專利名稱：導(dǎo)電顆粒配置薄片及各向異性導(dǎo)電膜的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及導(dǎo)電顆粒配置薄片，其對于用于電路基板之間 或半導(dǎo)體芯片等電子部件與電路基板連接的連接元件是有用 的。
背景技術(shù)：
作為用于簡便進(jìn)行液晶顯示器與半導(dǎo)體芯片或TCP ( Tape Carrier Package)的連接、FPC (Flexible Printed Circuit)與 TCP的連接、或FPC與印制電路板的連接的連接元件，使用將 導(dǎo)電顆粒分散于絕緣性粘合劑中的各向異性導(dǎo)電膜。例如，作 為筆記本型個人電腦或移動電話的液晶顯示器與控制IC的連 接用，各向異性導(dǎo)電膜被廣泛應(yīng)用，也被用于將半導(dǎo)體芯片直 接搭載于印刷基板或撓性電路板的倒裝芯片封裝(專利文獻(xiàn)1 、 2和3 )。
近年來，在該領(lǐng)域中，被連接的電路圖案或電極尺寸日益 細(xì)微化，使用傳統(tǒng)的隨機(jī)分散有導(dǎo)電顆粒的各向異性導(dǎo)電膜， 難以進(jìn)行連接可靠性高的連接。即，為了連接微小面積的電極 而提高導(dǎo)電顆粒的密度時，導(dǎo)電顆粒聚集且不能保持相鄰電極 之間的絕緣性。反之，為了保持絕緣性而降低導(dǎo)電顆粒的密度 時，則會出現(xiàn)未被連接的電極，難以在保持連接可靠性的同時 應(yīng)對細(xì)-微化(專利文獻(xiàn)4 )。
一方面，嘗試了使用使絕緣膜的膜厚小于導(dǎo)電顆粒的直
案的連接(專利文獻(xiàn)5)。但是，絕緣膜的膜厚小于粒徑的情況 下，在連接區(qū)域形成空氣積存，易形成粘接不良。為了防止上述現(xiàn)象，可以進(jìn)一步在該絕緣膜的單面形成絕緣性粘接層。此 情況下，為了在微小面積的連接中表現(xiàn)連接可靠性，優(yōu)選使絕 緣膜的膜厚盡量薄。但是，如果絕緣膜的膜厚變薄，由于在制 造過程中或使用中導(dǎo)電顆粒變得易于脫落，產(chǎn)生連接缺陷，對 絕緣膜的薄膜化有所限制。
專利文獻(xiàn)l:日本特開平03-107888號7>才艮 專利文獻(xiàn)2:日本特開平04-366630號公報 專利文獻(xiàn)3:日本特開昭61-195179號7>才艮 專利文獻(xiàn)4:日本特開平09-312176號7>才艮 專利文獻(xiàn)5:日本特開平07-302666號7>才艮

發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明所要解決的問題
本發(fā)明的目的在于提供一種導(dǎo)電顆粒配置薄片，其在細(xì)微 圖案電路的電連接中，微小電極的連接可靠性優(yōu)異，且狹小空 間的相鄰電極間的絕緣性高，能夠進(jìn)行低電阻的連接，從制造 到使用期間不易發(fā)生導(dǎo)電顆粒的脫落。 解決問題的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明人等為了解決上述課題而進(jìn)行反復(fù)深入地研究，結(jié) 果發(fā)現(xiàn)包含薄片厚度小于導(dǎo)電顆粒的平均粒徑的絕緣樹脂薄 片和存在于其中的導(dǎo)電顆粒而成的特定形狀的導(dǎo)電顆粒配置 薄片可適合上述目的，從而完成本發(fā)明。
為了解決上述課題，認(rèn)為在提交本申請前公開的上述公開 的技術(shù)、例如專利文獻(xiàn)5中，由于連接區(qū)域的空氣積存引起的 粘接不良、連接時的導(dǎo)電顆粒的流動引起的連接不良、殘留于 連接部位的膜形成樹脂引起的導(dǎo)通障礙、或?qū)щ婎w粒的脫落引 起的導(dǎo)通不良等的任一種原因，難以確保連接可靠性。如同本發(fā)明那樣，通過用絕緣樹脂薄片覆蓋存在于其中的 平均粒徑大于絕緣樹脂薄片的膜厚的導(dǎo)電顆粒的表面，則可以 解決上述課題，這是本領(lǐng)域技術(shù)人員參考上述專利文獻(xiàn)公開的 技術(shù)不能容易想到的見解。
即，本發(fā)明如下所述。
(1 ) 一種導(dǎo)電顆粒配置薄片，其特征在于，該導(dǎo)電顆粒配
置薄片包含導(dǎo)電顆粒和具有基準(zhǔn)面P1及與其相對的基準(zhǔn)面P 2 的絕緣樹脂薄片，該絕緣樹脂薄片的厚度小于該導(dǎo)電顆粒的平 均粒徑，導(dǎo)電顆粒從該絕緣樹脂薄片的至少 一側(cè)的基準(zhǔn)面Pl突 出，導(dǎo)電顆粒從絕緣樹脂薄片的基準(zhǔn)面P1突出的部分被覆蓋層 覆蓋，所述覆蓋層由與構(gòu)成該絕緣樹脂薄片的該絕緣樹脂相同 的樹脂形成，
這里，將基準(zhǔn)面Pl與切線L1之間的距離的平均設(shè)為平均突 出高度hl (hl>0)，該切線L1是導(dǎo)電顆粒的與基準(zhǔn)面P1平行的 切線、且與從該基準(zhǔn)面P1突出的突出部分相切，將基準(zhǔn)面P2與 切線L2之間的距離的平均設(shè)為平均突出高度h2,該切線L2是導(dǎo) 電顆粒的與基準(zhǔn)面P 2平行的切線、且隔著該導(dǎo)電顆粒而位于與 切線L1的相反側(cè)，在此情況下(其中，當(dāng)該切線L2位于該絕錄^ 樹脂薄片內(nèi)時，h2<0;當(dāng)該切線L2位于基準(zhǔn)面P2上時，h2=0; 當(dāng)該切線L2位于該絕緣樹脂薄片外時，h2>0),滿足hl〉h2的關(guān) 系。
(2 )根據(jù)(1 )所述的導(dǎo)電顆粒配置薄片，前述導(dǎo)電顆 粒從前述絕緣樹脂薄片的兩面突出，平均突出高度h2相對于 前述平均突出高度hl之比h2/hl是0以上、1/1.1以下。
(3 )根據(jù)(2 )所述的導(dǎo)電顆粒配置薄片，從前述基準(zhǔn) 面P2突出的導(dǎo)電顆粒從絕緣樹脂薄片露出。
(4)根據(jù)(1 )所述的導(dǎo)電顆粒配置薄片，從前述基準(zhǔn)面Pl突出的導(dǎo)電顆粒的覆蓋層的頂部的覆蓋厚度是0.1pm以上、 2jim以下。
(5 )根據(jù)(1 )所述的導(dǎo)電顆粒配置薄片，以導(dǎo)電顆粒的 投影面積的總和占前述導(dǎo)電顆粒的絕緣樹脂薄片的面積來定義 的面積率是2%以上、40%以下。
(6) 根據(jù)(1 )所述的導(dǎo)電顆粒配置薄片，前述絕緣樹脂 薄片含有酚氧樹脂。
(7) 根據(jù)(1 )所述的導(dǎo)電顆粒配置薄片，前述導(dǎo)電顆粒 的平均粒徑是0.5pm以上、10(im以下。
(8) 根據(jù)(1 )所述的導(dǎo)電顆粒配置薄片，前述導(dǎo)電顆粒 的中心間距離的變動系數(shù)是0.03以上、0.6以下。
(9) 根據(jù)(1 )所述的導(dǎo)電顆粒配置薄片，前述絕緣樹脂 薄片的180。C熔融粘度是10Pa.s以上、5萬Pa.s以下。
(10) —種導(dǎo)電顆粒配置薄片的制造方法，其包括在可 拉伸的薄片上以單層填充導(dǎo)電顆粒而形成導(dǎo)電顆粒層，在該導(dǎo) 電顆粒層上形成絕緣樹脂層而形成導(dǎo)電顆粒填充薄片，將該導(dǎo) 電顆粒填充薄片進(jìn)行拉伸。
(11 )根據(jù)(10)所述的方法，在前述可拉伸的薄片上以 單層填充導(dǎo)電顆粒而形成導(dǎo)電顆粒層時，在該可拉伸的薄片上 涂布粘合劑，在該粘合劑上形成以單層填充導(dǎo)電顆粒而成的導(dǎo) 電顆粒層。
(12)根據(jù)(10)所述的方法，前述導(dǎo)電顆粒填充薄片的 絕緣樹脂層的厚度相對于導(dǎo)電顆粒的平均粒徑為1.0倍以上、10 倍以下。
(13 )根據(jù)(11 )所述的方法，在前述可拉伸的薄片上涂 布粘合劑，在該粘合劑上以單層填充導(dǎo)電顆粒而形成導(dǎo)電顆粒 層時，將導(dǎo)電顆粒埋入粘合劑。(14) 根據(jù)(10)所述的方法，以單層填充前述導(dǎo)電顆粒 而形成導(dǎo)電顆粒層時，填充導(dǎo)電顆粒，使得以導(dǎo)電顆粒的投影以下。
