專利名稱：布線基板、半導(dǎo)體器件及其制造方法
布線基板、半導(dǎo)體器件及其制造方法
背景技術(shù)：
發(fā)明領(lǐng)域
本發(fā)明涉及 一種布線基板，半導(dǎo)體芯片安裝在該布線基板上； 一種半導(dǎo)體器件，其使用該布線基板；以及一種制造該半導(dǎo)體器件的 方法。
相關(guān)技術(shù)描述
近來的半導(dǎo)體器件具有改進(jìn)的性能、數(shù)目增加的功能以及增加的 密度，因此以減少的間距配置了數(shù)目增加的接線端。因此，用于封裝 的布線基板需要具有更加密集配置的互連，該互連具有進(jìn)一步減小的 尺寸，并且，半導(dǎo)體芯片安裝在布線基板上。
組合印刷基板，其是一種多層布線基板，普遍地用作用于封裝的 布線基板。在組合印刷基板中，在玻璃環(huán)氧樹脂印刷基板的頂部表面 和底部表面上形成了樹脂層，其中玻璃環(huán)氧樹脂印刷基板用作基底核 心基板，并且在其上面形成互連。在樹脂層中通過光刻工藝和激光工 藝形成通孔。然后通過鍍覆和光刻形成互連層和通孔導(dǎo)體。按照需要 通過重復(fù)樹脂層形成步驟以及互連和通孔導(dǎo)體形成步驟，可以形成多 層互連結(jié)構(gòu)。
然而，關(guān)于組合印刷基板的問題在于，由于將具有低耐熱性的玻 璃環(huán)氧樹脂印刷基板用作基底核心基板，因此多層結(jié)構(gòu)的形成過程或 者半導(dǎo)體芯片的安裝過程中的加熱，將使諸如扭曲或波紋的變形易于 發(fā)生。
另一方面，JP2000-3980A (專利文獻(xiàn)1)公開了一種用于封裝的
布線基板，其中在由金屬片制成的基底基板上形成組合疊層結(jié)構(gòu)。


圖12示出了用于封裝的布線基板的制造工藝的圖示。首先，如圖
12(a)所示，在金屬片501上形成絕緣層502。在絕緣層502中形成通孔 503。然后，如圖12(b)所示，在絕緣層502和其中形成的通孔503上面 形成互連圖案504。然后，如圖12(c)所示，在互連圖案504上面形成 絕緣層506。在絕緣層506中形成倒裝芯片焊盤部分505，其延伸到互 連圖案504。最后，如圖12(d)所示，自底部表面刻蝕金屬片501，以形 成基板加強(qiáng)體507和外部電極捧線端508。
然而，由于在該用于封裝的布線基板中，外部電極接線端508是 通過刻蝕金屬片501形成的，因此由于對(duì)側(cè)刻蝕量的控制的限制，難 于減小外部電極接線端508之間的間距。當(dāng)用于封裝的布線基板被安 裝在外部板上或設(shè)備中時(shí)，由于基板的結(jié)構(gòu)，應(yīng)力集中在外部電極接 線端508和絕緣層502之間的界面處。這不利地增加了開口故障的可 能性，并且使得基板不是足夠可靠的。
在JP2002-198462A (專利文獻(xiàn)2)中公開了一種能夠通過傳統(tǒng)技 術(shù)解決上文的問題的用于封裝的布線基板。
通過參考圖13，將給出關(guān)于該布線基板的基本結(jié)構(gòu)和形成該布線 基板的方法的描述。首先，在由金屬片等制成的支撐板601上形成電 極602。形成絕緣層603，以便于覆蓋電極602。然后，在絕緣層603 中形成通孔604，其延伸到電極602。形成互連605，以便于填充通孔 604。通過埋入在通孔604中的導(dǎo)體將互連605連接到電極602 (圖 13(a))。按照需要通過重復(fù)形成絕緣層、形成通孔和形成互連的步驟， 可以形成多層互連結(jié)構(gòu)。然后，如圖13(b)中所示，選擇性地部分刻蝕 掉支撐板601，以暴露電極602并形成支撐體606。由此可以形成布線 基板607。這里描述了焊盤狀電極圖案的形成。然而，可以相似地形成 線性互連圖案。
由諸如金屬的耐熱材料制成的支撐體606能夠抑制布線基板的熱 變形。由具有所需的機(jī)械強(qiáng)度的樹脂材料制成的絕緣層提供了具有較 高強(qiáng)度的布線基板。而且，構(gòu)成電極或互連的導(dǎo)體層的底部表面暴露， 而導(dǎo)體層的外圍被埋入絕緣層中。這抑制了在安裝過程中導(dǎo)體層上的 應(yīng)力集中，并且改善了安裝可靠性。
在JP2004-179647A (專利文獻(xiàn)3)中公開了適用于以上布線基板 的絕緣層材料。為了提供能夠抑制由于重,復(fù)灘加熱應(yīng)力引起的生成斷 裂的布線基板和半導(dǎo)體封裝，提供改善的可靠性，該公開專利公開了 一種絕緣層，其中，當(dāng)其具有3 100 ;mi的膜厚度和在23T:下的至少 80 MPa的抗斷強(qiáng)度時(shí)，并且當(dāng)-65。C下的抗斷強(qiáng)度被定義為a并且150 。C下的抗斷強(qiáng)度被定義為b時(shí)，比值(a/b)至多為4.5。該公開專利還 指明了，絕緣層優(yōu)選地在15(TC下呈現(xiàn)出2.3GPa的彈性模量。該公開 專利還公開了，當(dāng)-65'C下的彈性模量被定義為c并且15(TC下的彈性 模量被定義為d時(shí)，指定比值(c/d)至多為4.7。該公開專利進(jìn)一步公 開了比值(a/b)至多為2.5或大于2.5以及至多為4.5，并且指定比(a/b) 和比(c/d)之間的差至多為0.8。
另一方面，提出了一種技術(shù)，用于在布線基板的一部分(犧牲板 部分)中，該部分不是布線基板安裝有半導(dǎo)體芯片的產(chǎn)品部分，形成 偽圖案，以便于增強(qiáng)布線基板的剛性，并且減少扭曲和波紋(形變)。
例如，JP8-51258A (專利文獻(xiàn)4)描述了，在布線基板的犧牲板 部分中形成偽圖案，其包括配置為蜂房狀的六邊形圖案，以允許增強(qiáng) 其剛性。該公開專利還描述了，犧牲板部分中的偽圖案的面積與不具 有偽圖案的部分的面積的比被設(shè)定為幾乎等于產(chǎn)品部分中的互連圖案 的面積與不具有互連圖案的部分的面積的比，以減少扭曲和形變。
而且，JPU-177191A (專利文獻(xiàn)5)描述了一種布線基板，其具
有實(shí)圖案，該實(shí)圖案是在位于垂直于用于元件安裝的傳送方向的側(cè)上 的犧牲板部分中形成的，以及偽圖案，其是在位于平行于用于元件安 裝的傳送方向的邊上的犧牲板部分中形成的，該偽圖案由多個(gè)分開的 圖案單元組成。該公開專利描述了，矩形或圓形的圖案單元配置為具 有一定間隔，作為犧牲板部分中的偽圖案。根據(jù)該公開專利，實(shí)圖案 增強(qiáng)了剛性，而分開的偽圖案減少了扭曲和形變。而且，通過改變每 個(gè)層的圖案單元的形狀和配置間距，可以增強(qiáng)多層結(jié)構(gòu)的基板的剛性。
與基于基板自身的結(jié)構(gòu)(圖案結(jié).構(gòu))減少扭曲和波紋的技術(shù)形成 對(duì)比，提出了一種技術(shù)，其基于其中安裝有半導(dǎo)體芯片的器件以及安
裝方法，改善安裝能力。例如，JP2001-68510 (專利文獻(xiàn)6)描述了一
種方法，其使用基于倒裝芯片方案安裝半導(dǎo)體芯片的接合設(shè)備，將半 導(dǎo)體芯片安裝在扭曲基板上。根據(jù)該公開專利，將基板安置在具有吸 孔的平臺(tái)上。然后使用壓力減小機(jī)構(gòu)在吸孔中生成吸力，以允許基板 的底部表面被吸住并且由平臺(tái)表面夾持。此時(shí)，基板的扭曲被校正， 以使基板平行于平臺(tái)表面?；鍔A持機(jī)構(gòu)推動(dòng)基板緊靠平臺(tái)。這使得 基板準(zhǔn)確地緊密地與平臺(tái)接觸，消除了基板和平臺(tái)之間的間隙，以防 止空氣泄漏。這使得能夠防止由于空氣泄漏導(dǎo)致的夾持力的可能下降， 允許防止平臺(tái)操作或接合過程中的基板和半導(dǎo)體芯片之間的可能失 準(zhǔn)。
本發(fā)明人具有如下認(rèn)識(shí)。對(duì)較薄的基板的增長需要阻礙了傳統(tǒng)的
扭曲抑制技術(shù)發(fā)揮充分的扭曲抑制效果，特別是在具有諸如專利文獻(xiàn)2 中描述的互連結(jié)構(gòu)的基板上。如果未安裝半導(dǎo)體芯片的布線基板在平 臺(tái)上仍是扭曲的，則布線基板在安置并固定到平臺(tái)時(shí)，可能相對(duì)于平 臺(tái)失準(zhǔn)，或者傳送布線基板可能變得困難。這不幸地降低了可靠性和 產(chǎn)品生產(chǎn)率。
即使使用諸如專利文獻(xiàn)6中描述的方法將布線基板安置在平臺(tái) 上，上面安裝有半導(dǎo)體芯片的基板仍可能不利地扭曲，并且其中心部
分沿傳送方向升起。當(dāng)基板扭曲并且其中心部分升起時(shí)，在其傳送過 程中，上面安裝有芯片的基板可能不利地與位于傳送路線上的部件接 觸，該部件諸如基板夾持導(dǎo)軌或加熱罩。
發(fā)明概述
