專利名稱：有機(jī)發(fā)光裝置及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種有機(jī)發(fā)光裝置及其制造方法。更具體地講，本發(fā)明涉及 一種改進(jìn)了其電特性的有機(jī)發(fā)光裝置以及該有機(jī)發(fā)光裝置的制造方法。
背景技術(shù)：
近來(lái)朝著重量輕且薄的個(gè)人計(jì)算機(jī)和電視機(jī)的發(fā)展趨勢(shì)也需要重量輕且薄的顯示裝置，滿足了這種需求的諸如液晶顯示器(LCD)的平板顯示器正 在代替?zhèn)鹘y(tǒng)的陰極射線管(CRT)。然而，因?yàn)長(zhǎng)CD是無(wú)源顯示裝置，所以需要附加的背光作為光源，且 LCD具有各種問(wèn)題，諸如響應(yīng)時(shí)間慢、視角窄。在平板顯示器中，有機(jī)發(fā)光裝置近來(lái)已成為最有希望解決這些問(wèn)題的顯 示裝置。有機(jī)發(fā)光裝置是自發(fā)射顯示裝置，有機(jī)發(fā)光裝置包括兩個(gè)電極和設(shè)置在 兩個(gè)電極之間的有機(jī)發(fā)光層。兩個(gè)電極中的一個(gè)向發(fā)光層中注入空穴，另一 個(gè)向發(fā)光層中注入電子。注入的電子與空穴復(fù)合以形成激子，激子釋放能量 時(shí)發(fā)光。在平板顯示器中，由于有機(jī)發(fā)光裝置的功耗低、響應(yīng)時(shí)間快、視角寬以 及對(duì)比度高，所以有機(jī)發(fā)光裝置是最有前途。根據(jù)驅(qū)動(dòng)類型，有機(jī)發(fā)光裝置分為無(wú)源矩陣有機(jī)發(fā)光裝置和有源矩陣有 機(jī)發(fā)光裝置。有源矩陣有機(jī)發(fā)光裝置包括多個(gè)開關(guān)薄膜晶體管(TFT),連接到相互 交叉的信號(hào)線；多個(gè)驅(qū)動(dòng)TFT，連接到開關(guān)TFT和驅(qū)動(dòng)電壓線；多個(gè)發(fā)射部 分，連接到驅(qū)動(dòng)TFT。發(fā)明內(nèi)容對(duì)于OLED的最佳特性來(lái)說(shuō)，開關(guān)薄膜晶體管(TFT)的特性和驅(qū)動(dòng)TFT 的特性可彼此不同。具體地講，開關(guān)TFT可具有優(yōu)良的導(dǎo)通/截止特性，驅(qū)動(dòng)
TFT可具有為了提供用于驅(qū)動(dòng)OLED的充足的電流的高的遷移率和穩(wěn)定性。 如果開關(guān)TFT的截止電流增大，則傳輸?shù)津?qū)動(dòng)TFT的數(shù)據(jù)電壓會(huì)降低，從而產(chǎn)生串?dāng)_。如果驅(qū)動(dòng)TFT具有低的遷移率和穩(wěn)定性，則會(huì)發(fā)生顯示特性的劣化，其中，顯示特性的劣化例如傳輸?shù)桨l(fā)光裝置的電流減小、圖像殘留現(xiàn)象、壽命減小等。本發(fā)明通過(guò)同時(shí)滿足驅(qū)動(dòng)TFT和開關(guān)TFT的特性而改進(jìn)了有機(jī)發(fā)光裝置的電特性。在本發(fā)明的示例性實(shí)施例中，有機(jī)發(fā)光裝置包括基底；第一信號(hào)線和 第二信號(hào)線，形成在基底上；開關(guān)TFT，連接到第一信號(hào)線和第二信號(hào)線， 并包括第一半導(dǎo)體；驅(qū)動(dòng)TFT，包括第二半導(dǎo)體、蝕刻停止件、驅(qū)動(dòng)輸入電 極、驅(qū)動(dòng)輸出電極和驅(qū)動(dòng)控制電極，其中，蝕刻停止件形成在第二半導(dǎo)體上， 驅(qū)動(dòng)輸入電極和驅(qū)動(dòng)輸出電極與蝕刻停止件和第二半導(dǎo)體疊置并相對(duì)于蝕刻 停止件彼此相對(duì)，驅(qū)動(dòng)控制電極連接到開關(guān)TFT并與第二半導(dǎo)體疊置；第一 電極，連接到驅(qū)動(dòng)輸出電極；第二電極，與第一電極相對(duì)；有機(jī)發(fā)光構(gòu)件， 其中，蝕刻停止件、驅(qū)動(dòng)輸入電極和驅(qū)動(dòng)輸出電極中的至少一個(gè)關(guān)于一條直 線對(duì)稱。第二半導(dǎo)體可具有第一部分和與第一部分分離的第二部分。蝕刻停止件 可為軌道形狀(track-shaped),諸如包括連續(xù)的橢圓形狀；驅(qū)動(dòng)輸入電極可與 蝕刻停止件的內(nèi)部部分疊置；驅(qū)動(dòng)輸出電極與蝕刻停止件的外部部分疊置。 驅(qū)動(dòng)輸出電極可包括第一部分和第二部分，設(shè)置在蝕刻停止件的相對(duì)側(cè)上； 第三部分，將驅(qū)動(dòng)輸出電極的第一部分與第二部分彼此連接。有機(jī)發(fā)光裝置還可包括連接到驅(qū)動(dòng)TFT的驅(qū)動(dòng)輸入電極的第三信號(hào)線。 蝕刻停止件、驅(qū)動(dòng)輸入電極和驅(qū)動(dòng)輸出電極可相對(duì)于第三信號(hào)線對(duì)稱。驅(qū)動(dòng) 輸出電極和第二半導(dǎo)體均可分別具有兩個(gè)部分，且驅(qū)動(dòng)輸出電極和第二半導(dǎo) 體中的每個(gè)的兩個(gè)部分在相對(duì)于第三信號(hào)線的相對(duì)側(cè)上彼此分離。驅(qū)動(dòng)輸入電極可包括第 一部分和與驅(qū)動(dòng)輸入電極的第 一部分分離的第二 部分，有機(jī)發(fā)光裝置還可包括第一驅(qū)動(dòng)電壓線和第二驅(qū)動(dòng)電壓線，其中，第 一驅(qū)動(dòng)電壓線連接到驅(qū)動(dòng)輸入電極的第一部分，第二驅(qū)動(dòng)電壓線連接到驅(qū)動(dòng) 輸入電極的第二部分。蝕刻停止件和驅(qū)動(dòng)輸出電極均可包括彼此分離且形成 為反向?qū)ΨQ的第 一部分和第二部分。蝕刻停止件的第 一部分和第二部分可包 括馬蹄形狀，驅(qū)動(dòng)輸出電極的第一部分和第二部分可分別與蝕刻停止件的第 一部分和第二部分的內(nèi)部部分疊置，且驅(qū)動(dòng)輸入電極的第 一部分和第二部分 可分別與蝕刻停止件的第一部分和第二部分的外部部分疊置。有機(jī)發(fā)光裝置 還可包括多個(gè)第一電極，驅(qū)動(dòng)輸出電極的第一部分和第二部分可分別連接到 同一第一電極。第 一半導(dǎo)體和第二半導(dǎo)體可具有不同的晶體結(jié)構(gòu)。第 一半導(dǎo)體可由非晶硅(a-Si)制成，第二半導(dǎo)體可由多晶硅或微晶硅制成。 第一半導(dǎo)體和第二半導(dǎo)體可由多晶硅或微晶硅制成。開關(guān)TFT還可包括開關(guān)控制電極，連接到第一半導(dǎo)體下方的第一信號(hào) 線并與第一半導(dǎo)體絕緣；開關(guān)輸入電極，連接到第二信號(hào)線并與第一半導(dǎo)體 疊置；開關(guān)輸出電極，連接到驅(qū)動(dòng)控制電極并在第一半導(dǎo)體上面對(duì)開關(guān)輸入 電極?？梢砸耘c驅(qū)動(dòng)輸入電極和驅(qū)動(dòng)輸出電極的層相同的層來(lái)制造開關(guān)控制 電極，可以以與驅(qū)動(dòng)控制電極的層相同的層來(lái)制造開關(guān)輸入電極和開關(guān)輸出 電極。開關(guān)控制電極和驅(qū)動(dòng)控制電極可形成在覆蓋驅(qū)動(dòng)輸入電極和驅(qū)動(dòng)輸出 電極的絕緣層上?？梢砸酝粚觼?lái)制造驅(qū)動(dòng)輸入電極、驅(qū)動(dòng)輸出電極、開關(guān)輸入電極和開 關(guān)輸出電極?？梢砸酝粚觼?lái)制造驅(qū)動(dòng)控制電極和開關(guān)控制電極。有機(jī)發(fā)光 裝置還可包括連接構(gòu)件，連接構(gòu)件將驅(qū)動(dòng)控制電極連接到開關(guān)輸出電極，并 由與第 一 電極的層相同的層來(lái)制造?？梢砸圆煌膶觼?lái)制造開關(guān)控制電極、驅(qū)動(dòng)控制電極、驅(qū)動(dòng)輸入電極、 驅(qū)動(dòng)輸出電極、開關(guān)輸入電極和開關(guān)輸出電極。當(dāng)蝕刻停止件與驅(qū)動(dòng)輸入電極、驅(qū)動(dòng)輸出電極之間彼此錯(cuò)位時(shí)，蝕刻停 止件與驅(qū)動(dòng)輸入電極、驅(qū)動(dòng)輸出電極之間的疊置部分可相互補(bǔ)償，以基本均 勻地保持驅(qū)動(dòng)TFT的特性。在本發(fā)明的其它示例性實(shí)施例中，提供了 一種有機(jī)發(fā)光裝置的制造方法， 該方法包括在基底上形成開關(guān)半導(dǎo)體和驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體；分別在開關(guān)半導(dǎo)體和 驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體上形成蝕刻停止件；形成包括驅(qū)動(dòng)輸入電極的驅(qū)動(dòng)電壓線、驅(qū)動(dòng) 輸出電極、包括開關(guān)輸入電極的數(shù)據(jù)線和開關(guān)輸出電極；形成覆蓋驅(qū)動(dòng)電壓 線、驅(qū)動(dòng)輸出電極、數(shù)據(jù)線和開關(guān)輸出電極的柵極絕緣層；形成包括開關(guān)控 制電極的柵極線和驅(qū)動(dòng)控制電極；形成像素電極和連接構(gòu)件，其中，像素電 極連接到驅(qū)動(dòng)輸出電極，連接構(gòu)件將開關(guān)輸出電極連接到驅(qū)動(dòng)控制電極。形成驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體的步驟可包括在基底上形成驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體的的第 一分隔部 分和第二分隔部分；形成驅(qū)動(dòng)輸出電極的步驟可包括形成第一部分、第二部 分和連接件，其中，第一部分和第二部分環(huán)繞驅(qū)動(dòng)輸入電極的相對(duì)端并與驅(qū) 動(dòng)輸入電極的相對(duì)端分隔開，連接件將驅(qū)動(dòng)輸出電極的第一部分和第二部分 相互連接。在本發(fā)明的又一示例性實(shí)施例中，提供了 一種有機(jī)發(fā)光裝置的制造方法，該方法包括在基底上形成驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體；在驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體上形成蝕刻停止件； 形成驅(qū)動(dòng)輸入電極、驅(qū)動(dòng)輸出電極和包括開關(guān)控制電極的柵極線；形成覆蓋 柵極線、驅(qū)動(dòng)輸入電極和驅(qū)動(dòng)輸出電極的柵極絕緣層；在柵極絕緣層上形成 開關(guān)半導(dǎo)體；形成驅(qū)動(dòng)電壓線、包括開關(guān)輸入電極的數(shù)據(jù)線和驅(qū)動(dòng)控制電極； 形成像素電極和連接構(gòu)件，其中，像素電極連接到驅(qū)動(dòng)輸出電極，連接構(gòu)件 將驅(qū)動(dòng)電壓線連接到驅(qū)動(dòng)輸入電極。在本發(fā)明的又一示例性實(shí)施例中，提供了 一種有機(jī)發(fā)光裝置的制造方法， 該方法包括在基底上形成驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體；在驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體上形成蝕刻停止件； 形成包括驅(qū)動(dòng)輸入電極的驅(qū)動(dòng)電壓線和驅(qū)動(dòng)輸出電極；形成覆蓋驅(qū)動(dòng)電壓線 和驅(qū)動(dòng)輸出電極的層間絕緣層；在層間絕緣層上形成包括開關(guān)控制電極的柵 極線和驅(qū)動(dòng)控制電極；形成覆蓋柵極線和驅(qū)動(dòng)控制電極的柵極絕緣層；在柵 極絕緣層上形成開關(guān)半導(dǎo)體；形成包括開關(guān)輸入電極的數(shù)據(jù)線和開關(guān)輸出電 極；形成像素電極和連接構(gòu)件，其中，像素電極連接到驅(qū)動(dòng)輸出電極，連接 構(gòu)件將開關(guān)輸出電極連接到驅(qū)動(dòng)控制電極。在本發(fā)明的又一示例性實(shí)施例中，提供了一種有機(jī)發(fā)光裝置，該裝置包 括基底；第一信號(hào)線和第二信號(hào)線，形成在基底上；開關(guān)TFT，連接到第 一信號(hào)線和第二信號(hào)線并包括第一半導(dǎo)體；驅(qū)動(dòng)TFT，包括第二半導(dǎo)體、蝕 刻停止件、驅(qū)動(dòng)輸入電極、驅(qū)動(dòng)輸出電極和驅(qū)動(dòng)控制電極，其中，蝕刻停止 件形成在第二半導(dǎo)體上，驅(qū)動(dòng)輸入電極和驅(qū)動(dòng)輸出電極與蝕刻停止件和第二 半導(dǎo)體疊置并相對(duì)于蝕刻停止件彼此相對(duì)，驅(qū)動(dòng)控制電極連接到開關(guān)TFT并 與第二半導(dǎo)體疊置；第一電極，連接到驅(qū)動(dòng)輸出電極；第二電極，與第一電 極相對(duì)；有機(jī)發(fā)光構(gòu)件，其中，蝕刻停止件、驅(qū)動(dòng)輸入電極和驅(qū)動(dòng)輸出電極 中的至少一個(gè)關(guān)于垂直中心線或水平中心線具有;j走轉(zhuǎn)對(duì)稱。蝕刻停止件與驅(qū)動(dòng)輸入電極、驅(qū)動(dòng)輸出電極之間的疊置部分可包括圓環(huán) 形狀。蝕刻停止件與驅(qū)動(dòng)輸出電極之間的疊置部分可設(shè)置在蝕刻停止件與驅(qū) 動(dòng)輸入電極之間的疊置部分之內(nèi)。
可選擇地，蝕刻停止件與驅(qū)動(dòng)輸入電極、驅(qū)動(dòng)輸出電極之間的疊置部分 可包括"S'，形狀。驅(qū)動(dòng)輸入電極可為彎曲的驅(qū)動(dòng)輸入電極，驅(qū)動(dòng)輸出電極可 包括被彎曲的驅(qū)動(dòng)輸入電極圍繞的兩個(gè)部分。第一半導(dǎo)體和第二半導(dǎo)體可具有不同的晶體結(jié)構(gòu)。第一半導(dǎo)體可由a_si制成，第二半導(dǎo)體可由多晶硅或微晶硅制成。開關(guān)TFT還可包括開關(guān)控制電極，連接到在第一半導(dǎo)體下方的第一信 號(hào)線，并與第一半導(dǎo)體絕緣；開關(guān)輸入電極，連接到第二信號(hào)線，并與第一 半導(dǎo)體疊置；開關(guān)輸出電極，連接到驅(qū)動(dòng)控制電極，并在第一半導(dǎo)體上面對(duì) 開關(guān)輸入電極。柵極絕緣層可覆蓋驅(qū)動(dòng)輸入電極、驅(qū)動(dòng)輸出電極和蝕刻停止 件。可以以同一層來(lái)制造驅(qū)動(dòng)輸入電極、驅(qū)動(dòng)輸出電極和開關(guān)控制電極?？?以以同一層來(lái)制造開關(guān)輸入電極、開關(guān)輸出電極和驅(qū)動(dòng)控制電極。


