專利名稱：：發(fā)光裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及一般照明、液晶用背光等中使用的發(fā)光裝置，特別是涉及與熒光介質(zhì)相組合、具有較大面積的白色發(fā)光裝置。另外，本發(fā)明涉及一般照明、液晶用背光等照明領(lǐng)域中利用的發(fā)光裝置、特別是有機(jī)電致發(fā)光(EL)發(fā)光裝置。
背景技術(shù)：
：一般照明或(液晶用)背光中使用的發(fā)光裝置期待薄型、結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、可大面積化、均一的面發(fā)光、高效率、高持久性。有機(jī)電致發(fā)光(EL)元件可以獲得薄型且均一面發(fā)光的發(fā)光裝置。特別是專利文獻(xiàn)1等中公知的是將藍(lán)色EL元件的光與熒光層的熒光混合、可以簡(jiǎn)單地獲得白色發(fā)光。專利文獻(xiàn)2中公開(kāi)了具備圖23所示藍(lán)色發(fā)光的發(fā)光元件(薄膜EL元件)130和熒光介質(zhì)(色變換層)120的發(fā)光裝置100。該發(fā)光裝置100在支承基板110上按順序具有熒光介質(zhì)(色變換層)120、發(fā)光元件130，熒光介質(zhì)120和發(fā)光元件130相對(duì)于支承基板110平行。色變換層120由混合分散有將藍(lán)色光能的一部分變換成綠色光能的藍(lán)/綠色光變換材料和將藍(lán)色和綠色光能的各自一部分變換成紅色光能的綠/紅色光變換材料的單層膜構(gòu)成圖23的發(fā)光裝置中，由發(fā)光元件130發(fā)出的光(al+bl，a2+b2)由于發(fā)光元件內(nèi)的光干涉效果的影響，隨觀察角度的不同，發(fā)光光譜不同。而且，發(fā)光元件的光在從正面透過(guò)色變換層120時(shí)(al)和從斜方向透過(guò)時(shí)(a2)，色變換層120中發(fā)光元件的光的透過(guò)距離不同。因此，被色變換層120吸收的光的量不同，由發(fā)光元件130發(fā)出的光在透過(guò)色變換層120時(shí)的透射光強(qiáng)度隨觀察角度而異。如此，即便由色變換層120發(fā)出的熒光(bl，b2)是隨觀察角度熒光光譜、強(qiáng)度不變的各向同性的發(fā)光，由發(fā)光元件130發(fā)出的光(透射光)(al，a2)中由于發(fā)生發(fā)光光譜和發(fā)光強(qiáng)度的視角依賴性，因此在混合有發(fā)光元件的光和由色變換層產(chǎn)生的光的白色光(al+bl，a2+b2)的色調(diào)中會(huì)發(fā)生視角依賴性。結(jié)果，圖23的發(fā)光裝置未必一定能夠獲得均一的面發(fā)光。專利文獻(xiàn)3公開(kāi)了具有藍(lán)綠色發(fā)光的有機(jī)EL發(fā)光元件體、藍(lán)色透過(guò)層、綠色透過(guò)層、吸收藍(lán)綠色發(fā)出含有紅色光的光的熒光變換層、紅色透過(guò)層的有機(jī)EL彩色顯示器。專利文獻(xiàn)3中，EL發(fā)光元件體按照至少覆蓋熒光變換層而形成。該文獻(xiàn)所示的裝置由于是彩色顯示器，因此并未意圖將混合有發(fā)光元件的光和熒光變換層的光(例如白色光)取出到外部。因而，使發(fā)光元件的光被熒光變換層充分地吸收，或者配置紅色透過(guò)層、使用紅色透過(guò)層阻斷發(fā)光元件的漏光。進(jìn)而，不可能在整個(gè)發(fā)光區(qū)域上被覆發(fā)光元件的陽(yáng)極(電極)。即，按照各發(fā)光色選擇地發(fā)光，在各透過(guò)層或熒光變換層上分別將發(fā)光元件的陽(yáng)極(透明電極)圖案化。因此，在本以往技術(shù)中，不僅無(wú)法獲得混合有EL光的透射光和熒光變換層的熒光的發(fā)光裝置(例如白色發(fā)光裝置)，而且不會(huì)出現(xiàn)與視角依賴性有關(guān)的課題。專利文獻(xiàn)4和5中公開(kāi)了使用相鄰(并置)于有機(jī)EL元件的發(fā)光部而形成熒光介質(zhì)(光變換部)的白色發(fā)光裝置。所有發(fā)光元件的電極并未被覆熒光介質(zhì)，而且由于由光變換部產(chǎn)生的水分等的脫氣作用，有機(jī)EL元件會(huì)劣化，具有相對(duì)于白色發(fā)光的視角依賴性的問(wèn)題。另外，由于有機(jī)EL元件具有以下特征為自發(fā)光元件，完全固體元件、有助于輕量化、薄膜化，可以利用直流低電壓進(jìn)行驅(qū)動(dòng)等，因此不僅作為新一代顯示器技術(shù)有所發(fā)展，即便是作為大面積照明技術(shù)，技術(shù)開(kāi)發(fā)也有所發(fā)展。作為有機(jī)EL元件的光取出方式，有底部發(fā)光方式和頂部發(fā)光方式。前者為在透過(guò)性支承基板上形成透明電極，在其上層疊有機(jī)發(fā)光層、對(duì)向電極的構(gòu)成，有機(jī)發(fā)光層所發(fā)出的光在透明支承基板的方向上被取出。另一方面，后者為在支承基板上形成反射電極，層疊有機(jī)發(fā)光層、透明性的對(duì)向電極的構(gòu)成，有機(jī)發(fā)光層所發(fā)出的光在透明性對(duì)向電極的方向上被取出。為了照明技術(shù)的開(kāi)發(fā)，獲得白色發(fā)光的技術(shù)是必要的。作為該技術(shù)之一，有作為有機(jī)發(fā)光層層疊不同的多個(gè)顏色的發(fā)光層，使其白色發(fā)光的技術(shù)。專利文獻(xiàn)6中層疊紅、綠、藍(lán)的3色發(fā)光層，獲得白色發(fā)光元件。另外，專利文獻(xiàn)7公開(kāi)了層疊有處于互補(bǔ)色關(guān)系的2種顏色的白色發(fā)光元件。另一方面，有將來(lái)自有機(jī)發(fā)光元件的發(fā)光和將該發(fā)光的一部分色變換的發(fā)光混合，獲得白色發(fā)光的技術(shù)。專利文獻(xiàn)2中公開(kāi)了在藍(lán)色發(fā)光元件的外側(cè)具備色變換層，色變換層為混合分散有將藍(lán)色變換成綠色的藍(lán)/綠色變換材料、將藍(lán)色變換成紅色的藍(lán)/紅色變換材料的單層膜的技術(shù)。專利文獻(xiàn)8公開(kāi)了含有發(fā)出具有第l光譜的光的有機(jī)發(fā)光元件、將由上述有機(jī)發(fā)光元件發(fā)出的光的一部分吸收且發(fā)出具有第2光譜的光的熒光體層的光源，其特征在于，由上述熒光體層吸收的部分的光并非是由上述有機(jī)發(fā)光元件發(fā)出的光的全部。一般來(lái)說(shuō)，在有機(jī)發(fā)光層的外側(cè)設(shè)置有例如透明電極、蓋層、透明鈍化層等數(shù)個(gè)薄層。由此，在以往的有機(jī)EL裝置中，有機(jī)發(fā)光層發(fā)出的光在到達(dá)觀察者眼睛之前會(huì)通過(guò)設(shè)置在有機(jī)發(fā)光層外側(cè)的上述數(shù)層的薄膜。光在通過(guò)數(shù)層的薄膜時(shí)，會(huì)產(chǎn)生分光(由于各波長(zhǎng)的折射率不同所導(dǎo)致)或聚光(多層膜或布拉格反射膜)。結(jié)果，隨使用者的觀察角度不同，會(huì)發(fā)生光強(qiáng)度的不同或顏色移動(dòng)(colorshift)。其利用面受限(視角依賴性)。專利文獻(xiàn)9中公開(kāi)了將有機(jī)EL發(fā)光層形成為凸?fàn)畈?，由發(fā)光層產(chǎn)生的光的法線方向相對(duì)于球形突出部的表面相垂直的發(fā)光裝置。因此，發(fā)光強(qiáng)度在突出部表面在任何方向上均變得均一，因而無(wú)論觀察者從任何方向觀察該發(fā)光裝置，顏色或光強(qiáng)度均不會(huì)產(chǎn)生差異。另外，在有機(jī)EL中，在來(lái)自發(fā)光介質(zhì)的發(fā)光中，由于支承基板和空氣的折射率差大，因此其全部反射成分和向上下電極的面方向傳播的成分大，按照IT0:2.00、玻璃1.45、發(fā)光層1.60計(jì)算折射率時(shí)，上述成分所帶來(lái)的損失達(dá)到80%。為了改善光取出效率，專利文獻(xiàn)4中公開(kāi)了相鄰于有機(jī)EL發(fā)光部具有光變換部的自發(fā)光裝置。根據(jù)該發(fā)明，對(duì)于前面照射照度而言，由于相鄰于光變換部，可以提高120140%的照度。專利文獻(xiàn)5中公開(kāi)了在不同于發(fā)光介質(zhì)的光取出方向的方向上設(shè)置熒光膜的復(fù)合發(fā)光裝置。該文獻(xiàn)中公開(kāi)了相對(duì)于發(fā)光介質(zhì)的光取出方向處于垂直方向的實(shí)施方式和熒光膜包圍發(fā)光介質(zhì)的實(shí)施方式。專利文獻(xiàn)1日本特開(kāi)平3—152897號(hào)公報(bào)日本特開(kāi)平9一213478號(hào)公報(bào)日本特開(kāi)平10—177895號(hào)公報(bào)日本特開(kāi)平2005—56813號(hào)公報(bào)曰本特開(kāi)平2005—71920號(hào)公報(bào)日本特開(kāi)2004—6165號(hào)公報(bào)日本特幵2002—272857號(hào)公報(bào)曰本特開(kāi)2001—223078號(hào)公報(bào)日本特開(kāi)2005—174914號(hào)公報(bào)本發(fā)明的目的在于提供視角依賴性小的白色發(fā)光裝置。本發(fā)明的其它目的在于提供改善了視角依賴性、發(fā)光效率和光取出效率的有機(jī)EL發(fā)光裝置。專利文獻(xiàn)2專利文獻(xiàn)3專利文獻(xiàn)4專利文獻(xiàn)5專利文獻(xiàn)6專利文獻(xiàn)7專利文獻(xiàn)8專利文獻(xiàn)9
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明提供以下的發(fā)光裝置。1.一種發(fā)光裝置，其在支承基板上具有熒光介質(zhì)和被覆所述熒光介質(zhì)的發(fā)光元件，所述發(fā)光元件具有相互不平行的2個(gè)以上的發(fā)光面將從所述發(fā)光元件發(fā)出的光與所述熒光介質(zhì)發(fā)出的光混合發(fā)出。2.根據(jù)上述l所述的發(fā)光裝置，其中，從相互不平行的2個(gè)以上發(fā)光面發(fā)出的且相對(duì)于發(fā)光面為法線方向的光透過(guò)熒光介質(zhì)時(shí)，熒光介質(zhì)內(nèi)的透過(guò)距離大致相等。3.根據(jù)上述1或2所述的發(fā)光裝置，其中，所述熒光介質(zhì)為凸?fàn)睢?.根據(jù)上述13中任一項(xiàng)所述的發(fā)光裝置，其中，所述發(fā)光元件的一部分被覆所述熒光介質(zhì)，一部分不被覆。5.根據(jù)上述4所述的發(fā)光裝置，還在支承基板設(shè)有凸?fàn)畈炕虬紶畈?，未被覆所述熒光介質(zhì)的發(fā)光元件形成在所述凸?fàn)畈炕虬紶畈可稀?.根據(jù)上述15中任一項(xiàng)所述的發(fā)光裝置，其在支承基板上還具有凸?fàn)畈?，所述熒光介質(zhì)以基本均勻的厚度形成在所述凸?fàn)畈可稀?.根據(jù)上述16中任一項(xiàng)所述的發(fā)光裝置，還在所述發(fā)光元件和所述熒光介質(zhì)之間具有透明阻擋層。8.根據(jù)上述17中任一項(xiàng)所述的發(fā)光裝置，其中，所述發(fā)光元件的透明電極作為透明阻擋層發(fā)揮作用。9.根據(jù)上述18中任一項(xiàng)所述的發(fā)光裝置，其中，在支承基板上設(shè)有凹狀部，所述發(fā)光元件和熒光介質(zhì)形成于所述凹狀部。10.根據(jù)上述19中任一項(xiàng)所述的發(fā)光裝置，其中，從所述發(fā)光元件發(fā)出的光和從所述熒光介質(zhì)發(fā)出的光由支承基板側(cè)被取出。11.根據(jù)上述19中任一項(xiàng)所述的發(fā)光裝置，其中，從所述發(fā)光元件發(fā)出的光和從所述熒光介質(zhì)發(fā)出的光由支承基板的相反側(cè)被取出。12.根據(jù)上述111中任一項(xiàng)所述的發(fā)光裝置，其中，所述熒光介質(zhì)含有納米晶熒光體。13.根據(jù)上述12所述的發(fā)光裝置，其中，所述納米晶熒光體為半導(dǎo)體納米晶。14.根據(jù)上述113中任一項(xiàng)所述的發(fā)光裝置，其中，所述發(fā)光元件為有機(jī)EL元件。15.根據(jù)上述114中任一項(xiàng)所述的發(fā)光裝置，其中，混合了從所述發(fā)光元件發(fā)出的光和從所述熒光介質(zhì)發(fā)出的光的光為白色。16.