專利名稱：電光裝置、電光裝置的驅(qū)動方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及將由電流驅(qū)動的電流驅(qū)動元件作為發(fā)光元件利用的電光 裝置。
背景技術(shù)：
近年來，利用液晶的顯示裝置(以下稱顯示板)作為薄型顯示裝置正 在普及。這種類型的顯示板，與CTR顯示板相比，消耗電力低且省空間。 因此，有效地發(fā)揮這種類型的顯示板的優(yōu)點(diǎn)，制造出更低消耗電力、更省 空間的顯示板是重要的。另外，這種類型的顯示裝置里有不利用液晶而利用電流驅(qū)動型發(fā)光元 件進(jìn)行顯示的顯示板。該電流驅(qū)動型發(fā)光元件不同于液晶，由于是通過供 給電流而發(fā)光的自發(fā)光元件，故不需要背光，可以適應(yīng)低消耗電力化的市 場要求。而且，具有在高視野角、高對比度方面優(yōu)越的顯示性能。即使在 這種電流驅(qū)動型發(fā)光元件中，也由于EL元件可以達(dá)成大面積化、高精細(xì) 化、全色化的目的，故特別適用于顯示板。在該EL元件中，因?yàn)橛袡C(jī)EL元件具有高的量子效率，故受到注目。作為驅(qū)動這種有機(jī)EL元件的電路(像素電路)，提出圖10 (a)所示 的電路。圖10 (b)是表示圖10 (a)的電路工作的時間圖。圖10 (a)的 像素電路由兩個晶體管即N型晶體管T8與P型晶體管T9、數(shù)據(jù)保持用保 持電容器C和有機(jī)EL元件11構(gòu)成。而且，由柵極線12進(jìn)行晶體管T9 的開關(guān)動作，將從數(shù)據(jù)線供給的數(shù)據(jù)信號Vdata作為電荷，并保持在保持 電容器C內(nèi)，利用保持在該保持電容器C內(nèi)的電荷使晶體管T8變?yōu)榻油顟B(tài)，將對應(yīng)于數(shù)據(jù)信號Vdata的電流量向有機(jī)EL元件11供給，有機(jī) EL元件11進(jìn)行發(fā)光(例如，專利文獻(xiàn)l)。 (專利文獻(xiàn)l) WO98/36407號公報(bào)
然而，有機(jī)EL元件等電流驅(qū)動型元件，利用電流控制比利用電壓控 制還容易。這是因?yàn)橛袡C(jī)EL元件是相對于電流量決定亮度，作為數(shù)據(jù)信 號利用電流則更能正確地控制的原因。再有，在利用N型、P型等具有多 種極性的晶體管組合來構(gòu)成像素電路時，晶體管的制造工藝比只以任何一 種極性的晶體管構(gòu)成時復(fù)雜。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的目的之一在于，作為向像素電路供給的數(shù)據(jù)，可以利 用電流，且可以統(tǒng)一像素電路的構(gòu)成晶體管的極性。
此外，根據(jù)晶體管的制造工藝，作為晶體管的極性，有時只能實(shí)現(xiàn)N 型。因此，本發(fā)明的目的之一在于，用N型統(tǒng)一所有構(gòu)成像素電路的晶體管。
再有，根據(jù)有機(jī)EL元件的制造工藝，有時必須在多個像素電路之間 統(tǒng)一有機(jī)EL元件的陰極。因此，本發(fā)明的目的之一在于，使有機(jī)EL元 件的陰極在多個像素電路之間通用。
還有，在構(gòu)成像素電路的晶體管中包含非晶硅晶體管時，根據(jù)像素電 路的工作條件，有時非晶硅晶體管的閾值電壓移位。因此，本發(fā)明的目的 之一在于，在像素電路內(nèi)包含非晶硅晶體管時，使其具有恢復(fù)非晶硅晶體 管的閾值電壓移位的功能。
為了解決上述問題，本發(fā)明的電光裝置由有源矩陣驅(qū)動法驅(qū)動，其特 征在于，包括單位電路矩陣，分別包含具有陽極與陰極的發(fā)光元件及用 于調(diào)節(jié)上述發(fā)光元件的發(fā)光灰度的多個單位電路排列為矩陣狀；多根柵極 線，分別連接在沿著上述單位電路矩陣的行方向排列的單位電路組上；和 多根數(shù)據(jù)線，分別連接在沿著上述單位電路矩陣的列方向排列的單位電路 組上，根據(jù)通過上述數(shù)據(jù)線而流經(jīng)上述單位電路的電流大小，控制上述發(fā) 光元件的發(fā)光灰度，上述單位電路所含的多個晶體管的極性均相同。由此，可以將電流作為向單位電路供給的數(shù)據(jù)信號利用，可以實(shí)現(xiàn)作 為發(fā)光元件的有機(jī)EL元件的控制的高精度化。而且，因?yàn)閱挝浑娐匪?含的晶體管的極性都相同，故和組合不同極性的晶體管相比，可以簡化制 造工藝或提高成品率。
在上述電光裝置中，優(yōu)選上述單位電路所含的多個晶體管的極性全部 為N型。
這種情況下，即使在只能利用N型晶體管的制造工藝中，也可以應(yīng)用
本發(fā)明。因此，晶體管的制造工藝的限制條件減少，從而可以期望降低制 造費(fèi)用。
在上述電光裝置中，優(yōu)選上述發(fā)光元件的陰極在上述單位電路之間共 同連接。
這種情況下，在有機(jī)EL元件的制造中，即使在必須通用陰極的制造 工藝中也可以應(yīng)用本發(fā)明。因此，有機(jī)EL元件的制造工藝的限制條件減 少，且可以期望降低制造費(fèi)用。
另外，本發(fā)明的電光裝置，其特征在于，還包括具有可以改變上述單 位電路所含晶體管的工作狀態(tài)的功能的特性調(diào)整電路。
在上述電光裝置中，優(yōu)選上述特性調(diào)整電路具有更換上述單位電路所 含的所定晶體管的源極與漏極之間關(guān)系的功能。
根據(jù)該發(fā)明，在單位電路內(nèi)包含非晶硅晶體管時，能夠使其晶體管的 閾值電壓移位恢復(fù)。
另外，本發(fā)明的電光裝置，其特征在于，上述特性調(diào)整電路包括電位 固定電路，上述電位固定電路具有將上述單位電路所含的所定晶體管的柵 極、源極或漏極中的至少一個端子的電位固定為所定電位的功能。
