專利名稱：小型氫原子頻標(biāo)立式磁屏蔽裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及磁屏蔽裝置,特別是小型氫原子頻標(biāo)立式磁屏蔽裝置。
技術(shù)背景以往的磁屏蔽裝置結(jié)構(gòu)為四層立式結(jié)構(gòu)，整個(gè)裝置重量達(dá)17kg,每層屏蔽 由獨(dú)立的上蓋、下蓋和側(cè)筒機(jī)械連接。各個(gè)上下蓋之間有銷支架，與側(cè)簡不接觸。支架以及屏蔽之間絕緣處理。以往的裝置重量大，不利于小型化的要求；裝置內(nèi) 沒有減震措施，連接固定措施不夠，結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性差；且上蓋、下蓋和側(cè)簡完全獨(dú) 立，重復(fù)安裝的可靠性低。安裝完成后僅能在實(shí)驗(yàn)室環(huán)境下固定使用。 實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型目的在于提供一種小型氫原子頻標(biāo)立式磁屏蔽裝置，解決重量 重、穩(wěn)定性差、可靠性低的問題。小型氫原子頻標(biāo)立式磁屏蔽裝置包括屏蔽層、鉬支架，還包括支撐桿和絕緣 減震膠墊。其中屏蔽層由上蓋、下蓋和側(cè)簡構(gòu)成，上蓋為圓盤，側(cè)筒為圓簡，上 蓋直徑與側(cè)筒直徑對(duì)應(yīng)，上蓋與側(cè)簡的頂端焊接為一體，下蓋為邊緣帶有突臺(tái)的 圓盤，突臺(tái)高度為10mm-15mm,下蓋突臺(tái)的內(nèi)徑與側(cè)簡的外徑相對(duì)應(yīng)，側(cè)簡的底 端與下蓋突臺(tái)端扣接。多層屏蔽層以嵌套式結(jié)構(gòu)組合在一起，由內(nèi)向外各層屏蔽 層的直徑由小變大，高度由低到高。最外層屏蔽簡上筒壁厚為0.8mm-1.2mm，直 徑為255mm-265mm,高度為275mm-285mm,下蓋的厚度為8. 0mm-12. Omm,外徑為 265mm-285咖，內(nèi)層壁厚為0. 3mm-0. 5mm。鋁支架置于屏蔽的上蓋之間和下蓋之 間，絕緣減震膠墊置于鋁支架和屏蔽的上蓋、下蓋之間。最外層下蓋上有相應(yīng)內(nèi) 層底蓋中心均分的三個(gè)螺紋孔。內(nèi)層屏蔽的上蓋、下蓋通過支撐桿固定在最外層 下蓋上。屏蔽層材料為坡莫合金。由于屏蔽層的阻礙作用，外部磁場的主要沿屏蔽層進(jìn)行傳播而不能穿過屏蔽 層，僅有少量磁場分量能穿過屏蔽層進(jìn)入內(nèi)部區(qū)域，經(jīng)過多層屏蔽作用，最終在 屏蔽最內(nèi)層內(nèi)部形成均勻穩(wěn)定微弱的剩余磁場，并且在長期連續(xù)的工作過程中，不因外界環(huán)境條件的改變而變化。通過對(duì)磁屏蔽裝置進(jìn)行改進(jìn)，磁屏蔽裝置的重量減少到12kg,結(jié)構(gòu)得到了 強(qiáng)化，穩(wěn)定性和可靠性均得到了提高，工作環(huán)境有了大范圍擴(kuò)展。

圖1小型氫原子頻標(biāo)立式磁屏蔽裝置結(jié)構(gòu)示意圖l.上蓋2.側(cè)簡3.下蓋4.最外層屏蔽上蓋5.最外層屏蔽側(cè)簡6.最外層屏蔽下蓋7.絕緣減震膠墊8.支撐桿9.鋁支架具體實(shí)施方式
