專(zhuān)利名稱(chēng)：頂部發(fā)光主動(dòng)式矩陣電激發(fā)光裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是關(guān)于一種主動(dòng)式矩陣電激發(fā)光裝置；特別是有關(guān)于一種頂部發(fā) 光主動(dòng)式矩陣電激發(fā)光裝置。
背景技術(shù)：
電激發(fā)光顯示設(shè)備為一種主動(dòng)式發(fā)光顯示器，其具有優(yōu)于陰極射線(xiàn)管 (CRTs)或液晶顯示器的許多優(yōu)點(diǎn)。例如，電激發(fā)光顯示設(shè)備具有廣視角、高亮 度對(duì)比、快速應(yīng)答速度、輕薄短小及低耗能。圖1A為一傳統(tǒng)頂部發(fā)光主動(dòng)式 矩陣電激發(fā)光裝置對(duì)應(yīng)一像素區(qū)域的部份結(jié)構(gòu)截面示意圖，其從上至下主要 包含一透光陰極電極層101、 一電激發(fā)光層102、 一透光陽(yáng)極電極層103、 一 金屬反射層104、 一保護(hù)層105、 一介電層106、 一絕緣層107、 一驅(qū)動(dòng)晶體 管108及一下基板100。該驅(qū)動(dòng)晶體管108位于該介電層106與該下基板100 之間。參照?qǐng)D1B所示，該電激發(fā)光層102的部份發(fā)光仍會(huì)被該透光陰極電極 層101、該電激發(fā)光層102本身及該透光陽(yáng)極電極層103反射，而在該透光陰 極電極層101與該透光陽(yáng)極電極層103之間產(chǎn)生微腔效應(yīng)(micro-cavity effect)。 前述微腔效應(yīng)一方面可提高該電激發(fā)光裝置的發(fā)光強(qiáng)度，但另一方面會(huì)造成 該電激發(fā)光裝置在不同視角產(chǎn)生色偏(color shift)現(xiàn)象，而成為該電激發(fā)光裝置
的一嚴(yán)重缺失。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種頂部發(fā)光主動(dòng)式矩陣電激發(fā)光裝置，于其發(fā)光層下方形 成復(fù)數(shù)個(gè)不同光徑長(zhǎng)度的反射區(qū)，藉所述的反射區(qū)分別反射該發(fā)光層的部份發(fā)光，使其向上發(fā)光，并與該發(fā)光層的朝上發(fā)光互相補(bǔ)償，以減低微腔效應(yīng)
(micro-cavity effect)造成的不同視角的色偏(color shift)現(xiàn)象。
據(jù)此，本發(fā)明提供一種頂部發(fā)光主動(dòng)式矩陣電激發(fā)光裝置，其包括一基 板及復(fù)數(shù)個(gè)像素區(qū)形成于該基板上的一顯示區(qū)域中，每一該像素區(qū)包含至少 一次像素區(qū)，每一該次像素區(qū)從上至下至少包含一第一導(dǎo)電性電極層、 一電 激發(fā)光層、 一第二導(dǎo)電性電極層、 一第一反射層區(qū)及一第二反射層區(qū)。該第 一反射層區(qū)與該第二反射層區(qū)彼此部份重疊。
另一方面，本發(fā)明包含一保護(hù)層介于該第一反射層區(qū)與該第二反射層區(qū) 之間，藉調(diào)整該保護(hù)層厚度，以消減本發(fā)明電激發(fā)光裝置微腔效應(yīng)造成的不 同視角的色偏現(xiàn)象。
本發(fā)明另提供一種頂部發(fā)光主動(dòng)式矩陣電激發(fā)光裝置，其包括一基板及 復(fù)數(shù)個(gè)像素區(qū)形成于該基板上的一顯示區(qū)域中，每一該像素區(qū)包含至少一次 像素區(qū)，每一該次像素區(qū)從上至下至少包含一第一導(dǎo)電性電極層、 一電激發(fā) 光層、 一第二導(dǎo)電性電極層、 一第一反射層區(qū)、 一第二反射層區(qū)及一第三反 射層區(qū)。該第一反射層區(qū)與該第二反射層區(qū)彼此部份重疊，該第二反射層區(qū) 相對(duì)該第一反射層區(qū)的一邊與該第三反射層區(qū)彼此部份重疊。
