專利名稱：配線基板的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種配線基板的制造方法，特別涉及在用于形成抗電 鍍劑的干膜材料及其剝離方面具有特征的配線基板的制造方法。
背景技術(shù)：
近年來，隨著電子設(shè)備的小型化、高性能化，要求電子部件的高 密度安裝，實(shí)現(xiàn)這種高密度安裝時(shí)重視配線基板的多層化技術(shù)。作為 利用多層化技術(shù)的具體例，公知有在設(shè)置有通孔部的芯基板的單面或 雙面設(shè)置組合層的印刷配線基板(所謂組合配線基板)，所述組合層 交替地層疊樹脂絕緣層和導(dǎo)體而形成。所述印刷配線基板中的組合層， 例如通過以下步驟制作。首先，在樹脂絕緣層的表面整體形成鍍銅層。接著，在鍍銅層上 粘貼具有感光性的干膜材料后，進(jìn)行曝光及基于堿的顯影，形成預(yù)定 圖案的抗電鍍劑。接著，進(jìn)行鍍銅而在抗電鍍劑的開口部形成配線圖 案層后，利用堿剝離液使抗電鍍劑膨脹而剝離。接著，通過進(jìn)行去除 位于抗電鍍劑正下方的鍍銅層的蝕刻，形成所希望形狀的配線圖案層。 然后，在配線圖案層上進(jìn)一步形成樹脂絕緣層，并打開通孔后，進(jìn)行 鍍銅而形成通孔導(dǎo)體以及鍍銅層。并且，根據(jù)需要多次重復(fù)上述工序， 從而對組合層進(jìn)行多層化。另外，關(guān)于上述組合工藝，以往存在若干 個(gè)例子(例如參照專利文獻(xiàn)l)。另外，近年來配線圖案層的間距密集 (Fine pitch)化的要求變高，例如要求配線圖案層的線路寬度以及相 鄰配線圖案之間的線路間隔在20/mi以下(優(yōu)選在15/mi以下)。因此， 要求在抗電鍍劑也準(zhǔn)確地形成相同的微細(xì)保護(hù)圖案。專利文獻(xiàn)l:日本專利特開2005-150554號(hào)公報(bào) 但是，在所述以往的配線基板的制造方法所使用的干膜材料對堿 較脆弱。因此，在利用堿進(jìn)行顯影工序時(shí)干膜材料膨脹，其結(jié)果存在 微細(xì)保護(hù)圖案剝離的情況，因而存在顯影工序中的成品率差的問題。因此，以往預(yù)先使鍍銅層的表面成為超過0.4/mi的粗糙面，采取 提高干膜材料的粘合性的對策，防止微細(xì)保護(hù)圖案的剝離，提高顯影 工序中的成品率。但是，在進(jìn)行上述對策的情況下，因鍍銅層表面凹 凸的影響，光在曝光時(shí)散射，且分辨率變差，其結(jié)果不能形成形狀良 好的微細(xì)保護(hù)圖案。由此，存在難以得到形狀優(yōu)良的微細(xì)配線圖案層 的問題。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明考慮到上述課題，目的在于提供一種配線基板的制造方法， 能夠?qū)崿F(xiàn)提高顯影工序中的成品率，并且能夠切實(shí)地形成形狀優(yōu)良的 微細(xì)配線圖案層。作為解決所述課題的方法，有一種配線基板的制造方法，其特征在于，包括以下工序在樹脂絕緣層的表面形成金屬層；在所述金屬 層上粘貼具有耐堿性的感光性干膜材料后，進(jìn)行曝光及基于堿的顯影， 形成預(yù)定圖案的抗電鍍劑；進(jìn)行電鍍而在所述抗電鍍劑的開口部形成 配線圖案層；利用有機(jī)胺類剝離液來剝離所述抗電鍍劑；和去除位于 所述抗電鍍劑正下方的所述金屬層。因此，根據(jù)上述所述方案，由于使用具有耐堿性的感光性干膜材 料，因而即使在曝光后進(jìn)行基于堿的顯影，干膜材料也完全或幾乎不 膨脹。因此，能夠防止干膜材料的剝離，能夠?qū)崿F(xiàn)提高顯影工序中的 成品率。此外，可以不進(jìn)行金屬層的表面粗糙化以作為防止干膜材料 剝離的對策，因而金屬層表面的凹凸程度減小，曝光時(shí)光散射的影響 減小。