專利名稱：表面發(fā)射型電致發(fā)光器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種表面發(fā)射型電致發(fā)光器件。
背景技術(shù)：
平面發(fā)射型電致發(fā)光器件(下文有時稱為"EL器件")包括例 如，分散型無機(jī)EL器件，其中，熒光粒子分散在具有高介電常數(shù)的粘
合劑中(例如，專利文獻(xiàn)l);薄膜型無機(jī)EL器件，其中，具有高介電 常數(shù)的介電層和薄膜光發(fā)射層相堆疊；以及有機(jī)EL器件，其具有電子 傳輸層、空穴傳輸層和光發(fā)射層相堆疊的結(jié)構(gòu)，這些層各自包括有機(jī) 材料。
專利文獻(xiàn)l: JP-A-2005-339924
非專利文獻(xiàn)l:鏃光體/、>卜'，？夕手冊(熒光體手冊)，第II版，第 2章，鏇光體同學(xué)會編輯，才一厶社出版。
非專利文獻(xiàn)2:工k夕hwi^.爭，ty卜f^義:7VY (電致發(fā)光顯示 器)，豬口敏夫著
非專利文獻(xiàn)3:宮田清藏(編輯)，有^EL秦子btC3工凝化簸M線 (有機(jī)EL器件及其工業(yè)化的第一線)，NTS

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的問題
在這些器件中，分散型有機(jī)EL器件能夠由直流電驅(qū)動，然而，由 于與面積增大相關(guān)聯(lián)的電壓下降，使得容易出現(xiàn)亮度不均勻，并且使 得難以獲得均勻的大的發(fā)射表面。
另一方面，分散型無機(jī)器件和薄膜型無機(jī)EL器件各自具有絕緣介電層夾在電極與光發(fā)射層之間的結(jié)構(gòu)，并且要求用于光發(fā)射的高電壓，
典型地，100V以上的有效電壓，通常是200V以上，這會在安全性方面 存在問題，或者導(dǎo)致諸如需要大尺寸逆變電路的問題。
在這些情況下，作出本發(fā)明，并且旨在解決傳統(tǒng)技術(shù)中的這些問 題，并且實(shí)現(xiàn)下列目的。
本發(fā)明提供了一種具有堆疊結(jié)構(gòu)的表面發(fā)射型電致發(fā)光器件(下 文有時稱為"表面發(fā)射型EL器件")，其由于由無機(jī)材料構(gòu)成而增強(qiáng) 了耐用性，并且在100V以下的低壓發(fā)射光。而且，該表面發(fā)射型電致 發(fā)光器件通過交流電驅(qū)動，因此，該器件變成容性負(fù)載，有利于大面 積制造。
解決問題的方法
通過隨后本發(fā)明及其優(yōu)選實(shí)施方式的詳細(xì)描述，能夠?qū)崿F(xiàn)本發(fā)明 的目的。
(1) 一種具有堆疊結(jié)構(gòu)的表面發(fā)射型電致發(fā)光器件，其中，透明 電導(dǎo)體層、透明半導(dǎo)體層和/或透明絕緣層、光發(fā)射層、介電層和背電 極層以此順序排列，該透明電導(dǎo)體層、透明半導(dǎo)體層、透明絕緣層和 介電層各自包括金屬氧化物。
(2) 如(1)中的表面發(fā)射型電致發(fā)光器件，其中該透明半導(dǎo)體 層和透明絕緣層各自包括選自由屬于元素周期表的第12族、第13族和 第14族的元素所構(gòu)成的組的至少一種元素。
(3) 如(1)或(2)中的表面發(fā)射型電致發(fā)光器件，其中，該光 發(fā)射層包括化合物半導(dǎo)體，該化合物半導(dǎo)體包括選自由元素周期表第2 族元素和第16族元素所構(gòu)成的組的至少一種元素，和/或選自由元素周 期表第13族元素和第15族元素所構(gòu)成的組的至少一種元素。
