專利名稱：自調(diào)節(jié)冷卻裝置和方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及調(diào)節(jié)發(fā)熱設(shè)備的溫度。
背景技術(shù)：
許多類型的設(shè)備都具有最佳工作溫度范圍。為此，大量設(shè)計和工程重 點專注于冷卻，以避免因暴露于高于閾值溫度的溫度而縮短組件壽命。通 常，對設(shè)備的最大危險是組件過熱，從而導致壽命、性能和效率的降低。 但是，低于閾值溫度工作也會帶來不希望的效果，例如效率損失，或因重 復(fù)熱循環(huán)造成的損壞。此外，在僅控制工作溫度范圍的上限時，設(shè)備必須 被設(shè)計為容許較大范圍的工作溫度。
許多冷卻配置采用涉及使用從設(shè)備攜帶走熱量的冷卻片的系統(tǒng)。然后 在冷卻片之間強制流體流動以從冷卻片移除熱量。此過程被稱為強制對流。 冷卻片能有效作用是因為它是有效的熱導體并擁有可促進與流體熱交換的 較大表面區(qū)域。通常，通過機械地調(diào)整在冷卻片間通過的冷卻流體的流速 (例如，通過改變風扇速度或流動角度)來控制對設(shè)備的冷卻量。
控制設(shè)備在其間工作的溫度范圍放寬了對設(shè)備的設(shè)計要求和技術(shù)規(guī) 范。嚴格控制的環(huán)境和寬松的設(shè)計要求也會降低生產(chǎn)成本，同時提高性能、 可靠性和效率的可預(yù)測性。希望具有一種方法來調(diào)整具有冷卻片的散熱器 從發(fā)熱設(shè)備轉(zhuǎn)移熱量的速度。還希望所述方法能夠逐設(shè)備地控制多個發(fā)熱 設(shè)備的溫度。更希望具有一種使用普通冷卻流體在多個發(fā)熱設(shè)備自己的唯 一溫度范圍內(nèi)調(diào)節(jié)所述設(shè)備的溫度的方法。

發(fā)明內(nèi)容
在一個實施例中，本發(fā)明利用形狀記憶材料來在期望范圍內(nèi)調(diào)節(jié)發(fā)熱 設(shè)備的溫度。將冷卻片布置為與發(fā)熱設(shè)備具有熱接觸。通it^所述冷卻片 間流動的流體來移除熱量。所述流體可以是氣體、液體或氣體和液體的組 合。響應(yīng)于激勵而伸展和收縮的形狀記憶材料位于流體流動的路徑中。在 所述發(fā)熱設(shè)備的期望較低工作溫度下，所述形狀記憶材料將響應(yīng)于激勵而 伸展以限制流體流動，由此減少從設(shè)備移除的熱量。在所述發(fā)熱設(shè)備的期 望較高工作溫度下，所述形狀記憶材料將響應(yīng)于激勵而收縮以允許不受限
制的流體流動，從而不影響從i殳備移除的熱量。所述激勵可以是所M熱 設(shè)備的溫度，或響應(yīng)于所述發(fā)熱設(shè)備的溫度而生成的信號?？梢圆捎枚喾N 形狀記憶材料來實現(xiàn)對流體流動的精細控制，其中每種形狀記憶材料都響 應(yīng)不同的激勵、或不同級別的激勵。
在另 一個實施例中，本發(fā)明利用形狀記憶材料來在每個發(fā)熱設(shè)備所需 的范圍內(nèi)調(diào)節(jié)多個發(fā)熱設(shè)備的溫度。將冷卻片布置為與所述發(fā)熱設(shè)備具有 熱接觸。通過在所述冷卻片間流動的流體來移除熱量。所述流體可以是氣 體、液體或氣體和液體的組合。形狀記憶材料被選擇為在期望較低溫度下 伸展以便限制流體流動并在每個發(fā)熱設(shè)備的期望較高溫度下收縮以便不限 制所述流動。所述形狀記憶材料可響應(yīng)于每個發(fā)熱設(shè)備的溫度或基于所述 發(fā)熱設(shè)備溫度生成的激勵而伸展和收縮?？梢圆捎枚喾N形狀記憶材料來實 現(xiàn)對流體流動的精細控制，其中每種形狀記憶材料都響應(yīng)不同的激勵、或 不同級別的激勵。
