專利名稱：發(fā)光裝置及電子設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及通過電致發(fā)光進行發(fā)光的發(fā)光裝置及電子設(shè)備。
背景技術(shù)：
作為薄型且質(zhì)輕的發(fā)光源，OLED (Organic Light Emitting Diode )， 即有機EL (Electro Luminescent)元件備受關(guān)注，并開發(fā)有具備多個有 機EL元件的圖像顯示裝置。有機EL元件，具有用像素電極和對置電 極夾持由有機材料所形成的至少一層的有機薄膜的構(gòu)造。
在有機EL元件的領(lǐng)域中，已知有利用放大干涉即諧振，來加強發(fā)光 的光中特定波長的光的技術(shù)(例如，專利文獻l)。在該技術(shù)中，可以提 高發(fā)光顏色的色純度，或提高放射光對于發(fā)光的效率。
在有機EL元件中，存在因顯示面的外部光線反射而造成顯示圖像的 品質(zhì)劣化的問題。為了解決該問題，例如提出有在顯示面?zhèn)扰渲脠A偏光板 的方案。然而，由于圓偏; yM吏在發(fā)光層產(chǎn)生的光衰減到一半以下，因此 降低了亮度。
另外，還提出有通過將彩色濾光器重疊于有機EL元件上，來降低外 部光線^Jt的方法。該方法，4吏彩色濾光器吸收除了透過的目的波長以外 的波長的光。然而，在只4吏用彩色濾光器的方法中，雖然降低與有機EL 元件放出的光不同顏色的光的反射，然而卻幾乎不降低與有機EL元件放 出的光為相同顏色或類似顏色的光的哀Jt率。
此外，在專利文獻2中，公開有如下的技術(shù)，即按照使在有機發(fā)光 元件的半透過性反射性電極處的外部光線的反射光的相位、與在>^射性的 電極處的外部光線的反射光的相位反轉(zhuǎn)的方式進行調(diào)整的技術(shù)。
專利文獻l:國際公開WO01/39554號公開文本。
專利文獻2:日本專利第3944卯6號公才艮如專利文獻2記載的，在使某個面處的反射光的相位與在另一面處 的反射光的相位互相相反的情況下，通過衰減干涉有可能降低反射光。 然而，在該條件下，提高有機發(fā)光元件的發(fā)光中所放出的光的效率是有 限的。在專利文獻2中，記載有有機發(fā)光元件，具備半透過性反射性的 電極和反射性的電極，且具有使光在這些電極之間往返，進行光諧振的諧 振器構(gòu)造，然而例如光在電極之間往返的構(gòu)造中，由于光學(xué)距離等光學(xué)因 素不合適，光不產(chǎn)生諧振，也不能提高光的利用效率。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明是為了解決上述問題中的至少一部分問題而作出的，可 以通過以下的方式或優(yōu)選例實現(xiàn)。
本發(fā)明涉及的發(fā)光裝置，為了解決上述問題，具備發(fā)光元件，其具 有第一電極層、第二電極層、配置于上述第一電極層和上述第二電極層之 間的發(fā)光功能層；>^射層，其將上述發(fā)光功能層所發(fā)出的光向上述發(fā)光功 能層反射；半透明半反射層，其隔著上i^L光功能層配置在上述反射層的 相反側(cè)，使上述發(fā)光功能層所發(fā)出的光的一部分向上逸義光功能層反射， 另一部分透過，上述半透明半反射層，其折射率為l以上。
根據(jù)本發(fā)明，能夠抑制因入射到該發(fā)光裝置的外部光線的反射引起的 畫質(zhì)降低等弊病。這是由于以下的原因。
本發(fā)明涉及的發(fā)光裝置，具備由發(fā)光元件、發(fā)光層及半透明半反射層 構(gòu)成的諧振器構(gòu)造，然而由于半透明半>^射層其折射率為1以上，因此從 該半透明半>^射層入射進來的外部光線，在背離全反射條件的條件下，在 該層內(nèi)成為折射。另一方面，假設(shè)，考慮折射率低于1的情況時，在這種 情況下，外部光線，在接近全反射條件的條件下，在該層內(nèi)成為折射。
將這兩者的情況進行比較時，認為外部光線反射的絕對量主體，與后 者相比前者相對地變小。因此，根據(jù)本發(fā)明，能夠得到降低外部光線反射 的效果。
在該發(fā)明的發(fā)光裝置中，還具備彩色濾光器，其隔著上述半透明>^射 層配置在上^il光功能層的相反側(cè)，并使透過上述半透明半反射層的光透 過，從上述反射層到上述半透明半反射層的與上述反射層不相對置的界面的光學(xué)距離，根據(jù)公式(1)所計算出的光學(xué)距離(12確定，
d2= (p + l/2).義/2— 02) 'l/4?！?(d
在此，^目當于上述彩色濾光器的透過率的峰值的波長，f，是從上iOC 光功能層的相反側(cè)傳播到上述半透明半反射層的波長X的光，在上述半透
明半反射層的與上述發(fā)光功能層的相反側(cè)的界面被反射時的相位變化； 小2,是從上述發(fā)光功能層側(cè)傳播到上述反射層的波長X的光，在上述反射 層^ML^射時的相位變化；P為正整數(shù)。
根據(jù)該方式，由于上述諧振器構(gòu)造，是以用于產(chǎn)生衰減干涉的光學(xué)距 離為基準而構(gòu)成的，因而更實際有效地起到上述的效果。對于滿足這些的， 更具體的構(gòu)成及構(gòu)造，在實施方式中進行說明。
另外，在本發(fā)明涉及的發(fā)光裝置中，還具備彩色濾光器，其隔著上述 半透明反射層配置在上述發(fā)光功能層的相反側(cè)，并使透過上述半透明半反 射層的光透過，上述半透明半反射層具有規(guī)定的物理厚度tz，并且，從上 述反射層到上述半透明半反射層的與上述反射層相對置的界面的光學(xué)距 離，根據(jù)公式(2)計算出的光學(xué)距離A確定，
(p + l/2) . 1/2— Ut一 :i/47i — nz. tz…(2)
在此，W目當于上述彩色濾光器的透過率的峰值的波長，(|h，是從上U 光功能層的相反側(cè)傳播到上述半透明半反射層的波長X的光，在上述半透 明半反射層的與上述發(fā)光功能層的相反側(cè)的界面被反射時的相位變化； 小2,是從上述發(fā)光功能層側(cè)傳播到上述反射層的波長人的光，在上述反射 層^L^射時的相位變化；P為正整數(shù)；nz為波長X的光在上述半透明半反 射層的折射率。
根據(jù)該方式，由于上述諧振器構(gòu)造，是以用于產(chǎn)生衰減干涉的光學(xué)距 離為基準而構(gòu)成的，因而更實際有效地起到上述的效果。對于滿足這些的， 更具體的構(gòu)成及構(gòu)造，在實施方式中進行說明。