4(4) 如(1) (3)任意一個中的表面發(fā)射型電致發(fā)光器件，其 中，該透明電導(dǎo)體層形成在包括有機(jī)材料的膜和/或塑料襯底上。
(5) 如(1) (4)任意一個中的表面發(fā)射型電致發(fā)光器件，其 中，有效驅(qū)動電壓是100V以下。
本發(fā)明的優(yōu)勢
在本發(fā)明的表面發(fā)射型電致發(fā)光器件中，透明電導(dǎo)體層、透明半 導(dǎo)體層和/或透明絕緣層以及介電層，各自包括金屬氧化物，從而該器 件能夠由低壓AC電源驅(qū)動，能夠?qū)崿F(xiàn)均勻的亮度，并且能夠具有大面 積發(fā)射表面。


圖l示出了本發(fā)明的表面發(fā)射型電致發(fā)光器件的一個實(shí)施方式的
剖面示意圖。
具體實(shí)施例方式
本發(fā)明的表面發(fā)射型電致發(fā)光器件特征在于具有堆疊結(jié)構(gòu)，其中， 透明電導(dǎo)體層、透明半導(dǎo)體層和/或透明絕緣層、光發(fā)射層、介電層和 背電極層以此順序排列，該透明電導(dǎo)體層、透明半導(dǎo)體層、透明絕緣 層和介電層各自包含金屬氧化物。
下文將基于附圖詳細(xì)描述本發(fā)明的實(shí)施方式。
圖l是示出了根據(jù)本發(fā)明的表面發(fā)射型電致發(fā)光器件構(gòu)造的示意圖。
如圖1中所示，表面發(fā)射型電致發(fā)光器件包括絕緣支撐物，并且具 有堆疊結(jié)構(gòu)，其中，透明電導(dǎo)體層、透明半導(dǎo)體層和透明絕緣層兩者或者透明半導(dǎo)體層和透明絕緣層之一、光發(fā)射層、介電層、背電極層
和絕緣層在該支撐物上以此順序排列。AC電源連接至透明電導(dǎo)體層和
背電極層。
在具有透明半導(dǎo)體層和透明絕緣層兩者的情況下，這些層以透明
電導(dǎo)體層/透明半導(dǎo)體層/透明絕緣體層/光發(fā)射層/介電層/背電極層/絕 緣層的順序堆疊在支撐物上。
(支撐物)
本發(fā)明的表面發(fā)射型EL器件中，透明電導(dǎo)體層優(yōu)選形成在絕緣支 撐物上。能夠在此使用的支撐優(yōu)選地是包括有機(jī)材料的膜和/或塑料襯 底。襯底表示透明電導(dǎo)體層在其上形成的構(gòu)件。在膜的情形下，可以 優(yōu)選使用為有機(jī)材料的高分子聚合物材料。該包括有機(jī)材料的膜的實(shí) 例包括諸如聚對苯二甲酸乙醇二酯、聚萘二甲酸乙二醇酯或三醋酸纖 維素基透明膜。該塑料襯底的實(shí)例包括聚乙烯、聚丙烯、聚酰胺、聚 碳酸酯以及聚苯乙烯。
而且，可以使用玻璃襯底或陶瓷襯底作為支撐物。 支撐物的厚度優(yōu)選3(Him lcm，更優(yōu)選50 l,000fmi。
(透明電導(dǎo)體層)
優(yōu)選用于本發(fā)明的透明電導(dǎo)體層優(yōu)選具有0.01 10fi/sq的表面電阻 值，更優(yōu)選0.01 lfi/sq。
根據(jù)JIS K6911描述的方法能夠測量透明電導(dǎo)體層的表面電阻率。
