專(zhuān)利名稱(chēng)：印刷布線(xiàn)板及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及裝栽IC芯片等的電子部件的印刷基板及其制造方法， 尤其涉及內(nèi)裝電容器的印刷布線(xiàn)板及其制造方法。
技術(shù)背景目前在封裝基板用的印刷布線(xiàn)板中，為了平滑地向IC芯片供電等， 對(duì)片狀電容進(jìn)行表面安裝。由于從片狀電容器到IC芯片的布線(xiàn)電抗部分依賴(lài)于頻率，隨著IC 芯片的驅(qū)動(dòng)頻率的增加，即使對(duì)片狀電容器進(jìn)行表面安裝也得不到很 好的效果。因此，本申請(qǐng)人在特愿平11-248311號(hào)中提出一種方案 在核心基板上形成凹部，把片狀電容器容納在凹部中。還有，作為在 基板上埋入電容器的技術(shù)，有特開(kāi)平6-326472號(hào)、特開(kāi)平7-263619 號(hào)、特開(kāi)平10-256429號(hào)、特開(kāi)平11-45955號(hào)、特開(kāi)平11-126978號(hào)、 特開(kāi)平11-312868號(hào)等。特開(kāi)平6-326472號(hào)中，公開(kāi)了在玻璃環(huán)氧樹(shù)脂構(gòu)成的樹(shù)脂基板上 埋入電容器的技術(shù)。利用該結(jié)構(gòu)可降低電源噪音，并且，不需要安裝 片狀電容器的空間，可使絕緣基板小型化。另外，特開(kāi)平7-263619號(hào) 中，公開(kāi)了在陶瓷、鋁氧化物等的基板上埋入電容器的技術(shù)。利用該 結(jié)構(gòu)，通過(guò)在電源層和接地層之間連接，使布線(xiàn)變短，降低布線(xiàn)的電 感。但是，上述的特開(kāi)平6-326472號(hào)、特開(kāi)平7-263619號(hào)中，不能使 從IC芯片到電容器的距離變得很短，在IC芯片的更高頻率區(qū)中，不 能使電感降低到當(dāng)前所需要的那樣。尤其，在樹(shù)脂制的多層組合布線(xiàn) 板中，由于陶瓷構(gòu)成的電容器與樹(shù)脂構(gòu)成的核心基板及層間樹(shù)脂絕緣層的熱膨脹率差別，所以會(huì)發(fā)生片狀電容器的端子與穿孔之間斷路、 片狀電容器與層間樹(shù)脂絕緣層之間剝離、層間樹(shù)脂絕緣層中的裂紋， 不能長(zhǎng)期實(shí)現(xiàn)高可靠性。另一方面，特愿平11-248311號(hào)的發(fā)明中，電容器的配設(shè)位置偏離 時(shí)，電容器的端子與穿孔(匕*7)之間不能正確連接，有不能從電容器 向IC芯片供電的可能性。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明為解決上述問(wèn)題而作出，其目的是提供一種內(nèi)裝電容器、提 高了連接可靠性的印刷布線(xiàn)板及印刷布線(xiàn)板的制造方法。為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明第1方面的印刷布線(xiàn)板在容納電容器的核 心基板上交替層層疊間樹(shù)脂絕緣層和導(dǎo)體電路，其技術(shù)特征在于容納 所述電容器的核心基板由使粘接板介于中間層疊第一樹(shù)脂基板、具有 容納電容器的開(kāi)口的笫二樹(shù)脂基板和第三樹(shù)脂基板構(gòu)成。另外，本發(fā)明第16方面的印刷布線(xiàn)板的制造方法的技術(shù)特征在于 至少包括以下(a) ~ (d)工序(a) 在第 一樹(shù)脂基板上形成導(dǎo)電連接部的工序；(b) 在所述第 一樹(shù)脂基板的所述導(dǎo)電連接部上經(jīng)導(dǎo)電粘接劑連接電 容器的工序；(c) 使粘接板介于中間層疊第三樹(shù)脂基板、具有容納所述電容器的 開(kāi)口的第二樹(shù)脂基板和所述第一樹(shù)脂基板以把所述第一樹(shù)脂基板的所述電容器容納在所述第二樹(shù)脂基板的所述開(kāi)口中并且用第三樹(shù)脂基板 堵住所述第二樹(shù)脂基板的所述開(kāi)口的工序；以及(d) 對(duì)所述第一樹(shù)脂基板、所述第二樹(shù)脂基板和所述笫三樹(shù)脂基板 進(jìn)行加熱加壓作成核心基板的工序。本發(fā)明笫1方面的印刷布線(xiàn)板和本發(fā)明第16方面的印刷布線(xiàn)板的 制造方法中，由于核心基板內(nèi)可容納電容器、IC芯片與電容器的距離 變短，故可降低印刷布線(xiàn)板的環(huán)路電感。另外，由于層疊樹(shù)脂基板來(lái) 構(gòu)成，故核心基板上可得到足夠高的強(qiáng)度。而且，由于通過(guò)在核心基 板的兩面上配設(shè)第一樹(shù)脂基板、笫三樹(shù)脂基板而平滑地構(gòu)成核心基板， 故能夠在核心基板之上適當(dāng)形成層間樹(shù)脂絕緣層和導(dǎo)體電路，可降低 印刷布線(xiàn)板的不合格品發(fā)生率。意思指的是通過(guò)在核心基板上設(shè)置層間樹(shù)脂絕緣層、在該層間樹(shù)脂絕緣層上布置通路孔(Z4 7水一A)或通孔、形成作為導(dǎo)電層的導(dǎo)體 電路的裝配法形成的電路。對(duì)于這些可使用半添加法、全添加法中的 任何一種。希望在空隙中填充樹(shù)脂。通過(guò)去除電容器、核心基板之間的空隙， 內(nèi)裝的電容器的運(yùn)動(dòng)變小，即使以電容器為起點(diǎn)產(chǎn)生了應(yīng)力也可通過(guò) 該填充的樹(shù)脂得到緩解。還有，在該樹(shù)脂上，電容器與核心基板粘接 并降低遷移。在本發(fā)明第2方面中，由于粘接板經(jīng)在芯材浸含熱固化樹(shù)脂而構(gòu) 成，故核心基板可具有高強(qiáng)度。本發(fā)明第3方面中，由于第1、第2及第3樹(shù)脂基板經(jīng)在芯材浸含 樹(shù)脂而構(gòu)成，故核心基板可具有高強(qiáng)度。本發(fā)明第4方面中，由于核心基板內(nèi)容納多個(gè)電容器，故電容器可 高集成化。本發(fā)明第5方面中，由于第2樹(shù)脂基板上形成導(dǎo)體電路，故可提高 基板的布線(xiàn)密度、降低層間樹(shù)脂絕緣層的層數(shù)。本發(fā)明第6中，除在基板內(nèi)容納了的電容器外，還在表面上配設(shè)電 容器。由于印刷布線(xiàn)板內(nèi)容納電容器，故IC芯片與電容器的距離變短， 降低環(huán)路電感，可瞬時(shí)供電，另一方面，由于印刷布線(xiàn)板表面上也配 設(shè)電容器，故可安裝大容量的電容器，可容易地向IC芯片提供大功率。本發(fā)明第7方面中，由于表面電容器的靜電電容在內(nèi)層的電容器的 靜電電容以上，在高頻區(qū)沒(méi)有供電不足，可確保IC芯片的所希望的工 作。本發(fā)明第8方面中，由于表面電容器的電感在內(nèi)層的電容器的電感 以上，故在高頻區(qū)沒(méi)有供電不足，可確保IC芯片的所希望的工作。本發(fā)明第9、 IO方面中，通過(guò)電鍍形成的通路孔向形成金屬膜的片 狀電容器的電極作電連接。這里，片狀電容器的電極在金屬化構(gòu)成的 表面上有凹凸，但通過(guò)金屬膜可使表面平滑，即使實(shí)施熱循環(huán)試驗(yàn)， 也不會(huì)在電極與粘接板等處產(chǎn)生斷路。作為電容器的電極的金屬膜，希望配設(shè)銅、鎳、貴金屬中的任何一 種金屬。這是由于內(nèi)裝的電容器上錫和鋅等的層容易誘發(fā)遷移。因此， 可防止遷移發(fā)生。此外，片狀電容器的表面上可進(jìn)行粗化處理。這樣，由陶瓷構(gòu)成的片狀電容器和由樹(shù)脂構(gòu)成的粘接層、與層間樹(shù)脂絕緣層的密接性增高， 即使實(shí)施熱循環(huán)試驗(yàn)，界面處的粘接層、層間樹(shù)脂絕緣層也不發(fā)生剝 離。本發(fā)明第ll方面中，片狀電容器的電極從覆蓋層至少露出一部分 容納在印刷布線(xiàn)板中，在從覆蓋層露出的電極上作電連接。此時(shí)，希望從覆蓋層露出的金屬的主要成分為Cu。這是因?yàn)榭山档瓦B接電阻。本發(fā)明第12方面中，由于使用了在外緣的內(nèi)側(cè)形成電極的片狀電 容器，故即使經(jīng)通路孔取得導(dǎo)通，但由于外部電極增大，許可對(duì)齊的 范圍寬，故也不會(huì)連接不良。本發(fā)明第1方面3中，由于使用矩陣狀形成電極的電容器，故容易 在核心基板中容納大型的片狀電容器。因此，由于可把靜電電容增大， 故可解決電學(xué)上的問(wèn)題。另外，即使經(jīng)過(guò)各種熱過(guò)程等，在印刷布線(xiàn) 板中也難以發(fā)生翹曲。本發(fā)明第14方面中，作為電容器可以使多個(gè)、多個(gè)使用的片狀電 容器連接。因此，可適當(dāng)調(diào)整靜電電容，可使IC芯片適當(dāng)工作。本發(fā)明第15中，絕緣性粘接刑的熱膨脹率設(shè)定得比容納層小，即， 設(shè)定在由陶資構(gòu)成的電容器附近。因此，在熱循環(huán)試驗(yàn)中，即使在核 心基板與電容器之間因熱膨脹率差別而產(chǎn)生內(nèi)應(yīng)力，核心基板上也難 以產(chǎn)生斷裂、剝離等，可實(shí)現(xiàn)高可靠性。為達(dá)到上述目的，本發(fā)明第17方面中，在核心基板上層疊樹(shù)脂絕 緣層和導(dǎo)體電路層而構(gòu)成印刷布線(xiàn)板，其技術(shù)特征在于所述核心基板 由形成導(dǎo)體電路的多個(gè)樹(shù)脂基板貼合而成，所述核心基板內(nèi)容納電容 器。本發(fā)明第18方面中，在核心基板上層疊樹(shù)脂絕緣層和導(dǎo)體電路而 構(gòu)成印刷布線(xiàn)板，其技術(shù)特征在于所述核心基板由形成了導(dǎo)體電路的 多個(gè)樹(shù)脂基板貼合而成，在所述核心基板內(nèi)形成的凹部中容納電容器。在本發(fā)明第17和18方面中，可在核心基板內(nèi)容納電容器，由于 IC芯片與電容器的距離縮短，故可降低印刷布線(xiàn)板的環(huán)路電感。另夕卜， 由于層疊多個(gè)形成導(dǎo)體電路的樹(shù)脂基板而形成核心基板，故核心基板 內(nèi)的布線(xiàn)密度增高，可降低層間樹(shù)脂絕緣層的層數(shù)。意思指的是通過(guò)在核心基板上設(shè)置層間樹(shù)脂絕緣層、在該層間樹(shù)脂 絕緣層上布置通路孔或通孔、形成作為導(dǎo)電層的導(dǎo)體電路的裝配法形成的電路。對(duì)于這些可使用半添加法、全添加法申的任何一種。希望在空隙中填充樹(shù)脂。通過(guò)去除電容器、核心基板之間的空隙， 內(nèi)裝的電容器的運(yùn)動(dòng)變小，即使以電容器為起點(diǎn)產(chǎn)生了應(yīng)力也可通過(guò) 該填充的樹(shù)脂得到緩解。還有，在該樹(shù)脂上，電容器與核心基板粘接 并降低遷移。在本發(fā)明第19方面中，由于使粘接板介于中間、貼合多個(gè)樹(shù)脂基 板而構(gòu)成，故可強(qiáng)固地粘接。本發(fā)明第20方面中，由于粘接板經(jīng)在芯材浸含熱固化樹(shù)脂而構(gòu)成， 故核心基板可具有高強(qiáng)度。本發(fā)明第21方面中，由于樹(shù)脂基板經(jīng)在芯材浸含樹(shù)脂而構(gòu)成，核 心基板可具有高強(qiáng)度。本發(fā)明第22方面中，由于核心基板內(nèi)容納多個(gè)電容器，故電容器可高集成化。本發(fā)明第23方面中，除在基板內(nèi)容納了的電容器外，還在表面上 配設(shè)電容器。由于印刷布線(xiàn)板內(nèi)容納電容器，故IC芯片與電容器的距 離變短，降低環(huán)路電感，可瞬時(shí)供電，另一方面，由于印刷布線(xiàn)板表 面上也配設(shè)電容器，故可安裝大容量的電容器，可容易地向IC芯片提 供大功率。本發(fā)明第24方面中，由于表面電容器的靜電電容在內(nèi)層的電容器 的靜電電容以上，故在高頻區(qū)沒(méi)有供電不足，可確保IC芯片的所希望 的工作。本發(fā)明第25方面中，由于表面電容器的電感在內(nèi)層的電容器的電 感以上，故在高頻區(qū)沒(méi)有供電不足，可確保IC芯片的所希望的工作。本發(fā)明第26、 27方面中，通過(guò)電鍍形成的通路孔向形成金屬膜的 片狀電容器的電極作電連接。這里，片狀電容器的電極在金屬化構(gòu)成 的表面上有凹凸，但由于通過(guò)金屬膜可使表面平滑而形成通路孔，故 電極上覆蓋的樹(shù)脂中形成通孔時(shí)，不殘留樹(shù)脂，可提高通路孔和電極 的連接可靠性。而且，電鍍形成的電極上由于通過(guò)電鍍形成通路孔， 故電極和通路孔的連接性高，即使實(shí)施熱循環(huán)試驗(yàn)，也不會(huì)在電極與 通路孔之間產(chǎn)生斷路。作為電容器的電極的金屬膜，希望配設(shè)銅、鎳、貴金屬中的任何一 種金屬。這是由于內(nèi)裝的電容器上錫和鋅等的層容易在與通路孔的連接部上誘發(fā)遷移。因此，可防止違移發(fā)生。此外，片狀電容器的表面上可進(jìn)行粗化處理。這樣，由陶瓷構(gòu)成的 片狀電容器和由樹(shù)脂構(gòu)成的層間樹(shù)脂絕緣層的密接性增高，即使實(shí)施 熱循環(huán)試驗(yàn)，界面處層間樹(shù)脂絕緣層也不發(fā)生剝離。本發(fā)明第28方面中，片狀電容器的電極從覆蓋層至少露出一部分 容納在印刷布線(xiàn)板中，在從覆蓋層露出的電極上通過(guò)電鍍作電連接。 此時(shí)，希望從覆蓋層露出的金屬的主要成分為Cu。其理由是露出的金 屬上即使用電鍍形成金屬層連接性也變高，可降低連接電阻。本發(fā)明第29方面中，由于使用了在外緣的內(nèi)側(cè)形成電極的片狀電 容器，故即使經(jīng)通路孔取得導(dǎo)通，但由于外部電極增大，許可對(duì)齊的 范圍寬，故也不會(huì)連接不良。本發(fā)明第30方面中，由于使用矩陣狀形成電極的電容器，故容易 在核心基板中容納多個(gè)片狀電容器。因此，由于可把靜電電容增大， 故可解決電學(xué)上的問(wèn)題。另外，即使經(jīng)過(guò)各種熱過(guò)程等，在印刷布線(xiàn) 板中也難以發(fā)生翹曲。本發(fā)明第31方面中，在電容器上可連接多個(gè)片狀電容器。因此， 可適當(dāng)調(diào)整靜電電容，可使IC芯片適當(dāng)工作。本發(fā)明第32方面中，絕緣性澆灌劑的熱膨脹率設(shè)定得比核心基板 小，即，設(shè)定在由陶瓷構(gòu)成的電容器附近。因此，在熱循環(huán)試驗(yàn)中， 即使在核心基板與電容器之間因熱膨脹率差別而產(chǎn)生內(nèi)應(yīng)力，核心基 板上也難以產(chǎn)生斷裂、剝離等，可實(shí)現(xiàn)高可靠性。本發(fā)明第33方面的印刷布線(xiàn)板的制造方法的技術(shù)特征在于至少包 括以下(a) ~ (e)工序(a) 在多個(gè)樹(shù)脂基板上形成導(dǎo)體電路的工序；(b) 經(jīng)粘接板層疊多個(gè)所述樹(shù)脂基板的工序；(c) 經(jīng)所述粘接板彼此粘接所述樹(shù)脂基板而形成核心基板的工序；(d) 在所述核心基板上形成凹部的工序；以及(e) 在所述凹部中容納電容器的工序。本發(fā)明第34方面的印刷布線(xiàn)板的制造方法的技術(shù)特征在于至少包 括以下(a) ~ (e)工序(a) 形成具備通孔、在表面上配設(shè)了導(dǎo)體電路的樹(shù)脂基板的工序；(b) 形成不具備通孔、在表面上配設(shè)了導(dǎo)體電路的樹(shù)脂基板的工序；(c) 經(jīng)粘接板層疊所述具備通孔的樹(shù)脂基板和所述不具備通孔的 樹(shù)脂基板的工序；(d) 經(jīng)所述粘接板彼此粘接所述樹(shù)脂基板而形成核心基板的工序；(e) 在所述通孔中容納電容器的工序。本發(fā)明第33和34方面中，由于核心基板內(nèi)可容納電容器、IC芯 片與電容器的距離變短，故可降低印刷布線(xiàn)板的環(huán)路電感。另外，由 于層疊多個(gè)形成了導(dǎo)體電路的樹(shù)脂基板來(lái)構(gòu)成核心基板，故核心基板 內(nèi)的布線(xiàn)密度提高，可降低層間樹(shù)脂絕緣層的層數(shù)。為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明第35方面的印刷布線(xiàn)板在容納電容器的 核心基板上交替層層疊間樹(shù)脂絕緣層和導(dǎo)體電路，其技術(shù)特征在于容 納所述電容器的核心基板由使粘接板介于中間、層疊第一樹(shù)脂基板、 具有容納電容器的開(kāi)口的第二樹(shù)脂基板和第三樹(shù)脂基板構(gòu)成，在所述 核心基板的兩面上配設(shè)與所述電容器的端子連接的通路孔。本發(fā)明第35方面的印刷布線(xiàn)板中，由于核心基板內(nèi)可容納電容器， IC芯片與電容器的距離變短，故可降低印刷布線(xiàn)板的環(huán)路電感。另夕卜， 由于層疊樹(shù)脂基板來(lái)構(gòu)成，故核心基板上可得到足夠的強(qiáng)度.而且， 由于通過(guò)在核心基板的兩面上配設(shè)第一樹(shù)脂基板、第三樹(shù)脂基板而平 滑地構(gòu)成核心基板，故能夠在核心基板之上適當(dāng)形成層間樹(shù)脂絕緣層 和導(dǎo)體電路，可降低印刷布線(xiàn)板的不合格品發(fā)生率。此外，由于在核 心基板的兩面上設(shè)置通路孔，故可用最短的距離對(duì)IC芯片與電容器以 及外部連接基板與電容器進(jìn)行連接，可從外部連接基板向IC芯片提供 瞬時(shí)大功率。意思指的是通過(guò)在核心基板上設(shè)置層間樹(shù)脂絕緣層、在該層間樹(shù)脂 絕緣層上布置通路孔或通孔、形成作為導(dǎo)電層的導(dǎo)體電路的裝配法形 成的電路。對(duì)于這些可^f吏用半添加法、全添加法中的任何一種。另，通過(guò)配設(shè)連接用布線(xiàn)，在電容器下部也可實(shí)施布線(xiàn).因此， 布線(xiàn)自由度增加，可高密度化、小型化。希望在電容器與基板之間填充樹(shù)脂。通過(guò)去除電容器和基板之間的 空隙，內(nèi)裝的電容器的運(yùn)動(dòng)變小，即使以電容器為起點(diǎn)產(chǎn)生了應(yīng)力也 可通過(guò)該填充的樹(shù)脂得到緩解。還有，在該樹(shù)脂上，粘接電容器與核 心基板，降低遷移?！诒景l(fā)明第36方面中，由于粘接板經(jīng)在芯材浸含熱固化樹(shù)脂而構(gòu) 成，故核心基板可具有高強(qiáng)度。本發(fā)明第37方面中，由于第1、第2及第3樹(shù)脂基板經(jīng)在芯材浸 含樹(shù)脂而構(gòu)成，故核心基板可具有高強(qiáng)度，作為具體例子，可使用浸 含玻璃環(huán)氧樹(shù)脂、玻璃苯酚等的加強(qiáng)材料的物質(zhì)。本發(fā)明第38方面中，由于核心基板內(nèi)容納多個(gè)電容器，故電容器 可高集成化。因此，可確保更多的靜電電容。本發(fā)明第39方面中，由于第2樹(shù)脂基板上形成導(dǎo)體電路，故可提 高基板的布線(xiàn)密度、降低層間樹(shù)脂絕緣層的層數(shù)。本發(fā)明第40方面中，除在基板內(nèi)容納了的電容器外，還在表面上 配設(shè)電容器。由于印刷布線(xiàn)板內(nèi)容納電容器，故IC芯片與電容器的距 離變短，降低環(huán)路電感，可瞬時(shí)供電，另一方面，由于印刷布線(xiàn)板表 面上也配設(shè)電容器，故可安裝大容量的電容器，可容易地向IC芯片提 供大功率。本發(fā)明第41方面中，由于表面電容器的靜電電容在內(nèi)層的電容器 的靜電電容以上，故在高頻區(qū)沒(méi)有供電不足，可確保IC芯片的所希望 的工作。本發(fā)明第42方面中，由于表面電容器的電感在內(nèi)層的電容器的電 感以上，故在高頻區(qū)沒(méi)有供電不足，可確保IC芯片的所希望的工作。本發(fā)明第43、 44方面中，通過(guò)電鍍形成的通路孔向形成金屬膜的 片狀電容器的電極作電連接。這里，片狀電容器的電極在金屬化構(gòu)成 的表面上有凹凸，但由于通過(guò)金屬膜可使表面平滑而形成通路孔，故 在電極上覆蓋的樹(shù)脂中形成通孔時(shí)，不殘留樹(shù)脂，可提高通路孔和電 極的連接可靠性。而且，電鍍形成的電極上由于通過(guò)電鍍形成通路孔， 故電極和通路孔的連接性高，即使實(shí)施熱循環(huán)試驗(yàn)，也不會(huì)在電極與 通路孔之間產(chǎn)生斷路。作為電容器的電極的金屬膜，希望配設(shè)銅、鎳、貴金屬中的任何一 種金屬。這是由于內(nèi)裝的電容器上錫和鋅等的層容易在與通路孔的連 接部誘發(fā)遷移。因此，可防止遷移發(fā)生。此外，片狀電容器的表面上可進(jìn)行粗化處理。這樣，由陶瓷構(gòu)成的 片狀電容器和由樹(shù)脂構(gòu)成的粘接層、層間樹(shù)脂絕緣層的密接性增高， 即使實(shí)施熱循環(huán)試驗(yàn)，界面處的粘接層、層間樹(shù)脂絕緣層也不發(fā)生剝離。本發(fā)明第45方面中，片狀電容器的電極從覆蓋層至少露出一部分 容納在印刷布線(xiàn)板中，在從覆蓋層露出的電極上通過(guò)電鍍作電連接。 此時(shí)，希望從覆蓋層露出的金屬的主要成分為Cu。其理由是露出的金 屬上即使用電鍍形成金屬層連接也變，可降低連接電阻。本發(fā)明第46方面中，由于使用了在外緣的內(nèi)側(cè)形成電極的片狀電 容器，故即使經(jīng)通路孔取得導(dǎo)通，但由于外部電極增大，許可對(duì)齊的 范圍寬，故也不會(huì)連接不良。本發(fā)明第47方面中，由于使用矩陣狀形成電極的電容器，故容易 在核心基板中容納大型片狀電容器。因此，由于可把靜電電容增大， 故可解決電學(xué)上的問(wèn)題。另外，即使經(jīng)過(guò)各種熱過(guò)程等，在印刷布線(xiàn) 板中也難以發(fā)生翹曲。本發(fā)明第48方面中，在電容器上可連接多個(gè)使用的片狀電容器。 因此，可適當(dāng)調(diào)整靜電電容，使IC芯片適當(dāng)工作。本發(fā)明第49方面中，絕緣性澆灌劑的熱膨脹率設(shè)定得比容納層小， 即，設(shè)定在由陶資構(gòu)成的電容器附近。因此，在熱循環(huán)試驗(yàn)中，即使 在核心基板與電容器之間因熱膨脹率差別而產(chǎn)生內(nèi)應(yīng)力，核心基板上 也難以產(chǎn)生斷裂、剝離等，可實(shí)現(xiàn)高可靠性。本發(fā)明第50方面的印刷布線(xiàn)板的制造方法的技術(shù)特征在于至少包 括以下(a) ~ (d)工序(a) 經(jīng)粘接材料在第一樹(shù)脂基板上安裝電容器的工序；(b) 層疊第三樹(shù)脂基板、具有容納所述電容器的開(kāi)口的第二樹(shù)脂基 板和所述笫一樹(shù)脂基板以把所述第一樹(shù)脂基板的所述電容器容納在所 述第二樹(shù)脂基板的所述開(kāi)口中并且用所述第三樹(shù)脂基板堵住所述第二樹(shù)脂基板的所述開(kāi)口而作成核心基板的工序；(c) 照射激光，在所述核心基板上形成到達(dá)所述電容器的通路孔用 開(kāi)口的工序；以及(d) 在所述通路孔用開(kāi)口中形成通路孔的工序。 本發(fā)明第50方面中，由于核心基板內(nèi)可容納電容器、IC芯片與電容器的距離變短，可降低印刷布線(xiàn)板的環(huán)路電感。