通過(guò)參照附圖來(lái)詳細(xì)地描述本發(fā)明的示例性實(shí)施例，本發(fā)明的上述和其 他特征和優(yōu)點(diǎn)將變得更加明顯，在附圖中圖1是根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的示例性有機(jī)發(fā)光裝置的等效電路圖；圖2是根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的示例性有機(jī)發(fā)光裝置的示例性布局圖；圖3是沿著線m-m截取的在圖2中示出的示例性有機(jī)發(fā)光裝置的剖視圖；圖4、圖6、圖8、圖10、圖12和圖14是圖2和圖3中示出的示例性有 中的布局圖；圖5、圖7、圖9、圖ii、圖13和圖15是分別沿著線v-v、 vn-vn、ix-ix、XI-XI、 Xin-XIII和XV-XV截取的在圖4、圖6、圖8、圖IO、圖12和圖14 中示出的示例性有機(jī)發(fā)光裝置的剖視圖；圖16是根據(jù)本發(fā)明的另一示例性實(shí)施例的示例性有機(jī)發(fā)光裝置的示例 性布局圖；圖n是沿著線xvn-xvn截取的在圖16中示出的示例性有機(jī)發(fā)光裝置的剖一見圖18、圖20、圖22、圖24、圖26、圖28和圖30是圖16和圖17中示 出的示例性有機(jī)發(fā)光裝置在其的根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的示例性制造方 法的中間步驟中的布局圖；圖19、圖21、圖23、圖25、圖27、圖29和圖31是分別沿著線XIX-XIX、 XXI-XXI 、 XXIII陽(yáng)XXIII 、 xxv隱xxv 、 xxvn-xxvn 、 xxix-xxix和 XXXI-XXXI截耳又的在圖18、圖20、圖22、圖24、圖26、圖28和圖30中 示出的示例性有機(jī)發(fā)光裝置的剖視圖；圖32是根據(jù)本發(fā)明的另一示例性實(shí)施例的示例性有機(jī)發(fā)光裝置的示例 性布局圖；圖33是沿著線XXXIII-XXXin截取的在圖32中示出的示例性有機(jī)發(fā)光 裝置的剖視圖；圖34、圖36、圖38、圖40、圖42、圖44、圖46和圖48是圖32和圖 33中示出的示例性有機(jī)發(fā)光裝置在其的根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的示例性 制造方法的中間步驟中的布局圖；圖35、圖37、圖39、圖41、圖43、圖45、圖47和圖49是分別沿著線xxxv-xxxv、 xxxvn-xxxvn、 xxxix-xxxix、 xli-xli、 xliii-xliii、XLV-XLV、 XLVn-XLVII和XLIX-XLIX截取的在圖34、圖36、圖38、圖40、 圖42、圖44、圖46和圖48中示出的示例性有機(jī)發(fā)光裝置的剖視圖；圖50是在根據(jù)本發(fā)明的另一示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光裝置中的示例性 驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管(TFT)的示例性布局圖；圖51是在根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例的示例性有機(jī)發(fā)光裝置中的示例性 驅(qū)動(dòng)TFT的示例性布局圖；圖52是根據(jù)本發(fā)明的另一示例性實(shí)施例的示例性有機(jī)發(fā)光裝置的示例 性布局圖；圖53是示出了在圖52中示出的示例性有機(jī)發(fā)光裝置中的示例性驅(qū)動(dòng) TFT的》文大布局圖；圖54是沿著線LIV-LIV截取的圖52中示出的示例性有機(jī)發(fā)光裝置的剖視圖；圖55至圖61是圖52至圖54中示出的示例性有機(jī)發(fā)光裝置在其的根據(jù) 圖62是根據(jù)本發(fā)明的另一示例性實(shí)施例的示例性有機(jī)發(fā)光裝置的示例
性布局圖。
具體實(shí)施方式
在下文中將參照附圖更充分地描述本發(fā)明，在附圖中示出了本發(fā)明的示 例性實(shí)施例。然而，本發(fā)明可以以許多不同的形式來(lái)實(shí)施，且不應(yīng)該^皮解釋 為局限于在這里所提出的實(shí)施例。在附圖中，為了清晰起見，夸大了層、膜和區(qū)域的厚度。相同的標(biāo)號(hào)始 終表示相同的元件。應(yīng)該理解的是，當(dāng)元件(諸如層、膜、區(qū)域或基底)被 稱作在另一元件"上，，時(shí)，該元件可以直接在另一元件上，或者也可以存在 中間元件。相反，當(dāng)元件被稱作"直接"在另一元件"上"時(shí)，則不存在中 間元件。如在這里4吏用的術(shù)語(yǔ)"和/或"包括一個(gè)或多個(gè)相關(guān)所列項(xiàng)的任意組 合和所有組合。應(yīng)該理解的是，盡管在這里可使用術(shù)語(yǔ)第一、第二、第三等來(lái)描述不同 的元件、組件、區(qū)域、層和/或部分，但是這些元件、組件、區(qū)域、層和/或部 分不應(yīng)該受這些術(shù)語(yǔ)的限制。這些術(shù)語(yǔ)僅是用來(lái)將一個(gè)元件、組件、區(qū)域、 層或部分與另一個(gè)元件、組件、區(qū)域、層或部分區(qū)分開來(lái)。因此，在不脫離 本發(fā)明的教導(dǎo)的情況下，下面討論的第一元件、組件、區(qū)域、層或部分可被 命名為第二元件、組件、區(qū)域、層或部分。這里使用的術(shù)語(yǔ)僅為了描述特定實(shí)施例的目的，而不意圖限制本發(fā)明。 如這里所使用的，除非上下文另外明確指出，否則單數(shù)形式也意圖包括復(fù)數(shù) 形式。還應(yīng)理解的是，當(dāng)在本說(shuō)明書中使用術(shù)語(yǔ)"包含"和/或"包括"時(shí)， 說(shuō)明存在所述特征、區(qū)域、整體、步驟、操作、元件和/或組件，但不排除存 在或附加一個(gè)或多個(gè)其它特征、區(qū)域、整體、步驟、操作、元件、組件和/或 它們的組。為了方便描述，在這里可使用空間相對(duì)術(shù)語(yǔ)，如"在…之下"、"在…下 方"、"下面的"、"在…上方"、"上面的，，等，用來(lái)描述如圖中所示的一個(gè)元 件或特征與其它元件或特征的關(guān)系。應(yīng)該理解的是，空間相對(duì)術(shù)語(yǔ)意在包含 除了在附圖中描述的方位之外的裝置在使用或操作中的不同方位。例如，如 果附圖中的裝置一皮翻轉(zhuǎn)，則描述為"在"其它元件或特征"下方"或"之下" 的元件隨后將被定位為"在"其它元件或特征"上方"。因而，示例性術(shù)語(yǔ)"在... 下方"可包括"在…上方"和"在…下方"兩種方位。所述裝置可被另外定
位(旋轉(zhuǎn)90度或者在其它方位)，并對(duì)在這里使用的空間相對(duì)描述符做出相應(yīng)的解釋。除非另有定義，否則這里使用的所有術(shù)語(yǔ)(包括技術(shù)術(shù)語(yǔ)和科技術(shù)語(yǔ)) 具有與本發(fā)明所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員之一所通常理解的意思相同的意思。 還將理解的是，除非這里明確定義，否則術(shù)語(yǔ)(諸如在通用的字典中定義的 術(shù)語(yǔ))應(yīng)該被解釋為具有與相關(guān)領(lǐng)域的環(huán)境和本^^開中它們的意思相同的意 思，而將不以理想的或者過(guò)于正式的含義來(lái)解釋它們。在此參照作為本發(fā)明的理想實(shí)施例的示意圖的剖面圖來(lái)描述本發(fā)明的實(shí) 施例。這樣，預(yù)計(jì)會(huì)出現(xiàn)例如由制造技術(shù)和/或公差引起的圖示的形狀的變化。 因此，本發(fā)明的實(shí)施例不應(yīng)該被解釋為局限于在此示出的區(qū)域的具體形狀， 而將包括例如由制造導(dǎo)致的形狀偏差。例如，示出或描述為平坦的區(qū)域通常 具有粗糙的和/或非線性特征。此外，示出的銳角可被倒圓。因此，在圖中示 出的區(qū)域?qū)嵸|(zhì)上是示意性的，它們的形狀并不意圖示出區(qū)域的精確形狀，也 不意圖限制本發(fā)明的范圍?，F(xiàn)在，將參照?qǐng)D1詳細(xì)地描述根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光裝置。圖1是根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的示例性有機(jī)發(fā)光裝置的示例性像素 的等效電路圖。參照?qǐng)D1,根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光裝置顯示器包括多條信號(hào)線121、 171和172以及連接到所述多條信號(hào)線121、 171和172并基本 以矩陣布置的多個(gè)像素PX。信號(hào)線包括多條4冊(cè)極線121 ，用于傳輸4冊(cè)極信號(hào)(或掃描信號(hào))；多條 數(shù)據(jù)線171,用于傳輸數(shù)據(jù)信號(hào)；多條驅(qū)動(dòng)電壓線172，用于傳輸驅(qū)動(dòng)電壓。 柵極線121基本沿著行方向延伸，諸如沿著第一方向延伸，且彼此基本平行， 而數(shù)據(jù)線171和驅(qū)動(dòng)電壓線172基本沿著列方向延伸，諸如沿著第二方向延 伸，且彼此基本平行。第一方向可與第二方向基本垂直。每個(gè)像素PX包括開關(guān)晶體管Qs、驅(qū)動(dòng)晶體管Qd、電容器Cst和有機(jī)發(fā) 光二極管(OLED) LD。開關(guān)晶體管Qs具有控制端(諸如柵電極)，連接到柵極線121之一； 輸入端(諸如源電極)，連接到數(shù)據(jù)線171之一；輸出端(諸如漏電極)，連 接到驅(qū)動(dòng)晶體管Qd。開關(guān)晶體管Qs響應(yīng)施加到柵極線121的柵極信號(hào)而向驅(qū)動(dòng)晶體管Qd傳輸施加到數(shù)據(jù)線171的數(shù)據(jù)信號(hào)。驅(qū)動(dòng)晶體管Qd具有控制端(諸如柵電極)，連接到開關(guān)晶體管Qs;輸 入端(諸如源電極)，連接到驅(qū)動(dòng)電壓線172;輸出端(諸如漏電極)，連接 到OLEDLD。驅(qū)動(dòng)晶體管Qd驅(qū)動(dòng)具有取決于其控制端與輸出端之間的電壓 的大小的輸出電流ILD。電容器Cst連接在驅(qū)動(dòng)晶體管Qd的控制端與輸入端之間。電容器Cst存 儲(chǔ)施加到驅(qū)動(dòng)晶體管Qd的控制端的數(shù)據(jù)信號(hào)，并在開關(guān)晶體管Qs截止后保 持該數(shù)據(jù)信號(hào)。OLED LD具有連接到驅(qū)動(dòng)晶體管Qd的輸出端的陽(yáng)極和連接到共電壓 Vss的陰極。OLED LD發(fā)出具有取決于驅(qū)動(dòng)晶體管Qd的輸出電流ILD的強(qiáng) 度的光，從而顯示圖像。開關(guān)晶體管Qs和驅(qū)動(dòng)晶體管Qd是n溝道型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET )。然而， 開關(guān)晶體管Qs和驅(qū)動(dòng)晶體管Qd中的至少一個(gè)可為p溝道型FET。此外，雖 然已經(jīng)描述了特定的布置，但是在可選的示例性實(shí)施例中，可以改變晶體管 Qs和Qd、電容器Cst和OLEDLD之間的連接。[實(shí)施例1]參照?qǐng)D2和圖3,將詳細(xì)地描述根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的在圖1中 示出的有機(jī)發(fā)光裝置的詳細(xì)的結(jié)構(gòu)。圖2是根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的示例性有機(jī)發(fā)光裝置的示意性平面 圖，圖3是沿著線Ill-Ill截取的在圖2中示出的示例性有機(jī)發(fā)光裝置的剖視圖。在絕緣基底110上形成多個(gè)開關(guān)半導(dǎo)體島154a和驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體島154b， 其中，絕緣基底110由諸如透明的玻璃、石英或藍(lán)寶石的材料制成，但并不 局限于此，優(yōu)選地，開關(guān)半導(dǎo)體島154a和驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體島154b由微晶硅或多 晶硅制成。開關(guān)半導(dǎo)體島154a和驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體島154b彼此分離，驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體島154b 包括彼此分離并沿著垂直方向設(shè)置的第一部分154bl和第二部分154b2。換 言之，如下面將進(jìn)一步描述的，第一部分154bl和第二部分154b2沿著數(shù)據(jù) 線171和驅(qū)動(dòng)電壓線172的延伸方向i殳置。在開關(guān)半導(dǎo)體島154a和驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體島154b的中心部分上分別形成多個(gè) 蝕刻停止件(etch stopper) 147a和147b,其中，優(yōu)選地，蝕刻停止件147a和147b由諸如氮化硅或氧化硅的絕緣材料制成。每個(gè)蝕刻停止件147b包括兩個(gè)半環(huán)部分，在兩個(gè)半環(huán)部分之間i殳置有 預(yù)定的距離；兩個(gè)線性部分，連接兩個(gè)半環(huán)部分并具有開口。換言之，蝕刻 停止件147b包括橢圓形狀。蝕刻停止件147b的上部和下部分別與驅(qū)動(dòng)半導(dǎo) 體島154b的第一部分154bl和第二部分154b2疊置，且蝕刻停止件147b沿 著垂直和水平方向具有反向?qū)ΨQ。在蝕刻停止件147a和147b上、在開關(guān)半導(dǎo)體島154a和驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體島 154b上以及在絕緣基底110上形成多條數(shù)據(jù)線171、多條驅(qū)動(dòng)電壓線172以 及多個(gè)開關(guān)輸出電極175a和驅(qū)動(dòng)輸出電極175b。用于傳輸數(shù)據(jù)信號(hào)的數(shù)據(jù)線171基本沿著縱向方向(諸如第二方向)延 伸。每條數(shù)據(jù)線171包括多個(gè)開關(guān)輸入電極173a,延伸到開關(guān)半導(dǎo)體島154a 并與開關(guān)半導(dǎo)體島154a部分疊置；端部179,具有大面積，用于與另一層或 外部驅(qū)動(dòng)電路接觸。