專利名稱：通過CZ法生產(chǎn)Si單晶錠料的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及通過CZ法生產(chǎn)Si單晶錠料(ingot)的方法，且更具體 地涉及這樣的方法，其中Si單晶錠料可根據(jù)消費(fèi)者需要的各種Si晶 片而穩(wěn)定地生產(chǎn)。
相關(guān)技術(shù)
FZ法(懸浮區(qū)熔法)和CZ法(Czochralski法)作為Si單晶錠料的生 產(chǎn)方法是已知的。其中，與FZ法相比，CZ法容易形成大尺寸且生產(chǎn) 率極高，所以它常常^皮用作生產(chǎn)通用晶片的方法。
當(dāng)通過CZ法生產(chǎn)Si單晶錠料時(shí)，其質(zhì)量取決于拉晶速度(pulling rate)。即，為了通過CZ法生長(zhǎng)出基本上沒有例如空隙、位錯(cuò)簇 (dislocation cluster)等內(nèi)生缺陷(Grow-in defect)的所謂的無缺陷晶體 (non-defect crystal),要嚴(yán)格控制拉晶速度V以便所產(chǎn)生的Si晶體生長(zhǎng) 成無缺陷晶體，其中所述內(nèi)生缺陷是由于例如原子空位、填隙硅等點(diǎn) 缺陷在Si晶體內(nèi)部的聚集而形成的。
但是，即使以目標(biāo)拉晶速度V進(jìn)行拉晶，也可能因各種因素而不 能獲得想要的無缺陷晶體。
例如，如果CZ裝置的熱區(qū)隨時(shí)間變化，那么晶體中的溫度梯度 G就改變，所以需要改變拉晶速度V的曲線(profile)以達(dá)到目標(biāo)V/G。
此前，從以特定拉晶速度曲線生長(zhǎng)出的Si晶體的合適位置切割出 樣品，隨后在此位置測(cè)定缺陷區(qū)域的類型。同樣，為了將結(jié)果反饋至 后續(xù)的拉晶處理，使用R-OSF(環(huán)-氧化引起的堆垛層錯(cuò)，Ring-Oxidation induced Stacking Fault)/P/^的圖案(pattern),或使用R-OSF或Pv/Pi邊 界部分的直徑作為拉晶的控制參數(shù)(control parameter)。此處，所有Pv和Pi都被包括在無缺陷區(qū)域，其中Pv是指具有一些原子空位的區(qū)域，
而Pi是指具有一些填隙硅Si的區(qū)域。
此外，所述無缺陷區(qū)域類型Pv和Pi通過Cu飾法來確定，或根據(jù) 在熱處理后的氧沉淀分布來確定。即，氧沉淀在Pv區(qū)域;故促進(jìn)，因?yàn)?存在一些原子空位，而氧沉淀在Pi區(qū)域^皮抑制，因?yàn)榇嬖谝恍┨钕禨i， 所以，在Cu飾或氧沉淀的熱處理后，通過借助X射線形貌學(xué)等的觀 察而區(qū)分Pv和Pi缺陷區(qū)域。因此，這些方法基本上都是通過氧沉淀核
存在與否來確定Pv、 Pi類型的方法。
所以，當(dāng)Si晶體是高氧晶體或低氧晶體時(shí)，就難以區(qū)分這兩種區(qū)
域。即，如果是高氧晶體，在Pv或Pi區(qū)域都可能產(chǎn)生氧沉淀，而如果 是低氧區(qū)域，在Pv和Pi區(qū)域可能都不產(chǎn)生氧沉淀。
而且，即使是在能夠區(qū)分這兩種區(qū)域的氧濃度范圍內(nèi)，也需要復(fù) 雜的熱處理，而熱處理需要很長(zhǎng)時(shí)間且花費(fèi)相當(dāng)大，所以就存在結(jié)果 不能被迅速反饋至后續(xù)拉晶處理的問題。
