專利名稱：中繼基板和利用該中繼基板的電子設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及中繼基板(interposer )和利用了該中繼基板 的電子設(shè)備，更為具體的說，涉及介于半導(dǎo)體芯片和封裝基板 之間的中繼基板以及由半導(dǎo)體芯片、中繼基板和封裝基板的組 合構(gòu)成的電子設(shè)備。
背景技術(shù)：
以往，作為用于進(jìn)行半導(dǎo)體芯片與封裝基板之間的再布線 的印刷線路板，公知有中繼基板。中繼基板是再布線裝置，該 再布線裝置主要用于將半導(dǎo)體芯片的超高密度間距(例如 5()(im)的導(dǎo)體電路與封裝基板(也稱為"安裝基板")的比上 述超高密度間距大的間距(例如150(im)的'導(dǎo)體電路相互連接 起來。
專利文獻(xiàn)]:日本特開2001-326305 "半導(dǎo)體裝置用中繼基 板、其制造方法和半導(dǎo)體裝置"(2001年11月22日公開)。
上述專利文獻(xiàn)公開了在絕緣基板上形成有電容器和布線圖 案的中繼基板。
通過本發(fā)明人其后的研究可明確的是在如專利文獻(xiàn)1中 所記載的那樣地、在中繼基板上 一起形成電容器和再布線層時(shí)， 會(huì)產(chǎn)生各種問題。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的目的在于提供一種新的中繼基板和利用該 中繼基板的電子設(shè)備。
筌于上述目的，本發(fā)明的中繼基板具有形成在基板表面的 幾乎整面上的電容器。
另外，在上述中繼基板中，上述電容器由下部電極、電介 質(zhì)層和上部電扨j勾成，該下部電纟及具有開口部，該電介質(zhì)層形 成在上述下部電極上，該上部電極形成在上述電介質(zhì)層上，且
孔連接盤、接地用通孔導(dǎo)體、接地用導(dǎo)通孔連接盤、信號(hào)用通 孔導(dǎo)體、信號(hào)用通孔連接盤、接地用導(dǎo)通孔導(dǎo)體和電源用導(dǎo)通 孔導(dǎo)體，該電源用通孔導(dǎo)體貫通上述基板，與IC芯片的電源電 極電連接；該電源用通孔連接盤與上述電源用通孔導(dǎo)體相連接，
形成在上述下部電才及的開口部內(nèi)；該4妄地用通孔導(dǎo)體貫通上述 基板，與IC芯片的接地電極電連接；該接地用導(dǎo)通孔連接盤與 上述接地用通孔導(dǎo)體電連接，形成在上述上部電極的開口部內(nèi)； 該信號(hào)用通孔導(dǎo)體貫通上述基板，與IC芯片的信號(hào)電極電連 接；該信號(hào)用通孔連接盤與上述信號(hào)用通孔導(dǎo)體相連接，形成 在上述基板上；該接地用導(dǎo)通孔導(dǎo)體連接上述接地用導(dǎo)通孔連 接盤和上述下部電極，形成在上述電介質(zhì)層上；該電源用導(dǎo)通 孔導(dǎo)體連接上述電源用通孔連接盤和上部電極，形成在上述電 介質(zhì)層上；上述信號(hào)用通孔導(dǎo)體也可以形成在形成有上述接地 用通孔導(dǎo)體和上述電源用通孔導(dǎo)體的區(qū)域以外。
另外，在上述中繼基板中，上述電容器由下部電極、電介 質(zhì)層和上部電極構(gòu)成，該下部電極具有開口部，該電介質(zhì)層形 成在上述下部電極上，該上部電極形成在上述電介質(zhì)層上，且 具有開口部；上述中繼基板還具有接地用通孔導(dǎo)體、接地用通
孔連接盤、電源用通孔導(dǎo)體、電源用導(dǎo)通孔連接盤、信號(hào)用通 孔導(dǎo)體、信號(hào)用通孔連接盤、電源用導(dǎo)通孔導(dǎo)體和接地用導(dǎo)通 孔導(dǎo)體；該接地用通孔導(dǎo)體貫通上述基板，與IC芯片的接地電 極電連接；該接地用通孔連接盤與上述接地用通孔導(dǎo)體電連接，
形成在上述下部電才及的開口部內(nèi)；該電源用通孔導(dǎo)體貫通上述
基板，與IC芯片的電源電極電連接；該電源用導(dǎo)通孔連接盤與 上述電源用通孔導(dǎo)體電連接，形成在上述上部電極的開口部內(nèi)； 該信號(hào)用通孔導(dǎo)體貫通上述基板，與IC芯片的信號(hào)電極電連 接；該信號(hào)用通孔連接盤與上述信號(hào)用通孔導(dǎo)體相連接，形成 在上述基板上；該電源用導(dǎo)通孔導(dǎo)體連接上述電源用導(dǎo)通孔連 接盤和上述下部電極，形成在上述電介質(zhì)層上；該接地用導(dǎo)通 孔導(dǎo)體連接上述接地用通孔連接盤和上述上部電極，形成在上 述電介質(zhì)層上；上述信號(hào)用通孔導(dǎo)體也可以形成在形成有上述 接地用通孔導(dǎo)體和上述電源用通孔導(dǎo)體的區(qū)域以外。
另外，本發(fā)明的電子設(shè)備具有IC芯片、封裝基板和技術(shù)方 案1 2中所述的中繼基板，該中繼基板被上述IC芯片和上述封 裝基板夾著，并分別與兩者電連接，上述中繼基板提供電容器。
另外，本發(fā)明的中繼基板的制造方法為準(zhǔn)備硅基板，在 上述硅基板的 一 面的幾乎整面上形成由下部電極、電介質(zhì)層和 上部電極構(gòu)成的電容器，從上述硅基板的另 一 面在該硅基板上 形成貫通孔，在上述貫通孔內(nèi)形成通孔導(dǎo)體，上述通孔導(dǎo)體中 的幾個(gè)導(dǎo)體與上述下部電極電連接，上述通孔導(dǎo)體的其余幾個(gè) 導(dǎo)體借助形成在上述電介質(zhì)層上的導(dǎo)通孔導(dǎo)體而與上述上部電 才及相連才妄。
另外，本發(fā)明的電子設(shè)備的制造方法為如下方法準(zhǔn)備采 用上述方法制造出的中繼基板，在上述中繼基板的 一 面上電連 接IC芯片，在上述中繼基板的另 一面上電連接封裝件。