本發(fā)明的目的在于提供 一種布線基板，半導(dǎo)體芯片可以適當(dāng)?shù)?安裝在該布線基板上； 一種半導(dǎo)體器件，其使用該布線基板生產(chǎn)；以 及一種制造該半導(dǎo)體器件的方法，其中可以更加適當(dāng)?shù)匕惭b半導(dǎo)體芯 片。
根據(jù)本發(fā)明的方面，提供了下列布線基板、半導(dǎo)體器件和制造半 導(dǎo)體器件的方法。
(1) 一種布線基板，包括 基底絕緣膜；
第一互連，其在基底絕緣膜的頂部表面?zhèn)壬闲纬桑?br> 通孔導(dǎo)體，其在基底絕緣膜中形成的通孔中提供；和
第二互連，其在基底絕緣膜的底部表面?zhèn)壬闲纬桑摰诙ミB經(jīng)
由通孔導(dǎo)體連接到第一互連，
其中布線基板包括多個(gè)分開的基板單元區(qū)域，在每個(gè)基板單元區(qū)
域中形成第一互連、通孔導(dǎo)體和第二互連；
布線基板進(jìn)一步包括基底絕緣膜上的扭曲控制圖案；并且 布線基板具有扭曲形狀，由此當(dāng)使布線基板靜止在水平板上時(shí)，
基板的平面表面的每個(gè)邊的中心部分與水平板接觸，該邊的兩個(gè)端部
升起，其中每個(gè)邊沿垂直于基板的平面表面中的第一方向的第二方向延伸。
(2) 項(xiàng)1中描述的布線基板，其中 在基底絕緣膜的頂部表面?zhèn)壬闲纬傻陌枷莶糠种刑峁┑谝换ミB； 在基底絕緣膜的頂部表面?zhèn)壬闲纬傻牧硪话枷莶糠种刑峁┡で?br> 制圖案，并且其包括線性圖案，其允許布線基板扭曲，由此布線基板 的平面表面的每個(gè)邊的兩個(gè)端部位于該邊的中心部分上方，其中每個(gè) 邊沿基板的平面表面中的第二方向延伸；并且
布線基板具有扭曲形狀，由此當(dāng)使布線基板靜止于水平板上并使 第一互連形成面向上方的表面?zhèn)葧r(shí)，至少基板的平面表面的每個(gè)邊的 中心部分與水平板接觸，該邊的兩個(gè)端部升起，其中每個(gè)邊沿第二方 向延伸。
(3) 項(xiàng)2中描述的布線基板，其中至少在其中形成多個(gè)分開的基 板單元區(qū)域的區(qū)域的外圍部分中，提供扭曲控制圖案。
(4) 項(xiàng)2或3中描述的布線基板，其中對(duì)于扭曲控制圖案和第一 互連，沿第一方向延伸的X分量的總分量與沿第二方向延伸的Y分量 的總分量的分量比(X/Y)大于l。
(5) 項(xiàng)3或4中描述的布線基板，其中扭曲控制圖案包括沿第一 方向延伸的線和間隔圖案。
(6) 項(xiàng)3 5中任何一個(gè)中描述的布線基板，其中扭曲控制圖案 包括多個(gè)圖案單元，其彼此分開。
(7) 項(xiàng)6中描述的布線基板，其中扭曲控制圖案中的圖案單元配 置成矩陣。
(8) 項(xiàng)2 7中任何一個(gè)中描述的布線基板，其中分開的基板單 元區(qū)域外部的扭曲控制圖案形成區(qū)域中的凹陷部分內(nèi)的圖案面積A與 凹陷部分外的面積B的平面投影面積比為Rl (A/B)，每個(gè)分開的基 板單元區(qū)域內(nèi)部的凹陷部分內(nèi)的互連面積P與凹陷部分外部的面積Q 的平面投影面積比為R2 (P/Q) ， Rl (A/B)與R2 (P/Q)的比(Rl/R2) 的范圍是0.8 1.2。
(9) 項(xiàng)2 8中任何一個(gè)中描述的布線基板，其中分開的基板單 元區(qū)域外部的扭曲控制圖案形成區(qū)域中的凹陷部分內(nèi)的圖案面積A與
凹陷部分外的面積B的平面投影面積比R (A/B)的范圍是0.1 0.5。
(10) 項(xiàng)2 9中任何一個(gè)中描述的布線基板，其中扭曲控制圖案 是由與第一互連相同的材料形成的，并且具有與第一互連相同的厚度。
(11) 項(xiàng)2 10中任何一個(gè)中描述的布線基板，其中第一互連的 頂部表面低于基底絕緣膜的頂部表面。
(12) 項(xiàng)2 10中任何一個(gè)中描述的布線基板，其中第一互連的 頂部表面與基底絕緣膜的頂部表面共平面。
(13) 項(xiàng)1 12中任何一個(gè)中描述的布線基板，進(jìn)一步包括基板 的底部表面上的阻焊層。
(14) 項(xiàng)1 13中任何一個(gè)中描述的布線基板，其中分開的基板 單元區(qū)域配置成矩陣。
(15) 項(xiàng)4中描述的布線基板，其中分開的基板單元區(qū)域被配置 為，使得沿第一方向配置的分開的基板單元區(qū)域的數(shù)目大于沿第二方 向配置的分開的基板單元區(qū)域的數(shù)目。
(16) 項(xiàng)1 15中任何一個(gè)中描述的布線基板，其形狀類似矩形， 使得沿第一方向延伸的布線基板的每個(gè)邊長于沿第二方向延伸的布線 基板的每個(gè)邊。
(17) 項(xiàng)1 16中任何一個(gè)中描述的布線基板，其具有扭曲的形 狀，以至于在第一方向中延伸的布線基板的每個(gè)邊完全升起。
(18) 項(xiàng)1 17中任何一個(gè)中描述的布線基板，進(jìn)一步包括一個(gè) 或多個(gè)互連結(jié)構(gòu)層，每個(gè)互連結(jié)構(gòu)層包括在基底絕緣層的底部表面上 提供的絕緣層、在絕緣層中形成的通孔中提供的通孔導(dǎo)體、以及在絕 緣層的底部表面上提供的互連，該互連經(jīng)由通孔導(dǎo)體連接到上部的互 連。
(19) 項(xiàng)1 18中任何一個(gè)中描述的布線基板，其中基底絕緣膜
由耐熱樹脂或纖維加強(qiáng)耐熱樹脂復(fù)合材料制成。
(20) —種半導(dǎo)體器件，其包括項(xiàng)1 19中任何一個(gè)中描述的布 線基板，并且半導(dǎo)體芯片安裝在布線基板的頂部表面?zhèn)壬?，該半?dǎo)體 芯片連接到在布線基板的頂部表面上形成的第一互連。
(21) —種制造半導(dǎo)體器件的方法，包括步驟 制備項(xiàng)1 19中任何一個(gè)中描述的布線基板；
將布線基板安置在平臺(tái)上，由此布線基板的第一方向沿傳送方向 延伸，并且布線基板的頂部表面?zhèn)让嫦蛏戏剑渲械谝换ミB形成在該
頂部表面?zhèn)壬希?br> 將半導(dǎo)體芯片安裝在布線基板的頂部表面?zhèn)壬?；并?br> 在第一方向中傳送上面安裝有半導(dǎo)體芯片的布線基板。
(22) 項(xiàng)21中描述的制造半導(dǎo)體器件的方法，其中平臺(tái)包括保持 器，其夾持安置在平臺(tái)上的布線基板的兩邊，其中該兩邊沿第一方向 延伸，并且該方法進(jìn)一步包括步驟，使用保持器夾持安置在平臺(tái)上的 布線基板的兩邊，其中該兩邊沿第一方向延伸。
(23) 項(xiàng)21或22中描述的制造半導(dǎo)體器件的方法，其中平臺(tái)包 括吸持裝置，用于固定地吸持安置在平臺(tái)上的布線基板，并且該方法 進(jìn)一步包括步驟通過吸持從而固定安置在平臺(tái)上的布線基板。
本發(fā)明可以提供一種布線基板，半導(dǎo)體芯片可以適當(dāng)?shù)匕惭b在該 布線基板上。本發(fā)明還可以提供一種制造半導(dǎo)體器件的方法，其使得 能夠穩(wěn)固地安裝半導(dǎo)體芯片，并且允許上面安裝有半導(dǎo)體芯片的基板 更加適當(dāng)?shù)貍魉?，提高了生產(chǎn)率。
附圖簡述
圖1是示出了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的布線基板的互連結(jié)構(gòu)的示例 的剖面視圖2是示出了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的布線基板的互連結(jié)構(gòu)的另一 示例的剖面視圖3是示出了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的布線基板的互連結(jié)構(gòu)的另一 示例的剖面視圖4是示出了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的布線基板的互連結(jié)構(gòu)的示例 的平面視圖5是說明了布線基板的扭曲形狀的圖示；
圖6是示出了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的布線基板上的一部分圖案的 示例的圖示；
圖7是示出了用于平臺(tái)上的布線基板的夾持機(jī)構(gòu)的示例的圖示； 圖8是說明了本發(fā)明的實(shí)施例中的圖案的X分量和Y分量的平面
視圖9是說明了本發(fā)明的實(shí)施例中的圖案示例的邊界的平面視圖10是示出了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的示例的剖面
視圖11是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的用于制造布線基板的工藝的剖面
