專利名稱：多層基底及具有該多層基底的電子裝置的制作方法
多層基底及具有該多層基底的電子裝置 技術(shù)領(lǐng)域符合本發(fā)明總體構(gòu)思的一種多層基底和一種具有該多層基底的電子裝置涉及改進(jìn)信號(hào)線的返回電流^各徑(return current path)。
背景技術(shù)：
通常，基底被廣泛用作從諸如數(shù)字TV、計(jì)算機(jī)等的家用電器到高科技 通信裝置的電子裝置的組件?；自陬A(yù)定的主體上形成一條信號(hào)線用于連接 電組件(例如集成電路、電阻器、開(kāi)關(guān)等)，或形成多條信號(hào)線，從而電連接或 電傳輸信號(hào)。根據(jù)層的數(shù)量，將基底分為單面基底、雙面基底、多層基底等，隨著層 的數(shù)量增多，組件安裝容量變得較大。對(duì)于其電路不復(fù)雜的無(wú)線電裝置等產(chǎn) 品采用單面基底，對(duì)于諸如高性能計(jì)算機(jī)等各種電子裝置采用多層基底。通常，在多層基底中，基底主體和層按順序成層，在基底主體中形成過(guò) 孔(viahole),用于連接設(shè)置在其它層中的信號(hào)線。這里，當(dāng)通過(guò)信號(hào)線傳輸數(shù)據(jù)通信、功率供應(yīng)、具有預(yù)定頻率的信號(hào)等 時(shí)，沿著與信號(hào)傳輸方向相反的方向產(chǎn)生返回電流。優(yōu)選地，返回電流的長(zhǎng) 度、路徑等對(duì)應(yīng)于信號(hào)傳輸路徑的長(zhǎng)度、路徑等。然而，在傳統(tǒng)的多層基底中，由于返回電流的不連續(xù)性而產(chǎn)生信號(hào)失真， 并且在多層基底處產(chǎn)生增大電石茲干擾(EMI, electromagnetic interference)等的 噪聲。另夕卜，沿著過(guò)孔的徑向方向(radial direction)輻射EMI而對(duì)其它信號(hào)產(chǎn) 生影響，從而降低了信號(hào)傳輸能力。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的總體構(gòu)思提供一種多層基底和一種具有該多層基底的電子裝 置，其中，該多層基底使返回電流路徑的不連續(xù)性最小化。本發(fā)明的總體構(gòu)思還提供一種多層基底和一種具有該多層基底的電子裝 置，其中，該多層基底防止在信號(hào)過(guò)孔中的EMI輻射，并改善信號(hào)線的信號(hào)傳輸能力。此外，本發(fā)明的總體構(gòu)思提供一種多層基底和一種具有該多層基底的電 子裝置，其中，該多層基底穩(wěn)定地支撐信號(hào)過(guò)孔。本發(fā)明總體構(gòu)思的另外的方面和用途將在以下的描述中部分地進(jìn)行闡 述，部分地通過(guò)描述將是顯而易見(jiàn)的，或者可通過(guò)實(shí)踐本發(fā)明的總體構(gòu)思而 明了。本發(fā)明總體構(gòu)思的上述和/或其它方面可通過(guò)提供一種多層基底來(lái)實(shí)現(xiàn)，該多層基底包括多個(gè)基底主體；多個(gè)層，與基底主體交替地成層；信號(hào)過(guò) 孔，與信號(hào)線連接，并包括穿過(guò)至少一個(gè)基底主體的信號(hào)柱；子過(guò)孔，包括 圍繞信號(hào)柱的子柱和從子柱的端部延伸而形成在層上的一對(duì)子焊盤，其中， 形成有子焊盤的層設(shè)置在與形成有與信號(hào)過(guò)孔連接的信號(hào)線的層相同的層 中，或者設(shè)置在形成有與信號(hào)過(guò)孔連接的信號(hào)線的層的外部。根據(jù)總的發(fā)明構(gòu)思，如果形成有至少一個(gè)子焊盤的層是與形成有與信號(hào) 過(guò)孔連接的至少一條信號(hào)線的層相同的層，則至少一個(gè)子焊盤和至少一條信 號(hào)線與所述層形成在同 一平面內(nèi)，與所述信號(hào)線形成在所述同 一平面內(nèi)的子 過(guò)孔包括與信號(hào)線隔開(kāi)的間距部分。根據(jù)總的發(fā)明構(gòu)思，如果形成有至少一個(gè)子焊盤的層設(shè)置在形成有與信 號(hào)過(guò)孔連接的信號(hào)線的層的外部，則子柱形成有至少 一條信號(hào)線穿過(guò)的貫穿 部分。根據(jù)總的發(fā)明構(gòu)思，基底主體具有作為基底電介質(zhì)的特征，子電介質(zhì)設(shè) 置在信號(hào)柱和子柱之間，所述子電介質(zhì)包含與基底電介質(zhì)的材料相同的材料。根據(jù)總的發(fā)明構(gòu)思，基底主體具有與基底電介質(zhì)的特性相同的特性，子 電介質(zhì)設(shè)置在信號(hào)柱和子柱之間，所述子電介質(zhì)包含與基底電介質(zhì)的材料不 同的材料。根據(jù)總的發(fā)明構(gòu)思，多層基底還包括連接信號(hào)柱和子柱的支撐件。 根據(jù)總的發(fā)明構(gòu)思，子焊盤接地。