采用本發(fā)明，可以提供新的中繼基板和利用該中繼基板的
電子設(shè)備。


圖l是表示本實(shí)施方式的中繼基板的主要部分的剖視圖。 圖2是表示從下部電極側(cè)觀察形成在圖l所示的中繼基板 上的電容器的一部分的圖。
圖3是表示另 一 實(shí)施方式的中繼基板的主要部分的剖視
圖4是表示使用了中繼基板的電子設(shè)備的構(gòu)成的剖視圖。
圖5是表示使用了另一中繼基板的電子設(shè)備的構(gòu)成的剖視
圖6A是與圖6的其他圖 一起表示圖5所示的中繼基板的制 造工序的一個(gè)例子的圖，概略來說，為在硅基板上形成電容器
的工序。
圖6B是與圖6的其他圖一起表示圖5所示的中繼基板的制 造工序的一個(gè)例子的圖，概略來說，為在硅基板上形成電容器
的工序。
圖6C是與圖6的其他圖一起表示圖5所示的中繼基板的制 造工序的一個(gè)例子的圖，概略來說，為在硅基板上形成電容器 的工序。
圖6:D是與圖6的其他圖 一起表示圖5所示的中繼基板的制 造工序的一個(gè)例子的圖，概略來說，為在硅基板上形成電容器 的工序。
圖6E是與圖6的其他圖一起表示圖5所示的中繼基板的制 造工序的一個(gè)例子的圖，概略來說，為在硅基板上形成電容器 的工序。
圖6F是與圖6的其他圖 一起表示圖5所示的中繼基板的制 造工序的一個(gè)例子的圖，概略來說，為在硅基板上形成電容器
的工序。
圖6G是與圖G的其他圖 一起表示圖5所示的中繼基板的制
造工序的一個(gè)例子的圖，概略來說，為在硅基板上形成電容器 的工序。
圖6H是與圖6的其他圖 一起表示圖5所示的中繼基板的制
造工序的一個(gè)例子的圖，概略來說，為在硅基板上形成電容器
的工序。
圖61是與圖6的其他圖 一起表示圖5所示的中繼基板的制 造工序的一個(gè)例子的圖，概略來說，為在硅基板上形成電容器
的工序。
圖6J是與圖6的其他圖一起表示圖5所示的中繼基板的制 造工序的一個(gè)例子的圖，概略來說，為在硅基板上形成電容器
的工序。
圖6K是與圖6的其他圖 一起表示圖5所示的中繼基板的制 造工序的一個(gè)例子的圖，概略來說，為在硅基板上形成電容器
的工序。
圖6L是與圖6的其他圖 一起表示圖5所示的中繼基板的制 造工序的一個(gè)例子的圖，概略來說，為在硅基板上形成電容器
的工序。
圖6M是與圖6的其他圖 一起表示圖5所示的中繼基板的制 造工序的一個(gè)例子的圖，概略來說，為在硅基板上形成電容器 的工序。
圖7A是與圖7的其他圖一起表示圖5所示的中繼基板的制 造工序的一個(gè)例子的圖，概略來說，為在該電容器上表面形成 再布線層的工序。
圖7B是與圖7的其他圖 一起表示圖5所示的中繼基板的制 造工序的一個(gè)例子的圖，概略來說，為在該電容器上表面形成 再布線層的工序。
圖7C是與圖7的其他圖 一 起表示圖5所示的中繼基板的制
造工序的--個(gè)例子的圖，概略來說，為在該電容器上表面形成 再布線層的工序。
圖7D是與圖7的其他圖 一起表示圖5所示的中繼基板的制
造工序的一個(gè)例子的圖，概略來說，為在該電容器上表面形成 再布線層的工序。
圖7:E是與圖7的其他圖 一起表示圖5所示的中繼基板的制 造工序的一個(gè)例子的圖，概略來說，為在該電容器上表面形成 再布線層的工序。
圖7F是與圖7的其他圖 一起表示圖5所示的中繼基板的制 造工序的一個(gè)例子的圖，概略來說，為在該電容器上表面形成 再布線層的工序。
圖7G是與圖7的其他圖 一起表示圖5所示的中繼基板的制 造工序的一個(gè)例子的圖，概略來說，為在該電容器上表面形成 再布線層的工序。
圖7H是與圖7的其他圖 一起表示圖5所示的中繼基板的制 造工序的一個(gè)例子的圖，概略來說，為在該電容器上表面形成 再布線層的工序。
圖71是與圖7的其他圖 一起表示圖5所示的中繼基板的制 造工序的一個(gè)例子的圖，概略來說，為在該電容器上表面形成 再布線層的工序。
圖7J是與圖7的其他圖 一起表示圖5所示的中繼基板的制 造工序的一個(gè)例子的圖，概略來說，為在該電容器上表面形成 再布線層的工序。
圖7K是與圖7的其他圖 一起表示圖5所示的中繼基板的制 造工序的一個(gè)例子的圖，概略來說，為在該電容器上表面形成 再布線層的工序。
圖7 L是與圖7的其他圖 一 起表示圖5所示的中繼基板的制
造工序的一個(gè)例子的圖，概略來說，為在該電容器上表面形成 再布線層的工序。
圖7M:是與圖7的其他圖 一起表示圖5所示的中繼基板的制
造工序的一個(gè)例子的圖， 一既略來說，為在該電容器上表面形成 再布線,縣的工序。
圖7N是與圖7的其他圖 一起表示圖5所示的中繼基板的制 造工序的一個(gè)例子的圖，概略來說，為在該電容器上表面形成 再布線層的工序。
圖8A是與圖8的其他圖 一起表示圖5所示的中繼基板的制 造工序的一個(gè)例子的圖，概略來說，為在石圭基板上形成通孔導(dǎo) 體的工序。
圖8B是與圖8的其他圖一起表示圖5所示的中繼基板的制 造工序的一個(gè)例子的圖，概略來說，為在硅基板上形成通孔導(dǎo)
體的工序。
圖8C是與圖8的其他圖 一起表示圖5所示的中繼基板的制 造工序的一個(gè)例子的圖，概略來說，為在^圭基板上形成通孔導(dǎo) 體的工序。
圖cSD是與圖8的其他圖一起表示圖5所示的中繼基板的制 造工序的--個(gè)例子的圖，概略來說，為在硅基板上形成通孔導(dǎo) 體的工序。
圖8E是與圖8的其他圖 一起表示圖5所示的中繼基板的制 造工序的一個(gè)例子的圖，概略來說，為在硅基板上形成通孔導(dǎo)
體的工序。
圖8F是與圖8的其他圖 一起表示圖5所示的中繼基板的制 造工序的一個(gè)例子的圖，概略來說，為在硅基板上形成通孔導(dǎo) 體的工序。