—種發(fā)光裝置，其在支承基板上具有設(shè)有相互不平行的2個(gè)以上發(fā)光面的發(fā)光元件和熒光介質(zhì)，所述熒光介質(zhì)配置在與取出所述發(fā)光元件發(fā)出的光的方向不同的方向上，將所述發(fā)光元件發(fā)出的光與所述熒光介質(zhì)發(fā)出的光混合發(fā)出。17.根據(jù)上述16所述的發(fā)光裝置，其中，所述發(fā)光元件的表面為凸?fàn)?8.根據(jù)上述16或17所述的發(fā)光裝置，其中，所述熒光介質(zhì)的表面為凸?fàn)睢?9.根據(jù)上述17或18所述的發(fā)光裝置，其中，所述凸?fàn)顬榘肭驙睢?0.根據(jù)上述1619中任一項(xiàng)所述的發(fā)光裝置，其中，所述熒光介質(zhì)被配置在與取出所述發(fā)光元件發(fā)出的光的方向相垂直的方向上。21.根據(jù)上述1620中任一項(xiàng)所述的發(fā)光裝置，其中，在所述支承基板上并列放置2個(gè)以上所述發(fā)光元件，在所述發(fā)光元件之間具有所述熒光介質(zhì)。22.根據(jù)上述1621中任一項(xiàng)所述的發(fā)光裝置，其中，所述熒光介質(zhì)包埋所述發(fā)光元件。23.根據(jù)上述1622中任一項(xiàng)所述的發(fā)光裝置，其層疊有2個(gè)以上所述發(fā)光元件。24.根據(jù)上述1623中任一項(xiàng)所述的發(fā)光裝置，將所述發(fā)光元件發(fā)出的光和所述熒光介質(zhì)發(fā)出的光從所述支承基板側(cè)取出。25.根據(jù)上述1623中任一項(xiàng)所述的發(fā)光裝置，其中，將所述發(fā)光元件發(fā)出的光和所述熒光介質(zhì)發(fā)出的光從所述支承基板的相反側(cè)取出。26.根據(jù)上述1625中任一項(xiàng)所述的發(fā)光裝置，其中，所述熒光介質(zhì)含有納米晶熒光體。27.根據(jù)上述26所述的發(fā)光裝置，其中，所述納米晶熒光體為半導(dǎo)體納米晶。28.根據(jù)上述1627中任一項(xiàng)所述的發(fā)光裝置，其中，混合了所述發(fā)光元件發(fā)出的光和熒光介質(zhì)發(fā)出的光的光為白色。本發(fā)明可以提供視角依賴性小的發(fā)光裝置。另外，本發(fā)明的發(fā)光裝置即便發(fā)光元件的輸入電壓受限，也可以提高每單位面積的發(fā)光亮度。而且，本發(fā)明的發(fā)光裝置由于發(fā)光元件的電極連續(xù)地被覆熒光介質(zhì)，因此可以減少由熒光介質(zhì)產(chǎn)生的水分等對(duì)發(fā)光元件的不良影響。根據(jù)本發(fā)明，可以提供改善了視角依賴性、發(fā)光效率和光取出效率的有機(jī)EL發(fā)光裝置。圖1為表示本發(fā)明第l方式發(fā)光裝置的實(shí)施方式l的截面圖。圖2為CIE—色度圖。圖3為表示本發(fā)明第l方式發(fā)光裝置的其它實(shí)施方式的截面圖。圖4為表示本發(fā)明第l方式發(fā)光裝置的其它實(shí)施方式的截面圖。圖5為表示本發(fā)明第l方式發(fā)光裝置的其它實(shí)施方式的截面圖。10圖6為表示本發(fā)明第l方式發(fā)光裝置的其它實(shí)施方式的截面圖。圖7為表示本發(fā)明第l方式發(fā)光裝置的其它實(shí)施方式的截面圖。圖8為表示本發(fā)明第1方式發(fā)光裝置的實(shí)施方式2的截面圖。圖9為表示本發(fā)明第l方式發(fā)光裝置的其它實(shí)施方式的截面圖。圖10為表示本發(fā)明第l方式發(fā)光裝置的其它實(shí)施方式的截面圖。圖ll為表示本發(fā)明第1方式發(fā)光裝置的實(shí)施方式3的截面圖。圖12為表示本發(fā)明第l方式發(fā)光裝置的其它實(shí)施方式的截面圖，(a)為頂部發(fā)光型、(b)為底部發(fā)光型。圖13(a)為表示以圖l的發(fā)光裝置l作為基本單元、連續(xù)地排列的發(fā)光裝置的截面圖，(b)為表示以圖4的發(fā)光裝置3作為基本單元、連續(xù)地排列的發(fā)光裝置的截面圖，(c)為表示以圖8的發(fā)光裝置7作為基本單元、連續(xù)地排列的發(fā)光裝置的截面圖，(d)為表示以圖9的發(fā)光裝置8作為基本單元、連續(xù)地排列的發(fā)光裝置的截面圖，(e)為表示以圖10的發(fā)光裝置9作為基本單元、連續(xù)地排列的發(fā)光裝置的截面圖。圖14(a)為表示本發(fā)明第2方式發(fā)光裝置的實(shí)施方式1的截面圖、(b)為表示實(shí)施方式l的發(fā)光裝置的發(fā)光面的截面圖。圖15為表示本發(fā)明第2方式的發(fā)光裝置的其它實(shí)施方式的截面圖圖16為表示本發(fā)明第2方式的發(fā)光裝置的其它實(shí)施方式的截面圖圖17為表示本發(fā)明第2方式的發(fā)光裝置的其它實(shí)施方式的截面圖圖18為表示本發(fā)明第2方式的發(fā)光裝置的實(shí)施方式2的截面圖。圖19為表示本發(fā)明第2方式的發(fā)光裝置的其它實(shí)施方式的截面圖圖20(a)為表示以圖14(a)的發(fā)光裝置l作為基本單元、連續(xù)地排列的發(fā)光裝置的截面圖，(b)為表示以圖17的發(fā)光裝置2作為基本單元、連續(xù)地排列的發(fā)光裝置的截面圖，(c)為表示以圖18的發(fā)光裝置3作為基本單元、連續(xù)地排列的發(fā)光裝置的截面圖，(d)為表示以圖19的發(fā)光裝置4作為基本單元、連續(xù)地排列的發(fā)光裝置的截面圖。ii圖21為實(shí)施例10所制作的凸部和熒光介質(zhì)的圖案圖。圖22為表示實(shí)施例15中制作的發(fā)光裝置的縱方向的圖。圖23為表示以往發(fā)光裝置的截面圖。具體實(shí)施例方式以下參照附圖詳細(xì)地說(shuō)明本發(fā)明第l方式的發(fā)光裝置。圖l為表示本發(fā)明第l方式的發(fā)光裝置的實(shí)施方式l的截面圖。如圖1所示，發(fā)光裝置1在支承基板10上配置半圓狀截面形狀的熒光介質(zhì)(色變換層)20、再使用發(fā)光元件30被覆熒光介質(zhì)20。熒光介質(zhì)的形狀只要具有半圓的截面即可，可以是半球狀也可以是半圓柱狀。本發(fā)明中，"進(jìn)行被覆"是指發(fā)光元件30面對(duì)熒光介質(zhì)20的上面和側(cè)面密合或相鄰地連續(xù)配置。發(fā)光元件30為由第一電極31、有機(jī)發(fā)光介質(zhì)32、第二電極33構(gòu)成的有機(jī)EL元件。優(yōu)選使第一電極31為防止來(lái)自熒光介質(zhì)20的氣體或水分等浸入到發(fā)光元件30內(nèi)的透明電極。g卩，通過(guò)發(fā)光元件30的透明電極將熒光介質(zhì)20完全被覆，可以更加完全地阻斷熒光介質(zhì)20中的劣化成分、提高發(fā)光元件30的持久性。作為這種透明電極優(yōu)選非晶質(zhì)的膜。可以形成致密的膜、阻擋性提高發(fā)光裝置1中，由于發(fā)光元件30的一截面被覆半圓狀的熒光介質(zhì)20，因此發(fā)光元件30具有A、B等多個(gè)相互不平行的發(fā)光面。本發(fā)明中，"發(fā)光面"是指相對(duì)于熒光介質(zhì)20以直角入射發(fā)光的發(fā)光元件30的面，當(dāng)發(fā)光元件30與熒光介質(zhì)20相接觸時(shí)，為發(fā)光元件30相對(duì)于熒光介質(zhì)20的接觸面。該發(fā)光裝置1將發(fā)光元件30直接發(fā)出的光(xl，x2)與將來(lái)自發(fā)光元件30的光變換由熒光介質(zhì)20所發(fā)出的光(熒光)(yl，y2)混合，從支承基板10側(cè)進(jìn)行發(fā)光(xl+yl，x2+y2)。所混合的發(fā)光色優(yōu)選為白色。通過(guò)為白色，可適用于一般照明、液晶背光等。這里，白色是指圖2所示CIE色度圖的白色區(qū)域。發(fā)光裝置1中，由于發(fā)光元件30被覆具有半圓狀截面形狀的熒光介質(zhì)20上，因此發(fā)光元件30即便改變觀察角度，發(fā)光元件30的發(fā)光光譜的變化也很少。進(jìn)而，通過(guò)為圖l的構(gòu)成，例如由發(fā)光面A發(fā)出的光(X2)通過(guò)熒光介質(zhì)20的距離與由發(fā)光面B發(fā)出的光(xl)通過(guò)熒光介質(zhì)20的距離大致相等(基本相等)。這里，"大致相等"是指由2個(gè)以上發(fā)光面發(fā)出的光通過(guò)熒光介質(zhì)20的距離之比為0.81.2。脫離該范圍時(shí)，有發(fā)光元件的透射光強(qiáng)度的不均增大，視角依賴性增大(色度變化超過(guò)O.Ol)的顧慮。通過(guò)使通過(guò)熒光介質(zhì)20的距離基本相等，由發(fā)光面A發(fā)出的光(x2)通過(guò)熒光介質(zhì)20后的透射光強(qiáng)度與由發(fā)光面B發(fā)出的光(xl)通過(guò)熒光介質(zhì)20后的透射光強(qiáng)度變得大致相等。而且，被發(fā)光元件30所發(fā)出的光激發(fā)的由熒光介質(zhì)20發(fā)出的熒光(yl，y2)的光譜和強(qiáng)度大致相等(各向同性)，因此混合有由發(fā)光元件30發(fā)出的光(透過(guò)熒光介質(zhì)的光)(xl,x2)和由熒光介質(zhì)20發(fā)出的熒光(yl，y2)的光(xl+yl，x2+y2)由于觀察角度所導(dǎo)致的光譜變化和發(fā)光強(qiáng)度變化很小，因此色變化小(視角依賴性小)。因而，可以獲得能夠進(jìn)行基本均勻面發(fā)光的發(fā)光裝置。熒光介質(zhì)20的熒光體可以是有機(jī)熒光體、無(wú)機(jī)熒光體的任一種，特別優(yōu)選納米晶熒光體。納米晶熒光體是指由納米粒子(粒徑l約50nm)構(gòu)成的熒光體。由于粒子小，因此透明性高、光散射損失小，因而發(fā)光裝置的發(fā)光效率增高納米晶熒光體優(yōu)選為半導(dǎo)體納米晶。半導(dǎo)體納米晶的吸收系數(shù)大、熒光效率高。因此，能夠?qū)晒饨橘|(zhì)薄膜化，可以減小熒光介質(zhì)上的發(fā)光元件的變形。因而可獲得缺陷少的發(fā)光裝置。上述發(fā)光裝置l的取出光的方向?yàn)橹С谢鍌?cè)(底部發(fā)光型)。為這種底部發(fā)光型時(shí)，優(yōu)選在發(fā)光元件30的支承基板10的相反側(cè)上存在反射層(反射電極)(未圖示)。例如第二電極33可以兼作反射電極。予以說(shuō)明，本實(shí)施方式中，雖然熒光介質(zhì)的截面形狀為半圓狀，但如以下實(shí)施方式所示，熒光介質(zhì)的形狀并非局限于此。熒光介質(zhì)的截面形狀只要具有成為半圓、梯形、環(huán)狀等凸?fàn)畹牟糠旨纯?。由此，可以使至?個(gè)不同的角度下可透過(guò)熒光介質(zhì)的發(fā)光元件的發(fā)光光譜一致。例如，如圖3所示，發(fā)光裝置2的熒光介質(zhì)20的截面形狀為梯形狀，具有3個(gè)發(fā)光面A、B、C。由于這些發(fā)光面相互不平行，因此可以在3個(gè)不同的角度下集中可透過(guò)熒光介質(zhì)的發(fā)光元件的發(fā)光光譜。另外，如圖4所示，發(fā)光裝置3的熒光介質(zhì)20與發(fā)光元件30—起相對(duì)于支承基板10的面平行地延伸形成。由于熒光介質(zhì)20的一部分為半圓的截面形狀，因此可以減小發(fā)光裝置3的視角依賴性。另外，由于熒光介質(zhì)20的存在面積增大，因此對(duì)于發(fā)光裝置的發(fā)光而言，可以相對(duì)地增強(qiáng)熒光介質(zhì)20所發(fā)出的光，能夠調(diào)整發(fā)光色。進(jìn)而，如圖5所示，發(fā)光裝置4在支承基板10上設(shè)有截面為半圓形狀的凸部40。形成在凸部40上的熒光介質(zhì)20的厚度大致均一。這里，"大致均一"是指熒光介質(zhì)20的厚度不均為±20%以內(nèi)。當(dāng)熒光介質(zhì)20的厚度不均超過(guò)±20%時(shí)，有發(fā)光元件的透射光強(qiáng)度的不均增大、視角依賴性增大(色度變化超過(guò)O.Ol)的顧慮。另外，如圖6所示，發(fā)光裝置5的凸部40、熒光介質(zhì)20、發(fā)光元件30的截面為梯形狀。形成在凸部40上的熒光介質(zhì)20的厚度大致均一。發(fā)光裝置4、5中，通過(guò)使熒光介質(zhì)20的厚度大致均一，不僅可以使透過(guò)熒光介質(zhì)20的發(fā)光元件30的發(fā)光光譜均一化、還可使透過(guò)強(qiáng)度均一化(透過(guò)距離的均一化)，因此優(yōu)選。而且，如圖7所示，發(fā)光裝置6在熒光介質(zhì)20和發(fā)光元件30之間具有透明阻擋層50。通過(guò)設(shè)置透明阻擋層50，可以阻斷熒光介質(zhì)20中所含的水分、氧、低分子成分等發(fā)光元件的劣化成分，提高發(fā)光元件30的持久性，因此優(yōu)選。