另外，半透明半^Jt層的物理厚度t的變化(才艮據(jù)制造工藝上所利用 的各種M的調(diào)整，或者它們的誤差等)，通常帶來折射率的變化。因此， 優(yōu)選為，通過積極地調(diào)整該物理厚度tz，從而可以進行滿足折射率為1以 上的*這樣的折射率的調(diào)整。另外，在本發(fā)明涉及的發(fā)光裝置中，還可以為如下構(gòu)成，即，上述半 透明半反射層，包含由至少兩種以上的單位元素構(gòu)成的合金，以及，在上 述折射率按照該半透明半反射層的物理厚度的變化而變化的情況下，該半 透明半反射層的合金組成，按照上述物理厚度來確定，或者，該半透明半 >^射層的上述物理厚度，按照上述合金組成來確定。
根據(jù)該方式，首先，通過物理厚度及合金組成比率的調(diào)整，而能夠進 行半透明半反射層的折射率的適宜的調(diào)整。
另夕卜，根據(jù)本方式，能夠提高半透明半反射層的材^K殳計的設(shè)計自由 度。例如，如果增大上述一種單位元素的組成比率則折射率減少，并且， 如果增大上述物理厚度則折射率增大，在存在這樣的關(guān)系的情況下，若相 對地增大物理厚度，則可以進行提高上述一種單位元素的組成比率等這樣 的材樸沒計。反之，當將合金組成確定為預(yù)先期望的組成之后，也能夠確 定物理厚度。
在此， 一般而言，隨著合金組成比率的變化，通常透明度等光學(xué)特性、 強度、以及相對于溫度變化的感應(yīng)度(熱膨脹率等)等的機械的/力學(xué)的/ 物理特性、相對于各種化學(xué)物質(zhì)等的耐受性等化學(xué)特性等等還能夠發(fā)生變 化。因此，在實際的裝置中，利用具有何種合金組成比率的材料，優(yōu)選為， 在考慮了各種情況的基礎(chǔ)上而決定。
鑒于這樣的情況，例如如上所述，在最初確定了優(yōu)選的合金組成比率 之后，通過調(diào)整厚度就能夠調(diào)整折射率等的本方式，是極為便利的。由此， 從整體的觀點來看，能夠提供滿足了諸多要求的半透明半反射層。
另夕卜，在本發(fā)明涉及的發(fā)光裝置中，可以構(gòu)成為，上述半透明半反射
層,包括Mg和Ag。
根據(jù)本方式，半透明半反射層，貼切滿足"折射率為1以上"的條件。 另外，作為構(gòu)成半透明半>^射層的材料，在利用該MgAg的情況下，該膜 厚，優(yōu)選為12.5nm以上，另外，MgAg的組成比率，優(yōu)選為，在將Mg 設(shè)為10的情況下Ag的比率為10以下。該界限的意義，參照后面的實施 方式中的說明。
本發(fā)明的電子設(shè)備，為了解決上述問題，具備上述的任意一項所述的發(fā)光裝置。
根據(jù)本發(fā)明，由于具備上述的各種發(fā)光裝置，因此在實際效果上能夠 獲得降低外部光線反射的效果。因此，能夠顯示更高品質(zhì)的圖像。


圖l是表示本發(fā)明的實施方式所涉及的發(fā)光裝置的簡略的剖視圖。
圖2是簡略地表示在圖1的發(fā)光裝置中，當外部光線通過彩色濾光器 朝向發(fā)光面板的發(fā)光元件并到達時的光的軌跡的示意圖。
圖3其上方表示，在以圖1所示的第二電極層的膜厚為參數(shù)的情況下 的，該電極層的折射率與入射光波長的關(guān)系的曲線，其下方表示，在以第 二電極層的蔽葶為^故的情況下的，圖1的發(fā)光裝置的綠色光的反射率的 模擬結(jié)果的曲線。
圖4是表示代入說明書中所說明的公式(4)至公式(6)、公式(8) 至公式(10)中的值的一例的圖。
圖5是表示作為圖3、圖6、圖7所示的反射率計算模擬的前提的、 圖1所示的各層厚度的組的一例的圖。
圖6是表示以第二電極層的膜厚為參數(shù)的情況下的、圖1的發(fā)光裝置 的藍色光的反射率的模擬結(jié)果的曲線。
圖7是表示以第二電極層的膜厚為M的情況下的、圖1的發(fā)光裝置 的紅色光的反射率的模擬結(jié)果的曲線。
圖8是將圖3的下方(綠色光)、圖6(藍色光)、圖7(紅色光)的 模擬結(jié)果中，第二電極層的膜厚為12=12.511111的情況集中表示的曲線。
圖9是表示作為基于圖8所求出的可見度特性的反射率的模擬結(jié)果的 曲線。
圖10是表示以MgAg的組成比率為參數(shù)的情況下的、第二電極層的 折射率與入射光波長的關(guān)系的曲線，是該層的膜厚為12.5nm的情況下的曲線。圖11是表示以MgAg的組成比率為參數(shù)的情況下的、第二電M的 折射率與入射光波長的關(guān)系的曲線，是該層的膜厚為20nm的情況下的曲線。
圖12是表示以第二電極層的合金組成比率為^的情況下的、圖1 的發(fā)光裝置的綠色光的反射率的模擬結(jié)果的曲線。
圖13是在圖12的綠色光的情況的模擬結(jié)果的基礎(chǔ)上，將藍色光及紅 色光的模擬結(jié)果中的，第二電極層的膜厚為20nm的情況集中表示的曲線。
圖14M示作為基于圖13所求出的可見度特性的反射率的模擬結(jié)果 的曲線。
圖15是表示本發(fā)明的實施方式所涉及的發(fā)光裝置的變形例(之1)的 簡略的剖視圖。
圖16是表示本發(fā)明的實施方式所涉及的發(fā)光裝置的變形例(之2)的 簡略的剖視圖。
圖17是表示本發(fā)明的實施方式所涉及的發(fā)光裝置的變形例(之3 )的 簡略的剖視圖。
圖18是表示適用了本發(fā)明的有機EL裝置的電子設(shè)備的立體圓。
圖19是表示適用了本發(fā)明的有機EL裝置的另一電子設(shè)備的立體圖。
圖20是表示適用了本發(fā)明的有機EL裝置的再另一電子設(shè)備的立體圖。
圖中符號說明l...作為發(fā)光裝置或者圖象顯示裝置的有機EL裝置； 2 (2R、 2G、 2B)…發(fā)光元件；3…發(fā)光面板；10…J4l; 12…反射層； 14…絕緣體透明層；18(微、18G、 18B)…第一電極層；20 (20R、 20G、 20B)…發(fā)光功能層；22...作為半透明半>^射層的第二電極層；30…彩色 濾光器面板；36 (36R、 36G、 36B)...彩色濾光器。
具體實施例方式
以下，參照附圖對本發(fā)明所涉及的實施方式進行說明。另夕卜，在圖中，各部分尺寸的比例與實物適當?shù)夭煌?br> 有機EL裝置的截面構(gòu)造
圖1，是表示本發(fā)明的實施方式所涉及的作為發(fā)光裝置的有機EL裝 置l的簡略剖視圖。有機EL裝置1，具備發(fā)光面板3和彩色濾光器面板 30。
