線A獲得的高溫均勻區(qū)長(zhǎng)約180mm,低溫均勻區(qū)長(zhǎng)約200mm， 溫度梯度區(qū)長(zhǎng)約150mm，軸向溫度梯度達(dá)到10'C/cm。然后將封接好的石英安瓿放入五段式模塊化管式電阻爐中加熱進(jìn)行晶體生長(zhǎng)。生長(zhǎng)時(shí)安 瓿下降速率設(shè)置為lmm/h，生長(zhǎng)速率較高。較高的低溫均勻區(qū)溫度降低了生長(zhǎng)過程中引入熱應(yīng)力。經(jīng)測(cè)定，生長(zhǎng)的Cdo.9ZncnTe晶錠直徑60mm長(zhǎng)約150mm，單晶體積超過3.5x105mm3， 僅在晶錠的邊緣觀察到少量平行于晶體生長(zhǎng)方向的孿晶。定向切割的晶片經(jīng)研磨、拋光，測(cè) 得的位錯(cuò)腐蝕坑密度EPD小于5xlO氣m—1，采用Philips X'Pert-MRD四晶衍射儀測(cè)試晶片的 X射線雙晶搖擺曲線，其半峰寬FWHM小于40"，晶體的結(jié)晶質(zhì)量較高實(shí)施例3:采用五段式模塊化管式電阻爐生長(zhǎng)Cda8Mno.2 Te晶錠。首先在外殼1的最下端放置外徑400mm中心孔徑90mm高度150mm的隔熱板9，晶體 生長(zhǎng)時(shí)使用耐火陶瓷棉ll將其中心孔封閉，防止氣氛流動(dòng)影響溫度場(chǎng)。在其上放置兩塊外徑 400mm中心孔徑90mm高度200mm的I型加熱模塊8，然后對(duì)稱放置4塊厚度3mm扇形高 溫合金散熱片，將一根內(nèi)徑70mm,壁厚3mm，長(zhǎng)400mm的高溫合金管襯管5放置于模塊 中心孔處，其上放置內(nèi)徑70mm，壁厚5mm，高70mm的氧化鋁陶瓷襯套11以作為絕熱區(qū)， 然后放置外徑400mm中心孔徑90mm高度70mm的II型加熱模塊8'，以及兩塊外徑400mm 中心孔徑90mm高度200mm的I型加熱模塊8，并在其中放入另一根內(nèi)徑70mm，壁厚3mm， 長(zhǎng)400mm的高溫合金管襯管5，最后放上爐膛蓋1。各加熱模塊8均由耐火材料燒結(jié)成，每 組加熱模塊的中心孔周圍分布有各自獨(dú)立溫度控制系統(tǒng)的電熱絲4，其最高使用溫度為 1200°C。在垂直于每組模塊的外壁中部徑向放置一根的Pt/PtRhlO熱電偶，熱電偶的測(cè)溫觸點(diǎn) 靠近襯管5的外壁，并配有各自獨(dú)立的溫度控制系統(tǒng)，包括英國EUROTHERM公司的3504 程序控制器、710A功率調(diào)節(jié)器及相應(yīng)低壓電器，使得溫度波動(dòng)不大于i0.5'C，從而形成爐膛 梯度溫控區(qū)I 、 II、 III、 IV、 V。根據(jù)Cda8Mno.2 Te晶體的物性參數(shù)，由生長(zhǎng)時(shí)高溫均勻區(qū)溫度1130°C，低溫均勻區(qū)溫度 1020°C，五段爐膛溫度設(shè)置如下，爐膛I U40。C，爐膛nil30。C，爐膛III113(TC，爐膛IV99(rC， 爐膛V102(TC。獲得的高溫均勻區(qū)長(zhǎng)約180mm，低溫均勻區(qū)長(zhǎng)約180mm，溫度梯度區(qū)長(zhǎng)約 120mm，軸向溫度梯度達(dá)到12°C/cm。然后將封接好的石英安瓿放入五段式模塊化管式電阻爐中加熱進(jìn)行晶體生長(zhǎng)。生長(zhǎng)時(shí)安 瓿下降速率設(shè)置為1.2mm/h，生長(zhǎng)速率較高。較高的低溫均勻區(qū)溫度降低了生長(zhǎng)過程中引入 的熱應(yīng)力。經(jīng)測(cè)定，所生長(zhǎng)的Cdcv8Mno.2 Te晶錠直徑30mm長(zhǎng)約120mm。