其結(jié)果，能夠?qū)崿F(xiàn)高分辨率，能形成形狀良好的微細(xì)保護(hù)圖案， 進(jìn)而能夠切實(shí)地形成形狀優(yōu)良的微細(xì)配線圖案層。在上述方法涉及的制造方法中，首先進(jìn)行在樹脂絕緣層的表面形 成金屬層的工序。作為金屬層只要具有導(dǎo)電性則無特別限定，但是從 成本、生產(chǎn)率等觀點(diǎn)出發(fā)，優(yōu)選通過無電解鍍銅形成的銅薄膜層。所述金屬層的表面狀態(tài)并無特別限定，可以任選，例如也可以是表面粗糙度Ra為0.2/mi以上且0.4/rni以下的粗糙面。如上所述，在這 種情況下，金屬層表面的凹凸程度減小，曝光時(shí)光散射的影響減小， 其結(jié)果容易實(shí)現(xiàn)高分辨率。另外，若表面粗糙度Ra不足0.2/mi，則存 在干膜材料的粘接性不充分的可能性，因此不優(yōu)選。在金屬層上粘貼具有耐堿性的感光性干膜材料的工序中的"具有 耐堿性"是指，具有在氫氧化鈉等強(qiáng)堿中完全不膨脹，或者與現(xiàn)有產(chǎn) 品相比難以膨脹的性質(zhì)。上述性質(zhì)的不同，例如來源于作為干膜材料 的主要成分的樹脂材料的交點(diǎn)密度(crosslink density)高度的不同。艮P , 具有耐堿性的上述方法的干膜材料，與現(xiàn)有產(chǎn)品相比樹脂材料的交點(diǎn) 密度升高。但是，上述方法的干膜材料不具有應(yīng)對有機(jī)胺的耐性，具 有暴露于有機(jī)胺時(shí)在其中稍微溶解的性質(zhì)。這意味著，對于所述干膜 材料普通的堿不能用作剝離液，因而有機(jī)胺能夠用作代替減的剝離液。在粘貼干膜材料后進(jìn)行曝光，進(jìn)而進(jìn)行基于堿的顯影，形成預(yù)定 圖案的抗電鍍劑。在形成線路寬度及線路間隔均在15pm以下的微細(xì)配 線圖案的情況下，需要與其對應(yīng)地設(shè)定微細(xì)保護(hù)圖案的寬度以及相鄰 微細(xì)保護(hù)圖案間的間隙的尺寸。在進(jìn)行電鍍而在所述抗電鍍劑的開口部形成配線圖案層的工序 中，在開口部的底面露出的金屬層上沉積鍍層，使該部分增厚。另外， 在作為基底層的所述金屬層為通過無電解鍍銅形成的銅薄膜層的情況 下，對于用于形成配線圖案層的鍍層，也優(yōu)選選擇無電解鍍銅。
在剝離所述抗電鍍劑的工序中，需要使用有機(jī)胺類剝離液，其中 作為主要成分而含有的有機(jī)胺，例如包括單乙醇胺、二乙醇胺、三乙 醇胺、 一甲胺、二甲胺、三甲胺、乙二胺、異丙胺、異丙醇胺、2-氨基-2-甲基-1-丙醇、2-氨基-2-甲基-l,3-丙二醇等。其中，特別優(yōu)選作為有 機(jī)胺而含有單乙醇胺的剝離液。其原因在于，確認(rèn)了含有單乙醇胺的 剝離液能夠浸透具有耐堿性的所述干膜材料而將其溶解，特別適合在 上述方法涉及的制造方法中使用。另外，在抗電鍍劑剝離工序中使用 的有機(jī)胺類剝離液，也可以添加一些肼、TMH等添加劑。在該工序中，作為有機(jī)胺類剝離液的處理方法，并無特別限定， 可采用現(xiàn)有公知的方法，例如優(yōu)選噴灑處理(Shower treatment)、浸 漬處理等。在利用有機(jī)胺類剝離液進(jìn)行噴灑處理的情況下，優(yōu)選設(shè)定 為溫度在40°C以上且70°C以下、壓力在O.lMPa以上且0.4MPa以下、 時(shí)間在3分鐘以上且不足30分鐘的處理?xiàng)l件。此外，在利用有機(jī)胺類 剝離液進(jìn)行浸漬處理的情況下，優(yōu)選設(shè)定為溫度在4(TC以上且7(TC以 下、時(shí)間在3分鐘以上且不足30分鐘的處理?xiàng)l件。