專利名稱：電路板及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種電路板及一種制造電路板的方法。
背景技術(shù)：
隨著電子產(chǎn)品朝向日趨微型化、輕薄化、高密度化、以及封裝 化發(fā)展的趨勢(shì)，從而電路板同樣經(jīng)歷著圖案孩i細(xì)化以及產(chǎn)品孩支型化 和封裝化的趨勢(shì)。因此，隨著為了在多層印刷電路板上形成微細(xì)圖 案以及提高可靠性和設(shè)計(jì)密度的需要而發(fā)生的原材料的變化，出現(xiàn) 了朝向集成電路的組成層的變化。組件也經(jīng)歷從DIP(插裝型封裝) 型到SMT (表面貼裝)型的改變，從而安裝密度也正在提高。
適應(yīng)電路日益復(fù)雜化以及高密度和微細(xì)導(dǎo)線電路的需要，不斷 提出不同樣式的多層電路板。但是，用于制造多層電路板的傳統(tǒng)工 藝可包括復(fù)雜的過程，以及例如因?yàn)殡x子移動(dòng)等原因，要求相鄰電 路之間有最小節(jié)距，從而局限了微細(xì)導(dǎo)線電路圖案的形成。
并且，多層電路板可能具有高厚度，這使得很困難制造出薄板， 同時(shí)在電路和板之間的連接部分可能出現(xiàn)下陷，造成電路從板上剝落。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一方面是提供一種電路板和一種制造該電路板的方 法，其中，在不增加絕鄉(xiāng)彖體凄t量的情況下，形成雙層電路圖案(一 個(gè)電路圖案埋在絕緣體中而一個(gè)電路圖案形成在外層上)，以提供 高密度的電路圖案。
并且，本發(fā)明的另 一方面是提供一種電路板和一種制造該電路 板的方法，其中，在埋在絕緣體中的電路圖案和形成在外層上的電 路圖案之間形成高度差，以減小相鄰電路間的節(jié)距并因此形成高密 度的微細(xì)導(dǎo)線電路圖案。
本發(fā)明的一個(gè)方面提供了一種制造電路板的方法，該方法包
括在堆疊于載體上的晶種層上形成導(dǎo)電凸版圖案(conductive relievo pattern ),其中與第一電路圖案相一致的導(dǎo)電凸版圖案包括依 次堆疊的第一鍍覆層、第一金屬層和第二鍍覆層；將載體和絕緣體 堆疊并壓在一起，使得載體的其上形成有導(dǎo)電凸版圖案的表面面向
絕緣體；通過去除載體將導(dǎo)電凸版圖案轉(zhuǎn)錄入絕緣體中；在絕緣體 的其上轉(zhuǎn)錄有導(dǎo)電凸版圖案的表面上形成導(dǎo)電圖案，其中與第二電
路圖案相一致的導(dǎo)電圖案包括依次堆疊的第三鍍覆層和第二金屬 層；去除第一鍍覆層和晶種層；以及去除第一金屬層和第二金屬層。
第一鍍覆層、第二鍍覆層和第三鍍覆層可以由與晶種層一樣的 金屬材料形成，而第 一金屬層和第二金屬層可以由與晶種層不同的 金屬材料形成。在這種情況下，晶種層可以包含銅(Cu),并且第
一金屬層和第二金屬層可以包含錫(Sn)和鎳(Ni)中的至少一種 或多種。
形成導(dǎo)電凸版圖案可包括通過在晶種層上選擇性地形成鍍覆 抗蝕層(plating resist)形成與第 一 電3各圖案相對(duì)應(yīng)的凹版圖案 (intaglio pattern);通過分別實(shí)施電鍍，在凹版圖案中依次堆疊第 一鍍覆層、第一金屬層和第二鍍覆層；以及去除鍍覆抗蝕層。
載體可以是金屬玲反，在種情況下，可以通過蝕刻金屬才反的方式 來完成4爭(zhēng)錄。
形成導(dǎo)電圖案可包括通過在絕緣體表面上選擇性地形成鍍覆 抗蝕層形成與第二電路圖案相對(duì)應(yīng)的凹版圖案；通過分別實(shí)施電鍍 在凹版圖案中依次堆疊第三鍍覆層和第二金屬層；以及去除鍍覆抗 蝕層。
在一些實(shí)施例中，形成導(dǎo)電凸版圖案可包括在兩個(gè)載體的每個(gè) 晶種層上形成導(dǎo)電凸版圖案，堆疊和壓緊可包括將兩個(gè)載體堆疊和 壓緊在絕緣體的任一表面上，使得每個(gè)載體的其上形成有導(dǎo)電凸版 圖案的表面面向絕緣體，轉(zhuǎn)錄可包括去除兩個(gè)載體，以及形成導(dǎo)電 圖案可包括在絕緣體的任一表面上形成導(dǎo)電圖案。
制造電路板的方法，在絕緣體任一表面上形成導(dǎo)電圖案之前， 然后可進(jìn)一步包括，在絕緣體中形成導(dǎo)孔(viahole)并且在該導(dǎo)孔 中形成晶種層，以及在形成導(dǎo)電圖案之后還可進(jìn)一步包括，在絕緣 體上選擇性地施加阻焊層。