由此，在單位電路里包含非晶硅晶體管時，能使其晶體管的閾值電壓 移位恢復(fù)。
在上述電光裝置中，上述特性調(diào)整電路包括電位固定電路，優(yōu)選上述 電位固定電路具有將上述單位電路所含的所定晶體管的柵極電壓設(shè)定為 比該晶體管的源極電壓還低的電壓的功能。
根據(jù)該發(fā)明，在單位電路里包含非晶硅晶體管時，能使其晶體管的閾 值電壓移位恢復(fù)。在上述電光裝置中，上述單位電路包括非晶硅晶體管，優(yōu)選上述特性
調(diào)整電路具有更換上述非晶硅晶體管的源極與漏極之間的關(guān)系的功能。 這種情況下，能夠使非晶硅晶體管的閾值電壓移位恢復(fù)。 在上述電光裝置中，上述單位電路包括非晶硅晶體管，優(yōu)選上述電位
固定電路具有將上述非晶硅晶體管的柵極、源極或漏極中的至少一個端子
的電位固定為所定電位的功能。
這種情況下，也能使非晶硅晶體管的閾值電壓移位恢復(fù)。 在上述電光裝置中，上述單位電路包括非晶硅晶體管，優(yōu)選上述電位
固定電路具有將上述非晶硅晶體管的柵極電壓設(shè)定為比該非晶硅晶體管
的源極電壓還低的電壓的功能。
這種情況下，也能使非晶硅晶體管的閾值電壓移位恢復(fù)。
另外，本發(fā)明的電光裝置，其特征在于，上述單位電路包括斷路上述
發(fā)光元件的電流通路的電流斷路機(jī)構(gòu)，上述單位電路具有在電流通過上述
數(shù)據(jù)線而流經(jīng)上述單位電路期間的至少一部分期間內(nèi)，將上述電流斷路機(jī)
構(gòu)設(shè)定為活性狀態(tài)的功能。
由此，在使電流通過數(shù)據(jù)線而流經(jīng)單位電路的期間即向單位電路寫入
電流期間內(nèi)，可以將有機(jī)EL元件排除在電流寫入路徑之外。通過將具有 大的寄生電阻的有機(jī)EL元件排除在電流寫入路徑之外，從而可以縮短電 流寫入動作所需的時間。
此外，本發(fā)明的電光裝置，其特征在于，上述單位電路包括連接上述 發(fā)光元件的陽極與陰極之間的短路機(jī)構(gòu)，上述單位電路具有在電流通過上 述數(shù)據(jù)線而流經(jīng)上述單位電路期間的至少一部分期間內(nèi)，將上述短路機(jī)構(gòu) 設(shè)定為活性狀態(tài)的功能。
由此，在向單位電路寫入電流期間內(nèi)，由于可以減小電流寫入路徑的 電阻，故可以縮短電流寫入動作所需的時間。
其次，本發(fā)明的電光裝置的驅(qū)動方法，其驅(qū)動利用有源矩陣驅(qū)動法的 電光裝置，該電光裝置包括單位電路矩陣，分別包含具有陽極與陰極的
發(fā)光元件及用于調(diào)節(jié)上述發(fā)光元件的發(fā)光灰度的多個單位電路排列為矩
陣狀；多根柵極線，分別連接在沿著上述單位電路矩陣的行方向排列的單 位電路組上；和多根數(shù)據(jù)線，分別連接在沿著上述單位電路矩陣的列方向排列的單位電路組上，其特征在于，上述單位電路所含的多個晶體管的極 性均相同，根據(jù)通過上述數(shù)據(jù)線而流經(jīng)上述單位電路的電流大小來控制上 述發(fā)光元件的發(fā)光灰度。
由此，可以將電流作為向單位電路供給的數(shù)據(jù)信號利用，可以實(shí)現(xiàn)有 機(jī)EL元件的控制的高精度化。而且，因?yàn)榘趩挝浑娐穬?nèi)的多個晶體 管的極性都相同，和組合不同極性的晶體管相比，可以簡化制造工藝或提 高成品率。
另外，本發(fā)明的電光裝置的驅(qū)動方法，其特征在于，具備特性調(diào)整電 路，上述特性調(diào)整電路使上述單位電路所含晶體管的工作狀態(tài)變化。
在上述電光裝置的驅(qū)動方法中，優(yōu)選上述特性調(diào)整電路更換上述單位 電路所含的所定晶體管的源極和漏極之間的關(guān)系。
根據(jù)該發(fā)明，在單位電路里包含非晶硅晶體管時，能使其晶體管的閾 值電壓移位恢復(fù)。
在上述電光裝置的驅(qū)動方法中，上述特性調(diào)整電路包括電位固定電 路，優(yōu)選上述電位固定電路將上述單位電路所含的所定晶體管的柵極、源 極或漏極中的至少一個端子的電位固定為所定電位。
根據(jù)該發(fā)明，在單位電路里包含非晶硅晶體管時，能使其晶體管的閾 值電壓移位恢復(fù)。
在上述電光裝置的驅(qū)動方法中，上述特性調(diào)整電路包括電位固定電 路，優(yōu)選上述電位固定電路將上述單位電路所含晶體管的柵極電壓設(shè)定為 比該晶體管的源極電壓還低的電壓。
根據(jù)該發(fā)明，在單位電路里包含非晶硅晶體管時，能夠使其晶體管的 閾值電壓移位恢復(fù)。
在上述電光裝置的驅(qū)動方法中，上述單位電路包含非晶硅晶體管，優(yōu) 選上述特性調(diào)整電路更換上述非晶硅晶體管的源極與漏極之間的關(guān)系。
這種情況下，能夠使非晶硅晶體管的閾值電壓移位恢復(fù)。
在上述電光裝置的驅(qū)動方法中，上述單位電路包含非晶硅晶體管，優(yōu) 選上述電位固定電路將上述非晶硅晶體管的柵極、源極或漏極中的一個端 子的電位固定為所定電位。
這種情況下，也能使非晶硅晶體管的閾值電壓移位恢復(fù)。在上述電光裝置的驅(qū)動方法中，上述特性調(diào)整電路包括電位固定電 路，優(yōu)選上述電位固定電路將上述非晶硅晶體管的柵極電壓設(shè)定為比該非 晶硅晶體管的源極電壓還低的電壓。
這種情況下，也能使非晶硅晶體管的閾值電壓移位恢復(fù)。 還有，本發(fā)明的電光裝置的驅(qū)動方法，其特征在于，上述單位電路包 含斷路上述有機(jī)EL元件的電流通路的電流斷路機(jī)構(gòu)，上述單位電路在電 流通過上述數(shù)據(jù)線而流經(jīng)上述單位電路期間的至少一部分期間內(nèi)，將上述 電流斷路機(jī)構(gòu)設(shè)定為活性狀態(tài)。
由此，在向單位電路寫入電流期間內(nèi)，能將有機(jī)EL元件電氣地排除 在電流寫入路徑之外。由于將具有大的寄生電阻的有機(jī)EL元件排除在電 流寫入路徑之外，故可以縮短電流寫入動作所需要的時間。