本發(fā)明第51方面的印刷布線(xiàn)板的制造方法的技術(shù)特征在于至少包 括以下(a) ~ (f)工序(a) 在第一樹(shù)脂基板的一個(gè)面的金屬膜上形成通路孔形成用開(kāi)口的工序；(b) 在所述第一樹(shù)脂基板的金屬膜未形成面上經(jīng)粘接材料安裝電容器的工序；(c) 使粘接板介于中間、層疊第三樹(shù)脂基板、具有容納所述電容器 的開(kāi)口的第二樹(shù)脂基板和所述第一樹(shù)脂基板以把所述第一樹(shù)脂基板的 所述電容器容納在所述笫二樹(shù)脂基板的所述開(kāi)口中并且用所述笫三樹(shù) 脂基板堵住所述第二樹(shù)脂基板的所述開(kāi)口的工序；(d) 對(duì)所述第一樹(shù)脂基板、所述第二樹(shù)脂基板和所述第三樹(shù)脂基板 進(jìn)行加熱加壓而形成核心基板的工序；(e) 向所述第一樹(shù)脂基板的所述金屬膜上形成的所述通路孔形成用 開(kāi)口照射激光，形成到達(dá)所述電容器的通路孔用開(kāi)口的工序；以及(f) 在所述通路孔用開(kāi)口中形成通路孔的工序。 本發(fā)明第51方面中，由于核心基板內(nèi)可容納電容器、IC芯片與電容器的距離變短，故可降低印刷布線(xiàn)板的環(huán)路電感。另外，在一個(gè)面 上形成金屬膜的第一樹(shù)脂基板的金屬膜上通過(guò)蝕刻等設(shè)置開(kāi)口，通過(guò) 向開(kāi)口位置照射激光，去除從開(kāi)口露出的樹(shù)脂絕緣層，設(shè)置通路孔用 的開(kāi)口。由此，由于通路孔的開(kāi)口口徑依賴(lài)于金屬膜的開(kāi)口口徑，故 可用適當(dāng)?shù)拈_(kāi)口口徑形成通路孔。同樣，由于通路孔的開(kāi)口位置精度 也依賴(lài)于金屬膜的開(kāi)口位置，故即使激光的照射位置精度低，也可在 適當(dāng)位置形成通路孔。本發(fā)明第52方面的印刷布線(xiàn)板的制造方法的技術(shù)特征在于至少包 括以下(a) ~ (f)工序(a) 在一個(gè)面上貼合了金屬膜的第一樹(shù)脂基板和第三樹(shù)脂基板的金 屬膜上形成通路孔形成用開(kāi)口的工序；(b) 在所述第一樹(shù)脂基板的金屬膜非形成面上經(jīng)粘接材料安裝電 容器的工序；(c) 使粘接板介于中間、在所述金屬膜未形成面上層疊所述第三樹(shù) 脂基板、具有容納所述電容器的開(kāi)口的第二樹(shù)脂基板和所述第一樹(shù)脂 基板以把所述第一樹(shù)脂基板的所述電容器容納在所述第二樹(shù)脂基板的 所述開(kāi)口中并且用所述笫三樹(shù)脂基板堵住所述第二樹(shù)脂基板的所述開(kāi) 口的工序；(d) 對(duì)所述第一樹(shù)脂基板、所述第二樹(shù)脂基板和所述第三樹(shù)脂—基板進(jìn)行加熱加壓而形成核心基板的工序；(e) 向所述第一樹(shù)脂基板和所述第三樹(shù)脂基板上形成的所述通路孔 形成用開(kāi)口照射激光，形成到達(dá)所述電容器的通路孔用開(kāi)口的工序； 以及(f) 在所述通路孔用開(kāi)口中形成通路孔的工序。 本發(fā)明第52方面中，由于核心基板內(nèi)可容納電容器、IC芯片與電容器的距離變短，故可降低印刷布線(xiàn)板的環(huán)路電感。另外，在一個(gè)面 上形成金屬膜的第一樹(shù)脂基板和第三樹(shù)脂基板的金屬膜上通過(guò)蝕刻等 設(shè)置開(kāi)口，通過(guò)在開(kāi)口位置照射激光，去除從開(kāi)口露出的樹(shù)脂絕緣層， 設(shè)置通路孔用的開(kāi)口。由此，由于通路孔的開(kāi)口口徑依賴(lài)于金屬膜的 開(kāi)口口徑，故可用適當(dāng)?shù)拈_(kāi)口口徑形成通路孔。同樣，由于通路孔的 開(kāi)口位置精度也依賴(lài)于金屬膜的開(kāi)口位置，故即使激光的照射位置精 度低，也可在適當(dāng)位置形成通路孔。此外，由于層疊樹(shù)脂基板來(lái)構(gòu)成，故核心基板上可得到足夠的強(qiáng)度。 而且，由于通過(guò)核心基板的兩面上配設(shè)第一樹(shù)脂基板、第三樹(shù)脂基板 而平滑地構(gòu)成核心基板，故能夠在核心基板之上適當(dāng)形成層間樹(shù)脂絕 緣層和導(dǎo)體電路，可降低印刷布線(xiàn)板的不合格品發(fā)生率。此外，由于 在核心基板的兩面上設(shè)置通路孔，故可用最短的距離對(duì)IC芯片和電容 器以及外部連接基板和電容器進(jìn)行連接，可從外部連接基板向IC芯片 提供瞬時(shí)大功率。本發(fā)明第53方面的印刷布線(xiàn)板的制造方法的技術(shù)特征在于至少包 括以下(a) ~ (g)工序(a) 在一個(gè)面上貼合了金屬膜的第 一樹(shù)脂基板和第三樹(shù)脂基板的金 屬膜上形成通孔的工序；(b) 在所述第一樹(shù)脂基板的金屬膜未形成面上經(jīng)粘接材料安裝電 容器的工序；(c) 使粘接板介于中間、在所述金屬膜未形成面上，層疊所述第三 樹(shù)脂基板、具有容納所述電容器的開(kāi)口的第二樹(shù)脂基板和所述第一樹(shù) 脂基板以把所述第一樹(shù)脂基板的所述電容器容納在所述第二樹(shù)脂基板 的所述開(kāi)口中并且用所述第三樹(shù)脂基板堵住所述第二樹(shù)脂基板的所述 開(kāi)口的工序；(d) 對(duì)所述第一樹(shù)脂基板、所述第二樹(shù)脂基板—和所述第三樹(shù)脂基板進(jìn)4亍加熱加壓而形成核心基板的工序；(e) 向所述第一樹(shù)脂基板和所述第三樹(shù)脂基板上形成的所述通孔照 射激光，在所述核心基板的兩面上形成到達(dá)電容器的通路孔用開(kāi)口的 工序；(f) 去除或減薄所述金屬膜的工序；以及(g) 在所述核心基板上形成導(dǎo)體電路和通路孔的工序。 本發(fā)明第53方面中，由于核心基板內(nèi)可容納電容器、IC芯片與電容器的距離變短，故可降低印刷布線(xiàn)板的環(huán)路電感。另外，在一個(gè)面 上形成金屬膜的第一樹(shù)脂基板和第三樹(shù)脂基板的金屬膜上通過(guò)蝕刻等 設(shè)置開(kāi)口，通過(guò)向開(kāi)口位置照射激光，去除從開(kāi)口露出的樹(shù)脂絕緣層， 設(shè)置通路孔用的開(kāi)口。此后，通過(guò)蝕刻等去除金屬膜。這樣，由于通 路孔的開(kāi)口 口徑依賴(lài)于金屬膜的開(kāi)口 口徑，故可用適當(dāng)?shù)拈_(kāi)口 口徑形 成通路孔。同樣，由于通路孔的開(kāi)口位置精度也依賴(lài)于金屬膜的開(kāi)口 位置，故即使激光照射位置精度低，也可在適當(dāng)位置形成通路孔。還 有，通過(guò)蝕刻等去除金屬膜，可使布線(xiàn)的厚度形成得薄，從而可形成 細(xì)小間距的布線(xiàn)。此外，由于層疊樹(shù)脂基板來(lái)構(gòu)成，故核心基板上可得到足夠的強(qiáng)度。 而且，由于通過(guò)核心基板的兩面上配設(shè)第一樹(shù)脂基板、第三樹(shù)脂基板 而平滑地構(gòu)成核心基板，故能夠在核心基板之上適當(dāng)形成層間樹(shù)脂絕 緣層和導(dǎo)體電路，可降低印刷布線(xiàn)板的不合格品發(fā)生率。為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明笫54方面是在核心基板上層疊樹(shù)脂絕緣 層和導(dǎo)體電路而構(gòu)成的印刷布線(xiàn)板，其技術(shù)特征在于在所述核心基板中內(nèi)裝電容器，形成與所述電容器的端子連接的相對(duì)大的下層穿孔，在所述核心基板的上表面的層間樹(shù)脂絕緣層上配設(shè)與一個(gè)所述下層穿孔連接的多個(gè)相對(duì)小的上層穿孔。本發(fā)明第54方面中，核心基板內(nèi)裝電容器，在電容器上形成與電 容器的端子連接的相對(duì)大的下層穿孔，在核心基板的上表面的層間樹(shù) 脂絕緣層上配設(shè)與一個(gè)下層穿孔連接的多個(gè)相對(duì)小的上層穿孔。這樣， 對(duì)應(yīng)于電容器的配設(shè)位置偏離，可連接電容器的端子與下層穿孔，能 夠可靠地進(jìn)行從電容器向IC芯片的供電。此外，通過(guò)配設(shè)多個(gè)相對(duì)小 的上層穿孔，由于得到與并聯(lián)連接電感部分相同的結(jié)果，故可提高電源線(xiàn)和接地線(xiàn)的高頻特性，可防止供電不足或接地電平的變動(dòng)引起的IC芯片的誤工作。另外，由于可縮短布線(xiàn)長(zhǎng)度，故可降低環(huán)路電感。希望在凹部?jī)?nèi)填充樹(shù)脂。通過(guò)去除電容器和核心基板之間的空隙， 內(nèi)裝的電容器的運(yùn)動(dòng)變小，即使以電容器為起點(diǎn)產(chǎn)生了應(yīng)力也可通過(guò) 該填充的樹(shù)脂得到緩解。還有，在該樹(shù)脂上，電容器與核心基板粘接， 并降低遷移。在本發(fā)明第55、 56方面中，作為下層穿孔使用表面平坦的填充的 穿孔。這樣，在一個(gè)下層穿孔中可直接連接多個(gè)上層穿孔。由此，可 提高下層穿孔和上層穿孔的連接性，能可靠地進(jìn)行從電容器向IC芯片 的供電。本發(fā)明第57方面中，在核心基板上形成的凹部中容納一個(gè)電容器。 由此，由于在核心基板內(nèi)配置電容器，從而縮短IC芯片與電容器的距 離，可降低環(huán)路電感。本發(fā)明第58方面中，由于凹部?jī)?nèi)容納多個(gè)電容器，故電容器可高 集成化。本發(fā)明第59、 60方面中，通過(guò)電鍍形成的穿孔向形成金屬膜的片 狀電容器的電極作電連接，這里，片狀電容器的電極在金屬化構(gòu)成的 表面上有凹凸，但由于通過(guò)金屬膜可使表面平滑來(lái)形成穿孔，故在電 極上覆蓋的樹(shù)脂中形成通孔時(shí)，不殘留樹(shù)脂，可提高穿孔和電極的連 接可靠性。而且，電鍍形成的電極上由于通過(guò)電鍍形成穿孔，故電極 和穿孔的連接性高，即使實(shí)施熱循環(huán)試驗(yàn)，也不會(huì)在電極與穿孔之間 產(chǎn)生斷路。片狀電容器的表面可進(jìn)行粗化處理。這樣，由陶瓷構(gòu)成的片狀電容 器和由樹(shù)脂構(gòu)成的粘接層、層間樹(shù)脂絕緣層的密接性增高，即使實(shí)施 熱循環(huán)試驗(yàn)，界面處的粘接層、層間樹(shù)脂絕緣層也不發(fā)生剝離。本發(fā)明第61方面中，片狀電容器的電極從覆蓋層至少露出一部分 容納在印刷布線(xiàn)板中，在從覆蓋層露出的電極上通過(guò)電鍍作電連接。 此時(shí)，希望從覆蓋層露出的金屬的主要成分是Cu。其理由是露出的金 屬上即使用電鍍形成金屬層連接性也變高，可降低連接電阻。本發(fā)明第62方面中，由于使用了在外緣的內(nèi)側(cè)形成電極的片狀電 容器，故即使經(jīng)通路孔導(dǎo)通使外部電極增大，由于許可對(duì)齊的范圍寬， 故也不會(huì)連接不良。本發(fā)明第63芳面中，由于使用矩陣狀形成電極的電容器，故容易 在核心基板中容納大型片狀電容器。因此，由于可把靜電電容增大， 故可解決電學(xué)上的問(wèn)題。另外，即使經(jīng)過(guò)各種熱過(guò)程等，在印刷布線(xiàn) 板中也難以發(fā)生翹曲。本發(fā)明第64方面中，在電容器上可連接多個(gè)使用的片狀電容器。 因此，可適當(dāng)調(diào)整靜電電容，使IC芯片適當(dāng)工作。本發(fā)明第65方面中，核心基板與電容器之間填充樹(shù)脂，樹(shù)脂的熱 膨脹率設(shè)定得比核心基板小，即，設(shè)定在由陶瓷構(gòu)成的電容器附近。 因此，在熱循環(huán)試驗(yàn)中，即使在核心基板與電容器之間因熱膨脹率差 別而產(chǎn)生內(nèi)應(yīng)力，核心基板上也難以產(chǎn)生斷裂、剝離等，可實(shí)現(xiàn)高可 靠性。本發(fā)明第66方面的印刷布線(xiàn)板的制造方法的技術(shù)特征在于至少包 括以下(a) ~ (e)工序(a) 在核心基板上內(nèi)裝電容器的工序；(b) 在所述電容器的上表面上形成樹(shù)脂絕緣層的工序；(c) 在所述樹(shù)脂絕緣層上形成與所述電容器的端子連接的相對(duì)大 的下層穿孔的工序；(d) 在所述核心基板的上表面上形成層間樹(shù)脂絕緣層的工序；(e) 在所述層間樹(shù)脂絕緣層上配設(shè)與一個(gè)所述下層穿孔連接的多個(gè) 相對(duì)小的上層穿孔的工序。本發(fā)明第66方面中，核心基板內(nèi)裝電容器，在電容器上形成與電 容器的端子連接的相對(duì)大的下層穿孔，在核心基板的上表面的層間樹(shù) 脂絕緣層上配設(shè)與一個(gè)下層穿孔連接的多個(gè)相對(duì)小的上層穿孔。這樣， 對(duì)應(yīng)于電容器的配設(shè)位置偏離，可連接電容器的端子與下層穿孔，能 夠可靠地進(jìn)行從電容器向IC芯片的供電。此外，通過(guò)配設(shè)多個(gè)相對(duì)小 的上層穿孔，由于得到與并聯(lián)連接電感部分相同的結(jié)果，故可提高電 源線(xiàn)和接地線(xiàn)的高頻特性，可防止供電不足或接地電平的變動(dòng)引起的 IC芯片的誤工作。另外，由于可縮短布線(xiàn)長(zhǎng)度，故可降低環(huán)路電感。本發(fā)明第67方面中，在核心基板上形成的凹部中容納一個(gè)電容器。 由此，由于在核心基板內(nèi)配置電容器，從而縮短IC芯片與電容器的距 離，可降低環(huán)路電感。本發(fā)明第68方面中，由于凹部?jī)?nèi)容納多個(gè)電容器，電容器可高集成化.本發(fā)明第69方面中，在包括構(gòu)成芯材的樹(shù)脂的樹(shù)脂材料中形成通 孔，在形成通孔的樹(shù)脂材料上貼合樹(shù)脂材料，形成具有凹部的核心基 板。這樣，形成底部具有平坦凹部的核心基板。本發(fā)明第70、 71方面中，作為下層穿孔使用表面平坦的填充的穿 孔。這樣，在一個(gè)下層穿孔中可直接連接多個(gè)上層穿孔。由此，可提 高下層穿孔和上層穿孔的連接性，能可靠地進(jìn)行從電容器向IC芯片的 供電。本發(fā)明第72方面中，通過(guò)向凹部?jī)?nèi)多個(gè)電容器的上表面施加或作 用壓力把電容器的上表面的高度對(duì)齊。由此，凹部?jī)?nèi)配設(shè)電容器時(shí)， 即使多個(gè)電容器的大小有偏差，也能對(duì)齊高度，把核心基板作平滑。 因此，由于不損壞核心基板的平滑性而適當(dāng)形成上層的層間樹(shù)脂絕緣 層和導(dǎo)體電路，從而可降低印刷布線(xiàn)板的不合格品發(fā)生率。


圖l是本發(fā)明的第一實(shí)施形態(tài)的印刷布線(xiàn)板的制造工序圖；圖2是本發(fā)明的第一實(shí)施形態(tài)的印刷布線(xiàn)板的制造工序圖；圖3是本發(fā)明的笫一實(shí)施形態(tài)的印刷布線(xiàn)板的制造工序圖；圖4是本發(fā)明的第一實(shí)施形態(tài)的印刷布線(xiàn)板的制造工序圖；圖5是本發(fā)明的笫一實(shí)施形態(tài)的印刷布線(xiàn)板的制造工序圖；圖6是本發(fā)明的笫一實(shí)施形態(tài)的印刷布線(xiàn)板的制造工序圖；圖7是本發(fā)明的第一實(shí)施形態(tài)的印刷布線(xiàn)板的剖面圖；圖8是表示在圖7的印刷布線(xiàn)板上裝載IC芯片、安裝到子板(F一夕求一 卜* )上的狀態(tài)的剖面圖；圖9是表示在本發(fā)明的第一實(shí)施形態(tài)的第一特例的印刷布線(xiàn)板上裝載IC芯片的狀態(tài)的剖面圖；圖IO是本發(fā)明的第一實(shí)施形態(tài)的第一變形例的印刷布線(xiàn)板的制造工序圖；圖11是本發(fā)明的第一實(shí)施形態(tài)的第一變形例的印刷布線(xiàn)板的剖面圖；圖12表示向IC芯片的供電電壓與時(shí)間的變化的曲線(xiàn)； 圖13是在本發(fā)明的第一實(shí)施形態(tài)的第一變形例的印刷布線(xiàn)板上容 納的片狀電容器的剖面圖；圖14在本發(fā)明的第一實(shí)施形態(tài)的笫二變形例的印刷布線(xiàn)板上容納的片狀電容器的平面圖；圖15在本發(fā)明的第一實(shí)施形態(tài)的第二變形例的印刷布線(xiàn)板上容納的片狀電容器的平面圖；圖16在本發(fā)明的第一實(shí)施形態(tài)的笫二變形例的印刷布線(xiàn)板上容納的片狀電容器的平面圖；圖17是本發(fā)明的第二實(shí)施形態(tài)的印刷布線(xiàn)板的制造工序圖； 圖18是本發(fā)明的第二實(shí)施形態(tài)的印刷布線(xiàn)板的制造工序圖； 圖19是本發(fā)明的第二實(shí)施形態(tài)的印刷布線(xiàn)板的剖面圖； 圖20是表示在圖19所示的印刷布線(xiàn)板上裝載IC芯片、安裝到子板上的狀態(tài)的剖面圖；圖21是本發(fā)明的第二實(shí)施形態(tài)的印刷布線(xiàn)板的制造工序圖； 圖22是本發(fā)明的第二實(shí)施形態(tài)的印刷布線(xiàn)板的制造工序圖； 圖23是表示在本發(fā)明的第二實(shí)施形態(tài)的印刷布線(xiàn)板上裝載IC芯片的狀態(tài)的剖面圖；圖24是表示在本發(fā)明的第二實(shí)施形態(tài)的變形例的印刷布線(xiàn)板上裝載IC芯片的狀態(tài)的剖面圖；圖25是本發(fā)明的笫三實(shí)施形態(tài)的印刷布線(xiàn)板的制造工序圖； 圖26是本發(fā)明的第三實(shí)施形態(tài)的印刷布線(xiàn)板的制造工序圖； 圖27是本發(fā)明的第三實(shí)施形態(tài)的印刷布線(xiàn)板的制造工序圖； 圖28是本發(fā)明的第三實(shí)施形態(tài)的印刷布線(xiàn)板的制造工序圖； 圖29是本發(fā)明的第三實(shí)施形態(tài)的印刷布線(xiàn)板的制造工序圖； 圖30是本發(fā)明的第三實(shí)施形態(tài)的印刷布線(xiàn)板的剖面圖； 圖31是表示在圖30的印刷布線(xiàn)板上裝載IC芯片、安裝到子板上的狀態(tài)的剖面圖；圖32是表示在本發(fā)明的第三實(shí)施形態(tài)的變形例的印刷布線(xiàn)板上裝載IC芯片的狀態(tài)的剖面圖；圖33是本發(fā)明的第三實(shí)施形態(tài)的第一變形例的印刷布線(xiàn)板的制造工序圖；圖34是本發(fā)明的第三實(shí)施形態(tài)的第一變形例的印刷布線(xiàn)板的制造 工序圖；圖35是本發(fā)明的第三實(shí)施形態(tài)的第一變形例的印刷布線(xiàn)板的制造工序圖；圖36是本發(fā)明的第三實(shí)施形態(tài)的第一變形例的印刷布線(xiàn)板的剖面圖；圖37是本發(fā)明的第4實(shí)施形態(tài)的印刷布線(xiàn)板的制造工序圖； 圖38是本發(fā)明的第4實(shí)施形態(tài)的印刷布線(xiàn)板的制造工序圖； 圖39是本發(fā)明的第4實(shí)施形態(tài)的印刷布線(xiàn)板的制造工序圖； 圖40是本發(fā)明的第4實(shí)施形態(tài)的印刷布線(xiàn)板的制造工序圖； 圖41是本發(fā)明的第4實(shí)施形態(tài)的印刷布線(xiàn)板的制造工序圖； 圖42是本發(fā)明的第4實(shí)施形態(tài)的印刷布線(xiàn)板的剖面圖； 圖43是表示在本發(fā)明的第4實(shí)施形態(tài)的印刷布線(xiàn)板上裝載于IC芯片的狀態(tài)的剖面圖；圖44 (A)是圖42的通路孔660的放大圖，圖44 ( B )是圖44 ( A )的B向視圖；圖45是本發(fā)明的第4實(shí)施形態(tài)的笫一變形例的印刷布線(xiàn)板的制造 工序圖；圖46是本發(fā)明的第4實(shí)施形態(tài)的第一變形例的印刷布線(xiàn)板的制造 工序圖；圖47是本發(fā)明的第4實(shí)施形態(tài)的第一變形例的印刷布線(xiàn)板的制造 工序圖；圖48是本發(fā)明的第4實(shí)施形態(tài)的笫一變形例的印刷布線(xiàn)板的制造工序圖；圖49是本發(fā)明的第4實(shí)施形態(tài)的第一變形例的印刷布線(xiàn)板的制造工序圖；圖50是本發(fā)明的第4實(shí)施形態(tài)的第一變形例的印刷布線(xiàn)板的制造工序圖；圖51是本發(fā)明的第4實(shí)施形態(tài)的第一變形例的印刷布線(xiàn)板的制造工序圖；圖52旭表示在本發(fā)明的笫4實(shí)施形態(tài)的第一變形例的印刷布線(xiàn)板 上裝載于IC芯片的狀態(tài)的剖面圖；圖53是表示在本發(fā)明的笫4實(shí)施形態(tài)的第二變形例的印刷布線(xiàn)板 上裝載了 IC芯片的狀態(tài)的剖面圖。
具體實(shí)施方式
(第一實(shí)施形態(tài)) 下面，參考

