專利名稱：電路板基膜、電路板基板及電路板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及印刷電路板領(lǐng)域，尤其涉及一種電路板基膜及包括該電路板基膜的電路板基 板和電路板。
技術(shù)背景近年來，為了適應(yīng)電子設(shè)備、通訊設(shè)備、計算機(jī)等小型化和多功能化的需求，印刷電路 板的層數(shù)不斷增加，體積減小，布線密度提高。印刷電路板上相鄰近的線路在工作時產(chǎn)生電 磁干擾(Electromagnetic Interference, EMI)，其會導(dǎo)致在信號的傳輸過程中會產(chǎn)生雜 訊和雜音，嚴(yán)重影響產(chǎn)品的性能。請參見Pong， M.H及Lee， C. M.等人發(fā)表于power Electronics Specialists Conference, 1998. PESC 98 Record. 29th Annual IEEEVolume 2， 17-22 May 1998 Page(s):1125 - 1130 vol.2 EMI due to electric field coupling on PCB 目前，為了降低和防止印刷電路板產(chǎn)生電磁干擾，在印刷電路板設(shè)置屏蔽層。設(shè)置的屏 蔽層為金屬材質(zhì)，這樣就會增加電路板重量，而且在柔性印刷電路板中，屏蔽層的設(shè)置會影 響柔性電路板的撓折性能，使得柔性電路板的彎曲次數(shù)減少，而且會影響電路板小型化的需 求。發(fā)明內(nèi)容有鑒于此，有必要提供一種電磁屏蔽功能的電路板基膜，用于電路板中電磁屏蔽的作用 ，提高電路板的性能。以下將以實施例說明 一種電路板基膜和使用該電路板基膜的電路板基板及電路板。一種電路板基膜，其包括第一半固化樹脂層、第二半固化樹脂層及夾設(shè)于第一半固化樹 脂層和第二半固化樹脂層之間的屏蔽層，所述屏蔽層包括多個碳納米管膜。一種電路板基板，其包括電路板基膜和至少一導(dǎo)電層，所述電路板基膜具有相對的兩表 面，導(dǎo)電層形成于電路板基膜的至少一表面上，所述電路板基膜為上述的電路板基膜。一種電路板，其包括至少一層上述的電路板基膜以及至少一層形成在所述電路板基膜上 的導(dǎo)電線路。本技術(shù)方案電磁屏蔽層采用碳納米管膜層取代本領(lǐng)域常見金屬導(dǎo)體的電磁屏蔽層，碳納 米管具有很高韌性，重量極輕，導(dǎo)電性極強(qiáng)，而且具有良好的導(dǎo)熱性能，因此能夠得到與金屬屏蔽層相同的屏蔽效果，并且可以降低電路板的重量，使得電路板在工作過程中產(chǎn)生的熱 量可以通過碳納米管膜層快速散發(fā)出去。


圖l是本技術(shù)方案的電路板基膜實施例的結(jié)構(gòu)示意圖。 圖2是本技術(shù)方案的電路板基膜制作方法流程圖。 圖3是本技術(shù)方案的從碳納米管陣列拉取碳納米管膜示意圖。 圖4是本技術(shù)方案的屏蔽層的碳納米管膜披覆示意圖。 圖5是本技術(shù)方案的電路板基板實施例的結(jié)構(gòu)示意圖。 圖6是本技術(shù)方案的電路板基板的實施例另一結(jié)構(gòu)示意圖。 圖7是本技術(shù)方案的電路板的第一實施例結(jié)構(gòu)示意圖。 圖8是本技術(shù)方案的電路板的第一實施例另一結(jié)構(gòu)示意圖。 圖9是本技術(shù)方案的電路板的第二實施例拆分結(jié)構(gòu)示意圖。 圖10是本技術(shù)方案的電路板第二實施例的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施方式
下面將結(jié)合多個實施例和附圖對本技術(shù)方案進(jìn)行進(jìn)一步說明。參見圖l，其為本技術(shù)方案提供的電路板基膜的實施例示意圖。電路板基膜10包括第一 半固化樹脂層l、第二半固化樹脂層3及夾設(shè)于第一半固化樹脂層1和第二半固化樹脂層3之間 的屏蔽層2。所述第一半固化樹脂層1具有相對的第一表面11和第二表面12，且第一表面ll和第二表 面12為平面。第一半固化樹脂層1與第二半固化樹脂層3由半固化樹脂形成，可以為柔性電路 板絕緣基膜常用的材料，例如聚酰亞胺、聚乙烯對苯二甲酸乙二醇酯、聚四氟乙烯、聚硫胺 、聚甲基丙烯酸甲酯、聚碳酸酯或聚酰亞胺-聚乙烯-對苯二甲酯共聚物。所述屏蔽層2形成于第一半固化樹脂層1的第一表面11上，所述屏蔽層2包括多層碳納米 管膜，且多層碳納米管膜依次披覆于第一表面11上形成屏蔽層2。本實施例中的碳納米管膜 可由碳納米管陣列拉出，即組成碳納米管膜的多個碳納米管相互平行。請參閱圖2，以下以實施例說明實施例的電路板基膜10的制作方法，該方法包括以下步驟第一步，參閱圖3，提供碳納米管陣列20。碳納米管陣列20可采用化學(xué)氣相沉積法生長 ，具體可參閱文獻(xiàn)Science，1999， 283， 512-414和文獻(xiàn)J. Am. Chem. Soc， 2001， 123， 11502-11503，此外，中國大陸專利申請公開第02134760. 3號也提供了超順排碳納米管陣列的生長方法。