本發(fā)明的另一個(gè)方面提供一種電路板，該電路板包括絕緣體， 包括溝槽；第一電路圖案，被形成為掩埋溝槽的一部分；以及第二 電路圖案，形成在絕緣體的其中形成有溝槽的表面上。 第一電^ 各圖案和第二電路圖案可以形成在絕,彖體的兩個(gè)表面上。
電路板可包括用于電連接形成在絕緣體的任一表面上的第一
電路圖案的過孔(via)。
在某些情況下，第二電路圖案的一部分可以形成得與第一電路 圖案的一部分重疊。
本發(fā)明的其它方面和優(yōu)點(diǎn)將在以下描述中部分地闡述，并且部 分地將從該描述中變得顯而易見，或者可以通過實(shí)施本發(fā)明來理 解。


圖1是4艮據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的電路板的剖切示意圖。
圖2A、圖2B、圖2C、圖2D、圖2E、圖2F、圖2G、圖2H、 圖21、圖2J、和圖2K顯示了示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的制造電路板 的方法的流^E圖。
圖3A、圖3B、圖3C、圖3D、圖3E、圖3F、圖3G、和圖3H 顯示了示出根據(jù)本發(fā)明另 一實(shí)施例的制造電路板的方法的流程圖。
圖4是示出了4艮據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的制造電路板的方法的流程圖。
具體實(shí)施例方式
下面將結(jié)合附圖詳細(xì)描述根據(jù)本發(fā)明 一 些實(shí)施例的電路板及 其制造方法，附圖中，不管圖號(hào)如何，那些相同或相應(yīng)的部件被編 以相同的參考標(biāo)號(hào)，并將省略重復(fù)性描述。
圖1是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的電路板的剖切示意圖。圖1中示出
了絕桑彖體24、第一電路圖案30、第二電路圖案32和過孔36。
由于電子產(chǎn)品變得日趨微型化、輕薄化、高密度化，從而電路 板也經(jīng)歷圖案微細(xì)化和產(chǎn)品微型化的趨勢(shì)。電路板的電路圖案中的 高密度和微細(xì)圖案使電線之間的距離變得較窄(電線中心和相鄰電 線中心之間的距離稱作"節(jié)距，，)，由此由于離子移動(dòng)等原因，可發(fā) 生短路或者不良絕緣。因此，在制造微細(xì)電路圖案時(shí)，為防止電路 中的這些短路或不良絕緣，相鄰電線之間需要保持最小節(jié)距，這將 限制樣t細(xì)導(dǎo)線電if各的形成。
這個(gè)實(shí)施例通過形成由埋在絕緣體24內(nèi)的第 一 電路圖案30和 形成在絕纟彖體24的外層上的第二電路圖案32構(gòu)成的雙層電路圖 案，提供在不增加絕緣體24的數(shù)量的情況下具有高密度電路圖案 的電路板。即，呈現(xiàn)電路板，通過在第一電路圖案30 (埋在絕緣體 24內(nèi))和第二電路圖案32 (形成在絕緣體24的外層上)之間產(chǎn)生 高度差以降低相鄰電線之間間距的方式，可以在該電路板中形成高 密度的微細(xì)導(dǎo)線電路圖案。這里，在第一電路圖案30 (埋在絕緣體 24中)和第二電路圖案32 (形成在絕緣體24的外層上)之間可形 成大于特定的距離的高度差，以防止發(fā)生電路短路。
根據(jù)本實(shí)施例的電路板可包括纟色緣體24,其中形成與第一電 路圖案30對(duì)應(yīng)的溝槽；第一電路圖案30,被形成為掩埋溝槽的一 部分；以及第二電路圖案32,形成于絕緣體24的其中形成有溝槽
的表面上，第一電路圖案30和第二電3各圖案32之間形成超過一定 距離的高度差。
雖然形成在相同平面中的電線之間可能需要特定量值的節(jié)距， 根據(jù)此實(shí)施例的電路板可以使第一電路圖案30和第二電路圖案32 形成在形成有特定高度差的兩個(gè)平面上，以起到形成大于一定間距 的節(jié)距的效果。這種構(gòu)造使纟是供具有高密度電路圖案的電路板成為 可能。
應(yīng)該注意的是，如圖1中所示，可在絕鄉(xiāng)彖體24的兩個(gè)表面上 均形成第一電i 各圖案30和第二電路圖案32， /人而對(duì)于一個(gè)絕纟彖體 24而言可以形成四層電^各圖案。在這種情況下，通過過孔36可以 連接形成在絕緣體24任一表面上的第 一 電路圖案30以能夠?qū)崿F(xiàn)電傳導(dǎo)。
同樣，可以^使得第一電^各圖案30的一部分與第二電^各圖案32 的一部分重疊(見圖1中形成過孔36的部分)，以^使形成在絕緣體 24的一個(gè)表面上的第一電路圖案30和第二電路圖案32之間電連 接。