本發(fā)明總體構(gòu)思的上述和/或其它方面可通過(guò)提供一種多層基底來(lái)實(shí)現(xiàn)， 該多層基底包括多個(gè)基底主體；多個(gè)層，與基底主體交替地成層；信號(hào)過(guò) 孔，與信號(hào)線連接，并包括穿過(guò)至少一個(gè)基底主體的信號(hào)柱；子過(guò)孔，包括 圍繞信號(hào)柱的子柱和從子柱的端部延伸而形成在層上的一對(duì)子焊盤；支撐件， 連接信號(hào)柱和子柱，其中，形成有子焊盤的層設(shè)置在形成有與信號(hào)過(guò)孔連接的信號(hào)線的層的內(nèi)部。根據(jù)總的發(fā)明構(gòu)思，多層基底借助于基底主體的特性形成基底電介質(zhì)， 子電介質(zhì)設(shè)置在信號(hào)柱和子柱之間，所述子電介質(zhì)包含與基底電介質(zhì)的材料 不同的材料。本發(fā)明總體構(gòu)思的上述和/或其它方面可以通過(guò)提供一種多層基底來(lái)實(shí)現(xiàn)，該多層基底包括多個(gè)基底主體；多個(gè)層，與基底主體交替地成層；信 號(hào)過(guò)孔，與第一信號(hào)線和第二信號(hào)線連接，并包括穿過(guò)至少一個(gè)基底主體的 信號(hào)柱；子過(guò)孔，包括圍繞信號(hào)柱的子柱和從子柱的端部延伸而形成在層上 的一對(duì)子焊盤，其中，形成有第一子焊盤的層設(shè)置在形成有與信號(hào)過(guò)孔連接 的第 一信號(hào)線的層的外部，形成有第二子焊盤的層i殳置在形成有與信號(hào)過(guò)孔 連接的第二信號(hào)線的層的內(nèi)部。根據(jù)總的發(fā)明構(gòu)思，子柱形成有第 一信號(hào)線或第二信號(hào)線中的一條穿過(guò) 的貫穿部分。根據(jù)總的發(fā)明構(gòu)思，基底主體具有作為基底電介質(zhì)的特征，子電介質(zhì)設(shè) 置在信號(hào)柱和子柱之間，所述子電介質(zhì)包含與基底電介質(zhì)的材料相同的材料。根據(jù)總的發(fā)明構(gòu)思，基底主體具有作為基底電介質(zhì)的特征，子電介質(zhì)設(shè) 置在信號(hào)柱和子柱之間，所述子電介質(zhì)包含與基底電介質(zhì)的材料不同的材料。根據(jù)總的發(fā)明構(gòu)思，所述多層基底還包括連接信號(hào)柱和子柱的支撐件。根據(jù)總的發(fā)明構(gòu)思，子焊盤接地。本發(fā)明總體構(gòu)思的上述和/或其它方面可通過(guò)提供一種包括多層基底的 電子裝置來(lái)實(shí)現(xiàn)。本發(fā)明總體構(gòu)思的上述和/或其它方面可通過(guò)提供一種多層基底來(lái)實(shí)現(xiàn)， 該多層基底包括多個(gè)基底主體；多個(gè)層，與基底主體交替地成層；信號(hào)過(guò) 孔，與至少一條信號(hào)線連接，并包括穿過(guò)至少一個(gè)基底主體的信號(hào)柱和連接 到信號(hào)柱的信號(hào)焊盤；子過(guò)孔，包括信號(hào)柱外部的子柱和連接到子柱的子焊 盤，其中，沿著與多個(gè)層中的形成有信號(hào)線的一個(gè)層的平面相同的平面設(shè)置 子焊盤。根據(jù)總的發(fā)明構(gòu)思，可沿著多個(gè)層中的形成有信號(hào)線的一個(gè)層的平面相 同的平面設(shè)置信號(hào)焊盤。子過(guò)孔可包括多個(gè)子焊盤，信號(hào)過(guò)孔可包括多個(gè)信 號(hào)焊盤，信號(hào)線可包括多條信號(hào)線。根據(jù)總的發(fā)明構(gòu)思，多個(gè)子焊盤可設(shè)置在多個(gè)信號(hào)焊盤之間。根據(jù)總的發(fā)明構(gòu)思，多個(gè)子焊盤和多個(gè)信號(hào)焊盤可設(shè)置在可形成有多條 信號(hào)線的多個(gè)層上。根據(jù)總的發(fā)明構(gòu)思，多個(gè)子焊盤為兩個(gè)子焊盤，這兩個(gè)子焊盤中的一個(gè) 可設(shè)置在多個(gè)信號(hào)焊盤之間，這兩個(gè)子焊盤中的另 一個(gè)可設(shè)置在多個(gè)層中的 形成有信號(hào)線和多個(gè)信號(hào)焊盤之一的一個(gè)層上。根據(jù)總的發(fā)明構(gòu)思，支撐件連接信號(hào)焊盤和子焊盤。根據(jù)總的發(fā)明構(gòu)思，支撐件連接信號(hào)柱和子柱。根據(jù)總的發(fā)明構(gòu)思，子柱形成有至少一條信號(hào)線穿過(guò)的貫穿部分。 根據(jù)總的發(fā)明構(gòu)思，在多條信號(hào)線與信號(hào)過(guò)孔和子過(guò)孔內(nèi)行進(jìn)的信號(hào)傳 輸電流路徑與返回電流路徑基本相同。


通過(guò)以下結(jié)合附圖對(duì)示例性實(shí)施例的描述，本發(fā)明總體構(gòu)思的上述和/或其它方面及用途將變得清楚且更容易理解，在附圖中圖1A和圖1B是示出了用于與本發(fā)明總體構(gòu)思的示例性實(shí)施例作比較的 多層基底和信號(hào)傳輸路徑的剖視圖；圖2A是示出了根據(jù)本發(fā)明總體構(gòu)思的示例性實(shí)施例的多層基底的透視圖；圖2B是沿著圖2A中的IIb-IIb線截取的剖視圖； 圖3A至圖3F是示出了圖2A中的多層基底的制造過(guò)程的剖視圖； 圖4是示出了圖2A中的多層基底的信號(hào)傳輸路徑的剖視圖； 圖5A是示出了根據(jù)圖2A和圖2B的示例性實(shí)施例的多層基底的透視圖； 圖5B是沿著圖5A中的Vb-Vb線截取的剖一見(jiàn)圖； 圖6A至圖6E是示出了圖5A中的多層基底的制造過(guò)程的剖視圖； 圖7A是示出了根據(jù)圖2A和圖2B的示例性實(shí)施例的多層基底的透視圖； 圖7B是沿著圖7A中的VIIb-VIIb線截取的剖^L圖； 圖8A是示出了根據(jù)本發(fā)明總體構(gòu)思的另一示例性實(shí)施例的多層基底的 透視圖；圖8B是沿著圖8A中的VIIIb-VIIIb線截取的剖視圖； 圖9A是示出了根據(jù)本發(fā)明總體構(gòu)思的另一示例性實(shí)施例的多層基底的 透視圖；圖9B是沿著圖9A中的IXb-IXb線截取的剖視圖。
