專利名稱：檢查標記結(jié)構(gòu)、基板片層疊體及其設(shè)計方法、多層電路基板及其層疊一致精度的檢查方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及檢查標記結(jié)構(gòu)、基板片層疊體、多層電路基板、多層電路基板 的層疊一致精度的檢查方法、以及基板片層疊體的設(shè)計方法。
背景技術(shù)：
隨著電子設(shè)備的小型化及高密度化，不僅在工業(yè)用的領(lǐng)域中，而且在民用 的領(lǐng)域中，多層電路基板的需求都不斷高漲。多層電路基板是將在用陶瓷、預浸漬材料等構(gòu)成的基板材料的內(nèi)部設(shè)置導 電性的通孔、或在表面設(shè)置電極圖形而形成的基板，層疊多塊而構(gòu)成，能夠力 圖實現(xiàn)電路的小型化及高密度化。在這樣的多層電路基板中，成為問題是如何確保高合格率。多層電路基板 是通過將多塊基板進行層疊、并進行熱處理及壓接(以下稱為熱壓加工)而完成 的，若各基板的層疊位置產(chǎn)生偏移，則在制成后的層疊電路基板的內(nèi)部產(chǎn)生通 孔或電極彼此之間的短路等連接不良的情況，成為不合格品。特別是像ALIVH(注冊商標)那樣使用導電性糊料進行層間連接的結(jié)構(gòu)的多層電路基板的 情況下，由于熱壓時產(chǎn)生的材料延伸等原因，更容易產(chǎn)生各基板的偏移。由于在完成后的多層電路基板中不可能修正層疊位置的偏移，因此提高各 基板的層疊一致精度，對于提高多層電路基板的合格率是很重要的。另外，隨 著多層電路基板的高密度化的要求，基板的層疊數(shù)進一步增大，電路圖形進一 步微細化，不僅從確保高合格率的觀點，而且從高性能化的觀點，也希望提高 多層電路基板的層疊一致精度。因此，為了確保多層電路基板的層疊一致精度，進行了各種各樣的事前檢 査。作為其一例，是在進行層疊一致精度的檢査時，采用識別構(gòu)成多層電路基 板的各層中的通孔或電路圖形層的位置偏移用的標記結(jié)構(gòu)，利用X射線透視裝置進行檢查(例如，參照專利文獻l)。以下，說明以往的多層電路基板的檢査標記結(jié)構(gòu)、以及使用該檢査標記結(jié) 構(gòu)的層疊一致精度的檢查。圖18(a)所示為將設(shè)置有以往的檢査標記結(jié)構(gòu)的基板片層疊體進行熱壓加 工而構(gòu)成的多層電路基板圖，為了知道檢查標記結(jié)構(gòu)的配置而畫成為透視圖。 另外，圖18(b)是示意表示圖18(a)的檢查標記結(jié)構(gòu)的平面圖。如各圖所示，多層電路基板ioo是將具有對厚度方向的貫通孔充填導電性材料而形成的通過101的基板、通過電路電極102層疊多層而構(gòu)成的。各基板 的通孔101與電路電極連接，通過這樣在內(nèi)部形成電路。另外，各基板上除了上述通孔101以外，如圖18(b)所示的在從層疊方向 來看互相不重合的那樣的位置，配置檢査上述的層疊一致精度用的作為檢査用 標記的檢查用通孔103、 104、 105、 106、 107，利用這些檢查用通孔構(gòu)成檢査 標記結(jié)構(gòu)110。在層疊一致精度檢查中，使用X射線透視裝置，從圖18(b)的層疊方向觀 察多層電路基板100中的檢査標記結(jié)構(gòu)110。若發(fā)現(xiàn)檢查標記結(jié)構(gòu)的形狀與層 疊時的形狀相比有變形，則判斷為產(chǎn)生位置偏移。另外，通過觀察檢查標記結(jié) 構(gòu)的變形的形狀，來判別產(chǎn)生位置偏移的基板的方向及位置偏移的量，區(qū)別多 層電路基板100是好還是不好。 專利文獻l:特開2000-340950號公但是，在使用上述以往的檢查標記結(jié)構(gòu)的層疊一致精度檢査中，存在以下 那樣的問題。上述以往的層疊一致精度檢查雖使用X射線透視裝置，但由于位置偏移的 判斷最終是利用檢査者的目視來進行，因此存在對位置偏移的產(chǎn)生及部位出現(xiàn) 誤識別的可能性。另外，在位置偏移量的大小的判別中等情況下，也包含有誤 識別的可能性。本發(fā)明正是為了解決這樣的問題而提出的，其目的在于提供能夠客觀地進 行層疊一致精度的檢査的、檢查標記結(jié)構(gòu)、基板片層疊體、多層電路基板、多 層電路基板的層疊一致精度的檢査方法、以及基板片層疊體的設(shè)計方法。發(fā)明內(nèi)容為了達到上述目的，本發(fā)明的第l發(fā)明是檢査標記結(jié)構(gòu)，具有 在構(gòu)成至少2層的基板片層疊體的基板片的任一片上設(shè)置的檢查用通孔； 連接盤圖形電極，該連接盤圖形電極形成于設(shè)置有前述檢查用通孔的前述基板片的一面?zhèn)?，且設(shè)置為在前述檢査用通孔的端面的周圍隔開與前述端面不接觸的規(guī)定距離；以及導通用電極，該導通用電極形成于設(shè)置有前述檢査用通孔的前述基板片的另一面?zhèn)龋以O(shè)置為與前述檢査用通孔的端面電連接。另外，本發(fā)明的第2發(fā)明是本發(fā)明的第l發(fā)明的檢查標記結(jié)構(gòu)， 前述連接盤圖形電極具有無縫隙地包圍前述檢査用通孔的前述端面的周圍的形狀。另外，本發(fā)明的第3發(fā)明是本發(fā)明的第2發(fā)明的檢查標記結(jié)構(gòu)， 前述連接盤圖形電極的無縫隙地包圍前述檢查用通孔的前述端面的周圍的形狀，具有與前述檢査用通孔的前述端面的形狀相似的形狀。另外，本發(fā)明的第4發(fā)明是本發(fā)明的第2發(fā)明的檢查標記結(jié)構(gòu)， 前述連接盤圖形電極的無縫隙地包圍前述檢查用通孔的前述端面的周圍的形狀，具有與前述檢査用通孔的前述端面的形狀不相似的形狀。另外，本發(fā)明的第5發(fā)明是本發(fā)明的第1發(fā)明的檢査標記結(jié)構(gòu)， 前述連接盤圖形電極具有帶縫隙包圍前述檢査用通孔的前述端面的周圍 的形狀。另外，本發(fā)明的第6發(fā)明是本發(fā)明的第5發(fā)明的檢査標記結(jié)構(gòu)， 前述連接盤圖形電極由設(shè)置在前述檢査用通孔的端面的周圍的、多個子圖 形電極構(gòu)成。另外，本發(fā)明的第7發(fā)明是本發(fā)明的第6發(fā)明的檢查標記結(jié)構(gòu)， 前述子圖形電極對前述檢査用通孔的端面以點對稱配置。 另外，本發(fā)明的第8發(fā)明是本發(fā)明的第7發(fā)明的檢查標記結(jié)構(gòu)， 同一形狀的2個或4個前述子圖形電極在前述檢査用通孔的端面的周圍以 等間隔設(shè)置。另外，本發(fā)明的第9發(fā)明是檢査標記結(jié)構(gòu)組，是具有多個本發(fā)明的第1發(fā)明的檢查標記結(jié)構(gòu)的檢查標記結(jié)構(gòu)組， 前述連接盤圖形電極與前述檢查用通孔的端面的周圍之間的前述規(guī)定距 離不同于全部或一部分的每個前述檢査標記結(jié)構(gòu)。另外，本發(fā)明的第io發(fā)明是檢査標記結(jié)構(gòu)組，是具有多個本發(fā)明的第4發(fā)明的檢查標記結(jié)構(gòu)的檢查標記結(jié)構(gòu)組， 各個檢查標記結(jié)構(gòu)的前述連接盤圖形電極的、無縫隙地包圍前述檢查用通 孔的前述端面的周圍的前述形狀是相同的，并且 前述形狀的配置互相不一致。另外，本發(fā)明的第11發(fā)明是本發(fā)明的第io發(fā)明的檢査標記結(jié)構(gòu)組，在各自的前述檢査標記結(jié)構(gòu)中， 前述檢查用通孔的前述端面的形狀是圓形，前述連接盤圖形電極的、無縫隙地包圍前述檢查用通孔的前述端面的周圍 的前述形狀是長圓或橢圓形狀，并且各個前述形狀的長圓或橢圓互相垂直。另外，本發(fā)明的第12發(fā)明是基板片層疊體，具有具有通孔的多個基板片；設(shè)置在前述多個基板片層的電路電極；以及形成在前述多個基板片層的、本發(fā)明的第1發(fā)明的檢査標記結(jié)構(gòu)。 另外，本發(fā)明的第13發(fā)明是本發(fā)明的第12發(fā)明的基板片層疊體， 前述檢查標記結(jié)構(gòu)為多個，前述檢査標記結(jié)構(gòu)中的前述連接盤圖形電極的、無縫隙地包圍前述檢查用 通孔的前述端面的周圍的形狀，具有與前述檢査用通孔的前述端面的形狀不相 似的形狀，各個檢查標記結(jié)構(gòu)的前述連接盤圖形電極的、無縫隙地包圍前述檢査用通 孔的前述端面的周圍的前述形狀是相同的，并且 前述形狀的配置互相不一致。 