圖2A至2K顯示了示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的制造電路板的方 法的流程圖。圖2A至2K中示出了載體12、晶種層14、鍍覆抗蝕 層16、第一鍍覆層18、第一金屬層20、第二鍍覆層22、導(dǎo)電凸版 圖案21、絕緣體24、第三鍍覆層26、第二金屬層28、導(dǎo)電圖案27、 第一電路圖案30和第二電路圖案32。
這個(gè)實(shí)施例可以提供通過形成由埋在絕緣體24中的第一電路 圖案30和形成在絕步彖體24的外層上的第二電路圖案32構(gòu)成的雙 層電路圖案而制造電路玲反的方法，所述電路4反在不增加絕緣體24 數(shù)量的情況下具有高密度電路圖案。
即，通過依次堆疊第一鍍覆層18、第一金屬層20和第二鍍覆 層22而形成的導(dǎo)電凸片反圖案21，可以與第一電路圖案30相一致而 形成在堆疊于載體12上的晶種層14上。可以〗吏得載體12的具有 導(dǎo)電凸版圖案21的表面面向絕纟彖體24,并且載體12和絕緣體24 可以;陂堆疊并壓在一起，之后去除載體12可以^使導(dǎo)電凸版圖案21 3皮轉(zhuǎn)錄入絕緣體24的表面內(nèi)。
接下來，通過依次堆疊第三鍍覆層26和第二金屬層28形成的 導(dǎo)電圖案27,可以與第二電路圖案32相一致而形成在絕緣體24的 轉(zhuǎn)錄有導(dǎo)電凸版圖案21的表面上，之后可以去除第一鍍覆層18和 晶種層14。
通過后來去除第一金屬層20和第二金屬層28,可以制造出具 有在絕緣體24的表面內(nèi)埋至一定深度的第一電路圖案30和形成在 絕緣體24的表面上的第二電路圖案32的電路板。
參考圖2A、 2B和2C，在堆疊于載體12上的晶種層14上形成 具有依次堆疊的第一鍍覆層18、第一金屬層20和第二鍍覆層22的 導(dǎo)電凸版圖案21,從而導(dǎo)電凸版圖案21與第一電路圖案30相一致， 可如下所述實(shí)施。鍍覆4元蝕層16可以選擇性;也形成在晶種層14上 以形成與第一電路圖案30相對(duì)應(yīng)的凹;l反圖案(圖2A)，通過4吏用 晶種層14作為電極對(duì)第一鍍覆層18、第一金屬層20和第二鍍覆層 22中的每個(gè)實(shí)施電鍍，第一鍍覆層18、第一金屬層20和第二鍍覆 層22可以依次堆疊在凹;f反圖案中(圖2B)，然后可以去除鍍覆抗 蝕層16以形成與第一電路圖案30相一致的導(dǎo)電凸版圖案21 (圖 2C )。
在載體12的晶種層14上形成與第一電路圖案30相一致的導(dǎo) 電凸版圖案21的方法可包括在載體12的晶種層14上涂覆感光 材料；構(gòu)造與第一電路圖案30相對(duì)應(yīng)的光掩膜；之后將光掩膜安
置在涂覆有感光材料的晶種層14上并且在紫外線下曝光。曝光后， 可以^吏用例如顯影液^f感光才才并牛的未固^匕部分顯影，以在晶種層14 上形成與第一電^各圖案30匹配的凹;f反圖案(圖2A)。
通過選擇性地顯影和曝光堆疊在載體12的晶種層14上的感光 薄膜層，感光薄膜層的由于光掩膜而還沒有曝光的未固化部分從載 體12的晶種層14被去除，而感光薄膜的由于曝光已經(jīng)被固化的部 分被保留，從而可以形成與第一電路圖案30相對(duì)應(yīng)的凹版圖案。
感光薄膜層(例如，感光薄膜層可以是干膜)可以用作堆疊在 載體12的晶種層14上的感光材料，通過使用底片(artwork film ) 的光掩膜等選擇性地曝光和顯影，然后感光薄膜層可以形成為與想 要的第一電路圖案30相對(duì)應(yīng)的凹X反圖案。同樣可以通過在載體12 的晶種層14上應(yīng)用感光液而形成感光薄膜層。
當(dāng)與第一電路圖案30相對(duì)應(yīng)的凹版圖案在載體12的晶種層14 上形成時(shí)，通過使用晶種層14作為電極而實(shí)施電鍍，第一鍍覆層 18可以首先形成在凹;f反圖案中。當(dāng)堆疊第一鍍覆層18后，可以通 過電鍍堆疊第一金屬層20。
第一金屬層20可包含錫和鎳中的至少一種或多種。這里，第 一鍍覆層和第一金屬層20可以只形成在凹版圖案的一部分中。因 為當(dāng)在隨后的步驟中去除第一鍍覆層18和第一金屬層20時(shí)，第一 鍍覆層18和第一金屬層20在凹版圖案中堆疊所至的高度形成第一 電路圖案30和第二電路圖案32之間的特定的高度差，所以第 一鍍 覆層18和第一金屬層20可被堆疊至不會(huì)引起電路短路的高度。