發(fā)光面板3，如圖所示具有作為多個像素的發(fā)光元件2(2R、 2G、 2B)。 該實施方式的有機EL裝置1，作為全彩色圖像顯示裝置而使用。發(fā)光元 件2R是放出光的顏色為紅色的發(fā)光元件，發(fā)光元件2G是放出光的顏色 為綠色的發(fā)光元件，發(fā)光元件2B是放出光的顏色為藍色的發(fā)光元件。在 圖l中，只表示了三個的發(fā)光元件2，然而在實際上，設(shè)置有比圖示多的 多個發(fā)光元件。以下，構(gòu)成要素的標注R、 G、 B，與發(fā)光元件2R、 2G、 2B相對應(yīng)。
圖示的發(fā)光面板3為頂部發(fā)光型。發(fā)光面板3具有基板10?；鵷l10, 可以由例如玻璃那樣的透明材料形成，也可以由例如陶瓷或金屬那樣的不 透明材料形成。
在基板10上的至少是與發(fā)光元件2重疊的位置上，形成有均勻厚度 的反射層12。反射層12，由例如鋁或銀等反射率較高的材料所形成， 將從發(fā)光元件2傳播來的光(包括由發(fā)光元件2的發(fā)光)向圖1的上方 反射。
以覆蓋反射層12的方式在基板10上，形成有絕緣體透明層14。絕緣 體透明層14，例如，在用SiN等的絕緣體透光性較高的材料所形成。未 圖示，然而在絕緣體透明層14上，埋設(shè)有用于向各發(fā)光元件2供電的TFT (薄膜晶體管)以及布線。反射層12上的絕緣體透明層14的厚度，與重 疊的發(fā)光元件2的發(fā)光顏色無關(guān)都是一樣的。
在絕緣體透明層14上，形成有劃分發(fā)光元件2的作為隔離物的隔壁 16。隔壁16，例如由丙烯、環(huán)氧樹脂或者聚酰亞胺等絕緣性的樹脂材 料所形成。
各發(fā)光元件2，具有第一電極層18、作為半透明半反射層的第二電 極層22、配置于第一電極層18和第二電極層22之間的發(fā)光功能層20。在本實施方式中，第一電極層18 (18R、 18G、 18B)為，分別設(shè)置在像 素(發(fā)光元件2)上的像素電極，例如是陽極。第一電極層18,例如由ITO (Indium Tin Oxide)或Zn02那樣的透明材料所形成。第一電極層18的 厚度，與發(fā)光顏色對應(yīng)而不同。即，第一電極層18R、 18G、 18B，具有 互相不同的厚度。
在本實施方式中，發(fā)光功能層20，在多個發(fā)光元件2上共通地形成， 不論發(fā)光元件2的發(fā)光顏色如何都具有一樣的厚度。發(fā)光功能層20，至少 具有有機發(fā)光層。該有機發(fā)光層在電流流動時發(fā)出白光。即，發(fā)出具有紅 色、綠色及藍色的光成分的光。有機發(fā)光層，可以是單層，也可以由多層 (例如，在電流流動時主要以藍色發(fā)光的藍色發(fā)光層，和在電流流動時發(fā) 出包括紅色和綠色的光的黃色發(fā)光層)而構(gòu)成。
雖未圖示，然而發(fā)光功能層20，除有機發(fā)光層以外，還可以具有空穴 輸送層、空穴注入層、電子塊層、空穴塊層、電子輸送層、電子注入層 等層。在發(fā)光功能層20由多層構(gòu)成的情況下，各層不論發(fā)光元件2的 發(fā)光顏色如何也都具有一樣的厚度。
作為半透明半反射層的第二電極層(半透明半反射層)22,由例如 MgAl、 MgCu、 MgAu、 MgAg那樣的半透明半反射性的合金或者金屬 材料所形成。第二電極層22，在該實施方式中，為在多個像素(發(fā)光 元件)上共通地設(shè)置的公共電極，例如是陰極。第二電極層22，無論 發(fā)光元件2的發(fā)光顏色如何都具有一樣的厚度。第二電極層22,將從 發(fā)光功能層20傳播來的光(包括來自發(fā)光功能層20的光)的一部分向 圖的上方透過，而將這些光的另一部分向圖的下方，即第一電極層18 反射。
該第二電極層22，優(yōu)選為，在上述中特別是由MgAg等的折射率 為l以上的材料所制成，對于該點，在以后說明作用效果時，與更具體 的數(shù)據(jù)等的說明一起，再進行說明。
在形成于多個隔壁16之間的開口 (像素開口 )的內(nèi)部，發(fā)光功能層 20，與第一電極層18接觸，在個某發(fā)光元件2中，當在第一電極層18和 第二電極層22之間流過電流時，則向該發(fā)光元件2中的發(fā)光功能層20, 供給來自第一電極層18的空穴，并供給來自第二電極層22的電子，且空穴與電子結(jié)合而發(fā)光。因此，在形成于隔壁16的《象素開口，大體劃定出 發(fā)光元件2的發(fā)光區(qū)域，即隔壁16的像素開口劃分發(fā)光元件2。
雖然只在圖2表示，然而在第二電極層22的圖的上面，形成有極薄 的鈍化層27。鈍化層27，例如由SiON那樣的透明的無機材料所形成， 來防止因7jc分或氧氣而造成發(fā)光元件2的特別是義光功能層20的劣化。 于是形成發(fā)光面板3。
發(fā)光功能層20發(fā)白色光，然而由于光在反射層12和第二電極層22 之間的往返，因此各個發(fā)光元件2，放出將特定波長的光放大了的光。即， 在發(fā)光元件2R中將紅色波長的光放大后放出，在發(fā)光元件2G中將綠色 波長的M大后放出，在發(fā)光元件2B中將藍色波長的光放大后放出。為 了該目的，而在發(fā)光元件2R、 2G、 2B中，在>^射層12和第二電極層22 之間的光學(xué)距離A(dm、 d1G、 dw)是不同的。另外，圖中的光學(xué)距離 ^ (d1R、 d1G、 d1B)及d2 (d2R、 d2G、 d2B),是表示光學(xué)距離，而不是表 示實際的if巨離。
在發(fā)光面板3上，利用透明的粘接劑28而接合有彩色濾光器面板30。 彩色濾光器面板30，具備例如以玻璃那樣的透明材料所形成的基板 32、形成于基板32上的黑色矩陣34、在形成于黑色矩陣34的開口上 配置的彩色濾光器36 (36R、 36G、 36B )。粘接劑28，配置在彩色濾 光器面板30的彩色濾光器36和發(fā)光面板3的鈍化層27 (參見圖2 )之 間，并相對于發(fā)光面板3的各層，平行地支撐彩色濾光器面板30中的 彩色濾光器36。
彩色濾光器36，分別配置于發(fā)光元件2，特別是與第一電極層18重 疊的位置。彩色濾光器36，隔著半透明半>^射性的第二電極層22，配置 在發(fā)光功能層20的相反側(cè)，并使透過了重疊的發(fā)光元件2的第二電極層 22的光透過。
以下具體地進行說明。
彩色濾光器36R與發(fā)光元件2R重疊，由一個彩色濾光器36R和一個 發(fā)光元件2R構(gòu)成一個組合。彩色濾光器36R，具有使紅色光透過的功能， 其透過率的峰值為610nm的波長。彩色濾光器36R，在透過重疊的發(fā)光 元件2R的第二電極層22的紅色M大后的光中，使紅色的光透過，來提高紅色的純度。另外，彩色濾光器36R，吸收大部分綠色和藍色的光。