這是由于，上述處 理?xiàng)l件是能夠不降低生產(chǎn)率及成本性而可靠地剝離抗電鍍劑的條件， 從而優(yōu)選。在這里，若將溫度設(shè)定為不足4(TC，將壓力設(shè)定為不足0.1MPa， 或?qū)r(shí)間設(shè)定為不足3分鐘，則由于處理?xiàng)l件減弱，有機(jī)胺類剝離液 無法充分作用，存在引起抗電鍍劑的剝離不完全的可能性。相反，若 溫度超過7(TC，壓力超過0.4MPa，時(shí)間在30分鐘以上，則雖然能夠 使有機(jī)胺類剝離液充分作用，但反過來存在引起生產(chǎn)率降低、制造成 本增加的問題的可能性。此外，由于處理?xiàng)l件加強(qiáng)，除了原本需要?jiǎng)?離的抗電鍍劑以外的樹脂部分會(huì)脆化、劣化。在去除位于所述抗電鍍劑正下方的所述金屬層的工序中，利用能 溶解形成金屬層的金屬的蝕刻液進(jìn)行蝕刻。經(jīng)由該工序時(shí)，金屬層在
局部分離，相連的配線圖案層之間彼此孤立。


圖1是表示將本實(shí)施方式具體化的一個(gè)實(shí)施方式的配線基板的部 分概略剖視圖。圖2是用于說明所述配線基板的制造工序的部分概略剖視圖。 圖3是用于說明所述配線基板的制造工序的部分概略剖視圖。 圖4是用于說明所述配線基板的制造工序的部分概略剖視圖。 圖5是用于說明所述配線基板的制造工序的部分概略剖視圖。 圖6是用于說明所述配線基板的制造工序的部分概略剖視圖。圖7是用于說明所述配線基板的制造工序的部分概略剖視圖。 圖8是用于說明所述配線基板的制造工序的部分概略剖視圖。 圖9是用于說明所述配線基板的制造工序的部分概略剖視圖。 圖IO是用于說明所述配線基板的制造工序的部分概略剖視圖。 圖11是用于說明所述配線基帛的制造工序的部分概略剖視圖。 圖12是用于說明所述配線基板的制造工序的部分概略剖視圖。 圖13是用于說明所述配線基板的制造工序的部分概略剖視圖。
具體實(shí)施方式
下面，根據(jù)圖1至圖13詳細(xì)說明將本發(fā)明具體化的一個(gè)實(shí)施方式 的配線基板K及其制造方法。如圖1所示，本實(shí)施方式的配線基板K為在正背雙面具有組合層 BU1、 BU2的所謂組合多層印刷配線基板。構(gòu)成該配線基板K的芯基 板1呈具有正面2及背面3的平板狀。在芯基板1的正面2側(cè)配置的組合層BU 1具有將樹脂絕緣層12、 16、 30和配線圖案層10、 28、 28a、 34、 34a交替層疊的構(gòu)造。在樹脂 絕緣層12形成有通孔形成用孔12a，在其內(nèi)部形成有使配線圖案層10 和內(nèi)層配線層4導(dǎo)通的填孔(Filled via)導(dǎo)體14。在樹脂絕緣層16形 成有通孔形成用孔18，在其內(nèi)部形成有使配線圖案層10、 28之間導(dǎo)通 的填孔導(dǎo)體26。在芯基板1的背面3側(cè)配置的組合層BU 2具有將樹脂絕緣層13、 17、 31和配線圖案層11、 29、 29a、 35、 35a交替層疊的構(gòu)造。在樹脂 絕緣層13形成有通孔形成用孔13a，在其內(nèi)部形成有使配線圖案層11 和內(nèi)層配線層5導(dǎo)通的填孔導(dǎo)體15。在樹脂絕緣層17上形成有通孔形 成用孔19，在其內(nèi)部形成有使配線圖案層ll、 29之間導(dǎo)通的填孔導(dǎo)體 27。樹脂絕緣層30整體上由在預(yù)定位置具有開口部36的阻焊劑32覆 蓋。所述開口部36使在樹脂絕緣層30上形成的配線圖案層34向第一 主面32a —側(cè)露出，其結(jié)果該配線圖案層34發(fā)揮第一主面?zhèn)群副P (Land)的功能。另一方面，樹脂絕緣層31整體上由在預(yù)定位置具有 開口部37的阻悍劑33覆蓋。