另外，本發(fā)明的電光裝置的驅(qū)動方法，其特征在于，上述單位電路包 括連接上述有機(jī)EL元件的陽極與陰極之間的短路機(jī)構(gòu)，上述單位電路在 電流通過上述數(shù)據(jù)線而流經(jīng)上述單位電路期間的至少一部分期間內(nèi)，將上 述短路機(jī)構(gòu)設(shè)定為活性狀態(tài)。
由此，在向單位電路寫入電流期間內(nèi)，由于可以減小電流寫入路徑的 電阻，故可以縮短電流寫入動作所需要的時間。
圖1是表示本發(fā)明的單位電路矩陣的示意圖。 圖2是表示本發(fā)明的第1實(shí)施方式的電路圖及其時間圖的一例。 圖3是表示本發(fā)明的第1實(shí)施方式的電路圖的變形例及其時間圖。 圖4是表示本發(fā)明的第2實(shí)施方式的電路圖及其時間圖的一例。 圖5是表示本發(fā)明的第2實(shí)施方式的電路圖的變形例及其時間圖的一
圖6是表示本發(fā)明的第2實(shí)施方式的電路圖的變形例及其時間圖。 圖7是表示本發(fā)明的第2實(shí)施方式的電路圖的變形例及其時間圖。 圖8是表示本發(fā)明的第2實(shí)施方式的電路圖的變形例及其時間圖。 圖9是表示本發(fā)明的第2實(shí)施方式的電路圖的變形例及其時間圖。 圖10是表示以往的像素電路的電路圖及其時間圖的一例。


圖11是表示本發(fā)明的第1實(shí)施方式的電路圖的變形例及其時間圖。圖12是表示本發(fā)明的第2實(shí)施方式的電路圖的變形例及其時間圖。 圖13是表示本發(fā)明的第2實(shí)施方式的電路圖的變形例及其時間圖。 圖14是表示本發(fā)明的第2實(shí)施方式的電路圖的變形例及其時間圖。 圖15是表示本發(fā)明的第1實(shí)施方式的電路圖的變形例及其時間圖。 圖16是表示本發(fā)明的第2實(shí)施方式的電路圖的變形例及其時間圖。 圖17是表示本發(fā)明的第1實(shí)施方式的電路圖的變形例及其時間圖。 圖18是表示本發(fā)明的第2實(shí)施方式的電路圖的變形例及其時間圖。 圖中1、 11—有機(jī)EL元件，2 —第1子?xùn)艠O信號，3—第2子?xùn)艠O信號，4、 13 —數(shù)據(jù)線，12 —柵極線，101、 201—像素電路，102—特性調(diào)整電路，103 —電位固定電路，IOOO —單位電路矩陣。發(fā)明的具體實(shí)施方式
(第1實(shí)施方式)以下，根據(jù)

本發(fā)明的實(shí)施方式。圖1是表示單位電路矩陣1000 的圖。單位電路矩陣1000具有排列為矩陣狀的多個單位電路101。在單位 電路101的矩陣中，分別連接有沿其列方向延伸的多根數(shù)據(jù)線和沿行方向 延伸的多根柵極線。首先說明第1實(shí)施方式。圖2 (a)是表示設(shè)于第1實(shí)施方式的電光裝 置上的單位電路，即像素電路的構(gòu)成的電路圖。像素電路101包括作為 具有陽極和陰極的發(fā)光元件的有機(jī)EL元件1;構(gòu)成用于調(diào)節(jié)所述有機(jī)EL 元件l的發(fā)光灰度的電路的晶體管T1、 T2、 T3、 T4;沿所述像素電路行 方向連接的柵極線；和沿所述像素電路列方向連接的數(shù)據(jù)線4。數(shù)據(jù)保持 用的保持電容器C是根據(jù)從所述數(shù)據(jù)線供給的電流，保持晶體管T1的柵 極/源極之間電壓的電容器。在這里，柵極線包括兩條子?xùn)艠O線2、 3。像素電路101是根據(jù)流經(jīng)數(shù)據(jù)線4的電流值調(diào)節(jié)有機(jī)EL元件1的灰 度的電流程序電路。具體地講，該像素電路101，除了有機(jī)EL元件1以 外，還包括第1晶體管Tl、第2晶體管T2、第3晶體管T3、第4晶體管 T4和保持電容器C。保持電容器C是用來保持與通過數(shù)據(jù)線4供給的數(shù) 據(jù)信號對應(yīng)的電荷，由此來調(diào)節(jié)有機(jī)EL元件1的發(fā)光灰度的電容器。即，保持電容器C相當(dāng)于保持與流經(jīng)數(shù)據(jù)線4的電流相對應(yīng)的電壓之電壓保持 機(jī)構(gòu)。有機(jī)EL元件1由于是與光電二極管同樣的電流注入型(電流驅(qū)動 型)的發(fā)光元件，故在此用二極管符號來表示。第1晶體管Tl的源極與有機(jī)EL元件1連接著。另外，晶體管Tl的 漏極通過晶體管T4連接在電源電位VDD上。晶體管T2的漏極分別與晶 體管T3的源極、晶體管T4的源極、晶體管Tl的漏極連接。晶體管T2 的源極連接在晶體管Tl的柵極上。保持電容器C連接在晶體管Tl的源 極與柵極之間。晶體管T3的漏極連接在數(shù)據(jù)線4上。有機(jī)EL元件1連接 在晶體管Tl的源極與接地電位VSS之間。晶體管T2、晶體管T3的柵極 共同連接在第1子?xùn)艠O線2上。此外，晶體管T4的柵極連接在第2子?xùn)?極線3上。晶體管T2、晶體管T3是在保持電容器C內(nèi)積蓄電荷時使用的開關(guān)晶 體管。晶體管T4是在有機(jī)EL元件1發(fā)光期間內(nèi)保持接通狀態(tài)的開關(guān)晶體 管。另外，晶體管T1是控制流經(jīng)有機(jī)EL元件1的電流值的驅(qū)動晶體管。 晶體管T1的電流值由保持在保持電容器C內(nèi)的電荷量(積蓄電荷量)控 制。圖2 (b)是表示像素電路101的通常動作的時間圖。在這里，示出第 l子?xùn)艠O(sub-gate)線2的電壓值sdl、第2子?xùn)艠O線3的電壓值sel2、 數(shù)據(jù)線4的電流值Idata和流經(jīng)有機(jī)EL元件1的電流值IEL。驅(qū)動周期Tc包括編程期間Tpr和發(fā)光期間Tel。在這里，所謂"驅(qū)動 周期Tc"是指電光裝置的全部有機(jī)EL元件1的發(fā)光灰度每更新一次的周 期，與所謂的幀周期相同?