彩色濾光器36G與發(fā)光元件2G重疊，由一個彩色濾光器36G和一個 發(fā)光元件2G構(gòu)成一個組合。彩色濾光器36G，具有使綠色光透過的功能， 其透過率的峰值為520nm的波長。彩色濾光器36G,在透過重疊的發(fā)光 元件2G的第二電極層22的綠色M大后的光中，使綠色的光透過，來 提高綠色的純度。另外，彩色濾光器36G，吸收大部分紅色和藍色的光。
彩色濾光器36B與發(fā)光元件2B重疊，由一個彩色濾光器36B和一個 發(fā)光元件2B構(gòu)成一個組合。彩色濾光器36B，具有使藍色光透過的功能， 其透過率的峰值為470nm的波長。彩色濾光器36B,在透過重疊的發(fā)光 元件2B的第二電極層22的藍色M大后的光中，使藍色的光透過，來提 高藍色的純度。另外，彩色濾光器36B,吸收大部分紅色和綠色的光。
光反射及透過模型
圖2,是簡略地表示當外部光線通過彩色濾光器36朝向發(fā)光面板3 的發(fā)光元件2并到達時的光的軌跡的示意圖。透過了彩色濾光器36的外 部光線，通過透明的粘接劑28，進而透過鈍化層27，而到達半透明半反 射性的第二電極層22。外部光線的一部分，在鈍化層27和第二電極層22 的界面(第二電極層22的與發(fā)光功能層20相反側(cè)的界面)被反射。將該 反射時的相位變化設(shè)為(|h 。
另外，外部光線的另一部分，透過半透明半反射性的第二電極層22， 進而透過發(fā)光功能層20、第一電極層18及絕緣體透明層14，而在反射 層12的發(fā)光功能層20 —側(cè)的面上進行反射。將該反射時的相位變化設(shè)
在反射層12的反射光，透過絕緣體透明層14、第一電極層18、發(fā)光 功能層20，其一部分透過半透明半反射性的第二電^L^22,從發(fā)光元件2 向粘接劑28傳播，并與在上述的鈍化層27和第二電極層22的界面的反 射光干涉。另外，在圖2中，省略了在各界面的因光的折射造成的光路變 化的圖示，光路用直線來表示。
對于通過衰減干涉來降低以上那樣的另 一個界面的反射光，優(yōu)選為滿 足公式(3 )。<formula>formula see original document page 14</formula>... (3)
在此，db是，反射層12的發(fā)光功能層20側(cè)的界面和第二電極層22 的與發(fā)光功能層相反側(cè)的界面之間的光學(xué)距離(nm)。光學(xué)距離d2，為絕 緣體透明層14、第二電極層22以及它們之間的層的折射率和厚度的乘積 的總和。
公式(3)的"波長X"，是^^吏其衰減的光成分的波長(nm)。成為問 題的外部光線，由于是透過彩色濾光器36向發(fā)光面板3傳播的光，因此 是彩色濾光器36的透過波長范圍的光。因此，作為公式(3)的"波長5l", ^目當于彩色濾光器的透過率的峰值的波長比較合適。
公式(3 )的(jh,是從發(fā)光功能層20的相反側(cè)傳播到第二電極層22的 波長人的光，在半透明半反射性的第二電極層22的與發(fā)光功能層20相反 側(cè)的界面^L^射時的相位變化(rad)， (h是^UL光功能層20側(cè)傳播到反 射層12的波長X的光，在^^射層12被^Jt時的相位變化(rad )。另夕卜，p 為正整數(shù)，優(yōu)選為1。
這樣的公式(3)，實際上，能夠重新寫成關(guān)于紅、綠及藍的發(fā)光元 件2R、 2G、 2B各自單獨的公式。即
<formula>formula see original document page 14</formula> … (4)
<formula>formula see original document page 14</formula> …(5)
在此，d2R,是針對發(fā)光元件2R的光學(xué)距離d2，入r是相當于彩色 濾光器36R的透過率的"^值的波長610nm, (jhR為在波長、的(jh，小汰為在 波長、的<|)2。
另外，d2G是針對發(fā)光元件2G的光學(xué)距離d2， ^是相當于彩色濾 光器36G的透過率的Jf值的波長550nm， (J)1(i為在波長人c的相位變化^，
小2(;為在波長^的相位變化(|)2， d2R是針對發(fā)光元件2B的光學(xué)距離d2，
入b是相當于彩色濾光器36B的透過率峰值的波長470nm，小18為在波長^
的相位變化(lh，小犯為在波長^的相位變化(|)2。在光學(xué)距離& (nm)和光學(xué)距離(12之間，存在公式(7)所示的關(guān) 系，其中光學(xué)距離山，是反射層12和第二電極層22之間的光學(xué)距離， 光學(xué)距離d2,是反射層12的發(fā)光功能層20側(cè)的界面和第二電極層22 的與發(fā)光功能層20相反側(cè)的界面之間的光學(xué)距離。
di=d2—nz tz
因<formula>formula see original document page 15</formula>...( 7)
在此，nz為波長X的光在第二電極層22的折射率，tz為第二電極層 22的厚度。
因此，對于各發(fā)光元件2R、 2G、 2B，可以改寫成公式(8) ~公 式(10)，
d1R=(p+l/2).又r/2—(力1R—》2r) ' Xr/4tc —nzR. tz (8) d1G=(p+l/2) . lG/2—(01G—02G) ' ;iG/47c —nzG. tz …(9) d1B=(p+l/2) . lB/2—U.1B—^>2B) *又b/4tc —XKj, tz (10)
在此，d1R，是針對發(fā)光元件2R的光學(xué)距離nzR是波長人R的光 在第二電極層22的折射率nz。
另外，dw是針對發(fā)光元件2G的光學(xué)距離山，nzG是波長^的光在 第二電極層22的折射率nz， d化是針對發(fā)光元件2B的光學(xué)距離d" nzB 是波長入B光在第二電極層22的折射率nz。
以上，對為了通過衰減干涉來降低在另一個界面的反射光的合適 條件進行了說明。
有機EL裝置的作用效果
以下，對具備如上所述構(gòu)成的有機EL裝置的作用效果，除已經(jīng)參 照的圖1及圖2以外，還參照圖3至圖9進行說明。
該圖3至圖9,表示基于具有以上所說明的構(gòu)造的有機EL裝置， 執(zhí)行了光學(xué)模擬的結(jié)果。另夕卜，該模擬結(jié)果，是使用了林式會社豐田中 央研究所制作的光學(xué)模擬程序亦即商品名"OptDesigner"所獲得的。另外，對于該點，對于參照后面的圖IO至圖14也是同樣的。 膜厚和折射率