另外，本發(fā)明的第14發(fā)明是多層電路基板，是將本發(fā)明的第12發(fā)明的基板片層疊體進行熱壓加工而形成的。 本發(fā)明的第15發(fā)明是檢査標記結(jié)構(gòu)，具有在構(gòu)成至少2層的基板片層疊體的基板片的任一片上設(shè)置的檢查用通孔； 連接盤圖形電極，該連接盤圖形電極形成于設(shè)置有前述檢查用通孔的前述基板片的一面?zhèn)?，且設(shè)置為在前述檢査用通孔的端面的周圍與前述端面接觸；以及導通用電極，該導通用電極形成于設(shè)置有前述檢査用通孔的前述基板片的 另一面?zhèn)?，且設(shè)置為與前述檢查用通孔的端面電連接。另外，本發(fā)明的第16發(fā)明是本發(fā)明的第15發(fā)明的檢査標記結(jié)構(gòu)，前述連接盤圖形電極由設(shè)置在前述檢査用通孔的端面的周圍的、分別與前 述端面接觸的多個子圖形電極構(gòu)成。另外，本發(fā)明的第17發(fā)明是本發(fā)明的第16發(fā)明的檢査標記結(jié)構(gòu)， 前述子圖形電極對前述檢査用通孔的端面以點對稱配置。 另外，本發(fā)明的第18發(fā)明是檢查標記結(jié)構(gòu)組，是具有多個本發(fā)明的第15發(fā)明的檢查標記結(jié)構(gòu)的檢查標記結(jié)構(gòu)組， 前述檢査用通孔的端面的外徑不同于全部或一部分的每個前述檢查標記 結(jié)構(gòu)。另外，本發(fā)明的第19發(fā)明是基板片層疊體，具有 具有通孔的多個基板片；設(shè)置在前述多個基板片層的電路電極；以及形成在前述多個基板片層的、本發(fā)明的第15發(fā)明的檢査標記結(jié)構(gòu)。 另外，本發(fā)明的第20發(fā)明是本發(fā)明的第19發(fā)明的基板片層疊體， 前述檢查標記結(jié)構(gòu)為多個，前述檢查標記結(jié)構(gòu)中的前述檢査用通孔的端面與前述連接盤圖形電極的 接觸部分的大小不同于多個前述檢查標記結(jié)構(gòu)的全部或一部分的每個前述檢 査標記結(jié)構(gòu)。另外，本發(fā)明的第21發(fā)明是多層電路基板，是將本發(fā)明的第18發(fā)明的基板片層疊體進行熱壓加工而形成的。 另外，本發(fā)明的第22發(fā)明是多層電路基板的層疊一致精度的檢查方法 多層電路基板具有 具有通孔的多個基板片；設(shè)置在前述多個基板片層的電路電極；以及形成在前述多個基板片層的檢查標記結(jié)構(gòu)，前述檢查標記結(jié)構(gòu)具有在構(gòu) 成至少2層的基板片層疊體的基板片的任一片上設(shè)置的檢查用通孔；連接盤圖 形電極，該連接盤圖形電極形成于在設(shè)置有前述檢查用通孔的前述基板片的一 面?zhèn)?，且設(shè)置為在前述檢査用通孔的端面的周圍隔開與前述端面不接觸的規(guī)定 距離或與前述端面接觸；以及導通用電極，該導通用電極形成于設(shè)置有前述檢 査用通孔的前述基板片的另一面?zhèn)龋以O(shè)置為與前述檢查用通孔的端面電連 接，該多層電路基板的層疊一致精度的檢査方法，具有以下工序 將前述檢查標記結(jié)構(gòu)的前述導通用電極與前述連接盤圖形電極電連接的 工序；以及在(A)在前述檢査用通孔的端面的周圍具有隔開與前述端面不接觸的規(guī)定 距離的前述連接盤圖形電極的前述檢查標記結(jié)構(gòu)的情況下、利用前述連接而沒 有導通時，或者(B)在前述檢査用通孔的端面的周圍具有設(shè)置為與前述端面接 觸的前述連接盤圖形電極的前述檢查標記結(jié)構(gòu)的情況下、利用前述連接而有導 通時，判斷為能夠保持前述層疊一致精度的工序。另外，本發(fā)明的第23發(fā)明是本發(fā)明的第22發(fā)明的多層電路基板的層疊一 致精度的檢査方法，前述層疊一致精度是構(gòu)成前述多層電路基板的各基板間有無位置偏移、位 置偏移的方向、位置偏移的大小的至少一項。另外，本發(fā)明的第24發(fā)明是基板片層疊體的設(shè)計方法，使用取得的前述 基板的位置偏移的方向或位置偏移的大小，來修正前述規(guī)定的設(shè)計條件，具有 以下工序?qū)⒏鶕?jù)規(guī)定的設(shè)計條件，形成在具有通孔的多個基板片的層上形成的、檢 查標記結(jié)構(gòu)的前述多個基板片進行層疊，使得電路電極位于該層間而制成試驗 用基板片層疊體的工序，該檢查標記結(jié)構(gòu)具有在構(gòu)成至少2層的基板片層 疊體的基板片的任一片上設(shè)置的檢查用通孔；連接盤圖形電極形成于設(shè)置有前 述檢查用通孔的前述基板片的一面?zhèn)龋以O(shè)置為在前述檢査用通孔的端面的周圍隔開與前述端面不接觸的規(guī)定距離或與前述端面接觸；以及導通用電極，該 導通用電極形成于設(shè)置有前述檢查用通孔的前述基板片的另一面?zhèn)?，且設(shè)置為 與前述檢査用通孔的端面電連接；將前述試驗用基板片層疊體進行熱壓加工而制成試驗用多層電路基板的工序；以及使用本發(fā)明的第22發(fā)明的多層電路基板的層疊一致精度的檢查方法、取得前 述基板的位置偏移的方向或位置偏移的大小，來作為前述試驗用多層電路基板 的前述層疊一致精度的工序。另外，本發(fā)明的第25發(fā)明是本發(fā)明的第24發(fā)明的基板片層疊體的設(shè)計方法，前述規(guī)定的設(shè)計條件是前述多個基板片的各自的層疊位置。根據(jù)本發(fā)明，能夠提供能夠客觀地進行層疊一致精度的檢查的、檢查標記結(jié)構(gòu)、基板片層疊體、多層電路基板、多層電路基板的層疊一致精度的檢查方法、以及基板片層疊體的設(shè)計方法。


圖l(a)所示為本發(fā)明實施形態(tài)l有關(guān)的多層電路基板的檢査標記結(jié)構(gòu)的構(gòu) 成示意圖，(b)所示為圖l(a)中的主要部分的示意放大圖。圖2(a)為檢査標記結(jié)構(gòu)1的示意平面圖，(b)為根據(jù)圖2(a)的A-A'直線的 示意剖視圖。圖3(a)為說明本發(fā)明實施形態(tài)l有關(guān)的多層電路基板的層疊一致精度的檢 查方法的原理用的說明圖，(b)為說明本發(fā)明實施形態(tài)1有關(guān)的多層電路基板 的層疊一致精度的檢查方法的原理用的說明圖。圖4所示為基板片層疊體10的一個例子的平面圖。圖5(a)所示為本發(fā)明實施形態(tài)2有關(guān)的多層電路基板的檢査標記結(jié)構(gòu)組的 構(gòu)成示意圖，(b)為根據(jù)圖5(a)的A-A'直線的示意剖視圖。圖6(a)所示為本發(fā)明實施形態(tài)2有關(guān)的多層電路基板的檢査標記結(jié)構(gòu)組的 其它構(gòu)成例的示意圖，(b)為根據(jù)圖6(a)的A-A'直線的示意剖視圖。圖7(a)所示為本發(fā)明實施形態(tài)3有關(guān)的多層電路基板的檢査標記結(jié)構(gòu)的構(gòu)成示意圖，(b)為根據(jù)圖7(a)的A-A'直線的示意剖視圖。圖8所示為本發(fā)明實施形態(tài)3有關(guān)的多層電路基板的檢查標記結(jié)構(gòu)的主要部分的示意放大圖。圖9(a)所示為本發(fā)明實施形態(tài)3有關(guān)的多層電路基板的檢查標記結(jié)構(gòu)的其 它構(gòu)成例的示意圖，(b)為根據(jù)圖9(a)的A-A'直線的示意剖視圖。圖10(a)所示為本發(fā)明實施形態(tài)3有關(guān)的多層電路基板的檢查標記結(jié)構(gòu)的 其它構(gòu)成例的示意圖，(b)為根據(jù)圖10(a)的A-A'直線的示意剖視圖。圖ll(a)所示為本發(fā)明實施形態(tài)4有關(guān)的多層電路基板的檢査標記結(jié)構(gòu)組 的構(gòu)成示意圖，(b)為根據(jù)圖ll(a)的A-A'直線的示意剖視圖。圖12(a)所示為本發(fā)明實施形態(tài)5有關(guān)的多層電路基板的檢査標記結(jié)構(gòu)的 構(gòu)成示意圖，(b)為根據(jù)圖12(a)的A-A'直線的示意剖視圖。圖13所示為本發(fā)明實施形態(tài)5有關(guān)的多層電路基板的檢査標記結(jié)構(gòu)的主 要部分的示意放大圖。