數(shù)據(jù)線171可延伸以與用于產(chǎn)生數(shù)據(jù)信號(hào)的數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電 路(未示出)直接連接，其中，數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電路可以與基底110集成。開關(guān)輸出電極175a與數(shù)據(jù)線171和驅(qū)動(dòng)電壓線172分離。開關(guān)輸出電極 175a與開關(guān)半導(dǎo)體島154a部分疊置。每一對(duì)開關(guān)輸入電極173a和開關(guān)輸出 電極175a相對(duì)于開關(guān)半導(dǎo)體島154a彼此相對(duì)地設(shè)置。用于傳輸驅(qū)動(dòng)電壓的驅(qū)動(dòng)電壓線172基本沿著縱向方向(諸如第二方向) 延伸，并與數(shù)據(jù)線171基本平行。每條驅(qū)動(dòng)電壓線172包括多個(gè)橋173bl; 多個(gè)驅(qū)動(dòng)輸入電極173b，與驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體島154b疊置并連接到橋173bl。橋 173bl可在驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體島154b的第一部分154bl與第二部分154b2之間延伸。 這里，驅(qū)動(dòng)輸入電極173b具有沿著縱向方向設(shè)置的連續(xù)的橢圓形狀(running oval shape )。驅(qū)動(dòng)輸入電極173b的中心部分與蝕刻停止件147b的開口疊置， 驅(qū)動(dòng)輸入電極173b的邊界部分與蝕刻停止件147b的內(nèi)部部分疊置。因此， 驅(qū)動(dòng)輸入電極173b的邊界線設(shè)置在與驅(qū)動(dòng)輸入電極173b疊置的蝕刻停止件 147b上，且驅(qū)動(dòng)輸入電極173b通過(guò)橋173bl連接到驅(qū)動(dòng)電壓線172。此外， 驅(qū)動(dòng)輸入電極173b相對(duì)于垂直線和水平線具有反向?qū)ΨQ。與數(shù)據(jù)線171和驅(qū)動(dòng)電壓線172分離的每個(gè)驅(qū)動(dòng)輸出電極175b包括第 一部分175bl;第二部分175b2;連接件175b3,將第一部分175bl和第二部 分175b2相互連接。驅(qū)動(dòng)輸出電極175b的第一部分175bl相對(duì)于蝕刻停止件 147b的上部與驅(qū)動(dòng)輸入電極173b的上部相對(duì)而不是連接到驅(qū)動(dòng)輸入電極
173b的上部，驅(qū)動(dòng)輸出電極175b的第二部分175b2相對(duì)于蝕刻停止件147b 的下部與驅(qū)動(dòng)輸入電極173b的下部相對(duì)而不是連接到驅(qū)動(dòng)輸入電極173b的 下部，其中，蝕刻停止件147b的上部和下部分別與驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體島154b的第 一部分154bl和第二部分154b2疊置。驅(qū)動(dòng)輸出電極175b的第一部分175bl 和第二部分I75b2的內(nèi)邊界線設(shè)置在蝕刻停止件147b上，使得驅(qū)動(dòng)輸出電極 175b的第一部分175M和第二部分175b2與蝕刻停止件147b的部分疊置。 驅(qū)動(dòng)輸出電極175b的第一部分175bl和第二部分175b2彼此反向?qū)ΨQ，且驅(qū) 動(dòng)輸出電極175b的第一部分175bl和第二部分175b2還分別相對(duì)于它們的垂 直中心線具有反向?qū)ΨQ。關(guān)于圖2，驅(qū)動(dòng)輸出電極175b的將第一部分175bl 和第二部分I75b2連接的連接件175b3具有寬面積，且設(shè)置在第一部分175bl 和第二部分175b2的左側(cè)。即，對(duì)于每個(gè)像素來(lái)說(shuō)，驅(qū)動(dòng)輸出電極175b的第 一部分175bl和第二部分175b2設(shè)置在驅(qū)動(dòng)電壓線172與連接件175b3之間。包括開關(guān)輸入電才及173a和端部179的數(shù)據(jù)線171 、包括驅(qū)動(dòng)輸入電極173b 的驅(qū)動(dòng)電壓線172、開關(guān)輸出電極175a和驅(qū)動(dòng)輸出電極175b可具有傾斜的邊 緣輪廓，且它們的傾斜角在大約30°至大約80。的范圍內(nèi)。多個(gè)成對(duì)的歐姆接觸163b和165b分別形成在驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體島154b與驅(qū)動(dòng) 輸入電極、驅(qū)動(dòng)輸出電極之間。歐姆接觸163b和165b分別具有與驅(qū)動(dòng)輸入 電極173b和驅(qū)動(dòng)輸出電極175b的形狀基本相同的平坦的形狀。優(yōu)選地，歐 姆接觸163b和165b由重?fù)诫s有n型雜質(zhì)(諸如磷)的n +氫化非晶石圭(a-Si) 或硅化物制成。歐姆接觸(未示出)還可設(shè)置在驅(qū)動(dòng)電壓線172的下方并具 有與驅(qū)動(dòng)電壓線172的形狀相同的平坦的形狀。此外，多個(gè)成對(duì)的歐姆接觸163a和165a分別形成在開關(guān)輸入電才及173a 和開關(guān)輸出電極175a的下方。歐姆接觸163a和165a分別具有與開關(guān)輸入電 極173a和開關(guān)輸出電極175a的形狀基本相同的平坦的形狀。歐姆接觸還可 設(shè)置在數(shù)據(jù)線171的下方并具有與lt據(jù)線171的形狀相同的平坦的形狀，諸 如通過(guò)在數(shù)據(jù)線171的端部179下方的歐姆接觸161b所示出的。在數(shù)據(jù)線171、驅(qū)動(dòng)電壓線172、開關(guān)輸出電極175a和驅(qū)動(dòng)輸出電極175b 上，以及在絕緣基底110、蝕刻停止件147a和147b的暴露的表面上形成柵極 絕緣層140，其中，優(yōu)選地，柵極絕緣層140由氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx) 制成。在柵極絕緣層140上形成多條柵極線121和多個(gè)驅(qū)動(dòng)控制電極124b。 用于傳輸柵極信號(hào)的柵極線121基本沿著一黃向方向(諸如第一方向)延伸，并與數(shù)據(jù)線171和驅(qū)動(dòng)電壓線172交叉。每條4冊(cè)極線121還包括端部 129，具有大面積，用于與另一層或外部驅(qū)動(dòng)電路接觸；開關(guān)控制電極124a, 從柵極線121向上突出，并與開關(guān)輸入電極173a和開關(guān)輸出電極175a之間 的開關(guān)半導(dǎo)體島154a疊置。柵極線121可延伸以直接連接到用于產(chǎn)生柵極信 號(hào)的柵極驅(qū)動(dòng)電路(未示出)，其中，柵極驅(qū)動(dòng)電路可與基底IIO集成。驅(qū)動(dòng)控制電極124b中的每個(gè)與柵極線121分離并具有連續(xù)的橢圓形狀。 驅(qū)動(dòng)控制電極124b分別與驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體島154b的第一部分154bl和第二部分 154b2以及驅(qū)動(dòng)輸出電才及175b的第一部分175bl和第二部分175b2疊置，且 驅(qū)動(dòng)控制電極124b的中心部分與蝕刻停止件147b的開口和驅(qū)動(dòng)輸入電極 173b疊置。柵極線121和驅(qū)動(dòng)控制電極124b的側(cè)面lateral side )相對(duì)于基底110的 表面傾斜，它們的傾斜角在大約30°至大約80°的范圍內(nèi)。在柵極線121和驅(qū)動(dòng)控制電極124b上以及在柵極絕緣層140的暴露的表 面上形成鈍化層180。鈍化層180和柵極絕緣層140具有多個(gè)接觸孔185a、 185b和182,其中， 接觸孔185a暴露開關(guān)輸出電極175a，接觸孔185b暴露驅(qū)動(dòng)輸出電極175b 的連接件175b3，接觸孔182暴露數(shù)據(jù)線171的端部179，鈍化層180具有暴 露端部129和驅(qū)動(dòng)控制電極124b的多個(gè)接觸孔181和184。在鈍化層180上形成多個(gè)像素電極191、多個(gè)連接構(gòu)件85和多個(gè)接觸輔 助件81和82。像素電極191通過(guò)接觸孔185b連接到開關(guān)輸出電極175b。連接構(gòu)件85通過(guò)接觸孔184連接到驅(qū)動(dòng)控制電極124b，通過(guò)接觸孔185a 連接到開關(guān)輸出電才及175a。接觸輔助件81通過(guò)接觸孔181連接到柵極線121的端部129,接觸輔助 件82通過(guò)接觸孔182連接到數(shù)據(jù)線171的端部179，接觸輔助件81和82保 護(hù)端部129和端部179，并增強(qiáng)端部129和端部179與外部裝置之間的附著。像素電極191、連接構(gòu)件85和接觸輔助件81和82可由諸如氧化銦錫 (ITO)或氧化銦鋅(IZO)的透明的導(dǎo)體制成，并且在頂部發(fā)射型中，像素 電極191、連接構(gòu)件85和接觸輔助件81和82可由不透明的導(dǎo)體制成，其中， 不透明的導(dǎo)體例如鋁Al或鋁的合金，或者由具有大的逸出功的金Au、柏Pt、 鎳M 、銅Cu或鴒W或它們的合金制成。在像素電極191 、連接構(gòu)件85和接觸輔助件81和82上形成分隔件 (partition) 361。分隔件361像堤岸(bank) —樣圍繞像素電極191以限定 開口 365。分隔件361可由有機(jī)絕緣體(諸如具有抗熱性質(zhì)和溶劑性的丙烯 酸樹脂(acrylic resin)和聚酰亞胺樹脂)或無(wú)機(jī)絕緣體(諸如二氧化硅(Si02) 和二氧化鈦(Ti02))制成，并可具有多層結(jié)構(gòu)。分隔件361可由含有黑色顏 料的光敏材料制成，使得黑色分隔件361可用作阻光構(gòu)件，并可簡(jiǎn)化分隔件 361的形成。多個(gè)發(fā)光構(gòu)件370形成在像素電極191上，并一皮限制在由分隔件361限 定的開口 365中。發(fā)光構(gòu)件370中的每個(gè)可具有包括發(fā)射層(未示出)和輔助層(未示出) 的多層結(jié)構(gòu)，其中，發(fā)射層用于發(fā)光，輔助層用于提高發(fā)射層的光發(fā)射的效率。優(yōu)選地，僅發(fā)出一組顏色(諸如原色)中的一種顏色(諸如紅色、綠色 和藍(lán)色)的光的發(fā)光構(gòu)件370分別布置在每個(gè)像素中，發(fā)出三種顏色(諸如 紅色、綠色和藍(lán)色)的光的發(fā)光構(gòu)件370可以以垂直沉積或水平沉積全部布 置在一個(gè)像素中，以在發(fā)出諸如紅色、綠色和藍(lán)色的顏色中的一種顏色的光 的濾色器的下方或上方形成白色發(fā)射層。這里，在底部發(fā)射型中，濾色器可設(shè)置在發(fā)射層的下方，在頂部發(fā)射型 中，濾色器可設(shè)置在發(fā)射層之上。此外，可通過(guò)進(jìn)一步包括以條紋形狀布置或格子形狀布置的白色像素 (W)以及紅色像素(R)、綠色像素(G)和藍(lán)色像素(B)來(lái)提高亮度。在發(fā)光構(gòu)件370和分隔件361上形成共電才及270。共電極270形成在整個(gè)基底110或至少基本整個(gè)基底110上，并與像素 電極191合作向發(fā)光構(gòu)件370提供電流。在上述有機(jī)發(fā)光裝置中，連接到柵極線121的開關(guān)控制電極124a、連接 到數(shù)據(jù)線171的開關(guān)輸入電極173a和開關(guān)輸出電極175a與開關(guān)半導(dǎo)體島154a 一起形成開關(guān)薄膜晶體管(TFT)Qs，該開關(guān)薄膜晶體管Qs具有形成在設(shè)置 在開關(guān)輸入電極173a與開關(guān)輸出電極175a之間的開關(guān)半導(dǎo)體島154a中的溝 道。同樣，連接到開關(guān)輸出電極175a的驅(qū)動(dòng)控制電極124b、連接到驅(qū)動(dòng)電壓 線172的驅(qū)動(dòng)輸入電極173b和連接到像素電極191的驅(qū)動(dòng)輸出電極175b與
驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體島154b —起形成驅(qū)動(dòng)TFT Qd，該驅(qū)動(dòng)TFT Qd具有設(shè)置在驅(qū)動(dòng) 輸入電極173b與驅(qū)動(dòng)輸出電極175b之間的形成在驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體島154b中的溝道。雖然根據(jù)這個(gè)實(shí)施例的OLED顯示器包括具有一個(gè)開關(guān)TFT Qs和一個(gè) 驅(qū)動(dòng)TFTQd的多個(gè)像素，但是在可選的示例性實(shí)施例中，可包括其它TFT 和用于驅(qū)動(dòng)這些TFT的布線，以防止驅(qū)動(dòng)TFT Qd的退化并防止OLED顯示器的壽命縮短。像素電極191 、發(fā)光構(gòu)件370和共電極270形成OLED LD，該OLED LD 具有用作陽(yáng)極的像素電極191和用作陰極的共電極270,或者該OLED LD具 有用作陽(yáng)極的共電極270和用作陰極的像素電極191。存儲(chǔ)電極和驅(qū)動(dòng)電壓 線172的疊置部分形成存儲(chǔ)電容器Cst。雖然根據(jù)這個(gè)示例性實(shí)施例的OLED顯示器包括連接到驅(qū)動(dòng)電壓線172 的一側(cè)的一個(gè)驅(qū)動(dòng)TFTQd，但是驅(qū)動(dòng)TFTQd可對(duì)稱地連接到驅(qū)動(dòng)電壓線172 的兩側(cè)，且驅(qū)動(dòng)電壓線172可被劃分為兩個(gè)部分。在這種結(jié)構(gòu)中，可相對(duì)于 相鄰的兩條數(shù)據(jù)線171來(lái)布置一條驅(qū)動(dòng)電壓線172，且相鄰的兩個(gè)像素行共 同具有同一驅(qū)動(dòng)電壓線172。驅(qū)動(dòng)電壓線172可連接到相鄰的兩個(gè)像素行的 馬區(qū)動(dòng)TFT Qd。現(xiàn)在，參照?qǐng)D4至圖15以及圖2和圖3描述在圖2和圖3中示出的示例 性顯示面板的示例性制造方法。圖4、圖6、圖8、圖10、圖12和圖14是圖2和圖3中示出的示例性有 機(jī)發(fā)光裝置在其的根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的示例性制造方法的中間步驟中的布局圖，圖5、圖7、圖9、圖ii、圖13和圖15是分別沿著線v-v、vn-vn、IX-IX、 XI-XI、 xni-xni和xv-xv截取的在圖4、圖6、圖8、圖10、圖12和圖14中示出的示例性有機(jī)發(fā)光裝置的剖視圖。如圖4和圖5中所示，在由諸如透明的玻璃、石英或藍(lán)寶石的材料制成 的絕緣基底110上，沉積a-Si然后將其晶化或者沉積多晶硅，以形成多晶硅層。接下來(lái)，通過(guò)光刻將多晶硅層圖案化，以形成多個(gè)開關(guān)半導(dǎo)體島154a和 多個(gè)驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體島154b，其中，驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體島154b包括第一部分154bl和 第二部分154b2。接下來(lái)，如圖6和圖7中所示，在基底H0上沉積由氮化硅或氧化硅制