；叶鹊母率窃谝恍蟹莸拿總€像素電路組進(jìn)行 一次，在驅(qū)動周期Tc期間內(nèi)，按順序更新N行份的像素電路組的灰度。 例如，在以30Hz更新所有像素電路的灰度時，驅(qū)動周期Tc約為33ms。"編程期間Tpr"是在像素電路101內(nèi)設(shè)定有機(jī)EL元件1的發(fā)光灰度 的期間。在本說明書中，將對像素電路101的灰度設(shè)定稱為"編程"。例 如，在驅(qū)動周期Tc約為33ms，柵極線的總數(shù)N為480條時，編程期間 Tpr約為69ps (=33 ms/480)或其以下。在編程期間Tpr中，首先，將第2子?xùn)艠O線3設(shè)定為L電平，保持晶 體管T4的斷開狀態(tài)(關(guān)閉)。其次， 一邊使對應(yīng)于發(fā)光灰度的電流值Idata通過數(shù)據(jù)線4， 一邊將第1子?xùn)艠O信號2設(shè)定為H電平，使晶體管T2、 T3變?yōu)榻油顟B(tài)(打開)。該電流值Idata設(shè)定為對應(yīng)于有機(jī)EL元件1的 發(fā)光灰度的電流值。保持電容器C變?yōu)楸３謱?yīng)于流過晶體管Tl (驅(qū)動晶體管)的電流 值Idata的電荷的狀態(tài)。結(jié)果，存儲于保持電容器C內(nèi)的電壓施加在晶體 管T1的柵極/源極之間。另外，在本說明書中，將用于編程的數(shù)據(jù)信號的 電流值Mata稱為"編程電流值Idata"。如果結(jié)束編程，則將第1子?xùn)艠O信號2設(shè)定為L電平，晶體管T2、 T3變?yōu)閿嚅_狀態(tài)，停止流經(jīng)數(shù)據(jù)線4的數(shù)據(jù)信號Idata。在發(fā)光期間Td中，維持第1子?xùn)艠O信號2為L電平，保持晶體管T2、 T3為斷開狀態(tài)，將第2子?xùn)艠O信號3設(shè)定為H電平，將晶體管T4設(shè)定為 接通狀態(tài)。因?yàn)樵诒３蛛娙萜鰿內(nèi)存儲有對應(yīng)于編程電流值Idata的電壓， 故在晶體管Tl中流過大致等于編程電流值Idata的電流。因此，在有機(jī) EL元件1中也流過大致等于編程電流值Idata的電流，并以對應(yīng)于該電流 值Idata的灰度來發(fā)光。圖3 (a)是第1實(shí)施方式的其他像素電路的示例。圖3 (a)的晶體管 Tl的源極連接在接地電壓VSS上。另外，晶體管Tl的漏極通過晶體管 T4連接在有機(jī)EL元件1上。晶體管T2的漏極分別連接在晶體管T3的源 極、晶體管T4的源極、晶體管Tl的漏極上。晶體管T2的源極連接在晶 體管Tl的柵極上。保持電容器C連接在晶體管Tl的源極與柵極之間。 晶體管T3的漏極連接在數(shù)據(jù)線4上。有機(jī)EL元件1連接在晶體管T4的 漏極與電源電壓VDD之間。晶體管T2、 T3的柵極共同連接在第1子?xùn)?極線2上。另外，晶體管T4的柵極連接在第2子?xùn)艠O線3上。晶體管T2、 T3是在保持電容器C內(nèi)積蓄電荷時使用的開關(guān)晶體管。 晶體管T4是在有機(jī)EL元件1的發(fā)光期間內(nèi)保持接通狀態(tài)的開關(guān)晶體管， 同時也作為在編程期間Tpr中斷路有機(jī)EL元件1的電流路徑的電流斷路 機(jī)構(gòu)而發(fā)揮功能。另外，晶體管T1是用于控制流經(jīng)有機(jī)EL元件1的電流 值的驅(qū)動晶體管。晶體管T1的電流值由保持在保持電容器C內(nèi)的電荷量 (積蓄電荷量)控制。圖3 (b)是表示圖3 (a)的像素電路的動作的時間圖，但由于其動作原理和圖2 (a)的像素電路相同，故省略其說明。而且，圖3 (a)的像 素電路，在編程期間Tpr中在Idata電流路徑內(nèi)不包含有機(jī)EL元件1的觀 點(diǎn)上與圖2 (a)的像素電路不同。該觀點(diǎn)在減輕Idata的驅(qū)動負(fù)載上發(fā)揮 效果。圖11 (a)是第1實(shí)施方式的其他像素電路示例。圖11 (a)的晶體管 Tl的漏極連接在電源電壓VDD上。另外，晶體管Tl的源極分別連接著 晶體管T3的漏極與晶體管T4的漏極。晶體管T2的漏極連接在電源電壓 VDD上。晶體管T2的源極連接著晶體管T1的柵極。保持電容器C連接 在晶體管Tl的源極與柵極之間。晶體管T3的源極連接在數(shù)據(jù)線4上。有 機(jī)EL元件1連接在晶體管T4的源極與接地電壓VSS之間。晶體管T2、 T3的柵極共同連接著第1子?xùn)艠O線2。另外，晶體管T4的柵極連接在第 2子?xùn)艠O線3上。晶體管T2、 T3是在保持電容器C內(nèi)積蓄電荷時使用的開關(guān)晶體管。 晶體管T4是在有機(jī)EL元件1的發(fā)光期間內(nèi)保持接通狀態(tài)的開關(guān)晶體管， 同時，作為在編程期間Tpr內(nèi)斷路有機(jī)EL元件1的電流路徑的電流斷路 機(jī)構(gòu)。另外，晶體管T1是用于控制流經(jīng)有機(jī)EL元件1的電流值的驅(qū)動晶 體管。晶體管T1的電流值由保持在保持電容器C內(nèi)的電荷量(積蓄電荷 量)控制。圖11 (b)是表示圖11 (a)的像素電路動作的時間圖，但因?yàn)槠鋭幼?原理和圖2 (a)的像素電路相同，故省略其說明。另外，圖ll (a)的像 素電路，在編程期間Tpr內(nèi)在Idata電流路徑中不包含有機(jī)EL元件1的觀 點(diǎn)上，與圖2 (a)的像素電路不同。該觀點(diǎn)在減輕Idata的驅(qū)動負(fù)載上發(fā) 揮效果。圖15 (a)是第1實(shí)施方式的其他像素電路的示例。晶體管T1的源極 連接著有機(jī)EL元件1。此外，晶體管Tl的漏極通過晶體管T4連接在電 源電壓VDD上。晶體管T2的漏極分別連接著晶體管T3的源極、晶體管 T4的源極、晶體管T1的漏極。