用于本發(fā)明的透明電導(dǎo)體層包括金屬氧化物。透明電導(dǎo)體層優(yōu)選 形成在膜和/或塑料襯底上，該膜由諸如聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚萘 二甲酸乙二醇酯或三醋酸纖維素基有機(jī)材料構(gòu)成。通過諸如氣相沉積、涂覆和印刷的方法，例如，在由有機(jī)材料構(gòu) 成的膜上和/或塑料襯底上，通過將諸如氧化銦錫(ITO)、銦氧化錫和氧 化鋅的透明導(dǎo)電材料粘附和成膜，來獲得透明電導(dǎo)體層。
在這種情況下，為了提高耐用性的目的，透明電導(dǎo)體層的表面優(yōu) 選為主要包括氧化錫的層。
透明電導(dǎo)體層的制備方法可以是諸如濺射和真空氣相沉積的氣相
方法。而且，可以通過涂覆或絲網(wǎng)印刷施用糊狀I(lǐng)TO或氧化錫，并且通
過加熱整個膜或在激光下加熱，來形成膜。在該情況下，可以優(yōu)選使 用具有高耐熱性的透明膜。
本發(fā)明的表面發(fā)射型EL器件中，將通常所使用的任意透明電極材 料用于透明電導(dǎo)體層。其實(shí)例包括金屬氧化物，諸如摻錫氧化錫、摻 銻氧化錫、摻鋅氧化錫、摻氟氧化錫以及氧化鋅；多層結(jié)構(gòu)，其中， 薄銀膜夾在高折射率層之間；以及共軛聚合物，諸如聚苯胺和聚吡咯。
在獲得比單獨(dú)使用這類材料的電阻更低的情況下，優(yōu)選地改善電 傳導(dǎo)，例如，通過在網(wǎng)絡(luò)或條紋圖案中設(shè)置梳形、網(wǎng)格型等的薄金屬 線。對于薄金屬或合金線，優(yōu)選使用銅、銀、鋁、鎳等。薄金屬線可 以具有任意尺寸，但優(yōu)選其尺寸在大約0.5nm和2(Hmi之間。薄金屬線優(yōu) 選設(shè)置在具有50 400pm間距的間隔處，更優(yōu)選100 300nm。當(dāng)設(shè)置薄 金屬線時，光透射率降低。重要的是，優(yōu)選這種降低盡可能的小，并 且更優(yōu)選確保80%至小于100%的透射率。
透明電導(dǎo)體層的厚度優(yōu)選從30nm 100iLim，更優(yōu)選50nm 10(^m。
對于薄金屬線，可以將網(wǎng)格層壓至透明導(dǎo)電膜，或者可以將金屬 氧化物等涂覆或氣相沉積到薄金屬線上，該薄金屬線通過氣相沉積或
7掩膜蝕刻預(yù)先在膜上形成。此外，上述薄金屬線可以在預(yù)先形成的薄 金屬氧化膜上形成。
雖然與這些方法不同，不使用薄金屬線，但可以將具有100nm以 上平均厚度的薄金屬膜與金屬氧化物堆疊，以形成適用于本發(fā)明的透 明電導(dǎo)體層。用于薄金屬膜的金屬優(yōu)選具有高抗蝕性和延展性等優(yōu)秀 的金屬，例如，Au、 In、 Sn、 Cu和Ni，但本發(fā)明不限于此。
這種多層膜優(yōu)選地實(shí)現(xiàn)了高的光透射率，并且優(yōu)選地具有70%以 上的透射率，更優(yōu)選地，具有80%以上的透射率。用于確定該光透射率 的波長為550nm。
(透明半導(dǎo)體層和透明絕緣體層) 用于本發(fā)明的透明半導(dǎo)體層和/或透明絕緣體層提供在透明電導(dǎo) 體層與光發(fā)射層之間，并且包含金屬氧化物。
能夠包含在透明半導(dǎo)體層以及透明絕緣體層中的元素，優(yōu)選是元 素周期表中的第2族、第3族、第9族、第12族(以前的2B族(以前的IIB 族))、第13族(以前的3B族(以前的III族))、第14族(以前的4B 族(以前的IV族))、第15族(以前的5B族(以前的V族))或第16 族元素，更優(yōu)選是選自第12族、第13族和第14族元素的至少一種元素。 其具體實(shí)例包括Ga、 In、 Sn、 Zn、 Al、 Sc、 Y、 La、 Si、 Ge、 Mg、 Ca、 Sr、 Rh以及Ir，優(yōu)選的是Ga、 In、 Sn、 Zn、 Si以及Ge。