圖14(a)所示為利用本發(fā)明實施形態(tài)5有關(guān)的多層電路基板的檢査標記結(jié) 構(gòu)進行檢查的說明的示意圖，(b)所示為利用本發(fā)明實施形態(tài)5有關(guān)的多層電 路基板的檢査標記結(jié)構(gòu)進行檢查的說明的示意圖，(c)所示為利用本發(fā)明實施 形態(tài)5有關(guān)的多層電路基板的檢査標記結(jié)構(gòu)進行檢查的說明的示意圖，(d)所 示為利用本發(fā)明實施形態(tài)5有關(guān)的多層電路基板的檢査標記結(jié)構(gòu)進行檢査的說 明的示意圖。圖15所示為本發(fā)明實施形態(tài)5有關(guān)的多層電路基板的檢查標記結(jié)構(gòu)的其 它構(gòu)成例的示意圖。圖16所示為說明本發(fā)明實施形態(tài)6有關(guān)的多層電路基板的制造方法用的 流程圖。圖17所示為本發(fā)明實施形態(tài)1有關(guān)的多層電路基板的檢查標記結(jié)構(gòu)的連 接盤圖形電極lb的其它構(gòu)成例的圖。圖18(a)所示為將設(shè)置有以往的檢查標記結(jié)構(gòu)的基板片層疊體進行熱壓加 工而構(gòu)成的多層電路基板圖，(b)所示為以往的檢査標記結(jié)構(gòu)的示意平面圖。 [標號說明]1、 50a、 50b、 51a、 51b、 70 72、 80 83、 90檢査標記結(jié)構(gòu)la檢査用通孔lb、 lb'連接盤圖形電極lc、 lc'導通用電極le、 le'開口部If端面2a、 4a、 5布線 2b檢流計3a 3d、 6a、 6b、 7a、 7b、 8a 8d、 8e 8h子圖形電極 10基板片層疊體 11a lle基板片 12電路 40、 41邊界42a、 42b、 43a、 43b位置 101通孔 102電路電極具體實施方式
以下，參照

本發(fā)明的實施形態(tài)。 (實施形態(tài)1)圖l(a)所示為本發(fā)明實施形態(tài)l有關(guān)的多層電路基板的檢查標記結(jié)構(gòu)的構(gòu) 成示意圖，圖l(b)所示為圖l(a)中的主要部分的示意放大圖。圖中對于與圖 18(a)同一或相當?shù)牟糠?，附加同一標號。如圖1所示，在進行熱壓加工完成之前的基板片層疊體io上，設(shè)置本實 施形態(tài)的多層電路基板的檢查標記結(jié)構(gòu)?；迤瑢盈B體10是將基板片11a lle層疊而成，對各基板片設(shè)置通孔 101，另外在各基板片層間配置構(gòu)成內(nèi)部電路的電路電極102。通過各基板的通 孔101與電路電極102連接，從而在內(nèi)部形成電路12。下面，以圖Ua)所示的在基板片Uc與lld的層間形成的檢查標記結(jié)構(gòu)1 為例，來說明檢查標記結(jié)構(gòu)。如圖l(a)所示，檢査標記結(jié)構(gòu)1由設(shè)置在基板片lid內(nèi)的檢查用通孔la、與分別設(shè)置在基板片lid的兩個主面的連接盤圖形電 極lb及導通用電極lc構(gòu)成。另外，構(gòu)成檢査標記結(jié)構(gòu)1的各電極及構(gòu)成電路 12的各電極在基板片11a lle的各面，以同樣的形成圖形的方法形成。導通用電極lc具有外形是方形的平板狀的形狀，與檢查用通孔la的端面 lf接觸。另外，如圖l(b)所示，連接盤圖形電極lb具有與導通用電極同樣的平板 狀的形狀，在基板片lld的、沒有形成導通用電極lc一側(cè)的主面上形成，再 在中間設(shè)置開口部le，檢査用通孔la的端面lf位于該開口部le內(nèi)，與電極部分沒有接觸那樣進行配置。接著，圖2(a)所示為檢査標記結(jié)構(gòu)1的示意平面圖，另外圖2(b)所示為 根據(jù)圖2(a)的A-A'直線的示意剖視圖。如圖2(a)所示，檢查用通孔la的端面 lf的形狀、及連接盤圖形電極lb的開口部le的形狀，位于同心圓上，在檢查 用通孔la與連接盤圖形電極lb之間設(shè)置等距離D的間隔。這里， 一般作為開 口部le的形狀，使用電路電極102所用的連接盤電極的反轉(zhuǎn)形狀。另一方面，如圖l(b)所示，對連接盤圖形電極lb及導通用電極lc，分別 設(shè)置引出到基板片層疊體10的外部的布線2a。布線2a用于在熱壓加工后、在 作為多層電路基板處于完成的狀態(tài)的基板片層疊體10中與檢流計連接。以下，參照圖3(a)(b)，說明使用具有以上那樣構(gòu)成的本實施形態(tài)的多層 電路基板的檢查標記結(jié)構(gòu)的多層電路基板的層疊一致精度的檢査方法的原理。如在以往技術(shù)一項中說明的那樣，多層電路基板是將層間在規(guī)定位置配置 電路電極102的多個基板片層疊，從而制成基板片層疊體，再將它進行熱壓加 工而完成的，但是若在熱壓加工時在基板片間產(chǎn)生偏移，則將引起電路電極102 間的接觸不良，成為電路12不合格的原因。在本實施形態(tài)的多層電路基板的檢查標記結(jié)構(gòu)中，如圖3(a)所示，在制成 基板片層疊體IO的狀態(tài)下，在基板片llc與基板片lld之間，檢查用通孔la 的端面lf與連接盤圖形電極lb配置成隔著距離D不接觸。接著，在利用熱壓加工完成多層電路基板時，若基板片間產(chǎn)生位置偏移， 則埋設(shè)在基板片lld內(nèi)的檢查用通孔la將隨著基板片lld的移動而移動(相對 于基板片lld不移動)，但位于基板片llc與基板片lld的層間的連接盤圖形電極lb，若產(chǎn)生位置偏移，則被基板片llc或基板片lld的偏移而拉動偏移，產(chǎn)生移動。這時，移動距離若大于開口部le與檢査用通孔la的端面lf的距離D，則 如圖3(b)所示，檢査用通孔la的端面lf與連接盤圖形電極lb接觸。另外， 在圖3(b)中，設(shè)基板片llc從原始的位置產(chǎn)生偏移。因而，通過將完成后的多層電路基板的布線2a與檢流計2b連接，檢査有 無導通，就能夠判斷有無位置偏移。即，如圖3(a)所示，在不產(chǎn)生位置偏移時， 由于檢査用通孔la的端面lf與連接盤圖形電極lb為非接觸狀態(tài)，因此布線 2a、連接盤圖形電極lb、檢查用通孔la及導通用電極lc構(gòu)成的導通電路即使 連接檢流計2b，也不產(chǎn)生導通。另外，若由于基板片間的位置偏移而檢查用通孔la的端面lf與連接盤圖 形電極lb接觸，則完成導通電路，若連接檢流計2b，則能夠確認導通。這樣，若利用本實施形態(tài)的檢査標記結(jié)構(gòu)，則能夠排除根據(jù)目視等產(chǎn)生的 誤識別，實施能夠客觀地判斷有無位置偏移的多層電路基板的層疊一致精度的 檢查方法。這里，位置偏移的允許度，由開口部le與檢查用通孔la的端面lf的距 離D來決定。通過將開口部le的形狀規(guī)定作為電路電極102的連接盤電極的 反轉(zhuǎn)形狀，從而利用檢流計2b檢測有無位置偏移，能夠作為完成后的多層電 路基板中有無超出電路12的設(shè)計誤差的允許界限來進行檢測。因而，若通過改變開口部le的尺寸或檢查用通孔la的尺寸來調(diào)整距離D， 則能夠根據(jù)客觀的判斷，根據(jù)與所需要的多層電路基板中的一個個基板的層疊 數(shù)、電路圖形的微細化等相對應(yīng)的層疊一致精度進行檢查。下面，說明上述的檢査標記結(jié)構(gòu)的、在基板片層疊體IO上配置。圖4所示為基板片層疊體10的一個例子的平面圖。在圖4中，基板片層 疊體10是這樣設(shè)計，使得在規(guī)定熱壓加工后的剩余區(qū)域的矩形邊界40內(nèi)，呈 矩陣狀配置將8個多層電路基板作為一個單位的基板單元44。電路12與各多 層電路基板相對應(yīng)分別形成在基板片層疊體10內(nèi)。檢査標記結(jié)構(gòu)這樣形成， 使得至少位于邊界40內(nèi)的對角線上的位置42a及42b。由于基板片層疊體10 的位置偏移容易在邊緣部出現(xiàn)，又設(shè)置在互相接近的條件的位置，因此能夠提高檢測精度。另外，設(shè)置檢查標記結(jié)構(gòu)的位置也可以作為位置43a及43b，設(shè)置在圖中 比邊界40的內(nèi)側(cè)的邊界41內(nèi)的對角線上。在整個基板片層疊體IO中，在利 用熱壓加工而引起基板片的平面上的位置的膨脹率等有變化時，用接近邊緣部 的邊界40與接近中心部的邊界41的位置42a(42b)的檢查結(jié)果與位置43a(43b) 的檢査結(jié)果雖往往不同，但能夠容易對它進行檢測。