專利名稱：功率半導體模塊的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種功率半導體模塊，包括一基片和一杯形的殼體， 其中殼體的杯邊緣成階梯地構成有一個環(huán)繞的加高的外邊緣和一個相 對外邊緣凹陷的內邊緣，它們通過一階梯表面相互連接。
背景技術：
在基片中優(yōu)選涉及一 DCB基片(直接的銅粘結的基片)。 一種這樣的功率半導體模塊描述于本申請人的較早的專利申請 10 2008 052 607.4中。在該功率半導體模塊中將因基片相對于杯形殼 體的意外的扭轉產(chǎn)生的生產(chǎn)廢品減至最少。但已表明，雖然杯形殼體 構造具有防扭轉凸頭，由于基片和/或殼體的尺寸公差，不能可靠地排 除基片的各角與殼體的杯邊緣的角區(qū)域的接觸，由此這樣地造成功率 半導體模塊的生產(chǎn)廢品，即基片以其角的至少一個壓進殼體的杯邊緣
的角區(qū)域內。該基片以其一角與所屬的殼體的杯邊緣的角區(qū)域的不符 合要求的可能的接觸例如被這樣引起，即基片具有其外邊緣的較大的 尺寸公差。該尺寸公差例如這樣造成，即基片通常由一相當大幾倍的 基片中通過激光切割而制成，其中通過所說的激光切割，幾倍的基片 形成有預定斷裂線，所述幾倍的基片沿這些預定斷裂線被分裂成多個 基片。

發(fā)明內容
以這些情況的了解，本發(fā)明的目的在于，提供一種開頭所述型式 的功率半導體模塊，其中用結構上簡單的措施防止基片的各角與殼體
的杯邊緣的所屬的各角區(qū)域的接觸并且避免由此造成的生產(chǎn)廢品。
該目的按照本發(fā)明通過權利要求1的特征，亦即這樣達到，即殼 體的杯邊緣的將加高的外邊緣與凹陷的內邊緣相連接的階梯表面在殼 體的杯邊緣的各角區(qū)域內分別以一保角彎曲的擴大部構成。通過殼體的杯邊緣的角區(qū)域構成有彎曲的擴大部產(chǎn)生的優(yōu)點是， 當基片相對殼體、亦即相對殼體的杯邊緣意外地扭轉時，基片的各角 在任何時候、亦即仍與殼體的杯邊緣的各角區(qū)域保持間距。
如果基片具有一正方形的或至少接近正方形的基面并且殼體的杯 邊緣具有一相應的基面形狀，這樣優(yōu)選的是，在殼體的杯邊緣的角區(qū) 域內的相應彎曲的擴大部具有兩相等長的擴大部側邊。如果基片具有 一矩形的基面形狀，則彎曲的擴大部的兩擴大側邊優(yōu)選匹配于基片的 長寬比確定尺寸。
在本發(fā)明的功率半導體模塊中優(yōu)選的是，杯形的殼體的內邊緣構 成有多個凸出部并且外邊緣構成有多個防扭轉凸頭，并且基片以其鄰 接其外邊緣內側的邊緣區(qū)域貼緊于各凸出部。通過一種這樣的構成產(chǎn) 生的優(yōu)點是，通過防扭轉凸頭在任何情況下確定地限制基片相對于殼 體、亦即相對于其杯邊緣的無意的扭轉。
可以符合目的的是，每一擴大部側邊具有一平行于所屬的階梯表 面的側邊部分和一個緊接該側邊部分的錐面部分。兩側邊部分優(yōu)選通 過一半徑部分相互連接。
已證明有利的是，相應的錐面部分鄰接于一所屬的防扭轉凸頭。
本發(fā)明的功率半導體模塊的優(yōu)點是，按簡單的方式實現(xiàn)一結構上 簡單的結構，基片以其外邊緣的各角即使在充分利用最大允許尺寸公 差的情況下也不會在殼體的杯邊緣上刮削。另一優(yōu)點在于，按照本發(fā)
明的結構正面影響基片的例如按DE 10 2004 021 927 Al構成的涂層過 程，因為在基片上涂覆的涂層材料在角區(qū)域內可以不貼靠在殼體上。


由一本發(fā)明的功率半導體模塊的一附圖中所示的實施例或其重要 的細節(jié)的以下描述得出其他的細節(jié)、特征和優(yōu)點。其中 圖l 半導體模塊從下面看的視圖2 沿圖1中剖面線II-II截取的示意的部分大大放大的和不 按比例的剖面圖3 殼體的杯邊緣的以放大的比例和不按比例從下面看去的視圖的一部分；
圖4 杯形的殼體的結構的示意透視圖5 圖1的細節(jié)V的放大比例的圖6 圖1的細節(jié)VI的相當于圖5的比例的圖。
具體實施例方式
圖1以底視圖示出功率半導體模塊10的一結構，其包括一基片 12和一杯形的殼體14。同樣由圖2至6顯而易見的是，杯形的殼體 14具有一環(huán)繞的杯邊緣16，其成階梯地構成有一環(huán)繞的加高的外邊緣 18和一相對該外邊緣凹陷的內邊緣20。加高的外邊緣18和凹陷的內 邊緣20通過一階梯表面22相互連接。
凹陷的內邊緣20構成有彼此間隔開的多個凸出部24，并且加高 的外邊緣18構成有彼此間隔開的多個防扭轉凸頭26?；?2以其在 其外邊緣28鄰接的其上面的邊緣區(qū)域30貼緊殼體14的凸出部24。 基片12優(yōu)選涉及一DCB基片(-直接的銅粘結的基片)。