(15) 根據(jù)(10)所述的方法，在前述導(dǎo)電顆粒層上形成 絕緣樹脂層時，作為絕緣樹脂層，在導(dǎo)電顆粒層上形成薄片狀 的絕緣樹脂。
(16) 根據(jù)(10)所述的方法，在前述導(dǎo)電顆粒層上形成 絕緣樹脂層時，作為絕緣樹脂層，在導(dǎo)電顆粒層上形成通過涂 布溶解在溶劑中的絕緣樹脂并干燥溶劑而得到的絕緣樹脂。
(17) 根據(jù)(10)所述的方法，以縱向的拉伸倍率與橫向 的拉伸倍率之積來定義的面積率是2.2倍以上、25倍以下。
(18) —種各向異性導(dǎo)電膜，其包含(1 ) ~ (9)中任一 項所述的導(dǎo)電顆粒配置薄片和層壓在該薄片的至少一面上的絕 緣性粘接劑層。
(19) 一種各向異性導(dǎo)電膜，其包含通過(IO) ~ (17) 中任 一 項所述的方法制造的導(dǎo)電顆粒配置薄片和層壓于該薄 片的至少一面上的絕緣性粘接劑層。
(20) —種電路連接方法，其是將IC芯片的電極與電路基 板的電極進(jìn)行電連接的電路連接方法，其包括在將(18)或
(19)所述的各向異性導(dǎo)電膜保持在電路基板與IC芯片之間的 卄夫態(tài)下，施力n壓力。
(21) —種連接結(jié)構(gòu)體，其通過(20)所述的方法獲得。 發(fā)明效果
本發(fā)明的導(dǎo)電顆粒配置薄片具有如下效果在細(xì)微圖案電 路的電連接中，微小電極的連接可靠性優(yōu)異，且狹小空間的相 鄰電極間的絕緣性高，能夠進(jìn)行低電阻的連接，從制造到使用
9期間難以發(fā)生導(dǎo)電顆粒的脫落，可進(jìn)行微細(xì)圖案的連接。


圖l是本發(fā)明中表示基準(zhǔn)面P1、 P2和平均突出高度hl、 h2 的關(guān)系的概念圖。
圖2是本發(fā)明的導(dǎo)電顆粒配置薄片的截面概念圖。 圖3是本發(fā)明的各向異性導(dǎo)電膜的制造概念圖。 圖4是本發(fā)明的各向異性導(dǎo)電膜的截面概念圖。 圖5是本發(fā)明的導(dǎo)電顆粒配置薄片的SEM照片。
具體實施例方式
以下對本發(fā)明進(jìn)行具體說明。
本發(fā)明的導(dǎo)電顆粒配置薄片包含導(dǎo)電顆粒和絕緣樹脂薄片。
作為導(dǎo)電顆粒，可以使用例如金屬顆粒或?qū)Ω叻肿雍瞬母?蓋金屬薄膜的顆粒。
作為金屬顆粒，使用金屬或合金形成的具有均勻組成的顆 粒。作為金屬顆粒，可以列舉金、銀、銅、鎳、鋁、鋅、錫、 鉛、焊料、銦、鈀以及將兩種以上的這些金屬組合成層狀或傾 斜狀的顆粒。
作為對高分子核材覆蓋金屬薄膜的顆粒，可以列舉對選自 環(huán)氧樹脂、苯乙烯樹脂、有機(jī)硅樹脂、丙烯酸樹脂、聚烯烴樹 脂、密胺樹脂、苯并胍胺樹脂、聚氨酯樹脂、酚醛樹脂、聚酯 樹脂、二乙烯基苯交聯(lián)體、丁腈橡膠(NBR)及苯乙烯-丁二 烯橡膠(SBR)所組成的組中的至少一種的聚合物形成的高分 子核材，將選自金、銀、銅、鎳、鋁、鋅、錫、鉛、焊料、銦 和鈀所組成的組中的一種或兩種以上組合來覆蓋金屬薄膜而從連接穩(wěn)定性和顆粒的聚集性的觀點出發(fā)，金屬薄膜的厚
度優(yōu)選為0.005i^m以上lnm以下的范圍。乂人連4妄穩(wěn)定性上出發(fā)， 優(yōu)選均勻覆蓋金屬薄膜。作為對高分子核材覆蓋金屬薄膜的方 法，可以列舉例如鍍l史法。
其中，優(yōu)選對高分子核材覆蓋金屬薄膜的顆粒，更優(yōu)選用 金覆蓋高分子核材的顆粒，最優(yōu)選用鎳覆蓋高分子核材后進(jìn)一 步用金覆蓋的顆粒。
作為高分子核材，優(yōu)選苯并胍胺樹脂、二乙烯基苯交聯(lián)體 以及丙烯酸樹脂。
從導(dǎo)電顆粒的聚集性和各向異性導(dǎo)電性的觀點出發(fā)，導(dǎo)電 顆粒的平均粒徑優(yōu)選為0.5(im以上10iim以下的范圍。導(dǎo)電顆粒 的平均粒徑更優(yōu)選為l.Opm以上7.0pm以下、進(jìn)一步更優(yōu)選為 1.5pm以上6.0pm以下、更優(yōu)選為2.0(im以上5.5jim以下、更優(yōu) 選為2.5|1111以上5.0lam以下。導(dǎo)電顆粒的粒徑的標(biāo)準(zhǔn)偏差越小 越好，優(yōu)選為平均粒徑的50%以下。更優(yōu)選為平均粒徑的20% 以下、進(jìn)一步優(yōu)選為平均粒徑的10%以下、更進(jìn)一步優(yōu)選為平 均粒徑的5%以下。
導(dǎo)電顆粒的平均粒徑的測定方法可以列舉使用庫爾特計 數(shù)器的方法。除此之外，也可以使用由通過BET法測定的比表 面積來換算的方法或使用光散射測定粒徑的方法。
絕緣樹脂薄片含有選自固化性樹脂和熱塑性樹脂所組成 的組中的l種以上的絕緣樹脂。
固化性樹脂是通過熱、光或電子射線的能量引起固化反應(yīng) 的樹脂，可以列舉例如環(huán)氧樹脂、酚醛樹脂、有機(jī)硅樹脂、異 氰酸酯固化性樹脂、乙烯基樹脂、含有丙烯酰基的樹脂。
作為熱塑性樹脂，可以列舉例如聚氨酯樹脂、丙烯酸樹脂、聚酰亞胺樹酯、酚氧樹脂、聚乙烯醇縮丁醛樹脂、SBR、 SBS、 NBR、聚醚砜樹脂、聚醚對苯二曱酸酯樹脂、聚苯硫醚樹脂、 聚酰胺樹酯、聚氧化醚樹脂、聚縮醛樹脂、聚苯乙烯樹脂、聚 乙烯樹脂、聚異丁烯樹脂、烷基酚樹脂、苯乙烯丁二烯樹脂、 羧基改性丁腈樹脂、聚苯醚樹脂、聚碳酸酯樹脂、聚醚酮樹脂 等或它們的改性樹脂。
特別是在需要連接后的長期可靠性的情況下，優(yōu)選在絕緣 樹脂薄片中含有環(huán)氧樹脂或酚氧樹脂中的至少 一種，特別期望 含有酚氧樹脂。
作為環(huán)氧樹脂，有縮水甘油醚型環(huán)氧樹脂，例如雙酚A型
環(huán)氧樹脂、雙酚F型環(huán)氧樹脂、雙酚S型環(huán)氧樹脂、四甲基雙 酚A型環(huán)氧樹脂、聯(lián)苯型環(huán)氧樹脂、萘型環(huán)氧樹脂、芴型環(huán)氧 樹脂、酚醛清漆型環(huán)氧樹脂、曱酚酚醛清漆型環(huán)氧樹脂、雙酚 A酚醛清漆型環(huán)氧樹脂、脂肪族醚型環(huán)氧樹脂、縮水甘油醚酯 型環(huán)氧樹脂、縮水甘油酯型環(huán)氧樹脂、縮水甘油胺型環(huán)氧樹脂、 乙內(nèi)酰脲環(huán)氧樹脂、脂環(huán)族環(huán)氧化物。這些環(huán)氧樹脂可以是進(jìn) 行鹵化或氫化，還可進(jìn)行改性，例如，尿烷改性、橡膠改性、 有機(jī)硅改性的經(jīng)改性的環(huán)氧樹脂。其中，優(yōu)選縮水甘油醚型環(huán) 氧樹脂。
絕緣樹脂薄片中可以含有環(huán)氧樹脂的固化劑。從儲存穩(wěn)定 性的觀點出發(fā)，環(huán)氧樹脂的固化劑優(yōu)選潛伏性固化劑。作為潛 伏性固化劑，優(yōu)選例如硼化合物、酰肼、A又胺、咪唑、雙氰胺、 無機(jī)酸、羧酸酸酐、硫醇、異氰酸酯、硼絡(luò)鹽及它們的衍生物。 潛伏性固化劑中，優(yōu)選微膠嚢型固化劑。
微膠嚢型固化劑是用樹脂皮膜等使上述固化劑的表面穩(wěn) 定化而得到的。在連接作業(yè)時的溫度和壓力下，微膠嚢型固化 劑的樹脂皮膜被破壞，固化劑向微膠嚢外擴(kuò)散，與環(huán)氧樹脂反應(yīng)。微膠嚢型潛伏性固化劑當(dāng)中，將加合物型固化劑例如胺加 合物、咪唑加合物微膠嚢化的潛伏性固化劑的穩(wěn)定性和固化性 的平衡非常優(yōu)異，故優(yōu)選。環(huán)氧樹脂的固化劑一般相對于環(huán)氧
樹脂100質(zhì)量份使用0~ ioo質(zhì)量份的量。
為了抑制連接時導(dǎo)電顆粒在薄片上或薄片外或薄片中、或 與薄片 一起移動而在連接電極間被捕獲的導(dǎo)電顆粒數(shù)減少，在 連接條件下，要求絕緣樹脂薄片具有流動性低的特性。進(jìn)而， 加上長期連接穩(wěn)定性的話，優(yōu)選含有酚氧樹脂。