本發(fā)明提供了一種調(diào)節(jié)發(fā)熱設(shè)備的溫度的方法。通過通道傳送流體以 冷卻發(fā)熱設(shè)備，利用形狀記憶材料來調(diào)節(jié)通過所述通道傳送的流體量，其 中所述形狀記憶材料在期望較低設(shè)備溫度下響應(yīng)于激勵而伸展以限制流體 流動，并且在期望較高設(shè)備溫度下響應(yīng)于激勵而收縮以便不限制流體流動. 可以采用多種形狀記憶材料來實現(xiàn)對流體流動的精細控制，其中每種形狀 記憶材料都響應(yīng)不同的激勵、或不同級別的激勵


圖1是布置在發(fā)熱設(shè)備上的冷卻片的側(cè)視圖，其中形狀記憶材料布置
為與冷卻片具有熱接觸，并具有風扇來使空氣通過冷卻片流動；
圖2是布置在發(fā)熱設(shè)備上的冷卻片的側(cè)視圖，其中形狀記憶材料布置 為與冷卻片具有熱接觸，并交替布置風扇(多個)來^f吏空氣通過冷卻片流 動；
圖3是布置在發(fā)熱設(shè)備上的冷卻片的平面圖，其中形狀記憶材料布置
為與冷卻片具有熱接觸；
圖4是布置在發(fā)熱設(shè)備上的冷卻片的平面圖，其中形狀記憶材料布置 為與冷卻片具有熱接觸，同時限制流體流動；
圖5是布置在發(fā)熱設(shè)備上的冷卻片的平面圖，其中將形狀記憶材料交 替布置為與冷卻片具有熱接觸；
圖6是布置在發(fā)熱設(shè)備上的冷卻片的平面圖，其中將形狀記憶材料交 替布置為與冷卻片具有熱接觸，同時限制流體流動；
圖7是布置在發(fā)熱設(shè)備上的冷卻片的平面圖，其中將形狀記憶材料交 替布置為與冷卻片具有熱接觸；
圖8是在冷卻片上布置形狀記憶材料的第三備選方案的平面圖9是布置在發(fā)熱i殳備上的冷卻片的平面圖，其中將多種形狀記憶材 料布置為與冷卻片具有熱接觸；
圖10是布置在發(fā)熱設(shè)備上的冷卻片的平面圖，其中將多種形狀記憶材 料布置為與冷卻片具有熱接觸；
圖11是布置在發(fā)熱設(shè)備上的冷卻片的平面圖，其中將多種形狀記憶材 料布置為與冷卻片具有熱接觸；
圖12是布置在發(fā)熱設(shè)備上的冷卻片的平面圖，其中將形狀記憶材料布 置在流體流動的路徑中；以及
圖13是布置在發(fā)熱設(shè)備上的冷卻片的平面圖，其中將多種形狀記憶材 料布置在流體流動的路徑中。
具體實施例方式
本發(fā)明通過調(diào)節(jié)流過布置在發(fā)熱設(shè)備上的散熱器的冷卻片的流體來在 期望工作溫度范圍內(nèi)有效地調(diào)節(jié)溫度。這利用形狀記憶材料在流過冷卻片 的流體路徑中進行伸展和收縮來實現(xiàn)。所散發(fā)的熱量與穿過冷卻片的流體
的流速直接相關(guān)。當發(fā)熱設(shè)備的溫度降至低于期望工作溫度范圍時，所述 形狀記憶材料將伸展以限制穿過冷卻片的流體流動，從而減少歉良的熱量。 相反，當發(fā)熱設(shè)備的溫度升至高于期望工作溫度范圍時，所述形狀記憶材 料將收縮以允許最大量的流體穿過冷卻片，從而最大化散發(fā)的熱量。通過 調(diào)整可供流體流動的開口的大小，可以調(diào)節(jié)M熱設(shè)備散發(fā)的熱量。
流體通常以多種方式流過冷卻片。 一種方法是使用風扇將空氣推入或 ^冷卻片。另一個方法利用風扇將空氣拉入或吸入冷卻片。由于冷卻片 環(huán)境中的溫度變化，氣體也可以被允許被動地流過冷卻片。當采用液體冷 卻時，可以采用泵來強制流體穿過冷卻片或?qū)⒘黧w吸入冷卻片。同樣，可 以采用重力自流來將流體送入冷卻片。