在杯形殼體的加高的外邊緣18與凹陷的內邊緣20之間的階梯表 面22在杯形殼體14的環(huán)繞的杯邊緣16的各角區(qū)域32內分別構成有 一保角(eckkonform)彎曲的擴大部34。相應彎曲的擴大部34具有 兩個相互垂直定向的擴大部側邊36，它們在圖3中通過雙箭頭36表 示。相應的擴大部側邊36具有一平行于所屬的階梯表面32的側邊部 分，其在圖3中通過雙箭頭38表示，和一緊接其的錐面部分，其在圖 3中通過雙箭頭40表示。兩相互垂直定向的側邊部分38通過一半徑 部分42相互連接。相應的錐面部分40鄰接于一所屬的防扭轉凸頭26。
圖1中示出一功率半導體模塊IO，其中由于基片12的外邊緣28 和環(huán)繞的杯邊緣16的尺寸公差和由此材料一體地從其加高的外邊緣 18伸出的各防扭轉凸頭26，基片12相對于杯形殼體14或其環(huán)繞的杯 邊緣16沿順時針方向微小地扭轉，從而基片12的外邊緣28只分別貼 緊一防扭轉凸頭26上，同時通過階梯表面22在杯邊緣16的各角區(qū)域 32內的構成分別以一保角的彎曲的擴大部34防止基片12以其各角44 與殼體14的環(huán)繞的杯邊緣16的各角區(qū)域34發(fā)生接觸并避免一由此產(chǎn)玍的損壞并因此避免生產(chǎn)廢品。
相同的細節(jié)在圖1至6中分別以相同的附圖標記表示，從而不必 要的是結合各附圖分別詳述全部的細節(jié)。 附圖標記清單
10功率半導體模塊
12(10的)基片
14(10的)杯形的殼體
16(14的)環(huán)繞的杯邊緣
18(16的)加高的外邊緣
20(16的)凹陷的內邊緣
22(18與20之間的)階梯表面
24(在20上用于12的)凸出部
26(在18上用于28的)防扭轉凸頭
28(12的)外邊緣
30(12的)邊緣區(qū)域
32(16的)角區(qū)域
34(22在32處的)彎曲的擴大部
36(34的)擴大部側邊
38(36的)平行的側邊部分
40(36的)錐面部分
42(38與40之間的)半徑部分
44(12的)角 。
權利要求
1. 功率半導體模塊(IO)，包括一基片(12)和一杯形的殼體(14), 其中殼體(14)的杯邊緣(16)成階梯地構成有一環(huán)繞的加高的外邊 緣(18)和一相對外邊緣(18)凹陷的內邊緣(20)，它們通過一階梯 表面(22)相互連接；其特征在于，階梯表面(22)在殼體(14)的 杯邊緣(16)的各角區(qū)域(32)內分別構成有保角彎曲的擴大部(34)。
2. 按照權利要求1所述的功率半導體模塊(10)，其特征在于， 杯形的殼體(14)的內邊緣(20)構成有各凸出部(24)，并且外邊緣(18)構成有各防扭轉凸頭(26)，并且基片(12)以其在內側鄰接其 外邊緣(28)的邊緣區(qū)域(30)貼緊于各凸出部(24)。
3. 按照權利要求1所述的功率半導體模塊(10)，其特征在于， 相應的彎曲的擴大部(34)具有兩個相互垂直定向的擴大部側邊(36 )。
4. 按照權利要求3所述的功率半導體模塊(10),其特征在于， 每一擴大部側邊(36)具有平行于所屬的階梯表面(22)的側邊部分(38)和緊接該側邊部分的錐面部分(40)。
5. 按照權利要求4所述的功率半導體模塊(10)，其特征在于， 兩側邊部分(38)通過一半徑部分(42)相互連接。
6. 按照權利要求4所述的功率半導體模塊(10)，其特征在于， 相應的錐面部分(40)鄰接于一所屬的防扭轉凸頭(26)。
全文摘要
本發(fā)明描述一種功率半導體模塊(10)，包括一基片(12)和一杯形的殼體(14)，其中殼體(14)的環(huán)繞環(huán)的杯邊緣(16)成階梯地構成有一加高的外邊緣(18)和一相對其凹陷的內邊緣(20)，它們通過一階梯表面(22)相互連接。內邊緣(20)可以構成有多個凸出部(24)，并且外邊緣(18)構成有多個防扭轉凸頭(26)。基片(12)以其鄰接其外邊緣(28)內側的邊緣區(qū)域(30)貼緊于各凸出部(24)。階梯表面(22)在殼體(14)的環(huán)繞的杯邊緣(16)的各角區(qū)域(32)內分別構成有保角彎曲的擴大部(34)，從而可靠地避免基片(12)的各角(44)與杯邊緣(16)的角區(qū)域(22)之間的接觸。
文檔編號H05K5/00GK101312166SQ20081010917
公開日2008年11月26日 申請日期2008年5月23日 優(yōu)先權日2007年5月24日
發(fā)明者M·萊德勒, R·波普 申請人:塞米克朗電子有限及兩合公司