成的絕緣層，并將其圖案化，以在開關(guān)半導(dǎo)體島154a上形成具有條狀的多個(gè) 蝕刻停止件147a以及在驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體島154b上形成具有連續(xù)的橢圓形狀的多 個(gè)蝕刻停止件147b。其后，為了使開關(guān)半導(dǎo)體島154a和驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體島154b的暴露的表面穩(wěn)定，執(zhí)行H2等離子體處理。然后，如圖8和圖9中所示，順序地沉積摻雜有雜質(zhì)的a-Si層或微晶硅 層、導(dǎo)電層，通過(guò)光刻將導(dǎo)電層圖案化，以形成包括開關(guān)輸入電極173a和端 部179的多條數(shù)據(jù)線171、多個(gè)開關(guān)輸出電極175a、包括驅(qū)動(dòng)輸入電極173b 的多條驅(qū)動(dòng)電壓線172和多個(gè)驅(qū)動(dòng)輸出電極175b。接下來(lái)，去除被暴露的硅 層，以分別形成多個(gè)成對(duì)的歐姆接觸163a和165a以及多個(gè)成對(duì)的歐姆接觸 163b和165b,并形成在數(shù)據(jù)線171和驅(qū)動(dòng)電壓線172下方的歐姆接觸。接下來(lái)，如圖10和圖11中所示，在數(shù)據(jù)導(dǎo)體171、 172、 175a和175b 上以及在基底110的暴露部分上形成由氮化硅制成的柵極絕緣層140,在柵 極絕緣層上濺射導(dǎo)電層，并對(duì)導(dǎo)電層進(jìn)行光蝕刻，以形成包括開關(guān)控制電極 124a和端部129的多條4冊(cè)才及線121及多個(gè)驅(qū)動(dòng)控制電極124b。參照?qǐng)D12和圖13，通過(guò)化學(xué)氣相沉積(CVD)和印刷等沉積鈍化層180, 并將鈍化層180與柵極絕緣層140 —起圖案化，以形成多個(gè)接觸孔181、 182、 184、 185a和185b。接下來(lái)，如圖14和圖15中所示，通過(guò)賊射等在鈍化層180上沉積透明 的導(dǎo)電膜，并對(duì)該透明的導(dǎo)電膜進(jìn)行光蝕刻，以形成多個(gè)像素電極191、多 個(gè)連接構(gòu)件85和多個(gè)"l妻觸輔助件81和82。再次參照?qǐng)D2和圖3，旋轉(zhuǎn)涂覆光敏有機(jī)絕緣體，并將其曝光和顯影， 以形成具有開口 365的分隔件361，其中，開口 365部分地暴露像素電極191。接下來(lái)，在開口 365中的像素電極191上形成包括電子傳輸層、空穴傳 輸層和發(fā)射層的多個(gè)有機(jī)發(fā)光構(gòu)件370。在根據(jù)本發(fā)明的示例性有機(jī)發(fā)光裝置的示例性制造方法中，相互疊置的的垂直中心線或水平中心線對(duì)稱。因此，即使驅(qū)動(dòng)輸入電極173b、驅(qū)動(dòng)輸出 電極175b和蝕刻停止件147b在制造過(guò)程中發(fā)生錯(cuò)位，驅(qū)動(dòng)輸入電極173b、 驅(qū)動(dòng)輸出電極175b和蝕刻停止件147b的疊置部分也相互補(bǔ)償，疊置部分可 被均勻地保持。因而，即使在制造過(guò)程中產(chǎn)生錯(cuò)位，驅(qū)動(dòng)電壓被驅(qū)動(dòng)輸入電
極173b和驅(qū)動(dòng)輸出電極175b阻擋的偏移區(qū)域(off-set region)也可被均勻地 保持，從而可獲得驅(qū)動(dòng)TFT的均勻的特性，使得提高顯示裝置的質(zhì)量。 [實(shí)施例2]參照?qǐng)D16和圖17,將詳細(xì)地描述才艮據(jù)本發(fā)明的另一示例性實(shí)施例的在 圖1中示出的示例性有機(jī)發(fā)光裝置的詳細(xì)的結(jié)構(gòu)。圖16是根據(jù)本發(fā)明的另一示例性實(shí)施例的示例性有機(jī)發(fā)光裝置的示例 性布局圖，圖17是沿著線XVII-XVII截取的在圖16中示出的示例性有機(jī)發(fā) 光裝置的剖視圖。為了方便描述，在根據(jù)本發(fā)明的這個(gè)實(shí)施例的描述中省略 對(duì)具有與先前的實(shí)施例中的功能相同或基本相同的功能的元件的詳細(xì)的描 述。在絕緣基底110上形成包括第一部分154bl和第二部分154b2的多個(gè)驅(qū) 動(dòng)半導(dǎo)體島154b,其中，優(yōu)選地，驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體島154b由晶體硅制成；在第 一部分154bl和第二部分154b2以及在絕緣基底110上形成具有連續(xù)的橢圓 形狀的多個(gè)蝕刻停止件147b，其中，優(yōu)選地，蝕刻停止件147b由絕緣材料制成。在基底110、驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體島154b和蝕刻停止件147b上形成包括開關(guān)控 制電極124a和端部129的多條柵極線121 、多個(gè)驅(qū)動(dòng)輸入電極173b和多個(gè)驅(qū) 動(dòng)輸出電極175b。驅(qū)動(dòng)輸入電極173b與蝕刻停止件147b的內(nèi)邊界疊置，驅(qū) 動(dòng)輸出電極175b包括第一部分175bl、第二部分175b2和連接件175b3，其 中，第一部分175bl和第二部分175b2與蝕刻停止件147b疊置，連接件175b3 將第一部分I75bl和第二部分175b2相互連接。多個(gè)成對(duì)的歐姆接觸163b和165b分別形成在半導(dǎo)體島154b與驅(qū)動(dòng)輸入 電極173b、驅(qū)動(dòng)輸出電極175b之間。歐姆接觸161a設(shè)置在柵極線121的下 方并具有與^fr極線121的形狀相同的平坦的形狀。在柵極線121、驅(qū)動(dòng)輸入電極173b、驅(qū)動(dòng)輸出電極175b和驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體島 154b上以及在絕緣基底110的暴露的表面上形成柵極絕緣層140。在柵極絕緣層140上形成與開關(guān)控制電極124a疊置的多個(gè)開關(guān)半導(dǎo)體島 154a，其中，優(yōu)選地，開關(guān)半導(dǎo)體島154a由a-Si制成。在開關(guān)半導(dǎo)體島154a和柵極絕緣層140上形成包括開關(guān)輸入電極173a 和端部179的多條數(shù)據(jù)線171、多個(gè)開關(guān)輸出電極175a、多個(gè)驅(qū)動(dòng)控制電極 124b和多條驅(qū)動(dòng)電壓線172，其中，驅(qū)動(dòng)控制電極124b例如通過(guò)連接部分174連接到開關(guān)輸出電極175a。驅(qū)動(dòng)輸入電極173b具有向著驅(qū)動(dòng)電壓線172 延伸的多個(gè)橋173bl。多個(gè)成對(duì)的歐姆4妻觸163a和165a分別形成在開關(guān)輸入電才及173a、開關(guān) 輸出電極175a與開關(guān)半導(dǎo)體島154a之間。在數(shù)據(jù)線171、開關(guān)輸出電極175a、驅(qū)動(dòng)控制電才及124b和驅(qū)動(dòng)電壓線172 上以及在柵極絕緣層140的暴露的部分上形成鈍化層180。鈍化層180和柵極絕緣層140具有多個(gè)接觸孔181、 185b和187，其中， 接觸孔181暴露柵極線121的端部129,接觸孔185b暴露驅(qū)動(dòng)輸出電極175b 的連接件175b3,接觸孔187暴露驅(qū)動(dòng)輸入電極173b的橋173bl，鈍化層180 具有多個(gè)接觸孔186和182,其中，接觸孔186暴露驅(qū)動(dòng)電壓線172的與驅(qū) 動(dòng)輸入電極173b鄰近的部分，接觸孔182暴露數(shù)據(jù)線171的端部179。在鈍化層180上形成多個(gè)像素電極191、多個(gè)連接構(gòu)件86和多個(gè)接觸輔 助件81和82,其中，像素電極191連接到驅(qū)動(dòng)輸出電極175b,連接構(gòu)件86 將驅(qū)動(dòng)電壓線172與驅(qū)動(dòng)輸入電極173b連接，接觸輔助件81和82分別連接 到端部129和端部179。如上所述，根據(jù)這個(gè)實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光裝置的開關(guān)半導(dǎo)體島154a由a-Si 制成，而根據(jù)這個(gè)實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光裝置的驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體島154b由微晶硅或多 晶硅制成。因此，開關(guān)TFTQs的溝道包含a-Si,而驅(qū)動(dòng)TFTQd的溝道包 含微晶硅或多晶硅。驅(qū)動(dòng)TFTQd可包括微晶硅或多晶硅的溝道，使得驅(qū)動(dòng)TFTQd可具有載 流子遷移率和穩(wěn)定性。因此，在驅(qū)動(dòng)TFTQd中流動(dòng)的電流可增加，以提高 根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的OLED的亮度。此外，可以排除由于在驅(qū)動(dòng) OLED的過(guò)程中施加恒定的(constant)正電壓而導(dǎo)致的所謂的閾值電壓漂移 (threshold voltage shift)現(xiàn)象，從而不產(chǎn)生圖像殘留現(xiàn)象且OLED的壽命不 會(huì)減少。同時(shí)，開關(guān)TFT Qs的溝道包含具有低的截止電流(off current)的a-Si。 因此，可使得用于控制數(shù)據(jù)電壓的開關(guān)TFT Qs的導(dǎo)通/截止特性得到良好的 保持，具體地講，可使得截止電流的降低得到良好的保持，從而可防止由于 高的截止電流而導(dǎo)致的數(shù)據(jù)電壓的降低，且可減少OLED的串?dāng)_現(xiàn)象。如果 開關(guān)TFTQs的溝道包含微晶硅或多晶硅而不是a-Si的話，那么開關(guān)TFTQs 的截止電流會(huì)變高，從而導(dǎo)致數(shù)據(jù)電壓降低并導(dǎo)致OLED的串?dāng)_現(xiàn)象的發(fā)生。
如上所述，根據(jù)這個(gè)實(shí)施例的OLED顯示器的開關(guān)TFT Qs和驅(qū)動(dòng)TFT Qd 具有由不同的材料制成的溝道，從而可滿足開關(guān)TFT和驅(qū)動(dòng)TFT的期望的特性?，F(xiàn)在，參照?qǐng)D18至圖31以及圖16和圖17描述在圖16和圖17中示出 的示例性顯示面板的示例性制造方法。圖18、圖20、圖22、圖24、圖26、圖28和圖30是圖16和圖17中示 出的示例性有機(jī)發(fā)光裝置在其的根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的示例性制造方 法的中間步驟中的布局圖，圖19、圖21、圖23、圖25、圖27、圖29和圖3i是分別沿著線xix-xix、 xxi-xxi、 xxin-xxin、 xxv-xxv、XXVII-XXVII、 XXIX-XXIX和XXXI畫XXXI截取的在圖18、圖20、圖22、圖24、圖26、圖28和圖30中示出的示例性有機(jī)發(fā)光裝置的剖視圖。如圖18和圖19中所示，在絕》彖基底110上，沉積a-Si然后將其晶化或者沉積多晶硅，以形成多晶硅層。接下來(lái)，通過(guò)光刻將多晶硅層圖案化，以形成多個(gè)驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體島154b。 接下來(lái)，如圖20和圖21中所示，在基底IIO上沉積絕緣層，并將其圖案化，以在驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體島154b和基底IIO上形成具有連續(xù)的橢圓形狀的多個(gè)蝕刻停止件147b。然后，如圖22和圖23中所示，順序地沉積摻雜有雜質(zhì)的a-Si層或微晶 硅層、導(dǎo)電層，通過(guò)光刻將導(dǎo)電層圖案化，以形成包括開關(guān)控制電極124a和 端部129的多條柵極線121、多個(gè)驅(qū)動(dòng)輸入電極173b和多個(gè)驅(qū)動(dòng)輸出電極 175b。接下來(lái)，去除被暴露的硅層，以分別形成多個(gè)成對(duì)的歐姆接觸163b和 165b。此外，可在4冊(cè);f及線121的下方形成歐姆接觸層161a。接下來(lái)，如圖24和圖25中所示，在柵極線121、驅(qū)動(dòng)輸入電極173b和 驅(qū)動(dòng)輸出電極175b上以及在基底110的暴露的部分上順序地形成由氮化硅制 成的柵極絕緣層140、本征硅層和非本征硅層，對(duì)本征硅層和非本征硅層進(jìn) 行光蝕刻，以在柵極絕緣層140上形成多個(gè)開關(guān)半導(dǎo)體島154a和多個(gè)歐姆接 觸層164a。接下來(lái)，如圖26和圖27中所示，在開關(guān)半導(dǎo)體島154a、歐姆接觸層164a 和柵極絕緣層140上沉積導(dǎo)電層，通過(guò)光刻將導(dǎo)電層圖案化，以形成多條數(shù) 據(jù)線171、多個(gè)開關(guān)輸出電極175a、多條驅(qū)動(dòng)電壓線172和多個(gè)驅(qū)動(dòng)控制電 極124b,其中，數(shù)據(jù)線171包括開關(guān)輸入電極173a和端部179，驅(qū)動(dòng)控制電
極124b例如通過(guò)連接部分174連接到開關(guān)輸出電極175a。接下來(lái)，去除歐姆 接觸層164a的暴露的部分，以分別形成多個(gè)成對(duì)的歐姆4妄觸163a和165a。 參照?qǐng)D28和圖29，通過(guò)CVD、印刷等沉積鈍化層180，將鈍化層180 與柵極絕緣層140—起圖案化，以形成多個(gè)接觸孔181、 182、 186、 187和 185b。接下來(lái)，如圖30和圖31中所示，通過(guò)濺射等在鈍化層180上沉積透明 的導(dǎo)電膜，對(duì)透明的導(dǎo)電膜進(jìn)行光蝕刻，以形成多個(gè)像素電極191、多個(gè)連 接構(gòu)件86和多個(gè)接觸輔助件81和82。接下來(lái)的制造過(guò)程可以與先前的實(shí)施例的制造過(guò)程相同。這個(gè)實(shí)施例也可獲得與先前的實(shí)施例的效果和優(yōu)點(diǎn)相同的效果和優(yōu)點(diǎn)。