本發(fā)明的實(shí)施形態(tài)。首先，參考圖7和8說(shuō)明本發(fā)明的第一實(shí)施形態(tài)的印刷布線(xiàn)板的結(jié) 構(gòu)。圖7表示印刷布線(xiàn)板10的剖面，圖8表示圖7所示的印刷布線(xiàn)板 10上裝載IC芯片90、向子板95安裝的狀態(tài)。如圖7所示，印刷布線(xiàn)板10由容納多個(gè)片狀電容器20的核心基板 30和裝配布線(xiàn)層80A、 80B構(gòu)成。裝配布線(xiàn)層80A、 80B由樹(shù)脂層40 和層間樹(shù)脂絕緣層140、 141構(gòu)成。上側(cè)的樹(shù)脂層40上形成導(dǎo)體電路 58和通路孔60，在上側(cè)和下側(cè)的層間樹(shù)脂絕緣層140上形成導(dǎo)體電路 158和通路孔160,在上側(cè)和下側(cè)的層間樹(shù)脂絕緣層141上形成導(dǎo)體電 路159和通路孔164。層間樹(shù)脂絕緣層141之上形成阻焊劑層70,裝 配布線(xiàn)層80A和裝配布線(xiàn)層80B經(jīng)形成在核心基板30上的通孔56連 接。如圖7所示，片狀電容器20由第一電極21和第二電極"以及夾 在第一和第二電極之間的介電體23構(gòu)成，介電體23上相對(duì)配置多對(duì) 連接于第一電極21側(cè)的第一導(dǎo)電膜24和連接于第二電極22側(cè)的第二 導(dǎo)電膜25。如圖8所示，上側(cè)的裝配布線(xiàn)層80A上配置用于連接到IC芯片90 的連接端92P1，92P2的焊料凸點(diǎn)76U。另一方面，下側(cè)的裝配布線(xiàn)層 80B上配置用于連接到子板95的連接端94P1, 94P2的焊料凸點(diǎn)76D。IC芯片90的接地用連接端92P1經(jīng)凸點(diǎn)76U, —導(dǎo)體電路159， 一 通路孔164， 一導(dǎo)體電路158, —通路孔160， 一導(dǎo)體電路58， 一通路 孔60連接到片狀電容器20的第一電極21。另一方面，子板95的接地 用連接端94P1經(jīng)凸點(diǎn)76D, —通路孔164， 一導(dǎo)體電路158， 一通路孔 160， 一通孔56， 一導(dǎo)體電路58， 一通路孔60連接到片狀電容器20 的第一電極21。IC芯片90的電源用連接端92P2經(jīng)凸點(diǎn)76U， 一通路孔164， 一導(dǎo) 體電路158, —通路孔160, —導(dǎo)體電路58， 一通路孔60連接到片狀 電容器20的第二電極22。另一方面，子板95的電源用連接端94P2經(jīng) 凸點(diǎn)76D, —通路孔164， 一導(dǎo)體電路158， 一通路孔160， 一通孔56, 一通路孔60連接到片狀電容器20的第二電極22。另外，盡管圖中未 示出，IC芯片的信號(hào)用連接端經(jīng)印刷布線(xiàn)板的導(dǎo)體電路、通路孔和通孔連接于子板的信號(hào)用連接端。如圖7所示，本實(shí)施形態(tài)的核心基板30由一個(gè)面上形成連接片狀 電容器20的導(dǎo)電連接部34的第一樹(shù)脂基板30a、經(jīng)粘接用樹(shù)脂層(粘 接板)38a連接于第一樹(shù)脂基板30a的第二樹(shù)脂基板30b以及經(jīng)粘接用 樹(shù)脂層(粘接板)38b連接于第二樹(shù)脂基板30b的第三樹(shù)脂基板30c 構(gòu)成。第二樹(shù)脂基板30b上形成可容納片狀電容器20的開(kāi)口 30B。這樣，由于核心基板30內(nèi)可容納片狀電容器20,縮短IC芯片90 和片狀電容器20的距離，因此，可降低印刷布線(xiàn)板10的環(huán)路電感。 另外，由于層疊第一樹(shù)脂基板30a、第二樹(shù)脂基板30b和第三樹(shù)脂基板 30c而形成，核心基板30上可得到足夠的強(qiáng)度。而且，由于通過(guò)在核 心基板30的兩面上配設(shè)第一樹(shù)脂基板30a、第三樹(shù)脂基板30c平滑地 構(gòu)成核心基板30，故核心基板30上可適當(dāng)形成樹(shù)脂層40， 140， 141和 導(dǎo)體電路58， 158， 159，可降低印刷布線(xiàn)板的不合格品發(fā)生率。而且，本實(shí)施形態(tài)中，如圖1 (D)所示，使絕緣性粘接劑33介于 第一樹(shù)脂基板30a和片狀電容器20之間。這里，粘接劑36的熱膨脹 率設(shè)定得比核心基板30小，即，設(shè)定在由陶瓷構(gòu)成的片狀電容器20 附近。因此，在熱循環(huán)試驗(yàn)中，即使核心基板和粘接層40與片狀電容 器20之間因熱膨脹率差別而產(chǎn)生內(nèi)應(yīng)力，在核心基板上也難以產(chǎn)生斷 裂、剝離等，可實(shí)現(xiàn)高可靠性。還有，也能防止遷移的發(fā)生。接著，就參考圖7的上述的印刷布線(xiàn)板的制造方法，參考圖1~圖 7來(lái)說(shuō)明。(1) 以厚度為0. lmm的玻璃織物等的芯體材料中浸含BT(粘膠絲 馬來(lái)酰亞胺三氮雜苯)樹(shù)脂并固化后的第一樹(shù)脂基板30a的一個(gè)面上 層疊了銅箔32的覆銅層疊板作為開(kāi)始材料(參考圖1 (A))。接著，通過(guò)把該覆銅層疊板的銅箔32側(cè)蝕刻成圖形而在第一樹(shù)脂 基板30a的一個(gè)面上形成導(dǎo)電連接部34 (參考圖1 (B))。另外，不能把陶瓷和A1N等的基板用作核心基板這是因?yàn)樵摶宓?外形加工性差，不能容納電容器，即使用樹(shù)脂填充也會(huì)產(chǎn)生空隙。(2) 之后，使用印刷機(jī)在導(dǎo)電連接部34上涂布焊錫糊劑、導(dǎo)電性 糊劑等的粘接材料36(參考圖l(C))。此時(shí)，除涂布外，也可使用澆 灌等。作為焊錫糊劑，可使用Sn/Pb、 Sn/Sb、 Sn/Ag、 Sn/Ag/Cu中的 任何一種。之后，導(dǎo)電連接部34之間配設(shè)樹(shù)脂填充劑33(參考圖l(D))。這樣，如后所述，可填充片狀電容器20和第一樹(shù)脂基板30a的間隙。 接著，在導(dǎo)電連接部34上裝載由多個(gè)陶瓷構(gòu)成的片狀電容器20，經(jīng)粘 接材料36把片狀電容器20連接于導(dǎo)電連接部34上(參考圖2 (A))。 片狀電容器20可以是一個(gè)或多個(gè)，但通過(guò)使用多個(gè)片狀電容器20,可 實(shí)現(xiàn)電容器的高集成化。(3) 隨后，準(zhǔn)備玻璃織物等的芯體材料中浸含環(huán)氧樹(shù)脂的粘接用 樹(shù)脂層(粘接用樹(shù)脂層)38a、 38b及玻璃織物等的芯體材料中浸舍BT 樹(shù)脂并固化的第二樹(shù)脂基板30b (厚度O. 4mm)、第三樹(shù)脂基板30c(厚 度0. lmm)。粘接用樹(shù)脂層38a和笫二樹(shù)脂基板30b中形成可容納片狀 電容器20的通孔38A、 30B。首先，在第三樹(shù)脂基板30c之上經(jīng)粘接用 樹(shù)脂層38b裝載第二樹(shù)脂基板30b。接著，在第二樹(shù)脂基板30b之上 經(jīng)粘接用樹(shù)脂層38a對(duì)第一樹(shù)脂基板30a進(jìn)行反轉(zhuǎn)裝載。即，連接于 第一樹(shù)脂基板30a的片狀電容器20向著粘接用樹(shù)脂層38a側(cè)，重合成 在第二樹(shù)脂基板30b中形成的通孔中可容納片狀電容器20 (參考圖2(B))。這樣，核心基板30內(nèi)可容納片狀電容器20，可提供降低環(huán)路 電感的印刷布線(xiàn)板。(4) 接著，通過(guò)使用熱壓對(duì)重合的基板進(jìn)行壓力加工，對(duì)第一、 第二、第三樹(shù)脂基板30a、 30b、 30c進(jìn)行多層一體化，形成具有多個(gè) 片狀電容器20的核心基板30 (參考圖2 (C))。這里，首先，通過(guò)加 壓把環(huán)氧樹(shù)脂(絕緣性樹(shù)脂)從粘接用樹(shù)脂層38a、 38b壓出到周?chē)?填充開(kāi)口 30B與片狀電容器20之間的間隙。而且，由于與加壓同時(shí)進(jìn) 行加熱，故環(huán)氧樹(shù)脂固化，通過(guò)把粘接用樹(shù)脂層38a、 38b作為粘接用 樹(shù)脂介于中間，強(qiáng)固地粘接笫一、第二、第三樹(shù)脂基板30a、 30b、 "c。 另外，本實(shí)施形態(tài)中，利用從粘接用樹(shù)脂層出來(lái)的環(huán)氧樹(shù)脂填充開(kāi)口 30B內(nèi)的間隙，但是，也可代之以在開(kāi)口 30B內(nèi)配置填充材料。這里，由于核心基板30的兩面是平滑的第一樹(shù)脂基板30a、第三 樹(shù)脂基板30c，不損壞核心基板30的平滑性，在后述工序中，在核心 基板30之上可適當(dāng)形成樹(shù)脂層40和導(dǎo)體電路58，可降低印刷布線(xiàn)板 的不合格品發(fā)生率。另外，核心基板30上可得到足夠的強(qiáng)度。(5 )對(duì)經(jīng)上述工序的基板30,邊對(duì)后述的熱固化型環(huán)氧系樹(shù)脂板 進(jìn)行升溫到50~ 150*C,邊在5kg/cn^的壓力進(jìn)行真空接的層疊，設(shè)置 層間樹(shù)脂絕緣層40 (參考圖2 (D))。真空壓接的真空度是10mmHg。(6 )隨后，在第一樹(shù)脂基板30a側(cè)的層間樹(shù)脂絕緣層40和第一樹(shù) 脂基板30a上通過(guò)激光形成直到導(dǎo)電連接部34的通路孔用開(kāi)口 42(參 考圖3 (A))。(7)接著，通過(guò)鉆頭或激光在核心基板30上形成通孔用貫通孔 44 (參考圖3 (B))。之后，使用氧等離子體進(jìn)行去污斑處理?；蛘呤?用過(guò)錳酸等的藥液進(jìn)行去污斑處理。(8 )隨后，使用日本真空技術(shù)林式會(huì)社制造的SV-4540進(jìn)行等離 子體處理，在核心基板30的整個(gè)表面上形成粗化面46。此時(shí)，作為惰 性氣體使用氬氣，在功率200W、氣壓0.6Pa、溫度70"C的條件下，進(jìn) 行2分鐘的等離子體處理。接著，以Ni和Cu作為靶進(jìn)行濺射，在層 間樹(shù)脂絕緣層40的表面上形成Ni-Cu金屬層48 (參考圖3 (C))。這 里，雖然使用濺射，但也可通過(guò)非電解電鍍形成銅、鎳等的金屬層， 此外，也可根據(jù)情況用濺射形成后，形成非電解電鍍膜。可通過(guò)酸或 氧化劑實(shí)施粗化處理。還有，粗化層希望為0. 1~5微米。(9) 接著，在Ni-Cu金屬層48的表面上貼合感光性干膜，裝栽掩 模，進(jìn)行膝光顯像處理，形成規(guī)定圖形的抗蝕劑50 (參考圖3 (D))。 之后，把核心基板30浸入電解電鍍液中，經(jīng)Ni-Cu金屬層48流過(guò)電 流，在未形成抗蝕劑50的部分上在下面的條件下進(jìn)行電解電鍍，形成 電解電鍍膜52 (參考圖4 (A)):[電解電鍍水溶液] 硫酸2. 24mol/l 硫酸銅0. 26mol/l添加劑(7卜亍7夕'-《^7社制造的力A，〉卜'HL) 19. 5ml/1[電解電鍍條件]電流密度 1A/dm2時(shí)間 120分4中溫度 22±21C(10) 用5%的NaOH剝離去除抗蝕劑50后，通過(guò)使用硝酸和疏酸 與雙氧水的混合液的蝕刻溶解去除該抗蝕劑50下面的Ni-Cu金屬層 48，形成由Ni-Cu金屬層48和電解電鍍膜52構(gòu)成的厚度為16微米的 通孔56及導(dǎo)體電路58(包括通路孔60)。接著，對(duì)基板進(jìn)行水洗干燥 后，用噴霧器在基板兩面上噴上蝕刻液，通過(guò)蝕刻通孔56及導(dǎo)體電路本發(fā)明的化合物通過(guò)合成方法很容易制得。例如，本發(fā)明化合物可以用下列文獻(xiàn)中描述的工藝得到，L. Domon等人的r"ra/zedraw 2000 ), 41( 29 ), 5501 — 5505, N. Adje等人的r"ra/z^/raw丄e"e^ (2000 ), 41 ( 29 ), 5495 - 5499, D. Enders等人的C7z謹(jǐn)勿五腳尸簡(jiǎn) Jow謹(jǐn)l( 2000 ), 6( 8 ), 1302 - 1309或G. Hoefle等人的Zj^g"應(yīng)/e" c/er C/ze/me ( 1984), 12, 1883 - 1904。合成途徑可以-使用取自這些文 章的 一篇以上的步驟的組合。此外，本發(fā)明的一些化合物可以來(lái)源于海洋?；衔颕是從Plakinidae科伏革菌屬的海綿動(dòng)物分離出來(lái)的。標(biāo)本 的沖羊品^皮j呆藏在墨西哥的Mazatlan的Universidad Nacional Autonoma de Mexico的 "Instituto de Ciencias del Ciencias del Mary Limnologia，，, 參考碼為L(zhǎng)EB-ICML-UNAM-10-2004。該海綿動(dòng)物是采用SCUBA潛水 器在9和26m之間的深度下的Wallis et Futuna ( 13°22，36，，S, 175。15'37"W)中通過(guò)手工采集的，其描述如下Plakinidae科:Plakinidae Schulze, 1880具有帶殼的生長(zhǎng)形態(tài)。身 體的結(jié)構(gòu)是單 一 的，具有從單 一 的似單溝型的結(jié)構(gòu)變化到更復(fù)雜的折 疊并且精細(xì)的管道系統(tǒng)的含水系統(tǒng)。礦物骨骼由二輻骨針、三輻骨針 或四輻骨針組成，通常具有分支的末端(脊四輻骨針)，硅質(zhì)骨針和海 綿絲纖維可以在一個(gè)屬，即Oscarella中缺少，其4又具有在間充質(zhì)中成 膠的纖絲狀的海綿絲。外殼或厚重的生長(zhǎng)形態(tài)，具有單一的身體結(jié)構(gòu)， 從單 一 的似單溝型的結(jié)構(gòu)變化到更復(fù)雜的折疊并且精細(xì)的管道系統(tǒng)的 含水系統(tǒng)。礦物骨骼由較小的棘和/或派生物(二輻骨針或三輻骨針) 組成，通常具有分支末端(脊?fàn)钏妮椆轻?， 一般在海綿內(nèi)排列均勻， 骨針常常以規(guī)則的"氣泡，，方式圍繞在含水系統(tǒng)周?chē)?，硅質(zhì)骨針和海 綿絲纖維在一個(gè)屬(Oscarella)中是缺少的，其僅具有在間充質(zhì)中成膠 的纖絲狀的海綿絲，環(huán)細(xì)胞室具有300 - 500個(gè)環(huán)細(xì)胞，常常是大孔的， 偶爾是海綿典型溝系的，幼蟲(chóng)是獨(dú)特的兩極幼蟲(chóng)類(lèi)型。伏革菌屬薄外殼，有收縮性的表面，盡管骨針偶爾也全部缺少， 但是骨針的形成完全是一種尺寸的四輻骨針和四軸多射單突骨針，海 綿典型溝系為環(huán)細(xì)^^室。前面描述的式I化合物的一個(gè)重要特征是它們的生物活性，尤其是 它們的細(xì)胞毒性和它們抑制EGFR細(xì)胞內(nèi)信號(hào)的活性。(17) 在基板30的兩面上涂布20微米厚的上述阻焊劑組成物，在 70t:下進(jìn)行20分鐘、在701C下進(jìn)行30分鐘的條件下進(jìn)行干燥處理后， 把阻焊劑開(kāi)口部的圖形描繪的厚度為5mm的光掩模密接在阻焊劑層70 上后用1000mJ/cm2的紫外線(xiàn)啄光，用DTMG溶液作顯像處理，形成開(kāi) 口 71U、 71D (參考圖6 ( A))。(18) 接著，把形成阻焊劑層(有機(jī)樹(shù)脂絕緣層)70的基板在包 括氯化鎳(2. 3X10—'mo1/1 )、亞磷酸鈉(2. 8X10'mo1/1 )、檸檬酸鈉(1. 6X10—'mo1/1 )的Ph=4. 5的非電解鎳電鍍液中浸漬20分鐘，在開(kāi) 口 71U、 71D上形成厚度為5微米的鎳電鍍層72。此外，把該基板在 80 1C的條件下在包括氰化金鉀(7. 6Xl(Tmo1/1 )、氯化銨 (1. 9X10111101/1 )、 檸檬酸鈉(1. 2Xl(Tmo1/1 )、 亞磷酸鈉 (1. 7X10—iol/l )的非電解電鍍液中浸漬7. 5分鐘，在鎳電鍍層72上 形成厚度為0. 3微米的金電鍍層74 (參考圖6 (B))。(19) 之后，阻焊劑層70的開(kāi)口部71U、 71D上印刷焊錫糊劑，在 2001C下進(jìn)行回流，形成焊料凸點(diǎn)(焊錫體)76U、 76D。這樣，得到具 有焊料凸點(diǎn)76U、 76D的印刷布線(xiàn)板10 (參考圖7)。接著，參考圖8說(shuō)明向用上述工序完成的印刷布線(xiàn)板10裝載IC 芯片90和安裝子板95的情況。通過(guò)完成的印刷布線(xiàn)板10的焊料凸點(diǎn) 76U上對(duì)應(yīng)于IC芯片90的焊料凸點(diǎn)92P1、 92P2來(lái)裝載IC芯片90， 進(jìn)行回流來(lái)安裝IC芯片90。同樣，通過(guò)印刷布線(xiàn)板10的焊料凸點(diǎn)76D 上對(duì)應(yīng)于子板95的焊區(qū)94Pl、 94P2，進(jìn)行回流向子板95安裝印刷布 線(xiàn)板10,在上述的樹(shù)脂膜中，包括難溶性樹(shù)脂、可溶性粒子、固化劑、其它 成份。對(duì)此分別在下面說(shuō)明。本發(fā)明的制造方法中使用的樹(shù)脂膜是把在酸或氧化劑中可溶解的 粒子(下面，叫作可溶性粒子)分散在酸或氧化劑中難以溶解的樹(shù)脂 (下面，叫作難溶性樹(shù)脂)中的材料。另外，本發(fā)明使用的"難溶性"、"可溶性"表示在由同一酸或氧化 劑構(gòu)成的溶液中浸漬相同時(shí)間時(shí)，溶解速度相對(duì)快的簡(jiǎn)單叫作"可溶 性"、溶解速度相對(duì)慢的筒單叫作"難溶性"。作為上述可溶性粒子，例如可舉出在酸或氧化劑中可溶解的樹(shù)脂粒 子(下面，叫作可溶性樹(shù)脂粒子)、在酸或氧化劑中可溶解的無(wú)機(jī)粒子(下面，叫作可溶性無(wú)機(jī)粒子)、在酸或氧化劑中可溶解的金屬粒子(下 面，叫作可溶性金屬粒子)等。這些可溶性粒子可單獨(dú)使用，也可并 用兩種以上。上述可溶性粒子的形狀并不特殊限定，可舉出球狀、破碎狀等。另 外，上述可溶性粒子的形狀希望為一樣的形狀。這是因?yàn)榭尚纬删哂?均勻粗度的凹凸的粗化面。作為上述可溶性粒子的平均粒徑，希望為0. 1~10微米。只要在這個(gè)粒徑范圍，則可有兩種以上的不同粒徑。即，可以是包括平均粒徑為0. 1 ~ 0. 5微米的可溶性粒子和平均粒徑為1 ~ 3微米的可溶性粒子 等。因此，可形成更復(fù)雜的粗化面，有利于與導(dǎo)體電路的密接性。另 外，本發(fā)明中，可溶性粒子的粒徑是可溶性粒子的最長(zhǎng)的部分的長(zhǎng)度。作為上述可溶性樹(shù)脂粒子，可列舉出由熱固性樹(shù)脂、熱塑性樹(shù)脂等 構(gòu)成，浸漬在由酸或氧化劑構(gòu)成的溶液中時(shí)，只要是溶解速度比上述 難溶性樹(shù)脂快就不特別加以限定。作為上述可溶性樹(shù)脂粒子的具體例子，可舉出例如由環(huán)氧樹(shù)脂、苯 酚樹(shù)脂、酚醛樹(shù)脂、聚酰亞胺樹(shù)脂、對(duì)聚苯樹(shù)脂、聚烯烴樹(shù)脂、氟樹(shù) 脂等構(gòu)成的樹(shù)脂，可以由這些樹(shù)脂中的一種構(gòu)成，也可以由兩種以上 的樹(shù)脂的混合物構(gòu)成。作為上述可溶性樹(shù)脂粒子，可使用橡膠構(gòu)成的樹(shù)脂粒子。作為上述橡膠，例如可舉出聚丁二烯橡膠、環(huán)氧變性、尿烷變性、(偏)丙烯晴 變性等各種變性聚丁二烯橡膠、含羧基的(偏)丙烯晴 聚丁橡膠等。通過(guò)使用這些橡膠，可溶性樹(shù)脂粒子容易在酸或氧化劑中溶解。即， 使用酸溶解可溶性樹(shù)脂粒子時(shí)，即使是強(qiáng)酸以外的酸也能溶解，使用 氧化劑溶解可溶性樹(shù)脂粒子時(shí)，即使是酸性比較弱的過(guò)錳酸鹽也能將 其溶解。另外，即使使用鉻酸時(shí)，在低濃度下也能溶解。因此，酸或 氧化劑不會(huì)殘留在樹(shù)脂表面，如后所述，形成粗化表面后，在提供氯 化鈀等的催化劑時(shí)，不會(huì)一邊提供催化劑一邊氧化催化劑。作為上述可溶性無(wú)機(jī)粒子，可舉出例如從由鋁化合物、釣化合物、 鉀化合物、鎂化合物、硅化合物組成的一組中選擇出的至少由一種組 成的粒子等。作為上述鋁化合物，可舉出例如氧化鋁、氫氧化鋁等，作為上迷鈣 化合物，可舉出例如碳酸釣、氫氧化鈞等，作為上述鉀化合物，可舉出例如碳酸鉀等，作為上述鎂化合物，可舉出例如氧化鎂、白云巖、 鹽性碳酸鎂等，作為上述硅化合物，可舉出例如氧化硅($ 'J力)、沸 石等。這些可單獨(dú)使用，也可兩種以上并用。
作為上述可溶性金屬粒子，可舉出例如銅、鎳、鐵、鋅、鉛、金、 銀、鋁、鎂、鈣和硅構(gòu)成的一組中選擇的至少一種粒子等。另外，這 些可溶性金屬粒子為確保絕緣性，表層可用樹(shù)脂等覆蓋。
混合兩種以上上述可溶性粒子使用時(shí)，作為混合的兩種可溶性粒子 的組合，希望是樹(shù)脂粒子和無(wú)機(jī)粒子的組合。這是因?yàn)椋捎诙叩?導(dǎo)電性都低，可確保樹(shù)脂膜的絕緣性，同時(shí)在與難溶性樹(shù)脂之間容易 調(diào)整熱膨脹，由樹(shù)脂膜構(gòu)成的層間樹(shù)脂絕緣層上不產(chǎn)生裂紋，層間樹(shù) 脂絕緣層與導(dǎo)體電路之間不產(chǎn)生剝離。
作為上上述難溶性樹(shù)脂，只要是使用酸或氧化劑在層間樹(shù)脂絕緣層 上形成粗化面時(shí)可保持粗化面的形狀，就不特別加以限定，例如可舉 出熱固性樹(shù)脂、熱塑性樹(shù)脂、其組合體等。另外，可以是對(duì)這些樹(shù)脂 提供了感光性的感光性樹(shù)脂。通過(guò)使用感光性樹(shù)脂，可使用暴光、顯 象處理在層間樹(shù)脂絕緣層上形成穿孔用開(kāi)口。
在上述之中，希望包括熱固性樹(shù)脂。這是由于即使通過(guò)電鍍液或各 種熱處理也可保持粗化面的形狀。
作為上述難溶性樹(shù)脂的具體例子，可舉出例如環(huán)氧樹(shù)脂、苯酚樹(shù)脂、 酚醛樹(shù)脂、聚酰亞胺樹(shù)脂、對(duì)聚苯樹(shù)脂、聚烯烴樹(shù)脂、氟樹(shù)脂等。這 些樹(shù)脂可單獨(dú)使用，也可兩種以上并用。
另外，更希望一個(gè)分子中有具有兩個(gè)以上的環(huán)氧基的環(huán)氧樹(shù)脂。由 于不僅能形成所述的粗化面而且耐熱性?xún)?yōu)越，故即使在熱循環(huán)條件下， 金屬層中也不產(chǎn)生應(yīng)力集中，難以引起金屬層的剝離等。
作為上述環(huán)氧樹(shù)脂，可舉出例如曱酚酚醛型環(huán)氧樹(shù)脂、雙酚A型環(huán) 氧樹(shù)脂、雙酚F型環(huán)氧樹(shù)脂、酚酚醛型環(huán)氧樹(shù)脂、烷基酚盼醛型環(huán)氧 樹(shù)脂、雙紛F型環(huán)氧樹(shù)脂、萘型環(huán)氧樹(shù)脂、二聚環(huán)戊二烯型環(huán)氧樹(shù)脂、
與具有酚類(lèi)和酚型羧基的芳香族醛的縮合物的環(huán)氧化物、卜y/y少
y少7 - k—卜、脂環(huán)式環(huán)氧樹(shù)脂等。這些可單獨(dú)使用，也可 兩種以上并用。因此，耐熱性方面優(yōu)越。
本發(fā)明使用的樹(shù)脂膜中，希望上述可溶性粒子大致均勻地分散到上 述難溶性樹(shù)脂中。這是因?yàn)榭尚纬删哂芯鶆虼侄鹊陌纪沟拇只?，即使在?shù)脂膜上形成穿孔和通孔，也能確保在其上^成的導(dǎo)體電路的金 屬層的密接性。此外，可使用僅在形成粗化面的表層部中舍有可溶性 粒子的樹(shù)脂膜。因此，由于樹(shù)脂膜的表層部以外不暴露在酸或氧化劑 中，故能可靠地確保經(jīng)層間樹(shù)脂絕緣層的導(dǎo)體電路間的絕緣性。在上述樹(shù)脂膜中，希望在難溶性樹(shù)脂中分散的可溶性粒子相對(duì)于樹(shù)脂膜的混合量為3-40重量％。可溶性粒子的混合量不足3重量％時(shí)，有 時(shí)不能形成具有所希望的凹凸的粗化面，超出40重量％時(shí)，使用酸或 氧化劑溶解可溶性粒子時(shí)，會(huì)溶解到樹(shù)脂膜的深處，不能維持經(jīng)樹(shù)脂 膜構(gòu)成的層間樹(shù)脂絕緣層的導(dǎo)體電路間的絕緣性，有時(shí)成為短路的原 因。希望上述樹(shù)脂膜除包括上述可溶性粒子、上述難溶性樹(shù)脂外，還包 括固化劑和其他成分等。作為上述固化劑，可舉出例如亞胺系固化劑、胺系固化劑、胍系固 化劑、把這些固化劑的環(huán)氧加和物和這些固化劑微嚢化的產(chǎn)物、三苯 磷、四苯基轔、四苯硼酸脂等的有機(jī)磷系化合物等。希望上述固化劑相對(duì)于樹(shù)脂膜的含量為0. 05-10重量％。不足O. 05 重量％時(shí)，由于樹(shù)脂膜固化不充分，故酸或氧化劑浸入樹(shù)脂膜的程度變 大，有時(shí)損壞樹(shù)脂膜的絕緣性。另一方面，如果超出10重量％，則過(guò) 剩的固化劑成分使樹(shù)脂的組成變性，導(dǎo)致可靠性降低。作為上迷其他成分，可舉出例如不影響粗化的形成的無(wú)機(jī)化合物或 樹(shù)脂等的填料。作為上述無(wú)機(jī)化合物，可舉出例如氧化硅、氧化鋁、 白云石等，作為上述樹(shù)脂，可舉出例如聚酰亞胺樹(shù)脂、聚丙烯樹(shù)脂、 聚酰胺亞胺樹(shù)脂、對(duì)聚苯樹(shù)脂、黑色素樹(shù)脂、烯烴系樹(shù)脂等。通過(guò)包 括這些填料，力求使熱膨脹系數(shù)的一致和耐熱性、耐藥品性提高等， 可提高印刷布線(xiàn)板的性能。另外，上述樹(shù)脂膜可含有溶劑。作為上述溶劑，可舉出例如丙酮、 丁酮、環(huán)己醇等的酮類(lèi)、乙基醋酸、丁基醋酸、乙二醇乙醚醋酸鹽和 甲苯、二甲苯等芳香族炭氫化合物。這些可單獨(dú)使用，也可兩種以上 并用。(第一實(shí)施形態(tài)的第一特例)參考圖9說(shuō)明本發(fā)明的第 一 實(shí)施形態(tài)的第 一特例的印刷布線(xiàn)板。第 一實(shí)施形態(tài)的第一特例的印刷布線(xiàn)板和上述第一實(shí)施形態(tài)基本相同.但是，該第一特例的印刷布線(xiàn)板中，配設(shè)導(dǎo)電連接管腳96,經(jīng)該導(dǎo)電 連接管腳96與子板連接而形成.
