專利名稱：熒光燈控制電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種熒光燈的控制電路，尤其涉及一種在特定的 時間段內(nèi)，可以加大焚光燈的電流，使得熒光燈可以在較短的時 間內(nèi)快速達到正常亮度的控制電路。
背景技術(shù)：
目前市面上的熒光燈都是利用汞來發(fā)射紫外線。 一般情況下， 汞以液體形式存在，也有以汞齊(小球狀汞合金)形式存在。與液態(tài) 汞相比，汞齊存在著較大的優(yōu)勢，但是汞齊需要在受熱激發(fā)時才 能發(fā)射出紫外線。因此，使用汞齊的熒光燈要達到額定的輸出光 通量需要有一定的時間，熒光燈點亮后汞齊附近的熱量決定著小 球狀汞齊的蒸發(fā)量。人們往往感覺在焚光燈剛點亮時比較暗，要 過一段時間后才達到正常的亮度。由此也給人們使用焚光燈時帶 來了不便。
通常熒光燈采用鎮(zhèn)流器控制單元和振蕩器單元組成控制電路 來控制熒光燈的點亮發(fā)光， 一 般該控制電路可以以 一 定的預熱時 間或無預熱時間的方式點亮熒光燈，該方式的控制電路在開始振 蕩時起始頻率較高，隨后振蕩頻率以較快的速率下降，在頻率下 降的時間段內(nèi)熒光燈管被點亮。該方式從焚光燈點亮到正常的亮 度需耗時一段時間，因此在熒光燈被剛開啟時，人們總感覺有點
"昏暗"；故需有一種控制電路以調(diào)整振蕩器單元的振蕩頻率，'在 熒光燈開啟時使熒光燈快速達到正常亮度。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供 一 種熒光燈控制電路，其 在一特定的時間內(nèi)通過短時間的加大熒光燈的電流來增加汞齊的 熱量，從而加速汞齊的蒸發(fā)速度，使得熒光燈能夠在較短的時間 內(nèi)快速地達到正常亮度。
為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明熒光燈控制電路，包括鎮(zhèn)流器 控制單元和振蕩器單元、信號檢測單元、開關(guān)單元和變頻單元， 所述信號檢測單元在接受所述鎮(zhèn)流器控制單元開燈的信號后輸出 信號至開關(guān)單元，所述開關(guān)單元輸出信號至所述變頻單元，所述 變頻單元輸出信號至所述振蕩器單元并改變振蕩頻率。
優(yōu)選地，所述信號檢測單元包括二極管、電阻和第一電容， 所述電阻和第一電容并聯(lián)后連接到二極管的負極，所述二極管的
正極與所述鎮(zhèn)流器控制單元連接；所述開關(guān)單元是一 NMOS管， 其柵極連接所述二極管的負極，源極接地；所述變頻單元包括第 二電容和第三電容，所述第二電容和第三電容串聯(lián)連接，并并聯(lián) 于所述NMOS管的漏^l和源;f及間，所述第二電容和第三電容的連 接點連接所述振蕩器單元。
優(yōu)選地，所述振蕩器單元還包括一電流比較器，所述信號檢 測單元包括二極管和第 一 電容，所述二極管的正極連接所述鎮(zhèn)流 器控制單元，其負極連接第一電容，第一電容的另一端接地，所 述開關(guān)單元是一 NMOS管，其柵極連接所述二極管的負極，源極 接地，漏極通過電阻連4妻所述電流比較器的負端，所述變頻單元 包括第二電容，所述第二電容的一端接地，其另一端連接所述振 蕩器單元。
由于本發(fā)明熒光燈控制電路采用了上述技術(shù)方案，即利用信號檢測單元接受開燈信號后觸發(fā)開關(guān)單元動作，開關(guān)單元動作后 使變頻單元工作，以改變焚光燈振蕩電路的振蕩頻率，加大了熒 光燈燈絲電流，提高熒光燈的光通率，使得熒光燈能夠在較短的 時間內(nèi)快速地達到正常的亮度。


下面結(jié)合附圖和實施方式對本發(fā)明作進一 步的詳細說明
圖1為本發(fā)明熒光燈控制電路的框圖，
圖2為本發(fā)明一種熒光燈控制電路的示意圖，
圖3為本發(fā)明另一種熒光燈控制電路的示意圖。
具體實施例方式
如圖1所示，本發(fā)明萸光燈控制電路，包括鎮(zhèn)流器控制單元1 和振蕩器單元2、信號檢測單元3、開關(guān)單元4和變頻單元5，所 述信號檢測單元3在接受所述鎮(zhèn)流器控制單元1開燈的信號后輸 出信號至開關(guān)單元4，所述開關(guān)單元4tir出信號至所述變頻單元5， 所述變頻單元5輸出信號至所述振蕩器單元2并改變振蕩頻率。
優(yōu)選地，如圖2所示，所述信號檢測單元包括二極管Dl、電 阻Rl和電容Ctimer，所述電阻Rl和電容Ctimer并聯(lián)后連接到二 極管Dl的負極，所述二極管Dl的正極與所述鎮(zhèn)流器控制單元連 接；所述開關(guān)單元是一 NMOS管，其柵極連接二極管Dl的負極， 源極接地；所述變頻單元包括電容Cf和Cqst,所述電容Cf和Cqst 串聯(lián)連接，并并聯(lián)于所述NMOS管的漏極和源極之間，所述電容 Cf和Cqst的連接點連接所述振蕩器單元。