本發(fā)明包含一保護(hù)層位于該第一反射層區(qū)下方并覆蓋該第二反射層區(qū)及 該第三反射層區(qū)。該第二反射層區(qū)與該第三反射層區(qū)之間還包含一絕緣層， 以使該第一反射層區(qū)、第二反射層區(qū)及該第三反射層區(qū)具有不同的光徑長(zhǎng)度， 進(jìn)而可減低本發(fā)明電激發(fā)光裝置微腔效應(yīng)造成的不同視角的色偏現(xiàn)象。


圖1A為一傳統(tǒng)頂部發(fā)光主動(dòng)式矩陣電激發(fā)光裝置部份結(jié)構(gòu)截面示意圖； 圖1B為顯示圖1A的該電激發(fā)光裝置的發(fā)光在其內(nèi)部各層的反射情形；
圖2為根據(jù)本發(fā)明第一具體實(shí)施例的頂部發(fā)光主動(dòng)式矩陣電激發(fā)光裝置 部份結(jié)構(gòu)截面示意5圖3為根據(jù)本發(fā)明第二具體實(shí)施例的頂部發(fā)光主動(dòng)式矩陣電激發(fā)光裝置
部份結(jié)構(gòu)截面示意圖4為根據(jù)本發(fā)明第三具體實(shí)施例的頂部發(fā)光主動(dòng)式矩陣電激發(fā)光裝置 部份結(jié)構(gòu)截面示意圖5為第二圖所示第一具體實(shí)施例的一變化例部份結(jié)構(gòu)截面示意圖；及
圖6為本發(fā)明主動(dòng)式矩陣電激發(fā)光裝置的一應(yīng)用例示意圖。
附圖標(biāo)號(hào)-
20、 30、 40、 100——下基板
101— —透光陰極電極層
102- -電激發(fā)光層
103- -透光陽(yáng)極電極層
104- -金屬反射層
105— —保護(hù)層
106— —介電層
107- -—絕緣層
108— -驅(qū)動(dòng)晶體管
200、 300、 400——次像素區(qū)
200a、 300a、 400a-—第一反射層區(qū)
200b、 300b、 400b——第二反射層區(qū)
201、301、401-—第一導(dǎo)電性電極層
202、302、402-—電激發(fā)光層
203、303、403-—第二導(dǎo)電性電極層
204、304、404-—保護(hù)層
205、305、405---第一絕緣層
206、306、406-—驅(qū)動(dòng)晶體管
207、307、407---第二絕緣層
6211、 311、 411——第一反射層
212、 312、 412—第二反射層 400c--第三反射層區(qū)
413--第三反射層 600—-影像顯示系統(tǒng) 602--顯示面板 604—-電源供應(yīng)器
2061、 3061、 4061——柵極電極層
2062、 3062、 4062——漏極/源極區(qū)
2063、 3063、 4063——通道區(qū)
2064、 3064、 4064—-金屬接觸 6020—--接口驅(qū)動(dòng)電路
具體實(shí)施例方式
雖然本發(fā)明將參閱含有本發(fā)明較佳實(shí)施例的附圖予以充分描述，但在此 描述之前應(yīng)了解熟悉本行技藝之人士可修改本文中所描述的發(fā)明，同時(shí)獲致 本發(fā)明的功效。因此，需了解以下的描述對(duì)熟悉本行技藝的人士而言為一廣 泛的揭示，且其內(nèi)容不在于限制本發(fā)明。
