專利名稱：一種鍍敷金屬的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明在涉及一種電路板制造方法，在尤其涉及一種應(yīng)用在需鍍敷金屬的電路板
產(chǎn)品環(huán)境中的鍍敷金屬的制造方法。
背景技術(shù)：
印刷電路板及多層電路板內(nèi)層利用印刷及蝕刻技術(shù)來予以制作。在包銅積片的銅 表面上積層及/或鍍敷光聚合物；利用正光阻及/或負(fù)光阻光罩技術(shù)而選擇性地將光聚合 物予以成像，并在包銅積片的表面顯像用以形成所需的電路圖樣；而以蝕刻方式將外露的 銅予以去除，并將光聚合物予以剝除，以將所需的電路圖樣展現(xiàn)出來。 —般而言，印刷電路板的導(dǎo)電電路及/或被動組件電路的制造均包含復(fù)雜的程 序、步驟，例如，埋入式被動組件技術(shù)EPT的制造，其制造程序、步驟包含首先，為得到所 需的電路圖樣，在包金屬積片(例如，包銅積片)的表面施以抗蝕刻劑，以正光阻及/或負(fù) 光阻光罩方式來決定導(dǎo)電電路及/或被動組件電路；接著，以蝕刻方式將裸露的銅予以去 除，并將抗蝕刻劑予以去除；進(jìn)而，活化經(jīng)蝕刻的表面，藉以后續(xù)能進(jìn)行鍍敷；繼而，施以鍍 敷屏蔽，僅將欲鍍敷的區(qū)域予以顯露出來；另外，鍍敷顯露出的區(qū)域；又，移除鍍敷屏蔽；最 后，在電路板的表面涂附保護(hù)涂層。 專利號為6， 767， 445的美國專利與上述的制造過程的差別在于，在鍍敷步驟中未 使用屏蔽，另外，基板整個表面并未受到活化，而僅是選擇性地將包金屬積片的表面予以活 化。然，該專利的制造過程仍包含復(fù)雜的程序、步驟。 在公告/公開號為200617588中國臺灣發(fā)明專利"整體鍍敷電阻及包括它之印刷 電路板之制法"中，雖論及鍍敷金屬，然其技術(shù)領(lǐng)域仍屬埋入式被動組件技術(shù)EPT的制造過 程。該專利所采取的程序、步驟為，先進(jìn)行抗蝕刻劑的涂敷；接著，再進(jìn)行活化；繼而，脫除 抗蝕刻劑。 在發(fā)明公告/公開號為1246382的中國臺灣專利"多層印刷電路板制造統(tǒng)及方法"
中，雖論及多層印刷電路板制造，然其技術(shù)領(lǐng)域?qū)儆谝灾苯佑跋駫呙槠饔涗浻跋竦募夹g(shù)領(lǐng)
域，而并未探討到印刷電路板制造過程中的光阻光罩、蝕刻、活化、鍍敷的程序、步驟。 在發(fā)明公告/公開號為301844的中國臺灣專利"印刷電路板之制造"中，雖論及
印刷電路板的制造，然其技術(shù)領(lǐng)域?qū)儆诜冷P晦與可焊涂層的技術(shù)領(lǐng)域，而并未探討到印刷
電路板制造過程中的光阻光罩、蝕刻、活化、鍍敷的程序、步驟。 在公告/公開號為592009的中國臺灣專利"銅箔上金屬處理之用途以于印刷電路 板制程中產(chǎn)生細(xì)線和取代氧化物方法"中，雖論及印刷電路板的制造，然其技術(shù)領(lǐng)域?qū)儆诟?良黏附力及改良光學(xué)檢驗印刷電路板能力的技術(shù)領(lǐng)域，而并未探討到印刷電路板制造過程 中的光阻光罩、蝕刻、活化、鍍敷的程序、步驟。 在公告/公開號為592017的中國臺灣專利"多層電路板之制造方法"中，雖論及 印刷電路板的制造，然其技術(shù)領(lǐng)域?qū)儆诮饘倩?緩沖表面/電路層的技術(shù)領(lǐng)域，而并未探 討到印刷電路板制造過程中的光阻光罩、蝕刻、活化、鍍敷的程序、步驟。