本實(shí)施方式中，發(fā)光元件沒(méi)有形成在未形成有熒光介質(zhì)的支承基板上，但如以下實(shí)施方式所示，也可以將發(fā)光元件形成在未形成有熒光介質(zhì)的支承基板上。圖8為表示本發(fā)明第1形式發(fā)光裝置的實(shí)施方式2的截面圖。如圖8所示，發(fā)光裝置7在發(fā)光元件30也形成于未形成熒光介質(zhì)20的支承基板10上的方面與實(shí)施方式1的發(fā)光裝置1不同。即，發(fā)光元件30的一部分被覆熒光介質(zhì)20，但一部分未被覆。發(fā)光元件30朝向支承基板10發(fā)出的光即便由于發(fā)光元件30的干涉效果而引起發(fā)光色的視角依賴性，因?yàn)榘l(fā)光元件30的發(fā)光面A和發(fā)光面B不平行，因此發(fā)光裝置7整體的視角依賴性有所減小(至少相比較于發(fā)光面平行的情況，視角依賴性也有所改善)。進(jìn)而，與發(fā)光裝置1同樣地從熒光介質(zhì)20的側(cè)面入射的光的一部分被.利用于熒光介質(zhì)20的光變換，相比較于發(fā)光裝置l，從側(cè)面入射的光增多，因此由熒光介質(zhì)20發(fā)出的熒光強(qiáng)度增高。另外，圖9所示的發(fā)光裝置8在支承基板10上與熒光介質(zhì)20相鄰的位置上設(shè)有凹部70，結(jié)果發(fā)光元件30的形狀為凹狀。該裝置8中，發(fā)光元件30形成在支承基板10的凹部70以及熒光介質(zhì)20上。另外，如圖10所示，發(fā)光裝置9在支承基板10上與熒光介質(zhì)20相鄰的位置上設(shè)置凸部80，結(jié)果發(fā)光元件30的形狀為凸?fàn)?。該裝置9中，發(fā)光元件30形成在支承基板10的凸部80以及熒光介質(zhì)20上。發(fā)光裝置8、9中，由支承基板10上的發(fā)光元件30發(fā)出的光即便改變觀察角度，發(fā)光光譜變化也小，因此發(fā)光裝置8、9整體的發(fā)光的視角依賴性與發(fā)光裝置7相比，有所改善。在之前的實(shí)施方式中，發(fā)光裝置為底部發(fā)光型，但如以下的實(shí)施方式所示，還可以是將光從支承基板的相反側(cè)取出的頂部發(fā)光型。為頂部發(fā)光型時(shí)，優(yōu)選在發(fā)光元件的支承基板側(cè)存在反射層。圖11為表示本發(fā)明第1形式的發(fā)光裝置的實(shí)施方式3的截面圖。如圖11所示，發(fā)光裝置11在支承基板10上設(shè)有反射層90，利用反射層90將來(lái)自熒光介質(zhì)20和發(fā)光元件30的發(fā)光反射，從支承基板10的相反側(cè)取出(頂部發(fā)光型)，在此方面與實(shí)施方式l、2的發(fā)光裝置(底部發(fā)光型)不同。為這種頂部發(fā)光型時(shí)，發(fā)光元件優(yōu)選為兩面發(fā)光元件。由于發(fā)光元件30的發(fā)光面A和發(fā)光面B相互不平行，因此向支承基板IO的相反側(cè)發(fā)出的光成為隨角度不同、發(fā)光光譜不會(huì)不同的均勻的各向同性的發(fā)光。另一方面，向發(fā)光面A和發(fā)光面B的支承基板10側(cè)發(fā)出的光激發(fā)熒光介質(zhì)20，熒光介質(zhì)20發(fā)出熒光。該熒光由反射層90反射，被放射到與支承基板10的相反側(cè)。至少混合有發(fā)光元件30的光和熒光介質(zhì)20的熒光的光與發(fā)光面A和發(fā)光面B平行的情況相比，視角依賴性有所減小。而且，如圖12(a)所示的發(fā)光裝置12，可以在支承基板10上設(shè)置凹部72、按順序?qū)l(fā)光元件30和熒光介質(zhì)20埋入在支承基板10內(nèi)，將光從支承基板10的相反側(cè)取出(頂部發(fā)光型)。另外，如圖12(b)所示的發(fā)光裝置13，可以在發(fā)光裝置12中使發(fā)光元件30為兩面發(fā)光元件、設(shè)置反射層90，將光從支承基板10側(cè)取出(底部發(fā)光型)。進(jìn)而，以上的實(shí)施方式中，發(fā)光元件為有機(jī)EL元件，但并非局限于此，還可以是無(wú)機(jī)EL、LED等。但是，通過(guò)使發(fā)光元件為有機(jī)EL元件，通過(guò)在低電壓下選擇發(fā)光材料、周邊材料、元件構(gòu)成等，發(fā)光光譜的調(diào)整變得容易。予以說(shuō)明，之前的發(fā)光裝置僅圖示了本發(fā)明的特征部分，除此之外，還可以含有密封材料等。本發(fā)明第1形式的發(fā)光裝置含有至少1個(gè)實(shí)施方式13所示的發(fā)光裝置19、1113作為基本單元，通常成為重復(fù)該基本單元的構(gòu)成。具體例子示于圖13中。圖13(a)為以圖l的發(fā)光裝置l為基本單元、連續(xù)地排列的發(fā)光裝置圖13(b)為以圖4的發(fā)光裝置3為基本單元、連續(xù)地排列的發(fā)光裝置圖13(c)為以圖8的發(fā)光裝置7為基本單元、連續(xù)地排列的發(fā)光裝置圖13(d)為以圖9的發(fā)光裝置8為基本單元、連續(xù)地排列的發(fā)光裝置圖13(e)為以圖10的發(fā)光裝置9為基本單元、連續(xù)地排列的發(fā)光裝置這里，各單元的熒光介質(zhì)可以相同，也可不同。通過(guò)這些各單元的重復(fù)，可以獲得總體上沒(méi)有視角依賴性的發(fā)光裝置除此之外，上述的發(fā)光裝置即便限定發(fā)光裝置的驅(qū)動(dòng)電壓，每單位顯示面積的發(fā)光元件的發(fā)光面積增大，因此可以提高每單位面積的發(fā)光亮度以下，說(shuō)明本發(fā)明的第2形式。本發(fā)明第2形式的發(fā)光裝置在支承基板上有具有相互不平行的2個(gè)以上發(fā)光面的發(fā)光元件和熒光介質(zhì)。當(dāng)將發(fā)光元件形成為凹凸?fàn)顣r(shí)，可以具有相互不平行的2個(gè)以上的發(fā)光面。熒光介質(zhì)配置在與取出發(fā)光元件所發(fā)之光的方向不同的方向上。不同的方向可以為2個(gè)以上。另外，熒光介質(zhì)可以至少配置在與取出光的方向不同的方向上，還可以配置在取出光的方向上。發(fā)光裝置將發(fā)光元件所發(fā)出的光和熒光介質(zhì)所發(fā)出的熒光混合而發(fā)光。以下，參照附圖詳細(xì)地說(shuō)明本發(fā)明第2行式的發(fā)光裝置。圖14(a)為表示本發(fā)明第2行式的發(fā)光裝置的實(shí)施方式1的截面圖。如圖14(a)所示，發(fā)光裝置1設(shè)有在支承基板10上設(shè)有凸部20，在該凸部20上設(shè)有按順序?qū)盈B下部電極32、發(fā)光介質(zhì)34、上部電極36而成的發(fā)光元件30。進(jìn)而，在支承基板10上的凸部20以外的部分上設(shè)有熒光介質(zhì)40發(fā)光元件30的表面由凸部20形成，發(fā)光元件30如圖14(b)所示，具有A、B等多個(gè)相互不平行的發(fā)光面。S卩，本實(shí)施方式中，通過(guò)在支承基板10上形成凸部20形成具有相互不平行的發(fā)光面的發(fā)光元件30。本發(fā)明的第2形式中，"發(fā)光面"是指相對(duì)于凸部20直角地入射發(fā)光的發(fā)光元件30的面，當(dāng)發(fā)光元件30與凸部20相接觸時(shí)，為發(fā)光元件30相對(duì)于凸部20的接觸面。該發(fā)光裝置l中，發(fā)光元件30等方向地發(fā)出光。將支承基板10側(cè)發(fā)出的光x,直接取出到外面。熒光介質(zhì)40側(cè)發(fā)出的光X2、X3被熒光介質(zhì)40變換，在等方向上發(fā)出變換光。將支承基板10側(cè)發(fā)出的變換光y取出到外面。將發(fā)光元件30所發(fā)出的光x,和熒光介質(zhì)40所發(fā)出的光(熒光)y混合，由支承基板10側(cè)發(fā)出?；旌仙珒?yōu)選為白色。通過(guò)為白色，可以優(yōu)選地適用于一般照明、液晶背光等。發(fā)光元件30和熒光介質(zhì)40發(fā)出藍(lán)色、綠色和紅色的光時(shí)，可以使混合光為白色。發(fā)光元件30和熒光介質(zhì)40所發(fā)出的光的顏色組合并無(wú)特別限定，優(yōu)選發(fā)光元件發(fā)出藍(lán)綠色的光，熒光介質(zhì)發(fā)出紅色的光。圖14(a)所示的發(fā)光裝置l中，發(fā)光介質(zhì)34、上部電極36形成至凸部20以外的部分，但也可以僅為凸部20上。相反，下部電極32可以在支承基板上延長(zhǎng)。此時(shí)，由于在下部電極和上部電極之間挾持絕緣性的熒光介質(zhì)，因此發(fā)光元件僅在凸部上發(fā)光。作為熒光介質(zhì)40的熒光體，可以是有機(jī)熒光體、無(wú)機(jī)熒光體的任一種，特別優(yōu)選納米晶熒光體。納米晶熒光體是指由納米粒子(粒徑l約50nm)構(gòu)成的熒光體。由于粒子小，因此透明性高、光散射損失小，因而發(fā)光裝置的發(fā)光效率增高納米晶熒光體優(yōu)選為半導(dǎo)體納米晶。半導(dǎo)體納米晶的吸收系數(shù)大、熒光效率高。因此，可以將熒光介質(zhì)薄膜化，可以減小熒光介質(zhì)上的發(fā)光元件的變形。因而，可以獲得缺陷少的發(fā)光裝置。發(fā)光裝置l的取出光的方向(Xl，y)為支承基板側(cè)(底部發(fā)光型)。為這種底部發(fā)光型時(shí)，優(yōu)選在發(fā)光元件30的支承基板10的相反側(cè)上存在反射層(未圖示)。通常，使支承基板10為透明基板、使下部電極32為透明電極、使上部電極36為反射電極。本實(shí)施方式中，凸部20的截面為半圓狀，例如為半球狀、筒狀。優(yōu)選凸部20為半球狀。凸部20的形狀，即發(fā)光元件的形狀并非局限于半圓狀，發(fā)光元件的截面形狀可以具有成為梯形、環(huán)狀等凸?fàn)畹牟糠帧＠纾鐖D15所示，發(fā)光元件30的截面形狀為梯形狀，具有3個(gè)發(fā)光面A、B、C。這些發(fā)光面由于相互不平行，因此可以在3個(gè)不同的角度下集中發(fā)光元件的發(fā)光光譜。發(fā)光裝置1的發(fā)光元件30由1個(gè)層疊體30構(gòu)成，如圖16所示，可以由2個(gè)以上層疊體32、34構(gòu)成。通過(guò)由2個(gè)以上的層疊體構(gòu)成，2色以上的發(fā)光元件的混色也成為可能。另外，發(fā)光元件30可以是同一的發(fā)光色、還可以是2個(gè)以上的發(fā)光色。本實(shí)施方式的發(fā)光裝置l為底部發(fā)光型，但例如還可以是圖17所示的將光從支承基板10相反側(cè)取出的頂部發(fā)光型。圖17所示的裝置2中，使下部電極32為反射電極，形成在支承基板10上。在下部電極32的上面形成熒光介質(zhì)40，進(jìn)而形成發(fā)光介質(zhì)34和上部電極36，形成發(fā)光元件30。為頂部發(fā)光型時(shí)，通常上部電極36為透明電極。圖17所示的發(fā)光裝置2中，發(fā)光介質(zhì)34、上部電極36僅形成在凸部20上，但發(fā)光介質(zhì)34或上部電極36可以形成至凸部20以外的部分。作為以大面積的照明用途的技術(shù)，重要的是組合進(jìn)行EL元件的視角改善和光取出的改善。如本實(shí)施方式所示，通過(guò)使發(fā)光元件的發(fā)光面為突起狀、優(yōu)選球形狀，可以尋求視角的改善，而且通過(guò)在突起狀發(fā)光元件周圍并置熒光介質(zhì)，可以取出在面方向上傳播的成分。圖18為表示本發(fā)明第2形式的發(fā)光裝置的實(shí)施方式2的截面圖。本裝置3中，通過(guò)將熒光介質(zhì)40形成為凸?fàn)?、在其上形成發(fā)光元件30，形成具有相互不平行的發(fā)光面的發(fā)光元件30。進(jìn)而，通過(guò)上部電極36進(jìn)行平坦化。予以說(shuō)明，該發(fā)光裝置3為底部發(fā)光型，為頂部發(fā)光型者為圖19所示的發(fā)光裝置4。該圖所示的發(fā)光裝置4在熒光介質(zhì)40包埋發(fā)光元件30的方面與實(shí)施方式1大大不同。該裝置中，通過(guò)將反射性的下部電極形成為凸?fàn)?，在其上形成發(fā)光元件，形成具有相互不平行的發(fā)光面的發(fā)光元件30。如上述的發(fā)光裝置4所示，通過(guò)制成將發(fā)光元件包埋于熒光介質(zhì)的構(gòu)成-由于熒光介質(zhì)覆蓋了發(fā)光元件整體，因此可期待作為元件整體的效率改善。發(fā)光裝置通常為含有至少l個(gè)上述實(shí)施方式所示發(fā)光裝置l、2、3、4作為基本單元，重復(fù)該基本單元而構(gòu)成。具體例子示于圖20。圖20(a)為以圖14(a)的發(fā)光裝置l為基本單元、連續(xù)地排列的發(fā)光裝置。