視圖12是說明了傳統(tǒng)布線基板的制造工藝的剖面視圖13是說明了與本發(fā)明的實(shí)施例有關(guān)的布線基板的剖面視圖；并
且
圖14是示出了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的布線基板的互連結(jié)構(gòu)的另
一示例的剖面視圖。
優(yōu)選實(shí)施例詳述
下文將描述根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例的示例。
互連結(jié)構(gòu)
首先，通過參考圖1，將給出對(duì)于根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的布線基 板的基本互連結(jié)構(gòu)的描述。
根據(jù)實(shí)施例的布線基板具有基底絕緣膜111、在基底絕緣膜的頂
部表面?zhèn)壬咸峁┑纳蠈踊ミB112 (112a、 112b)、在基底絕緣膜中形成 的通孔113中提供的導(dǎo)體、以及在基底絕緣膜的底部表面上形成并經(jīng) 由通孔導(dǎo)體連接到上層互連的下層互連114。上層互連112是在基底絕 緣膜111的頂部表面中形成的凹陷部分llla中提供的。在基底絕緣膜 111的底部表面?zhèn)壬闲纬勺韬笇?15，以便于暴露一部分下層互連114， 同時(shí)覆蓋下層互連114的剩余部分。暴露的部分可以用作焊盤電極。
上層互連112被形成以填充在基底絕緣膜111的頂部表面中形成 的凹陷部分llla。這釋放了施加到上層互連的應(yīng)力和應(yīng)變，允許減小 應(yīng)力集中。這從而使得可以改善基板中的連接的可靠性。
上層互連112的暴露的頂部表面位于基底絕緣膜的頂部表面的水 平表面下方，以構(gòu)成布線基板的一部分頂部表面。S卩，在布線基板的 頂部表面中形成了凹陷部分，該凹陷部分具有對(duì)應(yīng)于上層互連的頂部 表面的底部表面。底部表面對(duì)應(yīng)于上層互連的頂部表面的凹陷部分可 被設(shè)定為具有例如約0.5 10 /mi的深度。該凹陷部分可以防止焊塊失 準(zhǔn)或流動(dòng)。這使得能夠提高具有以小的間距布置的焊盤的半導(dǎo)體芯片 的連接的位置準(zhǔn)確性和可靠性。過淺的凹陷部分不能充分地發(fā)揮上文 的作用，而過深的凹陷部分阻礙了充分連接，并且在提供底部填充時(shí)， 使得難于填充底部填充。
上層互連112可由諸如Cu、 Ni、 Au、 Pd或Ag的金屬形成。上層 互連的厚度可被設(shè)定為例如2 20 /mi。上層互連的寬度優(yōu)選地可被設(shè) 定為在10 500 Mm、優(yōu)選地是15 500 ]um、更優(yōu)選地是20 100 pm、 典型地是20 40 pm的范圍內(nèi)。
根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的布線基板中的上層互連可以具有疊層結(jié) 構(gòu)。在圖1中，上層互連112具有雙層結(jié)構(gòu)，其由上面的刻蝕阻擋層 112a和下面的互連主體層112b組成?？涛g阻擋層由例如Ni、 Au或Pd 制成，并且可以防止上層互連在下文描述的刻蝕掉支撐板的步驟期間 被刻蝕。
結(jié)合布線基板所需的特性、強(qiáng)度、可使用性以及膜材料的制備， 基底絕緣膜111的厚度可被設(shè)定為例如3 300 /rni，優(yōu)選地是20 200 /mi，更優(yōu)選地是20 100 /mi。過薄的基底絕緣膜阻礙實(shí)現(xiàn)足夠的強(qiáng)度， 而過厚的基底絕緣膜減小了通孔的微型制造的可使用性。根據(jù)所需的 特性，諸如耐熱性或機(jī)械強(qiáng)度，用于基底絕緣膜的材料可以從多種樹 脂和樹脂復(fù)合材料進(jìn)行選擇。
在緊接基底絕緣膜111的凹陷部分llla下面的區(qū)域中形成通孔 113。根據(jù)半導(dǎo)體封裝的類型，通孔的直徑被設(shè)定為例如約30 80/mi。 將導(dǎo)電材料埋入在通孔中，以便于連接到上層互連。
在基底絕緣膜111的底部表面上形成下層互連114，并且其經(jīng)由 通孔中的導(dǎo)電材料電氣連接到上層互連112。下層互連可以與通孔中的 導(dǎo)電材料整體形成。下層互連的厚度可被設(shè)定為例如2 20 /mi。在基 底絕緣膜111的底部表面上形成阻焊層115，以便于暴露一部分下層互 連，同時(shí)覆蓋下層互連的剩余部分。下層互連的暴露部分形成了焊盤 電極。阻焊層的厚度可被設(shè)定為例如2 40/mi。如圖2中所示，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的布線基板可以具有多層結(jié) 構(gòu)，其具有基底絕緣膜111和下層互連114的底部表面?zhèn)壬系膶娱g絕
緣膜116、通孔117和第二下層互連118。可以與下層互連114相似地 形成第二下層互連118。第二下層互連118經(jīng)由通孔117中的導(dǎo)電材料 電氣聯(lián)接到下層互連114。在層間絕緣膜116的底部表面上形成阻焊層 115，以便于暴露一部分第二下層互連118,同時(shí)覆蓋第二下層互連118 的剩余部分。第二下層互連的暴露部分形成了焊盤電極。阻焊層的厚 度可被設(shè)定為例如2 40 Mm。
根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，布線基板可以具有多層互連結(jié)構(gòu)，其具有 多個(gè)層間絕緣膜，其中除了上文的多層互連結(jié)構(gòu)以外，進(jìn)一步提供了 層間絕緣膜、通孔和下層互連。該多層互連結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)了輸入到安裝在 基板上的半導(dǎo)體芯片的信號(hào)數(shù)目的增加。
根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的布線基板的整體厚度可被設(shè)定為在20 350 ]Lmi、優(yōu)選地是80 300 /mi的范圍內(nèi)。
對(duì)于根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的布線基板的平面尺寸，其長邊可被設(shè) 定為例如100 350 mm (優(yōu)選地是150 300 mm)，并且其短邊可被 設(shè)定為例如50 150 mm (優(yōu)選地是50 100 mm)。基板的平面表面 的投影面積可被設(shè)定為在例如5000 50000 mm2、優(yōu)選地是7000 30000 mm2、更優(yōu)選地是10000 25000 mm2的范圍內(nèi)。更具體地，例 如，可以生產(chǎn)厚度為260 mm且190 mmX65 mm或230 mmX80 mm的 布線基板。
如圖3所示，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的布線基板可被配置為，使得 上層互連的頂部表面與基底絕緣膜111的頂部表面相平。如果使用焊 塊安裝具有以小間距配置的焊盤的半導(dǎo)體芯片，則上文的結(jié)構(gòu)可以提 供關(guān)于失準(zhǔn)的足夠余量，改善了連接可靠性。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的 布線基板可被配置為，上層互連的頂部表面從基底絕緣膜的頂部表面
的平面突出。
現(xiàn)在，通過參考圖4，將給出對(duì)于布線基板的形式的示例的描述， 半導(dǎo)體芯片將安裝到該布線基板上。
結(jié)合生產(chǎn)率和可處理性，具有上文的基本互連結(jié)構(gòu)的布線基板可 被形成為，單個(gè)基板被劃分以形成多個(gè)基板單元區(qū)域(產(chǎn)品部分)201， 其對(duì)應(yīng)于用于目標(biāo)產(chǎn)品的基板，基板單元區(qū)域被配置成矩陣(或者塊 狀)，如圖4中所示(按照需要，該形式的基板在下文中被稱為"塊 基板")。這里，布線基板的每個(gè)基板單元區(qū)域指用于目標(biāo)半導(dǎo)體封 裝的布線基板的基板區(qū)域的單元區(qū)域，其中安裝了一個(gè)預(yù)定的半導(dǎo)體 芯片或者一組預(yù)定的半導(dǎo)體芯片。在圍繞配置成矩陣的基板單元區(qū)域
的外圍的外圍區(qū)域202中，可以提供下文描述的扭曲控制圖案。為了 允許適當(dāng)?shù)貓?zhí)行安裝半導(dǎo)體芯片的操作，優(yōu)選地所有基板單元區(qū)域201