當(dāng)特定深度的第 一鍍覆層18和第 一金屬層20堆疊在凹版圖案 中時(shí)，第二鍍覆層22可堆疊在頂部。當(dāng)去除第一鍍覆層18和第一 金屬層20后,第二鍍覆層22后續(xù)可成為第一電3各圖案30 (圖2B)。
本領(lǐng)域技術(shù)人員熟知的導(dǎo)電材料，諸如鋁(Al)、銀(Ag)、銅 (Cu)、鉻(Cr)等，可以用作第一鍍覆層18和第二鍍覆層22。例如， 銅可用作晶種層14，在實(shí)施電鍍以在凹版圖案中堆疊第一鍍覆層 18和第二鍍覆層22時(shí)，該晶種層可用作電才及。
第一金屬層20和第二金屬層28可以由不同于用于第一至第三 鍍覆層18、 22、 26的材料的金屬形成，從而如后所述，當(dāng)去除第 一鍍覆層18和晶種層14時(shí)，所述第一金屬層和第二金屬層可以用 作抗蝕層。
第一金屬層20和第二金屬層28可包含錫(Sn)和鎳(Ni)中 的至少一種或多種。即，金屬層可以由錫(Sn)或者鎳(Ni)制成， 錫(Sn)可以與額外形成于其上的鎳(Ni) —起形成，或者鎳(Ni) 可以與額外形成于其上的錫(Sn) —起形成。當(dāng)然，第一金屬層20 和第二金屬層28也可由不同金屬形成。
在第一鍍覆層18、第一金屬層20和第二鍍覆層22依次堆疊在 凹版圖案中之后，可以去除鍍覆抗蝕層16以在載體12的晶種層14 上形成與第一電路圖案30相一致的導(dǎo)電凸版圖案21 (圖2C)。
當(dāng)導(dǎo)電凸版圖案21形成在載體12的晶種層14上時(shí)，載體12 和絕緣體24可以被堆疊并壓緊，同時(shí)載體12的具有導(dǎo)電凸版圖案 21的表面面向絕緣體24，從而導(dǎo)電凸版圖案21壓入絕緣體24中 (圖2D和2E),之后去除載體12可使得導(dǎo)電凸版圖案21被掩埋并 轉(zhuǎn)錄入絕緣體24的表面內(nèi)。這里，堆疊在載體12的表面上的晶種 層14同樣也可以;故轉(zhuǎn)印(圖2F )。
絕緣體24可以包含熱塑樹脂和玻璃環(huán)氧樹脂中的至少一種， 并且當(dāng)導(dǎo)電凸版圖案21埋入絕^彖體24中時(shí)，絕緣體24可處于軟 化狀態(tài)。即，通過提高溫度至熱塑樹脂和/或玻璃環(huán)氧樹脂的軟化溫
度對(duì)絕緣體24進(jìn)行軟化之后，凸版一般形成在載體12的晶種層14 中的導(dǎo)電凸版圖案21可以被壓入軟化的絕緣體24中。也可以使用 半固化片作為絕緣體24,在該半固化片中，熱固樹脂^皮注入到玻璃 纖維中以提供半固化狀態(tài)。
關(guān)于去除載體12的方法，如果載體12由金屬板制成，該去除 可包括蝕刻金屬板，或者如果載體12由薄膜(諸如樹脂等)制成， 并且通過熱塑性粘合劑附著至絕纟彖層上，可以通過施加特定的溫度 從而降低粘合劑的粘性以分離載體12 。
當(dāng)導(dǎo)電凸版圖案21轉(zhuǎn)錄入絕緣體24的表面內(nèi)時(shí)，通過依次堆 疊第三鍍覆層26和第二金屬層28而制成的導(dǎo)電圖案27,可以與第 二電路圖案32相一致形成在絕》彖體24的表面上。
即，通過選擇性地形成鍍覆抗蝕層可以在絕緣體24的表面中 形成與第二電路圖案32相對(duì)應(yīng)的凹版圖案(圖2G)，第三鍍覆層 26和第二金屬層28通過實(shí)施電鍍可以依次堆疊(圖2H)，然后可 以去除鍍覆抗蝕層16以在絕緣體24的表面上形成與第二電路圖案 32相一致的導(dǎo)電圖案27 (圖21)。
形成與第二電路圖案32相對(duì)應(yīng)的凹片反圖案的方法可與在晶種 層14中形成與第一電^各圖案30相對(duì)應(yīng)的凹版圖案的方法相同，因 此不再作進(jìn)一步詳細(xì)的闡述。
當(dāng)形成與第二電路圖案32相對(duì)應(yīng)的凹版圖案時(shí)，第三鍍覆層 26和第二金屬層28可依次堆疊在凹版圖案中。如上所述，當(dāng)從絕 纟彖體24去除載體12時(shí)，用在載體12表面上的晶種層14也可以轉(zhuǎn) 印至絕緣體24。這個(gè)晶種層14可以用作電極以實(shí)施電鍍來堆疊第 三鍍覆層26然后堆疊第二金屬層28。
本領(lǐng)域技術(shù)人員熟知的導(dǎo)電材料，諸如鋁(Al)、 4艮(Ag)、銅 (Cu)、鉻(Cr)等，可以用作第三鍍覆層26。舉例來說，銅可用作 晶種層14，其在實(shí)施電鍍中可被用作電極以在凹版圖案中堆疊第三 鍍覆層26。當(dāng)在后續(xù)過程中去除第 一金屬層20和第二金屬層28時(shí)， 第三鍍覆層26可變成形成在絕緣體24的表面上的第二電路圖案 32。