除了這些元素以外，透明半導(dǎo)體可以優(yōu)選包含硫族元素(例如，S、 Se、 Te) 、 Cu、 Ag等。
可以使用上面的這些元素一種或多種。
能夠包含在透明半導(dǎo)體層和/或透明絕緣層中的金屬氧化物的具
8體實(shí)例描述在下文中。能夠包含在透明半導(dǎo)體層和/或透明絕緣層中的 金屬氧化物的實(shí)例包括下列
LaCuOS、 LaCuOSe、 LaCuOTe SrCu202
ZnO-Rh203、 ZnRh204 CuA102
為了獲得這些金屬氧化物，可以使用一般的方法，諸如等離子體 氧化法、自然氧化方法和氣相沉積法(例如，將氧化物用作目標(biāo)的濺 射)等。
在月刊才，l^工夕義(光電子學(xué)月刊)的115~165頁(2004.10月)以 及機(jī)能襯料(功能材料)Vo1.25 No.4 (2005.4月)中具體描述了透明半導(dǎo) 體。
在本發(fā)明的電致發(fā)光器件中，透明半導(dǎo)體層以及透明絕緣體層的 厚度優(yōu)選為lnm 100^im，更優(yōu)選為lnm~l|um。
就在550nm處的光透射率而言，該層的光透射率優(yōu)選為80%以上。 (光發(fā)射層)
用于本發(fā)明的光發(fā)射層提供在透明半導(dǎo)體層和/或透明絕緣體層 與介電層之間。
在本發(fā)明的電致發(fā)光器件中，光發(fā)射層的厚度優(yōu)選為0.1 10(Him， 更優(yōu)選為0.1 3pm。
就作為包含在光發(fā)射層中熒光物質(zhì)的具體材料而言，其優(yōu)選包含 選自元素周期表的第2族(以前的2A族(以前的II族))元素與第16族 (以前的6B族(以前的VI族))元素的至少一種元素，和/或選自元素周期表的第13族元素與第15族元素的至少一種元素，并且根據(jù)所需的 光發(fā)射波長區(qū)域，任意選擇這些元素。
在光發(fā)射層中，可以優(yōu)選使用n-vi族以及ni-v族化合物半導(dǎo)體。
而且，優(yōu)選N型半導(dǎo)體。
載流子密度優(yōu)選為1{)17(^1-3以下，并且優(yōu)選給體-受體型發(fā)光中心。
例如，通過本領(lǐng)域中一般使用的空穴效應(yīng)測量方法，能夠確定載 流子密度等。
該光發(fā)射層所包含的熒光物質(zhì)的具體示例包括CdS、 CdSe、 CdTe、 ZnS、 ZnSe、 ZnTe、 CaS、 MgS、 SrS、 GaP、 GaAs、 GaN、 InP、 InAs 及它們的混合晶體，并且可以優(yōu)選使用ZnS、 ZnSe、 CaS等。
此夕卜，可以優(yōu)選使用BaAl2S4、 CaGa2S4、 Ga203、 Zn2Si04、 Zn2Ga04、 ZnGa204、 ZnGe03、 ZnGe04、 ZnAl204、 CaGa204、 CaGe03、 Ca2Ge207、 CaO、 Ga203、 Ge02、 SrAl204、 SrGa204、 SrP207、 MgGa204、 Mg2Ge04、 MgGe03、 BaAl204、 Ga2Ge207、 BeGa204、 Y2Si05、 Y2Ge05、 Y2Ge207、 Y4Ge08、 Y203、 Y202S、 Sn02以及它們的混合晶體等。
(介電層)