小型氫原子頻標(biāo)立式磁屏蔽裝置包括屏蔽層、鋁支架9，還包括支撐桿8和 絕緣減震膠墊7。其中屏蔽層為四層，由上蓋l、側(cè)簡2和下蓋3構(gòu)成，上蓋l 為圓盤，側(cè)簡2為圓筒，上蓋1直徑與側(cè)筒2直徑對(duì)應(yīng)，上蓋1與側(cè)簡2的頂端 焊接為一體，下蓋3為邊緣帶有突臺(tái)的圓盤，突臺(tái)高度為12mm,下蓋3突臺(tái)的 內(nèi)徑與側(cè)筒2的外徑相對(duì)應(yīng)，側(cè)簡2的底端與下蓋3突臺(tái)扣接。屏蔽層由內(nèi)向外 依次為屏蔽層a、屏蔽層b、屏蔽層c、屏蔽層d。四層屏蔽層以嵌套式結(jié)構(gòu)組合 在一起，由內(nèi)向外各層屏蔽層的直徑由小變大，高度由低到高。屏蔽層a壁厚為0. 5誦，直徑為190mm,高度為240mm;屏蔽層b壁厚為0. 5ram,直徑為210mm, 高度為260mm;屏蔽層c壁厚為0. 5mm，直徑為230mra,高度為280mm;最外層屏 蔽上蓋4即屏蔽層d上蓋厚1. Omm，最外層屏蔽側(cè)簡5即屏蔽層d側(cè)簡壁厚為1. Omm,直徑為256mm,高度為300mm,最外層屏蔽下蓋6即屏蔽層d下蓋的厚度 為10. Omm,外徑為276mm。屏蔽層上蓋1之間和下蓋2之間的間隙均用絕緣減震 膠墊7和鋁支架9分隔固定，支撐桿8固定在最外層屏蔽下蓋6上，內(nèi)層屏蔽用 鋁支架9通過支撐桿8固定在最外層屏蔽下蓋6上。
權(quán)利要求1.一種小型氫原子頻標(biāo)立式磁屏蔽裝置包括屏蔽層、鋁支架(9)，其特征在于還包括支撐桿(8)和絕緣減震膠墊(7)；其中屏蔽層由上蓋(1)、下蓋(3)和側(cè)筒(2)構(gòu)成，上蓋(1)為圓盤，側(cè)筒(2)為圓筒，上蓋(1)直徑與側(cè)筒(2)直徑對(duì)應(yīng)，上蓋(1)與側(cè)筒(2)的頂端焊接為一體，下蓋(3)為邊緣帶有突臺(tái)的圓盤，突臺(tái)高度為10mm-15mm，下蓋(3)突臺(tái)的內(nèi)徑與側(cè)筒(2)的外徑相對(duì)應(yīng)，側(cè)筒(2)的底端與下蓋(3)扣接；多層屏蔽層以嵌套式結(jié)構(gòu)組合在一起，由內(nèi)向外各層屏蔽層的直徑由小變大，高度由低到高；最外層屏蔽側(cè)筒(5)壁厚為0.8mm-1.2mm，直徑為255mm-265mm，高度為275mm-285mm，下蓋(3)的厚度為8.0mm-12.0mm，外徑為265mm-285mm，內(nèi)層壁厚為0.3mm-0.5mm；鋁支架(9)置于屏蔽的上蓋(1)和下蓋(3)之間，絕緣減震膠墊(7)置于鋁支架(9)與屏蔽的上蓋(1)和鋁支架(9)與下蓋(3)之間；最外層下蓋(10)相應(yīng)內(nèi)層下蓋(3)中心均分三個(gè)螺紋孔；內(nèi)層屏蔽的上蓋(1)、下蓋(3)通過支撐桿(8)固定在最外層下蓋(10)上；屏蔽層材料為坡莫合金。
專利摘要本實(shí)用新型公開一種小型氫原子頻標(biāo)立式磁屏蔽裝置包括屏蔽層、鋁支架(9)、支撐桿(8)和絕緣減震膠墊(7)；其中屏蔽層由上蓋(1)、下蓋(3)和側(cè)筒(2)構(gòu)成，上蓋(1)為圓盤，側(cè)筒(2)為圓筒，上蓋(1)與側(cè)筒(2)的頂端焊接為一體，下蓋(3)為邊緣帶有突臺(tái)的圓盤，側(cè)筒(2)的底端與下蓋(3)扣接；多層屏蔽層以嵌套式結(jié)構(gòu)組合在一起，由內(nèi)向外各層屏蔽層的直徑由小變大，高度由低到高。通過對(duì)磁屏蔽裝置進(jìn)行改進(jìn)，磁屏蔽裝置的重量減少到12kg，結(jié)構(gòu)得到了強(qiáng)化，穩(wěn)定性和可靠性均得到了提高，工作環(huán)境有了大范圍擴(kuò)展。
文檔編號(hào)H05K9/00GK201123218SQ200720305718
公開日2008年9月24日 申請(qǐng)日期2007年11月16日 優(yōu)先權(quán)日2007年11月16日
發(fā)明者余傳佩, 周鐵中, 孫永紅, 崔利亞, 張繼紅, 晶 李, 峰 楊, 沈國輝, 王翰林, 高連山 申請(qǐng)人:中國航天科工集團(tuán)第二研究院二○三所