第二金屬層28可以由與第 一金屬層20相同的材并+制成，從而 當(dāng)去除第一和第二金屬層20、 28時(shí)，通過單一蝕刻工藝可以同時(shí) 去除第一金屬層20和第二金屬層28。
導(dǎo)電圖案27可以形成為具有與從絕緣體24的表面壓入的導(dǎo)電 凸版圖案21重疊的部分。從而通過使得一部分與導(dǎo)電凸版圖案重 疊，在后續(xù)過程中將要形成的第一電路圖案30和第二電路圖案32 能夠選擇性地電連接。即，為了使導(dǎo)電圖案27的一部分與從絕緣 體24的表面壓入的導(dǎo)電凸版圖案21的一部分重疊，與第二電路圖 案32相對(duì)應(yīng)的凹版圖案的一部分可以形成在導(dǎo)電凸片反圖案21的上 面，在所述的凹版圖案的一部分處，在該凹版圖案中堆疊第三鍍覆 層26和第二金屬層28可導(dǎo)致導(dǎo)電凸版圖案21的一部分與導(dǎo)電圖 案27的一部分重疊，/人而它們電連4妄。
通過依次堆疊第三鍍覆層26和第二金屬層28，在絕纟彖體24 的表面上形成與第二電路圖案32相一致的導(dǎo)電圖案27之后，可以 去除第一鍍覆層18和晶種層14。第一鍍覆層18可以通過使用晶種 層14作為電極電鍍形成，并且第一鍍覆層18和晶種層14可以由 同樣的材料制成，從而通過單一蝕刻步驟可以將它們同時(shí)去除。這 里，第一金屬層20和第二金屬層28可以由不同于晶種層14的金 屬材料制成，以起到蝕刻第一鍍覆層18和晶種層14的抗蝕劑的作 用，使得形成第一金屬層20或者第二金屬層28的區(qū)域不被蝕刻(圖 2J)。
在去除第一鍍覆層18和晶種層14后，可以去除第一金屬層20 和第二金屬層28。如果第一金屬層20和第二金屬層28由不同的金 屬材并牛制成，可以對(duì)每種金屬分別施加抗蝕劑以單獨(dú)地去除第一和 第二金屬層20、 28,并且如果第一金屬層20和第二金屬層28由相 同金屬制成，可以通過單一蝕刻步驟將它們同時(shí)去除。就減少蝕刻 工序的時(shí)間而言，理想的是，第一和第二金屬層20、 28由相同的 金屬形成(圖2K)。
當(dāng)去除第一鍍覆層18、晶種層14和第一金屬層20后，可以形 成與第一鍍覆層18和第一金屬層20高度相稱的高度差，并且第二 鍍覆層22以特定的深度埋在絕緣體24內(nèi)以形成第一電路圖案30。 并且，當(dāng)去除第二金屬層28后，第三鍍覆層26可以形成在絕緣體 24的表面上以形成第二電路圖案32。
當(dāng)?shù)谝浑娐穲D案30和第二電路圖案32以特定的距離差形成 時(shí)，即使第一電路圖案30形成得與第二電路圖案32直接相鄰，也 能夠避免電路短路，由此可以制造具有高密度的電路圖案的電路 板。
圖3A至3H描述了示出根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的制造電路板 的方法的流程圖。在圖3A至3H中示出了載體12、晶種層14、鍍 覆抗蝕層16、導(dǎo)電凸版圖案21、絕緣體24、第三鍍覆層26、第二 金屬層28、導(dǎo)電圖案27、第一電^各圖案30、第二電3各圖案32、導(dǎo) 孑L 34 #^±孑匕36。
這個(gè)實(shí)施例提供通過使用兩個(gè)載體12在絕緣體24的任一表面 上分別形成一個(gè)雙層電^各圖案而制造四層結(jié)構(gòu)的電路纟反的方法。
才艮才居上述方法，導(dǎo)電凸版圖案21可以與第一電路圖案30相一 致形成在兩個(gè)載體12的每個(gè)晶種層14上，在該導(dǎo)電凸版圖案中第
一鍍覆層、第一金屬層和第二鍍覆層依次堆疊。在兩個(gè)載體12中 的每個(gè)載體的具有導(dǎo)電凸版圖案21的表面面向絕緣體24的任一表 面的情況下，當(dāng)栽體12堆疊并壓在絕纟彖體24的兩個(gè)表面上，并隨 后去除兩個(gè)載體12時(shí)，每個(gè)導(dǎo)電凸版圖案21埋在絕纟彖體24的任 一表面內(nèi)(圖3A、 3B和3C)。
當(dāng)導(dǎo)電凸版圖案21轉(zhuǎn)錄入絕緣體24的任一表面中時(shí)，導(dǎo)電凸 版圖案27可以與第二電路圖案32相一致形成在絕緣體24的任一 表面上，在該導(dǎo)電凸版圖案中第三鍍覆層26和第二金屬層28依次 堆疊。
即，通過在絕》彖體24的兩個(gè)表面上選擇性地形成鍍覆抗蝕層 16，可以形成與第二電路圖案32相對(duì)應(yīng)的凹版圖案(圖3D),并 且通過實(shí)施電鍍可以依次堆疊第三鍍覆層26和第二金屬層28 (圖 3E)，之后可以去除鍍覆抗蝕層16以在絕緣體24的表面上形成與 第二電^各圖案32相一致的導(dǎo)電圖案27(圖3F)。