參照?qǐng)D2所示，為本發(fā)明頂部發(fā)光主動(dòng)式矩陣電激發(fā)光裝置的一第一具 體實(shí)施例對(duì)應(yīng)一次像素區(qū)的部份結(jié)構(gòu)截面示意圖。在第一具體實(shí)施例中，本 發(fā)明的頂部發(fā)光主動(dòng)式矩陣電激發(fā)光裝置至少包括一下基板20，例如玻璃基 板，及復(fù)數(shù)個(gè)像素區(qū)形成于該下基板20上的一顯示區(qū)域中。每一該像素區(qū)包 含至少一次像素區(qū)200，而每一該次像素區(qū)200從上至下主要包含一第一導(dǎo)電 性電極層201、 一電激發(fā)光層202、 一第二導(dǎo)電性電極層203、 一第一反射層 區(qū)200a、 一保護(hù)層204、 一第二反射層區(qū)200b、 一第一絕緣層205、 一驅(qū)動(dòng) 晶體管206及一第二絕緣層207。該第一導(dǎo)電性電極層201可以是陰極電極層
7或陽(yáng)極電極層，而該第二導(dǎo)電性電極層203的電性與該第一導(dǎo)電性電極層201 的電性相反。該電激發(fā)光層202夾持于該第一導(dǎo)電性電極層201與該第二導(dǎo) 電性電極層203之間，其可以至少包含一有機(jī)電激發(fā)光層。該第一反射層區(qū) 200a位于該第二導(dǎo)電性電極層203下方但并未涵蓋整個(gè)該次像素區(qū)200。該 第一反射層區(qū)200a包含一第一反射層211，其厚度較佳小于0.5微米(um)。 該第一反射層211電性耦接該第二導(dǎo)電性電極層203。該保護(hù)層204形成于該 第一反射層區(qū)200a與該第二反射層區(qū)200b之間，而該第二反射層區(qū)200b與 該第一反射層區(qū)200a彼此部份重疊，該第二反射層區(qū)200b并未涵蓋整個(gè)該 次像素區(qū)200，并且該第二反射層區(qū)200b的厚度較佳小于0.5微米。該保護(hù) 層204可以是一平坦層，以利于調(diào)整厚度，其厚度較佳超過(guò)1微米。該保護(hù) 層204位于該第一反射層區(qū)200a下方的厚度為dlQ該第一絕緣層205位于該 第二反射層區(qū)200b下方并涵蓋整個(gè)該次像素區(qū)200。該第二絕緣層207位于 該第一絕緣層205與該下基板20之間。該驅(qū)動(dòng)晶體管206位于該第一反射層 區(qū)200a下方該下基板20上，并且部份的該第二絕緣層207供做該驅(qū)動(dòng)晶體 管206的柵極絕緣層。該驅(qū)動(dòng)晶體管206包含一柵極電極層2061、 一對(duì)漏極/ 源極區(qū)2062、 一通道區(qū)2063及一柵極絕緣層207。該漏極區(qū)或源極區(qū)2062 頂端形成一金屬接觸2064通過(guò)該第二絕緣層207而與該第一反射層211底部 電性耦接，以構(gòu)成該次像素區(qū)200的一數(shù)據(jù)線(xiàn)通路。該金屬接觸2064具有鉬 /鋁/鉬(Mo/Al/Mo)或鈦/鋁/鈦(Ti/Al/Ti)復(fù)合材料。在一般半導(dǎo)體組件中，例如 是本發(fā)明電激發(fā)光裝置，供做半導(dǎo)體組件柵極電極層的一金屬層通常稱(chēng)做第 一金屬層(M1 layer)，而供做前述半導(dǎo)體組件源極或漏極金屬接觸的另一金屬 層通常稱(chēng)做第二金屬層(M2 layer)。在本發(fā)明第一具體實(shí)施例中，該第二反射 層區(qū)200b包含一第二反射層212，其可以與該金屬接觸2064屬于同一金屬層， 但已除去前述復(fù)合材料的頂部金屬。換句話(huà)說(shuō)，該第二反射層212可以采用 本發(fā)明該電激發(fā)光裝置制程中形成該源極或漏極2064的金屬接觸2064的第 二金屬層(M2 layer),但并不受限于此，其也可以是一獨(dú)立單一金屬層，例如鉛金屬層o