參照?qǐng)D32和圖33，將詳細(xì)地描述根據(jù)本發(fā)明的另一示例性實(shí)施例的在 圖1中示出的示例性有機(jī)發(fā)光裝置的詳細(xì)的結(jié)構(gòu)。圖32是根據(jù)本發(fā)明的另 一示例性實(shí)施例的示例性有機(jī)發(fā)光裝置的示例性布局圖，圖33是沿著線xxxm-xxxin截取的在圖32中示出的示例性有機(jī)發(fā)光裝置的剖視圖。為了方便描述，在根據(jù)本發(fā)明的這個(gè)實(shí)施例的描述中， 省略對(duì)具有與先前的實(shí)施例中的功能相同或基本相同的功能的元件的詳細(xì)的描述。在絕緣基底110上形成包括第一部分154bl和第二部分154b2的多個(gè)驅(qū)形狀的多個(gè)蝕刻停止件147b。在基底110、驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體島154b和蝕刻停止件147b上形成多條驅(qū)動(dòng)電 壓線172和多個(gè)驅(qū)動(dòng)輸出電極175b,其中，驅(qū)動(dòng)電壓線172包括連接部分 173bl和與蝕刻停止件147b的內(nèi)邊界疊置的驅(qū)動(dòng)輸入電極173b，驅(qū)動(dòng)輸出電 極175b包括分別與蝕刻停止件147b的上部和下部疊置的第一部分175bl和 第二部分175b2。多個(gè)成對(duì)的歐姆接觸163b和165b分別形成在半導(dǎo)體島154b與驅(qū)動(dòng)輸入 電極173b、驅(qū)動(dòng)輸出電極175b之間。也可在驅(qū)動(dòng)電壓線172的下方設(shè)置具有與驅(qū)動(dòng)電壓線172的形狀相同的 平坦的形狀的歐姆^f妻觸(未示出)。第一柵極絕緣層140覆蓋基底110、驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體島154b、蝕刻停止件147b、驅(qū)動(dòng)電壓線172和驅(qū)動(dòng)輸出電極175b,且在第一柵極絕緣層140上形 成多條柵極線121和多個(gè)驅(qū)動(dòng)控制電極124b,其中，柵極線121包括開關(guān)控 制電極124a和端部129，驅(qū)動(dòng)控制電極124b與蝕刻停止件147b疊置。在第一柵極絕緣層140上形成覆蓋柵極線121和驅(qū)動(dòng)控制電極124b的第 二柵極絕緣層145，在第二柵極絕緣層145上形成由a-Si制成并與開關(guān)控制 電極124a疊置的多個(gè)開關(guān)半導(dǎo)體島154a。在第二柵極絕緣層145和開關(guān)半導(dǎo)體島154a上形成多條數(shù)據(jù)線171和多 個(gè)開關(guān)輸出電極175a,其中，數(shù)據(jù)線171包括開關(guān)輸入電極173a和端部179。多個(gè)成對(duì)的歐姆接觸163a和165a分別形成在開關(guān)輸入電極173a、開關(guān) 輸出電極175a與開關(guān)半導(dǎo)體島154a之間。在數(shù)據(jù)線171和開關(guān)輸出電極175a上以及在第二柵極絕緣層145的暴露 的部分上形成鈍化層180。鈍化層180具有多個(gè)接觸孔185a和182，其中，接觸孔185a和182分 別暴露開關(guān)輸出電極175a和數(shù)據(jù)線171的端部179。鈍化層180和第二柵極 絕緣層145具有多個(gè)接觸孔181和184，其中，接觸孔181和184分別暴露 柵極線121的端部129和驅(qū)動(dòng)控制電極124b,鈍化層180和第一及第二柵極 絕緣層140及145具有多個(gè)接觸孔185b，其中，接觸孔185b暴露驅(qū)動(dòng)輸出 電極175b的連4妻件175b3。在鈍化層180上形成多個(gè)像素電極191、多個(gè)連接構(gòu)件85和多個(gè)接觸輔 助件81和82，其中，像素電極191連接到驅(qū)動(dòng)輸出電極175b,連接構(gòu)件85 將驅(qū)動(dòng)控制電極124b與開關(guān)輸出電極175a連接，接觸輔助件81和82分別 連接到端部129和端部179。如上所述，根據(jù)這個(gè)實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光裝置的開關(guān)半導(dǎo)體島154a由a-Si 制成，而根據(jù)這個(gè)實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光裝置的驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體島154b由微晶硅或多 晶硅制成。因此，才艮據(jù)這個(gè)實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光裝置的開關(guān)TFTQs和驅(qū)動(dòng)TFT Qd具有由不同的材料制成的溝道，從而可滿足開關(guān)TFT Qs和驅(qū)動(dòng)TFT Qd 的期望的特性?，F(xiàn)在，參照?qǐng)D34至圖49以及圖32和圖33描述在圖32和圖33中示出 的示例性顯示面板的示例性制造方法。圖34、圖36、圖38、圖40、圖42、圖44、圖46和圖48是圖32和圖 33中示出的示例性有機(jī)發(fā)光裝置在其的根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的示例性
制造方法的中間步驟中的布局圖，圖35、圖37、圖39、圖41、圖43、圖45、 圖47和圖 49是分另'J沿著線XXXV-XXXV 、 XXXVII-XXXVII 、 XXXIX-XXXIX 、 XLI-XLI 、 XLIII-XLIII 、 XLV-XLV 、 XLVII-XLVII和 XLIX-XLIX截取的在圖34、圖36、圖38、圖40、圖42、圖44、圖46和圖 48中示出的示例性有機(jī)發(fā)光裝置的剖視圖。如圖34和圖35中所示，沉積晶體硅層，通過(guò)光刻將晶體硅層圖案化， 以在絕緣基底IIO上形成多個(gè)驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體島154b。接下來(lái)，如圖36和圖37中所示，在基底IIO上沉積絕緣層，并將絕緣多個(gè)蝕刻停止件147b。然后，如圖38和圖39中所示，順序地沉積4^雜有雜質(zhì)的a-Si層或^f敫晶 硅層、導(dǎo)電層，通過(guò)光刻將導(dǎo)電層圖案化，以形成包括驅(qū)動(dòng)輸入電極173b的 多條驅(qū)動(dòng)電壓線172和多個(gè)驅(qū)動(dòng)輸出電極175b。接下來(lái)，去除被暴露的硅層， 以形成多個(gè)成對(duì)的歐姆接觸163b和165b,以及形成在驅(qū)動(dòng)電壓線172下方 的多個(gè)歐姆接觸(未示出)。接下來(lái)，如圖40和圖41中所示，沉積第一4冊(cè)^l絕緣層140,然后沉積 導(dǎo)電層并通過(guò)光刻將導(dǎo)電層圖案化，以形成包括開關(guān)控制電極124a和端部 129的多條柵極線121和多個(gè)驅(qū)動(dòng)控制電極124b。接下來(lái)，如圖42和圖43中所示，在柵極線121、驅(qū)動(dòng)控制電極124b上 以及在第一柵極絕緣層140的暴露的部分上順序地形成由氮化硅制成的第二 柵極絕緣層145、本征硅層和非本征硅層，對(duì)本征硅層和非本征硅層進(jìn)行光 蝕刻，以形成多個(gè)開關(guān)半導(dǎo)體島154a和多個(gè)歐姆接觸層164a。接下來(lái)，如圖44和圖45中所示，在開關(guān)半導(dǎo)體島154a、歐姆接觸層164a 和第二柵極絕緣層145上沉積導(dǎo)電層，通過(guò)光刻將導(dǎo)電層圖案化，以形成多 條數(shù)據(jù)線171和多個(gè)開關(guān)輸出電極175a，其中，翁:據(jù)線171包括開關(guān)輸入電 極173a和端部179。接下來(lái)，去除歐姆接觸層164a的暴露的部分，以分別形 成多個(gè)成對(duì)的歐姆接觸163a和165a。參照?qǐng)D46和圖47,通過(guò)CVD、印刷等沉積鈍化層180,將鈍化層180 與第一柵極絕緣層140和第二柵極絕緣層145 —起圖案化，以形成多個(gè)接觸 孔181、 182、 184、 185a和185b。接下來(lái)，如圖48和圖49中所示，通過(guò)賊射等在#/[匕層180上沉積透明的導(dǎo)電膜，對(duì)透明的導(dǎo)電膜進(jìn)行光蝕刻，以形成多個(gè)像素電極191、多個(gè)連接構(gòu)件85和多個(gè)接觸輔助件81和82。接下來(lái)的制造過(guò)程可以與先前的實(shí)施例的制造過(guò)程相同或基本相同，因 此可以參照上述實(shí)施例來(lái)描述隨后的制造過(guò)程。這個(gè)實(shí)施例也可獲得與先前的實(shí)施例的效果和優(yōu)點(diǎn)相同的效果和優(yōu)點(diǎn)。如上所述，根據(jù)半導(dǎo)體的類型，柵極線、驅(qū)動(dòng)電壓線和數(shù)據(jù)線的位置， 驅(qū)動(dòng)TFT和開關(guān)TFT的晶體^5圭或a-Si,以及耳又決于連4妄關(guān)系的雙層結(jié)構(gòu)和三 層結(jié)構(gòu)的金屬層，提供了各種有機(jī)發(fā)光裝置的實(shí)施例。然而，在可選的示例 性實(shí)施例中，驅(qū)動(dòng)TFT可以相對(duì)于驅(qū)動(dòng)電壓線以對(duì)稱的結(jié)構(gòu)布置，驅(qū)動(dòng)電壓 線可形成為與柵極線平行，層結(jié)構(gòu)和布局結(jié)構(gòu)(layout structure )可以改變?，F(xiàn)在，如下面所將要描述的，在各種示例性實(shí)施例的情況下，將參照附 圖描述驅(qū)動(dòng)TFT的結(jié)構(gòu)，且由于與先前的實(shí)施例的結(jié)構(gòu)相同的結(jié)構(gòu)可適用于 下面的實(shí)施例，所以將省略關(guān)于開關(guān)TFT和像素結(jié)構(gòu)的描述。[實(shí)施例4]圖50是在根據(jù)本發(fā)明的另一示例性實(shí)施例的示例性有機(jī)發(fā)光裝置中的 示例性驅(qū)動(dòng)TFT的示例性布局圖。在根據(jù)本發(fā)明的這個(gè)示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光裝置中，驅(qū)動(dòng)TFT相對(duì)于 驅(qū)動(dòng)TFT的垂直中心線對(duì)稱，且驅(qū)動(dòng)TFT具有驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體154b、蝕刻停止 件147b、驅(qū)動(dòng)輸入電極173b和驅(qū)動(dòng)輸出電極175b，其中，驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體154b 包括第一部分154bl和第二部分154b2,蝕刻停止件147b包括第一部分147bl 和第二部分I47b2,驅(qū)動(dòng)輸入電極173b包括第一部分173M和第二部分173b2: 驅(qū)動(dòng)輸出電極175b包括第一部分175bl和第二部分175b2。驅(qū)動(dòng)輸入電極 173b的第一部分173M連接到左邊或第一驅(qū)動(dòng)電壓線172bl，驅(qū)動(dòng)輸入電極 173b的第二部分173b2連接到右邊或第二驅(qū)動(dòng)電壓線172b2。由于蝕刻停止件147b的第一部分147bl和第二部分147b2具有馬^帝形 狀，所以蝕刻停止件147b的第一部分147bl和第二部分147b2與驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體 154b的第一部分154bl和第二部分154b2相互疊置，且疊置部分也具有馬蹄 形狀。蝕刻停止件147b與驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體154b的內(nèi)疊置部分分別與驅(qū)動(dòng)輸出電 極175b的第一部分175bl和第二部分175b2疊置成馬蹄形狀，蝕刻停止件 147b與驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體154b的外疊置部分分別與驅(qū)動(dòng)輸入電極173b的第一部分 173bl和第二部分173b2疊置，其中，驅(qū)動(dòng)輸入電極173b的第一部分173bl 和第二部分173b2與驅(qū)動(dòng)輸出電極175b的第一部分175bl和第二部分175b2 類似。驅(qū)動(dòng)輸入電極173b的第一部分173bl與驅(qū)動(dòng)輸出電極175b的第一部 分175bl之間以及驅(qū)動(dòng)輸入電極173b的第二部分173b2與驅(qū)動(dòng)輸出電極175b 的第二部分175b2之間的均勻間隔的間隙也具有馬3帝形狀。蝕刻停止件147b、 驅(qū)動(dòng)輸入電極173b和驅(qū)動(dòng)輸出電極175b相對(duì)于垂直線和水平線反向?qū)ΨQ， 即第一線和第二線將蝕刻停止件147b、驅(qū)動(dòng)輸入電極173b和驅(qū)動(dòng)輸出電極 175b劃分為兩個(gè)部分，其中，第一線和第二線分別與驅(qū)動(dòng)電壓線172bl和 172b2基本平行地延伸和基本垂直地延伸。像素電極191包括突出191b，其中，突出191b朝著驅(qū)動(dòng)輸出電極175b 的第一部分175bl和第二部分175b2延伸，且突出191b通過(guò)接觸孔185bl和 185b2連接到驅(qū)動(dòng)輸出電極175b的第一部分175bl和第二部分175b2。此外，驅(qū)動(dòng)控制電極124b具有連續(xù)的橢圓形狀，并與蝕刻停止件147b、 驅(qū)動(dòng)輸出電極175b、驅(qū)動(dòng)輸入電極173b和驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體154b疊置。在根據(jù)本發(fā)明的這個(gè)示例性有機(jī)發(fā)光裝置中，驅(qū)動(dòng)輸入電極173b、驅(qū)動(dòng) 輸出電極175b和蝕刻停止件147b分別相對(duì)于它們的垂直中心線或水平中心 線反向?qū)ΨQ。因此，即使驅(qū)動(dòng)輸入電極173b、驅(qū)動(dòng)輸出電極175b和蝕刻停 止件147b在上/下方向和/或左/右方向錯(cuò)位，驅(qū)動(dòng)TFT的特性也保持均勻。例 如，如果驅(qū)動(dòng)輸入電極173b、驅(qū)動(dòng)輸出電極175b和蝕刻停止件147b發(fā)生錯(cuò) 位，那么驅(qū)動(dòng)TFT的一個(gè)溝道部分或偏移區(qū)域變得較窄。