本說明書的上下文中的形狀記憶材料旨在包括形狀記憶聚合物、形狀 記憶合金，或上述材料的任意組合。例如， 一種此類形狀記憶聚合物是低
聚(e-已內(nèi)酯)二曱基丙烯酸酯和丙烯酸正丁酯的共聚物，它們以不同的 量組合以形成滿足適當?shù)臋C械強度和適當?shù)霓D(zhuǎn)變溫度的交聯(lián)聚合物網(wǎng)絡(luò)。 一種適當?shù)男螤钣洃浐辖鹗欠Q為Nitinol的鎳鈥合金。
形狀記憶合金是一種"記憶"其幾何圖形的金屬合金。雖然存在"單 向"和"雙向"形狀記憶合金，但是本說明書中的所有引用都指"雙向" 形狀記憶合金。"雙向"形狀記憶M材料記憶兩種不同的形狀。所述形 狀記憶合金改變形狀來響應(yīng)外部激勵。例如，對溫度變化做出響應(yīng)的"雙 向"形狀記憶合金將具有兩種完全不同的形狀在低溫下一種形狀，并且 在較高溫度下一種形狀。以此方式，可以通過調(diào)整周圍環(huán)境的溫度來確定 形狀記憶合金的期望配置。
形狀記憶聚合物是一種"記憶"其幾何圖形的聚合物。形狀記憶聚合 物具有確定的形狀并且通過激勵，此形狀可以按照與上述形狀記憶合金類 似的方式容易地變形。
在優(yōu)選實施例中，將形狀記憶材料布置為與冷卻片直接接觸。所述形 狀記憶材料由此置于或接近被保護設(shè)備的溫度。選擇形狀記憶材料以在設(shè) 備的最低期望工作溫度下伸展，以便限制穿過冷卻片的流體流動。同樣， 還選擇形狀記憶材料以在較高的規(guī)定設(shè)計溫度下收縮，以便允許最大量的 流體穿過冷卻片。以此方式，形狀記憶材料調(diào)節(jié)從設(shè)備散發(fā)的熱量以響應(yīng) 設(shè)備的當前溫度，從而維持期望的工作溫度范圍。通過采用專門與每個設(shè) 備配合的形狀記憶材料，可以使用單個冷卻流體流將多個發(fā)熱設(shè)備調(diào)節(jié)為 不同的溫度。
在第二實施例中，將兩種或更多種形狀記憶材料布置為與冷卻片具有 熱接觸，有效地實現(xiàn)了與被保護的發(fā)熱設(shè)備具有相同的溫度。所述兩種或
一形狀記憶材料可以在發(fā)熱設(shè)備的第 一指定較低溫度下伸展以部分地限制 冷卻片間的流體流動。第二形狀記憶材料可以在發(fā)熱設(shè)備的第二指定更低 溫度下進行伸展以進一步限制通過冷卻片的流體流動。相反，第一和第二 形狀記憶材料將具有不同的縮短溫度，在所述溫度下，它們不會限制通過 冷卻片的流體流動。因此，可以仔細和被動地控制所限制的流量。
形狀記憶材料可以按照各種形式布置為與冷卻片具有熱接觸。形狀記 憶材料可以覆蓋在冷卻片上、被模制并作為固定結(jié)構(gòu)插入、通過夾具固定 到位、通過在冷卻片上為此目的形成的插槽或凹槽固定到位，或任何其他 將材料正確地置于流體流動路徑中并與冷卻片具有熱接觸的方法。
在第三實施例中，發(fā)熱設(shè)備具有與之接觸的冷卻片以歉良熱量。以限 制穿過冷卻片的流體流動的方式布置形狀記憶聚合物。從外部源提供使形 狀記憶材料伸展或縮短的激勵。雖然常用的激勵包括電、磁或熱，但是可 以應(yīng)用任何激活形狀記憶材料的激勵。生成優(yōu)選的電激勵并將其發(fā)送到形 狀記憶材料，以響應(yīng)處理器檢測到發(fā)熱設(shè)備的溫度超出期望工作范圍或期 望工作設(shè)定點。溫度感應(yīng)器可以是包括處理器的芯片組的一部分并且所述 處理器可以是發(fā)熱設(shè)備自身?？梢匀菀椎貥?gòu)想其他使用形狀記憶材料的溫 度控制方案。