用于本發(fā)明的介電層提供在光發(fā)射層與背電極層之間，并且包括 金屬氧化物。能夠包含在介電層中的金屬氧化物包括選自Ti、 Ba、 Sr、 Nb、 Pb、 Ta、 Li、 Y、 Al、 Zr、 Si等中的一種或多種元素的氧化物。
其具體實(shí)例包括Ti02、 BaTi03、 SrTi03、 PbTi03、 KNb03、 PbNb03、 Ta203、 BaTa206、 LiTa203、 Y203、 A1203、 Zr02、 A10N和Si02。這些
金屬氧化物可以提供為薄膜晶體層，可以被用作具有粒子結(jié)構(gòu)的膜， 或可以是二者的組合。在薄膜晶體層的情況下，該層可以是通過諸如濺射的氣相方法在
襯底上形成的薄膜，或者可以是使用Ba、 Sr等醇氧化物的溶膠-凝膠膜。 在這種情形下，膜厚通常為l 5(Hun。上面的襯底被認(rèn)為包括在含背電 極側(cè)上的襯底，以及在含光發(fā)射層側(cè)上的襯底。在具有粒子結(jié)構(gòu)的膜 的情形下，優(yōu)選粒子對于光發(fā)射層的厚度而言足夠小。具體而言，粒 子的尺寸優(yōu)選為光發(fā)射層厚度的1/3 1/1000。
介電層可以包含具有高介電常數(shù)的有機(jī)粘結(jié)劑。其具體實(shí)例包括 氰基樹脂氟橡膠。
(背電極層)
用于本發(fā)明的背電極層設(shè)置在介電層上，并且優(yōu)選提供在介電層 與絕緣層之間。
具有導(dǎo)電性的任意材料能夠用于背電極層，不從該背電極層所在 側(cè)獲得光。根據(jù)制造器件的模式、制造過程中的溫度等，材料適當(dāng)?shù)?選自諸如金、銀、鉑、銅、鐵和鋁的金屬以及石墨。首先，重要的是 熱傳導(dǎo)性要高，并且熱傳導(dǎo)性優(yōu)選為2.0W/cm'deg以上。
而且，為了確保高的熱輻射和電傳導(dǎo)，在EL器件的外圍可以優(yōu)選 使用金屬片或金屬網(wǎng)。
背電極層的厚度沒有特別限制，但優(yōu)選0.01^im lmm。 (絕緣層)
在本發(fā)明中，絕緣層還可以提供在背電極層上。
例如，絕緣層可以通過氣相沉積或涂覆分散液等形成，其中，絕 緣無機(jī)材料、聚合物材料或無機(jī)材料粉末在聚合物材料中分散。本發(fā)明的用途沒有特別限制，但考慮用作光源時，發(fā)射色彩優(yōu)選 為白色。
用于獲取白光發(fā)射的方法，優(yōu)選是將多種光發(fā)射材料混合的方法， 該光發(fā)射材料發(fā)射三原色或互補(bǔ)色(例如，藍(lán)-綠-紅的組合、帶藍(lán)色的
綠-橙的組合)的光。而且，優(yōu)選描述在JP-A-7-166161、 JP-A-9-245511 以及JP-A-2002-62530中的方法，其中，使用藍(lán)色或帶藍(lán)的綠色光發(fā)射 熒光材料和熒光顏料或染料，并且發(fā)射光的一部分波長轉(zhuǎn)換(發(fā)射) 成綠色或紅色，從而產(chǎn)生白光。對于熒光染料，優(yōu)選使用羅丹明基熒 光染料。在CIE色度坐標(biāo)(x,y)中，x值優(yōu)選在0.30 0.4的范圍內(nèi)，且y 值優(yōu)選在0.30 0.40的范圍內(nèi)。
(封裝 水吸收)
本發(fā)明的表面發(fā)射型EL器件優(yōu)選在末端進(jìn)行處理，通過使用適當(dāng) 的密封材料，以消除來自外部環(huán)境的濕氣的影響。在器件的襯底本身 具有足夠高阻擋特性的情形下，封裝優(yōu)選這樣執(zhí)行通過將阻擋片重 疊在所制造的器件的頂部，并用諸如環(huán)氧的固化材料將周邊密封。而 且，為了阻止片狀器件的彎曲，可以在兩個表面上都提供阻擋片。在 器件的襯底具有透濕性的情形下，在兩個表面上都提供阻擋片是必要 的。