然而，在補(bǔ)償?shù)牟?分上，驅(qū)動(dòng)TFT的其它溝道部分或偏移區(qū)域變得較寬。因此，驅(qū)動(dòng)TFT的特 性不發(fā)生變化，從而相對(duì)于具有在制造中被錯(cuò)位的傳統(tǒng)的驅(qū)動(dòng)TFT的顯示裝 置來(lái)說(shuō)，提高了顯示裝置的特性。在這個(gè)示例性有機(jī)發(fā)光裝置中，每個(gè)像素可接收來(lái)自于兩條驅(qū)動(dòng)電壓線 的信號(hào)。這里，驅(qū)動(dòng)輸入電極和驅(qū)動(dòng)輸出電極可相對(duì)于每條驅(qū)動(dòng)電壓線反向 對(duì)稱地布置，且驅(qū)動(dòng)電壓線可形成為與4冊(cè)極線平行。優(yōu)選地，以不同的層來(lái) 形成數(shù)據(jù)線、柵極線和驅(qū)動(dòng)電壓線。[實(shí)施例5]圖51是在根據(jù)本發(fā)明的另一示例性實(shí)施例的示例性有機(jī)發(fā)光裝置中的 示例性驅(qū)動(dòng)TFT的示例性布局圖。相對(duì)于驅(qū)動(dòng)電壓線172對(duì)稱，且驅(qū)動(dòng)TFT具有驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體154b和驅(qū)動(dòng)輸出 電極175b，其中，驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體154b包括第一部分154bl和第二部分154b2,驅(qū) 動(dòng)輸出電極175b包括第一部分175bl和第二部分175b2。此外，驅(qū)動(dòng)TFT具 有蝕刻停止件147b和連接到驅(qū)動(dòng)電壓線172的驅(qū)動(dòng)輸入電極173b。蝕刻停 止件147b和驅(qū)動(dòng)輸入電極173b具有連續(xù)的橢圓形狀。蝕刻停止件147b的橢 圓形狀可包括蝕刻停止件147b的橢圓形狀的開口和橢圓形狀的外圍，其中， 橢圓形狀的開口相對(duì)于驅(qū)動(dòng)電壓線172對(duì)稱地布置。驅(qū)動(dòng)輸入電極173b沿著 朝驅(qū)動(dòng)輸出電極175b的第一部分175bl的方向以及沿著朝驅(qū)動(dòng)輸出電極175b 的第二部分I75b2的方向乂人驅(qū)動(dòng)電壓線172延伸。由于蝕刻停止件147b具有連續(xù)的橢圓形狀，所以蝕刻停止件147b與驅(qū) 動(dòng)半導(dǎo)體154b的第一部分154bl和第二部分154b2之間的疊置部分具有馬蹄 形狀。驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體154b的第一部分154M和第二部分154b2相對(duì)于驅(qū)動(dòng)半導(dǎo) 體154b的垂直中心線對(duì)稱，其中，所述垂直中心線例如將驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體154b 劃分為兩部分且與驅(qū)動(dòng)電壓線172基本垂直地延伸的線。在蝕刻停止件147b 與驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體154b之間的疊置部分的內(nèi)部部分中，驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體154b的第一 部分154bl和第二部分154b2與驅(qū)動(dòng)輸入電極173b的上部和下部疊置成馬歸， 形狀。驅(qū)動(dòng)輸出電極175b的第一部分175bl和第二部分175b2與蝕刻停止件 147b和驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體154b之間的疊置部分的外部部分疊置。因此，蝕刻停止 件147b、驅(qū)動(dòng)輸入電才及173b和驅(qū)動(dòng)輸出電極175b相對(duì)于垂直中心線和水平 中心線反向?qū)ΨQ，其中，水平中心線可基本由驅(qū)動(dòng)電壓線172的縱向線來(lái)限 定。這個(gè)結(jié)構(gòu)具有如下的形狀在該形狀中，將第一至第三示例性實(shí)施例的 結(jié)構(gòu)旋轉(zhuǎn)90°。#>素電極191包括突出191b，其中，突出191b朝著驅(qū)動(dòng)輸出電極175b 的第一部分I75bl延伸，而像素電極191的主部分可以與驅(qū)動(dòng)輸出電極175b 的第二部分I75b2疊置，且突出191b通過(guò)接觸孔185bl連接到驅(qū)動(dòng)輸出電極 175b的第一部分175bl，像素電極191通過(guò)接觸孔185b2連接到驅(qū)動(dòng)輸出電 極175b的第二部分175b2。在根據(jù)本發(fā)明的示例性有機(jī)發(fā)光裝置中，驅(qū)動(dòng)輸入電極173b、驅(qū)動(dòng)輸出 電極175b和蝕刻停止件147b分別相對(duì)于它們的垂直中心線或水平中心線反 向?qū)ΨQ。因此，即使在上/下方向和/或左/右方向產(chǎn)生錯(cuò)位，驅(qū)動(dòng)TFT的特性 也保持均勻，從而相對(duì)于具有在制造中被錯(cuò)位的傳統(tǒng)的驅(qū)動(dòng)TFT的顯示裝置 來(lái)說(shuō)，提高了顯示裝置的特性。
在這個(gè)有機(jī)發(fā)光裝置中，每個(gè)像素可接收來(lái)自于一條驅(qū)動(dòng)電壓線的信號(hào)。 這里，驅(qū)動(dòng)電壓線可與柵極線或數(shù)據(jù)線平行地延伸，并可沿著垂直方向或水 平方向形成，且可以以兩層或三層來(lái)形成數(shù)據(jù)線、4冊(cè)極線和驅(qū)動(dòng)電壓線。[實(shí)施例6]圖52是根據(jù)本發(fā)明的另一示例性實(shí)施例的示例性有機(jī)發(fā)光裝置的示例 性布局圖，圖53是示出了在圖52中示出的示例性有才幾發(fā)光裝置中的示例性 驅(qū)動(dòng)TFT的放大布局圖，圖54是沿著線LIV-LIV截取的圖52中示出的示例 性有機(jī)發(fā)光裝置的剖^L圖。在絕緣基底IIO上形成多個(gè)驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體島154b,形成具有圓環(huán)形狀并設(shè) 置在驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體島154b的中心部分上的多個(gè)蝕刻停止件147，其中，所述圓 環(huán)形狀包括位于中心部分的開口 。在基底110、驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體島154b和蝕刻停止件147上形成多條柵極線 121、多個(gè)驅(qū)動(dòng)輸入電極173b、多個(gè)驅(qū)動(dòng)輸出電極175b和多條驅(qū)動(dòng)電壓線172， 其中，柵極線121包括開關(guān)控制電極124a和端部129,驅(qū)動(dòng)電壓線172包括 驅(qū)動(dòng)輸入電纟及173b。驅(qū)動(dòng)電壓線172基本沿著縱向方向(第一方向)延伸，并與柵極線121 基本平行且包括驅(qū)動(dòng)輸入電極173b。這里，驅(qū)動(dòng)輸入電極173b也均具有圓 環(huán)形狀，該圓環(huán)形狀包括位于其中心部分的開口，其中，每個(gè)驅(qū)動(dòng)輸入電極 173b的開口與每個(gè)對(duì)應(yīng)的蝕刻停止件147的開口基本同心。驅(qū)動(dòng)輸入電極 173b的內(nèi)邊界設(shè)置在蝕刻停止件147上，驅(qū)動(dòng)輸入電極173b的外邊界設(shè)置 在基底110上。因此，驅(qū)動(dòng)輸入電極173b覆蓋驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體島154b與蝕刻停 止件147的外部疊置部分的外圍。驅(qū)動(dòng)輸出電極175b與柵極線121和驅(qū)動(dòng)電壓線172分離，且設(shè)置在具有 環(huán)形形狀的驅(qū)動(dòng)輸入電極173b的內(nèi)邊界內(nèi)。驅(qū)動(dòng)輸出電極175b的邊界設(shè)置 在蝕刻停止件147上，使得驅(qū)動(dòng)輸出電極175b覆蓋驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體島154b的中 心部分和蝕刻停止件147的內(nèi)部部分。多個(gè)成對(duì)的歐姆接觸163b和165b分別形成在驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體島154b與驅(qū)動(dòng) 電壓線172、驅(qū)動(dòng)輸出電極175b之間。歐姆接觸163b和165b具有與驅(qū)動(dòng)電 壓線172和驅(qū)動(dòng)輸出電極175b的形狀基本相同的平坦的形狀。此外，多個(gè)歐姆接觸161形成在柵極線121的下方并具有與柵極線121 的形狀基本相同的平坦的形狀。
在柵極線121、驅(qū)動(dòng)電壓線172、驅(qū)動(dòng)輸出電極175b和驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體島154b 上以及在基底110的暴露的部分上形成柵極絕緣層140。在柵極絕緣層140上形成與開關(guān)控制電極124a疊置的多個(gè)開關(guān)半導(dǎo)體島 154a,優(yōu)選地，開關(guān)半導(dǎo)體島154a由a-Si制成。在開關(guān)半導(dǎo)體島154a和柵極絕緣層140上形成多條數(shù)據(jù)線171、多個(gè)開 關(guān)輸出電極175a和多個(gè)驅(qū)動(dòng)控制電極124b,其中，tt據(jù)線171包括開關(guān)輸入 電極173a和端部179。數(shù)據(jù)線171與柵極線121和驅(qū)動(dòng)電壓線172基本垂直 地延伸。開關(guān)輸出電極175a與數(shù)據(jù)線171分離，并與開關(guān)半導(dǎo)體島154a的部分 疊置，并與開關(guān)輸入電極173a分隔開并相對(duì)于開關(guān)半導(dǎo)體島154a與開關(guān)輸 入電極173a相對(duì)。具有島形形狀的驅(qū)動(dòng)控制電極124b包括沿著水平方向延伸的存儲(chǔ)電極 127。驅(qū)動(dòng)控制電極124b包括圓環(huán)形狀并與驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體島154b疊置，其中， 圓環(huán)形狀具有在中心部分處的開口且該開口與蝕刻停止件147和驅(qū)動(dòng)輸入電 極173b的開口基本同心。每個(gè)驅(qū)動(dòng)控制電極124b的圓環(huán)形狀部分的內(nèi)邊界 設(shè)置在對(duì)應(yīng)的驅(qū)動(dòng)輸出電極175b上，每個(gè)驅(qū)動(dòng)控制電極124b的圓環(huán)形狀部 分的外邊界設(shè)置在對(duì)應(yīng)的驅(qū)動(dòng)輸入電極173b上。因此，驅(qū)動(dòng)控制電極124b 與驅(qū)動(dòng)輸入電極173b和驅(qū)動(dòng)輸出電極175b之間的驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體島154b疊置， 并與驅(qū)動(dòng)輸入電極173b和驅(qū)動(dòng)輸出電極175b的部分疊置。多個(gè)成對(duì)的歐姆4妄觸163a和165a分別形成在開關(guān)輸入電才及173a、開關(guān) 輸出電極175a與開關(guān)半導(dǎo)體島154a之間。在數(shù)據(jù)線171、開關(guān)輸出電極175a、驅(qū)動(dòng)控制電極124b上以及在柵極絕 緣層140的暴露的部分上形成鈍化層180。鈍化層180和4冊(cè)極絕緣層140具有多個(gè)接觸孔181和185b,其中，接觸 孔181和185b分別暴露柵極線121的端部129和驅(qū)動(dòng)輸出電極175b,鈍化 層180具有多個(gè)接觸孔185a、 184和182,其中，接觸孔185a暴露開關(guān)輸出 電極175a,接觸孔184暴露驅(qū)動(dòng)控制電極124b,接觸孔182暴露數(shù)據(jù)線171 的端部179。在鈍化層180上形成多個(gè)像素電極191、多個(gè)連接構(gòu)件85和多個(gè)接觸輔 助件81和82,其中，像素電極191連接到驅(qū)動(dòng)輸出電極175b,連接構(gòu)件85 將開關(guān)輸出電極175a與驅(qū)動(dòng)控制電極124b連接，接觸輔助件81和82分別
連4妻到端部129和端部179。
在像素電極191 、連接構(gòu)件85和接觸輔助件81和82上以及在鈍化層180 的暴露的部分上形成包括開口 365的分隔件361。多個(gè)發(fā)光構(gòu)件370形成在像素電極191上，并被限制在由分隔件361限 定的開口 365內(nèi)。在發(fā)光構(gòu)件370和分隔件361上形成共電極270。
如上所述，根據(jù)這個(gè)實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光裝置的開關(guān)半導(dǎo)體島154a由a-Si 制成，而根據(jù)這個(gè)示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光裝置的驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體島154b由纟鼓晶 硅或多晶硅制成。開關(guān)TFTQs的溝道包含a-Si，而驅(qū)動(dòng)TFTQd的溝道包 含微晶硅或多晶硅。
驅(qū)動(dòng)TFT Qd可包括微晶硅或多晶硅的溝道，使得驅(qū)動(dòng)TFT Qd可具有載 流子遷移率和穩(wěn)定性。因此，在驅(qū)動(dòng)TFTQd中流動(dòng)的電流可增大，以提高 根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的OLED的亮度。此外，可以排除由于在驅(qū)動(dòng) OLED中施加恒定的正電壓而導(dǎo)致的所謂的閾值電壓漂移現(xiàn)象，從而不產(chǎn)生 圖像殘留現(xiàn)象且OLED的壽命不會(huì)減少。
同時(shí)，開關(guān)TFTQs的溝道包含具有低的截止電流的a-Si。因此，可使得 用于控制數(shù)據(jù)電壓的開關(guān)TFT Qs的導(dǎo)通/截止特性得到良好的保持，具體地 講，可使得截止電流的降低得到良好的保持，從而可防止由于高的截止電流 而導(dǎo)致的數(shù)據(jù)電壓的降低，且可減少OLED的串?dāng)_現(xiàn)象。如果開關(guān)TFTQs 的溝道包含微晶硅或多晶硅，那么開關(guān)TFTQs的截止電流會(huì)高，從而導(dǎo)致數(shù) 據(jù)電壓降低，并導(dǎo)致OLED的串?dāng)_現(xiàn)象的發(fā)生。