所述開口部37使在樹脂絕緣層31上形 成的配線圖案層35在第二主面33a —側(cè)露出，其結(jié)果該配線圖案層35 發(fā)揮第二主面?zhèn)群副P的功能。并且，在作為第一主面?zhèn)群副P的配線圖案層34的上方，形成有比 第一主面32a更高地突出的焊料突起38。并且，在所述焊料突起38上， 能夠經(jīng)由焊料接合未圖示的IC芯片等電子部件。另一方面，作為第二 主面?zhèn)群副P的配線圖案層35，與未圖示的母板等印刷配線基板電連接。如圖1所示，在該配線基板K的內(nèi)部設(shè)有通孔。本實(shí)施方式的通 孔具有如下結(jié)構(gòu)在貫通芯基板1及樹脂絕緣層12、 13的通孔形成用 孔6的內(nèi)壁面沉積圓筒狀的通孔導(dǎo)體7,并且利用填充樹脂9填埋該通 孔導(dǎo)體7的空洞部。并且，通過該通孔的通孔導(dǎo)體7實(shí)現(xiàn)芯基板1的 正面2側(cè)的組合層BU1中的導(dǎo)體部分和芯基板l的背面3側(cè)的組合層 BU2中的導(dǎo)體部分之間的導(dǎo)通。
接著，根據(jù)圖2至圖13對本實(shí)施方式的配線基板K的制造方法進(jìn)行說明。圖2是以雙馬來酰亞胺三嗪(BT)樹脂為主體的厚度約0.7mm的 芯基板1的概略剖視圖。在芯基板1的正面2及背面3，預(yù)先粘貼有厚 度約70pm的銅箔4a、 5a。將這種芯基板1的銅箔4a、 5a通過現(xiàn)有公 知方法(在這里為消去法)形成圖案，在正面2上及背面3上形成內(nèi) 層配線層4、 5 (參照圖3)。另外，也可以使用具有多個(gè)芯基板1的 多功能面板，對各芯基板l進(jìn)行相同的工序。接著，如圖4所示，在芯基板1的正面2上和背面3上，覆蓋由 含有無機(jī)填充物的環(huán)氧樹脂形成的絕緣性薄膜，從而形成樹脂絕緣層 12、 13。所述樹脂絕緣層12、 13的厚度約為40/mi，含有30重量％ 50重量％的由大致球形的二氧化硅形成的無機(jī)填充物。另外，所述無 機(jī)填充物的平均粒徑可以是l.Opm以上且10.0/mi以下。接著，對樹脂絕緣層12、 13的表面上的預(yù)定位置，沿著其厚度方 向照射未圖示的激光(在本實(shí)施方式中為二氧化碳激光)。其結(jié)果， 如圖5所示，形成大致圓錐形的通孔形成用孔12a、 13a，貫通樹脂絕 緣層12、 13而在其底面露出內(nèi)層配線層4、 5。進(jìn)而，通過利用鉆孔機(jī) 對預(yù)定位置進(jìn)行穿孔，形成貫通芯基板1以及樹脂絕緣層12、 13的內(nèi) 徑約為200/mi的通孔形成用孔6。接著，在包含通孔形成用孔12a、 13a的樹脂絕緣層12、 13的表 面整體以及通孔形成用孔6的內(nèi)壁面，涂敷含有鈀等的電鍍催化劑 (Plating catalyst)后，在其上實(shí)施無電解鍍銅以及電解鍍銅。其結(jié)果， 如圖6所示，在樹脂絕緣層12、 13的表面整體形成鍍銅膜8a、 8b，在 通孔形成用孔6內(nèi)以約40/mi厚度形成大致圓筒形的通孔導(dǎo)體7。同時(shí)， 在通孔形成用孔12a、 13a內(nèi)，通過追加實(shí)施鍍銅，形成填孔導(dǎo)體14、 15。