具體實(shí)施方式
現(xiàn)在，將對(duì)本發(fā)明總體構(gòu)思的實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)描述，在附圖中示出了本 發(fā)明總體構(gòu)思的實(shí)施例的示例，其中，標(biāo)號(hào)始終表示它們相對(duì)應(yīng)的元件。下 面通過(guò)參照附圖對(duì)實(shí)施例進(jìn)行描述，用來(lái)解釋本發(fā)明的總體構(gòu)思。如圖2A至圖7B中所示，根據(jù)本發(fā)明總體構(gòu)思的示例性實(shí)施例的幾個(gè)示 例的多層基底100包括信號(hào)過(guò)孔130和子過(guò)孔(subviahole)140。多層基底100 包括按順序成層的多個(gè)基底主體110和多個(gè)層120。多層基底100可包括安 裝在層120的表面上的表面貼裝器件(SMD， surface mounted device),用于執(zhí) 行各種功能。多層基底100可包括多個(gè)層，例如包括六個(gè)層、八個(gè)層等以及 根據(jù)本實(shí)施例的示例的四個(gè)層?；字黧w110由置于層120之間的非導(dǎo)電體形成。這里，基底主體110 包括第一基底主體111、第二基底主體113和第三基底主體115?；字黧w110 與四個(gè)層121、 123、 125和127成層，用于支撐多層基底IOO。基底主體110 包含諸如非導(dǎo)電體環(huán)氧樹(shù)脂的材料，并可選擇性地采用各種公知材料?；?主體110包括用于電連接的信號(hào)過(guò)孔130和圍繞信號(hào)過(guò)孔130的子過(guò)孔140。 如果信號(hào)被傳輸?shù)叫盘?hào)線133等，則在位于信號(hào)線133之間的基底主體110 內(nèi)產(chǎn)生極化，其中，基底主體110用作具有預(yù)定介電常數(shù)的介電基底。層120置于基底主體110的層之間，或者可形成多層基底100的外部層。 層120可以形成有信號(hào)線133或接地層。層120包括第一層121,形成在 第一基底主體111的下部，作為最下層；第二層123，設(shè)置在第一基底主體 111和第二基底主體113之間；第三層125，設(shè)置在第二基底主體113和第三 基底主體115之間；第四層127,形成在第三基底主體115的上部，作為最上 層。層120包括導(dǎo)電體如銅片等。層120形成有用于電連接的各種類型的圖 案。層120除了形成有信號(hào)線133之外，層120還可以形成有用于供應(yīng)功率、 使信號(hào)線133接地等或者用于傳輸高頻信號(hào)的各種圖案。層120形成有信號(hào) 焊盤135和子焊盤145。另外，多層基底100可經(jīng)過(guò)發(fā)射紫外線等的曝光工藝、用于剝離(peel) 沒(méi)有接收紫外線等的部分的顯影工藝、去除沒(méi)有形成有預(yù)定圖案的部分的蝕刻工藝、清洗基底的清洗工藝和其它工藝，從而層120可與基底主體110成 層而形成銅薄膜等的預(yù)定圖案。信號(hào)過(guò)孔130與信號(hào)線133連接，并穿過(guò)至少一個(gè)基底主體110形成。 信號(hào)過(guò)孔130與其它層120的信號(hào)線133電連接。信號(hào)過(guò)孔130包括信號(hào)柱 (signal column)131和信號(hào)焊盤135。信號(hào)柱131以圓柱形形狀形成并穿透基底主體110且具有預(yù)定厚度。信 號(hào)柱131包含由導(dǎo)電體形成的材料。來(lái)自信號(hào)柱131的端部的信號(hào)焊盤135 延伸到形成在層120上的信號(hào)線133以被電連接。信號(hào)線133與信號(hào)過(guò)孔130電連接，并設(shè)置到層120。信號(hào)線133可以 電連接到信號(hào)過(guò)孔130的信號(hào)柱131和信號(hào)焊盤135中的一個(gè)。信號(hào)線133 可執(zhí)行各種功能，例如供應(yīng)功率、傳輸預(yù)定的信息、傳輸具有預(yù)定頻率的信 號(hào)等。信號(hào)焊盤135從信號(hào)柱131的端部延伸而被設(shè)置到層120。信號(hào)焊盤135 包括導(dǎo)電體，并可包含與信號(hào)柱131的材料相同的材料。子過(guò)孔140穿過(guò)基底主體110形成，并設(shè)置在信號(hào)過(guò)孔130的外面以圍 繞信號(hào)過(guò)孔130。