首先，作為進入本實施方式的有機EL裝置的作用效果的說明的前提, 對關(guān)于上述第二電極層22的，其厚度與其折射率的關(guān)系進行說明。
在圖3的上方，4一表示該關(guān)系的曲線。
如該圖所示，首先，確認了與第二電極層22的厚度不同無關(guān)，而是 隨著波長變大，其折射率基本成正比地增大。
除此以外，從該圖中可以確認，隨著第二電極層22厚度的增大，其 折射率也變大。即，在圖3中，分別表示了膜厚Tl-llnm、 T2=12.5nm、 T3=20nm的情況下的折射率，然而膜厚T1的情況為，波長到600nm的 中央附近，折射率不到l。與此相對，膜厚T2及膜厚T3的情況為，在全 波長范圍內(nèi)折射率均為1以上。特別是，從該圖可知，在全波長范圍內(nèi)為 了使折射率為l以上的界限的值，為膜厚T2。
另外，該圖3上方的結(jié)果，是經(jīng)過求出復(fù)折射率n^n-jk的過程所 獲得的，該圖的縱軸"折射率"，意味著其實數(shù)部n的值。雖然也求出 了消光系數(shù)k，然而在圖3中未圖示。另外，在圖3的左上部，為了表 現(xiàn)這樣的意思，而使用"折射率實數(shù)部，，這樣的表現(xiàn)。以上的事項，對 于參照后面的圖10及圖11也是同樣的。
另外，該圖3上方的結(jié)果，第二電極層22，是包括Mg和Ag的合 金，并且，是以具有前者為IO后者為1的重量比關(guān)系的合金所制造的 情況為基礎(chǔ)的。該情況，在參照后面的圖4至圖9中也被作為前提。
在圖3中，除了上述的各膜厚T1、 T2、 T3的變化與折射率的關(guān)系 以外，將這些各膜厚T1、 T2、 T3的變化與外部光線反射率的關(guān)系，表 示于圖中下方。另夕卜，該圖是涉及對于綠色光的外部光線反射率的曲線。 另外，該反射率是基于，假定等能量白色光透過彩色濾光器36而到達 了發(fā)光面板3，該反射光透過了彩色濾光器36的結(jié)果的光的強度與原 來的等能量白色光的強度之比而求出的。該情況，在參照后面的圖6 至圖9、圖12至圖14中也是同樣的。(5)以及公式(9)所得到的結(jié)果為基 礎(chǔ)。即，根據(jù)前者的公式(5)求出用于生成反射光的衰減干涉的光學(xué) 距離d2C，根據(jù)后者的公式(9)同樣求出用于生成反射光的衰減干涉 的光學(xué)距離d1G,然而對于后者的光學(xué)距離duj而言，對公式(9)中的 第二電極層22的厚度tz，分別代入上述膜厚T1、 T2、 T3。該圖的結(jié) 果，基于這樣所求出的三種光學(xué)距離dw以及光學(xué)距離d2G，或者以基 本滿足它們的方式，通過模擬設(shè)定而求出有機EL裝置的發(fā)光元件2G 的截面構(gòu)造。
另外，作為應(yīng)帶入用于求出上述光學(xué)距離duj以及光學(xué)距離dw的 公式(5)及公式(6)的值，可以使用例如圖4所示的值(在這里，由 于是綠色光的問題，因此為位于該圖的"發(fā)光元件2G"列的值)。使用 這樣的值，且在設(shè)p-l，并且設(shè)nz(^1.24、 tz=12.5nm的情況下的光學(xué) 距離duj以及光學(xué)距離d2G分別為dui-大約406.2nm、 32(^=大約 422.0nm。
另外，在執(zhí)行上述模擬的情況下滿足以下條件，絕緣體透明層14 的厚度、發(fā)光功能層20的厚度，在發(fā)光元件2R、 2G、 2B是相同的， 而第一電極層18的厚度則以與發(fā)光元件2R、 2G、 2B對應(yīng)而不同。
此外，在實際的模擬中，各層的材料、厚度及折射率，設(shè)定為如圖 5所示。即，按照在此所表示的數(shù)值，計算與光學(xué)距離d^相當?shù)闹狄?即光學(xué)距離dn;'的值時，(11(5'=大約426.3nm。在該光學(xué)距離(11(^'與上述 光學(xué)距離d^之間存在不同的原因在于，在計算后者所依據(jù)的公式(5) 及公式(9)中，未考慮構(gòu)成層積構(gòu)造物的各層間的其它的界面所引起 的反射等。雖然這樣的光學(xué)距離山G'及光學(xué)距離dui不一定一致，然而 光學(xué)距離du;'以光學(xué)距離dw為基礎(chǔ)是不變的。另外，在上述的圖4及 圖5中，對于后述的圖6及圖7所示的藍色光及紅色光的同樣的數(shù)值， 也一并進行表示。
這樣，如圖3的下方所示，可知反射率，相對于波長具有以一定的 周期降低，或者增大的情況，然而可知無論膜厚T1、 T2、 T3中的任一 個，在綠色光的峰值波長550nm附近的反射率均降低。然而，也確認 了根據(jù)這些膜厚T1、 T2、 T3間的不同，反射率降低的狀況也不同。即， 結(jié)果為，在上述峰值波長550nm的反射率降低效果最弱的是膜厚Tl。接著，在膜厚T3得到改善，在膜厚T2得到最好的結(jié)果。然而，膜厚 T2及膜厚T3的結(jié)果，可以說是基本相同的范圍。
根據(jù)這樣的結(jié)果可知，反射率降低的效果，與參照圖3的上方所說 明的折射率之間存在一定的相互關(guān)系。即，可以說，在折射率為1以上 的情況下，能夠獲得更實際有效的反射率降低的效果。
這樣的折射率與反射率降低效果之間的相互關(guān)系，根據(jù)下述也可確認。
即，首先，在如圖3下方所示的、表示按照波長而變化的反射率的 各個曲線中，關(guān)注其最小值。這些最小值，如該圖所示，對于膜厚T1、 T2、 T3的曲線，最小值分別為ml、 m2、 m3。
接著，確認在與這些最小值ml、 m2、 m3對應(yīng)的波長中，第二電 極層22的折射率將會怎樣。在圖3中，能夠從視覺上把握。例如，以 最小值ml的處為一端點的線段R1，向圖中上方延伸，并與圖3上方 所示的波長-折射率曲線相交。在此應(yīng)關(guān)注的是，根據(jù)膜厚T1的波長 -折射率曲線可知，與該最小值ml對應(yīng)的折射率為1以下。
對于其余的線段R2及線段R3也同樣。然而，如果觀察這些線段 R2及線段R3的圖3中上方的端點則可知，無論哪個，折射率均為1 以上。
才艮據(jù)上述，推測出以下的內(nèi)容。