配置在相同的方向中。而且，為了安裝半導(dǎo)體芯片的生產(chǎn)率，根據(jù)本 發(fā)明的實(shí)施例的布線基板優(yōu)選地具有類似矩形的形狀，由此其沿傳送
方向延伸的邊(圖中沿x方向延伸的邊)長于其與傳送方向交叉的邊
(圖中沿Y方向延伸的邊)。半導(dǎo)體芯片安裝在布線基板的每個(gè)基板 單元區(qū)域中。然后將布線基板分成片，由此基板單元區(qū)域相互獨(dú)立地 分開。這導(dǎo)致了多個(gè)產(chǎn)品(半導(dǎo)體封裝)，并且每個(gè)產(chǎn)品具有對(duì)應(yīng)于 一個(gè)基板單元區(qū)域的基板。因此，在一個(gè)基板中提供了對(duì)應(yīng)于目標(biāo)布 線基板的多個(gè)組成單元，從而有助于在輸送期間處理布線基板，并且 能夠提高半導(dǎo)體封裝的生產(chǎn)率。
圖14示出了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的布線基板的基本結(jié)構(gòu)的另一示例。
該布線基板具有基底絕緣膜(核心膜)1001、在基底絕緣膜的頂 部表面上提供的上層互連1002、在基底絕緣膜中形成的通孔中提供的 通孔導(dǎo)體1003、以及在基底絕緣膜的底部表面上形成并經(jīng)由通孔導(dǎo)體
連接到上層互連的下層互連1004。在基底絕緣膜1001的頂部表面上形
成阻焊層1005，以便于暴露一部分上層互連1002，同時(shí)覆蓋上層互連 1002的剩余部分。而且，在基底絕緣膜1001的底部表面上形成阻焊層 1006，以便于暴露一部分下層互連1004，同時(shí)覆蓋下層互連1004的剩 余部分。
對(duì)于材料和尺寸，可以與具有參考圖1描述的互連結(jié)構(gòu)的基板相 似地形成上層互連和下層互連。還可以與具有參考圖1描述的互連結(jié) 構(gòu)的基板相似地形成基底絕緣膜、通孔導(dǎo)體和阻焊劑。而且，具有本 示例中的互連結(jié)構(gòu)的基板可被形成為塊基板，如參考圖4描述的。也 可以如上文所述設(shè)定其平面尺寸。
對(duì)于具有本示例中的互連結(jié)構(gòu)的布線基板，如下所述提供扭曲控 制圖案以產(chǎn)生特定的扭曲形狀，允許更加適當(dāng)?shù)匕惭b半導(dǎo)體芯片。這 還允許更加正確地傳送布線基板和提高生產(chǎn)率。
扭曲控制圖案
本發(fā)明人注意到，如上文所述的該塊基板可能扭曲，由此上層互 連一側(cè)上的基板表面構(gòu)成了凹處。特別地，本發(fā)明人還發(fā)現(xiàn)，如果使 布線基板靜止在水平板上，并使其上層互連形成面面向上方，以允許 將半導(dǎo)體芯片安裝在上層互連形成面上，則當(dāng)更多的上層互連出現(xiàn)在 X-Y正交坐標(biāo)系統(tǒng)中的X方向中時(shí)，布線基板以如下方式扭曲，即沿 Y方向延伸的每個(gè)邊(短邊)的兩個(gè)端部升起(基板沿X方向延伸的 兩個(gè)邊升起)，如圖5(a)所示。相反地，當(dāng)更多的上層互連出現(xiàn)在Y 方向中時(shí)，布線基板以如下方式扭曲，即沿X方向延伸的每個(gè)邊(長 邊)的兩個(gè)端部升起(基板沿Y方向延伸的兩個(gè)邊升起)，如圖5(b) 所示。
該基板扭曲可能歸于如下事實(shí)，即基底絕緣膜111的頂部表面上 的凹陷部分llla中提供的上層互連112，其更多位于基底絕緣膜111
的頂部表面上，多于位于基底絕緣膜的底部表面上。制造工藝過程中 生成的熱和壓力所導(dǎo)致的應(yīng)力可能不均衡地施加到基底絕緣膜的頂部 或底部表面，生成了應(yīng)力應(yīng)變，引起基板扭曲。由于上層互連埋入在 基底絕緣膜的頂部表面的凹陷部分中，因此不僅互連的底部表面與基 底絕緣膜接觸，而且其側(cè)面外圍也與基底絕緣膜接觸；在互連和絕緣 膜之間存在大的接觸面積。這可能增加整個(gè)基底絕緣膜中的應(yīng)力應(yīng)變。
在本發(fā)明的實(shí)施例中，形成偽互連圖案作為扭曲控制圖案；偽互 連圖案具有與上層互連112相似的結(jié)構(gòu)，也就是在基底絕緣膜的頂部 表面的凹陷部分中提供的圖案結(jié)構(gòu)；并且通過利用該圖案結(jié)構(gòu)引發(fā)的 應(yīng)力的取向，來控制布線基板的扭曲。該扭曲控制圖案使得能夠形成 具有特定扭曲形狀的布線基板。按照需要，基底絕緣膜的頂部表面的 凹陷部分中提供的圖案在下文中被稱為"凹陷部分內(nèi)的圖案"。扭曲 控制圖案和上層互連112均為凹陷部分內(nèi)的圖案。
根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的扭曲控制圖案可以在上層互連形成區(qū)域的 外圍部分中提供，SP，在圍繞多個(gè)基板單元區(qū)域的外圍部分中提供。 例如，如圖4(a)所示，扭曲控制圖案可以形成在塊基板的外圍區(qū)域202 中。可選擇地，扭曲控制圖案可以形成在如圖4(b)所示的格狀區(qū)域202a 以及外圍區(qū)域202中。扭曲控制圖案可以與上層互連同時(shí)形成。因此 可以容易地以與形成互連相同的準(zhǔn)確性形成扭曲控制圖案，而不需要 添加復(fù)雜的步驟。按照需要，可以在基板單元區(qū)域中提供扭曲控制圖 案作為偽互連。
根據(jù)所需的扭曲形狀，扭曲控制圖案優(yōu)選地包括多個(gè)線性圖案， 其沿特定的方向延伸。對(duì)于該圖案，線和間隔是優(yōu)選的。
外圍部分中提供的扭曲控制圖案優(yōu)選地由多個(gè)相互分開的圖案單 元組成，以便于防止由扭曲控制圖案導(dǎo)致的可能的基板變形，例如， 可能的基板波紋。多個(gè)圖案單元可以配置成矩陣，例如，如圖6(a)所示。
該分開能夠使可能引起變形的應(yīng)力適當(dāng)?shù)胤稚⒃趫D案單元之間的其中 未提供圖案的區(qū)域中。
除了扭曲控制圖案之外，可以提供支撐圖案，其由相互分開的多 個(gè)支撐單元組成。例如，由實(shí)圖案形成的多個(gè)支撐單元可以在互連形 成區(qū)域的外圍部分中配置成矩陣，如圖6(b)所示。由這些支撐單元組成 的支撐圖案用作加強(qiáng)體，其保持布線基板(塊基板)的形狀。支撐圖 案可以用來作為傳送的夾緊余量或者用于密封的切斷公差。由實(shí)圖案 形成的每個(gè)支撐單元可以具有類似多邊形的形狀，諸如正方形或者矩 形，來代替圓形。該支撐圖案加強(qiáng)了布線基板，以增強(qiáng)保持布線基板 的形狀的能力，同時(shí)有效地抑制可能的布線基板變形，例如，可能的 波紋。由多個(gè)支撐單元組成的支撐圖案的分開配置，能夠使可能引起 變形的應(yīng)力適當(dāng)?shù)胤稚⒃趫D案單元之間的其中未提供圖案的區(qū)域中。 支撐圖案可以與上層互連同時(shí)形成。因此可以容易地以與形成互連相 同的準(zhǔn)確性來形成支撐圖案，而不需要添加復(fù)雜的步驟。
作為塊基板的具體示例，圖4(a)中示出的塊基板可被設(shè)定為具有 例如190mmX65mm的外部尺寸，并且每個(gè)基板單元區(qū)域201可被設(shè) 定為具有例如12mmX13mm的外部尺寸。在基板的外圍區(qū)域202中， 可以形成圖6(a)中示出的扭曲控制圖案，即，具有配置成矩陣的圖案單 元301的圖案，并且每個(gè)圖案單元由線和間隔圖案(線寬30/rni、間 隔寬30 Mm)組成，以便于圍繞配置成矩陣的基板單元區(qū)域201。不 同于圖6(a)中示出的尺寸，線和間隔圖案可以具有線寬30/mi和間隔寬 60/mi的尺寸。線和間隔圖案具有扭曲控制功能，而圖案單元301的矩 陣配置具有防止圖案自身導(dǎo)致的基板的平面表面的變形的功能。在本 發(fā)明的實(shí)施例中，圖6(b)中示出的支撐圖案可以安置在圖6(a)所示的扭 曲控制圖案內(nèi)部，以便于圍繞配置成矩陣的基板單元區(qū)域201?？梢愿?據(jù)所需的效果來設(shè)定兩種類型的圖案的占用率和布局。
在安裝半導(dǎo)體芯片之前和之后，扭曲的布線基板(塊基板)可能
為半導(dǎo)體封裝的制造帶來嚴(yán)重的問題。
當(dāng)安置在平臺(tái)上的布線基板以例如如下方式扭曲，其中心部分升 起時(shí)，即沿X或Y方向延伸的布線基板的每個(gè)邊(在圖4中，分別是
每個(gè)長邊或短邊)彎曲為山丘狀(即，布線基板在與圖5(a)和5(b)所示
方向相反的方向中彎曲)，在將布線基板安置在平臺(tái)上和利用現(xiàn)有設(shè) 備中的基板固定裝置將其固定到平臺(tái)的過程中，可能發(fā)生失準(zhǔn)，或者 如果布線基板是較薄的，則其可能發(fā)生褶皺，并且因此難于穩(wěn)固地將 半導(dǎo)體芯片安裝在布線基板上。而且，當(dāng)上面安裝有半導(dǎo)體芯片的基 板被扭曲并且其中心部分升起時(shí)，其可能不利地與位于傳送路線上方 的部件接觸，該部件諸如基板夾持導(dǎo)軌或加熱罩。這可能不幸地降低 可靠性和產(chǎn)品生產(chǎn)率。