圖1是與包含冷卻片14的散熱器具有熱接觸12的典型發(fā)熱設(shè)備10 的側(cè)視圖。經(jīng)?！独粲蔑L扇16來強迫空氣穿過冷卻片14，或?qū)⒖諝馕肜?卻片14。此布置的常見實例是在計算機內(nèi)的處理器上，其中通過冷卻片間 的強制空氣對流來移除熱量。其中采用流體的另一個常見實例是在汽車中 使用的散熱器，或采用流體對住宅進行加熱。在此實例中，風扇16強制流 體向上流動18。
圖2是與冷卻片14具有熱接觸12的典型發(fā)熱設(shè)備10的側(cè)視圖。同時 示出了單個風扇16的兩種交替布置，或多個風扇16的使用。風扇(多個) 16可用于強制空氣穿過冷卻片14，將空氣吸入冷卻片14,或它們的任意 組合。雖然冷卻片14在圖1中示為具有頂部開口，但是本發(fā)明可等同地應(yīng) 用于閉合的冷卻片組件，例如通過將蓋24固定到冷卻片頂部并使冷卻流體 穿過在冷卻片14與蓋24以下部分之間限定的路徑。蓋24的使用還用于增 加對冷卻片間流體流動的控制。
圖3是布置在發(fā)熱設(shè)備(為筒潔而未示出)上的冷卻片14的平面圖。 每個冷卻片14都具有布置在冷卻片的上游末端以在冷卻片入口處限制流 體流動18的形狀記憶材料20。此形狀記憶材料布置假設(shè)流體18單向穿過 冷卻片，并在入口通道實現(xiàn)對流體流動18的有效限制。形狀記憶材料20 (雖然跨冷卻片14的整個前沿22)占用盡可能小的冷卻片表面積，以便 通過冷卻片14的那些未被材料覆蓋的部分維持冷卻片14的熱交換特性。
圖4是布置在發(fā)熱設(shè)備(為簡潔而未示出)上的冷卻片14的平面圖。 每個冷卻片14都具有布置在冷卻片的上游末端以在冷卻片入口處限制流 體流動18的形狀記憶材料20。形狀記憶材料20被示為進行伸展以限制通 過冷卻片14的流體流動18。
圖5是布置在發(fā)熱設(shè)備(為簡潔而未示出)上的冷卻片14的平面圖。 每個冷卻片14都具有布置在冷卻片的上游末端以在冷卻片入口處限制流 體流動18的形狀記憶材料20。此形狀記憶材料布置假設(shè)流體18單向流過 冷卻片，在入口通道處實現(xiàn)對流體流動18的有效限制。形狀記憶材料20 占用盡可能小的冷卻片14的表面積，以便通過冷卻片14的那些未被形狀
記憶材料20覆蓋的部分維持冷卻片14的熱交換特性。在此實施例中，將 形狀記憶材料20布置在冷卻片14的兩側(cè)。
圖6是具有圖5的形狀記憶材料20的冷卻片14的平面圖，其中形狀 記憶材料20進行伸展以限制通過冷卻片14的流體流動18。
圖7是布置在發(fā)熱設(shè)備(為筒潔而未示出)上的冷卻片14的平面圖。 在此實施例中，將形狀記憶材料20布置在冷卻片14兩端以在任一端處限 制到冷卻片14的流體流動18。當流體18在冷卻片14的任何一端ii^并 且在其他位置排出(例如通過冷卻片14的頂部)時，這將是有效的布置。 形狀記憶材料20占用盡可能小的表面積，以便維持冷卻片14的熱交換特 性。
圖8是布置在發(fā)熱設(shè)備(為筒潔而未示出)上的冷卻片14的平面圖。 在此進一步的實施例中，跨冷卻片14的整個長度布置形狀記憶材料20以 限制流體流動18。當形狀記憶材料20具有所需的熱交換特性，或者不影 響冷卻片14的熱交換特性時，這將是優(yōu)選的布置方式。
圖9是布置在發(fā)熱設(shè)備(為筒潔而未示出)上的冷卻片14的平面圖。 將多種形狀記憶材料20、21布置在冷卻片14的一端以在冷卻片14的入口 處限制流體流動18。第一形狀記憶材料20蜂皮選擇為在與第二形狀記憶材 料21不同的溫度下進行伸展或收縮。通過利用多種形狀記憶材料，可以完 全限制、部分限制或不限制流體流動18。此實施例假設(shè)流體18單向穿過 冷卻片14，在入口通道處實現(xiàn)對流體流動18的有效限制。形狀記憶材料 20、 21占用盡可能小的表面積，以便維持冷卻片14的熱交換特性。