即，上述公式(5)及公式(9)，如上所述是用于求出產(chǎn)生衰減干 涉的光學(xué)距離dw及光學(xué)距離d2G的公式，然而并非不可能作為用于求 出在波長^及其附近的波長中，反射率為最小的光學(xué)距離(Ug及光學(xué) 距離d2G的公式。由于模擬，是在與這些光學(xué)距離dw及光學(xué)距離d2G 基本一致的條件下進行的，因此可以說其結(jié)果反映了圖3下方的最小值 ml、 m2、 m3,另外當然也，反映了其反射率為最小的光學(xué)距離d^及 光學(xué)距離d2G。特別是，光學(xué)距離d1G,如上述的公式(9)所示，與第 二電極層22的折射率nzG (以及物理厚度tzG)對應(yīng)而變化。
對以上進行總結(jié)，可以看出如下這樣一系列的關(guān)系，即，折射率 nzG的變化，對光學(xué)距離dw帶來影響，且其進一步對反射率降低效果、具體而言對上述最小值ml、 m2、 m3造成影響。
在此再次觀察最小值ml、 m2、 m3可知，最小值ml,與最小值 m2及最小值m3之間存在顯著的差W。而且，在這兩者之間存在如下 關(guān)系，如上所述，前者折射率nzG低于l，而后者為l以上。如果這樣， 則可以認為，在如下的兩者之間，即，在折射率nzG的值低于1或為1 以上，與是否產(chǎn)生上述的顯著的差W之間，存在某種相互關(guān)系。
根據(jù)圖3中可以得到以上那樣的相關(guān)關(guān)系的情況，然而對于其原因 并不十分明了。然而，在折射率nzG低于l的情況下， 一般而言，意味 著相對于入射角，折射角增大，因此歸結(jié)為其程度越大越接近全反射條 件。如果這樣，伴隨與此，推測出反射光量一般也增大。于是，通過上 述公式(5)及公式(9)，求出的產(chǎn)生衰減干涉的光學(xué)距離d^及光學(xué)
距離d2G，在折射率llzG低于1的情況下，干涉的效果與折射率IlzG為1
以上的情況相比較，相對地看，或者從實質(zhì)上看，均被認為產(chǎn)生衰減。
無論怎樣，如上所述，只要上述折射率nzG為1以上，就能夠更好 地得到反射率降低的效果。
圖6及圖7，與圖3的下方是相同含義的圖，是表示各膜厚Tl、 T2、 T3的變化與外部光線反射率關(guān)系的圖，然而前者是藍色光，后者 是紅色光。這些圖，分別在對于上述綠色光所述的同樣的意義中，圖6 與公式(6)及公式(10)相關(guān)，圖7與公式(4)及公式(8)相關(guān)。
在這些圖中，圖6(藍色光)，與圖3的情況同樣，或者可以說，比 其更清楚地顯示出，隨著第二電極層22的膜厚的變大，更好地達到了 反射率降低的效果。另外，在圖7(紅色光)中，在波長小的范圍，可 以說各膜厚T1、 T2、 T3之間沒有較大的差異，然而在成為問題的波長 610nm周圍內(nèi)，能夠讀出與圖3同樣的傾向。即，觀察從波長600nm 到超過其中央附近的范圍為止(參照圖7的虛線框線所包圍的線)可知， 由于在膜厚Tl的情況，即折射率nzG低于1的情況，與在膜厚T2及 膜厚T3的情況，即折射率nzG為1以上的情況之間，產(chǎn)生顯著的差， 因此前者與后者相比，反射率變得更大。這樣的情況，即使只有某種程 度的差，也能夠在圖6中的波長470nm及其附近看到。
圖8為，在局限于第二電極層的膜厚為T2=12.5nm的情況下(即，在圖3、圖6及圖7中的膜厚T2)，將如上所示的、圖3的下方、圖6及 圖7的模擬結(jié)果，進行集中表示的曲線。選擇膜厚T2-12.5nm的理由在 于，如上所述，在全波長范圍內(nèi)用于使折射率為l以上的界限的值，為 該膜厚T2 (參照圖3 )。
如該圖所示，曲線Gref在峰值波長550nm附近具有極低的反射率 值，曲線Bref在峰值波長470nm附近具有極低的反射率值，曲線Rref 在峰值波長610nm附近具有極低的反射率值。
而且，由于全部顏色的反射率為這樣的結(jié)果，因此注意到如圖9所 示，作為可見度特性的反射率，無論哪種顏色均為10%以下這樣的非 常優(yōu)秀的成績。在該圖9中，在各顏色的峰值波長附近的反射率的降低， 是反映上述圖3的下方、圖6及圖7的結(jié)果的總結(jié)。另一方面，在其它 的波長范圍，反射率被降低，是彩色濾光器36的吸收效果的反映。例 如，圖9的曲線Gsf，在除峰值波長550nm附近以外的波長范圍內(nèi)， 由于因彩色濾光器36G而產(chǎn)生光吸收，因此反射率值降低(對于其它 的曲線Bsf以及曲線Rsf也同樣)。另外，在上述中"作為可見度特性 的反射率"是指，隔著彩色濾光器36綜合地觀察了多個發(fā)光元件2時 的反射率。具體而言為，得到對圖8的曲線進行積分的結(jié)果。
如上所述，在本實施方式的有機EL裝置中，在第二電極層22的 折射率為1以上的情況下，能夠獲得更好的反射率降低的效果。
另外，如從上述的說明及圖3等中所明確的那樣，在可見光范圍 (400nm ~ 800nm)波長400nm中的第二電極層22的折射率，優(yōu)選為 1以上。另一方面，作為折射率的實際的上限值，優(yōu)選為，以波長800nm 下的折射率進行規(guī)定，只要第二電極層22的折射率的上限值為3以下 即可，或者根據(jù)圖3上限值也可以為2.5以下。
合金組成和折射率
接下來，對于第二電極層22的組成對該第二電極層22的折射率的 影響進行說明。
圖10為，與上述圖8及圖9同樣，在將第二電極層22的膜厚，固定 為12.5nm (=膜厚T2 )的狀態(tài)下，在4吏其組成成分Mg和Ag的組成比率變化的情況下，表示折射率將會怎樣的曲線。
如該圖10所示，確i人了以Mg和Ag的組成比率為10: 1的情 況(參照圖中符號"C1")為基準，當提高Ag的比率時，折射率逐漸減 小。在圖10中，分別將Mg: Ag=10: 3的情況表示為"C2"，同樣地將 10: 5的情況表示為"C3"。另外，將不含有Ag的情況，即將Mg單獨的 情況表示為"C0"。
接著，圖ll表示，基于上述圖10，當增大第二電極層22的物理厚 度時折射率將會怎樣。具體而言，在該圖11中，第二電極層22的膜厚 為20nm時，與上述圖10中的12.5nm相比，膜厚變大。
根據(jù)該圖ll可知，首先，膜厚越大則折射率越大。例如，將圖11
的標記了符號"cr，的曲線，與圖io的標記了符號"cr的曲線(均
為Mg: Ag=10: 1的情況下的曲線)進行比較可知，膜厚較大者，以整 體地提高方式，折射率的值在全波長范圍變大。
另一方面，根據(jù)圖ll可知，越增大MgAg中的Ag的組成比率， 折射率越減少。該傾向，與參照圖IO說明的傾向相同。另外，在圖11 中，將Mg: Ag=10: 10的情況表示為"C4"。另外，符號"C0"、 "C3" 的含義，與圖10的情況相同。