在公告/公開號為1221757的中國臺灣專利"制造具有電鍍電阻之印刷電路板的 方法"中，雖論及印刷電路板的制造，然其技術(shù)領(lǐng)域?qū)儆诮逵晌g刻和氧化經(jīng)電鍍的電阻器而 使絕緣基體均勻化的技術(shù)領(lǐng)域，而并未探討到印刷電路板制造過程中的光阻光罩、蝕刻、活 化、鍍敷的程序、步驟。 在公告/公開號為462090的中國臺灣專利"基材處理方法與基材處理裝置"中， 論及基材的制造，其技術(shù)領(lǐng)域?qū)儆谌コ酆衔镎稚w以及金屬污染的技術(shù)領(lǐng)域，而并未探討 到印刷電路板制造過程中的光阻光罩、蝕刻、活化、鍍敷的程序、步驟。 在公告/公開號為504407的中國臺灣專利"供微孔技術(shù)用之可被鍍的介電材料" 中，論及介電材料，其技術(shù)領(lǐng)域?qū)儆谟糜陔娐钒宓慕殡娡繉拥募夹g(shù)領(lǐng)域，而并未探討到印刷 電路板制造過程中的光阻光罩、蝕刻、活化、鍍敷的程序、步驟。 在公告/公開號為595288的中國臺灣專利"電路板只制造方法"中，雖論及電路 板的制造，然其技術(shù)領(lǐng)域?qū)儆诮饘倩?緩沖表面/電路層的技術(shù)領(lǐng)域，而并未探討到印刷 電路板制造過程中的光阻光罩、蝕刻、活化、鍍敷的程序、步驟。 在公告/公開號為146056的中國臺灣專利"鋅系復(fù)合鍍敷金屬材料以及鍍敷方 法"中，雖論及電路板的制造，然其技術(shù)領(lǐng)域?qū)儆谠诮饘俨牧媳砻嫘纬蓮?fù)合皮膜的復(fù)合鍍敷 方法及鍍敷用金屬材料的技術(shù)領(lǐng)域，而并未探討到印刷電路板制造過程中的光阻光罩、蝕 刻、活化、鍍敷的程序、步驟。 在公告/公開號為200627480的中國臺灣專利"導(dǎo)電性微粒子及各向異性導(dǎo)電材 料"中，論及各向異性導(dǎo)電材料，然其技術(shù)領(lǐng)域?qū)儆趯?dǎo)電性微粒子及各向異性導(dǎo)電材料的技 術(shù)領(lǐng)域，而并未探討到印刷電路板制造過程中的光阻光罩、蝕刻、活化、鍍敷的程序、步驟。
在公告/公開號為200617588的中國臺灣專利"整體鍍敷電阻及包括它之印刷電 路板只制法"中，論及印刷電路板的制造方法，其技術(shù)領(lǐng)域?qū)儆谡w鍍敷電阻器的雙面及多 層電路板的技術(shù)領(lǐng)域，然而，該專利的光阻光罩、蝕刻、活化、鍍敷的程序、步驟仍屬復(fù)雜的 導(dǎo)電電路及/或被動組件電路的制造。 —般而言，印刷電路板的導(dǎo)電電路及/或被動組件電路的制造均包含復(fù)雜的程 序、步驟，例如，埋入式被動組件技術(shù)EPT的制造，其制造程序、步驟包含首先，為得到所 需的電路圖樣，在包金屬積片(例如，包銅積片)的表面施以抗蝕刻劑，以正光阻及/或負(fù) 光阻光罩方式來決定導(dǎo)電電路及/或被動組件電路；接著，以蝕刻方式將裸露的銅予以去 除，并將抗蝕刻劑予以去除；進(jìn)而，活化經(jīng)蝕刻的表面，藉以后續(xù)能進(jìn)行鍍敷；繼而，施以鍍 敷屏蔽，僅將欲鍍敷的區(qū)域予以顯露出來；另外，鍍敷顯露出的區(qū)域；又，移除鍍敷屏蔽；最 后，在電路板的表面涂附保護(hù)涂層。 由上述可以看出，現(xiàn)有技術(shù)中的鍍敷金屬的制造方法，其步驟復(fù)雜，操作極為不 便。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種鍍敷金屬的制造方法，可改善現(xiàn)有技術(shù)中包含復(fù)雜程 序、步驟的印刷電路板的導(dǎo)電電路及/或被動組件電路的制造過程，使能以較少的制造程 序、步驟完成鍍敷金屬的制造。 為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明提供了一種鍍敷金屬的制造方法，應(yīng)用在鍍敷金屬的
5電路板產(chǎn)品環(huán)境中，該鍍敷金屬的制造方法包含以下程序 進(jìn)行第一次活化，對裸露出的金屬層別及裸露出的電路板進(jìn)行全面敏化； 對經(jīng)該第一次活化后且未被阻劑所覆蓋的部份，進(jìn)行第二次活化，該第二次活化
為選擇性活化； 對未被該阻劑所覆蓋的該部份進(jìn)行鍍敷金屬；以及 將該阻劑予以去除。 該金屬層別為銅線。 裸露出的該電路板為絕緣層。 該鍍敷金屬包含具有電阻特性的材料。 該鍍敷金屬包含鈀_磷材料。 該鍍敷金屬包含釕_磷材料。 該鍍敷金屬包含貴金屬材料。 本發(fā)明還提供了一種鍍敷金屬的制造方法，應(yīng)用在鍍敷金屬的電路板產(chǎn)品環(huán)境 中，該鍍敷金屬的制造方法包含以下程序 利用敏化藥劑進(jìn)行第一次活化，對裸露出的金屬層別及裸露出的電路板進(jìn)行全面 敏化； 在裸露出的該金屬層別上具有一經(jīng)該第一次活化的第一活化層，而在裸露出的該 電路板上則具有一經(jīng)該第一次活化的第二活化層； 在部份的該第一活化層表面上覆蓋一層阻劑，而未在該第二活化層上涂附該層阻 劑； 對未被該層阻劑所覆蓋的該第一活化層、以及該第二活化層，利用活化藥劑進(jìn)行 第二次活化，該第二次活化為選擇性活化； 在未被該層阻劑所覆蓋的該第一活化層上具有第三活化層、以及在該第二活化層
上具有第四活化層，對該第三活化層、以及該第四活化層進(jìn)行鍍敷金屬；以及 將該層阻劑去除。 該敏化藥劑成份至少含有氯化亞錫。 該活化藥劑成份至少含有氯化鈀。 該第一活化層選取自醋酸鈀、硫酸鈀、硝酸鈀、二氯四氨合鉑、氯酸鉑、氧化鉑、溴
化鉑、氯鉑酸銨、氯亞鉑酸銨、四氯化鉑、氯化銠、硝酸銠、硫酸銠、氯金酸鈉、氯銥酸、氯化釕等。 該第二活化層選取自醋酸鈀、硫酸鈀、硝酸鈀、二氯四氨合鉑、氯酸鉑、氧化鉑、溴
化鉑、氯鉑酸銨、氯亞鉑酸銨、四氯化鉑、氯化銠、硝酸銠、硫酸銠、氯金酸鈉、氯銥酸、氯化釕等。 該第三活化層選取自醋酸鈀、硫酸鈀、硝酸鈀、二氯四氨合鉑、氯酸鉑、氧化鉑、溴