一般的，碳納米管陣列生長方法包括提供一平滑基底，在該基底上沉積一層催化劑層，將沉積有催化劑層的基底在保護(hù)氣中以30(TC至40(TC溫度下進(jìn)行退火，時間約為 IO小時，之后，將沉積有催化劑層的基底加熱至50(TC至70(rC，通入碳源氣，碳源氣優(yōu)選為 乙炔，反應(yīng)5至30分鐘。通過此種方法生長的碳納米管陣列20中的碳納米管呈束狀密集排列 ，直徑大小分布比較集中。第二步，從碳納米管陣列20中拉取碳納米管膜21。從所述的納米陣列20中選定一包括多 個碳納米管束片段，使用拉伸工具，如鑷子，沿著拉力方向拉伸該碳納米管束片段。在拉伸 過程中，碳納米管束片段在拉力的作用下沿拉力方向延伸的同時，碳納米管束片段兩端將由 于范德華力的作而首尾相接的連在一起，形成多根碳納米管線22。如此拉取多次，使拉出的 多根碳納米管線22合并在一起，構(gòu)成所述的碳納米管膜21。依照上述方法，可以得到多個碳 納米管膜21。第三步，將多個碳納米管膜21依次披覆于第一半固化樹脂層1的第一表面11上，從而在 第一表面11上形成屏蔽層2。通常情況下，屏蔽層2中的碳納米管膜21的層數(shù)在十層以上，且 屏蔽層2的厚度為1微米至50微米。屏蔽層2中的各碳納米管膜21的延伸方向可以相同也可以 不同。例如，請參閱圖4，屏蔽層2包括多個第一碳納米管膜211和多個第二碳納米管膜212， 第一碳納米管膜211中碳納米管211a沿直線x延伸，第二碳納米管膜212中碳納米管212b沿直線 y延伸，且直線x與直線y成一角度a ，該角度a大于0。且小于或等于90。。優(yōu)選地，第一碳 納米管膜211與第二碳納米管膜212中的碳納米管的延伸方向所成角度a為60° 。第四步，在屏蔽層2遠(yuǎn)離第一半固化樹脂層1的表面上壓合第二半固化樹脂層3從而得到 所述的電路板基膜IO。作為本技術(shù)方案的電路板基膜的實施例的應(yīng)用，參見圖5，本技術(shù)方案提供電路板基板 30，其包括電路板基膜31和至少一導(dǎo)電層32，所述電路板基膜31與上述電路板基膜10結(jié)構(gòu)相 同，電路板基膜31具有第一表面311和與第一表面311相對的第二表面312。導(dǎo)電層32為銅箔 ，銅箔通過壓合或粘合的方式形成于電路板基膜31的一個表面上。參閱圖6，電路板基膜31 的二相對表面311、 312上均形成層電層32從而得到一雙面電路板基板40。請參見圖7，本技術(shù)方案提供的電路板的第一實施例單面板50，其包括電路板基膜51和 至少一導(dǎo)電線路52。所述電路板基膜51與施例中的電路板基膜10結(jié)構(gòu)相同，電路板基膜51具 有第一表面511和與第一表面511相對的第二表面512。導(dǎo)電線路52形成于第一表面511。電路板50可以采用本技術(shù)方案提供的電路板基板30按照電路板的制作工藝形成。例如， 對電路板基板30的導(dǎo)電層32進(jìn)行影像轉(zhuǎn)移、蝕刻的步驟可形成導(dǎo)電線路52?？梢岳斫?，如果采用電路板基板40制作電路板，則如圖8所示，導(dǎo)電層52形成于電路板基膜51的二相對表面 511、 512上從而得到一雙面電路板60。請參見圖9及圖10，本技術(shù)方案提供第二電路板實施例多層電路板70，其包括第一電路 板71、電路板基膜73和第二電路板72。所述第一電路板71是與本技術(shù)方案提供第二電路板實施例雙面板60結(jié)構(gòu)相同的雙面板， 其具有電路板基膜712及形成于電路板基膜二相對表面上的第一導(dǎo)電線路711和第二導(dǎo)電線路 713。所述電路板基膜73是與本技術(shù)方案提供電路板基膜10結(jié)構(gòu)相同的電路板基膜，其具有相 對的第一表面731和第二表面732。所述第一 電路板72是與本技術(shù)方案提供第二電路板實施例雙面板60結(jié)構(gòu)相同的雙面板， 其具有電路板基膜722及形成于電路板基膜二相對表面上的第一導(dǎo)電線路721和第二導(dǎo)電線路 723。