根據(jù)以上的圖10及圖ll可知，其結(jié)果為越提高MgAg中的Ag的 組成比率，折射率越減小，另一方面可知，第二電極層22的膜厚越大， 折射率越大。
在此，在考慮上述的、優(yōu)選折射率為1以上的觀點的同時，再來 觀察圖10及圖11。這樣，在圖10中標記了符號"C3"的曲線的情況， 在波長較小的范圍，存在折射率為1以下的部分。然而可知，即使是相 同的組成比率，在圖ll中的標記了符號"C3"的曲線的情況，在全波 長范圍折射率均為1以上。這是，如上所述，由于圖11的情況，膜厚 為20nm,比圖10的12.5nm的情況，膜厚更大?？傊鶕?jù)該圖10 及圖11,能夠得到如下的一定的關(guān)系，即，只要增大第二電極層22的 膜厚，就能夠?qū)崿F(xiàn)上述那樣的折射率的"整體地提高"，因此在該情況 下，能夠在一定程度上提高Ag的比率。觀察圖11時，認為膜厚如果 為20nm,則界限的組成比率，雖然在該波長400nm附近折射率存在若干低于"1"的部分，但能設(shè)定為Mg: Ag=10: 10。
圖12是，與圖3的下方、圖6及圖7相同含義的圖。然而，在該 圖12中，取代圖6等中以膜厚T1、 T2、 T3為參數(shù)進行變化的情況， 而是以第二電極層22的組成比率為參數(shù)進行變化。即，圖12，表示作 為上述各組成比率的曲線Cl、 C3、 C4的變化與外部光線反射率的關(guān) 系。
另外，該圖12,是建立在以下的各前提的基礎(chǔ)上的結(jié)果。(i)與 圖12中的作為各組成比率的曲線Cl、 C3、 C4的含義與圖11的情況 相同，(ii)膜厚也與圖ll相同，為20nm, (m)圖12為，關(guān)于綠色光 的反射率的模擬。
如該圖12所示，反射率與圖3的下方相同，對于波長以一定的周 期降低，或者增大的情況，然而可知無論作為組成比率的曲線C1、 C3、 C4中的何者，在綠色光的峰值波長550nm附近的反射率均降低。然而， 也確認了由于這些作為組成比率的曲線Cl、 C3、 C4的不同，反射率 降低的狀況也不同。即，結(jié)果為，在上述峰值波長550nm的反射率降 低效果最弱的，是作為組成比率的曲線Cl。接著，在作為組成比率的 曲線C4得到改善，在作為組成比率的曲線C3得到最好的結(jié)果。然而， 作為組成比率的曲線C3及作為組成比率的曲線C4的結(jié)果，可以說是 基本相同的范圍。
該結(jié)果，給出啟示通過改變組成比率，能夠獲得更實際有效的反 射率降低的效果。這樣說，也是由于圖12中的標記了符號"C1"的曲 線，與圖3下方的標記了符號"T3"的曲線實質(zhì)上是相同的原因。即， 兩者均為，假想膜厚為20nm，且具有Mg: Ag=10: 1的組成比率的第 二電極層22的情況下的反射率。因此，圖12其余的曲線C3及曲線 C4,與圖3下方所示的表示膜厚T2的曲線"T2"及表示膜厚T3的曲 線"T3"相比，均得到改善(另外請注意，在圖12和圖3的下方，縱 軸刻度處理是不同的)。
根據(jù)以上所述，其結(jié)果，如果膜厚足夠大，則即使增大MgAg中 Ag的組成比率，折射率在主要的波長范圍也為1以上，因此可以說獲 得更實際有效的反射率降低的效果。圖13是，限于第二電極層22的膜厚為20nm的情況下(即，圖12 中的曲線C1),將上述的、圖12的模擬結(jié)果、以及與圖12同樣的未圖示 的藍色光及紅色光的模擬結(jié)果(相當于上述圖6及圖7)進行表示的曲線。 選擇膜厚20nm的理由，是為了將基于圖13的接下來敘述的圖14，與 上述的圖9進行比較(對于該點，接下來進行敘述)的原因。
如該圖13所示，曲線Gref在峰值波長550nm附近具有極低的反 射率值，曲線Bref在峰值波長470nm附近具有極低的反射率值，曲線 Rref在峰值波長610nm附近具有極低的反射率值。
而且，由于全部顏色的反射率為這樣的結(jié)果，因此注意到如圖14 所示，作為可見度特性的反射率，無論哪種顏色均為5%以下這樣的非 常優(yōu)秀的結(jié)果。在該圖14中，在各顏色的峰值波長附近的反射率的降 低，是反映上述圖12的結(jié)果等的總結(jié)。另一方面，在其它的波長范圍， 反射率被降低，是彩色濾光器36的吸收效果的反映。例如，圖14的曲 線Gsf，在除峰值波長550nm附近以外的波長范圍內(nèi)，由于因彩色濾 光器36而產(chǎn)生光吸收，因此反射率值降低(對于其它的曲線Bsf以及 曲線Rsf也同樣)。另外，在上述中"作為可見度特性的反射率"的含 義，與圖9所述的相同。
將該圖14,與上述的圖9相比較可知，圖14的作為可見度特性的 反射率進一步得到改善。這樣，大致能夠觀察到，隨著折射率的增大而 產(chǎn)生的變化(對比參照圖10的曲線C1和圖ll的曲線Cl)。另外，圖 14及圖9的兩者，在Mg: Ag=10: l方面是相同的，然而，關(guān)于膜厚 是不同的，圖14為20nm，圖9為12.5nm。因此至少可以i兌，兩者的 不同，是基于膜厚不同而產(chǎn)生的效果。這樣，在本實施方式的有機EL 裝置中，不僅第二電極層22的折射率為1以上，而且通過適當?shù)卣{(diào)整 其合金組成比率，就能夠獲得更好的反射率降低的效果。
以上，對于本發(fā)明的實施方式進行了說明，然而本發(fā)明的發(fā)光裝置， 不限定于上述的方式，還能夠進行各種變形。
(l)在上述的實施方式中，透明的第一電極層18是陽極，半透明半反 射性的第二電極層22是陰極，然而也可以是第一電極層18是陰極，第 二電極層22是陽極。(2)在上述的實施方式中，第一電極層18和反射層12是不同的層， 然而也可以將第一電極層18兼用作反射層。
(3)上述的實施方式涉及的發(fā)光裝置，是頂部發(fā)光型，然而本發(fā) 明涉及的發(fā)光裝置，也可以是底部發(fā)光型。即，將反射層配置比發(fā)光功 能層離基板較遠的層上，而將半透明半反射層配置比發(fā)光功能層離基板 較近的層上。
(4)上述的實施方式涉及的發(fā)光裝置，是有機EL裝置，然而本發(fā)明 涉及的發(fā)光裝置也可以是無機EL裝置。
(5) 在上述實施方式中，發(fā)光功能層20發(fā)出白色光，然而本發(fā)明， 不限定于該方式。例如，如圖15所示，可以在發(fā)光元件2R、 2G、 2B 上，分別設(shè)有專用的發(fā)光功能層20R、 20G、 20B。每一個發(fā)光功能層 20R、 20G、 20B,被配置在隔壁16的圖4象開口內(nèi)。發(fā)光功能層20R發(fā) 紅色光，發(fā)光功能層20G發(fā)綠色光，發(fā)光功能層20B發(fā)藍色光。