化鉑、氯鉑酸銨、氯亞鉑酸銨、四氯化鉑、氯化銠、硝酸銠、硫酸銠、氯金酸鈉、氯銥酸、氯化釕等。 該第四活化層選取自醋酸鈀、硫酸鈀、硝酸鈀、二氯四氨合鉑、氯酸鉑、氧化鉑、溴
化鉑、氯鉑酸銨、氯亞鉑酸銨、四氯化鉑、氯化銠、硝酸銠、硫酸銠、氯金酸鈉、氯銥酸、氯化釕等。
本發(fā)明的鍍敷金屬的制造方法包含以下優(yōu)點(diǎn) 1.應(yīng)用在任何需鍍敷金屬的電路板產(chǎn)品環(huán)境中，相較在習(xí)知的鍍敷金屬方法，能 以較少的制造程序、步驟而完成電路板的鍍敷金屬的制造。 2.利用兩段式活化方式，而避免在全面活化后必需去除非鍍敷區(qū)域的多余活化層 的情形。 3.利用選擇性地活化以及鍍敷金屬的方式，而避免在全面活化后必需去除非鍍敷 區(qū)域的多余活化層的情形。


圖1 (a)至圖1 (c)為顯示說明在利用本發(fā)明鍍敷金屬的制造方法前的電路板導(dǎo)線 布置的制造過程的連續(xù)示意圖； 圖2為顯示說明利用本發(fā)明的鍍敷金屬的制造方法對圖1(c)中的已完成導(dǎo)線布 置的電路板進(jìn)行鍍敷金屬的制造的流程圖； 圖3為顯示說明利用本發(fā)明的另一鍍敷金屬的制造方法對圖1(c)的已完成導(dǎo)線 布置的電路板進(jìn)行鍍敷金屬的制造的流程圖； 圖4(a)至圖4(e)為顯示說明在圖3中的本發(fā)明鍍敷金屬的制造方法的流程步驟 的實際施行情況的連續(xù)示意圖。
具體實施例方式
圖1(a)至圖1(c)為連續(xù)示意圖，用以顯示說明在利用本發(fā)明鍍敷金屬的制造方 法前的電路板導(dǎo)線布置的制造過程。如圖l(a)中所示的，在電路板N上具有金屬層別C，在 金屬層別C上則具有以選擇性地施加的抗蝕刻劑E1。接著，如圖l(b)中所示的，以正光阻 及/或負(fù)光阻光罩方式來進(jìn)行影像轉(zhuǎn)移，利用抗蝕刻劑El，以蝕刻方式將未被抗蝕刻劑El 所覆蓋并裸露出的金屬層別C予以蝕刻，以制作出所需的金屬層別線路。繼而，如圖l(c)中 所示的，將抗蝕刻劑El予以去除，將部份的電路板N予以裸露出來，而完成導(dǎo)線布置過程。
圖2為一流程圖，用以顯示說明利用本發(fā)明的鍍敷金屬的制造方法，對圖1(c)中 的已完成導(dǎo)線布置的電路板，進(jìn)行鍍敷金屬的制造的一流程步驟。 圖2中所示的，首先，在步驟IOI，在需鍍敷金屬的層別線路制作完成后，進(jìn)行第一 次活化，以對裸露出的金屬層別C，例如，銅線，及裸露出的電路板N，例如，絕緣層，進(jìn)行全 面敏化，并進(jìn)到步驟102。 在步驟102，在第一次活化后，對經(jīng)第一次活化后且未被阻劑El所覆蓋的部份，進(jìn) 行第二次活化，該第二次活化為選擇性活化，并進(jìn)到步驟103。 在步驟103，在第二次活化完成后，對未被阻劑E1所覆蓋的部份進(jìn)行鍍敷金屬，并 進(jìn)到步驟104。 在步驟104，將阻劑El予以去除。 圖3為一流程圖，用以顯示說明利用本發(fā)明的鍍敷金屬的制造方法，對圖1(c)中 的已完成導(dǎo)線布置的電路板，進(jìn)行鍍敷金屬的制造的另一流程步驟。 