接著，如圖6所示，在通孔導(dǎo)體7的空洞部內(nèi)填充含有無機(jī)填充物的填充樹脂9的漿料后，使其熱硬化。另外，用于形成填充樹脂9 的漿料也可以是含金屬粉末的導(dǎo)電性的漿料。進(jìn)而，如圖7所示，進(jìn) 行電解鍍銅而在鍍銅膜8a、 8b上形成鍍銅膜10b、 llb。此時(shí)，同時(shí)用 蓋鍍層10a、 11a覆蓋填充樹脂9的兩端面。另外，鍍銅膜8a、 10b以 及鍍銅膜8b、 lib的厚度分別約為15;rni。接著，通過現(xiàn)有公知的消去法對鍍銅膜8a、 10b以及鍍銅膜8b、 Ub進(jìn)行蝕刻，分別形成如圖8所示的配線圖案層10、 11。另外，所 述配線圖案層10、 11成為組合層BU1、 BU2中的第一層配線圖案層， 位于其內(nèi)層側(cè)的樹脂絕緣層1成為第一層樹脂絕緣層。接著，如圖9所示，在第一層樹脂絕緣層12以及第一層配線圖案 層IO上粘貼與上述相同的絕緣性薄膜，形成第二層樹脂絕緣層16。同 樣地，在第一層樹脂絕緣層13以及第一層配線圖案層11上粘貼與上 述相同的絕緣性薄膜，形成第二層樹脂絕緣層17。進(jìn)而，對所述樹脂 絕緣層16、 17表面上的預(yù)定位置，沿著其厚度方向照射與上述相同的 激光(未圖示)，從而形成大致圓錐形的通孔形成用孔18、 19。通孔 形成用孔18、 19貫通樹脂絕緣層16、 17，并且在其底面露出配線圖案 層10、 11的一部分。并且，在包含所述通孔形成用孔18、 19的內(nèi)壁 面的樹脂絕緣層16、 17的表面整體，預(yù)先涂敷與上述相同的鍍層催化 劑后，實(shí)施無電解鍍銅(金屬層形成工序)。經(jīng)由上述金屬層形成工 序，形成厚度約0.5]tmi的銅薄膜層20、 21 (參照圖9中的虛線)。此 時(shí)的銅薄膜層20、 21的表面粗糙度Ra為約0.2/xm。接著，如圖10所示，在銅薄膜層20、 21的表面整體，粘貼以丙 烯酸類樹脂為主體的厚度約25)^m的感光性及絕緣性的干膜材料22、 23。在本實(shí)施方式中選擇的干膜材料22、 23，與以環(huán)氧樹脂為主體的 現(xiàn)有產(chǎn)品的干膜材料相比，具有難以被強(qiáng)堿膨脹的性質(zhì)，從而具有耐
堿性。在所述干膜材料22、 23上配置未圖示的曝光用掩模的狀態(tài)下進(jìn) 行曝光，然后利用氫氧化鈉溶液等堿顯影液進(jìn)行顯影。并且，通過如 上所述的干膜材料粘貼、曝光以及顯影的各工序，形成如圖ll所示的預(yù)定圖案的抗電鍍劑22a、 22b、 23a、 23b (抗電鍍劑形成工序)。所述抗電鍍劑22a、 22b、 23a、 23b中，關(guān)于狹小的抗電鍍劑22b、 23b，成為線路寬度在15pm以下(在本實(shí)施方式中為10pcm)的微細(xì)保 護(hù)圖案。并且，狹小的抗電鍍劑22b、 22b之間或者23b、 23之間的幵 口部24a、 25a的尺寸(即線路間隔)在15/mi以下(在本實(shí)施方式中 為10pcm)。另外，狹小的抗電鍍劑22b和與其鄰接的抗電鍍劑22a之 間、或者狹小的抗電鍍劑23b和與其鄰接的抗電鍍劑23a之間的開口 部24b、 25b的尺寸也是相同的尺寸。同時(shí)，在通孔形成用孔18、 19 的左右鄰接的銅薄膜層20、 21的表面形成較大面積的開口部24、 25。接著，對位于開口部24、 24a、 25、 25a的底面、通孔形成用孔18、 19的底面的銅薄膜層20、 21，通過現(xiàn)有公知的方法進(jìn)行電解鍍銅以沉 積銅鍍層。其結(jié)果，如圖12所示，在通孔形成用孔18、 19內(nèi)形成填 孔導(dǎo)體26、 27，在開口部24、 25形成與通孔導(dǎo)體26、 27—體的配線 圖案層28、 29。同時(shí)，在各開口部24a、 25a形成剖面細(xì)長的長方形且 寬度為15/mi以下(在本實(shí)施方式中為10/mi)、厚度約25jiim的微細(xì) 配線圖案層28a、 29a (配線圖案層形成工序)。接著，如圖13所示，利用以單乙醇胺為主要成分而含有的有機(jī)胺 類剝離液(0.5重量。/。以上且5(TC以上)剝離抗電鍍劑22a、 22b、 23a、 23b (抗電鍍劑剝離工序)。然后，利用蝕刻液對位于抗電鍍劑22a、 22b (23a、 23b)正下方的銅薄膜層20 (21)進(jìn)行軟蝕刻處理而將其除 去(蝕刻工序)。經(jīng)由該工序時(shí)，銅薄膜層20 (21)被分離。其結(jié)果， 形成配線圖案層28、 28a、 29、 29a，所述配線圖案層28、 28a、 29、 29a 包含線路寬度以及線路間隔均為10ptm左右的微細(xì)配線圖案層28a、