圖IO是冷卻片14的平面圖，冷卻片14具有多種布置在冷卻片14兩 端的形狀記憶材料20、 21以在入口處限制到冷卻片14的流體流動18。當 流體在冷卻片14的任何一端ii^并且在其他位置排出(例如通過冷卻片 14的頂部)時，這將是有效的布置。形狀記憶材料20、 21占用盡可能小 的表面積，以便維持冷卻片14的熱交換特性。
圖ll是布置在發(fā)熱i殳備(為簡潔而未示出)上的冷卻片14的平面圖。 將多種形狀記憶材料20、 21跨整個冷卻片14布置以限制流體流動18。當形狀記憶材料20、 21具有所需的熱交換特性，或者不影響冷卻片14的熱 交換特性時，這將是優(yōu)選的布置方式。
圖12是布置在發(fā)熱設(shè)備(為簡潔而未示出)上的冷卻片14的平面圖。 在此備選實施例中，將形狀記憶材料20布置在流體18流向冷卻片14的路 徑中，但并非一定與冷卻片14具有熱接觸。在此實施例中，形狀記憶材料 20響應(yīng)于外部激勵而伸展或收縮。所述外部激勵可以采取電流、熱、磁場、 光或任何其他導致形狀記憶材料伸展或收縮的形式。
圖13是布置在發(fā)熱設(shè)備(為簡潔而未示出)上的冷卻片14的平面圖。 將多種形狀記憶材料20、 21布置在流體18流向冷卻片14的路徑中，但并 非一定與冷卻片14具有熱接觸。在此實施例中，形狀記憶材料20、 21響 應(yīng)于外部激勵而伸展或收縮。響應(yīng)于外部激勵，形狀記憶材料20、 21還優(yōu) 選地具有不同的伸展或收縮特性。所述外部激勵可以采取電流、熱、磁場、 光或任何其他導致形狀記憶材料伸展或收縮的形式。備選地，形狀記憶材 料20、 21可以是相同材料，但是接收不同的電激勵以便可控地產(chǎn)生不同程 度的限制。
如此處的權(quán)利要求和說明書中使用的術(shù)語"包括"、"包含"、"具 有"應(yīng)理解為表示可以包括其他未指定的元素的開放組。術(shù)語"一"、"某 一"以及單數(shù)形式的詞語應(yīng)理解為包括同一詞語的復(fù)數(shù)形式，以便該術(shù)語 表示提供一個或多個事物。術(shù)語"一個"或"單個"可用于指示只希望一 個且僅一個某物。類似地，諸如"兩個"之類的其他特定的整數(shù)值可以在 希望特定數(shù)量的事物時使用。術(shù)語"優(yōu)選地"、"優(yōu)選的"、"優(yōu)選"、
"可選地"、"可以，，以及類似術(shù)語用于指示被引用的項目、條件或步驟 是本發(fā)明的可選(并非必需)特性。
雖然參考有限數(shù)量的實施例描迷了本發(fā)明，但是受益于此公開的本領(lǐng) 域的技術(shù)人員將理解，可以設(shè)計其他不偏離此處披露的發(fā)明范圍的實施例。 因此，本發(fā)明的范圍應(yīng)僅由所附權(quán)利要求來限定。
權(quán)利要求
1.一種在指定范圍內(nèi)調(diào)節(jié)發(fā)熱設(shè)備的溫度的裝置，所述裝置包括多個布置為與所述發(fā)熱設(shè)備具有熱接觸的冷卻片；用于使流體沿冷卻片之間的路徑流動的裝置；位于所述冷卻片之間的流體流動路徑中的形狀記憶材料；以及所述形狀記憶材料與激勵具有聯(lián)系，導致所述形狀記憶材料伸展或收縮。
2. 根據(jù)權(quán)利要求l的裝置，其中所述形狀記憶材料在溫度低于所it^ 熱i殳備的期望溫度時用于限制流體流動，并且在溫度高于所述發(fā)熱設(shè)備的 不同期望溫度時不會限制流體流動。
3. 根據(jù)權(quán)利要求l的裝置，其中所述激勵是所述發(fā)熱設(shè)備的溫度。