在第一具體實(shí)施例中，該電激發(fā)光層202的部份發(fā)光分別投射至該第一 反射層區(qū)200a及該第二反射層區(qū)200b，再經(jīng)由該第一反射層區(qū)200a及該第 二反射層區(qū)200b反射回到該第一導(dǎo)電性電極層201與該第二導(dǎo)性電極層203 之間，再?gòu)脑撾娂ぐl(fā)光裝置200頂部出光或者在該第一導(dǎo)電性電極層201與 該第二導(dǎo)性電極層203之間產(chǎn)生微腔效應(yīng)(micro-cavity effect)后，再?gòu)脑撾娂?發(fā)光裝置200頂部出光。參照?qǐng)D2所示，經(jīng)由該第一反射層區(qū)200a反射的光 所走的光徑長(zhǎng)度與經(jīng)由該二反射層區(qū)200b反射的光所走的光徑長(zhǎng)度不一樣。 如此一來(lái)，該第一反射層區(qū)200a與該二反射層區(qū)200b分別反射的光回到該 第一導(dǎo)電性電極層201與該第二導(dǎo)性電極層203之間時(shí)造成微腔效應(yīng)的光波 長(zhǎng)會(huì)不一樣。這些反射光經(jīng)過(guò)微腔效應(yīng)后從該電激發(fā)光裝置頂部出光即可以 互相補(bǔ)償，以減低微腔效應(yīng)造成的不同視角的色偏(colorshift)現(xiàn)象，進(jìn)而提升 微腔效應(yīng)。
誠(chéng)如上述，本發(fā)明可以通過(guò)調(diào)整該保護(hù)層204的厚度，以使色偏現(xiàn)象消 減至最低。再者，該第一反射層211可以是單一金屬層或一復(fù)合金屬層。該 第一反射層區(qū)200a及該第二反射層區(qū)200b的反射率以超過(guò)30%為佳，例如 它們的反射率可以是50%~100%。
圖3為本發(fā)明頂部發(fā)光主動(dòng)式矩陣電激發(fā)光裝置的一第二具體實(shí)施例對(duì) 應(yīng)一次像素區(qū)的部份結(jié)構(gòu)截面示意圖。在第二具體實(shí)施例中，本發(fā)明的頂部 發(fā)光主動(dòng)式矩陣電激發(fā)光裝置至少包括一下基板30，例如玻璃基板，及復(fù)數(shù) 個(gè)像素區(qū)形成于該下基板30上的一顯示區(qū)域中。每一該像素區(qū)包含至少一次 像素區(qū)300，而每一該次像素區(qū)300從上至下主要包含一第一導(dǎo)電性電極層 301、 一電激發(fā)光層302、 一第二導(dǎo)電性電極層303、 一第一反射層區(qū)300a、 一保護(hù)層304、 一第一絕緣層305、 一第二反射層區(qū)300b、 一驅(qū)動(dòng)晶體管306 及一第二絕緣層307。該第一導(dǎo)電性電極層301可以是陰極電極層或陽(yáng)極電極 層，而該第二導(dǎo)電性電極層303的電性與該第一導(dǎo)電性電極層301的電性相
9反。該電激發(fā)光層302夾持于該第一導(dǎo)電性電極層301與該第二導(dǎo)電性電極 層303之間，其可以至少包含一有機(jī)電激發(fā)光層。該第一反射層區(qū)300a位于 該第二導(dǎo)電性電極層303下方但并未涵蓋整個(gè)該次像素區(qū)300。該第一反射層 區(qū)300a包含一第一反射層311，其厚度較佳小于0.5微米Om)。該第一反射 層311電性耦接該第二導(dǎo)電性電極層303。該保護(hù)層304形成于該第一反射層 區(qū)300a與該第一絕緣層305之間。該第二反射層區(qū)300b位于該第一絕緣層 305下方并且與該第一反射層區(qū)300a部份重疊。該第二反射層區(qū)300b并未涵 蓋整個(gè)該次像素區(qū)300，并且該第二反射層區(qū)300b的厚度較佳小于0.5微米。 該保護(hù)層304可以是一平坦層，以利于調(diào)整厚度，其厚度較佳超過(guò)1微米。 