圖20(b)為以圖17的發(fā)光裝置2為基本單元、連續(xù)地排列的發(fā)光裝置圖20(c)為以圖18的發(fā)光裝置3為基本單元、連續(xù)地排列的發(fā)光裝置圖20(d)為以圖19的發(fā)光裝置4為基本單元、連續(xù)地排列的發(fā)光裝置這里，各單元的熒光介質(zhì)可以相同也可不同。通過(guò)這些各單元的重復(fù)，獲得整體上沒(méi)有視角依賴性的發(fā)光裝置。另外，上述發(fā)光裝置即便限定發(fā)光裝置的驅(qū)動(dòng)電壓，由于每單位顯示面積的發(fā)光元件的發(fā)光面積增大，因此可以提高每單位面積的發(fā)光亮度。接著，說(shuō)明構(gòu)成本發(fā)明發(fā)光裝置的各構(gòu)件。1.發(fā)光元件發(fā)光元件優(yōu)選可獲得面狀發(fā)光的EL元件。EL元件為在2個(gè)電極之間挾持發(fā)光層的構(gòu)成。通過(guò)在電極間施加電壓，發(fā)光層發(fā)光，成為面狀發(fā)光元件。作為EL元件有無(wú)機(jī)EL元件和有機(jī)EL元件，本發(fā)明中，更優(yōu)選驅(qū)動(dòng)電壓低、根據(jù)發(fā)光層的種類可獲得各種發(fā)光色的有機(jī)EL元件。以下說(shuō)明有機(jī)EL元件。有機(jī)EL以以下所示的構(gòu)成為基本構(gòu)造。第一電極/有機(jī)發(fā)光介質(zhì)/第二電極以下說(shuō)明各構(gòu)成。(1)有機(jī)發(fā)光介質(zhì)有機(jī)發(fā)光介質(zhì)可以定義為電子與空穴再結(jié)合、含有能夠進(jìn)行EL發(fā)光的有機(jī)發(fā)光層的介質(zhì)。該有機(jī)發(fā)光介質(zhì)例如可以在第一電極上層疊以下各層而構(gòu)成。(i)有機(jī)發(fā)光層(ii)空穴注入層/有機(jī)發(fā)光層(iii)有機(jī)發(fā)光層/電子注入層(iv)空穴注入層/有機(jī)發(fā)光層/電子注入層(v)有機(jī)半導(dǎo)體層/有機(jī)發(fā)光層(vi)有機(jī)半導(dǎo)體層/電子阻擋層/有機(jī)發(fā)光層(vii)空穴注入層/有機(jī)發(fā)光層/附著改善層20這些中，(iv)的構(gòu)成可以獲得更高的發(fā)光亮度，由于持久性也優(yōu)異，因此通常優(yōu)選使用。(a)藍(lán)色發(fā)光層藍(lán)系發(fā)光層通常由主材料和藍(lán)色系摻雜物構(gòu)成。主材料優(yōu)選為苯乙烯衍生物、蒽衍生物或芳香族胺。苯乙烯衍生物特別優(yōu)選選自二苯乙烯衍生物、三苯乙烯衍生物、四苯乙烯衍生物和苯乙烯胺衍生物中的至少l種。蒽衍生物優(yōu)選為非對(duì)稱蒽系化合物。芳香族胺優(yōu)選為具有24個(gè)被芳香族取代的氮原子的化合物，特別優(yōu)選具有24個(gè)被芳香族取代的氮原子、且具有至少l個(gè)烯基的化合物。作為藍(lán)色系摻雜物，藍(lán)色系摻雜物優(yōu)選選自苯乙烯胺、胺取代苯乙烯化合物、胺取代稠合芳香族環(huán)和含稠合芳香族環(huán)的化合物中的至少l種。此時(shí)，藍(lán)色系摻雜物可以由不同的多個(gè)化合物構(gòu)成。上述苯乙烯胺和胺取代苯乙烯化合物可以舉出下述通式〔1〕〔2)所示的化合物，上述含稠合芳香族環(huán)的化合物可以舉出下述通式(3)所示的化合物。(式中，Ar5、Ar6和Ar'各自獨(dú)立地表示碳原子數(shù)640的取代或無(wú)取代的芳香族基團(tuán)，這些中的至少l個(gè)含有苯乙烯基，p表示l3的整數(shù)。)〔式中，Ar's及t/Ar'6各自獨(dú)立地表示碳原子數(shù)630的亞芳基，E'和E2各自獨(dú)立地表示碳原子數(shù)630的芳基或烷基、氫原子或氰基，q表示l3的整數(shù)。U和/或V為含有氨基的取代基，該氨基優(yōu)選為芳基氨基。〕(A"〔3〕〔式中，A表示碳原子數(shù)l16的垸基或烷氧基、碳原子數(shù)630的取代或未取代的芳基、碳原子數(shù)630的取代或未取代的垸基氨基、或碳原子數(shù)630的取代或未取代的芳基氨基，B表示碳原子數(shù)1040的稠合芳香族環(huán)基，r表示l4的整數(shù)。)(b)綠色系發(fā)光層綠色系發(fā)光層從抑制連續(xù)照明時(shí)的色變化的觀點(diǎn)出發(fā)，主材料優(yōu)選使用與在藍(lán)色系發(fā)光層中所用主材料相同的材料。摻雜物優(yōu)選為下述式(4)所示的、取代蒽構(gòu)造與被具有取代基的苯環(huán)取代的胺構(gòu)造連接的芳香族胺衍生物。(式中，A'和A2各自獨(dú)立地表示氫原子、取代或無(wú)取代的碳數(shù)110的烷基、取代或無(wú)取代的環(huán)碳數(shù)550的芳基、取代或無(wú)取代的環(huán)碳數(shù)320的環(huán)烷基、取代或無(wú)取代的碳數(shù)110的垸氧基、取代或無(wú)取代的環(huán)碳數(shù)550的芳基氧基、取代或無(wú)取代的環(huán)碳數(shù)550的芳基氨基、取代或無(wú)取代的碳數(shù)110的烷基氨基或鹵原子，p和q分別為l5的整數(shù)，s為l9的整數(shù)。p和q分別為2以上時(shí)，多個(gè)A1、A2可以分別相同或不同，還可以相互連接形成飽和或不飽和的環(huán)。沒(méi)有A'和A2兩者為氫原子的情況。R'表示取代或無(wú)取代的碳數(shù)310的仲或叔烷基，t為l9的整數(shù)。t為2以上時(shí)，多個(gè)R'可以相同也可不同。R2為氫原子、取代或無(wú)取代的碳數(shù)110的垸基、取代或無(wú)取代的環(huán)碳數(shù)550的芳基、取代或無(wú)取代的環(huán)碳數(shù)320的環(huán)烷基、取代或無(wú)取代的碳數(shù)110的烷氧基、取代或無(wú)取代的環(huán)碳數(shù)550的芳基氧基、取代或無(wú)取代的環(huán)碳數(shù)550的芳基氨基、取代或無(wú)取代的碳數(shù)110的垸基氨基或鹵原子，u為08的整數(shù)。u為2以上時(shí)，多個(gè)R2可以相同也可不同。s+t+u為210的整數(shù)。)(c)橙色紅色系發(fā)光層從抑制連續(xù)照明時(shí)的色變化的觀點(diǎn)出發(fā)，主材料優(yōu)選使用與藍(lán)色系發(fā)光層所用主材料相同的材料。摻雜物可以使用具有至少一個(gè)熒蒽骨架或茈骨架的熒光性化合物，例如可以舉出下述式〔5)所示的化合物。(式中，X2'X24各自獨(dú)立地表示碳原子數(shù)120的垸基、取代或無(wú)取代的碳原子數(shù)630的芳基，X"和X22和/或X23和X24可以借助碳一碳鍵或一0—、一S—鍵合。X25X36為氫原子，直鏈、支鏈或環(huán)狀的碳原子數(shù)120的垸基，直鏈、支鏈或環(huán)狀的碳原子數(shù)120的垸氧基，取代或無(wú)取代的碳原子數(shù)630的芳基，取代或無(wú)取代的碳原子數(shù)630的芳基氧基，取代或無(wú)取代的碳原子數(shù)630的芳基氨基，取代或無(wú)取代的碳原子數(shù)130的垸基氨基，取代或無(wú)取代的碳原子數(shù)730的芳基垸基氨基或取代或無(wú)取代碳原子數(shù)830的烯基，相鄰取代基和X25X36可以鍵合形成環(huán)狀構(gòu)造。優(yōu)選各式中的取代基X25X36的至少1個(gè)含有胺或烯基。)藍(lán)色系發(fā)光層的膜厚優(yōu)選為530nm、更優(yōu)選為520nm。小于5rnn時(shí)，有發(fā)光層形成變難、色度的調(diào)整變難的顧慮；超過(guò)30nm時(shí)，有驅(qū)動(dòng)電壓上升的顧慮。綠色系發(fā)光層的膜厚優(yōu)選為530nm、更優(yōu)選為520nm。小于5nm時(shí)，有發(fā)光效率降低的顧慮；超過(guò)30nm時(shí)，有驅(qū)動(dòng)電壓上升的顧慮。橙色紅色系發(fā)光層的膜厚優(yōu)選為540nm、更優(yōu)選為1030nm。小于5nm時(shí)，有發(fā)光效率降低的顧慮；超過(guò)30nm時(shí)，有驅(qū)動(dòng)電壓上升的顧慮(d)空穴注入層另外，在有機(jī)發(fā)光介質(zhì)的空穴注入層中優(yōu)選使用在施加1X104lX106V/cm范圍的電壓時(shí)測(cè)定的空穴遷移率為lXl(T6cmVV秒以上、離子化能量為5.5eV以下的化合物。通過(guò)設(shè)置這種空穴注入層，向有機(jī)發(fā)光層的空穴注入變得良好，可獲得高的發(fā)光亮度，或者能夠低電壓驅(qū)動(dòng)。作為這種空穴注入層的構(gòu)成材料，具體地可以舉出卟啉化合物、芳香族叔胺化合物、苯乙烯胺化合物、芳香族二甲川系化合物、稠合芳香族環(huán)化合物，例如4，4'一雙[N—(1—萘基)—N—苯基氨基]聯(lián)苯(略記為NPD。)、4，4，，4，，一三[N—(3—甲基苯基)一N—苯基氨基]三苯基胺(略記為MTDATA。)等的有機(jī)化合物。另外，作為空穴注入層的構(gòu)成材料還優(yōu)選使用P型一Si或p型一SiC等的無(wú)機(jī)化合物。予以說(shuō)明，還優(yōu)選在上述空穴注入層和陽(yáng)極層之間、或者上述空穴注入層和有機(jī)發(fā)光層之間設(shè)置導(dǎo)電率為1X10—"S/cm以上的有機(jī)半導(dǎo)體層。通過(guò)設(shè)置這種有機(jī)半導(dǎo)體層，向有機(jī)發(fā)光層的空穴注入變得更加良好。(e)空穴輸送層作為空穴輸送層的材料，可以使用上述材料，還可以使用卟啉化合物(公開(kāi)于日本特開(kāi)昭63—2956965號(hào)公報(bào)等)、芳香族叔胺化合物和苯乙烯胺化合物(參照美國(guó)專利第4127412號(hào)說(shuō)明書(shū)、日本特開(kāi)昭53—27033號(hào)公報(bào)、日本特開(kāi)昭54—58445號(hào)公報(bào)、日本特開(kāi)昭54—149634號(hào)公報(bào)、日本特開(kāi)昭54—64299號(hào)公報(bào)、日本特開(kāi)昭55—79450號(hào)公報(bào)、日本特開(kāi)昭55一144250號(hào)公報(bào)、日本特開(kāi)昭56—119132號(hào)公報(bào)、日本特開(kāi)昭61—295558號(hào)公報(bào)、日本特開(kāi)昭61—98353號(hào)公報(bào)、日本特開(kāi)昭63—295695號(hào)公報(bào)等)、芳香族叔胺化合物。另外，可以舉出美國(guó)專利第5061569號(hào)所記載的分子內(nèi)具有2個(gè)稠合芳香族環(huán)的例如4,4'一雙(N—(l一萘基)一N—苯基氨基)聯(lián)苯或日本特開(kāi)平4—308688號(hào)公報(bào)所記載的3個(gè)三苯基胺單元連接成星型的4，4，，4，，一三(N—(3—甲基苯基)一N—苯基氨基)三苯基胺等。進(jìn)而，除了作為發(fā)光層的材料示出的上述芳香族二甲川系化合物之外，P型Si、p型SiC等無(wú)機(jī)化合物也可作為空穴輸送層的材料使用。該空穴輸送層可以由上述材料的1種或2種以上形成的一層構(gòu)成，另外，空穴輸送層還可以是層疊由其它種化合物形成的空穴輸送層而成?？昭ㄝ斔蛯拥哪ず癫o(wú)特別限定，優(yōu)選為20200mn。(f)有機(jī)半導(dǎo)體層有機(jī)半導(dǎo)體層為輔助向發(fā)光層的空穴注入或電子注入的層，優(yōu)選具有10^S/cm以上的導(dǎo)電率。作為這種有機(jī)半導(dǎo)體層的材料，可以使用含噻吩寡聚物或日本特開(kāi)平8—193191號(hào)公報(bào)所記載的含芳基胺寡聚物等導(dǎo)電性寡聚物、含芳基胺樹(shù)枝狀化合物等的導(dǎo)電性樹(shù)枝狀化合物等。有機(jī)半導(dǎo)體層的膜厚并無(wú)特別限定，優(yōu)選為101000nm。(g)電子輸送層在陰極和黃色紅色系發(fā)光層之間可以設(shè)置電子輸送層等。電子輸送層為輔助向發(fā)光層的電子注入的層，電子遷移率大。電子輸送層是為了緩和能量水平的急劇變化等調(diào)整能量水平而設(shè)置的。作為電子輸送層中使用的材料，優(yōu)選8—羥基喹啉或其衍生物的金屬絡(luò)合物。上述8—羥基喹啉或其衍生物的金屬絡(luò)合物的具體例為含有喔星(oxine)(—般為8—喹啉醇或8—羥基喹啉)的螯合物的金屬螯合物氧化物化合物，例如可以使用三(8—喹啉醇)鋁。而且，作為噁二唑衍生物可以舉出下述通式〔6)〔8)所示的電子傳遞化合物。(式中，Ar17、Ar18、Ar19、Ar21、八1"22和八1"25分別表示具有或沒(méi)有取代基的芳基，A,和Ar18、A,和Ar21、八？2和八？5可相互相同或不同。Ar20、Ar23和Ar24分別表示具有或沒(méi)有取代基的亞芳基，八1~23和八？