如上所述，根據(jù)這個(gè)示例性實(shí)施例的OLED顯示器的開關(guān)TFT Qs和驅(qū) 動(dòng)TFT Qd具有由不同的材料制成的溝道，vMv而可滿足開關(guān)TFT和驅(qū)動(dòng)TFT 的期望的特性。現(xiàn)在，參照?qǐng)D55至圖61以及圖52至圖54描述在圖52至圖54中示出 的示例性顯示面板的示例性制造方法。
圖55至圖61是圖52至圖54中示出的示例性有機(jī)發(fā)光裝置在其的根據(jù)如圖55中所示，在絕緣基底110上沉積a-Si然后將其晶化或者沉積多 晶硅，以形成多晶硅層。
接下來(lái)，通過(guò)光刻將多晶硅層圖案化，以形成多個(gè)驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體島154b。
接下來(lái)，如圖56中所示，在基底IIO上沉積絕緣層，并將該絕緣層圖案化，以在驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體島154b上形成具有圓環(huán)形狀的多個(gè)蝕刻停止件147。其 后，為了使驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體島154b的暴露的表面穩(wěn)定，執(zhí)行H2等離子體處理。 然后，如圖57中所示，順序地沉積摻雜有雜質(zhì)的a-Si層或微晶硅層、 導(dǎo)電層，通過(guò)光刻將導(dǎo)電層圖案化，以形成多條柵極線121、多條驅(qū)動(dòng)電壓 線172和多個(gè)驅(qū)動(dòng)輸出電極175b，其中，柵極線121包括開關(guān)控制電極124a 和端部129,驅(qū)動(dòng)電壓線172包括多個(gè)驅(qū)動(dòng)輸入電極173b。接下來(lái)，去除被 暴露的硅層，以分別形成多個(gè)成對(duì)的歐姆接觸161、 163b和165b。接下來(lái)，如圖58中所示，在4冊(cè)極線121、驅(qū)動(dòng)電壓線172和驅(qū)動(dòng)輸出電 極175b上以及在基底110的暴露的部分上順序地形成由氮化硅制成的柵極絕 緣層140、本征硅層和非本征硅層，對(duì)本征硅層和非本征硅層進(jìn)行光蝕刻， 以形成多個(gè)開關(guān)半導(dǎo)體島154a和多個(gè)歐姆接觸層164a。接下來(lái)，如圖59中所示，在開關(guān)半導(dǎo)體島154a、歐姆接觸層164a和柵 極絕緣層140上沉積導(dǎo)電層，通過(guò)光刻將導(dǎo)電層圖案化，以形成多條數(shù)據(jù)線 171、多個(gè)開關(guān)輸出電極175a和多個(gè)驅(qū)動(dòng)控制電極124b,其中，數(shù)據(jù)線171 包括開關(guān)輸入電極173a和端部179。接下來(lái)，去除歐姆接觸層164a的暴露的 部分，以分別形成多個(gè)成對(duì)的歐姆接觸163a和165a。參照?qǐng)D60，通過(guò)CVD、印刷等沉積鈍化層180，將鈍化層180與柵極絕 緣層140—起圖案化，以形成多個(gè)接觸孔181、 182、 184、 185a和185b。接下來(lái)，如圖61中所示，通過(guò)濺射等在鈍化層180上沉積透明的導(dǎo)電膜， 對(duì)透明的導(dǎo)電膜進(jìn)行光蝕刻，以形成多個(gè)像素電極191、多個(gè)連接構(gòu)件85和 多個(gè)接觸輔助件81和82。接下來(lái)的制造過(guò)程可以與先前描述的示例性實(shí)施例的制造過(guò)程基本相同。在這個(gè)實(shí)施例實(shí)施例中，首先沉積驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體島154b并將其晶化，使得 驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體島154b可被晶化，在驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體島154b上形成蝕刻停止件147， 從而在對(duì)歐姆接觸163a和165b進(jìn)行蝕刻時(shí)可防止驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體島154b受到破 壞，且驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體島154b可具有均勻的厚度。因此，TFT的特性可均勻地提高。另外，在驅(qū)動(dòng)TFT中，驅(qū)動(dòng)輸入電極173b、驅(qū)動(dòng)輸出電極175b和蝕刻 停止件147具有環(huán)形或圓環(huán)形形狀，驅(qū)動(dòng)輸入電極173b與蝕刻停止件147之
間的疊置部分設(shè)置在驅(qū)動(dòng)輸出電極175b與蝕刻停止件147之間的疊置部分之 外。這里，蝕刻停止件147與驅(qū)動(dòng)輸入電極173b之間和蝕刻停止件147與驅(qū) 動(dòng)輸出電極175b之間的疊置部分具有圓環(huán)形狀或環(huán)帶形狀，所述圓環(huán)形狀或 環(huán)帶形狀相對(duì)于蝕刻停止件147的垂直中心線或水平中心線旋轉(zhuǎn)對(duì)稱。因此， 即使驅(qū)動(dòng)輸出電極175b、驅(qū)動(dòng)輸入電極173b和蝕刻停止件147在制造過(guò)程 中變得錯(cuò)位，在上/下方向和/或左/右方向上，蝕刻停止件147與驅(qū)動(dòng)輸入電 極173b之間和蝕刻停止件147與驅(qū)動(dòng)輸出電極175b之間的疊置部分相互補(bǔ) 償，并被均勻地保持。因此，可均勻地獲得TFT的特性，從而提高顯示裝置 的質(zhì)量。[實(shí)施例7]參照?qǐng)D62，將詳細(xì)地描述#4居本發(fā)明的另一示例性實(shí)施例的在圖1中示 出的示例性有才幾發(fā)光裝置的詳細(xì)的結(jié)構(gòu)。圖62是根據(jù)本發(fā)明的另一示例性實(shí)施例的示例性有機(jī)發(fā)光裝置的示例 性布局圖。根據(jù)本發(fā)明的這個(gè)實(shí)施例的層結(jié)構(gòu)可以與圖52至圖54中的層結(jié)構(gòu)基本相同。在絕緣基底IIO上形成由晶體硅制成的多個(gè)驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體島154b，在驅(qū)動(dòng) 半導(dǎo)體島154b上形成多個(gè)蝕刻停止件147。接下來(lái)，在基底110、驅(qū)動(dòng)半導(dǎo) 體島154b和蝕刻停止件147b上形成多條4冊(cè)極線121 、多個(gè)驅(qū)動(dòng)輸出電極175b 和多條驅(qū)動(dòng)電壓線172，其中，柵極線121包括開關(guān)控制電極124a和端部129， 驅(qū)動(dòng)電壓線172包括驅(qū)動(dòng)輸入電才及173b,多個(gè)成對(duì)的歐姆接觸163b和165b 分別形成在驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體島154b與驅(qū)動(dòng)電壓線172、驅(qū)動(dòng)輸出電極175b之間， 多個(gè)歐姆接觸161形成在柵極線121與基底110之間。然后，柵極絕緣層140 覆蓋柵極線121、驅(qū)動(dòng)電壓線172、驅(qū)動(dòng)輸出電極175b和驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體島154b 以及基底110的暴露的部分，其中，開關(guān)半導(dǎo)體島154a優(yōu)選地由a-Si制成， 在柵極絕緣層140上形成與開關(guān)控制電極124a疊置的多個(gè)開關(guān)半導(dǎo)體島 154a。在開關(guān)半導(dǎo)體島154a和柵極絕緣層140上形成多條數(shù)據(jù)線171、多個(gè) 開關(guān)輸出電極175a和多個(gè)驅(qū)動(dòng)控制電極124b，其中，數(shù)據(jù)線171包括開關(guān)輸 入電極173a和端部179，多個(gè)成對(duì)的歐姆接觸163a和165a分別形成在開關(guān) 輸入電極173a、開關(guān)輸出電極175a與開關(guān)半導(dǎo)體島154a之間。驅(qū)動(dòng)控制電 極124b可包括與驅(qū)動(dòng)電壓線172疊置的存儲(chǔ)電極部分。在數(shù)據(jù)線171、開關(guān) 輸出電極175a、驅(qū)動(dòng)控制電極124b和柵極絕緣層140的暴露的部分上形成《屯 化層180,鈍化層180和柵極絕緣層140具有多個(gè)接觸孔181和185b,其中， 接觸孔181和185b分別暴露4冊(cè)極線121的端部129和驅(qū)動(dòng)l命出電極175b， 鈍化層180具有多個(gè)接觸孔185a、 184和182，其中，接觸孔185a暴露開關(guān) 輸出電極175a,接觸孔184暴露驅(qū)動(dòng)控制電極124b,接觸孔182暴露數(shù)據(jù)線 171的端部179。接下來(lái)，在鈍化層180上形成多個(gè)像素電極191、多個(gè)連接 構(gòu)件85和多個(gè)接觸輔助件81和82,其中，像素電才及191連接到驅(qū)動(dòng)輸出電 極175b，連接構(gòu)件85將開關(guān)輸出電極175a與驅(qū)動(dòng)控制電極124b連接，接觸 輔助件81和82分別連4^到端部129和端部179。在〗象素電纟及191、連^l妻構(gòu)件 85和多個(gè)接觸輔助件81和82以及鈍化層180上形成包括開口 365的分隔件 361，在像素電極191上順序地形成多個(gè)發(fā)光構(gòu)件370和共電極270,發(fā)光構(gòu) 件370被限制在由分隔件361限定的開口 365中。在這個(gè)示例性實(shí)施例中，蝕刻停止件147和驅(qū)動(dòng)輸入電極173b具有"S" 形狀，所述"S"形狀包括兩個(gè)連接的半月部分。驅(qū)動(dòng)輸入電極173b與蝕刻 停止件147的外部部分疊置，驅(qū)動(dòng)輸出電極175b一皮分為兩個(gè)部分175bl和 175b2，其中，兩個(gè)部分175bl和175b2中的每個(gè)都具有對(duì)應(yīng)的彎曲末端并分 別與蝕刻停止件147的內(nèi)部部分疊置。驅(qū)動(dòng)控制電極124b與蝕刻停止件147 的與驅(qū)動(dòng)輸入電極173b和驅(qū)動(dòng)輸出電極175b設(shè)置地鄰近的部分疊置，并與 蝕刻停止件147的在驅(qū)動(dòng)輸入電極173b與驅(qū)動(dòng)輸出電極175b之間的部分疊 置。在這個(gè)示例性實(shí)施例中，蝕刻停止件147、驅(qū)動(dòng)輸入電極173b和驅(qū)動(dòng)輸 出電極175b相對(duì)于它們的垂直中心線和水平中心線旋轉(zhuǎn)對(duì)稱。因此，即使在 制造過(guò)程中產(chǎn)生諸如先前的示例性實(shí)施例中的錯(cuò)位，TFT的特性也會(huì)得到均 勻地保持，從而提高顯示裝置的質(zhì)量。如上所述，與驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體疊置的蝕刻停止件、驅(qū)動(dòng)輸入電4^l和驅(qū)動(dòng)輸出 電極相對(duì)于它們的垂直中心線和水平中心線旋轉(zhuǎn)對(duì)稱或反向?qū)ΨQ。因此，即 使在制造過(guò)程中產(chǎn)生錯(cuò)位，TFT的特性也會(huì)得到均勻地保持，從而提高顯示 裝置的質(zhì)量。雖然已在上文中詳細(xì)地描述了本發(fā)明的示例性實(shí)施例，但是應(yīng)該清楚地 理解，可呈現(xiàn)于本領(lǐng)域技術(shù)人員的、在這里教導(dǎo)的基本發(fā)明構(gòu)思的許多變化 和/或修改仍將落在如權(quán)利要求中所限定的本發(fā)明的精神和范圍中。
權(quán)利要求
1、一種有機(jī)發(fā)光裝置，包括基底；第一信號(hào)線和第二信號(hào)線，形成在基底上；開關(guān)薄膜晶體管，連接到第一信號(hào)線和第二信號(hào)線，并包括第一半導(dǎo)體；驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管，包括第二半導(dǎo)體、蝕刻停止件、驅(qū)動(dòng)輸入電極、驅(qū)動(dòng)輸出電極和驅(qū)動(dòng)控制電極，其中，蝕刻停止件形成在第二半導(dǎo)體上，驅(qū)動(dòng)輸入電極和驅(qū)動(dòng)輸出電極與蝕刻停止件和第二半導(dǎo)體疊置并相對(duì)于蝕刻停止件彼此相對(duì)，驅(qū)動(dòng)控制電極連接到開關(guān)薄膜晶體管并與第二半導(dǎo)體疊置；第一電極，連接到驅(qū)動(dòng)輸出電極；第二電極，與第一電極相對(duì)；有機(jī)發(fā)光構(gòu)件，其中，蝕刻停止件、驅(qū)動(dòng)輸入電極和驅(qū)動(dòng)輸出電極中的至少一個(gè)關(guān)于一條直線對(duì)稱。
2、 如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其中，第二半導(dǎo)體具有第一部分 和與第 一部分分離的第二部分。
3、 如權(quán)利要求2所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其中，蝕刻停止件包括連續(xù)的橢 圓形狀，且其中驅(qū)動(dòng)輸入電極與蝕刻停止件的內(nèi)部部分疊置，驅(qū)動(dòng)輸出電極 與蝕刻停止件的外部部分疊置。
4、 如權(quán)利要求3所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其中，驅(qū)動(dòng)輸出電極包括第一 部分和第二部分，設(shè)置在蝕刻停止件的相對(duì)側(cè)上；第三部分，將驅(qū)動(dòng)輸出電 極的第 一部分與第二部分彼此連接。
5、 如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光裝置，還包括連接到驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的 驅(qū)動(dòng)輸入電極的第三信號(hào)線。
6、 如權(quán)利要求5所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其中，蝕刻停止件、驅(qū)動(dòng)輸入電 極和驅(qū)動(dòng)輸出電極關(guān)于第三信號(hào)線對(duì)稱。