該第二絕緣層307位于該第二反射層區(qū)300b下方該下基板30上并涵蓋整個(gè) 該次像素區(qū)300。該驅(qū)動(dòng)晶體管306位于該第一反射層區(qū)300a下方該下基板 20上，并且部份的該第二絕緣層307供做該驅(qū)動(dòng)晶體管306的柵極絕緣層。 該驅(qū)動(dòng)晶體管306包含一柵極電極層3061、 一對(duì)漏極/源極區(qū)3062、 一通道區(qū) 3063及一柵極絕緣層307。該漏極區(qū)或源極區(qū)3062頂端形成一金屬接觸3064 通過(guò)該第二絕緣層307而與該第一反射層311底部電性耦接，以構(gòu)成該次像 素區(qū)300的一數(shù)據(jù)線(xiàn)通路。該金屬接觸3064具有鉬/鋁/鉬(Mo/Al/Mo)或鈦/ 鋁/鈦(Ti/Al/Ti)復(fù)合材料。在第二具體實(shí)施例中，該第二反射層區(qū)300b包含 一第二反射層312，其可以與該驅(qū)動(dòng)晶體管306的該柵極電極層3061屬于同 一金屬層。換句話(huà)說(shuō)，該第二反射層312可以采用本發(fā)明該電激發(fā)光裝置制 程中形成該柵極電極層3061的第一金屬層(M1 layer),但并不受限于此，其也 可以是一獨(dú)立單一金屬層或一復(fù)合材料層。
在第二具體實(shí)施例中，該電激發(fā)光層302的部份發(fā)光分別投射至該第一 反射層區(qū)300a及該第二反射層區(qū)300b,再經(jīng)由該第一反射層區(qū)300a及該第 二反射層區(qū)300b反射回到該第一導(dǎo)電性電極層301與該第二導(dǎo)電性電極層 303之間，再?gòu)脑撾娂ぐl(fā)光裝置300頂部出光或者在該第一導(dǎo)電性電極層301 與該第二導(dǎo)電性電極層303之間產(chǎn)生微腔效應(yīng)(micro-cavity effect)后，再?gòu)脑撾娂ぐl(fā)光裝置300頂部出光。參照?qǐng)D3所示，經(jīng)由該第一反射層區(qū)300a反射 的光所走的光徑長(zhǎng)度與經(jīng)由該二反射層區(qū)300b反射的光所走的光徑長(zhǎng)度不一 樣。如此一來(lái)，該第一反射層區(qū)300a與該二反射層區(qū)300b分別反射的光回 到該第一導(dǎo)電性電極層301與該第二導(dǎo)性電極層303之間時(shí)造成微腔效應(yīng)的 光波長(zhǎng)會(huì)不一樣。這些反射光經(jīng)過(guò)微腔效應(yīng)后從該電激發(fā)光裝置頂部出光即 可以互相補(bǔ)償，以減低微腔效應(yīng)造成的不同視角的色偏(colorshift)現(xiàn)象，進(jìn)而 提升微腔效應(yīng)。
誠(chéng)如上述，本發(fā)明可以通過(guò)調(diào)整該保護(hù)層304的厚度，以使色偏現(xiàn)象消 減至最低。再者，該第一反射層311可以是單一金屬層或一復(fù)合金屬層。該 第一反射層區(qū)300a及該第二反射層區(qū)300b的反射率以超過(guò)30%為佳，例如 它們的反射率可以是50% 100%。
圖4為本發(fā)明頂部發(fā)光主動(dòng)式矩陣電激發(fā)光裝置的一第三具體實(shí)施例對(duì) 應(yīng)一次像素區(qū)的部份結(jié)構(gòu)截面示意圖。在第三具體實(shí)施例中，本發(fā)明的頂部 發(fā)光主動(dòng)式矩陣電激發(fā)光裝置至少包括一下基板40，例如玻璃基板，及復(fù)數(shù) 個(gè)像素區(qū)形成于該下基板40上的一顯示區(qū)域中。