另外，檢査標記結(jié)構(gòu)也可以對每個基板單元44設(shè)置而構(gòu)成，再有，也可 以設(shè)置在從基板單元44切出的一個個多層電路基板上而構(gòu)成。在這種情況下， 能夠以基板單元為單位、或者以多層電路基板為單位進行檢查。另外，能夠?qū)?檢查標記結(jié)構(gòu)本身用作為產(chǎn)品的標識符。另外，在圖l(a)所示的例子中，檢查標記結(jié)構(gòu)中的檢查用通孔la及連接 盤圖形電極lb由于與電路電極102的圖形形成相對應(yīng)，因此分為在層疊前的 各基板片中設(shè)置在同一基板片上的部分、及分別設(shè)置在對向的基板片上的部 分。但是，層疊后的基板片層疊體中，連接盤圖形電極一定配置在層間，可以 認為因熱壓加工而升起的位置偏移產(chǎn)生的影響不取決于層疊前的各基板片中 的檢查用通孔la及連接盤圖形電極lb的配置關(guān)系。在本實施形態(tài)中，是設(shè)檢 查標記結(jié)構(gòu)1中的檢查用通孔la形成在基板片lld上，連接盤圖形電極lb形 成在基板片llc上，但在與之相鄰的、檢査用通孔la及連接盤圖形電極lb形 成在同一基板片llc上的構(gòu)成中，也同樣能得到本發(fā)明的效果。(實施形態(tài)2)圖5(a)所示為本發(fā)明實施形態(tài)2有關(guān)的多層電路基板的檢查標記結(jié)構(gòu)組的 構(gòu)成示意圖，圖5(b)為分別根據(jù)圖5(a)的A-A'直線的示意剖視圖。如各圖所示，本實施形態(tài)是設(shè)一對檢査標記結(jié)構(gòu)50a及50b具有作為連接 盤圖形電極lb的開口部le的形狀的互相垂直的橢圓形，將該一對檢査標記結(jié) 構(gòu)50a及50b設(shè)置在同一基板片lld上而構(gòu)成檢査標記結(jié)構(gòu)組。以下，進行詳細說明。如圖5(a)所示，在檢査標記結(jié)構(gòu)50a中，連接盤圖形電極lb的開口部le在圖中具有將Y軸方向作為長軸的橢圓形狀，檢查用通孔la的端面If與連接盤圖形電極lb之間的距離在長軸側(cè)設(shè)為與實施形態(tài)1同樣的距離D，在短軸側(cè) 成為比距離D要大的距離D，。另外，在檢查標記結(jié)構(gòu)50b中，連接盤圖形電極lb'的開口部le'在圖中具 有將X軸方向作為短軸的橢圓形狀，將檢查用通孔la'的端面lf'與連接盤圖形 電極lb，之間的距離在短軸側(cè)設(shè)為與實施形態(tài)1同樣的距離D，在長軸側(cè)設(shè)為距 離d。另外，開口部le及l(fā)e'除了連接盤圖形電極的配置以外的尺寸是相同的。 另外，連接盤圖形電極lb與lb'、導通用電極lc與lc'具有同一尺寸。另外， 各檢査標記結(jié)構(gòu)分別獨立引出布線(圖示省略)，能夠?qū)ㄟM行檢査。通過這樣，能夠得到以下的效果。即，若基板片間產(chǎn)生位置偏移，則對于 連接盤圖形電極lb及l(fā)b'的移動，由于與各開口部的橢圓形狀的長軸或短軸側(cè) 相對應(yīng)的圖中X軸方向及圖中Y軸方向的端面間的距離不同，因此位置偏移檢 測的精度在X、 Y的兩個方向也不同。因而，通過制成具有圖5的一對檢査標記結(jié)構(gòu)50a及50b作為檢査標記結(jié) 構(gòu)組的基板片層疊體IO，將它進行熱壓加工，完成多層電路基板后，對于檢査 標記結(jié)構(gòu)50a及50b分別進行導通檢查，從而能夠客觀地判斷位置偏移的方向。檢查結(jié)果有下列4種(l)檢查標記結(jié)構(gòu)50a及50b的任何一個都未確認 導通；(2)僅檢查標記結(jié)構(gòu)50a確認導通；(3)僅檢查標記結(jié)構(gòu)50b確認導通； (4)檢査標記結(jié)構(gòu)50a及50b的任何一個都確認導通。根據(jù)其中(2)的檢查結(jié)果，可以判斷為基板片lld的位置偏移是在圖中的X 軸方向產(chǎn)生。另外，根據(jù)(3)的檢查結(jié)果，可以判斷為基板片lld的位置偏移 是在圖中的Y軸方向產(chǎn)生。另外，(l)的檢査結(jié)果表示沒有發(fā)生位置偏移，(4) 的檢査結(jié)果表示在圖中的X軸及Y軸的雙方產(chǎn)生遠超過允許界限的位置偏移。這樣，根據(jù)本發(fā)明實施形態(tài)的檢查標記結(jié)構(gòu)組，除了判斷有無發(fā)生位置偏 移以外，還能夠客觀地判斷位置偏移的方向。另外，在上述的構(gòu)成中，開口部le(le')的形狀是設(shè)為橢圓形狀，但也可 以是長圓即用直線連接對向的半圓的形狀、或古金幣狀的形狀。再有，也可以 是矩形?？傊?，若是在一對檢査標記結(jié)構(gòu)中互相垂直的兩個方向中檢查用通孔與連接盤圖形電極之間的距離互相不同、而且互相距離不同的方向不同的開口 部的形狀，則能夠得到與圖5的構(gòu)成同樣的效果。另外，關(guān)于開口部le(le')中的、檢査用通孔la(la')的端面lf(lf')與連 接盤圖形電極lb(lb')之間的距離的不同，不限定于垂直的兩個方向。圖6(a) (b)所示為本實施形態(tài)的檢查標記結(jié)構(gòu)組的其它構(gòu)成圖。如圖6(a) 所示，設(shè)具有連接盤圖形電極lb、 lb'的一對檢査標記結(jié)構(gòu)51a、 51b，該連接 盤圖形電極lb、 lb，分別設(shè)置作為開口部的形狀的、方向不同的正三角形的開 口部le及l(fā)e'，通過這樣能夠判別基板片間的位置偏移是在利用圖6(a)中的坐 標(a、 0、 Y)描述的3軸方向產(chǎn)生的，還是利用將該坐標旋轉(zhuǎn)60。而形成的 坐標(a' 、 0' 、 Y')描述的3軸方向產(chǎn)生的。(實施形態(tài)3)圖7(a)所示為本發(fā)明實施形態(tài)3有關(guān)的多層電路基板的檢查標記結(jié)構(gòu)的示 意平面圖，圖7(b)為根據(jù)圖7(a)的A-A'直線的示意剖視圖。另外，圖8所示為圖7(a)的主要部分的示意立體圖。在各圖中，對于與圖 1、圖2同一或相當?shù)牟糠?，附加同一標號。本實施形態(tài)3有關(guān)的檢查標記結(jié)構(gòu)70，其特征為在檢查用通孔la的端面 lf的周圍設(shè)置4個子圖形電極3a 3d，以代替實施形態(tài)1的連接盤圖形電極 lb。如圖7(a)所示，子圖形電極3a 3d的整個4個電極構(gòu)成的外形與連接盤 圖形電極lb近似相同，但通過沿方形形狀的對角線分割，而構(gòu)成獨立的電極。 另外，各子圖形電極3a 3d的端部與檢查用通孔la的端面lf的間隔為等距 離D。另外，如圖8所示，在本實施形態(tài)3有關(guān)的檢査標記結(jié)構(gòu)中，各子圖形電 極3a 3d分別與獨立的布線4a 4d連接。另外，檢查用通孔la及導通用電 極lc具有與實施形態(tài)1同樣的結(jié)構(gòu)，從導通用電極lc連接一條布線5。布線 4a 4d與布線5在將基板片層疊體進行熱壓加工后的多層電路基板中能夠與外 部的檢流計2b連接。通過使用具有以上那樣的構(gòu)成的、本實施形態(tài)3有關(guān)的檢査標記結(jié)構(gòu)70，從而在多層電路基板的層疊一致精度的檢査方法中能夠得到以下的效果。艮口，若多層電路基板內(nèi)在基板片間產(chǎn)生位置偏移，檢査用通孔la的端面 lf、與構(gòu)成連接盤圖形電極的各子圖形電極3a 3d的某一個接觸，則檢流計 2b檢測出有導通，但由于各子圖形電極3a 3d分別獨立，另外利用獨立的布 線4a 4d與檢流計2b連接，因此每個子圖形電極3a 3d能夠進行導通檢査。因而，通過預先規(guī)定子圖形電極3a 3d的配置位置，能夠根據(jù)每個子圖 形電極3a 3d進行導通檢査的結(jié)果，客觀地判斷基板片間的位置偏移的方向。在本實施形態(tài)的情況下，檢查結(jié)果有下列3種(l)各子圖形電極3a 3d 的任何一個都未確認導通；(2)各子圖形電極3a 3d的某一個確認導通；(3) 各子圖形電極3a 3d中，相鄰的一對子圖形電極(3a、 3b) 、 (3b、 3c) 、 (3c、 3d)、 (3d、 3a)的某一組確認導通。根據(jù)其中(2)的檢查結(jié)果，可以判斷為基板片lld的位置偏移是在圖中的X、 Y軸方向的某一個方向產(chǎn)生。