在本發(fā)明的實(shí)施例中，使用布線基板的上層互連形成面作為芯片 安裝表面，并且布線基板安置在傳送軌道或平臺(tái)上，并使得上層互連 形成側(cè)面向上方。這使得可以防止基板扭曲，防止其中心部分在芯片 安裝之前升起。這基于如下事實(shí)，即當(dāng)布線基板靜止在水平板上并使 得其上層互連形成側(cè)面向上方時(shí)，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的布線基板將
可能扭曲，從而將上層互連形成表面彎曲成山谷狀，如上文參考圖5(a) 和5(b)描述的。
然而，即使在將布線基板安置在傳送軌道或平臺(tái)上并使其上層互 連形成側(cè)面向上方時(shí)，如果在傳送方向中延伸的布線基板的每個(gè)邊彎 曲成山谷狀，例如，沿X方向即傳送方向延伸的布線基板的每個(gè)邊(長 邊)彎曲成山谷狀，如圖5(b)所示(即，布線基板以如下方式彎曲，即 其沿Y方向延伸的兩個(gè)邊(兩個(gè)短邊)升起)，則難于利用現(xiàn)有設(shè)備 傳送基板，這是因?yàn)?，升起的部分與位于傳送路線上方的部件接觸或 者掛在該部件上。如果該扭曲發(fā)生，則在Y方向中形成較多的上層互 連，即，上層互連的Y分量大于其X分量(X/Y<1)。對(duì)于該布線基 板，提供X分量大于Y分量(X/Y〉1)的扭曲控制圖案，以利用扭曲
控制圖案的應(yīng)力抵消上層互連導(dǎo)致的應(yīng)力。這使得可以抑制布線基板 的扭曲。
通過如上所述平衡上層互連和扭曲控制圖案的X和Y分量，可以 抑制布線基板的扭曲。然而，在半導(dǎo)體芯片安裝之后，即使是抑制了 可能的扭曲的布線基板仍可能不利地扭曲，并使其中心部分沿傳送方 向升起。當(dāng)芯片中心部分升起地扭曲時(shí)，在傳送過程中其可能不幸地 與位于傳送路線上方的部件接觸或者掛在該部件上，該部件諸如基板 夾持導(dǎo)軌或加熱罩。這可能由于下層互連形成表面上提供的阻焊層的 熱收縮而導(dǎo)致。即，在安裝半導(dǎo)體芯片的步驟中以及在后繼步驟過程 中執(zhí)行的熱處理中，阻焊劑可能熱收縮，從而導(dǎo)致對(duì)布線基板的底部 表面?zhèn)仁┘颖葘?duì)布線基板的頂部表面?zhèn)雀鼜?qiáng)的收縮力，布線基板的底 部表面上提供有阻焊劑；這使得布線基板中心部分升起地扭曲。由于 根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的布線基板將上層互連形成面(頂部表面)用作 芯片安裝表面，因此下層互連形成表面(底部表面)上的樹脂(阻焊 劑)量大于頂部表面上的樹脂層(安裝材料等)的量。因此，底部表 面上的熱收縮的量大于頂部表面上的熱收縮量。
根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，對(duì)未安裝芯片的布線基板形成特定形狀的 扭曲，以便于抑制安裝有芯片的布線基板的扭曲。為了形成該扭曲， 在上層互連形成側(cè)(頂部表面)上提供凹陷部分內(nèi)的圖案，作為扭曲 控制圖案。該扭曲控制圖案被配置為形成扭曲，以至于在垂直于傳送 方向(X方向)的方向(Y方向)中延伸的布線基板的每個(gè)邊的兩個(gè)端 部升起。例如，如圖5(a)所示，布線基板可被形成為，其在Y方向中
延伸的每個(gè)邊(短邊)扭曲成山谷狀(布線基板以如下方式扭曲，以
使其在x方向中延伸的每個(gè)邊(長邊)升起)。如上文所述預(yù)先在布
線基板上形成特定形狀的扭曲，使得可以在安裝半導(dǎo)體芯片之后抑制 扭曲。導(dǎo)致特定形狀的扭曲的應(yīng)力可能抵消安裝半導(dǎo)體芯片之后可能 生成的應(yīng)力，抑制了安裝之后的可能扭曲。
通過將上層互連和扭曲控制圖案的X分量的總分量與Y分量的總 分量的組成比(X/Y)設(shè)定為大于l，可以形成布線基板的該特定形狀 的扭曲。為了引起更加充分的扭曲，優(yōu)選的是將組成比(X/Y)設(shè)定為
等于或大于55/45，更優(yōu)選地等于或大于60/40。如果組成比(X/Y)過 度地增加以形成顯著的扭曲，則難于利用現(xiàn)有設(shè)備固定和傳送布線基 板。因此，根據(jù)設(shè)備的固定和傳送機(jī)構(gòu)，優(yōu)選地將組成比設(shè)定在適當(dāng) 的范圍中。該組成比可被設(shè)定為例如等于或小于90/10。
即使對(duì)于具有以上的特定形狀的扭曲的布線基板，通過例如下文
描述的方法，仍可以將半導(dǎo)體芯片適當(dāng)?shù)匕惭b在基板上。圖7(a)和7(b) 示出了用于在平臺(tái)上夾持布線基板的夾持機(jī)構(gòu)。圖7(a)示出了靜止在平 臺(tái)701上的布線基板700，由此布線基板700在X方向中傳送；布線 基板700對(duì)應(yīng)于圖5(a)中示出的布線基板并且彎曲，由此其沿Y方向 延伸的邊(短邊)彎曲為山谷狀，而其沿X方向延伸的兩邊(長邊) 升起。具有該扭曲形狀的布線基板的底部表面，通過吸力被吸持并夾 持到平臺(tái)表面上，該吸力是通過平臺(tái)表面中的吸入口施加的，該平臺(tái) 表面連接到較小壓力下的吸入線702。因此校正了扭曲。然后，如圖 7(b)所示，Y方向中的布線基板的兩個(gè)端部，即布線基板在X方向中的 兩個(gè)邊(長邊)，通過保持器703固定。隨后將半導(dǎo)體芯片安裝在基 板上。另一方面，當(dāng)夾持和固定中心部分升起的扭曲的布線基板時(shí)， 通過吸入口施加的吸力來夾持其外圍部分，其中心部分保持升起，并 且因此這使得難于適當(dāng)?shù)毓潭ú季€基板。因此，布線基板可能失準(zhǔn)， 并且如果基板是較薄的，則其可能產(chǎn)生褶皺。
根據(jù)上文所述，本發(fā)明的實(shí)施例使得能夠?qū)⑽窗惭b半導(dǎo)體芯片的 布線基板適當(dāng)?shù)毓潭ǖ狡脚_(tái)，防止了失準(zhǔn)。這允許更加適當(dāng)?shù)匕惭b半 導(dǎo)體芯片。該實(shí)施例還可以防止半導(dǎo)體芯片安裝之后的可能扭曲，允 許適當(dāng)?shù)貍魉蜕厦姘惭b有半導(dǎo)體芯片的基板。這實(shí)現(xiàn)了半導(dǎo)體封裝的 生產(chǎn)率的提高和產(chǎn)品可靠性的提高。
根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的布線基板的扭曲形狀為，在使布線基板靜 止在水平板上并使得上層互連形成側(cè)(頂部表面)面向上方時(shí)，至少 基板在垂直于基板的傳送方向(X方向)的方向(Y方向)中延伸的每 個(gè)邊的中心部分與水平板接觸，并且其兩個(gè)端部升起，如上文所述。 例如，扭曲形狀為，在Y方向中延伸的布線基板的每個(gè)邊(短邊)彎
曲為山谷狀，而其在X方向中延伸的兩個(gè)邊(長邊)升起，如圖5(a)所示。
在Y方向中延伸的布線基板的邊(Y邊)的扭曲均為，使得Y邊 的中心部分與水平板接觸，并且接觸區(qū)域包含Y邊的中點(diǎn)，并且接觸 區(qū)域的長度優(yōu)選地是Y邊長度的三分之一或更少，更優(yōu)選地是四分之 一或更少。另一方面，在X方向中延伸的布線基板的邊(X邊)的扭 曲均為，使得X邊的中心部分可以與水平板接觸，但是整個(gè)X邊優(yōu)選 地升起，以便于發(fā)揮更加充分的扭曲抑制作用。如果X邊的中心部分 均與水平板接觸，則接觸區(qū)域優(yōu)選地包含X邊的中點(diǎn)，并且接觸區(qū)域 的長度優(yōu)選地是X邊長度的三分之一或更少，更優(yōu)選地是四分之一或 更少。在將半導(dǎo)體芯片安裝在現(xiàn)有傳送機(jī)構(gòu)上面的布線基板上之后， 位于X邊中心部分中的X邊的較小的接觸區(qū)域使得可以更加容易地抑 制扭曲。
對(duì)于根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的扭曲形狀，根據(jù)塊基板的尺寸以及上 面安裝有半導(dǎo)體芯片的布線基板的扭曲程度，可以適當(dāng)?shù)卦O(shè)定每個(gè)邊 的兩端升起的量。然而，為了發(fā)揮充分的扭曲控制效果，該量優(yōu)選地 被設(shè)定為等于或大于0.2mm，更優(yōu)選地等于或大于0.5mm，最優(yōu)選地 等于或大于lmm。另一方面，為了防止多余的扭曲量值所導(dǎo)致的可能 缺陷，該量優(yōu)選地被設(shè)定為等于或小于5 mm,更優(yōu)選地等于或小于4 mm，最優(yōu)選地等于或小于3mm。