每一該像素區(qū)包含至少一次 個(gè)像素區(qū)400，而每一該次像素區(qū)400從上至下主要包含一第一導(dǎo)電性電極層 401、 一電激發(fā)光層402、 一第二導(dǎo)電性電極層403、 一第一反射層區(qū)400a、 一保護(hù)層404、 一第二反射層區(qū)400b、 一第一絕緣層405、 一第三反射層區(qū) 400c、 一驅(qū)動(dòng)晶體管406及一第二絕緣層407。該第一導(dǎo)電性電極層401可以 是陰極電極層或陽(yáng)極電極層，而該第二導(dǎo)電性電極層403的電性與該第一導(dǎo) 電性電極層401的電性相反。該電激發(fā)光層402夾持于該第一導(dǎo)電性電極層 401與該第二導(dǎo)電性電極層403之間，其可以至少包含一有機(jī)電激發(fā)光層。該 第一反射層區(qū)400a位于該第二導(dǎo)電性電極層403下方但并未涵蓋整個(gè)該次像 素區(qū)400。該第一反射層區(qū)400a包含一第一反射層411，其厚度較佳小于0.5 微米(um)。該第一反射層411電性耦接該第二導(dǎo)電性電極層403。該保護(hù)層 404形成于該第一反射層區(qū)400a與該第二反射層區(qū)400b之間，而該第二反射層區(qū)400b與該第一反射層區(qū)400a彼此部份重疊，該第二反射層區(qū)400b并未 涵蓋整個(gè)該次像素區(qū)400，并且該第二反射層區(qū)400b的厚度較佳小于0.5微 米。該保護(hù)層404可以是一平坦層，以利于調(diào)整厚度，其厚度較佳超過(guò)1微 米。該第一絕緣層405位于該第二反射層區(qū)400b下方并涵蓋整個(gè)該次像素區(qū) 400。該第三反射層區(qū)400c位于該第一絕緣層405與該第二絕緣層407之間。 該第三反射層區(qū)400c與該第二反射層區(qū)400b相對(duì)該第一反射層區(qū)400a的一 邊重疊。該第三反射層區(qū)400c的厚度較佳小于0.5微米。該第二絕緣層407 位于該第一絕緣層405與該下基板40之間。該驅(qū)動(dòng)晶體管406位于該第一反 射層區(qū)400a下方該下基板40上，并且部份的該第二絕緣層407供做該驅(qū)動(dòng) 晶體管406的柵極絕緣層。該驅(qū)動(dòng)晶體管406包含一柵極電極層4061、 一對(duì) 漏極/源極區(qū)4062、 一通道區(qū)4063及一柵極絕緣層407。該漏極區(qū)或源極區(qū) 4062頂端形成一金屬接觸4064通過(guò)該第二絕緣層407與該第一反射層411底 部電性耦接，以構(gòu)成該次像素區(qū)400的一數(shù)據(jù)線(xiàn)通路。該金屬接觸4064具有 鉬/鋁/鉬(Mo/Al/Mo)或鈦/鋁/鈦(Ti/Al/Ti)復(fù)合材料。在第三具體實(shí)施例中，該 第二反射層區(qū)400b包含一第二反射層412，其可以與該金屬接觸4064屬于同 一金屬層，但已除去前述復(fù)合材料的頂部金屬。換句話(huà)說(shuō)，該第二反射層412 可以采用本發(fā)明該電激發(fā)光裝置制程中形成的第二金屬層(M2 layer),但并不 受限于此，其也可以是一獨(dú)立單一金屬層，例如鋁金屬層。該第三反射層區(qū) 400c包含一第三反射層413，其可以與該驅(qū)動(dòng)晶體管406的該柵極電極層4061 屬于同一金屬層。換句話(huà)說(shuō)，該第三反射層413可以釆用本發(fā)明該電激發(fā)光 裝置制程中形成的第一金屬層(M1 layer),但并不受限于此，其也可以是一獨(dú) 立單一金屬層或一復(fù)合材料層。
在第三具體實(shí)施例中，該電激發(fā)光層402的部份發(fā)光分別投射至該第一 反射層區(qū)400a、該第二反射層區(qū)400b及該第三反射層區(qū)400c,再經(jīng)由該第一 反射層區(qū)400a、該第二反射層區(qū)400b及該第三反射層區(qū)400c反射回到該第 一導(dǎo)電性電極層401與該第二導(dǎo)性電極層403之間，再?gòu)脑撾娂ぐl(fā)光裝置400