另外，上述第一實(shí)施形態(tài)中，僅配置在核心基板30中容納的片狀 電容器20，但在第一特例中，在表面和里面都安裝大容量的片狀電容 器86。
IC芯片瞬時(shí)消耗大功率進(jìn)行復(fù)雜的運(yùn)算。這里，為在IC芯片側(cè)上 提供大功率，在第一特例中，在印刷布線(xiàn)板上配設(shè)電源用的片狀電容 器20和片狀電容器86。對(duì)于該片狀電容器的效果，參考圖12來(lái)說(shuō)明。
圖12以對(duì)IC芯片供給的電壓作為縱軸，以時(shí)間作為橫軸。這里， 雙點(diǎn)劃線(xiàn)C表示未配備電源用電容器的印刷布線(xiàn)板的電壓變動(dòng)。沒(méi)有 配備電源用電容器時(shí)，電壓大大衰減。虛線(xiàn)A表示在表面上安裝了片 狀電容器的印刷布線(xiàn)板的電壓變動(dòng)。與上述雙點(diǎn)劃線(xiàn)C相比，電壓沒(méi) 有很大的降低，由于環(huán)路長(zhǎng)度變長(zhǎng)，不能充分地進(jìn)行速度有決定性的 電源供電。即，在供電開(kāi)始時(shí)電壓下降。另外，雙點(diǎn)劃線(xiàn)B表示參考 圖8內(nèi)裝上述的片狀電容器的印刷布線(xiàn)板的電壓下降。環(huán)路長(zhǎng)度可縮 短，但由于核心基板30上不能容納容量大的片狀電容器，故電壓變動(dòng)。 這里，實(shí)線(xiàn)E表示參考圖9安裝上述核心基板內(nèi)的片狀電容器20、還 在表面上安裝大容量的片狀電容器86的第一特例的印刷布線(xiàn)板的電壓 變動(dòng)。通過(guò)在IC芯片附近配置片狀電容器20還配置大容量(及相對(duì) 大的電感)的片狀電容器86，把電壓變動(dòng)抑制到最小。 (笫一實(shí)施形態(tài)的第一變形例)
接著，參考圖11說(shuō)明本發(fā)明的第一實(shí)施形態(tài)的第一變形例的印刷 布線(xiàn)板。
該第一變形例的印刷布線(xiàn)板的結(jié)構(gòu)與上述第一實(shí)施形態(tài)基本相同。 但是，第一變形例的印刷布線(xiàn)板14上，在第一樹(shù)脂基板30a、第三樹(shù) 脂基板30c的一個(gè)面上形成導(dǎo)體電路35,在設(shè)置容納片狀電容器20的 開(kāi)口 30B的第二樹(shù)脂基板30b的兩面上形成導(dǎo)體電路37。該第一實(shí)施 形態(tài)中，由于在第一樹(shù)脂基板30a、第三樹(shù)脂基板30c的一個(gè)面上形成 導(dǎo)體電路35，在第二樹(shù)脂基板30b的兩面上形成導(dǎo)體電路37，故優(yōu)點(diǎn)
是可提高布線(xiàn)密度，減少裝配的層間樹(shù)脂絕緣層的層數(shù)。
另外，在第一變形例的印刷布線(xiàn)板中，如圖13 (A)所示，在完全 剝離第一、第二電極21、 22的覆蓋層(圖中未示出)后，用銅電鍍膜29覆蓋片狀電容器20。接著，用銅電鍍形成的通路孔50在用銅電鍍 膜29覆蓋的第一、第二電極21、 22上作電連接。這里，片狀電容器 的電極21、 22在金屬化構(gòu)成的表面上有凹凸。與此相反，在第一變形 例中，通過(guò)銅電鍍膜29使第一、第二電極21、 22的表面平滑，也不 會(huì)產(chǎn)生遷移，也不會(huì)引起電容器電極處的不良情況。
此外，上述銅電鍍膜29在片狀電容器的制造階段中，在把覆蓋在 金屬層26的表面上的鎳/錫層(覆蓋層)、在向印刷布線(xiàn)板裝栽的階段 中剝離下來(lái)之后，進(jìn)行設(shè)置?？纱栽谄瑺铍娙萜?0的制造階段中， 在金屬層26上直接覆蓋銅電鍍膜29。即，第一變形例中，與第一實(shí)施 形態(tài)同樣，用激光設(shè)置直到電極的銅電鍍膜29的開(kāi)口后，進(jìn)行去污斑 處理等，通過(guò)銅電鍍形成通路孔。因此，銅電鍍膜29的表面上即使形 成氧化膜，由于也能夠用上述激光及去污斑處理去除氧化膜，故可進(jìn) 行適當(dāng)?shù)倪B接。
另外，如圖13 (B)所示，可去除電容器20的第一、第二電極21、 22的覆蓋膜28的一部分來(lái)使用。這是由于通過(guò)露出第一電極21、第 二電極22，可提高連接性。
而且，片狀電容器20的陶瓷構(gòu)成的介電體23的表面上設(shè)置粗化層 23oc 。因此，陶資構(gòu)成的片狀電容器20與樹(shù)脂構(gòu)成的第一樹(shù)脂基板30a 的密接性高，即使實(shí)施熱循環(huán)試驗(yàn)，界面處的第一樹(shù)脂基板30a也不 發(fā)生剝離。該粗化層23ot可在燒制后通過(guò)研磨片狀電容器20的表面， 還在燒制前通過(guò)實(shí)施粗化處理而形成。此外，第一變形例中，在電容 器的表面實(shí)施粗化處理，提高了和樹(shù)脂的密接性，但可代之以在電容 器的表面實(shí)施硅烷偶聯(lián)處理。
本發(fā)明的第一變形例的印刷布線(xiàn)板的制造工序參考圖10和11來(lái)說(shuō)明。
(1) 準(zhǔn)備厚度為0. lmm的玻璃織物等的芯體材料中浸含BT (粘膠 絲馬來(lái)酰亞胺三氮雜苯)樹(shù)脂并固化后的第一樹(shù)脂基板30a。在第一樹(shù) 脂基板30a上在一個(gè)面上形成導(dǎo)電連接部34、在另一個(gè)面上形成導(dǎo)體 電路35。接著，在導(dǎo)電連接部34上經(jīng)焊錫、導(dǎo)電性糊劑等的粘接材料 36裝載多個(gè)片狀電容器20，把片狀電容器20連接于導(dǎo)電連接部34(參 考圖10 (A))。
(2) 之后，準(zhǔn)備玻璃織物等的芯體材料中浸含環(huán)氧樹(shù)脂的粘接用樹(shù)脂層(粘接用樹(shù)脂層)38a、 38b及玻璃織物等的芯體材料中浸含BT 樹(shù)脂并固化的第二樹(shù)脂基板30b (厚度O. 4mm)、第三樹(shù)脂基板30c(厚 度O. lmm)。粘接用樹(shù)脂層38a和笫二樹(shù)脂基板30b中形成可容納片狀 電容器20的通孔38A、 30B。此外，第二樹(shù)脂基板30b的兩面上形成導(dǎo) 體電路37，第三樹(shù)脂基板30c的一個(gè)面上形成導(dǎo)體電路35。首先，在 第三樹(shù)脂基板30c的未形成導(dǎo)體電路35的面上經(jīng)粘接用樹(shù)脂層38b 裝載第二樹(shù)脂基板30b。在第二樹(shù)脂基板30b之上經(jīng)粘接用樹(shù)脂層38 a 對(duì)第一樹(shù)脂基板30a進(jìn)行反轉(zhuǎn)裝載。即，重合成第一樹(shù)脂基板30a上 連接的片狀電容器20容納在第二樹(shù)脂基板30b中形成的通開(kāi)口 30B中 (參考圖10 (B))。
(3)通過(guò)使用熱壓對(duì)重合的基板進(jìn)行壓力加工，對(duì)第一、第二、 第三樹(shù)脂基板30a、 30b、 30c進(jìn)行多層一體化，形成具有多個(gè)片狀電 容器20的核心基板30(參考圖IO(C))。首先，通過(guò)加壓把環(huán)氧樹(shù)脂 (絕緣性樹(shù)脂)從粘接用樹(shù)脂層38a、 38b壓出到周?chē)?，填充開(kāi)口 30B 與片狀電容器20之間的間隙。而且，由于與加壓同時(shí)進(jìn)行加熱，故環(huán) 氧樹(shù)脂固化，由于作為粘接用樹(shù)脂把粘接用樹(shù)脂層38a、 38b介于中間， 強(qiáng)固地粘接第一、第二、笫三樹(shù)脂基板30a、 30b、 30c。
(4 )對(duì)經(jīng)上述工序的基板邊對(duì)熱固化型環(huán)氧系樹(shù)脂層進(jìn)行升溫到 50~150*C，邊在5kg/cn^的壓力下進(jìn)行真空壓接的層疊，設(shè)置層間樹(shù) 脂絕緣層40 (參考圖10 (D))。真空壓接時(shí)的真空度是10咖Hg。
(5 )隨后，通過(guò)激光在基板30的上表面和下面形成連接于導(dǎo)電連 接部34和導(dǎo)體電路35、 37的通路孔用開(kāi)口 42 (參考圖10 (E))。
由于以后的工序與上述第一實(shí)施形態(tài)的(7) ~ (19)相同，故省 略了其說(shuō)明。
(第一實(shí)施形態(tài)的第二變形例) 接著，參考圖14說(shuō)明第一實(shí)施形態(tài)的第二變形例的印刷布線(xiàn)板的 結(jié)構(gòu)。
該第二變形例的印刷布線(xiàn)板的結(jié)構(gòu)與上述第一實(shí)施形態(tài)基本相同。 但是，容納到核心基板30中的片狀電容器20不同。圖"表示片狀電 容器的平面圖。圖14 (A)表示多個(gè)使用的切斷之前的片狀電容器，圖 中的點(diǎn)劃線(xiàn)表示切斷線(xiàn)。上述的第一實(shí)施形態(tài)的印刷布線(xiàn)板中，如在 圖14 (B)中平面圖所示，在片狀電容器的側(cè)緣上配置第一電極21和第二電極22。圖14 (C)表示第二變形例的多個(gè)使用的、切斷前的片 狀電容器，圖中的點(diǎn)劃線(xiàn)表示切斷線(xiàn)。第二變形例的印刷布線(xiàn)板中， 如圖14 (D)平面圖所示，在片狀電容器的側(cè)緣的內(nèi)側(cè)上配置第一電極 21和第二電極22。
該第二變形例的印刷布線(xiàn)板上，由于使用在外緣內(nèi)側(cè)形成電極的片 狀電容器20，故可使用容量大的片狀電容器。
接著，參考圖15說(shuō)明第二變形例的第l特例的印刷布線(xiàn)板。 圖15表示第一特例的印刷布線(xiàn)板的核心基板上容納的片狀電容器 20的平面圖。上述的第一實(shí)施形態(tài)中，在核心基板上容納多個(gè)小容量 的片狀電容器，但在第一特例中，在核心基板中容納大容量的大型的 片狀電容器20。這里，片狀電容器20由第一電極21、第二電極22、 介電體23、連接于第一電極21的第一導(dǎo)電膜24、連接于第二電極22 側(cè)上的第二導(dǎo)電膜25、未連接于第一導(dǎo)電膜24和第二導(dǎo)電膜25的片 狀電容器的上下表面的連接用的電極27構(gòu)成。經(jīng)該電極27連接IC芯 片側(cè)和子板側(cè)。
該第一變形例的印刷布線(xiàn)板中，由于使用大型的片狀電容器20， 故可使用容量大的片狀電容器。另外，由于使用大型的片狀電容器20， 故即使反復(fù)熱循環(huán)印刷布線(xiàn)板也不會(huì)發(fā)生翹曲。
參考圖16說(shuō)明第二特例的印刷布線(xiàn)板。圖16 (A)表示多個(gè)使用 的、切斷之前的片狀電容器，圖中的點(diǎn)劃線(xiàn)表示通常的切斷線(xiàn)，圖16 (B)表示片狀電容器的平面圖。如在圖16 (B)中所示，該第二特例 中，連接多個(gè)(圖中之例為3個(gè))、多個(gè)使用的片狀電容器而以大型來(lái) 使用。
該第二特例中，由于使用大型的片狀電容器20，故可使用容量大 的片狀電容器。另外，由于使用大型的片狀電容器20,故即使反復(fù)熱 循環(huán)印刷布線(xiàn)板也不會(huì)發(fā)生翹曲。
上述的實(shí)施形態(tài)中，把片狀電容器內(nèi)裝在印刷布線(xiàn)板中，但也可使 用在陶瓷板上設(shè)置導(dǎo)電膜而構(gòu)成的板狀電容器，來(lái)代替片狀電容器。
通過(guò)第一實(shí)施形態(tài)的制造方法，由于核心基板內(nèi)可容納電容器、IC 芯片與電容器的距離變短，故可降低印刷布線(xiàn)板的環(huán)路電感。另外， 由于層疊樹(shù)脂基板來(lái)構(gòu)成，故核心基板上得到足夠的強(qiáng)度。而且，由 于通過(guò)核心基板的兩面上配設(shè)第一樹(shù)脂基板、第三樹(shù)脂基板而平滑地構(gòu)成核心基板，故能夠在核心基板之上適當(dāng)?shù)匦纬蓪娱g樹(shù)脂絕緣層和 導(dǎo)體電路，可降低印刷布線(xiàn)板的不合格品發(fā)生率。由于在核心基板與電容器之間填充樹(shù)脂，故即產(chǎn)生了起因于電容器 等的應(yīng)力，也可得到緩解，不產(chǎn)生遷移。因此，不影響電容器的電極 和通路孔的連接部的剝離和溶解等。從而即使進(jìn)行可靠性試驗(yàn)，也可 保持所希望的性能。另外，由銅覆蓋電容器時(shí)，也能防止產(chǎn)生遷移。 (第二實(shí)施形態(tài))參考圖19和20說(shuō)明本發(fā)明的第二實(shí)施形態(tài)的印刷布線(xiàn)板的結(jié)構(gòu)。 圖19表示印刷布線(xiàn)板210的剖面，圖20表示圖19所示的印刷布線(xiàn)板 210上裝載IC芯片290、向子板295側(cè)安裝的狀態(tài)。如圖19所示，印刷布線(xiàn)板210由容納片狀電容器220的核心基板 230和裝配布線(xiàn)層280A、 280B構(gòu)成。裝配布線(xiàn)層280A、 280B經(jīng)通孔 256連接。裝配布線(xiàn)層280A、 280B由層間樹(shù)脂絕緣層240、 340構(gòu)成。 上側(cè)的裝配布線(xiàn)層280A側(cè)的層間樹(shù)脂絕緣層240上形成導(dǎo)體電路358 和連接于片狀電容器220的第一電極221和第二電極222的通路孔 260，在層間樹(shù)脂絕緣層340上形成導(dǎo)體電路358和通路孔360。另一 方面，在下側(cè)的裝配布線(xiàn)層280B側(cè)的層間樹(shù)脂絕緣層2"上形成導(dǎo)體 電路258，在層間樹(shù)脂絕緣層340上形成導(dǎo)體電路358和通路孔360。 裝配布線(xiàn)層280A、 280B的層間樹(shù)脂絕緣層340之上形成阻焊劑層270。如圖19所示，片狀電容器220由第一電極221和第二電極222以 及被第一和第二電極夾住的介電體23構(gòu)成，介電體23上相對(duì)配置多 對(duì)連接于笫一電極221側(cè)的第一導(dǎo)電膜224和連接于第二電極"2側(cè) 的笫二導(dǎo)電膜225。如圖20所示，上側(cè)的裝配布線(xiàn)層280A上配置用于連接到IC芯片 290的連接端292E、 292P、 292S的焊料凸點(diǎn)276U。另一方面，下側(cè)的 裝配布線(xiàn)層280B上配置用于連接到子板295的連接端294E、2"P、294S 的焊料凸點(diǎn)276D。如圖20所示，IC芯片290的信號(hào)用連接端292S經(jīng)凸點(diǎn)276U-導(dǎo) 體電路358 -通路孔360 -通孔256 -通路孔360 -凸點(diǎn)276D連接到子 板295的信號(hào)用連接端294S。IC芯片290的接地用連接端292E經(jīng)凸點(diǎn)276U-通路孔360 -導(dǎo)體電路258 -通路孔260連接到片狀電容器220的第一電極221。另 一方 面，子板295的接地用連接端294E經(jīng)凸點(diǎn)276D -通路孔360 -通孔256-通路孔260連接到片狀電容器220的第一電極221。IC芯片290的電源用連接端292P經(jīng)凸點(diǎn)276U -通路孔360 -導(dǎo)體 電路258 -通路孔260連接到片狀電容器220的第二電極222。另一方 面，子板295的電源用連接端294P經(jīng)凸點(diǎn)276D-通路孔360 -通孔256-通路孔260連接到片狀電容器220的第二電極222。如圖19所示，本實(shí)施形態(tài)的核心基板230由第一樹(shù)脂基板230a、 經(jīng)粘接用樹(shù)脂層(粘接板)238a連接于第一樹(shù)脂基板230a的第二樹(shù)脂 基板230b以及經(jīng)粘接用樹(shù)脂層(粘接板)238b連接于笫二樹(shù)脂基板 230b的第三樹(shù)脂基板230c構(gòu)成。笫一樹(shù)脂基板230a、第二樹(shù)脂基板 230b和笫三樹(shù)脂基板230c的兩面上形成導(dǎo)體電路235。另外，核心基 板230中通過(guò)錢(qián)孔加工形成可容納片狀電容器220的凹部334，在凹部 334中容納片狀電容器220。這樣，由于核心基板230內(nèi)可容納片狀電容器220，縮短IC芯片 290和片狀電容器220的距離，可降低印刷布線(xiàn)板210的環(huán)路電感。另 外，由于層疊在兩面上設(shè)置導(dǎo)體電路235的第一樹(shù)脂基板230a、第二 樹(shù)脂基板230b和第三樹(shù)脂基板230c而形成核心基板230，所以可提高 在核心基板230內(nèi)的布線(xiàn)密度；可降低層間樹(shù)脂絕緣層的層數(shù)。而且，第二實(shí)施形態(tài)中，如圖18(A)所示，使粘接劑236介于核 心基板230的通孔34的下面與片狀電容器220之間、通孔337的側(cè)面 與片狀電容器220之間填充樹(shù)脂填充劑233。這里，粘接劑236和樹(shù)脂 填充劑233的熱膨脹率設(shè)定得比核心基板230小，即，設(shè)定在由陶瓷 構(gòu)成的片狀電容器220附近。因此，在熱循環(huán)試驗(yàn)中，即使核心基板 230和片狀電容器220之間因熱膨脹率差別而產(chǎn)生內(nèi)應(yīng)力，在核心基板 230上也難以產(chǎn)生斷裂、剝離等，可實(shí)現(xiàn)高可靠性。還有，也有防止遷 移的發(fā)生。接著，就參考圖19的上述的印刷布線(xiàn)板的制造方法，參考圖17-圖19來(lái)說(shuō)明。(1)以厚度為0. 3mm的玻璃織物等的芯體材料中浸含BT (粘膠絲 馬來(lái)酰亞胺三氮雜苯)樹(shù)脂并固化后的樹(shù)脂基板231a的兩面上層疊了 銅箔232的覆銅層疊板231M作為起始材料(圖17 ( A))。把該覆銅層疊板231M的銅箔232蝕刻成圖形，從而形成在兩面上配置導(dǎo)體電路235 的第一、第二、第三樹(shù)脂基板230a、 230b、 230c (圖17 (B))。之后， 經(jīng)玻璃織物等的芯體材料中浸含環(huán)氧樹(shù)脂的粘接用樹(shù)脂層238b層疊第 三樹(shù)脂基板230c和第二樹(shù)脂基板230 b。同樣，經(jīng)粘接用樹(shù)脂層238a 層疊第二樹(shù)脂基板230b與第一樹(shù)脂基板230a (圖17 (C))。作為核心基板，不能使用陶瓷和AIN等的基板.這是由于該基板外 形加工性差不能容納電容器，即使用樹(shù)脂填充也會(huì)出現(xiàn)空隙。(2) 隨后，通過(guò)使用熱壓對(duì)重合的基板壓力加工進(jìn)行，對(duì)第一、 第二、第三樹(shù)脂基板230a、 230b、 230c進(jìn)行多層一體化，形成核心基 板230(圖17(D))。這里，首先，通過(guò)加壓把粘接用樹(shù)脂層238a、 2 38b 的環(huán)氧樹(shù)脂(絕緣性樹(shù)脂)壓出到周?chē)?，把環(huán)氧樹(shù)脂密著于第一、第 二、第三樹(shù)脂基板230a、 230b、 230c。而且，由于與加壓同時(shí)進(jìn)行加 熱，故環(huán)氧樹(shù)脂固化，通過(guò)把粘接用樹(shù)脂層238a、 238b作為粘接板介 于中間，強(qiáng)固地粘接第一、第二、第三樹(shù)脂基板23(^、 230b、 230c。(3) 隨后，通過(guò)锪孔加工在核心基板230中形成容納片狀電容器 220用的凹部334 (圖17(E)。這里，通過(guò)锪孔加工設(shè)置容納電容器用 的凹部，但也可通過(guò)把設(shè)置有開(kāi)口的絕緣樹(shù)脂基板和未設(shè)置開(kāi)口的樹(shù) 脂絕緣基板壓合，形成配有容納部的核心基板。(4) 接著，使用印刷機(jī)在凹部334的底面上涂布熱固化系或UV 固化系粘接材料236 (圖18(A))。此時(shí)，除涂布外，還可使用澆灌等。隨后，把片狀電容器220裝載在粘接材料236上(圖18(B))。片 狀電容器220可以是一個(gè)或多個(gè)，但通過(guò)使用多個(gè)片狀電容器220可 實(shí)現(xiàn)電容器的高集成化。(5) 隨后，在凹部234內(nèi)填充熱固化樹(shù)脂，加熱固化后形成樹(shù)脂 層233 (圖18(C))。此時(shí)，作為熱固化樹(shù)脂，最好是環(huán)氧樹(shù)脂、苯酚、 聚酰亞胺、三溱。由此，固定凹部334內(nèi)的片狀電容器220，并填充片 狀電容器220與凹部334壁面的間隙。(6) 對(duì)經(jīng)上述工序的基板230，邊對(duì)后述的熱固化型環(huán)氧系樹(shù)脂 板進(jìn)行升溫到50~ 1501C，邊在5kg/cn^的壓力下進(jìn)行真空壓接的層疊， 設(shè)置層間樹(shù)脂絕緣層240(圖18( D))。真空壓接時(shí)的真空度是10咖Hg。由于以后的工序與上述第一實(shí)施形態(tài)的(7) ~ (9)相同，故省略 了其說(shuō)明。接著，參考圖20說(shuō)明向上述工序中完成的印刷布線(xiàn)板210裝載IC 芯片290以及向子板295的安裝。完成的印刷布線(xiàn)板210的焊料凸點(diǎn) 276U上對(duì)應(yīng)于IC芯片290的焊料連接端292E、 292P、 292S來(lái)裝載IC 芯片290，通過(guò)進(jìn)行回流進(jìn)行IC芯片290的安裝。同時(shí)，印刷布線(xiàn)板 210的焊料凸點(diǎn)276D上對(duì)應(yīng)于子板295的連接端294E、 294P、 294S 通過(guò)進(jìn)行回流來(lái)向子板295安裝印刷布線(xiàn)板210。在形成上述的層間樹(shù)脂絕緣層240、 340的熱固化型環(huán)氧系樹(shù)脂板 中包括難溶性粒子、可溶性粒子、固化劑和其它成分。由于對(duì)于這些 與上述實(shí)施形態(tài)l相同，故省略了其說(shuō)明。 (第二實(shí)施形態(tài)的第一變形例)接著，參考圖23說(shuō)明本發(fā)明的第二實(shí)施形態(tài)的第一變形例的印刷 布線(xiàn)板212。上述的第二實(shí)施形態(tài)中，配置BGA(球柵陣列)。如圖23 所示，該第二實(shí)施形態(tài)的第一變形例的印刷布線(xiàn)板的結(jié)構(gòu)以經(jīng)導(dǎo)電連 接管腳296進(jìn)行連接的PGA方式構(gòu)成。在上述第二實(shí)施形態(tài)中，通過(guò)鎮(zhèn)孔(f)加工在核心基板230 上放置容納片狀電容器220的凹部334，容納片狀電容器220。