最近，發(fā)明人領(lǐng)先于世界開發(fā)出原子空位的定量評(píng)價(jià)方法，其中 Si晶體中的原子空位被直接觀察而不依賴晶體中的氧濃度，也不需要 熱處理，且原子空位的存在濃度可被定量評(píng)價(jià)。
此方法是這樣的技術(shù)，即利用^皮捕獲在原子空位中的電子軌道三 重態(tài)與超聲應(yīng)變之間的相互作用非常大的特點(diǎn)，由與低溫處理相關(guān)的 Si晶體的彈性常數(shù)減小(軟化現(xiàn)象)的放大，在短時(shí)間內(nèi)直接測(cè)定Si晶 體中是否存在原子空位及其濃度。
根據(jù)此方法，如圖l(a)和(b)所示，當(dāng)原子空位存在于Si晶體中時(shí)，
低溫處理引起彈性常數(shù)的減小(軟化現(xiàn)象)，以便原子空位的濃度可通
過所述減小的程度來掌握。同樣，Si晶體的種類可通過是否存在磁場(chǎng)
依賴性來區(qū)分，因?yàn)閾接须s質(zhì)的Si晶體的原子空位會(huì)受磁場(chǎng)影響(take
on)，如果施加強(qiáng)磁場(chǎng)，那么彈性常數(shù)的軟化現(xiàn)象會(huì)受磁場(chǎng)的影響而解
決，而未摻雜質(zhì)的Si晶體的原子空位不受磁場(chǎng)影響，即使施加強(qiáng)磁場(chǎng)， 彈性常數(shù)的軟化趨勢(shì)也不改變。原子空位的定量測(cè)定方法具體描述如下。
即，這是一種定量測(cè)定存在于硅晶片中的原子空位的方法，其包 括向從硅晶片的特定位置切割出的硅樣品發(fā)出超聲波脈沖，且在其表
面上直接提供有薄膜換能器，所述薄膜換能器具有能夠在不高于25K 的溫度區(qū)域內(nèi)，如果需要，在施加外部磁場(chǎng)，同時(shí)在上述溫度區(qū)域內(nèi) 冷卻的狀態(tài)下，追隨與溫度下降有關(guān)的硅樣品的膨脹的性質(zhì)；使發(fā)出 的超聲波脈沖傳播進(jìn)入所述硅樣品；卩險(xiǎn)測(cè)傳播的超聲波脈沖中聲速的
少量；和根據(jù)計(jì)算出的彈性常數(shù)的減少量定量測(cè)定出存在于硅晶片中 的原子空位的種類和濃度。
發(fā)明的公開
發(fā)明要解決的問題
本發(fā)明的目的是提議一種通過CZ法生產(chǎn)Si單晶錠料的有利方 法，其中通過利用對(duì)上述Si晶體中原子空位的直接觀察法，而明確地 檢測(cè)出以特定拉晶速度曲線生長(zhǎng)出的Si單晶的缺陷區(qū)域或無缺陷區(qū) 域的類型，并將產(chǎn)生的數(shù)據(jù)反饋至后續(xù)拉晶，從而使沒有缺陷區(qū)域的
Si單晶可穩(wěn)定地生長(zhǎng)，無缺陷區(qū)域的進(jìn)一步類型Py、Pi可^皮分開生產(chǎn)。
解決問題的手段
即，本發(fā)明的概述和結(jié)構(gòu)如下所述。
(1) 一種通過CZ法生產(chǎn)Si單晶錠料的方法，其包括通過原子空位 的直接觀察法檢測(cè)在晶片徑向的原子空位的濃度分布，其中所述晶片 是從以在先拉晶處理生長(zhǎng)出的Si單晶錠料的多個(gè)晶體位置切割出來 的，并將所產(chǎn)生的數(shù)據(jù)反饋至后續(xù)拉晶處理以在后續(xù)拉晶中調(diào)整拉晶 速度曲線。
(2) 根據(jù)項(xiàng)目(l)的通過CZ法生產(chǎn)Si單晶錠料的方法，其中只由 Pv型無缺陷區(qū)域構(gòu)成的Si單晶是通過調(diào)整拉晶速度曲線而生長(zhǎng)的。