晶體管T2的源極連接在晶體管T1的柵極 上。晶體管T10的漏極分別連接著晶體管Tl的源極、有機(jī)EL元件1的 陽極。另外，晶體管T10的源極分別連接在有機(jī)EL元件1的陰極和接地 電壓VSS上。保持電容器C連接在晶體管T1的源極與柵極之間。晶體管T3的漏極連接著數(shù)據(jù)線4。有機(jī)EL元件1連接在晶體管Tl的源極與接 地電壓VSS之間。晶體管T2、 T3、 T10的柵極共同連接著第1子?xùn)艠O線 2。另外，晶體管T4的柵極連接在第2子?xùn)艠O線3上。晶體管T2、 T3是在保持電容器C內(nèi)積蓄電荷時使用的開關(guān)晶體管。 晶體管T4是在有機(jī)EL元件1的發(fā)光期間內(nèi)保持接通狀態(tài)的開關(guān)晶體管。 另外，晶體管T1是用于控制通過有機(jī)EL元件1的電流值的驅(qū)動晶體管。 晶體管T1的電流值由保持在保持電容器C內(nèi)的電荷量(積蓄電荷量)控 制。另外，晶體管T10具有在編程期間Tpr內(nèi)使有機(jī)EL元件1的陽極與 陰極短路的功能。圖15 (b)是表示圖15 (a)的像素電路動作的時間圖，但由于其動作 原理與圖2 (a)的像素電路相同，故省略其說明。而且，在圖15 (a)的 像素電路中，由于晶體管T10在編程期間Tpr內(nèi)處于接通狀態(tài)，故有機(jī) EL元件1的陽極與陰極短路，和圖2 (a)相比，Idata電流路徑的總電阻 變小。由此，可以減輕Idata的驅(qū)動負(fù)載。在這里，圖2 (a)、圖3 (a)、圖11 (a)及圖15 (a)所示的像素電 路101利用編程電流Idata作為數(shù)據(jù)信號。再有，像素電路101所含的晶 體管的極性均被統(tǒng)一。因此，可以實(shí)現(xiàn)有機(jī)EL元件1的控制的高精度化， 而且與組合不同極性的晶體管相比，可以期待簡化制造工藝或提高成品 率。另外，圖2 (a)、圖3 (a)、圖11 (a)和圖15 (a)所示的像素電路 101所含的晶體管的極性都是N型晶體管。因此，即使在只能用N型晶 體管的制造工藝中，也可以實(shí)現(xiàn)這些像素電路。從而，減少晶體管的制 造工藝中的限制條件，可以期待削減制造費(fèi)用。再有，在為圖2 (a)、圖11 (a)和圖15 (a)時，像素電路101所含 的有機(jī)EL元件1的陰極在多個像素電路101之間共同連接著。因此，在 有機(jī)EL元件1的制造中，即使在必須通用陰極的制造工藝中，也可以實(shí) 現(xiàn)這些電路。因此，減少有機(jī)EL元件1的制造工藝的限制條件，可以期 待削減制造費(fèi)用。另外，圖3 (a)及圖ll (a)所示的像素電路101，是 在編程期間Tpr內(nèi)在Idata電流路徑中不包含有機(jī)EL元件1的構(gòu)成。一般，有機(jī)EL元件1具有所定的電阻值，但有時與晶體管的通態(tài)電阻相比，其電阻非常大。由于圖3 (a)及圖11 (a)所示的像素電路在Idata電流 路徑內(nèi)不包含有機(jī)EL元件1，故可以減小電流路徑的總電阻。這種情形 也同樣適用于圖15 (a)，若利用這些像素電路，則可以降低施加在Idata 電流路徑兩端的電壓。同時，能夠縮短Idata的編程所需的時間。(第2實(shí)施方式)接著，說明第2實(shí)施方式。圖4 (a)是設(shè)于第2實(shí)施方式的電光裝置 內(nèi)的像素電路與特性調(diào)整電路的電路圖。圖4 (a)的像素電路101和表示 第1實(shí)施方式的圖2 (a)構(gòu)成相同。特性調(diào)整電路102是對包含在像素電路101的晶體管中的，至少對晶 體管T1起作用的電路。特性調(diào)整電路102包括電源電位VRF、作為開關(guān) 發(fā)揮功能的第5晶體管T5的晶體管T5和控制晶體管T5的接通/斷幵的信 號RF。晶體管T5為N型，晶體管T5的柵極連接在信號RF上，源極連 接在數(shù)據(jù)線4上，漏極連接在電源電位VRF上。另外，將電源電位VRF 設(shè)定為接地電位VSS或其以下的電壓。同時，將信號RF、第l子?xùn)艠O信 號2及第2子?xùn)艠O信號3的L電平設(shè)定為電源電位VRF或其以下。由此， 可以將晶體管T2、 T3、 T4和T5設(shè)定為可靠的斷開狀態(tài)。圖4 (b)是表示圖4 (a)電路動作的時間圖。在這里，示出第1子?xùn)?極信號2的電壓值sdl、第2子?xùn)艠O信號3的電壓值sd2、數(shù)據(jù)線4的電 流值Idata、通過有機(jī)EL元件1的電流值正L和信號RF的電壓值。驅(qū)動周期Tc包括編程期間Tpr、發(fā)光期間Tel和調(diào)整期間Trf。在這里， "驅(qū)動周期Tc"與"編程期間Tpr"相同于第1實(shí)施方式，但新增加有"調(diào) 整期間Trf"。調(diào)整期間Trf是特性調(diào)整電路102對像素電路101造成影響 的期間。對圖4 (a)的電路動作進(jìn)行說明。在編程期間Tpr內(nèi)，在保持電容器 C內(nèi)存儲晶體管T1的柵極/源極之間對應(yīng)于電流值Idata的電壓。接著，在 發(fā)光期間Tel內(nèi)，在有機(jī)EL元件1中流過大致等于編程電流值Idata的電 流，以對應(yīng)于該電流值Idata的灰度進(jìn)行發(fā)光。由于從編程期間Tpr到發(fā) 光期間Td為止，將晶體管T5設(shè)定為斷開狀態(tài)，故特性調(diào)整電路102對像素電路101無影響。然后，在調(diào)整期間Trf內(nèi)，停止Idata，晶體管T2、 T3、 T5都變?yōu)榻油顟B(tài)，晶體管T1的柵極變?yōu)殡娫措娢籚RF。此時，因 為圖4 (a)的節(jié)點(diǎn)q通過有機(jī)EL元件1連接著接地電壓VSS，故節(jié)點(diǎn)q 電位變?yōu)榻拥仉妷篤SS或其以上的值。