作為酚氧樹脂，可以列舉雙酚A型酚氧樹脂、雙酚F型酚 氧樹脂、雙酚A雙酚F混合型酚氧樹脂、雙酚A雙酚S混合型酚 氧樹脂、含有芴環(huán)的酚氧樹脂、己內(nèi)酯改性雙酚A型酚氧樹脂。 酚氧樹脂的重均分子量優(yōu)選2萬以上、IO萬以下?？梢酝ㄟ^以 聚苯乙烯作為標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)的凝膠滲透色語法(GPC)測定重均分 子量。
本發(fā)明使用的絕緣樹脂薄片中，優(yōu)選組合使用酚氧樹脂和 環(huán)氧樹脂，此種情況下，酚氧樹脂的含量優(yōu)選使用占形成絕緣 樹脂薄片的絕緣樹脂的60質(zhì)量％以上。更優(yōu)選占形成絕緣樹脂 薄片的絕緣樹脂的70質(zhì)量％以上、99.5質(zhì)量％以下；進(jìn)一步優(yōu) 選占形成絕緣樹脂薄片的絕緣樹脂的75質(zhì)量％以上、99質(zhì)量％ 以下；更進(jìn)一步優(yōu)選占形成絕緣樹脂薄片的絕緣樹脂的80質(zhì)量 %以上、98質(zhì)量％以下。
絕^^樹脂薄片中還可以進(jìn)一步含有例如絕緣顆粒、填充 劑、軟化劑、促進(jìn)劑、防老化劑、著色劑、阻燃劑、觸變劑、 偶聯(lián)劑。含有絕緣顆粒、填充劑的情況下，絕緣顆粒、填充劑 的最大粒徑優(yōu)選小于導(dǎo)電顆粒的平均粒徑。作為偶聯(lián)劑，從提 高粘接性的觀點出發(fā)，優(yōu)選含有酮亞胺基、乙烯基、丙烯?；?氨基、環(huán)氧基及異氰酸酯基的硅烷偶聯(lián)劑。絕緣樹脂薄片中含有偶聯(lián)劑的情況下，偶聯(lián)劑的含量占絕緣樹脂的0.05質(zhì)量％以 上、2%質(zhì)量以下。
混合絕緣樹脂薄片各成分的情況下，可根據(jù)需要使用溶 劑。作為溶劑，可以列舉例如曱乙酮、甲基異丁基酮、二乙基 酮、環(huán)己酮、環(huán)戊酮、甲苯、二曱苯、乙酸乙脂、乙酸丁酯、 乙二醇單烷基醚醋酸酯、丙二醇單烷基醚醋酸酯、乙醇、異丙
醇、二曱基曱酰胺、二曱基乙酰胺。
絕緣樹脂薄片可以通過例如將各成分在溶劑中混合制成 涂布液，通過涂布機(jī)將該涂布液涂布到基材上，并在烘箱中使 溶劑揮發(fā)的方法制造。優(yōu)選涂布液在2 5 °C下的粘度在5 0 m P a s 以上10000mPa.s以下；更優(yōu)選在200mPa.s以上8000mPa's以下； 更優(yōu)選在500mPa.s以上5000mPa.s以下。在溶齊'J中混合各成分 時，為了提高溶解度，可以加熱?；旌蠝囟葍?yōu)選室溫以上100。C 以下；更優(yōu)選500。C以上80。C以下。烘箱中溶劑的揮發(fā)優(yōu)選在 50。C以上100。C以下；更優(yōu)選在60。C以上90。C以下。時間優(yōu)選 在2分鐘以上2 0分鐘以下；更優(yōu)選在5分鐘以上15分鐘以下。
為了抑制連接時導(dǎo)電顆粒在薄片上或薄片外或薄片中、或 與薄片 一起移動，優(yōu)選在連接條件下流動性低的絕緣樹脂薄 片。 一方面，為了使導(dǎo)電顆粒與電極直接接觸，需要通過連接 時的熱壓將絕緣樹脂薄片從導(dǎo)電顆粒上排除，即流動，為了滿 足上述兩種相反的性能，優(yōu)選絕緣樹脂薄片在連接溫度下具有 合適的熔融粘度范圍；更優(yōu)選絕緣樹脂薄片在180。C下的熔融 粘度在10Pa.s以上5萬Pa.s以下；更優(yōu)選在20Pa.s以上3萬Pa.s以 下；進(jìn)一步優(yōu)選在50Pa's以上2萬Pa's以下；更進(jìn)一步優(yōu)選在 80Pa.s以上l萬Pa.s以下；更優(yōu)選在100Pa.s以上5000Pa.s以下； 更優(yōu)選在200Pa.s以上2000Pa.s以下。
另外，這里，在絕緣樹脂薄片含有熱固化性樹脂的情況下，其熔融粘度是指從絕緣樹脂薄片除去固化劑或未配合固化劑的
狀態(tài)下的熔融粘度。
本發(fā)明中，為了在連接時有效地對導(dǎo)電顆粒施加壓力而實 現(xiàn)低的連接電阻，絕緣樹脂薄片的膜厚需要小于導(dǎo)電顆粒的平 均粒徑。優(yōu)選絕緣樹脂薄片的膜厚是導(dǎo)電顆粒的平均粒徑的
0.05倍以上0.8倍以下；更優(yōu)選0.07倍以上0.7倍以下；更優(yōu)選 0.1倍以上0.6倍以下；進(jìn)一步優(yōu)選0.12倍以上0.5倍以下；更進(jìn) 一步優(yōu)選0.15倍以上0.4倍以下。
絕緣樹脂薄片的膜厚優(yōu)選0.1pm以上5pm以下；更優(yōu)選 0.2(im以上3[im以下；進(jìn)一 步優(yōu)選0.3pm以上2nm以下；更進(jìn)一 步優(yōu)選0.4jim以上1.5pm以下。
絕緣樹脂薄片的膜厚是沒有顆粒部分的薄片的厚度，可作 為從與導(dǎo)電顆粒相切并垂直于薄片的表面的面(以下稱為顆粒 接觸面)距其粒徑的l/2距離的點(這里，設(shè)在該點不存在導(dǎo) 電顆粒)處的薄片厚度的算術(shù)平均值求得。另外，如果導(dǎo)電顆 粒的密度高、 一個導(dǎo)電顆粒的顆粒接觸面和與其鄰接的導(dǎo)電顆 粒的顆粒-接觸面之間的距離不足粒徑的1/2、 /人導(dǎo)電顆粒接觸 面距離其粒徑的1/2時存在鄰接顆粒的情況下，將與鄰接顆粒 的中點的薄片的厚度的算術(shù)平均值作為膜厚。絕緣樹脂薄片的 膜厚可以通過例如薄片截面的掃描電子顯微鏡圖像測定。
以下，邊參照圖l、邊針對本發(fā)明中的基準(zhǔn)面P1、 P2與平 均突出高度hl、 h2的關(guān)系進(jìn)行說明。
絕緣樹脂薄片S有表面里面兩個相對的表面，稱其為基準(zhǔn) 面P1及基準(zhǔn)面P2。其中，本發(fā)明的導(dǎo)電顆粒配置薄片中，導(dǎo)電 顆粒E從絕緣樹脂薄片S的基準(zhǔn)面P1突出，另外，將基準(zhǔn)面P1與 切線L1之間的距離的平均設(shè)為平均突出高度hl (hl>0)，該切 線L1是導(dǎo)電顆粒E的與基準(zhǔn)面Pl平行的切線、且與從該基準(zhǔn)面Pl突出的突出部分相切，將基準(zhǔn)面P2與切線L2之間的距離的平 均設(shè)為平均突出高度h2，該切線L2是導(dǎo)電顆粒E的與基準(zhǔn)面P2 平行的切線、且隔著該導(dǎo)電顆粒而位于與切線L1的相反側(cè)，在 此情況下，滿足hl:^2的關(guān)系。這里，該切線L2在該絕緣樹脂 薄片內(nèi)時，h2〈0(圖l右)，該切線L2在基準(zhǔn)面P2上時，h2=0, 該切線L2在該絕緣樹脂薄片外時，h2>0 (圖l左)。
本發(fā)明中，導(dǎo)電顆粒E存在于絕緣樹脂薄片S中，且導(dǎo)電 顆粒E的平均粒徑大于絕緣樹脂薄片S,因此，導(dǎo)電顆粒E從絕 緣樹脂薄片S的至少一側(cè)的基準(zhǔn)面P1突出(圖2)。因此，導(dǎo)電 顆粒E從絕緣樹脂薄片S的基準(zhǔn)面P1突出的部分被與構(gòu)成絕緣 樹脂薄片S的絕緣樹脂相同的樹脂形成的覆蓋層T覆蓋(圖2 )。 導(dǎo)電顆粒E也可以從絕緣樹脂薄片S的兩面突出。
在此情況下，如果比較導(dǎo)電顆粒從基準(zhǔn)面P1的平均突出高 度hl的絕對值lhll和導(dǎo)電顆粒從基準(zhǔn)面P2的平均突出高度h2的 絕對值lh21,則優(yōu)選 0^|h2|/|hl|S 1/1.1, 更優(yōu)選
lh2|/|h， 1/3。
上述式表示例如導(dǎo)電顆粒從絕緣樹脂薄片的兩面突出的 情況下(hl〉0且h2〉0),優(yōu)選突出高度hl為突出高度h2的l.l倍 以上，更優(yōu)選突出高度hl為突出高度h2的3倍以上。
為了在使用本發(fā)明的導(dǎo)電顆粒配置薄片的情況下保持與 被連接部件的高接合性，或為了在與其它的薄片貼合的情況下 防止空氣進(jìn)入，優(yōu)選突出高度h2小，更優(yōu)選在0.3nm以下，進(jìn) 一步優(yōu)選在0.2[im以下，進(jìn)一步優(yōu)選在0.1jim以下。