圖8G是與圖8的其他圖 一起表示圖5所示的中繼基板的制
造工序的一個(gè)例子的圖，概略來說，為在硅基板上形成通孔導(dǎo)體的工序。
圖8H是與圖8的其他圖一起表示圖5所示的中繼基板的制 造工序的一個(gè)例子的圖，概略來說，為在硅基板上形成通孔導(dǎo)體的工序。
圖8I:是與圖8的其他圖 一起表示圖5所示的中繼基板的制 造工序的一個(gè)例子的圖， 一既略來說，為在石圭基壽反上形成通孔導(dǎo) 體的工序。
圖8J是與圖8的其他圖 一起表示圖5所示的中繼基板的制 造工序的一個(gè)例子的圖，概略來說，為在硅基板上形成通孔導(dǎo) 體的工序。
附圖標(biāo)記i兌明
10:中繼基板；12:硅基板；12a:貫通孔；14:上部電 極；15:電容器；16:電介質(zhì)層；18:下部電極；20_1:通孔 導(dǎo)體、信號(hào)用通孔導(dǎo)體；20-2:通孔導(dǎo)體、電源用通孔導(dǎo)體；
20- 3:通孔導(dǎo)體，接地用通孔導(dǎo)體；20-1:導(dǎo)通孔導(dǎo)體、信號(hào) 用導(dǎo)通孔導(dǎo)體；20-2:導(dǎo)通孔導(dǎo)體、電源用導(dǎo)通孔導(dǎo)體；2()-3'. 導(dǎo)通孔導(dǎo)體、接地用導(dǎo)通孔導(dǎo)體；21-1:下側(cè)層間絕緣樹脂層；
21- 2:上側(cè)層間絕緣樹脂層；23-1、 23-2、 23-3:再布線層、 鍍銅層；24:間隙；25:間隙；26:焊錫凸塊；28:阻焊層； 28a:開口； 30:焊錫凸塊；38:阻焊層；40:半導(dǎo)體芯片、 IC芯片；42:封裝基板；50、 56、 58、 62、 66:抗蝕劑；62a: 開口； l.O():開口部；70-1、 70-2:電子設(shè)備；101:開口部； 102:通孔連接盤。
具體實(shí)施例方式
以下，參照附圖，對(duì)本發(fā)明的新的中繼基板和利用了該中
繼基板的電子詔備的實(shí)施方式進(jìn)行詳細(xì)說明。不言而。俞，_這些 實(shí)施方式為例示，本發(fā)明不限定于此。另外，圖中，對(duì)相同要 素標(biāo)注相同的附圖標(biāo)記，省略重復(fù)說明。 中繼基板
圖l是表示本實(shí)施方式的中繼基板10的主要部分的剖視 圖。中繼基板1()具有形成在硅基板12上的通孔導(dǎo)體20-1、 20-2、
導(dǎo)體20-1~20-3與形成在基板表面的通孔連4妻盤102或下部電 極18相連接。導(dǎo)通孔導(dǎo)體22-1~22-3與形成在電介質(zhì)層16上的 導(dǎo)通孔連接盤103相連接。電源用通孔導(dǎo)體20-2和電源用導(dǎo)通 孔導(dǎo)體22-2沿長度方向相連接，同樣地，^接地用通孔導(dǎo)體20-3 和接地用導(dǎo)通孔導(dǎo)體22-3、以及信號(hào)用通孔導(dǎo)體20-l和信號(hào)用 導(dǎo)通孔導(dǎo)體22-l (參照?qǐng)D3)也分別沿長度方向相連接。因此， 在本說明書中，有時(shí)將沿長度方向相連接的通孔和導(dǎo)通孔總稱 為如"通孔導(dǎo)體和導(dǎo)通孔導(dǎo)體20-l、 22-1"。中繼基板l()具有 硅基板12和電容器15，該電容器15由具有開口部101的下部電 極18和具有開口部IO()的上部電極14構(gòu)成。
在此，間隙25表示通孔連接盤102之間的絕緣區(qū)域，間隙 24表示導(dǎo)通孔連接盤103之間的絕緣區(qū)域，開口部IO()及開口部 101表示形成有通孔連接盤102及導(dǎo)通孔連接盤103的區(qū)域。
不需要在電源用通孔導(dǎo)體20-2的正上方設(shè)置電源用導(dǎo)通孔 導(dǎo)體22-2。另外，不需要使電源用通孔導(dǎo)體的數(shù)量和電源用導(dǎo) 通孔導(dǎo)體的數(shù)量相同。電源用導(dǎo)通孔導(dǎo)體的數(shù)量越少，可以使
設(shè)置在上部電極1.4上的開口部1 ()O的數(shù)量越少。
不需要在接地用通孔導(dǎo)體2()-3的正上方設(shè)置接地用導(dǎo)通孔 f-體22-3。另外，不需要使接地用通孔導(dǎo)體的數(shù)量和接地用導(dǎo) 通孔導(dǎo)體的數(shù)量相同。接地用導(dǎo)通孔導(dǎo)體的數(shù)量越少，可以使
設(shè)置在下部電極18上的開口部IO].的數(shù)量越少。
在對(duì)硅基板12的表面進(jìn)行適當(dāng)研磨時(shí)，該硅基板12具有表
面極平滑的性質(zhì)。另外，只要滿足在本實(shí)施方式中所要求的表 面平滑度，也可以使用玻璃基板、聚酰亞胺基板來代替硅基板。
中繼基板1()的通孔導(dǎo)體和導(dǎo)通孔導(dǎo)體20-1、 22-1 (參照?qǐng)D 3)是信號(hào)用導(dǎo)體，如后述，在半導(dǎo)體芯片(參照?qǐng)D4和圖5) 和封裝基板(參照?qǐng)D4和圖5)之間進(jìn)行信號(hào)傳送。
接地用通孔導(dǎo)體20-3與形成在下部電4及18的開口部l()l上 的通孔連接盤102相連接，而且，借助接地用導(dǎo)通孔導(dǎo)體22-3 與上部電極14相連接。由間隙25使通孔連接盤102與下部電極 18絕緣。電源用通孔導(dǎo)體2()-2與下部電極18相連接，而且，借 助電源用導(dǎo)通孔導(dǎo)體22-2與設(shè)置在上部電極14的開口部1.()O上 的導(dǎo)通孔連接盤103相連接。而且，由間隙24使導(dǎo)通孔連接盤 10 3和上部電才及14絕緣。