由于晶體管T1的柵極和節(jié)點(diǎn)p設(shè) 定為接地電壓VSS以下的電源電位VRF，故晶體管T1變?yōu)閿嚅_狀態(tài)。因 為晶體管T1變?yōu)閿嚅_狀態(tài)，故有機(jī)EL元件1不發(fā)光。在這里，在使電源電位VRF低于接地電壓VSS時，節(jié)點(diǎn)p與節(jié)點(diǎn)q 的電位大小的關(guān)系在編程期間Tpr和發(fā)光期間Tel內(nèi)，節(jié)點(diǎn)p的電位>節(jié) 點(diǎn)q的電位，與此相反，在調(diào)整期間Trf內(nèi)，變?yōu)楣?jié)點(diǎn)p的電位〈節(jié)點(diǎn)q 的電位，電位大小的關(guān)系相反。S卩，更換晶體管T1的源極/漏極關(guān)系。例 如，在像素電路101內(nèi)的晶體管T1為非晶硅晶體管時，若繼續(xù)在直流狀 態(tài)下使用晶體管Tl，則一般閾值電壓移位。作為防止這種情形的方法， 公知更換晶體管的源極/漏極的方法或?qū)⒕w管定期地設(shè)為斷開狀態(tài)的方 法。根據(jù)圖4 (a)的電路，在用非晶硅晶體管構(gòu)成晶體管T1時，因?yàn)榭?以更換晶體管T1的源極/漏極，故能使閾值電壓移位恢復(fù)。圖5 (a)是設(shè)于第2實(shí)施方式的電光裝置內(nèi)的其他電路的示例。圖5 (a)的電路，除了電位固定電路103以外的部分和圖4 (a)構(gòu)成相同。電位固定電路103是電位固定像素電路101的所定節(jié)點(diǎn)的電路。電位 固定電路103包括具有開關(guān)功能的第6晶體管T6，向晶體管T6的柵極供 給接地電壓VSS。晶體管T6為N型晶體管，晶體管T6的源極和漏極分 別連接著晶體管T1的源極和漏極。而且，在為圖5 (a)電路時，電源電 位VRF設(shè)定為比接地電壓VSS還低晶體管T6的閾值電壓Vth (T6)的電 位或其以下。另外，與圖4 (a)同樣，信號RF、第1子?xùn)艠O信號2和第 2子?xùn)艠O信號3的L電平設(shè)定為電源電位VRF或其以下。由此，可以將晶 體管T2、 T3、 T4和T5設(shè)定為可靠的斷開狀態(tài)。另外，在本說明書中， 將電位固定電路103作為特性調(diào)整電路102的一部分而進(jìn)行說明。圖5 (b)是表示圖5 (a)電路的動作的時間圖。在這里，示出第1 子?xùn)艠O線2的電壓值sell 、第2子?xùn)艠O線3的電壓值sd2、數(shù)據(jù)線4的電 流值Idata、流過有機(jī)EL元件1的電流值IEL和信號RF的電壓值。和圖 4 (a)同樣，驅(qū)動周期Tc包括編程期間Tpr、發(fā)光期間Tel和調(diào)整期間Trf。在這里，"驅(qū)動周期Tc"和"編程期間Tpr"和圖4 (a)的電路相同，但 "調(diào)整期間Trf"的動作不同于圖4 (a)的電路。說明圖5 (a)的電路動作。在編程期間Tpr內(nèi)，在保持電容器C內(nèi)存 儲晶體管T1的柵極/源極之間對應(yīng)于電流值Idata的電壓。接著，在發(fā)光 期間Tel內(nèi)，在有機(jī)EL元件1中通過大致等于編程電流值Idata的電流， 以對應(yīng)于該電流值Idata的灰度進(jìn)行發(fā)光。從編程期間Tpr到發(fā)光期間Tel 為止，將晶體管T5設(shè)定為斷開狀態(tài)。再有，由于晶體管T6的柵極電位為 節(jié)點(diǎn)p和節(jié)點(diǎn)q的電位或其以下，故晶體管T6為斷開狀態(tài)。因此，包含 電位固定電路103的特性調(diào)整電路102對像素電路101無影響。然后，在 調(diào)整期間Trf內(nèi)停止Idata，晶體管T2、 T3、 T5都變?yōu)榻油顟B(tài)，晶體管 Tl的柵極變?yōu)殡娫措娢籚RF。此時，由于圖5 (a)節(jié)點(diǎn)p設(shè)定為VSS — Vth (T6)或其以下的電源電位VRF，故晶體管T6變?yōu)榻油顟B(tài)，節(jié)點(diǎn)q 設(shè)定為電源電位VRF。在該狀態(tài)下，因?yàn)榫w管T1的柵極、源極和漏極 都變?yōu)殡娫措娢籚RF，故晶體管T1變?yōu)閿嚅_狀態(tài)。另外，因?yàn)楣?jié)點(diǎn)q設(shè) 定為VSS—Vth (T6)或其以下的電源電位VRF，故有機(jī)EL元件1變?yōu)?反向偏置狀態(tài)，不發(fā)光。在這里，如果考慮晶體管T6的通態(tài)電阻，則節(jié)點(diǎn)p的電位應(yīng)該比節(jié) 點(diǎn)q的電位還低。因此，節(jié)點(diǎn)p和節(jié)點(diǎn)q中的電位的大小關(guān)系，在編程期 間Tpr和發(fā)光期間Td內(nèi)，節(jié)點(diǎn)p的電位〉節(jié)點(diǎn)q的電位，與此相反，在 調(diào)整期間Trf內(nèi)變?yōu)楣?jié)點(diǎn)p的電位〈節(jié)點(diǎn)q的電位，和圖4 (a)的電路同 樣，電位的大小關(guān)系變?yōu)橄喾础Ｓ纱?，例如在用非晶硅晶體管構(gòu)成像素電 路101內(nèi)的晶體管T1時，能夠使晶體管T1的閾值電壓移位恢復(fù)。和圖4(a)的電路不同之處在于，將節(jié)點(diǎn)q固定為電源電位VRF。由 于在圖4 (a)電路的情況下節(jié)點(diǎn)q為浮動狀態(tài)，故相對晶體管T1不能可 靠地設(shè)定節(jié)點(diǎn)p的電位〈節(jié)點(diǎn)q的電位，與此相對，在圖5 (a)電路的情 況下，因?yàn)楣?jié)點(diǎn)q為電源電位VRF，故可以相對晶體管T1可靠地設(shè)定節(jié) 點(diǎn)p的電位〈節(jié)點(diǎn)q的電位。