4可相互相同或不同作為這些通式〔6〕〔8〕的芳基可以舉出苯基、聯(lián)苯基、蒽基、芘基、芘基等。另外，作為亞芳基可以舉出亞苯基、亞萘基、亞聯(lián)苯基(biphenylene)、亞蒽基、亞茈基、亞芘基等。作為它們的取代基可以舉出碳數(shù)110的垸基、碳數(shù)110的烷氧基或氰基等。該電子傳遞化合物優(yōu)選使用薄膜形成性良好者。而且，作為這些電子傳遞性化合物的具體例子可以舉出下述化合物。上述式中，Me為甲基、tBu為叔丁基。電子注入層或電子輸送層的膜厚并無(wú)特別限定，優(yōu)選為l100nm。作為最接近于陽(yáng)極的有機(jī)層的藍(lán)色系發(fā)光層、空穴輸送層或空穴注入層優(yōu)選含有氧化劑。在發(fā)光層、空穴輸送層或空穴注入層中所含的優(yōu)選氧化劑為吸電子性或受電子體。優(yōu)選為路易斯酸、各種醌衍生物、二氰基醌二甲垸衍生物、由芳香族胺和路易斯酸形成的鹽類。特別優(yōu)選的路易斯酸為氯化鐵、氯化銻、氯化鋁等。作為最接近于陰極的有機(jī)層的黃色紅色系發(fā)光層、電子輸送層或電子注入層優(yōu)選含有還原劑。優(yōu)選的還原劑為堿金屬、堿土類金屬、堿金屬氧化物、堿土類氧化物、稀土類氧化物、堿金屬鹵化物、堿土類鹵化物、稀土類鹵化物、由堿金屬和芳香族化合物形成的絡(luò)合物。特別優(yōu)選的堿金屬為Cs、Li、Na、K。(h)無(wú)機(jī)化合物層還可以與陽(yáng)極和/或陰極相鄰具有無(wú)機(jī)化合物層。無(wú)機(jī)化合物層作為附著改善層發(fā)揮功能。作為無(wú)機(jī)化合物層中使用的優(yōu)選無(wú)機(jī)化合物為堿金屬氧化物、堿土類氧化物、稀土類氧化物、堿金屬鹵化物、堿土類鹵化物、稀土類卣化物、SiOx、A10x、SiNx、SiON、A10N、GeOx、LiOx、LiON、TiOx、TiON、Ta0x、TaON、TaNx、C等各種氧化物、氮化物、氧化氮化物。作為接近陽(yáng)極的層的成分，特別優(yōu)選Si0x、A10x、SiNx、SiON、A10N、GeOx、C形成穩(wěn)定的注入界面層。另外，作為接近陰極的層的成分，特別優(yōu)選LiF、MgF2、CaF2、MgF2、NaF。無(wú)機(jī)化合物層的膜厚并無(wú)特別限定，優(yōu)選為O.lnm100nin。形成含有發(fā)光層的各有機(jī)層和無(wú)機(jī)化合物層的方法并無(wú)特別限定，例如可以使用蒸鍍法、旋涂法、澆鑄法、LB法等公知的方法。另外，所得有機(jī)EL元件的特性變得均一、另外制造時(shí)間可以縮短，因此優(yōu)選用同一方法形成電子注入層和發(fā)光層，例如用蒸鍍法制膜電子注入層時(shí)，優(yōu)選發(fā)光層也用蒸鍍法進(jìn)行制膜。(i)電子注入層另外，有機(jī)發(fā)光介質(zhì)的電子注入層中優(yōu)選使用在施加1X1041X106V/cm范圍的電壓時(shí)測(cè)定的電子遷移率為lX10—6cm7V秒以上、離子化能量超過(guò)5.5eV的化合物。通過(guò)設(shè)置這種電子注入層，向有機(jī)發(fā)光層的電子注入變得良好、可以獲得高的發(fā)光亮度，或者可以低電壓驅(qū)動(dòng)。作為這種電子注入層的構(gòu)成材料具體地可以舉出8—羥基喹啉的金屬絡(luò)合物(Al螯合物Alq)或其衍生物、或者噁二唑衍生物等。(j)附著改善層另外，有機(jī)發(fā)光介質(zhì)的附著改善層可以看作該電子注入層的一方式，即為在電子注入層中與陰極的粘合性特別良好的材料所形成的層，優(yōu)選由8—羥基喹啉的金屬絡(luò)合物或其衍生物等構(gòu)成。予以說(shuō)明，優(yōu)選與上述電子注入層相接觸設(shè)置導(dǎo)電率為1X10"^S/cm以上的有機(jī)半導(dǎo)體層。通過(guò)設(shè)置這種有機(jī)半導(dǎo)體層，向有機(jī)發(fā)光層的電子注入性變得更加良好。另外，對(duì)于有機(jī)發(fā)光介質(zhì)的厚度而言，優(yōu)選可以在5nm5nm的范圍內(nèi)設(shè)定。其理由為當(dāng)有機(jī)發(fā)光介質(zhì)的厚度小于5nm時(shí)，有發(fā)光亮度或持久性降低的情況，另一方面，當(dāng)有機(jī)發(fā)光介質(zhì)的厚度超過(guò)5pm時(shí)，有印加電壓的值增高的情況。因此，更優(yōu)選使有機(jī)發(fā)光層的厚度為10nm3um的范圍內(nèi)的值、進(jìn)一步優(yōu)選為20nmlum的范圍內(nèi)的值。(2)第一或第二電極使用第一或第二電極作為陽(yáng)極時(shí)，使用滿足空穴注入所必需功函數(shù)的金屬。作為功函數(shù)的值優(yōu)選4.6eV以上，具體地可以舉出金、銀、銅、銥、鉬、鈮、鎳、鋨、鈀、鉑、釕、鉅、鎢或鋁等金屬或它們的合金、銦和/或錫的氧化物(以下略記為ITO)、銦和/或鋅的氧化物(以下略記為IZO)等的金屬氧化物、碘化銅、聚吡咯、聚苯胺、聚(3—甲基噻吩)等導(dǎo)電性高分子和它們的層疊體。另外，使用第二或第一電極作為陰極時(shí)，使用功函數(shù)小(4eV以下)的金屬、合金、導(dǎo)電性化合物和它們的混合物作為電極物質(zhì)。這種電極物質(zhì)的具體例子可以舉出鈉、鈉一鉀合金、鎂、鋰、鎂/銀合金、鋁/氧化鋁、鋁/鋰合金、銦、稀土類金屬等的1種或2種以上。各電極的膜厚為51000nni、優(yōu)選為10500nm的范圍。另外，對(duì)于低功函數(shù)層而言，在l100nm、優(yōu)選550nm的范圍、更優(yōu)選530nm的范圍設(shè)定。分別來(lái)說(shuō)，當(dāng)超過(guò)上限的膜厚時(shí)，從高效取出來(lái)自有機(jī)發(fā)光層的發(fā)光的觀點(diǎn)出發(fā)不優(yōu)選。另外，當(dāng)小于下限的膜厚時(shí)，由于導(dǎo)電性顯著降低，因此不優(yōu)選。有機(jī)EL元件的各層的形成方法可以使用利用以往公知的方法例如真空蒸鍍法、濺射、旋涂法等的形成方法。2.支承基板本發(fā)明的發(fā)光裝置的基板(有時(shí)稱作支承基板。)為用于支承發(fā)光元件、熒光體層的構(gòu)件，因此優(yōu)選機(jī)械強(qiáng)度、尺寸穩(wěn)定性優(yōu)異。作為這種基板，可以舉出由無(wú)機(jī)材料構(gòu)成的基板，例如玻璃板、金屬板、陶瓷板等，作為優(yōu)選的無(wú)機(jī)材料可以舉出玻璃材料、氧化硅、氧化鋁、氧化鈦、氧化釔、氧化鍺、氧化鋅、氧化鎂、氧化鈣、氧化鍶、氧化鋇、氧化鉛、氧化鈉、氧化鋯、氧化鈉、氧化鋰、氧化硼、氮化硅、石灰鈉玻璃、含鋇鍶的玻璃、鉛玻璃、鋁硅酸玻璃、硼硅酸玻璃、鋇硼硅酸玻璃等。另外，作為構(gòu)成基板的優(yōu)選有機(jī)材料可以舉出聚碳酸酯樹(shù)脂、丙烯酸樹(shù)脂、氯乙烯樹(shù)脂、聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯樹(shù)脂、聚酰亞胺樹(shù)脂、聚酯樹(shù)脂、環(huán)氧樹(shù)脂、酚醛樹(shù)脂、有機(jī)硅樹(shù)脂、氟樹(shù)脂、聚乙烯醇系樹(shù)脂、聚乙烯基吡咯烷酮樹(shù)脂、聚氨酯樹(shù)脂、環(huán)氧樹(shù)脂、氰酸酯樹(shù)脂、蜜胺樹(shù)脂、馬來(lái)樹(shù)脂、乙酸乙烯酯酯樹(shù)脂、聚縮醛樹(shù)脂(Polyacetalresin)、纖維素樹(shù)脂等。另外，為了避免水分侵入有機(jī)EL表示裝置內(nèi)，由這些材料形成的基板優(yōu)選進(jìn)一步形成無(wú)機(jī)膜或涂布氟樹(shù)脂，從而實(shí)施防濕處理或疎水性處理。使用聚合物等有機(jī)材料時(shí)特別有效。另外，為了避免水分侵入有機(jī)發(fā)光介質(zhì)，優(yōu)選減小基板的含水率和透氣系數(shù)。具體地說(shuō)，優(yōu)選使支承基板的含水率為0.0001重量％以下的值和使透氣系數(shù)為1X10—'3cccm/cm2seccmHg以下的值。予以說(shuō)明，在借助基板取出EL發(fā)光時(shí)(包括作為密封用構(gòu)件使用的情況)，例如在上述基板材料中，特別優(yōu)選使用在波長(zhǎng)400700nm下透光率為70%以上的基板材料。3.熒光介質(zhì)熒光介質(zhì)接收來(lái)自有機(jī)EL元件的光，發(fā)出長(zhǎng)波長(zhǎng)的光(熒光)。熒光介質(zhì)含有熒光體或熒光體和基底樹(shù)脂。熒光體可以舉出無(wú)機(jī)熒光體和有機(jī)熒光體。(1)無(wú)機(jī)熒光體無(wú)機(jī)熒光體中可以使用由金屬化合物等無(wú)機(jī)化合物構(gòu)成、吸收可見(jiàn)光、發(fā)出比所吸收的光更長(zhǎng)的熒光者。特別優(yōu)選透明性高、散射損失小的納米晶熒光體。在這種納米晶熒光體表面上為了提高在后述基底樹(shù)脂中的分29散性，例如可以用長(zhǎng)鏈烷基或磷酸等的有機(jī)物對(duì)表面進(jìn)行修飾。具體地說(shuō)，可以使用以下的納米晶熒光體。(a)在金屬氧化物摻雜有過(guò)渡金屬離子的納米晶熒光體作為在金屬氧化物摻雜有過(guò)渡金屬離子的納米晶熒光體，可以舉出在YA、Gd203、Zn0、Y3A15012、Zn2Si04等金屬氧化物摻雜有Ei]2+、Eu3+、Ce3+、Tb3+等吸收可見(jiàn)光的過(guò)渡金屬離子的熒光體。(b)在金屬硫族元素物中摻雜有過(guò)渡金屬離子的納米晶熒光體作為在金屬硫族元素物中摻雜有過(guò)渡金屬離子的納米晶熒光體，可以舉出在ZnS、CdS、CdSe等金屬氧族元素化物中摻雜有Eu2+、Eu3+、Ce3+、Tb3+等吸收可見(jiàn)光的過(guò)渡金屬離子的熒光體。為了防止S或Se等由于后述基底樹(shù)脂的反應(yīng)成分所導(dǎo)致的脫離，可以用二氧化硅等金屬氧化物或有機(jī)物等進(jìn)行表面修飾。(c)利用半導(dǎo)體的帶隙、吸收可見(jiàn)光進(jìn)行發(fā)光的納米晶熒光體(半導(dǎo)體納米晶)半導(dǎo)體納米晶例如可以舉出CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、InP等。這些物質(zhì)如日本特表2002—510866號(hào)公報(bào)等文獻(xiàn)所記載，通過(guò)對(duì)粒徑進(jìn)行納米尺寸化，可以控制帶隙，結(jié)果可以改變吸收一熒光波長(zhǎng)。為了防止S或Se等由于后述基底樹(shù)脂的反應(yīng)成分所導(dǎo)致的脫離，可以用二氧化硅等金屬氧化物或有機(jī)物等進(jìn)行表面修飾。例如，可以用ZnS等帶隙能量更高的半導(dǎo)體材料的殼被覆CdSe納米晶熒光體的表面。由此，易于表現(xiàn)所產(chǎn)生的電子封閉在中心微粒子內(nèi)的效果予以說(shuō)明，上述納米晶熒光體可以單獨(dú)使用l種，還可以組合使用2種以上。這種半導(dǎo)體納米晶的吸收系數(shù)大、熒光效率高。因此，能夠?qū)晒饨橘|(zhì)薄膜化，可以減小熒光介質(zhì)上的發(fā)光元件的變形。因此，可以獲得缺陷少的發(fā)光裝置。(2)有機(jī)熒光體有機(jī)熒光體具體地可以舉出1，4一雙(2—甲基苯乙烯)苯(以下Bis—MSB)、反式一4，4，一二苯基芪(以下DPS)等芪系色素，7—羥基一4一甲基香豆素(以下香豆素4)、2，3，5，6—1H，4H—四氫一8—三氟甲基喹嗪并(9,9a，l一gh)香豆素(以下香豆素153)、3—(2，一苯并噻唑)—7—二乙基氨基香豆素(以下香豆素6)、3—(2'—苯并咪唑)一7—N，N—二乙基氨基香豆素(以下香豆素7)等香豆素系色素，基礎(chǔ)黃51等香豆素色素系染料、直接黃ll、直接黃116等萘亞胺色素、茈系色素。另外，還可以使用4一二氰基亞甲基一2—甲基一6—(對(duì)二甲基氨基苯乙烯基)一4H—吡喃(以下DCM)等花青系色素、l一乙基一2—(4一(對(duì)二甲基氨基苯基)一1，3—丁二烯基)一吡啶一高氯酸鹽(以下吡啶l)等吡啶系色素、羅丹明B、羅丹明6G等羅丹明系色素、噁嗪系色素。進(jìn)而，各種染料(直接染料、酸性染料、堿性染料、分散染料等)只要具有熒光性，則可以選擇。予以說(shuō)明，還可以預(yù)先將上述熒光色素混煉于聚甲基丙烯酸酯、聚氯乙烯、氯乙烯乙酸乙烯酯共聚合體、醇酸樹(shù)脂、芳香族磺酰胺樹(shù)脂、尿素樹(shù)脂、蜜胺樹(shù)脂、苯并三聚氰胺樹(shù)脂等顏料樹(shù)脂中進(jìn)行顏料化。另外，這些熒光色素或顏料還可以根據(jù)需要單獨(dú)使用或混合使用。作為本發(fā)明發(fā)光裝置的熒光介質(zhì)使用時(shí)，特別優(yōu)選含有茈系色素。茈系色素是熒光性高、高光持久性的色素，而且在分子內(nèi)沒(méi)有反應(yīng)性高的不飽和鍵。因此，基底樹(shù)脂等受到周圍的影響小，因而可以抑制發(fā)光裝置的不均勻劣化(燒結(jié))。