另外，相反地，也可以是電源用通孔導(dǎo)體20-2與形成在下 部電極18的開口部1()1上的通孔連接盤102相連接，而且，借助 電源用導(dǎo)通孔導(dǎo)體2 2 - 2與上部電極14相連接。也可以是接地用 通孔導(dǎo)體20-3與下部電極18相連接，而且，借助接地用導(dǎo)通孔 導(dǎo)體2 2 - 3與設(shè)置在上部電極14的開口部10 0上的導(dǎo)通孔連接盤 ].()3相連接。
上部電極14和下部電極18由適當(dāng)?shù)慕饘傩纬?。在本?shí)施方 式中，例如，為了便于制造，上部電極14由鎳(Ni)形成，下 部電極18由鉑(Pt)形成。但是，也可以由其他金屬形成。
電介質(zhì)層16優(yōu)選 是尚電介乂貧。i"列4口 , 電介乂貧層16由具有虧雖 介電性的鈦酸鋇(BaTi03)形成。
在此，上部電極14、電介質(zhì)層16和下部電極18形成電容器〗5。如后述，圖l所示的中繼基板10配置在半導(dǎo)體芯片(參照
圖4和圖5)與封裝基板(也稱為"安裝基板")(參照?qǐng)D4和圖5) 之間。中繼基板10位于極為接近半導(dǎo)體芯片的位置，在電源和 地之間形成去耦電容來吸收噪聲。
在圖l所示的中繼基板10中，在硅基板12的一面的幾乎整 面上形成電介質(zhì)層16，夾著該電介質(zhì)層的兩面的導(dǎo)體層成為上 部電極14和下部電才及18 。
在圖l所示的中繼基板10中，在形成有電容器15的區(qū)域沒 有信號(hào)布線。因此，可以在硅基板12的表面形成擴(kuò)大的較大面 積的電容器用電極14、 18。
滑，因此，可以將電介質(zhì)層16形成得非常薄，即，將上部電極 〗.4和下部電極18的間隔形成得非常狹小。
在圖l.所示的中繼基板10中使用的電介質(zhì)層16，例如可以 采用具有強(qiáng)介電性的鈦酸鋇(BaTiOs)層。
通過具有l(wèi)個(gè)以上上述要因，從而圖l所示的中繼基板l()可 以形成具有非常大容量的電容器。
圖2是表示從下部電極18側(cè)觀察形成在圖l所示的中繼基 板1()上的電容器15的一部分的圖。在圖2中，白色表示的區(qū)域 表示下部電極18,黑色表示的框形狀表示可從下部電極18的開 口部觀察的電介質(zhì)層16 ?？芍虏侩姌O18形成在石圭基板面積的 幾乎整面。
圖3是表示另 一 實(shí)施方式的中繼基板的主要部分的剖視 圖。上述圖l的中繼基板的主要部分是，在硅基板12的周邊部 配置信號(hào)用通孔導(dǎo)體和信號(hào)用導(dǎo)通孔導(dǎo)體2()-l、 22-1，在中央 部配置電源用通孔導(dǎo)體和電源用導(dǎo)通孔導(dǎo)體20-2、 22-2、以及 接地用通孔導(dǎo)體和接地用導(dǎo)通孔導(dǎo)體20-3、 22-3,從而形成電
容器ir)。與此相反，圖3所示的中繼基板的主要部分的不同點(diǎn) 在于在中央部密集地配置信號(hào)用通孔導(dǎo)體2()-l和信號(hào)用導(dǎo)通 孔導(dǎo)體22-1,將電源用通孔導(dǎo)體和電源用導(dǎo)通孔導(dǎo)體20-2 、 22-2、以及接地用通孔導(dǎo)體和接地用導(dǎo)通孔導(dǎo)體20-3、 22-3配 置成包圍該信號(hào)用通孔導(dǎo)體20-l和信號(hào)用導(dǎo)通孔導(dǎo)體22-l。
如圖3所示，電源用導(dǎo)通孔導(dǎo)體22-2的連接盤部分延伸而 形成上部電極14。而且，通孔連接盤102形成在下部電極18的 開口部101.,由間隙25使通孔連接盤102與下部電極18絕緣。由 間隙24使信號(hào)用通孔導(dǎo)體和導(dǎo)通孔導(dǎo)體20-l、 22-1與上部電極 14絕緣，且由間隙25使信號(hào)用通孔導(dǎo)體和導(dǎo)通孔導(dǎo)體2()-l、 22-1與下部電極18絕緣。接地用通孔導(dǎo)體20-3的連4妾盤部分延 伸而形成下部電極1.8,處于與上部電極14不接觸的狀態(tài)。例如， 未形成與上部電極14相連接的導(dǎo)通孔導(dǎo)體，或?qū)?dǎo)通孔連接盤 H)3形成在上部電極14的開口部100，由間隙24使4妾地用通孔導(dǎo) 體2()-3處于不與上部電極14電連接的狀態(tài)。
另外，也可以將信號(hào)用通孔導(dǎo)體和導(dǎo)通孔導(dǎo)體20-l、 22-1、 電源用通孔導(dǎo)體和導(dǎo)通孔導(dǎo)體20-2、 22-2、以及4妾地用通孔導(dǎo) 體和導(dǎo)通孔導(dǎo)體20-3、 22-3配置成相互混合存在。
圖4是表示使用了中繼基板10的電子設(shè)備的構(gòu)成的剖視 圖。中繼基板1()介于IC芯片(IC) 4()與封裝基板(PK) 42之 間，分別通過焊錫凸塊26與IC芯片40焊錫連接、通過焊錫凸塊 30與封裝基板42焊錫連接。
圖4所示的中繼基板IO除了具有結(jié)合圖l.和圖3說明的上部 電極14、電介質(zhì)層16、下部電極18、硅基^反12、通孔導(dǎo)體和導(dǎo) 通孔導(dǎo)體2()、 22之外，還具有形成在上部電極14上的絕緣樹脂 層21、借助該絕緣樹脂層開口與通孔導(dǎo)體相連接的鎳(Ni)連 接盤24-1、，覆蓋該鎳連接盤(焊盤)的鍍金(Au)層24-2、形
成在鍍金層上的焊錫凸塊26、形成在硅基板12下表面的阻焊層
28、和借助該阻焊層的開口形成在通孔導(dǎo)體20的連接盤(外部 電極)部分上的焊錫凸塊30。
在圖4所示的中繼基板10中，電容器15位于與半導(dǎo)體芯片 4()極為接近的位置，因此，可以在電源和4妄;也之間形成去耦電 容器來吸收噪聲。
在圖4所示的中繼基板l()中，不存在占有硅基板12表面的 再布線圖案，因此，可以形成較大面積的電容器用電極14、 18。