因此，在用非晶硅晶體管構(gòu)成晶體管T1時， 圖5 (a)的電路使晶體管T1的閾值電壓移位恢復(fù)的效果比圖4 (a)的電 路大。圖6 (a)是設(shè)在第2實(shí)施方式的電光裝置內(nèi)的其他電路圖的示例。圖6 (a)的電路，相對圖4 (a)的電路變更特性調(diào)整電路102的構(gòu)成。還有， 與圖5 (a)的電路不同的是，電位固定機(jī)構(gòu)103直接成為特性調(diào)整電路 102。電位固定電路103和圖5 (a)的電路同樣，是電位固定像素電路IOI 的所定節(jié)點(diǎn)的電路。電位固定電路103包括電源電位VRF、具有開關(guān)功 能的第7晶體管T7、控制晶體管T7接通/斷開的信號RF。晶體管T7為N 型，且晶體管T7的柵極連接著信號RF，漏極連接著晶體管T1的柵極， 源極連接著電源電位VRF。圖6 (b)是表示圖6 (a)電路的動作的時間圖。在這里，示出第1 子?xùn)艠O線2的電壓值se11、第2子?xùn)艠O線3的電壓值sel2、數(shù)據(jù)線4的電 流值Idata、通過有機(jī)EL元件1的電流值正L和信號RF的電壓值。和圖 4 (a)、圖5 (a)同樣，驅(qū)動周期Tc包括編程期間Tpr、發(fā)光期間Tel和 調(diào)整期間Trf。在這里，"驅(qū)動周期Tc"和"編程期間Tpr"和圖4 (a)同 樣，但"調(diào)整期間Trf"的動作不同于圖4 (a)、圖5 (a)的電路。說明圖6 (a)的電路的動作。在編程期間Tpr內(nèi)，在保持電容器C中 存儲晶體管T1的柵極/源極之間對應(yīng)于電流值Idata的電壓。接著，在發(fā) 光期間Td內(nèi)，在有機(jī)EL元件1中通過大致等于編程電流值Idata的電流， 以對應(yīng)于該電流值Idata的灰度進(jìn)行發(fā)光。由于從編程期間Tpr到發(fā)光期 間Td為止，晶體管T7設(shè)定為斷開狀態(tài)，故特性調(diào)整電路102對像素電 路101沒有影響。然后，在調(diào)整期間Trf內(nèi)，由于晶體管T2、 T3變?yōu)閿?開狀態(tài)，晶體管T7變?yōu)榻油顟B(tài)，故晶體管T1的柵極被設(shè)定為電源電位 VRF。若將電源電位VRF設(shè)定為很小的電壓，則晶體管Tl變?yōu)閿嚅_狀態(tài)， 有機(jī)EL元件1不發(fā)光。在這里，在編程期間Tpr和發(fā)光期間Tel內(nèi)，晶體管Tl處于接通狀態(tài)， 與此相反，在調(diào)整期間Trf內(nèi)晶體管Tl處于關(guān)閉狀態(tài)，晶體管Tl具有接 通狀態(tài)和斷開狀態(tài)等兩個狀態(tài)。由此，例如在用非晶硅晶體管構(gòu)成晶體管 Tl時，能使晶體管T1的閾值電壓移位恢復(fù)。另外，因?yàn)橥ㄟ^調(diào)整電源電 位VRF，從而可以調(diào)整晶體管Tl的偏置狀態(tài)，故例如通過將晶體管Tl 的柵極設(shè)定為比源極電壓還低，從而可以期待恢復(fù)閾值電壓移位的效果。接下來，在圖7 (a)、圖8 (a)和圖9 (a)中表示以第1實(shí)施方式的圖3 (a)的電路為基礎(chǔ)，實(shí)現(xiàn)第2實(shí)施方式的電路。圖7 (a)對應(yīng)于圖4 (a)，圖8 (a)對應(yīng)于圖5 (a)，圖9 (a)對應(yīng)于圖6 (a)。另外，在圖 8 (a)電路中，刪除了圖5 (a)的晶體管T5和電源電位VRF。這是因?yàn)?即使刪除晶體管T5與電源電位VRF，也可以得到和圖5 (a)同等的效果。 在圖7 (b)、圖8 (b)和圖9 (b)中分別表示圖7 (a)、圖8 (a)和 圖9 (a)的時間圖。因?yàn)閳D7 (a)、圖8 (a)和圖9 (a)基本的電路動作 和圖4 (a)、圖5 (a)、圖6 (a)同樣，故省略其說明，但可以期待和圖4 (a)、圖5 (a)、圖6 (a)同等的效果。接著，在圖12 (a)、圖13 (a)和圖14 (a)中表示以第1實(shí)施方式 的圖11 (a)的電路為基礎(chǔ)，實(shí)現(xiàn)第2實(shí)施方式的電路。圖12 (a)對應(yīng) 于圖4 (a)，圖13 (a)對應(yīng)于圖5 (a)，圖14 (a)對應(yīng)于圖6 (a)。而 且，在圖13 (a)電路中，刪除了圖5 (a)的晶體管T5和電源電位VRF。 這是因?yàn)榧词箘h除晶體管T5與電源電位VRF，也可以的得到和圖5 (a) 同等的效果。在圖12 (b)、圖13 (b)和圖14 (b)中分別表示圖12 (a)、圖13 (a) 和圖14 (a)的時間圖。因?yàn)閳D12 (a)、圖13 (a)和圖14 (a)基本的電 路動作和圖4 (a)、圖5 (a)、圖6 (a)同樣，故省略其說明，但可以期 待和圖4 (a)、圖5 (a)、圖6 (a)同等的效果。然后，在圖16 (a)、圖17 (a)和圖18 (a)中表示以第1實(shí)施方式 的圖15 (a)的電路為基礎(chǔ)，實(shí)現(xiàn)第2實(shí)施方式的電路。圖16 (a)對應(yīng) 于圖4 (a)，圖17 (a)對應(yīng)于圖5 (a)，圖18 (a)對應(yīng)于圖6 (a)。而 且，在圖17 (a)電路中，刪除了圖5 (a)的晶體管T5和電源電位VRF。 這是因?yàn)榧词箘h除晶體管T5與電源電位VRF，也可以得到和圖5 (a)同 等的效果。在圖16 (b)、圖17 (b)和圖18 (b)中分別表示圖16 (a)、圖17 (a) 和圖18 (a)的時間圖。因?yàn)閳D16 (a)、圖17 (a)和圖18 (a)基本的電 路動作和圖4 (a)、圖5 (a)、圖6 (a)同樣，故省略其說明，但可以期 待和圖4 (a)、圖5 (a)、圖6 (a)同等的效果。雖然在上述各實(shí)施例中說明了利用有機(jī)EL元件的電光裝置的示例， 但本發(fā)明也能應(yīng)用在利用有機(jī)EL元件以外的發(fā)光元件的電光裝置或顯示裝置中。例如，可以適用在具有能根據(jù)驅(qū)動電流調(diào)整發(fā)光灰度的其他種類的發(fā)光元件(LED或FED等)的裝置中。