作為一個例子，在確認與子圖形電極3a導通時， 能夠判斷為基板片llc沿圖中的X軸向下的方向移動。另外，根據(jù)(3)的檢査結(jié)果，可以判斷為基板片lld的位置偏移是在使圖 中的X、 Y軸方向旋轉(zhuǎn)45。的圖中的X'、 Y，軸方向的某一個方向產(chǎn)生。作為一 個例子，在確認與子圖形電極(3a、 3b)導通時，能夠判斷為基板片llc沿圖中 的X'軸向下(紙面中左斜下方)的方向移動。這樣，在本實施形態(tài)中，通過采用將連接盤圖形電極作為各自獨立的子圖 形電極配置在檢查用通孔的端面的周圍的構(gòu)成，除了判斷有無發(fā)生位置偏移以 外，還能夠客觀地判斷位置偏移的方向。另外，在上述構(gòu)成中，子圖形電極3a 3d是采用將連接盤圖形電極的方形形 狀沿對角線一分為四的形狀，但也可以采用一分為二的形狀。圖9(a)(b)是沿 與圖中的X軸平行的方向配置子圖形電極6a及6b的檢查標記結(jié)構(gòu)71。在這種 情況下，通過確認各子圖形電極6a或6b的某一個導通，能夠判斷基板片lld 的位置偏移是在圖中的Y軸方向產(chǎn)生。另外，圖10(a)(b)是使分割位置與圖9的檢査標記結(jié)構(gòu)71旋轉(zhuǎn)90。、沿 與圖中的Y軸平行的方向配置子圖形電極7a及7b的檢查標記結(jié)構(gòu)72。在這種 情況下，通過確認各子圖形電極7a或7b的某一個導通，能夠判斷基板片lld的位置偏移是在圖中的X軸方向產(chǎn)生。再進一步，通過將圖9、圖10的各檢查標記結(jié)構(gòu)71、 72與實施形態(tài)2相 同在基板片的同一層間并排配置，從而根據(jù)各子圖形電極的導通檢査結(jié)果的組 合，與圖7的構(gòu)成相同，能夠更仔細地判斷位置偏移的方向。另外，在上述的說明中，是設(shè)在檢査用通孔la的周圍形成4個或2個同 --形狀的子圖形電極，但子圖形電極的個數(shù)不限定于此。也可以根據(jù)想要判斷 的位置偏移的方向，設(shè)為奇數(shù)，也可以設(shè)為5個以上的任意數(shù)。另外，各子圖 形電極是設(shè)為同一形狀的，但也可以是互相不同的形狀。再有，是采用將子圖 形電極以點對稱設(shè)置在檢査用通孔la的周圍的構(gòu)成，但也可以采用非對稱設(shè) 置的構(gòu)成。這些變化可以在基板片層疊體制成時、或根據(jù)檢査標記結(jié)構(gòu)的配置 來使用。(實施形態(tài)4)圖11(a)(b)所示為本發(fā)明實施形態(tài)4的檢査標記結(jié)構(gòu)組的圖。在各圖中， 對于與圖l、圖2同一或相當?shù)牟糠?，附加同一標號。檢查標記結(jié)構(gòu)組具有將多個檢查標記結(jié)構(gòu)80 83在基板片的同一層間并 排配置的構(gòu)成。在圖中，假設(shè)設(shè)置在基板片lld與llc之間。另外，各檢査標 記結(jié)構(gòu)分別獨立引出布線(圖示省略)，能夠?qū)ㄟM行檢查。另外，各檢查標記結(jié)構(gòu)80 83的除了開口部的尺寸以外的各部分具有同 一形狀。開口部80e、 81e、 82e、 83e在它們的直徑Ll、 L2、 L3、 L4之間有L1 <L2<L3<L4的關(guān)系。另外，設(shè)最小的開口部80e的直徑Ll與檢查用通孔la的外形V之差為實 施形態(tài)1中定義的規(guī)定距離D1的2倍。通過這樣，將開口部80e定義作為與 實施形態(tài)1的檢查標記結(jié)構(gòu)的開口部le相同的尺寸，其它的開口部81e、 82e、 83e作為比它要大的開口部。另外，作為具體例子，設(shè)V430ym， Ll=300 iira, 12=350線L3=400 um, L4=450um， D=20um。通過使用具有以上那樣的構(gòu)成的、本實施形態(tài)4有關(guān)的檢查標記結(jié)構(gòu)組， 從而在多層電路基板的層疊一致精度的檢査方法中能夠得到以下的效果。艮P，通過預先規(guī)定各檢查標記結(jié)構(gòu)80 83的開口部的尺寸，根據(jù)各檢查標記結(jié)構(gòu)80 83的導通檢查的結(jié)果，利用表示位置偏移的允許限度的規(guī)定距 離D、以及是已知的開口部的尺寸的差分，能夠客觀地判斷基板片間的位置偏移的大小。在本實施形態(tài)的情況下，檢査結(jié)果有下列5種(1)各檢査標記結(jié)構(gòu)80 83的任何一個都未確認導通；(2)僅檢査標記結(jié)構(gòu)80確認導通；(3)檢査標記 結(jié)構(gòu)80及81確認導通；(4)檢査標記結(jié)構(gòu)80 82確認導通；(5)各檢查標記 結(jié)構(gòu)80 83全部確認導通。這里，(3)的檢查結(jié)果是與圖11所示的例子對應(yīng) 的結(jié)果。根據(jù)其中(2)的檢査結(jié)果可知，基板片lld的位置偏移的大小是D二20um 以上，是在小于檢查標記結(jié)構(gòu)81的開口部81e的直徑L2與檢査標記結(jié)構(gòu)80 的開口部80e的直徑Ll的差分(L2-Ll)=50" m的值的范圍內(nèi)。另外，根據(jù)(3)的檢査結(jié)果可知，基板片lld的位置偏移的大小是基于上 述(2)的檢查結(jié)果的大小50nm以上，是在小于檢查標記結(jié)構(gòu)82的開口部82e 的直徑L3與檢査標記結(jié)構(gòu)80的開口部80e的直徑Ll的差分(L3-Ll)二IOO u m 的值的范圍內(nèi)。同樣，根據(jù)(4)的檢査結(jié)果可知，基板片lld的位置偏移的大小是基于上 述(3)的檢查結(jié)果的大小100"m以上，是在小于檢查標記結(jié)構(gòu)83的開口部83e 的直徑L4與檢查標記結(jié)構(gòu)80的開口部80e的直徑Ll的差分(L4-Ll) =150 " m 的值的范圍內(nèi)。這樣，在本實施形態(tài)中，通過形成由多個檢査標記結(jié)構(gòu)構(gòu)成的檢查標記結(jié) 構(gòu)組，而多個檢查標記結(jié)構(gòu)分別具有開口部的直徑分別不同的多個連接盤圖形 電極，從而除了判斷有無發(fā)生位置偏移以外，還能夠客觀地而且定量地判斷位 置偏移的大小。由于能夠定量地知道完成后的多層電路基板的精度，因此能夠 更仔細地進行好不好的判定。例如，能夠用于在更需要精度的高密度的多層電 路基板與低密度的多層電路基板之間使制造條件不一樣時、來判斷產(chǎn)品的合格 與否。另外，開口部的形狀能夠照原樣用作為連接盤電極的形狀，因此能夠定 量地知道電路電極102的連接盤電極的適當尺寸。另外，在上述的說明中，是作為基板片各向同性產(chǎn)生位置偏移的情況進行 說明的，但如果是相鄰的通孔間程度的距離，則成為位置偏移的原因的基板片的膨脹或收縮可以看作為各向同性而且以一樣的大小產(chǎn)生。另外，在上述的說明中，檢查標記結(jié)構(gòu)組是作為具有多個實施形態(tài)1的檢 查標記結(jié)構(gòu)而構(gòu)成的來進行說明的，但如果是使開口部的大小分別不同而構(gòu)成 的，則也可以是具有多個實施形態(tài)2或3的檢查標記結(jié)構(gòu)。在這種情況下，能 夠?qū)ξ恢闷频姆较蚣按笮〉膬煞矫孢M行客觀地判斷。另外，在上述的說明中，構(gòu)成檢查標記結(jié)構(gòu)組的全部檢查標記結(jié)構(gòu)是作為 互相開口部的尺寸不同的情況進行說明的，但也可以僅一部分不同。通過具有 多個同一尺寸的檢査標記結(jié)構(gòu)，具有提高檢查精度的效果。(實施形態(tài)5)圖12(a)所示為本發(fā)明實施形態(tài)5有關(guān)的多層電路基板的檢查標記結(jié)構(gòu)的 示意平面圖，圖12(b)為根據(jù)圖12(a)的A-A'直線的示意剖視圖。另外，圖13所示為圖12(a)的主要部分的示意立體圖。在各圖中，對于與 圖1、圖2同一或相當?shù)牟糠?，附加同一標號。本實施形態(tài)5有關(guān)的檢查標記結(jié)構(gòu)70是在檢査用通孔la的端面lf的周 圍，設(shè)置獨立的4個矩形形狀的子圖形電極8a 8d。本實施形態(tài)5的子圖形電 極8a 8d形成其各端部與檢查用通孔la的端面lf有重疊而接觸那樣的位置 構(gòu)成，這一點與實施形態(tài)1 4不同。