如圖3中所示的，首先，在步驟201，利用敏化藥劑進(jìn)行第一次活化，以對裸露出的 金屬層別C(例如，銅線)(圖未標(biāo)出)及電路板N的裸露部份(例如，絕緣層)(圖未示出)進(jìn)行全面敏化，并進(jìn)到步驟202。 在步驟202，在裸露出的金屬層別C上具有一經(jīng)第一次活化的第一活化層CI (圖未 示)，而在裸露的電路板N上則具有一經(jīng)第一次活化的第二活化層Nl (圖未示)，僅在部份 的第一活化層CI表面上覆蓋一層阻劑E2 (圖未示)，而未在第二活化層Nl上涂附任何阻劑 E2，并進(jìn)到步驟203。 在步驟203，對未被阻劑E2所覆蓋的第一活化層CI、以及第二活化層Nl，利用活化 藥劑進(jìn)行第二次活化，并進(jìn)到步驟204。 在步驟204，在第二次活化完成后，未被該層阻劑E2所覆蓋的第一活化層Cl、以及 第二活化層Nl已被活化，且在第一活化層Cl上具有第三活化層C2 (圖未示)、以及在第二 活化層Nl上具有第四活化層N2 (圖未示)，對第三活化層C2、以及第四活化層N2進(jìn)行鍍敷 金屬層D，在鍍敷動作完成的后，所鍍敷的金屬層D (圖未示)位在第三活化層C2上、以及第 四活化層N2上，并進(jìn)到步驟205。 在步驟205，將阻劑E2去除，而完成鍍敷金屬的制造方法流程。
圖4(a)至圖4(e)為一連續(xù)示意圖，用以顯示說明在圖3中的本發(fā)明鍍敷金屬的 制造方法的流程步驟的實際施行情況。如圖4(a)中所示的，執(zhí)行第一次活化以對裸露出的 金屬層別C(例如，銅線)及電路板N的裸露部份(例如，絕緣層)進(jìn)行全面敏化，在裸露出 的金屬層別C上具有一經(jīng)第一次活化的第一活化層C1，而在裸露的電路板N上則具有一經(jīng) 第一次活化的第二活化層Nl。在此，第一次活化所使用的敏化藥劑成份至少含有，例如，氯 化亞錫，SnC12。 2H20。 如圖4 (b)中所示的，僅在部份的第一活化層Cl表面上覆蓋一層阻劑E2，而未在第 二活化層Nl上涂附任何阻劑E2。 如圖4 (C)中所示的，對未被阻劑E2所覆蓋的第一活化層Cl、以及第二活化層Nl， 進(jìn)行第二次活化；在第二次活化完成后，未被該層阻劑E2所覆蓋的第一活化層Cl、以及第 二活化層Nl已被活化，且在第一活化層Cl上具有第三活化層C2、以及在第二活化層Nl 上具有第四活化層N2。在此，第二次活化所使用的活化藥劑成份至少含有，例如，氯化鈀 (PdCI2)。 如圖4(d)中所示的，對第三活化層C2、以及第四活化層N2進(jìn)行鍍敷金屬層D，在 鍍敷動作完成的后，所鍍敷的金屬層D位在第三活化層C2上、以及第四活化層N2上。
如圖4(e)中所示的，將位在部份的第一活化層Cl表面上的阻劑E2予以去除，而 完成鍍敷金屬的制造方法流程。 在此，第一活化層Cl及/或第二活化層Nl及/或第三活化層C2及/或第四活 化層N2，可為氯化鈀或其它化合物，例如，醋酸鈀、硫酸鈀、硝酸鈀、二氯四氨合鉑、氯酸鉑、 氧化鉑、溴化鉑、氯鉑酸銨、氯亞鉑酸銨、四氯化鉑、氯化銠、硝酸銠、硫酸銠、氯金酸鈉、氯銥 酸、氯化釕等。然，第一活化層Cl及/或第二活化層Nl及/或第三活化層C2及/或第四 活化層N2也可為其它材料及/或化合物，視實際需求而定。