第二實(shí) 施形態(tài)的笫一變形例中，經(jīng)粘接用樹(shù)脂層(粘接板)238a、 238b把設(shè) 置通孔230A的第一樹(shù)脂基板230a和未設(shè)置通孔的第二、第三樹(shù)脂基 板230b、 230c貼合來(lái)形成配置容納片狀電容器220的凹部335的核心 基板230，在凹部335中容納多個(gè)片狀電容器220，本發(fā)明的第二實(shí)施形態(tài)的第一變形例的印刷布線(xiàn)板的制造工序參 考圖21和22來(lái)說(shuō)明。(1)以厚度為0. 3mm的玻璃織物等的芯體材料中浸含BT (粘膠絲 馬來(lái)酰亞胺三氮雜苯)樹(shù)脂并固化后的樹(shù)脂基板231a的兩面上層疊銅 箔232的覆銅層疊板231M作為起始材料(圖21 ( A))。把該覆銅層疊 板231M的銅箔232蝕刻成圖形，從而形成在兩面上配置導(dǎo)體電路235 的第二、第三樹(shù)脂基板230b、 230c。在蝕刻出圖形的同時(shí)，通過(guò)形成 通孔230A來(lái)形成配置導(dǎo)體電路235的第一樹(shù)脂基板230a(圖21( B ))。 之后，經(jīng)玻璃織物等的芯體材料中浸含環(huán)氧樹(shù)脂的粘接用樹(shù)脂層238b 層疊第三樹(shù)脂基板230c和第二樹(shù)脂基板230b。同樣，經(jīng)形成通孔238A 的粘接用樹(shù)脂層(粘接板)238a層疊第二樹(shù)脂基板230b與形成通孔 230A的第一樹(shù)脂基板230a (參考圖21 (C))。(2) 隨后，通過(guò)使用熱壓對(duì)重合的基板進(jìn)行壓力加工，對(duì)第一、 第二、第三樹(shù)脂基板230a、 230b、 230c進(jìn)行多層一體化，形成配置容 納片狀電容器220的凹部335的核心基板230 (圖21 (D))。這里，首 先，通過(guò)加壓把粘接用樹(shù)脂層238a、 238b的環(huán)氧樹(shù)脂(絕緣性樹(shù)脂) 壓出到周?chē)?，把環(huán)氧樹(shù)脂密著于第一、第二、第三樹(shù)脂基板230a、 230b、 230c。而且，由于與加壓同時(shí)進(jìn)行加熱，故環(huán)氧樹(shù)脂固化，通過(guò)把粘 接用樹(shù)脂層238a、 238b作為粘接板介于中間，穩(wěn)固地粘接第一、第二、 第三樹(shù)脂基板230a、 230b、 230c。(3) 隨后，^^用印刷機(jī)在凹部335的底面上涂布熱固系或UV固化 系粘接材料236 (看圖21 (E))。此時(shí)，除涂布外，可使用澆灌等。(4) 接著，把多個(gè)片狀電容器220裝栽在粘接材料236上(圖22)。 通過(guò)在核心基板上容納多個(gè)片狀電容器220可實(shí)現(xiàn)電容器的高集成化。(5) 隨后，在凹部335內(nèi)的片狀電容器220之間填充熱固化樹(shù)脂， 加熱固化后形成樹(shù)脂層233 (圖22(B))。此時(shí)，作為熱固化樹(shù)脂，最 好是環(huán)氧樹(shù)脂、苯酚、聚酰亞胺、三嗪。由此，固定凹部335內(nèi)的片 狀電容器220并填充片狀電容器220與凹部335壁面的間隙。(6) 對(duì)經(jīng)上述工序的基板230,邊對(duì)熱固化型環(huán)氧系樹(shù)脂板進(jìn)行 升溫到50~150匸，邊在5kg/cn^的壓力下進(jìn)行真空壓接的層疊，設(shè)置 由環(huán)氧系樹(shù)脂構(gòu)成的層間樹(shù)脂絕緣層240 (圖22 (C))。(7 )之后，上通過(guò)激光在樹(shù)脂基板230a側(cè)的層間樹(shù)脂絕緣層240 形成直到片狀電容器220的第一端子221、第二端子222的通路孔用開(kāi) 口 42 (圖22 (D))。由于以后的工序與上述第一實(shí)施形態(tài)的(8) ~ (21)相同，故省 略了其說(shuō)明。(第二實(shí)施形態(tài)的第一變形例的第一特例)接著，參考圖24說(shuō)明本發(fā)明的第二實(shí)施形態(tài)的第一變形例的第1 特例的印刷布線(xiàn)板，笫一特例的印刷布線(xiàn)板與上述的第二實(shí)施形態(tài)的 第一變形例基本相同。但是，第二實(shí)施形態(tài)的第一變形例中，僅配有 在核心基板230中容納的片狀電容器220,但在第一特例中，在表面和 里面上安裝了大容量的片狀電容器286。IC芯片瞬時(shí)消耗大功率進(jìn)行復(fù)雜的運(yùn)算。這里，為在IC芯片側(cè)上 提供大功率，在變形例中，在印刷布線(xiàn)板上配設(shè)電源用片狀電容器220和片狀電容器286。對(duì)于該片狀電容器的效果，參考圖12來(lái)說(shuō)明。圖12以對(duì)IC芯片供給的電壓作為縱軸，以時(shí)間作為橫軸。這里， 雙點(diǎn)劃線(xiàn)C表示未配備電源用電容器的印刷布線(xiàn)板的電壓變動(dòng)。沒(méi)有 配備電源用電容器時(shí)，電壓大大衰減。虛線(xiàn)A表示在表面上安裝了片 狀電容器的印刷布線(xiàn)板的電壓變動(dòng)。與上述雙點(diǎn)劃線(xiàn)C相比，電壓沒(méi) 有很大的降低，由于環(huán)路長(zhǎng)度變長(zhǎng)，故不能充分地進(jìn)行快速的電源供 電。即，在供電開(kāi)始時(shí)電壓下降。另外，雙點(diǎn)劃線(xiàn)B表示參考圖23內(nèi) 裝上述的片狀電容器的印刷布線(xiàn)板的電壓下降。環(huán)路長(zhǎng)度可縮短，但 由于核心基板230上不能容納容量大的片狀電容器，故電壓變動(dòng)。這 里，實(shí)線(xiàn)E表示參考圖24安裝上述核心基板內(nèi)的片狀電容器220、還 在表面上安裝大容量的片狀電容器286的變形例的印刷布線(xiàn)板的電壓 變動(dòng)。通過(guò)在IC芯片附近配置片狀電容器220還配置大容量(及相對(duì) 大的電感)的片狀電容器286,把電壓變動(dòng)抑制到最小。另外，在第二實(shí)施形態(tài)的第一特例中，如圖13 (A)所示，在完全 剝離第一、第二電極221、 222的覆蓋層(圖中未示出)后，用銅電鍍 膜29覆蓋片狀電容器220。接著，用銅電鍍形成的通路孔260在用銅 電鍍膜29覆蓋的第一、第二電極221、 222上作電連接。這里，片狀 電容器的電極221、 222在金屬化構(gòu)成的表面上有凹凸，因此，剝落金 屬層的狀態(tài)下使用時(shí)，在連接層240中穿設(shè)非貫通孔242的工序中， 在該凹凸上會(huì)殘留樹(shù)脂。此時(shí)，通過(guò)該樹(shù)脂殘留會(huì)產(chǎn)生笫一、第二電 極221、 222與通路孔260的連接不良。與此相反，在變形例中，通過(guò) 銅電鍍膜29使第一、第二電極221、 222的表面平滑，在電極上覆蓋 的層間樹(shù)脂絕緣層240中穿設(shè)非貫通孔42時(shí)，不會(huì)殘留樹(shù)脂，可提高 形成通路孔260時(shí)的與電極221、 222的連接可靠性。而且，由于形成銅電鍍膜29的電極221、 222上通過(guò)電鍍形成通路 孔260，故電極221、 222和通路孔260的連接性高，即使進(jìn)行熱循環(huán) 試驗(yàn)，在電極221、 222和通路孔260之間也不會(huì)產(chǎn)生斷路。也不會(huì)產(chǎn) 生遷移，也不會(huì)引起電容器的通路孔連接部處的不良情況。此外，上述銅電鍍膜29在片狀電容器的制造階段中，在把覆蓋在 金屬層26的表面上的鎳/錫層(覆蓋層)、在向印刷布線(xiàn)板裝載的階段 中剝離下來(lái)之后，進(jìn)行設(shè)置?？纱栽谄瑺铍娙萜?20的制造階段 中，在金屬層26上直接覆蓋銅電鍍膜29。即，第一特例中，與第二實(shí)施形態(tài)同樣，用激光設(shè)置直到電極的銅電鍍膜29的開(kāi)口后，進(jìn)行去污 斑處理等，通過(guò)銅電鍍形成通路孔。因此，銅電鍍膜29的表面上即使 形成氧化膜，由于也能夠用上述激光及去污斑處理去除氧化膜，故可 進(jìn)行適當(dāng)?shù)倪B接。而且，片狀電容器220的陶資構(gòu)成的介電體23的表面上設(shè)置粗化 層23a。因此，陶覺(jué)構(gòu)成的片狀電容器220與樹(shù)脂構(gòu)成的層間樹(shù)脂絕 緣層240的密接性高，即使實(shí)施熱循環(huán)試驗(yàn)，界面處的層間樹(shù)脂絕緣 層240也不發(fā)生剝離。該粗化層23a可在燒制后通過(guò)研磨片狀電容器 220的表面，還在燒制前通過(guò)實(shí)施粗化處理而形成。此外，第一特例中， 在電容器的表面實(shí)施粗化處理，提高了和樹(shù)脂的密接性，但可代之以 在電容器的表面實(shí)施硅烷偶聯(lián)處理。另夕卜，如圖13(B)所示，可去除電容器220的第一、笫二電極21、 22的覆蓋膜28的一部分來(lái)使用。這是由于通過(guò)露出第一電極21、第 二電極22可提高與由電鍍構(gòu)成的通路孔的連接性。 (第二實(shí)施形態(tài)的第二變形例)接著，參考圖14說(shuō)明第二實(shí)施形態(tài)的第二變形例的印刷布線(xiàn)板的 結(jié)構(gòu)。該第二變形例的印刷布線(xiàn)板的結(jié)構(gòu)與上述第一實(shí)施形態(tài)基本相同。 但是，容納到核心基板30中的片狀電容器20不同。圖14表示片狀電 容器的平面圖。圖14 (A)表示多個(gè)使用的、切斷之前的片狀電容器， 圖中的點(diǎn)劃線(xiàn)表示切斷線(xiàn)。上述的第一實(shí)施形態(tài)的印刷布線(xiàn)板中，如 在圖14 (B)中平面圖所示，在片狀電容器的側(cè)緣上配置第一電極21 和第二電極22。圖14 (C)表示第二變形例的多個(gè)使用的、切斷前的 片狀電容器，圖中的點(diǎn)劃線(xiàn)表示切斷線(xiàn)。第二變形例的印刷布線(xiàn)板中， 如圖14 (D)平面圖所示，在片狀電容器的側(cè)緣的內(nèi)側(cè)上配置第一電極 21和第二電極22。該第二變形例的印刷布線(xiàn)板上，由于使用在外緣內(nèi)側(cè)形成電極的片 狀電容器20，可使用容量大的片狀電容器。接著，參考圖15說(shuō)明第二變形例的第一特例的印刷布線(xiàn)板。圖15表示第一特例的印刷布線(xiàn)板的核心基板上容納的片狀電容器 20的平面圖。上述的第一實(shí)施形態(tài)中，在核心基板上容納多個(gè)小容量 的片狀電容器，在第一特例中，在核心基板中容納大容量的大型的片狀電容器20。這里，片狀電容器20由第一電極21、第二電極22、介 電體23、連接于第一電極21的第一導(dǎo)電膜24、連接于笫二電極22側(cè) 上的第二導(dǎo)電膜25、未連接于第一導(dǎo)電膜24和第二導(dǎo)電膜25的片狀 電容器的上下表面的連接用的電極27構(gòu)成。經(jīng)該電極27連接IC芯片 側(cè)和子板側(cè)。該第一變形例的印刷布線(xiàn)板中，由于使用大型的片狀電容器20, 故可使用容量大的片狀電容器。另外，由于使用大型的片狀電容器20， 故即使反復(fù)熱循環(huán)印刷布線(xiàn)板也不會(huì)發(fā)生翹曲。參考圖16說(shuō)明第二特例的印刷布線(xiàn)板。圖16 (A)表示多個(gè)使用 的、切斷之前的片狀電容器，圖中的點(diǎn)劃線(xiàn)表示通常的切斷線(xiàn)，圖16 (B)表示片狀電容器的平面圖。如在圖16 (B)中所示，該第二特例 中，連接多個(gè)(圖中之例為3個(gè))、多個(gè)使用的片狀電容器而以大型來(lái) 使用。該第二特例中，由于使用大型的片狀電容器20故可使用容量大的 片狀電容器。另外，由于使用大型的片狀電容器20,故即使反復(fù)熱循 環(huán)印刷布線(xiàn)板也不會(huì)發(fā)生翹曲。上述的實(shí)施形態(tài)中，把片狀電容器內(nèi)裝在印刷布線(xiàn)板中，但也可使 用在陶瓷板上設(shè)置導(dǎo)電膜而構(gòu)成的板狀電容器，來(lái)代替片狀電容器。如以上說(shuō)明了的那樣，按照第二實(shí)施形態(tài)，由于核心基板內(nèi)可容納 電容器、IC芯片與電容器的距離變短，故可降低印刷布線(xiàn)板的環(huán)路電 感。另外，由于層疊多個(gè)形成了導(dǎo)體電路的樹(shù)脂基板來(lái)形成核心基板， 故可提高核心基板內(nèi)的布線(xiàn)密度，可減少層間樹(shù)脂絕緣層的層數(shù)。由于在核心基板與電容器之間填充樹(shù)脂，故即使產(chǎn)生了起因于電容 器等的應(yīng)力，也可得到緩解。不產(chǎn)生遷移。因此，不影響電容器的電 極和通路孔的連接部的剝離和溶解等。從而即使進(jìn)行可靠性試驗(yàn)，也 可保持所希望的性能。另外，由銅覆蓋電容器時(shí)，也能防止產(chǎn)生遷移。 (笫三實(shí)施形態(tài))參考圖30和31說(shuō)明本發(fā)明的第三實(shí)施形態(tài)的印刷布線(xiàn)板的結(jié)構(gòu)。 圖30表示印刷布線(xiàn)板410的剖面，圖31表示圖30所示的印刷布線(xiàn)板 410上裝載IC芯片490、向子板495側(cè)安裝的狀態(tài)。如圖30所示，印刷布線(xiàn)板410由容納多個(gè)片狀電容器420的核心基板430和裝配布線(xiàn)層480A、 480B構(gòu)成。裝配布線(xiàn)層480A、 480B由 層間樹(shù)脂絕緣層540、 541構(gòu)成。裝配布線(xiàn)層4S0A、 480B的層間樹(shù)脂 絕緣層540上形成導(dǎo)體電路558和通路孔560，在層間樹(shù)脂絕緣層541 上形成導(dǎo)體電路559和通路孔564。在層間樹(shù)脂絕緣層541之上形成阻 焊劑層470。核心基板430上配置和片狀電容器420連接的通路孔460 和導(dǎo)體電路458。裝配布線(xiàn)層480A和裝配布線(xiàn)層480B經(jīng)在核心基板 430上形成的通孔456連接。如圖30所示，片狀電容器420由第一電極421和笫二電極422以 及被第一和第二電極夾住的介電體423構(gòu)成，介電體23上相對(duì)配置多 對(duì)連接于第一電極421側(cè)的第一導(dǎo)電膜424和連接于第二電極422側(cè) 的第二導(dǎo)電膜425。如圖31所示，上側(cè)的裝配布線(xiàn)層480A上配置用于連接到IC芯片 490的連接端492E、 492P、 492S的焊料凸點(diǎn)476U。另一方面，下側(cè)的 裝配布線(xiàn)層480B上配置用于連接到子板495的連接端494E1、 494E2、 494P1、 494P2、 494S的焊料凸點(diǎn)476D。IC芯片490的信號(hào)用連接端492S經(jīng)凸點(diǎn)476U -導(dǎo)體電路559 -通 路孔564 -導(dǎo)體電路558 -通路孔560 -通孔456 -通路孔560 -導(dǎo)體電 路558 -通路孔564 -導(dǎo)體電路559 -墊塊476D連接到子板495的信號(hào) 用連接端494S。IC芯片490的接地用連接端492E經(jīng)凸點(diǎn)476U -通路孔564 -導(dǎo)體 電路558 —通路孔560 —導(dǎo)體電路458 —通路孔460連接到片狀電容器 420的第一電極421。另一方面，子板495的接地用連接端494E1經(jīng)凸 點(diǎn)476D -通路孔564 -導(dǎo)體電路558 -通路孔560 -通孔456 -導(dǎo)體電 路458 -通路孔460連接到片狀電容器420的第一電極421。接地用連 接端494E2經(jīng)凸點(diǎn)476D -通路孔564 -導(dǎo)體電路558 -通路孔560 -導(dǎo) 體電路458 -通路孔460連接到片狀電容器420的第一電極421。IC芯片490的電源用連接端492P經(jīng)凸點(diǎn)476U -通路孔564 -導(dǎo)體 電路558 —通路孔560 -導(dǎo)體電路458 —通路孔460連接到片狀電容器 420的第二電極422。另一方面，子板495的電源用連接端494P1經(jīng)凸 點(diǎn)476D -通路孔564 -導(dǎo)體電路558 -通路孔560 -通孔456 -導(dǎo)體電 路458 -通路孔460連接到片狀電容器420的第二電極422。另外，電 源用連接端494P2經(jīng)凸點(diǎn)476D-通路孔564 -導(dǎo)體電路558 -通路孔560 -導(dǎo)體電路458 -通路孔460連接到片狀電容器420的第二電極 422。在該實(shí)施形態(tài)中，經(jīng)通孔456從子板495側(cè)向片狀電容器"0的 第一、第二電極421、 422連接，但可省略經(jīng)通孔的連接。如圖30所示，本實(shí)施形態(tài)的核心基板430由經(jīng)粘接材料連接片狀 電容器420的第一樹(shù)脂基板430a、經(jīng)粘接用樹(shù)脂層(粘接板)438a連 接于第一樹(shù)脂基板430a的第二樹(shù)脂基板430b以及經(jīng)粘接用樹(shù)脂層(粘 接板)438b連接于第二樹(shù)脂基板430b的第三樹(shù)脂基板430c構(gòu)成。在 第二樹(shù)脂基板430b上形成可容納片狀電容器420的開(kāi)口 430B。這樣，由于核心基板430內(nèi)可容納片狀電容器420，故縮短IC芯 片490和片狀電容器420的距離，可降低印刷布線(xiàn)板410的環(huán)路電感。 另外，由于層疊第一樹(shù)脂基板430a、第二樹(shù)脂基板430b和第三樹(shù)脂基 板430c而形成，核心基板430內(nèi)可得到足夠的強(qiáng)度。而且，通過(guò)在核 心基板430的兩面上配置第一樹(shù)脂基板430a、第三樹(shù)脂基板430c而平 滑地構(gòu)成核心基板430，故可在核心基板430之上適當(dāng)形成層間樹(shù)脂絕 緣層540、 541及導(dǎo)體電路558、 559、通路孔560、 564，可降低印刷 布線(xiàn)板的不合格品發(fā)生率。該實(shí)施形態(tài)中，由于核心基板430的兩面上設(shè)置通路孔460,故可 以最短的距離連接IC芯片490和片狀電容器420、還有，子板495與 片狀電容器420，可從子板向IC芯片提供瞬時(shí)大功率。而且，本實(shí)施形態(tài)中，如圖25 (D)所示使絕緣粘接劑436介于， 第一樹(shù)脂基板430a與片狀電容器420之間。這里，粘接劑436的熱膨 脹率設(shè)定得比核心基板430的小，即，設(shè)定在由陶瓷構(gòu)成的片狀電容 器420附近。因此，在熱循環(huán)試驗(yàn)中，即使核心基板及粘接劑436和 片狀電容器420之間因熱膨脹率差別而產(chǎn)生應(yīng)力，在核心基板上也難 以產(chǎn)生斷裂、剝離等，可實(shí)現(xiàn)高可靠性。還有，也能防止遷移的發(fā)生。接著，就參考圖30的上迷的印刷布線(xiàn)板的制造方法，參考圖25~ 圖30來(lái)說(shuō)明。(1)以厚度為0. lmm的玻璃織物等的芯體材料中浸含BT (粘膠絲 馬來(lái)酰亞胺三氮雜苯)樹(shù)脂并固化后的樹(shù)脂基板的一個(gè)面上層疊銅箔 432的單面覆銅層疊板430M(第一樹(shù)脂基板430a和第三樹(shù)脂基板430c) 作為起始材料(參考圖25 (A))。接著，把該覆銅層疊板430M的銅箔432蝕刻成圖形，從而在銅箔432上形成通路孔形成用開(kāi)口 432a (參考圖25 (B))。(2) 隨后，使用印刷機(jī)在第一樹(shù)脂基板430a的沒(méi)有層疊銅箔432 的面上，涂布熱固化系或UV固化系粘接材料436 (參照?qǐng)D25 (C))。 此時(shí)，除涂布外，可使用澆灌等。隨后，把多個(gè)陶瓷構(gòu)成的片狀電容器420裝載在粘接材料436上， 經(jīng)粘接材料436把片狀電容器420粘接到第一樹(shù)脂基板430a (參照?qǐng)D 25(D))。片狀電容器420可以是一個(gè)或多個(gè)，但通過(guò)使用多個(gè)片狀電 容器420可實(shí)現(xiàn)電容器的高集成化。(3) 接著，準(zhǔn)備玻璃織物等的芯體材料中浸含環(huán)氧樹(shù)脂的粘接用 樹(shù)脂層(粘接用樹(shù)脂層)438a、 438b及玻璃織物等的芯體材料中浸含 BT樹(shù)脂并固化的第二樹(shù)脂基板430b(厚度0. 4mm)。粘接用樹(shù)脂層438a 和第二樹(shù)脂基板430b中形成可容納片狀電容器420的開(kāi)口 36A、 430B。 首先，在把層疊了銅箔432的面放在下面的第三樹(shù)脂基板430c之上經(jīng) 粘接用樹(shù)脂層438b裝載第二樹(shù)脂基板430b。接著，在第二樹(shù)脂基板 430b上經(jīng)粘接用樹(shù)脂層438a對(duì)一樹(shù)脂基板430a進(jìn)行反轉(zhuǎn)裝載。即， 連接于第一樹(shù)脂基板430a的片狀電容器420向著粘接用樹(shù)脂層438a 側(cè)，重合成在第二樹(shù)脂基板430b中形成的開(kāi)口 430B中可容納片狀電 容器420 (參考圖26(A))。這樣，核心基板430內(nèi)可容納片狀電容器 420，可提供降低環(huán)路電感的印刷布線(xiàn)板。另外，不能把陶瓷和A1N等的基板用作核心基板。這是因?yàn)樵摶?的外形加工性差，不能容納電容器，即使用樹(shù)脂填充也會(huì)產(chǎn)生空隙。(4) 另外，通過(guò)使用熱壓對(duì)重合的基板進(jìn)行壓力加工，對(duì)第一、第 二、第三樹(shù)脂基板430a、 430b、 430c進(jìn)行多層一體化，形成具有多個(gè) 片狀電容器420的核心基板430 (參考圖26 (B))。這里，首先，通過(guò)加壓把環(huán)氧樹(shù)脂(絕緣性樹(shù)脂)從粘接用樹(shù)脂層 438a、 438b壓出到周?chē)?，填充開(kāi)口 430B和片狀電容器420之間的間隙。 