子過(guò)孔140包括子柱141和子焊盤145。子過(guò)孔140與接地 線149電連接而被接地。如圖2A所示，子過(guò)孔140包括間距部分(distance part)147。子過(guò)孔140還可包括貫穿部分(throughpart)143(例如，見(jiàn)圖5A)。子 過(guò)孔140還可包括中間焊盤151(例如，見(jiàn)圖6A)。子柱141以圓柱形形狀形成并穿過(guò)基底主體110且具有預(yù)定的厚度。子 柱141包含由導(dǎo)電體形成的材料。子柱141從形成在層120上的子焊盤145 的端部延伸以被電連接。例如，在圖2A和圖2B中所示，子柱141可與信號(hào) 柱131同軸地形成。子柱141沒(méi)有與未形成有子焊盤145的層120電連接。然而，在諸如接 地等必要的情況下，子柱141可以與未形成有子焊盤145的層120電連接。子焊盤145從子柱141的端部延伸而被設(shè)置到層120。子焊盤145包括 導(dǎo)電體，并包含與子柱141的材料相同的材料。因此，圍繞信號(hào)過(guò)孔130的子過(guò)孔140被設(shè)置成使返回電流路徑最小化， 從而使返回電流路徑的不連續(xù)性最小化。另外，可防止從信號(hào)過(guò)孔130輻射 電磁干擾(EMI)、噪聲等。另外，可減少由于信號(hào)傳輸路徑與返回電流路徑之 間的差異造成的信號(hào)失真、噪聲產(chǎn)生等。間距部分147形成在子過(guò)孔140處，并形成子過(guò)孔140和信號(hào)線133之 間的距離，使得信號(hào)線133可穿過(guò)間距部分147。信號(hào)線133和子過(guò)孔140 之間的距離根據(jù)信號(hào)線133的功能、信號(hào)頻率等可以是可變化的。因此，可 在沿著間距部分147與信號(hào)線133最近的層120處形成返回電流路徑，以與 信號(hào)線133的信號(hào)傳輸路徑對(duì)應(yīng)。接地線149與子過(guò)孔140電連接，以使返回電流接地。可選擇地，接地 線149可形成在第三層125(即，間距部分147的下端部)處，以與子柱141電 連接。接地線149可在與信號(hào)線133最接近地形成的層120處形成，以與信號(hào) 線133的反射區(qū)范圍(reflecting arearange)鄰近。這里，當(dāng)必要時(shí)，接地線149 可形成為圍繞信號(hào)線133。子電介質(zhì)160(見(jiàn)圖2B、圖3D至圖3F、圖4、圖5B、圖6B至圖6E和 圖7B)填充在信號(hào)過(guò)孔130和子過(guò)孔140之間。子電介質(zhì)160可包含介電常 數(shù)與基底電介質(zhì)的介電常數(shù)相同或不同的材料。另外，鑒于信號(hào)線133的特 寸生阻4元(characteristic impedance)或自阻#元(self impedance)， 子電介質(zhì)160可包 含各種與基底電介質(zhì)的材料不同的材料。另外，可以鑒于信號(hào)線133的特性支撐件170連接到信號(hào)過(guò)孔130和子過(guò)孔140,用于相對(duì)于子過(guò)孔140 來(lái)支撐信號(hào)過(guò)孔130。支撐件170在圖2A中示出為具有柱形(rod shape),但 是支撐件170可具有其它各種形狀。支撐件170由非導(dǎo)電材料形成?？梢澡b于子電介質(zhì)160的材料、信號(hào)過(guò)孔130的大小、子過(guò)孔140的大 小等以不同的方式設(shè)置支撐件no的支撐位置和數(shù)量。因此，可以由支撐件170穩(wěn)定地支撐信號(hào)過(guò)孔130。這里，根據(jù)示例性實(shí)施例的子焊盤145設(shè)置在形成有與信號(hào)過(guò)孔130連 接的信號(hào)線133的層120中，或者設(shè)置在形成有與信號(hào)過(guò)孔130連接的信號(hào) 線133的層120的外部。根據(jù)這種構(gòu)造，將順序參照?qǐng)D2A至圖7B來(lái)解釋該示例性實(shí)施例的代表 性示例。首先，如圖2A和圖2B所示，子焊盤145和與信號(hào)過(guò)孔130連接的信號(hào) 線133設(shè)置在同一層120上。即，子焊盤145和信號(hào)線133 —起分別設(shè)置在 第一層121和第四層127上。間距部分147在第一層121和第四層127上形成在信號(hào)焊盤135處，而使信號(hào)線133穿過(guò)間距部分147。并且，子焊盤145 與在第一層121和第四層127處形成的接地線149連接。支撐件170設(shè)置在 第一層121和第四層127,用于相對(duì)于子過(guò)孔140來(lái)支撐信號(hào)過(guò)孔130。在下文，將同時(shí)參照?qǐng)D3A至圖3F來(lái)描述如圖2A和圖2B所示的多層 基底IOO的制造過(guò)程。如圖3A所示，在最下層中設(shè)置第一層121,在第一層121上按順序設(shè)置 第一基底主體111、第二層123、第二基底主體113、第三層125、第三基底 主體115和第四層127,以制造多層基底IOO。然后，如圖3B所示，將子通孔(sub through hole)153形成為穿透多層基 底100。