根據(jù)目的，阻擋片選自玻璃、金屬或塑料膜等，但可優(yōu)選使用具 有多層結(jié)構(gòu)和由氧化硅組成的層的濕氣阻擋膜，該多層結(jié)構(gòu)由有機(jī)聚 合物化合物組成，其公開在例如，JP-A-2003-249349中。也可以優(yōu)選使 用氯代三氟乙烯等。
該封裝處理，如在JP-B-63-27837中所述(此處所使用的術(shù)語"JP-B" 意為"己審査的日本專利公開")，優(yōu)選在真空或用惰性氣體凈化的氛圍
12中進(jìn)行，并且，重要的是，如在JP-A-5-166582中所述，在封裝處理之 前，充分地降低水含量。
在EL器件的制作中，吸水層優(yōu)選提供在濕氣阻擋膜的內(nèi)部。吸水 層優(yōu)選由具有高吸水性能與高持水性能的材料構(gòu)成，例如，尼龍和聚 乙烯醇。高透明度也是重要的。只要透明度高，也可以優(yōu)選使用諸如 纖維素和紙的材料。
(紫外吸收劑)
在本發(fā)明中，能夠使用無機(jī)化合物，諸如JP-A-9-22781所描述的氧 化鈰。更優(yōu)選地，能夠使用有機(jī)化合物。
在本發(fā)明中，優(yōu)選使用具有有高摩爾消光系數(shù)的三嗪骨架的化合 物作為紫外吸收劑，并且，例如，可以使用下列出版物中所描述的化 合物。
這些化合物是優(yōu)選被加至成像光敏材料的化合物，但在本發(fā)明中 也是有效的。能夠使用的化合物的實(shí)例包括在JP-A-46-3335 、 JP-A-55-l52776、 JP-A-5-197074 、 JP-A-5-232630 、 JP-A-5-307232 、 JP-A-6-211813 、 JP-A-8-53427 、 JP-A-8-234364 、 JP-A-8-239368 、 JP-A-9-31067、 JP-A-10-115898、 JP-A-10-147577、 JP-A-10-182621 、德 國專利公開19739797A、歐洲專利公開711804A以及JP-T-8-501291 (此 處所使用的術(shù)語"JP-T"意為"公開的PCT專利申請的日語翻譯")中所描 述的化合物。
重要的是，紫外吸收劑必須設(shè)置成不允許光線發(fā)射層以及熒光染 料吸收紫外線，并且可以被添加至在透明電極層外部的濕氣阻擋膜或
吸水膜中。當(dāng)然，能夠?qū)⒆贤馕談┩扛不蛴∷⒃谶@種膜的表面，作 為紫外吸收層。
13(薄膜形成方法)
可以優(yōu)選用于形成上述透明電導(dǎo)體層、透明半導(dǎo)體層、透明絕緣 體層、光發(fā)射層、介電層、背電極層等的薄膜形成方法的實(shí)例，包括 濺射法、電子束沉積法、電阻加熱沉積法、化學(xué)氣相沉積法(CVD法) 以及等離子CVD法。
(電源)
本發(fā)明的表面發(fā)射型電致發(fā)光器件優(yōu)選由交流電驅(qū)動。驅(qū)動有效
電壓優(yōu)選為300V以下，更優(yōu)選為10V 200V，再更優(yōu)選為30V 150V。
在本發(fā)明中，用于驅(qū)動表面發(fā)射型EL器件的電源優(yōu)選具有檢測電 流并使其保持不變的功能。
(其他)
如果期望的話，在本發(fā)明的器件構(gòu)造中，可以增加襯底、反射層、 各種保護(hù)層、濾光器、光散射反射層等。尤其是，對于襯底，除了玻 璃襯底或陶瓷襯底之外，能夠使用柔軟的透明樹脂片。