29a。進(jìn)而，在形成有配線圖案層28、 28a的第二層樹脂絕緣層16的表 面上形成新的樹脂絕緣層(第三層樹脂絕緣層)30。另一方面，在形 成有配線圖案層29、 29a的第二層樹脂絕緣層17的表面上形成新的樹 脂絕緣層(第三層樹脂絕緣層)31。并且，在所述樹脂絕緣層30、 31 的預(yù)定位置，通過上述方法形成未圖示的通孔形成用孔。然后，在樹 脂絕緣層30、 31的表面以及通孔形成用孔內(nèi)形成銅薄膜層，進(jìn)行包括 如上所述的干膜材料粘貼、曝光及顯影的各工序的抗電鍍劑形成工序， 進(jìn)而進(jìn)行配線圖案層形成工序、抗電鍍劑剝離工序、蝕刻工序。其結(jié) 果，在第三層樹脂絕緣層30、 31上，分別形成配線圖案層34、 34a、 35、 35a,所述配線圖案層34、 34a、 35、 35a包含線路寬度以及線路間 隔均為10Mm左右的微細(xì)配線圖案層34a、 35a。進(jìn)而，在第三層樹脂絕緣層30、 31上分別設(shè)置厚度為25/mi的阻 焊劑32、 33，并且在開口部36的底面露出的配線圖案層34上形成焊 料突起38，在開口部37的底面露出的配線圖案層35上實(shí)施鎳-金電鍍。 其結(jié)果，能得到如圖1所示的在正被兩面具有組合層BU1、 BU2的配 線基板K。因此，根據(jù)本實(shí)施方式能得到以下效果。(1) 在本實(shí)施方式的制造方法中，由于利用具有耐堿性的感光性 干膜材料22、 23形成圖案，因而即使在曝光后進(jìn)行基于堿的顯影，干 膜材料22、 23也完全或幾乎不膨脹。因此，能夠防止經(jīng)過了顯影工序 時(shí)的干膜材料22、 23的剝離，能夠提高顯影工序中的成品率。因此， 能夠以高成品率制造配線基板K，此外容易實(shí)現(xiàn)低成本化。(2) 此外，根據(jù)本實(shí)施方式的制造方法，作為防止干膜材料22、 23剝離的對策，沒有進(jìn)行銅薄膜層20、 21的表面粗糙化的必要性。因
此，與需要表面粗糙化的現(xiàn)有方法相比，銅薄膜層20、 21表面的凹凸 程度減小，曝光時(shí)光散射的影響減小。其結(jié)果，能夠?qū)崿F(xiàn)高分辨率下的曝光，能夠形成尺寸精度好的微細(xì)保護(hù)圖案22b、 23b。因此，能夠 可靠地形成微細(xì)配線圖案層28a、 29a，所述微細(xì)配線圖案層28a、 29a 形成有線路寬度及線路間隔均在15/im以下且形狀優(yōu)良的微細(xì)配線圖 案。(3)在本實(shí)施方式的制造方法中，利用以單乙醇胺為主要成分而 含有的有機(jī)胺類剝離液來剝離抗電鍍劑22a、 22b、 23a、 23b (干膜材 料22、 23)。因此，能夠使剝離液可靠地作用到具有耐堿性的所述干 膜材料22、 23，能夠可靠地將其剝離。另外，本發(fā)明的實(shí)施方式也可以進(jìn)行如下變更。在上述實(shí)施方式中，作為形成芯基板1的材料選擇了 BT樹脂， 但并不限于此，例如可以使用環(huán)氧樹脂、聚酰亞胺樹脂等，或者也可 以使用在具有連續(xù)氣孔的PTFE等三維網(wǎng)眼構(gòu)造的氟類樹脂中含有玻 璃纖維等的復(fù)合材料等。另外，芯基板1可以是由氧化鋁、氮化硅、氮化硼、氧化鈹、硅酸、玻璃陶瓷、氮化鋁等陶瓷形成的高溫?zé)苫?