(3) 根據(jù)項(xiàng)目(l)的通過CZ法生產(chǎn)Si單晶錠料的方法，其中只由 Pi型無缺陷區(qū)域構(gòu)成的Si單晶是通過調(diào)整拉晶速度曲線而生長(zhǎng)的。(4) 根據(jù)項(xiàng)目(l)的通過CZ法生產(chǎn)Si單晶錠料的方法，其中由Pv 型無缺陷區(qū)域和Pi型無缺陷區(qū)域構(gòu)成的Si單晶是通過調(diào)整拉晶速度 曲線而生長(zhǎng)的。
(5) 根據(jù)項(xiàng)目(1)的通過CZ法生產(chǎn)Si單晶錠料的方法，其中由 R-OSF區(qū)域、Pv型無缺陷區(qū)域和Pi無缺陷區(qū)域構(gòu)成的Si單晶是通過 調(diào)整拉晶速度曲線而生長(zhǎng)的。
發(fā)明效果
根據(jù)本發(fā)明，可精確控制后續(xù)拉晶中的拉晶速度曲線，以便通過 快速掌握以在先拉晶速度曲線生長(zhǎng)出的Si單晶的類型并將其反饋而 產(chǎn)生(render into)無缺陷區(qū)域。
此外，根據(jù)本發(fā)明，可區(qū)分無缺陷區(qū)域的類型Pv、 Pi,因此僅有 Pv或僅有Pi的Si單晶(曾被稱為很難實(shí)現(xiàn))可被穩(wěn)定地生產(chǎn)。
附圖簡(jiǎn)述


圖1是顯示使用施加的磁場(chǎng)的放大率作為參數(shù)，在(a)未摻雜質(zhì)的 Si晶體的和(b)摻有雜質(zhì)的Si晶體的低溫溫度區(qū)彈性常數(shù)軟化趨勢(shì)的 圖。
圖2是(a)顯示在典型Si晶體錠料的縱剖面處缺陷狀態(tài)分布的圖， 和(b)顯示在從Pv、 Pi區(qū)域取出的樣品的低溫溫度區(qū)軟化趨勢(shì)對(duì)比的 圖。
圖3是顯示Si晶片的典型產(chǎn)品圖案的圖。
圖4是(a)顯示在Si晶體錠料的縱剖面處缺陷狀態(tài)分布的圖，和(b) 顯示在通過以每種拉晶速度A-F拉晶而獲得的Si晶片的截面中心位置 處原子空位的濃度分布[V](c)的圖。
圖5是顯示在通過以每種拉晶速度A-F拉晶而獲得的Si晶片的徑 向的濃度分布[V](c)的圖。
圖6是iJL明測(cè)量在Si晶片的徑向的原子空位濃度分布的程序的圖。
實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的最佳方式本發(fā)明將在以下作詳細(xì)描述。
如前所述，通過利用在本發(fā)明之前開發(fā)出的Si晶體中原子空位的 直接觀察法來測(cè)量在低溫溫度處理時(shí)彈性常數(shù)的減少量(軟化現(xiàn)象)， 而區(qū)分Si晶體中原子空位是否存在。
即，因?yàn)樵涌瘴淮嬖谟赟i晶體中，所以低溫溫度處理會(huì)引起彈 性常數(shù)的軟化。因此，如果存在Pv型無缺陷區(qū)域，在低溫溫度時(shí)會(huì)引 起彈性常數(shù)的軟化。
另一方面，Pi型處于穿透在晶4各之間的Si原子的狀態(tài)，且其中不 存在原子空位，因此即使在低溫溫度時(shí)也不會(huì)引起彈性常數(shù)的軟化。
在圖2(a)中顯示的是在典型的Si晶體錠料的縱剖面處缺陷狀態(tài)的 分布，且圖2(b)顯示利用根據(jù)本發(fā)明的原子空位的直接觀察法檢測(cè)出 的在低溫溫度區(qū)從Pv、 Pi區(qū)域取出的樣品的軟化趨勢(shì)的結(jié)果。
如從此圖(b)中看出的，如果是Pv型，在低溫溫度區(qū)發(fā)生彈性常數(shù) 的顯著軟化，而如果是&型，即使在低溫溫度區(qū)也不發(fā)生彈性常數(shù)的 軟化。