如圖3C所示，在子通孔153中形成子柱141,在第一層121和第四層 127上形成子焊盤145。這里，形成間距部分147,使得信號(hào)線133可穿過(guò)子 過(guò)孔140。間距部分147可防止子柱141和子焊盤145在子過(guò)孔140的形成 過(guò)程中形成在基底主體110處。例如，可選擇性地采用諸如使膠帶(tape)附于 將要形成間距部分147的部分的方法的各種方法?？梢栽诒匾那闆r(例如，接地)下使子柱141與第二層123或第三層125 電連接，而不與第一層121和第四層127等連接。將支撐件170形成到第一層121和第四層127，并^t穿子過(guò)孔140的內(nèi) 部空間以與子焊盤145連接。支撐件170可形成為具有預(yù)定強(qiáng)度的非導(dǎo)體。如圖3D所示，在子過(guò)孔140的內(nèi)部空間內(nèi)填充子電介質(zhì)160。在圖3E 中，將信號(hào)通孔139形成為穿過(guò)填充在子過(guò)孔140內(nèi)部的子電介質(zhì)160。如圖3F所示，在信號(hào)通孔139處形成信號(hào)柱131,在第一層121和第四 層127形成信號(hào)焊盤135以使信號(hào)焊盤135電連接到信號(hào)線133。這里，信 號(hào)焊盤135可以與第一層121和第四層127中的支撐件170連接而被支撐件 170支撐。將同時(shí)參照?qǐng)D4來(lái)描述根據(jù)本發(fā)明總體構(gòu)思的示例性實(shí)施例的多層基底 100的信號(hào)傳輸過(guò)程。首先，將通過(guò)參照?qǐng)D1A和圖1B描述圖1A和圖1B中示出的沒(méi)有設(shè)置 子過(guò)孔140的對(duì)比例，從而與圖2A的示例性實(shí)施例進(jìn)行比較。如圖1A和圖 1B所示，多層基底20包括四層基底20，在該四層基底20中，三個(gè)基底主體 41、 43和45與四個(gè)層51、 53、 55和57按順序成層。這里，將過(guò)孔30形成為穿過(guò)基底主體41、 43和45,以電連接在第一層51中形成的信號(hào)線21b和 在第四層57中形成的信號(hào)線21a。這里，過(guò)孔30包括信號(hào)柱31，穿過(guò)基 底主體41、 43和45;信號(hào)焊盤33,電連接信號(hào)線21a、 21b與信號(hào)柱31。在具有圖1A和圖1B的這種構(gòu)造的傳統(tǒng)技術(shù)中，信號(hào)被傳輸?shù)叫盘?hào)線 21a和21b,以傳輸數(shù)據(jù)、功率供應(yīng)或電流供應(yīng)、具有預(yù)定頻率的信號(hào)等。這 里，當(dāng)通過(guò)信號(hào)線或平面?zhèn)鬏斝盘?hào)時(shí)，返回電流流經(jīng)與傳輸信號(hào)的信號(hào)線或 平面最近的信號(hào)線、平面或過(guò)孔。因此，如圖1B所示，表示為"+"的信號(hào) 傳輸電流路徑60和表示為"-"的返回電流路徑61具有不規(guī)則的距離或不 同的長(zhǎng)度。相反，如圖4所示，如果在信號(hào)線133中傳輸預(yù)定的信號(hào)，則在通過(guò)其 傳輸信號(hào)的路徑和返回電流路徑之間幾乎沒(méi)有差別。例如，如圖4所示的表 示為"+ "的信號(hào)傳輸電流路徑180和表示為"-"的通過(guò)信號(hào)傳輸產(chǎn)生的 返回電流路徑181示出了在路徑之間沒(méi)有差別。與圖1B所示的多層基底20 相比，根據(jù)本發(fā)明總體構(gòu)思的多層基底100的信號(hào)傳輸電流路徑和返回電流 路徑幾乎相互一致。因此，電流在信號(hào)傳輸電流路徑180(包括信號(hào)線、信號(hào) 過(guò)孔和子過(guò)孑L)中行進(jìn)的距離與電流在返回電流路徑181中行進(jìn)的距離基本相 同。因此，可以使返回電流路徑的不連續(xù)性最小化。另外，可防止信號(hào)過(guò)孔 130中的EMI輻射，并可改善信號(hào)線133的信號(hào)傳輸能力。可穩(wěn)定地支撐信 號(hào)過(guò)孔130。如圖5A至圖6E所示，在根據(jù)本發(fā)明總體構(gòu)思的示例性實(shí)施例的多層基 底100中，第一子焊盤145設(shè)置在形成有第一信號(hào)線133的層120中，第二 子焊盤145設(shè)置在形成有第二信號(hào)線133的層120的外部?？梢匀缦挛乃觯?提供圖5A和圖5B的多層基底100的制造過(guò)程和信號(hào)傳輸過(guò)程。在圖5A中，第二子焊盤145形成在第一層121中，第二信號(hào)線133形 成在第二層123中。第一子焊盤145和第一信號(hào)線133形成在第四層127中。 另外，支撐件170形成在第一層121和第四層127中。間距部分147和貫穿 部分143形成在子過(guò)孔140處?？蛇x擇地，與圖5A和圖5B示出的當(dāng)前示例不同，第二子焊盤145可形 成在第四層127中，第二信號(hào)線133可形成在第三層125中，第一子焊盤 和第一信號(hào)線133可形成在第一層121中。與圖2A和圖2B中示出的示例性實(shí)施例不同，形成有子焊盤145之一的 層120可設(shè)置在形成有信號(hào)線133之一的層120的外部。