隨后，通過去除第一鍍覆層18和晶種層14 (圖3G)，并去除 第一金屬層20和第二金屬層28，可以制造出具有第一電路圖案30 (在絕緣體24的兩個(gè)表面中被埋至特定的深度)和第二電路圖案 32 (形成在絕緣體24的兩個(gè)表面上)的電路板(圖3H)。
在去除載體12以將導(dǎo)電凸版圖案21埋進(jìn)絕緣體24的兩個(gè)表 面內(nèi)之后，并且在絕緣體24的兩個(gè)表面上形成導(dǎo)電圖案27之前， 可以包括在絕緣體24中加工導(dǎo)孔34然后在導(dǎo)孔34中形成晶種層 14以便在導(dǎo)孔34內(nèi)實(shí)施鍍覆的操作。在這種情況下，為了更容易 地處理導(dǎo)孔34，可以對(duì)埋在絕^彖體24的兩個(gè)表面中的導(dǎo)電凸版圖 案21進(jìn)行設(shè)計(jì)以使得它們的終端相互面對(duì)。
在處理其中形成有晶種層14的導(dǎo)孔34之后，可以形成包括形 成過孔36的區(qū)域的與第二電路圖案32相對(duì)應(yīng)的凹版圖案。通過形 成包括過孔36形成區(qū)域的凹版圖案然后在該凹版圖案中堆疊第三 鍍覆層26和第二金屬層28，可以容易;也實(shí)現(xiàn)所有層的層之間的導(dǎo) 電。
隨后，可以應(yīng)用阻焊層以保護(hù)板的表面和在外層露出的電路。 同樣，可以對(duì)半導(dǎo)體芯片等將要連接至的焊盤部實(shí)施鍍金工藝。
圖4是示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的制造電路板的方法的流程圖。 參照?qǐng)D4，在操作SIOO中，通過依次堆疊第一鍍覆層、第一金屬層 和第二鍍覆層，可以在堆疊于載體上的晶種層上形成與第一電路圖 案相一致的導(dǎo)電凸版圖案。
在堆疊于載體上的晶種層上形成具有依次堆疊的第一鍍覆層、 第一金屬層和第二鍍覆層的導(dǎo)電凸版圖案，從而導(dǎo)電凸版圖案與第 一電路圖案相一致，可按如下所述實(shí)施上述操作。在晶種層上選擇 性地形成鍍覆抗蝕層，以形成與第一電路圖案相對(duì)應(yīng)的凹版圖案； 并且通過使用晶種層作為電極對(duì)第一鍍覆層、第一金屬層和第二鍍 覆層中的每個(gè)實(shí)施電鍍，可在凹版圖案中依次堆疊第一鍍覆層、第 一金屬層和第二鍍覆層；之后可以去除鍍覆抗蝕層以形成與第 一 電
路圖案相一致的導(dǎo)電凸;f反圖案。
在載體的晶種層上形成與第一電路圖案相一致的導(dǎo)電凸版圖 案的方法可以包括在載體的晶種層上涂覆感光材料；構(gòu)造與第一 電路圖案相對(duì)應(yīng)的光掩膜；隨后在涂覆有感光材料的晶種層上安置 光掩膜并且紫外線下曝光。曝光后，可以4吏用例如顯影液對(duì)感光材 料的未固化部分進(jìn)行顯影，以在晶種層上形成與第 一 電路圖案相匹 配的凹片反圖案(SllO)。
通過對(duì)堆疊在載體的晶種層上的感光薄膜層進(jìn)行選擇性地曝 光和顯影，由于光掩膜作用而沒有曝光的感光薄膜層的部分從載體 的晶種層上被去除，而感光薄膜層的由于曝光已經(jīng)被固化的部分被 保留，由此可以形成與第一電路圖案相對(duì)應(yīng)的凹版圖案。
當(dāng)與第一電i 各圖案相對(duì)應(yīng)的凹版圖案在載體的晶種層上形成 時(shí)，第一鍍覆層通過使用晶種層作為電極實(shí)施電鍍可以首先形成在 凹版圖案中。當(dāng)堆疊第一鍍覆層后，可以通過電鍍的方式堆疊第一 金屬層。第一金屬層可包括錫和鎳中的至少一種或多種。這里，第 一鍍覆層和第一金屬層可以只形成在凹版圖案的一部分中。當(dāng)特定 深度的第一鍍覆層和第一金屬層堆疊在凹版圖案中時(shí)，第二鍍覆層 可堆疊在頂部上。當(dāng)?shù)谝诲兏矊雍偷谝唤饘賹颖蝗コ龝r(shí)，隨后第二
鍍覆層可變成第一電路圖案(S120)。
在將第一鍍覆層、第一金屬層和第二鍍覆層依次堆疊在凹版圖 案中后，可以去除鍍覆抗蝕層以在載體的晶種層上形成與第一電路 圖案相一致的導(dǎo)電凸版圖案(S130)。
在操作S200中，載體的其上形成有導(dǎo)電凸版圖案的表面可被 堆疊以面向絕緣體并且被壓到 一起，從而導(dǎo)電凸版圖案壓入絕緣體 24中。
在才喿作S300中，可去除載體乂人而壓入絕^彖體24的導(dǎo)電凸版圖 案凈皮轉(zhuǎn)錄進(jìn)絕緣體的表面內(nèi)。這里，4皮用來堆疊在載體的表面上的 晶種層也可以#1轉(zhuǎn)印。