4. 根據(jù)權(quán)利要求l的裝置，其中所述形狀記憶材料響應(yīng)于施加的激勵 而伸展和收縮。
5. 根據(jù)權(quán)利要求l的裝置，其中從氣體、液體及它們的組合中選擇所 述流體。
6. 根據(jù)權(quán)利要求l的裝置，還包括多種位于所述冷卻片之間的所述流體流動路徑中的形狀記憶材料，其 中所述形狀記憶材料伸展和收縮以響應(yīng)不同級別的激勵。
7. 根據(jù)權(quán)利要求l的裝置，還包括多種位于所述冷卻片之間的所述流體流動路徑中的形狀記憶材料，其 中所述形狀記憶材料伸展和收縮以響應(yīng)不同的激勵。
8. 根據(jù)權(quán)利要求l的裝置，還包括 多個發(fā)熱設(shè)備；多個布置為與每個發(fā)熱設(shè)備具有熱接觸的冷卻片； 用于使流體沿冷卻片之間的路徑流動的裝置；以及 位于所述冷卻片之間的流體流動5M圣中的形狀記憶材料，其中為每個 發(fā)熱設(shè)備選擇所述形狀記憶材料以調(diào)節(jié)所述發(fā)熱設(shè)備的期望溫度范圍。
9. 根據(jù)權(quán)利要求8的裝置，其中所述形狀記憶材料響應(yīng)于所^X熱設(shè) 備的溫度而伸展和收縮。
10. 根據(jù)權(quán)利要求8的裝置，其中所述形狀記憶材料響應(yīng)于施加的激 勵而伸展和收縮。
11. 根據(jù)權(quán)利要求8的裝置，其中從氣體、液體及它們的組合中選擇 所述流體，
12. 根據(jù)權(quán)利要求8的裝置，還包括多種位于所述冷卻片之間的所述流體流動路徑中的形狀記憶材料，其 中每種形狀記憶材料伸展和收縮以響應(yīng)不同級別的激勵。
13. —種方法，所述方法包括 通過通道傳送流體以冷卻發(fā)熱設(shè)備；以及利用布置在所述通道中的形狀記憶材料來調(diào)節(jié)通過所述通道傳送的流 體量，其中所述形狀記憶材料響應(yīng)于施加的激勵而伸展和收縮。
14. 根據(jù)權(quán)利要求13的方法，其中所述形狀記憶材料在溫度低于期 望設(shè)備溫度時限制流體流動，并且在溫度高于不同的期望設(shè)備溫度時不會 限制流體流動。
15. 根據(jù)權(quán)利要求13的方法，其中所述形狀記憶材料與所述發(fā)熱設(shè) 備具有熱接觸，并且其中所述形狀記憶材料響應(yīng)于所述發(fā)熱設(shè)備的溫度而伸展和收縮。
16. 根據(jù)權(quán)利要求13的方法，其中所a加的激勵是電流。
17. 根據(jù)權(quán)利要求13的方法，其中利用多種具有不同伸展和收縮特 性的形狀記憶材料來調(diào)節(jié)溫度。
全文摘要
本發(fā)明公開了使用布置在散熱器上的形狀記憶材料來在期望范圍內(nèi)調(diào)節(jié)發(fā)熱設(shè)備的溫度。根據(jù)一個實施例，將冷卻片布置在發(fā)熱設(shè)備上。流體穿過所述冷卻片流動以將熱量從設(shè)備移除。將形狀記憶材料布置在流體流動路徑中，以響應(yīng)于在所述發(fā)熱設(shè)備的期望較低和較高工作溫度下的激勵而調(diào)節(jié)流體流量。在所述較低的期望設(shè)備工作溫度下，所述形狀記憶材料將限制流過所述冷卻片的流體量。在所述較高的期望設(shè)備工作溫度下，所述形狀記憶材料不會限制流過所述冷卻片的流體。
文檔編號G12B15/02GK101174478SQ200710167580
公開日2008年5月7日 申請日期2007年10月29日 優(yōu)先權(quán)日2006年11月1日
發(fā)明者C·麥迪納, J·G·麥克萊恩, S·P·阿克薩米特 申請人:國際商業(yè)機器公司