在圖4所示的中繼基板l()中，硅基板12的表面極為平滑， 因此，可以將上部電極14和下部電極18之間形成得非常狹小。
在圖4所示的中繼基板l()中，可以采用具有強(qiáng)介電性的電 介質(zhì)作為電介質(zhì)層16,因此，可以形成非常大容量的電容器。
圖5是表示使用了另 一中繼基板10的電子設(shè)備的構(gòu)成的剖 視圖。圖5所示的中繼基板10的構(gòu)成與圖4所示的中繼基板l() 的構(gòu)成相比較，不同點(diǎn)在于增加了再布線層23-l、 23-2。
圖5的中繼基板10除了具有結(jié)合圖4說明的上部電極14、電 介質(zhì)層16、下部電才及18、硅基板12、通孔導(dǎo)體20、導(dǎo)通孔導(dǎo)體 22、焊錫凸塊26、阻焊層28和焊錫凸塊30之外，還具有形成有 再布線圖案23-l的下側(cè)層間絕緣樹脂層21-1、形成有再布線圖 案2 3 - 2的上側(cè)層間絕緣樹脂層21 - 2和阻焊層3 8 。下側(cè)層間絕緣 樹脂層21 -1形成在電容器上。形成在下側(cè)層間絕緣樹脂層上的 布線圖案2 3 -1借助形成在下側(cè)層間絕緣樹脂層上的導(dǎo)通孔導(dǎo)體 22而與信號(hào)用通孔導(dǎo)體20-1、電源用通孔導(dǎo)體20-2、接地用通 孔導(dǎo)體2()-3中的任一導(dǎo)體相連接。層間絕緣樹脂層可以是l層 也可以是多層。
但是，該再布線圖案23-l、 23-2分別形成在與電容器15不 同的其他層(即、層間絕緣樹脂層21-1、 21.-2)上。即，在由
上部電極14、電介質(zhì)層16和下部電極18構(gòu)成的電容器15內(nèi)不存
在再布線圖案。因此，依然可以形成較大面積的電容器用電極。
因此,圖5所示的中繼基板10具有結(jié)合圖l.和圖3說明的中 繼基板的作用與特征。圖5的中繼基板10除了具有將半導(dǎo)體芯 片40和封裝基板42相互連接的功能之外，由于位于與半導(dǎo)體芯 片4()極為接近的位置，因此，可以在電源和4妾地之間形成去耦 電容器來吸收噪聲。
在圖5的中繼基板10中，在電容器15部分不存在再布線圖 案，因此，可以形成較大面積的電容器用電極。
在圖5的中繼基板10中，在表面極為平滑的硅基板12上形 成電容器15?？梢詫㈦娊橘|(zhì)層的厚度形成得非常薄。
在圖5的中繼基板1()中，可以采用具有強(qiáng)介電性的電介質(zhì) 作為電介質(zhì)層1.6,因此，可以形成非常大容量的電容器。
制造方法
圖6A 圖6M 、圖7A 圖7N和圖8A 圖8 J是表示圖5所示的 中繼基板l()的制造工序的 一 個(gè)例子的圖。在此，圖6A 圖6M所 示的工序概略來說是在硅基板12上形成電容器15的工序。圖 7 A ~圖7 N所示的工序概略來說是在該電容器15的上方形成再 布線層的工序。另外，圖8A 圖8J所示的工序概略來說是在硅 基板12上形成通孔導(dǎo)體20的工序。但是，中繼基板10的制造工 序不限于此。最終可以采用能實(shí)現(xiàn)圖4或圖5所示的中繼基板l() 的任意制造方法。
圖6A是準(zhǔn)備硅(Si)晶圓的工序。例如，硅晶圓為半徑為 1 3英寸、厚度為50 2()0lim的圓板形狀。該硅晶圓相當(dāng)于中繼 基板H)的硅基板1.2。
圖6B是用剝離(liftoff)法對(duì)抗蝕劑50形成圖案的工序。 例如，在硅基板12的上表面層壓干膜，并形成圖案。
圖6C是通過濺4t形成下部電極18的工序。在包含抗蝕劑上
方的硅基板12的整個(gè)表面上通過濺鍍析出金屬層，形成下部電 極18。下部電極18優(yōu)選是由鈿(Pt)形成。但是，也可以由其
他金屬形成。
圖6D是抗蝕劑50的剝離工序。通過適當(dāng)?shù)膭冸x液剝離在圖 5B的工序中形成了圖案的抗蝕劑50。此時(shí)，在抗蝕劑上析出了 的金屬層也同時(shí)被剝離，形成下部電極18的圖案。
圖6E是通過濺鍍或溶膠凝膠法形成電介質(zhì)層16的工序。電 介質(zhì)層16例如由具有強(qiáng)介電性的鈦酸鋇(BaTiOx )形成。例如， 以々口下方式進(jìn)4亍在》茲4空濺射裝置(magnetron sputtering system)中安裝BaTiOx的目標(biāo)物(target)而形成膜厚為 0.25pm左右的第1濺鍍膜，在第1濺鍍膜上多次旋轉(zhuǎn)涂膜 (spin-c()atmg )含有鋇(Ba )和鈦(Ti )的溶膠凝膠溶液而 形成溶膠凝膠膜，再在該旋轉(zhuǎn)涂膜上(與形成第l濺鍍膜同樣 地)形成膜厚為0.15iim左右的第2濺鍍膜。這樣形成的電介質(zhì) 層16成為由第l濺鍍膜和第2濺鍍膜夾著溶膠凝膠膜的狀態(tài)。
圖6F是通過賊鍍形成上部電極14的工序。上部電極14優(yōu)選 是由鎳(Ni)形成。但是，也可以由其他金屬形成。
圖6G是對(duì)抗蝕劑52形成圖案的工序，該抗蝕劑52用于形成 上部電極]4。作為抗蝕劑52,例如可以^吏用在東京都的旭化成 電子株式會(huì)社制的千膜抗蝕劑A Q系列等。
圖6:H:是上部電極14和電介質(zhì)層16的蝕刻工序。上部電極 14由鎳(Ni)形成時(shí)，例如，可以使用美錄德(meltex)公司 制的商品乂^7卜卩？7° (混酸)作為蝕刻劑。在電介質(zhì)層16 中形成貫通孔時(shí)，可以使用C02激光或UV激光。
圖6I是抗蝕劑52的剝離工序。作為抗蝕劑剝離液，例如可 以使用濃度為]0%左右的Na()H水溶液。
圖6J是通過濺鍍形成晶種(seed)層54的工序。作為晶種 層54，例如可以-使用鎳(Ni)。