根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例控制的布線基板的扭曲形狀(在安裝半導(dǎo)體 芯片之前觀察到的扭曲形狀)，如上文所述，受到了在基底絕緣膜的
頂部表面上提供的凹陷部分內(nèi)的圖案(上層互連和扭曲控制圖案)的 影響。如果凹陷部分內(nèi)的圖案中包含的X-Y正交坐標(biāo)系統(tǒng)的一個(gè)坐標(biāo) 分量的量大于凹陷部分內(nèi)的圖案中包含的另一坐標(biāo)分量的量，則布線 基板可能扭曲。為了獲得根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的特定的扭曲形狀，優(yōu) 選的是，凹陷部分內(nèi)的圖案的X分量與其Y分量的比(X/Y;下文中 被稱為"圖案分量比")大于1。
這里，根據(jù)該實(shí)施例的圖案的X和Y分量被分別指的是X-Y正交 坐標(biāo)系統(tǒng)中的圖案輪廓線的X和Y分量。每個(gè)圖案輪廓線對(duì)應(yīng)于凹陷 部分內(nèi)的和基底絕緣膜中的圖案部件(上層互連部件和扭曲控制圖案 部件)之間的切線。例如，在圖8(a)中示出的圖案中，參考數(shù)字L1 L4表示輪廓線，并且在圖8(b)中示出的圖案中，參考數(shù)字L1 L8表 示輪廓線。圖案分量比(X/Y)指出了預(yù)定圖案中的輪廓線的X分量(絕 對(duì)值)的和與Y分量(絕對(duì)值)的和的比。
本發(fā)明的實(shí)施例對(duì)于具有如下上層互連圖案的布線基板是有效 的，其中沿X方向延伸的線性圖案和沿Y方向延伸的線性圖案的總和 占整個(gè)上層互連圖案的面積比至少為60%、或者至少為70%、或者特 別地至少為80%。這里，該面積比基于圖案自身占用的基板的平面表 面的面積(平面投影面積)。就是說，上層互連的線性圖案的面積比 意指，沿X方向延伸的線性圖案和沿Y方向延伸的線性圖案的總和與 基板的平面表面中的整個(gè)上層互連圖案占用面積的面積比。如果沿X 或Y方向延伸的線性圖案同另一圖案連續(xù)，則兩個(gè)圖案之間的邊界是 沿X和Y方向延伸的其中一條劃分線，并且該劃分線對(duì)應(yīng)于線性圖案 的寬度方向。圖9(a)和9(b)均示出了當(dāng)沿X或Y方向延伸的線性圖案 同傾斜圖案連續(xù)時(shí)使用的劃分線。
在本發(fā)明的實(shí)施例中，根據(jù)上層互連的不均衡的圖案分量比，扭 曲控制圖案被提供為，凹陷部分內(nèi)的圖案的圖案分量比(X/Y)至少大 于1。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的扭曲控制圖案具有大于1的圖案分量比
(X/Y)，以便于獲得所需的扭曲形狀。為了有效地抑制扭曲，圖案分 量比(X/Y)優(yōu)選地至少為1.5，更優(yōu)選地至少為3，最優(yōu)選地至少為
12。特別地，為了良好地控制扭曲并且容易地形成圖案，扭曲控制圖 案優(yōu)選地具有類似沿傳送方向(x方向)延伸的線的形狀。典型地，
線和間隔圖案是優(yōu)選的。
根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的布線基板中的上層互連的面積占用率優(yōu)選
地是5 70%，更優(yōu)選地是10 60Q/。，最優(yōu)選地是15 45%。過低的面 積占用率阻止了所需密集互連的形成?？紤]到工作準(zhǔn)確性，過高的面 積占用率使得難于確?；ミB之間的絕緣。
這里，上層互連的面積占用率是指布線基板的平面表面的一個(gè)
組成單元中，上層互連占用的面積與上層互連形成區(qū)域的面積的百分 比。上層互連形成區(qū)域指包圍一個(gè)組成單元中的所有上層互連的最小 面積的四角形中的區(qū)域。組成單元是指布線基板的單元或者目標(biāo)半導(dǎo)
體封裝中使用的對(duì)應(yīng)基板區(qū)域(對(duì)應(yīng)于基板單元區(qū)域201)，在該基板 區(qū)域上安裝了一個(gè)預(yù)定的半導(dǎo)體芯片或者一組預(yù)定的半導(dǎo)體芯片。
考慮到工作準(zhǔn)確性和扭曲控制效果，扭曲控制圖案形成區(qū)域中的 凹陷部分內(nèi)的圖案面積A與凹陷部分外的面積B的平面投影面積比 (A/B)優(yōu)選的是0.1 0.5，更優(yōu)選地是0.2 0.4。這里，扭曲控制圖 案形成區(qū)域是指包圍繞基板單元區(qū)域的外圍形成的扭曲控制圖案的 沿X和Y方向延伸的線所組成的最小面積的區(qū)域。
而且，扭曲控制圖案形成區(qū)域中的凹陷部分內(nèi)的圖案面積A與凹 陷部分外的面積B的平面投影面積比(A/B)，與(每個(gè)基板單元區(qū)域 中的)上層互連形成區(qū)域中的凹陷部分內(nèi)的互連面積P與凹陷部分外 的面積Q的平面投影面積比(P/Q)的比，優(yōu)選的是0.8 1.2，更優(yōu)選 地是0.9 L1，以便于防止基板的波紋。上層互連形成區(qū)域中的凹陷部 分內(nèi)的互連對(duì)應(yīng)于上層互連，并且如果有則包括在基板單元區(qū)域中形
成的偽互連作為扭曲控制圖案(凹陷部分內(nèi)的圖案)。
扭曲控制圖案可以與上層互連的圖案同時(shí)形成。扭曲控制圖案的 材料和厚度可以與上層互連相似。扭曲控制圖案的寬度、長度和形狀 可以根據(jù)上層互連的圖案設(shè)定。而且，扭曲控制圖案的圖案密度可以 根據(jù)基板的組成單元(產(chǎn)品部分)中的上層互連圖案的圖案密度來適 當(dāng)?shù)卦O(shè)定。使用具有至少基本上等于上層互連圖案的圖案密度的扭曲 控制圖案區(qū)域，可以有效地執(zhí)行扭曲控制。
基底絕緣膜
下文將給出對(duì)于優(yōu)選地用作根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的基底絕緣膜的 樹脂材料的描述。
根據(jù)所需的特性，諸如耐熱性和機(jī)械強(qiáng)度，用于根據(jù)本發(fā)明的實(shí) 施例的基底絕緣膜的材料可以從多種樹脂材料進(jìn)行選擇。例如，為了 機(jī)械強(qiáng)度和耐熱性，可以使用由包含加強(qiáng)材料的耐熱樹脂組成的復(fù)合 樹脂材料，優(yōu)選地是纖維加強(qiáng)的樹脂復(fù)合材料。理想的加強(qiáng)材料可以 是由玻璃或者芳綸制成的加強(qiáng)纖維。耐熱樹脂可以具有等于或高于規(guī) 定溫度的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度，優(yōu)選地至少為150°C。玻璃化轉(zhuǎn)變溫度依據(jù)
JISC6481，并且可以通過DMA (動(dòng)態(tài)機(jī)械分析)方法測(cè)量。耐熱樹脂 的示例包括環(huán)氧樹脂、聚酰亞胺樹脂、氰酸鹽樹脂和液晶聚合物?？?慮到復(fù)合樹脂的制造，優(yōu)選地可以使用環(huán)氧樹脂，這是因?yàn)椋梢酝?過該樹脂適當(dāng)?shù)亟n加強(qiáng)纖維。為了通過激光等令人滿意地制造細(xì)微 的通孔，加強(qiáng)纖維優(yōu)選地具有至多10/rni的直徑。
通過控制由上文描述的樹脂材料制成的基底絕緣膜的物理屬性， 考慮基底絕緣膜的厚度方向的熱膨脹系數(shù)、彈性模量和抗斷強(qiáng)度，以 及這些特性的溫度依賴關(guān)系，通過防止由于重復(fù)地施加熱負(fù)荷和熱劣 化引起的可能斷裂，諸如連接處的開口斷層，可以改善可靠性。通過 例如將膜厚度設(shè)定為20 100 /rni，并且建立下文描述的條件，可以提 —般地，在"底漆，，層上然后通常沉積所謂的基礎(chǔ)層，這 是按照"濕碰濕"技術(shù)來沉積的，然后再施涂最終清漆層，其被稱為 "透明涂層"。應(yīng)當(dāng)理解，在本發(fā)明中使用的術(shù)語"涂層"包含一個(gè)或多 個(gè)上述的各種層，通常至少三層，其中至少一層(優(yōu)選底漆層)是本 發(fā)明組合物。然而，本發(fā)明并不限于該涂層配制劑用于制備底漆層的 用途。因此，所獲得的性能涉及由各種不同層構(gòu)成的涂層整體。 特別地，耐細(xì)礫石性能是針對(duì)單或多層的整體涂層來測(cè)量的。形成本發(fā)明主題的用途尤其適于原始設(shè)備制造商(OEM)的 基于聚氨酯的工業(yè)油漆領(lǐng)域，對(duì)于該領(lǐng)域來說，所得到的涂層尤其需 要具有改進(jìn)的硬度和耐細(xì)礫石性。已經(jīng)令人吃驚地發(fā)現(xiàn)，在本發(fā)明中設(shè)想的某些組合物在修 飾涂層以消除瘋點(diǎn)的操作中能夠保持甚至改進(jìn)這后 一種的耐細(xì)礫石性 性能。該修飾操作的特征在于對(duì)有缺陷的涂層進(jìn)行拋光，之后第 二次施涂基礎(chǔ)層和清漆，并且通過再次烘烤進(jìn)行交聯(lián)。通常，該修飾 操作會(huì)損害最終涂層的抗細(xì)礫石性能。在本發(fā)明中使用的組合物尤其 能夠克服這個(gè)問題。汽車油漆制造商特別需要在修飾操作時(shí)保持這種耐細(xì)礫 石性。術(shù)語"高耐細(xì)礫石性"或"抗細(xì)礫石"性能是指涂層抵抗 堅(jiān)硬物體(特別是近乎球形的小尺寸物體)高頻率多次撞擊的性能， 這些堅(jiān)硬物體以與被涂覆的基材的表面形成的各種角度來近乎高速地 撞擊所述表面，從而再現(xiàn)了路面的細(xì)礫石撞擊車身的情況。根據(jù)本發(fā)明的用作涂層的組合物還特別提供合適的對(duì)各 種化學(xué)來源(例如溶劑)和/或生物來源(如動(dòng)物排泄物，特別是鳥糞) 的各種侵蝕的抵抗性。涂層(特別是油漆類型的涂層，尤其是用于汽車車身部件