突出高度h2即便小于0[im,即導(dǎo)電顆粒即便不突出，這也 無妨。導(dǎo)電顆粒也可以完全埋沒在絕緣樹脂薄片內(nèi)。優(yōu)選突出高度h2在0nm以上0.1iim以下。突出高度h2是絕 緣樹脂薄片的膜厚的-0.5倍以上，優(yōu)選4倍以下，更優(yōu)選3倍以 下，進(jìn)一步優(yōu)選2倍以下，更進(jìn)一步優(yōu)選0.5倍以下，更進(jìn)一步 優(yōu)選0.1倍以下。從絕緣樹脂薄片的基準(zhǔn)面P2突出的導(dǎo)電顆粒， 如果從絕緣樹脂薄片露出，則容易獲得低的連接電阻。
這里，導(dǎo)電顆粒從絕緣樹脂薄片的基準(zhǔn)面P2突出的情況 下，突出高度h2是從絕緣樹脂薄片沒有導(dǎo)電顆粒的部分的大致 均勻平面中導(dǎo)電顆粒突出高度小的一側(cè)的平面、即基準(zhǔn)面P2 上到突出高度小的 一 側(cè)的導(dǎo)電顆粒頂部的高度，可以通過例如 激光顯微鏡測定。
為了在連接時對導(dǎo)電顆粒有效地施加壓力而得到低的連 接電阻，導(dǎo)電顆粒的突出高度大的面一側(cè)、即基準(zhǔn)面P1，其突 出高度hl優(yōu)選是導(dǎo)電顆粒平均粒徑的0.2倍以上，更優(yōu)選0.25 倍以上0.95倍以下，更優(yōu)選0.3倍以上0.9倍以下，進(jìn)一步優(yōu)選 0.35倍以上0.85倍以下，更進(jìn)一步優(yōu)選0.4倍以上0.8倍以下。
這里，突出高度hl還可以表現(xiàn)為從絕緣樹脂薄片的沒有 導(dǎo)電顆粒的部分的大致均勻平面上到導(dǎo)電顆粒頂部的高度?？?以通過例如薄片截面的掃描電子顯微鏡圖像直接測定。也可以 作為導(dǎo)電顆粒的平均粒徑減去突出高度h2和絕緣樹脂薄片的 膜厚的值來求得。
本發(fā)明中，突出高度大的面(基準(zhǔn)面l)的一側(cè)，通過使 用與構(gòu)成絕緣樹脂薄片的絕緣樹脂相同的樹脂形成的覆蓋層 覆蓋導(dǎo)電顆粒，抑制制造工序或使用中的導(dǎo)電顆粒的脫落，對 于細(xì)微電極間的連接，可以保持高的絕緣性。突出高度大的面 的 一 側(cè)的突出部的與構(gòu)成絕緣樹脂薄片的絕緣樹脂相同的樹 脂形成的覆蓋層的厚度可以為大致均勻厚度，也可以從絕緣樹 脂薄片 一面到顆粒頂部逐漸變薄，也可以是兩者的中間狀態(tài)，即在絕緣樹脂薄片的基準(zhǔn)面P1附近，向頂部逐漸變薄，在途中 成為大致均勻的厚度。從防止導(dǎo)電顆粒脫落的觀點出發(fā)，優(yōu)選 后兩者至少部分地逐漸變薄。
從絕緣樹脂薄片的基準(zhǔn)面P1突出的導(dǎo)電顆粒的覆蓋層的
頂部的覆蓋厚度(以下稱為覆蓋厚)優(yōu)選0.1^im以上2pm以下； 更優(yōu)選0.15[im以上1.8pm以下；更^尤選0.2[im以上1.6nm以下； 更優(yōu)選0.25(im以上1.4jim以下；更進(jìn)一 步優(yōu)選0.3iim以上1.2pm
以下。此外，覆蓋厚相對于絕緣樹脂薄片的膜厚為0.1倍以上 l.O倍以下。更優(yōu)選在0.1倍以上0.96倍以下，更優(yōu)選0.12倍以 上0.7倍以下，進(jìn)一步優(yōu)選在0.15倍以上0.6倍以下，進(jìn)一步優(yōu) 選在0.2倍以上0.5倍以下。通過覆蓋厚在合適的范圍內(nèi)，導(dǎo)電 顆粒難以脫落，而且，可以降低連接時的導(dǎo)通電阻，故優(yōu)選。
本發(fā)明的導(dǎo)電顆粒配置薄片將導(dǎo)電顆粒分散配置在絕緣 樹脂薄片中。絕緣樹脂薄片厚小于導(dǎo)電顆粒的平均粒徑，因此 導(dǎo)電顆粒被配置在同 一 面上。優(yōu)選導(dǎo)電顆粒分別獨立存在而沒 有兩個以上導(dǎo)電顆粒的聚集。產(chǎn)生兩個以上導(dǎo)電顆粒的聚集的 情況下，聚集的導(dǎo)電顆粒的比例優(yōu)選以顆粒數(shù)基準(zhǔn)計為3 0 %以 下，更優(yōu)選20%以下。以導(dǎo)電顆粒的投影面積的總和占絕緣樹 脂薄片的面積來*見定的導(dǎo)電顆粒的面積率為2%以上40%以下 的范圍內(nèi)，這可以獲得導(dǎo)電性與絕緣性的平衡，故優(yōu)選。更優(yōu) 選在4%以上35%以下；更優(yōu)選在6%以上30%以下；進(jìn)一步優(yōu) 選在8%以上27%以下；更進(jìn)一 步優(yōu)選在10%以上25%以下。
為了減小每個電極的連接電阻的差異，優(yōu)選具有高排列性 地配置導(dǎo)電顆粒。若將導(dǎo)電顆粒的中心間距離的變動系數(shù)(標(biāo) 準(zhǔn)偏差除以平均值的值)作為排列性的尺度，則變動系數(shù)的值 優(yōu)選0.6以下；更優(yōu)選0.03以上0.5以下；進(jìn)一步優(yōu)選0.05以上 0.45以下；更優(yōu)選0.07以上0.42以下；更優(yōu)選0.09以上0.4以下；更進(jìn)一步優(yōu)選0.1以上0.35以下。
本發(fā)明的導(dǎo)電顆粒配置薄片可以單獨存在，也可以例如形 成于剝離性基材上。作為剝離性基材可以使用例如聚乙烯、聚 丙烯、聚苯乙烯、聚酯、尼龍、氯乙烯、聚乙烯醇等的膜或?qū)?這些膜進(jìn)行有機(jī)硅處理或氟處理以提高剝離性的膜等基材。
本發(fā)明的導(dǎo)電顆粒配置薄片可以列舉例如單片類型或長 條類型。
作為本發(fā)明的導(dǎo)電顆粒配置薄片的制造方法，有例如下述 的方法。
即，如圖3所示，首先，在可拉伸的薄片l上涂布粘合劑2， 優(yōu)選形成膜厚在導(dǎo)電顆粒的平均粒徑以下的形態(tài)(圖3 ( a)), 在其上承載必要量以上的導(dǎo)電顆粒E，進(jìn)行填充。
作為優(yōu)選的粘合劑，可以例示例如聚氨酯樹脂、丙烯酸樹 脂、尿素樹脂、密胺樹脂、酚醛樹脂、醋酸乙烯樹脂、氯丁橡 膠、丁腈橡膠、苯乙烯-丁二烯橡膠、異戊二烯橡膠、天然橡 膠。
填充導(dǎo)電顆粒后，通過例如鼓風(fēng)(air blow)排除未到達(dá) 粘合劑層的導(dǎo)電顆粒以形成導(dǎo)電顆粒緊密填充的單層導(dǎo)電顆 粒層(圖3(b))。如有必要，可以將配置成單層的導(dǎo)電顆粒埋 入粘合劑。此時，由導(dǎo)電顆粒的投影面積相對于全部面積的比 例來定義的填充率優(yōu)選50%以上90%以下；更優(yōu)選55%以上 88%以下；更優(yōu)選60%以上85%以下。填充率對排列性的影響 很大。
接下來，在單層緊密填充的導(dǎo)電顆粒層上形成絕緣樹脂層 3(圖3(c)),得到導(dǎo)電顆粒填充薄片。此時，可以在顆粒層 上形成已經(jīng)成為薄片狀的絕緣樹脂層，也可以涂布溶解于溶劑 中的絕緣樹脂并干燥溶劑以形成絕緣樹脂層。導(dǎo)電顆粒填充薄片的絕緣樹脂層的厚度優(yōu)選為導(dǎo)電顆粒
平均粒徑的1.0倍以上10倍以下；更優(yōu)選1.24咅以上8倍以下；更 優(yōu)選1.5倍以上6倍以下；更進(jìn)一步優(yōu)選1.7倍以上5倍以下；更 進(jìn) 一 步優(yōu)選2倍以上4倍以下。通過使絕緣樹脂層的厚度在導(dǎo)電 顆粒平均粒徑的1.0倍以上10倍以下的范圍，可以得到膜厚精 度高的絕緣樹脂層，并容易獲得低的連接電阻。
接下來，通過以所期望的拉伸倍率拉伸固定有導(dǎo)電顆粒E 且形成有絕緣樹脂層3 (或S)的可拉伸的薄片，得到本發(fā)明的 導(dǎo)電顆粒配置薄片(圖3(d))。根據(jù)需要，可以將可拉伸的膜 和粘合劑從導(dǎo)電顆粒配置薄片剝離。
此時，絕緣樹脂薄片的厚度由拉伸倍率和拉伸前的絕緣樹 脂層的厚度和拉伸時的絕緣樹脂層的熔融粘度決定。
這里，作為可拉伸的薄片，可以例示由聚烯烴例如聚乙烯、 聚丙烯、聚丙烯共聚物、聚曱基戊烯、聚苯乙烯、聚酯例如聚 對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二曱酸乙二醇酯(PEN)或尼 龍、氯乙烯、聚乙烯醇形成的薄片。