而且，由于與加壓同時(shí)進(jìn)行加熱，故環(huán)氧樹(shù)脂固化，通過(guò)把粘接用樹(shù) 脂層438a、 438b作為粘接用樹(shù)脂(粘接板)介于中間，強(qiáng)固地粘接笫 一、笫二、第三樹(shù)脂基板430a、 430b、 430c。另外，本實(shí)施形態(tài)中， 利用從粘接用樹(shù)脂層出來(lái)的環(huán)氧樹(shù)脂填充開(kāi)口 430B內(nèi)的間隙，但是， 也可代之以在開(kāi)口 430B內(nèi)配置填充材料。這里，由于在核心基板430的兩面上配置平滑的笫一樹(shù)脂基板430a、第三樹(shù)脂基板430c，核心基板430的平滑性不受損壞，在后述 工序中在核心基板430之上可適當(dāng)形成層間樹(shù)脂絕緣層540、 541和導(dǎo) 體電路558、 559、通路孔560、 564，可降^f氐印刷布線(xiàn)板的不合格品發(fā) 生率。另外，核心基板430上可得到足夠的強(qiáng)度。(5) 隨后，通過(guò)照射激光，去除從銅箔432的通路孔形成用開(kāi)口 432a露出的部位，形成直到片狀電容器420的第一電極421和第二電 極422的通路孔用開(kāi)口 442。即，把銅箔432用作共形掩模，通過(guò)激光 在核心基板430上形成通路孔用開(kāi)口 442。之后，在基板的另一面上也 進(jìn)行同樣的工序(參考圖26 (C))。由此，由于通路孔的開(kāi)口 口徑依賴(lài)于銅箔432的通路孔形成用開(kāi)口 432的開(kāi)口口徑，故可以適當(dāng)?shù)拈_(kāi)口 口徑形成通路孔。同樣，由于通路 孔的開(kāi)口位置精度也依賴(lài)于銅箔432的通路孔形成用開(kāi)口 432的開(kāi)口 位置，故即使激光照射位置精度低，也可在適當(dāng)位置形成通路孔。(6) 接著，通過(guò)鉆頭或激光在核心基板430上形成通孔用貫通孔 444 (參考圖26 (D))。之后，使用氧等離子體進(jìn)行去污斑處理?；蛘?使用過(guò)錳酸等的藥液進(jìn)行去污斑處理。(7) 隨后，使用日本真空技術(shù)林式會(huì)社制造的SV-4540進(jìn)行等離 子體處理，在核心基板430的整個(gè)表面上形成粗化面。此時(shí)，作為惰 性氣體使用氬氣，在功率200W、氣壓O. 6Pa、溫度70t:的條件下，進(jìn) 行2分鐘的等離子體處理。接著，以Ni和Cu作為靶進(jìn)行濺射，在核 心基板430的表面上形成Ni-Cu金屬層448 (參考圖27 U ))。這里， 雖然使用濺射，但也可通過(guò)非電解電鍍形成銅、鎳等的金屬層。此外， 也可根據(jù)情況用濺射形成后，形成非電解電鍍膜。可通過(guò)酸或氧化劑 實(shí)施粗化處理。還有，粗化層希望為0. 1~5微米。(8) 接著，在Ni-Cu金屬層448的表面上貼合感光性干膜，裝載 掩模，進(jìn)行曝光顯像處理，形成規(guī)定圖形的抗蝕劑450。之后，把核心 基板430浸入電解電鍍液中，經(jīng)Ni-Cu金屬層448流過(guò)電流，在未形 成抗蝕劑450的部分上在下面的條件下進(jìn)行電解電鍍，形成電解電鍍 膜452 (參考圖27 (B)):[電解電鍍水溶液] 硫酸2. 24mol/l 硫酸銅0. 26mol/l添加劑(7卜亍夕夕'〉'弋A》社制造的力川，夕卜* HL) 19. 5ml/1[電解電鍍條件〗電流密度 1A/dm2時(shí)間 120分鐘溫度 22±2匸(9) 用5%的NaOH剝離去除抗蝕劑450后，通過(guò)使用硝酸和硫酸 與雙氧水的混合液的蝕刻溶解去除該抗蝕劑450下面的Ni-Cu金屬層 448和銅箔432，形成銅箔432、 Ni-Cu金屬層448和電解電鍍膜452 構(gòu)成的導(dǎo)體電路458 (包括通路孔460 )及通孔456。接著，對(duì)基板進(jìn) 行水洗干燥后，用噴霧器在基板兩面上噴上蝕刻液，通過(guò)蝕刻導(dǎo)體電 路458 (包括通路孔460 )及通孔456的表面，在導(dǎo)體電路"8 (包括 通路孔460 )及通孔456的整個(gè)表面上形成粗化面462(參考圖27(C))。 作為蝕刻液，使用IO份重量的銅(II)亞胺溶液絡(luò)合物、7份重量的乙 二醇酸、5份重量的氯化鉀和78份重量的離子交換水的混合物。(10) 使用印刷機(jī)把以環(huán)氧系樹(shù)脂為主要成分的樹(shù)脂填充劑464 涂布到基板430的兩面上，從而填充到導(dǎo)體電路458之間或通孔456 內(nèi)，進(jìn)行加熱干燥。即，通過(guò)該工序，在導(dǎo)體電路458之間，通路孔 460、通孔456內(nèi)填充樹(shù)脂填充劑464 (參考圖27 (D))。(11 )對(duì)結(jié)束上述(10 )的處理的基板"0的一個(gè)面通過(guò)使用帶狀 研磨紙(三共理化學(xué)社制造)的帶砂研磨，以在導(dǎo)體電路458的表面 和通孔456的凸緣(rand)表面456a上不殘留樹(shù)脂填充劑464的方式進(jìn) 行研磨，接著，進(jìn)行去除因上述帶砂研磨產(chǎn)生的劃傷用的拋光研磨，。 對(duì)基板430的另一面也同樣進(jìn)行這樣一連串的研磨。接著，加熱并固 化填充的樹(shù)脂填充劑464。這樣一來(lái)，除去通孔456等中填充的樹(shù)脂填 充劑464的表層部和導(dǎo)體電路458上表面的粗化面462而平滑基板430 的兩面，經(jīng)粗化面462把樹(shù)脂填充劑464和導(dǎo)體電路458強(qiáng)固地密著， 得到經(jīng)粗化面462把通孔456的內(nèi)壁面和樹(shù)脂填充劑464強(qiáng)固地密著 的布線(xiàn)基板。接著，用噴霧器在基板430的兩面上噴上與上述(9)中使用的蝕 刻液相同的蝕刻液，通過(guò)蝕刻一度平坦的導(dǎo)體電路458的表面和通孔 456的凸緣表面456a,在導(dǎo)體電路458的整個(gè)表面上形成粗化面458 oc (參考圖28 (A))。(12 )在經(jīng)過(guò)上述工序的基板430上，邊對(duì)后述的熱固化型環(huán)氧系 樹(shù)脂板進(jìn)行升溫到50~ 1501C,邊在5kg/cn^的壓力真空壓發(fā)的層疊， 設(shè)置層間樹(shù)脂絕緣層540 (參考圖28 (B))。真空壓接時(shí)的真空度是 10mmHg。(13) 接著，通過(guò)激光在層間樹(shù)脂絕緣層540上形成通路孔用開(kāi)口 542 (參考圖28 (C))。(14) 隨后，使用工序(7)使用的日本真空技術(shù)林式會(huì)社制造的 SV-4540進(jìn)行等離子體處理，在層間樹(shù)脂絕緣層540的表面上形成粗化 面540 oc (參考圖28(D))。在此，也可通過(guò)酸或氧化劑實(shí)施粗化處理。 還有，粗化層希望為0. 1~5微米。(15) 隨后與工序(7)同樣，以Ni和Cu作為靶進(jìn)行濺射，在層 間樹(shù)脂絕緣層540的表面上形成Ni-Cu金屬層548 (參考圖29 (A))。 這里，雖然使用濺射，但也可通過(guò)非電解電鍍形成銅、鎳等的金屬層。 此外，也可根據(jù)情況用濺射形成后，形成非電解電鍍膜，(16) 隨后與工序(8)同樣，在Ni-Cu金屬層5"的表面上貼合 感光性干膜，裝載掩模，進(jìn)行曝光顯像處理，形成規(guī)定圖形的抗蝕劑 544。之后，把基板浸入電解電鍍液中，經(jīng)Ni-Cu金屬層流過(guò)電流， 在未形成抗蝕劑544的部分上進(jìn)行電解電鍍，形成電解電鍍膜(參 考圖29 (B))。(17) 隨后，進(jìn)行與工序(9)同樣的處理，形成Ni-Cu金屬層548 和電解電鍍膜552構(gòu)成的導(dǎo)體電路558 (包括通路孔560 )。接著，對(duì) 基板進(jìn)行水洗干燥后，用噴霧器在基板兩面上噴上蝕刻液，通過(guò)蝕刻， 在導(dǎo)體電路558 (包括通路孔560 )的整個(gè)表面上形成粗化面154 (參 考圖29 (C))。(18) 通過(guò)反復(fù)(12) ~ (U)的工序，在上層上形成層間樹(shù)脂絕 緣層541和導(dǎo)體電路559 (包括通路孔564 )和粗化面565 (參考圖 29(D))。由于以后的工序與上迷第一實(shí)施形態(tài)的(16) ~ (19)相同，故省 略了其說(shuō)明。由于把IC芯片490裝載到在上述工序中完成了的印刷布線(xiàn)板410 以及向子板495安裝的情況與第一實(shí)施形態(tài)一樣，故省略了其說(shuō)明。 (第三實(shí)施形態(tài)的第一特例)參考圖32說(shuō)明本發(fā)明的第三實(shí)施形態(tài)的第一特例的印刷布線(xiàn)板。 第一特例的印刷布線(xiàn)板和上述第三實(shí)施形態(tài)基本相同。但是，該第一 特例的印刷布線(xiàn)板中，配設(shè)導(dǎo)電連接管腳496，經(jīng)該導(dǎo)電連接管腳496 與子板連接而形成。另外，上述第三實(shí)施形態(tài)中，僅配置在核心基板430中容納的片狀 電容器420,但在第一特例中，在表面和里面都安裝大容量的片狀電容 器486'IC芯片瞬時(shí)消耗大功率進(jìn)行復(fù)雜的運(yùn)算。這里，為在IC芯片側(cè)上 提供大功率，在變形例中，在印刷布線(xiàn)板上配設(shè)電源用的片狀電容器 420和片狀電容器486。對(duì)于該片狀電容器的效果，參考圖12來(lái)說(shuō)明。圖12以對(duì)IC芯片供給的電壓作為縱軸，以時(shí)間作為橫軸。這里， 雙點(diǎn)劃線(xiàn)C表示未配備電源用電容器的印刷布線(xiàn)板的電壓變動(dòng)。沒(méi)有 配備電源用電容器時(shí)，電壓大大衰減。虛線(xiàn)A表示在表面上安裝了片 狀電容器的印刷布線(xiàn)板的電壓變動(dòng)。與上述雙點(diǎn)劃線(xiàn)C相比，電壓沒(méi) 有很大的降低，但因環(huán)路長(zhǎng)度變長(zhǎng)，故不能充分地進(jìn)行快速的電源供 電。即，在供電開(kāi)始時(shí)電壓下降。另外，雙點(diǎn)劃線(xiàn)B表示參考圖31內(nèi) 裝上述的片狀電容器的印刷布線(xiàn)板的電壓下降，環(huán)路長(zhǎng)度可縮短，但 由于核心基板430上不能容納容量大的片狀電容器，故電壓變動(dòng)。這 里，實(shí)線(xiàn)E表示參考圖32安裝上述核心基板內(nèi)的片狀電容器420、還 在表面上安裝大容量的片狀電容器486的變形例的印刷布線(xiàn)板的電壓 變動(dòng)。通過(guò)在IC芯片附近配置片狀電容器420還配置大容量(及相對(duì) 大的電感)的片狀電容器486,把電壓變動(dòng)抑制到最小。 (第三實(shí)施形態(tài)的第一變形例)接著，參考圖36說(shuō)明本發(fā)明的第三實(shí)施形態(tài)的第一變形例的印刷 布線(xiàn)板414。該第三實(shí)施形態(tài)的第一變形例的印刷布線(xiàn)板的結(jié)構(gòu)與上述 第三實(shí)施形態(tài)基本相同。但是，參考圖30說(shuō)明的上述第三實(shí)施形態(tài)中， 導(dǎo)體電路458由銅箔432和Ni-Cu金屬層448、電解電鍍膜452共3 層構(gòu)成。與此相對(duì)，第三實(shí)施形態(tài)的笫一變形例的印刷布線(xiàn)板412中， 導(dǎo)體電路458由非電解電鍍膜443和電解電鍍膜452共2層構(gòu)成。即 通過(guò)去除銅箔432、把厚度減薄，以細(xì)小間距形成導(dǎo)體電路458。在第三實(shí)施形態(tài)的第一變形例的印刷布線(xiàn)板414中，設(shè)置容納片狀 電容器420的開(kāi)口 430B的第二樹(shù)脂基板430b的兩面上形成導(dǎo)體電路"5。該第三實(shí)施形態(tài)的第一變形例中，由于第二樹(shù)脂基板430b的兩 面上形成導(dǎo)體電路435，故優(yōu)點(diǎn)是可提高核心基板430內(nèi)的布線(xiàn)密度， 減少裝配的層間樹(shù)脂絕緣層的層數(shù)。另外，在第三實(shí)施形態(tài)的第一變形例的印刷布線(xiàn)板中，如圖13(A) 所示，在完全剝離第一、第二電極421、 422的覆蓋層(圖中未示出) 后，用銅電鍍膜29覆蓋片狀電容器420。接著，用銅電鍍形成的通路 孔460在用銅電鍍膜29覆蓋的第一、第二電極421、 422上作電連接。 這里，片狀電容器的電極421、 422在金屬化構(gòu)成的表面上有凹凸。因 此，剝落金屬層的狀態(tài)下使用時(shí)，在第一樹(shù)脂基板430a中穿設(shè)非貫通 孔442的工序中，在該凹凸上會(huì)殘留樹(shù)脂。此時(shí)，通過(guò)該樹(shù)脂殘留會(huì) 產(chǎn)生第一、第二電極421、 422與通路孔460的在接不良。與此相對(duì)， 在第三實(shí)施形態(tài)的第一變形例中，通過(guò)銅電鍍膜29使第一、第二電極 421、 422的表面平滑，在電極上覆蓋的第一樹(shù)脂基板430a中穿設(shè)開(kāi)口 442時(shí)，不會(huì)殘留樹(shù)脂，可提高形成通路孔460時(shí)的與電極421、 422 的連接可靠性。而且由于形成銅電鍍膜29的電極421、 422上通過(guò)電鍍形成通路孔 460，故電極421、 422和通路孔460的連接性高，即4吏進(jìn)4亍熱循環(huán)試 驗(yàn)，在電極421、 422和通路孔460之間也不會(huì)產(chǎn)生斷路。也不會(huì)產(chǎn)生 遷移，也不會(huì)引起電容器的通路孔連接部處的不良情況。此外，上述銅電鍍膜29在片狀電容器的制造階段中，在把覆蓋在 金屬層26的表面上的鎳/錫層(覆蓋層)、在向印刷布線(xiàn)板裝載階段中 剝離下來(lái)之后，進(jìn)行設(shè)置。可代之以在片狀電容器420的制造階段中， 在金屬層26之上直接覆蓋銅電鍍膜29。即，第三實(shí)施形態(tài)的第一變形 例中，與第三實(shí)施形態(tài)同樣，用激光設(shè)置直到電極的銅電鍍膜29的開(kāi) 口后，進(jìn)行去污斑處理等，通過(guò)銅電鍍形成通路孔。因此，銅電鍍膜 29的表面上即使形成氧化膜，由于也能夠用上述激光及去污斑處理去 除氧化膜，故可進(jìn)行適當(dāng)?shù)倪B接。而且，片狀電容器420的陶瓷構(gòu)成的介電體423的表面上設(shè)置粗化 層23oc。因此，陶資構(gòu)成的片狀電容器420與樹(shù)脂構(gòu)成的粘接層438a、 438b的密接性高，即使實(shí)施熱循環(huán)試驗(yàn)，界面處的第一樹(shù)脂基板430a 也不發(fā)生剝離。該粗化層23oc可在燒制后通過(guò)研磨片狀電容器420的 表面，還在燒制前通過(guò)實(shí)施粗化處理而形成。此外，第三實(shí)施形態(tài)的第一變形例中，在電容器的表面實(shí)施粗化處理，提高了和樹(shù)脂的密接 性，但可代之以在電容器的表面實(shí)施硅烷偶聯(lián)處理。另夕卜，如圖13(B)所示，可去除電容器420的第一、第二電極21、 22的覆蓋膜28的一部分來(lái)使用。這是由于通過(guò)露出第一電極21、第 二電極22可提高與電鍍構(gòu)成的通路孔的連接性。本發(fā)明的第三實(shí)施形態(tài)的第一變形例的印刷布線(xiàn)板的制造工序參 考圖33到35來(lái)說(shuō)明。(1) 準(zhǔn)備厚度為0. lmm的玻璃織物等的芯體材料中浸含BT (粘膠 絲馬來(lái)酰亞胺三氮雜苯)樹(shù)脂并固化后的樹(shù)脂基板的一個(gè)面上層疊銅 箔432的單面覆銅層疊板430M (第一樹(shù)脂基板430a和第三樹(shù)脂基板 430c)。準(zhǔn)備厚度為0. 4mm的玻璃織物等的芯體材料中浸含BT(粘膠絲 馬來(lái)酰亞胺三氮雜苯)樹(shù)脂并固化后的樹(shù)脂基板的兩面上層疊銅箔432 的兩面覆銅層疊板430N (第二樹(shù)脂基板"0b)(參考圖33 (A))。(2) 接著把該覆銅層疊板430M的銅箔432蝕刻成圖形，從而在銅 箔432上形成通路孔形成用開(kāi)口 432a。同樣把雙面覆銅層疊板430N 的銅箔432蝕刻成圖形，形成導(dǎo)體電路435 (參考圖33(B))。在第三 實(shí)施形態(tài)的第一變形例中，由于在第二樹(shù)脂基板430b的兩面上形成導(dǎo) 體電路435，故可提高核心基板的布線(xiàn)密度，可減少裝配的層間樹(shù)脂絕 緣層的層數(shù)。(3) 隨后，使用印刷機(jī)在第一樹(shù)脂基板430a的沒(méi)有層疊銅箔432 的面上，涂布熱固化系或UV固化系粘接材料436 (參考圖33 (C))。 此時(shí)，除涂布外，還可使用澆灌等。接著，把多個(gè)陶乾構(gòu)成的片狀電容器420裝載在粘接材料436上， 經(jīng)粘接材料436把片狀電容器420粘接到第一樹(shù)脂基板430a (參考圖 33(D))。片狀電容器420可以是一個(gè)或多個(gè)，但通過(guò)使用多個(gè)片狀電 容器420可實(shí)現(xiàn)電容器的高集成化。(4) 接著，準(zhǔn)備玻璃織物等的芯體材料中浸含環(huán)氧樹(shù)脂的粘接用 樹(shù)脂層(粘接用樹(shù)脂層)438a、 438b和第二樹(shù)脂基板430 b。粘接用 樹(shù)脂層438a和第二樹(shù)脂基板430b中形成可容納片狀電容器420的開(kāi) 口 36A、 430B。首先，在把層疊了銅箔432的面放在下面的第三樹(shù)脂基 板430c之上，經(jīng)粘接用樹(shù)脂層438b裝載第二樹(shù)脂基板430b。接著， 在第二樹(shù)脂基板430b之上經(jīng)粘接用樹(shù)脂層438a對(duì)第一樹(shù)脂基批430a進(jìn)行反轉(zhuǎn)裝載。即，重合成在第二樹(shù)—脂基板430b中形成的開(kāi)口 430B 上，容納片狀電容器420 (參考圖34(A))。這樣，核心基板430內(nèi)可 容納片狀電容器420，可提供降低環(huán)路電感的印刷布線(xiàn)板。(5) 另外，通過(guò)使用熱壓對(duì)重合的基板進(jìn)行壓力加工，對(duì)第一、第 二、第三樹(shù)脂基板430a、 430b、 430c進(jìn)行多層一體化，形成具有多個(gè) 片狀電容器420的核心基板430 (參考圖34 (B))。本實(shí)施形態(tài)中，利用從粘接用樹(shù)脂層出來(lái)的環(huán)氧樹(shù)脂填充了開(kāi)口 430B內(nèi)的間隙，但是，也可代之以在開(kāi)口 430B內(nèi)配置填充材料。這里，核心基板430的兩面是平滑的第一樹(shù)脂基板430a，第三樹(shù)脂 基板430c，核心基板430的平滑性不受損壞，在后述工序中在核心基 板430之上可適當(dāng)形成層間樹(shù)脂絕緣層540、541和導(dǎo)體電路558、 559、 通路孔560、 564，可降低印刷布線(xiàn)板的不合格品發(fā)生率。核心基板430 上可得到足夠的強(qiáng)度。(6) 隨后，從基板上照射激光，去除銅箔432的從通路孔形成用 開(kāi)口 432a露出的部位，形成直到片狀電容器420的第一電極421和第 二電極422的通路孔用開(kāi)口 442。即，把銅箔432用作共形掩模，通過(guò) 激光在核心基板430上形成通路孔用開(kāi)口 442。之后，在基板的另一面 上也進(jìn)行同樣的工序(看圖34(C))。由此，由于通路孔的開(kāi)口口徑依 賴(lài)于銅箔432的通路孔形成用開(kāi)口 432a的開(kāi)口 口徑，故可用適當(dāng)?shù)拈_(kāi) 口口徑形成通路孔。同樣，由于通路孔的開(kāi)口位置精度也依賴(lài)于銅箔 432的通路孔形成用開(kāi)口 432a的開(kāi)口位置，故即使激光照射位置精度 ^f氐，也可在適當(dāng)位置形成通路孔。(7) 之后，使用蝕刻液對(duì)核心基板430的兩面的銅箔432進(jìn)行蝕 刻，由此，將其去除。這樣，在后述的工序中，可把導(dǎo)體電路458的 厚度減薄，可形成細(xì)小間距。接著，通過(guò)鉆頭或激光在核心基板430上形成通孔用貫通孔444(參考圖34(D))。之后，使用氧等離子體進(jìn)行去污斑處理?；蛘呤褂眠^(guò)錳 酸等的藥液進(jìn)行去污斑處理。(8) 隨后，使用日本真空技術(shù)林式會(huì)社制造的SV-4540進(jìn)行等離 子體處理，在核心基板430的整個(gè)表面上形成粗化面446 (參考圖35(A))。此時(shí)，作為惰性氣體使用氬氣，在功率200W、氣壓0.6Pa、溫 度70r的條件下，進(jìn)行2分鐘的等離子體處理?？赏ㄟ^(guò)酸或氧化劑實(shí)施粗化處理。還有，粗化層希望為0. 1~5微米。(9)接著，把基板430浸漬在下面的成份的非電解銅電鍍水溶液 中，在整個(gè)粗化面446上形成厚度為0. 6到3. 0微米的非電解銅電鍍膜443 (參考圖35 (B)): [非電解電鍍水溶液]NiSi04 0. 003mol/l酒石酸 0. 200 mol/1硫酸銅 0. 0430mol/lHCH0 0. 050mol/lNaOH 0.100 mol/1 a， ct，- BP ，力k 40mg/l 聚乙烯乙二醇(PEG) 0. 10g/l[非電解電鍍條件]在35"C的溶液溫度下，40分鐘這里，使用了非電解電鍍，但也可通過(guò)濺射形成銅、鎳等金屬層。 另外，也可根據(jù)情況在用濺射形成之后，形成非電解電鍍膜。(IO)把市售的感光性干膜貼合在非電解銅電鍍膜4"上，裝載掩 模，以100mJ/cn^進(jìn)行啄光，在0. 8%的碳酸鈉水溶液中進(jìn)行顯像處理， 設(shè)置出厚度為30微米的電鍍抗蝕劑450。接著，在SO"C的水中洗凈基 板430并進(jìn)行脫脂，在25"C的水中水洗后，再用辟u(mài)酸清洗，之后，在 下面的條件下進(jìn)行電解銅電鍍，形成厚度為20微米的電解銅電鍍膜 452 (參考圖35 (C))。[電解電鍍水溶液〗硫酸2.24mol/l發(fā)u酸銅0. 26mol/l添加劑(7卜亍少夕-弋川7社制造的力乂《，少卜'HL) 19. 5ml/1[電解電鍍條件〗電流密度 1A/dm2時(shí)間 65分鐘溫度 22±2匸(11 )用5%的NaOH剝離去除電鍍抗蝕劑450后，通過(guò)使用硫酸與 雙氧水的混合液對(duì)該電鍍抗蝕劑450下面的非電解電鍍膜443進(jìn)行蝕刻處理、將其溶解去除，形成非電解銅電鍍膜443和電解銅電鍍膜452 構(gòu)成的18微米厚的導(dǎo)體電路458 (包括通路孔460 )和通孔456 (參考 圖35(D))。