雖然己經(jīng)結(jié)合本發(fā)明的具體實(shí)施方式
對本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)描述， 但對于本領(lǐng)域技術(shù)人員顯而易見的是，在不背離本發(fā)明的精神和范圍 的條件下，可以對本發(fā)明做出各種變更和修改。
本發(fā)明基于2006年5月26日提交的日本專利申請(專利申請 No.2006-146676)，其內(nèi)容在此并入作為參考。
權(quán)利要求
1. 一種具有堆疊結(jié)構(gòu)的表面發(fā)射型電致發(fā)光器件，其中，透明電導(dǎo)體層、透明半導(dǎo)體層和/或透明絕緣體層、光發(fā)射層、介電層以及背電極層以此順序排列，所述透明電導(dǎo)體層、所述透明半導(dǎo)體層、所述透明絕緣體層以及所述介電層各自包括金屬氧化物。
2. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的表面發(fā)射型電致發(fā)光器件，其中，所述 透明半導(dǎo)體層和所述透明絕緣體層各自包括選自由屬于元素周期表第 12族、第13族和第14族的元素所構(gòu)成的組的至少一種元素。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的表面發(fā)射型電致發(fā)光器件，其中，所 述光發(fā)射層包括化合物半導(dǎo)體，所述化合物半導(dǎo)體包括選自由元素周 期表第2族元素和第16族元素所構(gòu)成的組的至少一種元素，和/或選自由 元素周期表第13族元素和第15族元素所構(gòu)成的組的至少一種元素。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1 3中任一項所述的表面發(fā)射型電致發(fā)光器件， 其中，所述透明電導(dǎo)體層形成在包括有機(jī)材料的膜和/或塑料襯底上。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1~4中任一項所述的表面發(fā)射型電致發(fā)光器件， 其中，有效驅(qū)動電壓為100V以下。
全文摘要
本發(fā)明提供一種表面發(fā)射型電致發(fā)光器件，其能夠使用低電壓AC電源，實(shí)現(xiàn)均勻的亮度，并且具有大面積的發(fā)射表面，在電致發(fā)光器件中，該器件被應(yīng)用于背光和顯示裝置，并且其特征在于能夠?qū)崿F(xiàn)使用塑料襯底的柔性材料構(gòu)造，并且能夠通過不使用真空單元的相對簡單步驟，以低成本生產(chǎn)該器件，而且通過將多種發(fā)射色彩不同的熒光材料粒子混合，或通過將熒光染料用于色彩轉(zhuǎn)換，能夠容易地控制該器件的發(fā)射色彩。一種具有堆疊結(jié)構(gòu)的表面發(fā)射型電致發(fā)光器件，其中，透明電導(dǎo)體層、透明半導(dǎo)體層和/或透明絕緣體層、光發(fā)射層、介電層以及背電極層以此順序排列，透明電導(dǎo)體層、透明半導(dǎo)體層、透明絕緣體層以及介電層各自包含金屬氧化物。
文檔編號H05B33/22GK101455123SQ200780019340
公開日2009年6月10日 申請日期2007年5月25日 優(yōu)先權(quán)日2006年5月26日
發(fā)明者佐藤忠伸, 山下清司, 白田雅史 申請人:富士膠片株式會社