所鍍敷的金屬層D包含，例如， 鈀_磷、釕_磷、及其它貴金屬材料及/或具有電阻特性的材料。然而，所鍍敷的金屬層D 也可為其它材料及/或化合物，端視實際需求而定。 綜合以上的實施例，我們可以得到本發(fā)明的一種鍍敷金屬的制造方法，應(yīng)用在任 何需鍍敷金屬的電路板產(chǎn)品環(huán)境中，在需鍍敷金屬的層別線路制作完成后，進(jìn)行第一次活化，以對裸露出的金屬層別(例如，銅線)及裸露出的電路板(例如，絕緣層)進(jìn)行全面敏 化；在第一次活化后，對經(jīng)第一次活化后且未被阻劑所覆蓋的部份，進(jìn)行第二次活化，該第 二次活化為選擇性活化；在第二次活化完成后，對未被阻劑所覆蓋的部份進(jìn)行鍍敷金屬； 最后，將阻劑予以去除。 以上所述僅為本發(fā)明的較佳實施例而已，并非用以限定本發(fā)明的范圍；凡其它未 脫離本發(fā)明所揭示的精神下所完成的等效改變或修飾，均應(yīng)包含在下述的專利范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
一種鍍敷金屬的制造方法，應(yīng)用在鍍敷金屬的電路板產(chǎn)品環(huán)境中，其特征在于，包含以下程序進(jìn)行第一次活化，對裸露出的金屬層別及裸露出的電路板進(jìn)行全面敏化；對經(jīng)該第一次活化后且未被阻劑所覆蓋的部份，進(jìn)行第二次活化，該第二次活化為選擇性活化；對未被該阻劑所覆蓋的該部份進(jìn)行鍍敷金屬；以及將該阻劑予以去除。
2. 如權(quán)利要求1所述的鍍敷金屬的制造方法，其特征在于，該金屬層別為銅線。
3. 如權(quán)利要求1所述的鍍敷金屬的制造方法，其特征在于，裸露出的該電路板為絕緣層。
4. 如權(quán)利要求1所述的鍍敷金屬的制造方法，其特征在于，該鍍敷金屬包含具有電阻 特性的材料。
5. 如權(quán)利要求1所述的鍍敷金屬的制造方法，其特征在于，該鍍敷金屬包含鈀-磷材料。
6. 如權(quán)利要求1所述的鍍敷金屬的制造方法，其特征在于，該鍍敷金屬包含釕_磷材料。
7. 如權(quán)利要求1所述的鍍敷金屬的制造方法，其特征在于，該鍍敷金屬包含貴金屬材料。
8. —種鍍敷金屬的制造方法，應(yīng)用在鍍敷金屬的電路板產(chǎn)品環(huán)境中，其特征在于，包含 以下程序利用敏化藥劑進(jìn)行第一次活化，對裸露出的金屬層別及裸露出的電路板進(jìn)行全面敏化；在裸露出的該金屬層別上具有一經(jīng)該第一次活化的第一活化層，而在裸露出的該電路 板上則具有一經(jīng)該第一次活化的第二活化層；在部份的該第一活化層表面上覆蓋一層阻劑，而未在該第二活化層上涂附該層阻劑；對未被該層阻劑所覆蓋的該第一活化層、以及該第二活化層，利用活化藥劑進(jìn)行第二 次活化，該第二次活化為選擇性活化；在未被該層阻劑所覆蓋的該第一活化層上具有第三活化層、以及在該第二活化層上具 有第四活化層，對該第三活化層、以及該第四活化層進(jìn)行鍍敷金屬；以及將該層阻劑去除。