因此，信號(hào)線133 穿過(guò)的貫穿部分143形成在子柱141處。貫穿部分143是開(kāi)口區(qū)域，從而信號(hào)線133可穿過(guò)子柱141的中間區(qū)域， 并且貫穿部分143與信號(hào)線133隔開(kāi)。在下文，將參照?qǐng)D6A至圖6E來(lái)描述如圖5A和圖5B所示的多層基底 100的制造過(guò)程。如圖6A所示，穿透第一層121、第一基底主體111和第二層123,然后 形成子柱141和處于子柱141的下端部的子焊盤145。這里，可進(jìn)一步包括 從子柱141的上端部向第二層123延伸的中間焊盤151。中間焊盤151使上 端部的子柱141與下端部的子柱141容易電連接。支撐件170橫穿子柱141 的內(nèi)部空間而連接到子焊盤145。在子柱141的右上部形成貫穿部分143。如圖6B所示，在子柱141中從下端部填充子電介質(zhì)160。在子電介質(zhì) 160上形成信號(hào)線133，以使信號(hào)線133具有與第二層123的高度相同的高度。如圖6C所示，將第二基底主體113、第三層125、第三基底主體115和 第四層127成層在第二層123上。將上子通孔153形成為穿過(guò)第二基底主體 113、第三層125、第三基底主體115和第四層127。如圖6D所示，在形成支撐件170之后，形成子柱141的上部，并在子 柱141的上部的內(nèi)部空間中填充子電介質(zhì)160。這里，如上所述，適當(dāng)?shù)匦?成貫穿部分143和間距部分147。在圖6D中，已在第二層123處形成的中間焊盤151的橫截面面積大于 子柱141的一黃截面面積，^v而簡(jiǎn)化了與子柱141的上部的電連接。如圖6E所示，形成信號(hào)通孔139,形成信號(hào)柱131和信號(hào)焊盤135,通 過(guò)信號(hào)柱131和信號(hào)線133的連接使信號(hào)過(guò)孔130和信號(hào)線133連接。信號(hào) 焊盤135和支撐件170連接在一起。因此，本發(fā)明的總體構(gòu)思除了應(yīng)用于圖2A至圖6E中示出的所描述的多 層基底100之外，還可應(yīng)用于各種多層基底。如圖7A和圖7B所示，在根據(jù)本發(fā)明總體構(gòu)思的另一示例性實(shí)施例的多 層基底100中，形成有子焊盤145的層120設(shè)置在形成有信號(hào)線133的層120 的外部。因此，圖7A示出了在第一層121和第四層127中形成的子焊盤145 以及在第二層123和第三層125中形成的信號(hào)線133。此外，支撐件170形成在第一層121和第四層127中，而貫穿部分143形成到子過(guò)孔140中。因此，本發(fā)明總體構(gòu)思的實(shí)施例可應(yīng)用于包括圖2A至圖7B的構(gòu)造的各 種構(gòu)造的多層基底100。如圖8A和圖8B所示，根據(jù)另一示例性實(shí)施例的多層基底200包括信 號(hào)過(guò)孔230，與信號(hào)線233連接，并包括穿過(guò)至少一個(gè)基底主體210的信號(hào) 柱231;子過(guò)孔240，包括一對(duì)子焊盤245，這對(duì)子焊盤245 >^人子柱241的端 部延伸而形成在層220上；支撐件270，連接信號(hào)柱231和子柱241。形成有 子焊盤245的層220設(shè)置在形成有與信號(hào)過(guò)孔230連接的信號(hào)線233的層220 的內(nèi)部。與前面的示例性實(shí)施例不同，在該示例性實(shí)施例中，子焊盤245形成在 第二層223和第三層225中，信號(hào)線233形成在第一層221和第四層227中。 支撐件270設(shè)置在第二層223和第三層225中。接地線249設(shè)置在第二層223 和第三層225中。因此，本發(fā)明總體構(gòu)思的實(shí)施例可應(yīng)用于各種構(gòu)造的多層 基底200。根據(jù)該示例性實(shí)施例的多層基底200的制造過(guò)程可以與根據(jù)前面示例性 實(shí)施例的制造過(guò)程類似。此外，根據(jù)該示例性實(shí)施例的多層基底200的信號(hào) 傳輸過(guò)程可以與根據(jù)本發(fā)明總體構(gòu)思的前面的示例性實(shí)施例的信號(hào)傳輸過(guò)程 類似。根據(jù)該示例性實(shí)施例的多層基底200可具有包括根據(jù)本發(fā)明總體構(gòu)思的 前面的示例性實(shí)施例的構(gòu)造的各種構(gòu)造。如圖9A和圖9B所示，才艮據(jù)本發(fā)明總體構(gòu)思的另一示例性實(shí)施例的多層 基底300包括信號(hào)過(guò)孔330，與信號(hào)線333連接，并包括信號(hào)焊盤335和 穿過(guò)至少一個(gè)基底主體310的信號(hào)柱331;子過(guò)孔340，包括圍繞信號(hào)柱331 的子柱341和從子柱341的端部延伸而形成在層320上的一對(duì)子焊盤345。 層320形成有一個(gè)子焊盤345，這個(gè)子焊盤345設(shè)置在形成有與信號(hào)過(guò)孔330 連接的第一信號(hào)線333的層320的外部，層320形成有另一子焊盤345,所 述另一子焊盤345設(shè)置在形成有與信號(hào)過(guò)孔330連接的第二信號(hào)線333的層 320的內(nèi)部。