圖6K是對(duì)抗蝕劑56形成圖案的工序，該抗蝕劑56用于形成 上部電極14。作為抗蝕劑56,例如可以使用在日本東京都的旭 化成電子林式會(huì)社制的干膜抗蝕劑AQ系列u
圖6L是形成上部電極14的蝕刻工序。在上部電極14由4臬 (Ni)形成時(shí)，例如，可以使用上述商品少A義卜卩'7 :/ (混 酸)作為蝕刻劑，通過抗蝕劑56的開口蝕刻鎳(Ni)層。
圖6M是抗蝕劑56的剝離工序。作為抗蝕劑剝離液，例如 可以使用上述干膜抗蝕劑AQ系列。通過這些圖6A 圖6M所示 的工序，可以在硅基板12上形成電容器].5。還形成導(dǎo)通孔導(dǎo)體、 通孔連接盤、導(dǎo)通孔連接盤。
圖7A是形成下側(cè)層間絕緣樹脂層21-l且形成圖案的工序。 下惻層間絕緣樹脂層21-1例如可以由聚酰亞胺形成。
圖7B是通過濺鍍?cè)谛纬捎袌D案的下側(cè)層間絕緣樹脂層 21-1上形成晶種層19-1的工序。作為晶種層19-]，例如可以使 用鎳(Ni)作為基底，在其上使用銅(Cu)。
圖7C是形成鍍銅層23-1的工序。作為鍍銅層23-l，例長口以 晶種層19-1為電極，在下側(cè)層間絕緣樹脂層21-1的表面和開口 內(nèi)的晶種層上形成電解鍍銅。根據(jù)需要，對(duì)鍍銅層23-l的表面 進(jìn)行平滑化處理。
圖7D是對(duì)抗蝕劑58形成圖案的工序。為了蝕刻鍍銅層 23-1，在鍍銅層23-l上層壓抗蝕劑58,并形成圖案。作為ii:蝕 劑58，例如可以使用上述干膜抗蝕劑AQ系列。
圖7E是蝕刻鍍銅層23-1和晶種層(Cu/Ni) 19-1的工序。 蝕刻鍍銅層和晶種層的銅層時(shí)，例如，使用過氧化氫"克酸 (H2S()4/H202 )作為蝕刻劑，通過抗蝕劑的開口蝕刻鍍銅層。200780002425.4
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在蝕刻晶種層的鎳層時(shí)，例如，使用上述商品少A義卜卩？7° (混酸)作為蝕刻劑，通過抗蝕劑58的開口蝕刻鎳層。
圖7F是抗蝕劑58的剝離工序。作為抗蝕劑剝離液，例如， 可以使用濃度為10Q/o左右的NaOH水溶液。
圖7G是形成上側(cè)層間絕緣樹脂層21-2、且形成圖案的工 序。與圖6D所示的下側(cè)層間絕緣樹脂層21-1的形成工序相同， 上側(cè)層間絕緣樹脂層21 - 2例如可以由聚酰亞胺形成。
圖7H是在形成有圖案的上側(cè)層間絕緣樹脂層21-2上通過 濺鍍形成晶種層19-2的工序。與圖7B所示的工序相同，作為晶 種層，例如，可以使用鎳(Ni)作為基底，在其上使用銅(Cu)。
圖71是對(duì)抗蝕劑60形成圖案的工序。
圖7J是形成鍍銅層23-2的工序。作為鍍銅層23-2,例如， 以晶種層19-2為電極，在上側(cè)層間絕緣樹脂層21-2的表面和開 口內(nèi)的晶種層19-2上形成電解鍍銅。 .
圖7K是剝離抗蝕劑60的工序。作為抗蝕劑剝離液，例如可 以使用濃度為10M左右的NaOH水溶液。
圖7L是蝕刻鍍銅層23-2和晶種層(Cu/Ni) 19_2的工序。 與圖7E所示的工序相同，例如，使用過氧化氫/硫酸 (H2S04/H202 )作為蝕刻劑來蝕刻鍍銅層，使用上述商品爿乂" ^卜卩^ 7° (混酸)來蝕刻鎳層。
圖7M是對(duì)阻焊層38形成圖案的工序。作為阻焊層38,例 如，可以使用在東京都的日立化成工業(yè)才朱式會(huì)社制的商品 SR-7200 (感光性液狀阻焊層)，通過絲網(wǎng)印刷進(jìn)行涂布。
圖7N是在鍍銅層23-2上作為基底進(jìn)行鍍鎳(Ni)、在鎳層 上進(jìn)行鍍金(Au)的工序。這是為了在形成有用于與封裝件相 連接的焊錫凸塊的面上形成鍍銅層的保護(hù)層24。通過這些圖 6A 圖6N所示的工序，可以在電容器15的上表面形成再布線層
23-1、 23-2。
圖8 A是在硅基板12的下表面對(duì)抗蝕劑6 2形成圖案的工序。 為了在硅基板12中形成貫通孔12a,在硅基寺反12的下表面層壓 抗蝕劑62且形成圖案。作為抗蝕劑62,例如可以1吏用上述的干 膜抗蝕劑AQ系列。
圖8B是在硅基板12中形成貫通孔12a的工序。通過形成在 抗蝕劑62上的開口62，利用RIE法(反應(yīng)離子蝕刻法)進(jìn)行的 各向異性蝕刻對(duì)硅基板12進(jìn)行蝕刻，形成f通孔12a。
圖8C是剝離抗蝕劑62的工序。作為抗^:劑剝離液，例^口， 可以使用濃度為10Q/。左右的NaOH水溶液。
圖8 D是通過濺鍍?cè)谛纬捎胸炌?2 a的硅基板12上形成 晶種層19-3的工序。作為晶種層19-3，例如可以使用銅(Cu)。 雖未圖示，但在形成晶種層之前，通過CVD法等在硅基板12的 表面形成絕緣層(例如Si02)。另外，關(guān)于制造工序的順序可 以做成如下順序在硅基板12的 一 面形成下部電極18的階段 (參照?qǐng)D6D),形成通孔用的貫通孔12a (參照?qǐng)D8B)，在包含 貫通孔內(nèi)壁的硅基板的表面形成Si02等絕象膜。
圖8E為對(duì)抗蝕劑66形成圖案的工序。在石圭基板1.2表面上的 晶種層1.9-3上層壓干膜且形成圖案。
圖8F是形成鍍銅層23-3的工序。作為4度銅層23-3,例如以 晶種層19-3為電極，在硅基板12的表面和開口內(nèi)的晶種層19-3 上形成電解鍍銅。
圖8G是剝離抗蝕劑66的工序。作為抗蝕劑剝離液，例如可 以使用濃度為10yo左右的NaOH水溶液。
圖8H是蝕刻晶種層19-3的工序。例如，在由銅(Cu)形 成晶種層19-3時(shí)，可以使用過氧化氫/硫酸(H2S04/H202 )作 為蝕刻劑，軟蝕刻除去晶種層。另外，在蝕刻時(shí)，也可在鍍銅 層23-3的上部形成適當(dāng)?shù)目刮g劑。