進(jìn)行向縱向拉伸和橫向拉伸的兩種拉伸，即所謂的雙軸拉 伸，可以使用公知的方法實施。可以列舉例如，4吏用夾子等夾 住膜的2邊或4邊進(jìn)行拉伸的方法，或使用2根以上的輥夾住， 通過改變輥的旋轉(zhuǎn)速度拉伸的方法等。拉伸可以是同時在縱向 和橫向拉伸的同時雙軸4i伸，也可以是拉伸一個方向后、拉伸 其它方向的逐次雙軸拉伸。因難以引起拉伸時導(dǎo)電顆粒的排列 混亂而優(yōu)選同時雙軸拉伸。因為在拉伸過程中會決定導(dǎo)電顆粒 配置薄片的形狀，因而拉伸時的溫度和拉伸速度是重要的因 素。
拉伸溫度優(yōu)選在70。C以上250。C以下進(jìn)4亍4立伸；更優(yōu)選在 75 。C以上200。C以下進(jìn)行拉伸；進(jìn)一 步優(yōu)選在80。C以上160。C以
20下進(jìn)行拉伸；更進(jìn)一步優(yōu)選在85。C以上145。C以下進(jìn)行拉伸。 如果拉伸溫度過高，則絕緣樹脂薄片的熔融濃度過度下降，在 顆粒頂部不能以所期望的厚度形成絕緣樹脂薄片的覆蓋。另一 方面，如果拉伸溫度低，則絕緣樹脂薄片的熔融濃度變得過高， 導(dǎo)電顆粒不存在于絕緣樹脂薄片中，這是不優(yōu)選的。拉伸速度 優(yōu)選在0.1%/秒以上100%/秒以下；更優(yōu)選在1%/秒以上50%/秒 以下。以縱向的拉伸倍率與橫向的拉伸倍率之積來定義的面積 率優(yōu)選2.2倍以上25倍以下；更優(yōu)選3倍以上15倍以下；進(jìn)一步 優(yōu)選3.5倍以上10倍以下。
本發(fā)明的導(dǎo)電顆粒配置薄片還可以原樣單獨作為接合材 料使用，也可以與絕緣性的膜組合使用，而且，可以制成在導(dǎo) 電顆粒配置薄片的至少 一 面層壓絕緣性粘接劑層4而成的各向 異性導(dǎo)電膜(圖3 ( e)、 ( f))。制成各向異性導(dǎo)電性膜的情況 下，可拉伸的薄片和粘合劑的剝離可以在絕緣性粘接劑的層壓 之前進(jìn)行，也可以在層壓之后進(jìn)行。因為操作性優(yōu)異，優(yōu)選在 絕緣性粘接劑層壓之后進(jìn)行。
本發(fā)明的各向異性導(dǎo)電性膜中使用的絕緣性粘接劑含有 選自熱固化性樹脂、熱塑性樹脂、光固化性樹脂、電子射線固 化性樹脂中的一種以上的樹脂。作為這些樹脂，可以列舉例如 環(huán)氧樹脂、酚醛樹脂、有機(jī)硅樹脂、聚氨酯樹脂、丙烯酸樹脂、 聚酰亞胺樹酯、酚氧樹脂、聚乙烯醇縮丁醛樹脂、SBR、 SBS、 NBR、聚醚砜樹脂、聚醚對苯二曱酸酯樹脂、聚苯硫醚樹脂、 聚酰胺樹酯、聚氧化醚樹脂、聚縮醛樹脂、聚苯乙烯樹脂、聚 乙烯樹脂、聚異丁烯樹脂、烷基酚樹脂、苯乙烯丁二烯樹脂、 羧基改性丁腈樹脂、聚苯醚樹脂、聚碳酸酯樹脂、聚醚酮樹脂 等或這些樹脂的改性樹脂。
特別是在需要連接后的長期穩(wěn)定性的情況下，優(yōu)選含有環(huán)氧樹脂。
作為這里使用的環(huán)氧樹脂，有例如雙酚A型環(huán)氧樹脂、雙 酚F型環(huán)氧樹脂、雙酚S型環(huán)氧樹脂、四甲基雙酚A型環(huán)氧樹脂、 聯(lián)苯型環(huán)氧樹脂、萘型環(huán)氧樹脂、藥型環(huán)氧樹脂、酚醛清漆型
環(huán)氧樹脂、甲酚酚醛清漆型環(huán)氧樹脂、雙酚A酚醛清漆型環(huán)氧
樹脂、脂肪醚型環(huán)氧樹脂等縮水甘油醚型環(huán)氧樹脂、縮水甘油 醚酯型環(huán)氧樹脂、縮水甘油酯型環(huán)氧樹脂、縮水甘油胺型環(huán)氧 樹脂、乙內(nèi)酰脲型環(huán)氧樹脂、脂環(huán)族環(huán)氧化物。這些環(huán)氧樹脂 可以進(jìn)行卣化或氫化。而且，這些環(huán)氧樹脂可以是經(jīng)改性的例 如尿烷改性、橡膠改性、有機(jī)硅改性的環(huán)氧樹脂。
絕緣性粘接劑中含有環(huán)氧樹脂的情況下，優(yōu)選含有環(huán)氧樹 脂的固化劑。從儲存穩(wěn)定性的觀點出發(fā)，作為環(huán)氧樹脂的固化 劑，優(yōu)選潛伏性固化劑。作為潛伏性固化劑，優(yōu)選例如硼化合 物、酰肼、叔胺、咪唑、雙氰胺、無機(jī)酸、羧酸酸酐、硫醇、 異氰酸鹽、硼絡(luò)鹽及其衍生物等固化劑。潛伏性固化劑中，優(yōu) 選微膠嚢型固化劑。
微膠嚢型固化劑是用樹脂皮膜等將上述固化劑的表面穩(wěn) 定化得到的，在連接作業(yè)時的溫度和壓力下，樹脂皮膜被破壞， 固化劑向微膠嚢外擴(kuò)散，與環(huán)氧樹脂反應(yīng)。微膠嚢型潛伏性固 化劑中，將加合物型固化劑例如胺加合物、咪唑加合物微膠嚢 化的潛伏性固化劑的穩(wěn)定性和固化性的平衡優(yōu)異，故優(yōu)選。這
些環(huán)氧樹脂的固化劑的量 一般相對于環(huán)氧樹脂1 oo質(zhì)量份使用 2 ~ 100質(zhì)量f分。
本發(fā)明中使用的絕緣性粘接劑為了賦予膜形成性、粘接 性、固化時的應(yīng)力緩解性等，而優(yōu)選含有酚氧樹脂、聚酯樹 脂、丙烯酸橡膠、SBR、 NBR、有機(jī)硅樹脂、聚乙烯醇縮丁醛 樹脂、聚氨酯樹脂、聚縮醛樹脂、尿素樹脂、二曱笨樹脂、聚酰胺樹脂、聚酰亞胺樹脂、含有羧基、羥基、乙烯基、氨基等 官能團(tuán)的橡膠、彈性體類等高分子成分。這些高分子成分優(yōu)選
分子量在10000 ~ 1000000。高分子成分的含量優(yōu)選占全部絕緣 性粘接劑的2 80質(zhì)量％ 。
從長期連接可靠性的觀點出發(fā)，作為這些高分子成分，優(yōu) 選酚氧樹脂。
作為這里使用的酚氧樹脂，可以列舉雙酚A型酚氧樹脂、 雙酚F型酚氧樹脂、雙酚A雙酚F混合型酚氧4對脂、雙酚A雙酚S 混合型酚氧樹脂、含有藥環(huán)的酚氧樹脂、己內(nèi)酯改性雙酚A型 酚氧樹脂。酚氧樹脂的重均分子量優(yōu)選20000以上100000以下。
作為用于本發(fā)明的絕緣性粘接劑，優(yōu)選儲存穩(wěn)定性高、連 接可靠性高的、含有環(huán)氧樹脂和潛伏性固化劑的熱固化性的環(huán) 氧樹脂系粘接劑，更優(yōu)選含有酚氧樹脂的環(huán)氧樹脂系粘接劑。 在此情況下，酚氧樹脂的使用量優(yōu)選占絕緣性粘接劑整體的5 0 質(zhì)量％以下；更優(yōu)選占絕緣性粘接劑整體的20質(zhì)量％以上46質(zhì) 量％以下；進(jìn) 一 步優(yōu)選占絕緣性粘接劑整體的3 0質(zhì)量％以上4 4 質(zhì)量％以下。
絕緣性粘接劑中還可以進(jìn)一步含有絕緣顆粒、填充劑、軟 化劑、促進(jìn)劑、防老化劑、著色劑、阻燃劑、觸變劑、偶聯(lián)劑。 含有絕緣顆?；蛱畛鋭┑那闆r下，絕緣顆?；蛱畛鋭┑淖畲罅?徑優(yōu)選小于導(dǎo)電顆粒的平均粒徑。而且，在不妨礙絕緣性粘接 劑的絕緣性的范圍內(nèi)，可以含有例如為了防止帶電的導(dǎo)電顆
粒o
從提高粘接性的觀點出發(fā)，作為偶聯(lián)劑，優(yōu)選含有酮亞胺 基、乙烯基、丙烯?；被h(huán)氧基及異氰酸酯基的硅烷偶 聯(lián)劑。
混合絕緣性粘接劑各成分的情況下，可根據(jù)需要使用溶劑。作為溶劑，可以列舉例如甲乙酮、曱基異丁基酮、二乙基 酮、環(huán)己酮、環(huán)戊酮、曱苯、二曱苯、乙酸乙脂、乙酸丁酯、 乙二醇單烷基醚醋酸酯、丙二醇單烷基醚醋酸酯、乙醇、異丙
醇、二甲基曱酰胺、二曱基乙酰胺。
絕緣性粘接劑的制造可以通過例如將各成分在溶劑中混 合制成涂布液，通過涂布才幾涂布等將該涂布液涂布到基材上， 并在烘箱中使溶劑揮發(fā)的方法制造。
絕緣性粘接劑由于起到連接時流動而封閉連接區(qū)域的作 用，因而在連接條件下，優(yōu)選流動性高。對于流動性的高低， 重要的是與絕緣樹脂薄片的流動性之間的相對值，優(yōu)選在