在操作S400中，通過依次堆疊第三鍍覆層和第二金屬層而制 成的導(dǎo)電圖案，可以與第二電路圖案相一致形成在絕血彖體的表面 上，導(dǎo)電凸版圖案已經(jīng)轉(zhuǎn)錄至該絕緣體的表面上。
通過在絕緣體的表面上選擇性地形成鍍覆抗蝕層形成與第二
電路圖案相對(duì)應(yīng)的凹版圖案之后(S410)，并且實(shí)施電鍍以依次堆疊 第三鍍覆層和第二金屬層(S420 ),可以去除鍍覆抗蝕層以在絕緣體 的表面上形成與第二電路圖案相一致的導(dǎo)電圖案(S430)。導(dǎo)電圖 案可以形成為4吏得一部分與壓入絕多彖體表面中的導(dǎo)電凸版圖案重 疊。從而通過使得一部分與導(dǎo)電凸版圖案重疊，在后續(xù)過程中形成 的第一電路圖案和第二電路圖案可以選擇性地電連接。即，為了使 導(dǎo)電圖案的一部分與壓入絕緣體的表面內(nèi)的導(dǎo)電凸X反圖案的一部 分重疊，對(duì)應(yīng)于第二電路圖案的凹X反圖案的一部分可以形成在導(dǎo)電 凸版圖案的上方，并且第三鍍覆層和第二金屬層可堆疊在凹版圖案 中，從而導(dǎo)電凸X反圖案的一部分與導(dǎo)電圖案的一部分重疊并變得電 連接。
在操作S500中，可去除第一鍍覆層和晶種層。第一鍍覆層可 以通過使用晶種層作為電極電鍍形成，第 一鍍覆層和晶種層可以由 同樣的金屬制成，以便可通過單一蝕刻步驟去除它們。這里，第一 金屬層和第二金屬層可以由與晶種層不同的金屬材料制成，以起到 蝕刻第一鍍覆層和晶種層的抗蝕劑的作用，從而形成有第一金屬層 或者第二金屬層的區(qū)域可不^皮蝕刻。
在操作S600中，可以去除第一金屬層和第二金屬層。如果第 一金屬層和第二金屬層由不同金屬材料制成，可以對(duì)每種金屬分別 應(yīng)用蝕刻劑以單獨(dú)地去除金屬層，但是如果第 一金屬層和第二金屬 層是相同的金屬，可以通過一個(gè)蝕刻步驟同時(shí)去除它們。為了減少 用于蝕刻工序的時(shí)間，理想的是，第一和第二金屬層可由相同的金 屬形成。
當(dāng)去除第一鍍覆層、晶種層和第一金屬層時(shí)，可以形成與第一 鍍覆層和第 一金屬層的高度相稱的高度差，并且第二鍍覆層可以特 定的深度埋在絕緣體中，以形成第一電路圖案。并且，當(dāng)去除第二
金屬層時(shí)，第三鍍覆層可以形成在絕緣體的表面上以形成第二電路 圖案。
當(dāng)?shù)谝浑娐穲D案和第二電路圖案以特定的距離差形成時(shí)，即使 第一電路圖案形成得與第二電路圖案直4妻相鄰，也可以避免電路短 路，從而能夠制造出具有高密度的電路圖案的電路板。
才艮據(jù)上述本發(fā)明的一些實(shí)施例，通過形成由埋在絕緣體內(nèi)的第 一電路圖案和形成在絕緣體的外層上的第二電路圖案構(gòu)成的雙層 電路圖案，可以制造在不增加絕緣體數(shù)量的情況下具有高密度電路 圖案的電路板。
此外，在不增加絕纟彖體凄史量的情況下，可以形成具有多層結(jié)構(gòu) 的電路板，以便不但可以降低電路板的總厚度而且可以節(jié)省原材 料。
另夕卜，由于電^各可以形成在^反的內(nèi)部，電路和才反之間能夠有高 粘結(jié)性使得電路剝落的可能性很小，并且熱量可以容易的從板散 發(fā)。
盡管已經(jīng)結(jié)合具體實(shí)施例詳細(xì)描述了本發(fā)明的精神，但是，這 些實(shí)施例4又用于示例性目的而不限制本發(fā)明。應(yīng)該理解，在不背離 本發(fā)明的精神和范圍的情況下，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對(duì)實(shí)施例進(jìn) 行4務(wù)改和變化。
權(quán)利要求
1.一種制造電路板的方法，所述方法包括在堆疊于載體的晶種層上形成導(dǎo)電凸版圖案，與第一電路圖案相一致的所述導(dǎo)電凸版圖案包括依次堆疊的第一鍍覆層、第一金屬層和第二鍍覆層；將所述載體和絕緣體堆疊并壓緊在一起，安置所述載體使得所述載體的其上形成有所述導(dǎo)電凸版圖案的表面面向所述絕緣體；通過去除所述載體將所述導(dǎo)電凸版圖案轉(zhuǎn)錄到所述絕緣體上；在所述絕緣體的其上轉(zhuǎn)錄有所述導(dǎo)電凸版圖案的表面上形成導(dǎo)電圖案，與第二電路圖案相一致的所述導(dǎo)電圖案包括依次堆疊的第三鍍覆層和第二金屬層；去除所述第一鍍覆層和所述晶種層；以及去除所述第一金屬層和所述第二金屬層。