如圖13所示，在本實施形態(tài)5有關(guān)的檢查標記結(jié)構(gòu)中，各子圖形電極8a 8d分別與獨立的布線4a 4d連接。另外，檢查用通孔la及導通用電極lc具 有與實施形態(tài)1同樣的結(jié)構(gòu)，從導通用電極lc連接一條布線5。布線8a 8d 與布線5在將基板片層疊體進行熱壓加工后的多層電路基板中能夠與外部的檢 流計2b連接。通過使用具有以上那樣的構(gòu)成的、本實施形態(tài)5有關(guān)的檢査標記結(jié)構(gòu)70 的、多層電路基板的層疊一致精度的檢查方法，為以下那樣的方法。艮口，在本實施形態(tài)的多層電路基板的檢査標記結(jié)構(gòu)中，如圖12及圖14(a) 所示，在制成基板片層疊體IO的狀態(tài)下，在2片基板片之間，形成檢查用通 孔la的端面lf與子圖形電極8a 8d的端部具有重疊長度L而接觸的配置， 但若因熱壓加工而在基板片間產(chǎn)生位置偏移，基板片彼此之間的位置偏移量大于重疊長度L，則子圖形電極8a 8d的某一部分、或電極全部不與檢査用通孔 la的端面lf的接觸。在這種情況下，通過將完成后的多層電路基板的布線2d與檢流計2b連接， 檢查有無導通，從而能夠判斷有無位置偏移。即，如圖14(a)所示，在不產(chǎn)生 位置偏移時，在布線4a 4d、子圖形電極8a 8d、檢査用通孔la及導通用電 極lc構(gòu)成的導通電路中，由于檢査用通孔la的端面lf與全部子圖形電極8a 8d接觸，因此通過連接檢流計2b，能夠確認導通。另一方面，若由于基板片間的位置偏移而使檢査用通孔la的端面lf與子 圖形電極8a 8d不接觸，則與不接觸的子圖形電極有關(guān)的導通電路斷開，若 連接檢流計2b，則能夠確認沒有導通。如圖14(b)所示，由于在圖中的X軸方 向產(chǎn)生位置偏移，則檢査用通孔la的端面lf與子圖形電極8d不接觸，從而 檢流計2b能夠確認沒有導通。這樣，利用本實施形態(tài)5的檢査標記結(jié)構(gòu)，也能夠排除根據(jù)目視等產(chǎn)生的 誤識別，實施能夠客觀地判斷有無位置偏移的多層電路基板的層疊一致精度的 檢查方法。再有，在本實施形態(tài)中，與實施形態(tài)3相同，由于各子圖形電極8a 8d 分別獨立，另外利用獨立的布線4a 4d與檢流計2b連接，因此每個子圖形電 極8a 8d能夠進行導通檢查。因而，通過預先規(guī)定子圖形電極8a 8d的配置 位置，能夠根據(jù)每個子圖形電極8a 8d進行導通檢査的結(jié)果，客觀地判斷基 板片間的位置偏移的方向。在本實施形態(tài)的情況下，檢查結(jié)果有下列4種(l)各檢査標記結(jié)構(gòu)8a 8d全部確認導通；(2)各子圖形電極8a 8d的某1個以外的3個電極確認導通； (3)各子圖形電極8a 8d中，相鄰的一對子圖形電極(8a、 8b) 、 (8b、8c)、 (8c、 8d)、 (8d、 8a)的某一組確認導通；(4)各子圖形電極8a 8d的某l個確認導 通。根據(jù)其中(2)的檢査結(jié)果，可以判斷為基板片lld的位置偏移是在圖中的X、 Y軸方向的某一個方向產(chǎn)生。如上所述，圖14(b)所示的例子是確認與子圖形電 極8d的導通斷開的情況，能夠判斷為基板片沿圖中的X軸方向移動。另外，根據(jù)(3)的檢査結(jié)果，可以判斷為基板片lld的位置偏移是在使圖中的X、 Y軸方向旋轉(zhuǎn)45。的圖中的X，、 Y，軸方向的某一個方向產(chǎn)生。圖14(c) 所示的例子是確認與子圖形電極8a、 8d的導通斷開的情況，能夠判斷為基板 片11沿圖中的X'軸方向移動。再有，根據(jù)(4)的檢查結(jié)果，可以判斷為基板片的位置偏移是在圖中的X、 Y軸方向的某一個方向產(chǎn)生、而且偏移量大于上述(2)的偏移量的情況。圖14(d) 所示的例子是確認與子圖形電極8a、 8c、 8d的導通斷開的情況，能夠判斷為 基板片的移動在圖中的X軸方向產(chǎn)生、而且基板片的偏移量大的情況。這樣，在本實施形態(tài)中，作為檢查標記結(jié)構(gòu)90，通過采用將構(gòu)成獨立的導 通電路的子圖形電極的各自的端部與檢查用通孔的端面的周圍重疊那樣接觸 而配置的構(gòu)成，從而除了判斷有無發(fā)生位置偏移以外，還能夠客觀地判斷位置 偏移的方向及位置偏移的大小程度。再有，在本實施形態(tài)中，通過采用子圖形電極8a 8d與檢查用通孔保持 導通的狀態(tài)成為正常狀態(tài)那樣的構(gòu)成，從而具有以下那樣的優(yōu)點。即，在利用 檢查標記結(jié)構(gòu)90的導通檢査中，由于能夠確認導通的狀態(tài)是正常狀態(tài)，因此 能夠除去雖然導通電路接觸但所謂不能檢測出導通本身的、檢流計2b等測定 儀器的動作不良的判定不穩(wěn)定因素，進行更高可靠性的檢査。再有，利用導通 狀態(tài)是正常狀態(tài)的情況，還可以將檢查用通孔la及子圖形電極8a 8d用作為 圖l所示的電路電極的一部分。另外，在上述的構(gòu)成中，子圖形電極8a 8d是形成在檢查用通孔la的端 面lf的周圍的4個方向每隔均勻的夾角(90度)設(shè)置的形狀，但子圖形電極的 配置位置及個數(shù)不限定于此。圖15所示的例子是除了子圖形電極8a 8d以外、 再追加子圖形電極8e 8h的構(gòu)成。子圖形電極8e 8h是對整個子圖形電極 8a 8d旋轉(zhuǎn)45度的、夾角90度的以4條為一組的電極，各端部以比子圖形電 極8a 8d的重疊寬度L要深的寬度LL，與檢査用通孔la的端面lf重疊連接。 通過使用重疊寬度及重疊角度不同的多個子圖形電極，能夠提高位置偏移的檢 測精度。另外，子圖形電極不受形狀限定，也可以是任意的形狀。另外，在上述的說明中，是設(shè)在檢查用通孔la的周圍形成4個同一形狀 的子圖形電極，但子圖形電極的個數(shù)不限定于此。也可以根據(jù)想要判斷的位置 偏移的方向，設(shè)為奇數(shù)，也可以設(shè)為5個以上的任意數(shù)。另外，各子圖形電極是設(shè)為同一形狀的，但也可以是互相不同的形狀。再有，是采用將子圖形電極 以點對稱設(shè)置在檢查用通孔la的周圍的構(gòu)成，但也可以采用非對稱設(shè)置的構(gòu) 成。這些變化可以在基板片層疊體制成時、或根據(jù)檢査標記結(jié)構(gòu)的配置來使用。另外，與實施形態(tài)3的圖9所示的構(gòu)成相同，也可以作為具有以不同的角度配置的子圖形電極的檢查標記結(jié)構(gòu)的組合即檢査標記結(jié)構(gòu)組來實施。還有，與圖ll所示的構(gòu)成相同，也可以作為檢査用通孔la的端面lf、與子圖形電極的重 疊長度互相不同的檢査標記結(jié)構(gòu)的組合即檢查標記結(jié)構(gòu)組來實施。(實施形態(tài)6)作為本發(fā)明的實施形態(tài)6，是以制造圖1所示的具有電路12的5層多層電 路基板為例，參照圖16的流程圖，來說明根據(jù)使用上述的本發(fā)明的各實施形 態(tài)的檢査標記結(jié)構(gòu)或檢查標記結(jié)構(gòu)組的檢査方法的多層電路基板的制造方法。作為步驟Sl，是對各基板片11a lle設(shè)置與電路12相對應(yīng)的通孔101。 具體來說，將預浸漬材料或陶瓷作為基板片，對它利用激光等進行貫通孔加工， 對該通孔充填由Cu粉末及熱固化型環(huán)氧樹脂形成的導電糊料，制成通孔101。接著作為步驟S2，以與通孔101同樣的順序制成檢查用通孔la。另外， 步驟Sl及S2也可以同時并行進行。接著作為步驟S3，第l，在基板片11a lle的各個主面上設(shè)置電路電極 102及導通用電極lc，分別完成雙面電路基板。步驟S3的詳細情況如下所述。在設(shè)置有通孔的各基板片11a lle的各個 主面上配置12ym的銅箔，利用熱壓機進行加熱加壓(200'C、 50kg/cm2)之后， 利用刻蝕形成電路圖形。第2，層疊雙面電路基板，完成基板片層疊體。具體 來說，在作業(yè)臺上按照厚度12um的金屬箔、預浸漬材料、雙面電路基板、預 浸漬材料、金屬箔的順序?qū)盈B。為了進行各自的定位，使用定位圖形通過圖像 識別等進行定位后重疊。接著從最外面的金屬箔上用加熱了的加熱片等進行加熱加壓，使各基板片 11a lle的樹脂成分熔融，然后利用樹脂成分的固化，將雙面電路基板與金屬 箔粘接，完成基板片層疊體IO。在該階段中，在基板片層疊體10內(nèi)形成電路 12及檢査標記結(jié)構(gòu)1。