結(jié)果能夠以高變換效率獲得高持久性的熒光介質(zhì)。作為茈系色素的具體例子可以舉出下述式(I)(III)的化合物。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage32</formula>(式中，R'R4分別為氫、直鏈烷基、支鏈垸基、環(huán)烷基的任一種，可以被取代。R5R8為苯基、雜芳香族基、直鏈垸基、支鏈烷基的任一種，可以被取代。R9、R"分別為氫、直鏈烷基、支鏈垸基、環(huán)垸基的任一種，可以被取代。RUR"分別表示氫、直鏈垸基、支鏈烷基、環(huán)垸基的任一種，可以被取代。)(3)基底樹(shù)脂基底樹(shù)脂為分散熒光體的樹(shù)脂，可以使用非固化型樹(shù)脂、熱固化型樹(shù)脂或光固化型樹(shù)脂。具體地可以舉出寡聚物或聚合物形態(tài)的蜜胺樹(shù)脂、酚醛樹(shù)脂、醇酸樹(shù)脂、環(huán)氧樹(shù)脂、聚氨酯樹(shù)脂、馬來(lái)酸樹(shù)脂、聚酰胺系樹(shù)脂或聚甲基丙烯酸甲酯、聚丙烯酸酯、聚碳酸酯、聚乙烯醇、聚乙烯基吡咯垸酮、羥乙基纖維素、羧甲基纖維素等及以形成它們的單體作為構(gòu)成成分的共聚物。進(jìn)而，可以使用光固化型樹(shù)脂。光固化型樹(shù)脂通常使用含有感光劑的具有反應(yīng)性乙烯基的丙烯酸酸、甲基丙烯酸系的光聚合型、聚桂皮酸乙烯酯等光交聯(lián)型等。予以說(shuō)明，當(dāng)不含感光劑時(shí)，可以使用熱固化型者。這些基底樹(shù)脂可以單獨(dú)使用一種類樹(shù)脂，還可以混合使用多種類。熒光介質(zhì)的制作通過(guò)使用碾磨法或超聲波分散法等公知的方法將熒光體和基底樹(shù)脂混合分散而成的分散液進(jìn)行。此時(shí)，可以使用基底樹(shù)脂的良溶劑。通過(guò)公知的成膜方法、例如光刻法和絲網(wǎng)印刷法、噴墨法等在支承基板上將該分散液制作熒光介質(zhì)。熒光介質(zhì)的厚度為O.l"mlmm、優(yōu)選為O.5um500um、更優(yōu)選為lpm100ym。熒光體的材質(zhì)、粒徑和基底樹(shù)脂的配比可以根據(jù)有機(jī)EL元件的發(fā)光進(jìn)行各種最佳化。4.透明阻擋層為了防止水分、氧、單體等低分子有機(jī)成分侵入發(fā)光元件、特別是有機(jī)EL元件所導(dǎo)致的劣化而配置。優(yōu)選選擇無(wú)機(jī)氧化物、無(wú)機(jī)氮化物、無(wú)機(jī)氧氮化物的膜。具體地可以舉出SiOx，SiNx，SiOxNy，A10x，TiOx，TaO"ZnOx，ZrOx，CeOx，ZrSi(X(式中，x表示O.12、y表示O.51.3)。膜厚優(yōu)選為lnm10um、更優(yōu)選為10nm5Pm。小于lnm時(shí)，阻擋性不充分，超過(guò)10um時(shí)，有內(nèi)部應(yīng)力增大、發(fā)生裂痕的顧慮?？梢?jiàn)光透射率優(yōu)選為50%以上、更優(yōu)選為70%以上、進(jìn)一步優(yōu)選為80%該膜可以使用電子束蒸鍍、濺射、離子鍍等方法進(jìn)行成膜。5.反射層優(yōu)選可見(jiàn)光反射率高的層。例如優(yōu)選Ag、Al、Mg、Au、Cu、Fe、In、Ni、Pb、Pt、W、Zn或含有它們的合金等的膜。特別是Ag、Al、Mg或含有它們的合金的膜的可見(jiàn)光反射率為約80%以上，因此更為優(yōu)選。膜厚優(yōu)選為lnm10um、更優(yōu)選為10nm5um。小于lnm時(shí)，膜的均一性不充分，超過(guò)10um時(shí)，有內(nèi)部應(yīng)力增大、發(fā)生裂痕的顧慮。該膜可以使用電子束蒸鍍、阻抗加熱蒸鍍、濺射、離子鍍等的方法進(jìn)行成膜。6.凸部33凸部?jī)?yōu)選由紫外線固化樹(shù)脂、熱固化樹(shù)脂等透明的材料形成，選擇支承基板的材料或熒光介質(zhì)的基底樹(shù)脂材料。通常將這些材料分散于適當(dāng)?shù)娜軇┲羞M(jìn)行離子化，使用光刻法、絲網(wǎng)印刷法、噴墨法等裝置在支承基板上形成凸部的前體圖案，進(jìn)行燒成，從而將其固化，形成凸部。7.其它在如此獲得的發(fā)光裝置中，可以在光取出側(cè)的最外部配置光擴(kuò)散層或亮度提高膜，提高光取出效率，進(jìn)一步提高面內(nèi)發(fā)光均一性。制造例l半導(dǎo)體納米晶熒光介質(zhì)材料l的調(diào)制將乙酸鎘二水和物0.5g、十四垸基膦酸(TDPA)1.6g加入5ml的三辛基膦(TOP)中。在氮?dú)猸h(huán)境下將溶液加熱至23(TC，攪拌1小時(shí)。冷卻至6(TC后，加入含有硒0.2g的T0P溶液2ml，作為原料溶液。將三辛基膦氧化物(TOPO)10g放入三口燒瓶中，在195。C下真空干燥l小時(shí)。使用氮?dú)夥祷刂链髿鈮?，在氮?dú)猸h(huán)境下直接加熱至27(TC，在攪拌體系的同時(shí)加入上述原料溶液1.5ml。反應(yīng)(核成長(zhǎng)反應(yīng))在隨時(shí)確認(rèn)反應(yīng)溶液的熒光光譜的同時(shí)進(jìn)行。當(dāng)納米晶在615nm具有熒光峰時(shí)，將反應(yīng)溶液冷卻至60'C，停止反應(yīng)的進(jìn)行。加入丁醇20ml使半導(dǎo)體納米晶(核)沉淀，通過(guò)離心分離進(jìn)行減壓干燥。將T0P05g放入三口燒瓶中，在195。C下真空干燥1小時(shí)。使用氮?dú)夥祷刂链髿鈮?，在氮?dú)猸h(huán)境下直接冷卻至60。C,加入TOP0.5ml和己烷0.5ml中混懸的上述半導(dǎo)體納米晶(核)0.05g。在減壓下、IO(TC下攪拌I小時(shí)后，加熱至16CTC，使用氮?dú)夥祷刂链髿鈮?溶液A)。用30分鐘的時(shí)間將另外調(diào)制的溶液B(將二乙基鋅的1N濃度正己烷溶液0.7ml和雙(三甲基甲硅烷基)硫化物O.13g溶解于T0P3ml)滴加至保持于16(TC的溶液A中。降溫至90'C后繼續(xù)攪拌2小時(shí)。降溫至6(TC、加入丁醇20ml，使半導(dǎo)體納米晶(核CdSe/殼ZnS)沉淀，通過(guò)離心分離進(jìn)行分離、進(jìn)行減壓干燥。接著，將所得半導(dǎo)體納米晶作為基底樹(shù)脂分散于氨酯系熱固化型樹(shù)脂(十條化學(xué)制MIG2500)中，按照半導(dǎo)體納米晶的對(duì)固態(tài)成分濃度達(dá)到9wt。/。(體積比率2vo1。/。)進(jìn)行分散，調(diào)制使用了半導(dǎo)體納米晶(CdSe)ZnS的紅色熒光介質(zhì)材料l。制造例2半導(dǎo)體納米晶熒光介質(zhì)材料2的調(diào)制為了合成磷化銦(InP)半導(dǎo)體納米晶，在氬氣氣流下約20(TC下將新的In(OH)30,02g(0.1,1)溶解于HPAO.5g(3腿o1)和T0P03.5g中。接著，將溶液冷卻至12013(TC，向反應(yīng)體系內(nèi)流入氬氣，減壓2030分鐘后，進(jìn)而流入氬氣1015分鐘。為了除去被反應(yīng)體系所吸收的全部水和氧，重復(fù)3次該氬氣氣流和減壓的過(guò)程。將反應(yīng)混合物加熱至30CTC后，注入含有P(TMS)30.0277g(0.l咖ol)、T0P1.8g和甲苯O.2g的儲(chǔ)備溶液2g。為了使納米晶成長(zhǎng)，將反應(yīng)混合物冷卻至25(TC。在納米晶到達(dá)所需粒徑后，將覆套式電阻加熱器迅速地取出，將反應(yīng)溶劑冷卻，使反應(yīng)停止。在溶液的溫度為小于8(TC后，加入甲醇10ml，使納米晶從反應(yīng)混合物中沉淀。利用離心分離和傾析分離沉淀物。納米晶進(jìn)行作為沉淀物的保存或減壓干燥。使用該反應(yīng)的納米晶的粒徑分布廣、標(biāo)準(zhǔn)偏差超過(guò)20%。接著，將所得半導(dǎo)體納米晶分散于作為基底樹(shù)脂的氨酯系熱固化型樹(shù)脂(十條化學(xué)制MIG2500)中，按照半導(dǎo)體納米晶的相對(duì)固態(tài)成分濃度達(dá)到9wty。(體積比率2voP/。)進(jìn)行分散，調(diào)制使用了半導(dǎo)體納米晶InP的熒光介質(zhì)材料2。制造例3使用了有機(jī)熒光體(茈系色素)的熒光介質(zhì)材料3的調(diào)制作為茈系色素，將下述式(Ia)所示化合物0.3wt。/。(相對(duì)固態(tài)成分)、下述式(IIa)所示化合物0.6wtM(相對(duì)固態(tài)成分)和下述式(IIIa)所示化合物0.6wt。/。(相對(duì)固態(tài)成分)分別與制造例l同樣地溶解于基底樹(shù)脂中，調(diào)制使用了茈系色素的熒光介質(zhì)材料3。[化9]<formula>formulaseeoriginaldocumentpage36</formula>制造例4—使用了有機(jī)熒光體(茈系色素)的熒光介質(zhì)材料4的調(diào)制將式(Ila)所示化合物0.6wt。/。(相對(duì)固態(tài)成分)與制造例l同樣地溶解于基底樹(shù)脂中，調(diào)制使用了芘系色素的熒光介質(zhì)材料4。實(shí)施例l在100mmX100mmX1.l咖厚度的藍(lán)板玻璃基板(y、才^亍<'夕夕社制)上，使用30um線、10um間隔的線圖案版絲網(wǎng)印刷制造例l中調(diào)制的熒光介質(zhì)材料l，在8(TC下干燥后，在18(TC下將其固化。通過(guò)進(jìn)行18CTC處理，熒光介質(zhì)流動(dòng)，形成具有圖13(a)所示截面形狀的熒光介質(zhì)圖案。接著，將該基板移動(dòng)至濺射裝置，以約2000A的膜厚全面地形成IZO(銦一鋅氧化物)層。IZO為非晶質(zhì)、致密的膜，因此充分地阻斷來(lái)自熒光介質(zhì)的水分等的脫氣。接著，在異丙醇中進(jìn)行5分鐘超聲波洗滌后，進(jìn)行30分鐘UV臭氧洗滌首先，在IZ0電極上以膜厚25nm蒸鍍作為空穴注入層發(fā)揮功能的HI膜。在HI膜的成膜之后，以膜厚10nm蒸鍍作為空穴輸送層發(fā)揮功能的HT膜。在HT膜的成膜后，以膜厚10nm共蒸鍍化合物BH和化合物BD，使其膜厚比達(dá)到10:0.5，作為藍(lán)色發(fā)光層。接著，以膜厚10nm共蒸鍍化合物BH和化合物GD，使其膜厚比達(dá)到10:0.8，作為綠色發(fā)光層。在該膜上成膜膜厚10nm的三(8—喹啉醇)鋁膜(以下略記為"Alq膜"。)作為電子輸送層。之后，蒸鍍lnmLiF作為電子注入層、蒸鍍150nmAl作為陰極，層疊藍(lán)綠發(fā)光的有機(jī)EL元件。測(cè)定該藍(lán)綠發(fā)光有機(jī)EL元件的發(fā)光光譜時(shí)，在藍(lán)區(qū)域457nm和綠區(qū)域528nm處具有發(fā)光峰。進(jìn)而，在該有機(jī)EL元件上使用粘合材料粘貼0.3mm厚度的玻璃基板(與前述相同)，密封有機(jī)EL元件，獲得發(fā)光裝置(圖13(a)未圖示密封材料)。接著，在該裝置的IZ0電極和A1電極上施加DC7V的電壓(IZO電極(+)、Al電極(一))時(shí)，有機(jī)EL元件的發(fā)光與熒光介質(zhì)的熒光混合，獲得白色發(fā)光。這里，由正面色度和斜45。分別使用色彩色差計(jì)(CSIOO、$乂^夕制)進(jìn)行測(cè)定時(shí)，所觀察的CIE色度差異為0.01以內(nèi)。實(shí)施例2在實(shí)施例1中，除了使用30um線、30um間隔的線圖案版形成制造例l中調(diào)制的熒光介質(zhì)材料l之外同樣，獲得具有圖13(c)所示圖案的(未圖示密封材料)發(fā)光裝置。接著，在該裝置的IZ0電極和A1電極上施加DC7V的電壓(IZO電極(+)、Al電極(一))時(shí)，有機(jī)EL元件的發(fā)光與熒光介質(zhì)的熒光混合，獲得白色發(fā)光。這里，由正面色度和斜45°分別使用色彩色差計(jì)(CSIOO、$7A夕制)進(jìn)行測(cè)定時(shí)，所觀察的CIE色度差異為0.01以內(nèi)。實(shí)施例3在實(shí)施例1中，除了使用制造例2中調(diào)制的熒光介質(zhì)材料2之外同樣，獲得具有圖13(C)所示圖案的(未圖示密封材料)發(fā)光裝置。接著，在該裝置的IZ0電極和A1電極上施加DC7V的電壓(IZO電極(+)、Al電極(一))時(shí)，有機(jī)EL元件的發(fā)光與熒光介質(zhì)的熒光混合，獲得白色發(fā)光。這里，由正面色度和斜45。分別使用色彩色差計(jì)(CSIOO、S/》夕制)進(jìn)行測(cè)定時(shí)，所觀察的CIE色度差異為0.01以內(nèi)。實(shí)施例4.在實(shí)施例1中，除了使用制造例3中調(diào)制的熒光介質(zhì)材料3之外同樣，獲得具有圖13(a)所示圖案的(未圖示密封材料)發(fā)光裝置。