而且，在該方式中，與發(fā)光元件2R、 2G、 2B對應(yīng)地4吏第一電極 層18的厚度不同。這樣，與第一實施方式相同，是為了滿足從^^式U) 至公式(6)計算出的光學(xué)距離d2，及由公式(8)至公式(10)計算 出的光學(xué)距離A。
(6) 在上述實施方式中，為了滿足上述的光學(xué)距離^及光學(xué)距離 d2,實際上的層積構(gòu)造物的厚度的調(diào)整，是以通過第一電極層18厚度 的調(diào)整而進行為前提的，然而本發(fā)明，不限定于該方式。
例如，如圖16所示，可以分別對應(yīng)于發(fā)光元件2R、 2G、 2B,使發(fā) 光功能層20R、 20G、 20B的厚度不同。或者如圖17所示，也可以分 別對應(yīng)于發(fā)光元件2R、 2G、 2B,使絕緣體透明層14的厚度不同。
(應(yīng)用)
接下來，對于適用了本發(fā)明的有機EL裝置的電子設(shè)備進行說明。 圖18,是表示將上述實施方式的發(fā)光裝置應(yīng)用于圖像顯示裝置的便攜 型個人計算機的構(gòu)成的立體圖。個人計算機2000，具備作為圖像顯示 裝置的有機EL裝置100和本體部2010。在本體部2010上，設(shè)置有電 源開關(guān)2001和鍵盤2002。圖19，表示適用了上述實施方式的發(fā)光裝置的移動電話。移動電 話3000，具備多個操作按鍵3001和滾動按鍵3002，以及作為顯示裝置 的有機EL裝置100。通過操作滾動按鍵3002，而使在有機EL裝置100 上所顯示的畫面滾動。
圖20，表示適用了上述實施方式的發(fā)光裝置的便攜式信息終端 (PDA: Personal Digital Assistants )。 i更攜式信息終端4000，具備多 個操作按鍵4001和電源開關(guān)4002,以及作為顯示裝置的有機EL裝置 100。操作電源開關(guān)4002時，則通訊錄或日程表這樣的各種信息就顯示 于有機EL裝置100。
作為適用了本發(fā)明的有機EL裝置的電子設(shè)備，除了圖18至圖20 所示的以外，還能列舉出具備數(shù)字照相機、電視機、攝像機、車輛導(dǎo) 航裝置、記錄器、電子筆記本、電子紙、計算器、文字處理機、工作站、 電視電話、POS終端、視頻播放器、具備觸摸面板的設(shè)備等等。
權(quán)利要求
1. 一種發(fā)光裝置，其特征在于，具備發(fā)光元件，其具有第一電極層、第二電極層、配置于上述第一電極層和上述第二電極層之間的發(fā)光功能層；反射層，其將上述發(fā)光功能層所發(fā)出的光向上述發(fā)光功能層反射；半透明半反射層，其隔著上述發(fā)光功能層配置在上述反射層的相反側(cè)，使上述發(fā)光功能層所發(fā)出的光的一部分向上述發(fā)光功能層反射，另一部分透過，上述半透明半反射層，其折射率為1以上。
2. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的發(fā)光裝置，其特征在于， 還具備彩色濾光器，其隔著上述半透明反射層配置在上述發(fā)光功能層的相反側(cè)，并使透過上述半透明半反射層的光透過，從上述反射層到上述半透明半反射層的與上述反射層不相對置的界面的光學(xué)距離，根據(jù)公式(1)所計算出的光學(xué)距離a確定， d2= (p + l/2).凡/2— ((K—02) ';l/4兀… (d在此，w目當于上述彩色濾光器的透過率的峰值的波長， (h，是從上述發(fā)光功能層的相反側(cè)傳播到上述半透明半反射層的波 長x的光，在上述半透明半反射層的與上述發(fā)光功能層的相反側(cè)的界面被反射時的相位變化；(h，是從上述發(fā)光功能層側(cè)傳播到上述反射層的波長x的光，在上述反射層被反射時的相位變化； P為正整數(shù)。
3. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的發(fā)光裝置，其特征在于， 還具備彩色濾光器，其隔著上述半透明反射層配置在上述發(fā)光功能層的相反側(cè)，并使透過上述半透明半反射層的光透過， 上述半透明半反射層具有規(guī)定的物理厚度tz，并且， 從上述反射層到上述半透明半反射層的與上述反射層相對置的界面的光學(xué)距離，根據(jù)公式(2)計算出的光學(xué)距離^確定，(p + l/2) . 1/2— Ui—啦2)X/4% —nz. tz…(2)在此，W目當于上述彩色濾光器的透過率的峰值的波長， (jh，是從上述發(fā)光功能層的相反側(cè)傳播到上述半透明半反射層的波 長入的光，在上述半透明半反射層的與上述發(fā)光功能層的相反側(cè)的界面被反射時的相位變化；(h，是從上述發(fā)光功能層側(cè)傳播到上述反射層的波長X的光，在上 述反射層被反射時的相位變化；P為正整數(shù)；nz為波長X的光在上述半透明半反射層的折射率。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1至3中的任意一項所述的發(fā)光裝置，其特征在于，上述半透明半反射層，包含由至少兩種以上的單位元素構(gòu)成的^r， 在上述折射率按照其中一種單位元素的組成比率的變化以及該半透 明半反射層的物理厚度的變化而變化的情況下，該半透明半反射層的^r組成，按照上述物理厚度來確定，或者， 該半透明半反射層的上述物理厚度，按照上述合金組成來確定。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1至4中的任意一項所述的發(fā)光裝置，其特征在于，上述半透明半反射層，包括Mg和Ag。
6. —種電子設(shè)備，其特征在于， 具備權(quán)利要求1至5中的任意一項所述的發(fā)光裝置。
全文摘要
本發(fā)明提供一種發(fā)光裝置及電子設(shè)備，其能夠降低外部光線反射。該發(fā)光裝置，除了具有發(fā)光源元件和反射層及半透明半反射層的諧振器構(gòu)造以外，還具備彩色濾光器。其中，半透明半反射層，其折射率為1以上，且優(yōu)選為由MgAg制造。另外，從反射層到半透明半反射層的光學(xué)距離(d₁)，如能滿足降低外部光線反射的適宜的條件更好。
文檔編號H05B33/22GK101415281SQ20081016797
公開日2009年4月22日 申請日期2008年10月16日 優(yōu)先權(quán)日2007年10月18日
發(fā)明者小林英和 申請人:精工愛普生株式會社