12頂部出光或者在該第一導(dǎo)電性電極層401與該第二導(dǎo)性電極層403之間產(chǎn)生 微腔效應(yīng)(micro-cavity effect)后，再?gòu)脑撾娂ぐl(fā)光裝置400頂部出光。參照?qǐng)D 4所示，該第一反射層區(qū)400a反射的光所走的光徑長(zhǎng)度與該二反射層區(qū)400b 反射的光所走的光徑長(zhǎng)度及與該三反射層區(qū)400c反射的光所走的光徑長(zhǎng)度三 者不一樣。如此一來(lái)，該第一反射層區(qū)400a、該二反射層區(qū)400b與該第三反 射層區(qū)400c分別反射的光回到該第一導(dǎo)電性電極層401與該第二導(dǎo)性電極層 403之間時(shí)造成微腔效應(yīng)的光波長(zhǎng)會(huì)不一樣。這些反射光經(jīng)過(guò)微腔效應(yīng)后從該 電激發(fā)光裝置頂部出光即可以互相補(bǔ)償，以減低微腔效應(yīng)造成的不同視角的 色偏(color shift)現(xiàn)象，進(jìn)而提升微腔效應(yīng)。
誠(chéng)如上述，本發(fā)明可以通過(guò)調(diào)整該保護(hù)層404的厚度，以使色偏現(xiàn)象消 減至最低。再者，該第一反射層411可以是單一金屬層或一復(fù)合金屬層。該 第一反射層區(qū)400a、該第二反射層區(qū)400b及該第三反射層區(qū)400c的反射率 以超過(guò)30%為佳，例如它們的反射率可以是50%~100%。
圖5為本發(fā)明前述第一具體實(shí)施例(參照?qǐng)D2)的一變化例，其與該第一具 體實(shí)施例不同處僅在于該第一反射層區(qū)200a對(duì)應(yīng)的該保護(hù)層204厚度d,大于 該第二反射層區(qū)200b對(duì)應(yīng)的該保護(hù)層204的厚度d2。
本發(fā)明的頂部發(fā)光主動(dòng)式矩陣電激發(fā)光裝置可應(yīng)用至一影像顯示系統(tǒng) 600，如圖6所示。該影像顯示系統(tǒng)600可包括一顯示面板602及一電源供應(yīng) 器604。該顯示面板602可以是一電子裝置的一部分，并包括該接口驅(qū)動(dòng)電路 6020。該電源供應(yīng)器604耦接至顯示面板602以提供電能至顯示面板602。該 影像顯示系統(tǒng)600可以是但不限于手機(jī)、數(shù)字相機(jī)、個(gè)人數(shù)字助理、筆記本 電腦、桌面計(jì)算機(jī)、電視、全球定位系統(tǒng)(GPS)、車(chē)用顯示器、航空用顯示器、 數(shù)字相框(Digital Photo Fmme)或可攜式DVD放影機(jī)。
在詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明的較佳實(shí)施例之后，熟悉該項(xiàng)技術(shù)人士可清楚的了解， 在不脫離下述權(quán)利要求與精神下可進(jìn)行各種變化與改變，且本發(fā)明也不受限 于說(shuō)明書(shū)中所舉實(shí)施例的實(shí)施方式。
1權(quán)利要求
1. 一種頂部發(fā)光主動(dòng)式矩陣電激發(fā)光裝置，其特征在于，該電激發(fā)光裝置包括一基板；及復(fù)數(shù)個(gè)像素區(qū)形成于所述的基板上的一顯示區(qū)域中，每一所述的像素區(qū)包含至少一次像素區(qū)，每一所述的次像素區(qū)從上至下至少包含一第一導(dǎo)電性電極層、一電激發(fā)光層、一第二導(dǎo)電性電極層、一第一反射層區(qū)及一第二反射層區(qū)，其中所述的第一反射層區(qū)與所述的第二反射層區(qū)彼此部份重疊。