7、 如權(quán)利要求6所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其中，驅(qū)動(dòng)輸出電極和第二半導(dǎo) 體各分別具有兩個(gè)部分，且驅(qū)動(dòng)輸出電極和第二半導(dǎo)體中的每個(gè)的兩個(gè)部分 在相對(duì)于第三信號(hào)線的相對(duì)側(cè)上;f皮此分離。
8、 如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其中，驅(qū)動(dòng)輸入電極包括第一部 分和與驅(qū)動(dòng)輸入電極的第一部分分離的第二部分，有機(jī)發(fā)光裝置還包括 第一驅(qū)動(dòng)電壓線，連接到驅(qū)動(dòng)輸入電極的第一部分； 第二驅(qū)動(dòng)電壓線，連接到驅(qū)動(dòng)輸入電極的第二部分。
9、 如權(quán)利要求8所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其中，蝕刻停止件和驅(qū)動(dòng)輸出電 極均包括彼此分離且形成為反向?qū)ΨQ的第 一部分和第二部分。
10、 如權(quán)利要求9所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其中，蝕刻停止件的第一部分 和第二部分包括馬蹄形狀，驅(qū)動(dòng)輸出電極的第一部分和第二部分分別與蝕刻 停止件的第一部分和第二部分的內(nèi)部部分疊置，且驅(qū)動(dòng)輸入電極的第一部分 和第二部分分別與蝕刻停止件的第一部分和第二部分的外部部分疊置。
11、 如權(quán)利要求IO所述的有機(jī)發(fā)光裝置，還包括多個(gè)第一電極，其中， 驅(qū)動(dòng)輸出電極的第一部分和第二部分分別連接到同 一第一電極。
12、 如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其中，第一半導(dǎo)體和第二半導(dǎo) 體具有不同的晶體結(jié)構(gòu)。
13、 如權(quán)利要求12所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其中，第一半導(dǎo)體包含非晶硅， 第二半導(dǎo)體包含多晶硅或微晶硅。
14、 如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其中，第一半導(dǎo)體和第二半導(dǎo) 體由多晶硅或微晶硅制成。
15、 如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其中，開關(guān)薄膜晶體管還包括: 開關(guān)控制電極，連接到第一半導(dǎo)體下方的第一信號(hào)線并與第一半導(dǎo)體絕緣；開關(guān)輸入電極，連接到第二信號(hào)線并與第一半導(dǎo)體疊置；開關(guān)輸出電極，連接到驅(qū)動(dòng)控制電極并在第一半導(dǎo)體上面對(duì)開關(guān)輸入電極。
16、 如權(quán)利要求15所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其中，以與驅(qū)動(dòng)輸入電極和驅(qū) 動(dòng)輸出電極的層相同的層來(lái)制造開關(guān)控制電極，以與驅(qū)動(dòng)控制電極的層相同 的層來(lái)制造開關(guān)輸入電極和開關(guān)輸出電極。
17、 如權(quán)利要求16所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其中，開關(guān)控制電極和驅(qū)動(dòng)控 制電極形成在覆蓋驅(qū)動(dòng)輸入電極和驅(qū)動(dòng)輸出電極的絕緣層上。
18、 如權(quán)利要求15所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其中，以同一層來(lái)制造驅(qū)動(dòng)輸 入電極、驅(qū)動(dòng)輸出電才及、開關(guān)輸入電才及和開關(guān)輸出電才及。
19、 如權(quán)利要求18所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其中，以同一層來(lái)制造開關(guān)控制電極和驅(qū)動(dòng)控制電極。
20、 如權(quán)利要求19所述的有機(jī)發(fā)光裝置，還包括連接構(gòu)件，所述連接構(gòu) 件將驅(qū)動(dòng)控制電極連接到開關(guān)輸出電極，并由與第 一 電極的層相同的層制造。
21、 如權(quán)利要求15所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其中，以不同的層來(lái)制造開關(guān) 控制電極、驅(qū)動(dòng)控制電極、驅(qū)動(dòng)輸入電極、驅(qū)動(dòng)輸出電極、開關(guān)輸入電極和 開關(guān)輸出電^1。
22、 如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其中，當(dāng)蝕刻停止件與驅(qū)動(dòng)輸 入電極、驅(qū)動(dòng)輸出電極彼此產(chǎn)生錯(cuò)位時(shí)，蝕刻停止件與驅(qū)動(dòng)輸入電極、驅(qū)動(dòng) 輸出電極之間的疊置部分相互補(bǔ)償，以基本均勻地保持驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的特性。
23、 一種有機(jī)發(fā)光裝置的制造方法，該方法包括 在基底上形成開關(guān)半導(dǎo)體和驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體； 在開關(guān)半導(dǎo)體和驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體上分別形成蝕刻停止件； 形成包括驅(qū)動(dòng)輸入電極的驅(qū)動(dòng)電壓線、驅(qū)動(dòng)輸出電極、包括開關(guān)輸入電極的數(shù)據(jù)線和開關(guān)輸出電極；形成覆蓋驅(qū)動(dòng)電壓線、驅(qū)動(dòng)輸出電極、數(shù)據(jù)線和開關(guān)輸出電極的柵極絕 緣層；形成包括開關(guān)控制電極的柵極線和驅(qū)動(dòng)控制電極； 形成像素電極和連接構(gòu)件，其中，像素電極連接到驅(qū)動(dòng)輸出電極，連接 構(gòu)件將開關(guān)輸出電極連接到驅(qū)動(dòng)控制電極。
24、 如權(quán)利要求23所述的方法，其中，形成驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體的步驟包括在基 底上形成驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體的第一分隔部分和第二分隔部分；形成驅(qū)動(dòng)輸出電極的 步驟包括形成第一部分、第二部分和連接件，其中，第一部分和第二部分環(huán) 繞驅(qū)動(dòng)輸入電極的相對(duì)端并與驅(qū)動(dòng)輸入電極的相對(duì)端分隔開，連接件將驅(qū)動(dòng) 輸出電極的第一部分和第二部分相互連接。
25、 一種有機(jī)發(fā)光裝置的制造方法，該方法包括 在基底上形成驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體；在驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體上形成蝕刻停止件；形成驅(qū)動(dòng)輸入電極、驅(qū)動(dòng)輸出電極和包括開關(guān)控制電極的柵極線； 形成覆蓋柵極線、驅(qū)動(dòng)輸入電極和驅(qū)動(dòng)輸出電極的棚4及絕緣層； 在柵極絕緣層上形成開關(guān)半導(dǎo)體；形成驅(qū)動(dòng)電壓線、包括開關(guān)輸入電極的數(shù)據(jù)線和驅(qū)動(dòng)控制電極； 形成像素電極和連接構(gòu)件，其中，像素電極連接到驅(qū)動(dòng)輸出電極，連接 構(gòu)件將驅(qū)動(dòng)電壓線連接到驅(qū)動(dòng)輸入電極。
26、 一種有機(jī)發(fā)光裝置的制造方法，該方法包括 在基底上形成驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體； 在驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體上形成蝕刻停止件； 形成包括驅(qū)動(dòng)輸入電極的驅(qū)動(dòng)電壓線和驅(qū)動(dòng)輸出電才及； 形成覆蓋驅(qū)動(dòng)電壓線和驅(qū)動(dòng)輸出電極的層間絕緣層； 在層間絕緣層上形成包括開關(guān)控制電極的4冊(cè);t及線和驅(qū)動(dòng)控制電極； 形成覆蓋柵極線和驅(qū)動(dòng)控制電極的柵極絕緣層； 在柵極絕緣層上形成開關(guān)半導(dǎo)體； 形成包括開關(guān)輸入電極的數(shù)據(jù)線和開關(guān)輸出電極； 形成像素電極和連接構(gòu)件，其中，像素電極連接到驅(qū)動(dòng)輸出電極，連接構(gòu)件將開關(guān)輸出電極連接到驅(qū)動(dòng)控制電極。
27、 一種有機(jī)發(fā)光裝置，包括 基底；第一信號(hào)線和第二信號(hào)線，形成在基底上；開關(guān)薄膜晶體管，連接到第一信號(hào)線和第二信號(hào)線，并包括第一半導(dǎo)體；驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管，包括第二半導(dǎo)體、蝕刻停止件、驅(qū)動(dòng)輸入電極和驅(qū)動(dòng) 輸出電極以及驅(qū)動(dòng)控制電極，其中，蝕刻停止件形成在第二半導(dǎo)體上，驅(qū)動(dòng) 輸入電極和驅(qū)動(dòng)輸出電極與蝕刻停止件和第二半導(dǎo)體疊置并相對(duì)于蝕刻停止 件彼此相對(duì)，驅(qū)動(dòng)控制電極連接到開關(guān)薄膜晶體管并與第二半導(dǎo)體疊置；第一電極，連接到驅(qū)動(dòng)輸出電極；第二電極，與第一電極相對(duì)；有機(jī)發(fā)光構(gòu)件，其中，蝕刻停止件、驅(qū)動(dòng)輸入電極和驅(qū)動(dòng)輸出電極中的至少一個(gè)關(guān)于垂 直中心線或水平中心線:旋轉(zhuǎn)對(duì)稱。
28、 如權(quán)利要求27所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其中，蝕刻停止件與驅(qū)動(dòng)輸入 電極、驅(qū)動(dòng)輸出電極之間的疊置部分包括圓環(huán)形狀。
29、 如權(quán)利要求28所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其中，蝕刻停止件與驅(qū)動(dòng)輸出 電極之間的疊置部分設(shè)置在蝕刻停止件與驅(qū)動(dòng)輸入電極之間的疊置部分之內(nèi)。
30、 如權(quán)利要求27所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其中，蝕刻停止件與驅(qū)動(dòng)輸入電極、驅(qū)動(dòng)輸出電極之間的疊置部分包括"s"形狀。
31、 如權(quán)利要求30所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其中，驅(qū)動(dòng)輸入電極為彎曲的 驅(qū)動(dòng)輸入電極，驅(qū)動(dòng)輸出電極包括被彎曲的驅(qū)動(dòng)輸入電極圍繞的兩個(gè)部分。
32、 如權(quán)利要求27所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其中，第一半導(dǎo)體和第二半導(dǎo) 體具有不同的晶體結(jié)構(gòu)。
33、 如權(quán)利要求32所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其中，第一半導(dǎo)體由非晶硅制 成，第二半導(dǎo)體由多晶硅或微晶硅制成。
34、 如權(quán)利要求27所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其中，開關(guān)薄膜晶體管還包括 開關(guān)控制電極，連接到在第一半導(dǎo)體下方的第一信號(hào)線，并與第一半導(dǎo)體絕緣；開關(guān)輸入電極，連接到第二信號(hào)線，并與第一半導(dǎo)體疊置； 開關(guān)輸出電極，連接到驅(qū)動(dòng)控制電極，并在第一半導(dǎo)體上面對(duì)開關(guān)輸入電極。
35、 如權(quán)利要求34所述的有機(jī)發(fā)光裝置，還包括覆蓋驅(qū)動(dòng)輸入電極、驅(qū) 動(dòng)輸出電極和蝕刻停止件的4冊(cè)極絕緣層。
36、 如權(quán)利要求35所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其中，以同一層來(lái)制造驅(qū)動(dòng)輸 入電極、驅(qū)動(dòng)輸出電極和開關(guān)控制電極。
37、 如權(quán)利要求36所述的有機(jī)發(fā)光裝置，其中，以同一層來(lái)制造開關(guān)輸 入電極、開關(guān)輸出電極和驅(qū)動(dòng)控制電極。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種有機(jī)發(fā)光裝置及其制造方法，該有機(jī)發(fā)光裝置包括基底；第一信號(hào)線和第二信號(hào)線，形成在基底上；開關(guān)薄膜晶體管(TFT)，連接到第一信號(hào)線和第二信號(hào)線，并包括第一半導(dǎo)體；驅(qū)動(dòng)TFT，包括第二半導(dǎo)體、蝕刻停止件、驅(qū)動(dòng)輸入電極、驅(qū)動(dòng)輸出電極和驅(qū)動(dòng)控制電極，其中，蝕刻停止件形成在第二半導(dǎo)體上，驅(qū)動(dòng)輸入電極和驅(qū)動(dòng)輸出電極與蝕刻停止件和第二半導(dǎo)體疊置并相對(duì)于蝕刻停止件彼此相對(duì)，驅(qū)動(dòng)控制電極連接到開關(guān)TFT并與第二半導(dǎo)體疊置；第一電極，連接到驅(qū)動(dòng)輸出電極；第二電極，與第一電極相對(duì)；有機(jī)發(fā)光構(gòu)件，其中，蝕刻停止件、驅(qū)動(dòng)輸入電極和驅(qū)動(dòng)輸出電極中的至少一個(gè)關(guān)于一條直線對(duì)稱。
文檔編號(hào)H05B33/14GK101212851SQ200710154080
公開日2008年7月2日 申請(qǐng)日期2007年9月13日 優(yōu)先權(quán)日2006年12月28日
發(fā)明者許宗茂 申請(qǐng)人:三星電子株式會(huì)社