接著，在該裝置的IZ0電極和A1電極上施加DC7V的電壓(IZO電極(+)、Al電極(一))時(shí)，有機(jī)EL元件的發(fā)光與熒光介質(zhì)的熒光混合，獲得白色發(fā)光。這里，由正面色度和斜45。分別使用色彩色差計(jì)(CSIOO、$/^夕制)進(jìn)行測(cè)定時(shí)，所觀察的CIE色度差異為0.01以內(nèi)。實(shí)施例5在實(shí)施例1中，除了使用制造例3中調(diào)制的熒光介質(zhì)材料3、作為有機(jī)EL元件的發(fā)光層以膜厚10nm共蒸鍍化合物BH和化合物BD，使其達(dá)到10:0.5的膜厚比，制作在藍(lán)區(qū)域457nm上具有發(fā)光峰的有機(jī)EL元件之外，同樣操作，獲得具有圖13(a)所示圖案的(未圖示密封材料)發(fā)光裝置。接著，在該裝置的IZ0電極和A1電極上施加DC7V的電壓(IZO電極(+)、Al電極(一))時(shí)，有機(jī)EL元件的發(fā)光與熒光介質(zhì)的熒光混合，獲得白色發(fā)光。這里，由正面色度和斜45。分別使用色彩色差計(jì)(CSIOO、$/》夕制)進(jìn)行測(cè)定時(shí)，所觀察的CIE色度差異為0.01以內(nèi)。實(shí)施例6在實(shí)施例1中，除了使用制造例4中調(diào)制的熒光介質(zhì)材料4、作為有機(jī)EL元件的發(fā)光層在藍(lán)色發(fā)光層上以膜厚10nm共蒸鍍化合物BH和化合物BD,使其達(dá)到10:0.5的膜厚比，接著，作為紅色發(fā)光層以膜厚20nm共蒸鍍化合物BH和化合物RD，.使其達(dá)到20:3的膜厚比，制作在藍(lán)區(qū)域457nm和紅區(qū)域615nm處具有發(fā)光峰的有機(jī)EL元件之外，同樣操作，獲得具有圖13(c)所示圖案的(未圖示密封材料)發(fā)光裝置。接著，在該裝置的IZ0電極和A1電極上施加DC7V的電壓(IZO電極(+)、Al電極(_))時(shí)，有機(jī)EL元件的發(fā)光與熒光介質(zhì)的熒光混合，獲得白色發(fā)光。這里，由正面色度和斜45。分別使用色彩色差計(jì)(CSIOO、S7a夕制)進(jìn)行測(cè)定時(shí)，所觀察的CIE色度差異為0.01以內(nèi)。實(shí)施例7在實(shí)施例1中，除了使用成膜了2000A膜厚的A膜的lOO,XlOOmmXl.lmra厚藍(lán)板玻璃基板(、y、才7亍<7夕社制)，陰極使用IZO，進(jìn)而使用SiON膜進(jìn)行密封之外，同樣操作，獲得為圖13(a)所示的圖案、頂部發(fā)光型的發(fā)光裝置。接著，在該裝置的IZ0電極和A1電極上施加DC7V的電壓(下部IZO電極:(+)、上部IZO電極'(一))時(shí)，有機(jī)EL元件的發(fā)光與熒光介質(zhì)的熒光混合，獲得白色發(fā)光。這里，由正面色度和斜45。分別使用色彩色差計(jì)(CSIOO、s/a夕制)進(jìn)行測(cè)定時(shí)，所觀察的CIE色度差異為0.01以內(nèi)。實(shí)施例8在實(shí)施例1中，使用30um線、30um間隔的線圖案版在支承基板上將制造例1中調(diào)制的熒光介質(zhì)材料1形成具有圖13(c)所示圖案的熒光介質(zhì)接著，用市售的光致抗蝕劑覆蓋熒光介質(zhì)上和形成有熒光介質(zhì)的支承基板面以外的支承基板，進(jìn)行氟酸處理，在熒光介質(zhì)圖案的間隔內(nèi)形成凹狀的凹陷。使用有機(jī)堿(乙醇胺)除去光致抗蝕劑后，與實(shí)施例1同樣地進(jìn)行IZ0成膜、有機(jī)EL形成、密封，獲得圖13(d)的(未圖示密封材料)發(fā)光裝置。接著，在該裝置的IZ0電極和A1電極上施加DC7V的電壓(IZO電極(+)、Al電極(—))時(shí)，有機(jī)EL元件的發(fā)光與熒光介質(zhì)的熒光混合，獲得白色發(fā)光。這里，由正面色度和斜45。分別使用色彩色差計(jì)(CSIOO、S/a夕制)進(jìn)行測(cè)定時(shí)，所觀察的CIE色度差異為0.01以內(nèi)。實(shí)施例9實(shí)施例1中，使用30um線、30um間隔的線圖案版在支承基板上將制造例1中調(diào)制的熒光介質(zhì)材料1形成具有圖13(c)所示圖案的熒光介質(zhì)。接著，在熒光介質(zhì)圖案的間隙中使用氨酯系熱固化型樹(shù)脂(十條化學(xué)制MIG2500)墨液利用30um線、30um間隔的線圖案版進(jìn)行絲網(wǎng)印刷，在8(TC下干燥后，在18(TC使其固化，在熒光介質(zhì)的間隙內(nèi)形成透明的凸部。以下與實(shí)施例l同樣，進(jìn)行IZO成膜、有機(jī)EL形成、密封，獲得圖13(e)的(未圖示密封材料)發(fā)光裝置。接著，在該裝置的IZ0電極和A1電極上施加DC7V的電壓(IZO電極(+)、Al電極(一))時(shí)，有機(jī)EL元件的發(fā)光與熒光介質(zhì)的熒光混合，獲得白色發(fā)光。這里，由正面色度和斜45。分別使用色彩色差計(jì)(CSIOO、$7A夕制)進(jìn)行測(cè)定時(shí)，所觀察的CIE色度差異為0.01以內(nèi)。比較例l在實(shí)施例1中，除了旋涂熒光介質(zhì)材料，制成平坦的熒光介質(zhì)，作為陽(yáng)極使用2000A膜厚的IT0電極(結(jié)晶質(zhì))之外，同樣操作，獲得發(fā)光裝置接著，在該裝置的IZ0電極和A1電極上施加DC7V的電壓(IZO電極(+)、Al電極(一))時(shí)，有機(jī)EL元件的發(fā)光與熒光介質(zhì)的熒光混合，獲得白色發(fā)光。這里，由正面色度和斜45。分別使用色彩色差計(jì)(CSIOO、S7A夕制)進(jìn)行測(cè)定時(shí)，所觀察的CIE色度差異超過(guò)O.Ol，發(fā)光的均一性差于實(shí)施例。認(rèn)為這是由于有機(jī)EL發(fā)光元件的發(fā)光光譜和透過(guò)熒光介質(zhì)的有機(jī)EL元件光的透過(guò)強(qiáng)度隨角度而不同。進(jìn)而白色發(fā)光亮度為實(shí)施例1的80%左右。認(rèn)為這是由于相比較于實(shí)施例l，有機(jī)EL元件的發(fā)光面積小。發(fā)光元件中有很多水分等的影響所產(chǎn)生的暗點(diǎn)?？芍猲o膜(結(jié)晶質(zhì))的阻擋性差于IZO(非晶質(zhì))。制造例5(紅色熒光材料l的調(diào)制)將乙酸鎘二水和物(0.5g)、十四垸基膦酸(TDPA)(1.6g)加入5ml的三辛基膦(TOP)中。在氮?dú)猸h(huán)境下將溶液加熱至230。C，攪拌1小時(shí)。冷卻至6(TC后，加入含有硒O.2g的T0P溶液2ml作為原料溶液。將三辛基膦氧化物(T0P0)10g放入三口燒瓶中，在195。C下真空干燥l小時(shí)。使用氮?dú)夥祷刂链髿鈮海诘獨(dú)猸h(huán)境下直接加熱至27(TC，在攪拌體系的同時(shí)加入上述原料溶液1.5ml。反應(yīng)(核成長(zhǎng)反應(yīng))在隨時(shí)確認(rèn)反應(yīng)溶液的熒光光譜的同時(shí)進(jìn)行。當(dāng)納米晶在615nm具有熒光峰時(shí)，將反應(yīng)溶液冷卻至60。C，停止反應(yīng)的進(jìn)行。加入丁醇20ml使半導(dǎo)體納米晶(核)沉淀，通過(guò)離心分離進(jìn)行分離進(jìn)行減壓干燥。將T0P05g放入三口燒瓶中，在195。C下真空干燥1小時(shí)。使用氮?dú)夥祷刂链髿鈮?，在氮?dú)猸h(huán)境下直接冷卻至6(TC，加入T0P(0.5ml)和己烷0.5ml中混懸的上述半導(dǎo)體納米晶(核)(0.05g)。在減壓下、IO(TC下攪拌I小時(shí)后，加熱至16(TC，使用氮?dú)夥祷刂链髿鈮?溶液A)。用30分鐘的時(shí)間將另外調(diào)制的溶液B(將二乙基鋅的1N濃度正己垸溶液0.7ml和雙(三甲基甲硅垸基)硫化物O.13g溶解于T0P3ml)滴加至保持于16(TC的溶液A中。降溫至9(TC后繼續(xù)攪拌2小時(shí)。降溫至6(TC、加入丁醇20ml，使半導(dǎo)體納米晶(核CdSe/殼ZnS)沉淀，通過(guò)離心分離進(jìn)行分離、進(jìn)行減壓干燥。接著，將所得半導(dǎo)體納米晶分散于作為基底樹(shù)脂的丙烯酸系負(fù)型紫外線熱固化性樹(shù)脂(新日鐵化學(xué)制V259)中，按照半導(dǎo)體納米晶的相對(duì)固態(tài)成分濃度達(dá)到9wt。/。(體積比率2voB)進(jìn)行分散，調(diào)制使用了半導(dǎo)體納米晶(CdSe)ZnS的紅色熒光介質(zhì)材料l。制造例6(紅色熒光材料2的調(diào)制)在制造例5中，除了使基底樹(shù)脂為氨酯系熱固化樹(shù)脂(十條化學(xué)制MIG2500)之外，利用相同的方法調(diào)制紅色熒光材料2。制造例7(綠色熒光材料3的調(diào)制)在制造例5中，除了進(jìn)行核成長(zhǎng)反應(yīng)至納米晶在530nm具有熒光峰之外，使用相同的制造法合成半導(dǎo)體納米晶(核CdSe/殼ZnS)，獲得綠色熒光材料3。制造例8(綠色熒光材料4的調(diào)制)在制造例6中，除了進(jìn)行核成長(zhǎng)反應(yīng)至納米晶在530nm具有熒光峰之外，使用相同的制造法合成半導(dǎo)體納米晶(核CdSe/殼ZnS)，獲得綠色熒光材料4。實(shí)施例IO在25腿X75mmX0.7mm厚的藍(lán)板玻璃基板上隔著光掩模對(duì)制造例5獲42得的紅色熒光材料l進(jìn)行曝光/顯影處理，使得在100um見(jiàn)方內(nèi)殘留外周15"m寬度的外框，獲得70nm見(jiàn)方的開(kāi)口部，在18CTC下進(jìn)行加熱使其固化，制作膜厚5um的熒光變換部。之后，使用絲網(wǎng)圖案版，在70um的開(kāi)口部印刷氨酯系熱固化型樹(shù)脂(十條化學(xué)制MIG2500)。在8(TC下干燥后，在18(TC下進(jìn)行熱處理，從而樹(shù)脂流動(dòng)，形成具有圖21所示截面形狀的中央部膜厚10um樹(shù)脂圖案。接著，將該基板移動(dòng)至濺射裝置，以約2000A的膜厚全面地形成ITO(銦一錫氧化物)層。在其上旋涂正型抗蝕劑(HPR204:富士7》厶7—f制)，按照僅樹(shù)脂圖案部殘留ITO，隔著光掩模進(jìn)行紫外線曝光，利用TMAH(四甲基氫氧化銨)的顯影液進(jìn)行顯影，在130'C下烘焙，獲得抗蝕劑圖案。然后，使用47y。氫溴酸形成的IT0刻蝕試劑盒將露出部分的IT0刻蝕。接著，利用以乙醇胺為主成分的剝離液(N303:長(zhǎng)瀨產(chǎn)業(yè)制)處理抗蝕劑，獲得ITO圖案(下部透明電極陽(yáng)極)。接著，在異丙醇中進(jìn)行超聲波洗滌5分鐘后，進(jìn)行UV臭氧洗滌30分鐘首先以膜厚25nm蒸鍍作為空穴注入層發(fā)揮功能的HI膜。在HI膜的成膜后，以膜厚10nm蒸鍍作為空穴輸送層發(fā)揮功能的HT膜。在HT膜的成膜后，以膜厚10nm共蒸鍍化合物BH和化合物BD，達(dá)到10:0.5的膜厚比，作為藍(lán)色發(fā)光層。接著，以膜厚10nm共蒸鍍化合物BH和化合物GD，達(dá)到10:0.8的膜厚比，作為綠色發(fā)光層。在該膜上成膜膜厚10nm的三(8—喹啉醇)鋁膜(以下略記為"Alq膜"。)作為電子輸送層。之后，蒸鍍lnmLiF作為電子注入層，蒸鍍150nmAl作為陰極(上部反射電極)，層疊藍(lán)綠發(fā)光的有機(jī)EL元件。另外單獨(dú)地在玻璃基板上制作該藍(lán)綠發(fā)光有機(jī)EL元件，測(cè)定發(fā)光光譜時(shí)，在藍(lán)區(qū)域457nm和綠區(qū)域528nm處具有發(fā)光峰。進(jìn)而，在該有機(jī)EL元件上使用粘合材料粘貼0.3mm厚的玻璃基板(贈(zèng)送)，密封有機(jī)EL元件，獲得有機(jī)EL發(fā)光裝置(圖20(a)未圖示密封部接著，在該裝置的IT0電極和A1電極施加DC7V的電壓(ITO電極(+)、Al電極(一))時(shí)，有機(jī)EL元件的發(fā)光與熒光介質(zhì)的熒光混合，獲得白色發(fā)光。使用色彩色差計(jì)(csioo、s/^夕制)，以各實(shí)施例的正面亮度和色調(diào)為基準(zhǔn)，將色調(diào)的偏差和亮度的相對(duì)值示于表l中。比較例2在實(shí)施例10中，除了在制作發(fā)光元件部之前不制作突起形狀的樹(shù)脂圖案之外，通過(guò)與實(shí)施例10相同的方法制作有機(jī)EL發(fā)光裝置。與實(shí)施例10同樣地評(píng)價(jià)有機(jī)EL發(fā)光裝置的色度和亮度。將結(jié)果示于表l。由表l的結(jié)果可知，與實(shí)施例10相比，由于視角，色度和亮度發(fā)生變化。實(shí)施例ll在25mmX75腿X0.7mm厚的藍(lán)板玻璃基板(、y'才^亍《'7夕社制)上使用100um間距的絲網(wǎng)版印刷氨酯系熱固化型樹(shù)脂(十條化學(xué)制MIG2500)呈70tiin見(jiàn)方形狀。