權(quán)利要求
1.一種電光裝置，包括多根柵極線；多根數(shù)據(jù)線；和與所述多根柵極線和所述多根數(shù)據(jù)線的各交叉部位對應(yīng)而設(shè)置的像素電路，特征在于所述像素電路包括具有陽極和陰極的發(fā)光元件；用于控制所述發(fā)光元件的發(fā)光的灰度的電路；用于斷路所述發(fā)光元件的電流路徑的電流斷路機(jī)構(gòu)；以及電位固定電路，所述發(fā)光元件由包含發(fā)光期間和接著該發(fā)光期間的調(diào)整期間的驅(qū)動周期驅(qū)動，所述像素電路具有在通過所述數(shù)據(jù)線而將電流流經(jīng)所述像素電路期間當(dāng)中的至少一部分期間內(nèi)，將所述電流斷路機(jī)構(gòu)設(shè)定為活性狀態(tài)的功能，所述電位固定電路在所述調(diào)整期間，將規(guī)定電位供給所述像素電路所包含的規(guī)定晶體管。
2. —種電光裝置，包括多根柵極線；多根數(shù)據(jù)線；和與所述多根柵 極線和所述多根數(shù)據(jù)線的各交叉部位對應(yīng)而設(shè)置的像素電路，特征在于所述像素電路包括具有陽極和陰極的發(fā)光元件；用于控制所述發(fā)光 元件的發(fā)光的灰度的電路；用于在所述發(fā)光元件的陽極和陰極之間進(jìn)行連 接的短路機(jī)構(gòu)；以及電位固定電路，所述發(fā)光元件由包含發(fā)光期間和接著該發(fā)光期間的調(diào)整期間的驅(qū)動 周期驅(qū)動，所述像素電路具有在通過所述數(shù)據(jù)線而將電流流經(jīng)所述像素電路期 間當(dāng)中的至少一部分期間內(nèi)，將所述短路機(jī)構(gòu)設(shè)定為活性狀態(tài)的功能，所述電位固定電路在所述調(diào)整期間，將規(guī)定電位供給所述像素電路所 包含的規(guī)定晶體管。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的電光裝置，其特征在于，所述電位固定 電路在所述調(diào)整期間，將所述像素電路所包含的驅(qū)動晶體管的柵極、源極 或漏極中的至少一個端子的電位固定為規(guī)定電位。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1到3任何一項(xiàng)所述的電光裝置，其特征在于，所述 像素電路所包含的多個晶體管的極性全部為N型。
5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的電光裝置，其特征在于，所述發(fā)光元件的陰 極在多個所述像素電路之間被共同連接。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1到5任何一項(xiàng)所述的電光裝置，其特征在于，所述像素電路包含非晶硅晶體管。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1到6任何一項(xiàng)所述的電光裝置，其特征在于， 所述發(fā)光元件是有機(jī)EL元件。
8. —種電光裝置的驅(qū)動方法，所述電光裝置包括多根柵極線；多根 數(shù)據(jù)線；和與所述多根柵極線和所述多根數(shù)據(jù)線的各交叉部位對應(yīng)而設(shè)置 的像素電路，特征在于所述像素電路包括具有陽極和陰極的發(fā)光元件；用于控制所述發(fā)光 元件的發(fā)光的灰度的電路；用于斷路所述發(fā)光元件的電流路徑的電流斷路 機(jī)構(gòu)；以及電位固定電路，所述發(fā)光元件由包含發(fā)光期間和接著該發(fā)光期間的調(diào)整期間的驅(qū)動 周期驅(qū)動，所述像素電路在通過所述數(shù)據(jù)線而將電流流經(jīng)所述像素電路期間當(dāng) 中的至少一部分期間內(nèi)，將所述電流斷路機(jī)構(gòu)設(shè)定為活性狀態(tài)，所述電位固定電路在所述調(diào)整期間，將規(guī)定電位供給所述像素電路所 包含的規(guī)定晶體管。
9. 一種電光裝置的驅(qū)動方法，所述電光裝置包括多根柵極線；多根 數(shù)據(jù)線；和與所述多根柵極線和所述多根數(shù)據(jù)線的各交叉部位對應(yīng)而設(shè)置 的像素電路，特征在于所述像素電路包括具有陽極和陰極的發(fā)光元件；用于控制所述發(fā)光 元件的發(fā)光的灰度的電路；用于在所述發(fā)光元件的陽極和陰極之間進(jìn)行連 接的短路機(jī)構(gòu)；以及電位固定電路，所述發(fā)光元件由包含發(fā)光期間和接著該發(fā)光期間的調(diào)整期間的驅(qū)動 周期驅(qū)動，所述像素電路在通過所述數(shù)據(jù)線而將電流流經(jīng)所述像素電路期間當(dāng) 中的至少一部分期間內(nèi)，將所述短路機(jī)構(gòu)設(shè)定為活性狀態(tài)，所述電位固定電路在所述調(diào)整期間，將規(guī)定電位供給所述像素電路所 包含的規(guī)定晶體管。
全文摘要
本發(fā)明提供一種在由包含非晶硅晶體管的像素電路驅(qū)動有機(jī)EL元件時，可以防止非晶硅晶體管的閾值移位的電光裝置及電光裝置的驅(qū)動方法。具備能夠使像素電路內(nèi)的非晶硅晶體管的閾值移位恢復(fù)的功能的特性調(diào)整電路。
文檔編號H05B33/08GK101231820SQ20081008139
公開日2008年7月30日 申請日期2004年5月18日 優(yōu)先權(quán)日2003年5月19日
發(fā)明者今村陽一, 小澤德郎, 河西利幸 申請人:精工愛普生株式會社