板，除此之外也可以是能夠在約IOO(TC以下的較低的溫度下燒成的低 溫?zé)苫?。進(jìn)而，芯基板1也可以是由銅合金、Fe-42wt%Ni合金等 形成的金屬芯基板。此外，在本發(fā)明中芯基板1不是必需的結(jié)構(gòu)，因 而例如也允許采用結(jié)合(Coalesce)基板的方式。在上述實(shí)施方式中，作為形成配線圖案層10、 11或孔導(dǎo)體26、 27等導(dǎo)體部的金屬材料選擇了銅，但并不限于此，還可以采用銀、鎳、 金、銅合金、鐵鎳合金等?；蛘撸部梢源媸褂媒饘馘儗?，通過涂 敷導(dǎo)電性樹脂等方法形成所述導(dǎo)體部。在上述實(shí)施方式中，作為孔導(dǎo)體26、 27的形態(tài)采用了內(nèi)部完全被
導(dǎo)體填埋的填孔導(dǎo)體，但也可以采用內(nèi)部不完全被導(dǎo)體填埋的倒錐形 的保形孔(Conformal via)導(dǎo)體。接著，除了在權(quán)利要求中記載的技術(shù)思想以外，以下列舉可通過 上述實(shí)施方式掌握的技術(shù)思想。(1) 一種配線基板的制造方法，其特征在于，包括以下工序在 樹脂絕緣層的表面形成通過無電解鍍銅形成的銅薄膜層；在所述銅薄 膜層上粘貼具有強(qiáng)耐堿性而不具有耐有機(jī)胺性的感光性干膜材料后， 進(jìn)行曝光及基于強(qiáng)堿的顯影，形成預(yù)定圖案的抗電鍍劑；進(jìn)行無電解 鍍銅而在所述抗電鍍劑的開口部形成配線圖案層；利用含有乙醇胺的 有機(jī)胺類剝離液來剝離所述抗電鍍劑；和將位于所述抗電鍍劑正下方 的所述銅薄膜層蝕刻而去除。(2) —種組合多層配線基板的制造方法，該組合多層配線基板在 芯基板的正面?zhèn)燃氨趁鎮(zhèn)确謩e具有組合層，其特征在于，包括以下工 序在樹脂絕緣層的表面形成銅薄膜層，所述銅薄膜層通過無電解鍍 銅形成，所述銅薄膜層具有表面粗糙度Ra為0.2/mi以上且0.4/mi以下 的粗糙面；在所述銅薄膜層上粘貼具有強(qiáng)耐堿性而不具有耐有機(jī)胺性 的感光性干膜材料后，進(jìn)行曝光及基于強(qiáng)堿的顯影，形成預(yù)定圖案的 抗電鍍劑；進(jìn)行無電解鍍銅而在所述抗電鍍劑的開口部形成配線圖案 層，所述配線圖案層包含線路寬度及線路間隔均在15/mi以下的微細(xì)配 線圖案；利用含有單乙醇胺的有機(jī)胺類剝離液來剝離所述抗電鍍劑； 和將位于所述抗電鍍劑正下方的所述銅薄膜層蝕刻而去除。
權(quán)利要求
1. 一種配線基板的制造方法，其特征在于，包括以下工序在樹脂絕緣層(16、17、30、31)的表面形成金屬層(20、21)；在所述金屬層(20、21)上粘貼具有耐堿性的感光性干膜材料(22、23)后，進(jìn)行曝光及基于堿的顯影，形成預(yù)定圖案的抗電鍍劑(22a、22b、23a、23b)；進(jìn)行電鍍而在所述抗電鍍劑(22a、22b、23a、23b)的開口部(24、24a、25、25b)形成配線圖案層(28、28a、29、29a)；利用有機(jī)胺類剝離液來剝離所述抗電鍍劑(22a、22b、23a、23b)；和去除位于所述抗電鍍劑(22a、22b、23a、23b)正下方的所述金屬層(20、21)。
2. 如權(quán)利要求l所述的配線基板的制造方法，其特征在于， 所述配線圖案層(28、 28a、 29、 29a)包含線路寬度及線路間隔均在15/xm以下的微細(xì)配線圖案層(28a、 29a)。
3. 如權(quán)利要求1或2所述的配線基板的制造方法，其特征在于， 所述金屬層(20、 21)具有表面粗糙度Ra在0.2/xm以上且0.4/mi以下的粗糙面。
4. 如權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的配線基板的制造方法，其特 征在于，所述有機(jī)胺類剝離液含有單乙醇胺。