所以，Pv型和Pi型可通過利用上述直接觀察法明確地區(qū)分。
同樣，Pv區(qū)域和Pi區(qū)域的邊界可被明確地確定。雖然在傳統(tǒng)技術(shù)
中很難在不經(jīng)過處理，例如復(fù)雜的熱處理、Cu飾法等的情況下確定 Pv/Pi的邊界，但通過利用根據(jù)本發(fā)明的直接觀察法，在緊接生長(zhǎng)之后 的生長(zhǎng)所成(as-grown)狀態(tài)下，可簡(jiǎn)單而迅速地確定所述邊界。 那么，以下將描述根據(jù)本發(fā)明的不同晶體類型的生產(chǎn)方法。 作為在消費(fèi)者中使用的Si晶片的通常的產(chǎn)品圖案被認(rèn)為是圖 3(a)-(d)中所示的四種類型。
為了生產(chǎn)這些產(chǎn)品，需要根據(jù)產(chǎn)品圖案調(diào)整拉晶速度，這使用圖 4來解釋。
圖4(a)是在之前提及的相同的Si晶體錠料的縱剖面處的缺陷狀態(tài) 分布圖，圖4(b)顯示在Si晶片的截面中心位置處原子空位的濃度分布 [V](任意單位)，其中Si晶片是通過以圖4(a)中顯示的每種拉晶速度A-F拉晶而獲得的。
在圖4(a)中，因?yàn)楂@得Pv區(qū)域的拉晶速度在"速度C"和"速度D" 之間，所以在截面中心位置處的原子空位的濃度分布是如圖4(b)中所 示的那樣。而且，原子空位的濃度在Pv區(qū)域的中心部分最高，且隨著 遠(yuǎn)離中心部分而逐漸降低，并在到達(dá)R-OSF/Pv邊界或Pv/Pi邊界的位 置時(shí)變成零。
在這種方式中，在Pv區(qū)域中獲得了對(duì)應(yīng)于原子空位的濃度的分 布，其可被用來分開生產(chǎn)各種圖案的產(chǎn)品。
在圖5中顯示的是在Si晶片的徑向的原子空位的濃度分布[V](任 意單位)，其中所述si晶片是通過以圖4(a)中所示的每種拉晶速度A-F 拉晶而獲得的。
而且，如圖6所示，通過在作為樣品的Si晶片2上以其直徑方向 設(shè)置多個(gè)用于直接觀察法的探針(電壓膜)l可測(cè)量在所述Si晶片的徑 向的原子空位的濃度分布。此處，所述電壓膜(也稱為薄膜換能器)l 可以是通過在樣品表面直接沉積ZnO或A1N而獲得的具有很強(qiáng)粘性 的膜。在形成所述電壓膜1中，將其C軸生產(chǎn)成有些傾斜于樣品表面， 測(cè)量超聲波的橫向成分，從而可進(jìn)一步提高分辨率。
當(dāng)以圖4(a)中的"速度A"進(jìn)行拉晶時(shí)，Pv區(qū)域只存在于所產(chǎn)生的 Si晶片的外圍，所以，如圖5中"A"所示，通過直接觀察法測(cè)量的原 子空位濃度的結(jié)果顯示，原子空位濃度只在Si晶片的外圍部分變高。
相似地，當(dāng)以圖4(a)中的"速度B"進(jìn)行拉晶時(shí)，Pv區(qū)域從與"速度 A，，的情況相比的較內(nèi)側(cè)存在于所產(chǎn)生的Si晶片中，所以原子空位濃 度變成如圖5中"B"所示的那樣分布。
同樣，當(dāng)以圖4(a)中的"速度C"進(jìn)行拉晶時(shí)，基本上所產(chǎn)生Si晶 片的內(nèi)部的整個(gè)區(qū)域都是Pv區(qū)域，所以原子空位濃度變成如圖5中"C，， 所示的那樣分布。而且，Si晶片的最外圍部分的原子空位濃度為零的 區(qū)域可^^皮推測(cè)為Pi區(qū)域。
相似地，當(dāng)以圖4(a)中的"速度D"進(jìn)行拉晶時(shí)，所產(chǎn)生的Si晶片