義為"b"時(shí)，比(a/b)至多為4.5。除了這些條件以外，還可以有利
地使用如下的有利樹脂材料，其在15(TC下具有至少2.3 GPa的彈性模 量。而且，當(dāng)-65'C下的彈性模量被定義為"c"并且15(TC下的彈性模 量被定義為"d"時(shí)，可以有利地使用比(c/d)至多為4.7的樹脂材料， 或者比(a/b)至多為2.5或者大于2.5但是至多為4.5的樹脂材料，并 且除了上文的條件以外，比(a/b)和比(c/d)之間的差的絕對(duì)值至多 為0.8。可以將任何以上的纖維加強(qiáng)樹脂復(fù)合材料和耐熱樹脂用作該樹 脂材料。
半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)
現(xiàn)在，將描述根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)。
圖IO示出了半導(dǎo)體器件的示例。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，焊塊121 連接到布線基板110中的上層互連112。在布線基板110的頂部表面?zhèn)?上提供電氣連接到焊塊121的半導(dǎo)體芯片120。半導(dǎo)體芯片的示例是上 面形成有諸如LSI的集成電路的硅芯片。在半導(dǎo)體芯片和布線基板之 間提供了底部填充122。另一方面，在布線基板110的下層互連114的 暴露部分中，即在焊盤電極的部分中提供焊球131。該焊球經(jīng)由下層互 連114、通孔中的導(dǎo)體、上層互連112和焊塊121電氣連接到半導(dǎo)體芯 片120的電極。具有該結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體封裝經(jīng)由焊球131安裝在外部板 (未示出)上。
在上文的結(jié)構(gòu)中，按照需要提供成型，并且可以省略成型。在需 要保護(hù)或加強(qiáng)半導(dǎo)體芯片時(shí)，半導(dǎo)體芯片可以涂覆有成型樹脂。盡管 在該示例中，經(jīng)由焊塊將半導(dǎo)體芯片安裝在布線基板上，并且隨后經(jīng) 由焊球?qū)⒉季€基板安裝在板上，但是這些連接可以通過引線接合或載
帶接合實(shí)現(xiàn)。
對(duì)于參考圖2描述的具有多層互連結(jié)構(gòu)的布線基板，通過與上文 的示例相同的方式，可以將半導(dǎo)體芯片安裝在布線基板上，并且隨后
可以將布線基板安裝在板上。對(duì)于將半導(dǎo)體芯片安裝在布線基板上以 及將上面安裝有半導(dǎo)體芯片的布線基板安裝在板上時(shí)包括的連接，也 可以使用引線接合和載帶接合。
制造布線基板的方法
現(xiàn)將給出對(duì)于根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的制造布線基板的方法的描 述。圖11是制造圖1所示的布線基板的工藝的剖面視圖。
首先，如圖ll(a)所示，制備由諸如不銹鋼、^!縛Cu合金的金屬 制成的支撐板141。在支撐板上形成抗蝕層142;抗蝕層142具有對(duì)應(yīng)
于上層互連圖案、扭曲控制圖案的開口圖案和支撐圖案。通過例如鍍
覆，高刻蝕速率層112c、刻蝕阻擋層112a和圖案主體層112b按照此 順序形成在開口圖案中。高刻蝕速率層112c的示例包括單個(gè)Cu層、 單個(gè)Ni層以及包括Cu層和Ni層的雙層鍍覆層。高刻蝕速率層的厚度 可被設(shè)定為例如0.5 10 /mi?？涛g阻擋層112a可以是由例如Ni、 Au 或Pd制成的鍍覆層?？涛g阻擋層112a的厚度可被設(shè)定為例如0.1 7^n 之間。圖案主體層112b的示例是由Cu、 Ni、 Au、 Al、 Pd等制成的鍍 覆層。圖案主體層112b的厚度可被設(shè)定為例如2 20 /mi。考慮到用于 支撐板的材料的刻蝕速率，可以適當(dāng)?shù)剡x擇用于高刻蝕速率層和刻蝕 阻擋層的材料。關(guān)于材料組合的優(yōu)選示例，對(duì)于由不銹鋼制成的支撐 板來說，Au鍍覆層是刻蝕阻擋層的示例。對(duì)于由銅或銅合金制成的支 撐板來說，Ni鍍覆層是刻蝕阻擋層的示例。Ni鍍覆層具有防止焊料在 高溫下的可能擴(kuò)散的功能。因此，為了在將半導(dǎo)體芯片安裝在布線基 板上或者將具有基板的半導(dǎo)體封裝安裝在板上的步驟中防止焊料的可 能擴(kuò)散，可以在圖案主體層112b和刻蝕阻擋層112a之間提供Ni層。
然后，移除抗蝕層142，如圖ll(b)所示。然后以如下方式在支撐 板141上形成基底絕緣膜111，從而覆蓋上層互連112、扭曲控制圖案 (未示出)和支撐圖案(未示出)。例如，通過在例如100 40(TC下 將絕緣樹脂膜粘合和按壓到支撐板上并且使絕緣樹脂膜固定在支撐板
上10分鐘 2小時(shí)用于固化，可以形成基底絕緣膜111。然后，通過 例如激光處理，在緊接上層互連112的上方區(qū)域中的基底絕緣膜111 中形成通孔113,如圖11(C)所示。
然后，如圖ll(d)所示，形成導(dǎo)電材料層，以便于填充通孔113， 并且通過對(duì)該層構(gòu)圖，在基底絕緣膜111上形成下層互連114。例如， 通過提供由Cu、 Ni、 Au、 Al、 Pd等制成的鍍覆層，并且對(duì)該鍍覆層形 成圖案，可以形成通孔113中的導(dǎo)電材料和下層互連114。導(dǎo)電材料和 下層互連114的厚度可被設(shè)定為例如2 20 /xm。，然后，形成厚度約為 5 40/mi的阻焊層115，以便于覆蓋一部分下層互連114，同時(shí)暴露其 剩余部分。阻焊層可以省略。代替形成阻焊層，為了在支撐板上形成 上文的多層互連結(jié)構(gòu)，可以執(zhí)行下列步驟在基底絕緣膜上形成層間 絕緣膜，以便覆蓋整個(gè)下層互連114;在層間絕緣膜中形成通孔，并且 形成導(dǎo)電材料層，以便于填充通孔；并且對(duì)該層形成圖案，以形成第 二下層互連。
然后，如圖ll(e)所示，通過化學(xué)刻蝕或者研磨移除整個(gè)支撐板 141，以便于暴露上層互連112的正向表面。然后刻蝕掉高刻蝕速率層 112c。這導(dǎo)致了根據(jù)圖l所示的示例的布線基板。在該步驟中，當(dāng)支撐 板和高刻蝕速率層由相同材料制成時(shí)，可以僅通過單個(gè)刻蝕處理來移 除該板和層。
如果刻蝕阻擋層112a被形成為最上面的層，同時(shí)沒有提供高刻蝕 速率層112c，則通過刻蝕掉支撐板可以獲得根據(jù)圖3所示的示例的布 線基板。
支撐板141優(yōu)選地由導(dǎo)電材料制成，特別是金屬材料，這是因?yàn)椋?用于互連的導(dǎo)電層是在支撐板上通過電解鍍覆而形成的，并且在布線 基板形成之后，可以容易地移除由以上材料制成的支撐板141。支撐板 的厚度可被設(shè)定為0.1 1 mm，以允許布線基板在其形成過程中和在其
形成之后呈現(xiàn)出足夠的強(qiáng)度。過小的支撐板厚度阻礙基板呈現(xiàn)出足夠 的強(qiáng)度。過大的支撐板厚度增加了基板的厚度，同時(shí)降低了其可處理 性。這還增大了基板變得扭曲或波紋的可能性，并且使得難于形成細(xì) 微的互連。支撐板的材料不限于導(dǎo)電材料或金屬材料。支撐板還可以 由絕緣材料制成，諸如硅晶片、玻璃、陶瓷或者樹脂。在使用絕緣材 料制成的支撐板時(shí)，在抗蝕層142形成之后，可以通過無電鍍覆來形 成用于互連的導(dǎo)電層；可選擇地，在抗蝕層142形成之后，借助于膜
形成方法，諸如無電鍍覆、濺射或者氣相淀積，形成導(dǎo)電襯層，可以 通過電解鍍覆在該導(dǎo)電襯層上形成用于i;連的導(dǎo)電層。