5. 如權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的配線基板的制造方法，其特 征在于，所述金屬層(20、 21)為通過無電解鍍銅形成的銅薄膜層。
6. 如權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的配線基板的制造方法，其特 征在于，在剝離所述抗電鍍劑(22a、 22b、 23a、 23b)的工序中，在溫度 為4(TC以上且7(TC以下、壓力為O.lMPa以上且0.4MPa以下、時(shí)間為 3分鐘以上且不足30分鐘的處理?xiàng)l件下，進(jìn)行利用有機(jī)胺類剝離液的 噴灑處理。
7. 如權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的配線基板的制造方法，其特 征在于，在剝離所述抗電鍍劑(22a、 22b、 23a、 23b)的工序中，在溫度 為4(TC以上且70。C以下、時(shí)間為3分鐘以上且不足30分鐘的處理?xiàng)l 件下，進(jìn)行利用有機(jī)胺類剝離液的浸漬處理。
8. —種配線基板的制造方法，其特征在于，包括以下工序-在樹脂絕緣層的表面形成通過無電解鍍銅形成的銅薄膜層； 在所述銅薄膜層上粘貼具有強(qiáng)耐堿性而不具有耐有機(jī)胺性的感光性干膜材料后，進(jìn)行曝光及基于強(qiáng)堿的顯影，形成預(yù)定圖案的抗電鍍劑；進(jìn)行無電解鍍銅而在所述抗電鍍劑的開口部形成配線圖案層； 利用含有乙醇胺的有機(jī)胺類剝離液來剝離所述抗電鍍劑；和 將位于所述抗電鍍劑正下方的所述銅薄膜層蝕刻而去除。
9. 一種組合多層配線基板的制造方法，該組合多層配線基板在芯 基板的正面?zhèn)燃氨趁鎮(zhèn)确謩e具有組合層，其特征在于，包括以下工序在樹脂絕緣層的表面形成銅薄膜層，所述銅薄膜層通過無電解鍍 銅形成，所述銅薄膜層具有表面粗糙度Ra為0.2/xm以上且0.4/mi以下 的粗糙面；在所述銅薄膜層上粘貼具有強(qiáng)耐堿性而不具有耐有機(jī)胺性的感光 性干膜材料后，進(jìn)行曝光及基于強(qiáng)堿的顯影，形成預(yù)定圖案的抗電鍍 劑； 進(jìn)行無電解鍍銅而在所述抗電鍍劑的開口部形成配線圖案層，所述配線圖案層包含線路寬度及線路間隔均在15/mi以下的微細(xì)配線圖 案；利用含有單乙醇胺的有機(jī)胺類剝離液來剝離所述抗電鍍劑；和 將位于所述抗電鍍劑正下方的所述銅薄膜層蝕刻而去除。
全文摘要
提供一種配線基板的制造方法，能夠?qū)崿F(xiàn)提高顯影工序中的成品率，并且能夠切實(shí)地形成形狀優(yōu)良的微細(xì)配線圖案層。在本發(fā)明的配線基板K的制造方法中，首先在樹脂絕緣層(16、17)的表面形成金屬層(20、21)。接著，在金屬層(20、21)上粘貼具有耐堿性的感光性干膜材料(22、23)后，進(jìn)行曝光及基于堿的顯影，形成預(yù)定圖案的抗電鍍劑(22a、22b)。接著，進(jìn)行電鍍而在抗電鍍劑(22a、22b)的開口部(24、25)形成配線圖案層(28、29)。接著，利用有機(jī)胺類剝離液來剝離抗電鍍劑(22a、22b)。接著，去除位于抗電鍍劑(22a、22b)正下方的金屬層(20、21)。
文檔編號(hào)H05K3/38GK101400220SQ20081016628
公開日2009年4月1日 申請日期2008年9月25日 優(yōu)先權(quán)日2007年9月25日
發(fā)明者井場政宏, 杉本篤彥, 櫻井干也, 西村洋子, 齊木一 申請人:日本特殊陶業(yè)株式會(huì)社