圖8I是對(duì)阻焊層28形成圖案的工序。作為阻焊層28，例如 可以使用上述商品SR-7200 (感光性液狀阻焊層)，通過絲網(wǎng)印 刷進(jìn)行涂布。
圖8J是形成焊錫凸塊26、 30的工序。在阻焊層38的開口 38a中的鍍銅層23-2上，形成用于與封裝基板相連接的焊錫凸 塊26，在阻焊層28的開口 28a中的鍍銅層23-3上，形成用于與 :IC芯片相連接的焊錫凸塊30。例如可以通過絲網(wǎng)印刷來形成焊 錫凸塊26、 30。通過這些圖8A 8J所示的工序，可以在硅基斧反 1.2中形成通孔導(dǎo)體20。
另外，圖4所示的中繼基板可以利用上述工序的一部分(例 如圖6A 圖6M、圖7A 圖7F、圖8A 圖8J)來進(jìn)行制造。
利用了中繼基板的電子設(shè)備
圖4所示的中繼基板10介于IC芯片40和封裝基板42之間， 分別與1C芯片40和封裝基板42相互連接，形成由半導(dǎo)體芯片、 中繼基板和封裝基板組合而成的電子設(shè)備70-l。
該電子設(shè)備70- l通過如下方式形成在制造中繼基板l()之 后，對(duì)焊錫凸塊26、 30進(jìn)行回流焊，使中繼基板l.()分別與半導(dǎo) 體芯片40和封裝基板42焊錫連接。中繼基板10位于半導(dǎo)體芯片 4()的附近，作為具有較大容量的去輛電容器起作用。
圖5所示的中繼基板10介于IC芯片40和封裝基板42之間， 分別與IC芯片40和封裝基板42相互連接，形成由半導(dǎo)體芯片、 中繼基板和封裝基板組合而成的電子設(shè)備70-2。該電子設(shè)備 70-2通過如下方式形成在制造中繼基板10之后，對(duì)焊錫凸塊 26、 30進(jìn)行回流焊，使中繼基板10分別與半導(dǎo)體芯片40和封裝 基板42焊錫連接u中繼基板10在半導(dǎo)體芯片4()和封裝基板42 之間提供再布線層23-l、 23-2。
實(shí)施方式的特征、優(yōu)點(diǎn)等 本實(shí)施方式的 布線圖案，因此，可以形成較大面積的電容器用電極。
本實(shí)施方式的中繼基板10使用表面極為平滑的硅基板，因 此，可以將電介質(zhì)層16形成得非常薄，即將上部電極14和下部 電極18之間形成得非常狹小。形成在基板上的電容器成為具有 較大的容量。
本實(shí)施方式的中繼基板IO，例如可以采用具有強(qiáng)介電性的
材料、例如鈦酸鋇(BaTi03)層，因此，可以在基板上形成具
有較大容量的去耦電容器。
本實(shí)施方式的電子設(shè)備70-l可以通過組合半導(dǎo)體芯片40、
中繼基板10和封裝基板4 2 ，在與半導(dǎo)體芯片4 0極為接近的位置 提供容量較大的去耦電容器。
本實(shí)施方式的電子設(shè)備70-2可以將容量較大的去耦電容器 配置在與半導(dǎo)體芯片40極為接近的位置，而且，還可以提供再 布線層23-l、 23-2。
甚i
以上，對(duì)本發(fā)明的中繼基板和利用了該中繼基板的電子設(shè) 備的實(shí)施方式進(jìn)行了說明，但這些只是例示，本發(fā)明不限于此。
例如，通孔導(dǎo)體2()和導(dǎo)通孔導(dǎo)體22沿長度方向相連接，總 稱為通孔導(dǎo)體和導(dǎo)通孔導(dǎo)體20、 22。但是，不限于此。例如， 也可做成在圖l和圖3所示的中繼基板中，利用間隙25使通孔 導(dǎo)體20處于與下部電極28不連接的狀態(tài)，而借助形成在從此處 離開的位置的導(dǎo)通孔導(dǎo)體22與上部電極14相連接。此時(shí)，通孔 導(dǎo)體2()和導(dǎo)通孔導(dǎo)體22電連接，但不是沿長度方向相連接。這 樣的方式可以適用于電源用、接地用和信號(hào)用的通孔導(dǎo)體和導(dǎo) 通孔導(dǎo)體的任何一種。
因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍基于附加的權(quán)利要求書的記載來確定。
權(quán)利要求
1.一種中繼基板，其具有在基板表面的幾乎整面上形成的電容器。
2. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的中繼基板，上述電容器由具有開口部的下部電極、形成在上述下部電 極上的電介質(zhì)層以及形成在上述電介質(zhì)層上且具有開口部的上部電才及構(gòu)成；上述中繼基板還具有電源用通孔導(dǎo)體、電源用通孔連接盤、 接地用通孔導(dǎo)體、接地用導(dǎo)通孔連接盤、信號(hào)用通孔導(dǎo)體、信 號(hào)用通孔連接盤、接地用導(dǎo)通孔導(dǎo)體和電源用導(dǎo)通孔導(dǎo)體，該電源用通孔導(dǎo)體貫通上述基板，與IC芯片的電源電極電連接；該電源用通孔連接盤與上述電源用通孔導(dǎo)體相連接，形成 在上述下部電才及的開口部內(nèi)；該接地用通孔導(dǎo)體貫通上述基板，與IC芯片的接地電極電連接；該接地用導(dǎo)通孔連接盤與上述接地用通孔導(dǎo)體電連接，形 成在上述上部電才及的開口部內(nèi)；該信號(hào)用通孔導(dǎo)體貫通上述基板，與IC芯片的信號(hào)電極電 連接；該信號(hào)用通孔連接盤與上述信號(hào)用通孔導(dǎo)體相連接，形成 在上述基板上；該接地用導(dǎo)通孔導(dǎo)體連接上述接地用導(dǎo)通孔連接盤和上述 下部電極，形成在上述電介質(zhì)層上；該電源用導(dǎo)通孔導(dǎo)體連接上述電源用通孔連4妻盤和上部電 極，形成在上述電介質(zhì)層上；上述信號(hào)用通孔導(dǎo)體形成在形成有上述接地用通孔導(dǎo)體和 上述電源用通孔導(dǎo)體的區(qū)域以外。
3. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的中繼基板，上述電容器由具有開口部的下部電極、形成在上述下部電 極上的電介質(zhì)層以及形成在上述電介質(zhì)層上且具有開口部的上 部電極構(gòu)成；上述中繼基板還具有接地用通孔導(dǎo)體、接地用通孔連接盤、 電源用通孔導(dǎo)體、電源用導(dǎo)通孔連接盤、信號(hào)用通孔導(dǎo)體、信號(hào)用通孔連接盤、電源用導(dǎo)通孔導(dǎo)體和接地用導(dǎo)通孔導(dǎo)體；該接地用通孔導(dǎo)體貫通上述基板，與IC芯片的接地電極電 連接；該接地用通孔連接盤與上述接地用通孔導(dǎo)體相連接，形成 在上述下部電極的開口部內(nèi)；該電源用通孔導(dǎo)體貫通上述基板，與IC芯片的電源電極電連接；該電源用導(dǎo)通孔連接盤與上述電源用通孔導(dǎo)體電連接，形 成在上述上部電極的開口部內(nèi)；該信號(hào)用通孔導(dǎo)體貫通上述基板，與IC芯片的信號(hào)電極電 連接；該信號(hào)用通孔連接盤與上述信號(hào)用通孔導(dǎo)體相連接，形成 在上述基板上；下部電極，形成在上述電介質(zhì)層上；部電極，形成在上述電介質(zhì)層上；上述信號(hào)用通孔導(dǎo)體形成在形成有上述接地用通孔導(dǎo)體和 上述電源用通孔導(dǎo)體的區(qū)域以外。
4. 根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的中繼基板， 上述信號(hào)用通孔導(dǎo)體形成在上述基板的中央?yún)^(qū)域， 上述電源用通孔導(dǎo)體和接地用通孔導(dǎo)體形成在上述基板的 周邊區(qū)域。
5. 根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的中繼基板，上述電源用通孔導(dǎo)體和接地用通孔導(dǎo)體形成在上述基板的 中央?yún)^(qū)域，上述信號(hào)用通孔導(dǎo)體形成在上述基板的周邊區(qū)域。
6. 根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的中繼基il,該中繼基板還具有再布線層，在上述電容器上形成至少l層以上的絕緣層，該 再布線層形成在該絕緣層上。
7. 根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的中繼基板，上述基板由硅構(gòu)成
8. 根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的中繼基板，上述通孔導(dǎo)體和 導(dǎo)通孔導(dǎo)體由銅構(gòu)成。
9. 根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的中繼基板"上述上部電極和 下部電極由4臬或鉑構(gòu)成。強(qiáng)介電性物質(zhì)構(gòu)成。
10. 根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的中繼基板，上述電介質(zhì)層由 鈦酸鋇構(gòu)成。
11. 根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的中繼基板，上述中繼基板的 至少 一 面被阻焊層或絕緣樹脂層覆蓋。
12. 根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的中繼基板，上述上部電極和 下部電極為平面層，在上述平面層形成有上述開口部。
13. 一種電子設(shè)備，其具有IC芯片、封裝基板和權(quán)利要求 2或3中所述的中繼基板，該中繼基板被上述IC芯片和上述封裝 基板夾著，并分別與兩者電連接，上述中繼基板提供電容器。
14. —種中繼基板的制造方法，準(zhǔn)備硅基板，在上述硅基板的一面的幾乎整面上形成由下部電極、電介 質(zhì)層和上部電極構(gòu)成的電容器，從上述硅基板的另 一 面在該硅基板上形成貫通孔， 在上述貫通孔內(nèi)形成通孔導(dǎo)體，上述通孔導(dǎo)體中的幾個(gè)通孔導(dǎo)體與上述下部電極電連接， 上述通孔導(dǎo)體中的其余幾個(gè)通孔導(dǎo)體借助形成在上述電介質(zhì)層 上的導(dǎo)通孔導(dǎo)體與上述上部電極相連接。
15. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的中繼基板的制造方法，還在與 電容器不同的其他層上形成再布線層。
16. —種電子設(shè)備的制造方法，準(zhǔn)備利用權(quán)利要求15或16所述的方法制造出的中繼基板， 在上述中繼基板一面上電連接IC芯片， 在上述中繼基板另 一 面上電連接封裝件。
全文摘要
本發(fā)明的目的在于提供一種新的中繼基板及其制造方法。本發(fā)明的中繼基板(10)具有硅基板(12)、形成在上述硅基板上的多個(gè)通孔導(dǎo)體(20)和電容器(15)，該電容器(15)由使上述通孔導(dǎo)體的連接盤部分延伸而形成的上部電極(14)和下部電極(18)、形成在兩電極間的電介質(zhì)層(16)構(gòu)成。根據(jù)期望形成的再布線層(23-1、23-2)形成在與上述電容器不同的其他層上。
文檔編號(hào)H05K3/46GK101371355SQ20078000242
公開日2009年2月18日 申請(qǐng)日期2007年7月10日 優(yōu)先權(quán)日2006年7月24日
發(fā)明者河野秀一 申請(qǐng)人:揖斐電株式會(huì)社