制造半導(dǎo)體器件的方法
借助于公知的方法，如上文所述形成的布線基板可用于形成半導(dǎo)
體封裝；半導(dǎo)體芯片經(jīng)由焊塊安裝在布線基板上，如圖10所示，如上 文所述，按照需要形成底部填充，并且隨后按照需要利用成型樹脂密 封基板。所獲得的半導(dǎo)體封裝可以通過公知的方法安裝在板上。
在該制造方法中，布線基板被安置在傳送導(dǎo)軌軌道上，其上層互 連形成側(cè)面向上方。如果布線基板具有圖5(a)所示的扭曲形狀，則傳送 方向可以對(duì)應(yīng)于X方向。布線基板被傳送并安置在平臺(tái)上，并且隨后 固定到平臺(tái)，如上文參考圖7所述。然后，將半導(dǎo)體芯片安裝在固定 的布線基板上。隨后沿著支撐基板的沿傳送方向延伸的各個(gè)邊的兩個(gè) 導(dǎo)軌軌道，將上面安裝有半導(dǎo)體芯片的布線基板傳送到后繼步驟。對(duì) 于傳統(tǒng)的布線基板，安裝有半導(dǎo)體芯片的布線基板可能扭曲，其中心 部分沿傳送方向升起。因此，布線基板的頂部可能與位于傳送路線上 方的部件接觸，該部件諸如將基板的兩個(gè)邊夾持在導(dǎo)軌軌道上的基板 夾持導(dǎo)軌，或者加熱罩。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，可以抑制扭曲，以便 于防止可能的接觸。
權(quán)利要求
1.一種布線基板，包括基底絕緣膜；第一互連，其形成在基底絕緣膜的頂部表面?zhèn)壬?；通孔?dǎo)體，其配置在基底絕緣膜中形成的通孔中；和第二互連，其配置在基底絕緣膜的底部表面?zhèn)壬希龅诙ミB經(jīng)由所述通孔導(dǎo)體連接到所述第一互連，其中布線基板包括多個(gè)分開的基板單元區(qū)域，在每個(gè)基板單元區(qū)域中形成第一互連、通孔導(dǎo)體和第二互連；布線基板進(jìn)一步包括基底絕緣膜上的扭曲控制圖案；并且布線基板具有扭曲形狀，由此使得當(dāng)布線基板靜止在水平板上時(shí)，至少基板的平面表面的每個(gè)邊的中心部分與水平板接觸，所述邊的兩個(gè)端部升起，其中每個(gè)邊沿垂直于基板的平面表面中的第一方向的第二方向延伸。
2. 如權(quán)利要求l所述的布線基板，其中第一互連，其配置在基底絕緣膜的頂部表面?zhèn)壬闲纬傻陌枷莶糠种?；扭曲控制圖案，其配置在基底絕緣膜的頂部表面上形成的另一凹 陷部分中，并且其包括線性圖案，該線性圖案允許布線基板扭曲，以 使得布線基板的平面表面的每個(gè)邊的兩個(gè)端部位于所述邊的中心部分 上方，其中每個(gè)邊沿基板的平面表面中的第二方向延伸；并且布線基板具有扭曲形狀，以至于當(dāng)使布線基板靜止于水平板上并 使第一互連形成表面?zhèn)让嫦蛏戏綍r(shí)，至少基板的平面表面的每個(gè)邊的 中心部分與水平板接觸，并且所述邊的兩個(gè)端部升起，其中每個(gè)邊沿 第二方向延伸。
3. 如權(quán)利要求2所述的布線基板，其中，至少在其中形成多個(gè)分 開的基板單元區(qū)域的區(qū)域的外圍部分中，配置扭曲控制圖案。
4. 如權(quán)利要求2所述的布線基板，其中對(duì)于所述扭曲控制圖案和 第一互連來說，沿第一方向延伸的X分量的總分量與沿第二方向延伸的Y分量的總分量的分量比(X/Y)大于l。
5. 如權(quán)利要求3所述的布線基板，其中所述扭曲控制圖案包括沿 第一方向延伸的線和間隔圖案。
6. 如權(quán)利要求3所述的布線基取，其中所述扭曲控制圖案包括多 個(gè)圖案單元，這些圖案單元相互分開。
7. 如權(quán)利要求6所述的布線基板，其中所述扭曲控制圖案中的圖 案單元配置成矩陣。
8. 如權(quán)利要求2所述的布線基板，其中分開的基板單元區(qū)域外部 的扭曲控制圖案形成區(qū)域中的凹陷部分內(nèi)的圖案面積A與凹陷部分外 的面積B的平面投影面積比為Rl (A/B)，每個(gè)分開的基板單元區(qū)域 內(nèi)部的凹陷部分內(nèi)的互連面積P與凹陷部分外的面積Q的平面投影面 積比為R2 (P/Q) ， Rl (A/B)與R2 (P/Q)的比(Rl/R2)在0.8 1.2 的范圍內(nèi)。
9. 如權(quán)利要求2所述的布線基板，其中所述分開的基板單元區(qū)域 外部的扭曲控制圖案形成區(qū)域中的凹陷部分內(nèi)的圖案面積A與凹陷部 分外的面積B的平面投影面積比(A/B)在0.1 0.5的范圍內(nèi)。
10. 如權(quán)利要求2所述的布線基板，其中所述扭曲控制圖案是由 與所述第一互連相同的材料形成的，并且具有與第一互連相同的厚度。
11. 如權(quán)利要求2所述的布線基板，其中所述第一互連的頂部表 面低于基底絕緣膜的頂部表面。
12. 如權(quán)利要求2所述的布線基板，其中所述第一互連的頂部表 面與基底絕緣膜的頂部表面共面。
13. 如權(quán)利要求1所述的布線基板，進(jìn)一步包括基板的底部表面?zhèn)壬系淖韬笇印?br> 14. 如權(quán)利要求1所述的布線基板，其中所述分開的基板單元區(qū) 域配置成矩陣。
15. 如權(quán)利要求14所述的布線基板，其中所述分開的基板單元區(qū)域被配置為沿第一方向配置的分開的基板單元區(qū)域的數(shù)目大于沿第二方向配置的分開的基板單元區(qū)域的數(shù)目。
16. 如權(quán)利要求1所述的布線基板，其形狀類似于矩形，由此沿 第一方向延伸的布線基板的每個(gè)邊長于沿第二方向延伸的布線基板的 每個(gè)邊。
17. 如權(quán)利要求1所述的布線基板，其具有扭曲的形狀，由此在 第一方向中延伸的布線基板的每個(gè)邊被完全升起。
18. 如權(quán)利要求1所述的布線基板，進(jìn)一步包括一個(gè)或多個(gè)互連 結(jié)構(gòu)層，每個(gè)互連結(jié)構(gòu)層包括配置在基底絕緣層的底部表面?zhèn)壬系慕^ 緣層、在絕緣層中形成的通孔中配置的通孔導(dǎo)體、以及在絕緣層的底 部表面上配置的互連，所述互連經(jīng)由所述通孔導(dǎo)體連接到上面的互連。
19. 如權(quán)利要求1所述的布線基板，其中所述基底絕緣膜由耐熱 樹脂或纖維加強(qiáng)耐熱樹脂復(fù)合材料制成。
20. —種半導(dǎo)體器件，其包括如權(quán)利要求1所述的布線基板，以 及安裝在布線基板的頂部表面?zhèn)壬系陌雽?dǎo)體芯片，所述半導(dǎo)體芯片連 接到布線基板的頂部表面?zhèn)壬闲纬傻牡谝换ミB。
21. —種制造半導(dǎo)體器件的方法，包括步驟 制備如權(quán)利要求1所述的布線基板；將所述布線基板安置在平臺(tái)上，使得布線基板的第一方向沿傳送 方向延伸，并且使得布線基板的頂部表面?zhèn)让嫦蛏戏?，其中所述布線 基板具有形成在其上的第一互連；將半導(dǎo)體芯片安裝在布線基板的頂部，表面?zhèn)壬?；并且在第一方向中傳送其上安裝有半導(dǎo)體芯片的布線基板。
22. 如權(quán)利要求21所述的制造半導(dǎo)體器件的方法，其中所述平臺(tái) 包括保持器，其對(duì)安置在平臺(tái)上的布線基板的兩邊進(jìn)行固定，其中所 述兩邊沿第一方向延伸，并且所述方法進(jìn)一步包括如下步驟使用保 持器對(duì)安置在平臺(tái)上的布線基板的兩邊進(jìn)行固定，其中所述兩邊沿第 一方向延伸。
23. 如權(quán)利要求21所述的制造半導(dǎo)體器件的方法，其中所述平臺(tái) 包括吸持裝置，用于固定地吸持安置在平臺(tái)上的布線基板，并且所述 方法進(jìn)一步包括通過吸持來固定安置在平臺(tái)上的布線基板的步驟。
全文摘要
一種布線基板，包括基底絕緣膜、在基底絕緣膜的頂部表面?zhèn)壬闲纬傻牡谝换ミB、在基底絕緣膜中形成的通孔中提供的通孔導(dǎo)體、以及在基底絕緣膜的底部表面?zhèn)壬闲纬傻牡诙ミB，該第二互連經(jīng)由通孔導(dǎo)體連接到第一互連。布線基板包括分開的基板單元區(qū)域，在每個(gè)基板單元區(qū)域中形成第一互連、通孔導(dǎo)體和第二互連。布線基板包括基底絕緣膜上的扭曲控制圖案，并且具有扭曲形狀，由此當(dāng)使布線基板靜止在水平板上時(shí)，至少基板的平面表面的每個(gè)邊的中心部分與水平板接觸并且該邊的兩個(gè)端部被升起，其中每個(gè)邊沿垂直于基板的平面表面中的第一方向的第二方向延伸。
文檔編號(hào)H05K13/04GK101106121SQ20071013641
公開日2008年1月16日 申請(qǐng)日期2007年7月16日 優(yōu)先權(quán)日2006年7月14日
發(fā)明者前田武彥, 塚野純, 小川健太, 山道新太郎, 菊池克 申請(qǐng)人:恩益禧電子股份有限公司;日本電氣株式會(huì)社