180°C下的熔融粘度低于絕緣樹脂薄片。更優(yōu)選為絕緣樹脂薄 片粘度的50%以下；更優(yōu)選為絕緣樹脂薄片粘度的25%以下； 進(jìn)一步優(yōu)選為絕緣樹脂薄片粘度的15%以下；更進(jìn)一步優(yōu)選為 絕緣樹脂薄片粘度的10%以下。
絕緣性粘接劑在180°C下的熔融粘度的優(yōu)選范圍是lPa-s 以上100Pa.s以下；更優(yōu)選在2Pa's以上50Pa.s以下；進(jìn)一步優(yōu)選 在4Pa's以上30Pa.s以下。如果熔融粘度過高，連接時高壓力是 必要的，另一方面，熔融粘度低的情況下，為了抑制使用前的 變形，需要在低溫下儲存。
另外，這里，在絕緣性粘接劑為熱固化性樹脂的情況下， 其熔融粘度指從絕緣性粘接劑除去固化劑或未配合固化劑的 狀態(tài)下的熔融粘度。
絕緣性粘接劑可以只在絕緣樹脂薄片的一面形成，也可以 在絕緣樹脂薄片的兩面形成。在希望提高各向異性導(dǎo)電膜的暫 時粘附性的情況下，優(yōu)選在兩面形成。
將絕緣性粘接劑層壓在絕緣樹脂薄片的兩面的情況下，各 個面的絕緣性粘接劑可以相同，也可以不同。絕緣性粘接劑不同的情況下，可以制成相應(yīng)于凈皮連接部件的配方，另一方面，
需要準(zhǔn)備2種的配方。
絕緣性粘接劑的膜厚的總計優(yōu)選為導(dǎo)電顆粒配置薄片的
膜厚的2倍以上100倍以下；更優(yōu)選3倍以上~ 75倍以下；更優(yōu) 選4倍以上5 0倍以下；更進(jìn) 一 步優(yōu)選5倍以上3 0倍以下。
本發(fā)明的各向異性導(dǎo)電膜的厚度優(yōu)選5pm以上50lam以下； 更優(yōu)選6^m以上35(im以下；更優(yōu)選7fim以上25jim以下；更優(yōu) 選8nm以上22)im以下。
5,可以抑制異物附著在各向異性導(dǎo)電性膜上(圖4)。作為該 剝離薄片，可以例示出聚乙烯、聚丙烯、聚苯乙烯、聚酯，例 如PET、 PEN或尼龍、氯乙烯、聚乙烯醇等的膜。作為優(yōu)選的 剝離薄片用的樹脂，可以列舉出聚丙烯、PET。該剝離薄片優(yōu) 選進(jìn)行表面處理、例如氟處理、有機(jī)硅處理、醇酸處理。
本發(fā)明的各向異性導(dǎo)電膜通過例如使用熱輥將導(dǎo)電顆粒 配置薄片和膜狀的絕緣性粘接劑層壓的方法、或在導(dǎo)電顆粒配 置薄片上涂布溶于溶劑的絕緣性粘接劑后使溶劑飛散的方法 等制造。
一般，將各向異性導(dǎo)電膜切成所期望的寬度，巻成巻軸狀。 這樣制造的本發(fā)明的各向異性導(dǎo)電膜能夠適用于細(xì)距 (fine pitch)連接用途，可以適用于液晶顯示器和TCP、 TCP 和FPC、 FPC和印制電路基板的連接或?qū)雽?dǎo)體芯片直接組裝 在基板上的倒裝芯片封裝。
作為本發(fā)明的電路連接方法，準(zhǔn)備通過ITO電路或金屬布 線等形成電路和電極的玻璃基板等電路基板和與電路基板的 電極成對的位置上形成電極的IC芯片，在玻璃基板上的配置IC 芯片的位置粘貼本發(fā)明的各向異性導(dǎo)電膜。接下來，使玻璃基板和IC芯片的位置相對齊，使得各個電極互相成對，然后進(jìn)行
熱壓粘。熱壓粘優(yōu)選在80°C以上250°C以下的溫度范圍下進(jìn)行1 秒以上30分鐘以下。對IC芯片面施加的壓力優(yōu)選0.1MPa以上 50MPa以下。
實施例
通過實施例對本發(fā)明進(jìn)一步詳細(xì)說明。 a.熔融粘度測定 使用HAAKE公司制造的RHeoStress600 Thermo,使用20mm 徑的4,體(PP20H)觀'J定。 實施例1
混合酚氧樹脂(InChem公司制造，商品名PKHC ) 80質(zhì) 量份、雙酚A型液態(tài)環(huán)氧樹脂(旭化成化學(xué)抹式會社制造，商 品名AER2603 ) 20質(zhì)量份、硅烷偶聯(lián)劑(日本工二力一公司 制造，商品名A-187 ) 0.25質(zhì)量份、醋酸乙脂300質(zhì)量份，得 到絕緣樹脂薄片用清漆。從絕緣樹脂薄片用清漆除去溶劑得到 的絕緣樹脂薄片的180"的熔融粘度是1500Pa's。
使用刮涂機(jī)將用醋酸乙酯稀釋為樹脂成分5質(zhì)量％的丙烯 酸聚合物涂布到100jim無拉伸共聚聚丙烯膜上，在80。C干燥10 分鐘，形成厚lpm的粘合劑層。這里使用的丙烯酸聚合物是以 偶氮雙異丁腈作為引發(fā)劑、將丙烯酸甲酯62質(zhì)量份、丙烯酸-2-乙基己酯30.6質(zhì)量份、丙烯酸-2-羥基乙酯7質(zhì)量份在醋酸乙酯 233質(zhì)量份中，氮氣氣流中65。C下聚合8小時得到的重均分子量 為95萬的聚合物。另外，重均分子量是通過以聚苯乙烯作為標(biāo) 準(zhǔn)物質(zhì)的凝膠滲透色譜法(GPC)測定的。
在該粘合劑上，在一面填充平均粒徑4pm的導(dǎo)電顆粒(積 水化學(xué)公司制造，商品名；、夕口A — AAU),通過0.2Mpa 壓力的鼓風(fēng)來排除未到達(dá)粘合劑的導(dǎo)電顆粒。其結(jié)果，形成了填充率為74%的單層導(dǎo)電顆粒層。在其上，使用刮涂機(jī)涂布絕 緣樹脂薄片用清漆，在80。C干燥10分鐘，形成厚7pm的絕緣樹 脂薄片層，得到導(dǎo)電顆粒填充薄片A。
接下來，使用試驗用雙軸拉伸裝置，在135。C下縱橫均為 10 % /秒的比率將導(dǎo)電顆粒填充薄片A拉伸至2.2倍，在室溫下慢 慢冷卻，從埋入導(dǎo)電顆粒的絕緣樹脂薄片剝離聚丙烯膜和粘合 劑，得到導(dǎo)電顆粒配置薄片A。
使用掃描型電子顯微鏡(日立制作所制S-4700,下同) 觀察導(dǎo)電顆粒配置薄片A時，導(dǎo)電顆粒存在于絕緣樹脂薄片 中，沒有導(dǎo)電顆粒的絕緣樹脂薄片的部分大致平滑，導(dǎo)電顆粒 在絕緣樹脂薄片的一側(cè)較大突出，該突出部被絕緣樹脂薄片覆 蓋。另一方面，相反面的突出小，導(dǎo)電顆粒在該突出部露出。 而且，經(jīng)由導(dǎo)電顆粒的中心切斷導(dǎo)電顆粒配置薄片A,使用掃 描型電子顯微鏡(SEM)觀察該截面時(圖5),絕緣樹脂薄片 的厚度是1.5pm,導(dǎo)電顆粒的突出高度大的一側(cè)的突出部頂部 被1.2jim厚度的絕緣樹脂薄片覆蓋。另一方面，使用激光顯微 鏡(《一工》只制，VK-9500 ),在0.01iim刻度下測定突出高 度小的一側(cè)的突出高度，結(jié)果該突出高度為0.1[im。從上述， 計算出導(dǎo)電顆粒的突出高度大的一側(cè)的突出高度是2.4^m。
進(jìn)一步，使用圖像處理軟件(旭化成抹式會社制造，商品 名A像〈^,下同)，由使用顯微鏡(抹式會社* 一工7只 制，商品名VHX-100,下同)〗現(xiàn)察到的導(dǎo)電顆粒配置薄片A 的圖像求得導(dǎo)電顆粒的中心間距離的平均值及其變動系數(shù)，結(jié) 果是平均值為10.1pm,變動系數(shù)為0.29。另外，導(dǎo)電顆粒的面 積率為15.1%。而且，導(dǎo)電顆粒的中心間距離使用利用各顆粒 的中心點進(jìn)行的Delaunay三角剖分(Delaunay Triangulation ) 得到的三角形的邊長，導(dǎo)電顆粒的觀察是對0.06m2內(nèi)的顆粒進(jìn)行的。
為了評價導(dǎo)電顆粒從導(dǎo)電顆粒配置薄片A的脫落性，使用 顯微鏡觀察將導(dǎo)電顆粒配置薄片用擦拭紙(kimwipe)對每一 單面在lkPa壓力下各摩擦IOO次后的顆粒的脫落，其結(jié)果是完 全沒有確認(rèn)顆粒的脫落。