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述第一鍍覆層、所述第 二鍍覆層和所述第三鍍覆層由與所述晶種層的金屬材料相同 的金屬材料形成，并且所述第 一金屬層和所述第二金屬層由與所述晶種層的金 屬材料不同的金屬材料形成。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中，所述晶種層包含銅(Cu )， 并且所述第 一金屬層和所述第二金屬層包含錫(Sn )和鎳(Ni) 中的至少一種或多種。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，形成所述導(dǎo)電凸版圖案包 括通過在所述晶種層上選擇性地形成鍍覆抗蝕層，形成與 所述第 一 電路圖案相對(duì)應(yīng)的凹版圖案；通過分別實(shí)施電鍍，在所述凹版圖案中依次堆疊所述第 一鍍覆層、所述第一金屬層和所述第二鍍覆層；以及去除所述鍍覆抗蝕層。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述載體是金屬板，并且 通過蝕刻所述金屬板實(shí)施所述轉(zhuǎn)錄。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，形成所述導(dǎo)電圖案包括通過在所述絕纟彖體的表面上選4奪性地形成鍍覆抗蝕層， 形成與所述第二電路圖案相對(duì)應(yīng)的凹版圖案；通過分別實(shí)施電鍍，在所述凹版圖案中依次堆疊所述第 三鍍覆層和所述第二金屬層；以及去除所述鍍覆抗蝕層。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，形成所述導(dǎo)電凸版圖案包 括在兩個(gè)載體的每個(gè)所述晶種層上形成導(dǎo)電凸版圖案，所述堆疊和壓緊包^":將所述兩個(gè)載體堆疊和壓緊在所述絕纟彖體的任一表 面上，安置每個(gè)所述載體使得每個(gè)所述載體的其上形成有 所述導(dǎo)電凸版圖案的表面面向所述絕緣體，所述轉(zhuǎn)錄包括去除所述兩個(gè)載體， 以及形成所述導(dǎo)電圖案包括在所述絕緣體的任一表面上形成導(dǎo)電圖案。
8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，在所述絕緣體的任一表面上形成 所述導(dǎo)電圖案之前，進(jìn)一步包括在所述絕血彖體中形成導(dǎo)孔；以及在所述導(dǎo)孔中形成晶種層，并且在所述絕緣體的任一表面上形成所述導(dǎo)電圖案之 后，進(jìn)一步包括在所述絕緣體上選擇性地施加阻焊層。
9. 一種電路板包括絕緣體，包括溝槽；第一電路圖案，被形成為掩埋所述溝槽的一部分；以及第二電路圖案，形成在所述絕緣體的其中形成有所述溝 槽的表面上。
10. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的電路板，其中，所述第一電路圖案和所 述第二電路圖案中的每個(gè)都形成在所述絕緣體的兩個(gè)表面上。
11. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的電路板，進(jìn)一步包括過孔，所述過孔 電連接形成在所述絕緣體的任一表面上的所述第 一 電路圖案。
12. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的電路板，其中，所述第二電路圖案的一 部分與所述第一電路圖案的一部分重疊。
全文摘要
一種制造電路板的方法，包括在堆疊于載體的晶種層上形成與第一電路圖案相一致的包括依次堆疊的第一鍍覆層、第一金屬層和第二鍍覆層的導(dǎo)電凸版圖案；將載體和絕緣體堆疊并壓在一起，使得載體的具有導(dǎo)電凸版圖案的表面面向絕緣體；通過去除載體將導(dǎo)電凸版圖案轉(zhuǎn)錄進(jìn)絕緣體；在絕緣體的具有轉(zhuǎn)錄的導(dǎo)電凸版圖案的表面上，形成與第二電路圖案相一致的包括依次堆疊的第三鍍覆層和第二金屬層的導(dǎo)電圖案；去除第一鍍覆層和晶種層；以及去除第一和第二金屬層，可以提供在不增加絕緣體數(shù)量的情況下具有高密度電路圖案的電路板。
文檔編號(hào)H05K3/20GK101170875SQ20071016542
公開日2008年4月30日 申請(qǐng)日期2007年10月25日 優(yōu)先權(quán)日2006年10月25日
發(fā)明者岡部修一, 姜明杉, 樸正現(xiàn), 樸貞雨, 鄭會(huì)枸, 金智恩 申請(qǐng)人:三星電機(jī)株式會(huì)社