另外，在該階段前預先對檢查標記結(jié)構(gòu)1設(shè)置布線2a。接著作為步驟S4，將基板片層疊體IO進行熱壓加工，完成多層電路基板。具體來說，通過對基板片層疊體10的整個面進行加熱加壓(20(TC、 50kg/cm2)， 從而將各基板片11a llb的各層與金屬箔粘接，同時將雙面電路基板的電路 圖形與銅箔間，利用對夾在它們之間的貫通孔充填的導電性糊料進行內(nèi)通路連 接。再將最外層的金屬箔有選擇地進行刻蝕，形成電路圖形，從而制成多層電 路基板。接著作為步驟S5，將檢流計2b與完成后的多層電路基板的布線2a連接， 對檢査標記結(jié)構(gòu)l檢查導通。據(jù)此，作為步驟S6，判斷多層電路基板的層疊一 致精度。這時，在使用實施形態(tài)1的檢查標記結(jié)構(gòu)時，判斷有無位置偏移，作為層 疊一致精度。另外，在使用實施形態(tài)2、 3或5的檢查標記結(jié)構(gòu)時，判斷有無 位置偏移及位置偏移的方向，作為層疊一致精度。另外，在使用實施形態(tài)4的 檢查標記結(jié)構(gòu)時，判斷有無位置偏移及位置偏移的大小，作為層疊一致精度。在判斷為層疊一致精度適當時，由于完成后的多層電路基板是合格品，因 此，作為步驟S7，通過重復上述的各步驟，繼續(xù)制造多層電路基板。這里的層 疊一致精度是有無位置偏移，能夠容易實施多層電路基板的個別檢査。另外，在判斷為層疊一致精度不適當時，由于完成后的多層電路基板是不 合格品，因此廢棄掉。這里，作為檢査標記結(jié)構(gòu)，在使用實施形態(tài)2 5的檢查標記結(jié)構(gòu)判斷層 疊一致精度時，根據(jù)判斷結(jié)果，判明位置偏移的方向、或位置偏移的大小。因 此，作為步驟S8，利用這樣判別的位置偏移的方向、或位置偏移的大小，修正 雙面電路基板即各基板片11a lle的層疊位置，制成基板片層疊體10。然后繼續(xù)步驟S4以后的動作，根據(jù)修正了層疊位置后的基板片層疊體10， 完成多層電路基板。另外，在上述的各工序中，步驟S4及S5相當于本發(fā)明的多層電路基板的 層疊一致精度的檢查方法，步驟S8相當于本發(fā)明的基板片層疊體的設(shè)計方法。如上所述，根據(jù)本實施形態(tài)的多層電路基板的制造方法，通過在一連串的 制造工序中包含使用實施形態(tài)1 5的檢查標記結(jié)構(gòu)的層疊一致精度的檢查方 法，能夠客觀地判斷多層電路基板的合格與否。再有，通過將從層疊一致精度的檢查結(jié)果取得的位置偏移的方向及大小反 饋給下一次制造的多層電路基板的制造條件，能夠提高多層電路基板的合格率。另外，在上述的說明中，作為本發(fā)明的規(guī)定的設(shè)計條件的修正對象，假設(shè) 是各基板片11a lle的層疊位置，但設(shè)計條件也可以是各基板片中的通孔或 電路電極的配置、大小等。也可以是層疊的基板片的層數(shù)?？傊?，如果是多層 電路基板的制造所需要的參數(shù)，則可以將任意的數(shù)值作為設(shè)計條件。另外，在上述的各實施形態(tài)中，檢査標記結(jié)構(gòu)1、 50a、 50b、 51a、 51b、 70 72、 80 83、及90相當于本發(fā)明的檢查標記結(jié)構(gòu)。 另外，檢査用通孔la相當于本發(fā)明的檢查用通孔。 另外，連接盤圖形電極lb、 lb'相當于本發(fā)明的連接盤圖形電極。 另外，子圖形電極3a 3d、 6a、 6b、 7a、 7b、 8a 8d、 8e 8h相當于本 發(fā)明的子圖形電極。另外，導通用電極lc、 lc'相當于本發(fā)明的導通用電極。 另外，實施形態(tài)l、 2及4的檢査標記結(jié)構(gòu)或檢查標記結(jié)構(gòu)組的連接盤圖 形電極中的開口部le、 le'、 80e 83e,相當于本發(fā)明的無縫隙地包圍檢查用 通孔的端面的形狀。另外，實施形態(tài)3的檢查標記結(jié)構(gòu)的連接盤圖形電極中的子圖形電極3a 3d、 6a、 6b、 7a、 7b、及與檢查用通孔la之間形成的區(qū)域，相當于本發(fā)明的 有縫隙包圍檢查用通孔的端面的形狀。但是，本發(fā)明不限定于上述的各實施形態(tài)。在實施形態(tài)1中，作為開口部le的形狀是設(shè)為無縫隙地包圍檢査用通孔 的端面的形狀。也可以例如圖17所示，在連接盤圖形電極lb的端部的一部分 設(shè)置縫隙。在這種情況下，開口部相當于本發(fā)明的有縫隙包圍檢查用通孔的端 面的形狀。另外，檢査用通孔la的端面lf的形狀都假設(shè)為圓形，但也可以是方形、 矩形等任意的形狀。對應(yīng)的連接盤圖形電極的開口部的形狀若與端面形狀相 似，則能夠?qū)崿F(xiàn)實施形態(tài)l、 4的檢查標記結(jié)構(gòu)或檢査標記結(jié)構(gòu)組。另外，對應(yīng)的連接盤圖形電極的開口部的形狀即使與檢查用通孔的端面的形狀不相似，但如果開口部本身的形狀都相同，連接盤圖形電極內(nèi)的配置有互 相不一致的關(guān)系，則能夠?qū)崿F(xiàn)實施形態(tài)2的檢査標記結(jié)構(gòu)組。
另外，在上述的各實施形態(tài)中，是作為以層疊多個基板片Ua lle的基 板片層疊體及將它進行熱壓加工而形成的多層電路基板為例來實施本發(fā)明的 情況進行說明的，但本發(fā)明不限定于此，也可以在將完成的多個多層電路基板 彼此之間進行層疊而形成的組件的制造中實施。
這是因為能夠檢查各多層電路基板彼此之間的層疊一致精度。這時，層疊 的各多層電路基板也可以是在表面或?qū)娱g具有半導體元件等電氣元器件、電子 元器件的多層電路基板，在這些電氣元器件、電子元器件的位置對準的調(diào)整中， 本發(fā)明也將發(fā)揮效果。
另外，也可以在沒有電路12的僅由基板片形成的基板片層疊體的燒成物 的檢查中實施。在這種情況下，能夠用于檢查基板片所用的預浸漬材料或陶瓷 在熱壓加工時的拉伸性、壓縮性等物理性質(zhì)。
工業(yè)上的實用性
本發(fā)明有關(guān)的檢査標記結(jié)構(gòu)具有能夠客觀地進行層疊一致精度的檢查的 效果，例如，作為檢查標記結(jié)構(gòu)、基板片層疊體、多層電路基板、多層電路基 板的層疊一致精度的檢查方法、以及基板片層疊體的設(shè)計方法是有效的。
權(quán)利要求
1.一種檢查標記結(jié)構(gòu)，其特征在于，具有在構(gòu)成至少2層的基板片層疊體的基板片的任一片上設(shè)置的檢查用通孔；連接盤圖形電極，該連接盤圖形電極形成于設(shè)置有所述檢查用通孔的所述基板片的一面?zhèn)?，且設(shè)置為在所述檢查用通孔的端面的周圍隔開與所述端面不接觸的規(guī)定距離；以及導通用電極，該導通用電極形成于設(shè)置有所述檢查用通孔的所述基板片的另一面?zhèn)?，且設(shè)置為與所述檢查用通孔的端面電連接。
2. 如權(quán)利要求1所述的檢查標記結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述連接盤圖形電極具有無縫隙地包圍所述檢查用通孔的所述端面的周 圍的形狀。
3. 如權(quán)利要求2所述的檢查標記結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述連接盤圖形電極的無縫隙地包圍所述檢查用通孔的所述端面的周圍 的形狀，具有與所述檢査用通孔的所述端面的形狀相似的形狀。
4. 如權(quán)利要求2所述的檢查標記結(jié)構(gòu)，其特征在于， 所述連接盤圖形電極的無縫隙地包圍所述檢査用通孔的所述端面的周圍的形狀，具有與所述檢査用通孔的所述端面的形狀不相似的形狀。
5. 如權(quán)利要求1所述的檢查標記結(jié)構(gòu)，其特征在于， 所述連接盤圖形電極具有帶縫隙包圍所述檢查用通孔的所述端面的周圍的形狀。
6. 如權(quán)利要求5所述的檢查標記結(jié)構(gòu)，其特征在于， 所述連接盤圖形電極由設(shè)置在所述檢査用通孔的端面的周圍的多個子圖形電極構(gòu)成。
7. 如權(quán)利要求6所述的檢査標記結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述子圖形電極對所述檢查用通孔的端面以點對稱配置。