第三實(shí)施形態(tài)的第一變形例中，如上所述，通過(guò)預(yù)先除去 銅箔432，可把導(dǎo)體電路458的厚度減薄，可形成細(xì)小間距。另外，這 里，完全去除并剝離銅箔432,但是即使通過(guò)光蝕刻把銅箔432減薄， 也能降低導(dǎo)體電路458的厚度，形成細(xì)小間距。由于以后的工序與上述第三實(shí)施形態(tài)的(10) ~ (18)相同，故省 略了其說(shuō)明。在上述實(shí)施形態(tài)的第一變形例中，在核心基板的兩面上設(shè)置通路 孔，但也可僅在一個(gè)面上形成通路孔。此外，把核心基板430的表面 的銅箔432的開(kāi)口 432a作為共形掩模來(lái)使用，但也可以不使用核心基 板430的共形掩模而照射激光來(lái)設(shè)置直到電容器的開(kāi)口。 (第三實(shí)施形態(tài)的第二變形例)接著，參考圖14說(shuō)明第一實(shí)施形態(tài)的第二變形例的印刷布線(xiàn)板的 結(jié)構(gòu)。該笫二變形例的印刷布線(xiàn)板的結(jié)構(gòu)和上述第一實(shí)施形態(tài)基本相同。 但是，容納到核心基板30中的片狀電容器20不同。圖14表示片狀電 容器的平面圖。圖14 (A)表示多個(gè)使用的、切斷之前的片狀電容器， 圖中的點(diǎn)劃線(xiàn)表示切斷線(xiàn)。上述的第一實(shí)施形態(tài)的印刷布線(xiàn)板中，如 在圖14 (B)中平面圖所示，在片狀電容器的側(cè)緣上配置第一電極21 和第二電極22。圖14 (C)表示第二變形例的多個(gè)使用的、切斷前的 片狀電容器，圖中的點(diǎn)劃線(xiàn)表示切斷線(xiàn)。第二變形例的印刷布線(xiàn)板中， 如圖14 (D)平面圖所示，在片狀電容器的側(cè)緣的內(nèi)側(cè)上配置第一電極 21和第二電極22。該第二變形例的印刷布線(xiàn)板上，由于使用在外緣內(nèi)側(cè)形成電極的片 狀電容器20，故可使用容量大的片狀電容器。接著，參考圖15說(shuō)明第二變形例的第一特例的印刷布線(xiàn)板。圖15表示笫一特例的印刷布線(xiàn)板的核心基板上容納的片狀電容器 20的平面圖。上述的第一實(shí)施形態(tài)中，在核心基板上容納多個(gè)小容量 的片狀電容器，但在第一特例中，在核心基板中容納大容量的大型的 片狀電容器20。這里，片狀電容器20由第一電極21、第二電極22、 介電體23、連接于第一電極21的第一導(dǎo)電膜24、連接于第二電極22側(cè)上的第二導(dǎo)電膜25、未連接于第一導(dǎo)電膜24和第二導(dǎo)電膜25的片 狀電容器的上下表面的連接用電極27構(gòu)成。經(jīng)該電極27連接IC芯片 側(cè)和子板側(cè)。該第一變形例的印刷布線(xiàn)板中，由于使用大型的片狀電容器20， 所以可使用容量大的片狀電容器。另外，由于使用大型的片狀電容器 20，故即使反復(fù)熱循環(huán)印刷布線(xiàn)板也不會(huì)發(fā)生翹曲。參考圖16說(shuō)明第二特例的印刷布線(xiàn)板。圖16 (A)表示多個(gè)使用 的、切斷之前的片狀電容器，圖中的點(diǎn)劃線(xiàn)表示通常的切斷線(xiàn)，圖16 (B)表示片狀電容器的平面圖。如在圖16 (B)中所示，該第二特例 中，連接多個(gè)(圖中之例為3個(gè))、多個(gè)使用的片狀電容器而以大型來(lái) 使用。該第二特例中，由于使用大型的片狀電容器20，所以可使用容量 大的片狀電容器。另外，由于使用大型的片狀電容器20，故即使反復(fù) 熱循環(huán)印刷布線(xiàn)板也不會(huì)發(fā)生翹曲。上述的實(shí)施形態(tài)中，把片狀電容器內(nèi)裝在印刷布線(xiàn)板中，但也可使 用在陶資板上設(shè)置導(dǎo)電膜而構(gòu)成的板狀電容器，來(lái)代替片狀電容器。通過(guò)第三實(shí)施形態(tài)的結(jié)構(gòu)，由于核心基板內(nèi)可容納電容器、IC芯 片與電容器的距離變短，故可降低印刷布線(xiàn)板的環(huán)路電感。另外，由 于層疊樹(shù)脂基板來(lái)構(gòu)成，故核心基板上可得到足夠的強(qiáng)度。而且，由 于通過(guò)核心基板的兩面上配設(shè)第一樹(shù)脂基板、第三樹(shù)脂基板而平滑地 構(gòu)成核心基板，故能夠在核心基板之上適當(dāng)?shù)匦纬蓪娱g樹(shù)脂絕緣層和 導(dǎo)體電路，可降低印刷布線(xiàn)板的不合格品發(fā)生率。根據(jù)第三實(shí)施形態(tài)的制造方法，由于通路孔的開(kāi)口 口徑依賴(lài)于金屬 膜的開(kāi)口口徑，故可用適當(dāng)?shù)拈_(kāi)口口徑形成通路孔。同樣，由于通路孔的開(kāi)口位置精度也依賴(lài)于金屬膜的開(kāi)口位置，故即使激光照射位置精度低，也可在適當(dāng)位置形成通路孔。從電容器的下部也可連接，因此，可以說(shuō)是環(huán)路電感的距離縮短、 配置自由度增高的結(jié)構(gòu)。由于在核心基板和電容器之間填充樹(shù)脂，故即使產(chǎn)生了在于電容器 等的應(yīng)力，也可得到緩解，不會(huì)產(chǎn)生遷移，因此，不影響電容器的電 極和通路孔的連接部的剝離和溶解等。從而即使進(jìn)行可靠性試驗(yàn)，也 可保持所希望的性能。另外，由銅覆蓋電容器時(shí)，也能防止產(chǎn)生遷移。 (第四實(shí)施形態(tài))參考圖42到44說(shuō)明本發(fā)明的第四實(shí)施形態(tài)的印刷布線(xiàn)板的結(jié)構(gòu)。 圖42表示印刷布線(xiàn)板610的剖面，圖43表示圖42所示的印刷布線(xiàn)板 610上裝栽IC芯片690、向子板694側(cè)安裝的狀態(tài)。圖44 (A)為圖 42中的通路孔660的放大圖，圖44 (B)是表示從箭頭B側(cè)看去圖44 (A)中的通路孔660上配置多個(gè)通路孔760的狀態(tài)的示意圖，如圖42所示，印刷布線(xiàn)板610由容納多個(gè)片狀電容器620的核心 基板630和裝配布線(xiàn)層680A、 680B構(gòu)成。核心基板630容納的多個(gè)片 狀電容器620的電極621、 622上連接相對(duì)大的通路孔660。裝配布線(xiàn) 層680A、 680B由層間樹(shù)脂絕緣層740、 741構(gòu)成。層間樹(shù)脂絕緣層740 上形成導(dǎo)體電路758和相對(duì)小的通路孔760,在層間樹(shù)脂絕緣層741 上形成導(dǎo)體電路759和相對(duì)小的通路孔764。層間樹(shù)脂絕緣層7"之上 形成阻焊劑層670。如圖13(A)所示，片狀電容器620由第一電極621和第二電極622 以及#_第一和第二電極夾住的介電體23構(gòu)成，介電體23上相對(duì)配置 多對(duì)連接于第一電極621側(cè)的第一導(dǎo)電膜24和連接于第二電極6"側(cè) 的第二導(dǎo)電膜25。另外，如圖13 (B)所示，可去除片狀電容器 的第一電極21和第二電極22的覆蓋膜28的一部分來(lái)使用。這是由于 通過(guò)露出第一電極21、第二電極22可提高與電鍍形成的通路孔的連接 性。如圖43所示，上側(cè)的裝配布線(xiàn)層680A的通路孔764上形成用于連 接到IC芯片690的連接端692的焊料凸點(diǎn)676U。另一方面，下側(cè)的裝 配布線(xiàn)層680B的通路孔764上形成用于連接到子板695的連接端694 的焊料凸點(diǎn)676D。作為核心基板，使用樹(shù)脂構(gòu)成的物質(zhì)。例如，可使用浸含玻璃環(huán)氧 樹(shù)脂的基體材料、浸含苯酚樹(shù)脂的基體材料等的一般印刷布線(xiàn)板中使 用的樹(shù)脂材料。但是，不能把陶瓷和A1N等的基板用作核心基板，因 為該基板的外形加工性差，不能容納電容器，即使用樹(shù)脂填充也會(huì)產(chǎn) 生空隙。由于把多個(gè)片狀電容器620容納在核心基板630中形成的凹部734 中，故可高密度地配置片狀電容器620。另外，由于凹部734中容納多個(gè)片狀電容器620，故可對(duì)齊片狀電容器620的高度。因此，由于片狀 電容器620上的樹(shù)脂層640可做成均勻的厚度，故可適當(dāng)形成通路孔 660。此外，由于IC芯片690與片狀電容器620的距離縮短，故可降 低環(huán)路電感。如作為圖42和43的通路孔660的放大圖的圖44A所示，多個(gè)上側(cè) 的裝配布線(xiàn)層680A的通路孔760連接于1個(gè)通路孔660。如圖44 ( B ) 所示，形成為大通路孔660內(nèi)徑125微米，凸緣直徑165微米，小通 路孔760內(nèi)徑25微米，凸緣直徑65微米。另一方面，片狀電容器620 形成為矩形，第一電極621和第二電極622都形成為一邊為250微米 的矩形。因此，片狀電容器620的配置位置可偏離數(shù)十微米，也能連 接片狀電容器620的笫一電極621和第二電極622與通路孔660，能可 靠地進(jìn)行從片狀電容器620向IC芯片690的供電。還有，由于通過(guò)配 置多個(gè)通路孔760可得到與并聯(lián)連接電感部分相同的效果，故可提高 電源線(xiàn)和接地線(xiàn)的高頻特性，可防止供電不足或接地電平的變動(dòng)帶來(lái) 的IC芯片的誤工作。另外，從IC芯片到片狀電容器620的布線(xiàn)長(zhǎng)度 可縮短，從而可降低環(huán)路電感。如圖42所示，在通路孔660上填充電鍍，其表面作為平坦的填充 的通路孔而被形成。由此，通路孔660上可直接連接多個(gè)通路孔760。 從而可提高通路孔660與通路孔760的連接性，能可靠地進(jìn)行從片狀 電容器620向IC芯片690的供電。在本實(shí)施形態(tài)中，電鍍填充形成填 充的通路孔，但也可代之以，在內(nèi)部填充樹(shù)脂后、在表面上配置金屬 膜的填充通路孔作為通路孔660來(lái)使用。樹(shù)脂填充劑633和片狀電容器620下部的粘接材料636的膨脹率設(shè) 定得比核心基板630和樹(shù)脂絕緣層640小，即設(shè)定在由陶瓷構(gòu)成的片 狀電容器620附近。因此，在熱循環(huán)試驗(yàn)中，即使在核心基板630和 樹(shù)脂絕緣層640與片狀電容器620之間因熱膨脹率差別而產(chǎn)生內(nèi)應(yīng)力， 核心基板630和樹(shù)脂絕緣層640上也難以產(chǎn)生斷裂、剝離等，可實(shí)現(xiàn) 高可靠性。在片狀電容器620間的樹(shù)脂層633上形成通孔656，因此由于信號(hào) 線(xiàn)不通過(guò)陶乾構(gòu)成的片狀電容器620，不會(huì)發(fā)生強(qiáng)介電體帶來(lái)的阻抗不 連續(xù)所導(dǎo)致的反射和通過(guò)強(qiáng)介電體所帶來(lái)的傳輸延遲。如圖13(A)所示，片狀電容器620在構(gòu)成第一、第二電極621、622的金屬層26的表面上覆蓋銅電鍍膜29。電鍍膜凌蓋可通過(guò)電解電 鍍、非電解電鍍等電鍍形成。之后，如圖42所示，覆蓋銅電鍍膜29 的第一、第二電極621、 622上用銅電鍍形成的通路孔660作電連接。 這里，片狀電容器的電極621、 622在金屬化構(gòu)成的表面上有凹凸，因 此，剝落金屬層26的狀態(tài)下使用時(shí)，在后述的樹(shù)脂絕緣層640中穿設(shè) 開(kāi)口 639的工序中，在該凹凸上會(huì)殘留樹(shù)脂，此時(shí)，通過(guò)該樹(shù)脂殘留 會(huì)產(chǎn)生第一、第二電極621、 622與通路孔660的連接不良。與此相反， 在本實(shí)施形態(tài)中，通過(guò)銅電鍍膜29使第一、第二電極621、 622的表 面平滑，在電極上覆蓋的樹(shù)脂絕緣層640中穿設(shè)開(kāi)口 639時(shí)，不會(huì)殘 留樹(shù)脂，可提高形成通路孔660時(shí)的電極621、 622的連接可靠性。而且由于形成銅電鍍膜29的電極621、 622上通過(guò)電鍍形成通路孔 660，電極621、 622和通路孔660的連接性高，即使進(jìn)行熱循環(huán)試驗(yàn)， 在電極621、 622和通路孔660之間也不會(huì)產(chǎn)生斷路。此外，上述銅電鍍膜29在片狀電容器的制造階段中，在把覆蓋在 金屬層26的表面上的鎳/錫層、在向印刷布線(xiàn)板裝載的階段中剝離下 來(lái)之后進(jìn)行設(shè)置?？纱栽谄瑺铍娙萜?20的制造階段中，在金屬 層26上直接覆蓋銅電鍍膜29。即，在本實(shí)施形態(tài)中，用激光設(shè)置直到 電極的銅電鍍膜29的開(kāi)口后，進(jìn)行去污斑處理等，通過(guò)銅電鍍形成通 路孔。因此，銅電鍍膜29的表面上即使形成氧化膜，由于也能夠用上 述激光及去污斑處理去除氧化膜，故可進(jìn)行適當(dāng)?shù)倪B接。而且，可在片狀電容器620的陶資構(gòu)成的介電體23的表面上設(shè)置 粗化層23oc。因此，陶資構(gòu)成的片狀電容器620與樹(shù)脂構(gòu)成的樹(shù)脂絕 緣層640的密接性高，即使實(shí)施熱循環(huán)試驗(yàn)，界面處的樹(shù)脂絕緣層640 也不發(fā)生剝離。該粗化層23ot可在燒制后通過(guò)研磨片狀電容器620的 表面，還在燒制前通過(guò)實(shí)施粗化處理而形成。此外，本實(shí)施形態(tài)中， 在電容器的表面實(shí)施粗化處理，提高了和樹(shù)脂的密接性，但也可代之 以在電容器表面上進(jìn)行硅烷偶聯(lián)處理。接著，就參考圖42的上述的印刷布線(xiàn)板的制造方法，參考圖37 ~ 圖42來(lái)說(shuō)明。(1 )首先，以絕緣樹(shù)脂基板構(gòu)成的核心基板630作為開(kāi)始材料(參 考圖37( A))。接著，通過(guò)核心基板630的單面上锪孔加工或在絕緣樹(shù) 脂中設(shè)置通孔進(jìn)行加壓貼形成電容器配置用的凹部734 (參考圖37(B) )。此時(shí)，凹部734形成得比可配置多個(gè)電容器的區(qū)域廣闊。由此， 可把多個(gè)電容器可靠地配置到核心基板630上。(2) 之后，使用印刷機(jī)在凹部734涂布粘接材料636 (參考圖37(C) ).或者，可通過(guò)澆灌、管芯焊接、貼合粘接板等的方法在凹部中 涂布粘接材料。粘接材料636使用其熱膨脹率比核心基板小的。接著 在凹部734中經(jīng)粘接材料636粘接陶瓷構(gòu)成的多個(gè)片狀電容器6M(如 圖37(D)所示)。這里，通過(guò)在底部平滑的凹部734中配置多個(gè)片狀 電容器620可對(duì)齊多個(gè)片狀電容器620的高度。因此，在后述的工序 中，可在核心基板630之上把樹(shù)脂絕緣層640形成為均勻厚度，可適 當(dāng)形成通路孔660。接著，在片狀電容器620上表面按壓或施加作用力對(duì)齊高度，使得 多個(gè)片狀電容器620的上表面成為相同高度(圖37(E))。通過(guò)這一工 序，在凹部734內(nèi)配置多個(gè)片狀電容器620時(shí)，即使多個(gè)片狀電容器 620大小有偏差，可完全對(duì)齊高度，可使核心基板630平滑。(3) 隨后，在凹部734內(nèi)的片狀電容器620之間填充熱固化樹(shù)脂， 加熱固化后形成樹(shù)脂層633 (參考圖38( A))。此時(shí)，作為熱固化樹(shù)脂， 最好是環(huán)氧樹(shù)脂、苯酚、聚酰亞胺、三嗪。由此，可固定凹部734內(nèi) 的片狀電容器620。樹(shù)脂層633使用其熱膨脹率比核心基板小的。除此之外也可使用熱塑性樹(shù)脂等樹(shù)脂。為使樹(shù)脂之間熱膨脹率一 致，可浸漬含料.作為填料的例子，有無(wú)機(jī)填料、陶瓷填料、金屬填 料等。(4) 之后，使用印刷機(jī)從其上涂布后述的環(huán)氧系樹(shù)脂或聚烯烴系 樹(shù)脂而形成樹(shù)脂絕緣層640 (參考圖38(B))。另外，可貼付樹(shù)脂膜來(lái) 代替涂布樹(shù)脂，。除此之外，可使用一種以上的熱固化樹(shù)脂、熱塑性樹(shù)脂、感光樹(shù)脂 熱固化樹(shù)脂和熱塑性樹(shù)脂的組合體、感光樹(shù)脂和熱塑性樹(shù)脂的組合體 等樹(shù)脂。也可把這些構(gòu)成2層結(jié)構(gòu)。(5) 接著，通過(guò)激光在樹(shù)脂絕緣層640上形成相對(duì)大的通路孔用 開(kāi)口 639 (參考圖38 (C))。之后，進(jìn)行去污斑處理?？墒褂闷毓?、顯 像處理來(lái)代替激光。隨后，通過(guò)鉆頭或激光在樹(shù)脂層633上形成通孔 用的通孔644并進(jìn)行加熱固化(參考圖38(D))。可根據(jù)情況實(shí)施使用 酸或氧化劑或藥液進(jìn)行的粗化處理、等離子體處理的粗化處理。由此，確保粗化層的密接性。(6) 隨后，通過(guò)非電解銅電鍍?cè)跇?shù)脂絕緣層640的表面上形成銅 電鍍膜729(參考圖39( A))。也可以銅和鎳作為靶進(jìn)行濺射，形成Ni-Cu 金屬層，來(lái)代替非電解電鍍。另外，也可根據(jù)情況在用濺射形成后、 可形成非電解電鍍膜。(7) 接著，在銅電鍍膜729的表面上貼付感光性干膜，裝載掩模、 進(jìn)行膝光顯像處理，形成規(guī)定圖形的抗蝕劑649。之后，把核心基板 630浸入電解電鍍液中，經(jīng)銅電鍍膜729流過(guò)電流，在未形成抗蝕劑 649的部分中填充電解電鍍651 (參考圖39 (B)),(8) 用5%的NaOH剝離去除電鍍抗蝕劑649后，通過(guò)使用硫酸與 雙氧水的混合液對(duì)該電鍍抗蝕劑649下面的銅電鍍膜729進(jìn)行蝕刻處 理、將其溶解去除，形成銅電鍍膜729和作為電解銅電鍍651構(gòu)成的 填充通路孔結(jié)構(gòu)的相對(duì)大的通路孔660和通孔656。希望該大通路孔的 口徑是100到600微米的范圍內(nèi)。尤其希望是125到350微米。當(dāng)前 情況下，以165微米形成，通孔形成為250微米。接著，用噴霧器在 基板630的兩面上噴上蝕刻液，通過(guò)對(duì)通路孔660的表面和通孔656 的凸緣表面進(jìn)行蝕刻，在通路孔660和通孔656的整個(gè)表面上形成粗 化面660 oc (參照?qǐng)D39 (C))。(9) 把以環(huán)氧系樹(shù)脂為主要成分的樹(shù)脂填充劑664填充在通孔656 內(nèi)，進(jìn)行干燥(參考圖39 (D))。(10) 在經(jīng)過(guò)上述工序的基板630的兩面上邊對(duì)厚度為50微米的 熱固化型環(huán)氧系樹(shù)脂板進(jìn)行升溫到50~150t:,邊在5kg/cm2的壓力下 進(jìn)行真空壓接的層疊，設(shè)置環(huán)氧系樹(shù)脂構(gòu)成的層間樹(shù)脂絕緣層740 (參 考圖40(A))。真空壓接時(shí)的真空度是lOmmHg。也可使用環(huán)烯烴系樹(shù) 脂來(lái)代替環(huán)氧系樹(shù)脂。(11) 接著，用C02氣體激光，在層間樹(shù)脂絕緣層740上設(shè)置65 微米的相對(duì)小的通路孔用開(kāi)口 642 (參考圖40(B))。希望相對(duì)小的通 路孔口徑在25~100微米的范圍內(nèi)。此后，使用氧等離子體進(jìn)行去污 斑處理。(12) 隨后，使用日本真空技術(shù)林式會(huì)社制造的SV-4540進(jìn)行等離 子體處理，粗化層間樹(shù)脂絕緣層740的表面，形成粗化面646 (參考圖 40(C))。此時(shí)，作為惰性氣體使用氬氣，在功率200W、氣壓O. 6Pa、分鐘的等離子體處理?？赏ㄟ^(guò)酸或氧化劑實(shí)施粗化處理。還有，粗化層希望為0. 1~5微米。(13) 接著，使用同一裝置，交換內(nèi)部氬氣后，以Ni和Cu作為靶 在氣壓O. 6Pa、溫度80度、功率200W、時(shí)間5分鐘的條件下，進(jìn)行濺 射，在層間樹(shù)脂絕緣層740的表面上形成Ni-Cu金屬層648。此時(shí)，形 成的Ni-Cu金屬層648的厚度為0. 2微米(參考圖40(D))?？稍诜请?解電鍍等的電鍍膜或'減射上施加電鍍膜。(14) 在結(jié)束了上述處理的基板630的兩面上貼合市售感光性干 膜，裝載光掩膜，以100nJ/cn^進(jìn)行曝光后，以0. 8%碳酸鈉作顯像處 理，設(shè)置出厚度為15微米的電鍍抗蝕劑650。之后，在下面的條件下 進(jìn)行電解電鍍，形成厚度為15微米的電解電鍍膜652(參考圖41( A))。 此外，電解電鍍水溶液中的添加劑是7卜亍少夕《八7社制造的力 ,《，「卜'HL:[電解電鍍水溶液] 硫酸2. 24mol/l 疏酸銅0. 26mol/l添加劑(7卜^少夕'〉'弋乂《7社制造的力A，'〉卜* HL) 19. 5ml/1[電解電鍍條件]電流密度 1A/dm2時(shí)間 65分鐘溫度 22 ± 2*C(15) 用5%的NaOH剝離去除電鍍抗蝕劑650后，通過(guò)使用硝酸和 疏酸與雙氧水的混合液對(duì)該電鍍抗蝕劑下面的Ni-Cu金屬層648進(jìn)行 蝕刻處理、將其溶解去除，形成Ni-Cu金屬層648和電解電鍍膜652 構(gòu)成的導(dǎo)體電路758和通路孔660上連接的多個(gè)相對(duì)小的通路孔760(參考圖41(B))。在本實(shí)施形態(tài)中把通路孔660做成填充的通路孔的 結(jié)構(gòu)，從而可在通路孔660中直接連接多個(gè)通路孔760。由于以后的工序與上述實(shí)施形態(tài)1的(16) ~ (19)相同，故省略 了其說(shuō)明。接著，參考圖43說(shuō)明IC芯片向在上述工序中完成了的印刷布線(xiàn)板 610 (參考圖42 )的裝載以及向子板的安裝。以使IC芯片690的焊料 凸點(diǎn)692對(duì)應(yīng)于完成的印刷布線(xiàn)板610的焊料凸點(diǎn)676U的方式來(lái)裝載IC芯片690，通過(guò)進(jìn)行回流來(lái)安裝IC芯片690。同樣，通過(guò)以使子板 695的焊區(qū)694對(duì)應(yīng)于印刷布線(xiàn)板610的焊料凸點(diǎn)676D的方式進(jìn)行回 流來(lái)向子板695安裝印刷布線(xiàn)板610。