在8(TC下干燥后，在18(TC下進(jìn)行熱處理，整理形狀。之后，利用濺射在整個(gè)面上成膜A1100nm。之后，使用制造例7調(diào)制的綠色熒光材料3，使用與實(shí)施例10相同的光掩模進(jìn)行曝光/顯影，制作熒光變換部。接著，使用連接有有機(jī)EL蒸鍍裝置和ITO成膜用離子鍍裝置腔室的簇型成膜裝置進(jìn)行成膜。對(duì)于有機(jī)EL發(fā)光裝置的各層，與實(shí)施例10同樣地使用真空蒸鍍成膜各層。但本實(shí)施例中，取代綠色發(fā)光層，以膜厚20nm共蒸鍍化合物BH和化合物RD、使得達(dá)到20:3的膜厚比作為紅色發(fā)光層，制作藍(lán)紅色發(fā)光元件。另外，代替A1電極，蒸鍍10nmMg:Ag(9:l組成)金屬。之后，在真空下將基板移動(dòng)至離子鍍腔室，成膜ITO。進(jìn)而，作為密封膜，同樣使用腔室改變離子鍍對(duì)SiON膜進(jìn)行成膜，獲得頂部發(fā)光型的有機(jī)EL發(fā)光裝置(圖20(b)未圖示密封部)。予以說(shuō)明，在玻璃基板上另外單獨(dú)地制作藍(lán)紅發(fā)光元件，測(cè)定發(fā)光光譜時(shí)，在藍(lán)區(qū)域457nm、紅區(qū)域615nm處具有發(fā)光峰。接著，在該裝置的IT0電極和A1電極施加DC7V的電壓(ITO電極(+)、Al電極(一))時(shí)，有機(jī)EL元件的發(fā)光與熒光介質(zhì)的熒光混合，獲得白色發(fā)光。使用色彩色差計(jì)(CSIOO、S乂A夕制)，由正面和斜45度測(cè)定色度和亮度。將結(jié)果示于表l。比較例3在實(shí)施例ll中，除了不制造做發(fā)光元件部之前的突起形狀的樹(shù)脂圖案之外，通過(guò)同樣的方法制作有機(jī)EL發(fā)光裝置。與實(shí)施例ll同樣地對(duì)所得有機(jī)EL裝置進(jìn)行色度和亮度的評(píng)價(jià)。將結(jié)果示于表l。由表l的結(jié)果可知，與實(shí)施例ll相比，由于視角，色調(diào)和亮度變化。實(shí)施例12在25腿X75mmX0.7mm厚的藍(lán)板玻璃基板上將通過(guò)制造例6獲得的紅色熒光材料2涂布在元件制作區(qū)域整個(gè)面上，在8(TC下干燥后，在18(TC下使其熱固化。之后，使用相同的材料，使用100ym間距的絲網(wǎng)版進(jìn)行印刷呈70um見(jiàn)方形狀。在8(TC下干燥后，在18(TC下進(jìn)行熱處理，整理突起形狀。之后，利用與實(shí)施例10相同的方法制作有機(jī)EL發(fā)光裝置(圖20(c)未圖示密封部)。接著，在該裝置的IT0電極和A1電極施加DC7V的電壓(ITO電極(+)、Al電極(一))時(shí)，有機(jī)EL元件的發(fā)光與熒光介質(zhì)的熒光混合，獲得白色發(fā)光。使用色彩色差計(jì)(CSIOO、S/》夕制)從正面和斜45度測(cè)定色調(diào)和亮度，結(jié)果示于表l中。比較例4實(shí)施例12中，除了不制造做發(fā)光元件部之前的突起形狀的熒光樹(shù)脂圖案之外，通過(guò)同樣的方法制作有機(jī)EL發(fā)光裝置。與實(shí)施例12同樣地對(duì)所得有機(jī)EL發(fā)光裝置進(jìn)行色度和亮度的評(píng)價(jià)。將結(jié)果示于表l。由表l的結(jié)果可知，與實(shí)施例12相比，由于視角，色調(diào)和亮度變化。實(shí)施例13在25mmX75mmX100um厚的聚酰亞胺片材上將通過(guò)制造例8獲得的綠色熒光材料4涂布在元件制作區(qū)域整個(gè)面上，在8(TC下干燥后，在18(TC下使其熱固化。之后，使用相同的材料，使用絲網(wǎng)版進(jìn)行印刷，在100ym見(jiàn)方內(nèi)的外周15um寬度框架形狀中呈70um見(jiàn)方形狀。在8(TC下干燥后，在18(TC下進(jìn)行熱處理，形成框架(堤壩)。之后，按照與實(shí)施例10相同的順序在框架的內(nèi)部制作發(fā)光元件。之后，將主發(fā)光裝置移動(dòng)至經(jīng)氮取代的手套箱(glovebox)，將上述發(fā)光裝置轉(zhuǎn)印于轉(zhuǎn)印用基板上，制作有機(jī)EL發(fā)光裝置(圖20(d)未圖示密封部)。作為轉(zhuǎn)印用基板使用將乙烯一丙烯酸乙酯樹(shù)脂8重量％、乙烯乙酸乙烯酯樹(shù)脂8重量％的甲苯溶液涂布在玻璃基板(25mmX75mmX0.7mm厚)上，在15CTC下加熱30分鐘，從而進(jìn)行溶劑干燥，形成熱可塑性樹(shù)脂層(2um)所準(zhǔn)備的基板。接著，在該裝置的IT0電極和A1電極施加DC7V的電壓(ITO電極(+)、Al電極(一))時(shí)，有機(jī)EL元件的發(fā)光與熒光介質(zhì)的熒光混合，獲得白色發(fā)光。使用色彩色差計(jì)(CSIOO、$乂A夕制)從正面和斜45度測(cè)定色度和亮度，結(jié)果示于表l中。由表l的結(jié)果可知，與比較例2相比，視角依賴性降低、光取出效率提高。比較例5在實(shí)施例13中，除了不制造做發(fā)光元件部之前的突起形狀的熒光樹(shù)脂圖案之外，通過(guò)同樣的方法制作有機(jī)EL發(fā)光裝置。與實(shí)施例13同樣地進(jìn)行有機(jī)EL發(fā)光裝置的色調(diào)和亮度的評(píng)價(jià)。將結(jié)果示于表l。由表l的結(jié)果可知，由于視角，色度和亮度變化。實(shí)施例14根據(jù)實(shí)施例ll制作發(fā)光元件，進(jìn)而制作連接于其上部的發(fā)光元件，制作頂部發(fā)光型的發(fā)光裝置。實(shí)施例15根據(jù)實(shí)施例11制作有機(jī)EL發(fā)光裝置。在制作發(fā)光元件時(shí)，在成膜最終工序的上部電極(ITO)時(shí)，按照與相鄰的發(fā)光元件下部電極相連，預(yù)先改變下部電極的圖案和有機(jī)層的掩蔽。橫方向示于圖20(b)中、縱方向示于圖22中。表1<table>tableseeoriginaldocumentpage47</column></row><table>產(chǎn)業(yè)實(shí)用性本發(fā)明的發(fā)光裝置可以作為一般照明、(液晶用)背光的光源利用。權(quán)利要求1.一種發(fā)光裝置，其特征在于，在支承基板上，具有熒光介質(zhì)和被覆所述熒光介質(zhì)的發(fā)光元件，所述發(fā)光元件具有相互不平行的2個(gè)以上的發(fā)光面，將從所述發(fā)光元件發(fā)出的光與所述熒光介質(zhì)發(fā)出的光混合發(fā)出。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其中，從相互不平行的2個(gè)以上的發(fā)光面發(fā)出且相對(duì)于發(fā)光面為法線方向的光透過(guò)熒光介質(zhì)時(shí)，熒光介質(zhì)內(nèi)的透過(guò)距離大致相等。3.根據(jù)權(quán)利要求l或2所述的發(fā)光裝置，其中，所述熒光介質(zhì)為凸?fàn)睢?.根據(jù)權(quán)利要求13中任一項(xiàng)所述的發(fā)光裝置，其中，所述發(fā)光元件的一部分被覆所述熒光介質(zhì)，一部分不被覆。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的發(fā)光裝置，還在支承基板設(shè)有凸?fàn)畈炕虬紶畈?，未被覆所述熒光介質(zhì)的發(fā)光元件形成在所述凸?fàn)畈炕虬紶畈可稀?.根據(jù)權(quán)利要求15中任一項(xiàng)所述的發(fā)光裝置，在支承基板上還具有凸?fàn)畈?，所述熒光介質(zhì)以基本均勻的厚度形成在所述凸?fàn)畈可稀?.根據(jù)權(quán)利要求16中任一項(xiàng)所述的發(fā)光裝置，還在所述發(fā)光元件和所述熒光介質(zhì)之間具有透明阻擋層。8.根據(jù)權(quán)利要求17中任一項(xiàng)所述的發(fā)光裝置，其中，所述發(fā)光元件的透明電極作為透明阻擋層發(fā)揮作用。9.根據(jù)權(quán)利要求18中任一項(xiàng)所述的發(fā)光裝置，其中，在支承基板上設(shè)有凹狀部，所述發(fā)光元件和熒光介質(zhì)形成于所述凹狀部。10.根據(jù)權(quán)利要求19中任一項(xiàng)所述的發(fā)光裝置，其中，從所述發(fā)光元件發(fā)出的光和從所述熒光介質(zhì)發(fā)出的光由支承基板側(cè)被取出。11.根據(jù)權(quán)利要求19中任一項(xiàng)所述的發(fā)光裝置，其中，從所述發(fā)光元件發(fā)出的光和從所述熒光介質(zhì)發(fā)出的光由支承基板的相反側(cè)被取出。12.根據(jù)權(quán)利要求111中任一項(xiàng)所述的發(fā)光裝置，其中，所述熒光介質(zhì)含有納米晶熒光體。13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的發(fā)光裝置，其中，所述納米晶熒光體為半導(dǎo)體納米晶體。14.根據(jù)權(quán)利要求113中任一項(xiàng)所述的發(fā)光裝置，其中，所述發(fā)光元件為有機(jī)EL元件。15.根據(jù)權(quán)利要求114中任一項(xiàng)所述的發(fā)光裝置，其中，混合了從所述發(fā)光元件發(fā)出的光和從所述熒光介質(zhì)發(fā)出的光的光為白色。16.—種發(fā)光裝置，其特征在于，在支承基板上，具有設(shè)有相互不平行的2個(gè)以上的發(fā)光面的發(fā)光元件和熒光介質(zhì)，所述熒光介質(zhì)被配置在與取出所述發(fā)光元件發(fā)出的光的方向不同的方向上，將所述發(fā)光元件發(fā)出的光與所述熒光介質(zhì)發(fā)出的光混合發(fā)出。17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的發(fā)光裝置，其中，所述發(fā)光元件的表面為凸?fàn)睢?8.根據(jù)權(quán)利要求16或17所述的發(fā)光裝置，其中，所述熒光介質(zhì)的表面為凸?fàn)睢?9.根據(jù)權(quán)利要求17或18所述的發(fā)光裝置，其中，所述凸?fàn)顬榘肭驙睢?0.根據(jù)權(quán)利要求1619中任一項(xiàng)所述的發(fā)光裝置，其中，所述熒光介質(zhì)被配置在與取出所述發(fā)光元件發(fā)出的光的方向相垂直的方向上。21.根據(jù)權(quán)利要求1620中任一項(xiàng)所述的發(fā)光裝置，其中，在所述支承基板上并列放置有2個(gè)以上的所述發(fā)光元件，在所述發(fā)光元件之間具有所述熒光介質(zhì)。22.根據(jù)權(quán)利要求1621中任一項(xiàng)所述的發(fā)光裝置，其中，所述熒光介質(zhì)包埋所述發(fā)光元件。23.根據(jù)權(quán)利要求1622中任一項(xiàng)所述的發(fā)光裝置，其中，層疊有2個(gè)以上的所述發(fā)光元件。24.根據(jù)權(quán)利要求1623中任一項(xiàng)所述的發(fā)光裝置，將所述發(fā)光元件發(fā)出的光和所述熒光介質(zhì)發(fā)出的光從所述支承基板側(cè)取出。25.根據(jù)權(quán)利要求1623中任一項(xiàng)所述的發(fā)光裝置，其中，將所述發(fā)光元件發(fā)出的光和所述熒光介質(zhì)發(fā)出的光從所述支承基板的相反側(cè)取出。26.根據(jù)權(quán)利要求1625中任一項(xiàng)所述的發(fā)光裝置，其中，所述熒光介質(zhì)含有納米晶熒光體。27.根據(jù)權(quán)利要求26所述的發(fā)光裝置，其中，所述納米晶熒光體為半導(dǎo)體納米晶體。28.根據(jù)權(quán)利要求1627中任一項(xiàng)所述的發(fā)光裝置，其中，混合了所述發(fā)光元件所發(fā)出的光和熒光介質(zhì)所發(fā)出的光的光為白色。全文摘要本發(fā)明提供一種發(fā)光裝置(1)，其在支承基板(10)上具有熒光介質(zhì)(20)和被覆熒光介質(zhì)(20)的發(fā)光元件(30)，發(fā)光元件(30)具有相互不平行的2個(gè)以上的發(fā)光面，將從發(fā)光元件(30)發(fā)出的光與熒光介質(zhì)(20)發(fā)出的光混合發(fā)出。文檔編號(hào)H05B33/12GK101455122SQ200780019128公開(kāi)日2009年6月10日申請(qǐng)日期2007年2月26日優(yōu)先權(quán)日2006年3月23日發(fā)明者均熊,福田雅彥,細(xì)川地潮,榮田暢申請(qǐng)人:出光興產(chǎn)株式會(huì)社