8的中心區(qū)域是Pv區(qū)域，所以原子空位濃度變成如圖5中"D"所示的那 樣分布。甚至在這種情況下，Si晶片的最外圍部分的原子空位濃度為 零的區(qū)域可^皮推測(cè)為Pi區(qū)域。
此外，當(dāng)以圖4(a)中的"速度E"進(jìn)行拉晶時(shí)，只有所產(chǎn)生Si晶片 的內(nèi)部是Pv區(qū)域，所以，原子空位濃度變成如圖5中"E"所示的那樣 分布。在這種情況下，Si晶片的最外圍部分的原子空位濃度為零的區(qū) 域可祐^推測(cè)為Pi區(qū)域。
相似地，當(dāng)以圖4(a)中的"速度F，進(jìn)行拉晶時(shí)，所產(chǎn)生的Si晶片 的整個(gè)區(qū)域都是Pi區(qū)域，所以如圖5中"F，所示，整個(gè)區(qū)域的原子空 位濃度都變成零。
所以，如果相反(inversely)，獲得如圖5中"B，，所示的原子空位濃 度的分布，可推測(cè)Si晶片的內(nèi)部是R-OSF區(qū)域，而其外周部分是Pv 區(qū)域。
il^t應(yīng)于圖3(a)中所示的產(chǎn)品圖案。
同樣，如果獲得圖5中"C"所示的原子空位濃度的分布，可推測(cè) Si晶片的較大部分是Pv區(qū)域。這對(duì)應(yīng)于圖3(b)中所示的產(chǎn)品圖案。 此外，如果獲得圖5中"D"或"E"所示的原子空位濃度的分布，可
推測(cè)Si晶片的內(nèi)部是Pv區(qū)域，而其外周部分是Pi區(qū)域。il^f應(yīng)于圖
3(c)中所示的產(chǎn)品圖案。
另外，如果獲得圖5中"F"所示的原子空位濃度的分布，可推測(cè) Si晶片的整個(gè)區(qū)域都是Pi區(qū)域。這對(duì)應(yīng)于圖3(d)中所示的產(chǎn)品圖案。
實(shí)施例
實(shí)施例1
通過使用CZ法在以下條件下生產(chǎn)直徑為200 mm的Si單晶錠料。 向直徑為24英寸的石英坩堝內(nèi)加入120 kg的高純度多晶硅 (polysilicon)原材料，石英坩堝被》文置在CZ晶體生長(zhǎng)裝置中以進(jìn)行目 標(biāo)直徑為210 mm、體長(zhǎng)為1000 mm的硅單晶的生長(zhǎng)。
在CZ晶體生長(zhǎng)裝置中，用于屏蔽來自石英坩堝中的硅熔融液體和包圍石英坩堝的圓柱形石墨加熱器的輻射熱的倒錐梯形隔熱體被 設(shè)置在硅熔融液體的上部，以包圍拉出的晶體。所述隔熱體是石墨的
倒錐梯形體，它具有其內(nèi)部填充有石墨氈(graphite felt)的結(jié)構(gòu)，且上 端內(nèi)徑為480mm、下端內(nèi)徑為270 mm、厚度為30mm且高度為500 mm。
此外，所述隔熱體祐 沒置成在其下端與熔融液體表面有60 mm的 間距。當(dāng)石英坩堝、硅熔融液體、石墨加熱器和隔熱體如以上所述排 列時(shí)，在鄰近晶體熔融液體界面處、在拉晶軸向的晶體的溫度梯度的 徑向分布基本上是均勻的，所以有可能實(shí)現(xiàn)具有如圖3(a)、 (b)、 (c) 和(d)所示的缺陷分布的無缺陷晶體的生長(zhǎng)。
裝置的內(nèi)部為減壓的氬氣氛圍，通過石墨加熱器加熱該裝置以形 成硅熔融液體。附著在籽晶夾頭(seed chuck)上的晶種#1浸沒在所述熔 融液體中，且隨后從熔融液體拉晶，同時(shí)旋轉(zhuǎn)坩堝和夾頭的拉晶軸。