定向切割的晶片經(jīng)研磨、拋 光，測(cè)得的位錯(cuò)腐蝕坑密度EPD小于lxloScm—1,采用Philips X'Pert-MRD四晶衍射儀測(cè)試晶 片的X射線雙晶搖擺曲線，其半峰寬FWHM約為50"，采用Agilent4155C測(cè)試儀測(cè)試了Cdo.8Mno.2 Te晶片的7-r曲線，通過擬合計(jì)算出電阻率達(dá)到lxlO"Q'cm以上，晶體的結(jié)晶質(zhì)量較高，缺陷 密度較低。 '實(shí)施例4:采用五段式模塊化管式電阻爐生長(zhǎng)Hg^Mncn Te晶錠首先在外殼1的最下端放置外徑400mm中心孔徑90mm高度120mm的隔熱板9，晶體 生長(zhǎng)時(shí)使用耐火陶瓷棉11將其中心孔封閉，防止氣氛流動(dòng)影響溫度場(chǎng)。在其上放置兩塊外徑 400mm中心孔徑卯mm高度200mm的I型加熱模塊8，然后對(duì)稱放置4塊厚度3mm扇形高 溫合金散熱片，將一根內(nèi)徑70mtn，壁厚3mm，長(zhǎng)400mm的高溫合金管襯管5放置于模塊 中心孔處，其上放置內(nèi)徑70mm，壁厚5mm，高60mm的氧化鋁陶瓷襯套11以作為絕熱區(qū)， 然后放置外徑400mm中心孔徑卯mm高度70mm的II型加熱模塊8'，以及兩塊外徑400mm 中心孔徑90mm高度200mm的I型加熱模塊8，并在其中放入另一根內(nèi)徑70mrn，壁厚3mm， 長(zhǎng)400mm的高溫合金眘襯管5，最后放上爐膛蓋l。各加熱模塊8均由耐火材料燒結(jié)成，每 組加熱模塊的中心孔周圍分布有各自獨(dú)立溫度控制系統(tǒng)的電熱絲4，其最高使用溫度為 1200°C。在垂直于每組模塊的外壁中部徑向放置一根的Pt/PtRhlO熱電偶，熱電偶的測(cè)溫觸點(diǎn) 靠近襯管5的外壁，并配有各自獨(dú)立的溫度控制系統(tǒng)，包括英國EUROTHERM公司的3504 程序控制器、710A功率調(diào)節(jié)器及相應(yīng)低壓電器，使得溫度波動(dòng)不大于士0.5t:，從而形成爐膛 梯度溫控區(qū)I、 II、 III、 IV、 V。根據(jù)Hgo,9MiKH Te晶體的物性參數(shù)，由生長(zhǎng)時(shí)高溫均勻區(qū)溫度790°C，低溫均勻區(qū)溫度 650°C，五段爐膛溫度設(shè)置如下，爐膛I80(TC，爐膛II79(TC，爐膛111795°。，爐膛IV625。C， 爐膛V650。C。獲得的高溫均勻區(qū)長(zhǎng)約200mm，低溫均勻區(qū)長(zhǎng)約200mm，溫度梯度區(qū)長(zhǎng)約 110mm，軸向溫度梯度達(dá)到15°C/cm。經(jīng)測(cè)定，所生長(zhǎng)的Hg0.9Mnai Te晶錠直徑15mm長(zhǎng)約160mm。沿軸向切割的晶片經(jīng)研磨、 拋光，測(cè)得的位錯(cuò)腐蝕坑密度EPD約為lxl()Scm—1，采用PhilipsX'Pert-MRD四晶衍射儀測(cè) 試晶片的X射線雙晶搖擺曲線，其半峰寬FWHM達(dá)到50"，說明了晶體的結(jié)晶質(zhì)量較高， 缺陷密度較低。
權(quán)利要求
1、一種垂直布里奇曼生長(zhǎng)爐，包括爐膛蓋、電熱絲、襯管、散熱片、外殼，其特征在于還包括I型加熱模塊、II型加熱模塊、隔熱板、襯套和耐火陶瓷棉，外殼中從下到上依次是隔熱板、兩組I型加熱模塊、散熱片、一組II型加熱模塊、兩組I型加熱模塊和爐膛蓋，隔熱板中心孔是耐火陶瓷棉，五段加熱模塊中心位置是兩段襯管，下段襯管的下端與隔熱板平齊，上段襯管的上端與爐膛蓋平齊，兩段襯管用散熱片隔開，襯管對(duì)接處外有襯套，散熱片的中心孔與襯管內(nèi)徑等大，每組加熱模塊的中心孔周圍分布有各自獨(dú)立溫度控制系統(tǒng)的電熱絲，在垂直于每組模塊的外壁中部徑向放置一根的Pt/PtRh10熱電偶，熱電偶的測(cè)溫觸點(diǎn)靠近襯管5的外壁，形成爐膛梯度溫控區(qū)I、II、III、IV、V。