因此，子焊盤345分別形成在第二層323和第四層327中，信 號(hào)線333分別形成在第一層321和第三層325中。此外，支撐件370形成在 第二層323和第四層327中。貫穿部分343形成到子柱341，接地線349形 成在第二層323和第四層327中。因此，本發(fā)明總體構(gòu)思的實(shí)施例可應(yīng)用于包括圖9A示出的多層基底300 在內(nèi)的各種多層基底。根據(jù)該示例性實(shí)施例的多層基底300的制造過(guò)程可以與根據(jù)前面的示例 性實(shí)施例的制造過(guò)程類似。另外，根據(jù)該示例性實(shí)施例的多層基底300的信號(hào)傳輸過(guò)程可以與根據(jù) 前面示例性實(shí)施例的信號(hào)傳輸過(guò)程類似。在根據(jù)該示例性實(shí)施例的多層基底300中，沒(méi)有描述的構(gòu)造可包括根據(jù) 前面的示例性實(shí)施例的構(gòu)造。如上所述，本發(fā)明總體構(gòu)思的各種實(shí)施例提供多層基底和具有該多層基 底的電子裝置，其中，該多層基底可使信號(hào)傳輸路徑和返回電流路徑的不連 續(xù)性最小化。另外，本發(fā)明總體構(gòu)思的各種實(shí)施例提供多層基底和具有該多層基底的 電子裝置，其中，該多層基底可防止信號(hào)過(guò)孔中輻射的EMI。另外，本發(fā)明總體構(gòu)思的各種實(shí)施例提供多層基底和具有該多層基底的 電子裝置，其中，該多層基底可改善信號(hào)線的信號(hào)傳輸能力。另外，本發(fā)明總體構(gòu)思的各種實(shí)施例提供多層基底和具有該多層基底的 電子裝置，其中，該多層基底可穩(wěn)定地支撐信號(hào)過(guò)孔。雖然已經(jīng)示出和描述了本發(fā)明總體構(gòu)思的幾個(gè)示例性實(shí)施例，但是本領(lǐng) 域的技術(shù)人員將理解，在不脫離本發(fā)明總體構(gòu)思的原理和精神的情況下，可 以對(duì)這些實(shí)施例做出改變，本發(fā)明總體構(gòu)思的范圍限定在權(quán)利要求及其等同 物中。
權(quán)利要求
1、一種多層基底，包括多個(gè)基底主體；多個(gè)層，與基底主體交替地成層；信號(hào)過(guò)孔，與信號(hào)線連接，并包括穿過(guò)至少一個(gè)基底主體的信號(hào)柱；子過(guò)孔，包括圍繞信號(hào)柱的子柱和從子柱的端部延伸而形成在層上的一對(duì)子焊盤，其中，形成有子焊盤的層設(shè)置在與形成有與信號(hào)過(guò)孔連接的信號(hào)線的層相同的層中，或者設(shè)置在形成有與信號(hào)過(guò)孔連接的信號(hào)線的層的外部。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層基底，其中，如果形成有至少一個(gè)子焊盤 的層是與形成有與信號(hào)過(guò)孔連接的至少一條信號(hào)線的層相同的層，則至少一 個(gè)子焊盤和至少一條信號(hào)線與所述層形成在同一平面內(nèi)，與所述信號(hào)線形成 在所述同一平面內(nèi)的子過(guò)孔包括與所述信號(hào)線隔開(kāi)的間距部分。
3、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層基底，其中，如果形成有至少一個(gè)子焊盤 的層設(shè)置在形成有與信號(hào)過(guò)孔連接的至少一條信號(hào)線的層的外部，則子柱形 成有至少一條信號(hào)線穿過(guò)的貫穿部分。
4、 根據(jù)權(quán)利要求2或權(quán)利要求3所述的多層基底，其中，基底主體具有 作為基底電介質(zhì)的特征，子電介質(zhì)設(shè)置在信號(hào)柱和子柱之間，所述子電介質(zhì) 包含與基底電介質(zhì)的材料相同的材料。
5、 根據(jù)權(quán)利要求2或權(quán)利要求3所述的多層基底，其中，基底主體具有 與基底電介質(zhì)的特性相同的特性，子電介質(zhì)設(shè)置在信號(hào)柱和子柱之間，所述 子電介質(zhì)包含與基底電介質(zhì)的材料不同的材料。
6、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層基底，還包括連接信號(hào)柱和子柱的支撐件。
7、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層基底，其中，子焊盤接地。
8、 一種多層基底，包括 多個(gè)基底主體；多個(gè)層，與基底主體交替地成層；信號(hào)過(guò)孔，與信號(hào)線連接，并包括穿過(guò)至少一個(gè)基底主體的信號(hào)柱； 子過(guò)孔，包括圍繞信號(hào)柱的子柱和從子柱的端部延伸而形成在層上的一 對(duì)子焊盤；支撐件，連接信號(hào)柱和子柱，其中，形成有子焊盤的層設(shè)置在形成有與信號(hào)過(guò)孔連接的信號(hào)線的層的 內(nèi)部。