在晶種壓榨(seed squeezing)(為在{100}的晶體取向無晶體位錯(cuò)) 后，形成并改變肩部以獲得目標(biāo)體直徑(body diameter)。
在體長(zhǎng)達(dá)到100mm時(shí)，將拉晶速度調(diào)整至0.5mm/min，且隨后 基本上根據(jù)拉晶長(zhǎng)度呈線性降低。在體長(zhǎng)達(dá)到900 mm時(shí)，調(diào)整拉晶 速度為0.4 mm/min，隨后以此拉晶速度繼續(xù)生長(zhǎng)至1000 mm，此后進(jìn) 4亍尾壓榨(tail squeezing)以終止4立晶。
從所產(chǎn)生的Si單晶錠料，以徑向，在對(duì)應(yīng)于體長(zhǎng)分別為300 mm(拉 晶速度約0.475 mm/min)、 500 mm(拉晶速度約0.45 mm/min)和700 mm(拉晶速度約0.425 mm/min)的位置處切割出晶片。
使用硝酸和氫氟酸的混合溶液來使這些晶片經(jīng)受約0.5 mm的蝕 刻處理，以消除由于加工導(dǎo)致的損害，從而形成厚度約3 mm的鏡面 晶片(mirrored wafer)。
對(duì)于所產(chǎn)生的晶片，通過原子空位的定量測(cè)定方法來研究徑向的 原子空位濃度分布。而且，拉晶后的晶片的制備，以及原子空位定量 測(cè)定研究可在約12小時(shí)的短時(shí)間內(nèi)完成。結(jié)果，獲得了如圖3(c)中所示的產(chǎn)品圖案，即，晶片內(nèi)部是Pv區(qū) 域，而其外周部分是Pi區(qū)域的產(chǎn)品圖案。
現(xiàn)在，改變錠料的生產(chǎn)條件以使得產(chǎn)生的Si錠料具有如圖3(b) 所示的產(chǎn)品圖案。
使用與如上所述相同的CZ晶體生長(zhǎng)裝置，在體長(zhǎng)達(dá)到100 mm 時(shí)將拉晶速度調(diào)整到0.55 mm/min，且隨后基本上根據(jù)拉晶長(zhǎng)度呈線 性降低。在體長(zhǎng)達(dá)到900 mm時(shí)將拉晶速度調(diào)整至0.45 mm/min，隨后 以此拉晶速度繼續(xù)生長(zhǎng)至1000 mm，此后進(jìn)行尾壓榨以終止拉晶。
從所產(chǎn)生的Si單晶錠料，以徑向，在對(duì)應(yīng)于體長(zhǎng)分別為300 mm(拉 晶速度約0.525 mm/min)、 500 mm(拉晶速度約0.5 mm/min)和700 mmC拉晶速度約0.475 mm/min)的位置處切割出晶片，通過相同的原 子空位定量測(cè)定方法來研究徑向的原子空位濃度分布，從而確認(rèn)該晶 片是圖3(b)中所示的目標(biāo)產(chǎn)品圖案，其中Si晶片的較大部分是Pv區(qū) 域。
進(jìn)一步地，改變錠料的生產(chǎn)條件以使得產(chǎn)生的Si錠料具有如圖 3(d)所示的產(chǎn)品圖案。
使用與如上所述相同的CZ晶體生長(zhǎng)裝置，在體長(zhǎng)達(dá)到100 mm 時(shí)將拉晶速度調(diào)整到0.45 mm/min，且隨后基本上根據(jù)拉晶長(zhǎng)度呈線 性降低。在體長(zhǎng)達(dá)到900 mm時(shí)將拉晶速度調(diào)整至0.35 mm/min,隨后 以此拉晶速度繼續(xù)生長(zhǎng)至1000 mm，此后進(jìn)行尾壓榨以終止拉晶。