混合酚氧樹脂(InChem7^司制造，商品名PKHC ) 100 質(zhì)量份、雙酚A型液態(tài)環(huán)氧樹脂(旭化成化學(xué)抹式會社制造， 商品名AER2603 ) 90質(zhì)量份、微膠嚢型潛伏性固化劑和液態(tài) 環(huán)氧樹脂的混合物(旭化成化學(xué)抹式會社制造，商品名乂, *工7 ) 60質(zhì)量份(含有液態(tài)環(huán)氧樹脂40質(zhì)量份)，硅烷偶聯(lián) 劑(日本工-力 一公司制造，商品名A-187 ) 0.25質(zhì)量份、 醋酸乙酯300質(zhì)量份，得到清漆。使用刮涂機(jī)將該清漆涂布到 脫模處理得到的50pm的PET膜制的剝離膜上，干燥除去溶劑， 得到膜厚17 n m的膜狀絕緣性粘接劑B 。另外配合液態(tài)環(huán)氧樹脂 40質(zhì)量份而替換微膠嚢型潛伏性固化劑和液態(tài)環(huán)氧樹脂的混 合物60質(zhì)量份，測定配合后同樣制成的絕緣型粘合劑的熔融濃 度，其結(jié)果是絕緣性粘接劑B的180°C下的熔融粘度是 10.5Pa.s。
而且，與絕緣性粘接劑B同樣地操作得到僅膜厚與絕緣性 粘接劑B不同的絕緣性粘接劑C 。絕緣性粘接劑的膜厚是2 pm 。
將絕緣性粘接劑B重疊在實施例1中得到的導(dǎo)電顆粒配置 薄片A的導(dǎo)電顆粒的突出高度大的一側(cè)，將絕緣性粘接劑C重 疊在突出高度小的一側(cè)，在55。C， 0.3MPa的條件下進(jìn)行層壓， 得到各向異性導(dǎo)電膜A。
^妄下來，準(zhǔn)備20(imxl00[im的金凸點以30fim的間^巨4非歹'J的 1.6mmx 15mm的棵片和具有與棵片對應(yīng)的連接間距的ITO (Indium Tin Oxide)玻璃基板，在玻璃基^反的芯片組裝位置
28上放置剝離絕緣性粘接劑C側(cè)的剝離薄片的各向異性導(dǎo)電膜A,
在70。C、 5Kg/cm2、 2秒鐘的條件下熱壓粘，剝離絕緣性粘接劑 B側(cè)的剝離薄片后，使用倒裝芯片接合器(東k工> v - 7 'J 》久'抹式會社制造FC2000，下同)對齊棵片的位置，使用恒 定加熱器(constant heat) 2秒鐘后到達(dá)190。C，其后，在一定 溫度的條件下，30Kg/cm2、加熱加壓10秒鐘，將棵片連接在ITO 玻璃基板上。
此時，絕緣性粘接劑流動，可見還流出到棵片外。連接后， 對40個凸點計測夾在金凸點和ITO電極間的導(dǎo)電顆粒，即，有 效起到連接作用的導(dǎo)電顆粒，結(jié)果是平均為14.4個，標(biāo)準(zhǔn)偏差 為1.9個，用平均-3x標(biāo)準(zhǔn)偏差定義的最小連接間顆粒數(shù)是8.7 個，得出可以穩(wěn)定的連接的結(jié)論。另外，進(jìn)行通過使用棵片和 ITO玻璃電極形成的64對菊花鏈(daisy chain)電路測定導(dǎo)通 電阻以及使用40對的梳型電極的絕緣電阻測定，結(jié)果包括布線 電阻的導(dǎo)通電阻為2.9Q, 64對所有的電^^都已連"l妄。另 一方面， 絕緣電阻為1090以上，在40對的梳型電極間未發(fā)生短路，在倒 裝芯片連接中是有用的。
實施例2
作為絕緣樹脂薄片，單獨使用酚氧樹脂(InChem公司制造， 商品名PKHB, 180。C的熔融粘度是980Pa.s)，將導(dǎo)電顆粒的 平均粒徑變更為3iim,填充率變更為82%,除此之外，與實施 例1同樣地得到導(dǎo)電顆粒填充薄片，除拉伸倍率為2.7倍以外， 與實施例l同樣地得到導(dǎo)電顆粒配置薄片(稱為導(dǎo)電顆粒配置薄 片B)。
使用掃描型電子顯微鏡觀察所得到的導(dǎo)電顆粒配置薄片 B時，導(dǎo)電顆粒存在于絕緣樹脂薄片中，沒有導(dǎo)電顆粒的絕緣 樹脂薄片的部分大致平滑，導(dǎo)電顆粒在絕緣樹脂薄片的一面?zhèn)容^大突出，其突出部被絕緣樹脂薄片覆蓋。另一方面，相反面 較小突出，導(dǎo)電顆粒在該突出部露出。而且，經(jīng)由導(dǎo)電顆粒的
中心切斷導(dǎo)電顆粒配置薄片B,使用掃描型電子顯微鏡觀察該 截面時，絕緣樹脂薄片的厚度是0.8(im,導(dǎo)電顆粒的突出高度 大的 一側(cè)的突出部頂部被0.3nm厚度的絕緣樹脂薄片覆蓋。另 一方面，使用激光顯微鏡測定突出高度小的一側(cè)的突出高度， 結(jié)果是突出高度為0.1)im。從以上計算出導(dǎo)電顆粒的突出高度 大的一側(cè)的突出高度是2.1jim。
進(jìn)一步，使用圖像處理軟件從使用顯微鏡觀察到的導(dǎo)電顆 粒配置薄片B的圖像求得導(dǎo)電顆粒的中心間距離的平均值及 其變動系數(shù)，結(jié)果是平均值為9.1pm,變動系數(shù)為0.19。另夕卜， 導(dǎo)電顆粒的面積率為11%。
為了評價導(dǎo)電顆粒從導(dǎo)電顆粒配置薄片B的脫落性，使用 顯微鏡觀察將導(dǎo)電顆粒配置薄片用擦拭紙對每一單面在lkPa 壓力下各摩擦100次后的顆粒的脫落，其結(jié)果是完全沒有確認(rèn) 顆粒的脫落。
接下來，與實施例l同樣，在導(dǎo)電顆粒的突出高度大的一 側(cè)層壓絕緣性粘接劑B,得到各向異性導(dǎo)電膜B,與實施例l同 樣，使導(dǎo)電顆粒配置薄片 一側(cè)成為ITO玻璃基板一側(cè)，進(jìn)行棵 片和ITO玻璃基才反的連接。
對40個凸點計測連接后夾在金凸點和ITO電極間的導(dǎo)電 顆粒，結(jié)果是平均為16.4個，標(biāo)準(zhǔn)偏差為1.3個，用平均-3x 標(biāo)準(zhǔn)偏差定義的最小連接間顆粒數(shù)是12.5個，得出可以穩(wěn)定連 接的結(jié)論。另夕卜，進(jìn)行使用棵片和ITO玻璃電極形成的64對菊
測定，結(jié)果包括布線電阻的導(dǎo)通電阻為3.1Q， 64對所有的電^L 都已連接。另一方面，絕緣電阻為l(fn以上，在40對的梳型電極間未發(fā)生短路，在倒裝芯片連接中是有用的。 比專交例1
降低絕緣樹脂薄片用清漆的涂布量，將樹脂絕緣薄片層的
厚度變更為3.5pm,除此之外，與實施例l同樣，得到導(dǎo)電顆粒 配置薄片(稱為導(dǎo)電顆粒配置薄片C)。
使用掃描型電子顯微鏡觀察所得到的導(dǎo)電顆粒配置薄片 C時，在大致平滑的絕緣樹脂薄片上，單面一側(cè)較大突出的導(dǎo) 電顆粒在兩側(cè)露出，#皮夾住。而且，經(jīng)由導(dǎo)電顆粒的中心切斷 導(dǎo)電顆粒配置薄片C并使用掃描型電子顯微鏡觀察其截面時， 絕緣樹脂薄片的厚度是0.8(im,導(dǎo)電顆粒的突出高度大的一側(cè) 的頂部露出。使用激光顯微鏡測定突出高度，結(jié)果是該突出高 度為3.1,和0.1,。
為了評價導(dǎo)電顆粒配置薄片C的導(dǎo)電顆粒的脫落性，使用 顯微鏡觀察將導(dǎo)電顆粒配置薄片用擦拭紙對每 一 單面在1 k P a 壓力下各摩擦IOO次后的顆粒的脫落，其結(jié)果是發(fā)現(xiàn)約20%的 顆粒的脫落，得出不可作為連接材料使用的結(jié)論。
比專交例2
增加絕緣樹脂薄片用涂布劑的涂布量，將絕緣樹脂薄片層 的厚度變更為20)im,除此之外，與實施例l同樣，得到導(dǎo)電顆 粒配置薄片(稱為導(dǎo)電顆粒配置薄片D)。
使用掃描型電子顯微鏡觀察所得到的導(dǎo)電顆粒配置薄片 D時，導(dǎo)電顆粒沒有突出，在4.5pm的大致平滑的絕緣樹脂薄 片中埋有導(dǎo)電顆粒。
接下來與實施例1同樣，將絕緣性粘接劑B層壓在單側(cè)， 得到各向異性導(dǎo)電膜D,與實施例2同樣，使導(dǎo)電顆粒配置薄 片側(cè)成為ITO玻璃基板一側(cè)，進(jìn)行棵片與ITO玻璃電極的連接。 通過使用凈果片和ITO玻璃電極形成的64對菊花鏈電路測定導(dǎo)通電阻，其結(jié)果是菊花鏈中沒有電流，無法取得電連接， 得出不可作為連接材料使用的結(jié)論。 產(chǎn)業(yè)上的利用可能性 本發(fā)明的導(dǎo)電顆粒配置薄片從制造到使用期間難以發(fā)生 導(dǎo)電顆粒的脫落，在細(xì)微圖案電路的電連接中，微小電極的連 接可靠性優(yōu)異，且狹小空間的相鄰電極間的絕緣性高，可適用 于使可進(jìn)行低電阻的連接的連接材料用途。
權(quán)利要求