8. 如權(quán)利要求7所述的檢查標記結(jié)構(gòu)，其特征在于，同一形狀的2個或4個所述子圖形電極在所述檢查用通孔的端面的周圍以 等間隔設(shè)置。
9. 一種檢查標記結(jié)構(gòu)組，其特征在于， 具有多個如權(quán)利要求1所述的檢査標記結(jié)構(gòu)，所述連接盤圖形電極與所述檢査用通孔的端面的周圍之間的所述規(guī)定距 離不同于全部或一部分的每個所述檢查標記結(jié)構(gòu)。
10. —種檢査標記結(jié)構(gòu)組，其特征在于，具有多個如權(quán)利要求4所述的檢査標記結(jié)構(gòu)，各個檢査標記結(jié)構(gòu)的所述連接盤圖形電極的、無縫隙地包圍所述檢查用通 孔的所述端面的周圍的所述形狀是相同的，并且 所述形狀的配置互相不一致。
11. 如權(quán)利要求IO所述的檢查標記結(jié)構(gòu)組，其特征在于， 在各自的所述檢查標記結(jié)構(gòu)中， 所述檢查用通孔的所述端面的形狀是圓形，所述連接盤圖形電極的、無縫隙地包圍所述檢査用通孔的所述端面的周圍 的所述形狀是長圓或橢圓形狀，并且各個所述形狀的長圓或橢圓互相垂直。
12. —種基板片層疊體，其特征在于，具有 具有通孔的多個基板片；設(shè)置在所述多個基板片層的電路電極；以及形成在所述多個基板片層的、如權(quán)利要求1所述的檢查標記結(jié)構(gòu)。
13. 如權(quán)利要求12所述的基板片層疊體，其特征在于， 所述檢査標記結(jié)構(gòu)為多個，所述檢查標記結(jié)構(gòu)中的所述連接盤圖形電極的、無縫隙地包圍所述檢查用 通孔的所述端面的周圍的形狀，具有與所述檢査用通孔的所述端面的形狀不相 似的形狀，各個檢查標記結(jié)構(gòu)的所述連接盤圖形電極的、無縫隙地包圍所述檢査用通 孔的所述端面的周圍的所述形狀是相同的，并且 所述形狀的配置互相不一致。
14. 一種多層電路基板，其特征在于，是將如權(quán)利要求12所述的基板片層疊體進行熱壓加工而形成的。
15. —種檢查標記結(jié)構(gòu)，其特征在于，具有在構(gòu)成至少2層的基板片層疊體的基板片的任一片上設(shè)置的檢查用通孔；連接盤圖形電極，該連接盤圖形電極形成于設(shè)置有所述檢查用通孔的所述基板片的一面?zhèn)?，且設(shè)置為在所述檢查用通孔的端面的周圍與所述端面接觸； 以及導通用電極，該導通用電極形成于設(shè)置有所述檢查用通孔的所述基板片的 另一面?zhèn)?，且設(shè)置為與所述檢查用通孔的端面電連接。
16. 如權(quán)利要求15所述的檢査標記結(jié)構(gòu)，其特征在于， 所述連接盤圖形電極由設(shè)置在所述檢查用通孔的端面的周圍的、分別與所述端面接觸的多個子圖形電極構(gòu)成。
17. 如權(quán)利要求16所述的檢査標記結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述子圖形電極對所述檢查用通孔的端面以點對稱配置。
18. —種檢查標記結(jié)構(gòu)組，其特征在于，是具有多個如權(quán)利要求15所述的檢查標記結(jié)構(gòu)的檢査標記結(jié)構(gòu)組， 所述檢查用通孔的端面的外徑不同于全部或一部分的每個所述檢査標記 結(jié)構(gòu)。
19. 一種基板片層疊體，其特征在于，具有 具有通孔的多個基板片；設(shè)置在所述多個基板片層的電路電極；以及形成在所述多個基板片層的、如權(quán)利要求15所述的檢查標記結(jié)構(gòu)。
20. 如權(quán)利要求19所述的基板片層疊體，其特征在于， 所述檢查標記結(jié)構(gòu)為多個，所述檢查標記結(jié)構(gòu)中的所述檢查用通孔的端面與所述連接盤圖形電極的 接觸部分的大小不同于多個所述檢查標記結(jié)構(gòu)的全部或一部分的每個所述檢 查標記結(jié)構(gòu)。
21. —種多層電路基板，其特征在于，是將如權(quán)利要求18所述的基板片層疊體進行熱壓加工而形成的。
22. —種多層電路基板的層疊一致精度的檢査方法，其特征在于， 多層電路基板具有具有通孔的多個基板片；設(shè)置在所述多個基板片層的電路電極；以及形成在所述多個基板片層的檢査標記結(jié)構(gòu)，所述檢査標記結(jié)構(gòu)具有在構(gòu) 成至少2層的基板片層疊體的基板片的任一片上設(shè)置的檢查用通孔；連接盤圖 形電極，該連接盤圖形電極形成于設(shè)置有所述檢査用通孔的所述基板片的一面 側(cè)，且設(shè)置為在所述檢查用通孔的端面的周圍隔開與所述端面不接觸的規(guī)定距 離或與所述端面接觸；以及導通用電極，該導通用電極形成于設(shè)置有所述檢查 用通孔的所述基板片的另一面?zhèn)?，且設(shè)置為與所述檢查用通孔的端面電連接， 該多層電路基板的層疊一致精度的檢查方法，具有以下工序 將所述檢查標記結(jié)構(gòu)的所述導通用電極與所述連接盤圖形電極電連接的 工序；以及在(A)在所述檢査用通孔的端面的周圍具有隔開與所述端面不接觸的規(guī)定 距離的所述連接盤圖形電極的所述檢查標記結(jié)構(gòu)的情況下、利用所述連接而沒 有導通時，或者(B)在所述檢查用通孔的端面的周圍具有設(shè)置為與所述端面接 觸的所述連接盤圖形電極的所述檢査標記結(jié)構(gòu)的情況下、利用所述連接而有導 通時，判斷為能夠保持所述層疊一致精度的工序。
23. 如權(quán)利要求22所述的多層電路基板的層疊一致精度的檢查方法，其特 征在于，所述層疊一致精度是構(gòu)成所述多層電路基板的各基板間有無位置偏移、位 置偏移的方向、位置偏移的大小的至少一項。
24. —種基板片層疊體的設(shè)計方法，使用取得的所述基板的位置偏移的方 向或位置偏移的大小，來修正所述規(guī)定的設(shè)計條件，其特征在于，具有以下工 序?qū)⒏鶕?jù)規(guī)定的設(shè)計條件而形成在具有通孔的多個基板片的層上形成的、檢 査標記結(jié)構(gòu)的所述多個基板片進行層疊，使得電路電極位于該層間而制成試驗用基板片層疊體的工序，該檢査標記結(jié)構(gòu)具有在構(gòu)成至少2層的基板片層 疊體的基板片的任一片上設(shè)置的檢查用通孔；連接盤圖形電極，該連接盤圖形 電極形成于設(shè)置有所述檢査用通孔的所述基板片的一面?zhèn)?，且設(shè)置為在所述檢査用通孔的端面的周圍隔開與所述端面不接觸的規(guī)定距離或者與所述端面接 觸；以及導通用電極，該導通用電極形成于設(shè)置有所述檢查用通孔的所述基板 片的另一面?zhèn)?，且設(shè)置為與所述檢査用通孔的端面電連接；將所述試驗用基板片層疊體進行熱壓加工而制成試驗用多層電路基板的 工序；以及使用如權(quán)利要求22所述的多層電路基板的層疊一致精度的檢查方法、取得所 述基板的位置偏移的方向或位置偏移的大小，來作為所述試驗用多層電路基板 的所述層疊一致精度的工序。
25.如權(quán)利要求24所述的基板片層疊體的設(shè)計方法，其特征在于，所述規(guī)定的設(shè)計條件是所述多個基板片的各自的層疊位置。
全文摘要
本發(fā)明涉及檢查標記結(jié)構(gòu)、基板片層疊體、多層電路基板、多層電路基板的層疊一致精度的檢查方法、以及基板片層疊體的設(shè)計方法。本發(fā)明客觀地進行層疊一致精度的檢查。檢查標記結(jié)構(gòu)(1)具有在進行熱壓加工前的構(gòu)成至少2層的層疊體的基板片(11c)上設(shè)置的檢查用通孔(1a)；連接盤圖形電極(1b)，該連接盤圖形電極(1b)形成于設(shè)置有檢查用通孔(1a)的基板片(11c)的一主面?zhèn)龋以O(shè)置為在檢查用通孔(1a)的端面(1f)的周圍隔開與端面不接觸的規(guī)定距離(D)；以及導通用電極(1c)，該導通用電極(1c)形成于設(shè)置有檢查用通孔的基板片(11c)的另一主面?zhèn)?，且設(shè)置為與檢查用通孔(1a)的端面電連接。
文檔編號H05K3/46GK101242711SQ200810005790
公開日2008年8月13日 申請日期2008年1月31日 優(yōu)先權(quán)日2007年2月1日
發(fā)明者上田洋二, 沖本力也, 林祥剛, 白石司 申請人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會社