專利名稱：微晶電熱膜發(fā)熱板的結(jié)構(gòu)改良的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種微晶電熱技術(shù)，特指一種微晶電熱膜發(fā)熱板的結(jié)構(gòu) 改良。
技術(shù)背景
傳統(tǒng)的微晶電熱膜發(fā)熱板上的絲印銀電極與外部電源線02的連接是通 過錫01焊結(jié)在一起，但在使用過程中經(jīng)常發(fā)生電熱膜產(chǎn)生的熱量傳遞到錫 上，由于錫的熔點(diǎn)較低，使錫01很快熔化，造成電源線02脫落，而導(dǎo)致電 熱板損壞。在實(shí)際應(yīng)用中，有些廠家為了避免此問題，特意在發(fā)熱板上設(shè)置 一段過渡區(qū)03，但效果并不理想，而且浪費(fèi)發(fā)熱板。 發(fā)明內(nèi)容
本實(shí)用新型的目的是為了解決上述現(xiàn)有技術(shù)的缺點(diǎn)，提供一種電源線連 接可靠、發(fā)熱效率高的微晶電熱膜發(fā)熱板。
為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型提供的技術(shù)方案為微晶電熱膜發(fā)熱板， 該發(fā)熱板包括有發(fā)熱板本體、電熱膜和正負(fù)絲印銀電極，電熱膜設(shè)于發(fā)熱板 本體的表面，正負(fù)絲印銀電極分別連接在電熱膜的兩偵lj，正負(fù)絲印銀電極上 分別固接有導(dǎo)電卡片。上述導(dǎo)電卡片通過設(shè)置在發(fā)熱板本體上的絕緣塊固定。
上述導(dǎo)電卡片本體卡接在發(fā)熱板本體的壁體上。
所述的絕緣塊為陶瓷塊。
所述的導(dǎo)電卡片為"L"型。
采用上述技術(shù)方案后，外部電源線與絲印銀電極的連接更牢固，保證微 晶電熱膜發(fā)熱板的正常工作，同時在發(fā)熱板上不需要設(shè)置過渡區(qū)，增大了發(fā) 熱膜的鋪設(shè)面積，提高了發(fā)熱效率。


圖1是現(xiàn)在的微晶電熱膜發(fā)熱板的結(jié)構(gòu)示意圖； 圖2是本實(shí)用新型的去掉絕緣塊后的立體結(jié)構(gòu)圖； 圖3是本實(shí)用新型的立體結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖詳細(xì)闡述本實(shí)用新型
如附圖2 附圖3所示，本實(shí)施例的微晶電熱膜發(fā)熱板包括有發(fā)熱板本
體l、電熱膜2、正負(fù)絲印銀電極3、 L型導(dǎo)電卡片4和絕緣塊5，電熱膜2 鋪設(shè)在發(fā)熱板本體1表面上，正負(fù)絲印銀電極3分別設(shè)在電熱膜2的兩側(cè)， 并且在它們與卡接在電熱板本體1上的L型導(dǎo)電卡片4連接，該L型導(dǎo)電卡 片4可與外部電源線6的套頭7套接，另外，L型導(dǎo)電卡片4通過陶瓷絕緣 塊5加以固接在發(fā)熱板本體1上。
權(quán)利要求1.微晶電熱膜發(fā)熱板，該發(fā)熱板包括有發(fā)熱板本體、電熱膜和正負(fù)絲印銀電極，電熱膜設(shè)于發(fā)熱板本體的表面，正負(fù)絲印銀電極分別連接在電熱膜的兩側(cè)，其特征在于正負(fù)絲印銀電極上分別固接有導(dǎo)電卡片。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的微晶電熱膜發(fā)熱板，其特征在于上述導(dǎo)電 卡片通過設(shè)置在發(fā)熱板本體上的絕緣塊固定。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的微晶電熱膜發(fā)熱板，其特征在于上述 導(dǎo)電卡片本體卡接在發(fā)熱板本體的壁體上。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的微晶電熱膜發(fā)熱板，其特征在于所述的絕 緣塊為陶瓷塊。
5. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的微晶電熱膜發(fā)熱板，其特征在于所述的導(dǎo) 電卡片為"L"型。
專利摘要本實(shí)用新型提供一種電源線連接可靠、發(fā)熱效率高的微晶電熱膜發(fā)熱板。該發(fā)熱板包括有發(fā)熱板本體、電熱膜和正負(fù)絲印銀電極，電熱膜設(shè)于發(fā)熱板本體的表面，正負(fù)絲印銀電極分別連接在電熱膜的兩側(cè)，正負(fù)絲印銀電極上分別固接有導(dǎo)電卡片。采用上述技術(shù)方案后，外部電源線與絲印銀電極的連接更牢固，保證微晶電熱膜發(fā)熱板的正常工作，同時在發(fā)熱板上不需要設(shè)置過渡區(qū)，增大了發(fā)熱膜的鋪設(shè)面積，提高了發(fā)熱效率。
文檔編號H05B3/06GK201001203SQ20072004733
公開日2008年1月2日 申請日期2007年1月12日 優(yōu)先權(quán)日2007年1月12日
發(fā)明者賈玉秋 申請人:賈玉秋