1. 一種導(dǎo)電顆粒配置薄片，其特征在于，該導(dǎo)電顆粒配置薄片包含導(dǎo)電顆粒和具有基準(zhǔn)面P1及與其相對的基準(zhǔn)面P2的絕緣樹脂薄片，該絕緣樹脂薄片的厚度小于該導(dǎo)電顆粒的平均粒徑，導(dǎo)電顆粒從該絕緣樹脂薄片的至少一側(cè)的基準(zhǔn)面P1突出，導(dǎo)電顆粒從絕緣樹脂薄片的基準(zhǔn)面P1突出的部分被覆蓋層覆蓋，所述覆蓋層由與構(gòu)成該絕緣樹脂薄片的該絕緣樹脂相同的樹脂形成，這里，將基準(zhǔn)面P1與切線L1之間的距離的平均設(shè)為平均突出高度h1(h1>0)，該切線L1是導(dǎo)電顆粒的與基準(zhǔn)面P1平行的切線、且與從該基準(zhǔn)面P1突出的突出部分相切，將基準(zhǔn)面P2與切線L2之間的距離的平均設(shè)為平均突出高度h2，該切線L2是導(dǎo)電顆粒的與基準(zhǔn)面P2平行的切線、且隔著該導(dǎo)電顆粒而位于與切線L1的相反側(cè)，在此情況下(其中，當(dāng)該切線L2位于該絕緣樹脂薄片內(nèi)時，h2<0；當(dāng)該切線L2位于基準(zhǔn)面P2上時，h2＝0；當(dāng)該切線L2位于該絕緣樹脂薄片外時，h2>0)，滿足h1>h2的關(guān)系。
2. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的導(dǎo)電顆粒配置薄片，前述導(dǎo)電顆 粒從前述絕緣樹脂薄片的兩面突出，前述平均突出高度h2相對 于前述平均突出高度hl之比h2/hl是0以上、1/1.1以下。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的導(dǎo)電顆粒配置薄片，從前述基準(zhǔn) 面P2突出的導(dǎo)電顆粒從絕緣樹脂薄片露出。
4. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的導(dǎo)電顆粒配置薄片，從前述基準(zhǔn) 面Pl突出的導(dǎo)電顆粒的覆蓋層的頂部的覆蓋厚度是0.1pm以 上、2fim以下。
5. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的導(dǎo)電顆粒配置薄片，以導(dǎo)電顆粒 的投影面積的總和占前述導(dǎo)電顆粒的絕緣樹脂薄片的面積來定 義的面積率是2%以上、40%以下。
6. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的導(dǎo)電顆粒配置薄片，前述絕緣樹 脂薄片含有酚氧樹脂。
7. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的導(dǎo)電顆粒配置薄片，前述導(dǎo)電顆 粒的平均粒徑是0.5jam以上、10pm以下。
8. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的導(dǎo)電顆粒配置薄片，前述導(dǎo)電顆 粒的中心間距離的變動系數(shù)是0.03以上、0.6以下。
9. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的導(dǎo)電顆粒配置薄片，前述絕緣樹 脂薄片的180。C熔融粘度是10Pa's以上、5萬Pa's以下。
10. —種導(dǎo)電顆粒配置薄片的制造方法，其包括在可拉 伸的薄片上以單層填充導(dǎo)電顆粒而形成導(dǎo)電顆粒層，在該導(dǎo)電 顆粒層上形成絕緣樹脂層而形成導(dǎo)電顆粒填充薄片，將該導(dǎo)電 顆粒填充薄片進(jìn)行拉伸。
11. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，在前述可拉伸的薄片上 以單層填充導(dǎo)電顆粒而形成導(dǎo)電顆粒層時，在該可拉伸的薄片 上涂布粘合劑，在該粘合劑上形成以單層填充導(dǎo)電顆粒而成的 導(dǎo)電顆粒層。
12. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，前述導(dǎo)電顆粒填充薄片 的絕緣樹脂層的厚度相對于導(dǎo)電顆粒的平均粒徑為1.0倍以上、 l(H咅以下。
13. 根據(jù)權(quán)利要求ll所述的方法，在前述可拉伸的薄片上 涂布粘合劑，在該粘合劑上以單層填充導(dǎo)電顆粒而形成導(dǎo)電顆 粒層時，將導(dǎo)電顆粒埋入粘合劑。
14. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，以單層填充前述導(dǎo)電顆 粒而形成導(dǎo)電顆粒層時，填充導(dǎo)電顆粒，使得以導(dǎo)電顆粒的投 影面積相對于全部面積的比例來定義的填充率為5 0 %以上、 90%以下。
15. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，在前述導(dǎo)電顆粒層上形成絕緣樹脂層時，作為絕緣樹脂層，在導(dǎo)電顆粒層上形成薄片 狀的絕緣樹脂。
16. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，在前述導(dǎo)電顆粒層上形 成絕緣樹脂層時，作為絕緣樹脂層，在導(dǎo)電顆粒層上形成通過 涂布溶解在溶劑中的絕緣樹脂并干燥溶劑而得到的絕緣樹脂。
17. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，以縱向的拉伸倍率與橫 向的拉伸倍率之積來定義的面積率是2.2倍以上、25倍以下。
18. —種各向異性導(dǎo)電膜，其包含權(quán)利要求l ~權(quán)利要求9 中任一項所述的導(dǎo)電顆粒配置薄片和層壓在該薄片的至少一面 上的絕緣性粘接劑層。
19. 一種各向異性導(dǎo)電膜，其包含通過權(quán)利要求10 權(quán)利 要求17中任一項所述的方法制造的導(dǎo)電顆粒配置薄片和層壓于 該薄片的至少 一 面上的絕緣性粘接劑層。
20. —種電路連接方法，其是將IC芯片的電極與電路基板 的電極進(jìn)行電連接的電路連接方法，其包括在將權(quán)利要求18 或權(quán)利要求19所述的各向異性導(dǎo)電膜保持在電路基板與IC芯片 之間的狀態(tài)下，施加壓力。
21. —種連接結(jié)構(gòu)體，其通過權(quán)利要求20所述的方法獲得。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種導(dǎo)電顆粒配置薄片，其特征在于，該導(dǎo)電顆粒配置薄片包含導(dǎo)電顆粒和絕緣樹脂薄片，其中，該絕緣樹脂薄片的厚度小于該導(dǎo)電顆粒的平均粒徑，導(dǎo)電顆粒從該絕緣樹脂薄片的至少一側(cè)的基準(zhǔn)面P1突出，導(dǎo)電顆粒從基準(zhǔn)面P1突出的部分被由與該絕緣樹脂薄片相同的樹脂形成的層覆蓋，這里，將基準(zhǔn)面P1與切線L1之間的距離的平均設(shè)為平均突出高度h1(h1＞0)，該切線L1是導(dǎo)電顆粒的與基準(zhǔn)面P1平行的切線、且與從該基準(zhǔn)面P1突出的突出部分相切，將基準(zhǔn)面P2與切線L2之間的距離的平均設(shè)為平均突出高度h2，該切線L2是導(dǎo)電顆粒的與基準(zhǔn)面P2平行的切線、且位于與切線L1的相反側(cè)，在此情況下(其中，當(dāng)該切線L2位于該絕緣樹脂薄片內(nèi)時，h2＜0；當(dāng)該切線L2位于基準(zhǔn)面P2上時，h2＝0；當(dāng)該切線L2位于該絕緣樹脂薄片外時，h2＞0)，滿足h1＞h2的關(guān)系。
文檔編號H05K3/32GK101432931SQ20078001505
公開日2009年5月13日 申請日期2007年4月26日 優(yōu)先權(quán)日2006年4月27日
發(fā)明者島田仁, 臼井健敏 申請人:旭化成電子材料元件株式會社