9. 如權(quán)利要求8所述的鍍敷金屬的制造方法，其特征在于，該金屬層別為銅線。
10. 如權(quán)利要求8所述的鍍敷金屬的制造方法，其特征在于，裸露出的該電路板為絕緣層。
11. 如權(quán)利要求8項所述的鍍敷金屬的制造方法，其特征在于，該鍍敷金屬包含具有電 阻特性的材料。
12. 如權(quán)利要求8所述的鍍敷金屬的制造方法，其特征在于，該鍍敷金屬包含鈀_磷材料。
13. 如權(quán)利要求8所述的鍍敷金屬的制造方法，其特征在于，該鍍敷金屬包含釕_磷材料。
14. 如權(quán)利要求8所述的鍍敷金屬的制造方法，其特征在于，該鍍敷金屬包含貴金屬材料。
15. 如權(quán)利要求8所述的鍍敷金屬的制造方法，其特征在于，該敏化藥劑成份至少含有 氯化亞錫。
16. 如權(quán)利要求8所述的鍍敷金屬的制造方法，其特征在于，該活化藥劑成份至少含有 氯化鈀。
17. 如權(quán)利要求8所述的鍍敷金屬的制造方法，其特征在于，該第一活化層選取自醋酸 鈀、硫酸鈀、硝酸鈀、二氯四氨合鉑、氯酸鉑、氧化鉑、溴化鉑、氯鉑酸銨、氯亞鉑酸銨、四氯化 鉬、氯化銠、硝酸銠、硫酸銠、氯金酸鈉、氯銥酸、氯化釕等。
18. 如權(quán)利要求8所述的鍍敷金屬的制造方法，其特征在于，該第二活化層選取自醋酸 鈀、硫酸鈀、硝酸鈀、二氯四氨合鉑、氯酸鉑、氧化鉑、溴化鉑、氯鉑酸銨、氯亞鉑酸銨、四氯化 鉬、氯化銠、硝酸銠、硫酸銠、氯金酸鈉、氯銥酸、氯化釕等。
19. 如權(quán)利要求8所述的鍍敷金屬的制造方法，其特征在于，該第三活化層選取自醋酸 鈀、硫酸鈀、硝酸鈀、二氯四氨合鉑、氯酸鉑、氧化鉑、溴化鉑、氯鉑酸銨、氯亞鉑酸銨、四氯化 鉬、氯化銠、硝酸銠、硫酸銠、氯金酸鈉、氯銥酸、氯化釕等。
20. 如權(quán)利要求8所述的鍍敷金屬的制造方法，其特征在于，該第四活化層選取自醋酸 鈀、硫酸鈀、硝酸鈀、二氯四氨合鉑、氯酸鉑、氧化鉑、溴化鉑、氯鉑酸銨、氯亞鉑酸銨、四氯化 鉬、氯化銠、硝酸銠、硫酸銠、氯金酸鈉、氯銥酸、氯化釕等。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種鍍敷金屬的制造方法，應(yīng)用在鍍敷金屬的電路板產(chǎn)品環(huán)境中，該鍍敷金屬的制造方法包含以下程序在需鍍敷金屬的層別線路制作完成后，進(jìn)行第一次活化，對裸露出的金屬層別及裸露出的電路板進(jìn)行全面敏化；對經(jīng)該第一次活化后且未被阻劑所覆蓋的部份，進(jìn)行第二次活化，該第二次活化為選擇性活化；對未被該阻劑所覆蓋的該部份進(jìn)行鍍敷金屬；以及將該阻劑予以去除。本發(fā)明改善現(xiàn)有技術(shù)中包含復(fù)雜程序、步驟的印刷電路板的導(dǎo)電電路及/或被動組件電路的制造過程，使能以較少的制造程序、步驟完成鍍敷金屬的制造。
文檔編號H05K3/22GK101730390SQ20081017200
公開日2010年6月9日 申請日期2008年10月27日 優(yōu)先權(quán)日2008年10月27日
發(fā)明者楊偉雄, 林哲永, 石漢青, 范字遠(yuǎn), 許博勝, 賴永忠 申請人:健鼎(無錫)電子有限公司