2. 如權(quán)利要求1所述的頂部發(fā)光主動(dòng)式矩陣電激發(fā)光裝置，其特征在于， 該電激發(fā)光裝置還包含一保護(hù)層介于所述的第一反射層區(qū)與所述的第二反射 層區(qū)之間。
3. 如權(quán)利要求1所述的頂部發(fā)光主動(dòng)式矩陣電激發(fā)光裝置，其特征在于， 所述的第一反射層區(qū)包含一第一反射層電性耦接所述的第二導(dǎo)電性電極層。
4. 如權(quán)利要求1所述的頂部發(fā)光主動(dòng)式矩陣電激發(fā)光裝置，其特征在于， 所述的第一反射層區(qū)及所述的第二反射層區(qū)的厚度小于0.5微米。
5. 如權(quán)利要求2所述的頂部發(fā)光主動(dòng)式矩陣電激發(fā)光裝置，其特征在于， 所述的保護(hù)層的厚度超過(guò)1微米。
6. —種頂部發(fā)光主動(dòng)式矩陣電激發(fā)光裝置，其特征在于，該電激發(fā)光裝 置包括一基板；及復(fù)數(shù)個(gè)像素區(qū)形成于所述的基板上的一顯示區(qū)域中，每一所述的像素區(qū) 包含至少一次像素區(qū)，每一所述的次像素區(qū)從上至下至少包含一第一導(dǎo)電性 電極層、 一電激發(fā)光層、 一第二導(dǎo)電性電極層、 一第一反射層區(qū)、 一第二反 射層區(qū)及一第三反射層區(qū)，其中所述的第一反射層區(qū)與所述的第二反射層區(qū) 彼此部份重疊，所述的第二反射層區(qū)相對(duì)所述的第一反射層區(qū)的一邊與所述的第三反射層區(qū)彼此部份重疊。
7. 如權(quán)利要求6所述的頂部發(fā)光主動(dòng)式矩陣電激發(fā)光裝置，其特征在于， 該電激發(fā)光裝置還包含一保護(hù)層位于所述的第一反射層區(qū)下方并覆蓋所述的 第二反射層區(qū)與所述的第三反射層區(qū)。
8. 如權(quán)利要求7所述的頂部發(fā)光主動(dòng)式矩陣電激發(fā)光裝置，其特征在于， 該電激發(fā)光裝置還包含一絕緣層介于所述的第二反射層區(qū)與所述的第三反射 層區(qū)之間。
9. 如權(quán)利要求6所述的頂部發(fā)光主動(dòng)式矩陣電激發(fā)光裝置，其特征在于， 所述的第一反射層區(qū)、所述的第二反射層區(qū)及所述的第三反射層區(qū)的厚度小 于0.5微米。
10. 如權(quán)利要求7所述的頂部發(fā)光主動(dòng)式矩陣電激發(fā)光裝置，其特征在 于，所述的保護(hù)層的厚度超過(guò)1微米。
全文摘要
本發(fā)明提供一種頂部發(fā)光主動(dòng)式矩陣電激發(fā)光裝置包括復(fù)數(shù)個(gè)像素區(qū)形成于一基板上的一顯示區(qū)域中，每一該像素區(qū)包含至少一次像素區(qū)，每一該次像素區(qū)從上至下至少包含一第一導(dǎo)電性電極層、一電激發(fā)光層、一第二導(dǎo)電性電極層、一第一反射層區(qū)及一第二反射層區(qū)。該第一反射層區(qū)與該第二反射層區(qū)彼此部份重疊。該電激發(fā)光層的部份發(fā)光分別經(jīng)由該第一反射區(qū)及該第二反射區(qū)反射而朝上發(fā)光并與該電激發(fā)光層的朝上發(fā)光互相補(bǔ)償，以減低微腔效應(yīng)造成的不同視角的色偏現(xiàn)象。
文檔編號(hào)H05B33/12GK101466178SQ20071016082
公開(kāi)日2009年6月24日 申請(qǐng)日期2007年12月18日 優(yōu)先權(quán)日2007年12月18日
發(fā)明者彭杜仁, 西川龍司, 詹川逸 申請(qǐng)人:統(tǒng)寶光電股份有限公司