在上述的環(huán)氧系樹(shù)脂中，可包括難溶性樹(shù)脂、可溶性粒子、固化劑、 其它成份。它們與實(shí)施形態(tài)l中相同，因此省略了對(duì)它們的說(shuō)明。 (第四實(shí)施形態(tài)的第一變形例)接著，參考圖52說(shuō)明本發(fā)明的第4實(shí)施形態(tài)的笫一變形例的印刷 布線(xiàn)板612。在上述的實(shí)施形態(tài)4中，說(shuō)明的是配置BGA的情況。在第 4實(shí)施形態(tài)的笫一變形例中，基本與第四實(shí)施形態(tài)相同，但如圖52所 示，以經(jīng)導(dǎo)電連接管腳696作連接的PGA方式來(lái)構(gòu)成。接下來(lái)，參考圖45到52說(shuō)明參考圖32說(shuō)明的上述印刷布線(xiàn)板的 制造方法。(1) 首先，在層疊4層浸漬環(huán)氧樹(shù)脂的粘接用樹(shù)脂層638而構(gòu)成 的層疊板730 cx上形成容納片狀電容器用的通孔733a。接著，另一方 面，準(zhǔn)備層疊2層粘接用樹(shù)脂層638而構(gòu)成的層疊板730 P (參考圖 45 ( A))。這里，作為粘接用樹(shù)脂層638除環(huán)氧樹(shù)脂外，還可使用包括 BT、苯酚樹(shù)脂或玻璃織物等的加強(qiáng)材料的樹(shù)脂。(2) 接著，通過(guò)壓合層疊板730 ot和層疊板730 P并加熱硬化，形 成配備可容納多個(gè)片狀電容器620的凹部735的核心基板630(參考圖 45(B))。(3) 隨后，.使用澆灌(分配器)在凹部735的電容器配置位置上 涂布粘接材料636 (參考圖45 (C))?；蛘?，可通過(guò)印刷、管芯焊接、 貼合粘接板等方法在凹部涂布粘接材料。之后，在凹部735內(nèi)經(jīng)粘接 材料636容納陶瓷構(gòu)成的多個(gè)片狀電容器620 (參考圖45 (D))。(4) 之后，在凹部735內(nèi)的片狀電容器620之間填充熱固性樹(shù)脂， 加熱固化后形成樹(shù)脂層633 (參考圖46( A))。此時(shí)，作為熱固化樹(shù)脂， 最好是環(huán)氧樹(shù)脂、苯酚、聚酰亞胺、三嗪。由此，固定凹部735內(nèi)的 片狀電容器620。(5) 另外，使用印刷機(jī)從其上涂布上述的環(huán)氧系或聚烯烴系構(gòu)成 的樹(shù)脂來(lái)形成樹(shù)脂絕緣層640 (參考圖46(B))。還可貼合樹(shù)脂膜來(lái)代 替涂布樹(shù)脂。(6) 接著，通過(guò)曝光、顯像處理或激光在樹(shù)脂絕緣層640上形成相對(duì)大的通路孔用開(kāi)口 639 (參考圖46(C)),希望該大通路孔口徑在 100到600微米的范圍內(nèi)。特別希望在125到350微米。在這種情況下 形成為165微米。之后，通過(guò)鉆頭或激光在樹(shù)脂層633上形成250微 米口徑的通孔用的通孔644并加熱固化(參考圖46 (D))。(7) 之后，對(duì)基板630提供鈀催化劑后，將核心基板浸漬在非電 解電鍍液中，均勻析出非電解電鍍膜745 (參考圖47 (A))。隨后，形成非電解電鍍膜745的開(kāi)口 639內(nèi)部填充樹(shù)脂填充劑并進(jìn) 行干燥。由此，在開(kāi)口 639內(nèi)部形成樹(shù)脂層747 (參考圖47 (B))。(8) 隨后，在非電解電鍍膜745的表面上貼付感光性干膜，裝栽 掩模、進(jìn)行曝光顯像處理，形成規(guī)定圖形的抗蝕劑649。之后，把核心 基板630浸漬非電解電鍍液中，形成非電解電鍍膜構(gòu)成的覆蓋電鍍膜 751 (參考圖47 (C))。(9) 上述工序后，用5%的NaOH剝離抗蝕劑649后，通過(guò)用硫酸 與雙氧水的混合液對(duì)抗蝕劑649下面的非電解電鍍膜745進(jìn)行蝕刻將 其去除，形成作為填充通路孔結(jié)構(gòu)的相對(duì)大的通路孔661和通孔656(參考圖47(D))。通過(guò)把通路孔661作成填充通路孔結(jié)構(gòu)，在后述工 序中在一個(gè)通路孔661上可直接連接多個(gè)通路孔760。(10) 接著，對(duì)基板630進(jìn)行水洗、酸性脫脂后，進(jìn)行軟蝕刻，再 用噴霧器在基板630兩面上噴上蝕刻液，蝕刻通路孔661的表面和通 孔656的凸緣表面與內(nèi)壁，在通路孔661和通孔656的整個(gè)表面上形 成粗化面663 (參考圖48( A))。作為蝕刻液，使用IO份重量的銅(II) 亞胺溶液絡(luò)合物、7份重量的乙二醇酸、5份重量的氯化鉀構(gòu)成的蝕刻 液( > 少夕社制造的^少夕工少千才:》卜* )。(11) 接著，用容器把100份重量的雙苯酚F型環(huán)氧單體(油化〉 工A社制造，分子量為310、 YL983U)、 170份重量的在表面涂覆硅烷 偶聯(lián)劑的平均粒徑為1.6微米的最大粒子直徑為15微米以下的Si02 球狀粒子(7卜*亍、7夕社制造的CRS 1101-CE)及1. 5份重量的調(diào)整劑(廿^ 乂 f 3社制造的、k 7—/" S4)攪拌混合，把粘度調(diào)整為在 23士1TC下為45~49Pa*s的樹(shù)脂填充劑664。另外，作為固化劑，使用 6. 5份重量的亞胺溶液固化劑(四國(guó)化成社制造的2E4MZ-CN)。隨后，在通孔656內(nèi)填充樹(shù)脂填充劑664并進(jìn)行干燥(參考圖48(B))。(12展著，把30份重量的雙苯酚A型環(huán)氧樹(shù)脂(環(huán)氧當(dāng)量為469, 油化夕工A環(huán)氧社制造的工匕'3—卜1001)、 40份重量的甲酚酚醛型 環(huán)氧樹(shù)脂(環(huán)氧當(dāng)量為215，日本0考化學(xué)工業(yè)社制造的工匕。夕口7 N-673 )及30份重量的包括三溱結(jié)構(gòu)的苯酚甲盼樹(shù)脂(苯盼性羥基當(dāng) 量120，日本4 y《化學(xué)工業(yè)社制造的7工乂 ， 4卜KA-7052 )在20 份重量的乙基氧二乙醋酸鹽、20份重量的溶劑汽油中，邊攪拌邊加熱 使之溶解，再向其添加15份重量的末端環(huán)氧化聚丁二烯橡膠(大力'七 化成工業(yè)社制造的^大k 、7夕義R-45EPT)、 1. 5份重量的2—苯基一 4，5-雙(匕卜'口《〉j^vl0亞胺溶液粉狀物和2份重量的微小粉末 硅氧化物、0. 5份重量的硅系消泡劑而調(diào)制環(huán)氧樹(shù)脂組成物。使用旋涂機(jī)涂布得到的環(huán)氧樹(shù)脂組成物后，使得在38微米厚的PET 膜上干燥后的厚度為50微米，在80-120lC下進(jìn)行干燥10分鐘，制成層間樹(shù)脂絕緣層用樹(shù)脂膜。(13) 在基板的兩面上，把比(12)制作的基板630稍大的層間樹(shù) 脂絕緣層用樹(shù)脂膜裝載在基板630上，在壓力4kgf/cm2、溫度80t:、 壓接時(shí)間10秒的條件下進(jìn)行偽壓接而截?cái)嗪?，還通過(guò)以下方法使用真 空層疊裝置進(jìn)行貼合，從而形成層間樹(shù)脂絕緣層740(參考圖48(C))。 即，在真空度為0. 5Torr、壓力為4kgf/cm2、溫度為80E、壓接時(shí)間 為6 0秒的條件下，把層間樹(shù)脂絕緣層用樹(shù)脂膜正式壓接在基板6 30上， 之后，在1701C加熱30分鐘進(jìn)行熱固化。(14) 接著，用C02氣體激光器經(jīng)在層間樹(shù)脂絕緣層740上的形成 厚度為1. 2mm的貫通孔757a的掩模757在層間樹(shù)脂絕緣層740上形成 65微米的相對(duì)小的通路孔用開(kāi)口 642 (參考圖48(D))。希望相對(duì)小的 通路孔口徑是25到100微米的范圍內(nèi)。(15) 把形成通路孔用開(kāi)口 642的基板630在包括60g/1的過(guò)錳酸 的801C的溶液中浸漬10分鐘，通過(guò)對(duì)存在于層間樹(shù)脂絕緣層740的表 面上的環(huán)氧樹(shù)脂粒子進(jìn)行溶解去除，把包含通路孔用開(kāi)口 642的內(nèi)壁 的層間樹(shù)脂絕緣層740的表面作成粗化面646 (參考圖49( A))。也可 通過(guò)酸或氧化劑實(shí)施粗化處理。另外，希望粗化層為0. 1~5微米。(16) 接著，把結(jié)束上述處理的基板630浸漬在中和溶液('〉歹l^ 4社制造)中后進(jìn)行水洗。此外，在進(jìn)行粗化處理(粗化深度是3微 米)的該基板630的表面上通過(guò)提供鈀催化劑使催化劑核心附著于層間樹(shù)脂絕緣層740的表面和通路孔用開(kāi)口 642的內(nèi)壁表面上。(17) 接著，在下面組成的非電解銅電鍍水溶液中浸漬基板630， 在粗化面646整個(gè)面上形成厚度為0. 6到3. 0微米的非電解銅電鍍膜 763 (參考圖49 (B))。[非電解電鍍水溶液] NiSi04 0.003mol/l 酒石酸 0. 200 mol/1 硫酸銅 0. 030mol/l HCHO 0. 050mol/lNaOH 0.100 mol/1oc， ct，- BP !J 5A 40mg/l 聚乙烯乙二醇(PEG) 0. 10g/l[非電解電鍍條件] 在35"C的溶液溫度下40分鐘(18) 把市售的感光性干膜貼合在非電解銅電鍍膜763上，裝載掩 模，以100mJ/cn^進(jìn)行啄光，在0. 8%的碳酸鈉水溶液中進(jìn)行顯像處理， 設(shè)置出厚度為30微米的電鍍抗蝕劑650。接著，在501C的水中洗凈基 板630并進(jìn)行脫脂，在25t:的水中水洗后，再用硫酸清洗，之后，在 下面的條件下進(jìn)行電解電鍍，形成厚度為20微米的電解銅電鍍膜652(參考圖49 (C))。 [電解電鍍水溶液] 硫酸2. 24mol/l 硫酸銅0. 26mol/l添加劑(7卜尹少夕- \ ,《7社制造的力,《，少卜* HL) 19. 5ml/1[電解電鍍條件]電流密度 1A/dm2時(shí)間 65分鐘溫度 22 ± 2"C(19) 用5%的NaOH剝離去除電鍍抗蝕劑650后，通過(guò)4吏用硫酸與 雙氧水的混合液對(duì)該電鍍抗蝕劑650下面的非電解銅電鍍膜763進(jìn)行 蝕刻處理將其溶解去除，形成非電解銅電鍍膜763和電解銅電鍍膜652 構(gòu)成的18微米厚的導(dǎo)體電路758和相對(duì)小的通路孔760 (參考圖49(D))。之后，進(jìn)行與(10)同樣的處k,通過(guò)包括二價(jià)銅絡(luò)合體和有機(jī)酸的蝕刻溶液，形成粗化面662 (參考圖50 (A))。(20) 接著，通過(guò)反復(fù)上述(13) ~ (19)的工序，還形成上述的 層間樹(shù)脂絕緣層741和導(dǎo)體電路759以及通路孔764(參考圖50( B))。(21) 隨后，與第一實(shí)施形態(tài)相同得到阻焊劑組合物(有機(jī)樹(shù)脂絕 緣材料)。(22) 接著，以20微米的厚度把在(21)中調(diào)制的阻焊劑組合物 涂布在多層布線(xiàn)基板的兩面上。此后，在70TC20分鐘、70*€30分鐘的 條件下進(jìn)行干燥處理后，使阻焊劑開(kāi)口部的圖形描繪的厚度為5mm的 光掩模密接于阻焊劑組合物后，在1000mJ/cm2的紫外線(xiàn)下進(jìn)行曝光， 在DMTG溶液中進(jìn)行顯像處理，形成開(kāi)口 671U、 671D。接著，在80r下l小時(shí)、IOO匸下I小時(shí)、120"C下1小時(shí)、150"C 下3小時(shí)的條件下分別進(jìn)行加熱處理使阻焊劑組合物固化，形成具有 開(kāi)口 671U、 671D的厚度為20微米的阻焊劑層670 (參考圖51 (A))。 作為上述阻焊劑組合物，可使用市售的阻焊劑組合物。(23) 接著，把形成阻焊劑層670的基板浸漬在與第一實(shí)施形態(tài)相 同的非電解鎳電鍍液中，在開(kāi)口 671U、 671D上形成厚度為5微米的鎳 電鍍層672。此外，把該基板浸漬在與第一實(shí)施形態(tài)相同的非電解金電 鍍液中，在鎳電鍍層672上形成厚度為0. 03微米的金電鍍層674 (參 考圖51 (B))。(24 )此后，在基板的裝載IC芯片的面的阻焊劑層670的開(kāi)口 671U 上印刷包括錫一鉛的焊錫粘接劑。此外，在另一面的開(kāi)口部671D內(nèi)作 為導(dǎo)電性澆灌劑697印刷焊錫粘接劑。接著，把導(dǎo)電性連接管腳696 安裝并支持在適當(dāng)?shù)墓苣_保持裝置上，使導(dǎo)電性連接管腳696的固定 部698與開(kāi)口部671D內(nèi)的導(dǎo)電性澆灌劑697適當(dāng)接觸。隨后，進(jìn)行回 流，把導(dǎo)電性連接管腳696固定于導(dǎo)電性粘接劑697。另外，作為導(dǎo)電 性連接管腳696的安裝方法，可以把導(dǎo)電性粘接劑697形成為球狀等 之后裝入開(kāi)口部671D中，或者，也可以把導(dǎo)電性粘接劑697粘接到固 定部698后安裝導(dǎo)電性連接管腳696，其后，進(jìn)行回流。隨后，以使IC芯片690的焊料焊區(qū)692對(duì)應(yīng)于印刷布線(xiàn)板612的 開(kāi)口 671U側(cè)的焊料凸點(diǎn)676U的方式來(lái)安裝IC芯片690，通過(guò)進(jìn)行回 流來(lái)安裝I芯片690 (參考圖53)。(第四實(shí)施形態(tài)的—第二變形例)接著，參考圖53說(shuō)明本發(fā)明的第四實(shí)施形態(tài)的笫二變形例的印刷 布線(xiàn)板。第四實(shí)施形態(tài)的第二變形例的印刷布線(xiàn)板614與上述的第四 實(shí)施形態(tài)基本相同。但是，該第四實(shí)施形態(tài)的第二變形例的印刷布線(xiàn) 板614中，在核心基板630上形成的凹部736中容納一個(gè)片狀電容器 620。由于核心基板630內(nèi)配置片狀電容器620,故IC芯片690與片狀 電容器620的距離變短，可降低環(huán)路電感。 (第四實(shí)施形態(tài)的第三變形例)接著，參考圖14說(shuō)明笫四實(shí)施形態(tài)的第三變形例的印刷布線(xiàn)板的 結(jié)構(gòu)。該第三變形例的印刷布線(xiàn)板的結(jié)構(gòu)與上述第一實(shí)施形態(tài)基本相同。 但是，向核心基板30中容納的片狀電容器20不同。圖H表示片狀電 容器的平面圖。圖14 (A)表示多個(gè)使用的、切斷之前的片狀電容器， 圖中的點(diǎn)劃線(xiàn)表示切斷線(xiàn)。上述的第一實(shí)施形態(tài)的印刷布線(xiàn)板中，如 在圖14 (B)中平面圖所示，在片狀電容器的側(cè)緣上配置第一電極21 和第二電極22。圖14 (C)表示第三變形例的多個(gè)使用的、切斷前的 片狀電容器，圖中的點(diǎn)劃線(xiàn)表示切斷線(xiàn)。第三變形例的印刷布線(xiàn)板中， 如圖14 (D)平面圖所示，在片狀電容器的側(cè)緣的內(nèi)側(cè)上配置第一電極 21和笫二電極22。該第三變形例的印刷布線(xiàn)板上，由于使用在外緣內(nèi)側(cè)形成電極的片 狀電容器20，故可使用容量大的片狀電容器。接著，參考圖15說(shuō)明第三變形例的第一特例的印刷布線(xiàn)板。圖15表示第一特例的印刷布線(xiàn)板的核心基板上容納的片狀電容器 20的平面圖。上述的第一實(shí)施形態(tài)中，在核心基板上容納多個(gè)小容量 的片狀電容器，但在第一特例中，在核心基板中容納大容量的大型的 片狀電容器20。這里，片狀電容器20由第一電極21、第二電極22、 介電體23、連接于第一電極21的第一導(dǎo)電膜24、連接于第二電極22 側(cè)上的第二導(dǎo)電膜25、未連接于第一導(dǎo)電膜24和第二導(dǎo)電膜25的片 狀電容器的上下表面的連接用的電極27構(gòu)成。經(jīng)該電極27連接IC芯 片側(cè)和子板側(cè)。該第一變形例的印刷布線(xiàn)板中，由于使用大型的片狀電容器20， 故可使用容量大的片狀電容器。另外，由于使用大型的片狀電容器20，故即使一反復(fù)熱循環(huán)印刷布線(xiàn)板也不會(huì)發(fā)生翹曲.參考圖16說(shuō)明第二特例的印刷布線(xiàn)板。圖16 (A)表示多個(gè)使用 的、切斷之前的片狀電容器，圖中的點(diǎn)劃線(xiàn)表示通常的切斷線(xiàn)，圖16 (B)表示片狀電容器的平面圖。如在圖16 (B)中所示，該第二特例 中，連接多個(gè)(圖中之例為3個(gè))、多個(gè)使用的片狀電容器而以大型來(lái) 使用。該第二特例中，由于使用在型的片狀電容器20故可使用容量大的 片狀電容器。另外，由于使用大型的片狀電容器20，故即使反復(fù)熱循 環(huán)印刷布線(xiàn)板也不會(huì)發(fā)生翹曲。上述的實(shí)施形態(tài)中，把片狀電容器內(nèi)裝在印刷布線(xiàn)板中，但也可使 用在陶瓷板上設(shè)置導(dǎo)電膜而構(gòu)成的板狀電容器，來(lái)代替片狀電容器。在上述第四實(shí)施形態(tài)中，僅配置在核心基板中容納的片狀電容器， 但也第一實(shí)施形態(tài)的第一特例相同，也可在表面和/或里面安裝大容量 的片狀電容器。如上參考圖12所述，通過(guò)在核心基板內(nèi)，即在IC芯片的附近配 置片狀電容器20還在里面和外面配置大容量的(及相對(duì)大的電感)片 狀電容器，可把電壓變動(dòng)抑制到最小。這里，對(duì)于第四實(shí)施形態(tài)的印刷布線(xiàn)板，把測(cè)定在核心基板中埋入 的片狀電容器620的電感和印刷布線(xiàn)板的里面(子板側(cè)的面)安裝的片狀電容器的電感的值表示如下。 電容器的單體的情況i里入形式 137pH 里面安裝形式 287pH 把8個(gè)電容器并聯(lián)連接的情況 埋入形式 60pH 里面安裝形式 72pH如上所述，以單體使用電容器、或?yàn)榱嗽龃笕萘慷⒙?lián)連接時(shí)，通 過(guò)內(nèi)置片狀電容器，均可降低電感。隨后，說(shuō)明進(jìn)行可靠性試驗(yàn)的結(jié)果。這里，對(duì)于笫四實(shí)施形態(tài)的印 刷布線(xiàn)板，測(cè)定一個(gè)片狀電容器的靜電電容的變化率。靜電電容的變化率測(cè)定頻率100Hz 測(cè)定頻率1kHzStream 168小時(shí) 0. 3% 0.4%HAST 100小時(shí) -0.9% -0.9%TS 1000次 1.1% 1.3%Stream試驗(yàn)對(duì)應(yīng)于在蒸汽中，濕度保持在100%。另外，HAST試驗(yàn) 中，在相對(duì)濕度為100%、施加電壓為1. 3V、溫度為121度的條件下放 置100小時(shí)，TS測(cè)試中，把在-125lC下放置30分鐘、在55"C下放置 30分鐘的試驗(yàn)反復(fù)1000次。對(duì)于上述可靠性試驗(yàn)，獲知即使內(nèi)裝片狀電容器的印刷布線(xiàn)板也可 達(dá)到與已有的對(duì)電容器進(jìn)行表面安裝的形式同等的可靠性。另外，如 上所述，在TS試驗(yàn)中判斷出，即使由于陶瓷構(gòu)成的電容器與樹(shù)脂構(gòu)成 的核心基板及層間樹(shù)脂絕緣層的熱膨脹率差別而產(chǎn)生內(nèi)部應(yīng)力，也不 會(huì)產(chǎn)生片狀電容器的電極與通路孔之間的斷路、片狀電容器與層間樹(shù) 脂絕緣層之間的剝離、層間樹(shù)脂絕緣層上的斷裂，并且可長(zhǎng)期實(shí)現(xiàn)高 可靠性。在第四實(shí)施形態(tài)的結(jié)構(gòu)中，導(dǎo)體電路與電容器之間由于形成了第四 實(shí)施形態(tài)的通路孔，故不會(huì)發(fā)生因電源供電不足帶來(lái)的工作延遲，可 保持希望的性能，即使進(jìn)行可靠性試驗(yàn)也不會(huì)出現(xiàn)問(wèn)題。另外，通過(guò)該通路孔，即使形成層間絕緣層的通路孔、引起位置 偏離，由于其許可范圍變寬，也可確保電連接。
權(quán)利要求
1.一種印刷布線(xiàn)板，包括電容器，具有第一電極、第二電極和介電體；核心基板，其中包括了所述電容；樹(shù)脂絕緣層，其在所述核心基板上形成，且在其中形成連接到所述電容器的電極的通路孔；和層間樹(shù)脂絕緣層，其在所述樹(shù)脂絕緣層中形成，一個(gè)通路孔在其中形成；其特征在于，在所述樹(shù)脂絕緣層中形成的通路孔相對(duì)大而在所述層間樹(shù)脂絕緣層中形成的通路孔相對(duì)小。
2. 如權(quán)利要求1所述的印刷布線(xiàn)板，其特征在于 在所述電極的表面形成電鍍膜。
3. 如權(quán)利要求2所述的印刷布線(xiàn)板，其特征在于 所述電鍍膜是銅。
4. 如權(quán)利要求1所述的印刷布線(xiàn)板，其特征在于 所述電容器的表面是粗糙的。
5. 如權(quán)利要求1所述的印刷布線(xiàn)板，其特征在于 在所述層間樹(shù)脂絕緣層中形成的所述通路孔由電鍍銅制成。
6. 如權(quán)利要求3所述的印刷布線(xiàn)板，其特征在于 在所述樹(shù)脂絕緣層中形成的所述通路孔被電鍍形成在所述電容器的電極上。
7. 如權(quán)利要求6所述的印刷布線(xiàn)板，其特征在于 在所述樹(shù)脂絕緣層中形成的所述通路孔的表面是平坦的。
8. 如權(quán)利要求7所述的印刷布線(xiàn)板，其特征在于在所述層間樹(shù)脂絕緣層中形成的所述通路孔和在所述樹(shù)脂絕緣層 中形成的所述通路孔是多于兩個(gè)的。
全文摘要
一種印刷布線(xiàn)板及其制造方法，所述印刷布線(xiàn)板在印刷布線(xiàn)板10的核心基板30內(nèi)配設(shè)片狀電容器20。由此，IC芯片90與片狀電容器20的距離變短，可降低環(huán)路電感。由于層疊第一樹(shù)脂基板30a、第二樹(shù)脂基板30b、第三樹(shù)脂基板30c而構(gòu)成，故在核心基板30上可得到足夠的強(qiáng)度。
文檔編號(hào)H05K3/46GK101232778SQ200810009770
公開(kāi)日2008年7月30日 申請(qǐng)日期2000年9月1日 優(yōu)先權(quán)日1999年9月2日
發(fā)明者淺井元雄, 王東冬, 白井誠(chéng)二, 矢橋英郎, 稻垣靖 申請(qǐng)人:伊比登株式會(huì)社