從所產(chǎn)生的Si單晶錠料，以徑向，在對(duì)應(yīng)于體長(zhǎng)分別為300 mm(拉 晶速度約0.425 mm/min)、 500mm(拉晶速度約0.4 mm/min)和700 mm(拉晶速度約0.375 mm/min)的位置處切割出晶片，通過相同的原 子空位定量測(cè)定方法來研究徑向的原子空位濃度分布，從而確認(rèn)該晶 片是圖3(d)中所示的目標(biāo)產(chǎn)品圖案，其中Si晶片的較大部分是Pi區(qū)域。
工業(yè)上的實(shí)用性
如上所述，根據(jù)本發(fā)明，通過借助原子空位的直接觀察法來觀察 樣品中原子空位濃度的分布，可迅速地區(qū)分所生長(zhǎng)出的Si單晶的無缺
ii陷區(qū)域類型，而且通過將獲得的數(shù)據(jù)反饋至后續(xù)拉晶處理，可分開生 產(chǎn)根據(jù)消費(fèi)者需要的具有各種圖案的產(chǎn)品。
權(quán)利要求
1. 一種通過CZ法生產(chǎn)Si單晶錠料的方法，其包括通過原子空位的直接觀察法檢測(cè)晶片徑向的原子空位的濃度分布，其中所述晶片是從以在先拉晶處理生長(zhǎng)出的Si單晶錠料的多個(gè)晶體位置切割出來的，并將所產(chǎn)生的數(shù)據(jù)反饋至后續(xù)拉晶處理以在后續(xù)拉晶中調(diào)整拉晶速度曲線。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1的通過CZ法生產(chǎn)Si單晶錠料的方法，其中 只由Pv型無缺陷區(qū)域構(gòu)成的Si單晶是通過調(diào)整拉晶速度曲線而生長(zhǎng) 的。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1的通過CZ法生產(chǎn)Si單晶錠料的方法，其中 只由Pi型無缺陷區(qū)域構(gòu)成的Si單晶是通過調(diào)整拉晶速度曲線而生長(zhǎng) 的。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1的通過CZ法生產(chǎn)Si單晶錠料的方法，其中由Pv型無缺陷區(qū)域和Pi型無缺陷區(qū)域構(gòu)成的Si單晶是通過調(diào)整拉晶速度曲線而生長(zhǎng)的。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1的通過CZ法生產(chǎn)Si單晶錠料的方法，其中 由R-OSF區(qū)域、Py型無缺陷區(qū)域和Pi無缺陷區(qū)域構(gòu)成的Si單晶是通 過調(diào)整拉晶速度曲線而生長(zhǎng)的。
全文摘要
通過明確地檢測(cè)出以特定拉晶速度曲線生長(zhǎng)出的Si單晶的缺陷區(qū)域或無缺陷區(qū)域的類型，并將數(shù)據(jù)反饋至后續(xù)拉晶，從而使沒有缺陷區(qū)域的Si單晶穩(wěn)定地生長(zhǎng)。在通過CZ法生產(chǎn)Si單晶錠料中，通過原子空位的直接觀察法來檢測(cè)在先生長(zhǎng)出的Si單晶的截面中原子空位的濃度分布，隨后將該濃度分布反饋至后續(xù)拉晶處理以調(diào)整后續(xù)拉晶的拉晶速度曲線。
文檔編號(hào)C30B29/06GK101437988SQ200780016089
公開日2009年5月20日 申請(qǐng)日期2007年3月2日 優(yōu)先權(quán)日2006年3月3日
發(fā)明者后藤輝孝, 寶耒正隆, 根本祐一, 金田寬 申請(qǐng)人:國(guó)立大學(xué)法人新潟大學(xué);勝高股份有限公司