所述電路板基膜73的第一表面731與第一電路板的第二導(dǎo)電線路712相接觸，電路板基膜 73的第二表面732與第二電路板的第一導(dǎo)電層721相接觸，按此次序壓合第一電路板71 、電路 板基膜73和第二電路板72壓合形成多層電路板70 ?？梢岳斫?，多層電路板70的相鄰兩導(dǎo)電線路層之間設(shè)置具有電磁屏蔽電路板基膜，這樣 ，多層電路板工作過程中，相鄰電路板的線路可以得到電磁屏蔽，從而保證電信號的傳輸質(zhì)進(jìn)一步，多層電路板可以通過至少二個本技術(shù)方案提供的電路板第二實施例單面板50壓 合形成，還可以通過二個本技術(shù)方案提供電路板第二實施例雙面板60和設(shè)置于兩雙面板60之 間本實施例提供的電路板基膜形成多層電路板?？梢岳斫?，應(yīng)用單面板50、雙面板60和電路板基膜10之間的組合，壓合在一起，可以形 成在二相鄰導(dǎo)電線路之間具有屏蔽層的多層電路板。上述實施例的多層電路板，可以為軟性電路板，也可以為硬性電路板，或者為軟硬結(jié)合 的電路板。在上述各類多層電路板的結(jié)構(gòu)中，相鄰導(dǎo)電線路層之間可以設(shè)置屏蔽層，用以將 相鄰線路層所可能產(chǎn)生的電磁干擾得以屏蔽。從而保證電信號的傳輸質(zhì)量。進(jìn)一步，應(yīng)用碳納米管膜作為電磁屏蔽的材料，碳納米管具有很高韌性，重量卻極輕， 導(dǎo)電性極強(qiáng)，而且具有良好的導(dǎo)熱性能，電路板工作過程中產(chǎn)生的熱量可以通過碳納米管膜 層傳導(dǎo)。以上實施例對本技術(shù)方案進(jìn)行了詳細(xì)的描述，但不能理解為對本技術(shù)方案的限制。對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，可以根據(jù)本技術(shù)方案的構(gòu)思做出其它各種相應(yīng)的改變與變形， 而所有這些改變與變形都應(yīng)屬于本申請權(quán)利要求的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1.一種電路板基膜，其包括第一半固化樹脂層、第二半固化樹脂層及夾設(shè)于第一半固化樹脂層和第二半固化樹脂層之間的屏蔽層，其特征在于，所述屏蔽層包括多個碳納米管膜。
2 如權(quán)利要求l所述的電路板基膜，其特征在于，所述多個碳納米 管膜中，每個碳納米管膜中的多個碳納米管相互平行。
3 如權(quán)利要求2所述的電路板基膜，其特征在于，所述屏蔽層中各 碳納米管膜中的碳納米管的延伸方向相同。
4 如權(quán)利要求2所述的電路板基膜，其特征在于，所述屏蔽層中相 鄰碳納米管膜中的碳納米管的延伸方向成一角度。
5 如權(quán)利要求4所述的電路板基膜，其特征在于，所述屏蔽層包括 多個第一碳納米管膜和多個第二碳納米管膜，第一碳納米膜與第二碳納米膜相互交替地排布 ，第一碳納米管膜中的碳納米管的延伸方向與第二碳納米管膜中的碳納米管的延伸方向成一 角度a 。
6 如權(quán)利要求5所述的電路板基膜，其特征在于，所述角度a大于0 °且小于或等于90。。
7 如權(quán)利要求l所述的電路板基膜，其特征在于，所述屏蔽層的厚 度為1微米至50微米。
8 一種電路板基板，其包括電路板基膜和至少一導(dǎo)電層，所述電路 板基膜具有相對的兩表面，導(dǎo)電層形成于電路板基膜的至少一表面上，其特征在于，所述電 路板基膜為權(quán)利要求l至7任一項所述的電路板基膜。
9 一種電路板，其包括至少一層如權(quán)利要求1至7任一項所述的電路 板基膜以及至少一層形成在所述電路板基膜上的導(dǎo)電線路。
10 如權(quán)利要求9所述的電路板，其特征在于，所述電路板基膜設(shè)置 于電路板的二相鄰的導(dǎo)電線路層之間。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種電路板基膜，其包括第一半固化樹脂層、第二半固化樹脂層及夾設(shè)于第一半固化樹脂層和第二半固化樹脂層之間的屏蔽層，所述屏蔽層包括多個碳納米管膜。所述柔性電路板基膜可屏蔽電路板相鄰兩導(dǎo)電線路層之間產(chǎn)生的電磁干擾。本發(fā)明還涉及包括該柔性電路板基膜的電路板基板及采用該柔性電路板基板制作的電路板。
文檔編號H05K9/00GK101578009SQ20081030142
公開日2009年11月11日 申請日期2008年5月6日 優(yōu)先權(quán)日2008年5月6日
發(fā)明者李文欽, 林承賢 申請人:富葵精密組件(深圳)有限公司;鴻勝科技股份有限公司