圖2所示的控制電路可以由鎮(zhèn)流器控制單元的數(shù)字信號或者 預熱時間信號來啟動。二極管Dl檢測到高電平信號時，Dl導通并對計時電容Ctimer充電，計時電容Ctimer的電壓用來驅(qū)動 NMOS管導通，NMOS管在電路中起開關(guān)的作用。當NMOS管導 通時，電容Cf與電容Cqst并聯(lián)連接并由此決定熒光燈快速達到 正常亮度過程的熒光燈的頻率，電容Cqst決定著熒光燈正常燃點 的頻率。在快速達到正常亮度的時間段(時間信號為零)后，NMOS 管截止，控制器的振蕩電路只與電容Cf連接，此時電路工作在正 常的工作頻率。
優(yōu)選地，如圖3所示，所述振蕩器單元還包括一電流比較器， 所述信號檢測單元包括二極管D2和電容Cl，所述二極管D2的正 極連接所述鎮(zhèn)流器控制單元，其負極連接電容Cl,電容C1的另 一端接地，所述開關(guān)單元是一 NMOS管，其柵極連接二極管Dl 的負極，源極接地，漏極通過電阻R3連接所述電流比較器的負端， 所述變頻單元包括電容Cquickstart, 所述電容Cquickstart的 一 端 接地，其另 一端連接所述振蕩器單元。
圖3所示的控制電路可由鎮(zhèn)流器控制單元的數(shù)字信號或者預 熱時間信號來啟動。二極管D2檢測到高電平信號時，D2導通并 對計時電容C1充電，計時電容C1的電壓用來驅(qū)動NMOS管導通， NMOS管在電路中起開關(guān)的作用。當NMOS管導通時，電流比較 器的負輸入端短路，電流比較器的正輸入端由于受Vsetl電壓或 者調(diào)光電路電壓信號Vdim的影響而有偏移的電流。當電流比較器 的負輸入端電流值為零時，電路的工作頻率降到最低值。此時電 路的頻率由電容Cquickstart決定。當快速達到正常亮度的時間段 結(jié)束時(時間信號為零)，NMOS管關(guān)斷，電流比較器的負輸入端的 電壓(電壓值等于Rlamp兩端的電壓)將被調(diào)整為正輸入端的電壓 值，從而電路工作在正常的工作頻率(正常的燈電流值)，或者是調(diào) 光的熒光燈所調(diào)光的檔次對應的頻率。
權(quán)利要求
1. 一種熒光燈控制電路，包括鎮(zhèn)流器控制單元和振蕩器單元，其特征在于還包括信號檢測單元、開關(guān)單元和變頻單元，所述信號檢測單元在接受所述鎮(zhèn)流器控制單元開燈的信號后輸出信號至開關(guān)單元，所述開關(guān)單元輸出信號至所述變頻單元，所述變頻單元輸出信號至所述振蕩器單元并改變振蕩器單元的振蕩頻率。
2. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的熒光燈控制電路，其特征在于所述 信號檢測單元包括二極管(D1)、電阻(R1)和第 一電容(Ctimer),所 述電阻(Rl)和第一電容(Ctimer)并聯(lián)后連接到二極管(Dl)的負極， 所述二極管(D1)的正極與所述鎮(zhèn)流器控制單元連接；所述開關(guān)單 元是一NMOS管，其柵極連接所述二極管(D1)的負極，源極接地； 所述變頻單元包括第二電容(Cf)和第三電容(Cqst),所述第二電容 (Cf)和第三電容(Cqst)串聯(lián)連接，并并聯(lián)于所述NMOS管的漏極和 源極間，所述第二電容(Cf)和第三電容(Cqst)的連接點連接所述振 蕩器單元。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的熒光燈控制電路，其特征在于所述 振蕩器單元還包括一電流比較器，所述信號檢測單元包括二極管 (D2)和第 一 電容(C 1)，所述二極管(D2)的正極連接所述鎮(zhèn)流器控制 單元，其負極連接第一電容(C1)，第一電容(C1)的另一端接地，所 述開關(guān)單元是一 NMOS管，其柵極連接所述二極管(D2)的負極， 源極接地，漏極通過電阻(R3)連接所述電流比較器的負端，所述 變頻單元包括第二電容(Cquickstart), 所述第二電容(Cquickstart) 的一端接地，其另一端連接所述振蕩器單元。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種熒光燈控制電路，其包括鎮(zhèn)流器控制單元、振蕩器單元、信號檢測單元、開關(guān)單元和變頻單元，所述信號檢測單元在接受所述鎮(zhèn)流器控制單元開燈的信號后，輸出信號至開關(guān)單元，所述開關(guān)單元輸出信號至所述變頻單元，所述變頻單元輸出信號至所述振蕩器單元并改變振蕩頻率。本控制電路利用信號檢測單元接受開燈信號后觸發(fā)開關(guān)單元的動作，開關(guān)單元動作后使變頻單元工作，以改變熒光燈振蕩器單元的振蕩頻率，加大熒光燈的燈絲電流，提高熒光燈的光通率，使得熒光燈能夠在較短的時間內(nèi)快速的達到正常的亮度。
文檔編號H05B41/295GK101547545SQ200810089828
公開日2009年9月30日 申請日期2008年3月28日 優(yōu)先權(quán)日2008年3月28日
發(fā)明者胡安華 申請人:馬士科技有限公司