9、 根據(jù)權(quán)利要求8所述的多層基底，其中，多層基底借助于基底主體的 特性形成基底電介質(zhì)，子電介質(zhì)設(shè)置在信號(hào)柱和子柱之間，所述子電介質(zhì)包 含與基底電介質(zhì)的材料不同的材料。
10、 一種多層基底，包括 多個(gè)基底主體；多個(gè)層，與基底主體交替地成層；信號(hào)過(guò)孔，與第一信號(hào)線和第二信號(hào)線連接，并包括穿過(guò)至少一個(gè)基底 主體的信號(hào)柱；子過(guò)孔，包括圍繞信號(hào)柱的子柱和從子柱的端部延伸而形成在層上的一 對(duì)子焊盤，其中，形成有第一子焊盤的層設(shè)置在形成有與信號(hào)過(guò)孔連接的第一信號(hào) 線的層的外部，形成有第二子焊盤的層設(shè)置在形成有與信號(hào)過(guò)孔連接的第二信號(hào)線的層 的內(nèi)部。
11、 根據(jù)權(quán)利要求IO所述的多層基底，其中，子柱形成有第一信號(hào)線或 第二信號(hào)線中的一條穿過(guò)的貫穿部分。
12、 根據(jù)權(quán)利要求IO所述的多層基底，其中，基底主體具有作為基底電 介質(zhì)的特征，子電介質(zhì)設(shè)置在信號(hào)柱和子柱之間，所述子電介質(zhì)包含與基底 電介質(zhì)的材料相同的材料。
13、 根據(jù)權(quán)利要求IO所述的多層基底，其中，基底主體具有作為基底電 介質(zhì)的特征，子電介質(zhì)設(shè)置在信號(hào)柱和子柱之間，所述子電介質(zhì)包含與基底 電介質(zhì)的材料不同的材料。
14、 根據(jù)權(quán)利要求IO所述的多層基底，還包括連接信號(hào)柱和子柱的支撐件。
15、 根據(jù)權(quán)利要求IO所述的多層基底，其中，子焊盤接地。
16、 一種電子裝置，包括根據(jù)權(quán)利要求1、權(quán)利要求8或權(quán)利要求10所述的多層基底。
17、 一種多層基底，包括多個(gè)基底主體；多個(gè)層，與基底主體交替地成層；信號(hào)過(guò)孔，與至少一條信號(hào)線連接，并包括穿過(guò)至少一個(gè)基底主體的信 號(hào)柱和連接到信號(hào)柱的信號(hào)焊盤；子過(guò)孔，包括信號(hào)柱外部的子柱和連接到子柱的子焊盤，其中，沿著與 多個(gè)層中的形成有信號(hào)線的一個(gè)層的平面相同的平面設(shè)置子焊盤。
18、 根據(jù)權(quán)利要求17所述的多層基底，其中，沿著與多個(gè)層中的形成有 信號(hào)線的 一個(gè)層的平面相同的平面設(shè)置信號(hào)焊盤。
19、 根據(jù)權(quán)利要求17所述的多層基底，其中，子過(guò)孔包括多個(gè)子焊盤， 信號(hào)過(guò)孔包括多個(gè)信號(hào)焊盤，信號(hào)線包括多條信號(hào)線。
20、 根據(jù)權(quán)利要求19所述的多層基底，其中，多個(gè)子焊盤設(shè)置在多個(gè)信 號(hào)焊盤之間。
21、 根據(jù)權(quán)利要求19所述的多層基底，其中，多個(gè)子焊盤和多個(gè)信號(hào)焊 盤設(shè)置在形成有多條信號(hào)線的多個(gè)層上。
22、 根據(jù)權(quán)利要求19所述的多層基底，其中，多個(gè)子焊盤為兩個(gè)子焊盤， 所述兩個(gè)子焊盤中的一個(gè)設(shè)置在多個(gè)信號(hào)焊盤之間，所述兩個(gè)子焊盤中的另 一個(gè)設(shè)置在多個(gè)層中的形成有信號(hào)線和多個(gè)信號(hào)焊盤之一的一個(gè)層上。
23、 根據(jù)權(quán)利要求17所述的多層基底，還包括連接信號(hào)焊盤和子焊盤的 支撐件。
24、 根據(jù)權(quán)利要求17所述的多層基底，還包括連接信號(hào)柱和子柱的支撐件。
25、 根據(jù)權(quán)利要求17所述的多層基底，其中，子柱形成有至少一條信號(hào) 線穿過(guò)的貫穿部分。
26、 根據(jù)權(quán)利要求17所述的多層基底，其中，在多條信號(hào)線與信號(hào)過(guò)孔 和子過(guò)孔內(nèi)行進(jìn)的信號(hào)傳輸電流路徑與返回電流路徑基本相同。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種多層基底和一種具有該多層基底的電子裝置。該多層基底包括多個(gè)基底主體；多個(gè)層，與基底主體交替地成層；信號(hào)過(guò)孔，與信號(hào)線連接，并包括穿過(guò)至少一個(gè)基底主體的信號(hào)柱；子過(guò)孔，包括圍繞信號(hào)柱的子柱和從子柱的端部延伸而形成在層上的一對(duì)子焊盤，其中，形成有子焊盤的層設(shè)置在與形成有與信號(hào)過(guò)孔連接的信號(hào)線的層相同的層中，或者設(shè)置在形成有與信號(hào)過(guò)孔連接的信號(hào)線的層的外部。
文檔編號(hào)H05K3/46GK101222824SQ20081000176
公開(kāi)日2008年7月16日 申請(qǐng)日期2008年1月8日 優(yōu)先權(quán)日2007年1月11日
發(fā)明者金泳奭 申請(qǐng)人:三星電子株式會(huì)社