2、 根據(jù)權(quán)利要求i所述的垂直布里奇曼生長(zhǎng)爐，其特征在于所述的襯套中心孔徑與襯 管的中心孔徑等大，其凸臺(tái)的內(nèi)徑與襯套外徑等大，其套壁上有若干個(gè)與中心孔相通的小孔。
3、 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的垂直布里奇曼生長(zhǎng)爐，其特征在于所述的襯套其材料為氧化鋁陶瓷。
4、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的垂直布里奇曼生長(zhǎng)爐，其特征在于所述的散熱片是扇形， 扇形的外徑與外殼的內(nèi)徑等大，其內(nèi)徑與襯套外徑等大。
5、 根據(jù)權(quán)利要求1或4所述的垂直布里奇曼生長(zhǎng)爐，其特征在于所述的散熱片其材 料為高溫合金。
6、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的垂直布里奇曼生長(zhǎng)爐，其特征在于所述的襯管其材料為高、〉曰A全7皿a五o
7、 根據(jù)權(quán)利要求l所述的垂直布里奇曼生長(zhǎng)爐，其特征在于所述的n型加熱模塊其厚 度是I型加熱模塊厚度的35 36%。
8、 一種上述垂直布里奇曼生長(zhǎng)爐爐內(nèi)溫度場(chǎng)優(yōu)化方法，其特點(diǎn)是包括以下步驟在晶體 生長(zhǎng)時(shí)，爐內(nèi)溫度如下設(shè)置，爐膛溫控區(qū)II溫度設(shè)置為高溫區(qū)溫度7卯 115(TC，爐膛溫控區(qū)i溫度較爐膛溫控區(qū)n高出5 i(Tc，爐膛溫控區(qū)m溫度較爐膛溫控區(qū)n高出o 5'c，爐膛溫控區(qū)V溫度設(shè)置為低溫區(qū)溫度650 103(TC，爐膛溫控區(qū)IV溫度較爐膛溫控區(qū)V低20 3(rC，從而 在爐膛溫控區(qū)I與爐膛溫控區(qū)III間產(chǎn)生180 200mm的高溫均勻區(qū)，爐膛溫控區(qū)III與爐膛溫控 區(qū)lV間產(chǎn)生150 170mm的溫度梯度區(qū)，爐膛溫控區(qū)IV與爐膛溫控區(qū)V間產(chǎn)生180 200mm的低 溫均勻區(qū)。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種垂直布里奇曼生長(zhǎng)爐，爐外殼中從下到上依次是隔熱板、兩組I型加熱模塊、散熱片、一組II型加熱模塊、兩組I型加熱模塊和爐膛蓋，隔熱板中心孔是耐火陶瓷棉，五段加熱模塊中心位置是兩段襯管，兩段襯管用散熱片隔開，襯管對(duì)接處外有襯套，每組加熱模塊的中心孔周圍分布有各自獨(dú)立溫度控制系統(tǒng)的電熱絲，在垂直于每組模塊的外壁中部徑向放置一根的Pt/PtRh10熱電偶，熱電偶的測(cè)溫觸點(diǎn)靠近襯管5的外壁。本發(fā)明還公開了這種垂直布里奇曼生長(zhǎng)爐爐內(nèi)溫度場(chǎng)優(yōu)化方法，由于本發(fā)明垂直布里奇曼生長(zhǎng)爐采用五段式模塊化設(shè)計(jì)，可以通過更換不同模塊獲得生長(zhǎng)不同晶體的合適溫度場(chǎng)，有效地解決了因軸向溫度梯度小產(chǎn)生的組分過冷現(xiàn)象。
文檔編號(hào)C30B11/00GK101220502SQ20071001878
公開日2008年7月16日 申請(qǐng)日期2007年9月30日 優(yōu)先權(quán)日2007年9月30日
發(fā)明者介萬奇, 劉偉華, 張繼軍, 徐亞東, 戈 楊, 濤 王 申請(qǐng)人:西北工業(yè)大學(xué)